JP2002110597A

JP2002110597A - 化学機械研磨用水系分散体

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Publication number: JP2002110597A
Application number: JP2000302062A
Authority: JP
Inventors: Kazuichi Uchikura; 和一内倉; Masayuki Motonari; 正之元成; Masayuki Hattori; 雅幸服部; Nobuo Kawahashi; 信夫川橋
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 2000-10-02
Filing date: 2000-10-02
Publication date: 2002-04-12

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体装置の被加工膜等を十分な速度で研磨
することができ、エロージョンが抑えられ、特に、銅膜
の研磨において有用な化学機械研磨用水系分散体を提供
する。【解決手段】砥粒、キノリンカルボン酸、その他の有
機酸および酸化剤を含有し、キノリンカルボン酸とその
他の有機酸との質量比が１：０．０５〜２、特に１：
０．１〜１．５、さらには１：０．２〜１である化学機
械研磨用水系分散体とする。２−キノリンカルボン酸が
好ましく、その他の有機酸としては、シュウ酸、マロン
酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、
フマル酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸
等の１分子中に２個以上のカルボキシル基を有するもの
が使用される。また、酸化剤としては過硫酸塩が用いら
れ、さらにアニオン系界面活性剤を含有することがより
好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、化学機械研磨用水
系分散体に関する。さらに詳しくは、本発明は、半導体
装置の製造における配線パターンが設けられたウェハの
化学機械研磨において、研磨速度が大きく、かつエロー
ジョンが抑えられ、特に銅膜の化学機械研磨において有
用な水系分散体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の高密度化にともな
い、形成される配線の微細化が進んでいるが、この配線
をより微細化することができる技術としてダマシン法が
注目されている。この方法は、絶縁層の表面に形成され
た溝等に配線材料を埋め込んだ後、化学機械研磨により
余剰な配線材料を除去することによって正確な配線を形
成するものである。そして、このダマシン法では、研磨
速度をさらに高速化し、エロージョンをより低下させる
ことが特に重要な課題となっている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の従来の
問題を解決するものであり、特に銅の化学機械研磨にお
いて研磨速度を大きくすることができ、かつエロージョ
ンを抑えることができる化学機械研磨用水系分散体を提
供することを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の化学機械研磨用
水系分散体は、砥粒、キノリンカルボン酸、その他の有
機酸および酸化剤を含有する化学機械研磨用水系分散体
であって、上記キノリンカルボン酸と上記その他の有機
酸との質量比が１：０．０５〜２であることを特徴とす
る。以下、本発明をさらに詳しく説明する。

【０００５】上記「キノリンカルボン酸」としては２な
いし８位にカルボキシル基が結合された７種類が存在す
るが、銅と反応して水に不溶の錯体が容易に形成される
２−キノリンカルボン酸、すなわちキナルジン酸が特に
好ましい。

【０００６】上記「その他の有機酸」は特に限定され
ず、一塩基酸、二塩基酸、ヒドロキシル酸およびカルボ
キシレート酸のように広範な種類の有機酸を使用するこ
とができる。有機酸のうちでは、１分子中に２個以上の
カルボキシル基を有する有機酸が好ましい。そのような
有機酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グル
タル酸およびアジピン酸等の飽和酸、マレイン酸および
フマル酸等の不飽和酸、フタル酸等の芳香族酸、ならび
にリンゴ酸、酒石酸およびクエン酸等のヒドロキシル酸
などが挙げられる。これらの有機酸のうちでは、シュウ
酸、マロン酸およびマレイン酸がより好ましく、なかで
もシュウ酸が特に好ましい。

【０００７】キノリンカルボン酸と他の有機酸の含有量
は質量比で１：０．０５〜２である。この質量比が０．
０５未満であると、エロージョンは抑えられるものの、
銅等を研磨する速度は十分ではない。一方、質量比が２
を越える場合は、銅等の研磨速度は向上するものの、エ
ッチングが促進され、エロージョンが発生しやすくな
る。キノリンカルボン酸と他の有機酸との質量比は、特
に１：０．１〜１．５、さらには１：０．２〜１である
ことが好ましい。このような質量比であれば、研磨速度
が十分に向上するとともに、エロージョンも抑えられ
る。

