TW202340405A - 半導體製程用組合物以及基板的拋光方法 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及半導體製程用組合物和基板的拋光方法。所述半導體製程用組合物包括：拋光顆粒，用氨基矽烷類化合物進行表面改性；銅腐蝕抑制劑，包含唑類化合物；銅表面保護劑，包含具有甜菜鹼基和水楊基的化合物或其衍生物；以及表面活性劑，在分子中含有氟；其中經過表面改性的拋光顆粒的表面具有氨基矽烷基團。根據本實施方式，可以更有效地進行拋光製程，尤其，在適用於具有穿通電極的基板的拋光製程時，可以使凹陷、腐蝕及突起等缺陷最小化。並且，在拋光在外部暴露有多個不同膜質的表面時，可以實現平坦拋光結果而沒有各個膜質之間的厚度偏差。

Description

半導體製程用組合物以及基板的拋光方法
本發明是有關於一種可適用於半導體製造和加工製程的組合物，且特別是有關於一種可適用於半導體基板的拋光製程的組合物。
化學機械拋光（Chemical mechanical polishing，CMP）製程是指在製造半導體時通過使用拋光墊（pad）和漿料組合物使晶圓表面平坦化的製程。CMP製程是在將拋光墊和晶圓彼此接觸後在使拋光墊和晶圓實施混合旋轉和線性運動的軌道運動的同時利用包含拋光劑的漿料組合物進行拋光的製程。
在CMP製程中使用的漿料組合物主要由具有物理作用的拋光顆粒和具有化學作用的如蝕刻劑（etchant）等的化合物構成。因此，漿料組合物通過物理和化學作用選擇性地蝕刻晶圓表面的暴露部分來執行更優化和廣泛的平坦化製程。
在銅佈線拋光中，針對不同類型的膜質控制拋光速度非常重要。
在拋光銅佈線時，待拋光物不僅直接包括銅佈線，還包括阻擋（barrier）膜和鈍化層（passivation layer）。此時，拋光性能也根據對銅的拋光速度和對兩個不同膜質的拋光速度差異而變化。
作為相關的現有技術，有韓國公開專利第10-2006-0059216號、韓國授權專利第10-2261822號等。
發明要解決的問題
本實施方式的目的在於提供更有效地進行拋光製程、並在對在外部暴露有多個不同膜質的表面進行拋光時能夠實現平坦拋光的表面而沒有各膜質間的厚度偏差的半導體製程用組合物和半導體元件的製造方法等。
用於解決問題的手段
為了實現上述目的，根據本實施方式的半導體製程用組合物包括：拋光顆粒，用氨基矽烷類化合物進行表面改性；銅腐蝕抑制劑，包含唑類化合物；銅表面保護劑，包含具有甜菜鹼基和水楊基的化合物或其衍生物；及表面活性劑，在分子中含有氟。
經過表面改性的所述拋光顆粒的表面可以具有氨基矽烷基團。
所述唑類化合物與所述銅表面保護劑的重量比可以為1:0.2至1:4。
所述唑類化合物與所述表面活性劑的重量比可以為1:0.001至1:0.2。
基於100重量份的所述拋光顆粒，所述唑類化合物的含量可以為0.02重量份至2重量份。
所述氨基矽烷類化合物和所述唑類化合物的重量比可以為1:0.1至1:0.28。
所述半導體製程用組合物可以包括1重量％以上且17重量%以下的所述拋光顆粒。
所述半導體製程用組合物可以為用於對部分地包括銅、氮化矽和氧化矽中的每一者的表面進行拋光的漿料。
對於用所述半導體製程用組合物拋光的直徑為5μm的圓形通孔的表面，使用原子力顯微鏡（Atomic Force Microscope，AFM）測定的最大粗糙度可以在220nm以內。
為了實現上述目的，根據本實施方式的半導體製程用組合物包括：拋光顆粒，用氨基矽烷類化合物進行表面改性；銅腐蝕抑制劑，包含唑類化合物；銅表面保護劑，包含具有甜菜鹼基和水楊基的化合物或其衍生物；及表面活性劑，在分子中含有氟。
所述半導體製程用組合物的根據下述第1式的銅腐蝕抑制指數（Er）可以為8至15，
第1式：
在所述第1式中，indexC是根據下述第2式的值，Cab是在整個半導體製程用組合物中含有的拋光顆粒的含量（重量%），Ps是在100重量份的所述拋光顆粒中的氨基矽烷類化合物的含量（重量份），
第2式：
IndexC = C1*6+C2*5-C3-C4*10
在所述第2式中，所述C1為在100重量份的整個半導體製程用組合物中含有的拋光顆粒中的所述氨基矽烷類化合物的含量（重量份），C2為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述唑類化合物的含量（重量份），C3為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述銅表面保護劑的含量（重量份），C4為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述表面活性劑的含量（重量份）。
所述半導體製程用組合物還可包括氮化矽拋光增強劑，所述indexC可以是根據下述第2-1式的值，
第2-1式：
IndexC = C1*6+C2*5-C3-C4*10-C5*2
在所述第2-1式中，所述C1為在100重量份的整個半導體製程用組合物中含有的拋光顆粒中的所述氨基矽烷類化合物的含量（重量份），C2為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述唑類化合物的含量（重量份），C3為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述銅表面保護劑的含量（重量份），C4為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述表面活性劑的含量（重量份），C5為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的氮化矽拋光增強劑的含量（重量份）。
對於用所述半導體製程用組合物拋光的直徑為5μm的圓形銅通孔的表面，使用AFM測定的表面積差百分比（Surface Area Difference）可以小於2.5%。
