JPH0756004A - 導電性反射防止膜 - Google Patents
導電性反射防止膜Info
- Publication number
- JPH0756004A JPH0756004A JP5225096A JP22509693A JPH0756004A JP H0756004 A JPH0756004 A JP H0756004A JP 5225096 A JP5225096 A JP 5225096A JP 22509693 A JP22509693 A JP 22509693A JP H0756004 A JPH0756004 A JP H0756004A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refractive index
- thin film
- film
- antireflection
- conductive
- Prior art date
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- Pending
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上に中屈折率層Ｍ／高屈折率層Ｈ1／低
屈折率層Ｌ1／高屈折率層Ｈ2／低屈折率層Ｌ2を積層し
て導電性反射防止膜とすることにより、基板の屈折率に
かかわらず広波長域で反射防止効果を得る。 【構成】 基板側から、屈折率１．５〜１．８のＡｌ2
Ｏ3等の中屈折率層Ｍ、１．８〜２．６の高屈折率層
Ｈ1、１．３５〜１．５のＭｇＦ2等の低屈折率層Ｌ1、
１．８〜２．６の高屈折率層Ｈ2、１．３５〜１．５の
低屈折率層Ｌ2を積層し、高屈折率層の少なくとも１層
をＩｎ2Ｏ3等の透明導電膜から形成した導電性反射防止
膜。
屈折率層Ｌ1／高屈折率層Ｈ2／低屈折率層Ｌ2を積層し
て導電性反射防止膜とすることにより、基板の屈折率に
かかわらず広波長域で反射防止効果を得る。 【構成】 基板側から、屈折率１．５〜１．８のＡｌ2
Ｏ3等の中屈折率層Ｍ、１．８〜２．６の高屈折率層
Ｈ1、１．３５〜１．５のＭｇＦ2等の低屈折率層Ｌ1、
１．８〜２．６の高屈折率層Ｈ2、１．３５〜１．５の
低屈折率層Ｌ2を積層し、高屈折率層の少なくとも１層
をＩｎ2Ｏ3等の透明導電膜から形成した導電性反射防止
膜。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、適度の導電性を有し、
かつ、反射防止能が施された導電性反射防止膜に関す
る。
かつ、反射防止能が施された導電性反射防止膜に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】テレビジョン、コンピュータ端末のディ
スプレイ等においては、帯電による誤動作、ホコリの付
着防止などを目的として、前面ガラスパネルに透明導電
膜が形成されている。また、透明導電膜はガラス基板と
屈折率の差が大きく、ガラス基板の反射率が高くなるこ
とから、導電性とともに反射防止能を付与し、見やすい
画面としている。
スプレイ等においては、帯電による誤動作、ホコリの付
着防止などを目的として、前面ガラスパネルに透明導電
膜が形成されている。また、透明導電膜はガラス基板と
屈折率の差が大きく、ガラス基板の反射率が高くなるこ
とから、導電性とともに反射防止能を付与し、見やすい
画面としている。
【０００３】従来、このような導電性反射防止膜として
は、透明基板上にＡｌ2Ｏ3またはＣｅＦ3／Ｉｎ2Ｏ3／
ＭｇＦ2からなる３層膜（勝部ら、光学、第７巻第６
号、２５０−２５４（１９７８））、透明基板上にＩＴ
Ｏ／ＭｇＦ2／ＴｉＯ2とＹ2Ｏ3等の混合薄膜−ＭｇＦ2
膜からなる４層膜（特公平４−１５４４３号公報）など
が知られている。
は、透明基板上にＡｌ2Ｏ3またはＣｅＦ3／Ｉｎ2Ｏ3／
ＭｇＦ2からなる３層膜（勝部ら、光学、第７巻第６
号、２５０−２５４（１９７８））、透明基板上にＩＴ
Ｏ／ＭｇＦ2／ＴｉＯ2とＹ2Ｏ3等の混合薄膜−ＭｇＦ2
膜からなる４層膜（特公平４−１５４４３号公報）など
が知られている。
【０００４】しかしながらこれらの導電性反射防止膜
は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の複
合酸化物が単層膜である。導電性反射防止膜では、必要
な導電性を得るためには、ＩＴＯがある程度の膜厚を有
することが必要であるが、ＩＴＯ等の複合酸化物を真空
蒸着により形成すると、蒸着膜は膜厚方向で屈折率が変
化する異方性を示す。そのため、膜厚が厚くなると多層
膜の設計における基準屈折率からの変位量が大きくな
り、目的とする反射防止特性が得られない場合があり、
工業生産上好ましくない。
は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の複
合酸化物が単層膜である。導電性反射防止膜では、必要
