KR101205005B1 - 투명전도성 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

투명전도성 기판 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR101205005B1 KR1020120047097A KR20120047097A KR101205005B1 KR 101205005 B1 KR101205005 B1 KR 101205005B1 KR 1020120047097 A KR1020120047097 A KR 1020120047097A KR 20120047097 A KR20120047097 A KR 20120047097A KR 101205005 B1 KR101205005 B1 KR 101205005B1
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윤정흠
이건환
박연현
이성훈
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한국기계연구원
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Abstract

투명전도성 기판 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 의하면, 빛의 투과가 가능한 베이스 기판을 준비하고, 상기 베이스 기판에 복수의 돌기형 구조체와 반사방지 투명전도층을 형성하여 전도성 반사방지층을 형성하는 투명전도성 기판 및 그 제조 방법이 제공된다.

Description

투명전도성 기판 및 그 제조 방법{Transparent and conductive substrate and manufacturing method thereof}
본 발명은 투명전도성 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 터치스크린은 휴대폰, 스마트폰, 태블릿 PC와 같은 휴대용 전자 기기에 많이 적용되고 있다. 터치스크린과 더불어 EL 백라이트, 전자파 보호 부재, 태양 전지 등이 등장하면서, 폴리머를 기반으로 하는 투명전도성 기판의 사용이 증대되고 있다.
폴리머 기반 투명전도성 기판은, 폴리머 베이스 기판에 투명전도층이 코팅된 기판으로, 투명한 광학적 효과를 가지면서도 전기가 통할 수 있는 투명 전극 기판이다.
이러한 폴리머 기반 투명전도성 기판에 대하여 전기적 전도성 및 높은 광학적 투명성이 요구되고 있으나, 현재로서는 이러한 전기적 특성 및 광학적 특성을 동시에 구현하기에는 다소 무리가 있는 실정이다.
이와 관련된 기술로 공개특허 제1010-0136515호(2011.12.21 공개. 염료감응 태양전지 단위 셀 및 이를 이용한 염료감응 태양전지모듈의 제작 방법)가 있다.
본 발명의 목적은 폴리머 베이스 기판의 제1면에 전도성 반사방지층을 형성하여, 전기적 특성 및 광학적 특성을 동시에 가지는 투명전도성 기판을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 폴리머 베이스 기판의 제2면에 보호층을 형성하여, 이물질 투과를 차단하고 외부 환경으로부터 기판을 보호하는 기능을 가지는 투명전도성 기판을 제공함에 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 빛의 투과가 가능한 베이스 기판을 준비하는 단계; 및 상기 베이스 기판의 제1면에 전도성 반사방지층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 전도성 반사방지층을 형성하는 단계는, 건식 에칭 방법을 이용하여, 상기 제1면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및 투명전도성 물질의 증착에 의해, 상기 복수의 돌기형 구조체 상에 반사방지 투명전도층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법이 제공된다.
바람직하게는 상기 반사방지 투명전도층은, 상기 투명전도성 물질의 증착에 의해 형성되는 연속전도층 및 전도성 반사방지 구조체를 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판은 강화코팅층을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판은 불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 복수의 돌기형 구조체는 플라즈마 에칭 방법 또는 이온빔 에칭 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 건식 에칭 방법은 Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체를 사용할 수 있다.
상기 전도성 반사방지 구조체는 서로 인접하게 배치하여 형성될 수 있다.
상기 전도성 반사방지 구조체는 구 형상일 수 있다.
상기 투명전도성 물질은 Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물일 수 있다.
상기 반사방지 투명전도층은 스퍼터링(sputtering) 방법으로 형성될 수 있다.
상기 반사방지 투명전도층은 30nm 이상 110nm 이하의 두께로 형성될 수 있다.
바람직하게는 투명전도성 기판 제조 방법은 상기 베이스 기판의 제2면에 형성되는 보호층을 더 포함할 수 있다.