為了實現上述目的，根據本實施方式的基板的拋光方法包括：準備步驟，準備安裝有拋光墊的平板和容納基板的載體；及拋光步驟，將所述平板和所述載體中的至少一者旋轉，以通過所述拋光墊的拋光表面使所述基板的表面平坦化，從而製造拋光的基板。
在半導體製程用組合物的存在下進行拋光，所述半導體製程用組合物為如上所述的半導體製程用組合物。
經過所述拋光步驟的基板的表面可以部分地包括銅、氮化矽和氧化矽中的每一者。
對於經過所述拋光步驟的基板的表面上的直徑為5μm的圓形銅通孔，使用AFM測定的偏度（Skewness）的絕對值可以在1以內。
在所述基板的拋光方法中，作為氧化矽拋光率與氮化矽拋光率之比的SiO/SiN選擇比可以為3以上。
在所述基板的拋光方法中，作為氧化矽拋光率與銅拋光率之比的SiO/Cu選擇比可以為0.9以上。
發明的效果
通過本實施方式的半導體製程用組合物、半導體用基板的拋光方法等，可以更有效地進行拋光製程。尤其，在適用於具有穿通電極（Through Via）的基板的拋光製程時，可以使凹陷、腐蝕及突起等缺陷最小化，並且，在對在外部暴露有多個不同膜質的表面進行拋光時，可以實現平坦拋光的表面而沒有各個膜質之間的厚度偏差。
根據本實施方式的半導體製程用組合物、基板的拋光方法等，在對同時露出銅和選自氧化矽及氮化矽中的至少一種材料的表面進行拋光時，拋光率比較高，且可以實現平坦拋光的表面，而沒有各個材料之間的厚度偏差。
在下文中，將對實施例進行詳細描述，以便本實施方式所屬領域的普通技術人員能夠容易地實施實施例。然而，本發明可通過多種不同的實施方式實現，並不限定於在本說明書中所說明的實施例。
在本說明書中，記載某一元件「包括」另一組件時，除非有特別相反的記載，否則表示還包括其他元件而不是排除其他元件。
在本說明書中，當描述一個元件與另一個元件「連接」時，它不僅包括「直接連接」的情況，還包括「其中間隔著其他元件而連接」的情況。
在本說明書中，B位於A上的含義是指B以直接接觸的方式位於A上或其中間存在其他層的情況下B位於A上，不應限定於B以接觸的方式位於A表面的含義來解釋。
在本說明書中，馬庫什型描述中包括的術語「……的組合」是指從馬庫什型描述的組成要素組成的組中選擇的一個或多個組成要素的混合或組合，從而意味著本發明包括選自由所述組成要素組成的組中的一個或多個組成要素。
在本說明書中，「A和/或B」形式的記載意指「A、B、或A和B」。
在本說明書中，除非有特別說明，如「第一」、「第二」或「A」、「B」等的術語為了互相區別相同術語而使用。
除非有特別說明，在本說明書中單數的表述解釋為包括上下文所解釋的單數或複數的含義。
根據本實施方式的半導體製程用組合物包括：拋光顆粒，用氨基矽烷類化合物進行表面改性；銅腐蝕抑制劑，包含唑類化合物；銅表面保護劑，包含具有甜菜鹼基和水楊基的化合物或其衍生物；及表面活性劑，在分子中含有氟。
經過表面改性的所述拋光顆粒的表面具有氨基矽烷基團。
以下，將對本實施方式進行更詳細的說明。
拋光顆粒
拋光顆粒主要起到物理蝕刻作用，也可通過與待拋光物表面的機械摩擦起到平坦化作用。
拋光顆粒可包括無機顆粒、有機顆粒或有機/無機複合顆粒。
所述無機顆粒可包括用有機物表面改性的無機顆粒。即，無機顆粒應該理解為包括含有微量有機成分的情況的概念。此時，微量是指基於100重量份的拋光顆粒的總量約0.03重量份以下的含量。所述有機/無機複合顆粒包括基於100重量份的無機成分包括50重量份有至200重量份的有機成分的顆粒。
示例性地，所述無機顆粒可以包括選自由二氧化矽（Silica，SiO 2）、氧化鈰（Ceria，CeO 2）、氧化鋁（Alumina，Al 2O 3）、氧化鋯（Zirconia，ZrO 2）及其組合組成的組中的一種金屬氧化物顆粒。
所述拋光顆粒可以處於膠體狀態。例如，所述拋光顆粒可包括膠體無機顆粒。
所述拋光顆粒可以是具有露出官能團的表面的金屬氧化物顆粒。
所述表面可以包括在末端含有胺基的官能團。
通過用矽烷化合物對所述拋光顆粒進行表面改性，可以將所述在末端含有胺基的官能團引入到所述拋光顆粒的表面。
矽烷化合物示例性地可以為氨基矽烷、脲基矽烷或其組合，可以為氨基矽烷。示例性地，所述氨基矽烷可以為選自由3-氨基丙基三乙氧基矽烷、雙[(3-三乙氧基甲矽烷基)丙基]胺、3-氨基丙基三甲氧基矽烷、雙[(3-三甲氧基甲矽烷基)丙基]胺、3-氨基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-氨基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-[3-(三甲氧基甲矽烷基)丙基]乙二胺、N-雙[3-(三甲氧基甲矽烷基)丙基]-1,2-乙二胺、N-[3-(三乙氧基甲矽烷基)丙基]乙二胺、二亞乙基三氨基丙基三甲氧基矽烷、二亞乙基三氨基丙基甲基二甲氧基矽烷、二乙基氨基甲基三乙氧基矽烷、二乙基氨基丙基三甲氧基矽烷、二乙基氨基丙基三乙氧基矽烷、二甲基氨基丙基三甲氧基矽烷、N-[3-(三甲氧基甲矽烷基)丙基]丁胺及其組合組成的組中的任一者。所述脲基矽烷可以為選自由3-脲基三甲氧基矽烷、3-脲基三乙氧基矽烷及其組合組成的組中的一種。
基於100重量份的所述金屬氧化物顆粒，矽烷化合物的含量可以為0.05重量份至10重量份。基於100重量份的所述金屬氧化物顆粒，矽烷化合物的含量可以為0.1重量份至5重量份。基於100重量份的所述金屬氧化物顆粒，矽烷化合物的含量可以為0.1重量份至3重量份。在這種情況下，可以對金屬氧化物顆粒的表面充分進行所意圖的改性，且通過與其他構成成分一起適用所述矽烷化合物來將拋光顆粒的拋光速度和品質保持在期望的水準。
基於1重量份的下面將描述的唑類化合物，所述氨基矽烷類化合物的含量可以為0.01重量份至70重量份，或可以為0.01重量份至30重量份。基於1重量份的下面將描述的唑類化合物，所述氨基矽烷類化合物的含量優選為0.1重量份至0.28重量份。在這種情況下，優點在於可以在適用最少的表面處理劑的同時獲得優異的蝕刻效果。
