CN108385063B - 一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法 - Google Patents

一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108385063B
CN108385063B CN201810275290.9A CN201810275290A CN108385063B CN 108385063 B CN108385063 B CN 108385063B CN 201810275290 A CN201810275290 A CN 201810275290A CN 108385063 B CN108385063 B CN 108385063B
Authority
CN
China
Prior art keywords
coating
silicon dioxide
molecule
niobium pentoxide
plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201810275290.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108385063A (zh
Inventor
钟吉林
黄译刚
胡继凤
邱积新
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JIANGXI ZEFA PHOTOELECTRIC Co Ltd
Original Assignee
JIANGXI ZEFA PHOTOELECTRIC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JIANGXI ZEFA PHOTOELECTRIC Co Ltd filed Critical JIANGXI ZEFA PHOTOELECTRIC Co Ltd
Priority to CN201810275290.9A priority Critical patent/CN108385063B/zh
Publication of CN108385063A publication Critical patent/CN108385063A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108385063B publication Critical patent/CN108385063B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0015—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterized by the colour of the layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10—Glass or silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

本发明公开了一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法，包括以下原材:铟棒、五氧化二铌板以及二氧化硅粉，其中，铟棒、五氧化二铌板以及二氧化硅粉设置在真空镀膜机的不同原料喷射口内，在对转印板进行辉光放电离子镀膜时，按照铟离子镀、二氧化硅分子镀、五氧化二铌分子镀、二次五氧化二铌分子镀和二次二氧化硅分子镀的顺序对进行。本发明的配方设计特点在于配方在实际的镀膜时能够镀出流沙纹理冰钻黑的外壳，整加工配方易于实现，满足了市场需求。