상기 보호층은, Si, Al, Zn, Ti의 산화물 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 빛의 투과가 가능한 베이스 기판; 및
상기 베이스 기판의 제1면에 형성된 전도성 반사방지층을 포함하되, 상기 전도성 반사방지층은, 건식 에칭 방법을 이용하여, 상기 베이스 기판의 제1면에 형성된 복수의 돌기형 구조체; 및 투명전도성 물질의 증착에 의해, 상기 복수의 돌기형 구조체 상에 형성된 반사방지 투명전도층을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 기판이 제공된다.
바람직하게는 상기 반사방지 투명전도층은, 연속전도층 및 전도성 반사방지 구조체를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 투명전도성 기판 제조 방법은 상기 베이스 기판의 제2면에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명은 폴리머 베이스 기판 제1면에 전도성 반사방지층을 형성함으로써, 투명전도성 기판의 광투과 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 폴리머 베이스 기판 제2면에 보호층을 구비함으로써, 베이스 기판을 보호하고, 기판 자체의 경도를 강화시키는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판을 나타낸 개략도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판의 실제 구조를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 순서도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 공정도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 투명전도층의 두께에 따른 반사방지 특성을 도시한 그래프.
도 6은 발명의 일 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따른 반사방지 특성을 도시한 그래프.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따른 전도성 반사방지 구조체의 실제 간격을 나타낸 도면.
도 8은 본 발명의 일 실 시예에 따른 서로 인접하게 배열된 전도성 반사방지 구조체를 나타낸 도면.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 반사방지층에 의해 반사방지 특성이 향상된 정도를 도시한 그래프.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 본 발명에 따른 투명전도성 기판 및 그 제조 방법의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판을 나타낸 개략도, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판의 실제 구조를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판은 베이스 기판(100), 전도성 반사방지층(220) 및 보호층(270)을 포함한다.
베이스 기판(100)은 빛의 투과가 가능하도록, 불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다.
베이스 기판(100)은 강화코팅층을 포함할 수 있다. 강화코팅층은, 베이스 기판(100)의 강도 및 경도 등과 같은 물리적 특성을 향상시킬 수 있으며, 이후 베이스 기판(100)에 적층되는 전도성 반사방지 구조체(260)의 접착력 역시 향상시킬 수 있다. 또한, 강화코팅층 중 AR(반사방지)코팅층이나 Index Matching 코팅층은 베이스 기판(100)의 광학적 특성을 향상시킬 수도 있다.
강화코팅층의 형성을 위하여 사용되는 폴리머 도료는, 아크릴계, 폴리우레탄계, 에폭시계 및 프라이머계 도료 중에서 적어도 어느 하나 이상으로 이루어지는 폴리머 도료일 수 있으며, 무기 미립자인 금속산화물, 황화물, 알루미나, 실리카, 산화지르코늄, 산화철 등을 상술한 폴리머 도료에 섞어서 형성될 수 있다.
이 외에도 베이스 기판(100)에 상술한 효과를 발휘시킬 수 있는 폴리머 도료라면 본 발명의 실시 범위에 포함될 수 있을 것이다.
전도성 반사방지층(220)은 베이스 기판(100)의 제1면에 형성되며, 복수의 돌기형 구조체(230) 및 반사방지 투명전도층(240)을 포함한다.
복수의 돌기형 구조체(230)는 건식 에칭 방법을 이용하여 베이스 기판(100)의 제1면에 형성된 구조체이다.
반사방지 투명전도층(240)은 상기 복수의 돌기형 구조에 연속적으로 형성되는 연속전도층(250)과 빛의 반사를 방지하는 전도성 반사방지 구조체(260)를 포함한다. 도 2에는 반사방지 투명전도층(240)을 포함하는 투명전도성 기판의 실제 구조가 도시되어 있다.
