CN106795420A - 包含有机/无机复合粒子的化学机械抛光组合物 - Google Patents

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Abstract

描述了包含呈有机/无机复合粒子形式的磨料粒子的化学机械抛光(CMP)组合物以及所述复合粒子作为在CMP组合物中的磨料粒子的用途及制造半导体装置的方法，包括在所述CMP组合物存在下化学机械抛光基质。

Description

包含有机/无机复合粒子的化学机械抛光组合物
本发明涉及一种包含呈有机/无机复合粒子形式的磨料粒子的化学机械抛光(CMP)组合物以及所述复合粒子作为磨料粒子在CMP组合物中的用途。本发明还涉及制造半导体装置的方法，其包含在根据本发明的CMP组合物存在下将基质化学机械抛光。
在半导体工业中，化学机械抛光为应用于制造先进的光子、微机电及微电子材料及装置(诸如半导体晶片)中的熟知技术。在制造用于半导体工业中的材料及装置期间，化学机械抛光(CMP)用于使材料表面平坦化。CMP利用化学与机械作用的相互作用来增加待抛光表面的平坦度。化学以及机械作用由也称为CMP组合物或CMP浆料的化学机械抛光组合物提供。抛光作用通常通过抛光垫来进行，典型地将抛光垫按压至待抛光表面上且将其安装于移动压板上。压板的移动通常为直线、旋转或轨道的。在典型CMP方法步骤中，旋转晶片固持器使待抛光晶片与抛光垫接触。CMP组合物通常施用于待抛光晶片与抛光垫之间。
为了在待抛光表面上施加机械作用，CMP组合物典型地含有磨料粒子。这些粒子通常选自由无机粒子、有机粒子及有机/无机复合粒子组成的组。无机粒子为各自由一种或多种无机材料组成的粒子。有机粒子为各自由一种或多种有机材料组成的粒子，其中所述有机材料典型地为聚合物。有机/无机复合粒子包含一个或多个包含有机材料的相及一个或多个包含无机材料的相，其方式为使得这些相及材料以机械方式、以化学方式或以另一方式彼此结合。
典型地，CMP组合物具有浆料的稠度。因此，术语CMP组合物及CMP浆料以同义方式使用。
包含有机/无机复合粒子的CMP组合物例如由EP 1 088 869A1已知。所述文件公开了不同类型的有机/无机复合粒子，即均匀涂覆有无机粒子的有机粒子、其中聚合物粘附或结合至无机粒子的复合粒子或其中聚合物膜形成在无机粒子的表面上的复合粒子。
EP 1 333 476 A2公开了包含假定以如下状态存在的有机-无机复合粒子的CMP组合物，其中视待使用的有机粒子及无机粒子的化学性质、粒径及量而定，组合以下特征(i)、(ii)及(iii)中的一个、两个或两个以上：
(i)其中有机粒子为核粒子，且呈壳形式的无机粒子(呈初始粒子或次级粒子状态)围绕有机粒子附接以形成有机-无机复合粒子的状态。
(ii)其中无机粒子(呈初始粒子或次级粒子状态)为核粒子，且呈壳形式的有机粒子围绕无机粒子附接以形成有机-无机复合粒子的状态。
(iii)其中有机粒子及无机粒子(呈初始粒子或次级粒子状态)在不采用限定核/壳结构的情况下聚集，以形成有机-无机复合粒子的状态。
US 2004/0162011 A1公开了如下制备的包含有机/无机复合粒子的CMP组合物：
(a)通过在有机粒子(聚合物粒子)的存在下使醇盐化合物(例如烷氧基硅烷)缩聚，所得缩聚物直接或经由适当偶合剂(例如硅烷偶合剂)结合至有机粒子的官能团，
(b)通过经由静电力结合具有相反极性(正/负)的ζ电位的有机粒子(聚合物粒子)及无机粒子(例如硅石)，
(c)通过在上文所定义的复合粒子(b)的存在下使醇盐化合物(例如烷氧基硅烷)缩聚，
(d)通过在聚合物粒子表面上借助于作为粘合剂的缩聚物(诸如聚硅氧烷)结合硅石粒子；或使得硅石粒子的官能团(例如羟基)以化学方式与聚合物粒子的官能团结合。
根据US 2004/0162011 A1，这些复合粒子以如下状态1至3中的任何一个存在：
状态1：无机粒子已经以壳粒子形式粘附至由有机粒子组成的核粒子表面的状态，
状态2：有机粒子已经以壳粒子形式粘附至由无机粒子组成的核粒子表面的状态，
状态3：有机粒子及无机粒子已经在不形成明显核壳结构的情况下彼此聚集的状态。
在状态1至3中的每一个中，无机粒子可呈初始粒子(非聚集粒子)及次级粒子(通过聚集初始粒子形成)的任何状态，或两种粒子可混合。或者，复合粒子以混合复数种状态的状况存在。复合粒子的状态视形成复合粒子的各有机粒子及无机粒子的粒径及组分比例而定。在上文所描述的状态中，状态1及2根据US 2004/0162011 A1优选。未公开以上文定义的状态3存在的粒子的特定实施方案。
包含类似类型的有机/无机复合粒子的CMP组合物公开于US 2007/0049180 A1及US 2008/0318427 A1中。
本发明目的中的一个为提供一种化学机械抛光(CMP)组合物，其适用于化学机械抛光(CMP)用于半导体工业中的基质，尤其化学机械抛光包含由铜或铜基合金组成的表面区域或层的基质的方法。
本发明另一目的为增加铜的化学机械抛光的梯段高度减少效率(SHRE)。SHRE为平坦化效率的量度。
本发明另一目的为实现SHRE与MRR之间的良好取舍(后者不降至以下)。
本发明另一目的为在选自由扩散膜材料及介电材料组成的组的材料上提供铜移除的高选择性。
本发明另一特定目的为提供适用于在使用软垫(肖氏硬度(Hardness Shore)D<30°)时以高效率使铜图案化晶片平坦化的磨料粒子。在铜的CMP中，已知使用的硬垫材料通常产生诸如微刮痕的缺陷。尤其极小芯片特征处于通过此类硬垫材料变得损坏的风险下。随着超大规模集成电路的特征尺寸发展成22nm及低于22nm，铜互连件的缺陷变得更受关注。因此，半导体工业主张在铜的CMP中应用较软垫材料以便消除由硬垫材料所引起的缺陷。然而，在软垫上实现高平坦化效率比在已知硬垫材料上困难得多。这是由于基质表面形貌压入软垫。必然地，在图案化晶片抛光中，铜表面形貌的上部与底部部分之间的剪切力差异较小，导致较小材料移除速率差异。因为突出结构元件(高面积)以及深化结构元件经受相同的抛光作用(剪切力)，它们被相同程度地磨损。因此软垫抛光针对突出结构元件不具有选择性。
此外，本发明CMP组合物应该具有长存放期。就此而言，CMP组合物应该为其中不应该出现相分离的稳定配制剂或分散体。
本发明的相关目的为提供一种制造半导体装置的方法，其包括将基质化学机械抛光，尤其包含由铜或铜基合金组成的表面区域或层的基质。
本发明另一目的为提供适用于磨料粒子用于将基质化学机械抛光，尤其包含由铜或铜基合金组成的表面区域或层的基质的用途的有机/无机复合粒子。
根据本发明第一方面，提供包含以下组分的化学机械抛光(CMP)组合物：
(A)一定量的磨料粒子，其由以下组成
(A1)一定量的复合粒子，其中各复合粒子包含
(i)连续基体相，包含一种或多种烯属不饱和单体的加聚物
及分散于连续基体相中的
(ii)一个或多个分散相，各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成
(A2)任选一定量的不为复合粒子(A1)的其他磨料粒子
(B)一种或多种络合剂
(C)一种或多种腐蚀抑制剂
(D)一种或多种氧化剂
(E)水。
成分(A)：磨料粒子
成分(A)对应于根据本发明的相应化学机械抛光(CMP)组合物中存在的全部磨料粒子。因此，根据本发明的CMP组合物的成分(A)由(A1)一定量的如上文所定义的复合粒子及任选(A2)一定量的不为复合粒子(A1)的其他磨料粒子组成。
在本发明第一优选实施方案中，成分(A)由(A1)一定量的如上文所定义的复合粒子组成，其优选呈如下文中描述的成分(A1)的优选实施方案中的一个的形式。
在本发明第二优选实施方案中，成分(A)由以下组成：(A1)一定量的如上文所定义的复合粒子，其优选呈如下文中描述的成分(A1)的优选实施方案中的一个的形式，及(A2)一定量的不为复合粒子(A1)的其他磨料粒子。成分(A1)：复合粒子
作为成分(A1)，根据本发明的CMP组合物包含一定量的复合粒子，其中各复合粒子包含
(i)连续基体相，包含一种或多种烯属不饱和单体的加聚物
及分散于所述连续基体相中的
(ii)一个或多个分散相，各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成。
