TW557364B - Antireflection film and antireflection layer-affixed plastic substrate - Google Patents

Description

557364 A7 _____B7 五、發明説明（1 ) 【發明之技術領域】 本發明是關於一種反射防止薄膜，其在基體上將透明高 折射率氧化物層與透明低折射率氧化物層交互疊層者，同 時亦關於具備反射防止層之附有反射防止層塑膠基板者。 【先前技術】 反射防止薄膜（以下簡寫為ARF : Anti-Reflection Film) 是，形成於CRT(陰極射線管）或LCD(液晶顯示元件）之晝面 表面，防止外光射入而使晝面清晰或提昇對比而提高晝質 者。此外，ART亦藉由導電層之存在產生帶電防止及電磁 遮蔽效應，以防止灰塵附著並貢獻環保。 CRT用途之一例如特開平1 u 1 8603號公報，特開平 9-80205 號公報及 H· Ishikawa et al./thin Solid Films 351 (1999) 212-215文獻，是在PET(聚對苯二曱酸乙烯酯）基體 上形成硬塗嗥層，再在其上形Si0x/IT0/Si02/IT0/Si02* SiOx/TiNx (x = 〇.3〜1)/Si02等疊層結構之AR層者。 而形成於LCD表面之ARF之一例是，基體/si〇x/Ti〇2/ SiCVTiCVSiC^ 或基體 /Si0x/Ti02/Si02/Ti02/Al203/Si02 等 使用Ti02之透明性較大之構造。 構成ARF之各層，係依濺鍍法形成膜狀，由其成膜速度 而言，採用Si0x/IT0/Si02/IT0/Si02方式之IT0噴射層構成 之生產力大於使用Ti〇2喷射層之構成。使用薄膜用噴射裝 置形成塗膜時，在喷射室沿著主滾筒走動之薄膜之於走動 方向之成膜可能長度，亦則可裝設陰;}：虽之長度有限制，若 以同一薄膜之走動長度比較，IT0與Ti〇2之成膜速度比為約 -4 - 本纸張尺度適用中國國家揉準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 557364 A7 ____ B7 五、發明説明（2 ) 3比1。而以同一噴射電力密度比較時，Ti〇2之成膜速度是 ITO之1/3至1/6。此為兼顧ITO之透明性及導電性時之成膜 速度’若不考量透明性時其速度差異將更大。Ti〇2之成膜 速度遲慢之原因，主要由於Ti之喷射率相較於ITO成分元素 In及Sn小所致。 【發明欲解決之課題】 如上已述’ ITO膜之生產力優於Ti〇2膜，但是採用IT〇膜 之ARF，例如以基體/Si〇x ·· 4 nm/ITO : 18 nm/ Si02 : 32 nm/ITO : 60 nm/Si02 : 95 nm構成之ARF，雖然透明但稍帶 κ色。做CRT用途時，即使AR層稍帶黃色，可藉由r/g/b 陰極電流調整為向抵銷黃色方向，則可避免受八以層之黃色 之衫響，但是做LCD用途時，衹靠色調整以因應ARF並非 易事。因為這時需對包括濾色板等在内之各種調整。由於 上述理由，Ti〇2之成膜速度儘管較低，仍被採用為透明而 言折射率之材料，此為導致ARF成本偏高之一因。此外， 在LCD用途及有機EL顯示用途上，往往為了防止表面帶電 而需賦予導電性，並非Ti〇2層所能應付。 而從有機EL顯示等用途考量，先前之ARF之防濕功能及 遮蔽功能並不充分，於是常與玻璃基板並用，例如上面發 光型有機EL元件係在TFT玻璃元件基板上形成有機發光層 或電極而成者。亦則，在TFT玻璃元件基板上依序形成光 反射材料電極層、有機層（含緩衝層+洞輸送層+有機發光 層L半透明反射層、透明電極後，用uv硬化接著樹脂層 接耆玻璃基板，以密封有機肛元件部分。然後再在玻璃基

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板上介著黏附層黏附反射防止薄膜，即得色顯示性優良之 有機EL顯示。 可是，進行有機EL元件部之密封時，需兩次接著步驟即 玻璃基板之接著及AR薄膜之接著，操作煩雜，成為提高成 本原因。此外，並用玻璃基板對薄型化及輕量化均有負面 影響，實施彈性顯示器時亦成為障礙。 本發明是為應付上述先前技術問題而實現者，目的為提 供一種生產生力優良、透明性言之無色反射防止薄膜及附 有反射防止層之塑膠基板，而使用可高速喷射之金屬氧化 物膜者。 本發明之另一目的為使用可高速喷射之金屬氧化物膜提 供一種具有導電性之透明性高而無色之反射防止薄膜及附 有反射防止層之塑膠基板。 本發明之另一目的為提供一種反射防止薄膜及附有反射 防止層之塑膠基板，其係賦予防濕性及氣體遮蔽性，不需 經過須雜接者步驟而光學特性優良者。 【課題之解決手段】 本發明之申請專利範圍第1項是一種反射防止薄膜，其特 徵為在基體上形成硬塗層，而在該硬塗層上交互疊層透明 而言折射率之氧化物層與透明而低折射率之氧化物層，且 其中至少一透明高折射率氧化物層係根據反應性濺錢法形 成之Nb205層所構成者。 本發明之申請專利範圍第1項，由於使用Nb(鈮）對陰極之 反應性濺鍍法形成Nb205膜做透明高折射率氧化物層，得以 _____ -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) A4規格(210X297公爱) 557364 A7 _ ·_B7 五、發明説明（4""") 一 ' "~ 製得與使用Ti〇2膜同樣’在400〜650 nm可視光波長範圍之 透明性高而光譜透射比變化幅度為丨〇%以下之偏差小之無 色高透明性反射防止薄膜，同時由於可將Nb2〇5膜成膜速度 提昇為Ti〇2膜之2〜3倍，因此可製得其生產力優於Ti〇2膜而 成本低之反射防止薄膜。 本發明之申請專利範圍第2項是，申請專利範圍第1項之 反射防止薄膜，其特徵為在形成於基體上之硬塗層上依反 應性濺鍍法形成氧化物層，而該氧化物層係以Zr〇x(但 X二 1 〜2)，Tl〇x(但 〜2)，SiOx(但 X=1 〜2)，Si〇xNy(但 χ=1〜2 ，y = 0.2〜0·6)或CrOx(但中之任何一種以上材料製 成者。

本發明之申請專利範圍第2項，由於係在基體上設置硬塗 層，再在該硬塗層上，依以Zr、Ti、si*Cr等金屬或金合 為對fe極之反應性濺鍍法形成氧化物層，且該氧化物層為 由 Zr〇x(但 X=1 〜2)，Ti〇2(但 x=l〜2)，SiOx(但 X=1 〜2)，Si〇xNy (但〜2，y=0.2〜0·6)及Cr〇x(但χ=〇 w 5)中之任何一種/ 上材料製成，由此得於提昇與硬塗層之黏附力而製得硬度 及黏附強度均優良的高信賴性反射防止薄膜。 X 本發明之申請專利範圍第3項，是申請旱利範圍第1項之 反射防止薄膜，其特徵為其他透明高折射率氧化物層之至 少一層為具有Nb2〇5膜及In2〇3&Sn〇2中之任何一 化物膜者。 、蜀礼 本發明之申請專利範圍第3項，由於係在Nb2〇5透明高折 射率氧化物層之同時亦疊層透明性優良之Nth膜及2有 557364