반사방지 투명전도층(240)을 형성하는 투명전도성 물질(transparent electroconductive material)은 Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti의 산화물이나 이들 물질간의 화합물로 이루어진 산화물일 수 있다. 주로 사용되는 반사방지 투명전도층(240)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), GZO(Gallium Znic Oxide) 등이 있으며, 두 물질 이상의 산화물이 다층구조로 형성될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지 투명전도층의 두께에 따른 반사방지 특성을 도시한 그래프이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 반사방지 투과 특성이 나타나는 영역은 반사방지 투명전도층(240)의 두께가 증가할수록 장파장대로 이동하고, 반사방지 투명전도층(240)의 두께가 110nm 이상이 되면 600nm 파장 이상의 가시광선만 투과된다. 반사방지 투명전도층(240)의 두께가 114nm 이상이 되면 투과되는 가시광선 영역이 극히 제한적으로 되므로, 투명전도성 기판의 반사방지 특성을 잃게 된다.
따라서, 반사방지 투명전도층(240)은 30nm 이상 110nm 이하의 두께로 형성될 수 있다. 상기 두께로 형성되는 반사방지 투명전도층(240)을 포함하는 투명전도성 기판은 터치스크린 등에 사용되기에 적합하다.
한편, 투명전도성 기판이 터치스크린 등에 사용되기 위하여, 반사방지 투명전도층(240) 면저항은 100Ω/□ 이상 1000Ω/□ 이하에서 제어될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 연속전도층(250)은 복수의 돌기형 구조체(230)와 전도성 반사방지 구조체(260) 사이에 투명전도성 물질에 의해 연속적으로 형성된 층이다. 연속전도층(250)은 반사방지 투명전도층(240) 전체가 전도성을 가질 수 있게 한다.
전도성 반사방지 구조체(260)는 복수의 돌기형 구조체(230)와 연속전도층(250) 상부에 형성된 구조체이다. 전도성 반사방지 구조체(260)는 구 형상으로 형성될 수 있다.
투명전도성 기판의 광학적 특성은 전도성 반사방지층(220)에 포함된 전도성 반사방지 구조체(260)의 직경 및 배열 간격에 의해 제어된다. 전도성 반사방지 구조체(260)의 직경은 전도성 반사방지 구조체(260)가 형성되는 과정 중의 공정 조건과 시간의 제어를 통해 조절될 수 있다. 한편, 전도성 반사방지 구조체(260)의 배열 간격은 전도성 반사방지 구조체(260)가 형성되는 복수의 돌기형 구조체(230) 간의 간격의 제어를 통해 조절될 수 있다.
복수의 돌기형 구조체(230)의 간격은, 플라즈마 파워 또는 에칭 노출 시간을 조절하여 제어될 수 있다. 에칭 노출 시간은 베이스 기판(100)을 플라즈마에 노출하여 베이스 기판(100)의 제1면을 에칭하는 시간을 말한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따른 반사방지 특성을 도시한 그래프이다. 도 6에 도시된 것과 같이, 투명전도성 기판의 광학적 특성이 나타나는 가시광선의 영역은, 에칭 노출 시간이 3분인 경우에 가장 넓으며, 에칭 노출 시간이 7분인 경우에 가장 좁다. 에칭 시간이 7분 이상이 되면, 장파장(약 650nm 이상)에서만 광학적 특성이 나타난다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따라 제공되는 복수의 돌기형 구조체(230)를 형성하기 위하여, 베이스 기판(100)의 에칭 노출 시간은 7분 미만으로 제어하는 것이 바람직하다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 베이스 기판의 에칭 노출 시간에 따른 전도성 반사방지 구조체(260)의 실제 간격을 나타낸 도면이다. 에칭 노출 시간을 조절하여 전도성 반사방지 구조체(260)의 간격을 제어할 수 있다. 도 7에 도시된 것과 같이, 에칭 노출 시간을 1분, 3분, 7분으로 설정함에 따라, 전도성 반사방지 구조체(260)의 간격은 커짐을 알 수 있다.