“分散于所述连续基体相中”的分散相指分散(即空间分布)在大多数所述连续基体相内以使得所述离散域中的每一个完全由该基体相包封的一种或多种无机固体材料的多个离散域。一个或多个分散相(ii)中的每一个独立于其他分散相由多个由无机固体材料组成的分开相域组成。
不希望束缚于特定理论，假定上文所定义的复合粒子(A1)包含加聚物线圈，其由多个称为聚合物基体的交织加聚物链组成；及细碎无机固体的粒子。
不排除在如上文所定义的复合粒子中
-在大多数所述连续基体相(i)内，一个或多个各自由多个分开相域组成的分散相为分散的，所述分开相域由不同于上文所定义的加聚物的有机固体材料组成
和/或
-在所述连续基体相的外表面上以连续或分散形式设置一个或多个相，所述相由无机固体材料或不同于上文所定义的加聚物的有机固体材料组成。
更特别是，不排除在所述连续基体相(i)的外表面上设置连续相或多个分开相域，其中所述连续相或所述多个分开相域由分散于基体中的分散相(ii)中的一个中存在的无机固体材料组成。
在本发明优选实施方案中，根据本发明的CMP组合物包含一定量的复合粒子作为成分(A1)，其中各复合粒子由以下组成
(i)连续基体相，包含烯属不饱和单体的加聚物
及分散于所述连续基体相中的
(ii)一个或多个分散相，各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成。
在本发明另一优选实施方案中，根据本发明的CMP组合物包含一定量的复合粒子作为成分(A1)，其中各复合粒子包含以下或由以下组成
(i)连续基体相，包含烯属不饱和单体的加聚物
及分散于所述连续基体相中的
(ii)分散相，各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成。
优选地，在上文所定义的复合粒子中，所述分散相(ii)中的一个、多于一个或所有的分开相域的最长尺寸为复合粒子(A1)平均粒度的25％或低于25％，优选15％或低于15％。
所述分开相域的尺寸一般对应于用于制备上文所定义的复合粒子的无机固体材料的粒子的尺寸(参见以下)。
在各情况下以本发明的各CMP组合物的总重量计，成分(A1)的总量优选为不超过1.5wt％，更优选不超过0.5wt％。在各情况下以本发明的各CMP组合物的总重量计，成分(A1)的总量优选为至少0.05wt％，更优选至少0.1wt％。
根据本发明的合适烯属不饱和单体包括易于在自由基机制中在水介质中聚合且通常用于水乳液聚合方法中的所有那些单体。它们包括乙烯；乙烯基芳族单体，诸如苯乙烯、α-甲基苯乙烯、邻氯苯乙烯及乙烯基甲苯；乙烯醇与C1-C18单羧酸的酯，诸如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、正丁酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯及硬脂酸乙烯酯；优选C3-C6α,β-单烯属不饱和单羧酸及二羧酸(诸如尤其丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸、富马酸及衣康酸)与一般C1-C12，优选C1-C8及尤其C1-C4烷醇的酯，诸如尤其(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯(本文中，术语“(甲基)丙烯酸”包括“甲基丙烯酸”及“丙烯酸”)；马来酸二甲酯及马来酸二正丁酯；α,β-单烯属不饱和羧酸的腈，诸如丙烯腈；及共轭C4-5二烯，诸如1,3-丁二烯及异戊二烯。一般情况下，这些单体在水中在25℃及大气压(1绝对大气压)下仅仅具有中等至差的溶解度，即每100g去离子水，≤10g，优选≤5g，且更优选≤2g。关于其他细节，参见US 2012/0016060，尤其段落[0041]-[0061]。
更优选，所述复合粒子(A1)的连续基体相(i)包含或由选自由(甲基)丙烯酸聚合物组成的组的加聚物组成。本文中，术语“(甲基)丙烯酸”包括“甲基丙烯酸”及“丙烯酸”。
优选地，所述分散相(ii)中的一个、多于一个或所有的分开相域由选自由二氧化硅、页硅酸盐、氧化铝、氧化羟基铝、碳酸钙、碳酸镁、正磷酸钙、正磷酸镁、氧化铁(II)、氧化铁(III)、氧化铁(II/III)、氧化锡(IV)、氧化铈(IV)、氧化钇(III)、二氧化钛、羟基磷灰石、氧化锌及硫化锌组成的组的无机固体材料组成。
更优选地所述分散相(ii)中的一个由二氧化硅(硅石)组成。尤其优选地，仅仅存在一个分散于该连续基体相中的分散相，所述分散相由多个由二氧化硅组成的分开相域组成。
尤其优选地，在该量的复合粒子(A1)中各复合粒子包含
(i)连续基体相，包含选自(甲基)丙烯酸聚合物的组的加聚物
及分散于所述连续基体相中的
(ii)分散相，由多个由二氧化硅组成的分开相域组成。
优选地，所述复合粒子(A1)的平均粒度在大于10nm至不超过1000nm，优选25nm至500nm，且更优选50nm至250nm范围内，和/或所述分散相(ii)中的一个、多于一个或所有的分开相域各自由平均粒度大于0nm，优选为5nm或大于5nm，但不超过100nm，优选不超过50nm的无机固体材料的粒子组成。
更优选地，所述复合粒子(A1)的平均粒度在大于10nm至不超过1000nm，优选25nm至500nm，且更优选50nm至250nm范围内，且所述分散相(ii)中的一个、多于一个或所有的分开相域各自由平均粒度大于0nm，优选为5nm或大于5nm，但不超过100nm，优选不超过50nm的无机固体材料的粒子组成。
如上文所定义的复合粒子(A1)以及在复合粒子(A1)中形成所述分散相(ii)的分开相域的无机固体材料粒子的平均粒度通过光子关联光谱(也称为准弹性光散射QELS)方法根据DIN ISO 13321使用来自Malvern Instruments有限公司的高效粒度分级器(HPPS)测定。
优选地，根据本发明的化学机械抛光组合物包含可通过用于制备包含一定量的复合粒子(A1)的水分散体的方法获得的一定量的复合粒子(A1)
其中在该方法中一种或多种烯属不饱和单体以分散方式分布于水介质中且通过自由基水乳液聚合方法借助于一种或多种自由基聚合引发剂在一个或多个各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成的分散相及一种或多种分散剂存在下聚合，该方法包括以下步骤
a)提供
-水介质
-一定量的一种或多种烯属不饱和单体
-平均粒度为100nm或低于100nm的一种或多种无机固体材料，其总量为所述一种或多种烯属不饱和单体的总量的1重量％至1000重量％，
及
-一种或多种自由基聚合引发剂，其总量为所述一种或多种烯属不饱和单体的总量的0.05重量％至2重量％，
b)在初始进料中将所述一种或多种无机固体材料的至少一部分包括至所述水介质中以使得形成包含如下的水分散体：一个或多个各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成的分散相
c)随后将以下计量加入步骤b)中形成的水分散体中
-总量的0.01重量％至20重量％的步骤a)中所提供的所述一种或多种烯属不饱和单体，及
-总量的60重量％或大于60重量％的步骤a)中所提供的所述一种或多种自由基聚合引发剂
及在聚合条件下聚合计量加入的一种或多种烯属不饱和单体至80重量％或大于80重量％的单体转化率(聚合阶段1)以使得形成聚合混合物，d)随后，在聚合条件下将以下计量加入步骤c)中形成的聚合混合物中
-所述一种或多种无机固体材料的任何剩余部分
-所述一种或多种自由基聚合引发剂的任何剩余部分，及
-所述一种或多种烯属不饱和单体的剩余部分
及进行在步骤d)中计量的所述单体的聚合至90重量％或大于90重量％的单体转化率(聚合阶段2)。
制备适用于根据本发明的CMP组合物的复合粒子(如上文所定义)的水分散体的方法描述于US 2012/0016060中。
更特别是，所述复合粒子的水分散体可通过根据US 2012/0016060的方法获得，所述方法包括
使至少一种烯属不饱和单体以分散方式分布于水介质中；及
通过自由基水乳液聚合用至少一种自由基聚合引发剂在至少一种以分散方式分布的、细碎的无机固体及至少一种分散剂存在下聚合至少一种单体，
a)其中采用以烯属不饱和单体的总量(其为总量)计，1重量％至1000重量％，优选地≥50重量％的平均粒度≤100nm的无机固体及0.05重量％至2重量％的自由基聚合引发剂，