【０００８】なお、本発明にいう「エロージョン」と
は、ダマシン法等における研磨によって、絶縁層に埋め
込まれた配線材料により形成される絶縁層と配線とから
なる平坦面に凹部が生じることをいう。すなわち、エロ
ージョンは平坦化された研磨面の一部、特に配線部分が
他に比べて過剰に研磨され、発生する。このエロージョ
ンを抑えるとは、生成する凹部の面積および深さを小さ
く抑えることを意味する。

【０００９】上記「砥粒」としては、（１）無機粒子；シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコ
ニア、セリア等の粒子、（２）有機粒子；乳化重合法、
懸濁重合法、乳化分散法、粉砕法等により製造される、
ポリスチレンおよびスチレン系共重合体、ポリメチ
ルメタクリレート等の（メタ）アクリル樹脂および（メ
タ）アクリル系共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリアセ
タール、飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、
ポリカーボネート、フェノキシ樹脂、ならびにポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリ−１−ブテン、ポリ−４
−メチル−１−ペンテン等のポリオレフィンおよびオレ
フィン系共重合体等の粒子、（３）無機粒子と有機粒子
とからなる無機有機複合粒子、のうちの少なくとも１種
を使用することができる。

【００１０】無機粒子としては高純度なものが好まし
い。具体的には、塩化ケイ素、塩化アルミニウム、塩
化チタンなどを気相で酸素および水素と反応させるヒュ
ームド法、テトラエトキシシランまたはチタンアルコ
キシド等の金属アルコキシドを加水分解させ、縮合させ
て合成するゾルゲル法、および精製により不純物を除
去する無機コロイド法、等により合成されるシリカ、ア
ルミナ、チタニア等が挙げられる。

【００１１】また、無機有機複合粒子は、無機粒子と有
機粒子とが、研磨時、容易に分離しない程度に一体に形
成されておればよく、その種類、構成等は特に限定され
ない。この複合粒子としては、ポリスチレン、ポリメチ
ルメタクリレート等の重合体粒子の存在下、アルコキシ
シラン、アルミニウムアルコキシド、チタンアルコキシ
ド等を重縮合させ、重合体粒子の少なくとも表面に、ポ
リシロキサン等が結合されてなるものを使用することが
できる。生成する重縮合体は、重合体粒子が有する官能
基に直接結合されていてもよいし、シランカップリング
剤等を介して結合されていてもよい。

【００１２】なお、アルコキシシラン等に代えてシリカ
粒子、アルミナ粒子等を用いることもできる。これらは
ポリシロキサン等と絡み合って保持されていてもよい
し、それらが有するヒドロキシル基等の官能基により重
合体粒子に化学的に結合されていてもよい。

【００１３】さらに、複合粒子として、符号の異なるゼ
ータ電位を有する無機粒子と有機粒子とを含む水分散体
において、これら粒子が静電力により結合されてなるも
のを使用することもできる。無機粒子のゼータ電位はｐ
Ｈ依存性が高く、この電位が０となる等電点を有し、そ
の前後でゼータ電位の符号が逆転する。一方、有機粒子
のゼータ電位は、全ｐＨ域、あるいは低ｐＨ域を除く広
範な領域にわたって負であることが多いが、カルボキシ
ル基、スルホン酸基等を有する有機粒子とすることによ
って、より確実に負のゼータ電位を有する有機粒子とす
ることができる。また、アミノ基等を有する有機粒子と
することにより、特定のｐＨ域において正のゼータ電位
を有する有機粒子とすることもできる。

【００１４】したがって、特定の無機粒子と有機粒子と
を組み合わせ、それらのゼータ電位が逆符号となるｐＨ
域で混合することによって、静電力により無機粒子と有
機粒子とを一体に複合化することができる。また、混合
時、ゼータ電位が同符号であっても、その後、ゼータ電
位が逆符号となるようにｐＨを変化させることによっ
て、無機粒子と有機粒子とを一体にすることもできる。

【００１５】無機有機複合粒子としては、このように静
電力により一体に複合化された粒子の存在下に、前記の
ようにアルコキシシラン、アルミニウムアルコキシド、
チタンアルコキシド等を重縮合させ、この粒子の少なく
とも表面に、さらにポリシロキサン等が結合されて複合
化されてなるものを使用することもできる。