Description

一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法
技术领域
本发明涉及手机或者电子产品外壳的加工技术领域，具体指的是一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法。
背景技术
目前，在手机的生产中或者电子产品外壳加工中，壳体在进行模体转印完成后，就需要给转印板进行镀膜作业，真空镀膜能在金属、半导体、绝缘体、塑料、纸张、织物等表面上沉积金属。而手机的壳的加工主要是在转印板的表面镀膜。
手机壳镀膜的配方不同得到的手机的色泽和纹理完全不同，不同的色泽和纹理需要在镀膜时运用不同的金属配方，传统的镀膜配方单一，只能简单组合出单色色泽和单一纹理。
发明内容
本发明为了解决现有技术的上述不足，提出了一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法，包括以下原材:铟棒、五氧化二铌板以及二氧化硅粉，其中，铟棒、五氧化二铌板以及二氧化硅粉设置在真空镀膜机的不同原料喷射口内，在对转印板进行辉光放电离子镀膜时，按照铟离子镀、二氧化硅分子镀、五氧化二铌分子镀、二次五氧化二铌分子镀和二次二氧化硅分子镀的顺序对进行，而且铟离子镀电流1.5A，时间为28秒，二氧化硅分子镀电流6A，时间为26秒；五氧化二铌分子镀电流8A，时间为15秒：二次五氧化二铌分子镀电流7A，时长为24秒；二次二氧化硅分子镀电流大小为9A，时间为30秒。
进一步地，所述真空镀膜机的腔室在辉光放电离子镀膜时的温度控制在850℃。
进一步地，所述真空镀膜机的腔室内控制的真空度为4.5×10-2至5.5×10-2Pa。
在镀膜时，把工件放入真空镀膜机的真空腔室内，抽真空，当真空室的压力为6至20Pa时，停止抽真空，真空镀膜机的不同原料喷射口内放置对应的原材。
启动高压变压器，当高压变压器的输出电压3500至5000V之间，输出的电流分别是1.5A、6A、8A、7A和9A，分成5个阶段进行输出，每个阶段打开不同的不同原料喷射口，原材在辉光放电的状况下被电离成等离子或分子形式的等离子体离子体，工件经等离子体进行轰击转印板的表面，由于静电的附着力而附着在转印板的表面形成金属覆膜。
具体的时间分配：In离子镀电流1.5A，时间为28秒，SiO2分子镀电流6A，时间为26秒；Nb2O5分子镀电流8A，时间为15秒：第二次的Nb2O5分子镀电流7A，时长为24秒；最后进行二次的SiO2分子镀，电流大小为9A，时间为30秒，完成上述的过程后，就能够在转印板上镀出流沙纹理冰钻黑的外壳。
与现有技术相比，本发明提出的配方在实际的镀膜时能够镀出流沙纹理冰钻黑的外壳，整加工配方易于实现，满足了市场需求。
具体实施方式
下面结合实施例对发明进行详细的说明。
本发明提出的流沙纹理冰钻黑的镀膜方法，包括以下原材:铟棒、五氧化二铌板以及二氧化硅粉，其中，铟棒、五氧化二铌板以及二氧化硅粉设置在真空镀膜机的不同原料喷射口内，在对转印板进行辉光放电离子镀膜时，按照铟离子镀、二氧化硅分子镀、五氧化二铌分子镀、二次五氧化二铌分子镀和二次二氧化硅分子镀的顺序对进行，而且铟离子镀电流1.5A，时间为28秒，二氧化硅分子镀电流6A，时间为26秒；五氧化二铌分子镀电流8A，时间为15秒：二次五氧化二铌分子镀电流7A，时长为24秒；二次二氧化硅分子镀电流大小为9A，时间为30秒。
进一步地，所述真空镀膜机的腔室在辉光放电离子镀膜时的温度控制在850℃。
进一步地，所述真空镀膜机的腔室内控制的真空度为4.5×10-2至5.5×10-2Pa。
进一步地，按照上述顺序时，依次使用的时间分别为28秒、26秒、15秒、24秒和30秒。在镀膜时，把工件放入真空镀膜机的真空腔室内，抽真空，当真空室的压力为6至20Pa时，停止抽真空，真空镀膜机的不同原料喷射口内放置对应的原材。
启动高压变压器，当高压变压器的输出电压3500至5000V之间，输出的电流分别是1.5A、6A、8A、7A和9A，分成5个阶段进行输出，每个阶段打开不同的不同原料喷射口，原材在辉光放电的状况下被电离成等离子或分子形式的等离子体离子体，工件经等离子体进行轰击转印板的表面，由于静电的附着力而附着在转印板的表面形成金属覆膜。
具体的镀膜时间分配：In离子镀电流1.5A，时间为28秒，SiO2分子镀电流6A，时间为26秒；Nb2O5分子镀电流8A，时间为15秒：第二次的Nb2O5分子镀电流7A，时长为24秒；最后进行二次的SiO2分子镀，电流大小为9A，时间为30秒，完成上述的镀膜过程后，就能够在转印板上镀出流沙纹理冰钻黑的外壳。
上述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利和保护范围应以所附权利要求书为准。

Claims (3)

1.一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法，其特征在于包括以下原材:铟棒、五氧化二铌板以及二氧化硅粉，其中，铟棒、五氧化二铌板以及二氧化硅粉设置在真空镀膜机的不同原料喷射口内，在对转印板进行辉光放电离子镀膜时，按照铟离子镀、二氧化硅分子镀、五氧化二铌分子镀、二次五氧化二铌分子镀和二次二氧化硅分子镀的顺序对进行，而且铟离子镀电流1.5A，时间为28秒，二氧化硅分子镀电流6A，时间为26秒；五氧化二铌分子镀电流8A，时间为15秒：二次五氧化二铌分子镀电流7A，时长为24秒；二次二氧化硅分子镀电流大小为9A，时间为30秒。
2.根据权利要求1所述的流沙纹理冰钻黑的镀膜方法，其特征在于：所述真空镀膜机的腔室在辉光放电离子镀膜时的温度控制在850℃。
3.根据权利要求1所述的流沙纹理冰钻黑的镀膜方法，其特征在于：所述真空镀膜机的腔室内控制的真空度为4.5×10-2至5.5×10-2Pa。
CN201810275290.9A 2018-03-30 2018-03-30 一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法 Expired - Fee Related CN108385063B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810275290.9A CN108385063B (zh) 2018-03-30 2018-03-30 一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810275290.9A CN108385063B (zh) 2018-03-30 2018-03-30 一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108385063A CN108385063A (zh) 2018-08-10
CN108385063B true CN108385063B (zh) 2020-01-14