b)其中以固体的水分散体形式在供入水介质聚合形式中的初始进料中包含无机固体的至少一部分，随后
其中，在初始进料之后，聚合包括
c)将总共≥0.01重量％且≤20重量％，优选地≥1重量％且≤15重量％的总单体量及≥60重量％，优选地≥70重量％的总量的自由基聚合引发剂计量加入在初始进料之后得到的固体的水分散体中，且在聚合条件下聚合计量的至少一种烯属(烯性)不饱和单体至≥80重量％的单体转化率，
且随后
d)在聚合条件下将无机固体的任何剩余部分、自由基聚合引发剂的任何剩余部分及至少一种烯属不饱和单体的剩余部分计量加入所得聚合混合物中，且进行聚合至≥90重量％的单体转化率。
特别是，复合粒子的水分散体可通过包括以下步骤的方法获得
使至少一种烯属不饱和单体以分散方式分布于水介质中；及
通过自由基水乳液聚合用至少一种自由基聚合引发剂在至少一种以分散方式分布、细碎的无机固体及至少一种分散剂存在下聚合至少一种单体，
a)其中采用以烯属不饱和单体的总量计，1重量％至1000重量％，优选地≥50重量％的平均粒度≤100nm的无机固体及0.05重量％至2重量％的自由基聚合引发剂，
b)其中以固体的水分散体形式在供入水介质聚合形式中的初始进料中包含无机固体的至少一部分，随后
其中，在初始进料之后，聚合包括
c)计量总共≥0.01重量％且≥20重量％，优选地≥1重量％且≤15重量％的总单体量同时计量≥60重量％，优选地≥70重量％的总量的自由基聚合引发剂至在初始进料之后得到的固体的水分散体中，且在聚合条件下聚合计量的至少一种烯属不饱和单体至≥80重量％的单体转化率，
且随后
d)在聚合条件下将无机固体的任何剩余部分、自由基聚合引发剂的任何剩余部分及至少一种烯属不饱和单体的剩余部分计量加入所得聚合混合物中，且进行聚合至≤90重量％的单体转化率，
且其中聚合步骤c)及d)产生凝结物含量≤0.5重量％的水性复合粒子分散体。
水介质优选为去离子水。
优选地，无机固体材料包含选自由热解(火成)硅石、胶态硅石及页硅酸盐组成的组的至少一个。这些细碎无机固体材料以粉末形式或以固体的稳定水分散体(称为溶胶)形式用于上文所定义的方法中。关于其他细节，参见US 2012/0016060，尤其段落[0018]-[0026]。
用于上文所定义的方法中的无机固体材料的平均粒度大于0nm，优选为5nm或大于5nm，且不超过100nm，优选不超过90nm，更优选不超过80nm，更优选不超过70nm，更优选不超过60nm，尤其优选不超过50nm，其通过光子关联光谱(也称为准弹性光散射QELS)方法根据DINISO 13321使用来自Malvern Instruments有限公司的高效粒度分级器(HPPS)测定。关于其他细节，参见US 2012/0016060，尤其段落[0021]及[0077]。
优选地，在步骤b)中，该总量的无机固体材料包含于初始进料中。
可使用适用于引发自由基聚合，即能够触发自由基水乳液聚合的任何引发剂。典型地引发剂选自由过氧化物及偶氮化合物组成的组。关于其他细节，参见US 2012/0016060，尤其段落[0062]-[0063]。
本文中术语“聚合条件”指在其下自由基引发的水乳液聚合以足够聚合速率进行的那些温度及压力。聚合条件更尤其视使用的自由基引发剂而定。有利地在方法的步骤c)及d)中选择自由基引发剂的性质及量、聚合温度及聚合压力以使得使用的自由基引发剂具有足够半衰期，同时始终提供足以引发且维持聚合反应的起始自由基。在方法的步骤c)及d)中，用于在细碎无机材料存在下的自由基水乳液聚合反应的合适反应温度涵盖0℃至170℃的整个范围。通常，使用的温度为50℃至120℃，常常60℃至110℃且通常70℃至100℃。自由基水乳液聚合可在小于、等于或大于大气压的压力下进行。关于其他细节，参见US 2012/0016060，尤其段落[0070]。
单体转化率的测定原则上为本领域技术人员所熟悉且例如通过反应-量热法测定实现。关于其他细节，参见US 2012/0016060，尤其段落[0067]。
在上文所描述的方法期间，所述分散剂不仅维持细碎无机固体粒子而且单体液滴及所得复合粒子分散分布在水性聚合介质中且因此确保产生的复合粒子的水分散体的稳定性。合适分散剂包括通常用于进行自由基水乳液聚合的保护胶体，及乳化剂。优选地，分散剂包含选自由阴离子乳化剂及非离子乳化剂组成的组的至少一个。关于其他细节，参见US2012/0016060，尤其段落[0029]-[0040]。
可通过上文所定义的方法获得的水性复合粒子分散体的总固体含量通常为1重量％或大于1重量％，及70重量％或低于70重量％，常常5重量％或大于5重量％及65重量％或低于65重量％，且通常10重量％或大于10重量％及60重量％或低于60重量％。
可通过上文所定义的方法获得的复合粒子的平均粒度一般为>10nm且不超过1000nm，常常≥25nm且≤500nm，且通常≥50nm且≤250nm，其通过光子关联光谱(也称为准弹性光散射QELS)方法根据DIN ISO13321使用来自Malvern Instruments有限公司的高效粒度分级器(HPPS)测定。关于其他细节，参见US 2012/0016060，尤其段落[0077]。
关于上文所提及的方法的其他细节及优选实施方案，参考US 2012/0016060，尤其段落[0027]、[0028]及[0064]-[0075]。
通过US 2012/0016060中所公开的方法形成的复合粒子的水分散体稳定且具有在各情况下以水性复合粒子分散体的总重量计，一般0.5wt％或低于0.5wt％，优选0.1wt％或低于0.1wt％，且尤其优选0.05wt％或低于0.05wt％的低凝结物含量。凝结物含量通过经由筛目大小为45μm的尼龙筛过滤水性复合粒子分散体测定。关于其他细节，参见US 2012/0016060，尤其段落[0080]-[0081]。
关于复合粒子的这种水分散体用于制备CMP组合物的用途，低凝结物含量有利，因为复合粒子凝结的较低趋势增加CMP组合物的存放期。
出人意料地已发现包含上文所定义的复合粒子(A1)(尤其在其优选实施方案中)的化学机械抛光组合物能够实现本发明的上文所定义的目的。
成分(A2)：不为复合粒子(A1)的其他磨料粒子
任选地，根据本发明的化学机械抛光(CMP)组合物包含一定量的不为复合粒子(A1)的其他磨料粒子作为成分(A2)。成分(A2)对应于根据本发明的CMP组合物中所存在的不为如上文所定义的复合粒子(A1)的全部磨料粒子。
任何常规使用的磨料粒子可用作磨料粒子(A2)。
用作或用于成分(A2)中的粒子为
-优选无机粒子，
-更优选选自由金属或类金属的氧化物及碳化物或其混合物或复合物组成的组的粒子，
-最优选选自由氧化铝、二氧化铈、氧化铜、氧化铁、氧化镍、氧化锰、硅石、氮化硅、碳化硅、氧化锡、二氧化钛、碳化钛、氧化钨、氧化钇、氧化锆及其混合物及复合物组成的组的粒子，
-特别优选选自由氧化铝、二氧化铈、硅石、二氧化钛、氧化锆及其混合物及复合物组成的组的粒子，
-尤其硅石粒子，
-例如胶态硅石粒子。
若成分(A2)包括含有机粒子，则优选聚合物粒子作为有机粒子。
成分(A2)还可包含不为复合粒子(A1)的复合粒子，例如现有技术中所公开的核壳粒子。
此外，成分(A2)可以不为复合粒子(A1)的不同种类的磨料粒子的混合物形式存在。
优选地，在各情况下如用动态光散射技术使用诸如来自MalvernInstruments有限公司的高效粒度分级器(HPPS)或Horiba LB550的仪器测量，成分(A2)的粒子的平均粒度在5nm至500nm范围内，更优选在10nm至400nm范围内，最优选在20nm至300nm范围内，尤其在30nm至160nm范围内，例如在35nm至135nm范围内。
成分(A2)的粒子可具有各种形状。从而，成分(A2)的粒子可具有一种或基本上仅一种形状。然而，也有可能成分(A2)的粒子具有不同形状。例如，可存在两种类型的不同形状的粒子。例如，用于或用作成分(A2)的粒子可具有立方体、具有削边的立方体、八面体、二十面体、茧状物、节结或球(具有或不具有突起或凹穴)的形状。优选地，其为不具有或仅具有极少突起或凹穴的球形。
CMP组合物中所存在的不为如上文所定义的复合粒子(A1)的任何磨料粒子必须指派给成分(A2)。
若存在，在各情况下以本发明的各CMP组合物的总重量计成分(A2)的总量优选不超过1.5wt％，更优选不超过0.5wt％。在各情况下以本发明的各CMP组合物的总重量计成分(A2)的总量优选为至少0.05wt％，更优选至少0.1wt％。