【００１６】砥粒の平均粒子径は０．００５〜３０μｍ
であることが好ましい。この平均粒子径が０．００５μ
ｍ未満では、十分に研磨速度の大きい水系分散体とする
ことができない場合がある。一方、平均粒子径が３０μ
ｍを越えると、砥粒が沈降し、分離してしまって、安定
な水系分散体とすることが容易ではない。この平均粒子
径は特に０．０１〜３μｍ、さらには０．０２〜１μｍ
であることが好ましい。この範囲の平均粒子径を有する
砥粒であれば、研磨速度が大きく、かつ粒子の沈降、お
よび分離を生ずることのない安定な化学機械研磨用水系
分散体とすることができる。なお、この平均粒子径は、
レーザー散乱回折型測定機または透過型電子顕微鏡によ
る観察によって測定することができる。

【００１７】砥粒の含有量は、水系分散体を１００質量
％とした場合に、０．０１〜１０質量％とすることがで
き、特に０．１〜５質量％、さらには０．３〜３質量％
とすることが好ましい。砥粒の含有量が０．０１質量％
未満では、十分な研磨速度を有する水系分散体とするこ
とができず、一方、２０質量％を越えて含有させた場合
は、コスト高になるとともに、安定性が低下するため好
ましくない。なお、この水系分散体では、その媒体とし
ては、水および水とメタノール等の水を主成分とする混
合物を使用することができるが、水のみを用いることが
特に好ましい。

【００１８】上記「酸化剤」としては、特に銅錯体の生
成を促進する多くの酸化剤を使用することができる。こ
の酸化剤を含有させることによって研磨速度をより高め
ることができる。酸化剤としては、過硫酸アンモニウ
ム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩、過酸化水素、下記の
各種のヘテロポリ酸および過マンガン酸カリウム等の過
マンガン酸化合物、重クロム酸カリウム等の重クロム酸
化合物などの多価金属塩等が挙げられる。

【００１９】ヘテロポリ酸は無機酸が縮合して生成し、
２種以上の金属を有するポリ酸であり、その中心原子
は、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｔｈ、Ｎ、Ｐ、Ａs、Ｓｂ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｕ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍ
ｎ、Ｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＩｒおよびＰ
ｔ等である。また、これらの中心原子と組み合わされる
ヘテロ原子は、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｔｈ、Ｎ、Ｐ、Ａs、Ｓ
ｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｕ、Ｓ、Ｓｅ、
Ｔｅ、Ｍｎ、Ｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ
およびＰｔのうちの中心原子とは異なる原子である。ヘ
テロポリ酸としては、中心原子がＶ、ＭｏまたはＷであ
り、ヘテロ原子がＳｉまたはＰであるものが好ましい。

【００２０】なお、ヘテロポリ酸の具体例としては、ケ
イモリブデン酸、リンモリブデン酸、ケイタングステン
酸およびリンタングステン酸等が挙げられる。また、こ
れらの酸化剤のうちで好ましいものは過硫酸アンモニウ
ム、過硫酸カリウム、過酸化水素であり、過硫酸アンモ
ニウムが特に好ましい。

【００２１】酸化剤の含有量は、水系分散体を１００質
量％した場合に、０．０１〜１０質量％とすることがで
き、特に０．０５〜５質量％、さらには０．１〜３質量
％とすることが好ましい。酸化剤は、１０質量％含有さ
せれば十分に研磨速度を向上させることができ、１０質
量％を越えて多量に含有させる必要はない。

【００２２】本発明の水系分散体には、所望により界面
活性剤を含有させることができる。この界面活性剤によ
って、砥粒の分散性が向上し、エロージョンがさらに抑
えられる。界面活性剤としては、カチオン系界面活性
剤、アニオン系界面活性剤、非イオン系界面活性剤等の
いずれも使用することができる。特にアニオン系界面活
性剤が好ましく、このアニオン系界面活性剤としては、
脂肪酸石鹸、アルキルエーテルカルボン酸塩等のカルボ
ン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフ
タレンスルホン酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩等の
スルホン酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、アルキ
ルエーテル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニ
ルエーテル硫酸塩等の硫酸エステル塩、およびアルキル
リン酸エステル塩等のリン酸エステル塩などが挙げられ
る。これらのアニオン系界面活性剤のうちではスルホン
酸塩が好ましく、ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム
が特に好ましい。