所述拋光顆粒的直徑（D50）可以為10nm至120nm。所述拋光顆粒的直徑（D50）可以為15nm至90nm。所述拋光顆粒的直徑（D50）可以為20nm至60nm。當所述拋光顆粒超過120nm時，在待拋光物基板等上產生如劃痕等的缺陷的可能性會增加。當所述拋光顆粒的直徑小於10nm時，顆粒的分散性可能劣化，或缺陷的發生可能反而增加。當所述直徑為20nm至60nm時，當用作具有微細佈線寬度的基板的半導體製程用組合物時可以獲得優異的物性。
上述的直徑以通過動態光散射（dynamic light scattering；DLS）方式測定顆粒尺寸的Malvern公司的Nano-ZS設備為基準。
所述拋光顆粒的zeta電位可以為+1mV至+80mV、+2mV至+50mV或+20mV至+40mV。當無機顆粒或有機顆粒本身不具有所述範圍內的zeta電位時，可以適用表面改性處理成具有上述zeta電位的顆粒。
所述拋光顆粒的zeta電位的測定方法不受特別限制，但是，例如，可以使用zeta電位測定設備（Malvern公司，Zeta-sizer Nano ZS）在測定用單元（cell）中加入約1mL的所述拋光顆粒後進行測定。
所述拋光顆粒可以通過用氨基矽烷對膠態二氧化矽顆粒的表面進行改性而具有所述範圍內的zeta電位。
基於所述半導體製程用組合物的總量，所述拋光顆粒的含量可以為1重量％以上、3重量％以上、或可以為4重量％以上。基於所述半導體製程用組合物的總量，所述拋光顆粒的含量可以為8重量％以下、或可以為7重量％以下。
當半導體製程用組合物包括在所述含量範圍內的拋光顆粒時，可以進行更有效的拋光製程。
銅腐蝕抑制劑
銅腐蝕抑制劑包括唑類化合物。
示例性地，唑類化合物可以包括選自由苯並三唑（Benzotriazole，BTA）、5-甲基-1H-苯並三唑（5-Methyl-1H-Benzotriazole，5-MBTA）、3-氨基-1,2,4-三唑（3-Amino-1,2,4-Triazole）、5-苯基-1H-四唑（5-Phenyl-1H-Tetrazole）、3-氨基-5-甲基-4H-1,2,4-三唑（3-Amino-5-Methyl-4H-1,2,4-Triazole）、5-氨基四唑（5-Aminotetrazole，ATZ）、1,2,4-三唑（1,2,4-Triazole）、甲基苯並三氮唑（Tolytriazole）及其組合組成的組中的一種。
唑類化合物可以包括選自由5-氨基四唑（5-Aminotetrazole，ATZ）、5-甲基-1H-苯並三唑（5-Methyl-1H-Benzotriazole，5-MBTA）及其組合組成的組中的一種。
唑類化合物可在拋光過程中作用於銅表面，以起到防止銅腐蝕的作用。
基於100重量份的所述拋光顆粒，所述唑類化合物的含量可以為0.02重量份至2.00重量份、0.03重量份至1.5重量份或0.5重量份至1.5重量份。
當所述唑類化合物的含量在所述範圍內時，可以獲得半導體用組合物對於銅表面的防腐蝕效果，尤其可以對如通孔表面等的相對較寬的表面提供較強的防腐蝕效果。
銅表面保護劑
銅表面保護劑可以為具有甜菜鹼基和水楊基的化合物或其衍生物。
銅表面保護劑可包括甜菜鹼水楊酸鹽（Betaine Salicylate）。
銅表面保護劑可以包括選自由甜菜鹼鹽酸鹽（Betaine hydrochloride）、甜菜鹼高氯酸（Betaine perchloric acid）、甜菜鹼醛氯化物（Betaine aldehyde chloride）及其組合中的一種；和/或水楊酸。
所述銅表面保護劑在拋光過程中有效地保護銅表面，從而可以大大抑制在較廣泛暴露具有較軟特性的銅的通孔表面中發生由於拋光引起的凹陷產生。
基於100重量份的所述拋光顆粒，可以包含0.1重量份至1.5重量份或0.13重量份至0.42重量份的所述銅表面保護劑。
銅表面保護劑可以在水溶液中分離成離子，且可以通過除去作為溶劑的純水（pure water）的方法來確認銅表面保護劑的含量和/或含量比等。
在所述半導體製程用組合物中，所述唑類化合物和所述銅表面保護劑的重量比可以為1:0.2至1:4、1:0.2至1:2.5、1:0.4至1:2.0、1:0.4至1:1.0、或1:0.4至1:0.6。
所述唑類化合物和所述銅表面保護劑分別具有較強的銅表面腐蝕抑制作用和相對較弱的銅表面腐蝕抑制效果，並且控制銅表面的過度腐蝕或凹陷發生，因此，即使以快拋光速度進行拋光也能實現優異的拋光品質。
表面活性劑
半導體製程用組合物包括分子中具有氟的表面活性劑。
示例性地，作為分子中具有氟的表面活性劑，可以單獨或混合使用BNOCHEM公司的BNO-BS-BOH、科慕（Chemours）公司的FS-30、FS-31、FS-34、ET-3015、ET-3150、ET-3050及Capstone FS-3100等。
含氟的表面活性劑可有效防止拋光顆粒過度吸附於待拋光物表面。另外，能夠使氧化矽膜等被平坦化物的表面變成或維持在有利於拋光的狀態。
基於100重量份的所述拋光顆粒，在半導體製程用組合物中的含氟的表面活性劑的含量可以為0.003重量份至0.05重量份、或可以為0.005重量份至0.03重量份、或可以為0.007重量份至0.02重量份。當所述含氟的表面活性劑的含量在所述範圍內時，可以獲得減少拋光顆粒過度吸附到待拋光物表面所引起的缺陷現象的效果。
在所述半導體製程用組合物中，所述唑類化合物和所述含氟的表面活性劑的重量比可以為1:0.001至1:0.2、1:0.013至1:1.5或1:0.015至1:0.05。當以所述的含量比適用時，可以抑制由於拋光過程中產生的顆粒的表面吸附引起的缺陷發生，同時能夠實質上抑制由於表面活性劑與其他成分相互作用而產生粘附性異物。
氮化矽拋光增強劑
半導體製程用組合物還可包括氮化矽拋光增強劑。
氮化矽拋光增強劑可以包括磷酸類化合物。所述磷酸類化合物可以有助於調節氮化矽膜等阻擋膜質的拋光性能。
磷酸類化合物例如可以為選自由磷鉬酸（phosphomolybdic acid）或其鹽、次氮基三（亞甲基膦酸）（nitrilotris（methylenephosphonic acid））或其鹽、三氯化磷（phosphorus trichloride）或其鹽、焦磷酸酯（pyrophosphate）或其鹽及其組合組成的組中的一種。所述鹽可以為鈉鹽、鉀鹽等。
