TW544938B - Method of manufacturing a semiconductor device - Google Patents

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Hidekazu Miyairi
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Semiconductor Energy Lab
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544938 A7 B7 五、發明説明（j) 發明背景 1 .發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於具有組成包括薄膜電晶體（在下文中稱 作T F T )的電路的半導體裝置和製造該半導體裝置的方 法。例如’本發明係關於以液晶顯示面板爲代表的電光裝 置和安裝這些電光裝置當成其部件的電子設備。 注意’本說明書中所謂半導體裝置係指能夠利用半導 體性能當成其功能的一般裝置，且電光裝置、配有E L元 件和類似元件的發光裝置、半導體電路和電子設備都包括 在半導體裝置這一類別中。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 -4 - 544938 A7 B7 五、發明説明（2) 分的諸如基於CMO S電路的移位暫存器電路、位準移位 電路、緩衝電路或取樣電路這樣的驅動器電路形成於一個 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 基底上。 另外，TFT (圖素TFT)分別安排在主動矩陣液 晶模組的圖素部分的幾十到幾百萬個圖素內’且圖素電極 提供給相應的圖素T F T。在相對基底上提供相對電極， 液晶夾在所述相對基底與基底之間，且以液晶當成電介質 的電容器形成。加在各自圖素上的電壓由T F T的開關功 能控制以控制到電容器的電荷從而驅動液晶。這樣，光透 射的數量得以控制，從而顯示影像。 圖素T F T包括η通道T F T，並對液晶提供電壓以 便當成開關元件而驅動液晶。因爲液晶由交流電驅動，所 以經常採用一種稱爲框倒置驅動的系統。該系統中，爲了 將耗電量壓縮到低的水平，充分地降低用於圖素T F Τ所 需性能的關閉電流値（T F Τ在關閉操作時流過的汲極電 流）是很重要的。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 另外，爲了在較低的成本下製造出具有優良電性能的 T F Τ，一種能實現短時間周期處理的雷射退火技術是重 要的。 雷射退火通常用於晶化非晶半導體膜的處理、改善結 晶度的處理和類似的處理。注意，常用於雷射退火的雷射 是準分子雷射。因爲這種方法提供高的生産力並在批量生 産中有優勢，所以較佳的使用進行雷射退火的方法，其中 :發自具有大功率輸出的脈衝振盪雷射器的雷射光束藉由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -5- 544938 A7 B7 五、發明説明（3) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 光學系統處理以便於在照射面上得到幾乘幾釐米的方點形 狀或具有例如1 0 c m或更長長度的線形形狀；雷射光束 的照射位置相對於照射面掃描。特別地，當具有線形形狀 的雷射光束（下文中稱作線形雷射光束）在照射面上使用 時，不同於使用需要在前後方向和左右方向掃描的點狀雷 射光束的情形，雷射光束只要在垂直於線形光束的線的方 向掃描就能在照射面上照射，其提供了高的生産力。掃描 在垂直於線的方向實施的原因是垂直方向是最有效的掃描 方向。由於其高的生産力，使用來自大功率輸出的雷射器 的藉由適當的光學系統處理的線形光束正變成雷射退火的 主流。另外，雷射光束以重疊的方式照射同時在短方向逐 步位移，由此雷射退火在非晶矽膜的整個表面上進行以晶 化膜或改善結晶性能。 進一步，爲了在較低的成本製造T F T，在比半導體 基底或石英基底便宜並能在其中獲得大的表面積的玻璃基 底上製造T F 丁已經是很重要的了。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使用玻璃基底的情形中，爲了防止玻璃基底中所含的 鹼金屬擴散，提供了由包含矽當成其主要成分的絕緣膜（ 氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜或類似的膜）組成的底 絕緣膜，非晶矽膜形成於該絕緣膜之上，然後進行雷射照 射。 本發明人藉由許多實驗和硏究，在受到雷射照射的石夕 膜表面發現大量微孔，SEM(35， 000倍的放大倍 數）觀察到的孔的照片顯示於圖2 6。本發明人發現，由 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544938 Α7 Β7 五、發明説明（4) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於起因於微孔的半導體膜表面不均勻的原因，形成於基底 上的大量T F 丁中産生了變異。在T F T的主動層形成於 有微孔的位置的情形下，T F T與其他在同樣基底上製造 的T F T相比具有不良的電性能。 另外，微孔經常出現在用相對高的能量密度或相對高 的重疊比照射雷射的情形。特別地，有一種趨勢，就是微 孔明顯地出現在雷射在氮氣氛中或真空中照射的情形中。 而且，微孔出現在非晶矽膜形成於底絕緣膜上的情形 ’但是沒有出現在非晶矽膜接觸基底形成而沒有形成底絕 緣膜的情形。 基於上述結果，本發明人從各種角度做了許多實驗和 硏究以查明微孔産生的原因。結果是，進一步發現在雷射 光束照射之前，在非晶矽膜的表面上形成了細微的凸起部 分。這些細微的凸起部分也非常小（典型的有1 μ m或更小 的直徑以及0 · 0 5 μιη或更小的高度），S E Μ ( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 0，0 0 0倍的放大倍數）觀察的凸起部分的照片顯示 於圖2 5。注意，當細微的凸起部分及其附近用E D X分 析測試時，證實了凸起部分不是諸如灰塵這樣的雜質。 當細微的凸起部分用雷射照射時，就很容易出現微孔 。本發明人發現細微凸起部分是微孔出現的原因。 細微凸起部分是在底絕緣膜上形成非晶矽膜的階段形 成的，並能夠在5 0 0倍的放大倍數，在暗場反射模式下 ，藉由顯微觀察看到非常小的亮點。 可以採用不形成底絕緣膜的方法。然而，提供底絕緣 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（5) 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 馬 本 頁 膜是爲了玻璃基底中所含的諸如鹼金屬這樣的雜質離子不 擴散到形成於底絕緣膜之上的半導體膜中，並且爲了在更 低成本下T F T的製造，底絕緣膜是絕對必要的。 發明槪要 本發明乃在考慮到上述情況下座生，本發明的目的因 而就是在廉價的基底（玻璃基底或類似基底）上形成處於 叠層結構的底絕緣膜和非晶半導體膜、並且即使有雷射照 射時也抑制細微凸起部分和起因於凸起部分的微孔的出現 。這就是說，本發明的目的是獲得底絕緣膜上具有極好的 表面整平度的非晶半導體膜。 爲了解決上述問題，從各種角度做了許多實驗和硏究 。結果是，讓底絕緣膜的膜沈積溫度和非晶半導體膜的膜 沈積溫度基本上彼此相等，從而能夠得到具有無細微凸起 部分’並有極好的整平度表面的非晶半導體膜。這樣，即 使有雷射照射，微孔的出現也能被抑制。 經濟部智慧財產^員工消費合作社印製 注意“讓膜沈積溫度基本上彼此相等”指非晶半導體 膜的膜沈積溫度與底絕緣膜的膜沈積溫度的比是〇 · 8 -1 · 2 ’較佳的，底絕緣膜和非晶半導體膜在膜沈積溫度 上的差異在± 5 0 t的範圍。 根據本說明書中揭示的本發明的第一結構，於此提供 製造半導體裝置的方法，包含： 第一步，在絕緣表面上形成底絕緣膜； 第二步，在底絕緣膜上形成非晶半導體膜；以及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -8 - 544938 A7 B7 五、發明説明（6) 第三步，藉由雷射的照射對非晶半導體膜實施晶化， 從而形成具有結晶結構的半導體膜， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其特徵在於底絕緣膜的膜沈積溫度與非晶半導體膜的 膜沈積溫度相同。 根據本發明的第二結構，於此提供製造半導體裝置的 方法，包含： 第一步，在絕緣表面上形成底絕緣膜； 第二步，在底絕緣膜上形成非晶半導體膜；以及 第三步，藉由雷射的照射對非晶半導體膜實施晶化， 從而形成具有結晶結構的半導體膜， 其特徵在於底絕緣膜和非晶半導體膜之間在膜沈積溫 度上的差異在±5 0°的範圍。 讓底絕緣膜的膜沈積溫度與非晶半導體膜的膜沈積溫 度基本上相同，從而能獲得有高整平度的半導體膜表面。 藉由在T F T主動層使用具有高整平度的半導體膜，可提 高耐壓。這樣，T F T的可靠性可獲得改善。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，本發明不僅用於晶化處理中的雷射照射，且可 用於以使用在半導體裝置的製造處理中之雷射之處理，例 如用於膜品質的改善和雜質元素的啓動的雷射退火。 根據本發明的第三結構，於此提供製造半導體裝置的 方法，包含 第一步，在絕緣表面上形成底絕緣膜； 第二步，在底絕緣膜上形成非晶半導體膜；以及 第三步，對非晶半導體膜實施雷射照射， -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544938 Α7 Β7 五、發明説明（7) 其特徵在於底絕緣膜和非晶半導體膜之間在膜沈積溫 度上的差異在±5 0°的範圍。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，在習知技術中，當成整平處理方面，有背蝕刻 方法，其中實施蝕刻以便在形成應用膜之後達到整平，機 械化學抛光C C Μ P )法，和類似的方法。但是，在本發 明中，只有讓膜沈積溫度在底絕緣膜和非晶半導體膜之間 相等是必需旳，因此起因於整平的膜厚度的減少和步驟數 目的增加不受影響。 另外，本發明在需要底絕緣膜爲玻璃基底的情形的情 形下是特別有效的。 根據本發明的第四結構，於此提供製造半導體裝置的 方法，包含： 第一步，在絕緣表面上形成底絕緣膜； 第二步，在底絕緣膜上形成非晶半導體膜； 第三步，藉由雷射的照射對非晶半導體膜實施晶化， 從而在半導體膜上形成具有結晶結構的半導體膜和氧化物 膜， 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 第四步，除去氧化物膜；以及 第五步，在惰性氣體氣氛或在真空中實施雷射照射， 從而整平半導體膜的表面， 其特徵在於，在底絕緣膜和非晶半導體膜之間的膜沈 積溫度差異在土 5 0°的範圍。 另外，因爲微孔容易出現在真空或在惰性氣體氣氛中 雷射照射到半導體膜上的情形中，所以本發明是特別有效 ^紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公慶) " 544938 A7 B7 五、發明説明（8) 的。 請 先 閲 讀 背 ιέ 意 事 項 再 填 寫 本 頁 另外，在第四結構中，其特徵在於第五步中雷射的能 量密度高於第三步中雷射的能量密度。 進一步，在第四結構中，其特徵在於第五步中雷射的 重疊比低於第三步中雷射的重疊比。 根據本發明的第五結構，於此提供製造半導體裝置的 方法，包含： 第一步，在絕緣表面上形成底絕緣膜； 第二步，在底絕緣膜上形成非晶半導體膜； 第三步，用金屬元素摻雜非晶半導體膜； 第四步，對半導體膜實施熱處理，然後實施雷射照射 ，從而在半導體膜上形成具有結晶結構的半導體膜和氧化 物膜； 第五步，除去氧化物膜；以及 第六步，在惰性氣體氣氛中或在真空中實施雷射照射 ，從而整平半導體膜的表面， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其特徵在於底絕緣膜和非晶半導體膜之間的膜沈積溫 度的差異在± 5 0 °的範圍。 根據本發明的第六結構，於此提供製造半導體裝置的 方法，包含： 第一步，在絕緣膜的表面上形成底絕緣膜； 第二步，在底絕緣膜上形成具有非晶結構的第 半導 體膜； 第三步，用金屬元素摻雜具有非晶結構的第一半導體 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（9: 膜； 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 第四步，對第一半導體膜實施熱處理，然後實施雷射 照射，從而在第一半導體膜上形成具有結晶結構的第一半 導體膜和氧化物膜； 第五步，除去氧化物膜； 第六步，在惰性氣體氣氛或在真空中實施雷射照射’ 從而整平第一半導體膜的表面； 第七步，用含臭氧的溶液氧化具有結晶結構的半導體 膜的表面，從而形成阻擋層； 第八步，在阻擋層上形成包含稀有氣體元素的第二半 導體膜； 第九步，將金屬元素吸氣到第二半導體膜中’從而除 去或減少具有結晶結構的第一半導體膜中的金屬元素；以 及 第十步，除去第二半導體膜和阻擋層， 其特徵在於底絕緣膜和具有非晶結構的第一半導體膜 之間的膜沈積溫度的差異在土 5 0 °的範圍。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，在第六結構中，其特徵在於稀有氣體元素是選 自包括He 、Ne 、Ar 、Kr和Xe的組中的一種或多 種元素。 進一^步，在第六結構中’其特徵在於弟一半導體膜在 含有稀有氣體元素的氣氛中用半導體當成靶藉由濺射形成 的。 另外，在第五結構或第六結構中，其特徵在於第四步 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（ 中的熱處理是加熱處理或照射強光處理。強光是發自選自 包括鹵素燈、金屬鹵化物燈、氙弧光燈、碳弧光燈、高壓 鈉燈和高壓汞燈的組中的一種燈的光。 進一步，在第五或第六結構中，金屬元素是選自包括 Fe、Ni、Co、Ru、Rh、Pd、〇s、Ir、 P t 、C u和A u的組中的一種或多種元素，它們是加速 矽的晶化的元素。 另外，在以上說明的每種結構中，雷射發自連續振盪 或脈衝振盪型的A I·雷射器或K r雷射器的準分子雷射器 ’或連續振盪或脈衝振盪型的Y A G雷射器、Y V〇4雷射 器、Y L F雷射器、Y A 1〇3雷射器、玻璃雷射器、紅寶 石雷射器、金綠寶石雷射器，或Ti :藍寶石雷射器。 進一步，在第四結構、第五結構或第六結構中，惰性 氣體氣氛是氮氣氛。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外，在第四結構、第五結構或第六結構中，第二雷 射照射是在真空中或在惰性氣體氣氛中實施的整平處理， 且半導體膜表面進一步整平化。特別地，在閘極絕緣膜很 薄的情形’例如，閘極絕緣膜具有1 〇 〇 n m或更薄的厚 度，本發明非常有效。 圖式簡單說明 在附隨的附圖中： 圖1 A至1 E是根據本發明（實施例模式1 )的視圖 -13- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董） 544938 A7 B7 五、發明説明（y 圖2 A至2 G是根據本發明（實施例模式2 )的視圖 j (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖3 A至3 G是根據本發明（實施例模式3 )的視圖 f 圖4 A至4 E是根據本發明（實施例模式3 )的視圖 圖5 A至5 D是主動矩陣基底的製造處理的視圖； 圖6 A至6 C是主動矩陣基底的視圖； 圖7是主動矩陣基底的視圖； 圖8是用T E Μ觀察的_極電極附近的照片； 圖9Α和9 Β是表示TFT中（具有1 1 5 nm的厚 度的閘極絕緣膜）劣化速率的曲線； 圖1 0A和1 〇B是表示TFT中（具有80nm的 厚度的閘極絕緣膜）劣化速率的曲線； 圖1 1A和1 1B是表示TFT中（具有60nm的 厚度的閘極絕緣膜）劣化速率的曲線； 經濟部智慈財產苟員工消費合作社印製 圖1 2是表示L/W=2/8的TFT中（具有 1 1 5 n m的厚度的閘極絕緣膜）關閉電流値的曲線； 圖1 3是表示L/W=2/8的TFT中（具有80 n m的厚度的閘極絕緣膜）關閉電流値的曲線； 圖1 4是表示L/W=2/8的TFT中（具有6 0 n m的厚度的閘極絕緣膜）關閉電流値的曲線； 圖1 5是表示L/W=7/4 0的TFT中（具有 6 0 n m的厚度的閘極絕緣膜）關閉電流値的曲線； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544938 A7 ______B7^__ 五、發明説明（ 圖1 6是a Μ - L C D (實施例3 )的外觀的視圖； 請 先 閱 讀 背 5 i 事 項 再 填 寫 本 頁 圖1 7是液晶顯示裝置（實施例4 )的橫截面的一個 實例的視圖； 圖1 8 A和1 8 B是E L模組（實施例5 )的俯視圖 和橫截面視圖； 圖1 9是E L模組（實施例5 )的橫截面視圖； 圖2 Ο A和2 Ο B是T F T (實施例6 )的實例的視 圖； 圖2 1是雷射器（實施例7 )的視圖 圖2 2 A至2 2 F爲電子設備的實例 圖2 3 A至2 3 D爲電子設備的實例 圖2 4A至2 4 C爲電子設備的實例 圖2 5是用SEM (50，〇〇〇的放大倍數）觀察 的細微凸起部分的照片；以及 圖26是用SEM(35， 000的放大倍數）觀察 的微孔的照片。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表 照 對 件 元 ο 2 5 7 9 2 底 3 極區道極 基 1 閘源通源 膜 體 導膜 半緣 :絕 區 成極 形電 膜 緣 膜層極 絕極 緣體電 層電 絕導極區間極 底半閘汲中汲 ·*♦··· »···*· 1 4 6 8 0 2 11112 2 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544938 A7 B7 經濟部智慧財產咼員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 4 a，5 4 d :第一半導體膜5 5 五、發明説明（j 3 0 :基底 3 2 :半導體膜 3 3 b :半導體膜 3 6 :閘極絕緣膜 3 8 :源區 4 0 :通道形成區 4 2 :源極電極 5 0 :基底 5 2 :半導體膜 5 6 :阻擋層 5 8 :半導體層 6 0 :閘極電極 6 2 :汲區 6 4 :中間層絕緣膜 6 6 :汲極電極 1 0 1 :底絕緣膜 1 0 7 :閘極絕緣膜 1 0 8 b :第二導電膜 117-121 :第一形狀導電層 124b-129b :第二導電層 130-134 :第一雜質區 1 38- 140 :第二雜質區 144、145 :第一雜質區 3 1 :底絕緣膜 3 4 :氧化物膜 3 5 :半導體層 3 7 :閘極電極 3 9 :汲區 4 1 :中間層絕緣膜 4 3 :汲極電極 5 1 :底絕緣膜 5 3 :含鎳層 :氧化物膜 57:第二半導體膜 5 9 :閘極絕緣膜 6 1 :源區 6 3 :通道形成區 6 5 :源極電極 1 0 0 :基底 102 — 106·•半導體層 108a:第一導電膜 1 1 0 — 1 1 5 :掩模 1 1 6 :閘極絕緣膜 124a-129a :第一導電層 1 3 5 — 1 3 7 ··掩模 1 4 2 :第三雜質區 149、150 :第四雜質區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -16- 544938 Α7 Β7 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製