Family

ID=63073172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810275290.9A Expired - Fee Related CN108385063B (zh) 2018-03-30 2018-03-30 一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108385063B (zh)

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003215309A (ja) * 2001-04-17 2003-07-30 Sony Corp 反射防止フィルム及び反射防止層付きプラスチック基板
JP4949668B2 (ja) * 2004-12-09 2012-06-13 富士フイルム株式会社 セラミックス膜の製造方法及びセラミックス膜を含む構造物
JP2007187994A (ja) * 2006-01-16 2007-07-26 Bridgestone Corp 反射防止膜及び光学フィルター
CN101215082A (zh) * 2007-01-06 2008-07-09 湖北新华光信息材料股份有限公司 高折射率光学玻璃
CN101236263A (zh) * 2007-02-01 2008-08-06 甘国工 高透光率玻璃的显示器保护屏及使用该屏的液晶显示器
CN102898040A (zh) * 2011-07-27 2013-01-30 林嘉宏 一种三银低辐射镀膜玻璃及其制备方法
KR101160845B1 (ko) * 2011-08-23 2012-06-29 주식회사 나우테크 금속산화물계 투명전극의 제조방법
CN103132012B (zh) * 2011-11-30 2016-03-23 东莞星晖真空镀膜塑胶制品有限公司 一种真空镀膜的制备方法
CN102505110A (zh) * 2011-12-14 2012-06-20 深圳市杰瑞表面技术有限公司 真空镀不导电膜的方法
JP2014208570A (ja) * 2013-03-25 2014-11-06 日本電気硝子株式会社 強化ガラス基板及びその製造方法
CN103274595A (zh) * 2013-05-10 2013-09-04 南通晶鑫光学玻璃有限公司 高折射率、低色散环保镧系光学玻璃TZlaF4
CN104834404A (zh) * 2015-05-20 2015-08-12 东莞市胜大光电科技有限公司 能反射彩色光的触摸屏及其制作方法
CN204695274U (zh) * 2015-05-20 2015-10-07 东莞市胜大光电科技有限公司 能反射彩色光的触摸屏
CN105112849A (zh) * 2015-09-01 2015-12-02 江苏宇天港玻新材料有限公司 一种用于触控液晶面板的ito低温沉积工艺
CN109180019A (zh) * 2018-10-09 2019-01-11 江西沃格光电股份有限公司 盖板玻璃及镀膜设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN108385063A (zh) 2018-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2994878B2 (ja) プラズマ処理成形品および塗装した成形品の製造方法。
CN106119792A (zh) 速率增强的脉冲dc溅射系统
CA2916769C (en) Tib2 layers and manufacture thereof
US8741111B2 (en) Coated article and method for making said article
JP5933604B2 (ja) 硬質膜が被覆されたステンレス製品及びその製造方法
EP3569733A1 (en) Method for preparing waterproof and electric breakdown-resistant coating
CN103866257B (zh) 一种三频高密度等离子体辅助磁控溅射薄膜的制备方法
US8697249B1 (en) Coated article
WO2009014394A3 (en) Method for depositing ceramic thin film by sputtering using non-conductive target
WO2019037653A1 (zh) 一种制膜方法
JP5156552B2 (ja) ガスバリアフィルムの製造方法
CN104342624B (zh) 一种制备耐高温黑色硼硅玻璃的方法
CN108385063B (zh) 一种流沙纹理冰钻黑的镀膜方法
CN204434722U (zh) 一种等离子体增强制备精密涂层的电弧离子镀设备
JP2011162851A (ja) ガスバリアフィルムの製造方法
US20120141784A1 (en) Coated article and method for making same
CN110129725A (zh) 具有镜面光泽的pvd处理工艺
US20080145683A1 (en) Method for treating surface of polymer article
CN105220130B (zh) 基于低压等离子化学气相沉积制备纳米多层膜的方法
TWI535498B (zh) 殼體及其製作方法
CN205710902U (zh) 增强型磁控溅射卷绕镀膜设备
CN101857949A (zh) 一种pvd真空离子镀膜的方法
CN111788331A (zh) 速率增强脉冲dc溅射系统
CN114351141A (zh) 一种高耐蚀性玫瑰金涂层加工制备方法
CN201209163Y (zh) 溅镀机真空腔抽真空装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20200114

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee