TW201940644A - 化學機械研磨用組成物及研磨方法 - Google Patents

化學機械研磨用組成物及研磨方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種抑制對人體毒性強的四氧化釕的產生，並且穩定性亦優異，可對半導體基板（尤其是含釕膜的基板）進行高速研磨且可減少被研磨面的研磨損傷的化學機械研磨用組成物及使用其的研磨方法。本發明的化學機械研磨用組成物含有（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子、以及（B）聚(甲基)丙烯酸，且pH為7以上、13以下。

Description

化學機械研磨用組成物及研磨方法
本發明是有關於一種化學機械研磨用組成物及使用其的研磨方法。
隨著半導體積體電路的製造技術的提高，要求半導體元件的高積體化、高速動作。伴隨於此，半導體元件的微細電路的製造步驟中所要求的半導體基板表面的平坦性變得更加嚴格，化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing，CMP）成為半導體元件的製造步驟中必不可少的技術。
CMP是一種一邊將含有研磨粒或試劑的研磨組成物供給至研磨墊上，一邊將半導體基板推壓至黏貼於壓盤上的研磨墊，使半導體基板與研磨墊相互滑動，對半導體基板進行化學及機械研磨的技術。於CMP中，可藉由利用試劑的化學反應及利用研磨粒的機械研磨來磨削半導體基板表面的凹凸而使其表面平坦化。
於微細化發展的半導體市場中，目前，電路線寬10 nm級別的前端節點的半導體基板已成為主流。而且，為了實現電路線寬10 nm級別以下的微細配線，研究了藉由對銅膜的基底施加低電阻且與銅的相容性良好的釕膜來改善銅膜的埋入性的技術。
於此種背景下，研究了一種用以藉由CMP來對作為下一代半導體材料的釕膜進行平坦化的釕膜研磨用組成物（漿料）（例如，參照專利文獻1～專利文獻2）。作為此種釕膜研磨用組成物，為了提高釕膜的研磨速度，研究了併用氧化鋁或氧化鈦等研磨粒及氧化劑的漿料。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2009-514219號公報
[專利文獻2]日本專利特表2010-535424號公報
[發明所欲解決之課題]
然而，於CMP中，為了提高釕膜的研磨速度，需要使用含有高氧化力的氧化劑及/或高硬度的研磨粒的釕膜研磨用組成物。但是，於使用含有高氧化力的氧化劑的釕膜研磨用組成物的CMP中，存在容易產生對人體毒性強的四氧化釕，而阻礙生產製程的課題。另外，於使用含有高硬度的研磨粒的釕膜研磨用組成物的CMP中，存在容易於研磨後的被研磨面上產生研磨損傷的課題。
進而，於使用氧化鈦粒子作為研磨粒的情況下，由於其表面是化學活性的，因此容易與水、氧、氮等進行反應而發生起泡等，從而存在容易損害生產時的操作性的課題。
因此，本發明的幾個形態的目的在於提供一種抑制對人體毒性強的四氧化釕的產生，並且穩定性亦優異，可對半導體基板（尤其是含釕膜的基板）進行高速研磨且可減少被研磨面的研磨損傷的化學機械研磨用組成物及使用其的研磨方法。
[解決課題之手段]
本發明是為解決所述課題的至少一部分而成，可作為以下的形態或應用例來實現。
[應用例1]
本發明的化學機械研磨用組成物一形態含有：
（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子；以及
（B）聚(甲基)丙烯酸，且
pH為7以上、13以下。
[應用例2]
於所述應用例的化學機械研磨用組成物中，
可更含有相對於化學機械研磨用組成物的總質量而為0.001質量%以上、5質量%以下的（C）氧化劑。
[應用例3]
於所述應用例的化學機械研磨用組成物中，
所述（C）氧化劑可為選自過碘酸鉀、次氯酸鉀及過氧化氫中的至少一種。
[應用例4]
於所述應用例的化學機械研磨用組成物中，
可更含有（D）有機酸。
[應用例5]
於所述應用例的化學機械研磨用組成物中，
相對於化學機械研磨用組成物的總質量，所述（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的含量可為0.1質量%以上、10質量%以下。
[應用例6]
所述應用例的化學機械研磨用組成物可用於對包含釕膜的半導體基板進行研磨。
[應用例7]
本發明的研磨方法的一形態包括：
使用所述應用例的化學機械研磨用組成物來對半導體基板進行研磨的步驟。
[應用例8]
於所述應用例的研磨方法中，
所述半導體基板可包含釕膜。
[發明的效果]
根據本發明的化學機械研磨用組成物，可抑制對人體毒性強的四氧化釕的產生，並且穩定性亦優異，可對半導體基板、尤其是含釕膜的基板進行高速研磨且可減少被研磨面的研磨損傷。另外，根據本發明的研磨方法，藉由使用所述化學機械研磨用組成物，可對半導體基板、尤其是含釕膜的基板進行高速研磨，並且可平坦地且以高處理量進行研磨。
以下，對本發明的較佳實施方式進行詳細說明。再者，本發明並不限定於下述實施方式，亦包含在不變更本發明的主旨的範圍內所實施的各種變形例。
於本說明書中，使用「～」而記載的數值範圍是包含「～」的前後所記載的數值作為下限值及上限值的含義。另外，本說明書中的「(甲基)丙烯酸～」是包括「丙烯酸～」及「甲基丙烯酸～」兩者的概念。
1.化學機械研磨用組成物
本實施方式的化學機械研磨用組成物含有（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子及（B）聚(甲基)丙烯酸，且pH為7以上、13以下。以下，對本實施方式的化學機械研磨用組成物中所含的各成分進行詳細說明。
1.1.（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子