成分(B)：络合剂
根据本发明的化学机械抛光(CMP)组合物包含一种或多种络合剂作为成分(B)。用于或用作成分(B)的络合剂为与某些金属离子形成可溶配合物，从而使所述金属离子失活以使得其无法正常与其他元素或离子反应产生沉淀或积垢的化合物。
优选地，络合剂或成分(B)的络合剂中的至少一个选自由有机酸及无机酸组成的组。
在有机酸中，优选氨基酸及羧酸。优选的氨基酸选自由甘氨酸、精氨酸、赖氨酸、丙氨酸、白氨酸、缬氨酸、组氨酸、半胱氨酸、丝氨酸及脯氨酸组成的组。优选的羧酸选自由甲酸、乙酸、丙二酸、草酸、柠檬酸、丁二酸及酒石酸组成的组。在无机酸中，优选磷酸。
在各情况下以本发明的各CMP组合物的总重量计，成分(B)的总量优选不超过5wt％，更优选不超过3wt％，最优选不超过2wt％。在各情况下以本发明的各CMP组合物的总重量计，成分(B)的总量优选为至少0.05wt％，更优选至少0.10wt％，最优选至少0.2wt％。
由于其结构同时落在根据本发明的CMP组合物的各种成分的定义下的物质出于定量考虑必须在各情况下指派给所有这些成分。例如，在根据本发明的组合物在成分(B)中含有同时落在本文所定义的任何其他成分的定义下的一种或多种络合剂或含有所述一种或多种络合剂作为成分(B)的情况下，出于定量考虑的目的这些络合剂必须指派给成分(B)以及所述其他成分。
成分(C)：一种或多种腐蚀抑制剂
根据本发明的化学机械抛光(CMP)组合物包含一种或多种腐蚀抑制剂作为成分(C)。用于或用作成分(C)的腐蚀抑制剂为能够控制金属表面的腐蚀的化合物。典型地，此类腐蚀抑制剂粘附至待抛光的表面且从而形成保护膜，典型地分子膜。
优选地，腐蚀抑制剂或成分(C)的腐蚀抑制剂中的至少一个选自由在芳环体系中包含至少一个，优选三个或四个氮原子的杂环芳族化合物组成的组。更优选地，腐蚀抑制剂或成分(C)的腐蚀抑制剂中的至少一个选自由唑组成的组。最优选地，腐蚀抑制剂或成分(C)的腐蚀抑制剂中的至少一个选自由苯并三唑、甲基-苯并三唑、1,2,4-三唑、吡咯烷酮、咪唑、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯咪唑、四唑、1,2,3-三唑、5-苯基四唑、3-氨基-1,2,4-三唑、苯并咪唑组成的组。
在各情况下以本发明的各CMP组合物的总重量计，成分(C)的总量优选不超过0.5wt％，更优选不超过0.3wt％，最优选不超过0.2wt％。在各情况下以本发明的各CMP组合物的总重量计，成分(C)的总量优选为至少0.001wt％，更优选至少0.005wt％，最优选至少0.01wt％。
由于其结构同时落在根据本发明的CMP组合物的各种成分的定义下的物质出于定量考虑必须在各情况下指派给所有这些成分。例如，在根据本发明的组合物在成分(C)中含有同时落在本文所定义的任何其他成分的定义下的一种或多种腐蚀抑制剂或含有所述一种或多种腐蚀抑制剂作为成分(C)的情况下，出于定量考虑的目的这些腐蚀抑制剂必须指派给成分(C)以及所述其他成分。
成分(D)：一种或多种氧化剂
本发明化学机械抛光(CMP)组合物进一步包含一种或多种氧化剂作为成分(D)。用于或用作成分(D)的氧化剂为能够氧化待抛光基质或其层中的一个的化合物。
优选地氧化剂或成分(D)的氧化剂中的至少一个选自由过氧化物(例如过氧化氢)、过氧硫酸盐、过氯酸盐、过溴酸盐、过碘酸盐及高锰酸盐组成的组。
在各情况下以本发明的各CMP组合物的总重量计，成分(D)的总量优选不超过2wt％，更优选不超过1.8wt％，最优选不超过1.5wt％。在各情况下以本发明的各CMP组合物的总重量计，成分(D)的总量优选为至少0.1wt％，更优选至少0.3wt％，最优选至少0.5wt％。
由于其结构同时落在根据本发明的CMP组合物的各种成分的定义下的物质出于定量考虑必须在各情况下指派给所有这些成分。例如，在根据本发明的组合物在成分(D)中含有同时落在本文所定义的任何其他成分的定义下的一种或多种氧化剂或含有所述一种或多种氧化剂作为成分(D)的情况下，出于定量考虑的目的这些氧化剂必须指派给成分(D)以及所述其他成分。
成分(E)：水及任选其他成分
根据本发明的CMP组合物包含水作为成分(E)。最优选地，使用去离子水制造根据本发明的CMP组合物。
除上文所定义的成分(A)-(E)之外，根据本发明的CMP组合物任选地包含可与水混溶的有机溶剂(例如醇，优选地C1至C3醇，或亚烷基二醇衍生物)。
若除水(E)外的成分的量总计为CMP组合物的x重量％，则(E)的量为该CMP组合物的(100-x)重量％。
CMP组合物的pH值
本发明的化学机械抛光(CMP)组合物的特性(诸如稳定性及抛光性能)可视该组合物的pH而定。
优选地，组合物的pH值不超过9，更优选不超过8，最优选不超过7。组合物的pH值优选为至少4，更优选至少4.5，最优选至少5。
在制备本发明的化学机械抛光(CMP)组合物的方法中，该CMP组合物的pH值任选地通过添加一种或多种额外pH调节剂(F)调节。通常，用于制备本发明的CMP组合物的pH调节剂为添加至CMP组合物以使其pH值调节至所需值的化合物。
具有在上文所定义的范围内的pH的化学机械抛光(CMP)组合物可通过混合
(F)一种或多种pH调节剂
与化学机械抛光组合物的成分(A)、(B)、(C)、(D)及(E)而获得。
优选地，所述一种pH调节剂(F)或多于一种pH调节剂(F)中的至少一个选自由无机酸、羧酸、胺碱、碱性氢氧化物及氢氧化铵，包括氢氧化四烷基铵组成的组。尤其优选地，所述一种pH调节剂(F)或多于一种pH调节剂(F)中的至少一个选自由硝酸及氢氧化钾组成的组。最优选地，pH调节剂(F)为硝酸及氢氧化钾。
由于其结构同时落在根据本发明的CMP组合物的各种成分的定义下的物质出于定量考虑必须在各情况下指派给所有这些成分。例如，在根据本发明的组合物在成分(F)中含有同时落在本文所定义的任何其他成分的定义下的一种或多种pH调节剂或含有pH调节剂作为成分(F)的情况下，出于定量考虑的目的这些pH调节剂必须指派给成分(F)以及所述其他成分。
在各情况下以本发明的各CMP组合物的总重量计，在制备本发明的CMP组合物的方法中添加的pH调节剂(F)的总量优选不超过10wt％，更优选不超过2wt％，最优选不超过0.5wt％。若存在，在各情况下以本发明的各CMP组合物的总重量计，在制备本发明的CMP组合物的方法中添加的pH调节剂(F)的总量优选为至少0.0005wt％，更优选至少0.005wt％，最优选至少0.025wt％。
制备CMP组合物
制备化学机械抛光(CMP)组合物的方法一般已知。这些方法适用于制备本发明的CMP组合物。本发明的CMP组合物可通过以下制备：使上文所描述的成分(A)、(B)、(C)及(D)分散或溶解在水介质，优选水(E)中，且任选地通过添加一种或多种pH调节剂(F)调节pH值。因此，CMP组合物优选可通过使复合粒子(A)分散，及使其他成分(B)、(C)及(D)及一种或多种pH调节剂(F)分散和/或溶解在水介质，优选水(E)中来制备。出于此目的，可使用常用及标准混合方法及混合器具(诸如搅动容器、高剪切叶轮、超声混合器、均质机喷嘴或逆流混合器)。
尤其优选为其中组合上文所定义的优选特征中的两个或两个以上的根据本发明的CMP组合物。更优选地，根据本发明的CMP组合物的成分(A)至(D)中的一个、两个、三个或每一个以该成分的优选实施方案中的一个的形式和/或以该成分的优选浓度范围存在。
根据本发明的优选CMP组合物包含
(A1)一定总量的复合粒子，其中各复合粒子包含
(i)连续基体相，包含一种或多种烯属不饱和单体的加聚物
及分散于所述连续基体相中的
(ii)一个或多个分散相，各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成
以各化学机械抛光组合物的总重量计，其在0.05wt％至1.5wt％范围内，优选在0.1wt％至0.5wt％范围内，
和/或
(B)一定总量的一种或多种络合剂，以该各CMP组合物的总重量计，其在0.05wt％至5wt％范围内，
和/或
(C)一定总量的一种或多种腐蚀抑制剂，以各CMP组合物的总重量计，其在0.001wt％至0.5wt％范围内，
和/或
(D)一定总量的一种或多种氧化剂，以各CMP组合物的总重量计，其在0.1wt％至2wt％范围内。
