JPH0634801A - 導電性反射防止膜 - Google Patents
導電性反射防止膜Info
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- JPH0634801A JPH0634801A JP4215422A JP21542292A JPH0634801A JP H0634801 A JPH0634801 A JP H0634801A JP 4215422 A JP4215422 A JP 4215422A JP 21542292 A JP21542292 A JP 21542292A JP H0634801 A JPH0634801 A JP H0634801A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板１１上にＩＴＯ等の透明導電層２３を、
その上に低屈折率層Ｌと高屈折率層Ｈとの交互積層膜２
５を、スパッタリング法等のプラズマ雰囲気下の成膜法
により全層酸化物で形成し、最上層（表面）を酸化物と
した導電性反射防止膜環境による分光変化特性の変化が
なく、季節により湿度が変化しても、反射光の色が常に
一定であり、耐摩耗性、耐汚染性に優れている。 【構成】 基板上に全層が酸化物からなる高屈折率層と
低屈折率層とが合計４層以上積層され、高屈折率層の少
なくとも１層が透明導電層であり、表面層が低屈折率層
である、ＣＲＴ等の前面パネルに利用される導電性反射
防止膜。
その上に低屈折率層Ｌと高屈折率層Ｈとの交互積層膜２
５を、スパッタリング法等のプラズマ雰囲気下の成膜法
により全層酸化物で形成し、最上層（表面）を酸化物と
した導電性反射防止膜環境による分光変化特性の変化が
なく、季節により湿度が変化しても、反射光の色が常に
一定であり、耐摩耗性、耐汚染性に優れている。 【構成】 基板上に全層が酸化物からなる高屈折率層と
低屈折率層とが合計４層以上積層され、高屈折率層の少
なくとも１層が透明導電層であり、表面層が低屈折率層
である、ＣＲＴ等の前面パネルに利用される導電性反射
防止膜。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、適度の導電性を有し、
かつ、反射防止能が施された導電性反射防止膜に関す
る。
かつ、反射防止能が施された導電性反射防止膜に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】テレビジョン、コンピュータ端末のディ
スプレイ等においては、帯電による誤動作、ホコリの付
着防止などを目的として、前面ガラスパネルに透明導電
膜が形成されている。また、透明導電膜はガラス基板と
屈折率の差が大きく、ガラス基板の反射率が高くなるこ
とから、導電性とともに反射防止能を付与し、見やすい
画面としている。
スプレイ等においては、帯電による誤動作、ホコリの付
着防止などを目的として、前面ガラスパネルに透明導電
膜が形成されている。また、透明導電膜はガラス基板と
屈折率の差が大きく、ガラス基板の反射率が高くなるこ
とから、導電性とともに反射防止能を付与し、見やすい
画面としている。
【０００３】従来、このような導電性反射防止膜として
は、ＭｇＦ2−Ｉｎ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3またはＣｅＦ3 膜か
らなる３層膜（勝部ら、光学、第７巻第６号、２５０−
２５４（１９７８））、ＩＴＯ／ＭｇＦ2／ＩＴＯ／Ｍ
ｇＦ2の４層膜（特開昭６１−１６８８９９号公報）、
ＩＴＯ−ＭｇＦ2 −屈折率２．０５〜２．２の薄膜−Ｍ
ｇＦ2 膜からなる４層膜（特公平４−１５４４３号公
報）などが知られている。
は、ＭｇＦ2−Ｉｎ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3またはＣｅＦ3 膜か
らなる３層膜（勝部ら、光学、第７巻第６号、２５０−
２５４（１９７８））、ＩＴＯ／ＭｇＦ2／ＩＴＯ／Ｍ
ｇＦ2の４層膜（特開昭６１−１６８８９９号公報）、
ＩＴＯ−ＭｇＦ2 −屈折率２．０５〜２．２の薄膜−Ｍ
ｇＦ2 膜からなる４層膜（特公平４−１５４４３号公
報）などが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこれらの
透明導電膜は、必ずしも耐摩耗性が十分でなく傷付きや
すいという問題があった。さらに上記の従来膜で問題な
のは、これらは環境安定性が悪く、大気中の水分の影響
で反射分光特性のシフトが生じる点である。したがっ
て、季節や使用環境によって室内の湿度が変化すると、
分光反射特性のピークが変化し、人間の目で観察される
ディスプレー面からのわずかな反射色が、緑色→赤味を
帯びた緑色、あるいは緑色→青味を帯びた緑色のように
微妙に変化する。人間の目は、このような微妙な色変化