本實施方式的化學機械研磨用組成物含有（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子。於本發明中，所謂「（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子」，是指氧化鈦粒子的至少一部分的外層由氧化鋁（alumina）被覆的粒子。
此種（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子於pH為7以上、13以下的範圍內，動（Zata）電位的絕對值比未經氧化鋁修飾的氧化鈦粒子大，粒子彼此的靜電斥力更大，因此認為於化學機械研磨用組成物中的分散性提高。其結果，可抑制（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的凝聚，因此可在減少半導體基板（尤其是含釕膜的基板）的研磨損傷的同時進行高速研磨。另外，氧化鈦粒子的表面是化學活性的，因此有容易與水、氧、氮等進行反應的一面，但（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子中，氧化鋁被覆於氧化鈦粒子的表面，因此變為化學惰性，可降低與水、氧、氮等的反應性。藉此，於化學機械研磨用組成物中不易發生起泡，因此生產時的操作性提高。
（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的製造方法並無特別限制，例如可藉由以下方法來製造。
首先，一邊攪動氧化鈦粒子一邊加入水中來進行漿料化。此時，將氧化鈦粒子的濃度調整為100 g/L～300 g/L。接著，一邊加入鋁酸鈉水溶液、硫酸鋁水溶液、氯化鋁水溶液等鋁鹽水溶液，一邊同時加入硫酸、鹽酸、硝酸等酸或者氫氧化鈉水溶液、氨水等鹼，對該漿料進行保持pH為5～8的操作。藉由該操作，使氧化鋁被覆於氧化鈦粒子的表面，但為使該狀態穩定化，理想的是至少攪拌30分鐘以上。其後，藉由通常公知的方法進行過濾、清洗、乾燥，其後進行粉碎。乾燥溫度可設為室溫至200℃以下的溫度，乾燥時間可以水分成為10%以下的方式適宜地選擇。
所述鋁鹽水溶液較佳以如下方式添加：相對於氧化鈦粒子100質量份，以氧化鋁換算計而較佳成為1質量份～50質量份，更佳成為2質量份～30質量份，尤佳成為3質量份～15質量份。
關於所述製造方法中所使用的氧化鈦粒子，可使用金紅石（rutile）型、銳鈦礦（Anatase）型、無定形及該些的混合物中的任一者，較佳為金紅石型。
即便欲使氧化鈦粒子分散於化學機械研磨用組成物中，但氧化鈦粒子彼此會凝聚而容易變得分散性不良，（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子於pH為7以上、13以下的化學機械研磨用組成物中易分散，其穩定性亦優異。作為其理由，認為在於：於pH為7以上、13以下的化學機械研磨用組成物中，（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的動電位變大，因此藉由粒子彼此的靜電斥力，分散性提高。
就此種觀點而言，pH為7以上、13以下的化學機械研磨用組成物中的（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的動電位的絕對值較佳為25 mV以上，更佳為30 mV以上，尤佳為35 mV以上。於處於所述pH區域的化學機械研磨用組成物中，若（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的動電位的絕對值為25 mV以上，則（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的分散性提高，並且可在減少半導體基板（尤其是含釕膜的基板）的研磨損傷的同時進行高速研磨。
（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的平均粒徑較佳為10 nm以上、300 nm以下，更佳為20 nm以上、200 nm以下，尤佳為25 nm以上、150 nm以下。若為具有所述範圍的平均粒徑的（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子，則可獲得充分的研磨速度，並且可獲得不發生粒子的沈澱･分離的、穩定性優異的化學機械研磨用組成物，因此可達成良好的性能。再者，關於（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的平均粒徑，可藉由如下方式求出：針對將作為原料的氧化鋁修飾氧化鈦粒子組成物的一部分加以乾燥而獲得的試樣，例如使用流動式比表面積自動測定裝置（島津製作所股份有限公司製造，「微型測量流動吸附II2300（micrometricsFlowSorbII2300）」），藉由布厄特（Brunauer-Emmett-Teller，BET）法來測定比表面積，根據其測定值而算出。
就以高速對半導體基板進行研磨的觀點而言，相對於化學機械研磨用組成物的總質量，（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的含量較佳為0.1質量%以上，更佳為0.3質量%以上，尤佳為0.5質量%以上。就減少被研磨面的研磨損傷的產生的觀點而言，（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的含量較佳為10質量%以下，更佳為5質量%以下，尤佳為3質量%以下。
1.2.（B）聚(甲基)丙烯酸
本實施方式的化學機械研磨用組成物含有（B）聚(甲基)丙烯酸。（B）聚(甲基)丙烯酸具有吸附於半導體基板（尤其是含釕膜的基板）的表面而減少研磨摩擦的功能。藉此，可更有效地減少被研磨面的研磨損傷的產生。