=電1±之ITO膜等1112〇3及/或Sn〇2膜而形成透明高折射率 :2物層，付以在不影響透明性之下賦予導電性，由此可 製得具有帶電防止效要夕 本發明之申請專利範圍第4、5項，是申請專利範圍第i 員之反射防止薄膜’其特徵為其中一層透明高折射率氧化 物層係以In203及Sn02中之任何一種金屬氧化物為主成分 :且含有Sl、Mg、八卜Zn、Ti及Nb等元素之任何一種以上 氧化物，而其含量為換算為Si02、MgO、ΑΙΑ、Zn0、Ti〇2 及Nb205時’含5 m〇1%以上、4〇则1%以下，以含W㈣㈧ 以上30 mol%更宜。 本發明之申凊專利範圍第4、5項，由於設置Nb2〇5透明高 折射率氧化物層外，再形成因添加以、Mg、Ah Zn、以及 Nb中之任何一種以上元素之氧化物而改善ITO膜在400 nm 附近之透光率降低<氧化物為成分之透明高折射率氧化物 層，得以在不影響透明性之下賦予導電性，製得具有帶電 防止效果之無色而透明性高之反射防止薄膜。 本發明之申請專利範圍第6項是申請專利範圍第丨項之反 射防止薄膜，其特徵為高折射率氧化物層中之Nb〗〇5層以外 之任何一層係以 Ta2〇5、Ti〇2、Zr〇2、Th〇2、叫^及 γ2〇3 中之任何一層形成者。 本發明之申請專利範圍第6項，由於其高折射率層之至少 一層係以NhO5形成，而該層以外之任何一高折射率層係含 Ta205、Ti02、Zr02、Th02、Si3N4及 Yes 中之任何一層，

557364 五、 發明説明（6 且以=應用高速成膜之反應性濺鍍法形成iNb2〇5層做高 折射率厚層’而以Nb2〇5以外之材料做高折射率薄層，得以 在喷射日令以對陰極選擇上擴大自由度，雖然在高速成膜上 稍有不利。 =鈇月之申％專利範圍第7項是一種附有反射防止層之 塑膠基板，其特徵在於，在塑膠基板上或表面上形成硬塗 層之塑膠基板上交互叠層透明高折射率氧化物層與透明低 斤射率氧化物層者，且其中至少一層透明高折射率氧化物 層係依反應性濺鍍法形成之Nb205層者。 '本發明之申請專利範圍第7項，由於以依反應性濺鍍法形 成之Nb2〇5層構成透明高折射率氧化物層，縱使用塑膠板或 表面形成硬塗層之塑膠板做有機基體，亦可製得在薄膜上 形成時同樣功能之附有反射防止層塑膠基板。 、本發明申請專利範圍第8項是一種反射防止薄膜，其特徵 為在有機材料之基體上交互疊層透明高折射率氧化物層與 透明低折射率氧化物層而成之反射防止層者，且至少在基 體之一面形成折射率接近上述有機材料之無機防濕層者 本發明之申請專利範圍第8項，由於對使用有機材料基體 之反射防止薄膜形成無機防濕層，得以賦予良好防濕性及 氣體遮蔽性，不再需要與玻璃基板併用。結果可達成顯示 器薄形化及輕量化。 ” ' /本發明之申請專利範圍第9、i 〇及丨i項是規定無機防濕層 形成部位及基體構成者。藉由此規定方能確實發揮防濕性 及氣體遮蔽性。而基體構成相關之規定，乃是針對申請專 本紙張尺度適用中國國家棵準(CNS) A4規格(210X297公着) 557364 五 、發明説明（ ㈣圍第8項之適用對象反射防止薄膜之規由此規定可 貫現更薄、更輕之反射防止薄膜。 申=利範圍第12項是，申請專利範圍第8項 層，其特徵為以 Si〇2、Si〇x、Sip為、Si3N4、si為、ΑΙΛ 、Alx〇y及A1〇xNy(但χ , y均為任意整數）中之任何一種為主 成分者。而申請專利範圍第13項之申請專利範圍第8項之益 機防濕層，其特徵為該防濕層之折射率係在i 4〜。者〆、 申請專利範圍第12項是針對無機防濕層構成材料之規定 。此材料若選用如請求專利範圍第13項所記述之折射率接 近基體有機材料折射率者，該無，機防濕層之光學特性不致 於妨礙外光之反射防止，由此得以維持反射防止層所具備 之良好反射防止特性。 本發明之申請專利範圍第14項是申請專利範圍第8項之 反射防止層，其特徵為至少一層透明高折射率氧化物層係 依反應性濺鍍法形成之Nb205層者。 本發明之申請專利範圍第14項，由於具有形成上述無機 防濕層之優點外，再依以Nb為對陰極之反應性濺鍍法形成 Nb2〇5膜，得以製得與使用Ti〇2膜同樣之反射防止薄膜，其 在400〜650 nm之可視光波長範圍之透明性高而光譜透射比 變化幅度小於10°/。之偏差小之無色高透明反射防止薄膜， 同時Nb2〇5膜之成膜速度亦可提昇到Ti〇2膜之2-3倍，可製 得生產力優於使用Ti02膜之低成本反射防止薄膜。 本發明之申請專利範圍第15項是一種附有反射防止層之 塑膠基板，其特徵為在塑膠基板上或在表面形成硬塗層之 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 χ 297公釐） 557364 A7 B7 塑膠基板上，交互疊層透明高折射率氧化物層與透明低折 射率氧化物之反射防止層，其塑膠基板之至少_面形成與 該塑膠基板之折射率接近之折射率之無機防渴層者。 本發明之申請專利範圍第15項，由於形成無機防濕層， 即使使用塑膠板或表面形成硬塗層之塑膠板做有機基體時 ，仍可製成具有與申請專利範圍第8項同樣功能之附有反射 防止層塑膠基板。 本發明之申請專利範圍第16項是申請專利範圍第15項之 反射防止層，其特徵為至少一層透明高折射率氧化物層係 依反應性濺鍍法形成之Nb2〇5層所構成者。 本發明之申請專利範圍第16項，除具有形成上述無機防 濕層之優點外，由於形成以Nb為對陰極而依反應性濺鍍法 形成之Nb2〇5膜做透明高折射率氧化物層，得以製得與使用 Τι〇2膜同樣在400〜650 nm之可視光波長範圍之透明性高而 光譜透光比之變化幅度小於1 〇%之偏差小之無色透明率之 無色高透明性反射防止薄膜。此外，由於可提昇Nb2〇5膜之 成膜速度到Ti〇2膜之2-3倍，由此可達成生產力高而成本低 之附有反射防止膜層之塑膠基板。 【發明之實施形態】 茲根據圖式詳細說明適用本發明之反射防止薄膜及附有 反射防止層之塑膠基板如下。 圖1係適用本發明之AR薄膜之疊層構造剖面圖，圖2係連 續成膜AR薄膜各氧化物層之喷射裝置模式圖，圖3是用於 AR薄膜氧化物層之黏附強度評價用黏附強度試驗裝置模 -11 - 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 557364 五、發明説明（ 式圖，圖4係圖3中之施加負載之機頭部形狀平面圖。 圖1之AR薄膜係以基體卜形成於基體i上之硬塗層 成^硬塗層3上之第一噴射層5,形成於第一噴射層/上之第) 二，折射率氧化物層7,形成於第一透明高折射率氧： 曰7上之第一透明低折射率氧化物層9，形 :折射率氧化卿之第二透明高折射率氧化物‘ 、於第一透明咼折射率氧化物層11之第二透明低折射率氧 化物層13及形成於第二透明低折射率氧化物層此表面以 防止污染之防污層15所構成。 此為反射防止薄膜之基本構成，兹就其膜構成例說明如 下。第一例是以依反應性濺鍍法形成iNhO5膜供做第一透 明高折射率氧化物層7及第二透明高折射率氧化物Μ，而 第一噴射層5則使用ZrOx(但x=i〜2)，Τί〇χ(但χ=1〜2)，Si〇x (但 x=l〜2)，SiOxNy(但 χ=ι〜2，y=0.2〜〇 6)4Cr〇x(但 χ=〇·2〜1.5)中之任何一種以上材料之氧化物膜，而第一及二 低折射率氧化物層9、13則用依反應性濺鍍法形成之si〇2 膜。 上述第一喷射層5到第二低折射率氧化物層13之各喷射 膜，係使用如圖2之喷射裝置，成膜於已形成硬塗層3之基 體1上。基體1之材料係用PET(聚對苯二甲酸乙烯酯）、TAC( 三乙酿基纖維素）或PC(聚碳酸酯）等有機物基體。形成於此 基體1上之硬塗層3之材料可用矽酮系樹脂，多官能丙烯酸 醋系樹脂、聚尿烷系樹脂、三聚氰胺系樹脂及環氧系樹脂 、而從錯筆硬度、透明性及龜裂發生難易等綜合考量，以 -12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 557364

含PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯）等之含紫外線硬化處理之丙 烯酸系材料較適宜。 圖2之噴射裝置係連續設置，將推出預先塗被硬塗層之滾 筒狀薄膜105之推膜室109，對薄膜105進行喷射之喷射室 1 〇 1及繞取薄膜105之繞取室11 〇。喷射室1 〇 1沒有繞住薄膜 1〇5使其向箭號方向移動之主滾筒1〇3,在主滾筒ι〇3之周圍 則每隔一定距離設置裝載對陰極之陰極107數處。在此構成 下’對各陰極107表面形成氧氣環境，對陰極107施加電流 ，裝載於各陰極107之對陰極則成喷射膜，依序在薄膜ι〇5 上成膜。 使用此噴射裝置，首先在基體1之硬塗層3上形成由ΖΓ〇χ (但 x=l〜2)，TiOx(但 χ=1 〜2)，SiOx(但 χ=1 〜2)，SiOxNy(但 x=l〜2，y=〇.2〜〇·6)或CrOx(但χ=〇·2〜1.5)中之任何一種以上 材料所成之第一喷射層5。由於第一喷射層5係以上述金屬 低氧化物構成，可增加喷射層對硬塗層之附著強度。例如 ’若以Zr、Ti、Si或Cr等與氧之親和力犬之高融點金屬做 對陰極，在含氧氣5〇 v/v%之氬環境下實施喷射，當此等金 屬之°卩分文氧化而成上述金屬低氧化物時，則與構成硬 塗材料之有機分子之氧鍵合而在與硬塗層之間形成牢固附 著層二而倘以Si%、Zr〇2、Ti〇2或Cr2〇3之氧化物材料為對 陰極實施喷射成膜時，其與硬塗層之附著強度則較弱。 圖3疋為檢討喷射膜與硬塗膜之附著強度而使用之附著 強度j驗裝置，其評價方法是，對形成第一喷射層5，第一 透明高折射率氧化物層7，帛-透明低折射率氧化物層9 ,

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第一透明ft折射率氧化物層丨丨，第二透明低折射率氧化物 層13及防污層15之薄膜2〇1上，介著浸清乙醇之四重紗布 207壓住施以2 kg負載203之機頭205，往箭向來回移動10 Cm ’觀察薄膜201上之噴射膜附著強度。該機頭205是剖面 為橢圓狀（長徑23.3 mm，短徑1〇 cm)，平面為如圖4之直徑 23.3 mm圓形，而實際接觸面（圖中以虛線表示部分）之直徑 為約1 7 mm ’接觸面積約2·3 cm2。使用此附著強度試驗裝 置’測試薄膜20 1產生剝離時為止之機頭2〇5來回次數，結 果’若用上述Zr、Ti、Si或Cr金屬做對陰極形成金屬亞氧 化物第一噴射層5時，經過30-50次以上來回試驗後仍未受 ^ ’但若用Si02、Zr02、Ti02或Cr203氧化物做對陰極形成 第一噴射層5時’則在來回未及5次便發生剝離。至於zr、 Ti、Si或Cr尚中，由於Si係常用於低折射率氧化物層之以〇2 ’是一種使用方便之材料。 第一噴射層5上，再形成Nb2〇5膜做第一透明高折射率氧 化物層，然後形成Si〇2膜做第一低折射率氧化物層，然後 再次形成Nb2〇5膜及Si〇2膜分別做第二透明高折射率氧化 物層1 1及第二低折射率氧化物層13。最後塗被表面污染防 止用防污層15則成AR薄膜。Nb205膜及Si02膜係依反應性 錢鍍法’以Nb、Si金屬對陰極在含氧氣50 v/v%之氬環境下 噴射成膜。· 圖5是膜厚60 nm之Nb2〇5膜之光譜透射比特性曲線（曲線 a)，同時以曲線b顯示同一膜厚之Ti02光譜透射比特性，以 曲線c顯示ITO (83 mol% In2〇3〜17 mol% Sn02)膜之光譜 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 557364 A7

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色高透明性。 ιτο膜在低波長領域的透光率低而稍帶黃色，但倘若^ X ίο4 Ω/口（ohm per squar)程度之導電性賦予較適宜時，衹需 約5nm厚度則可，因此對Nb2〇5膜疊層約5llm之IT0薄膜時 其產生之影響微小，於是在可視光波長領域之光譜透射比 幾乎平坦。 因此，如本例，在做為透明高折射率氧化物層之Nb2〇5 膜上再疊層ITO薄膜，則可製得具有帶電防止效果而適合 LCD顯示及有機el顯示用途之成本低且信賴性高之無色高 透明性AR薄膜。 膜構成之第三例是，與第二例同樣具有導電性的無色高 透明型，與第一例不同之處是，在第一透明高折射率氧化 物層7及第二透明高折射率氧化物層11之任何一方（例如第 二透明高折射率氧化物層11)使用Nb2〇5膜，而在另一方（例 如第一透明高折射率氧化物層7)使用以ιη2〇34ΙΤ〇為主成 分’且含有Si、Mg、Al、Zn、Ti或Nb中之任何一種以上元 素之氧化物5〜40 mol%(換算為Si02、MgO、Al2〇3、ZnO、 Ti〇2及Nb2〇5時）之氧化物膜者，該氧化物含量以ι〇·3〇 mol%範圍更宜。 圖6及圖7是，如同圖5,將上述組成之氧化物膜光譜透射 比特性以曲線d、e、f、g、h及i顯示者，各氧化物膜之組成 成分分別為：d : 73 mol% In203-27 mol% ZnO，e : 78 mol〇/〇 In203-12 mol% Sn02-5 mol% ZnO-5 mol% Si〇2» f： 70 mol% ln203-l〇 mol% SnO2-20 mol% Nb205，g : 78 mol% Ιη2〇3·12 _ -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 557364 A7 __ _B7_ 五發明説明（14 ) ^ " mol% Sn02-l〇 mol% MgO > h ： 80 mol% In203-12 mol% Sn〇2-8 mol% A1203，i : 75 mol% Ιη2〇3·12 mol% Sn02-7 mol% MgO-6 mol% Ti〇2。各氧化物膜之成膜係用各組成成 分之氧化物為對陰極，其喷射條件如下。 環境氣體：Ar — 10 v/v% 〇2 電密度：3.6 W/cm2 基板：附有硬塗膜之PET基體 由圖6及圖7可知，對Ιη203或ITO添加ZnO、Si〇2、MgO 、Al2〇3、Ti02&Nb203等之氧化物膜，其在400 ηιη低波長 側之透光率增加約1 0%。在此等氧化物膜供做添加成分之