に対して敏感であるため、上記の如き分光特性のシフト
が起こると、透明導電膜の品質に対する信頼性が低下
し、商品品質上の問題が大きい。本発明は、上記問題点
を解決することを目的とするものであり、環境安定性が
良好で耐摩耗性にも優れた導電性反射防止膜を提供する
ものである。
透明導電膜は、必ずしも耐摩耗性が十分でなく傷付きや
すいという問題があった。さらに上記の従来膜で問題な
のは、これらは環境安定性が悪く、大気中の水分の影響
で反射分光特性のシフトが生じる点である。したがっ
て、季節や使用環境によって室内の湿度が変化すると、
分光反射特性のピークが変化し、人間の目で観察される
ディスプレー面からのわずかな反射色が、緑色→赤味を
帯びた緑色、あるいは緑色→青味を帯びた緑色のように
微妙に変化する。人間の目は、このような微妙な色変化
に対して敏感であるため、上記の如き分光特性のシフト
が起こると、透明導電膜の品質に対する信頼性が低下
し、商品品質上の問題が大きい。本発明は、上記問題点
を解決することを目的とするものであり、環境安定性が
良好で耐摩耗性にも優れた導電性反射防止膜を提供する
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の導電性反射防止
膜は、基板上に高屈折率層と低屈折率層とが合計４層以
上積層された導電性反射防止膜において、全層が酸化物
から形成され、高屈折率層の少なくとも１層が透明導電
層であり、かつ、表面層が低屈折率層であることを特徴
とする。
膜は、基板上に高屈折率層と低屈折率層とが合計４層以
上積層された導電性反射防止膜において、全層が酸化物
から形成され、高屈折率層の少なくとも１層が透明導電
層であり、かつ、表面層が低屈折率層であることを特徴
とする。
【０００６】本発明では、基板上に透明導電層を形成す
ることが好ましく、これにより透明導電層とアース電極
との接続が容易となる。この場合、透明導電層上には、
低屈折率層と高屈折率層との少なくとも合計３層以上の
交互積層膜が形成される。
ることが好ましく、これにより透明導電層とアース電極
との接続が容易となる。この場合、透明導電層上には、
低屈折率層と高屈折率層との少なくとも合計３層以上の
交互積層膜が形成される。
【０００７】また、上記の如く基板上の高屈折率層を透
明導電層とする場合において、基板と透明導電層との間
に誘電体酸化物層を介在させてもよい。透明導電層は、
誘電体酸化物層を介してアース電極と電気的に接続され
ることになる。
明導電層とする場合において、基板と透明導電層との間
に誘電体酸化物層を介在させてもよい。透明導電層は、
誘電体酸化物層を介してアース電極と電気的に接続され
ることになる。
【０００８】さらに、本発明では、各酸化物層の全層
を、スパッタリング、イオンビームアシスト蒸着、イオ
ンプレーティング等のプラズマを利用した薄膜形成法に
より成膜することが望ましい。プラズマを利用して成膜
することにより、膜の耐摩耗性、耐汚染性および分光特
性の環境安定性が改善される。
を、スパッタリング、イオンビームアシスト蒸着、イオ
ンプレーティング等のプラズマを利用した薄膜形成法に
より成膜することが望ましい。プラズマを利用して成膜
することにより、膜の耐摩耗性、耐汚染性および分光特
性の環境安定性が改善される。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明の導電性反射防止膜の層構成
を示す説明図であり、基板１１上に導電性反射防止膜２
１が形成されている。導電性反射防止膜２１は、基板１
１上に直接形成された透明導電性層２３と、その上に形
成された交互積層膜２５とからなる。
を示す説明図であり、基板１１上に導電性反射防止膜２
１が形成されている。導電性反射防止膜２１は、基板１
１上に直接形成された透明導電性層２３と、その上に形
成された交互積層膜２５とからなる。
【００１０】交互積層膜２５は、透明導電層２３側から
見て、低屈折率酸化物層Ｌ／高屈折率酸化物層Ｈ／低屈
折率酸化物層Ｌの３層膜からなる。また、さらにこの上
に高屈折率酸化物層Ｈ／低屈折率酸化物層Ｌの組み合わ
せで２層、あるいは４層、６層……と何層でも積層して
もよい。このように本発明では高屈折率層Ｈと低屈折率
層Ｌとの交互積層膜とし、かつ、表面層（最上層）を低
屈折率層Ｌとする限りにおいて、積層数は問わない。反
射防止膜としてのＨ／Ｌ交互積層膜においては、透明導
電層２３は高屈折率層Ｈとして機能している。
見て、低屈折率酸化物層Ｌ／高屈折率酸化物層Ｈ／低屈
折率酸化物層Ｌの３層膜からなる。また、さらにこの上
に高屈折率酸化物層Ｈ／低屈折率酸化物層Ｌの組み合わ
せで２層、あるいは４層、６層……と何層でも積層して
もよい。このように本発明では高屈折率層Ｈと低屈折率
層Ｌとの交互積層膜とし、かつ、表面層（最上層）を低