再者，本發明中的「（B）聚(甲基)丙烯酸」是指於分子內具有源自丙烯酸或甲基丙烯酸的重複單元的高分子化合物。作為此種（B）聚(甲基)丙烯酸，可列舉：聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸鈉、聚甲基丙烯酸鈉，以及丙烯酸/馬來酸共聚物鹽、甲基丙烯酸/馬來酸共聚物鹽、丙烯酸/磺酸系單體共聚物、甲基丙烯酸/磺酸系單體共聚物等共聚物。該些中，就極力防止半導體基板的金屬污染的觀點而言，較佳為聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸。
（B）聚(甲基)丙烯酸的重量平均分子量（Mw）較佳為1,000以上、1,500,000以下，更佳為10,000以上、500,000以下，尤佳為30,000以上、100,000以下。若（B）聚(甲基)丙烯酸的重量平均分子量為所述範圍內，則（B）聚(甲基)丙烯酸容易吸附於半導體基板（尤其是含釕膜的基板），從而進一步減少研磨摩擦。其結果，使用具有所述範圍內的重量平均分子量的（B）聚(甲基)丙烯酸而得的化學機械研磨用組成物可更有效地減少被研磨面的研磨損傷的產生。再者，本說明書中的「重量平均分子量（Mw）」是指藉由凝膠滲透層析法（Gel Penetration Chromatography，GPC）所測定的聚乙二醇換算的重量平均分子量。
就有效地獲得減少被研磨面的研磨損傷的產生這一效果的觀點而言，相對於化學機械研磨用組成物的總質量，（B）聚(甲基)丙烯酸的含量較佳為0.001質量%以上，更佳為0.003質量%以上，尤佳為0.01質量%以上。就抑制被研磨面的研磨損傷的產生，並且以充分的研磨速度進行研磨的觀點而言，（B）聚(甲基)丙烯酸的含量較佳為1質量%以下，更佳為0.5質量%以下，尤佳為0.1質量%以下。
另外，（B）聚(甲基)丙烯酸的含量相對於（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的含量的比（[（B）聚(甲基)丙烯酸的含量/（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的含量]×100）較佳為0.1%～15%，更佳為0.5%～10%。若（B）聚(甲基)丙烯酸的含量相對於（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的含量的比處於所述範圍，則會抑制被研磨面的研磨損傷的產生，並且有時會更有效地獲得使研磨速度提高的作用效果。
再者，（B）聚(甲基)丙烯酸的含量亦依存於（B）聚(甲基)丙烯酸的重量平均分子量（Mw），但較佳為以使化學機械研磨用組成物的黏度不足10 mPa·s的方式進行調整。若化學機械研磨用組成物的黏度不足10 mPa·s，則容易以高速對半導體基板（尤其是含釕膜的基板）進行研磨，且因黏度適當而可將化學機械研磨用組成物穩定地供給至研磨布上。
1.3.（C）氧化劑
本實施方式的化學機械研磨用組成物亦可於不在CMP步驟中將釕膜氧化而生成四氧化釕的範圍內，含有（C）氧化劑。藉由含有（C）氧化劑，會對釕等金屬進行氧化而促進與研磨液成分的錯合反應，藉此可於被研磨面製作出脆弱的改質層，因此具有容易進行研磨的效果。
作為（C）氧化劑，例如可列舉：過硫酸銨、過硫酸鉀、過氧化氫、硝酸鐵、硝酸鈰銨（diammonium cerium nitrate）、次氯酸鉀、臭氧、過碘酸鉀、過氧乙酸等。該些氧化劑中，就抑制四氧化釕的產生的觀點而言，較佳為選自過碘酸鉀、次氯酸鉀及過氧化氫中的至少一種，更佳為過氧化氫。該些（C）氧化劑可單獨使用一種，亦可組合兩種以上來使用。
於含有（C）氧化劑的情況下，就防止釕等金屬的氧化變得不充分而研磨速度下降的觀點而言，相對於化學機械研磨用組成物的總質量，（C）氧化劑的含量較佳為0.001質量%以上，更佳為0.005質量%以上，尤佳為0.01質量%以上。就防止因釕的過度氧化而產生四氧化釕的觀點而言，（C）氧化劑的含量較佳為5質量%以下，更佳為3質量%以下，尤佳為1質量%以下。
另外，（C）氧化劑的含量相對於（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的含量的比（[（C）聚(甲基)丙烯酸的含量/（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的含量]×100）較佳為1%～200%，更佳為2%～150%。若（C）氧化劑的含量相對於（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的含量的比處於所述範圍，則會抑制釕的過度氧化，並且有時會更有效地獲得更容易進行對釕膜的研磨的作用效果。
1.4.（D）有機酸
本實施方式的化學機械研磨用組成物含有（D）有機酸。藉由含有（D）有機酸，可更高速地對含釕膜的基板進行研磨。
（D）有機酸並無特別限定，且只要為CMP領域中已知作為螯合劑或蝕刻劑的有機酸，則並無特別限定。作為（D）有機酸，例如可列舉：硬脂酸、月桂酸、乳酸、酒石酸、富馬酸、乙醇酸、鄰苯二甲酸、馬來酸、甲酸、乙酸、草酸、檸檬酸、蘋果酸、丙二酸、戊二酸、琥珀酸、苯甲酸、喹啉酸、2-喹啉甲酸、胺基磺酸（amidosulfuric acid）；甘胺酸、丙胺酸、天冬胺酸、麩胺酸、離胺酸、精胺酸、芳香族胺基酸及雜環型胺基酸等胺基酸。該些中，若考慮到抑制四氧化釕的產生及提高（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的分散性等，則較佳為二羧酸類，更佳為二羧酸中選自馬來酸及丙二酸中的至少一種。該些有機酸可單獨使用一種，亦可組合兩種以上來使用。