Si02，MgO，Al2〇3 ’ ZnO，Ti02 及 Nb205，其本身在低波長 側之透光率就高，且與Ιιΐ2〇3或Sn02混合融解時容易玻璃化 而容易形成玻璃組織網路之氧化物（例如Si〇2是透過Si互相 鍵合而形成玻璃網路之氧化物之代表），因此，將其添加於 ϊη2〇3或ITO則可提昇低波長側之透光率大於僅用Ill2〇3或 IT◦者。因此，此氧化物膜可在保持與IT〇膜同等之成膜速 度之下消除ιτο膜之帶黃色，此時，以ιη2〇3* ΙΤ〇為基本材 料之氧化物膜中之換算為Si02，MgO，Α1203，ZnO，Ti〇2 及Nb2〇5等之氧化物含量之合計宜在5 m〇i%以上4〇 m〇1% 以下範圍。因為5 m〇l%以下時對低波長領域之透光率改善 效果不明顯，而4〇 mol%以上則由於in2〇3及Sn〇2比率過少 ’失去噴射速度大之優點。從噴射成膜度與低波長領域之 透光率特性之均衡上，上述氧化物含量，以在1〇 m〇1%以上 3〇 mol%以下範圍更佳。 -17-

五、發明説明（15 =者，例如73 mo】％ In2〇3_27 m〇1% Zn〇之氧化物組合物 1可形成具有與IT0同等水準，則3⑽〜·叫·⑽之電阻 率之膜，得以對从薄膜賦予導電性。而將添加用之以〇、 2 Mg〇 Al2〇3'Ti〇2及Nb2〇5等氧化物之種類及量調 整於上述含量範圍，則可選擇氧化物膜之電阻率，由此得 職予為帶電防止所需之各種導電性。 形成此種氧化物膜時，可用氧化物對陰極，亦可用金屬 ，陰極。氧化物對陰極’可用依目的喷射膜之成分混合各 氧化物材料，沖壓成形，在控制氧氣濃度之環境下燒結者 。金屬對陰極則使用依目的喷射膜成分混合之金屬合金組 合物。使用金屬對陰極時，宜在5〇%氧氣_5〇%氬氣流量比 之氣體環境喷射，若用氧化物對陰極，則宜將氧氣量降為 3 0%以下，尤其宜降到約1〇%為宜。 此外’上述各種氧化物膜，除Si〇2、Mg0、Al2〇3、ZnO 、Ti02及Nb2〇5之外，得添加極微量之sb203、B203、Υ2〇3 、Ce02、Zr02、Th02、Ta2〇5、Bi203、La203 或 Nd203 等透 明氧化物。 由如上說明可知，構成上述各膜時，若用對1112〇3或汀〇 添加 ZnO、Si02、MgO、Al2〇3、Ti02、Nb205 或 Nb203 等之 氧化物膜做透明高折射率氧化物層之一部分，而用Nb2〇5 膜做其他部分，則可製得成本低而具有帶電防止作用且信 賴性極高之無色高透明性AR薄膜。 上述第一、第二及第三例，係以在PET基體上形成硬塗 膜時之膜構成為主軸加以說明，縱提昇透光率成為處理偏 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐ί 557364 五、發明説明（i6 ) :光，上述各層當然可用TAC(三乙i纖維素），或附有硬塗 :之,AC或产石厌馱知薄’ ’或玻璃、壓克力板做基體材料 述AR ;4膜疋在基體背面塗黏附劑做為反射防止用 :最合適之形態’除此之外在透明壓克力板表背面形成AR 氧化物層使用時亦頗合適。 至於在第-、二及三例形成而做為高折射率氧化物層之 Nb205膜，亦可添加微量材料，藉由、Sn〇2或_等 之喷射條件之選擇，加快其噴射速度以提高Nb2〇5喷射速 ’ 一及二例’其高折射率氧化物層之至少一 s係用Nb2〇5形成，其餘鬲折射率層係用含丁^〇5、丁丨〇2、

Zn〇2、Th〇2、Si3N4、及γ2〇3中之任何—種層形成者亦可。 八人針對本發明之第二項特徵點、無機防濕層說明如 下例如，有機EL顯示有因水分或氣體使用有機EL元件性 月b劣化之虞。對於此種狀況，本發明之無機防濕層特別有 效0 有機EL顯示是一種在TFT玻璃元件基板21上，隨著晝素 形成有機發光層圖形22及透明電極圖23 ,如圖8所示者，其 係將各有機發光層圖形22選擇驅動而發光，以顯示任意畫 像。 〜旦 圖9疋上述有機EL顯示之剖面構造例。本有機EL顯示是 上面發光型’是在TFT玻璃元件基板21上形成上述有機發 光層圖形22及透明電極圖形23，以及光反射材料電極層24 ，半透明反射層25者。 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 557364 A7 一__B7 五、發明説明（彳7 ) 有機發光層圖形22係含正洞輸送層、電荷輸送層、發光 層及緩衝劑層，依規定順位疊層而形成，且隨著各畫素圖 形化。 有機發光層圖形22中之正洞輸送層扮演之角色是，將由 陽極線灌注之正洞輸送到發光層。構成正洞輸送層之正洞 輸送材料可用習知之各種材料，如苯炔，苯乙烯胺，三苯 胺，卟啉，三唑，咪唑，噁二唑，聚烯鏈烷，對苯二胺， 烯丙胺，噁唑，蒽，芴酮，腙，苯乙烯或其衍生物及聚矽 烧系化合物’乙烯基咔唑系化合物，噻吩系化合物，苯胺 化合物等複環式其軛系單體，低聚物及聚合物，例如α_萘 酚二胺，卟啉，金屬四苯基卟啉，金屬莕基菁，4,4,4_三（3_ 甲基本基本胺基）二苯胺，Ν，Ν，Ν，Ν-四（γ_甲苯基）ρ_對苯基 亞乙烯二胺’凡队>1，>^四苯基4,4-二胺基聯苯，；^-苯基吟 唑，4-二-對甲苯氨基芪，聚（對苯基亞乙烯），聚（噻吩亞乙 稀），聚（2，2-硫茂基ρ比洛）等，但不限定於此。 發光層用材料，只要符合在施加電壓時能從陽極側灌注 正洞，從陰極側灌注電子，能將灌注之電荷則正洞及電子 移動而提供此正洞與電子再鍵合之場所，發光效率高等條 件，任何物質都可使用，例如低分子螢光色素，具螢光性 之高分子物，金屬錯化物等有機材料均可使用。此種材料 之例有蒽，莕，菲，芘，荔，紫蘇烯，丁二烯，香豆素， 口丫淀，芪，三（8·喳啉）鋁錯化物，二（菲啶基）鈹錯化物，三 (二苯醯甲基）菲銪錯化物，二曱苯基乙烯對苯，α_莕笨基 胺等。 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) 557364

