KR101315086B1 - 유기 전자 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

유기 전자 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101315086B1
KR101315086B1 KR1020087002430A KR20087002430A KR101315086B1 KR 101315086 B1 KR101315086 B1 KR 101315086B1 KR 1020087002430 A KR1020087002430 A KR 1020087002430A KR 20087002430 A KR20087002430 A KR 20087002430A KR 101315086 B1 KR101315086 B1 KR 101315086B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive layer
layer
transparent conductive
organic
functional
Prior art date
Application number
KR1020087002430A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080032128A (ko
Inventor
마이클 뷔첼
아드리아너스 셈펠
이바르 제이. 보에레핀
에드워드 더블유. 에이. 영
Original Assignee
코닌클리케 필립스 엔.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닌클리케 필립스 엔.브이. filed Critical 코닌클리케 필립스 엔.브이.
Publication of KR20080032128A publication Critical patent/KR20080032128A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101315086B1 publication Critical patent/KR101315086B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/814Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Materials For Medical Uses (AREA)

Abstract

제1 투명 도전층(102), 제2 도전층(104), 및 기능 유기 스택을 형성하기 위해 상기 제1 투명 도전층과 상기 제2 도전층 사이에 개재되는 적어도 하나의 유기층을 포함하는 기능층(103)을 포함하는 장치. 적어도 하나의 비아(110)가 상기 제1 투명 도전층(102)과, 상기 제2 도전층의 나머지로부터 전기적으로 절연되어 있는, 상기 제2 도전층(104)의 적어도 하나의 세그먼트(112)를 전기적으로 접속하도록 배치된다. 본 발명은 제1 투명 도전층에 균일하게 전원을 공급하는 것을 가능하게 한다. 비아들 및 세그먼트들은 투명 도전층을 통하여 인가된 레이저에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
제1 투명 도전층, 제2 도전층, 기능 유기 스택, 기능층, 비아, 세그먼트