另外，（D）有機酸可為所述有機酸的鹽，亦可與化學機械研磨用組成物中另行添加的鹼反應而成為所述有機酸的鹽。作為此種鹼，可列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銣、氫氧化銫等鹼金屬的氫氧化物、四甲基氫氧化銨（Tetramethyl Ammonium Hydroxide，TMAH）、膽鹼等有機鹼化合物、及氨等。
於含有（D）有機酸的情況下，就對包含釕等金屬的半導體基板進行高速研磨的觀點而言，相對於化學機械研磨用組成物的總質量，（D）有機酸的含量較佳為0.001質量%以上，更佳為0.003質量%以上，尤佳為0.005質量%以上。就防止四氧化釕的產生的觀點而言，（D）有機酸的含量較佳為15質量%以下，更佳為10質量%以下，尤佳為5質量%以下。
1.5.其他添加劑
本實施方式的化學機械研磨用組成物不僅含有作為主要的液狀介質的水，而且亦可視需要含有含氮雜環化合物、界面活性劑、無機酸及其鹽、（B）聚(甲基)丙烯酸以外的水溶性高分子等。
＜水＞
本實施方式的化學機械研磨用組成物含有水作為主要的液狀介質。作為水，並無特別限制，但在用於化學機械研磨用組成物的情況下，可較佳地使用純水。水只要作為所述化學機械研磨用組成物的構成材料的剩餘部分來調配即可，關於水的含量，並無特別限制。
＜含氮雜環化合物＞
本實施方式的化學機械研磨用組成物亦可含有含氮雜環化合物。藉由含有含氮雜環化合物，可抑制釕等金屬的過度蝕刻，且防止腐蝕等研磨後的表面粗糙。
含氮雜環化合物是具有至少一個氮原子且包含選自五員雜環及六員雜環中的至少一種的雜環的有機化合物。作為所述雜環，可列舉：吡咯結構、咪唑結構、三唑結構等五員雜環；吡啶結構、嘧啶結構、噠嗪結構、吡嗪結構等六員雜環。該雜環亦可形成稠環。具體而言，可列舉：吲哚結構、異吲哚結構、苯并咪唑結構、苯并三唑結構、喹啉結構、異喹啉結構、喹唑啉結構、噌啉結構、酞嗪結構、喹噁啉結構、吖啶結構等。具有此種結構的雜環化合物中，較佳為具有吡啶結構、喹啉結構、苯并咪唑結構、苯并三唑結構的雜環化合物。
作為含氮雜環化合物的具體例，可列舉：氮丙啶、吡啶、嘧啶、吡咯啶、哌啶、吡嗪、三嗪、吡咯、咪唑、吲哚、喹啉、異喹啉、苯并異喹啉、嘌呤、喋啶、三唑、三唑啶（triazolidine）、苯并三唑、羧基苯并三唑等，進而可列舉具有該些的骨架的衍生物。該些中，較佳為選自苯并三唑及三唑中的至少一種。該些含氮雜環化合物可單獨使用一種，亦可組合兩種以上來使用。
於含有含氮雜環化合物的情況下，相對於化學機械研磨用組成物的總質量，含氮雜環化合物的含量較佳為0.05質量%～2質量%，更佳為0.1質量%～1質量%。
＜界面活性劑＞
本實施方式的化學機械研磨用組成物亦可含有（B）聚(甲基)丙烯酸以外的界面活性劑。界面活性劑中，除了具有對化學機械研磨用組成物賦予適度的黏性的效果以外，有時可抑制釕等金屬的過度蝕刻，且防止腐蝕等研磨後的表面粗糙。
界面活性劑並無特別限制，可列舉陰離子性界面活性劑、陽離子性界面活性劑、非離子性界面活性劑等。作為陰離子性界面活性劑，例如可列舉：脂肪酸皂、烷基醚羧酸鹽等羧酸鹽；烷基苯磺酸鹽、烷基萘磺酸鹽、α-烯烴磺酸鹽等磺酸鹽；高級醇硫酸酯鹽、烷基醚硫酸鹽、聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸鹽等硫酸鹽；全氟烷基化合物等含氟系界面活性劑等。作為陽離子性界面活性劑，例如可列舉脂肪族胺鹽及脂肪族銨鹽等。作為非離子性界面活性劑，例如可列舉乙炔乙二醇、乙炔乙二醇環氧乙烷加成物、乙炔醇等具有三鍵的非離子性界面活性劑；聚乙二醇型界面活性劑等。該些界面活性劑可單獨使用一種，亦可組合兩種以上來使用。
於含有界面活性劑的情況下，相對於化學機械研磨用組成物的總質量，界面活性劑的含量較佳為0.001質量%以上、5質量%以下，更佳為0.001質量%以上、3質量%以下，尤佳為0.01質量%以上、1質量%以下。
＜無機酸及其鹽＞
本實施方式的化學機械研磨用組成物亦可含有無機酸及其鹽。藉由含有無機酸及其鹽，有時對釕等金屬的研磨速度會進一步提高。作為無機酸，例如較佳為選自鹽酸、硝酸、硫酸及磷酸中的至少一種。作為無機酸的鹽，可為所述無機酸的鹽，亦可由化學機械研磨用組成物中另行添加的鹼與所述無機酸來形成鹽。作為此種鹼，可列舉氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銣、氫氧化銫等鹼金屬的氫氧化物；四甲基氫氧化銨（TMAH）、膽鹼等有機鹼化合物及氨等。
於含有無機酸及其鹽的情況下，相對於化學機械研磨用組成物的總質量，無機酸及其鹽的含量較佳為3質量%～8質量%，更佳為3質量%～6質量%。
＜其他水溶性高分子＞
本實施方式的化學機械研磨用組成物亦可含有（B）聚(甲基)丙烯酸以外的水溶性高分子。藉由含有（B）聚(甲基)丙烯酸以外的水溶性高分子，有時可進一步提高（B）聚(甲基)丙烯酸的功能（即，吸附於半導體基板（尤其是含釕膜的基板）的表面而減少研磨摩擦的功能）。作為此種水溶性高分子，可列舉：聚(甲基)丙烯醯胺、聚乙烯基醇、聚乙烯基吡咯啶酮、聚乙烯亞胺、聚乙烯基甲基醚、聚烯丙基胺、羥基乙基纖維素等。
1.6.pH
本實施方式的化學機械研磨用組成物的pH為7～13，較佳為8～12.5，更佳為9～11。若pH為7以上，則化學機械研磨用組成物中的（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的動電位的絕對值變大，分散性提高，因此可在減少半導體基板（尤其是含釕膜的基板）的研磨損傷的同時進行高速研磨。另外，若pH為13以下，則生產時的操作性提高。另一方面，若pH不足7，則化學機械研磨用組成物中的（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的動電位的絕對值變小，分散性劣化而發生凝聚，因此研磨速度降低，並且容易產生研磨缺陷。
再者，本實施方式的化學機械研磨用組成物的pH例如可藉由添加氫氧化鉀、乙二胺、TMAH（四甲基氫氧化銨）、氨等來進行調整，可使用該些的一種以上。