な導電性を得るためには、ＩＴＯがある程度の膜厚を有
することが必要であるが、ＩＴＯ等の複合酸化物を真空
蒸着により形成すると、蒸着膜は膜厚方向で屈折率が変
化する異方性を示す。そのため、膜厚が厚くなると多層
膜の設計における基準屈折率からの変位量が大きくな
り、目的とする反射防止特性が得られない場合があり、
工業生産上好ましくない。
【０００５】また、透明基板上にＩＴＯ／ＭｇＦ2／Ｉ
ＴＯ／ＭｇＦ2の４層膜からなる導電性反射防止膜も報
告されている（特開昭６１−１６８８９９号公報）。し
かしこの膜は、長波側（７００ｎｍ近傍）および短波側
（４００ｎｍ近傍）で反射率が急激に立ち上がる、いわ
ゆるＶコート膜となりやすく、実際の製造現場では膜厚
制御が困難であった。また、基板の屈折率が１．７を超
えると、４層の膜構成では十分な反射防止効果が得られ
ない欠点があった。
ＴＯ／ＭｇＦ2の４層膜からなる導電性反射防止膜も報
告されている（特開昭６１−１６８８９９号公報）。し
かしこの膜は、長波側（７００ｎｍ近傍）および短波側
（４００ｎｍ近傍）で反射率が急激に立ち上がる、いわ
ゆるＶコート膜となりやすく、実際の製造現場では膜厚
制御が困難であった。また、基板の屈折率が１．７を超
えると、４層の膜構成では十分な反射防止効果が得られ
ない欠点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、反射防止特
性に優れ、しかも安定性が良好な導電性反射防止膜を提
供するものである。
性に優れ、しかも安定性が良好な導電性反射防止膜を提
供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の導電性反射防止
膜は、基板側から、下記（ａ）〜（ｅ）の各薄膜を順次
積層し、第１および第２の高屈折率薄膜の少なくともい
ずれか一方を透明導電膜としたことを特徴とする。 （ａ） 屈折率１．５〜１．８の中屈折率薄膜。 （ｂ） 屈折率１．８〜２．６の第１の高屈折率薄膜。 （ｃ） 屈折率１．３５〜１．５の第１の低屈折率薄
膜。 （ｄ） 屈折率１．８〜２．６の第２の高屈折率薄膜。 （ｅ） 屈折率１．３５〜１．５の第２の低屈折率薄
膜。
膜は、基板側から、下記（ａ）〜（ｅ）の各薄膜を順次
積層し、第１および第２の高屈折率薄膜の少なくともい
ずれか一方を透明導電膜としたことを特徴とする。 （ａ） 屈折率１．５〜１．８の中屈折率薄膜。 （ｂ） 屈折率１．８〜２．６の第１の高屈折率薄膜。 （ｃ） 屈折率１．３５〜１．５の第１の低屈折率薄
膜。 （ｄ） 屈折率１．８〜２．６の第２の高屈折率薄膜。 （ｅ） 屈折率１．３５〜１．５の第２の低屈折率薄
膜。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の導電性反射防止膜の実施例の
層構成を示す説明図であり、基板１１上に中屈折率薄膜
Ｍ、第１の高屈折率薄膜Ｈ1、第１の低屈折率薄膜Ｌ1、
第２の高屈折率薄膜Ｈ2および第２の低屈折率薄膜Ｌ2が
順次積層され、 Ｍ／Ｈ1／Ｌ1／Ｈ2／Ｌ2 からなる５層
の導電性反射防止膜１３が形成されている。各層の屈折
率は、その名称が示す通り、Ｈ1，Ｈ2＞Ｍ＞Ｌ1，Ｌ2の
関係がある。
層構成を示す説明図であり、基板１１上に中屈折率薄膜
Ｍ、第１の高屈折率薄膜Ｈ1、第１の低屈折率薄膜Ｌ1、
第２の高屈折率薄膜Ｈ2および第２の低屈折率薄膜Ｌ2が
順次積層され、 Ｍ／Ｈ1／Ｌ1／Ｈ2／Ｌ2 からなる５層
の導電性反射防止膜１３が形成されている。各層の屈折
率は、その名称が示す通り、Ｈ1，Ｈ2＞Ｍ＞Ｌ1，Ｌ2の
関係がある。
【０００９】基板１１としては、ガラス、プラスチック
などの透明基板が用いられる。中屈折率薄膜Ｍとして
は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化セシウム（ＣｅＯ2）
などが用いられる。
などの透明基板が用いられる。中屈折率薄膜Ｍとして
は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化セシウム（ＣｅＯ2）
などが用いられる。
【００１０】高屈折率薄膜Ｈ1，Ｈ2としては、ＩＴＯ、
酸化スズなどの屈折率が１．８〜２．６の透明導電物
質、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5） 、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化ジルコニウ
ム（ＺｒＯ2）などが用いられる。少なくとも第１およ
び第２の高屈折率薄膜Ｈ1，Ｈ2のいずれか一方は、透明
導電物質から形成され、好ましくは両層Ｈ1，Ｈ2を透明
導電物質から形成する。両層Ｈ1 ，Ｈ2 を透明導電物質
から形成することにより、要求される導電性を得るため
に必要な膜厚を両層に分担させることができる。ＩＴＯ
等の複合酸化物では、蒸着時に薄膜の厚さ方向で屈折率
が変化するが、膜厚が薄ければその変動量が少なく、そ