반사방지 투명전도층(240)의 밀도가 전도성 반사방지 구조체(260)의 간격이 달라지면 달라지므로, 반사방지 투명전도층(240)의 굴절률이 달라질 수 있다. 따라서 투명전도성 기판의 광학적 특성은 전도성 반사방지 구조체(260)의 간격을 조절하여 제어될 수 있다. 전도성 반사방지 구조체(260)는 빛의 투과 효율을 증가시키고 빛의 반사를 방지하기 위하여 200nm 이하의 간격으로 조절될 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 서로 인접하게 배열된 반사방지 구조체를 나타낸 도면이다. 도 8에 도시된 것과 같이, 전도성 반사방지 구조체(260)가 서로 인접하게 배치되면, 그렇지 않은 경우에 비하여 전도성 반사방지층(220)의 광학적 특성이 증대될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 전도성 반사방지층(220)에 의해 반사방지 특성이 향상된 정도를 도시한 그래프이다. 도 9에 도시된 것과 같이, 반사방지 투명전도층(240)을 형성한 본 발명은, 90nm 두께의 ITO 연속박막으로 투명전도층을 형성하는 것에 비하여 빛 투과도가 높아지므로 광학적 특성이 향상된 투명전도성 기판을 제공할 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 보호층(270)은 베이스 기판(100)의 제2면에 형성되며 외부 환경으로부터 베이스 기판(100)을 보호하는 층이다. 보호층(270)은 산소, 물 등과 같이 베이스 기판(100)에 흡수되어 베이스 기판(100)을 오염시키거나, 투명전도성 기판의 불량을 발생시킬 수 있는 이물의 투과를 방지한다. 또한 투명전도성 기판 자체의 경도를 강화시킬 수도 있다.
이상에서 서술한 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 의하여, 폴리머 베이스 기판(100) 제1면에 복수의 돌기형 구조체(230)를 형성하고, 투명전도성 물질을 증착하여 연속전도층(250)과 전도성 반사방지 구조체(260)를 포함한 반사방지 투명전도층(240)을 형성하게 되면, 전도성 반사방지층(220)을 용이하게 제어할 수 있으므로, 광학적 특성이 향상된 투명전도성 기판이 제공될 수 있고, 베이스 기판(100)의 제2면에 보호층을 구비하여 보호 기능이 구비된 투명전도성 기판이 제공될 수 있다.
이하에서는 전술한 투명전도성 기판을 제조하는 방법에 대해 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 순서도, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판을 제조하는 방법을 순서대로 나타낸 공정도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명전도성 기판의 제조 방법은 베이스 기판(100) 준비 단계(S100), 전도성 반사방지층(220) 형성 단계(S500), 및 보호층(270) 형성 단계(S600)를 포함한다.
베이스 기판(100) 준비 단계(S100)는, 빛의 투과가 가능한 재질로 이루어진 베이스 기판(100)을 준비하는 단계이다.
전도성 반사방지층(220) 형성 단계(S500)는, 복수의 돌기형 구조체(230) 형성 단계(S510) 및 반사방지 투명전도층(240) 형성 단계(S520)를 포함한다.
복수의 돌기형 구조체(230) 형성 단계(S510)는, 건식 에칭 방법을 이용하여 베이스 기판(100)의 제1면에 복수의 돌기형 구조체(230)를 형성하는 단계이다.
건식 에칭 방법은 정밀하고 정확하게 복수의 돌기형 구조체(230)의 형성을 제어할 수 있다. 건식 에칭 방법은 스퍼터링(sputtering) 공정에서 사용하는 이온빔 에칭 방법일 수 있다. 그 방법의 단계는 다음과 같다.
먼저, 베이스 기판(100)이 진공 챔버(chamber) 내에 거치된다. 저진공펌프와 고진공펌프를 이용하여 진공 챔버 내부의 진공도는 1x10-5torr로 유지된다. 이때 이온빔 장치가 작동하여, 베이스 기판(100) 상에 존재하는 흡착가스 입자들과 오염물질을 제거하게 된다. 이온빔 장치는 필라멘트로부터 열전자를 방출하여 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마에 존재하는 이온들을 가속시켜 방출하는 엔드홀(end-hall) 방법이 사용되어 작동할 수 있다.
보다 상세하게는, 이온빔 에칭 방법은, 진공 챔버 내부에 Ar 혼합가스를 주입하여 5x10-5torr 내지 5x10-4torr의 진공도가 유지되고, 필라멘트의 파워가 약 400W(20A x 20V), 이온빔 장치의 파워가 180W(2A x 90V)로 설정되며, 10분 이하에서 실시될 수 있다.
건식 에칭 방법은 플라즈마 에칭 방법일 수 있다. 이때, 플라즈마 에칭 방법에 사용되는 물질은, Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 베이스 기판(100)이 상술한 기체 물질 중 적어도 어느 하나의 기체를 포함하여 형성되는 플라즈마에 노출되면 베이스 기판(100)의 제1면이 에칭되어 복수의 돌기형 구조체(230)가 형성될 수 있다. 다만, 플라즈마 에칭 방법으로 복수의 돌기형 구조체(230)를 형성하는 경우, 후술할 반사방지 투명전도층(240)과 다른 챔버에서 형성된다.
반사방지 투명전도층(240) 형성 단계(S520)는, 베이스 기판(100)의 제1면에 형성된 복수의 돌기형 구조체(230)에 투명전도성 물질을 증착시킴으로써, 복수의 돌기형 구조체(230)에 연속적으로 형성되는 연속전도층(250)과 전도성 반사방지 구조체(260)를 형성하는 단계이다.
연속전도층(250)은 전도성 반사방지 구조체(260) 아래에 함께 형성됨으로써 반사방지 투명전도층(240) 전체가 전도성을 가질 수 있게 된다. 이때, 연속전도층(250)과 전도성 반사방지 구조체(260)는 동시에 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른, 투명전도성 물질을 증착하여 반사방지 투명전도층(240)을 형성하는 방법은 스퍼터링(sputtering) 방법이 될 수 있으며, 그 방법의 단계는 다음과 같다.
먼저, 진공 챔버(chamber) 내에 베이스 기판(100)이 거치된다. 저진공펌프와 고진공펌프를 이용하여 진공 챔버 내부의 진공도가 2x10-5torr로 유지된다. 그 다음, Ar 작업 가스가 주입되고, 작업진공도는 2x10-3torr에 도달한다. 그 후, 투명전도성 물질이 부착된 스퍼터링 타겟에 연결되어 있는 플라즈마 발생전원에 전원이 인가(impression)되고, 플라즈마가 발생하여, 상기 투명전도성 물질이 베이스 기판(100) 제1면에 증착된다.
투명전도성 물질을 증착하여 반사방지 투명전도층(240)을 형성하는 방법의 구체적인 실시예는 다음과 같다.
- 베이스 기판 : PET 두께 125, 투과도 90%
- 초기 진공도 : 2x10-5torr
- 산화물계 투명전도층 코팅
- 스퍼터링 타겟 : ITO
- 작업가스 : Ar+ (O2)
- 작업진공도: 2x10-3torr
- RF 전력: 200W (타겟 넓이 400cm2)
투명전도성 물질 증착 초기에는 복수의 돌기형 구조체(230) 및 복수의 돌기형 구조체(230) 사이의 골짜기(valley)에 균일하게 투명전도성 물질이 증착되어 연속전도층(250)이 형성된다. 그러나 증착 시간이 점차 지나면서 음영 효과(shadow effect)가 발생한다. 즉, 베이스 기판(100)에 도달하는 투명전도성 물질이 복수의 돌기형 구조체(230) 및 복수의 돌기형 구조체(230) 상부에 형성된 연속전도층(250)에 가려져서 복수의 돌기형 구조체(230) 사이의 골짜기까지 도달하지 못하게 된다. 그 결과, 무기물 입자는 복수의 돌기형 구조체(230) 상부에 형성된 연속전도층(250)의 상부에만 증착되어 전도성 반사방지 구조체(260)를 형성한다. 이때, 전도성 반사방지 구조체(260)는 구 형상으로 형성될 수 있다.
