JP2000039502A - 電磁波低減反射防止膜および該反射防止膜を有する光学部材 - Google Patents
電磁波低減反射防止膜および該反射防止膜を有する光学部材Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子機器類から発生する電磁波を有効に遮蔽
することが出来、視界を妨げることがなく、目の疲労を
少なくすることが出来る耐環境性に優れた電磁波低減反
射防止膜を得る。 【解決手段】 透明基材から順に、第１の低屈折率層Ｌ
1、第１の高屈折率層Ｈ1、第２の低屈折率層Ｌ2、第２
の高屈折率層Ｈ2、第３の低屈折率層Ｌ3の５層の順次積
層された透光性薄膜で構成され、上記第２の高屈折率透
光性薄膜層Ｈ2のシート抵抗が、１００Ω／cm2以下であ
り、かつ、上記第１、第２、第３の低屈折率の透光性薄
膜の材料は酸化シリコンであり、上記第１と第３の低屈
折率膜の構造が異なっていることを特徴とする。
することが出来、視界を妨げることがなく、目の疲労を
少なくすることが出来る耐環境性に優れた電磁波低減反
射防止膜を得る。 【解決手段】 透明基材から順に、第１の低屈折率層Ｌ
1、第１の高屈折率層Ｈ1、第２の低屈折率層Ｌ2、第２
の高屈折率層Ｈ2、第３の低屈折率層Ｌ3の５層の順次積
層された透光性薄膜で構成され、上記第２の高屈折率透
光性薄膜層Ｈ2のシート抵抗が、１００Ω／cm2以下であ
り、かつ、上記第１、第２、第３の低屈折率の透光性薄
膜の材料は酸化シリコンであり、上記第１と第３の低屈
折率膜の構造が異なっていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電磁波シールド効果を有
する反射防止コートおよび反射防止コートを有する光学
部材に関する。
する反射防止コートおよび反射防止コートを有する光学
部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、オフィスオートメーション機器、
テレビのブラウン管やその他の電子機器から放射される
電磁波が、人体へ影響を与えるのではないかという疑問
が提起され、関心が高まっている。これら電磁波による
影響を避けるために、従来しばしば見られる方法は、金
網などの透視可能の導電物で覆うことであった。しか
し、ブラウン管などをこれら導電物で覆った場合、金網
などを構成する細線で画面が見えにくくなり、使用者の
目が疲れるという問題があった。
テレビのブラウン管やその他の電子機器から放射される
電磁波が、人体へ影響を与えるのではないかという疑問
が提起され、関心が高まっている。これら電磁波による
影響を避けるために、従来しばしば見られる方法は、金
網などの透視可能の導電物で覆うことであった。しか
し、ブラウン管などをこれら導電物で覆った場合、金網
などを構成する細線で画面が見えにくくなり、使用者の
目が疲れるという問題があった。
【０００３】これに対して、画面表面などに金属細線の
網の変わりに透光性薄膜の積層体を設け、反射防止効果
と共に電磁波低減効果を得ようとする試みが提案されて
いる。例えば、特開平６−３４８０１号公報に開示され
たものは、基材から順に透明導電体層として酸化インジ
ウム錫（ＩＴＯ）、低屈折率層として酸化シリコン、高
屈折率層として酸化チタンの３層の積層体を用いてい
る。これは、反射防止効果によって画面が見やすくなっ
たが、透明導電層の膜厚が３００オングストローム以下
と薄く、電磁波のシールド効果が低く、十分な効果を上
げていない。
網の変わりに透光性薄膜の積層体を設け、反射防止効果
と共に電磁波低減効果を得ようとする試みが提案されて
いる。例えば、特開平６−３４８０１号公報に開示され
たものは、基材から順に透明導電体層として酸化インジ
ウム錫（ＩＴＯ）、低屈折率層として酸化シリコン、高
