JP3338267B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は結晶性を有する珪素を主
成分とする半導体を作製する方法に関するものである。
特に、本発明は、薄膜トランジスタ等の半導体素子に使
用される結晶性珪素半導体の作製方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来から、薄膜半導体を用いた薄膜トラ
ンジスタ（以下、ＴＦＴと略記する。）が知られてい
る。ＴＦＴは、基板上に形成された薄膜半導体を用いて
構成されるものである。ＴＦＴは、各種集積回路に利用
されているが、特に液晶ディスプレー等の電気光学装
置、中でもアクティブマトリックス型の液晶表示装置の
各画素のスイッチング素子や周辺回路部分に形成される
ドライバー素子として利用されている。

【０００３】ＴＦＴに利用される薄膜半導体としては、
非晶質珪素膜を用いることが簡便であるが、その電気的
特性が低いという問題がある。ＴＦＴの特性を向上する
ためには、結晶性を有する珪素薄膜を利用することが望
まれる。結晶性を有する珪素膜を得るためには、まず非
晶質珪素膜を形成し、しかる後に加熱によって結晶化す
ればよい。あるいは、レーザー光等の高いエネルギーを
有する電磁波を照射すればよい。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、加熱に
よる結晶化は、加熱温度が６００℃以上の温度で、１０
時間以上の時間をかけることが必要であり、基板として
ガラス基板を用いることが困難であるという問題があ
る。例えば、アクティブ型の液晶表示装置に一般的に用
いられているコーニング７０５９ガラスはガラス歪点が
５９３℃であり、基板の大面積化を考慮した場合には、
６００℃以上の加熱には問題がある。さらに、このよう
にして得られた結晶性珪素膜は次に述べるレーザー光照
射によって得られたものと比較すると特性の劣るもので
あった。

【０００５】この問題を解決するには、特開平６−２４
４１０３、同６−２４４１０４、同６−２４４１０５、
同６−２４４２０５、同６−２９６０２３に示されるよ
うに、非晶質珪素を結晶化させることを促進する触媒的
な作用を有する元素を用いればよいことが明らかになっ
ている。すなわち、非晶質珪素膜にニッケルやパラジウ
ム、さらには鉛等の元素を微量に付着させ、しかる後に
加熱することで、６００℃以下、典型的には、５５０
℃、４時間程度の処理時間で結晶化できることが明らか
になった。

【０００６】しかしながら、このような方法によって、
より低温、短時間で得られた珪素膜は、触媒元素の残存
という問題を抱え、これを用いて得られたＴＦＴの特性
も好ましいものではなかった。特に、ＴＦＴにおいて
は、ゲイトに逆バイアスの電圧（Ｎチャネル型ＴＦＴで
は負電圧、Ｐチャネル型ＴＦＴでは正電圧）を印加した
際に、ドレイン電流（オフ電流またはリーク電流とい
う）の絶対値が大きいこととと、その値が素子毎に大き
く分散することが最大の問題である。

【０００７】特に、アクティブマトリクス型の液晶表示
装置の画素電極のスイッチングトランジスタに用いる場
合に、オフ電流が大きいことは大きな問題を生ずる。即
ち、画素電極に配置されている薄膜トランジスタのオフ
電流が大きいと、画素電極が所定の時間で電荷を保持す
ることができなくなり、このことが原因で、画面がちら
ついたり、表示が不鮮明になるという問題点が生ずる。

【０００８】本発明はこのような現状を鑑みてなされた
ものであり、本発明の目的は、珪素の結晶化を助長する
触媒元素を用いて珪素膜を結晶化する工程を採用して、
ＴＦＴのオフ電流を低減すると共に、素子毎のオフ電流
値のとそのバラツキを低減することが可能な結晶珪素半
導体膜の作製方法を提供することにある。特に、低温処
理を可能とし、かつ大量生産に好適な結晶珪素半導体の
作製方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の工程を用いて、結晶珪性を有する
珪素膜を得る。まず、絶縁表面上に、各種気相成長（Ｃ
ＶＤ）法、例えば、プラズマＣＶＤ法や熱ＣＶＤ法によ
って、酸化珪素膜を堆積する。ただし、そのときの成膜
温度は、４５０℃以下、好ましくは、３００〜３５０℃
とする。例えば、テトラ・エトキシ・シラン（ＴＥＯ
Ｓ）と酸素、あるいは、モノシラン（ＳｉＨ₄ ）と一酸
化二窒素（Ｎ₂ Ｏ）を用いたプラズマＣＶＤ法や、モノ
シランと酸素を用いた熱ＣＶＤ法を用いて堆積すればよ
い。

【００１０】このようにして堆積した酸化珪素膜上に非
晶質珪素膜を各種ＣＶＤ法によって堆積する。例えば、
モノシランを原料としてプラズマＣＶＤ法によって非晶
質珪素膜を得る際には、成膜温度は２９５〜３０５℃が
好ましい。ただし、上記酸化珪素膜は、大気に触れるこ
となく、非晶質珪素膜が成膜される必要がある。すなわ
ち、酸化珪素膜と非晶質珪素膜の成膜は連続的におこな
われる。このためには、公知のマルチチャンバー方式の
成膜装置（クラスターツール）を用いることが望まれ
る。