屈折率層Ｌとする限りにおいて、積層数は問わない。反
射防止膜としてのＨ／Ｌ交互積層膜においては、透明導
電層２３は高屈折率層Ｈとして機能している。
【００１１】図２は、本発明の導電性反射防止膜２１の
他の層構成を示す説明図であり、透明導電層２３上に積
層されている交互積層膜２５が、高屈折率酸化物層Ｈ／
低屈折率酸化物層Ｌ／高屈折率酸化物層Ｈ／低屈折率酸
化物層Ｌの４層膜からなり、透明導電層２３上に形成さ
れている膜が高屈折率層Ｈである点を除いて、図１に示
したものと、基本的に同じ層構成である。図２に示した
タイプの層構成の導電性反射防止膜の場合も、図１の場
合と同様に、さらに最上層の低屈折率酸化物層Ｌの上
に、高屈折率酸化物層Ｈと低屈折率酸化物層Ｌとの組み
合せで２層、あるいは４層、６層……と何層でも積層す
ることができる。反射防止膜としてのＨ／Ｌ交互積層膜
においては、透明導電層２３とその上の高屈折率酸化物
層Ｈとの両層で、１層の高屈折率層（Ｈ）の等価膜と見
ることができる。
他の層構成を示す説明図であり、透明導電層２３上に積
層されている交互積層膜２５が、高屈折率酸化物層Ｈ／
低屈折率酸化物層Ｌ／高屈折率酸化物層Ｈ／低屈折率酸
化物層Ｌの４層膜からなり、透明導電層２３上に形成さ
れている膜が高屈折率層Ｈである点を除いて、図１に示
したものと、基本的に同じ層構成である。図２に示した
タイプの層構成の導電性反射防止膜の場合も、図１の場
合と同様に、さらに最上層の低屈折率酸化物層Ｌの上
に、高屈折率酸化物層Ｈと低屈折率酸化物層Ｌとの組み
合せで２層、あるいは４層、６層……と何層でも積層す
ることができる。反射防止膜としてのＨ／Ｌ交互積層膜
においては、透明導電層２３とその上の高屈折率酸化物
層Ｈとの両層で、１層の高屈折率層（Ｈ）の等価膜と見
ることができる。
【００１２】透明導電層２３を形成する透明導電性物質
としては、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ；
すずをドープした酸化インジウム）、ＺｎＯにＡｌある
いはＳｉをドーピングしたもの、あるいはＣｄ2ＳｎＯ4
等の複合酸化物、酸化スズなどが用いられる。
としては、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ；
すずをドープした酸化インジウム）、ＺｎＯにＡｌある
いはＳｉをドーピングしたもの、あるいはＣｄ2ＳｎＯ4
等の複合酸化物、酸化スズなどが用いられる。
【００１３】低屈折率酸化物層Ｌを形成する酸化物とし
ては、屈折率１．４０〜１．５５のものが好ましく、二
酸化ケイ素（ＳｉＯ2）が代表的である。表面層を、Ｓ
ｉＯ2などの酸化物層から構成することにより、以下の
ような作用効果が得られる。
ては、屈折率１．４０〜１．５５のものが好ましく、二
酸化ケイ素（ＳｉＯ2）が代表的である。表面層を、Ｓ
ｉＯ2などの酸化物層から構成することにより、以下の
ような作用効果が得られる。
【００１４】 表面が平滑で指紋などの汚れが容易に
拭き取れる。 耐薬品性が向上する。 真空蒸着による成膜であっても、充填率が高いので
環境による色変化および経時変化が少ない。
拭き取れる。 耐薬品性が向上する。 真空蒸着による成膜であっても、充填率が高いので
環境による色変化および経時変化が少ない。
【００１５】高屈折率酸化物層Ｈを形成する酸化物とし
ては、屈折率１．８〜２．９のものが好ましく、酸化チ
タン（ＴｉＯ2 ）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化ハ
フニウム（ＨｆＯ2 ）、酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏ2 ）、ＴｉＯ2＋Ｐｒ6Ｏ11、ＺｒＯ2＋ＴｉＯ2などの
誘電体酸化物、あるいはＩＴＯ等の透明導電性酸化物な
どが用いられる。高屈折率酸化物としてＩＴＯを用いる
と、膜にさらに導電性を付与することができる。
ては、屈折率１．８〜２．９のものが好ましく、酸化チ
タン（ＴｉＯ2 ）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化ハ
フニウム（ＨｆＯ2 ）、酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏ2 ）、ＴｉＯ2＋Ｐｒ6Ｏ11、ＺｒＯ2＋ＴｉＯ2などの
誘電体酸化物、あるいはＩＴＯ等の透明導電性酸化物な
どが用いられる。高屈折率酸化物としてＩＴＯを用いる
と、膜にさらに導電性を付与することができる。
【００１６】具体的な膜構成は、反射率を低下させる中
心波長ピークを定め、使用する透明導電性物質、高屈折
率酸化物および低屈折率酸化物を選択することにより、
これらの屈折率と積層数とから、各層の最適膜厚を決定
することができる。
心波長ピークを定め、使用する透明導電性物質、高屈折