所述磷酸類化合物可以包括次氮基三（亞甲基膦酸）和/或焦磷酸鉀。
基於100重量份的所述拋光顆粒，在半導體製程用組合物中的所述磷酸類化合物的含量可以為0重量份至0.005重量份、0重量份至0.004重量份或0重量份至0.003重量份。
基於100重量份的所述拋光顆粒，在半導體製程用組合物中的所述磷酸類化合物的含量可以為0.001重量份以下，或所述半導體製程用組合物可以實質上不包括所述磷酸類化合物。
基於1重量份的所述唑類化合物，在半導體製程用組合物中的所述磷酸類化合物的含量可以為0重量份至0.05重量份、0重量份至0.01重量份或0重量份至0.003重量份。
當將磷酸類化合物進一步適用於所述半導體製程用組合物時，可以有助於調節如氮化矽膜等的阻擋膜的拋光性能。
其他添加劑
半導體製程用組合物可包括有機酸作為添加劑。
所述有機酸可主要用作螯合劑，具體地，銅離子和有機酸的羥基可彼此鍵合以捕獲銅離子並提高拋光效率。
例如，所述有機酸可以包括選自由乙酸（acetic acid）、甲酸（formic acid）、苯甲酸（benzoic acid）、煙酸（nicotinic acid）、吡啶甲酸（picolinic acid）、丙氨酸（alanine）、苯丙氨酸（phenylalanine）、纈氨酸（valine）、亮氨酸（leucine）、異亮氨酸（isoleucine）、精氨酸（arginine）、天冬氨酸（aspartic acid）、檸檬酸（citric acid）、己二酸（adipic acid）、琥珀酸（succinic acid）、草酸（oxalic acid）、甘氨酸（glycine）、谷氨酸（glutamic acid）、戊二酸（glutaric acid）、鄰苯二甲酸（phthalic acid）、組氨酸（histidine）、蘇氨酸（threonine）、絲氨酸（serine）、半胱氨酸（cysteine）、甲硫氨酸（methionine）、天冬醯胺（asparagine）、酪氨酸（tyrosine）、二碘酪氨酸（diiodotyrosine）、色氨酸（tryptophan）、脯氨酸（proline）、羥脯氨酸（oxyproline）、乙二胺四乙酸（EDTA）、硝基三乙酸（NTA）、亞氨基二乙酸（IDA）及其組合組成的組中的一種。
半導體製程用組合物可以包括檸檬酸作為所述有機酸。
在本實施方式的半導體製程用組合物中，除了所述構成成分之外，還可以添加酸成分，以製備並維持適當的pH範圍的溶液。所述酸成分與pH調節劑一起可適用於半導體製程用組合物中。
作為所述酸成分，可以適用鹽酸（HCl）、磷酸（H 3PO 4）、硫酸（H 2SO 4）、硝酸（HNO 3）等中的一種或兩種以上。作為所述pH調節劑，可以適用氫氧化銨（NH 4OH）、氫氧化鉀（KOH）、氫氧化鈉（NaOH）等中的一種或兩種以上。
所述酸成分和pH調節劑可以根據預期的pH以適當的量適用。
半導體製程用組合物還可以包括非離子性聚合物。
非離子性聚合物可以為選自由聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚環氧乙烷、聚環氧丙烷、聚烷基氧化物、聚氧化乙烯、聚環氧乙烷-環氧丙烷共聚物、纖維素、甲基纖維素、甲基羥乙基纖維素、甲基羥丙基纖維素、羥乙基纖維素、羧甲基纖維素、羧甲基羥乙基纖維素、磺乙基纖維素及羧甲基磺乙基纖維素組成的組中的至少一種。
非離子性聚合物可以具有小於25000g/mol的重均分子量。當所述非離子性聚合物的重均分子量小於25000g/mol時，非離子性聚合物可具有優異的溶解性和分散性。非離子性聚合物可以具有1000g/mol以上且小於25000g/mol的重均分子量。當適用所述範圍內的非離子性聚合物時，半導體製程用組合物可具有更優異的溶解性和分散穩定性等，並且也有利於拋光性能。
半導體製程用組合物可以單獨地或者與上述有機酸一起包括額外的螯合劑化合物。螯合劑吸附金屬或金屬離子，以便容易去除。
示例性地，螯合劑可以在分子中包括兩個以上的羧基或醇基。作為螯合劑，可以適用在分子中含有兩個以上的羧基或醇基的兩種以上螯合劑。具體而言，所述螯合劑可以包括選自由乙二胺四乙酸、甘氨酸、羧酸類螯合劑及其組合組成的組中的一種。所述羧酸類螯合劑是指分子中含有至少一個或兩個以上羧基的化合物。
半導體製程用組合物還包括溶劑。
半導體製程用組合物可以為水分散液。
水分散液是指以純水為主要溶劑的溶液，也包括部分包含液狀有機物或部分包含有機溶劑的情況。
半導體製程用組合物
半導體製程用拋光組合物可以為酸性溶液。
具體而言，所述半導體製程用拋光組合物的pH可以為2至5。所述半導體製程用拋光組合物的pH可以為2至4.5，或可以為2至4。當將所述組合物的酸性環境保持在所述範圍內時，可以在防止金屬成分或拋光裝置的過度腐蝕的同時將拋光速度和品質保持在一定水準以上。
由於銅具有比較軟質的特性，而氧化矽和氮化矽具有比較硬質的特性，因此不容易快速平坦地拋光同時露出所述銅、氧化矽和氮化矽的表面。
所述半導體製程用組合物可以用作對部分地包括銅、氮化矽和氧化矽中的每一者的表面進行拋光的漿料，從而能夠獲得優異的拋光效果。
即使以相對高的拋光速度拋光所述半導體製程用組合物，也可以在如銅等的具有軟質特性的部分不發生腐蝕或凹陷等缺陷。
具體而言，半導體製程用組合物有利於適用於包括穿通電極（Through Via）的半導體晶圓等的基板拋光製程。
圖1為以截面說明通過半導體製程用組合物平坦化的（包括穿通電極的）基板的示意圖，圖2為利用基板的截面說明凹陷的示意圖，圖3為利用基板的截面說明金屬腐蝕的示意圖。參照圖1至圖3，更具體地進行說明。
包括穿通電極的基板100包括晶圓20、用作絕緣膜11的如SiO2等的絕緣膜材料、用作阻擋金屬離子移動的阻擋膜13的如SiN等的阻擋膜材料以及因具有導電性而用作傳輸電信號的導電膜15的如銅等的導電膜材料。