Description

유기 전자 장치 및 그 제조 방법{ORGANIC ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF}
본 발명은 제1 투명 도전층과 제2 도전층 사이에 개재된 적어도 하나의 유기층을 포함하는 기능층을 포함하는 장치에 관한 것이다.
그러한 장치에서, 기능층은 도전층들 사이의 전압과 상호작용한다. 어떤 경우 전압은 기능층, 예를 들면, 유기 태양전지(organic solar cells), 유기 광전지 소자(organic photovoltaic elements), 유기 광센서(organic photo-sensors)에 의해 생성된다. 다른 경우, 기능층, 예를 들면, 유기 광다이오드, 유기 발광 다이오드(OLED)를 구동하기 위한 전압이 인가된다. 그러한 유기계 장치들은 일반적으로는 그들의 성능 및 낮은 전력소모로 인해 권장된다. 예를 들면, OLED는 넓은 시야각 및 신속한 이미지 응답으로 알려져 있다.
셀폰 디스플레이와 같은 소영역 응용들에서는 상업적으로 성공적이지만, 대영역 유기 장치들은 기술적 어려움에 직면하였다. 애노드층 및 캐소드층은 제한된 도전성을 갖는 박막들이므로, 실질적인 에너지 손실없이 고전류를 전달할 수 없다. 이 문제는 광이 통과할 수 있도록 전극층들 중 하나도 광학적으로 투명해야하는 경우 더욱 두드러진다.
이 문제를 해결하기 위하여, 금속 션트들(metal shunts)이 도입될 수 있으며, 그 결과 유효 광투과면은 감소된다.
US 2004/0031957은 대영역 유기 발광 장치를 개시한다. 이 공보는 직렬 저항에 기인한 전력 소모를 감소시키기 위하여 스택 구조를 이용하는 것을 기재한다. 그러나, 비스택 대영역 OLED 장치들에 대하여 상기 문제가 여전히 존속한다. 따라서, 전기 에너지 소모 및 투명 전극층의 전체면에 대한 균일한 전류 분포의 문제를 다루는 저렴한 방법이 요구된다.
상기 요구는 독립 청구항 1 및 8에 기재된 장치 및 방법에 의해 충족된다. 종속 청구항들은 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 한정한다.
본 발명의 제1 양태에 따르면, 제1 투명 도전층, 제2 도전층, 및 유기 기능 스택을 형성하기 위해 제1 투명 도전층과 상기 제2 도전층 사이에 개재되는 적어도 하나의 유기층을 포함하는 기능층을 포함하는 장치를 제공한다. 상기 장치는 제1 투명 도전층과, 제2 도전층의 나머지로부터 전기적으로 절연되어 있고, 제1 투명 도전층에 전력을 제공하기 위한 션트로서 배치되어 제1 투명 도전층에 전력이 균일하게 분포되도록 하는, 제2 도전층의 적어도 하나의 세그먼트를 전기적으로 접속시키도록 배치된 적어도 하나의 비아를 더 포함한다.
기능층은 상이한 기능들(정공 주입, 정공 전송, 정공 차단, 여기자 차단, 전자 차단, 전자 전송, 전자 주입 또는 발광, 흡광층들의 경우와 같은)을 갖는 많은 상이한 유기층들로 구성될 수 있지만, 트리플릿 에미터들(triplet emitters)과 같은 금속 유기 재료, 또는 유전체, 반도체 또는 금속 양자 도트(metallic quantum dots) 또는 나노입자들(nanoparticles)과 같은 무기 재료를 포함할 수도 있다.
이러한 본 발명의 제1 양태는 제1 투명 도전층에 균일하게 전력을 공급하는 것을 가능하게 한다. 제1 투명 도전층과 제2 도전층 사이의 접속은 둘 이상의 비아를 이용하여 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 제2 도전층의 복수의 전기적으로 절연된 세그먼트들은 서로 전기적으로 접속된다. 예를 들어, 발광 장치의 경우, 이 해법은 절연된 세그먼트들의 각각에 대한 간단한 전원 공급을 가능하게 하여, 제1 투명 도전층에 전력을 균일하게 공급한다. 예를 들어, 태양 전지의 경우, 이 해법은 간단한 전류 수집을 가능하게 한다.
그러한 접속은 상기 제2 도전층 상에, 즉 상기 제2 도전층에 인접하여 배치된 제3 층에 의하여 제공될 수 있으며, 상기 제3 층은 도전성이고 상기 제2 도전층으로부터 절연되어 있으며 제2 도전층의 복수의 전기적으로 절연된 세그먼트들에 전기적으로 접속되어, 상기 세그먼트들 간의 전기적 접속을 제공한다. 다시, 이것은 간단한 전원 공급 또는 간단한 전류 수집을 가능하게 한다.