보호층(270) 형성 단계(S600)는, 외부 환경으로부터 베이스 기판(100)을 보호하고, 베이스 기판(100) 자체의 경도를 강화시키는 보호층(270)을 베이스 기판(100)의 제2면에 에칭 과정 없이 연속적으로 형성하는 단계이다.
보호층(270)은, 화학적 증기 증착법 또는 물리적 증기 증착법을 이용하여 Si, Al, Zn, Ti 등의 산화물을 증착함으로써 형성될 수 있다.
이상, 본 발명의 일 실시예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
100 : 베이스 기판
220 : 전도성 반사방지층
230 : 돌기형 구조체
240 : 반사방지 투명전도층
250 : 연속전도층
260 : 전도성 반사방지 구조체
270 : 보호층

Claims (28)

  1. 빛의 투과가 가능한 베이스 기판을 준비하는 단계; 및
    상기 베이스 기판의 제1면에 건식 에칭 방법을 이용하여, 상기 제1면에 복수의 돌기형 구조체를 형성하는 단계; 및
    상기 복수의 돌기형 구조체 상에 투명전도성 물질의 증착에 의해 형성되는 연속전도층 및 전도성 반사방지 구조체를 포함하는 반사방지 투명전도층을 형성하는 단계를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판은,
    강화코팅층을 포함하는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판은,
    불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 돌기형 구조체는,
    플라즈마 에칭 방법 또는 이온빔 에칭 방법을 이용하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 건식 에칭 방법은,
    Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체를 사용하는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 돌기형 구조체의 배열 간격은 에칭 노출 시간을 제어하여 조절되는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 에칭 노출 시간은 7분 미만으로 하는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 반사방지 구조체는,
    서로 인접하게 배치하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 전도성 반사방지 구조체는,
    구 형상인 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 투명전도성 물질은,
    Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물인 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 반사방지 투명전도층은,
    스퍼터링(sputtering) 방법으로 형성되는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 반사방지 투명전도층은,
    30nm 이상 110nm 이하의 두께로 형성되는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 제2면에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 보호층은, Si, Al, Zn 및 Ti의 산화물 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판 제조 방법.
  16. 빛의 투과가 가능한 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 제1면에 건식 에칭 방법을 이용하여 형성되는 복수의 돌기형 구조체; 및
    상기 복수의 돌기형 구조체 상에 투명전도성 물질의 증착에 의해 형성되는 연속전도층 및 전도성 반사방지 구조체를 포함하는 반사방지 투명전도층을 포함하는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
  17. 삭제
  18. 제16항에 있어서,
    상기 베이스 기판은,
    강화코팅층을 포함하는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 베이스 기판은,
    불소계 투명 폴리머 필름, 아크릴계 투명 폴리머필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트계열 투명 폴리머 필름, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리시클로올레핀, CR39 및 폴리우레탄(polyiourethane)에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
  20. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 돌기형 구조체는,
    플라즈마 에칭 방법 또는 이온빔 에칭 방법을 이용하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
  21. 제16항에 있어서,
    상기 건식 에칭 방법은,
    Ar, O2, H2, He 및 N2에서 선택된 적어도 어느 하나의 기체를 사용하는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
  22. 제16항에 있어서,
    상기 전도성 반사방지 구조체는
    서로 인접하게 배치하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
  23. 제16항에 있어서,
    상기 전도성 반사방지 구조체는,
    구 형상인 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
  24. 제16항에 있어서,
    상기 투명전도성 물질은,
    Zn, Cd, In, Ga, Sn 및 Ti에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물인 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
  25. 제16항에 있어서,
    상기 반사방지 투명전도층은,
    스퍼터링(sputtering) 방법으로 형성되는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
  26. 제16항에 있어서,
    상기 반사방지 투명전도층은,
    30nm 이상 110nm 이하의 두께로 형성되는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
  27. 제16항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 제2면에 형성된 보호층을 더 포함하는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 보호층은, Si, Al, Zn, 및 Ti의 산화물 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 형성되는 것
    을 특징으로 하는 투명전도성 기판.
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