【００２３】界面活性剤の含有量は、水系分散体を１０
０質量％とした場合に、５質量％以下とすることがで
き、特に０．００５〜２質量％、さらには０．０１〜
０．５質量％とすることが好ましい。この含有量が５質
量％を越えると、特に銅の研磨速度が大きく低下するた
め好ましくない。

【００２４】この水系分散体では、酸あるいはアルカリ
を添加し、そのｐＨを、研磨速度が十分に向上し、エロ
ージョンが抑えられる範囲に調整することが好ましい。
ｐＨの好ましい範囲は７〜１３であり、特に８〜１２、
さらには８．５〜１１であることがより好ましい。な
お、ｐＨの調整に用いる酸としては硝酸等が、アルカリ
としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化
ルビジウムおよび水酸化セシウム等のアルカリ金属の水
酸化物ならびにアンモニアなどが挙げられる。水系分散
体のｐＨの調整により、研磨速度を高めることができ、
被加工面の電気化学的性質、重合体粒子の分散性、安定
性、ならびに研磨速度を勘案しつつ、砥粒が安定して存
在し得る範囲内で適宜ｐＨを設定することが好ましい。

【００２５】本発明の化学機械研磨用水系分散体を用い
て、銅等の化学機械研磨を実施する際には、市販の化学
機械研磨装置（株式会社荏原製作所製、型式「ＥＰＯ−
１１２」、「ＥＰＯ−２２２」、ラップマスターＳＦＴ
社製、型式「ＬＧＰ−５１０」、「ＬＧＰ−５５２」、
アプライドマテリアル社製、商品名「Ｍｉｒｒａ」等）
を用いて所定の条件で研磨することができる。研磨後、
被研磨面に残留する砥粒は除去することが好ましい。こ
の砥粒の除去は通常の洗浄方法によって行うことができ
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、実施例によって本発明をさ
らに詳しく説明する。［１］エロージョンの評価に用いた基板の作製シリコンからなる基板表面に、深さ１μｍの溝により形
成されたパターンを備える絶縁層を積層した。次いで、
絶縁層の表面に３００Åの厚さのＴｉＮ膜を形成し、そ
の後、ＣｕをＴｉＮ膜で覆われた溝内にスパッタリング
により２μｍの厚さに堆積した。

【００２７】［２］無機砥粒または複合粒子からなる砥
粒を含む水分散体の調製（１）無機砥粒を含む水分散体の調製（ａ）ヒュームド法シリカ粒子を含む水分散体の調製ヒュームド法シリカ粒子（日本アエロジル株式会社製、
商品名「アエロジル＃９０」）２ｋｇを、イオン交換水
６．７ｋｇに超音波分散機によって分散させ、孔径５μ
ｍのフィルタによって濾過し、ヒュームド法シリカを含
む水分散体を調製した。

【００２８】（ｂ）コロイダルシリカを含む水分散体の
調製コロイダルシリカは、ＪｏｕｒｎａｌｏｆＣｏｌｌ
ｏｉｄａｎｄＩｎｔｅｒｆａｃｅＳｃｉｅｎｃｅ
２６，６２−６９（１９６８）に準拠し、テトラエト
キシシランとエタノールをアンモニアを触媒として水中
で縮合させたものを、水に溶媒置換して使用した。エタ
ノールと水の量比を調整することにより、平均粒子径２
６ｎｍのコロイダルシリカを合成し、このコロイダルシ
リカを含む水系分散体を調製した。