하나의 세그먼트가 복수의 비아들에 의하여 제1 투명 도전층에 접속될 수 있다. 이것은 각각의 비아가 분리된 세그먼트에 접속되는 상황에 비하여, 오직 하나의 세그먼트만을 접속함으로써 다수의 비아들로의 용이한 접속을 가능하게 한다. 이것은 특히 세그먼트들이 구동 전압에 직접 접속되는 경우에 바람직하다.
복수의 비아들에 하나의 세그먼트가 접속되는 경우, 세그먼트는 장치의 광투과면에 미치는 영향을 최소화시키는 기하학적 형태를 가질 수 있다. 일 예로서, 세그먼트는 지그재그형(meander) 구조를 가질 수 있을 것이다. 지그재그형 구조는 제2 도전층을 두 부분으로 분할하여, 접속을 매우 용이하게 하는 "핑거 전극(finger-electrode)" 형상의 오직 두 아일랜드들만 생길 것이다. 유효 발광면은 더 작아지는데, 왜냐하면 하나의 핑거 전극은 결국은 비아의 도움을 받아 제1 투명 도전층에 전류를 전달하는 기능을 하기 때문이다.
비아들 및 세그먼트들은 투명 도전층을 통해 인가된 레이저에 의해 형성되는 것이 바람직하다.
비아는 사이에 적어도 하나의 유기층을 포함하는 기능층과 도전 전극층들 모두로 이루어지는 전체 스택의 일시적인 국소 가열에 의해 형성될 수 있다. 이것은 투명 도전층을 통해 연속파 레이저를 인가하여, 유기층들의 고립된 열분해(isolated pyrolysis)를 발생시키는 일시적 연속 가열을 생성하고, 결국 전극들로부터의 임의의 용융된 금속과의 혼합이 부가된 흑연과 같은(graphite like) 도체를 도출함으로써 달성될 수 있다.
바람직하게는, 투명 기판 상에 제1 투명 도전층이 제공되며, 그 후 레이저가 기판을 통해 인가될 수 있다.
본 발명에 따른 장치는 바람직하게는 발광 장치로서 이용될 수 있으며, 이 경우 기능층은 유기 발광층이다. 그러한 발광 장치는 넓은 영역에 걸쳐서도 균질의 광출력을 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 장치는 또한, 예를 들면, 유기 태양 전지, 유기 광전지 소자, 유기 광다이오드, 유기 광센서 또는 유기 메모리에서 이용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 양태는 유기 장치를 제조하기 위한 방법을 제공한다. 이 방법은 제1 투명 도전층 및 제2 도전층을 제공하는 단계, 상기 제1 투명 도전층과 상기 제2 도전층 사이에 적어도 하나의 유기층을 포함하는 기능층을 개재하는 단계, 제2 도전층의 나머지로부터 상기 제2 도전층의 적어도 하나의 세그먼트를 전기적으로 절연시키는 단계, 및 상기 제1 투명 도전층에 전력을 제공하기 위한 션트로서 배치되어, 상기 제1 투명 도전층에 전력이 균일하게 분포되도록 하는 적어도 하나의 세그먼트와 상기 제1 투명 도전층을 전기적으로 접속하기 위해 상기 유기층 내에 적어도 하나의 비아를 형성하는 단계를 포함한다. 상기 적어도 하나의 비아를 형성하는 단계는 바람직하게는 전극들 및 기능층을 모두 포함하는 스택의 일시적인 국소 가열 단계를 포함한다.
이 방법은 균일한 전원 공급 또는 전류 수집이 가능한 장치의 제조를 가능하게 한다.
스택층을 일시적으로 국소 가열하는 단계는 투명 도전층을 통하여 인가된 연속파 레이저를 이용하여 수행될 수 있다. 세그먼트들을 전기적으로 절연하는 단계는 바람직하게는 투명 도전층을 통해 인가된, 펄스화된 레이저에 의하여 제2 도전층의 일부를 제거함으로써 수행된다.
투명 도전층은 투명 기판 상에 제공될 수 있으며, 이 경우 임의의 레이저가 기판을 통해 인가될 수 있다. 기판을 통한 레이저 인가는 크게 효과적이며, 주변 층들을 거의 손상시키지 않는 것으로 밝혀졌다.
본 발명의 또 다른 특징들, 및 장점들은 첨부된 청구범위 및 후속하는 상세한 설명부를 학습하는 경우 자명해질 것이다. 당업자는 본 발명의 상이한 특징들이 결합되어 이하에 기술된 것들 이외의 실시예들을 생성할 수 있다는 것을 인식한다.
본 발명은 이제 첨부 도면들을 참조하여 보다 상세히 기술될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 장치의 개략적인 측면도.
도 2는 본 발명의 대안적인 실시예에 따른 장치의 개략적인 측면도.
도 3은 본 발명의 또 다른 대안적인 실시예에 따른 장치의 개략적인 사시도.
이하의 상세한 설명에서는, 본 발명이 발광 패널을 참조하여 기술된다. 이것은, 예를 들어 유기 태양 전지 또는 유기 광다이오드로서 사용된, 유사 구조를 갖는 많은 유기 기능 스택들에 동일하게 적용될 수 있는 본 발명의 범위를 결코 제한하는 것이 아니라는 점을 주목해야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 소자의 개략적인 측면도를 도시한다. 본 예에서, 유기 발광 패널에 대한 보호층으로서 바람직하게는 유리, 플라스틱 등의 제1 기판(101)이 배치된다. 이 층의 아래에는 제1 투명 도전층(102)이 배치된다. 이 제1 투명 도전층은 바람직하게는 ITO(Indium Tin oxide) 또는 ZnO(Zinc oxide) 등 중 하나 또는 매우 얇은 금속층으로 이루어진다. 이 제1 투명 도전층(102)과 제2 도전층(104) 사이에는 기능층(103, 여기에서는 적어도 하나의 유기층을 포함하는 발광층)이 개재된다. 기능층과 도전층들(전극들)은 일반적으로 기능 유기 스택으로 호칭된다.
발광층(103)은 일반적으로는 많은 유기층들로 이루어질 수 있다. 폴리머 LED의 경우 대부분 정공 도체/발광 폴리머의 2층 스택이지만, 예를 들어, 발광 폴리머 상에 증발 유기 정공 차단층(evaporated organic hole blocking layer)과 같 은 더 많은 층들을 포함할 수 있다. 소분자(small molecule) OLED의 경우, 그것은 예를 들면, 정공 주입층, 정공 전송층, 발광층, 정공 차단층, 전자 전송층과 같은 보다 복잡한 스택이지만, 예를 들면 백색광의 발광의 생성하기 위하여 세 개의 상이한 발광층과 같은 더 많은 층들을 포함할 수 있다. 제2 도전층(104)은 바람직하게는 Ba 또는 Ca, Al, Ag, ZnSe(Zinc Selenide) 등 또는 그들의 스택들 중 하나이며 추가적으로 LiF(Lithium Fluoride) 등과 같은 주입층을 포함할 수 있다.
도전층들(애노드 및 캐소드) 사이에 전위차가 인가되는 경우, 음으로 대전된 전자들은 캐소드층으로부터 OLED 장치 내로 이동한다. 동시에, 보통은 정공으로 호칭되는 양전하들은 애노드층으로부터 OLED 장치 내로 이동한다. 양전하 및 음전하들이 만나는 경우, 그들은 재결합하여 광자(photon)를 생성한다. 광자들의 파장, 및 따라서 컬러는 광자들이 생성되는 유기 재료의 전자적 속성들에 의존한다. OLED 장치에서 캐소드층 또는 애노드층 또는 둘 다는 생성된 광자들에 대하여 투명하여, 장치로부터 외부 세계로 광이 방출하게 한다. 도 1에 도시된 실시예에서, 제1 투명 도전층(102)은 투명하며, 광은 화살표의 방향으로 유기 발광 패널로부터 방출될 것이다.
또한, 도 1은 제1 투명 도전층을 제2 도전층의 적어도 하나의 세그먼트(112)와 접속시키는 두 개의 비아들(110 및 110')을 도시한다. 각각의 세그먼트(112)는 제2 도전층으로부터 일부가 제거된 부분인 보이드(voids, 111)에 의해 제2 도전층(104)의 나머지로부터 절연된다. 그리하여 비아들은 균일한 전류 분포를 달성하기 위하여, 세그먼트(들)를 제1 투명 도전층에 전기적으로 접속하는 방법을 제공한다. 바람직하게는, 층(104)의 나머지는 모든 세그먼트들(112)을 둘러싸는 연결된 층(connected layer)을 형성한다.
바람직한 일 실시예에 따르면, 비아들(110, 110')은 현미경 대물렌즈(microscope objective)를 이용하여, 예를 들면 ca. 10㎛의 스폿 사이즈인 작은 스폿 사이즈로 포커스되는 연속파 레이저에 의한 국소 가열을 통해 형성되었다. 바람직하게는, 기판(101)을 통하여 레이저가 인가된다. 스택의 가열은 발광층(103)의 국소 열분해를 생성하여, 흑연 같은 재료, 및 제2 도전층의 국소 용융을 발생시킨다. 층들이 혼합되어 도전 상태(conducting phase)를 형성하며, 이것은 비아들(110 및 110')을 형성한다.
비아(110)는 단일 고정 레이저 샷(single stationary laser shot)에 의해 형성되어, 점과 같은 연장(point-like extension)을 가질 수 있거나, 또는 수 개의 인접 레이저 샷들에 의해 형성될 수 있다. 대안적으로 국소 연장된 비아는 라인을 따라 연속파 레이저를 이동시킴으로써 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 펄스화된 레이저, 또는 퇴적(deposition) 동안의 섀도우 마스킹과 같은 다른 구조화 방법들을 이용하여 비아들(110 및 110') 주위의 재료의 일부를 제거함으로써 제2 도전층(104) 내에 보이드들(111)이 형성된다. 마찬가지로, 레이저는 바람직하게는 기판을 통해 인가된다.