根据本发明尤其优选CMP组合物包含
(A1)一定总量的复合粒子，其中各复合粒子包含
(i)连续基体相，包含一种或多种烯属不饱和单体的加聚物
及分散于所述连续基体相中的
(ii)一个或多个分散相，各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成
以该各化学机械抛光组合物的总重量计，其在0.05wt％至1.5wt％范围内，优选在0.1wt％至0.5wt％范围内，
及
(B)一定总量的一种或多种络合剂，以各CMP组合物的总重量计，其在0.05wt％至5wt％范围内，
及
(C)一定总量的一种或多种腐蚀抑制剂，以各CMP组合物的总重量计，其在0.001wt％至0.5wt％范围内，
及
(D)一定总量的一种或多种氧化剂，以各CMP组合物的总重量计，其在0.1wt％至2wt％范围内。
关于所述CMP组合物的单个成分的优选特征，参考以上提供的公开内容。
关于根据本发明的组合物(如上文所定义)的定量特性化，由于其结构同时落在根据本发明的CMP组合物的各种成分的定义下的物质必须在各情况下指派给所有这些成分。
化学机械抛光(CMP)方法：
本发明另一方面涉及制造半导体装置的方法，其包括将基质化学机械抛光
-其借助于如上文所定义的根据本发明的化学机械抛光组合物
或
-在一定量的复合粒子(A1)存在下，其中各复合粒子包含
(i)连续基体相，包含一种或多种烯属不饱和单体的加聚物
及分散于所述连续基体相中的
(ii)一个或多个分散相，各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成
作为磨料粒子。
关于待用于本发明方法中的CMP组合物的优选特征及该CMP组合物的单个成分，参考以上提供的公开内容。
关于上文所定义的复合粒子(A1)的优选特征，参考以上提供的公开内容。
优选地，在本发明方法中，基质包含由铜或铜合金组成的表面区域或层。更优选地，基质包含
-由铜或铜合金组成的表面区域或层，及
-由选自由扩散膜材料及介电材料组成的组的材料组成的表面区域或层。
如本发明中所使用的符号Cu及术语铜指高纯度元素铜。术语“铜基合金”或“Cu基合金”指含有至少80wt％铜的合金。当Cu或Cu基合金用于金属化时，一般需要在Cu或Cu基合金金属化特征与介电绝缘材料(层间介电(ILD)或金属间介电(IMD)的邻近薄层之间提供扩散膜。典型扩散膜材料选自由钽、氮化钽、钛、氮化钛、钴及钌组成的组。典型介电材料选自由二氧化硅(优选通过等离子体增强的化学气相沉积(CVD)使用四乙氧基硅烷(TEOS)作为前体获得的氧化硅)及K值在2.5至3.5范围内的低K电介质组成的组。
化学机械抛光(CMP)方法一般已知且可用技术及设备在制造具有集成电路的晶片中通常用于CMP方法的条件下进行。对于可用于进行抛光方法的设备不存在限制。
如此项技术中已知，用于CMP方法的典型设备由用抛光垫覆盖的旋转压板组成。也可使用轨道抛光器。晶片安装于载体或夹盘上。晶片的加工面面向抛光垫(单面抛光方法)。扣环将晶片固定于水平位置。
在载体下方，较大直径压板一般水平安置且提供与待抛光晶片表面平行的表面。压板上的抛光垫在平坦化方法期间与晶片表面接触。
在本发明的CMP组合物(如上文所定义)的情况下，优选地使用肖氏D-硬度小于30°的软垫，优选地肖氏A硬度为20°至60°的软垫。
为了产生所需材料损失，将晶片按压至抛光垫上。通常使载体及压板两者围绕其自载体及压板垂直延伸的各轴旋转。旋转中的载体转轴可相对于旋转中的压板保持固定于适当位置中，或可相对于压板水平地振荡。载体的旋转方向典型地(但未必)与压板的旋转方向相同。载体及压板的旋转速度一般(但未必)设定为不同值。在CMP方法期间，通常将本发明的CMP组合物以连续流形式或以逐滴方式施加至抛光垫上。压板温度通常设定为10℃至70℃的温度。
可通过例如用软垫(通常称为背衬膜)覆盖的钢制平板施加晶片上的负载。若使用更先进设备，则负载有空气或氮气压力的可挠性膜将晶片按压至垫上。因为晶片上的向下压力分布比具有硬压板设计的载体的向下压力分布更均匀，所以当使用硬抛光垫时，此膜载体对于低向下力方法优选。亦可使用具有控制晶片上的压力分布的选项的载体。其通常设计成具有许多不同腔室，这些腔室在一定程度上可彼此独立地负载。
关于CMP方法的其他细节，结合图1及2参考WO 2004/063301A1，尤其第16页段落[0036]至第18页段落[0040]。
本发明的其他方面：
本发明另一方面涉及包含以下的化学机械抛光组合物用于将基质化学机械抛光的用途
(A)一定量的磨料粒子，其由以下组成
(A1)一定量的复合粒子，其中各复合粒子包含
(i)连续基体相，包含一种或多种烯属不饱和单体的加聚物，
及分散于该连续基体相中的
(ii)一个或多个分散相，各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成
(A2)任选一定量的不为复合粒子(A1)的其他磨料粒子
(B)一种或多种络合剂
(C)一种或多种腐蚀抑制剂
(D)一种或多种氧化剂
(E)水。
关于待用于本发明方法中的CMP组合物及其单个成分的优选特征、化学机械抛光方法的优选特征及待抛光基质的优选特征，参考以上提供的公开内容。
本发明另一方面涉及一定量的复合粒子(A1)作为用于化学机械抛光的磨料粒子的用途，其中各复合粒子包含
(i)连续基体相，包含一种或多种烯属不饱和单体的加聚物
及分散于所述连续基体相中的
(ii)一个或多个分散相，各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成。
关于上文所定义的复合粒子(A1)的优选特征，参考以上提供的公开内容。
实施例
下文中本发明借助于实施例及附图进一步说明。
附图显示：
图1根据US 2012/0016060 A1制备复合粒子的水分散体的方法的示意性图示。
图2a在抛光之前之后图案化晶片的铜表面形貌
图2b在抛光之后图案化晶片的铜表面形貌
图3铜图案化晶片的不同特征的抛光结果的时间相关性。
制备复合粒子(A1)
根据US 2012/0016060中所描述的方法制备复合粒子(A1)的水分散体，其中各复合粒子包含
(i)连续基体相，包含选自由(甲基)丙烯酸聚合物组成的组的加聚物
及分散于所述连续基体相中的
(ii)分散相，由多个由二氧化硅(硅石)组成的分开相域组成。
所述复合粒子(A1)的平均粒度为95nm。由于聚集粒子的存在，无机固体材料为初始粒度为15nm且平均粒度为30nm的硅石。所述复合粒子(A1)以及在所述复合粒子(A1)中形成所述分散相(ii)的分开相域的硅石粒子的平均粒度通过光子关联光谱(也称为准弹性光散射QELS)方法根据DIN ISO 13321使用来自Malvern Instruments有限公司的高效粒度分级器(HPPS)测定。
图1以示意性方式显示怎样在US 2012/0016060 A1的方法期间形成并入分散硅石粒子的连续聚合物基体以使得形成复合粒子，其中在各复合粒子中多个单个硅石粒子并入所述复合粒子的连续聚合物基体中。
在制备用于上文所提及的现有技术的复合粒子中，使无机材料的无机粒子(例如硅石)和/或前体与已经提前制备的聚合物粒子组合。相比之下，在US 2012/0016060中描述的方法中，复合粒子通过在至少一种以分散方式分布的、细碎的无机固体(例如硅石)存在下聚合分散于水介质中的烯属不饱和单体获得。在不希望束缚于特定理论的情况下，推断制备方法的此差异导致复合粒子的不同结构，使得细碎硅石空间分布在复合粒子的聚合物基体内，因此偏离常见核壳结构。
制备CMP浆料
首先在塑料容器中将一定量的去离子(DI)水(E)称重。随后将容器放置于磁性搅拌板上且保持在60％最大速度下搅拌。将指定量的作为络合剂(B)的甘氨酸及作为腐蚀抑制剂(C)的1,2,4-三唑(参见以下)依次添加至去离子水中同时搅拌直至所有固体溶解。随后添加指定量的如上文所定义制备的复合粒子(A1)的水分散体及任选不为复合粒子(A1)的其他磨料粒子(A2)。用作为pH调节剂(F)的稀HNO3及KOH将浆料pH调节至特定值，且向溶液中添加指定量的作为氧化剂(D)的H2O2，其后搅拌以上浆料30分钟。下文中，浆料成分的浓度以在各情况下按各浆料的总重量计的wt％提供。
8"铜层晶片抛光
