CN217426385U - 一种低电阻高透过率ito导电膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种低电阻高透过率ITO导电膜，其由依次层叠的PET基材层、高折射率涂层和ITO膜层构成，高折射率涂层为二氧化钛涂层或氧化铌涂层，高折射率涂层的厚度为1μm至2μm，ITO膜层的厚度为100nm至150nm且厚度均匀。该低电阻高透过率ITO导电膜具有较低的面电阻和较高的透过率，尤其适用于大面积触控屏、电磁脉冲屏蔽膜等领域。
Description
技术领域
本实用新型涉及导电膜技术领域，具体涉及一种低电阻高透过率ITO导电膜。
背景技术
ITO柔性导电膜是液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、电致发光显示器(EL/OLED)、触摸屏(Touch Panel)、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。普通ITO导电膜在面电阻100～120Ω的条件下，透过率最高只能做到82％左右，如果面电阻的要求更低，比如30～60Ω，则常规透过率只能做到60％以下。目前市场上有着低阻高透柔性导电膜产品的强烈需求，要求电阻在30～60Ω，透过率在80％以上，应用于大面积触控屏、电磁脉冲屏蔽膜等领域，要求精度高、灵敏度高、抗损、易清洁、阳光下可视性好、可实现多点触控。
根据光学干涉的原理，当膜层厚度为1/4λ时(λ为光在薄膜中波长)，会出现干涉相消的现象，从而减弱反射光的强度，增加透射光的强度，起到增透的作用。根据上述光学增透的原理，目前针对低阻高透导电膜的常规做法是，导电层由ITO/Ag/ITO膜层组成，在导电层和柔性基底之间引入折射率膜层SiO2层，PET基材经过等离子设备预处理后，工艺室的阴极依次镀制SiO2、ITO、Ag、ITO等膜系，按照控制变量法，通过对导电层以及折射层膜厚设计，经工艺调整得到市场所需的产品。但这种做法的缺点是工艺复杂、成本很高(比如用到银靶)、生产效率低，不利于推广和普及。
实用新型内容
针对现有技术的不足，本实用新型的目的是提供一种低电阻高透过率ITO导电膜，该低电阻高透过率ITO导电膜具有较低的面电阻和较高的透过率，尤其适用于大面积触控屏、电磁脉冲屏蔽膜等领域。
为实现本实用新型的目的，本实用新型提供了一种低电阻高透过率ITO导电膜，其由依次层叠的PET基材层、高折射率涂层和ITO膜层构成，高折射率涂层为二氧化钛涂层或氧化铌涂层，高折射率涂层的厚度为1μm至2μm，ITO膜层的厚度为100nm至150nm且厚度均匀。
进一步的技术方案是，PET基材层的厚度为120μm至130μm。
进一步的技术方案是，PET基材层为柔性基材层。
进一步的技术方案是，ITO膜层由多次镀ITO形成。
进一步的技术方案是，ITO膜层的面电阻为30Ω至60Ω。
进一步的技术方案是，低电阻高透过率ITO导电膜的透过率在80％以上。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：
本实用新型的低电阻高透过率ITO导电膜通过在基材上设置特定厚度的高折射率涂层来改变PET基材的折射率，从而达到现有的PET基材上镀SiO2+Ag的效果，然后通过特定厚度且厚度均匀的ITO膜层来降低面电阻，并且设置合适的ITO膜层的厚度从而达到增透效果。该低电阻高透过率ITO导电膜还具有结构简单，成本低，生产步骤简单，适合批量化生产的优点。
附图说明
图1是本实用新型低电阻高透过率ITO导电膜实施例的结构示意图。
以下结合附图以及具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
具体实施方式
如图1所示，本实施例提供了一种低电阻高透过率ITO导电膜，该低电阻高透过率ITO导电膜面电阻能够控制在30Ω至60Ω之间，透过率能够达到80％以上，可用作液晶显示器、等离子显示器、电致发光显示器、触摸屏、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极，尤其适用于大面积触控屏、电磁脉冲屏蔽膜等领域。
在本实施例中，低电阻高透过率ITO导电膜由依次层叠的PET基材层10、高折射率涂层20和ITO膜层30构成，高折射率涂层20为二氧化钛涂层或氧化铌涂层，高折射率涂层20的厚度为1μm至2μm，ITO膜层30的厚度为100nm至150nm且厚度均匀。当高折射率涂层20的厚度为上述范围时，能够改变原先PET基材的折射率，增加透光率，从而达到现有技术中PET基材上镀SiO2+Ag的效果，减少镀膜层数，并且减少贵金属银的使用，降低成本。当采用上述特定厚度且厚度均匀的ITO膜层时，能够控制面电阻在30Ω～60Ω的范围内，该区间的膜厚也具备最佳的增透效果低电阻高透过率ITO导电膜的透过率在80％以上。在PET基材层上涂布高折射率涂层的过程为PET基材的PLASMA处理。
优选地，PET基材层10的厚度为120μm至130μm，例如可以是约125μm，可以较好地起到支撑作用，并且不影响透光率。优选地，透明基材层10为柔性基材层，便于低电阻高透过率ITO导电膜应用于不同形状表面、应用于不同场景，也便于低电阻高透过率ITO导电膜例如通过粘接等方式结合到所需的物件上。优选地，PET基材层10的卷内的面即镀膜面涂布该高折射率涂层，与镀膜面相对设置的PET基材层10的另一面可以是光滑面，镀膜面能够对涂层有更好的粘结力。
优选地，ITO膜层30由多次镀ITO形成，通过多次镀ITO能够严格控制ITO膜层30的厚度，使得ITO膜层30的结构中膜层厚度均匀性更高，更有利于获得较低的面电阻，容易使得ITO膜层30的面电阻维持在30Ω至60Ω，满足大面积触控屏、电磁脉冲屏蔽膜等领域的应用要求。
在本实施例的一个具体例子中，PET基材层10的厚度为125μm，高折射率涂层20的厚度为2μm，ITO膜层30的厚度为120nm且厚度均匀，所得的低电阻高透过率ITO导电膜实测数据为面电阻55欧左右，透过率81％，完全满足高性能产品的技术要求。
最后需要强调的是，以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并不用于限制本实用新型。凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种低电阻高透过率ITO导电膜，其特征在于由依次层叠的PET基材层、高折射率涂层和ITO膜层构成，所述高折射率涂层为二氧化钛涂层或氧化铌涂层，所述高折射率涂层的厚度为1μm至2μm，所述ITO膜层的厚度为100nm至150nm且厚度均匀。
2.根据权利要求1所述的一种低电阻高透过率ITO导电膜，其特征在于所述PET基材层的厚度为120μm至130μm。
3.根据权利要求1或2所述的一种低电阻高透过率ITO导电膜，其特征在于所述PET基材层为柔性基材层。
4.根据权利要求1或2所述的一种低电阻高透过率ITO导电膜，其特征在于所述ITO膜层由多次镀ITO形成。
5.根据权利要求1或2所述的一种低电阻高透过率ITO导电膜，其特征在于所述ITO膜层的面电阻为30Ω至60Ω。
6.根据权利要求1或2所述的一种低电阻高透过率ITO导电膜，其特征在于所述低电阻高透过率ITO导电膜的透过率在80％以上。
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Publications (1)
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| CN217426385U true CN217426385U (zh) | 2022-09-13 |
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Country Status (1)
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2022
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