도 2는 본 발명의 대안의 실시예에 따른 유기 발광 패널의 개략적 측면도를 도시한다. 도 1에서와 같이, 제1 기판(201)은 유기 발광 패널을 위한 보호층으로서 배치된다. 동일한 방식으로, 비아들(210 및 210')은 제1 투명 도전층(202)과 제2 도전층(204)의 절연 세그먼트들(212)을 발광층(203)을 통해 접속한다. 비아들(210) 및 세그먼트들(212)은 도 1을 참조하여 전술된 바와 같이 생성될 수 있다.
도 2의 실시예에서, 세그먼트들은 절연층(205)에 의해 제2 도전층(204)에 대하여 절연되어 있는 제3 도전층(206)과 접속된다. 층(206)은 컨택트들(213)에 의해 세그먼트들(212)에 접속되어, 모든 세그먼트들(212)의 접속을 제공한다.
절연층(205)(포토레지스트와 같은 유기 절연체들, 또는 SiO2, 실리콘 질화물과 같은 무기물 또는 둘의 멀티플레이어로 이루어짐)이 제2 도전층(204)의 전면에 퇴적될 수 있으며, 그 후 절연층(205) 상에 제3 도전(예를 들면, 금속)층이 퇴적된다. 전기적으로 절연된 세그먼트 위의 엑스트라층(206)의 국소 가열에 의해, 컨택트(213)가 엑스트라층(206)과 전기적으로 절연된 세그먼트 사이에 생성될 수 있다. 컨택트들을 만들기 위한 이 방법은 반도체/유전체/금속 스택에서의 Si-태양 전지에 대하여 잘 검증되어 있다. WO 02/25742는 태양 전지에서 백 컨택트(back contacts)를 만들기 위한 방법을 교시한다.
대안적으로, 도전층(206) 및 절연층(205)은 제2 도전층(204) 상에 퇴적된 호일(foil)의 두 면들이다. 전술된 바와 같이, 국소 가열에 의하여, 도체면(206)과 전기적으로 절연된 세그먼트 간에 마찬가지로 컨택트(213)가 만들어질 수 있다.
도 2는 또한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 패널에 대한 예시적인 전기 접속을 도시한다. 본 예에서, 제1 투명 도전층(202)은 애노드로서 기능하는 한편, 제2 도전층(204)은 캐소드로서 기능한다. 전원(207)은 비아들을 통하여 제1 투명 도전층(202)과 연결되는 제3 층(206)에 전류를 공급한다.
도 3은 본 발명의 다른 대안의 실시예에 따른 유기 발광 패널의 개략적인 사시도를 도시한다. 이 예에서 제1 투명 도전층(302)은 애노드로서 기능하고, 제2 도전층(304)은 캐소드로서 기능한다. 또한, 이 예에서 제2 도전층(304)의 전기적으로 절연된 세그먼트(312)는 지그재그형 구조로서 배열된다. 이 전기적으로 절연된 세그먼트(312)는 비아들(310)을 통해 제1 투명 도전층(302)과 접촉하고, 애노드 션트(anode shunt)로서 기능하여, 상기 층으로의 균일한 전력의 분포가 가능하다. 애노드 션트 핑거 전극은 발광할 수 없으므로, 가급적 작게 설계되어야 한다. 도 3은 또한 발광층(303) 및 기판(301)을 도시한다.
본 발명은 그 특정한 예시적인 실시예들을 참조하여 기술되었지만, 많은 상이한 변형, 수정 등이 당업자에게는 자명해질 것이다. 따라서, 상기 실시예들은 첨부된 청구범위에 의하여 한정되는 바와 같은, 본 발명의 범위를 제한하려는 것이 아니다. 예를 들어, 도 3에 도시된 지그재그형은 비아들을 접속하기 위한 목적에 적합한 임의의 기하학적 형태를 가질 수 있다. 더욱이, 상기 층들 중 임의의 것을 위하여 사용된 재료들은 유기 스택의 목적 및, 예를 들면, 발광 다이오드들, 유기 태양 전지들 또는 광다이오드들로서의 사용과 같은 사용에 따라 적절히 선택될 수 있다. 또한, 상기 설명부에서는, 기판 상에 제공된 도전층은 투명하지만, 이것은 반드시 그러한 것은 아니다. 또한 반대 쪽에 제공된 도전층(기판과 비접촉)이 투명한 것도 가능하다. 그 경우, 그 쪽으로부터 레이저가 인가되는 것이 바람직하다. 최종적으로, 두 도전층들은 투명할 수 있으며, 이 경우 레이저는 양쪽으로부 터 인가될 수 있다.