率酸化物および低屈折率酸化物を選択することにより、
これらの屈折率と積層数とから、各層の最適膜厚を決定
することができる。
【００１７】以下、層構成の具体例およびその分光反射
特性を表１〜表５（図３〜７に対応）に示す。なお、第
１層が基板上に直接形成された層であり、以下、順次各
層が積層される。基板としてはＢＫ７（屈折率１．５１
５）を用いた。
特性を表１〜表５（図３〜７に対応）に示す。なお、第
１層が基板上に直接形成された層であり、以下、順次各
層が積層される。基板としてはＢＫ７（屈折率１．５１
５）を用いた。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】
【表３】
【００２１】
【表４】
【００２２】
【表５】
【００２３】図８は、本発明の他の実施例の層構成を示
す説明図であり、透明導電層２３が誘電体酸化物層２７
を介して基板１１上に形成されている以外は、図１と同
じである。誘電体酸化物としては、低屈折率のもので
も、高屈折率のものでもよいが、誘電体酸化物層２７
は、導電性反射防止膜２１の一部を構成するので、反射
防止特性を考慮して屈折率および膜厚を決定する。透明
導電層２３は、誘電体酸化物層２７を介して、基板１１
上に形成されたアース電極（図示されていない）と電気
的導通が取られる。誘電体酸化物層２７は反射防止膜の
膜構成の一部を形成するものであるが、透明導電層２３
に対して一種の下地層として機能し、透明導電層２３の
密着性が改善される。
す説明図であり、透明導電層２３が誘電体酸化物層２７
を介して基板１１上に形成されている以外は、図１と同
じである。誘電体酸化物としては、低屈折率のもので
も、高屈折率のものでもよいが、誘電体酸化物層２７
は、導電性反射防止膜２１の一部を構成するので、反射
防止特性を考慮して屈折率および膜厚を決定する。透明
導電層２３は、誘電体酸化物層２７を介して、基板１１
上に形成されたアース電極（図示されていない）と電気
的導通が取られる。誘電体酸化物層２７は反射防止膜の
膜構成の一部を形成するものであるが、透明導電層２３
に対して一種の下地層として機能し、透明導電層２３の
密着性が改善される。
【００２４】以下、層構成の具体例を表６に、その分光
反射特性を図９に示す。基板としてはＢＫ７（屈折率
１．５１５）を用いた。
反射特性を図９に示す。基板としてはＢＫ７（屈折率
１．５１５）を用いた。
【００２５】
【表６】
【００２６】以上の説明では、透明導電層２３を基板１
１上に形成し、その上に形成される低屈折率／高屈折率
の交互積層膜とによって反射防止膜を構成する場合を示
した。しかし本発明はこれに限定されず、基板上に、全
てが酸化物からなる高屈折率層と低屈折率層とが合計４
層以上積層された導電性反射防止膜において、少なくと
もその一層が透明導電層であればよい。
１上に形成し、その上に形成される低屈折率／高屈折率
の交互積層膜とによって反射防止膜を構成する場合を示
した。しかし本発明はこれに限定されず、基板上に、全
てが酸化物からなる高屈折率層と低屈折率層とが合計４
層以上積層された導電性反射防止膜において、少なくと
もその一層が透明導電層であればよい。
【００２７】本発明の導電性反射防止膜は、一般的な真
空蒸着法によっても形成できるが、各酸化物層の全層を
プラズマ雰囲気における薄膜形成法により成膜すること
が望ましく、また逆に、本発明の導電性反射防止膜は全
層が酸化物層であるが故にプラズマを利用して成膜する
ことができる。従来から低屈折率層として奨用されてい
るＭｇＦ2 は、プラズマ中で形成すると膜に吸収が生じ
透過特性が劣化してしまう。これに対してＳｉＯ2 等の
酸化物は、プラズマ中で形成しても膜吸収が生じない。
空蒸着法によっても形成できるが、各酸化物層の全層を
プラズマ雰囲気における薄膜形成法により成膜すること
が望ましく、また逆に、本発明の導電性反射防止膜は全
層が酸化物層であるが故にプラズマを利用して成膜する
ことができる。従来から低屈折率層として奨用されてい
るＭｇＦ2 は、プラズマ中で形成すると膜に吸収が生じ
透過特性が劣化してしまう。これに対してＳｉＯ2 等の
酸化物は、プラズマ中で形成しても膜吸収が生じない。
【００２８】全層をプラズマ中で形成することにより、
通常の真空蒸着法に比べて以下のような作用効果がさら
に改善される。
通常の真空蒸着法に比べて以下のような作用効果がさら
に改善される。
【００２９】 環境による分光反射特性の変化がいっ
そうなくなる。このため、季節等により高湿下、低湿下
のように使用環境が変化しても膜の反射光が常に同じで
ある。 耐摩耗性が大きく、拭いたり、こすったりしてもキ
ズが入りにくい。 表面が滑らかなため、指紋などが付着しても容易に
拭き取ることが可能である。
そうなくなる。このため、季節等により高湿下、低湿下