【００２９】（２）複合粒子からなる砥粒を含む水分散
体の調製重合体粒子を含む水分散体メチルメタクリレ−ト９０質量部（以下、部と略記す
る。）、メトキシポリエチレングリコールメタクリレー
ト（新中村化学工業株式会社製、商品名「ＮＫエステル
Ｍ−９０Ｇ」、＃４００）５部、４−ビニルピリジン５
部、アゾ系重合開始剤（和光純薬株式会社製、商品名
「Ｖ５０」）２部、およびイオン交換水４００部を、容
量２リットルのフラスコに投入し、窒素ガス雰囲気下、
攪拌しながら７０℃に昇温させ、６時間重合させた。こ
れによりアミノ基の陽イオンおよびポリエチレングリコ
ール鎖を有する官能基を備え、平均粒子径１５０ｎｍの
ポリメチルメタクリレート系粒子を含む水分散体を得
た。なお、重合収率は９５％であった。

【００３０】複合粒子を含む水分散体において得られたポリメチルメタクリレート系粒子を
１０質量％含む水分散体１００部を、容量２リットルの
フラスコに投入し、メチルトリメトキシシラン１部を添
加し、４０℃で２時間攪拌した。その後、硝酸によりｐ
Ｈを２に調整して水分散体（ａ）を得た。また、コロイ
ダルシリカ（日産化学株式会社製、商品名「スノーテッ
クスＯ」）を１０質量％含む水分散体のｐＨを水酸化カ
リウムにより８に調整し、水分散体（ｂ）を得た。水分
散体（ａ）に含まれるポリメチルメタクリレート系粒子
のゼータ電位は＋１７ｍＶ、水分散体（ｂ）に含まれる
シリカ粒子のゼータ電位は−４０ｍＶであった。

【００３１】その後、水分散体（ａ）１００部に水分散
体（ｂ）５０部を２時間かけて徐々に添加、混合し、２
時間攪拌して、ポリメチルメタクリレート系粒子にシリ
カ粒子が付着した粒子を含む水分散体を得た。次いで、
この水分散体に、ビニルトリエトキシシラン２部を添加
し、１時間攪拌した後、テトラエトキシシラン１部を添
加し、６０℃に昇温させ、３時間攪拌を継続した後、冷
却することにより、複合粒子を含む水分散体を得た。こ
の複合粒子の平均粒子径は１８０ｎｍであり、ポリメチ
ルメタクリレート系粒子の表面の８０％にシリカ粒子が
付着していた。

【００３２】［３］化学機械研磨用水系分散体の調製［２］、（１）および（２）において調製された水分散
体の所定量を容量１リットルのポリエチレン製の瓶に投
入し、これに、表１および表２に記載のキナルジン酸等
およびその他の有機酸の各々が表１および表２に記載の
含有量となるように添加し、十分に攪拌した。その後、
攪拌しながら表１および表２に記載の酸化剤および界面
活性剤の水溶液を、酸化剤、界面活性剤の各々が表１及
び表２に記載の含有量となるように添加した。次いで、
水酸化カリウム水溶液またはアンモニアによりｐＨを表
１および表２のように調整した後、イオン交換水を加
え、孔径５μｍのフィルタで濾過し、実施例１〜７およ
び比較例１〜４の化学機械研磨用水系分散体を得た。

【００３３】

【表１】

【００３４】

【表２】なお、表１および表２における「ＡＰＳ」は過硫酸アン
モニウム、「ＤＢＫ」はドデシルベンゼンスルホン酸カ
リウムである。

【００３５】［４］銅膜付きウェハの研磨実施例１〜７および比較例１〜４の水系分散体を用い
て、８インチパターン付き銅ウェハ（ＳＫＷＡｓｓｏ
ｃｉａｔｅｓ社製、商品名「ＳＫＷ６−１」、銅膜厚；
１５００ｎｍ）を以下の条件で研磨した。研磨装置：株式会社荏原製作所製、型式「ＥＰＯ−
１１２」研磨パッド：ロデールニッタ株式会社製、商品名
「ＩＣ１０００」ヘッド荷重：３００ｇ／ｃｍ² ヘッド回転数；５０ｒｐｍテーブル回転数：５０ｒｐｍ研磨剤供給量：２００ミリリットル／分研磨時間：３分