Claims (16)

  1. 제1 투명 도전층(102; 202; 302), 제2 도전층(104; 204; 304), 및 유기 기능 스택을 형성하기 위해 상기 제1 투명 도전층과 상기 제2 도전층 사이에 개재되는 적어도 하나의 유기층을 포함하는 기능층(103; 203; 303)을 포함하는 장치로서,
    상기 기능층은 전류를 광으로 변환시키도록 구성되어 있는 유기 발광층 또는 광을 전류로 변환시키도록 구성되어 있는 유기 흡광층이고, 상기 제1 투명 도전층(102; 202; 302)과 상기 제2 도전층(104; 204; 304)의 복수의 세그먼트들(112; 212; 312)을 전기적으로 상호접속시키도록 상기 기능층을 통해 상기 기능층에 적어도 하나의 비아(110; 210; 310)가 배치되고, 상기 세그먼트는 상기 제2 도전층의 나머지로부터 전기적으로 절연되어 있고, 상기 복수의 세그먼트들(112; 212; 312)은, 기판 평면에 수직인 방향으로 상기 제2 도전층에 인접하여 배치된 제3 도전층(206)에 의해 서로 전기적으로 상호접속되고, 상기 제3 도전층은 상기 제2 도전층(204)의 나머지로부터 절연되며 상기 복수의 세그먼트들(212)에 전기적으로 상호접속되어, 상기 세그먼트들 간의 전기적 상호접속을 제공하고, 상기 복수의 세그먼트들은 상기 제1 투명 도전층에 전력을 제공하기 위한 션트로서 배치되어, 상기 제1 투명 도전층에 전력이 균일하게 분포되도록 하거나 또는 상기 복수의 세그먼트들로 인한 전류 수집(current collection)을 허용하는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 전기적으로 절연된 세그먼트(112; 212; 312)는 둘 이상의 비아에 의해 상기 제1 투명 도전층(102; 202; 302)에 전기적으로 상호접속되는 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 적어도 하나의 비아는, 상기 제1 투명 도전층, 상기 제2 도전층 및 상기 기능층(103; 203; 303)을 포함하는 상기 스택을 일시적으로 국소 가열함으로써 형성되는 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 투명 도전층은 투명 기판(101; 201; 301) 상에 제공되는 장치.
  5. 제1항에 따른 유기계 기능 스택을 제조하는 방법으로서,
    제1 투명 도전층(102; 202; 302) 및 제2 도전층(104; 204; 304)을 제공하는 단계;
    기능 유기 스택을 형성하기 위해, 상기 제1 투명 도전층과 상기 제2 도전층 사이에 적어도 하나의 유기층(103; 203; 303)을 포함하는 기능층을 개재하는 단계 - 상기 기능층은 전류를 광으로 변환시키도록 구성되어 있는 유기 발광층 또는 광을 전류로 변환시키도록 구성되어 있는 유기 흡광층임 -;
    상기 제2 도전층의 적어도 하나의 세그먼트(112; 212; 312)를 상기 제2 도전층의 나머지로부터 전기적으로 절연시키는 단계;
    상기 제1 투명 도전층과 상기 적어도 하나의 세그먼트를 전기적으로 상호접속시키기 위하여 상기 기능층을 통해 상기 유기층에 적어도 하나의 비아를 형성하는 단계; 및
    상기 제2 도전층의 복수의 전기적으로 절연된 세그먼트들을,
    상기 제2 도전층의 상부에 제3 층을 배치하며 - 상기 제3 층은 도전성이며 상기 제2 도전층의 나머지로부터 절연됨 -,
    일시적인 국소 가열에 의하여 상기 제2 도전층의 상기 복수의 전기적으로 절연된 세그먼트들에 상기 제3 층을 상호접속시킴으로써,
    서로 접속시키는 단계
    를 포함하며,
    상기 복수의 세그먼트들은 상기 제1 투명 도전층에 전력을 제공하기 위한 션트로서 배치되어, 상기 제1 투명 도전층에 전력이 균일하게 분포되도록 하거나 또는 상기 복수의 세그먼트들로 인한 전류 수집을 허용하는, 유기계 기능 스택을 제조하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 적어도 하나의 비아를 형성하는 단계는, 상기 제1 투명 도전층, 상기 제2 도전층 및 상기 기능층을 포함하는 상기 스택을 일시적으로 국소 가열하는 단계를 포함하는, 유기계 기능 스택을 제조하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 스택을 일시적으로 국소 가열하는 단계는 레이저를 이용하여 수행되는, 유기계 기능 스택을 제조하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 레이저는 연속파 레이저인, 유기계 기능 스택을 제조하는 방법.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세그먼트를 전기적으로 절연시키는 단계는 레이저에 의해 상기 제2 도전층의 일부를 제거함으로써 수행되는, 유기계 기능 스택을 제조하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 레이저는 펄스화된 레이저인, 유기계 기능 스택을 제조하는 방법.
  11. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 제1 투명 도전층은 투명 기판(101; 201; 301) 상에 제공되며, 상기 레이저는 상기 기판을 통해 인가되는, 유기계 기능 스택을 제조하는 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
KR1020087002430A 2005-06-30 2006-06-26 유기 전자 장치 및 그 제조 방법 KR101315086B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP05105859.2 2005-06-30
EP05105859 2005-06-30
PCT/IB2006/052095 WO2007004115A2 (en) 2005-06-30 2006-06-26 Organic electronic device and method for manufacture thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080032128A KR20080032128A (ko) 2008-04-14
KR101315086B1 true KR101315086B1 (ko) 2013-10-08