のように使用環境が変化しても膜の反射光が常に同じで
ある。 耐摩耗性が大きく、拭いたり、こすったりしてもキ
ズが入りにくい。 表面が滑らかなため、指紋などが付着しても容易に
拭き取ることが可能である。
【００３０】プラズマ中で成膜する方法としては、スパ
ッタリング法、高周波ＲＦコイルを用いた高周波放電な
どにより蒸着物質をイオン化して蒸着するイオンプレー
ティング法、イオン源（銃）により基板にイオンビーム
を照射しながら真空蒸着を行なうイオンビームアシスト
蒸着などがある。
ッタリング法、高周波ＲＦコイルを用いた高周波放電な
どにより蒸着物質をイオン化して蒸着するイオンプレー
ティング法、イオン源（銃）により基板にイオンビーム
を照射しながら真空蒸着を行なうイオンビームアシスト
蒸着などがある。
【００３１】
【発明の効果】本発明によれば、高屈折率層と低屈折率
層とを４層以上積層して反射防止膜を形成するととも
に、高屈折率層の少なくとも一層を透明導電層として導
電性を付与し、かつ、全層を酸化物から形成することに
より、吸収を生じることなく、プラズマを利用して導電
性反射防止膜が得られる。この導電性反射防止膜は、分
光反射特性の環境安定性が良好であり、また、耐摩耗
性、耐汚染性にも優れている。
層とを４層以上積層して反射防止膜を形成するととも
に、高屈折率層の少なくとも一層を透明導電層として導
電性を付与し、かつ、全層を酸化物から形成することに
より、吸収を生じることなく、プラズマを利用して導電
性反射防止膜が得られる。この導電性反射防止膜は、分
光反射特性の環境安定性が良好であり、また、耐摩耗
性、耐汚染性にも優れている。
【００３２】製造例 ＩＴＯ，ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2 の３つのターゲットと、各
ターゲット間に基板を移送させる搬送機構を具えたマグ
ネトロンスパッタリング装置を用い、本発明の導電性反
射防止膜を成膜した。
ターゲット間に基板を移送させる搬送機構を具えたマグ
ネトロンスパッタリング装置を用い、本発明の導電性反
射防止膜を成膜した。
【００３３】基板としてのＢＫ７を真空槽内にセット
し、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の高真空まで排気したの
ち、酸素を含むアルゴンガスを導入してスパッタ圧力を
２×１０-3Ｔｏｒｒに調整した。
し、１×１０-5Ｔｏｒｒ以下の高真空まで排気したの
ち、酸素を含むアルゴンガスを導入してスパッタ圧力を
２×１０-3Ｔｏｒｒに調整した。
【００３４】ついで、基板を加熱しながら順次ターゲッ
トをスパッタし、表５に示した８層膜（ＩＴＯ／ＳｉＯ
2／ＴｉＯ2／ＳｉＯ2／ＴｉＯ2／ＳｉＯ2／ＴｉＯ2／Ｓ
ｉＯ2 ）からなる導電性反射防止膜を成膜した。この導
電性反射防止膜は、耐摩耗性が良好であり摩耗試験で傷
が付かず、また、指紋を付けた場合も簡単な空拭きで拭
き取ることができた。
トをスパッタし、表５に示した８層膜（ＩＴＯ／ＳｉＯ
2／ＴｉＯ2／ＳｉＯ2／ＴｉＯ2／ＳｉＯ2／ＴｉＯ2／Ｓ
ｉＯ2 ）からなる導電性反射防止膜を成膜した。この導
電性反射防止膜は、耐摩耗性が良好であり摩耗試験で傷
が付かず、また、指紋を付けた場合も簡単な空拭きで拭
き取ることができた。
【００３５】さらに、導電性反射防止膜を成膜したＢＫ
７を、恒温恒湿槽に入れ、１０℃−２０％ＲＨおよび３
５℃−８０％ＲＨの低温低湿環境および高温高湿環境条
件下に反射光を肉視で観察したところ、両環境間で反射
光に色変化は見られなかった。
７を、恒温恒湿槽に入れ、１０℃−２０％ＲＨおよび３
５℃−８０％ＲＨの低温低湿環境および高温高湿環境条
件下に反射光を肉視で観察したところ、両環境間で反射
光に色変化は見られなかった。
【図１】本発明の導電性反射防止膜の層構成例を示す説
明図である。
明図である。
【図２】本発明の導電性反射防止膜の層構成例を示す説
明図である。
明図である。
【図３】本発明の導電性反射防止膜の分光反射特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図４】本発明の導電性反射防止膜の分光反射特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図５】本発明の導電性反射防止膜の分光反射特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図６】本発明の導電性反射防止膜の分光反射特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図７】本発明の導電性反射防止膜の分光反射特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図８】本発明の導電性反射防止膜の層構成例を示す説