在基板的平坦化過程中，對同時露出具有不同特性的兩種或三種膜質的表面進行平坦化。由於不同的膜質具有不同的性能（強度、氧化程度等），對此同時快速地進行平坦化並不容易。
半導體基板變得精細化和複雜化，例如，導線變得細線（fine line）化，穿通電極的使用變得頻繁等。這需要製程效率和更嚴格的平坦化製程。穿通電極與細線相比具有更寬的露出面積，且由與金屬氧化物或金屬氮化物相比更軟質的金屬構成，因此更容易產生凹陷D（參照圖2）或金屬腐蝕（參照圖3）等缺陷。
當穿通電極部分產生過度的凹陷、腐蝕等時，在上下方向上產生不完全的電連接，這使得難以傳輸足夠的電信號，從而導致半導體的致命缺陷。
本實施方式的半導體製程用組合物在適用有效的拋光製程的同時實質上抑制在如銅等導電膜發生侵蝕。
拋光條件如下：漿料流速：300ml/min，載體速度：120rpm，平板速度：117rpm，加壓：3.0psi下壓力（down pressure），拋光設備：CTS公司的300mm CMP設備，適用SKC Solmics公司的HD-500型號拋光墊。
對於用所述半導體製程用組合物拋光的直徑為5μm的圓形通孔的表面，使用AFM測定的Rmax粗糙度可以為220nm以下、200nm以下、180nm以下或160nm以下。所述Rmax粗糙度可以為100nm以上。Rmax表示最大高度粗糙度，是與表示中心線平均粗糙度的Ra不同的變數。Rmax是在測定範圍內最大峰高和最大穀深之和。上述Rmax粗糙度值意味著實質上減少侵蝕等的發生。
對於用所述半導體製程用組合物拋光的直徑為5μm的圓形通孔的表面，使用AFM測定的表面積差百分比（Surface Area Difference）可以小於2.5%，或可以為2.3％以下、2.2％以下、2％以下或1.8%以下。所述表面積差百分比可以為1%以上。表面積差也可以由Sdr表示，是實際表面積與投影表面積之差。表面積差可以作為表示表面複雜性的指標之一，以%表示，稱為表面積差百分比。具有如此低的表面積差意味著表面的複雜性顯著低，即，具有更平坦的表面。
對於用所述半導體製程用組合物拋光的直徑為5μm的圓形通孔的表面，使用AFM測定的偏度的絕對值可以為1以下、0.96以下、0.8以下或0.6以下。所述偏度的絕對值可以為0.2以上。當偏度的絕對值較小時，表示該表面的不對稱性相對較小，考慮到經過拋光的圓形通孔的表面，具有這種偏度特性的表面可以具有更平坦的特性。
對於用所述半導體製程用組合物拋光的直徑為5μm的圓形通孔的表面，使用AFM測定的表面的Z range可以為220nm以下、200nm以下、180nm以下或160nm以下。所述Z range可以為100nm以上。Z range是通過AFM測定得出的變數之一。在具有上述的Z range的情況下，可以表明表面更平坦。
所述粗糙度等變數可以通過使用AFM設備測定表面輪廓來計算，並且可以使用Park Systems公司的XE-150設備根據製造商的指南進行測定。
半導體製程用組合物的根據下述第1式的銅腐蝕抑制指數（Er，沒有單位）可以為8至15，
第1式：
在第1式中，indexC是根據下述第2式或下述第2-1式的值，並且沒有單位。
在第1式中，Cab是在整個半導體製程用組合物中含有的拋光顆粒的含量（重量%），Ps是在100重量份的所述拋光顆粒中的氨基矽烷類化合物的含量（重量份），
第2式：
IndexC = C1*6+C2*5-C3-C4*10
在第2式中，所述C1為在100重量份的整個半導體製程用組合物中含有的拋光顆粒中的所述氨基矽烷類化合物的含量（重量份），C2為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述唑類化合物的含量（重量份），C3為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述銅表面保護劑的含量（重量份），C4為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述表面活性劑的含量（重量份）。
第2-1式：
IndexC = C1*6+C2*5-C3-C4*10-C5*2
在所述第2-1式中，所述C1為在100重量份的整個半導體製程用組合物中含有的拋光顆粒中的所述氨基矽烷類化合物的含量（重量份），C2為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述唑類化合物的含量（重量份），C3為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述銅表面保護劑的含量（重量份），C4為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述表面活性劑的含量（重量份），C5為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的氮化矽拋光增強劑的含量（重量份）。
所述銅腐蝕抑制指數（Er，沒有單位）可以為8至15、8至14或8至13。具有上述的銅侵蝕抑制指數的半導體製程用組合物獲得一定水準以上的優異的銅拋光率、氮化矽拋光率及氧化矽拋光率值，同時抑制在被拋光物表面的銅發生侵蝕（corrosion）。
半導體製程用組合物可以在將凹陷和侵蝕等的程度控制在適當的水準內的同時進行有效的拋光製程。
當拋光具有不同膜質的基板表面時，半導體製程用組合物可以具有以下範圍內的各膜質的拋光速度的比率。
通過半導體製程用組合物可以進行拋光，使得作為氧化矽拋光率與氮化矽拋光率之比的SiO/SiN選擇比為3以上。所述SiO/SiN選擇比可以為3至10，或可以為3至7。
通過半導體製程用組合物可以進行拋光，使得作為氧化矽拋光率與銅拋光率之比的SiO/Cu選擇比可以為0.9以上。所述SiO/Cu選擇比可以為0.9至2，或可以為0.9至1.5。
使用能夠以上述的研磨選擇性進行拋光的半導體製程用組合物對同時具有銅、氧化矽及氮化矽的被拋光物的表面進行拋光時，可以提供有效的平坦化。