Family

ID=37192424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087002430A KR101315086B1 (ko) 2005-06-30 2006-06-26 유기 전자 장치 및 그 제조 방법

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7982211B2 (ko)
EP (1) EP1905107B1 (ko)
JP (1) JP5001270B2 (ko)
KR (1) KR101315086B1 (ko)
CN (1) CN101213686B (ko)
AT (1) ATE444570T1 (ko)
DE (1) DE602006009517D1 (ko)
TW (1) TW200711194A (ko)
WO (1) WO2007004115A2 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2165366B8 (en) * 2007-07-04 2018-12-26 Beijing Xiaomi Mobile Software Co., Ltd. A method for forming a patterned layer on a substrate
CN101689616B (zh) * 2007-07-11 2012-11-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 有机功能器件及其制造方法
EP2114085A1 (en) 2008-04-28 2009-11-04 Nederlandse Centrale Organisatie Voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO Composite microphone, microphone assembly and method of manufacturing those
US8017514B2 (en) * 2008-05-05 2011-09-13 International Business Machines Corporation Optically transparent wires for secure circuits and methods of making same
JP5053956B2 (ja) * 2008-06-20 2012-10-24 キヤノン株式会社 有機el表示装置
JP2010034035A (ja) * 2008-06-27 2010-02-12 Canon Inc 有機el表示装置及びその製造方法
JP2010010041A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Canon Inc 有機el表示装置の製造方法
EP2144290A1 (en) 2008-07-08 2010-01-13 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Electronic device and method of manufacturing the same
DE102008054219A1 (de) * 2008-10-31 2010-05-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen strahlungsemittierenden Bauelements
JP5639090B2 (ja) * 2009-03-05 2014-12-10 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 有機発光ダイオードデバイス及びその製造方法
KR101742114B1 (ko) * 2009-12-03 2017-05-31 노발레드 게엠베하 유기 광-전자 디바이스에 전기 상호접속부를 형성하기 위한 방법, 유기 광-전자 디바이스를 형성하기 위한 방법, 및 유기 발광 디바이스
EP2333859B1 (en) * 2009-12-03 2017-09-13 Novaled GmbH A method for forming an organic light emitting diode
EP2398086A1 (en) 2010-06-17 2011-12-21 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Opto-electric device and method of manufacturing thereof
CN101950793B (zh) * 2010-08-10 2012-05-30 电子科技大学 一种光电二极管及其制备方法
CN103262242A (zh) * 2010-12-03 2013-08-21 诺瓦莱德公开股份有限公司 在有机光伏器件中形成电互连的方法和用该方法制成的有机光伏器件
US9287527B2 (en) 2011-01-13 2016-03-15 Kaneka Corporation Organic EL light emitting element and method for manufacturing same
WO2012127400A1 (en) * 2011-03-21 2012-09-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Oled with a shunting layer
DE102011050250A1 (de) * 2011-04-08 2012-10-11 Sefar Ag Elektrodensubstrat sowie flächige optoelektronische Vorrichtung
DE102017101390A1 (de) * 2017-01-25 2018-07-26 Osram Oled Gmbh Organisches Licht emittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines organischen Licht emittierenden Bauelements
TWI636602B (zh) * 2017-03-21 2018-09-21 機光科技股份有限公司 有機光電元件結構與製程方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002318556A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法
KR20030074136A (ko) * 2002-03-07 2003-09-19 도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤 발광 표시 장치, 유기 el 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20050050555A (ko) * 2003-11-25 2005-05-31 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 유기 전계 발광 소자, 그 제조 방법 및 조명 장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3601289B2 (ja) * 1998-03-18 2004-12-15 凸版印刷株式会社 El表示装置
EP0986112A3 (en) 1998-09-11 2004-02-04 Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) An efficient method for fabricating organic light emitting diodes
DE10046170A1 (de) 2000-09-19 2002-04-04 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Metallkontaktes durch eine dielektrische Schicht
JP2003142278A (ja) * 2001-11-05 2003-05-16 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 有機el素子
DE10236854B4 (de) * 2002-08-07 2004-09-23 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren und Vorrichtung zur Strukturierung von Elektroden von organischen lichtemittierenden Elementen
US6693296B1 (en) * 2002-08-07 2004-02-17 Eastman Kodak Company OLED apparatus including a series of OLED devices
JP2004152699A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及び照明装置
US6995035B2 (en) * 2003-06-16 2006-02-07 Eastman Kodak Company Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution
US7052355B2 (en) * 2003-10-30 2006-05-30 General Electric Company Organic electro-optic device and method for making the same
US7518148B2 (en) 2005-03-29 2009-04-14 General Electric Company Full fault tolerant architecture for organic electronic devices
US7982130B2 (en) * 2008-05-01 2011-07-19 The Regents Of The University Of Michigan Polymer wrapped carbon nanotube near-infrared photovoltaic devices
US7759670B2 (en) * 2007-06-12 2010-07-20 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical LED with current guiding structure

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002318556A (ja) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法
KR20030074136A (ko) * 2002-03-07 2003-09-19 도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤 발광 표시 장치, 유기 el 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20050050555A (ko) * 2003-11-25 2005-05-31 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 유기 전계 발광 소자, 그 제조 방법 및 조명 장치

Also Published As

Publication number Publication date
DE602006009517D1 (de) 2009-11-12
US7982211B2 (en) 2011-07-19
US20100163851A1 (en) 2010-07-01
ATE444570T1 (de) 2009-10-15
CN101213686A (zh) 2008-07-02
KR20080032128A (ko) 2008-04-14
JP2008545231A (ja) 2008-12-11
EP1905107A2 (en) 2008-04-02
EP1905107B1 (en) 2009-09-30
TW200711194A (en) 2007-03-16
WO2007004115A3 (en) 2007-03-29
WO2007004115A2 (en) 2007-01-11
CN101213686B (zh) 2010-06-09
JP5001270B2 (ja) 2012-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101315086B1 (ko) 유기 전자 장치 및 그 제조 방법
US8137148B2 (en) Method of manufacturing monolithic parallel interconnect structure
KR101295988B1 (ko) 스택형 유기 전자 발광 장치
JP5485207B2 (ja) 有機電子デバイスにおける欠陥の影響を軽減する電極
JP5260647B2 (ja) 有機機能素子、及び当該素子の製造法
CN102144314B (zh) 用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件
JP5808905B2 (ja) 有機発光素子、これを含む照明装置、およびこれを備える有機発光ディスプレイ装置
EP2198471B1 (en) Making a top-emitting oled device
US20080238310A1 (en) OLED with improved light outcoupling
US8829500B2 (en) Light emitting device
US9190628B2 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
US9698387B2 (en) Method for producing an optoelectronic component and method for patterning an organic, optoelectronic component
JP2011513901A (ja) 有機発光ダイオード、コンタクト装置および有機発光ダイオードの製造方法
US10454057B2 (en) Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
KR20100137396A (ko) 유기 조명 장치
KR20120012641A (ko) 전기광학장치의 제작 방법
KR100768720B1 (ko) 오엘이디 디스플레이 소자 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160920

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170921

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180921

Year of fee payment: 6