於本發明中，pH是指氫離子指數，其值可使用市售的pH計（例如，堀場製作所股份有限公司製造的桌上型pH計）來測定。
1.7.用途
如上所述，本實施方式的化學機械研磨用組成物於含釕膜的基板的CMP中，抑制對人體毒性強的四氧化釕的產生，並且穩定性優異，可對含釕膜的基板進行高速研磨，且可減少被研磨面的研磨損傷。因此，本實施方式的化學機械研磨用組成物於對銅膜的基底施加作為下一代半導體材料的釕膜而成的半導體基板中，作為用以對含釕膜的基板進行化學機械研磨的研磨材料而較佳。
1.8.化學機械研磨用組成物的製備方法
本實施方式的化學機械研磨用組成物可藉由使所述各成分溶解或分散於水等液狀介質中來製備。溶解或分散的方法並無特別限制，只要可均勻地進行溶解或分散，則可應用任意方法。另外，關於所述各成分的混合順序或混合方法，亦無特別限制。
另外，本實施方式的化學機械研磨用組成物亦可作為濃縮型的原液來製備，於使用時利用水等液狀介質進行稀釋來使用。
2.研磨方法
本實施方式的研磨方法包括使用所述化學機械研磨用組成物對半導體基板進行研磨的步驟。所述化學機械研磨用組成物於對表面含有釕的基板進行化學機械研磨時，可抑制對人體毒性強的四氧化釕的發生，並且穩定性優異，可對所述表面含有釕的基板進行高速研磨且可減少被研磨面的研磨損傷。因此，本實施方式的研磨方法適合於對在銅膜的基底施加作為下一代半導體材料的釕膜而成的半導體基板進行研磨的情況。以下，使用圖式，對本實施方式的研磨方法的一具體例進行詳細說明。
2.1.被處理體
圖1是示意性地表示適合使用本實施方式的研磨方法的被處理體的剖面圖。被處理體100經過以下的步驟（1）至步驟（4）而形成。
（1）首先，如圖1所示，準備基體10。基體10例如可包括矽基板及形成於其上的氧化矽膜。進而，亦可對基體10形成（未圖示）電晶體等功能器件。其次，使用熱氧化法於基體10之上形成作為絕緣膜的氧化矽膜12。
（2）繼而，對氧化矽膜12進行圖案化。將所獲得的圖案作為遮罩，藉由光微影法於氧化矽膜12形成配線用槽14。
（3）繼而，於氧化矽膜12的表面及配線用槽14的內壁面形成釕膜16。釕膜16例如可藉由使用釕前驅物的化學氣相成長法（Chemical Vapour Deposition，CVD）或原子層堆積法（Atomic Layer Deposition，ALD）、或者濺鍍等物理氣相堆積法（Physical Vapor Deposition，PVD）來形成。
（4）繼而，藉由化學蒸鍍法或電鍍法，堆積膜厚10,000 Å～15,000 Å（此處，「Å」是指0.1 nm）的銅膜18。作為銅膜18的材料，不僅可使用純度高的銅，亦可使用含有銅的合金。作為含有銅的含金中的銅含量，較佳為95質量%以上。
2.2.研磨方法
2.2.1.第一研磨步驟
圖2是示意性地表示第一研磨步驟結束時的被處理體100的剖面圖。如圖2所示，第一研磨步驟是使用銅膜用的化學機械研磨用組成物對銅膜18進行研磨直至露出釕膜16為止的步驟。
2.2.2.第二研磨步驟
圖3是示意性地表示第二研磨步驟結束時的被處理體100的剖面圖。如圖3所示，第二研磨步驟是使用所述化學機械研磨用組成物對釕膜16及銅膜18進行研磨直至露出氧化矽膜12為止的步驟。於第二研磨步驟中使用所述化學機械研磨用組成物，因此抑制對人體毒性強的四氧化釕的產生，並且可對釕膜進行高速研磨，且可減少被研磨面的研磨損傷。
2.3.化學機械研磨裝置
於所述第一研磨步驟及第二研磨步驟中，例如可使用圖4所示般的研磨裝置200。圖4是示意性地表示研磨裝置200的立體圖。所述第一研磨步驟及第二研磨步驟是藉由自漿料供給噴嘴42供給漿料（化學機械研磨用組成物）44，且一邊使貼附有研磨布46的轉盤48旋轉，一邊將保持著半導體基板50的載架頭（carrier head）52抵接來進行。再者，圖4亦一併示出了水供給噴嘴54及修整器（dresser）56。
載架頭52的研磨負荷可於0.7 psi～70 psi的範圍內選擇，較佳為1.5 psi～35 psi。另外，轉盤48及載架頭52的轉速可於10 rpm～400 rpm的範圍內適當選擇，較佳為30 rpm～150 rpm。自漿料供給噴嘴42供給的漿料（化學機械研磨用組成物）44的流量可於10 mL/分～1,000 mL/分的範圍內選擇，較佳為50 mL/分～400 mL/分。
作為市售的研磨裝置，例如可列舉荏原製作所公司製造的型號「EPO-112」、「EPO-222」；藍邁斯特（Lapmaster）SFT公司製造的型號「LGP-510」、「LGP-552」；應用材料（Applied Material）公司製造的型號「米拉（Mirra）」、「瑞福興（Reflexion）」；G＆P科技（TECHNOLOGY）公司製造的型號「POLI-400L」；AMAT公司製造的型號「瑞福興（Reflexion）LK」等。
3.實施例
以下，藉由實施例對本發明進行說明，但本發明並不受該些實施例的任何限定。再者，本實施例中的「份」及「%」只要無特別說明則為質量基準。
3.1.包含研磨粒的水分散體的製備
＜氧化鈦粒子A的製備＞
藉由常規方法對硫酸氧鈦溶液進行水解，於進行過濾清洗後的含水二氧化鈦濾餅（二氧化鈦水合物）35 kg（以TiO2 換算計為10 kg）中，一邊攪拌一邊投入48%氫氧化鈉水溶液40 kg，之後進行加熱，以95℃～105℃的溫度範圍攪拌2小時。繼而，對此漿料進行過濾，並進行清洗，藉此獲得經鹼處理的二氧化鈦水合物。對此水合物濾餅加入水進行漿料化，調整為TiO2 換算濃度110 g/L。一邊攪拌此漿料，一邊添加35%鹽酸，製成pH7.0。
繼而，將所述漿料加熱至50℃，於此溫度下一邊攪拌一邊以4分鐘添加35%鹽酸12.5 kg，使添加鹽酸後的漿料中的鹽酸濃度以100%HCl換算計成為40 g/L。鹽酸添加速度設為每TiO2 換算1 kg為0.11 kg/分。於添加鹽酸後，繼而進行漿料的加熱，以100℃進行2小時的熟化。對熟化後的漿料添加氨水，中和為pH=6.5。進行過濾、水洗，於乾燥後，利用流體能量研磨機進行粉碎，獲得金紅石型氧化鈦粒子A。