電荷輸送層是將從陰極線灌注之電子輸送到發光層者， 可用於電荷輸送層之電荷輸送材料是，喳啉，紫蘇烯，二 苯乙烯说嗪或其衍生物，如8_羥基喹啉鋁，蒽，茶，菲， 芘，窟，紫蘇烯，丁二烯，香豆素，吖啶，芪，（8〜奎啉） ί呂錯化物或其衍生物。 _ 上面發光型有機EL顯示，通常是在几丁玻璃元件基板21 上依序形成光反射材料電極層24，有機發光層圖形22(含緩 衝層+洞輸送層+有機發光層），半透明反射層25，透明電 極圖形23等（如圖1〇)後，將前面面板玻璃基板26用υν硬化 接著樹脂層27黏附而密封有機元件部分。然後介著黏附層 2 7 ’將反射防止薄膜2 8貼附於玻璃基板2 6上，則成彩色顯 示優異之有機EL顯示。 可疋，使用上述玻璃基板時，顯示器薄型化及輕量化均 不易。因此，本發明係不介著玻璃基板26，用UV硬化接著 树月曰層2 7直接黏附具有無機防濕層之反射防止薄膜2 9。 用於上述用途之反射防止薄膜29，需附設無機防濕層， 其構成例如圖12。此反射防止薄膜29係在以PET或TAC構成 之有機基板30上，依序疊層無機防濕層31，反射防止層32 及防污層3 3。當然，此序並非固定不變，比如亦可將無機 防濕層31形成於與形成有機基板30之反射防止層32面相反 側。 構成無機防濕層3 1之無機材料，需具優良防濕性及氣體 遮蔽性，而從光學特性之考量，其折射率宜接近有機基板 。於是，無機防濕層31之構成材料可用Si02，SiOx , SiOxNy -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 557364

!數)。用其中之一種或二種以上做主成分形成無機防濕層 «3 1即可〇 而關於折射率問題，由於上述有機基板之折射率為 14〜1.5，無機防濕層31之折射率亦宜在14〜2·5範圍。倘無 機防濕層3 1之折射率大於上述範圍時，其在界面之反射將 成問題。因此，無機防濕層31之折射率，宜在上述範圍内 之較小部分，從此觀點而言，以Si〇2*A12〇3較合適。 上述兼備反射防止功能與防濕功能之反射防止薄膜，在 上面發光型以外之有機EL顯示亦有用。例如，下面發光型 有機EL顯示器係在有機基板41上形成條紋形透明電極42 ，如圖13，然後在其上面依一定間隔形成有機發光層圖形 43，如圖14。其次在該有機發光層圖形杓上，形成與上述 透明電極42正父之光反射材料電極層44,如圖15。最後用 封閉膜45覆蓋有機基板41之對方，同時用化樹脂牝黏 合，如圖 16。（參看月刊 Display，2〇〇1 年 7 月，ν〇1· 7, Ν〇· 7 11〜15)。 在此結構下/，以上述兼備無機防濕層與反射防止層之反 射防止薄膜取代單純有機基板做有機基板4丨使用，則由於 形成於表面之反射防止層之效果，得以實現減少反射光之 彩色影響且彩色再現性優良之舒適畫面。 再者’上述附有無機防濕層之反射防止薄膜（Ar薄膜）， 不但防濕性，氣體遮蔽性及光學特性良好，在反射防止層 與有機物樹脂所成硬塗層之間，有較反射防止層厚幾倍之 -22-

557364 A7

可達4H〜5H，因此其 無機防濕層，其表面之鉛筆硬度高 顯示器耐傷性保護性能也優異。 【實施例】 兹就適用本發明之具體實施例說明如下 實施例1 依下列構成製得AR薄膜， 膜實施例第一例之膜構成者 其係相當本發明之反射防止薄 PE丁基體 188 μιη/ 硬塗層6 μιη/ SiOW 4 nm/

Nb205層 15 nm/ Si02層 28 nm/

Nb205層 112 nm/

Si02層 85 nm/ 防污層5 nm 上述構成中之Nb2〇5層喷射，係用雙磁控管方式之陰極， 在二支Nb對陰極間施加4〇 KHz交流，以Ar與氧氣體積比1 :1 ’氣體壓力0· 1 Pa條件實施。用此喷射條件，得以實現 較Ti〇2層成膜快2.2倍之成膜速度。 而SiOx層之成膜則將Ar與氧氣之體積比控制於1比1，保 持總透光率減少量於0.5〜2.5%之下實施喷射。此時之SiOx 之X值，可在0.5以上2·0以下範圍.，但以1.0至1.8範圍更佳 。若未形成此範圍之SiOx層，則在圖3之黏附強度試驗時產 生剝離，得不到所需黏附強度。 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 557364 A7 ___B7 五、發明説明（21 )

SiOx層之成膜，係在Ar與氧氣之體積比1: 1，同樣用雙 磁控管方式之陰極實施喷射。此外，本實施例係在pET薄 膜基體上用紫外線硬化型樹脂形成厚6 μπι之硬塗層。未塗 硬塗膜時之硬度為船筆硬度1Η，形成硬塗膜者則實現斜筆 硬度3Η。 另依下列構成製得AR薄膜，供做本實施例之比較例。 PET基體 1 88 μιη/ 硬塗層 6 μιη/

SiOx層 4 nm/ ITO 層（83 mol% In203-17 mol% Sn02 組成）21 nm/

Si02層 32 nm/ ITO層 60 nm/

Si〇2層 95 nm/ 防污層 5 nm 實施例1及比較例之AR薄膜之光譜透射比如圖丨7，光譜 反射比如圖18。圖17及圖18是將光譜透射比及光譜反射比 之微小搖動平均化，簡化為曲線者，實施例1係以虛線，比 較例則以實線表示。由圖17可知，實施例1之AR薄膜，在 400 nm光學波長時較比較例多約16〇/〇之透光率改善。原因 是因ITO層與Nb2〇5層之對沈長之吸光特性之差異產生者 。而由圖18可知。實施例1之AR薄膜在5〇〇〜600 nm波長範 圍之光譜反射比則顯示與比較例幾乎相等數據。 如上已述，本實施例為確保硬度及抗傷耐久性，在PET 基體上形成硬塗層’為確保AR喷射膜對硬塗層之黏附強度 -24- 本纸張尺度適用中® 8家標準(CNS) A4規格(210 X 297公漦) 557364 五、發明説明（22 ) 而形成以〇,層，再為使可視光波長領域之透光率曲線平坦 化製成為高折射率氧化物層，且採用可以較1102成膜速度 f夬2仏以上速度成膜2Nb2〇7膜，由此製得生產力及信賴性 良好之無色高透明AR薄膜。 實施例2 依下列構成製得AR薄膜，其係相當本發明之反射防止薄 膜實施例第二例之膜構成者。 PE丁基體 1 88 μηι/ 硬塗層6 μηι/

SiOx層 4 nm/ ITO層 4 nm/

Nb2〇5層 12 nm/

Si〇2層 28 nm/

Nb205層 112 nm/

Si〇2層 85 nm/ 防污層5 nm 上述構成中，ito層以外各層係按實施例j形成，而IT〇 層則用ITO對陰極，在αν ο:體積比9 : i之氣體環境成膜 。結果，其在400 nm波長之透射率雖較實施例i產品降低約 1 /〇，導電性卻達1 X 1 ο4 Ω/□，由此獲悉可在不影響可視光 波長領域之透光率特性之平坦性之下，賦予導電性。由此 製知生產力及信賴性優良，且具導電性之無色而透明性高 之AR薄膜。 實施例1及實施例2，均可使用圖2之喷射裝置製得八尺薄 -25- 557364 A7 _ B7_ 五、發明説明（23 ) ' " 膜，但實施例2之成膜時，若將圖2之5座陰極1〇7中之第一 座部分以對薄膜走動方向較短之陰極2座取代，改為共計6 座陰極107，則在一次薄膜通過便可形成6層喷射膜。由於 第一層SiOx膜及第二層IT0膜係只有約4 nm之薄膜，改用較 短陰極仍可成膜。 實施例3 依下列構成製得AR薄膜，其係相當本發明之反射防止薄 膜實施例第三例之膜構成者。 PET基體 1 88 μηι/ 硬塗層 6 μηι/