五、發明説明（U 151、152:第五雜質區 153 1 5 4 :第二中間層絕緣膜 129 1 55- 1 60:源極電極或汲極電極1 6 1 1 6 2 :閘極接線 16 3 206:驅動電路 201 202:p通道TFT 203 204:圖素丁 FT 2 0 5 207:圖素部份 167 168:半導體層 164 166:通道形成區 304 302 :源極訊號線驅動電路 3 0 3 3 0 5 :軟性印刷電路 301 309:連接電極 306 3 0 7 :密封劑 3 10 3 0 8 :密封劑 6 0 1 6 0 0 :中間層絕緣膜 602 6 0 4 :背光 6 0 5 6 0 6 :蓋 6 0 3 9 0 0 :基底 9 0 1 902:圖素部份 903 9 1 8 :密封構件 9 19 9 2 0 :蓋構件 9 2 1 9 0 8 :接線 9 0 9 9 1 0 :絕緣膜 9 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 第一中間層絕緣膜 源極接線 連接接線 圖素電極 η通道T F T η通道T F Τ 儲存電容 通道形成區 1 6 5 :通道形成區 圖素部份 閘極訊號線驅動電路 基底 相對基底 間隔器 圖素電極 連接電極 光導板 偏振板 源極側驅動電路 閘極側驅動電路 保護膜 乾燥劑 F P C 電流控制T F Τ 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 -17- 544938 A7 B7 五、發明説明（以 9 1 2 :圖素電極 914 :p 通道 TFT 9 1 6 : E L 層 1 0 0 0 :基底 1〇0 2 :圖素部份 1 0 1 1 :電流控制T F T 1013:η通道TFT 1〇1 5 ··築堤 1 0 1 7 :陽極 1 0 0 9 : F P C 1 0 1 9 :保護膜 1 0 2 1 :乾燥劑 1 1 0 0 :基底 1 1 0 3 :第二絕緣膜 913: η 通道 TFT 915:築堤 917:陰極 1 0 1 0 =絕緣膜 1 0 0 3 :閘極側驅動電路 1 0 1 2 :圖素電極 1014 :P 通道 TFT 1 0 1 6 : E L 層 1 0 0 8 :連接接線 1 0 1 8 :密封構件 1 0 2 0 :蓋構件 1 1 0 1 :第一閘極接線 1 1 0 2 :第一絕緣膜 1 1 0 7 :閘極絕緣膜 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
極極極 電區電膜電 極極成極緣極 極 閘電形閘絕閘 電 二區極道一二二區極器 第汲源通第第第汲源射
0 0 緣 膜膜緣 絕極 緣緣 絕極 層電 絕絕 層電統 區間極底一極區間極系 源中汲基第閘源中汲學 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（d πυ 1± 1± πυ 1—II 7 7 7 7 7 7 500000000 πυ ο 〇 IX 1± 1 CXI 2 2 722222222 列 431 鏡 台機 透 底風底嘴柱 基送基噴圓鏡臂 nu nw nw 1± τ—- IX ΓΤ^Γ*77ί VIrr^ vf 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ooooooooo 344455677 222222222 份 份 部部 份 份 入 收份份 部關份關 部 輸 接部部 器開部開 體示體音池體像示示體聲作示作幕體 本顯本聲電本影顯顯本揚操顯操螢本鏡 600000000000000000 0001 11223344556877 722222222222222222 份 構鏡部 機透入 送統鏡柱置輸 傳架系透圓裝像盤 底支學柱重制影鍵 基盒盒光圓雙控：： 份關收份關 份體 觸備組備 部開接部開 份部媒 接設模設 示作像機作體部示錄體睛影晶影幕 顯操影相操本臂顯記本眼投液投螢 音 咅 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 份 份 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 544938 A7 B7 五、發明説明（〇 2 8 〇 1 :光 源 光 學 系 統 2 8 0 2 :鏡 2 8 〇 3 :分 色 鏡 2 8 0 4 ，2 8 0 5 : 鏡 2 8 0 6 :鏡 2 8 0 7 :稜 鏡 2 8 〇 9 :相 位 差 板 2 8 1 0 ••投 影 光 學 系 統 2 8 1 1 :反 射 器 2 8 1 2 :光 源 2 8 1 3 :透 鏡 陣 列 2 8 1 4 :透 鏡 陣 列 2 8 1 5 :偏 振 轉 換 元 件 2 8 1 6 ••聚 焦 透 鏡 2 9 0 1 :本 體 2 9 0 2 :聲 音 輸 出 部 份 2 9 0 3 :聲 音 輸 入 部 份 2 9 0 4 :顯 示 部 份 2 9 〇 5 :操 作 開 關 2 9 0 6 :天 線 2 9 0 7 :影 像 輸 入 部 份 3 0 0 1 :本 體 3 〇 〇 2 :顯 示 部 份 3 0 0 3 :顯 示 部 份 3 0 0 4 :記 錄 媒 體 3 0 0 5 :操 作 開 關 3 1 〇 1 :本 體 3 1 〇 2 :支 持 座 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 3 1 0 3 :顯示部份 較佳實施例的詳細說明 本發明的實施例模式將在下面說明。 本發明中，提出至少在具有大面積的任意絕緣表面上 形成底絕緣膜的處理、在底絕緣膜上，在同底絕緣膜相同 的膜沈積溫度下，形成半導體膜的處理，和對半導體膜照 射雷射的處理。 藉由採用同樣的膜沈積溫度，在雷射的照射之前的階 段就能獲得沒有細微凸起部分的平坦的半導體膜的表面。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 20- 544938 Α7 Β7 五、發明説明（d 當對具有平坦表面的半導體膜進行雷射照射以製造T F 丁 時，能得到令人滿意的電性能。 在下文中，參考圖1 A至1 E說明根據本發明的典型 T F T的製造方法。 實施例模式1 於此，提出一個實例，其中本發明用於藉由雷射照射 晶化非晶半導體膜的技術。 圖1 A中，參考編號1 0指具有絕緣表面的基底，參 考編號1 1指變成阻擋層的底絕緣膜。 圖1 A中，玻璃基底、石英基底、陶瓷基底或類似的 基底可當成基底1 0。另外，表面上有絕緣膜的矽基底、 金屬基底或不銹鋼基底也可以使用。此外具有熱阻性能、 且能承受本實施例模式中的處理溫度的塑膠基底也可以使 用。 關於基底1 0，玻璃基底在基底廉價、容易得到大面 積基底的供給、並且適於批量生産等方面是較佳的。 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 首先，底絕緣膜1 1形成於基底上。當成底絕緣膜 1 1 ，選自由電漿c V D得到的氧化矽膜、氮化矽膜、氮 氧化矽膜（s i Ο X N γ )和類似的膜的單層或疊層的絕緣 膜皆能使用。 關於底絕緣膜1 1的典型實例，較佳的是利用 S i H4、NH3和N2 ◦當成反應氣體形成5 0 — 1 0 0 n m的厚度的氮氧化矽膜，以及氮氧化矽膜用S i Η 4和 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（y N2〇當成反應氣體在1 〇 〇 — 4 5 0 °c的膜沈積溫度形成 1 0 0 - 1 5 0 nm的厚度，從而形成疊層結構。 其次，具有非晶結構的半導體膜1 2在同底絕緣膜相 同的膜沈積溫度下形成於底絕緣膜1 1上。（圖1 B )在 底絕緣膜和具有非晶結構的半導體膜之間膜沈積溫度被安 排成相同的，較佳的3 0 0 - 4 0 0 °C，由此在雷射照射 之前的階段就能夠獲得沒有細微凸起部分的半導體膜的平 坦表面。細微凸起部分在這個階段用S EM觀察沒有被看 到。 包含矽當成其主要成分的半導體材料用於具有非晶結 構的半導體膜1 2。典型地，應用非晶矽膜、非晶鍺矽膜 或類似的膜，且藉由電漿CVD形成具有1 〇 — 1 〇 〇 n m的厚度的膜。 接下來，進行雷射照射當成晶化具有非晶結構的半導 體膜1 2的技術。（圖1 C )藉由雷射照射得到的具有結 晶結構的半導體膜1 3的表面態是優良的，就是說，用S E Μ沒有觀察到微孔。因此，導因於被認爲是不均勻性原 因的微孔的表面不均勻尺寸和T F Τ性能的差異減少。注 意，具有4 0 0 nm或更短波長的準分子雷射、YAG雷 射器的二次諧波或三次諧波、或發自連續振盪型或脈衝振 盪型的YAG雷射器、YV〇4雷射器、YL F雷射器、 Y A 1 ◦ 3雷射器、玻璃雷射器、紅寶石雷射器、金綠寶石 雷射器或鈦：藍寶石雷射器的雷射被當成雷射。另外，在 含氧的氣氛中進行雷射照射的情形中，薄的氧化物膜（於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544938 Α7 Β7 五、發明説明（^ 此未顯不）形成於半導體膜的表面。注意，儘管圖中未顯 示’於此還形成稱爲脊的不均勻處。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，具有所需形狀的半導體膜1 4藉由已知的技術 在半導體膜13上形成圖形而形成。（圖1D)另外，理 想的是，薄的氧化物膜在由抗蝕劑製成的掩膜形成之前， 從臭氧水中形成於半導體層14的表面上。 其次，在用含氫氟酸的腐蝕劑淸潔半導體層的表面後 ’形成包含矽當成其主要成分的絕緣膜以當成閘極絕緣膜 1 5。表面淸潔和閘極絕緣膜的形成理想地在不暴露於大 氣的條件下連續地實施。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接下來，閘極絕緣膜1 5的表面被淸潔後，形成閘極 電極1 6。然後，授予η型導電性的雜質元素（P、A s 或類似元素），本情形中是磷，適當地加入到半導體中， 從而形成源區1 7和汲區1 8。添加之後，進行熱處理、 強光的照射或雷射的照射以啓動雜質元素。另外，與啓動 同時地，電漿對閘極絕緣膜的損害或電漿對閘極絕緣膜和 半導體層介面的損害能夠得到恢復。特別是，γ A G雷射 器的二次諧波照射到前面或背面，以便從而在室溫到 3 0 0°C，在大氣中啓動雜質元素是非常有效的。YAG 雷射器只需要極少量的維護，因此是較佳的啓動裝置。 在隨後的步驟中，形成中間層絕緣膜2 0，進行氫化 ，形成到達源區和汲區的接觸孔，且形成源極電極2 1和 汲極電極22，從而完成TFT (η通道TFT)。（圖 1E)。注意，參考編號19指通道形成區，至少包括通 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ 297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（2) 道形成區1 9、汲區1 8和源區1 7的半導體層在本說明 書中稱爲主動層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，因爲根據本實施例模式的處理’微孔的出現能 被抑制，所以這樣所獲得的T F T的半導體表面的整平度 得到迅速改善。這樣，關閉電流値減小’關閉電流値的差 異也減小。此外，因爲根據本實施例模式的處理’ T F τ 的可靠性增加。 另外，本發明不局限於圖1 Ε中的T F Τ結構，如有 必要，也可以採用輕摻雜汲極（L D D )結構，其中在通 道形成區和汲區（或源區）之間形成提供L D D區。在這 個結構中，在通道形成區和藉由以高濃度添加雜質元素形 成的汲區或源區之間提供了其中雜質元素以低濃度添加的 區域，並稱爲L D D區。另外，也可以採用所謂的 GOLD (源極—汲極重疊LDD)結構，其中LDD區 被安排藉由閘極絕緣膜與閘極電極交疊。由於G〇L D是 具有高可靠性的T F T結構，因而本發明用於G〇L D結 構的情形中能獲得較高的可靠性。 經濟部智慧財產¾員工消費合作社印製 進一步，這裏用η通道T F T做說明。但是，當然， 用Ρ型雜質元素代替η型雜質元素亦可形成ρ通道 TFT。 進一步，這裏用頂閘型T F T的實例做說明。但是， 本發明可用於無論何種T F T結構。例如，本發明可用於 底閘型（反轉交錯型）TFT或交錯型TFT。而且，本 發明可用於具有雙閘結構的T F T，其中藉由絕緣膜分別 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（d 在通道形成區的上面和下面提供閘極電極。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且，可以採用下面的步驟，其中··在形成圖形之前 具有所需形狀的半導體層在沒有進行雷射照射時被形成； 半導體層表面被淸潔以除去氧化物膜或類似的膜；以及進 行雷射照射。 更進一步，這裏用雷射晶化的實例做說明。然而，本 發明無論對何種晶化方法和類似的只要包括使用雷射處理 的步驟的方法都是有效的。本發明可應用於一種晶化方法 ，例如，其中鎳有選擇性的加入膜中，然後在其上實施雷 射照射。 注意，本說明書中，“電極”是“接線”的一部分， 指其中與另一條接線産生電連接的點或其中接線與半導體 層交叉的點。因此，爲了說明上的方便，“接線”和“電 極”分開使用。然而，“接線”總是包括在“電極”中。 實施例模式2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本情形中，其中本發明用於藉由雷射照射整平半導體 膜的技術的實例顯示於圖2 A至2 G。 首先，本實施例模式中，直到非晶半導體膜的形成的 製造步驟與實施例模式1中的步驟相同，這樣，即可省略 其詳細的說明。 圖2A中，參考編號3 0指具有絕緣表面的基底，參 考編號3 1指變成阻擋層的底絕緣膜。進一步，圖2 B中 ，參考編號3 2指具有非晶結構的半導體膜。底絕緣膜和 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（2$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 半導體膜在同樣的膜沈積溫度下形成，由此’能在緊接著 膜沈積之後的階段能得到沒有細微凸起部分的半導體膜的 平坦表面。 根據實施例模式1獲得圖2 B的狀態。然後’進行第 一雷射照射（10 — 100Hz的重複頻率、400 -5 0 0 m J / c m 2的能量密度）以便在含氧的氣氛中晶化 半導體膜。（圖2C)在476mJ/cm2的能量密度、 3 0 Η z的重複頻率、和9 1 %的重疊比的照射條件下， 雷射照射在大氣中進行。雷射照射之後，獲得具有結晶結 構的半導體膜3 3 a ，氧化物膜3 4形成於其上。注意， 儘管圖中未示出，但是形成稱爲脊的不均勻處。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於此提供使用脈衝振盪雷射器的實例，但還可以用連 續振盪雷射器。爲了在非晶半導體膜的晶化處理中得到大 顆粒尺寸的晶體，較佳的是用能得到連續振盪的固體雷射 器以便應用具有基本波長的二次諧波到四次諧波。典型地 ，可以應用N d :YV〇4雷射器（基本波長l〇64nm )的二次諧波（5 3 2 n m )或三次諧波（3 5 5 n m ) 。在使用連續振盪雷射器的情形中，發自具有1 〇 W的輸 出的連續振盪Y V〇4雷射器的雷射藉由非線性光學元件轉 換成諧波。進一步，還有藉由把Y V〇4晶體和非線性光學 元件放入諧振腔中發出諧波的方法。然後，雷射藉由光學 系統在照射面上較佳的形成以具有矩形或橢圓形的形狀， 且光被照射到待處理的元件上。注意，照射面上的雷射（ 雷射光點）用包括光學系統的光束形成裝置來形成以具有 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544938 Α7 Β7 五、發明説明（2) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • 3 - 1 Ο Ομιη的短軸直徑和1 〇 〇μιη或更長的長軸直徑 的橢圓形。也可以採用具有3 - 1 〇 Ομιη的短邊和1 〇 〇 μ m或更長的長邊的矩形，代替橢圓形。採用矩形或橢圓形 進行基底表面上有效的雷射退火。於此，長軸直徑（或長 邊）的長度疋爲1 0 Ομιη或更長的原因是，只要雷射有適 於雷射退火的能量密度，操作員適當地決定長軸直徑（或 長邊）的長度就足夠。能量密度這時需要適當地爲 0 · 01 — 1 OOMW/cm2 (較佳的 〇 · 1 — 10 M W/ c m 2 )。當相對雷射以大約1 〇 - 2 0 0 0 c m/ s的速度移動半導體膜的同時可以進行照射。 其次，除去氧化物膜3 4。（圖2 D ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，雷射（第二雷射）在氮氣氛中或真空中照射到 具有結晶結構的半導體膜3 3 a上。第二雷射的能量密度 被安排成比第一雷射的高，較佳的高出3 0 - 6 0 m J / c m 2。順便提及，如果第二雷射的能量密度比第一 雷射的能量的能量密度高9 0 m J / c m 2或更多，則半導 體膜的結晶性能下降，或半導體膜是微晶的，其導致性能 的劣化。在5 3 7 m J / c m 2的能量密度和3 0 Η z的重 複頻率的照射條件下，在氮氣氛中實施雷射照射。雷射照 射在氮氣氛中或在真空中實施的情形中，微孔很容易在半 導體膜中形成。然而，底絕緣膜和半導體膜在同樣的膜沈 積溫度下形成，由此微孔的出現能夠被抑制。因而，起因 於被認爲是不均勻原因的微孔表面不均勻尺寸和T F Τ性 能的差異被減少了。進一步，由第一次雷射照射形成的脊 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（ 的尺寸藉由第二次雷射減小，以整平其表面。 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 而且’連續振盪雷射器可用於第二雷射。典型地，可 以應用Nd : YV〇4雷射器（基本波長l〇64nm)的 二次諧波（5 3 2 n m )或三次諧波（3 5 5 n m )。 這樣獲得的具有結晶結構的半導體膜3 3 b的表面是 非常平坦的。進一步，由於平坦度得到改善，以後形成的 閘極絕緣膜可以做得很薄，這樣，T F T的啓動電流値可 以提高。進一步，平坦度得到改善，由此關閉電流値在製 造T F T的情形下減小了。T F T的可靠性也得到改善。 其次’具有所需形狀的半導體層3 5用已知的圖形形 成技術由半導體膜形成。（圖2 F ) 接下來的步驟以相同於實施例模式1的步驟進行，從 而完成了TFT。（圖2G) 圖2 G中，參考編號3 6指閘極絕緣膜，3 7指閘極 電極，3 8指源區，3 9指汲區，4 0指通道形成區， 4 1指中間層絕緣膜，4 2指源極電極，4 3指汲極電極 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 進一步，可以採用下面的步驟，其中：圖形形成之前 不實施第二次雷射照射；形成具有所需形狀的半導體層； 淸潔半導體層的表面；除去氧化物膜或類似的膜；在惰性 氣氛中或真空中進行第二次雷射照射，從而整平半導體膜 此外，第二次雷射照射中，氮氣可以被噴射到要被照 射的區域附近。 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（d 實施例模式3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖3 A至4 E中顯示一實例，其中本發明使用於一種 技術中，其中：加入促進矽晶化的金屬元素之後，進行用 於晶化的熱處理；進行雷射照射之後，除去氧化物膜，再 進行雷射照射以使半導體膜整平；進行用於除去金屬元素 的吸氣。 首先，本實施例模式中，直到非晶半導體膜的形成的 製造步驟與實施例模式1中的步驟相同。因此省略其詳細 說明。 圖3 A中，參考編號5 0指具有絕緣表面的基底，參 考編號5 1指變成阻擋層的底絕緣膜。進一步，圖3 B中 ，參考編號5 2指具有非晶結構的半導體膜。底絕緣膜和 非晶半導體膜在同樣的膜沈積溫度下形成，由此能夠在膜 沈積之後緊鄰的階段得到沒有細微凸起部分的半導體膜的 平坦表面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖3 B中的狀態是根據實施例模式1得到的。然後， 爲了得到第一半導體膜5 2的晶化，以日本專利特許公開 號H e i 8 - 7 8 3 2 9中揭示的技術晶化具有非晶結 構的第一半導體膜5 2。以上述揭示的技術，將促進晶化 的金屬元素有選擇性地加入到非晶矽膜中，並對其進行熱 處理，從而形成具有結晶結構的半導體膜，其以添加區當 成起始點擴展開來。首先，將有促進晶化的催化作用的包 含1 一 1 0 0 P Pm以重量的金屬元素（本情形中是鎳） -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（2) 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 的醋酸鎳鹽溶液用旋轉器塗敷在具有非晶結構的第一半導 體膜52的表面，從而形成含鎳層53。（圖3C)除了 藉由塗敷的含鎳層的形成方法之外，也可以使用藉由濺射 、蒸發或電獎處理形成極薄膜的方法。進一步，這裏提出 塗敷到整個表面的實例。然而，含鎳的層也可以用掩膜的 形成以選擇性地形成。 經濟部智慧財產¾員工消費合作社印製 其次，進行熱處理以實施晶化。這個情形中，矽化物 在半導體膜的一部分上形成，其接觸促進半導體膜的晶化 的金屬元素，晶化用矽化物當成核來進行。這樣，形成圖 3 D所示具有結晶結構的第一半導體膜5 4 a。注意，晶 化後第一半導體膜5 4 a中所含的氧濃度理想地設爲5 X 1 〇18/cm3或更少。這裏，進行用於氫化的熱處理之 後（4 5 0 °C，1小時），進行用於晶化的熱處理（ 550°C - 650。（：，4一24小時）。進一步，用強光 照射進行晶化的情形中，能使用紅外光、可見光、和紫外 光之一或其組合。典型地，用發自鹵素燈、金屬鹵化物燈 、氙弧光燈、碳弧光燈、高壓鈉燈或高壓汞燈的光。燈光 光源打開1 一 6 0秒，較佳的3 0 - 6 0秒，重複1 — 1 0次，由此半導體膜充分地被迅速加熱到約6 0 0 -1 0 0 0 °c。注意，強光照射之前，如有必要，可以進行 用於釋放具有非晶結構的第一半導體膜5 2中所含的氫的 熱處理。進一步，晶化可以藉由同時實施熱處理和強光照 射來進行。考慮到生産率，希望晶化以強光照射進行。 金屬元素（該情形中爲鎳）殘留在這樣得到的第一半 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（2$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 導體膜5 4 a中。即使金屬元素在膜中不均勻地分佈，金 屬元素以大於lxl 019/cm3的濃度當成平均濃度殘留 在膜中。當然，即使在上面說明的狀態中’也能形成包括 T F T的各種半導體元件。然而，還是用以下提出的方法 除去元素。 其次，爲了提高晶化率（晶體成分與膜的總體積的比 )並修復殘留在晶粒中的缺陷，雷射（第一雷射）在大氣 或氧氣氛中照射到具有結晶結構的第一半導體膜5 4 a上 。在雷射（第一雷射）照射的情形中，薄的氧化物膜5 5 與半導體膜表面的不均勻性一起形成。（圖3E)具有 4 0 0 nm或更短波長的準分子雷射器、YAG雷射器的 二次諧波或三次諧波，或連續振盪N d : Y V〇4雷射器（ 基本波長爲1 0 6 4 n m )的二次諧波（5 3 2 n m )或 三次諧波（3 5 5 n m )可用於雷射（第一雷射）。 然後，除去藉由第一雷射照射形成的氧化物膜5 5。 (圖 3 F ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，雷射（第二雷射）在氮氣氛中或真空中照射到 具有結晶結構的第一半導體膜上。雷射在氮氣氛中或在真 空中被照射的情形中，微孔很容易形成於半導體膜內。然 而，底絕緣膜和半導體膜在同樣的膜沈積溫度下形成，由 此微孔的出現被抑制。因而，起因於被認爲是不均勻性原 因的微孔表面不均勻尺寸和T F T性能的差異減少了。進 一步，雷射（第二雷射）照射的情形中，由第一次雷射照 射形成的脊減少了，也就是，平坦化了。（圖3 G ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）— ~ ' 544938 Α7 Β7 五、發明説明（y 請 先 閲 讀 背 面 ί 事 項 再 填 本 頁 其次，用含臭氧的水溶液（典型的是臭氧水）形成氧 化物膜C所謂的化學氧化）以形成包括1 - 1 0 n m的氧 化物膜的阻擋層5 6。含稀有氣體元素的第二半導體膜 57形成於阻擋層56上。（圖4A) 進一步，當成形成阻擋層5 6的另一種形成方法，臭 氧可以藉由在氧氣氛中紫外光的照射來産生，從而氧化具 有結晶結構半導體膜的表面。進一步，還是當成形成阻擋 層5 6的另一種方法，具有大約1 一 1 〇 nm厚度的氧化 物膜可以藉由電漿CVD、濺射或蒸發來沈積。還是依然 當成形成阻擋層5 6的另一種方法，可以藉由用潔淨爐加 熱到大約2 0 0 — 3 5 0 ° C來形成薄的氧化物膜。注意， 阻擋層不特別地受到局限，只要其用上述方法的一種或其 組合即可。然而，需要阻擋層具有能使第一半導體膜中的 鎳藉由後面實施的吸氣轉移到第二半導體膜中的膜品質或 膜厚度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於此，用濺射形成含有稀有氣體元素的第二半導體膜 5 7以形成吸氣側。選自包括氦（H e )、氖（N e )、 氬（Ar)、氪（Kr)、氣（Xe)的組中的一種或多 種元素被當成稀有氣體元素。首先，氬（Ar )因爲它是 廉價的氣體，所以是較佳的。第二半導體膜在含稀有氣體 元素的氣氛中用包括矽的靶形成。使稀有氣體元素離子包 含在膜中的惰性氣體中有兩個目的。一個目的是形成懸垂 鍵以便提供半導體膜畸變。另一個目的是在半導體的晶格 之間提供畸變。當使用諸如氬（A r )、氪（K r )、氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -32- 544938 A7 B7 五、發明説明（ 請 先 閲 讀 背 之 注 意 事 項 再 填 % 本 頁 (X e )這類具有大於矽的原子半徑的元素時，畸變就明 顯地提供在半導體膜的晶格之間。進一步’稀有氣體元素 包含在膜中，由此不僅形成晶格之間的畸變’而且形成懸 垂鍵，其有助於吸氣作用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，實施熱處理以實施用於減少第一半導體中金屬 元素（鎳）濃度之吸氣或除去第一半導體膜中金屬元素。 (圖4 B )可以進行照射強光的處理或加熱的處理當成用 於實施吸氣的熱處理。藉由吸氣，金屬元素沿著圖4 B中 箭頭的方向（也就是，從基底側向第二半導體膜表面的方 向）移動，實現金屬元素的除去或金屬元素濃度的減少， 所述金屬元素包含在由阻擋層5 6覆蓋的第一半導體膜 5 4 d中。金屬元素在吸氣處理中移動的距離基本等於至 少第一半導體膜的厚度就足夠了，並且吸氣可以在相對短 的時間內完成。這裏，鎳被移動到第二半導體膜5 7中以 便於它不在第一半導體膜5 4 d中分離，並且充分地進行 吸氣以便於第一半導體膜5 4 d中所包含的鎳幾乎無法存 在，這就是說，膜中的鎳濃度被設定爲1 X 1 〇 1 8 / c m 3 或更少，理想地1 X 1 0 1 7 / c m 3或更少。 進一步，在上述吸氣處理中，同時實施對來自於雷射 照射（第一雷射和第二雷射）的損害的修復。 其次，以阻擋層5 6當成蝕刻阻止層選擇性地除去由 參考編號5 7所指的單獨的第二半導體膜之後，除去阻擋 層5 6，第一半導體膜5 4 d用已知的技術形成圖形以形 成具有所需形狀的半導體層5 8。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -33- 544938 A7 B7 五、發明説明（ 丁 F 丁藉由執行與實施例模式1中相同的後續步驟來 完成。（圖4 E ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖4 E中，參考編號5 9指閘極絕緣膜、6 0指閘極 電極、6 1指源區、6 2指汲區，6 3指通道形成區， 6 4指中間層絕緣膜，6 5指源極電極，6 6指汲極電極 〇 進一步，本實施例模式可與實施例模式1組合。此外 ’本實施例模式能與其他已知的吸氣技術組合。 進一步，在本實施例模式中，提出了一個實例，其中 第二雷射照射在吸氣之前進行。然而，可以採用下面的處 理，其中：第一雷射照射之後，形成阻擋層和含稀有氣體 的半導體膜；用熱處理實施吸氣；除去含稀有氣體元素的 半導體膜和阻擋層；然後，在惰性氣體氣氛中或在真空中 進行第二雷射照射。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且，吸氣之前可以不進行第二次雷射照射。在具有 所需形狀的半導體層的形成之後，藉由淨化除去氧化物膜 和類似的膜，然後，可以在惰性氣體氣氛中或真空中進行 用於整平表面的第二雷射照射。 更進一步，在第二雷射照射中，氮氣可以噴射到要被 照射的區域附近。 實施例模式4 於此提出一個實例，其中根據用實施例模式2或實施 例模式3中的雷射照射表面生産量得到改善。 -34- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544938 Α7 Β7 五、發明説明（y (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在實施例模式2或實施例模式3中雷射照射進行兩次 ，這樣，會降低生産量。因此，本實施例模式中，使用脈 衝振盪型雷射器的情形中，讓第二雷射的發射次數，即重 疊比小於第一雷射。 特別地’第一雷射的重疊比設爲9 〇 %或更高，較佳 的9 5 - 9 8% ’第二雷射的重疊比設爲6 〇 - 9 0%， 較佳的7 0 - 8 5 %。即使第二雷射的重疊比小於第一雷 射的重疊比，也能獲得表面的充分的整平化。 因而，能夠讓第二雷射的重疊比較小，這樣，明顯地 改善生産量。進一步，因爲實施第二雷射照射，第一雷射 的重疊比也能降低。 注意，本實施例模式能用於實施例模式1或實施例模 式2。 按上面說明所構成的本發明將進一步以下面提出的實 施例詳細說明。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 實施例 實施例1 本發明的一個實施例將參考圖5 A至7說明。於此詳 細說明在相同基底上同時製造圖素部分和在圖素部分周圍 所提供的驅動器電路T F T ( η通道T F T和p通道 T F Τ )的方法。 首先，底絕緣膜1 0 1形成於基底1 0 0上，得到具 有結晶結構的第一半導體膜。然後’半導體膜被蝕刻成所 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（ 需的形狀以形成在島狀互相分離的半導體層1 0 2至 10 6° (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 玻璃基底（# 1 73 7)當成基底1 00。形成當成 材料氣體的S i Η 4、N Η 3、N 2〇（組分比：S 1 = 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 2%’ 〇=27%’1^! = 24%，1^==17%)的氮氧 化矽膜1 0 1 a藉由電漿C V D在4 0 0 t：的膜沈積溫度 下形成50nm (較佳的1 0 — 200nm)的厚度，以 用於底絕緣膜1 0 1。然後，用臭氧水淸潔表面之後，表 面上的氧化物膜藉由稀釋的氫氟酸（1/1 0 0稀釋）除 去。其次，形成當成材料氣體的S i Η 4和N 2〇（組分比 :Si=32%，〇 = 59%，N=7%，H = 2%)的 氮氧化矽氫膜1 0 1 b以電漿C V D在4 0 0 °C的膜沈積 溫度下，在其上形成1 OOnm (較佳的5 0 - 20 0 n m)的厚度從而形成叠層。進一步，不暴露於大氣中的 條件下，藉由使用電漿C V D，在3 0 0 t的膜沈積溫度 下，使用S i Η 4當成膜沈積氣體形成具有非晶結構的半導 體膜（本情形中是非晶矽膜），具有5 4 n m的厚度（較 佳的 25 — 8〇nm)。 本實施例中，基礎膜1 0 1以兩層結構的形式提供， 但是可以採用絕緣膜的單層或其中兩層或更多的層疊加在 一起的結構。進一步，在半導體的材料上沒有限制。然而 ，半導體膜可以較佳的用已知的方法（濺射、L P c V D 、電漿C V D或類似的方法）由矽或鍺矽合金（ S ixGei-x (Χ = 〇 · 0001 — 〇 · 02))形成。 ;紙張尺度適财關家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐)" 一 544938 A7 B7 五、發明説明（y (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 進一步，電漿c VD設備可以是單晶片型或批量型。此外 ’底絕緣膜和半導體膜可以在不暴露於大氣的條件下在同 樣的膜形成室中連續地形成。 接下來，具有非晶結構的半導體膜的表面被淸潔後， 在表面上從臭氧水中形成由大約2 nm厚度的極薄的氧化 物膜。然後，爲了控制T F T的臨界値，實施微量雜質元 素（硼或磷）的摻雜。這裏，使用離子摻雜的方法，其中 乙硼烷（B2 H6)在沒有質量分離的條件下被電漿激發， 硼在下面的摻雜條件下加入到非晶矽膜中：1 5 k V的加 速電壓；3 0 s c cm的以氫稀釋至1%的乙硼烷的氣流 速率；2 X 1 0 1 2 / c m 2的劑量。 然後，含1 0 p p m重量的鎳的醋酸鎳鹽溶液用旋轉 器塗敷。也可以用藉由濺射將鎳元素噴射到整個表面上的 方法代替塗敷。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，進行熱處理以實施晶化，從而形成具有結晶結 構的半導體膜。爲了此熱處理，可以進行利用電爐或強光 照射的加熱處理。在加熱處理利用電爐的情形中，可以在 5 0 0 - 6 5 0°C進行4 一 2 4小時。這裏，進行了用於 氫化的加熱處理（5 0 0 °C，1小時）之後，進行用於晶 化的加熱處理（5 5 0 t，4小時），從而得到具有結晶 結構的矽膜。注意，儘管晶化藉由用爐子的加熱處理實施 ’晶化還可以藉由燈退火設備的方式實施。還要注意，儘 管這裏採用了以鎳當成促進矽晶化的金屬元素的晶化技術 ，也可以使用其他已知的晶化技術，例如，固相生長方法 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37- 544938 Α7 __ Β7 五、發明説明（ 和雷射晶化方法。 請 先 閱 讀 背 ιέ 之 注 意 事 項 再 填 馬 本 頁 其次’用稀釋氫氟酸或類似的溶液除去具有結晶結構 的砂膜表面上的氧化物膜之後，在大氣中或在氧氣氛中實 施用於提高晶化率及修復殘留在晶粒中的缺陷的第一雷射 的照射（XeCl :308nm的波長）。具有400 n m或更短波長的準分子雷射，或γ a G雷射器的二次諧 波或三次諧波用於雷射。在任何情況下，使用具有約1 〇 一 1 0 0 0 Η z的重複頻率的脈衝雷射，脈衝雷射用光學 系統聚焦到1 0 0 - 5 0 OmJ/cm2，照射用9 0 — 9 5%的重疊比來實施，由此矽膜表面可以被掃描。這裏 ，第一雷射的照射在大氣中用3 Ο Η z的重複頻率和 3 9 3 m J / c m 2的能量密度來實施。注意，由於照射在 大氣中或氧氣氛中進行，氧化物膜藉由第一雷射照射形成 於表面上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 還要注意，儘管用鎳當成促進矽晶化的金屬元素來進 行熱晶化之後使用了照射雷射的技術，非晶矽膜還可以藉 由連續振盪雷射器（Y V〇4雷射器的二次諧波）在不添加 鎳的條件下晶化。 其次，用稀釋氫氟酸除去藉由第一次雷射照射所形成 的氧化物膜之後，在氮氣氛中或在真空中實施第二雷射照 射，從而整平半導體膜表面。具有4 0 0 nm或更短波長 的準分子雷射，或Y A G雷射的二次諧波或三次諧波被用 作雷射（第二雷射）。讓第二雷射的能量密度高於第一雷 射的，較佳的高出30 — 60mJ/cm2。這裏，用3〇 •38- 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 544938 A7 ___B7 _ 五、發明説明（^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Η z的重複頻率和4 5 3mJ/cm2的能量密度實施第二 次雷射照射，以便從而將半導體膜表面中不均勻的P - V 値設爲5 n m或更少。第二次雷射照射的情形中，由第一 次雷射照射肜成的不均勻位準上的差異（P - V値：峰對 谷，高度上最大値和最小値之間的差異）減小了，也就是 說，平坦化了。這裏，不均勻的P — V値可以用A FM ( 原子力顯微鏡）觀察。A F Μ能進行當成其他表徵表面粗 糙度的指數中心線平均高度（R a )、均方根粗糙度（ R m s )、十點平均表面粗糙度（R z )和平均傾斜角（ A a )的測量。 讓第二雷射照射的能量密度比第一雷射照射的高3 0 mJ/cm2 — 6〇mJ/cm2 (450 — 560 m J / c m 2 )，由此與照射之前相比，整平度得到明顯地 改善。例如，表面粗糙度（P - V値、R a、R m s )與 照射之前相比減少到1 / 2或更少’或1 / 3或更少。當 進行比較實驗時，用比第一雷射的能量密度高6 0 m J / c m 2的第二雷射照射的半導體膜的表面是最平坦的 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 表面。 進一步，雖然本實施例中在表面上進行了第二雷射照 射，由於關閉電流的減小特別對圖素部分T F T有影響， 所以可以採用至少在圖素部分有選擇性地實施照射的步驟 〇 其次，表面用臭氧水處理1 2 0秒，從而形成由具有 1 - 5 n m旳總厚度的氧化物膜組成的阻擋層。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) .39- " 544938 A7 B7 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後，藉由濺射在阻擋層上形成變成吸氣側的含氬元 素的非晶矽膜，具有1 5 0 n m的厚度。本實施例中藉由 濺射的膜沈積條件是：0 . 3 P a的膜沈積壓力、5 0 s c c m的（A I* )氣流速率、3 k W的膜沈積功率、 1 5 0 °C的基底溫度。注意，在上述條件下，非晶矽膜中 所含氬元素的原子濃度是3X102G/cm3-6X 1 02D/cm3，氧的原子濃度是1又1〇19/(：1113 — 3 X 1 〇 1 9 / c m 3。 其後，用燈退火設備進行6 5 0°C、3分鐘的熱處理 以實施吸氣。 接下來，含氬元素的非晶矽膜，其是吸氣側，用阻擋 層當成蝕刻阻止層被有選擇性地除去，然後，用稀釋氫氟 酸有選擇性地除去阻擋層。注意，有一個趨勢是，在吸氣 處理中鎳容易移到具有高氧濃度的區域，這樣，理想的是 其組成包括氧化物膜的阻擋層在吸氣之後被除去。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 然後，在所得到的具有結晶結構的矽膜（也稱作多晶 矽膜）的表面上從臭氧水中形成薄氧化物膜之後，形成由 抗蝕劑構成的掩膜，並在此進行蝕刻處理以得到所需的形 狀，從而形成彼此互相分離的島狀半導體層1 0 2 - 1 0 6。半導體層的形成之後，除去由抗蝕劑構成的掩膜 0 然後，用含氫氟酸的腐蝕劑除去氧化物膜，同時，淸 潔矽膜的表面。之後，形成包含矽當成其主要成分的絕緣 膜，其成爲閘極絕緣膜1 〇 7。本實施例中，藉由電獎 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -40- 544938 A7 B7 五、發明説明（3έ C V D形成具有1 1 5 n m厚度的氮氧化矽膜（組分比： Si=32%、〇=59%、N=7%、H=2%)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 其次，如圖5 A所示，在閘極絕緣膜1 〇 7上，具有 2 0 - 1 0 0 nm厚度的第一導電膜1 〇8 a和具有 1 0 0 - 4 0 0 nm厚度的第二導電膜1 〇 8 b以疊層的 方式形成。本實施例中，50nm厚的氮化鉅膜和3 70 n m厚的鎢膜順序疊加在閘極絕緣膜1 〇 7上。 經濟部智慈財/f岛員工消費合作社印製 當成用於形成第一導電膜和第二導電膜的導電材料， 採用選自包括丁 a、W、T i 、Μ 〇、A 1和C u的組中 的元素、或包含上述當成其主要成分的合金材料或化合物 材料。進一步，摻雜了諸如磷的雜質元素的以多晶矽膜爲 代表的半導體膜或A g P d C u合金可以當成第一導電膜 和第二導電膜。進一步，本發明不局限於兩層結構。例如 ，可以採用三層結構，其中5 0 n m厚鎢膜、具有5 0 〇 n m的厚度的鋁和矽（A 1 — S i )的合金膜、3 0 n m 厚的氮化鈦（titanium nitride )膜順序地疊加在一起。而且 ，三層結構的情形中，氮化鎢可以用來代替第一導電膜的 鎢，鋁和鈦（A 1 - T i )的合金膜可以用來代替第二導 電膜的鋁和矽（A 1 - S i )的合金膜，鈦膜可以用來代 替第三導電膜的氮化鈦膜。此外，也可以採用單層結構。 其次，如圖5 B所示，藉由曝光步驟形成掩膜1 1 〇 和1 1 5 ，並實施用於形成閘極電極和接線的第一蝕刻處 理。第一蝕刻處理用第一和第二蝕刻條件實施。I C P ( 電感親合電獎）蝕刻法可以較佳的用於蝕刻處理。用 -41 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：Z97公釐） 544938 Α7 Β7 五、發明説明（g (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 1 c p蝕刻方法，並適當地調整鈾刻條件（加到線圈形電 極上的電能、加到基底側電極上的電能、基底側電極的溫 度以及類似的條件），由此膜能被蝕刻成所需的錐形。注 意，以C 1 2 、B C 1 3、S i C 1 4、和C C 1 4爲代表的 氯基氣體，以c F4、S F6和NF3爲代表的氟基氣體和 0 2可以適當地用作蝕刻氣體。 本實施例中，還在基底（樣品台）上載入1 5 0 W的 R F ( 1 3 . 5 6 Μ Η Z )功率以基本提供負的自偏壓。 用第一蝕刻條件鈾刻W膜以將第一導電層的末端部分形成 爲錐形。在第一蝕刻條件下，對W的蝕刻速率是 200 · 39 nm/mi η，對TaN的蝕刻速率是 80 · 32nm/mi n，W對TaN的選擇比約是 2 . 5。進一步，用第一蝕刻條件，W的錐形角度大約是 2 6° 。其後，在不除去由抗蝕劑構成的掩膜1 1 0 - 1 1 5時，將第一鈾刻條件改成第二蝕刻條件。C F 4和 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C 1 2當成蝕刻氣體，氣體的流速設爲3 0/3 0 s c cm ，在IPa的壓力下將500W的RF(13.56 Μ Η z )功率載入到線圈形電極上以産生電漿，從而實施 約3 0秒的蝕刻。2〇W的R F ( 1 3 . 5 6 Μ Η ζ )功 率還載入到基底側（樣品台）以基本提供負的自偏壓。在 第二鈾刻條件下，其中C F 4和C 1 2混合，W膜和T a Ν 膜以相同位準蝕刻。用第二蝕刻條件，對W的蝕刻速率是 58 · 97nm/mi η、對TaN的鈾刻速率是 6 6 · 4 3 n m /m i η。注意，爲了在閘極絕緣膜上進 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 544938 A7 B7_____ 五、發明説明（4么 行蝕刻而不留下殘餘物，蝕刻時間可以增加1 0 - 2 0 % 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在以上所說明的第一蝕刻處理中，使由抗蝕劑構成的 掩膜的形狀合適，由此第一導電層的末端部分和第二導電 層的末端部分由於加在基底側上的偏壓的影響，每個都具 有錐形的形狀。錐形部分的角度充分地設爲1 5 - 4 5 ° 〇 這樣，組成包括第一導電層和第二導電層的第一形狀 導電層117— 121 (第一導電層117a — 121a 和第二導電層117b—121b)藉由第一蝕刻處理形 成。變成閘極絕緣膜的絕緣膜1 0 7約蝕刻1 〇 - 2 0 n m，並變成閘極絕緣膜1 1 6，其中沒有被第一形狀導 電層1 1 7 - 1 2 1覆蓋的區域被減薄。 其次，進行第二蝕刻處理而不除去由抗蝕劑構成自勺掩 膜。這裏，S F 6、C 1 2和〇2當成鈾刻氣體’氣體的流 速設爲24/12/24sccm，在1.3Pa的壓力 下將7 0 0 W的R F ( 1 3 . 5 6 Μ Η z )功率載入到線 經濟部智葸財產局員工消費合作社印製 圏形電極上以産生電漿，從而實施2 5秒的鈾刻。1 0 w 的R F ( 1 3 · 5 6 Μ Η z )功率還載入到基底側（樣品 台）以基本提供負的自偏壓。在第二蝕刻處理中’對W的 蝕刻速率是2 2 7 . 3 n m / m i η，對T a Ν的餓刻速 率是32 · lnm/mi n，W對TaN的選擇比是 7 · 1 ，對絕緣膜1 1 6的S i〇N的鈾刻速率是 3 3 . 7nm/mi n，W對S i ON的選擇比是 -43 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544938 A7 __B7_ 五、發明説明（ 6 · 8 3。在S F 6當成蝕刻氣體的情形中’如上面說明的 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，相對於絕緣膜1 1 6的選擇比是高的。這樣’能抑制膜 厚度的減小。本實施例中，絕緣膜1 1 6的膜厚度只減少 大約8 n m。 藉由第二鈾刻處理，W的錐形角變成70° 。藉由第 二蝕刻處理，形成第二導電層124b-129b°另一 方面，第一導電層很難被蝕刻變成第一導電層1 2 4 a -129a。注意，第一導電層124a — 129a具有與 第一導電層1 1 7 a - 1 2 1 a基本相同的尺寸。實際上 ，第一導電層的寬度與第二蝕刻處理之前相比可減少約 0 _ 3 μ m，即總的線寬約0 . 6 μ m。然而，第一導電層 的尺寸幾乎沒有改變。 進一步，在採用5〇nm厚的鎢膜、具有500nm 厚度的鋁和矽（A 1 — S i )的合金膜、3 0 n m厚的氮 化鈦膜順序疊加在一起的三層結構代替兩層結構的情形中 ，在第一蝕刻處理的第一蝕刻條件下，其中：B C 1 3、 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 C 1 2和〇2當成材料氣體；氣體的流速設爲6 5/1 〇/ 5 (seem) ; 300W 的 RF (13 · 56MHz) 功率載入到基底側（樣品台）；且4 5 0 W的R F ( 1 3 . 5 6 Μ Η z )功率在1 · 2 P a的壓力下載入到線 圈形電極上以産生電漿，蝕刻實施1 1 7秒。至於第一蝕 刻處理的第二蝕刻條件，用C F 4、C 1 2和〇2，氣體流 速設爲 25/25/l〇sccm，20W的 RF ( 1 3 · 5 6 Μ Η z )功率也載入到基底一側（樣品台）； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -44- 544938 A7 _B7____ _ 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 500W 的 RF (13 · 56MHz)功率在 IPa 的壓 力下載入到線圈形電極上以産生電漿。用上述條件，蝕刻 實施約3 0秒就足夠了。在第二蝕刻處理中，用B C 1 3和 Cl2，氣體流速設爲20/60sccm，100W的 R F ( 1 3 . 5 6 Μ Η z )功率載入到基底側（樣品台） ;600W的 RF (13 . 56MHz)功率在 1 · 2 P a的壓力下載入到線圈形電極上以産生電漿’從而實施 蝕刻。 經濟部智慧財產^員工消費合作社印製 其次，除去由抗鈾劑構成的掩膜，然後，進行第一摻 雜處理以獲得圖5 D的狀態。摻雜可以藉由離子摻雜或離 子注入進行摻雜處理。離子摻雜在1 · 5X1 014原子/ c m 2的劑量和6 0 — 1 0 0 k e V的加速電壓的條件下進 行。當成給予η型導電性的雜質元素，典型地使用磷（P )或砷（As)。本情形中，第一導電層和第二導電層 1 2 4 - 1 2 8變成掩膜阻止授予η型導電性的雜質元素 ，且第一雜質區1 3 0— 1 3 4以自對準的方式形成。授 予η型導電性的雜質元素添加到第一雜質區1 3 0 -134，在 1Χ1016— lXl〇17/cm3 的濃度範圍 內。這裏，與第一雜質區具有同樣濃度範圍的區域也稱作 π 區。 注意，雖然本實施例中第一摻雜處理在由抗蝕劑構成 的掩膜的去除之後實施，但是第一摻雜處理也可以在不除 去由抗蝕劑構成的掩膜時實施。 接下來，如圖6 A所示，形成由抗蝕劑構成的掩膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）~~ " 544938 A7 B7 五、發明説明（d (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 35 - 137，且進行第二摻雜處理。掩膜135是用 於保護通道形成區和形成驅動器電路的P通道T F 丁的半 導體層的通道形成區周圍的掩膜，掩膜1 3 6是用於保護 通道形成區和形成驅動器電路的η通道T F 丁之一的半導 體層的通道形成區周圍的掩膜，掩膜1 3 7是用於保護通 道區、其周圍和形成圖素部分的T F Τ的半導體層的儲存 電容的掩膜。 用第二摻雜處理中的離子摻雜條件：1 . 5 X 1 0 1 5 原子/cm2的劑量；60 - lOOkeV的加速電壓，摻 雜磷（P)。這裏，雜質區以自對準的方式、以第二導電 層1 2 4 b — 1 2 6 b當成掩膜在各自的半導體層中形成 。當然，磷不添加到被掩膜1 3 5- 1 3 5覆蓋的區域。 這樣，形成第二雜質區1 3 8 - 1 4 0和第三雜質區 1 42。授予η型導電性的雜質元素在lx 1 〇2()— lx 1 0 2 1 / c m 3的濃度範圍添加到第二雜質區1 3 8 -1 4 0中。這裏，與第二雜質區具有同樣濃度範圍的區域 也稱作η +區。 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 進一步，第三雜質區域以低於第二雜質區的濃度下藉 由第一導電層形成，並被添加以lx 1 018 - lx 1 〇19 / c m 3的濃度範圍的授予η型導電性的雜質元素。注意’ 由於摻雜是經過具有錐形的第一導電層的部分進行的’第 三雜質區具有濃度梯度，其中雜質濃度向著錐形部分的末 端部分增加。這裏，與第三雜質區具有同樣濃度範圍的區 域稱作η —區。進一步，被掩膜1 3 6和1 3 7覆蓋的區域 -46- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 544938 A7 B7 i、發明説明（4) 在第二摻雜處理中不加入雜質元素，並變成第一雜質區 1 4 4 和 1 4 5。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，由抗蝕劑構成的掩膜1 3 5 - 1 3 7被除去後 ’新形成由抗蝕劑構成的掩膜1 4 6 - 1 4 8，且如圖 6 B所示進行第三摻雜處理。 在驅動器電路中，如以上所說明的，藉由第三摻雜處 埋’形成第四雜質區1 4 9、1 5 0和第五雜質區1 5 1 、1 5 2，其中授予p型導電性的雜質元素添加到形成p 通道T F T的半導體層和形成儲存電容的半導體層中。 進一步，給予P型導電性的雜質元素在1 X 1 0 2 〇 -lx 1 〇21/cm3的濃度範圍內添加到第四雜質區 149和150中。注意，在第四雜質區149、150 中，在前述步驟中已經添加了磷（η —區），但是給予ρ型 導電性的雜質元素以磷的1 · 5 - 3倍高的濃度添加。這 樣，第四雜質區149、150具有ρ型導電性。這裏， 與第四雜質區具有同樣濃度範圍的區域也稱作ρ+區。 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 進一步，第五雜質區1 5 1和1 5 2在與第二導電層 1 2 5 a的錐形部分重疊的區域形成，用授予ρ型導電性 的雜質元素在lx 1 〇18-lx 1 〇2Q/cm3的濃度範 圍內添加。這裏，與第五雜質區具有同樣濃度範圍的區域 也稱作P ~區。 藉由以上說明的步驟，具有η型或ρ型導電性的雜質 元素在各自的半導體層內形成。導電層124-127變 成TFT的閘極電極。進一步，導電層1 2 8變成電極之 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -47- 544938 A7 B7 五、發明説明（ 一’其在圖素部分形成儲存電容。而且，導電層1 2 9在 圖素部分形成源極接線。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次’形成基本覆蓋整個表面的絕緣膜（未顯示）。 本實施例中，用電漿C V D形成5 0 n m厚的氧化矽膜， 其他包含矽旳絕緣膜可以使用在單層或疊層結構中。 然後’執行對添加到各自半導體層的雜質元素進行啓 動的步驟。在該啓動步驟中，採用使用燈光光源的迅速熱 退火（RTA)方法、照射發自YAG雷射器的光或來自 背表面的準分子雷射的方法、用爐子的熱處理、或其組合 〇 進一步，雖然本實施例中提出啓動之前形成絕緣膜的 實例’但是也可以在進行啓動之後形成絕緣膜的步驟。 經濟部智慧財產咼員工消費合作社印製 其次’第一中間層絕緣膜1 5 3由氮化矽膜形成，並 實施熱處理（300 - 550 t：，l — 12小時），從而 進行氫化半導體層的步驟。（圖6C)這個步驟是用第— 中間層絕緣膜1 5 3中所含的氫終止半導體層中懸垂鍵的 步驟。無論由氧化矽膜形成的絕緣膜（沒有圖示）存在與 否，半導體層都能被氫化。順便提及，本實施例中，包含 鋁當成其主要成分的材料使用於第二半導體層，這樣，提 供弟一丰導體層在氣化的步驟能夠承受的加熱條件是重要 的。當成用於氫化的另一種方式，可以進行電漿氫化（使 用電漿所激發的氫）。 其次’第二中間層絕緣膜1 5 4在第一中間層絕緣膜 1 5 3上由有機絕緣材料形成。本實施例中，形成具有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -48- 544938 A7 B7 五、發明説明（d 1 · 6 μΓΠ厚度的丙烯酸樹脂膜。然後，形成到達源極接線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 2 9的接觸孔、分別到達導電層1 2 7和1 2 8的接觸 孑L、到達各自雜質區的接觸孔。本實施例中，順序實施多 個蝕刻處理。本實施例中，用第一中間層絕緣膜當成鈾亥fJ 阻止層蝕刻第二中間層絕緣膜，用絕緣膜（未顯示）當成 蝕刻阻止層蝕刻第一中間層絕緣膜，然後，蝕刻絕緣膜（ 未顯示）。 其後，用A 1 、T i 、Μ 〇、W和類似的材料形成接 線和圖素電極。當成電極和圖素電極的材料，理想的是用 反射性能極好的材料，諸如含A 1或A g當成其主要成分 的膜或上述膜的疊層膜。這樣，形成源極電極或汲極電極 1 5 5 — 1 6 0、閘極接線1 6 2、連接接線1 6 1、和 圖素電極1 6 3。 如上所述，能在同樣基底上形成具有η通道
TFT201 、Ρ通道TFT202和η通道TFT 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 2 0 3的驅動電路2 0 6和具有其組成包括n通道TFT 和儲存電容2 0 5的圖素TFT2 0 4的圖素部分2 0 7 。本說明書中，爲了方便起見，上述基底被稱作主動矩陣 基底。 進一步，圖8提出使用T E Μ觀察的閘極電極附近截 面的照片。如圖8所示，由於第二雷射，半導體膜的表面 是平坦的。因爲半導體膜是平坦的，所以在半導體膜之上 的閘極絕緣膜中和閘極電極的錐形部分中幾乎看不到半導 體膜內不均勻性的影響。 -49- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 544938 Μ Β7_ 五、發明説明（4) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖素部分207中，圖素TFT204 (η通道 T F 丁）具有通道形成區1 6 7、在形成閘極電極的導電 層127之外形成的第一雜質區（η —區）145、當成源 區的第二雜質區（η+區）140。進一步，在當成儲存電 容2 0 5的電極之一的半導體層中’形成第四雜質區 1 5 〇和第五雜質區1 5 2。儲存電容2 0 5以絕緣膜（ 與閘極絕緣膜相同的膜）1 1 6當成電介質，由第二電極 1 28和半導體層150、152和168組成。 進一步，在驅動電路206中，η通道TFT201 (第一 η通道TFT)具有通道形成區1 6 4、藉由絕緣 膜與形成閘極電極的導電層1 2 4的部分重疊的第三雜質 區（η 一區）142，和作用當成源區或汲區的第二雜質 區（η + 區）1 3 8。 進一步，在驅動電路206中，Ρ通道TFT202 具有通道形成區1 6 5、藉由絕緣膜與形成閘極電極的導 電層1 2 5旳一部分重疊的第五雜質區（ρ__區）1 5 1 ’和作用當成源區或汲區的第四雜質區（Ρ+區）1 49。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 進一步，在驅動電路206中，η通道TFT203 (第二η通道TFT)具有通道形成區1 6 6、形成閘極 電極的導電層1 2 6外面的第一雜質區（η 一區）1 4 4 ’和作用當成源區或汲區的第二雜質區（η+區）139。 上述TF Τ 2 0 1 - 2 0 3適當地組合以形成移位暫 存器電路、緩衝器電路、位準移位電路、鎖存器電路和類 似的電路，從而形成驅動電路2 〇 6。例如，在形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) μ規格（210χ297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（ C MOS電路的情形中，η通道TFT2 0 1和p通道 T F Τ 2 0 2可以互補地互相連接。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 特別是，以防止起因於熱載子效應的劣化爲目的，η 通道T F Τ 2 0 3的結構適合於具有高驅動電壓的緩衝器 電路。 而且，η通道TFT201的結構，其是GOLD結 構，適合於可靠性佔據最優先位置的電路。 更進一步，測量根據本實施例獲得的η通道T F T 2 0 1的電性能，並檢查了其可靠性。這裏，得到啓動電 流値的波動（也稱作劣化率），其是可靠性的指標。注意 ’啓動電流値在汲極電壓V d = 1 V和閘極電壓V g = 1 0 V時，藉由測量得到。
首先，爲了發現起因於暫態應力的η通道T F T 2 0 1的性能差異，在測量了暫態應力（I 〇 η〇）施加 之前的啓動電流値以後，在室溫中對每個啓動電流値施加 暫態應力1 0 0秒，假設汲極電壓V d = + 2 5 V以及閘 極電壓 Vg = lV、1 . 5V、2V、2 · 5V、3V、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 · 5 V、4 V、4 · 5 V。之後，再次測量啓動電流値 ’暫態應力的施加前後的啓動性能波動顯示於圖9 A和 9 B中。暫態應力指當τ F T的汲極電壓設爲某一値並且 聞極電壓固定一定的時間周期的時候的應力。注意， T FT通道形成區的尺寸設定爲通道長度l/通道寬度W =1 0 μ m / 8 μ m，並測量T F T，其中在藉由閘極絕緣 膜（1 1 5 n m的膜厚）與閘極電極重疊的第三雜質區 -51 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（4 142中，通道長度方向的寬度是1 · Ιμιη。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當成對比實例，使用藉由本實施例中不實施第二雷射 照射而只實施第一雷射照射的步驟製造的T F Τ。 本實施例中（圖9 Β )，啓動電流値的波動（劣化率 )與對比實例（圖9 A )相比更小。這樣，表明T F Τ的 可靠性高於使半導體膜表面平坦而進行第二雷射照射的情 形。 進一步，進行相似的比較，其中閘極絕緣膜的膜厚度 是變化的。當閘極絕緣膜的厚度是8 0 n m時，圖1 〇 A 和1 Ο B提出假設汲極電壓V d = + 1 6 V以及閘極電壓 Vg=l-4 · 5V時，在室溫中向每個啓動電流値施加 暫態應力1 0 0秒的情形中的啓動性能波動（A I ο η / 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I ο η〇）。其中，圖1 Ο Α是比較實例的測量，圖 1 〇 B是本實施例的測量。進一步，當閘極絕緣膜的厚度 是60nm時，圖1 1A和1 1B提出假設汲極電壓Vd = + 2〇V以及閘極電壓Vg = l — 4 . 5V時，在室溫 中向每個啓動電流値施加暫態應力1 0 0秒的情形中的啓 動性能波動（A I Q n / I ο η〇）。其中，圖1 1 A是比 較實例的測量，圖1 1 B是本實施例的測量。 從以上看來，可靠性可藉由改善半導體膜表面的整平 度得到改善。這樣，在具有G〇L D結構的T F T中，即 使藉由閘極絕緣膜與閘極電極重疊的雜質區的面積減少， 也能得到足夠的可靠性。尤其是，在具有G〇L D結構的 丁 F T中，即使變成閘極電極的錐形部分的部分的尺寸減 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^ 544938 A7 _____B7_ 五、發明説明（ 少，也能得到足夠的可靠性。 進一步，圖12—15提出Vd二5V和Vg= (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 —4 · 5 V時，關閉電流値的機率統計的分佈的測量結果 。注意，在圖中，本實施例中的機率統計的分佈用“ X ” 繪出’比較實例中機率統計的分佈用“〇”繪出，其中只 進行第一雷射照射。圖1 2 — 1 5中的垂直軸指百分比， 且5 0 %處的値對應於關閉電流的平均値。進一步，水平 値指關閉電流値。例如，如果波動大，區域被所有的曲線 佔據’即，水平寬度變大。在用第二雷射實施整平化的情 形中’可以更明顯地看到關閉電流値的波動的減少，由於 閘極絕緣膜的厚度變得更薄。進一步，在用第二雷射實施 整平化的情形中，與圖1 2 - 1 4所示的具有L /W = 2 μ m / 8 μ m的T F T相比，更明顯的看到圖1 5所示的具 有通道長度L /通道寬度W = 7μπι/4 Ομιη的T F T中 的關閉電流値波動的減小。因而，在用第二雷射實施整平 化的情形中，波動能夠在具有相對大的通道寬度的T F Τ 中被有效地抑制，例如，用在緩衝器電路中的T F 丁（ L/W=7pm/1 4 Ομπι，7μπι/2 7 Ομπι，7μιτι/ 4 0 Ομηι，7μιη/8 0 Ομιη或類似的L/W値）或用在 類比開關電路中的TFT (L/W=8pm/4 0 0pm) ο 從以上看來，藉由改善半導體膜表面的整平度，即使 閘極絕緣膜的厚度被減薄，關閉電流的波動也能減小，並 且T F Τ的産量得到提高。在具有G〇L D結構的T F Τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） ~ 544938 A7 B7 五、發明説明（ 中，當閘極絕緣膜減薄時，寄生電容增加。但是，閘極電 極（第一導電層）錐形部分的尺寸被減小以減小寄生電容 ，由此τ F T變得能實現具有改善的性能的高速運轉並具 有足夠的可靠性。 注意’同樣在圖素部分2 0 7的圖素TF 丁中，第二 次雷射照射能實現關閉電流的減小和波動的減小。 進一步’本實施例中提出製造用於形成反射型顯示裝 置的主動矩陣基底的實例。然而，如果圖素電極由透明導 電膜形成’儘管光掩膜的數量增加了一個，也能形成透射 型顯示裝置。 更進一步，本實施例能與實施例模式1 - 3的任何一 個自由地組合。 實施例2 本實施例中，提出一實例，其中在實施例1中底絕緣 膜的膜沈積溫度和具有非晶結構的半導體膜的膜沈積溫度 安排成彼此相同。 以玻璃基底（# 1 7 3 7 )當成基底。當成底絕緣膜 ，形成自當成材料氣體的S i Η 4、N Η 3和N 2〇（組分 比：Si=32%，〇=27%，N=24%，H=17 % )的氮氧化矽膜藉由電漿C V D在3 0 0 °C的膜沈積溫 度下形成50nm (較佳的10 — 200nm)的厚度。 其次，用臭氧水淸潔底絕緣膜表面，然後，表面上的氧化 物膜用稀釋氫氟酸（1 / 1 0 〇稀釋）除去。接下來，由 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產咼員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -54- 544938 A7 B7 五、發明説明（d 當成材料氣體的S i Η 4和N 2〇（組分比·· s i = 3 2 % ，〇=59%，Ν=7%，Η=2%)形成的氮氧化矽氫 膜’用電漿C V D在3 0 0 °C的膜沈積溫度下，在其上形 成1 0 0 nm (較佳的5 0 - 2 0 0 nm)的厚度以便形 成叠層。進一步，不暴露於大氣中的條件下，具有非晶結 構的半導體膜（本情形中是非晶矽膜）藉由使用電漿 c ν ϋ在3〇0 °C的膜沈積溫度下，由當成膜沈積氣體的 s iH4形成，具有54nm的厚度（較佳的25 — 80 非晶半 例中設 無細微 請 先 閱 讀 背 ιέ 之 注 意 事 項 再 填 馬 本 頁 如上所述，底絕緣膜的膜沈積溫度和用於形成 導體膜的膜沈積溫度安排成基本相同，並在本實施 定爲3 0 0 °C。這樣，就能在底絕緣膜上獲得具有 凸起部分並且整平度極好的表面的非晶半導體膜。即使在 以後的步驟中用雷射照射，微孔的出現也能被抑制。進一 步’當底絕緣膜的膜沈積溫度和非晶半導體膜的膜沈積溫 度設定爲4 0 0 °C時也能獲得同樣的效果。 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 進一步，如實施例1中所示的第二雷射的情形相同， 在雷射在真空中或在惰性氣體氣氛中照射到半導體膜上的 情形中，微孔很容易産生。因而，本實施例特別有效。 形成具有非晶結構的半導體膜的步驟和隨後的步驟與 實施例1中的相同，這樣，可省略詳細說明。 如果本實施例中所得到的具有高整平度的半導體膜用 在TFT的主動層中，可提高承受電壓。這樣，進一步改 善了 T F T的可靠性。 -55- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（y 進一步，本實施例能與實施例1和實施例模式1 一 3 中的任何一個自由組合。 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 馬 本 頁 實施例3 本實施例說明從實施例1或2中所製備的主動矩陣基 底製造主動矩陣液晶顯示裝置的處理。參考圖1 6說明。 根據實施例1獲得圖7所說明的主動矩陣基底之後， 定向膜形成於圖7的主動矩陣基底上，並受到磨擦處理。 本實施例中，形成定向膜之前，爲了保持基底間是分開的 ，諸如丙烯酸樹脂膜的有機樹脂膜被形成圖形以便在所需 的位置形成柱狀間隔物。柱狀間隔物可以被噴射到基底整 個表面上的球形間隔物代替。 其次製備相對基底。相對基底具有瀘色器，其中色彩 層和遮光層相對於圖素排列。遮光層還可以放在驅動電路 部分。形成平面化膜以覆蓋濾色器和遮光層。在平面化的 膜上，相對電極形成自圖素部分中的透明導電膜。在相對 基底的整個表面上形成定向膜並受到磨擦處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後相對基底用密封構件粘接到其上形成有圖素部分 和驅動電路的主動矩陣基底上。密封構件有裝塡物混合在 其中，並且當兩個基底粘接時，所述裝塡物與柱狀間隔物 一起保持兩個基底之間的距離。其後，液晶材料注入到基 底之間，密封劑（未顯示）用於完整地密封基底。可以使 用衆所周知的液晶材料。這樣，就完成了主動矩陣液晶顯 示裝置。如有必要，主動矩陣基底或相對基底被切成所需 -56- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（ 形狀的片。顯示裝置可以用已知的技術適當地配備偏振片 。然後，用已知的技術將F P C附連到基底上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 參考圖1 6中的俯視圖來說明這樣所得到的液晶模組 的結構。 圖素部分3 0 4放在主動矩陣基底3 0 1的中心。用 於驅動源極訊號線的源極訊號線驅動電路3 0 2放在圖素 部分3 0 4的上方。用於驅動閘極訊號線的閘極訊號線驅 動電路3 0 3放在圖素部分3 0 4的左邊和右邊。儘管本 實施例中閘極訊號線驅動電路3 0 3相對於圖素部分是對 稱的，液晶模組也可以只有一個閘極訊號線驅動電路在圖 素部分中一側。從上述兩個選項中，設計者可以考慮液晶 模組的尺寸或類似的因素來選擇更適合的排列。但是，根 據電路運行可靠性、驅動效率及類似的因素，圖1 6所示 的閘極訊號線驅動電路的對稱排列是較佳的。 訊號從軟性印刷電路（F P C ) 3 0 5輸入到驅動接 線中。在打開中間層絕緣膜和樹脂膜中的接觸孔後， 經濟部智慧財產局K工消費合作社印製 F P C 3 0 5藉由各向異性導電膜按壓配合，並形成連接 電極3 0 9以便於到達排列在基底3 0 1的給定位置的接 線。本實施例中連接電極由I T〇形成。 密封劑沿著基底周邊圍繞驅動電路和圖素部分塗敷到 基底上。相對基底3 0 6用密封劑3 0 7粘接到基底 3 0 1上，同時預先形成於主動矩陣基底上的間隔物 3 1 0保持兩個基底之間的距離爲常數（基底3 0 1和相 對基底3 0 6之間的距離）。液晶單元經過沒有被密封劑 -57- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544938 Α7 Β7 五、發明説明（d 3 0 7塗敷旳基底區域注入。然後用密封劑3 0 8密封基 底。液晶模組藉由上述步驟完成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 儘管這裏所提出的實例中所有的驅動電路形成在基底 上，亦可使用某些I C於部份驅動電路。 進一步，本實施例可以與實施例模式1 一 3，實施例 1和實施例2中的任何結構自由地組合。 實施例4 實施例1提出反射型顯示裝置的實例，其中圖素電極 由反射型金屬材料形成。本實施例中所提出的是透射型顯 示裝置的實例，其中圖素電極由透光導電膜形成。 直到形成中間層絕緣膜的步驟的製造處理與實施例1 的處理是相同的，因此省略其詳細說明。根據實施例1形 成了中間層絕緣膜之後，由透光導電膜形成圖素電極 6 0 1。透光導電膜的實例包括I T〇（氧化銦錫合金） 膜、氧化銦一氧化鋅合金（I η 2 ◦ 3 - Ζ η〇）膜、氧化 鋅（Ζ η ◦)膜和類似的膜。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 之後，在中間層絕緣膜6 0 0中形成接觸孔。其次形 成與圖素電極重疊的連接電極6 0 2。連接電極6 0 2經 過接觸孔連接到汲區。在形成連接電極的同時，形成其他 T F 丁的源極電極或汲極電極。 儘管這裏所提出的實例中所有的驅動電路形成在基底 上，亦可使用某些I C於部份驅動電路。 如上所述完成了主動矩陣基底。根據實施例3從該主 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -58- 544938 A7 B7 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 動矩陣基底製造液晶模組。液晶模組配有背光6 〇 4和光 導板6 0 5，並用蓋6 0 6覆蓋以完成主動矩陣液晶顯示 裝置，其部分橫截面圖示於圖1 7。蓋用粘合劑或有機樹 月旨粘接到液晶模組上。當把基底粘接到相對基底上時，基 底可以形成框架以便於用於粘接的有機樹脂裝塡在框架和 基底之間的空間。因爲顯示裝置是透射型的，主動矩陣基 底和相對基底都需要粘接偏振片6 0 3。 本實施例能與實施例模式1 - 3和實施例1 - 3中任 何一個結構自由地組合。 實施例5 本實施例中，製造配備有EL (電致發光）元件發光 顯示裝置的實例顯示於圖1 8 A和1 8 B中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 8 A是E L模組的俯視圖，圖1 8 B是沿著圖 1 8 A的線A — A ’的橫截面圖。在具有絕緣表面的基底 9 0 0上（例如，玻璃基底、結晶的玻璃基底、塑膠基底 或類似的基底），形成圖素部分9 0 2、源極側驅動電路 9 0 1和汲極側驅動電路9 0 3。圖素部分和驅動電路可 以根據以上所說明的實施例獲得。進一步，參考編號 9 1 3指密封構件，參考編號9 1 9指D L C膜。用密封 構件9 1 8覆蓋圖素部分和驅動電路部分，用保護膜 9 1 9覆蓋密封構件。進一步，保護膜9 1 9用粘接劑藉 由蓋構件9 2 0密封。理想的是蓋構件用與基底9 0 0相 同的材料構成，例如，是玻璃基底，以便承受起因於加熱 -59- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 或外力的形變。蓋構件9 2 0藉由噴沙或類似的方法處理 以具有圖1 8 B所示的凸起形狀（具有3 - 1 〇 μπι的深度 )。理想的是，蓋構件9 2 0受到進一步處理以形成凸起 部分（具有5 0 - 2 Ο Ο μ m的深度），乾燥試劑能被安排 到其中。進一步，製造多E L模組的情形中，基底和蓋構 件互相連接在一起之後，可以用C〇2雷射器或類似的雷射 器進行分割以便末端表面互相匹配。 注意，參考編號9 0 8指用於對源極側驅動電路 9 0 1和閘極側驅動電路9 0 3傳輸訊號輸入的接線’並 從是外部輸入終端的F P C (軟性印刷電路）9 0 9接收 視頻訊號和時鐘訊號。注意，雖然圖中只顯示F P C，印 刷接線板（P W B )也可以連接到F P C上。本說明書中 的發光裝置不僅包括發光裝置的本體，而且包括連接有 FPC或PWB的發光裝置。 經濟部智慧財4局g(工消費合作社印製 其次，參考圖1 8 B說明橫截面結構。絕緣膜9 1 0 配備在基底9 0 0上，圖素部分9 0 2和閘極側驅動電路 9 0 3形成於絕緣膜9 1 0的上方，且圖素部分9 0 2由 包括電流控制丁 F T 9 1 1和電連接到電流控制T F T 9 1 1的圖素電極9 1 2的多個圖素組成。閘極側驅動電 路藉由使用其中η通道TFT913和p通道TFT 9 1 4組合的C Μ〇S電路形成。 以上TFT (包括911、913和914)可根據 實施例1中的η通道TFT2 0 1和p通道TFT2 0 2 製造。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇'〆297公釐） -60- 544938 A7 __ B7_ 五、發明説明（ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 注意’至於配備在T F T和E L元件之間的絕緣膜的 材料’適當的是用不僅能阻擋諸如鹼金屬離子或鹼土金屬 離子這樣的雜質離子的擴散、而且能主動吸收諸如鹼金屬 離子或鹼土金屬離子這樣的雜質離子的材料，進一步用能 承受隨後的處理溫度的材料。當成滿足上述條件的材料， 提出包含大量氟的氮化矽膜當成實例。氮化矽膜中所含氟 的濃度是1 X 1 0 1 9 / c m 3或更多，較佳的，氮化矽膜 中氟的組分比是1 - 5 %。氮化矽膜中的氟與鹼金屬離子 或鹼土金屬離子結合，並被吸收到膜中。進一步，當成另 一個實例，提出包含其組成包括銻（S b )化合物、錫（ s η )化合物或銦（I η )化合物的顆粒的有機樹脂膜， 其吸收鹼金屬離子、鹼土金屬離子或類似的離子，例如， 包含五氧化銻（S b 2〇5 · η Η 2〇）顆粒的有機樹脂膜。 注意，該有機樹脂膜包含具有1 〇 - 2 0 nm的平均顆粒 尺寸的顆粒，並具有高的光透射性能。以五氧化銻爲代表 的銻化合物容易吸收諸如鹼金屬離子或鹼土金屬離子這樣 的雜質離子。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖素電極9 1 2作用當成發光元件（EL元件）之陽 極起。進一步在圖素電極9 1 2的兩端形成築堤9 1 5， 發光兀件的陰極9 1 7和E L層9 1 6形成於圖素電極 9 1 2 上。 至於E L層9 1 6，發光層、電荷傳送層和電荷注入 層可以自由地組合以形成E L層（用於光發射和用於光發 射的載流子的運動的層）。例如，可以用小分子量的有機 本纸浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ 544938 A7 B7
五、發明説明（Q (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) E L材料或高分子量的有機E L材料。進一步’當成E L 層，還能使用由能藉由單重態激發（癸光）發光的發光材 料（單重態化合物）形成的薄膜或由能藉由三重態激發（ 磷光）發光的發光材料（三重態化合物）形成的薄膜。進 一步，諸如碳化矽的無機材料可以用做電荷傳送層或電荷 注入層。衆所周知的材料可用於有機£： L材料或無機E L 材料。 陰極9 2 7還當成所有圖素共同的接線，並藉由連接 接線9 0 8與F P C 9 0 9電連接。進一步，包含在圖素 部分9 0 2和閘極側驅動電路9 0 3中的所有元件都被陰 極9 1 7、密封構件9 1 8和保護膜9 1 9覆蓋。 注意，對可見光透明或半透明的材料較佳的用於密封 構件9 1 8。進一步，密封構件9 1 8理想地由盡可能不 滲透濕氣或氧的材料形成。 經濟部智慧財產¾員工消費合作社印製 進一步，發光元件完全由密封構件9 1 8覆蓋之後， 較佳的是由D L C膜或類似的膜組成的保護膜至少配備在 密封構件9 1 8的表面上（暴露的表面），如圖1 8 A和 1 8 B所示。進一步，保護膜可以配備在包括基底背表面 的整個表面上。這裏，爲了保護膜不沈積在配備有外部輸 入終端（F P C )的部分而引起注意是必要的。爲了不形 成保護膜，可以用掩膜。另外，外部輸入終端部分可以用 鐵弗龍（注冊商標）或類似的材料形成的帶子覆蓋，其在 C V D設備中用作掩膜帶以便不形成保護膜。 發光元件由具有上面所說明的結構的保護膜和密封構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ 544938 A7 B7 五、發明説明（β (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 件9 1 8密封，由此，發光元件能夠完全與外界隔離。這 樣，有可能防止諸如濕氣或氧這樣促進由E L層氧化引起 的劣化的物質從外界滲入。因而，能夠獲得具有高可靠性 的發光裝置。 進一步，可以採用一種結構，其中圖素電極是陰極， E L層和陽極層疊，從而在與圖1 8Α和1 8 Β中的方向 相反的方向提供光發射。圖1 9提出其實例。注意，該實 例的俯視圖與圖1 8 Α的相同，這裏就省略其說明。 圖1 9所示的橫截面結構在下面給予說明。當成基底 1 0 0 0，除了玻璃基底和石英基底以外還可以用半導體 基底或金屬基底。絕緣膜1010配備在基底1000上 ，圖素部分1 0 0 2和閘極側驅動電路1 〇 0 3形成於絕 緣膜1 0 1 0之上，圖素部分1 0 0 2由包括電流控制 丁 F T 1 〇 1 1和電連接到電流控制T F T 1 〇 1 1的汲 區的圖素電極1 0 1 2的多個圖素組成。進一步，閘極側 驅動電路1 0 0 3用其中η通道TFT1 0 1 3和P通道 TFT1〇14組合的CMOS電路形成。 經濟部智慧財產^7B (工消費合作社印製 圖素電極1 0 1 2作用當成發光元件的陰極。進一步 ，在圖素電極1012的兩端形成築堤1015 ，並在圖 素電極1012上形成發光元件的EL層1〇16和陽極 10 17° 陽極1 0 1 7還當成所有圖素的共同接線，並藉由連 接接線1 0 0 8電連接到F P C 1 〇 〇 9上。進一步，包 含在圖素部分1 〇 〇 2和閘極側驅動電路1 0 0 3中的所 -63- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（6)
有元件都被陽極1 0 1 7、密封構件1 〇 1 8和由DLC (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 膜或類似的膜組成的保護膜1 0 1 9覆蓋。進一步，蓋構 件1 0 2 0和基底1 0 0 0用粘接劑粘在一起。此外，蓋 構件內提供凹入的部分，乾燥試劑1 0 2 1安排在其中。 注意，密封構件1 0 1 8較佳的使用對可見光透明或 半透明的材料。另外，密封構件1 0 1 8理想地由盡可能 不滲透濕氣或氧的材料形成。 另外，圖1 9中，圖素電極是陰極，EL層和陽極層 叠。這樣，光發射的方向由圖1 9中箭頭指明。 本實施例中，使用實施例1中得到的具有高電性能和 高可靠性的T F T，因而，能夠形成比傳統元件具有更高 可靠性的發光元件。另外，具有這樣的發光元件的發光裝 置被用作顯示部分。這樣，就能獲得高性能的電設備。 注意，本實施例能與實施例模式1 - 3和實施例1和 實施例2中的任何一個自由地組合。 實施例6 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 本實施例中，給出頂閘型T F T的實例。然而，本發 明不限於T F T結構應用。本實施例中，圖2〇提出一實 例’其中本發明用於其中提供兩個聞極電極把半導體層夾 在中間的T F T。 首先’在基底1 1 0 0上提供第一聞極接線1 1 〇 1 。摻雜了授予導電性的雜質元素的多晶砂或w s i x (x = 2 · ◦ — 2 · 8 )、諸如 A 1 、T a、W、c r 或 Μ o 的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 二 -64 - 544938 A7 B7 五、發明説明（^ 導電材料或其疊層結構能用於第一閘極接線1 i 0 1。注 意’爲了防止雜質元素從基底1 1 〇 〇的擴散，可以形成 其組成包括諸如氧化矽膜、氮化矽膜或氮氧化矽膜這樣的 絕緣膜的底絕緣膜。
其次，形成具有大約5 0 0 n m厚度的第一絕緣膜 1 1 0 2以便於覆蓋第一閘極接線1 1 〇 1。當成第一絕 緣膜1 1 0 2 ，使用包含矽的絕緣膜，其藉由電漿C V D 或濺射形成。另外，第一絕緣膜可以由有機絕緣材料膜、 氧化矽膜、氮氧化矽膜、氮化矽膜或其中上述膜組合在一 起的疊層膜形成。 根據實施例模式1 - 3中的任何一個用電漿C V D在 相同的膜沈積溫度下，以疊加的方式形成第二絕緣膜 1 1 〇 3和具有非晶結構的半導體膜，這裏是非晶矽膜。 能夠在第二絕緣膜1 1 〇 3上得到具有無細微凸起部分、 整平度極好的表面的非晶半導體膜。即使在後面的步驟中 使用雷射照紂，微孔的出現也能被抑制。 另外，本實施例中，提出一實例，其中膜沈積溫度在 第二絕緣膜1 i 〇 3和具有非晶結構的半導體膜之間設定 爲相同。然而，可以讓膜沈積溫度在第一絕緣膜1 1 0 2 '第二絕緣膜1 1 0 3和具有非晶結構的半導體膜中間是 相同的。注意，在本實施例中底絕緣膜到半導體膜對應於 第一絕緣膜和第二絕緣膜。 然後，藉由實施例模式1或實施例1中說明的晶化技 術來晶化具有非晶結構的半導體膜以形成結晶矽膜（多晶 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Μ規格（2i〇X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 -65- 544938 A7 B7 五、發明説明（d) 請 先 閱 讀 背 冬 意 事 項 再 填 寫 本 頁 石夕），然後，膜被形成圖形以具有島的形狀。本實施例中 使用實施例1中的晶化技術，另外，在氮氣氛或真空中實 施用於半導體膜表面整平化的第二雷射照射，其在實施例 1中給出。這樣獲得的具有高整平度的半導體膜用在 τ FT的主動層，由此TFT的耐壓提高了。這樣， T F T的可靠性得到改善。 接下來，形成閘極絕緣膜1 1 0 7以便於覆蓋半導體 層之後，形成第二閘極電極1 1 0 8。然後，提出η型導 電性的雜質元素（Ρ、A s或類似的元素），這裏是磷， 適當地添加到半導體中以形成源區1 1 0 4和汲區 1 1 0 5。添加之後，實施熱處理、強光的照射或雷射的 照射用於雜質元素的啓動。 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 至於隨後的步驟，形成中間層絕緣膜1 1 0 9 ，進行 氫化，形成分別到達源區和汲區的接觸孔、到達第一閘極 電極的接觸孔、到達第二閘極電極的接觸孔，形成源極電 極1 1 1 0和汲極電極1 1 1 1 ，從而完成TFT (η通 道TFT)。這樣獲得的TFT示於圖20Α中。注意， 圖20A中參考編號1106指通道形成區。 另外，根據本實施例中的結構，每個圖素的T F T可 以採用雙閘結構，其中閘極電極藉由絕緣膜分別配備在通 道形成區1 1 0 6的上面和下面。第一絕緣膜和第二絕緣 膜每個都設定爲具有合適的厚度，由此T F T性能得到改 善，同時由第一聞極電極和其他接線形成的寄生電容被抑 制。此外，由於本實施例的結構採用雙閘結構，S値指最 -66 - 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544938 A7 ____B7_ 五、發明説明（ 佳値。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，如圖2 0A所示，在以上步驟中，半導體層受 第一閘極電極影響，由此形成步階。 當以消除步階爲目的用C Μ P (化學機械抛光）技術 或類似的技術實施整平化時，能獲得圖2 Ο Β所示的 T F Τ結構。 首先，爲了形成第一絕緣膜，第一閘極電極1 2 0 1 彤成於基底1 2 0 0上。其次，第一絕緣膜的表面用 C Μ Ρ或機械拋光來抛光以形成平坦的第一絕緣膜 1 2 0 2。例如，第一絕緣膜的表面的最大高度（
Rmax)設定爲〇 · 5μπι或更小，較佳的〇 · 3μπι或 更小。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由於在CMP中用了稀漿或類似的物質，雜質很容易 混入。這樣，進一步形成第二絕緣膜1 2 0 3。提供第二 絕緣膜1 2 0 3以防止雜質擴散到後面將要形成的半導體 層中。本實施例中，使用第二絕緣膜1 2 0 3和具有非晶 結構的半導體膜，這裏是非晶矽膜，以根據實施例模式1 一 3用電漿CVD在同樣的沈積溫度下形成疊層。具有無 細微凸起部分並有極好整平度的表面的非晶半導體膜能在 第二絕緣膜1 2 0 3上形成。這樣，即使當以後的步驟中 雷射被照射時，微孔的出現也能被抑制。 進一步，提出一實例，其中膜沈積溫度在第二絕緣膜 1 2 0 3和具有非晶結構的半導體膜之間設定爲相同的。 然而，可以讓膜沈積溫度在第一絕緣膜1 2 0 2、第二絕 -67- 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 緣膜1 2 0 3和具有非晶結構的半導體膜中間是相同的。 注意，底絕緣膜到半導體膜在本實施例中對應於第一絕緣 膜和第二絕緣膜。 其次，藉由實施例模式1或實施例1中說明的晶化技 術來晶化具有非晶結構的半導體膜以形成結晶矽膜（多晶 矽），對膜進行圖形形成以具有島的形狀。本實施例中使 用實施例1中的晶化技術，在氮氣氛或真空中實施用於半 導體膜表面整平化的第二雷射照射，其在實施例1中提出 。這樣獲得的具有高整平度的半導體膜用在T F 丁的主動 層，由此T F T的耐壓提高了。這樣，丁 F T的可靠性得 到改善。 接下來，形成閘極絕緣膜1 2 0 7以便於覆蓋半導體 層，然後，形成第二閘極電極1 2 0 8。然後，授予η型 導電性的雜質元素（Ρ、A s或類似的元素），本情形中 是磷，適當地添加到半導體中以形成源區1 2 0 4和汲區 1 2 0 5。添加之後’貫施熱處理、強光的照射或雷射的 照射用於雜質元素的啓動。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 至於隨後的步驟，形成中間層絕緣膜1 2 0 9 ，實施 氫化，形成分別到達源區和汲區的接觸孔、到達第一閘極 電極的接觸孔、到達第二閘極電極的接觸孔和類似的孔， 形成源極電極1 2 1 0和汲極電極1 2 1 1和類似的電極 ，從而完成TFT(η通道TFT)。這樣獲得的TFT 顯示於圖20B中。注意，圖20B中參考編號1 206 指通道形成區。 本紙浪尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -68 - 544938 A7 B7 五、發明説明（6》 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2 〇 B的結構中，與圖2 Ο A的結構相比加入了整 平化的步驟。因此，能實現具有更平坦的半導體膜表面的 結構。 注意，本實施例能與實施例模式1 - 3和實施例1 -5中的任何一個自由地組合。 實施例7 圖2 1是表示能夠應用於本發明的雷射處理設備的實 施例的圖。該設備的組成包括雷射器7 0 0、光學系統 7 01、基底台702、基底傳送裝置704、送風機 7 10等。另外，製備了用於支援基底711的盒708 、盒支架7 0 7、變成用於藉由送風機供給的氣體除去基 底上碎片或類似的物質的排氣埠的噴嘴7 0 9和類似的元 件當成附件。注意，發自噴嘴7 0 9的氣體吹到雷射照射 的區域。此外，當發自噴嘴7 0 9的氣體被加熱時，基底 也有可能被加熱。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 諸如在波長等於或小於4 0 0 n m處發光的準分子雷 身寸器這樣氣態雷射器，或諸如N d - Y A G雷射器或 Y L F雷射器這樣的固體雷射器被使用當成雷射器。用 N d— YAG時可以使用除了基本諧波（1 〇 6 0 nm) 夕f，還能用諸如二次諧波（5 3 2 n m )或三次諧波（ 3 5 3 _ 5 n m )的諧波。這些雷射器是脈衝發射雷射器 ，採用約5 - 3 0 0 Η z的發射頻率。 光學系統是用於會聚或擴展發自雷射器7 0 0的雷射 本纸浪尺度適用中國國家標準（CNS )Α4規格（210X297公釐1 ' 544938 A7 B7 五、發明説明（6) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、並將具有精細線形橫截面的雷射照射到待照射的表面的 系統。光學系統7 〇 1的結構可以是任意的，這裏用諸如 圓柱透鏡陣列7 1 2、圓柱透鏡7 1 3、反射鏡7 1 4和 雙重圓柱透鏡7 1 5這樣的元件構成。雖然依賴於透鏡的 尺寸，可照村具有1 0 0-4 0 Omm數量級的縱向長度 和1 0 0 — 5 0 0 μπι數量級的橫向長度的線形雷射。 基底台7 0 2支撐用於處理的基底7 1 1 ，並與雷射 同步移動。 基底7 1 1從盒7 0 8中的移動和其伴隨雷射處理的 運動由傳送裝置7 0 4來實施。在傳送裝置7 0 4上製備 臂7 0 5。根據臂7 0 5抓住基底7 1 1的一端並在軸向 運動，在整個基底上照射線形雷射變成可能。傳送裝置 7 ◦ 4依照控制裝置7 0 6與雷射器7 0 0的發射配合工 作。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 進一步，爲其中基底7 1 1的一側具有比線形雷射縱 向（沒有圖示）更長的長度的情形製備了能夠在垂直於軸 向的方向移動基底的傳送裝置。藉由使用能在相互垂直的 方向上移動基底的兩個傳送裝置，在整個基底表面上照射 雷射變成可能的。 這種類型的雷射設備對於處理邊長超過1 0 0 0 m m 且厚度等於或小於1 m m的玻璃基底的情形特別地有效。 例如，能處理1200mmX160mm或2000mm X 2 5 0 〇mm並有〇 . 4 — 0 . 7mm的厚度的玻璃基 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS )八4規格（2丨0X297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（6会 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 另外，有可能將實施例7與實施例模式1 - 3、實施 例1 - 6自由地組合。例如，有可能將實施例7應用到實 施例1的第一雷射照射。這時，從噴嘴吹出的空氣或含氧 的氣體可以吹出到雷射要照射的區域。更進一步，有可能 將實施例7應用到實施例1的第二雷射照射。在該情形中 ，惰性氣體，例如氮，被用作發自噴嘴的氣體，並吹出到 雷射要照射的區域，從而實施半導體膜表面的整平化。因 而在實施例7與實施例1組合的情形中，不必要替換用於 雷射照射的處理室中的氣氛。第一雷射的照射和第二雷射 的照射能在很短的時間內藉由適當地切換從噴嘴中噴出的 氣體來實施。 實施例8 藉由實現本發明而形成的驅動電路和圖素部分能使用 於各種模組中（主動矩陣型液晶模組、主動矩陣型E L模 組和主動矩陣型E C模組）。這就是說，本發明能在所有 整合有顯示部分模組的電子設備中實現。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當成這類電子設備，可以指出的有視頻相機、數位相 機、頭戴式顯示器（護目鏡式顯示器）、汽車導航系統' 投影儀、汽車音響、個人電腦、攜帶型資訊終端（移動式 電腦、行動電話或電子書）以及類似的設備。這些設備的 實例顯示於圖2 2、2 3和2 4。 圖2 2 A顯示包括本體2 0 0 1、影像輸入部分 2 0 0 2、顯示部分2 0 0 3和鍵盤2 0 〇 4的個人電腦 -71 - 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 544938 A7 B7 五、發明説明（d 。本發明可用於顯示部分2 0 0 3。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖2 2 B顯示包括本體2 1 0 1 、顯示部分2 1 〇 2 、聲音輸入部分2 1 0 3、操作開關2 1 0 4、電池 2 1 〇 5和影像接收部分2 1 0 6的視頻相機。本發明可 用於顯示部分2 1 0 2。 圖22C顯示包括本體2201、相機部分2202 '影像接收部分2 2 0 3、操作開關2 2 0 4和顯示部分 2 2 0 5的可移動電腦。本發明可用於顯示部分2 2 0 5 〇 圖22D顯示包括本體2301、顯示部分2302 不〇臂部分2 3 0 3的護目鏡式顯示器。本發明可用於顯示 部分2 3 0 2。 經濟部智慈財產苟員工消費合作社印製 圖2 2 E顯示使用上面記錄程式的記錄媒體（以下稱 爲記錄媒體）的播放器，其包括本體2 4 0 1、顯示部分 2 402、揚聲器部分2403、記錄媒體2404和操 作開關240 5。該播放器用DVD (數位通用盤）或 C D當成記錄媒體，並能欣賞音樂、欣賞電影以及玩遊戲 或上網。本發明可用於顯示部分2 4 0 2。 圖22F顯示包括本體2501、顯示部分2502 、眼睛接觸部分2 5 0 3、操作開關2 5 0 4和影像接收 部分（未顯示）的數位相機。本發明可用於顯示部分 2 5 0 2。 圖2 3 A顯示包括投影設備2 6 0 1和螢幕2 6 0 2 的前投式投影儀。本發明可用於構成投影設備2 6 0 1的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544938 A7 _B7___ 五、發明説明（7》 一部分的液晶模組2 8 0 8。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖23B顯示包括本體2701、投影設備2702 、反射鏡2 7 0 3和螢幕2 7 0 4的背投式投影儀。本發 明用於構成投影設備2 7 0 2的一部分的液晶模組 2 8 0 8。 另外，圖2 3 C是顯示圖2 3A和圖2 3 B中投影設 備2 6 0 1和2 7 0 2的結構的實例的視圖。投影設備 2 60 1或2 702的組成包括光源光學系統280 1 ' 反射鏡280 2及2804至2806、分色鏡2803 、棱鏡2 8 0 7、液晶顯示設備2 8 0 8、相位差板 2 8 0 9和投影光學系統2 8 1 0。投影光學系統 2 8 1 0的由包括投影鏡頭的光學系統組成。儘管這個實 施例顯示三片型的實例，該實施例不特別局限於此，而可 以是，例如，單片型。另外，實施此實施例的人可以適當 地在圖2 3 C中箭頭標識顯示的光路中配備諸如光學鏡頭 、具有偏振功能的膜、用於調節相差的膜或I r膜的光學 系統。 經濟部智慧財產苟員工消費合作社印製 進一步，圖2 3D是顯示圖2 3 C中光源光學系統 2 8 0 1的結構的實例的視圖。根據這個實施例，光源光 學系統的組成包括反射器2 8 1 1、光源2 8 1 2、透鏡 陣列2 8 1 3和2 8 1 4，偏振轉換元件2 8 1 5和聚焦 透鏡2 8 1 6 。進一步，圖2 3 D所示的光源光學系統只 是一個實例且這個實例不特別地局限於此。例如，實施此 實施例的人可以適當地在光源光學系統中配備諸如光學鏡 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ZZ ' 544938 A7 _ B7 五、發明説明（7) 頭、具有偏振功能的膜、用於調節相差的膜或I R膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而，根據圖2 3所示的投影儀，顯示了使用透射型 電光裝置的情形，而應用反射型電光裝置和E L模組的實 例沒有說明。 圖2 4A顯示包括本體2 9 0 1、聲音輸出部分 2 902、聲音輸入部分2903、顯示部分2904、 操作開關2 9 0 5、天線2 9 0 6和影像輸出部分（ C C D、影像感測器或類似的裝置）2 9 0 7的行動電話 。本發明可用於顯示部分2 9 0 4。 圖24B顯示包括本體3001、顯示部分3002 和3〇0 3 、記錄媒體3 0 0 4 、操作開關3 0 0 5和天 線3 0 0 6的攜帶型圖書（電子書）。本發明可用於顯示 咅E 分 3002 和 3003。 圖2 4C顯示包括本體3 1 0 1、支持座3 1 02和 顯示部分3 1 0 3的顯示器。本發明可用於顯示部分 3 10 3。 經濟部智慈財產苟員工消費合作社印製 此外，圖2 4 C所示的顯示器是小型和中型或大型的 ，例如，尺寸5 - 2 0英寸的顯示幕幕。而且’較佳的是 藉由利用尺寸是1 X 1 m的基底實施多圖形以形成這類尺 寸的顯示部分。 如上所述，應用本發明的範圍極其廣泛，適用於所有 領域的電子設備。本發明的電子設備可藉由自由組合實施 例1 — 7來實現。 根據本發明，具有無細微凸起部分、顯示於圖2 6中 -74- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 544938 A7 B7 1、發明説明（ '整平度極好的表面的非晶半導體膜能夠在底絕緣膜上獲 得’即使用雷射照射，顯示於圖2 5的微孔的出現也能被 抑制。 另外，還是在真空中或惰性氣體氣氛中對半導體膜實 施雷射照射的情形中，顯示於圖2 5的微孔的出現能被抑 制。 根據本發明，具有高整平度的半導體膜用於T F 丁的 主動層，由此耐壓得以提高。這樣，丁 F T的可靠性得以 改善。特別是，能減小T F 丁的關閉電流値，還能抑制波 動。因而，使用這類T F T的半導體裝置的工作性能得到 改善，並能實現裝置的低耗能。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -75 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇x 297公釐）

Claims (1)

  1. 544938 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1 _ 一種製造半導體裝置的方法，該方法包含以下步 驟： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在絕緣表面上形成底絕緣膜； 在底絕緣膜上形成非晶半導體膜；以及 用雷射照射非晶半導體膜以形成具有結晶結構的半導 體膜， 其中底絕緣膜的膜沈積溫度與非晶半導體膜的膜沈積 溫度相同。 2 · —種製造半導體裝置的方法，該方法包含以下步 驟： 在絕緣表面上形成底絕緣膜； 在底絕緣膜上形成非晶半導體膜；以及 用雷射照射非晶半導體膜以形成具有結晶結構的半導 體膜， 其中底絕緣膜和非晶半導體膜之間膜沈積溫度的差異 在土 5 0 °C的範圍。 3 · —種製造半導體裝置的方法，該方法包含以下步 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 驟： 在絕緣表面上形成底絕緣膜； 在底絕緣膜上形成非晶半導體膜；以及 用雷射照射非晶半導體膜， 其中底絕緣膜和非晶半導體膜之間膜沈積溫度的差^ 在± 5 0。(3的範圍。 4 · 一種製造半導體裝置的方法，該方法包含以下步 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -76 - 544938 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 驟： 在絕緣表面上形成底絕緣膜； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在底絕緣膜上形成非晶半導體膜；以及 用第一雷射照射非晶半導體膜以形成具有結晶結構的 半導體膜和其上的氧化物膜， 除去氧化物膜；以及 在惰性氣體氣氛或真空中用第二雷射照射具有結晶結 構的半導體膜以整平化具有結晶結構的半導體膜， 其中底絕緣膜和非晶半導體膜之間膜沈積溫度的差異 在± 5 0 °C的範圍。 5 .如申請專利範圍第4項之製造半導體裝置的方法 ，其中第二雷射的能量密度高於第一雷射的能量密度。 6 ·如申請專利範圍第4項之製造半導體裝置的方法 ，其中第二雷射的重疊比低於第一雷射的重疊比。 7 · —種製造半導體裝置的方法，該方法包含： 在絕緣表面上形成底絕緣膜； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在底絕緣膜上形成非晶半導體膜；以及 用金屬元素摻雜非晶半導體薄膜； 對非晶半導體膜實施熱處理； 用第一雷射照射非晶半導體膜以形成具有結晶結構的 半導體膜和其上的氧化物膜， 除去氧化物膜；以及 在惰性氣體氣氛或真空中用第二雷射照射具有結晶結 構的半導體膜以整平化具有結晶結構的半導體膜’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 77 - 544938 A8 Β8 C8 D8 ^、申請專利範圍 3 其中底絕緣膜和非晶半導體膜之間膜沈積溫度的差異 在士 5 0 °C的範圍。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 8.—種製造半導體裝置的方法，該方法包含： 在絕緣表面上形成底絕緣膜； 在底絕緣膜上形成具有非晶結構的第一半導體膜；以 及 用金屬元素摻雜具有非晶結構的第一半導體膜； 對具有非晶結構的第一半導體膜實施熱處理； 用第一雷射照射具有非晶結構的第一半導體膜以形成 具有結晶結構的第一半導體膜和其上的氧化物膜， 除去氧化物膜； 在惰性氣體氣氛或真空中用第二雷射照射具有結晶結 構的第一半導體膜以整平化具有結晶結構的第一半導體膜 用含臭氧的溶液氧化具有結晶結構的第一半導體膜， 從而形成阻擋層； 在阻擋層上形成包含稀有氣體元素的第二半導體膜； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將金屬元素吸氣到第二半導體膜中，從而除去或減少 具有結晶結構的第一半導體膜中的金屬元素；以及 除去第二半導體膜和阻擋層， 其中底絕緣膜和具有非晶結構的第一半導體膜之間膜 沈積溫度的差異在土 5 0 QC的範圍。 9 .如申請專利範圍第8項之製造半導體裝霞的方法 ，其中稀有氣體元素是選自包括He、Ne、A r 、Κι> -78- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 544938 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4 和X e的組中的一種或多種元素。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 0 ·$口申請專利範圍第8項之製造半導體裝置的方 法’其中第二半導體膜在含稀有氣體元素的氣氛中，用半 導體當成IG，藉由濺射形成。 1 1 ·$口申請專利範圍第7項之製造半導體裝置的方 法’其中熱處理是加熱處理或照射強光的處理。 1 2，如申請專利範圍第8項之製造半導體裝置的方 法’其中熱處理是加熱處理或照射強光的處理。 1 3 .如申請專利範圍第1 1項之製造半導體裝置的 方法’其中強光是發自選自包括鹵素燈、金屬鹵化物燈、 氙弧光燈、碳弧光燈、高壓鈉燈和高壓汞燈的組中的一種 燈的光。 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項之製造半導體裝置的 方法，其中強光是發自選自包括鹵素燈、金屬鹵化物燈、 氙弧光燈、碳弧光燈、高壓鈉燈和高壓汞燈的組中的一種 燈的光。 經濟部智慧財產局員工消費合作#印絮 1 5 ·如申請專利範圍第7項之製造半導體裝置的方 法，其中金屬元素是選自包括Fe、Ni、Co、RU、 Rh、Pd、〇s 、I r 、Pt 、CU 和 Au 的組中的一 種或多種元素。 1 6 .如申請專利範圍第8項之製造半導體裝置的方 法，其中金屬元素是選自包括Fe、Mi 、c〇 、RU、 Rh、Pd 、〇s 、I r 、Pt 、Cl^[]Au 的組中的一 種或多種元素。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 79 - 544938 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 1 7 .如申請專利範圍第1項之製造半導體裝置的方 法，其中雷射是發自準分子雷射器、YAG雷射器、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Y V〇4雷射器或YLF雷射器的雷射。 1 8 .如申請專利範圍第2項之製造半導體裝置的方 法，其中雷射是發自準分子雷射器、YAG雷射器、 Y V〇4雷射器或YL F雷射器的雷射。 1 9 .如申請專利範圍第3項之製造半導體裝置的方 法，其中雷射是發自準分子雷射器、YAG雷射器、 YV〇4雷射器或YLF雷射器的雷射。 2 0 .如申請專利範圍第4項之製造半導體裝置的方 法，其中第一雷射和第二雷射中的每一個是發自準分子雷 射器、YAG雷射器、YV〇4雷射器或YL F雷射器的雷 射。 2 1 .如申請專利範圍第7項之製造半導體裝置的方 法，其中第一雷射和第二雷射中的每一個是發自準分子雷 射器、YAG雷射器、YV〇4雷射器或YL F雷射器的雷 射。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 2 .如申請專利範圍第8項之製造半導體裝置的方 法，其中第一雷射和第二雷射中的每一個是發自準分子雷 射器、YAG雷射器、YV〇4雷射器或YL F雷射器的雷 射。 2 3 .如申請專利範圍第4項之製造半導體裝置的方 法，其中惰性氣體氣氛是氮氣氛。 2 4 .如申請專利範圍第7項之製造半導體裝置的方 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -80 - ~ 544938 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6 法’其中惰性氣體氣氛是氮氣氛。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 5 ·如申請專利範圍第8項之製造半導體裝置的方 法’其中惰性氣體氣氛是氮氣氛。 2 6 . —種製造半導體裝置的方法，該方法包含以下 步驟： 在絕緣表面上形成底絕緣膜； 在底絕緣膜上形成非晶半導體膜； 用脈衝振盪雷射照射非晶半導體膜以形成具有結晶結 構半導體膜；以及 用連續振盪雷射照射具有結晶結構的半導體膜以改善 其整平度。 2 7 ·如申請專利範圍第2 6項之製造半導體裝置的 方法，其中脈衝振盪雷射器是選自包括準分子雷射器、 Y AG雷射器、YV〇4雷射器或YLF雷射器的組中的雷 射器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 8 ·如申請專利範圍第2 6項之製造半導體裝置的 方法，其中連續振盪雷射是N d : Y V〇4雷射的二次諧波 或N d : Y V〇4雷射的三次諧波。 -81 - 本紙張尺度適用中國國家梂率（CNS ) A4規格（210X297公釐）
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Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0869967A (ja) * 1994-08-26 1996-03-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP4056571B2 (ja) 1995-08-02 2008-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7503975B2 (en) * 2000-06-27 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method therefor
US7045444B2 (en) 2000-12-19 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device that includes selectively adding a noble gas element
US6858480B2 (en) * 2001-01-18 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP4993810B2 (ja) * 2001-02-16 2012-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6855584B2 (en) 2001-03-29 2005-02-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US7253032B2 (en) * 2001-04-20 2007-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of flattening a crystallized semiconductor film surface by using a plate
JP4854866B2 (ja) 2001-04-27 2012-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW541584B (en) * 2001-06-01 2003-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor film, semiconductor device and method for manufacturing same
US6743700B2 (en) 2001-06-01 2004-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor film, semiconductor device and method of their production
US7199027B2 (en) * 2001-07-10 2007-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor film by plasma CVD using a noble gas and nitrogen
JP4869509B2 (ja) 2001-07-17 2012-02-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5072157B2 (ja) * 2001-09-27 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4256087B2 (ja) 2001-09-27 2009-04-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6700096B2 (en) * 2001-10-30 2004-03-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser apparatus, laser irradiation method, manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, production system for semiconductor device using the laser apparatus, and electronic equipment
US7105048B2 (en) * 2001-11-30 2006-09-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
JP4271413B2 (ja) * 2002-06-28 2009-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2004128421A (ja) 2002-10-07 2004-04-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
US7332431B2 (en) * 2002-10-17 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US7335255B2 (en) * 2002-11-26 2008-02-26 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
DE602004020538D1 (de) 2003-02-28 2009-05-28 Semiconductor Energy Lab Verfahren und Vorrichtung zur Laserbestrahlung, sowie Verfahren zur Herstellung von Halbleiter.
TW595002B (en) * 2003-04-16 2004-06-21 Au Optronics Corp Fabricating method of low temperature poly-silicon film and low temperature poly-silicon thin film transistor
KR20050113294A (ko) * 2004-05-25 2005-12-02 삼성전자주식회사 다결정 실리콘 박막 구조체 및 그 제조 방법 및 이를이용하는 ｔｆｔ의 제조방법
JP2006092817A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Ind Technol Res Inst 上方向発光型の有機発光ダイオード画素製造方法及び構造
WO2006112383A1 (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子回路装置およびその製造方法
TWI294689B (en) * 2005-09-14 2008-03-11 Ind Tech Res Inst Method of tft manufacturing and a base-board substrate structure
US7572741B2 (en) 2005-09-16 2009-08-11 Cree, Inc. Methods of fabricating oxide layers on silicon carbide layers utilizing atomic oxygen
US20070117287A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
TWI307171B (en) * 2006-07-03 2009-03-01 Au Optronics Corp Method for manufacturing bottom substrate of liquid crystal display device
JP2008166334A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Mitsubishi Electric Corp 表示装置及びその製造方法
US7745268B2 (en) * 2007-06-01 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device with irradiation of single crystal semiconductor layer in an inert atmosphere
KR101484296B1 (ko) 2007-06-26 2015-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 기판의 제작방법
US8236668B2 (en) * 2007-10-10 2012-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing SOI substrate
JP5503876B2 (ja) * 2008-01-24 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体基板の製造方法
JP5654206B2 (ja) * 2008-03-26 2015-01-14 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｓｏｉ基板の作製方法及び該ｓｏｉ基板を用いた半導体装置
JP2009260315A (ja) * 2008-03-26 2009-11-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｓｏｉ基板の作製方法及び半導体装置の作製方法
JP5552276B2 (ja) * 2008-08-01 2014-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｓｏｉ基板の作製方法
US9000441B2 (en) * 2008-08-05 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
SG161151A1 (en) * 2008-10-22 2010-05-27 Semiconductor Energy Lab Soi substrate and method for manufacturing the same
SG162675A1 (en) * 2008-12-15 2010-07-29 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of soi substrate and manufacturing method of semiconductor device
JP5760298B2 (ja) * 2009-05-21 2015-08-05 ソニー株式会社 薄膜トランジスタ、表示装置、および電子機器
KR101117643B1 (ko) * 2010-04-08 2012-03-05 삼성모바일디스플레이주식회사 비정질 실리콘막의 결정화 방법, 그리고 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법
CN102943250A (zh) * 2012-11-09 2013-02-27 北京力量激光元件有限责任公司 独立控制五温区ZnSe合成沉积炉
CN104867941B (zh) * 2015-04-24 2018-05-11 京东方科技集团股份有限公司 一种制作阵列基板的方法及其阵列基板和显示装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3114226B2 (ja) * 1991-03-25 2000-12-04 富士ゼロックス株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JP2817613B2 (ja) * 1994-02-23 1998-10-30 日本電気株式会社 結晶シリコン膜の形成方法
JP3192546B2 (ja) * 1994-04-15 2001-07-30 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
TW273639B (en) * 1994-07-01 1996-04-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk Method for producing semiconductor device
JP3464285B2 (ja) * 1994-08-26 2003-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3464287B2 (ja) * 1994-09-05 2003-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4083821B2 (ja) * 1994-09-15 2008-04-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3338267B2 (ja) * 1994-12-16 2002-10-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4026182B2 (ja) * 1995-06-26 2007-12-26 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法、および電子機器の製造方法
JP3511422B2 (ja) * 1995-07-19 2004-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体作製方法
JP3910229B2 (ja) * 1996-01-26 2007-04-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体薄膜の作製方法
JP3476320B2 (ja) * 1996-02-23 2003-12-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体薄膜およびその作製方法ならびに半導体装置およびその作製方法
JPH09293872A (ja) * 1996-04-26 1997-11-11 Sharp Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JPH1174536A (ja) * 1997-01-09 1999-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
US6066547A (en) * 1997-06-20 2000-05-23 Sharp Laboratories Of America, Inc. Thin-film transistor polycrystalline film formation by nickel induced, rapid thermal annealing method
JP3830623B2 (ja) * 1997-07-14 2006-10-04 株式会社半導体エネルギー研究所 結晶性半導体膜の作製方法
JP2000081642A (ja) * 1998-07-06 2000-03-21 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
US6559036B1 (en) * 1998-08-07 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2000114526A (ja) * 1998-08-07 2000-04-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP3704437B2 (ja) * 1999-02-22 2005-10-12 本田技研工業株式会社 油圧作動機器用制御弁を備えたエンジン
JP2001023899A (ja) * 1999-07-13 2001-01-26 Hitachi Ltd 半導体薄膜とその半導体膜を用いた液晶表示装置及びその製造方法
JP4101409B2 (ja) 1999-08-19 2008-06-18 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US6821827B2 (en) * 1999-12-28 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device

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JP2003051446A (ja) 2003-02-21
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