れだけ設計値に近い多層膜を得ることができ、特に工業
生産上における再現性が高い。
酸化スズなどの屈折率が１．８〜２．６の透明導電物
質、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化タンタル（Ｔａ
2Ｏ5） 、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）、酸化ジルコニウ
ム（ＺｒＯ2）などが用いられる。少なくとも第１およ
び第２の高屈折率薄膜Ｈ1，Ｈ2のいずれか一方は、透明
導電物質から形成され、好ましくは両層Ｈ1，Ｈ2を透明
導電物質から形成する。両層Ｈ1 ，Ｈ2 を透明導電物質
から形成することにより、要求される導電性を得るため
に必要な膜厚を両層に分担させることができる。ＩＴＯ
等の複合酸化物では、蒸着時に薄膜の厚さ方向で屈折率
が変化するが、膜厚が薄ければその変動量が少なく、そ
れだけ設計値に近い多層膜を得ることができ、特に工業
生産上における再現性が高い。
【００１１】低屈折率薄膜Ｌ1，Ｌ2としては、シリカ
（ＳｉＯ2） 、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2） などが
用いられる。
（ＳｉＯ2） 、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2） などが
用いられる。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、可視光領域の短波側か
ら長波側にわたる広帯域で優れた反射防止特性を有する
導電性反射防止膜が得られ、しかも反射防止効果が得ら
れる基板の屈折率に対する選択性が広い。
ら長波側にわたる広帯域で優れた反射防止特性を有する
導電性反射防止膜が得られ、しかも反射防止効果が得ら
れる基板の屈折率に対する選択性が広い。
【００１３】実験例 真空蒸着装置を用い、中心波長（５４０ｎｍ）で下記の
表１に示した各層からなる導電性薄膜を、屈折率の異な
る２つの透明ガラス基板（屈折率ｎ＝１．５２および
１．７）上に成膜した。
表１に示した各層からなる導電性薄膜を、屈折率の異な
る２つの透明ガラス基板（屈折率ｎ＝１．５２および
１．７）上に成膜した。
【００１４】
【表１】
【００１５】この導電性反射防止膜は、２００Ω／□以
下の抵抗を有し、また、ＭＩＬ−Ｃ−６７５Ｃに合格で
あった。屈折率（ｎ）１．５２のガラス基板に形成した
場合の分光反射率特性を図２に、また、ｎ＝１．７の場
合を図３に示す。
下の抵抗を有し、また、ＭＩＬ−Ｃ−６７５Ｃに合格で
あった。屈折率（ｎ）１．５２のガラス基板に形成した
場合の分光反射率特性を図２に、また、ｎ＝１．７の場
合を図３に示す。
【図１】本発明の導電性反射防止膜の実施例を示す説明
図である。
図である。
【図２】本発明の導電性反射防止膜を屈折率１．５２の
透明基板に形成した場合の分光反射率特性を示すグラフ
である。
透明基板に形成した場合の分光反射率特性を示すグラフ
である。
【図３】本発明の導電性反射防止膜を屈折率１．７の透
明基板に形成した場合の分光反射率特性を示すグラフで
ある。
明基板に形成した場合の分光反射率特性を示すグラフで
ある。
１１ 基板 １３ 導電性反射防止膜 Ｍ 中屈折率薄膜 Ｈ1 第１の高屈折率薄膜 Ｈ2 第２の高屈折率薄膜 Ｌ1 第１の低屈折率薄膜 Ｌ2 第２の低屈折率薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板側から、下記（ａ）〜（ｅ）の各薄
膜を順次積層し、第１および第２の高屈折率薄膜の少な
くともいずれか一方を透明導電膜としたことを特徴とす
る導電性反射防止膜。 （ａ） 屈折率１．５〜１．８の中屈折率薄膜、 （ｂ） 屈折率１．８〜２．６の第１の高屈折率薄膜、 （ｃ） 屈折率１．３５〜１．５の第１の低屈折率薄
膜、 （ｄ） 屈折率１．８〜２．６の第２の高屈折率薄膜、 （ｅ） 屈折率１．３５〜１．５の第２の低屈折率薄
膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5225096A JPH0756004A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | 導電性反射防止膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5225096A JPH0756004A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | 導電性反射防止膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0756004A true JPH0756004A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16823929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5225096A Pending JPH0756004A (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | 導電性反射防止膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0756004A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000002066A1 (fr) * | 1998-07-01 | 2000-01-13 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Produit en verre a film antireflet electroconducteur et tube cathodique utilisant un tel produit |
| JP2003248103A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Olympus Optical Co Ltd | 反射防止膜と光学レンズおよび光学レンズユニット |
| JP2010184477A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Toppan Printing Co Ltd | 積層フィルム及びその製造方法 |
| WO2011122152A1 (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 日本電気硝子株式会社 | 電磁波遮蔽膜及び電磁波遮蔽部材 |
| CN103675954A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-26 | 江苏硕延光学眼镜有限公司 | 折射率为1.60抗蓝光树脂镜片及其制备方法 |
| CN112323023A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-02-05 | 江苏北方湖光光电有限公司 | 一种基于ZnS基底的多波段耐盐雾减反射膜及其制备方法 |
-
1993
- 1993-08-17 JP JP5225096A patent/JPH0756004A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000002066A1 (fr) * | 1998-07-01 | 2000-01-13 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Produit en verre a film antireflet electroconducteur et tube cathodique utilisant un tel produit |
| ES2212863A1 (es) * | 1998-07-01 | 2004-08-01 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Articulos de vidrio con recubrimiento conductor de antirreflexion y tubo de rayos catodicos que los utiliza. |
| JP2003248103A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Olympus Optical Co Ltd | 反射防止膜と光学レンズおよび光学レンズユニット |
| JP2010184477A (ja) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Toppan Printing Co Ltd | 積層フィルム及びその製造方法 |
| WO2011122152A1 (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 日本電気硝子株式会社 | 電磁波遮蔽膜及び電磁波遮蔽部材 |
| CN103675954A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-26 | 江苏硕延光学眼镜有限公司 | 折射率为1.60抗蓝光树脂镜片及其制备方法 |
| CN112323023A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-02-05 | 江苏北方湖光光电有限公司 | 一种基于ZnS基底的多波段耐盐雾减反射膜及其制备方法 |
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