SiOx層 4 nm/ 73 mol% In203-27 mol% ZnO組成層 18 nm/

Si〇2層 28 nm/

Nb205層 112 nm/

Si〇2層 85 nm/ 防污層 5 nm 上述構成各層中，73 mol% Ιη2〇3-27 m〇1% Zn〇組成層係 用氧化物對陰極，在Ar: %體積比9: i之氣體環境了成膜 。成膜速度得以保持與ITO膜成膜時相等程度。其他各膜則 按實施例1之方法實施，製得AR薄膜。， 、 實施例3之光譜透射比如圖19,光譜反射比如圖別，分別 以二點虛線顯示。圖19 , 20中以實線顯示者為比較例。由 圖19可知，實施例3之AR薄膜，相較於用IT〇形成全部高折 射率氧化物層之比較例，在400 nm*學波長時獲約15%之 •26· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公爱）--------

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線 557364 A7 _______________ B7 五、發明説明(24 ) -- 透光率改善，其在4〇〇〜65〇 nm波長範圍之光譜透射率偏差 巾田度也大·(¾縮小，為約5 %。而由圖2 〇可知，實施例3在 5 0 600 nm波長範圍之光譜反射比，則與比較例幾乎等值， 其導電性也有920 Ω/口。 如上已述’本實施例係用73 m〇1〇/〇 In2〇3-27 m〇1〇/〇 Zn0高 導電性材料做薄鬲折射率氧化物層，而用透明性優異之

Nb2〇5層做厚面折射率氧化物層，由此得以保持5層喷射膜 之下，製得具有導電性、高透明性及高信賴性，且成本低 之AR薄膜。 實施例4 依下列構成製得AR薄膜，其係相當本發明之反射防止薄 膜第三例之另一實施例之膜構成者。 PET基體 75 μηι/ 硬塗層 6 μιη/

SiOJ 5 nm/ 78 mol% Ιπ2〇3-12 mol% Sn02-l〇 mol% MgO組成層 18 nm/

Si02層 20 nm/

Nb2〇5層 83 nm/

Si〇2層 85 nm/ 防污層 5 nm 另依下列構成製得AR薄膜做為本實施例之比較例。 PET基體 75 μιη/ 硬塗層 6 μιη/ -27- 本紙張尺度適用中國國家搮準(CNS) Α4規格(210X 297公釐） 一 557364 A7 B7 五、發明説明（25 )

SiO』5 nm/ ITO層 15 nm/

Si02層 20 nm/ ITO層 98 nm/

Si02層 85 nm/ 防污層 5 nm 實施例4之在500〜600 nm波長範圍之光譜反射比，與上述 構成之比較例幾乎同等，但在4〇〇 nm短波長側之透光率則 提昇12%。 相當第三例之實施例中之高折射率氧化物層係使用同一 材料，但並非限定於此，例如，可將一層透明高折射率氧 化物層中之一半為 78 mol% In2〇3-i2 m〇l% SnCVlO m〇1% MgO組成之氧化物膜，另一半厚度為75 m〇1〇/〇 In2〇3_i2 mol% Sn02_7 mol% MgO-6 mol% 丁丨02組成之氧化物層。此 時，可仿照實施例2，以6座陰極1 〇7因應。 實施例5 依下列構成製得AR薄膜，其係相當本發明之反射防止薄 膜實施例第一例之膜構成者。 / PET基體 1 88 μιη/ 硬塗層6 μηι/

SiO』5 nm/

Zr02層 18 nm/

Si〇2層 28 nm/

Nb2〇5層 112 nm/ -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

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線 557364

Si〇2層 85 nm/ 防污層5 nm 上述構成中，ZrO 施。 以外部分之喷射條件係按實施例1實 陰極，亦用雙磁控 KHz交流，在Ar ·· 又，Zr〇2部分之噴射係以Zr金屬為對陰極 管方式陰極，對2支Zr對陰極間施加4〇 KHz 〇2體積比1 : 1，氣體壓力〇·3卜之環境下實施。 由此實施例獲悉，將高折射率層之一部分用Nb2〇5以外之

度雖衹有Nb2〇5層成膜速度之1/4，但使用以〇2之層厚則在 使用Nb2〇5時之層厚之1/6以下，因此，由於使用圖2之薄膜 喷射機連續成膜時之薄膜走動速度係依最厚之Nb2〇5層之 成膜速度規^，從生產力觀點來看，《差異並不大。由此 可知。鬲折射率層之較薄一層，即使使用Ta2〇5，Ti〇2 , Zr〇2 ’ Th〇2 ’ SisN4 ’ Y2〇3等層置換，並不損及本發明之優點。 上述實施例均以形成於薄有機基體薄膜上時為主軸描述 ，實際上本發明對塑膠板等有機基體，例如厚達300 μηι以 上之塑膠板上形成時仍有效。此外，本發明之反射防止層 ’在防止來自壓克力樹脂之透明成型品或品牌名 ARTON(JSR公司製）等基板表面之反射也頗有效。因此在此 種塑膠基板上，依與上龜方式同樣形成反射防止層，則可 製得附有反射防止層之塑膠基板。 再者，在基板上，依以Zr、Ti、Si或Cr等金或合金為 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 557364

^ TiOx(„ X-1 〜2)，SiOx(但 x=q〜2)，Si x yV *一 x — i〜2 ，ο〜n CrOx(但χ=〇·2〜1.5)中之任何一種以 一· · 則可大幅增加與有機基片之黏 ：：^二化物層’ 膜。 町5$度，其效果同上述AR薄 而在此種有機基板上形成硬塗層時，若在提昇硬度之情 況下實施反應性⑽法，則可與上述同樣提昇光學層之黏 附強度。而適用本發明，將高折射率層之至少一部分，用 反應性濺鍍法形成為Nb2〇5層，則可提昇AR層形成速度， 可達先前之用Ti02時之2_3倍。使用塑膠基板時，應使用玻 璃等剛體基板用噴射機，而非圖2之;袞筒薄膜用喷射機。 實施例6，7 本實施例是形成無機防濕層之AR薄膜實施例。 在表面形成5 μ厚有機硬塗層之188 μ厚pet基體上，依滅 鍍法形成以Si〇2及Al2〇3構成之無機防濕層2 μηι厚。 然後在此無機防濕層上形成Si02& Nb205所構成之反射 防止層（Nb205: 1 5 mm/Si02:28 nm/Nb205: 1 12 nm/Si02 :85 nm)，再形成防污層。該無機防濕層係經調整Si〇2與 ai2o3比率使其折射率接近壓克力系硬塗層之折射率 1.5〜1.6者，亦則以Si與A1混合重量比例為1 : 3.9之合金為 對陰極，在Ar 50%之氧氣環境中實施反應性喷射而形成 者。 如上製成之附有無機防濕層之反射防止薄膜（實施例6) ，在波長45 0〜650 nm之視覺反射率為〇·3%。 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