半導體製程用組合物的銅拋光率可為約2000埃/分鐘至約4600埃/分鐘、約2100埃/分鐘至約4000埃/分鐘、約2200埃/分鐘至約3800埃/分鐘、或約2200埃/分鐘至約3000埃/分鐘。
半導體製程用組合物的氮化矽拋光率可以為300埃/分鐘至2700埃/分鐘、400埃/分鐘至約2500埃/分鐘、或約500埃/分鐘至約1500埃/分鐘。
半導體製程用組合物的氧化矽拋光率可以為2300埃/分鐘至4400埃/分鐘、2500埃/分鐘至約4000埃/分鐘、或約3000埃/分鐘至約3700埃/分鐘。
通過適用本實施方式的半導體製程用組合物，在實質上抑制凹陷產生等的同時可以有效地蝕刻具有三種不同類型的膜質的基板表面。
所述拋光率或拋光率的比率以在上述拋光條件下的測定為基準。
通過具有上述特徵的半導體製程用組合物能夠進行有效的拋光製程，且抑制導電膜的凹陷產生，有利於適用于拋光形成有穿通電極等的基板。
本實施方式的半導體製程用組合物的製備可以通過在如純水等溶劑中混合拋光顆粒和各成分的方式進行，且可以包括以常規方式進行攪拌以使顆粒順利分散的過程。在適用表面改性的拋光顆粒的情況下，可以適用首先對拋光顆粒進行表面改性後分散該顆粒的方法。
本實施方式的半導體製程用組合物的適用可以通過在將被拋光物和拋光墊安裝於基板拋光裝置後注入所述半導體製程用組合物的同時加壓和旋轉來進行，且以在所述拋光條件下的測定為基準說明上述的特徵。然而，所述半導體製程用組合物的利用不限於所述拋光條件。
基板的拋光方法
根據本實施方式的基板的拋光方法包括：準備步驟，準備安裝有拋光墊的平板和容納被拋光物的載體；及拋光步驟，將所述平板和所述載體中的至少一者旋轉，以通過所述拋光墊的拋光表面對所述被拋光物的表面進行拋光。
在半導體製程用組合物的存在下進行拋光，所述半導體製程用組合物為如上所述的半導體製程用組合物。
經過所述拋光步驟的基板表面可以部分地包括銅、氮化矽和氧化矽中的每一者，可以為具有銅穿通電極的基板。
關於半導體製程用組合物、選擇比、拋光率、凹陷、腐蝕等的具體說明與以上說明重複，因此將省略其描述。
以下，將通過具體實施例進行更詳細的說明。以下實施例僅是用於幫助理解本發明的示例，本發明的範圍不限於此。
1. 半導體製程用組合物的製備
根據如下述表1所示的組成製備pH為2以上且小於4.0的半導體製程用組合物。
作為拋光顆粒，使用膠態二氧化矽，並且使用通過分散在乙醇溶液中的原矽酸四乙酯（Tetraethyl orthosilicate，TEOS）的縮合反應製備的膠態二氧化矽。作為表面處理劑，使用作為胺基矽烷的3-氨基丙基三乙氧基矽烷，並且使用具有約45nm直徑的表面改性的膠態二氧化矽作為拋光顆粒。
使用5-氨基四唑作為銅腐蝕抑制劑，使用甜菜鹼水楊酸鹽作為銅表面保護劑，且使用包括3至8個碳原子且含有氟官能團的非離子性表面活性劑（capstone FS-3100）作為表面活性劑。根據製備例添加或沒有添加氮化矽拋光增強劑。作為氮化矽拋光增強劑，使用次氮基三（亞甲基膦酸）。以使半導體製程用組合物的總量成為100重量份的方式使用殘量的超純水。使用乙酸和KOH溶液作為pH調節劑。使用超純水作為溶劑。在20℃至25℃的常溫條件下，在以200rpm攪拌的同時使用氫離子濃度（pH）測定裝置（Horiba公司，Laqua）測定所述半導體製程用組合物的pH，以確認其在上述範圍內。
表1
單位（重量份）* 二氧化矽含量 表面處理劑含量（歸一化（normalized）） 氮化矽膜質拋光增強劑 （歸一化） 銅腐蝕抑制劑（歸一化） 銅表面保護劑 （歸一化） 表面活性劑 （歸一化）
實施例1 6 0.009 （0.150） 0 0.06 （基準） 0.025 （0.4167） 0.001 （0.0167）
實施例2 6 0.012 （0.1950） 0 0.06 （基準） 0.025 （0.4167） 0.001 （0.0167）
實施例3 6 0.014 （0.2400） 0 0.06 （基準） 0.025 （0.4167） 0.001 （0.0167）
比較例1 6 0.018 （0.3000） 0 0.06 （基準） 0.025 （0.4167） 0.001 （0.0167）
比較例2 6 0.005 （0.0900） 0 0.06 （基準） 0.025 （0.4167） 0.001 （0.0167）
比較例3 6 0.018 （0.3000） 0.003 （0.0500） 0.06 （基準） 0.025 （0.4167） 0.001 （0.0167）
比較例4 6 0.018 （0.3000） 0.006 （0.1000） 0.06 （基準） 0.025 （0.4167） 0.001 （0.0167）
比較例5 6 0.036 （0.6000） 0.003 （0.0500） 0.06 （基準） 0.025 （0.4167） 0.001 （0.0167）
基於100重量份的二氧化矽含量 - 表面處理劑 氮化矽膜質拋光增強劑 （歸一化） 銅腐蝕抑制劑（歸一化） 銅表面保護劑 （歸一化） 表面活性劑 （歸一化）
實施例1 - 0.15000 0.00000 1.00000 0.41667 0.01667
實施例2 - 0.19500 0.00000 1.00000 0.41667 0.01667
實施例3 - 0.24000 0.00000 1.00000 0.41667 0.01667
比較例1 - 0.30000 0.00000 1.00000 0.41667 0.01667
比較例2 - 0.09000 0.00000 1.00000 0.41667 0.01667
比較例3 - 0.30000 0.05000 1.00000 0.41667 0.01667
比較例4 - 0.30000 0.10000 1.00000 0.41667 0.01667
比較例5 - 0.60000 0.05000 1.00000 0.41667 0.01667
*表示以100重量份組合物為基準的含量，括弧內表示以作為銅腐蝕抑制劑的唑類化合物為基準換算計算的含量。
2.半導體製程用組合物的物性評價