【００３６】研磨速度は以下の式より算出した。結果を
表１および表２に併記する。研磨速度（Å／分）＝（研磨前の銅膜の厚さ−研磨後の
銅膜の厚さ）／研磨時間なお、各膜の厚さは、抵抗率測定器（ＮＰＳ社製、型式
「Ｚ−５」）を使用して、直流４針法によりシート抵抗
を測定し、この抵抗率と銅の抵抗率から次式に従い算出
した。各膜の厚さ（Å）＝シート抵抗値（Ω／ｃｍ²）×銅の
抵抗率（Ω／ｃｍ）×１０^-8

【００３７】［５］エロージョンの評価エロージョンの評価を、表面粗さ計（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃ
ｏｒ社製、型式「Ｐ−１０」）を使用し、［１］で作製
した基板に形成された幅１００μｍの配線を用いて行っ
た。また、このエロージョンの評価における研磨時間
は、初期の余剰銅膜［厚さＸ（Å）］を［３］で得られ
た研磨速度Ｖ（Å／分）で除した値（Ｘ／Ｖ）（分）に
１．５を乗じた時間（分）とした。Ｘ／Ｖ）×０．５
（分）尚、ここでの「エロージョン」は、絶縁膜または
バリアメタルにより形成される平面と、配線部分の最低
部位との距離（前記のエロージョンの定義における凹部
の深さに相当する。）とする。

【００３８】表１の結果によれば、実施例１〜７の化学
機械研磨用水系分散体では、研磨速度は６２００Å／分
以上と十分に大きく、幅１００μｍの配線のエロージョ
ンは４９０Å以下と小さいことが分かる。

【００３９】一方、表２の結果によれば、キナルジン酸
の他に有機酸が含有されていない比較例１では、エロー
ジョンは抑えられるものの、研磨速度が大きく低下して
いることが分かる。また、キナルジン酸に代えて同様に
銅錯体を形成し得るベンズイミダゾールを用いた比較例
２では、研磨速度がより大きく低下している。さらに、
有機酸に代えてピリジンを使用し、界面活性剤を用いな
かった比較例３では、研磨速度は非常に大きいものの、
エロージョンが極めて大きくなっている。また、キナル
ジン酸に対するその他の有機酸の量比が本発明の上限を
越えている比較例４でも、研磨速度は十分であるもの
の、エロージョンが非常に大きいことが分かる。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、銅等の研磨速度が大き
く、かつエロージョンが抑えられる化学機械研磨用水系
分散体とすことができ、半導体装置の製造において多層
配線化における銅等の研磨に有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０９Ｋ 3/14 ５５０Ｃ０９Ｋ 3/14 ５５０Ｍ 13/00 13/00 (72)発明者服部雅幸東京都中央区築地二丁目11番24号ジェイエスアール株式会社内 (72)発明者川橋信夫東京都中央区築地二丁目11番24号ジェイエスアール株式会社内Ｆターム(参考） 3C058 CB02 CB03 CB10 DA02 DA12 DA17

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】砥粒、キノリンカルボン酸、その他の有
機酸および酸化剤を含有する化学機械研磨用水系分散体
であって、上記キノリンカルボン酸と上記その他の有機
酸との質量比が１：０．０５〜２であることを特徴とす
る化学機械研磨用水系分散体。
【請求項２】上記キノリンカルボン酸が２−キノリン
カルボン酸である請求項求１記載の化学機械研磨用水系
分散体。
【請求項３】上記その他の有機酸が、１分子中に２個
以上のカルボキシル基を有する請求項１又は２に記載の
化学機械研磨用水系分散体。
【請求項４】上記その他の有機酸が、シュウ酸、マロ
ン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン
酸、フマル酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸及びクエン
酸から選ばれる少なくとも１種である請求項１又は２に
記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項５】上記酸化剤が、過硫酸塩、過酸化水素お
よびヘテロポリ酸から選ばれる少なくとも１種である請
求項１乃至４のうちのいずれか１項に記載の化学機械研
磨用水系分散体。
【請求項６】さらに界面活性剤を含む請求項１乃至５
のうちのいずれか１項に記載の化学機械研磨用水系分散
体。
【請求項７】上記界面活性剤がアニオン系界面活性剤
である請求項６記載の化学機械研磨用水系分散体。
【請求項８】銅膜の研磨に用いる請求項１乃至７のう
ちのいずれか１項に記載の化学機械研磨用水系分散体。