裝 訂

線 557364 A7 __ _ B7 五、發明説明（28 ) 另在表面形成5 μ厚有機硬塗層之188 μ厚PET基體上，以 與實施例6同樣方法形成由Si02及Al2〇3構成之無機防濕層 4 μιη厚，用與實施例6同樣之方法形成AR層，防污層，做 為實施例7。 另外’不形成無機防濕層，在硬塗層上形成厚3 nm之Si〇x 層’然後形成由Si02及A1205所構成之反射防止層（Nb205: 15 nm/Si02 ; 28 nm/Nb205 : 1 12 nm/Si02 : 85 nm)，做為比 較例。 將上述3種檢品付予水分透過性試驗，與先前之玻璃基板 比較。預先準備如圖2 1之不銹鋼製容器5 1。該容器係將5 mm厚不銹鋼板焊製為内容體積200 X 200 X 800 mm之附有 凸緣容器。試驗方法是，容器51内置純水52 800 cc，將附 有無機防濕層之AR薄膜黏貼於凸緣部5 1 a以密封容器開口 4。黏貼AR薄膜53之方法係使用耐濕性UV硬化接著劑54 之UV硬化密封處理。 圖22是密封處理後之AR薄膜之水分透過性狀態之比較 ’係以圖20之c-c’部位之剖面圖顯示。AR薄膜53上面沒有 不錄鋼製格子狀支持板55，再用馬蹄形螺釘夾子保持加壓 狀怨以使在箭號方向，則支持板保持方向施加壓力。 以此3種檢品及用厚〇·7 mm之玻璃板密封於同種不錄鋼 製容器者，在大氣壓中，l〇〇t進行老化試驗。精稱各檢品 及玻璃之不銹鋼製容器之初期重量與老化試驗後之重量， 記錄其重量差變化結果如圖23。因1〇〇。(：老化試驗時，不銹 鋼容器内壓力上昇，由此加速水分透過釋出。而各檢品及 -31 -

557364 A7 --—______________ 五、發明説明（29 y~ ----- 玻璃係以同一方法實施不銹鋼容器凸緣部之接著硬化及夾 住，可藉由比較重量減少速度來比較各檢品薄膜及玻璃之 相對水分透過率。 由圖23獲悉，用188 μιη厚pET及（比較例檢品）之薄膜 飨封，不銹鋼製容器之重量減少，大於用（實施例6及實施 例7)薄膜密封不銹鋼製容器者。而用實施例6及實施例7之 4膜抢封之不銹鋼製容器，因水分透過而釋放水分產生之 重里減少速度均與用〇·7 mm厚玻璃板密封不銹鋼製容器者 同等。換言之，由實施uv硬化接著之不銹鋼容器凸緣部產 生之因水分透過釋放引起之重量減少，於實施例6，實施例 7及0.7 mm玻璃板均同等，但實施例6及實施例7本身之水分 釋放則與〇·7 mm厚玻璃同樣，幾乎未被觀察。 由上述事實可知，實施例6及實施例7之反射防止薄膜係 兼具反射防止性能與鉛筆硬度及防濕性能。 本發明之另一實施例是，在形成5 μ厚有機硬塗層之丨88 μ厚PET面，使用圖24之離子化二元蒸鍍法形成由以〇2及 Al2〇3構成之4μπι厚無機防濕層。則在圖24中，將容有si〇2 原料之坩堝61與容有Ah〇3原料之坩堝62,分別用對坩瑪61 及62裝設之電子搶63及64，藉由控制電子線分別控制Si〇2 及八丨2〇3之堆禍加熱溫度’使Si〇2與八丨2〇3之重量組成比率 成1: 3.4之膜，蒸鐘形成於移動冷卻筒65上之薄膜66上者。 依此重量比率得以形成折射率1.55之Si02-Al203混合物 膜。此時，蒸鍍Si02及Al2〇3用之電子搶63，64係使用30 kV 之加速電壓。而為充分促進與氧氣之結合，將氧氣喷出用 -32- 本紙張尺度適用中國國家搮準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 557364 A7 __B7_ 五、發明説明（30 ) 管67，68配置於坩堝附近，藉由對連接電阻69a及直流電源 69b之白金製正電位離子化環69施加+ 250 V電壓，對由坩 渦61，62蒸發之Si02及AI2O3赋予正電荷，使其離子化。此 外，附著於正電位離子化環69之Si02及Al2〇3膜，可藉由通 電過熱蒸發，在避免堆積狀況下進行蒸鍍製程。此外，亦 可適用幾種離子蒸鍍法如HCD方式（空心陰極放電方式）或 URT-IP 法（J. Vac. Soc. Jpn. Vol. 44，No· 4，2001 418〜427, 435〜439) ° 再者’由Si〇2及Nb205構成之反射防止層（Si〇x : 3 nm/Nb205 · 15 nm/Si02 : 28 nm/Nb205 ： 12 nm/Si02 ： 85 nm) ’從低反射率特性與成膜速度雙方之觀點而言，是一種優 良構成’但本發明並不排除將部分或全部Nb2〇5以其他高折 射率材料置換之膜構成法。換言之，以Ta2〇5、Zr〇2、s“N4 、ΤΊ〇2或以ITO與MgO、Ab〇3等混合氧化物所成之高折射 率氧化物置換Nb2〇5薄層，對實現兼具反射防止薄膜性能與 防濕薄膜性能之薄膜並無影響。 至於上述實施例，其係在PET基體之一面形成硬塗層、 然機防濕層及反射防止層等。然而由於PMma、丙稀酸石夕 酮等含紫外線硬化處理在内之丙烯酸系材料製成之硬塗層 ，其表面平滑性優良且表面突起少，倘在其上形成無機氧 化物層Si〇2、八丨2〇3混合層時，可使無機氧化物層緻密成長 ，其遮蔽性能特佳。但是做為在形成AR層面相反一面形成 無機防濕層之底層用硬塗層時，由於不在供做顯示器使用 之一面，其硬度不必超過3H以上。換言之，只要具備表面 -33-

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平滑性，並不需有鉛筆硬产， 分，多加石"单度此硬塗層可用減少丙烯酸成 夕力夕糸平）月材料成分之爭+爲 同-面m μ心 儘管在基體薄膜之 面形成反射防止AR層與無機防濕層之方 筆硬度，但將無機防渴 > , "棱歼1口 仍可實現兼具3_㈣筆硬度及防濕性能之本發明A反面 而無機防：層材料則Sl〇2、A — 【發明之效果】 如上所述，根據申請專利範圍第！項之發明，以仙也膜 做為透明高折射率氧化物層’則可提供—種無色高透明且 成本低之反射防止薄膜。 ,根據申請專利範圍第2項之發明，在形成硬塗層之基體上 形成與硬塗層之黏附力優良之氧化物層’則可提供一種無 色高透明且硬度及黏附強度良好而信賴性高且成本低之反 射防止薄膜。 根據申請專利範圍第3項之發明，本反射防止薄膜由於具 有Nb2〇5透明高折射率氧化物層與在Nb2〇5膜上疊層in2〇3 及Sn〇2中之任何一種金屬氧化物膜之透明高折射率氧化物 層，得以低成本提供具有帶電防止效果之無色高透明性反 射防止薄膜。 根據申請專利範圍第4、5項之發明，本反射防止薄膜由 於具有Nb2〇5透明高折射率氧化物層及對1112〇3及Sn〇2中之 任何一種金屬成分添加Si、Mg、A卜Zn、Ti及Nb中之任何 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 557364