針對上述中所製備的金紅石型氧化鈦粒子A，使用流動式比表面積自動測定裝置（島津製作所股份有限公司製造，「微型測量流動吸附II2300（micrometricsFlowSorbII2300）」），藉由BET法來測定比表面積，根據其測定值而算出平均粒徑，結果求出為139 nm。
＜氧化鋁被覆氧化鈦粒子B的製備＞
使用上述中所製備的氧化鈦粒子A，將以TiO2 換算計為200 g/L的水分散液800 mL加熱至60℃並攪拌30分鐘。繼而，加入18%鋁酸鈉水溶液32 mL（以Al2 O3 換算計，相對於TiO2 而為5%），同時加入30%稀硫酸30 mL，將該漿料的pH保持為5～6達10分鐘，同時進行中和，然後攪拌30分鐘。對其進行過濾、清洗，並於110℃下進行24小時乾燥後加以粉碎，獲得氧化鋁被覆金紅石型氧化鈦粒子B。
針對上述中所製備的氧化鋁被覆金紅石型氧化鈦粒子B，使用流動式比表面積自動測定裝置（島津製作所股份有限公司製造，「微型測量流動吸附II2300（micrometricsFlowSorbII2300）」），藉由BET法來測定比表面積，根據其測定值而算出平均粒徑，結果求出為142 nm。
＜二氧化矽粒子水分散體的製備＞
針對四甲氧基矽烷1522.2 g、甲醇413.0 g的混合液，將液溫保持為35℃並花費55分鐘滴加至純水787.9 g、26%氨水786.0 g、甲醇12924 g的混合液中，獲得以水、甲醇為液狀介質的二氧化矽溶膠。將此二氧化矽溶膠於常壓下加熱濃縮至5000 mL，獲得二氧化矽粒子分散體。
針對上述中所製備的二氧化矽粒子，使用流動式比表面積自動測定裝置（島津製作所股份有限公司製造，「微型測量流動吸附II2300（micrometricsFlowSorbII2300）」），藉由BET法來測定比表面積，根據其測定值而算出平均粒徑，結果求出為142 nm。
3.2.化學機械研磨用組成物的製備及動電位的測定
於聚乙烯製容器中，以成為表1～表3所示的組成的方式添加各成分，進而視需要加入氨，以成為表1～表3所示的pH的方式進行調整，並以全部成分的合計量成為100質量份的方式以純水進行調整，藉此製備各實施例及各比較例的化學機械研磨用組成物。
另外，使用超音波方式粒度分佈･動電位測定裝置（分散技術（Dispersion Technology）公司製造，型號「DT-1200」），測定上述中所獲得的化學機械研磨用組成物中所含的研磨粒的表面電荷（動電位）。將其結果一併示於表1～表3中。
3.3.評價方法
3.3.1.研磨速度評價
使用上述中所獲得的化學機械研磨用組成物，以直徑8吋的帶釕膜50 nm的晶圓為被研磨體，以下述研磨條件進行30秒的化學機械研磨試驗。
＜研磨條件＞
・研磨裝置：G＆P科技（TECHNOLOGY）公司製造，型號「POLI-400L」
・研磨墊：富士紡績公司製造，「多硬質聚胺基甲酸酯墊；H800-typel（3-1S）775」
・化學機械研磨用組成物供給速度：100 mL/分
・壓盤轉速：100 rpm
・研磨頭轉速：90 rpm
・研磨頭按壓壓力：2 psi
・研磨速度（Å/分）=（研磨前的膜的厚度-研磨後的膜的厚度）/研磨時間
再者，釕膜的厚度是藉由電阻率測定機（NPS公司製造，型號「Σ-5」），以直流4探針法對電阻進行測定，並根據此片電阻值及釕的體積電阻率而由下述式算出。

膜的厚度（Å）＝[釕膜的體積電阻率（Ω･m）÷片電阻值（Ω/sq）]×1010
研磨速度的評價基準如下。將釕膜的研磨速度及其評價結果一併示於表1～表3。
（評價基準）
・於研磨速度為300 Å/分以上的情況下，研磨速度大，因此，能夠容易地確保實際的半導體研磨中與其他材料膜的研磨的速度平衡，是實用性的，由此判斷為良好，標記為「A」。
・於研磨速度不足300 Å/分的情況下，研磨速度小，因此，實用困難，而判斷為不良，標記為「B」。
3.3.2.缺陷評價
針對作為被研磨體的直徑12吋的帶釕膜的晶圓，以下述條件進行1分鐘的研磨。
＜研磨條件＞
・研磨裝置：AMAT公司製造，型號「瑞福興（Reflexion）LK」
・研磨墊：富士紡績公司製造，「多硬質聚胺基甲酸酯墊；H800-typel（3-1S）775」
・化學機械研磨用組成物供給速度：300 mL/分
・壓盤轉速：100 rpm
・研磨頭轉速：90 rpm
・研磨頭按壓壓力：2 psi
針對上述中進行了研磨的帶釕膜的晶圓，使用缺陷檢查裝置（科磊（KLA Tencor）公司製造，型號「表面掃描SP1（Surfscan SP1）」），對90 nm以上的大小的缺陷總數進行計數。評價基準如下。將每晶圓的缺陷總數及其評價結果一併示於表1～表3。
（評價基準）
・將每晶圓的缺陷總數不足500個的情況判斷為良好，於表中記載為「A」。
・將每晶圓的缺陷總數為500個以上的情況判斷為不良，於表中記載為「B」。
3.3.3.化學機械研磨用組成物的起泡試驗
將表1～表3所記載的化學機械研磨用組成物5 mL放入至透明塑膠容器（亞速旺（ASONE）製造，10 mL苯乙烯棒瓶）中，加蓋密閉，靜置一天。一天後，藉由目視對容器壁面上附著的起泡的數量進行計數。化學機械研磨用組成物的起泡試驗的評價基準如下。將起泡的個數及其評價結果一併示於表1～表3。
（評價基準）
・於起泡數不足3個的情況下，氣體的產生少，因此是實用性的，由此判斷為良好，標記為「A」。
・於起泡數為3個以上的情況下，氣體的產生多，因此是非實用性的，由此判斷為不良，標記為「B」。
3.3.4.腐蝕評價
將所述帶釕膜50 nm的晶圓切割為1 cm×1 cm，製成金屬晶圓試驗片。針對此試驗片，藉由掃描式電子顯微鏡以倍率50,000倍預先對表面進行觀察。分別將各實施例及各比較例的化學機械研磨用組成物50 mL放入至聚乙烯容器中，並保持為25℃，將金屬晶圓試驗片（1 cm×1 cm）浸漬60分鐘，以流水進行10秒鐘的清洗，並使其乾燥，之後，藉由掃描式電子顯微鏡以倍率50,000倍對表面的腐蝕狀態進行觀察，以以下的基準進行評價。將其結果一併示於表1～表3。
（評價基準）
A：與浸漬前相比，未確認到因腐蝕導致的表面的形狀變化。
B：與浸漬前相比，同時存在被腐蝕了的部位與未被腐蝕的部位。
C：與浸漬前相比，整個面被腐蝕。
3.4.評價結果
於表1～表3中示出各實施例及各比較例的化學機械研磨用組成物的組成以及各評價結果。
[表1]


[表2]

[表3]

表1～表3中的各成分分別使用了下述商品或試劑。
＜研磨粒＞
・氧化鈦粒子A：上述中所製作的金紅石型氧化鈦粒子A
・氧化鈦粒子B：上述中所製作的氧化鋁被覆金紅石型氧化鈦粒子B
・二氧化矽粒子：上述中所製作的二氧化矽粒子水分散體
＜聚(甲基)丙烯酸＞
・聚(甲基)丙烯酸A：東亞合成股份有限公司製造，商品名「朱麗馬（Jurymer）AC-10L」，重量平均分子量（Mw）=50,000
・聚(甲基)丙烯酸B：東亞合成股份有限公司製造，商品名「朱麗馬（Jurymer）AC-10P」，重量平均分子量（Mw）=9,000
・聚(甲基)丙烯酸C：東亞合成股份有限公司製造，商品名「朱麗馬（Jurymer）AC-10H」，重量平均分子量（Mw）=800,000
＜氧化劑＞
・過氧化氫：富士軟片和光純藥工業股份有限公司製造，商品名「過氧化氫」，30質量%過氧化氫水（各表中的過氧化氫的含量表示的是進行了過氧化氫換算的含量，而非30質量%過氧化氫水的含量）
・過碘酸鉀：富士軟片和光純藥工業股份有限公司製造，商品名「過碘酸鉀」
・次氯酸鉀：關東化學股份有限公司製造，商品名「次氯酸鉀溶液」
＜有機酸＞
・丙二酸：富士軟片和光純藥工業股份有限公司製造，商品名「丙二酸」
・馬來酸：富士軟片和光純藥工業股份有限公司製造，商品名「馬來酸」
・硬脂酸：富士軟片和光純藥工業股份有限公司製造，商品名「硬脂酸」
・月桂酸：富士軟片和光純藥工業股份有限公司製造，商品名「月桂酸」
＜其他添加劑＞
・苯并三唑：富士軟片和光純藥工業股份有限公司製造，商品名「1H-苯并三唑」，含氮雜環化合物
・1,2,4-三唑：東京化成工業股份有限公司股份有限公司製造，商品名「1,2,4-Triazole」，含氮雜環化合物
・乙炔二醇系非離子性界面活性劑：日信化學工業股份有限公司製造，商品名「薩非諾爾（Surfynol）485」，界面活性劑
・十二烷基苯磺酸鈉：東京化成工業股份有限公司股份有限公司製造，商品名「Sodium Dodecylbenzenesulfonate」，界面活性劑
・烯基琥珀酸二鉀：花王股份有限公司製造，商品名「拉特姆（LATEMUL） ASK」，界面活性劑
・聚乙烯基吡咯啶酮（K30）：日本觸媒股份有限公司製造，商品名「聚乙烯基吡咯啶酮 K-30」，水溶性高分子
於實施例1～實施例17中，可知：藉由使用氧化鋁被覆氧化鈦粒子B作為研磨粒，化學機械研磨用組成物的穩定性優異，可對半導體基板（尤其是含釕膜的基板）進行高速研磨，且可減少被研磨面的研磨損傷。
比較例1是使用含有未經氧化鋁被覆的氧化鈦粒子A作為研磨粒、且不含有聚(甲基)丙烯酸的化學機械研磨用組成物的示例。於此情況下，於氧化鈦粒子A的表面確認到因與過氧化氫的反應而形成的大量的起泡。另外，於缺陷評價中，確認到因使用未經氧化鋁被覆的氧化鈦粒子A而形成的大量的缺陷。
比較例2是使用含有氧化鋁被覆氧化鈦粒子B作為研磨粒、且不含有聚(甲基)丙烯酸的化學機械研磨用組成物的示例。於此情況下，可抑制氧化鋁被覆氧化鈦粒子B的表面上的與過氧化氫的反應，從而穩定。然而，無法獲得由聚(甲基)丙烯酸帶來的被研磨面的摩擦減少效果，於被研磨面的表面確認到雖較比較例1少但仍為大量的缺陷。
比較例3是使用含有未經氧化鋁被覆的氧化鈦粒子A作為研磨粒、且含有聚(甲基)丙烯酸的化學機械研磨用組成物的示例。於此情況下，與比較例1同樣地，亦於氧化鈦粒子A的表面確認到因與過氧化氫的反應而形成的大量的起泡。另外可知，於使用未經氧化鋁被覆的氧化鈦粒子A的情況下，於被研磨面的表面會產生大量的缺陷。
比較例4及比較例5是使用含有氧化鋁被覆氧化鈦粒子B作為研磨粒、且含有聚(甲基)丙烯酸、但pH不足7的化學機械研磨用組成物的示例。於此情況下，氧化鋁被覆氧化鈦粒子B的動電位的絕對值變小，導致該些粒子彼此凝聚，因此釕膜的研磨速度變小，於被研磨面的表面確認到大量的缺陷。
比較例6是使用含有二氧化矽粒子作為研磨粒、且含有聚(甲基)丙烯酸的化學機械研磨用組成物的示例。於此情況下可知：關於被研磨面的表面缺陷或漿料穩定性並無問題，但釕膜的研磨速度顯著降低。
自以上結果得知：根據本發明的化學機械研磨用組成物，化學機械研磨用組成物的穩定性優異，可對半導體基板（尤其是含釕膜的基板）進行高速研磨，且可減少被研磨面的研磨損傷。
本發明不限定於所述實施方式，可進行各種變形。例如，本發明包括與實施方式中說明的構成實質上相同的構成（例如功能、方法及結果相同的構成，或目的及效果相同的構成）。另外，本發明包括將實施方式中說明的構成的非本質部分進行了替換的構成。另外，本發明包括發揮與實施方式中說明的構成相同的作用效果的構成或可達成相同目的之構成。另外，本發明包括對實施方式中說明的構成附加公知技術所得的構成。
10‧‧‧基體
12‧‧‧氧化矽膜
14‧‧‧配線用槽
16‧‧‧釕膜
18‧‧‧銅膜
42‧‧‧漿料供給噴嘴
44‧‧‧漿料（化學機械研磨用組成物）
46‧‧‧研磨布
48‧‧‧轉盤
50‧‧‧半導體基板
52‧‧‧載架頭
54‧‧‧水供給噴嘴
56‧‧‧修整器
100‧‧‧被處理體
200‧‧‧研磨裝置
圖1是示意性地表示適合使用本實施方式的研磨方法的被處理體的剖面圖。
圖2是示意性地表示第一研磨步驟結束時的被處理體的剖面圖。
圖3是示意性地表示第二研磨步驟結束時的被處理體的剖面圖。