用Strasbaugh 6EG 200/300mm CMP抛光器抛光8"层式晶片(购自SKW Associates公司，直径8'＝20.3cm)。抛光条件如下(若不另外指示)：向下压力2.5psi(17.2kPa)，工作台速度/载体速度85rpm/75rpm，浆料流动速率200mL/min，及抛光时间1分钟。抛光垫：Fujibo H800(肖氏A 20°-肖氏A 60°)；IC 1010K(肖氏D 57.6°)。铜移除速率通过使用四点探针薄层电阻测量系统(ResMap 273)测量在抛光之前及之后膜厚度的差来测定。
8"铜图案化晶片抛光
用Strasbaugh 6EG 200mm/300mm CMP抛光器抛光8"图案化晶片(SKW6-3.18C晶片，购自SKW Associates公司，若不另外指示，直径8"＝20.3cm)。(a)在抛光之前及(b)在抛光之后的铜表面形貌分别显示于图2a及图2b中。使用如以下等式中所示的梯段高度减少效率(SHRE)测量平坦化效率：
其中
铜梯段高度前指铜图案化晶片上的初始表面形貌，参见图2a，其中参考符号“a”表示铜梯段高度前
铜梯段高度后：指抛光之后的铜表面形貌，参见图2b，其中参考符号“b”表示铜梯段高度后
移除的铜厚度：在各冲模上移除的平均膜厚度。
抛光条件如下(若不另外指示)：向下压力2.5psi(17.2kPa)，工作台速度/载体速度85rpm/75rpm，浆料流动速率200mL/min，及抛光时间1min。抛光垫：Fujibo H800(肖氏A20°-肖氏A 60°)；IC 1010K(肖氏D 57.6°)。在抛光之后，用高分辨率描形针轮廓仪AmbiosXP-2测量梯段高度、凹陷及侵蚀。对于所有以上测试，测量边缘、中间及中心冲模的100μm×100μm、50μm×50μm、10μm×10μm特征。
实施例1
使用Fujibo H800(3-1S)PET垫(硬度：肖氏A 57.5°)在上文所定义的抛光条件下针对8"铜层晶片及8"图案化晶片的化学机械抛光测试包含复合粒子(A1)作为磨料粒子的根据本发明的CMP浆料01及包含传统胶态硅石(A2)作为磨料粒子的不根据本发明的CMP浆料02。
CMP浆料01及02的配制剂如下：
浆料01：(A1)1.0wt％如上文所描述的复合粒子；(B)0.6wt％甘氨酸；(C)0.05wt％1,2,4-三唑；(D)1.5wt％H2O2；(E)去离子水；pH＝5.40。
浆料02：(A2)1.0wt％胶态硅石(Nexsil 85K)；(B)0.6wt％甘氨酸；(C)0.05wt％1,2,4-三唑；(D)1.5wt％H2O2；(E)去离子水；pH＝5.40。
测试结果显示于表1中。
CMP浆料02(不根据本发明)达到约的铜的高移除速率(MRR)，然而对于50μm×50μm特征尺寸其实现小于50％平坦化效率，且对于100μm×100μm特征尺寸，小于15％平坦化效率。相比而言，包含如上文所定义的复合粒子(A1)的CMP浆料01达到约的铜的高移除速率MRR及高梯段高度减少效率SHRE两者。
表1
实施例2
在上文所定义的抛光条件下针对8"铜层晶片的化学机械抛光测试包含不同浓度复合粒子(A1)作为磨料粒子的根据本发明的CMP浆料。还使用Fujibo H800(3-1S)PET垫在上文所定义的抛光条件下针对8"图案化晶片的化学机械抛光测试特定浆料。各测试CMP浆料中的上文所描述的复合粒子(A1)的浓度及测试结果显示于表2中。对于所有测试浆料其他浆料组分相同且如下：
(A2)：0.10wt％胶态硅石；(B)1.0wt％甘氨酸；(C)0.10wt％1,2,4-三唑；(D)1.2wt％H2O2；(E)去离子水；pH＝6.00。
铜MRR在复合粒子(A1)的浓度自0.5wt％降低至0.01wt％时不断增加，而SHRE在0.25wt％的复合粒子(A1)的浓度下最有效。
表2
实施例3
为了评估化学机械抛光选择性，使用Fujibo H800PET垫在上文所定义的抛光条件(除表3中指示的向下压力外)下针对铜层及选自由扩散膜材料及介电材料组成的组的若干材料的化学机械抛光测试根据本发明的CMP浆料。在两种不同向下压力下各材料的MRR值显示于表3中。浆料组成如下：
(A1)1.0wt％如上文所描述的复合粒子；(B)0.6wt％甘氨酸；(C)0.05wt％1,2,4-三唑；(D)1.5wt％H2O2；(E)去离子水；pH＝5.40。
相对于测试扩散膜材料氮化钽以及测试介电材料二氧化硅及低K电介质(诸如可购自Applied Materials的Black)，根据本发明的CMP组合物展示对移除铜的极高选择性。
表3
实施例4
在上文所定义的抛光条件下针对8"SEMATECH 854铜图案化晶片的化学机械抛光测试根据本发明的CMP浆料，且在不同抛光时间之后测量不同特征尺寸的梯段高度。浆料组成如下：
(A1)1.0wt％如上文所描述的复合粒子；(B)0.6wt％甘氨酸；(C)0.05wt％1,2,4-三唑；(D)1.5wt％H2O2；(E)去离子水；pH＝5.40。
测试结果显示于表4及图3中。在抛光83秒之后较小特征(10μm×10μm尺寸)完全平坦化。然而，在173秒抛光之后大特征(100μm×100μm)显示约的梯段高度。在50μm×50μm特征的情况下，在抛光173秒之后观察到凹陷。
表4
实施例5
为了评估垫的硬度的影响，在上文所定义的抛光条件下使用如表5中指示的不同硬度的垫针对8"铜层晶片及8"图案化晶片的化学机械抛光测试根据本发明的CMP浆料。浆料组成如下：
(A1)0.2wt％如上文所描述的复合粒子；(A2)0.1wt％胶态硅石(FusoPL-3)；(B)0.8wt％甘氨酸；(C)0.2wt％1,2,4-三唑；(D)1.5wt％H2O2；(E)去离子水；pH＝5.40。
测试结果显示于表5中。
铜的移除速率MRR以及梯段高度减少效率SHRE视垫硬度而定。虽然在软垫的情况下铜的移除速率MRR较高，但在硬垫的情况下对于特征尺寸110μm×100μm及50μm×50μm，实现较高梯段高度减少效率。对于硬垫，SHRE不随特征尺寸显著变化，而对于软垫，当特征尺寸减少时SHRE增加，使得对于10μm×10μm特征，在硬垫及软垫的SHRE中不存在显著差异。因此，在根据本发明的CMP组合物的情况下，可使用软垫代替硬垫以抛光尤其具有50μm×50μm及50μm×50μm以下特征尺寸的铜图案化晶片。
表5

Claims (16)

1.一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含
(A)一定量的磨料粒子，其由以下组成
(A1)一定量的复合粒子，其中各复合粒子包含
(i)连续基体相，其包含一种或多种烯属不饱和单体的加聚物及分散于所述连续基体相中的
(ii)一个或多个分散相，各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成
(A2)任选一定量的不为复合粒子(A1)的其他磨料粒子
(B)一种或多种络合剂
(C)一种或多种腐蚀抑制剂
(D)一种或多种氧化剂
(E)水。
2.根据权利要求1的化学机械抛光组合物，其中所述分散相(ii)中的一个、多于一个或所有的分开相域的最长尺寸为复合粒子(A1)的平均粒度的25％或低于25％，优选15％或低于15％。
3.根据前述权利要求中任一项的化学机械抛光组合物，其中所述复合粒子(A1)的连续基体相(i)包含选自由(甲基)丙烯酸聚合物组成的组的加聚物。
4.根据前述权利要求中任一项的化学机械抛光组合物，其中所述分散相(ii)中的一个、多于一个或所有的分开相域由选自由二氧化硅、页硅酸盐、氧化铝、氧化羟基铝、碳酸钙、碳酸镁、正磷酸钙、正磷酸镁、氧化铁(II)、氧化铁(III)、氧化铁(II/III)、氧化锡(IV)、氧化铈(IV)、氧化钇(III)、二氧化钛、羟基磷灰石、氧化锌及硫化锌组成的组的无机固体材料组成。
5.根据前述权利要求中任一项的化学机械抛光组合物，其中
所述复合粒子(A1)的平均粒度在大于10nm至不超过1000nm，优选25nm至500nm，且更优选50nm至250nm的范围内
和/或
所述分散相(ii)中的一个、多于一个或所有的分开相域各自由无机固体材料粒子组成，所述无机材料粒子的平均粒度大于0nm，优选为5nm或大于5nm，但不超过100nm，优选不超过50nm。
6.根据前述权利要求中任一项的化学机械抛光组合物，其包含可通过制备包含一定量的复合粒子(A1)的水分散体的方法获得的一定量的复合粒子(A1)，