（1）拋光評價
分別使用厚度為約20000埃的銅晶圓、厚度為約12000埃的氮化矽膜晶圓及厚度為約20000埃的氧化矽膜晶圓來進行對各個拋光率進行拋光評價。
對於各個晶圓，在3.0psi下壓力、120rpm的載體速度、117rpm的平板速度及300ml/min的漿料流速的條件下，在CMP裝置（CTS公司的300mm CMP設備）中安裝SKC Solmics公司的HD-500模型的拋光墊後以常規的方式進行拋光60秒。
對經過所述拋光製程後的各個晶圓的厚度進行測定，由此分別計算相應漿料組合物對於銅膜、氧化矽膜及氮化矽膜的拋光率（拋光速度；埃/分鐘）。
（2）銅通孔腐蝕（Cu via corrosion）測定
在與所述（1）拋光評價中相同的條件下拋光具有直徑為5μm的銅通孔且用SiN進行表面修整的測試用圖案晶圓，然後清洗。採用自製清洗化學溶液，在500rpm的刷子轉速和2000cc/min的化學溶液噴射條件下進行清洗60秒。
在完成清洗製程的圖案晶圓中，針對晶圓的每個位置即中心部、中間部及邊緣部使用BRUKER公司的作為300mm專用AFM設備的Dimension ICON設備進行通孔表面分析，獲得表面粗糙度值。
掃描尺寸為約5.0μm，掃描速度為0.3Hz等，針尖為BRUKER公司的OLTESPA-R3型號（矩形，針尖曲率半徑（Tip Radius Nom）：7nm，最大值：10nm）。其他更具體的測定條件與表面分析結果一起顯示在下述表3中。
（3）銅侵蝕抑制指數（Er）評價
對根據下述第1式的值進行評價。
第1式：
在所述第1式中，indexC是根據下述第2式或第2-1式的值，Cab是在整個半導體製程用組合物中含有的拋光顆粒的含量（重量%），Ps是在100重量份的所述拋光顆粒中的氨基矽烷類化合物的含量（重量份），當包括氮化矽拋光增強劑時，適用根據第2式的indexC值，當不包括氮化矽拋光增強劑時，適用根據第2-1式的indexC值。
第2式：
IndexC = C1*6+C2*5-C3-C4*10
在所述第2式中，所述C1為在100重量份的整個半導體製程用組合物中含有的拋光顆粒中的所述氨基矽烷類化合物的含量（重量份），C2為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述唑類化合物的含量（重量份），C3為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述銅表面保護劑的含量（重量份），C4為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述表面活性劑的含量。
第2-1式：
IndexC = C1*6+C2*5-C3-C4*10-C5*2
在所述第2-1式中，所述C1為在100重量份的整個半導體製程用組合物中含有的拋光顆粒中的所述氨基矽烷類化合物的含量（重量份），C2為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述唑類化合物的含量（重量份），C3為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述銅表面保護劑的含量（重量份），C4為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述表面活性劑的含量（重量份），C5為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的氮化矽拋光增強劑的含量。
[表2]
Er 銅膜質拋光率 （埃/分鐘） 氮化矽膜質拋光率 （埃/分鐘） 氧化矽膜質拋光率 （埃/分鐘） Ox/Cu選擇比 Ox/SiN選擇比 銅通孔腐蝕
實施例1 12.8 2553 1201 3651 1.43 3.04 X
實施例2 10.3 2314 772 3610 1.56 4.68 X
實施例3 8.8 2256 561 3637 1.61 6.48 X
比較例1 7.5 2318 251 3560 1.54 14.18 O
比較例2 19.8 2366 753 2198 0.93 2.92 △
比較例3 7.3 3126 651 3315 1.06 5.09 △
比較例4 7.2 3548 703 3488 0.98 4.96 △
比較例5 4.8 2847 630 2291 0.80 3.64 △
[表3]
Ra （nm） Rmax （nm） 偏度 表面積差（%） Z Range （nm）
實施例1 39.4 156 -0.484 1.57 157
實施例2 39.5 152 -0.386 1.53 151
實施例3 25.8 150 -0.95 2.45 150
比較例1 35.6 327 -1.49 2.00 334
比較例2 29.5 364 -2.13 2.33 364
比較例3 28.5 255 -0.83 2.50 254
比較例4 33.4 571 -3.06 4.55 571
比較例5 30.2 374 -2.5 2.98 379
掃描尺寸: 5.00 um 掃描速率: 0.300Hz 每線樣品數: 256 線數: 256 線方向: 回掃（Retrace） 資料類型: 高度感測器（Height Sensor） 縱橫比: 1 振幅設定點:484.05 mV 驅動振幅:89.42 mV
參照表1至表3和圖4，在比較例中明顯發生銅侵蝕。在比較例1、3、4中，明確觀察到銅侵蝕，尤其是在比較例2、4中確認到邊緣部侵蝕（圖4示出實施例1、3和比較例1、2）。此外，在比較例2和比較例4中確認到對於氧化矽的拋光率降低，在比較例1中確認到對於氮化矽的拋光率降低。
在實施例中，實質上沒有發生銅侵蝕，尤其是在表面粗糙度Rmax方面與比較例有大大的差異。另一方面，在Ra方面，所述實施例與比較例沒有顯著差異。尤其，實施例3中實質上沒有使用氮化矽膜拋光增強劑，因此與實施例1和實施例2相比顯示出稍微低的氮化矽膜拋光率，但是銅拋光率相對優異，且表示出實質上不發生銅侵蝕的優異的效果。暴露于通孔的銅與形成線的銅相比具有更寬的表面，該銅表面的凹陷或侵蝕會極大地影響穿通電極的電流或電阻發生程度。因此，認為本實施方式的半導體製程用組合物對具有穿通電極的基板的表面拋光有用。