圖4是示意性地表示化學機械研磨裝置的立體圖。

Claims (8)

  1. 一種化學機械研磨用組成物，含有： （A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子；以及 （B）聚(甲基)丙烯酸，且 pH為7以上、13以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的化學機械研磨用組成物，其更含有相對於化學機械研磨用組成物的總質量而為0.001質量%以上、5質量%以下的（C）氧化劑。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的化學機械研磨用組成物，其中所述（C）氧化劑為選自過碘酸鉀、次氯酸鉀及過氧化氫中的至少一種。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的化學機械研磨用組成物，其更含有（D）有機酸。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的化學機械研磨用組成物，其中相對於化學機械研磨用組成物的總質量，所述（A）氧化鋁修飾氧化鈦粒子的含量為0.1質量%以上、10質量%以下。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的化學機械研磨用組成物，其用於對包含釕膜的半導體基板進行研磨。
  7. 一種研磨方法，其包括使用如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的化學機械研磨用組成物來對半導體基板進行研磨的步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的研磨方法，其中所述半導體基板包含釕膜。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114761502A (zh) * 2019-12-12 2022-07-15 Jsr株式会社 化学机械研磨用组合物及研磨方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021060234A1 (ja) * 2019-09-27 2021-04-01 株式会社トクヤマ ＲｕＯ４ガスの発生抑制剤及びＲｕＯ４ガスの発生抑制方法
US11674230B2 (en) 2019-09-27 2023-06-13 Tokuyama Corporation Treatment liquid for semiconductor with ruthenium and method of producing the same
CN113122146B (zh) * 2019-12-31 2024-04-12 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液及其使用方法
WO2022031601A1 (en) 2020-08-03 2022-02-10 Cmc Materials, Inc. Titanium dioxide containing ruthenium chemical mechanical polishing slurry
JP7110504B1 (ja) * 2021-12-23 2022-08-01 扶桑化学工業株式会社 コロイダルシリカ及びその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6270395B1 (en) * 1998-09-24 2001-08-07 Alliedsignal, Inc. Oxidizing polishing slurries for low dielectric constant materials
US20030162398A1 (en) * 2002-02-11 2003-08-28 Small Robert J. Catalytic composition for chemical-mechanical polishing, method of using same, and substrate treated with same
US20030168627A1 (en) * 2002-02-22 2003-09-11 Singh Rajiv K. Slurry and method for chemical mechanical polishing of metal structures including refractory metal based barrier layers
KR101951502B1 (ko) * 2011-09-20 2019-02-22 사카이 가가쿠 고교 가부시키가이샤 유리 연마용 복합 입자
JP6358899B2 (ja) * 2013-08-28 2018-07-18 日揮触媒化成株式会社 金属酸化物粒子およびその製造方法
US10160884B2 (en) * 2015-03-23 2018-12-25 Versum Materials Us, Llc Metal compound chemically anchored colloidal particles and methods of production and use thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114761502A (zh) * 2019-12-12 2022-07-15 Jsr株式会社 化学机械研磨用组合物及研磨方法

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