明図である。
明図である。
【図９】本発明の導電性反射防止膜の分光反射特性を示
すグラフである。
すグラフである。
１１ 基板 ２１ 導電性反射防止膜 ２３ 透明導電層 ２５ 交互積層膜 ２７ 誘電体酸化物層 Ｌ 低屈折率（酸化物）層 Ｈ 高屈折率（酸化物）層
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に高屈折率層と低屈折率層とが合
計４層以上積層された導電性反射防止膜において、 全層が酸化物から形成され、高屈折率層の少なくとも１
層が透明導電層であり、かつ、表面層が低屈折率層であ
ることを特徴とする導電性反射防止膜。 - 【請求項２】 前記透明導電層が基板上に形成されてい
る請求項１に記載の導電性反射防止膜。 - 【請求項３】 誘電体酸化物層を介して、前記透明導電
層が基板上に形成されている請求項１に記載の導電性反
射防止膜。 - 【請求項４】 全層が、プラズマ雰囲気下における薄膜
形成法により成膜されたものである請求項１〜３のいず
れか一項に記載の導電性反射防止膜。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04215422A JP3135010B2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 導電性反射防止膜 |
| US08/449,804 US5667880A (en) | 1992-07-20 | 1995-05-24 | Electroconductive antireflection film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04215422A JP3135010B2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 導電性反射防止膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0634801A true JPH0634801A (ja) | 1994-02-10 |
| JP3135010B2 JP3135010B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=16672077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04215422A Expired - Fee Related JP3135010B2 (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 導電性反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3135010B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997026566A1 (fr) * | 1996-01-18 | 1997-07-24 | Toyo Metallizing Co., Ltd. | Article optique en plastique a film anti-reflet multicouches |
| JPH11258405A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | 反射防止フィルム |
| JP2000039502A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Konica Corp | 電磁波低減反射防止膜および該反射防止膜を有する光学部材 |
| JP2000121804A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-28 | Sekisui Chem Co Ltd | 反射防止フィルム |
| EP0975207A3 (en) * | 1998-07-23 | 2003-01-02 | Konica Corporation | Electromagnetic wave attenuating transparent member |
| JP2005107293A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Konica Minolta Holdings Inc | ディスプレイ用前面板 |
| CN103443663A (zh) * | 2011-03-25 | 2013-12-11 | Hoya株式会社 | 塑料透镜 |
| CN105785590A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-07-20 | 四川梅塞尔科技有限公司 | 一种变色耐磨自清洁近视镜片的制备方法及产品 |