以上對本發明的優選實施例進行了詳細說明，但本發明的範圍並不限定于此，利用所附請求項中所定義的本發明的基本概念的本發明所屬技術領域的普通技術人員的各種變形及改良形態也屬於本發明的範圍。
11:絕緣膜 13:阻擋膜 15:導電膜 20:晶圓 100:基板 D:凹陷
圖1為以截面說明通過半導體製程用組合物平坦化的包括穿通電極的基板的示意圖。 圖2為利用基板的截面說明凹陷的示意圖。 圖3為利用基板的截面說明金屬腐蝕的示意圖。 圖4為在實施例中製備的樣品表面的AFM照片，e1示出實施例1的樣品、e3示出實施例3的樣品、ce1示出比較例1的樣品、ce2示出比較例2的樣品。
11:絕緣膜
13:阻擋膜
15:導電膜
20:晶圓
100:基板

Claims (15)

  1. 一種半導體製程用組合物，包括： 拋光顆粒，用氨基矽烷類化合物進行表面改性， 銅腐蝕抑制劑，包含唑類化合物， 銅表面保護劑，包含具有甜菜鹼基和水楊基的化合物或其衍生物，以及 表面活性劑，在分子中含有氟； 其中經過所述表面改性的所述拋光顆粒的表面具有氨基矽烷基團。
  2. 如請求項1所述的半導體製程用組合物，其中所述唑類化合物與所述銅表面保護劑的重量比為1:0.2至1:4。
  3. 如請求項1所述的半導體製程用組合物，其中所述唑類化合物與所述表面活性劑的重量比為1:0.001至1:0.2。
  4. 如請求項1所述的半導體製程用組合物，基於100重量份的所述拋光顆粒，其中所述唑類化合物的含量為0.02重量份至2重量份。
  5. 如請求項1所述的半導體製程用組合物，其中所述氨基矽烷類化合物和所述唑類化合物的重量比為1:0.1至1:0.28。
  6. 如請求項1所述的半導體製程用組合物，其中所述半導體製程用組合物包括1重量％以上且17重量%以下的所述拋光顆粒。
  7. 如請求項1所述的半導體製程用組合物，其中所述半導體製程用組合物為用於對部分地包括銅、氮化矽及氧化矽中的每一者的表面進行拋光的漿料。
  8. 如請求項7所述的半導體製程用組合物，其中對於用所述半導體製程用組合物拋光的直徑為5μm的圓形通孔的表面，使用原子力顯微鏡測定的最大粗糙度在220nm以內。
  9. 一種半導體製程用組合物，包括： 拋光顆粒，用氨基矽烷類化合物進行表面改性， 銅腐蝕抑制劑，包含唑類化合物， 銅表面保護劑，包含具有甜菜鹼基和水楊基的化合物或其衍生物，以及 表面活性劑，在分子中含有氟； 所述半導體製程用組合物的根據下述第1式的銅腐蝕抑制指數Er為8至15， 第1式： 在所述第1式中，indexC是根據下述第2式的值，Cab是在整個半導體製程用組合物中含有的拋光顆粒的含量，Ps是在100重量份的所述拋光顆粒中的氨基矽烷類化合物的含量，Cab的單位為重量%，Ps的單位為重量份， 第2式： IndexC = C1*6+C2*5-C3-C4*10 在所述第2式中， 所述C1為在100重量份的整個半導體製程用組合物中含有的拋光顆粒中的所述氨基矽烷類化合物的含量，C2為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述唑類化合物的含量，C3為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述銅表面保護劑的含量，C4為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述表面活性劑的含量，C1、C2、C3、C4的單位為重量份。
  10. 如請求項9所述的半導體製程用組合物，其中， 所述半導體製程用組合物還包括氮化矽拋光增強劑， 所述indexC是根據下述第2-1式的值， 第2-1式： IndexC = C1*6+C2*5-C3-C4*10-C5*2 在所述第2-1式中， 所述C1為在100重量份的整個半導體製程用組合物中含有的拋光顆粒中的所述氨基矽烷類化合物的含量，C2為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述唑類化合物的含量，C3為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述銅表面保護劑的含量，C4為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的所述表面活性劑的含量，C5為在100重量份的整個所述半導體製程用組合物中含有的氮化矽拋光增強劑的含量，C1、C2、C3、C4、C5的單位為重量份。
  11. 如請求項9所述的半導體製程用組合物，其中對於用所述半導體製程用組合物拋光的直徑為5μm的圓形銅通孔的表面，使用原子力顯微鏡測定的表面積差百分比小於2.5%。
  12. 一種基板的拋光方法，包括： 準備步驟，準備安裝有拋光墊的平板和容納基板的載體，以及 拋光步驟，將所述平板和所述載體中的至少一者旋轉，以通過所述拋光墊的拋光表面使所述基板的表面平坦化，從而製造拋光的基板； 在半導體製程用組合物的存在下進行所述拋光步驟， 所述半導體製程用組合物為根據請求項1或9所述的半導體製程用組合物， 經過所述拋光步驟的所述基板的表面部分地包括銅、氮化矽和氧化矽中的每一者。
  13. 如請求項12所述的基板的拋光方法，其中對於經過所述拋光步驟的基板的表面上的直徑為5μm的圓形銅通孔，使用原子力顯微鏡測定的偏度的絕對值為1以下。
  14. 如請求項12所述的基板的拋光方法，其中作為氧化矽拋光率與氮化矽拋光率之比的SiO/SiN選擇比為3以上。
  15. 如請求項12所述的基板的拋光方法，其中作為氧化矽拋光率與銅拋光率之比的SiO/Cu選擇比為0.9以上。
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