【００１１】その後、上記非晶質珪素膜上に非晶質珪素
膜の結晶化を助長する触媒元素単体、又は前記触媒元素
を含む化合物を層状、膜状、もしくはクラスター状に形
成する。以下ではこの触媒元素単体または前記触媒元素
を含む化合物の層を触媒層と称する。触媒層の形成方法
については後述する。

【００１２】なお、本出願人により、触媒元素としてニ
ッケルを用いた場合に、最も顕著な効果を得ることが明
らかにされている。その他利用できる触媒元素の種類と
しては、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｄ、
Ｐ、Ａｓ、Ｓｂを挙げることができる。

【００１３】その後、前記非晶質珪素膜に、加熱処理を
施し、前記非晶質珪素膜の一部または全部を結晶化させ
る。この結晶化の過程においては、触媒層が非晶質珪素
膜の全面を覆っていない場合には、触媒層が覆っている
領域が結晶化するだけでなく、該領域から周辺に結晶化
が進行する。

【００１４】結晶化工程において、触媒元素が導入され
た非晶質珪素膜の結晶化が進行するように、４００℃以
上の温度で加熱すれはよい。一般的なガラス基板を使用
した場合には、加熱温度は４００℃〜７５０℃とすれば
よい。しかしながら、ガラス基板の種類により耐熱温度
が異なるため、加熱温度の上限はガラスの歪み点と考え
ることができる。例えば、ガラス歪み点はコーニング７
０５９ガラスで５９３℃であり、コーニング１７３７ガ
ラスで６６７℃である。

【００１５】具体的には、加熱温度は５５０℃程度とす
ることが、ガラス基板の耐熱性や、生産性の点から、適
当である。

【００１６】また、この加熱温度が高いほど、珪素膜の
結晶性が良好になることが明らかになっている。従っ
て、生産性よりも、珪素膜の結晶性を最優先させる場合
には、基板が耐え得る温度で、可能な限り高温で加熱す
ればよい。この場合には、１０００℃程度の温度に耐え
得る石英基板等をを使用することが好ましい。例えば、
石英基板を使用した場合には、８００℃〜１０００℃程
度の温度で加熱することができる。

【００１７】加熱処理工程の後に、レーザー光またはそ
れと同等な強光を照射することにより、さらに結晶化を
助長せしめてもよい。この工程を追加することによっ
て、先の工程において結晶化できなかった部分も、先の
工程において結晶化した部分を核として結晶化できる。

【００１８】この場合、従来のレーザー光の照射による
結晶化と根本的に異なる点は従来の方法が全く結晶の無
い状態から非晶質珪素膜が溶融したのち、結晶化するた
め、結晶性を決定する条件が非常に厳しくなっていた点
である。すなわち、結晶核の存在しない状態では、結晶
化においては冷却速度が結晶性を決定する大きな要因と
なるが、冷却速度はレーザー光のエネルギー密度や雰囲
気の温度によって大きく異なるため、必然的に最適なレ
ーザーエネルギー密度が狭くなる。もし、エネルギーが
高すぎると溶融状態からの冷却速度が大きすぎて非晶質
状態となってしまう。また、エネルギーが低すぎると膜
を全面的に溶融させることができず、非晶質の部分を残
してしまうこととなる。

【００１９】一方、結晶核が存在する場合には結晶化は
容易で、冷却速度に対する依存性は小さい。また、膜の
大部分は結晶化しているので、レーザーのエネルギー密
度が低くとも、それなりの特性は保証される。こうして
極めて結晶性の良好な結晶珪素膜を安定して得ることが
できる。

【００２０】レーザー光の照射の代わりに、非コヒーレ
ントな強光、特に赤外光を短時間照射する方法を採用し
てもよい。赤外光はガラスには吸収されにくく、珪素薄
膜に吸収されやすいので、ガラス基板上に形成された珪
素薄膜を選択的に加熱することができ、好ましい。この
ような赤外光を短時間だけ照射する方法は、ラピッド・
サーマス・アニール（ＲＴＡ）またはラピッド・サーマ
ル・プロセス（ＲＴＰ）と呼ばれる。

【００２１】触媒層の形成方法としては、触媒元素単体
もしくはその化合物のスパッタリングのような真空装置
を用いるデポジション方法や、触媒元素を含む溶液を非
晶質珪素膜表面に塗布するような大気中でおこなえるデ
ポジション方法を用いればよい。特に、後者の方法は大
きな設備投資をおこなわなくとも、再現性よくデポジシ
ョンをおこなうことができる。以下では、後者の方法に
ついて詳細に説明する。

【００２２】後者の方法を採用する場合には、溶液とし
て水溶液、有機溶媒溶液等を用いることができる。ここ
で含有とは、化合物として含ませるという意味と、単に
分散させることにより含ませるという意味との両方を含
む。

【００２３】触媒元素を含む溶媒としては、極性溶媒で
ある水、アルコール、酸、アンモニアから選ばれたもの
を用いることができる。この場合には、溶液を珪素膜に
直接塗布すると溶液が弾かれてしまうので、薄い酸化膜
を表面に形成しておくと良い。酸化膜の形成方法として
は、熱酸化、過酸化水素、オゾン水等の酸化剤による酸
化、紫外線照射による酸化等を用いることができる。