| JP2019124794A (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-25 | 大日本印刷株式会社 | 光学素子、光照射装置 |
| CN113597179A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-02 | 富士新材(深圳)有限公司 | 一种透明盖板及其制备方法、电子设备 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102674707A (zh) * | 2011-03-14 | 2012-09-19 | 无锡康力电子有限公司 | 透明导电玻璃 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61168899A (ja) * | 1985-01-19 | 1986-07-30 | 日本板硝子株式会社 | 低反射率帯電防止板 |
| JPS63228101A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 防汚性を有する帯電防止無反射板 |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP04215422A patent/JP3135010B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61168899A (ja) * | 1985-01-19 | 1986-07-30 | 日本板硝子株式会社 | 低反射率帯電防止板 |
| JPS63228101A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 防汚性を有する帯電防止無反射板 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997026566A1 (fr) * | 1996-01-18 | 1997-07-24 | Toyo Metallizing Co., Ltd. | Article optique en plastique a film anti-reflet multicouches |
| JPH11258405A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-09-24 | Toppan Printing Co Ltd | 反射防止フィルム |
| JP2000039502A (ja) * | 1998-07-23 | 2000-02-08 | Konica Corp | 電磁波低減反射防止膜および該反射防止膜を有する光学部材 |
| EP0975207A3 (en) * | 1998-07-23 | 2003-01-02 | Konica Corporation | Electromagnetic wave attenuating transparent member |
| JP2000121804A (ja) * | 1998-10-09 | 2000-04-28 | Sekisui Chem Co Ltd | 反射防止フィルム |
| JP2005107293A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Konica Minolta Holdings Inc | ディスプレイ用前面板 |
| CN103443663A (zh) * | 2011-03-25 | 2013-12-11 | Hoya株式会社 | 塑料透镜 |
| CN105785590A (zh) * | 2016-05-20 | 2016-07-20 | 四川梅塞尔科技有限公司 | 一种变色耐磨自清洁近视镜片的制备方法及产品 |
| JP2019124794A (ja) * | 2018-01-15 | 2019-07-25 | 大日本印刷株式会社 | 光学素子、光照射装置 |
| CN113597179A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-02 | 富士新材(深圳)有限公司 | 一种透明盖板及其制备方法、电子设备 |
| CN113597179B (zh) * | 2021-07-29 | 2025-03-07 | 富士新材(深圳)有限公司 | 一种透明盖板及其制备方法、电子设备 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3135010B2 (ja) | 2001-02-13 |
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