一種以上元素之透明高 具帶電防止效果之…化物層，得以低成本提供 …、透明反射防止薄膜。 根據申請專利範圍第6項之菸日H> 射率；以外邱八” Γ 可在使用Nb2〇5之高折 能：層……折射率層之材料選擇自由度增加之狀 〜、下’挺供一種黏附強度S而喊h丄 。 阿而噴射成膜速度快之AR膜構成 ，據申請專利範圍第7項之發明，將本發明適 塑膠基板或表面形成硬塗層之塑膠基板等基板 板。7⑯付热色透曰月而成本低之附有反射防止層之塑膠基 田根據巾請專利範圍第m 11、12及13之發明，使 料基體之反射防止薄膜，可料良好防濕性及氣 心敝性’因此不需併用玻璃基板，也不影響其光學特性 :=，可實現顯示器薄型化及輕量化。再根據申請專利 mm"之發明’除可賦予上述各優點外亦可賦予 專利範圍第1項之優點。 根據申請專利範圍第15項及第16項之發明，本發明適用 於塑膠基板或表面形成硬塗層之塑膠基板等有機材料基體 ’則可製得光學特性優良，具有良好防濕性及氣體遮蔽性 且成本低之附有反射防止層塑膠基板。 【圖式之簡要說明】 圖1是顯示適用本發明之反射防止薄獏疊層構成例之剖 面圖。 . 圖2是連續成形反射防止薄膜之各氧化物層之噴射裝置 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)'"""""" -------- 557364 五、發明説明（33 模式圖 圖3是為評價反射防止薄之基 度試驗裝置模式圖。 度之附著強 圖4是圖3中之機頭部形狀平面圖。 圖5是顯示各種氧化物膜之光譜透射比特性圖。 圖6疋顯不各種氧化物膜之光譜透射比特性圖。 圖7是顯示各種氧化物臈之光譜透射比特性圖。 圖8是顯示有機EL顯示之一構成例之概略斜;見圖。 圖9是顯示有機EL顯示之一構成例之概略剖面圖。 圖1〇是對上面發光型有機EL顯示器黏貼AR薄膜之玻璃 基板時之密封狀態概略剖面圖。 圖11是對上面發光型有機EL顯示器黏貼附有無機防濕 層AR薄膜時之密封狀態概略剖面圖。 圖12是顯示附有無機防濕層八尺薄膜構成例之概略剖面 圖。 圖13疋使用有機基板之有機el顯示器製造步驟中之透 明電極形成過程概略斜視圖。 圖14是有機發光元件形成過程概略斜視圖。 圖15是光反射材料電極層形成過程概略斜視圖。 圖16是用密封膜密封之密封狀態概略剖面圖。 圖17是實施例1之光譜透射比特性與比較例之比較圖。 圖1 8是實施例1之光譜透射比特性與比較例之比較圖。 圖19是實施例3之光譜透射比特性與比較例之比較圖。 圖20是實施例3之光譜透射比特性與比較例之比較圖。 -36 · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 557364 A7 B7

五、發明説明（34 ) 圖21是用於水分透過性評價之不銹鋼製容器概略斜視圖。 圖22是用AR薄膜密封不銹鋼製容器之密封狀態概略 面圖。 σ 圖23是水分透過性評價結果特性圖。 圖24是用離子二元蒸鍍法成膜裝置例模式圖。 【符號說明】 1基體，3硬塗層，5第一喷射層，7第一透明高 率氧化物層，9第一透明低折射率氧化物層，u第二、于 明高折射率氧化物層’ 13第二透明低折射率氧化物層 防污層，21TFT玻璃元件基板，22有機發光層圖形二 明電極圖形，29附有無機防濕層反射防止薄膜，透 基板，31無機防濕層，32反射防止層，33防亏層有機 訂

-37- 本紙張尺度通財® ®家料(CNS) A4規格(210 X 297公爱）

Claims (1)

1. »7364

   六、申請專利範圍 1. -種„薄骐，基體上形成有硬塗層，且在該硬塗 且層透明而折射率氧化物層與透明低折射率 =匕物層，其特徵為：至少_層透明高折射率氧化物層 π'以反應性錢錢法形成之Nb2〇5層所構成者。 、、申明專利範圍第1項之反射防止薄膜，其特徵為在上 述硬塗層上形成有選自Zr〇^x=i〜2)，丁⑴办：卜幻，⑽X (Χ 1 2)/SlC)xNy(X=1 〜2，y=G.2〜G.6)及 CrQx(x = 0.2〜1.5) 中之至少一種材料之氧化物層，且該氧化物層係依反應 性濺鍍法形成者。 士申《月專利|巳圍第i項之反射防止薄膜，其特徵為其他 ’層透明同折射率氧化物層係具有Nb205之膜及選 自Ιη203及SnQJ之任何_種以上具有金屬氧化物之膜 者。 4. 如申請專利範圍第丨項之反射防止薄膜，其特徵為其他 至少一層透明高折射率氧化物層係含選自1112〇3及311〇2 中之至少一種以上金屬氧化物為主成分，且具有氧化物 月吳’該氧化物膜含有選自si，Mg , A卜Zn，Ti及Nb中 之至少一種元素之氧化物成分，其換算si〇2、Mg〇、Al2〇3 、ZnO、Ti02及 Nb2〇5 為 5 mol% 以上 40 mol% 以下。 5. 如申請專利範圍第4項之反射防止薄膜，其特徵為上述 氧化物膜含上述氧化物成分含量，換算為算si〇2、Mg〇 、Al2〇3、ZnO、Ti02及 Nb205 時為 10 m〇i〇/。以上 30 m〇i% 以下者。. 6·如申請專利範圍第1項之反射防止薄膜，其特徵為透明 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -38 557364

   高折射率氧化物層中之Nb2〇5層以外 由選 wZr〇2、Th〇2、Si3N4、Y2〇^j 何層形成者。 7. 一種附有反射防止層之塑膠，其係在塑膠基板上或 表面形成有硬塗層之塑膠基板上，形成有交互疊層透明 高折射率氧化物層與透明低折射率氧化物層而成之反 射防止層’其特徵為至少—層透明高折射率氧化物層係 以依反應性濺鍍法形成之Nb2〇5層構成者。 一種反射防止薄膜，其係在有機材料所構成之基體上交 互疊層透明高折射率氧化物層與透明低折射率氧化物 層所形成之反射防止層而成，其特徵為：與該基片之至 少一面相接，形成有與上述有機材料之折射率接近之無 機防濕層者。 9. 10. 如申請專利範圍第8項之反射防止薄膜，其特徵為上述 無機防濕層係形成於上述基體與反射防止層之間者。 如申請專利範圍第8項之反射防止薄膜，其特徵為在上 述基體上形成有硬塗層，其上又形成有上述反射防止薄 膜者。 11·如申請專利範圍第8項之反射防止薄膜，其特徵為該有 機材料所構成之基體具有在有機材料基體所構成之薄 膜表面以濕式塗被法形成表面改質層之構成者。 12·如申請專利範圍第8項之反射防止薄膜，其特徵為該無 機防濕層為以選自 Si02、SiOx、Si〇xNy、Si3N4、SixN 、Al2〇3、AlxOy、A10xNy(x及y均為任意整數）中之任何 -39- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 557364

   六、申請專利範圍 一種為主成分者。 如申請專利範圍第8項之反射防止薄 機防濕層孓折射率為h4〜21者。 代為°玄然 1《如申請專利範圍第8項之反射防止薄膜，其特徵為其反 射防止層中之至少一層透明高折射率氧化物層係以反 應性濺鑛法形成之Nb2〇5層所構成者。 15. 一種附有反射防止層塑膠基板，其係在塑膠基板上或表 面形成有硬塗層之塑膠基板上形成有交互疊層透明高 折射率氧化物層與透明低折射率氧化物層而成之反射 防止層而成，其特徵為之至少與塑膠基板之一側的面相 接’形成有與該塑滕基板之折射率接近之折射率之無機 防濕層者。 16. 如申請專利範圍第15項之附有反射防止層塑膠基板，其 特徵為上述反射防止層中之至少一層透明高折射率氧 化物層係由依反應性濺鍍法形成之Nb205層所構成者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .# 訂·· 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）