【００２４】酸化膜を形成する代わりに、触媒元素を含
有させた溶液に界面活性剤を添加することも有用であ
る。これは、被塗布面に対する密着性を高め吸着性を制
御するためである。この界面活性剤は予め被塗布面上に
塗布するのでもよい。界面活性剤としては、基本的に疎
水基として約１０〜２０個の炭素原子を含む炭化水素鎖
を有するものを用いることができる。

【００２５】例えば、フッ化水素酸、フッ化アンモニウ
ム溶液及び水からなる混合液に、脂肪酸カルボン酸、脂
肪酸カルボン酸の塩、脂肪酸アミンおよび脂肪族アルコ
ールからなる界面活性剤の群から選ばれた少なくとも一
種類の材料が含有したものを用いることができる。

【００２６】脂肪酸カルボン酸としては、Ｃ_n Ｈ_2n+1Ｃ
ＯＯＨ（ｎは５〜１１の整数を表す）で示されるものを
挙げることができる。また脂肪酸カルボン酸の塩として
は、Ｃ_n Ｈ_2n+1ＣＯＯＮＨ₃ Ｒ（ｎは５〜１１の整数を
表す。Ｒは水素原子または炭素数５〜１０のアルキル基
を表す）で示される塩を挙げることができる。

【００２７】また、脂肪酸アミンとしては、一般式Ｃ_m
Ｈ_2m+1ＮＨ₂ （ｍは７〜１４の整数を表す）で示す化合
物を挙げることができる。脂肪酸アルコールとしては、
一般式Ｃ_n Ｈ_2n+1ＯＨ（ｎは６〜１２の整数を示す）で
示されるものを挙げることができる。

【００２８】界面活性剤の具体的な例としては、下記
〔表１〕〜〔表３〕に示すものを用いることができる。
以下に示す界面活性剤は、少なからず当該金属元素が非
晶質珪素膜の表面に付着する際に分散させる作用を有す
る。

【００２９】

【表１】

【００３０】

【表２】

【００３１】

【表３】

【００３２】触媒としてニッケルを用いて、このニッケ
ルを極性溶媒に含ませる場合、ニッケルはニッケル化合
物として導入される。このニッケル化合物としては、代
表的には臭化ニッケル、酢酸ニッケル、蓚酸ニッケル、
炭酸ニッケル、塩化ニッケル、沃化ニッケル、硝酸ニッ
ケル、硫酸ニッケル、蟻酸ニッケル、ニッケルアセチル
アセトネ−ト、４−シクロヘキシル酪酸ニッケル、酸化
ニッケル、水酸化ニッケルから選ばれたものが用いられ
る。

【００３３】また、触媒元素としてニッケル単体を用い
る場合には、酸に溶かして溶液とする必要がある。

【００３４】更に、触媒元素を含む溶媒として、無極性
溶媒であるベンゼン、トルエン、キシレン、四塩化炭
素、クロロホルム、エーテルから選ばれたものを用いる
こともできる。この場合はニッケルはニッケル化合物と
して導入される。このニッケル化合物としては代表的に
は、ニッケルアセチルアセトネ−ト、２−エチルヘキサ
ン酸ニッケルから選ばれたものを用いることができる。

【００３５】以上述べたのは、触媒元素であるニッケル
が完全に溶解した溶液を用いる例であるが、ニッケルが
完全に溶解していなくとも、ニッケル単体あるいはニッ
ケルの化合物からなる粉末が分散媒中に均一に分散した
エマルジョンの如き材料を用いてもよい。または酸化膜
形成用の溶液を用いるのでもよい。このような溶液とし
ては、東京応化工業株式会社のＯＣＤ(Ohka Diffusion
Source）を用いることができる。このＯＣＤ溶液を用い
れば、被形成面上に塗布し、２００℃程度でベークする
ことで、簡単に酸化珪素膜を形成できる。また不純物を
添加することも自由であるので、本発明に利用すること
ができる。

【００３６】なおこれらのことは、触媒元素としてニッ
ケル以外の材料を用いた場合であっても同様である。

【００３７】溶液に含ませる触媒元素の量は、その溶液
の種類にも依存するが、概略の傾向としてはニッケル量
として溶液に対して０．１ｐｐｍ〜２００ｐｐｍ、好ま
しくは１ｐｐｍ〜５０ｐｐｍ（重量換算）とすることが
望ましい。これは、結晶化終了後における膜中のニッケ
ル濃度や耐薬品性（例えば、耐フッ酸性）に鑑みて決め
られる値である。

【００３８】

【作用】触媒元素を用いて、結晶化せしめた珪素膜を用
いて作製されたＴＦＴのオフ電流が大きいことは、結晶
化に使用された触媒元素が結晶中に過剰に存在し、ま
た、オフ電流のバラツキは大きいことは、触媒元素が偏
析するためであることが明らかになっている。したがっ
て、結晶化工程の後に、触媒元素を珪素結晶から外部に
排除すればオフ電流も低減でき、また、触媒元素の濃度
が低くなれば偏析も避けられる。

【００３９】元来、触媒元素は珪素結晶中で安定して存
在できないので、自然に排除されるものである。しかし
ながら、現実には珪素膜の上下に強力なブロッキング層
（障壁）が形成されて、その内部に閉じ込められるため
に、結晶粒界に偏析してしまう。

【００４０】本発明では、下地の酸化珪素膜と非晶質珪
素膜を連続的に成膜することを特徴とする。すなわち、
下地の酸化珪素膜と非晶質珪素膜の間には、大気中の水
分や二酸化炭素等によって異層が形成されることがなく
なる。更に、本発明では、下地の酸化珪素膜も非晶質珪
素膜も４５０℃以下の低温で堆積されるため、酸化珪素
膜が非常に柔らかく、非晶質珪素から排除された触媒元
素が速やかに酸化珪素膜中に取り込まれることとなる。

【００４１】逆に下地が窒化珪素のごとき、ブロッキン
グ作用の強力なものであると、触媒元素が当該膜に吸収
されることはほとんどない。また、酸化珪素膜であって
も、４５０℃を越える温度で処理した膜では、酸化珪素
が固くなり、触媒元素の吸収が妨げられる。

【００４２】結晶化の初期においては、酸化珪素と珪素
との界面は非常にあいまいな状態（化学量論的な組成に
よって構成された異種物質間の界面が認められない状
態）である。しかしながら、結晶化の進行とともに、こ
の界面は明瞭なる。触媒元素は結晶成長の先端に多く存
在し、結晶化の進行に伴って拡散するので、最終的に全
ての珪素膜が結晶化した状態においては、多くの触媒元
素が酸化珪素膜に吸収される。

【００４３】また、結晶化の終了時点では、当初、柔ら
かかった酸化珪素膜もアニール工程によって十分に固く
なり、酸化珪素膜に吸収された触媒元素が結晶珪素膜に
再び逆流することはほとんどない。更に、トラップ準位
等も十分に低減できる。したがって、その後の素子形成
において、信頼性に問題をもたらすことはない。

【００４４】

【実施例】

〔実施例１〕 図１に本実施例を示す。まず、基板（コ
ーニング７０５９ガラス）１０１上に、厚さ１０００〜
５０００Å、例えば、２０００Åの酸化珪素膜１０２を
下地膜として形成した。酸化珪素膜１０２の形成方法と
しては、ＴＥＯＳと酸素を原料ガスとするプラズマＣＶ
Ｄ法を用いた。成膜時の基板温度は２５０℃とした。Ｔ
ＥＯＳに対して、１〜５０％、代表的には２０％のトリ
クロロエチレン（ＴＣＥ）を混入させた。ＴＣＥによっ
て、下地の酸化珪素膜１０２に塩素が導入され、珪素膜
に含まれていた触媒元素を吸いだす効果が増進した。

【００４５】続いて、非晶質珪素膜１０３をモノシラン
を原料とするプラズマＣＶＤ法によって１００〜１５０
０Å、例えば、８００Åの厚さに形成した。非晶質珪素
膜１０３の成膜温度は３００℃とした。以上の酸化珪素
膜１０２と非晶質珪素膜１０３の成膜は２つの成膜チャ
ンバーを有するクラスターツールにおいて連続的におこ
ない、酸化珪素膜１０２の表面を大気に触れさせること
はなかった。

【００４６】その後、マスクとなる酸化珪素膜１０４を
プラズマＣＶＤ法によって厚さ５００〜３０００Å、例
えば、１０００Åに形成した。この酸化珪素膜１０４も
上記のクラスターツールによって、下地の酸化珪素膜１
０２と同条件で成膜した。そして、酸化珪素膜１０４に
公知のフォトリソグラフィー法によってパターンを形成
し、これに開孔して、選択的に非晶質珪素膜１０３を露
出させた。

【００４７】さらに、非晶質珪素膜１０３を過酸化水素
水中に放置することによって、極めて薄い酸化珪素膜
（図には示されていない）を非晶質珪素膜１０３の露出
された部分に１０〜１００Åの厚さに成膜した。この酸
化珪素膜は極薄のため正確な膜厚は不明である。このよ
うな酸化珪素膜の形成方法としては、他に酸素雰囲気中
でのＵＶ光の照射による酸化反応を用いてもよい。この
場合の条件は、酸素雰囲気中においてＵＶを１〜１５分
間照射すればよい。また、熱酸化法を用いてもよい。

【００４８】この酸化珪素膜は後のニッケルを含んだ酢
酸塩溶液を塗布する工程で、非晶質珪素膜１０３の表面
全体に酢酸塩溶液をゆき渡らせるため、即ち濡れ性の改
善の為のものである。非晶質珪素膜１０３の表面に直接
酢酸塩溶液を塗布した場合には、非晶質珪素が酢酸塩溶
液を弾いてしまうので、非晶質珪素膜１０３の表面全体
にニッケルを導入することができず、均一な結晶化をお
こなうことができない。本工程によってこのような薄い
酸化珪素膜を形成する目的は、非晶質珪素膜１０３のこ
のような撥水性を緩和することである。

【００４９】つぎに、酢酸塩溶液中にニッケルを添加し
た酢酸塩溶液を調整した。ニッケルの濃度は１００ｐｐ
ｍとした。そして、この酢酸塩溶液を全面に２ｍｌ滴下
し、この状態を５分間保持した。そしてスピナーを用い
てスピンドライ（２０００ｒｐｍ、６０秒）をおこなっ
た。

【００５０】上記溶液の塗布の後、１〜１０分間その状
態を保持させた。この保持させる時間によっても、最終
的に非晶質珪素膜１０３に含まれるニッケルの濃度を制
御することができるが、最も大きな制御因子は溶液の濃
度である。

【００５１】このニッケル溶液の塗布工程を、１回〜複
数回行なうことにより、スピンドライ後の非晶質珪素膜
１０３の露出された表面に平均の膜厚が数Å〜数１００
Åのニッケルを含む層（触媒層）１０５を形成すること
ができた。この場合、この触媒層１０５のニッケルがそ
の後の加熱工程において、非晶質珪素膜１０３中に拡散
し、結晶化を助長する触媒として作用する。なお、この
触媒層１０５は、完全な膜になっているとは限らない。
（図１（Ａ））

【００５２】そして、加熱炉において、窒素雰囲気中に
おいて５００〜５８０℃、１〜１２時間の加熱処理をお
こなった。本実施例では、５５０℃、８時間とした。こ
の結果、酸化珪素膜１０４の開孔部から結晶化が進行
し、結晶化珪素領域１０６、１０７を得ることができ
た。その他の領域１０８、１０９は非晶質珪素の状態で
あった。（図１（Ｂ））

【００５３】これを上面から見た様子を図２（Ａ）に示
す。図から分かるように開孔部から楕円形に結晶化領域
が拡がった。（図２（Ａ））

【００５４】その後、酸化珪素膜１０４を除去するとと
もに、結晶化された珪素膜をパターニングして、エッチ
ングすることにより、ＴＦＴの活性層となる島状の珪素
膜領域１１０および１１１を形成した。珪素膜のエッチ
ングは垂直方向に異方性を有するＲＩＥ法によっておこ
なった。

【００５５】その後、５５０℃の酸素雰囲気中で熱処理
することによって、島状珪素膜領域１１０、１１１の表
面にごく薄い（〜１００Å）の酸化珪素膜１１２を形成
した。

【００５６】そして、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２
４８ｎｍ、パルス幅３０ｎｓｅｃ）を窒素雰囲気中もし
くは大気中において２００〜４００ｍＪ／ｃｍ² 、例え
ば、３００ｍＪ／ｃｍ² のパワー密度で数ショト照射
し、島状珪素膜領域１１０、１１１の結晶性をさらに向
上させた。ＫｒＦエキシマーレーザー以外に、ＸｅＣｌ
レーザー（波長３０８ｎｍ）やＡｒＦレーザー（波長１
９３ｎｍ）、ＸｅＦレーザー（波長３５３ｎｍ）等のエ
キシマレーザーを用いてもよかった。また、ＲＴＡ法を
用いてもよかった。（図１（Ｃ））

【００５７】その後、スパッタリング法、もしくはプラ
ズマＣＶＤ法によって厚さ１０００Åの酸化珪素膜１１
３をゲイト絶縁膜として成膜した。スパッタリング法を
用いる場合には、ターゲットとして酸化珪素を用い、ス
パッタリング時の基板温度は２００〜４００℃、例えば
３５０℃、スパッタリング雰囲気は酸素とアルゴンで、
アルゴン／酸素＝０〜０．５、例えば０．１以下とし
た。（図１（Ｄ））

【００５８】引き続いて、減圧ＣＶＤ法によって、厚さ
３０００〜８０００Å、例えば６０００Åの珪素膜
（０．１〜２％の燐を含む）を成膜した。なお、この酸
化珪素膜１１３と珪素膜の成膜工程は連続的に行うこと
が望ましい。そして、珪素膜をパターニングして、ゲイ
ト電極１１４〜１１６を形成した。この状態を上から見
た様子を図２（Ｂ）に示す。図の点線で示された楕円は
図２（Ａ）の領域１０６、１０７に対応する。（図１
（Ｅ））

【００５９】次に、イオンドーピング法によって、島状
珪素領域１１０、１１１にゲイト電極１１４〜１１６を
マスクとして不純物（燐およびホウ素）を注入した。ド
ーピングガスとして、フォスフィン（ＰＨ₃ ）およびジ
ボラン（Ｂ₂ Ｈ₆ ）を用いた。前者の場合は、加速電圧
を６０〜９０ｋＶ、例えば８０ｋＶとし、後者の場合
は、４０〜８０ｋＶ、例えば６５ｋＶとした。ドーズ量
はそれぞれ１×１０¹⁴〜８×１０¹⁵ｃｍ^-2とする。例え
ば、燐を１×１０¹⁵ｃｍ^-2、ホウ素を２×１０¹⁵ｃｍ^-2
とした。ドーピングに際しては、ドーピングが不要な領
域をフォトレジストで覆うことによって、それぞれの不
純物を選択的にドーピングした。この結果、Ｎ型の不純
物領域１１８と１１９、Ｐ型の不純物領域１１７が形成
された。

【００６０】その後、５５０〜６００℃のアニールをお
こない、イオンを注入した不純物領域１１７〜１１９の
活性化をおこなった。この結果、Ｐ型を付与する不純物
（ホウ素）がドープされた不純物領域１１７とＮ型を付
与する不純物（燐）がドープされた不純物領域１１８と
１１９が活性化された。（図１（Ｅ））

【００６１】続いて、厚さ６０００Åの酸化珪素膜１２
０を層間絶縁物としてプラズマＣＶＤ法によって形成し
て、層間絶縁物１２０にコンタクトホール（コンタクト
ホールの開孔位置は図２（Ｃ）に示す）を形成する。次
に、金属材料、例えば、アルミニウム膜を成膜して、パ
ターニングして、コンタクトホールにＴＦＴの電極・配
線１２１〜１２５を形成した。最後に、１気圧の水素雰
囲気で３５０℃、３０分のアニールをおこなった。水素
アニールの代わりに、図１（Ｃ）もしくは（Ｄ）の工程
で水素イオンを１０〜１００ｋｅＶに加速して、活性層
中に注入した後に、アニールしてもよい。（図１
（Ｆ））

【００６２】以上のようにして、ＴＦＴを有する回路を
形成することができた。本実施例ではＴＦＴの基本特性
を測定するための必要最小限の回路であるが、例えば、
図１の左側の島状領域１１０に形成されたＮチャネル型
ＴＦＴとＰチャネル型ＴＦＴとの相補型回路として、主
としてロジック回路に用い、右側の島状領域１１１に形
成されたＴＦＴをアクティブマトリクス回路のスイッチ
ングトランジスタとして用いれば、アクティブマトリク
ス回路とそれを駆動するための論理回路を同じ基板上に
有する集積回路（いわゆるモノリシック型アクティブマ
トリクス回路）も構成できる。

【００６３】〔実施例２〕 図３に本実施例における作
製工程の概略を示す。まず、ガラス基板（コーニング１
７３７）２０１上に、モノシランと一酸化二窒素を原料
とするプラズマＣＶＤ法によって、下地膜となる酸化珪
素膜２０２を１０００〜５０００Å、例えば、２０００
Åの厚さに成膜した。成膜温度は３５０℃とした。さら
に、モノシランを原料とするプラズマＣＶＤ法によって
厚さ１０００Åの非晶質珪素膜２０３を堆積した。成膜
温度は２５０℃とした。酸化珪素膜２０２と非晶質珪素
膜２０３は、２つの成膜チャンバーを有するクラスター
ツールを用いて、連続的に成膜した。

【００６４】次に、非晶質珪素膜２０３の表面に過酸化
水素水によってごく薄い酸化珪素膜を形成し、実施例１
と同様に１〜３０ｐｐｍ、例えば、１０ｐｐｍのニッケ
ルを含有した酢酸塩溶液を５ｍｌ滴下（１０ｃｍ角基板
の場合）し、スピナーで５０ｒｐｍで１０秒のスピンコ
ートをおこない、基板表面全体に均一な水膜を形成し
た。さらにこの状態で、５分間保持した後、スピナーを
用いて２０００ｒｐｍ、６０秒のスピンドライをおこな
った。なおこの保持は、スピナー上において０〜１５０
ｒｐｍの回転をさせながらおこなってもよかった。以上
のようにしてニッケルを含有する触媒層２０４を形成し
た。（図３（Ａ））

【００６５】その後、窒素雰囲気で５５０℃、４時間の
アニールを施すことにより、非晶質珪素膜２０３の結晶
化をおこなった。この際には、ニッケルは非晶質珪素膜
２０３から下地の酸化珪素膜２０２へ移動し、上から下
へと結晶化が進行した。このようにして、結晶珪素膜２
０５を得たが、これには数μｍ程度の大きさの非晶質部
分が観察された。（図３（Ｂ））

【００６６】上記アニールによる結晶化工程の後、Ｘｅ
Ｃｌレーザー（波長３０８ｎｍ）を照射し、珪素膜２０
５の結晶性をさらに向上させた。このレーザー光の照射
工程においては、基板２０１またはレーザー光の被照射
面を加熱すると、より均一性を高め、必要なレーザーエ
ネルギー密度を低減せしめることができた。この際の加
熱温度は２００℃〜４５０℃程度が好ましかった。この
工程によって、上記珪素膜中の非晶質成分をも完全に結
晶化させることができ、結晶性を高めることができた。
このようにして、結晶珪素膜２０６を得た。（図３
（Ｃ））

【００６７】また、この工程はラピッド・サーマル・ア
ニール（ＲＴＡ）処理によっておこなってもよかった。
具体的には、０．６〜４μｍ、ここでは０．８〜１．４
μｍにピークをもつ赤外光を３０〜１８０秒照射した。
雰囲気に０．１〜１０％のＨＣｌを混入してもよかっ
た。

【００６８】赤外線の光源としてはハロゲンランプを用
いた。赤外光の強度は、モニターの単結晶シリコンウェ
ハー上の温度が９００〜１２００℃の間にあるように調
整した。具体的には、シリコンウェハーに埋め込んだ熱
電対の温度をモニターして、これを赤外線の光源にフィ
ードバックさせた。本実施例では、昇温は、一定で速度
は５０〜２００℃／秒、降温は自然冷却で２０〜１００
℃／秒であった。赤外線照射は基板を室温に保持した状
態からおこなってもよいが、より効果を高めるには、予
め基板を２００〜４５０℃、例えば４００℃に加熱した
状態でおこなってもよい。

【００６９】次に、結晶珪素膜２０６をエッチングし
て、島状の珪素膜領域２０７および２０８を形成した。
結晶珪素膜２０６のエッチングは垂直方向に異方性を有
するＲＩＥ法によっておこなった。

【００７０】その後、モノシランと一酸化二窒素を原料
とするプラズマＣＶＤ法によって厚さ１０００Åの酸化
珪素膜２０９をゲイト絶縁膜として成膜した。成膜時の
基板温度は２００〜４００℃、例えば３５０℃とし、さ
らに、この工程の後、窒素または一酸化二窒素中で５５
０〜６５０℃で熱アニールしてもよい。（図３（Ｄ））

【００７１】引き続いて、スパッタ法によって、厚さ３
０００〜８０００Å、例えば４０００Åのアルミニウム
膜（０．１〜２％のスカンジウムを含む）を成膜した。
そして、アルミニウム膜をエッチングして、ゲイト電極
２１０〜２１２を形成した。さらに、ゲイト電極２１０
〜２１２に電解溶液中で通電することによって陽極酸化
をおこない、ゲイト電極２１０〜２１２の上面および側
面に１０００〜３０００Å、ここでは２０００Åの酸化
アルミニウム膜を形成した。

【００７２】この陽極酸化は、酒石酸が１〜５％含まれ
たエチレングリコール溶液中で行った。なお、この酸化
アルミニウム層は、後のイオンドーピング工程におい
て、オフセットゲイト領域を形成する厚さとなるので、
オフセットゲイト領域の長さを上記陽極酸化工程で決め
ることができる。（特開平５−１１４７２４、同５−２
６７６６７、同６−２９１３１５参照）

【００７３】次に、イオンドーピング法によって、活性
層領域にゲイト電極部（すなわちゲイト電極２１０〜２
１２とその周囲の酸化層）をマスクとして、自己整合的
にＰもしくはＮ導電型を付与する不純物を添加した。ド
ーピングガスとして、フォスフィン（ＰＨ₃ ）およびジ
ボラン（Ｂ₂ Ｈ₆ ）を用い、前者の場合は、加速電圧を
８０ｋＶ、ドーズ量を５×１０¹⁴ｃｍ^-2、後者の場合
は、加速電圧を６５ｋＶ、ドーズ量を１×１０¹⁵ｃｍ^-2
とした。ドーピングに際しては、不要な領域をフォトレ
ジストで覆うことによって、それぞれの元素を選択的に
ドーピングした。この結果、Ｎ型の不純物領域２１４と
２１５、Ｐ型の不純物領域２１３が形成された。

【００７４】その後、レーザー光の照射によってアニー
ルをおこない、イオン注入した不純物の活性化をおこな
った。レーザー光としては、ＫｒＦエキシマレーザー
（波長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を用いた
が、他のレーザーであってもよい。レーザー光の照射条
件は、エネルギー密度が２００〜４００ｍＪ／ｃｍ² 、
例えば２５０ｍＪ／ｃｍ² とし、一か所につき２〜１０
ショット、例えば２ショットとした。このレーザー光の
照射時に基板を２００〜４５０℃程度に加熱すると抵抗
の均一性が向上した。このようにして不純物領域２１３
〜２１５が活性化された。レーザーアニールの代わりに
ＲＴＡ法によって不純物の活性化をおこなってもよかっ
た。（図３（Ｅ））

【００７５】続いて、厚さ６０００Åの酸化珪素膜２１
６を層間絶縁物としてプラズマＣＶＤ法によって形成し
た。そして、層間絶縁物２１６にコンタクトホールを形
成して、金属材料、例えば、クロム膜によってＴＦＴの
電極・配線２１７〜２２１を形成した。（図３（Ｆ））

【００７６】〔実施例３〕図４に本実施例を示す。石英
基板３０１上にモノシランと酸素を原料とする熱ＣＶＤ
法によって、厚さ２０００Åの酸化珪素の下地膜３０２
を形成した。成膜温度は４２０℃とした。さらに、プラ
ズマＣＶＤ法によって厚さ５００Åの非晶質珪素膜３０
３を成膜した。下地酸化珪素膜３０２と非晶質珪素膜３
０３の成膜には、２つの成膜チャンバーを有するマルチ
チャンバー成膜装置を用い、連続的におこなった。

【００７７】さらに、実施例２と同様に、厚さ２０〜５
０Åの酢酸ニッケル層３０４をスピンコーティング法で
形成した。ただし、本実施例においては、酢酸ニッケル
水溶液に、界面活性剤（高級アルコール系ノニオン活性
剤）を１体積％添加した。そのため、実施例とは異な
り、非晶質珪素膜３０３の表面に酸化珪素膜を形成する
必要はなかった。（図４（Ａ））

【００７８】この後、窒素雰囲気で５５０℃、４時間の
アニールをおこない、非晶質珪素膜３０３の結晶化をお
こなった。結晶化は、ニッケルと非晶質珪素膜３０３が
接触した領域を出発点として、実施例２と同様に縦方向
に進行した。このようにして、結晶珪素膜３０５を得
た。本実施例では、界面活性剤の効果によって、実施例
２よりも非晶質領域の残りは少なかった。アニールが終
了した後、ＫｒＦエキシマーレーザーの照射によって、
さらに珪素膜３０５の結晶性を改善せしめた。（図４
（Ｂ））

【００７９】次に、結晶珪素膜３０５をエッチングし
て、島状の活性層領域３０６および３０７を形成した。
結晶珪素膜３０５のエッチングは垂直方向に異方性を有
するＲＩＥ法によっておこなった。その後、１０％の水
蒸気を含む１気圧、６５０〜８５０℃、代表的には７５
０℃の酸素雰囲気中において、３〜５時間放置すること
によって、活性層領域３０６、３０７の表面を厚さ２０
０〜８００Å、代表的には５００Å酸化させ、酸化珪素
膜３０８、３０９を形成した。この酸化珪素膜３０８、
３０９の形成にはパイロジェニック酸化法（水素：酸素
＝１．８〜１．０：１（体積比））が膜厚制御性の面で
有効であった。その時、得られた酸化珪素膜３０８、３
０９の厚さは、４００〜１６００Å、本実施例では１０
００Åだった。酸化珪素膜３０８、３０９を形成した
後、１気圧の一酸化二窒素雰囲気で８００℃で１時間ア
ニールをおこなうことによって、酸化珪素膜３０８、３
０９中の水素を除去した。（図４（Ｃ））