其中在所述方法中，一种或多种烯属不饱和单体以分散方式分布于水介质中且通过自由基水乳液聚合方法借助于一种或多种自由基聚合引发剂在一个或多个各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成的分散相及一种或多种分散剂存在下聚合，
所述方法包括以下步骤
a)提供
-水介质
-一定量的一种或多种烯属不饱和单体
-平均粒度为100nm或低于100nm的一种或多种无机固体材料，其总量为所述一种或多种烯属不饱和单体的总量的1重量％至1000重量％，及
-一种或多种自由基聚合引发剂，其总量为所述一种或多种烯属不饱和单体的总量的0.05重量％至2重量％，
b)在初始进料中将所述一种或多种无机固体材料的至少一部分包括至所述水介质中以使得形成包含一个或多个各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成的分散相的水分散体
c)随后将以下计量加入步骤b)中形成的水分散体中
-总量的0.01重量％至20重量％的步骤a)中所提供的所述一种或多种烯属不饱和单体，及
-总量的60重量％或大于60重量％的步骤a)中所提供的所述一种或多种自由基聚合引发剂
及在聚合条件下聚合计量的一种或多种烯属不饱和单体至80重量％或大于80重量％的单体转化率(聚合阶段1)以使得形成聚合混合物，
d)随后，在聚合条件下将以下计量加入步骤c)中形成的聚合混合物中
-所述一种或多种无机固体材料的任何剩余部分
-所述一种或多种自由基聚合引发剂的任何剩余部分，及
-所述一种或多种烯属不饱和单体的剩余部分
及进行在步骤d)中计量的单体的聚合至90重量％或大于90重量％的单体转化率(聚合阶段2)。
7.根据前述权利要求中任一项的化学机械抛光组合物，其中络合剂或成分(B)的络合剂中的至少一个选自由有机酸及无机酸组成的组。
8.根据前述权利要求中任一项的化学机械抛光组合物，其中腐蚀抑制剂或成分(C)的腐蚀抑制剂中的至少一个选自由唑组成的组。
9.根据前述权利要求中任一项的化学机械抛光组合物，其中氧化剂或成分(D)的氧化剂中的至少一个选自由过氧化物、过氧硫酸盐、过氯酸盐、过溴酸盐、过碘酸盐及高锰酸盐组成的组。
10.根据前述权利要求中任一项的化学机械抛光组合物，其pH值在4至9范围内。
11.根据权利要求10的化学机械抛光组合物，其可通过混合
(F)一种或多种pH调节剂
与成分(A)、(B)、(C)、(D)及(E)而获得。
12.根据前述权利要求中任一项的化学机械抛光组合物，其包含
(A1)一定总量的复合粒子，其中各复合粒子包含
(i)连续基体相，其包含一种或多种烯属不饱和单体的加聚物及分散于所述连续基体相中的
(ii)一个或多个分散相，各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成
以各化学机械抛光组合物的总重量计，其在0.05wt％至1.5wt％范围内，优选在0.1wt％至0.5wt％范围内，
和/或
(B)一定总量的一种或多种络合剂，以各CMP组合物的总重量计，其在0.05wt％至5wt％范围内，
和/或
(C)一定总量的一种或多种腐蚀抑制剂，以各CMP组合物的总重量计，其在0.001wt％至0.5wt％范围内，
和/或
(D)一定总量的一种或多种氧化剂，以各CMP组合物的总重量计，其在0.1wt％至2wt％范围内。
13.一种制造半导体装置的方法，其包括
-借助于根据权利要求1-12中任一项所定义的化学机械抛光组合物或
-在一定量的作为磨料粒子的复合粒子(A1)存在下，其中各复合粒子包含
(i)连续基体相，其包含一种或多种烯属不饱和单体的加聚物及分散于所述连续基体相中的
(ii)一个或多个分散相，各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成
将基质化学机械抛光。
14.根据权利要求14的方法，其中基质包含
-由铜或铜基合金组成的表面区域或层。
15.化学机械抛光组合物用于将基质化学机械抛光的用途，该组合物包含
(A)一定量的磨料粒子，其由以下组成
(A1)一定量的复合粒子，其中各复合粒子包含
(i)连续基体相，其包含一种或多种烯属不饱和单体的加聚物，及分散于所述连续基体相中的
(ii)一个或多个分散相，各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成
(A2)任选一定量的不为复合粒子(A1)的其他磨料粒子
(B)一种或多种络合剂
(C)一种或多种腐蚀抑制剂
(D)一种或多种氧化剂
(E)水。
16.一定量的复合粒子(A1)作为用于化学机械抛光的磨料粒子的用途，其中各复合粒子包含
(i)连续基体相，其包含一种或多种烯属不饱和单体的加聚物及分散于所述连续基体相中的
(ii)一个或多个分散相，各自由多个由无机固体材料组成的分开相域组成。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110577823A (zh) * 2018-08-20 2019-12-17 蓝思科技（长沙）有限公司 纳米磨料、抛光液及制备方法和应用
CN110819237A (zh) * 2018-08-08 2020-02-21 三星Sdi株式会社 用于抛光铜膜的cmp浆液组合物以及使用其抛光铜膜的方法
CN113549424A (zh) * 2021-08-04 2021-10-26 白鸽磨料磨具有限公司 一种抛光用氧化铈团簇粉及其制备方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10128146B2 (en) * 2015-08-20 2018-11-13 Globalwafers Co., Ltd. Semiconductor substrate polishing methods and slurries and methods for manufacturing silicon on insulator structures
JP6280678B1 (ja) * 2016-12-22 2018-02-14 三井金属鉱業株式会社 研摩液及び研摩方法
FR3062075B1 (fr) * 2017-01-25 2021-09-10 Commissariat Energie Atomique Particules inorganiques conductrices de protons, procede de preparation de celles-ci et utilisation de celles-ci pour constituer une membrane de pile a combustible
FR3062122B1 (fr) * 2017-01-25 2019-04-19 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Particules inorganiques conductrices de protons fluorees et utilisation de ces particules dans des membranes conductrices de protons
TWI745704B (zh) * 2019-06-21 2021-11-11 國立陽明交通大學 氧化鎳晶片、其製備方法及用途
CN114456716B (zh) * 2022-01-14 2022-10-25 华东理工大学 一种抛光蓝宝石用氧化铝抛光液及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI236398B (en) * 2000-05-31 2005-07-21 Jsr Corp Abrasive material
US20060205219A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Baker Arthur R Iii Compositions and methods for chemical mechanical polishing interlevel dielectric layers
CN101573425A (zh) * 2006-12-29 2009-11-04 株式会社Lg化学 用于形成金属导线的cmp浆料组合物
US20120058643A1 (en) * 2009-05-06 2012-03-08 Basf Se Aqueous metal polishing agent comprising a polymeric abrasiv containing pendant functional groups and its use in a cmp process
CN102395605A (zh) * 2009-04-15 2012-03-28 巴斯夫欧洲公司 制备水性复合颗粒分散体的方法
US20130122705A1 (en) * 2008-09-26 2013-05-16 Clarkson University Abrasive compositions for chemical polishing and methods for using same

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4075247B2 (ja) 1999-09-30 2008-04-16 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体
EP1211024A3 (en) * 2000-11-30 2004-01-02 JSR Corporation Polishing method
JP4187497B2 (ja) 2002-01-25 2008-11-26 Ｊｓｒ株式会社 半導体基板の化学機械研磨方法
US20040162011A1 (en) 2002-08-02 2004-08-19 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and production process of semiconductor device
US20040175942A1 (en) 2003-01-03 2004-09-09 Chang Song Y. Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals
US6939211B2 (en) * 2003-10-09 2005-09-06 Micron Technology, Inc. Planarizing solutions including abrasive elements, and methods for manufacturing and using such planarizing solutions
EP1757665B8 (en) 2005-08-24 2012-04-11 JSR Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, kit for preparing the aqueous dispersion for a chemical mechanical polishing process, and process for producing semiconductor devices
JP2008288509A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Fujifilm Corp 金属用研磨液
JP5327427B2 (ja) 2007-06-19 2013-10-30 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体調製用セット、化学機械研磨用水系分散体の調製方法、化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法
US9202709B2 (en) * 2008-03-19 2015-12-01 Fujifilm Corporation Polishing liquid for metal and polishing method using the same
WO2010016390A1 (ja) * 2008-08-06 2010-02-11 日立化成工業株式会社 Ｃｍｐ研磨液及びこのｃｍｐ研磨液を用いた基板の研磨方法
CN107083233A (zh) * 2010-02-24 2017-08-22 巴斯夫欧洲公司 研磨制品，其制备方法及其应用方法
CN101870851B (zh) 2010-06-02 2013-01-30 浙江工业大学 化学机械抛光液和抛光方法
WO2012077063A1 (en) * 2010-12-10 2012-06-14 Basf Se Aqueous polishing composition and process for chemically mechanically polishing substrates containing silicon oxide dielectric and polysilicon films
US20130186850A1 (en) * 2012-01-24 2013-07-25 Applied Materials, Inc. Slurry for cobalt applications
KR101916555B1 (ko) * 2013-12-20 2018-11-07 캐보트 코포레이션 화학적 기계적 평탄화를 위한 금속 산화물-중합체 복합 입자

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI236398B (en) * 2000-05-31 2005-07-21 Jsr Corp Abrasive material
US20060205219A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Baker Arthur R Iii Compositions and methods for chemical mechanical polishing interlevel dielectric layers
CN101573425A (zh) * 2006-12-29 2009-11-04 株式会社Lg化学 用于形成金属导线的cmp浆料组合物
US20130122705A1 (en) * 2008-09-26 2013-05-16 Clarkson University Abrasive compositions for chemical polishing and methods for using same
CN102395605A (zh) * 2009-04-15 2012-03-28 巴斯夫欧洲公司 制备水性复合颗粒分散体的方法
US20120058643A1 (en) * 2009-05-06 2012-03-08 Basf Se Aqueous metal polishing agent comprising a polymeric abrasiv containing pendant functional groups and its use in a cmp process

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110819237A (zh) * 2018-08-08 2020-02-21 三星Sdi株式会社 用于抛光铜膜的cmp浆液组合物以及使用其抛光铜膜的方法
CN110577823A (zh) * 2018-08-20 2019-12-17 蓝思科技（长沙）有限公司 纳米磨料、抛光液及制备方法和应用
CN110577823B (zh) * 2018-08-20 2021-10-12 蓝思科技（长沙）有限公司 纳米磨料、抛光液及制备方法和应用
CN113549424A (zh) * 2021-08-04 2021-10-26 白鸽磨料磨具有限公司 一种抛光用氧化铈团簇粉及其制备方法
CN113549424B (zh) * 2021-08-04 2022-05-13 白鸽磨料磨具有限公司 一种抛光用氧化铈团簇粉及其制备方法

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