屈折率層として酸化チタンの３層の積層体を用いてい
る。これは、反射防止効果によって画面が見やすくなっ
たが、透明導電層の膜厚が３００オングストローム以下
と薄く、電磁波のシールド効果が低く、十分な効果を上
げていない。
【０００４】また、特願平９−２６９２０４号に開示さ
れたものは、透光性低屈折率層と透光性高屈折率層の積
層構造において、高屈折率層に透明導電層として、酸化
インジウム錫を材料として用い、その膜厚を１０００オ
ングストローム以上としたものである。導電層を厚くし
たことにより、シート抵抗が低下し、電磁波シールド効
果は向上し、実用上十分な性能が得られた。しかし、プ
ラスチック透明基材に形成したとき、高温高湿環境で保
管すると、コート膜の色ムラや膜浮きが生じやすく、耐
環境性の点で問題があった。
れたものは、透光性低屈折率層と透光性高屈折率層の積
層構造において、高屈折率層に透明導電層として、酸化
インジウム錫を材料として用い、その膜厚を１０００オ
ングストローム以上としたものである。導電層を厚くし
たことにより、シート抵抗が低下し、電磁波シールド効
果は向上し、実用上十分な性能が得られた。しかし、プ
ラスチック透明基材に形成したとき、高温高湿環境で保
管すると、コート膜の色ムラや膜浮きが生じやすく、耐
環境性の点で問題があった。
【０００５】さらに、メニスカスタイプのレンズに上記
のような電磁波シールド効果を有する薄膜をコートする
場合は、凹面にコートするのが通例であった。これはす
り傷の発生や汚れ防止のためであった。しかし、凹面へ
コートされた、膜厚１０００オングストローム以上の透
明導電層を有する電磁波低減反射防止膜では、高温高湿
環境（６０℃、湿度９０％に１週間放置）で、レンズ基
材の伸縮のため、コート剥がれやコート色の色ムラ等が
生じる問題があった。
のような電磁波シールド効果を有する薄膜をコートする
場合は、凹面にコートするのが通例であった。これはす
り傷の発生や汚れ防止のためであった。しかし、凹面へ
コートされた、膜厚１０００オングストローム以上の透
明導電層を有する電磁波低減反射防止膜では、高温高湿
環境（６０℃、湿度９０％に１週間放置）で、レンズ基
材の伸縮のため、コート剥がれやコート色の色ムラ等が
生じる問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、オフィスオ
ートメーション機器、テレビのブラウン管や他の機器か
ら発生する電磁波を有効に遮蔽することが出来、視界を
妨げることがなく、目の疲労を少なくすることが出来る
耐環境性に優れた電磁波低減反射防止膜を得ようとする
ものである。
ートメーション機器、テレビのブラウン管や他の機器か
ら発生する電磁波を有効に遮蔽することが出来、視界を
妨げることがなく、目の疲労を少なくすることが出来る
耐環境性に優れた電磁波低減反射防止膜を得ようとする
ものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の電磁波低減反射
防止膜は、透明基材から順に、第１の低屈折率層、第１
の高屈折率層、第２の低屈折率層、第２の高屈折率層、
第３の低屈折率層の５層の順次積層された透光性薄膜で
構成され、上記第２の高屈折率透光性薄膜層のシート抵
抗が、１００Ω／cm2以下であり、かつ、上記第１、第
２、第３の低屈折率の透光性薄膜の材料は酸化シリコン
であり、上記第１と第３の低屈折率膜の構造が異なって
いることを特徴とする。
防止膜は、透明基材から順に、第１の低屈折率層、第１
の高屈折率層、第２の低屈折率層、第２の高屈折率層、
第３の低屈折率層の５層の順次積層された透光性薄膜で
構成され、上記第２の高屈折率透光性薄膜層のシート抵
抗が、１００Ω／cm2以下であり、かつ、上記第１、第
２、第３の低屈折率の透光性薄膜の材料は酸化シリコン
であり、上記第１と第３の低屈折率膜の構造が異なって
いることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の電磁波低減反射防止膜
は、以下の態様によって実施される。本発明の電磁波低
減反射防止膜の構成の１例を具体的に示せば、図１にお
いて、透明基材上から、第１の低屈折率の透明薄膜層Ｌ
1、第１の高屈折率の透明薄膜層Ｈ1、第２の低屈折率の
透明薄膜層Ｌ2、第２の高屈折率の透明薄膜層Ｈ2、第３
の低屈折率の透明薄膜層Ｌ3からなり、低屈折率の透明
薄膜層Ｌ1は真空蒸着法によって形成した酸化シリコン
層であり、蒸着条件は 酸素ガス圧 ２〜３×１０~2ＰＡＳ 基板温度 ７０〜９０℃ 蒸着速度 ２〜５Å／ｓｅｃ 膜厚 １２０〜２００Å 透明薄膜層Ｌ2は真空蒸着法によって形成した酸化シリ
コン層であり、蒸着条件は 酸素ガス圧 １．５×１０~2ＰＡＳ 基板温度 ７０〜９０℃ 蒸着速度 １０〜２０Å／ｓｅｃ 膜厚 ２５０〜３００Å 透明薄膜層Ｌ3は真空蒸着法によって形成した酸化シリ
コン層であり、蒸着条件は 酸素ガス圧 ５×１０~3ＰＡＳ 基板温度 ７０〜９０℃ 蒸着速度 ３０〜５０Å／ｓｅｃ 膜厚 ８００〜９００Å 上記透明薄膜層Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3の蒸着条件で、ポリカー
ボネート樹脂基板上に厚さ１０００Åの単層コートを蒸
着し、スチールウール試験で膜の硬さをテストすると共
に、断面の電子顕微鏡観察を行い、膜の構造を見た。そ
の結果を表１に示す。
は、以下の態様によって実施される。本発明の電磁波低
減反射防止膜の構成の１例を具体的に示せば、図１にお
いて、透明基材上から、第１の低屈折率の透明薄膜層Ｌ
1、第１の高屈折率の透明薄膜層Ｈ1、第２の低屈折率の
透明薄膜層Ｌ2、第２の高屈折率の透明薄膜層Ｈ2、第３
の低屈折率の透明薄膜層Ｌ3からなり、低屈折率の透明
薄膜層Ｌ1は真空蒸着法によって形成した酸化シリコン
層であり、蒸着条件は 酸素ガス圧 ２〜３×１０~2ＰＡＳ 基板温度 ７０〜９０℃ 蒸着速度 ２〜５Å／ｓｅｃ 膜厚 １２０〜２００Å 透明薄膜層Ｌ2は真空蒸着法によって形成した酸化シリ
コン層であり、蒸着条件は 酸素ガス圧 １．５×１０~2ＰＡＳ 基板温度 ７０〜９０℃ 蒸着速度 １０〜２０Å／ｓｅｃ 膜厚 ２５０〜３００Å 透明薄膜層Ｌ3は真空蒸着法によって形成した酸化シリ
コン層であり、蒸着条件は 酸素ガス圧 ５×１０~3ＰＡＳ 基板温度 ７０〜９０℃ 蒸着速度 ３０〜５０Å／ｓｅｃ 膜厚 ８００〜９００Å 上記透明薄膜層Ｌ1、Ｌ2、Ｌ3の蒸着条件で、ポリカー
ボネート樹脂基板上に厚さ１０００Åの単層コートを蒸
着し、スチールウール試験で膜の硬さをテストすると共
に、断面の電子顕微鏡観察を行い、膜の構造を見た。そ
の結果を表１に示す。
【表１】 膜の緻密性の高い膜は、膜の堆積状況が均一で、粒塊が
少なかった。一方、低い膜は粒塊の発生が多く、ボソボ
ソとした感じを与えた。
少なかった。一方、低い膜は粒塊の発生が多く、ボソボ
ソとした感じを与えた。
【０００９】高屈折率の透明薄膜層Ｈ1はＲＦイオンプ
レーティング蒸着法により形成した酸化インジウム錫層
で、蒸着条件は、 酸素ガス圧 ２〜３×１０~2ＰＡＳ 基板温度 ７０〜９０℃ 蒸着材料 酸化インジウム錫焼結体（Ｓｎ含有量５〜１０ｗ％） 蒸着速度 ２００〜１２０Å／ｍｉｎ ＲＦ放電電力 ７００〜８００Ｗ 膜厚 １００〜２００Å 透明薄膜層Ｈ2はＲＦイオンプレーティング蒸着法によ
り形成した酸化インジウム錫層で、蒸着条件は、 酸素ガス圧 ２〜３×１０~2ＰＡＳ 基板温度 ７０〜９０℃ 蒸着材料 Ｉｎ金属とＳｎ金属とを蒸着源とする２元蒸着 蒸着速度 Ｉｎ金属 ２００〜１２０Å／ｍｉｎ Ｓｎ金属 １２〜 ６Å／ｍｉｎ ＲＦ放電電力 ８００〜９００Ｗ 膜厚 ９００〜１１００Å 上記透明薄膜層Ｈ1、Ｈ2の蒸着条件で、ポリカーボネー
ト樹脂基板上に厚さ１０００Åの単層コートを蒸着し、
断面の電子顕微鏡観察を行い、膜の構造を比較した。膜
の緻密性の高い膜Ｈ2は、膜の堆積状況が均一で、粒塊
が少なかった。一方、低い膜Ｈ1は粒塊の発生が多く、
ボソボソとした感じを与えた。
レーティング蒸着法により形成した酸化インジウム錫層
で、蒸着条件は、 酸素ガス圧 ２〜３×１０~2ＰＡＳ 基板温度 ７０〜９０℃ 蒸着材料 酸化インジウム錫焼結体（Ｓｎ含有量５〜１０ｗ％） 蒸着速度 ２００〜１２０Å／ｍｉｎ ＲＦ放電電力 ７００〜８００Ｗ 膜厚 １００〜２００Å 透明薄膜層Ｈ2はＲＦイオンプレーティング蒸着法によ
り形成した酸化インジウム錫層で、蒸着条件は、 酸素ガス圧 ２〜３×１０~2ＰＡＳ 基板温度 ７０〜９０℃ 蒸着材料 Ｉｎ金属とＳｎ金属とを蒸着源とする２元蒸着 蒸着速度 Ｉｎ金属 ２００〜１２０Å／ｍｉｎ Ｓｎ金属 １２〜 ６Å／ｍｉｎ ＲＦ放電電力 ８００〜９００Ｗ 膜厚 ９００〜１１００Å 上記透明薄膜層Ｈ1、Ｈ2の蒸着条件で、ポリカーボネー
ト樹脂基板上に厚さ１０００Åの単層コートを蒸着し、
断面の電子顕微鏡観察を行い、膜の構造を比較した。膜
の緻密性の高い膜Ｈ2は、膜の堆積状況が均一で、粒塊
が少なかった。一方、低い膜Ｈ1は粒塊の発生が多く、
ボソボソとした感じを与えた。
【００１０】図３のメニスカスタイプのプラスチックレ
ンズは、例えば眼鏡用レンズ等として用いられる。その
表面に電磁波低減反射防止コートを形成するとき、凸面
側に形成する。透明導電層の膜厚が１０００Å以上のと
き、図１または図２の構成の電磁波低減反射防止コート
は、一方向の内部応力（圧縮応力）を有している。その
ため、湾曲した基板の凹面にコートしたときは、６０
℃、９０％湿度環境に１週間放置すると、コート膜浮き
やコート色ムラが生じる。これに対して、凸面にコート
したときは、同様の環境テストにおいても、問題の発生
は少なく、実用上問題とならない。特に、メニスカスタ
イプの凸レンズでその効果は大きい。
ンズは、例えば眼鏡用レンズ等として用いられる。その
表面に電磁波低減反射防止コートを形成するとき、凸面
側に形成する。透明導電層の膜厚が１０００Å以上のと
き、図１または図２の構成の電磁波低減反射防止コート
は、一方向の内部応力（圧縮応力）を有している。その
ため、湾曲した基板の凹面にコートしたときは、６０
℃、９０％湿度環境に１週間放置すると、コート膜浮き
やコート色ムラが生じる。これに対して、凸面にコート
したときは、同様の環境テストにおいても、問題の発生
は少なく、実用上問題とならない。特に、メニスカスタ
イプの凸レンズでその効果は大きい。
【００１１】
【実施例】（実施例１）以下実施例を示す。図１におけ
る高屈折率の透明薄膜層Ｈ2を２種類の膜構造の積層体
として、図２の電磁波低減反射防止膜を得た。基材に近
い側を上記膜Ｈ1と同じ緻密性の低い膜構造の層Ｈ21と
し、基材に遠い側をより緻密性の高い膜構造の層Ｈ22と
する。それぞれの層Ｈ21、Ｈ22の蒸着条件は、それぞれ
上記の層Ｈ1、Ｈ2の蒸着条件と同じである。図２に示す
構成の電磁波低減反射防止コートの形成条件の１例は以
下の通りである。 基材 ポリカーボネート樹脂平板 Ｌ1層 真空蒸着法により形成した酸化シリコン層 蒸着材料 二酸化シリコン 酸素ガス圧（蒸着時） ３×１０~2ＰＡＳ 蒸着速度 ３Å／ｓｅｃ 基板温度 ９０℃に加熱 膜厚 １２５Å Ｈ1層 ＲＦイオンプレーティング蒸着法により形成した 酸化インジウム錫層 蒸着材料 酸化インジウム錫焼結体 酸素ガス圧（蒸着時） ２×１０~2ＰＡＳ 蒸着速度 １８０Å／ｓｅｃ 基板温度 ９０℃に加熱 ＲＦ放電電力 ７００Ｗ 膜厚 １５０Å Ｌ2層 真空蒸着法により形成した酸化シリコン層 蒸着材料 二酸化シリコン 酸素ガス圧（蒸着時） １．５×１０~2ＰＡＳ 蒸着速度 １０Å／ｓｅｃ 基板温度 ９０℃に加熱 膜厚 ２００Å Ｈ21層 ＲＦイオンプレーティング蒸着法により形成した 酸化インジウム錫層 蒸着条件 Ｈ1層と同じ 膜厚 １００Å Ｈ22層 ＲＦイオンプレーティング蒸着法により形成した 酸化インジウム錫層 蒸着材料 インジウム金属と錫金属 酸素ガス圧（蒸着時） ２×１０~2ＰＡＳ 蒸発速度 インジウム金属 １８０Å／分 錫 金属 ８Å／分 基板温度 ９０℃に加熱 ＲＦ放電電力 ８００Ｗ 膜厚 ９４０Å Ｌ3層 真空蒸着法により形成した酸化シリコン層 蒸着材料 二酸化シリコン 酸素ガス圧（蒸着時） ５×１０~3ＰＡＳ 蒸着速度 ４０Å／ｓｅｃ 基板温度 ９０℃に加熱 膜厚 ８００Å
る高屈折率の透明薄膜層Ｈ2を２種類の膜構造の積層体
として、図２の電磁波低減反射防止膜を得た。基材に近
い側を上記膜Ｈ1と同じ緻密性の低い膜構造の層Ｈ21と
し、基材に遠い側をより緻密性の高い膜構造の層Ｈ22と
する。それぞれの層Ｈ21、Ｈ22の蒸着条件は、それぞれ
上記の層Ｈ1、Ｈ2の蒸着条件と同じである。図２に示す
構成の電磁波低減反射防止コートの形成条件の１例は以
下の通りである。 基材 ポリカーボネート樹脂平板 Ｌ1層 真空蒸着法により形成した酸化シリコン層 蒸着材料 二酸化シリコン 酸素ガス圧（蒸着時） ３×１０~2ＰＡＳ 蒸着速度 ３Å／ｓｅｃ 基板温度 ９０℃に加熱 膜厚 １２５Å Ｈ1層 ＲＦイオンプレーティング蒸着法により形成した 酸化インジウム錫層 蒸着材料 酸化インジウム錫焼結体 酸素ガス圧（蒸着時） ２×１０~2ＰＡＳ 蒸着速度 １８０Å／ｓｅｃ 基板温度 ９０℃に加熱 ＲＦ放電電力 ７００Ｗ 膜厚 １５０Å Ｌ2層 真空蒸着法により形成した酸化シリコン層 蒸着材料 二酸化シリコン 酸素ガス圧（蒸着時） １．５×１０~2ＰＡＳ 蒸着速度 １０Å／ｓｅｃ 基板温度 ９０℃に加熱 膜厚 ２００Å Ｈ21層 ＲＦイオンプレーティング蒸着法により形成した 酸化インジウム錫層 蒸着条件 Ｈ1層と同じ 膜厚 １００Å Ｈ22層 ＲＦイオンプレーティング蒸着法により形成した 酸化インジウム錫層 蒸着材料 インジウム金属と錫金属 酸素ガス圧（蒸着時） ２×１０~2ＰＡＳ 蒸発速度 インジウム金属 １８０Å／分 錫 金属 ８Å／分 基板温度 ９０℃に加熱 ＲＦ放電電力 ８００Ｗ 膜厚 ９４０Å Ｌ3層 真空蒸着法により形成した酸化シリコン層 蒸着材料 二酸化シリコン 酸素ガス圧（蒸着時） ５×１０~3ＰＡＳ 蒸着速度 ４０Å／ｓｅｃ 基板温度 ９０℃に加熱 膜厚 ８００Å
【００１２】各膜層の膜厚および屈折率は、 である。この電磁波低減反射防止膜は、光学反射防止性
能、膜付き（テープ剥離テスト、クロスカット法）耐環
境性のいずれでも良好であり、シート抵抗は３０Ω／cm
2、電磁波遮蔽性能は２５ｄＢであった。
能、膜付き（テープ剥離テスト、クロスカット法）耐環
境性のいずれでも良好であり、シート抵抗は３０Ω／cm
2、電磁波遮蔽性能は２５ｄＢであった。
【００１３】（比較例１）実施例１においてＬ1層の蒸
着条件を酸素ガス圧５×１０~3ＰＡＳに、蒸着速度を４
０Å／ｓｅｃに変更した。他の条件は同じである。 （比較例２）実施例１においてＬ3層の蒸着条件をＬ1層
の蒸着条件と同じとした。ただし膜厚は８００Åであ
る。
着条件を酸素ガス圧５×１０~3ＰＡＳに、蒸着速度を４
０Å／ｓｅｃに変更した。他の条件は同じである。 （比較例２）実施例１においてＬ3層の蒸着条件をＬ1層
の蒸着条件と同じとした。ただし膜厚は８００Åであ
る。
【００１４】（実施例２）実施例１において、基材とし
てポリカーボネート樹脂に紫外線効果樹脂からなるハー
ドコートを形成したものを用い、Ｈ1層の蒸着時の酸素
ガス圧を３×１０~2ＰＡＳとし、ＲＦ放電電力６５０Ｗ
を印加、また、Ｌ3層蒸着時の酸素ガス圧を３×１０~3
ＰＡＳ、蒸着速度を５０Å／ｓｅｃとした。他の条件は
実施例１と同じである。
てポリカーボネート樹脂に紫外線効果樹脂からなるハー
ドコートを形成したものを用い、Ｈ1層の蒸着時の酸素
ガス圧を３×１０~2ＰＡＳとし、ＲＦ放電電力６５０Ｗ
を印加、また、Ｌ3層蒸着時の酸素ガス圧を３×１０~3
ＰＡＳ、蒸着速度を５０Å／ｓｅｃとした。他の条件は
実施例１と同じである。
【００１５】（実施例３）実施例１において、Ｈ1層
を、蒸着材料として酸化インジウムと酸化亜鉛の混合焼
結体を用い、ＲＦイオンプレーティング蒸着法により形
成した酸化インジウムと酸化亜鉛の混合層とした。Ｈ21
層はＨ1層と同じ混合層とし、膜厚を１１０Åとする。
Ｈ22層はＲＦイオンプレーティング蒸着法により形成し
た酸化インジウムと酸化亜鉛の混合層とした。蒸着材料
としてはインジウム金属と亜鉛金属を用い、酸素圧力２
×１０~2ＰＡＳ下で蒸着速度はインジウム金属で１７０
Å／ｓｅｃ、亜鉛金属で５Å／ｓｅｃとした。他は実施
例１と同じである。
を、蒸着材料として酸化インジウムと酸化亜鉛の混合焼
結体を用い、ＲＦイオンプレーティング蒸着法により形
成した酸化インジウムと酸化亜鉛の混合層とした。Ｈ21
層はＨ1層と同じ混合層とし、膜厚を１１０Åとする。
Ｈ22層はＲＦイオンプレーティング蒸着法により形成し
た酸化インジウムと酸化亜鉛の混合層とした。蒸着材料
としてはインジウム金属と亜鉛金属を用い、酸素圧力２
×１０~2ＰＡＳ下で蒸着速度はインジウム金属で１７０
Å／ｓｅｃ、亜鉛金属で５Å／ｓｅｃとした。他は実施
例１と同じである。
【００１６】（実施例４）実施例１において、Ｈ21層を
Ｈ22層と同じ条件でコートした。他は実施例１と同じで
ある。
Ｈ22層と同じ条件でコートした。他は実施例１と同じで
ある。
【００１７】（実施例５）メニスカス形状のポリカーボ
ネート樹脂成形のレンズの凸面に、実施例１の電磁波低
減反射防止コートを形成した。 （比較例３）実施例５において、凸面ではなく凹面に実
施例１のコートを形成した。
ネート樹脂成形のレンズの凸面に、実施例１の電磁波低
減反射防止コートを形成した。 （比較例３）実施例５において、凸面ではなく凹面に実
施例１のコートを形成した。
【００１８】上記実施例と比較例との評価を下の表に示
す。
す。
【表２】 シート抵抗（Ω／cm2）は４端針法で測定した。 自動分光光度計で測定した。 テープ剥離テスト（クロスカット法）による。 コート残留マス目の割合（Ｆ） 〇 Ｆ≧９０％ △ ９０＞Ｆ≧７０％ × ７０＞Ｆ ６０℃、９０％湿度に１週間放置後、外観評価による。 〇 膜浮き、色ムラなし（実用上非常に良好） △ 膜浮きなし、色ムラあり（実用上問題なし） × 膜浮き、色ムラあり（実用上不十分） 入力信号１００ＭＨｚの電磁波における減衰率を測定した。２５ｄＢ以上で 実用上良好 スチールウール(メッシュ００００)、５０ｇ荷重で擦り、傷の出方を見る。 〇 微小傷 （実用上問題なし） × 傷多し（実用上問題）
【００１９】
【発明の効果】本発明の電磁波低減反射防止膜は、構成
する各層の条件を最適に選ぶことにより、従来の電磁波
低減反射防止膜に比して特に複雑化することもなく、オ
フィスオートメーション機器、テレビのブラウン管や他
の機器から発生する電磁波を有効に遮蔽することが出
来、視界を妨げることがなく、目の疲労を少なくするこ
とが出来る耐環境性に優れたものを得ることが出来た。
する各層の条件を最適に選ぶことにより、従来の電磁波
低減反射防止膜に比して特に複雑化することもなく、オ
フィスオートメーション機器、テレビのブラウン管や他
の機器から発生する電磁波を有効に遮蔽することが出
来、視界を妨げることがなく、目の疲労を少なくするこ
とが出来る耐環境性に優れたものを得ることが出来た。
【図１】本発明の電磁波低減反射防止膜の１実施例の膜
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図２】本発明の電磁波低減反射防止膜の他の実施例の
膜構成を示す断面図である。
膜構成を示す断面図である。
【図３】本発明の電磁波低減反射防止膜をメニスカスレ
ンズに実施した場合の説明図である。
ンズに実施した場合の説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 新吾 東京都八王子市石川町2970番地 コニカ株 式会社内 (72)発明者 太田 達男 東京都八王子市石川町2970番地 コニカ株 式会社内 Ｆターム(参考） 2K009 AA08 AA10 BB24 CC03 CC14 DD03 DD07 EE03 4F100 AA17C AA17E AA20B AA20D AA20E AK45 AT00A BA05 BA07 BA26 BA26C BA26E EH66 GB41 JD08 JG01C JG01E JK09 JM02B JM02C JM02D JM02E JN01A JN06 JN18B JN18C JN18D JN18E 5G435 AA00 DD12 FF03 FF14 GG33 HH03 KK07 LL04 LL06 LL08 LL12
Claims (12)
- 【請求項１】 透明基材から順に、第１の低屈折率層、
第１の高屈折率層、第２の低屈折率層、第２の高屈折率
層、第３の低屈折率層の５層の順次積層された透光性薄
膜で構成され、 上記第２の高屈折率透光性薄膜層のシート抵抗が、１０
０Ω／cm2以下であり、 かつ、上記第１、第２、第３の低屈折率の透光性薄膜の
材料は酸化シリコンであり、上記第１と第３の低屈折率
膜の構造が異なっていることを特徴とする電磁波低減反
射防止膜 - 【請求項２】 上記第３の低屈折率膜の緻密性を上記第
１の低屈折率膜の緻密性より高くしたことを特徴とする
請求項１の電磁波低減反射防止膜 - 【請求項３】 上記第１、第２の高屈折率の透光性薄膜
を透明導電層とし、上記第１の膜の構造と第２の膜の構
造を異なるものとしたことを特徴とする請求項１あるい
は請求項２の電磁波低減反射防止膜 - 【請求項４】 上記第２の高屈折率透明伝導層を、２種
類の膜の積層によって構成したことを特徴とする請求項
３の電磁波低減反射防止膜 - 【請求項５】 上記２種類の膜は、基材に近い側を緻密
性の低い膜とし、基材より遠い側を緻密性の高い膜とし
たことを特徴とする請求項４の電磁波低減反射防止膜 - 【請求項６】 上記２種類の膜は、基材に近い側を粒塊
状に成長した構造の膜とし、基材より遠い側を粒塊が少
なく均一性の高い構造の膜としたことを特徴とする請求
項４あるいは請求項５の電磁波低減反射防止膜 - 【請求項７】 上記第１の高屈折率透明導電層を１種類
の膜構造で形成したことを特徴とする請求項３ないし請
求項６のいずれかの電磁波低減反射防止膜 - 【請求項８】 上記第１の高屈折率透明導電層を緻密性
の低い膜構造としたことを特徴とする請求項７の電磁波
低減反射防止膜 - 【請求項９】 上記第１の高屈折率透明導電層を粒塊状
に成長した膜構造としたことを特徴とする請求項７ある
いは請求項８の電磁波低減反射防止膜 - 【請求項１０】 上記高屈折率透明導電層を酸化インジ
ウムあるいは酸化インジウムと錫の混合物としたことを
特徴とする請求項３ないし請求項９のいずれかの電磁波
低減反射防止膜 - 【請求項１１】 請求項１ないし請求項１０のいずれか
の電磁波低減反射防止膜をその凸面部に設けたことを特
徴とする反射防止膜を有する光学部材 - 【請求項１２】 上記光学部材はメニスカスレンズであ
り、その凸面部に上記電磁波低減反射防止膜を設けたこ
とを特徴とする請求項１１の反射防止膜を有するレンズ
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22245998A JP3952603B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 電磁波低減反射防止膜および該反射防止膜を有する光学部材 |
| US09/358,557 US6319598B1 (en) | 1998-07-23 | 1999-07-22 | Electromagnetic wave attenuating transparent member |
| EP99114415A EP0975207B1 (en) | 1998-07-23 | 1999-07-22 | Electromagnetic wave attenuating transparent member |
| DE69935050T DE69935050D1 (de) | 1998-07-23 | 1999-07-22 | Durchsichtiges Element zur Dämpfung von elektromagnetischen Wellen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22245998A JP3952603B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 電磁波低減反射防止膜および該反射防止膜を有する光学部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000039502A true JP2000039502A (ja) | 2000-02-08 |
| JP3952603B2 JP3952603B2 (ja) | 2007-08-01 |
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ID=16782754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22245998A Expired - Fee Related JP3952603B2 (ja) | 1998-07-23 | 1998-07-23 | 電磁波低減反射防止膜および該反射防止膜を有する光学部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3952603B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| GB2431931A (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | Fu Ching Technologies Co Ltd | Anti-reflection layer and manufacturing method and apparatus |
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-
1998
- 1998-07-23 JP JP22245998A patent/JP3952603B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3952603B2 (ja) | 2007-08-01 |
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