JP7039392B2 - メッシュ電極材料 - Google Patents
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Description
本実施形態の導体層101は、所定形状にパターン化された金属箔からなる。金属箔からなる導体層101は、金属蒸着膜等からなる導体層と異なり、折り曲げても断線しにくいために、十分なフレキシブル性を実現することができる。導体層101は有機EL素子の発光層等の機能性有機層と当接する。
透明樹脂層102は、パターン化された導体層101の開口部を埋めるように、導体層101の周囲に設けられている。少なくとも第1の面111において、透明樹脂層102は導体層101を覆っておらず、導体層101の表面が露出している。
本実施形態のメッシュ電極材料100は、例えば以下のようにして形成することができる。
メッシュ電極材料の表面抵抗は、対象試料の対角線上にある2つの角点の間の抵抗値を抵抗計(三和電気計器株式会社製、RD701 DIGITALMULTIMETER)を用いて測定し、これを対象試料の面積で除することによって求めた。
対象試料の屈曲試験前後の表面抵抗を測定し、表面抵抗の低下率を求めた。屈曲試験は、塗膜屈曲試験機を用いて、10mmφのマンドレルで10回行った。
平滑性は走査型プローブ顕微鏡(セイコーインスツルメンツ株式会社製、Nanopics1000)を用いて、ダンピング方式(非接触)により測定した。80μm×80μmの矩形の視野について表面形状測定を行い、得られた観察結果に対して、最小二乗近似によって曲面を求めてフィッティングを行う3次曲面自動傾き補正で試料の傾きを補正し、表面粗さを算出した。なお、表面粗さは、JIS B0601(1982年版)で定義されている中心線平均粗さRaを、観察された表面全体に対して適用できるように三次元に拡張して算出した値である。
光透過率は、紫外可視分光光度計(日本分光株式会社製、V570)を用いて測定した。波長400nm~800nmの範囲内で均等に400点の透過率を測定し、これらの平均値を光透過率として算出した。また、これらの最大値と最小値との差を光透過率の波長依存性とした。
表面の濡れ性は、プラスチック‐フィルム及びシート‐ぬれ張力試験方法(JIS‐K‐6768)に準拠して測定した。
UV/オゾン洗浄をした後の試料に対して、塗布性を評価した。UV/オゾン洗浄は、洗浄改質装置(サンエナジー株式会社製、SKB401Y-02)により行った。UV照射条件は、波長254nm、照度10.0mW/cm2とし、洗浄時間は1分、5分、10分とした。洗浄後の試料に対して、ポリエチレンジキシチオフェン―ポリスチレンスルホナート(PEDOT/PSS)(sigma aldrich社製)を、スピンコータ(ミカサ株式会社製、SpinCoater MS-A150)を用いて、3000rpmの回転数で塗布した。塗布後の試料を目視により確認し、試料全面に塗布ができた場合を良好、全面に塗布ができなかった場合を不良とした。
7cm×7cmで厚さ15μm(算術平均粗さRa:7nm)のアルミニウム箔(東洋アルミニウム株式会社製)の一方の表面(主面)に難付着性の接着剤を塗布し、100℃で乾燥させた後、この接着剤側の塗布面に基材を貼り合わせ、50℃で4日間エージングした。基材は厚さ38μmのPETフィルム(帝人フィルムソリューションズ株式会社製)とした。
導電層の線幅を150μmとし、ピッチが3000μmで配線密度を10%とした以外は実施例1と同様にした。
透明樹脂をシリコーン樹脂(セラミックコート株式会社製、SPクリアーHT)とした以外は実施例1と同様にした。
アルミニウム箔を厚さが16.5μmの銅箔(純度99.96%)とした以外は実施例1と同様にした。
導体層の線幅を75μm、ピッチを600μm(配線密度21%)とした以外は実施例1と同様にした。
アルミニウム箔を厚さが7μmの銅箔(純度99.9%以上)とし、導体層の線幅を3.5μmとした以外は実施例1と同様にした。
透明樹脂をフッ素樹脂(関東電化工業株式会社、エフクリアKD270)とした以外は実施例1と同様にした。
透明樹脂をポリイミド樹脂(株式会社I.S.T、Pyre-ML)とした以外は実施例1と同様にした。
透明樹脂を半透明の撥水性シリコーン樹脂(セラミックコート株式会社製)とした以外は実施例1と同様にした。
真空スパッタリングによりPETフィルムからなる基材の上にITOを277nmの膜厚で成膜して試料を得た。
真空蒸着法により基材フィルムの上に厚さが100nmのアルミニウム蒸着膜を成膜した後、メッシュ形状フォトマスクを用いてUVにより露光、現像し、ドライフィルムレジストが残っていない部分を塩化鉄(II)水溶液を用いてエッチングを行った。さらにその表面に真空スパッタリングによってITOを200nmの膜厚で積層してパターン化された導体層を形成した。導体層は、線幅が75μmで、ピッチが1500μmの格子状とし、配線密度は10%とした。
101 導体層
102 透明樹脂層
105 透明支持体
106 保護層
111 第1の面
112 第2の面
151 基材
152 金属箔
200 有機EL素子
201 発光層
202 陽極
203 陰極
300 有機太陽電池
302 陽極
303 正孔輸送層
304 有機半導体活性層
305 電子輸送層
306 陰極
Claims (8)
- 線幅が4μm以上であり、面内の配線密度が15%以下である、パターン化された金属箔からなる導体層と、
前記導体層の周囲に設けられた透明樹脂層とを備え、
前記透明樹脂層の波長400nm~800nmにおける光線透過率の平均値が80%以上であり、
第1の面において、前記導体層の表面は前記透明樹脂層から露出し、且つ前記導体層の表面と、前記透明樹脂層の表面とは、連続した平坦面を形成し、表面の濡れ性が28mN/m以上であり、
前記第1の面と反対側の第2の面において、前記導体層の表面は前記透明樹脂層から露出している、メッシュ電極材料。 - 波長400nm~800nmにおける光線透過率の波長依存性指数は5以下である、請求項1に記載の、メッシュ電極材料。
- 前記金属箔は、厚さが6μm以上、30μm以下のアルミニウム箔である、請求項1又は2に記載のメッシュ電極材料。
- 前記導体層におけるパターンは、線幅が200μm以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載のメッシュ電極材料。
- 前記透明樹脂層は、厚さが20μm以上、300μm以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載のメッシュ電極材料。
- 前記第1の面における表面粗さは、10nm以下である、請求項1~5のいずれか1項に記載のメッシュ電極材料。
- 前記透明樹脂層は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリカーボネート、アクリル、エポキシ、ポリ塩化ビニル、及びシリコーン樹脂のうちの1種又は2種以上からなる、請求項1~6のいずれか1項に記載のメッシュ電極材料。
- 支持フィルムの表面に貼付された金属箔をパターニングして、線幅が4μm以上で、面内の密度が15%以下であるパターン化された導体層を形成する工程と、
前記パターン化された導体層の表面側に透明樹脂を塗工して透明樹脂層を形成する工程と、
前記支持フィルムを除去する工程とを備え、
前記透明樹脂層の波長400nm~800nmにおける平均の光線透過率が80%以上であり、
前記支持フィルムを除去した後の表面における濡れ性が28mN/m以上であり、
前記透明樹脂層を形成する工程において、前記導体層の前記支持フィルムと反対側の面は前記透明樹脂層から露出している、メッシュ電極材料の製造方法。
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