【００８０】引き続いて、スパッタ法によって、厚さ３
０００〜８０００Å、例えば５０００Åのアルミニウム
膜（０．１〜２％のスカンジウムを含む）を成膜した。
そして、アルミニウム膜をパターニングして、ゲイト電
極３１０〜３１２を形成し、さらに、実施例２と同様に
ゲイト電極３１０〜３１２に電解溶液中で通電すること
によって陽極酸化をおこない、ゲイト電極３１０〜３１
２の上面および側面に１０００〜３０００Åの厚さの、
ここでは２０００Åの厚さの酸化アルミニウム膜を形成
した。

【００８１】次に、イオンドーピング法によって、活性
層領域（ソース／ドレイン、チャネルを構成する）にゲ
イト電極部、すなわちゲイト電極３１０〜３１２とその
周囲の酸化層をマスクとして、自己整合的にＰもしくは
Ｎ導電型を付与する不純物を添加した。ドーピングガス
として、フォスフィン（ＰＨ₃ ）およびジボラン（Ｂ₂
Ｈ₆ ）を用い、前者の場合は、加速電圧を８０ｋＶ、ド
ーズ量は５×１０¹⁴ｃｍ^-2、後者の場合は、加速電圧を
６５ｋＶ、ドーズ量を１×１０¹⁵ｃｍ^-2とした。この結
果、Ｎ型の不純物領域３１４と３１５、Ｐ型の不純物領
域３１３が形成された。

【００８２】その後、レーザー光の照射によってアニー
ルを行い、イオン注入した不純物の活性化をおこなっ
た。レーザー光としては、ＫｒＦエキシマレーザー（波
長２４８ｎｍ、パルス幅２０ｎｓｅｃ）を用いた。

【００８３】次に酸化珪素被膜３１６をプラズマＣＶＤ
法によって形成した。この酸化珪素被膜３１６はゲイト
電極側面への被覆性が優れていることが重要である。酸
化珪素被膜３１６の厚さは０．５〜１μｍ、例えば０．
７μｍとした。（図４（Ｄ））

【００８４】そして、この絶縁性の酸化珪素被膜３１６
をドライエッチング法等の手段によって異方性エッチン
グした。すなわち、垂直方向のみを選択的にエッチング
した。この結果、ソース／ドレインとなるべき不純物領
域３１３〜３１５の表面は露出され、それぞれのゲイト
電極３１０〜３１２（周囲の陽極酸化物層を含む）の側
面に概略三角形状の絶縁物３１７、３１８、３１９が残
った。

【００８５】この概略三角形状の絶縁物３１７〜３１９
の寸法、特にその幅は、先に成膜された酸化珪素被膜３
１６の厚さと、エッチング条件と、ゲイト電極（周囲の
陽極酸化物層を含む）の高さとによって決定される。な
お、得られる絶縁物３１７〜３１９の形状は、三角形状
に限定されるものではなく、酸化珪素被膜３１６のステ
ップカバレージや膜厚によってその形状が変化する。例
えば、膜厚が小さな場合は、方形状となる。

【００８６】そして、厚さ５０〜５００Åのチタン膜３
２０をスパッタ法によって形成した。チタン以外にも、
モリブテン、タングステン、白金、パラジウム等でもよ
い。（図４（Ｅ））

【００８７】そして、成膜後２００〜６５０℃、好まし
くは４００〜５００℃でアニールすることによって、チ
タン膜３２０とソース／ドレインとなるべき不純物領域
３１３〜３１５の珪素とを反応させ、ソース／ドレイン
領域にシリサイド層を３２１、３２２、３２３を形成し
た。

【００８８】その後、反応しなかったチタン膜３２０
（主として絶縁物３１７〜３１９、もしくは陽極酸化物
上に堆積したもの）を過酸化水素水とアンモニアの水溶
液でエッチングして、除去した。そして、全面に層間絶
縁物３２４として、熱ＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚
さ６０００Å形成した。層間絶縁物３２４にＴＦＴのソ
ース／ドレインにコンタクトホールを形成した。更に、
チタンとアルミニウムの積層膜を堆積し、これをエッチ
ングして、コンタクトホールに配線・電極３２５〜３２
９を形成した。チタンとアルミニウムの厚さはそれぞ
れ、８００Å、５０００Åとした。最後に、１気圧の水
素雰囲気で３５０℃、３０分のアニールをおこない、Ｔ
ＦＴ回路を完成させた。（図４（Ｆ））

【００８９】

【発明の効果】本発明によって、良好な結晶性を有する
安定して珪素膜を得ることができた。本発明によって得
られた結晶性の珪素膜は実施例に示したようにＴＦＴを
作製するのに極めて適している。このように本発明は産
業上、極めて有益である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 実施例１の作製工程を示す。（断面図）

【図２】 実施例１の作製工程を示す。（上面図）

【図３】 実施例２の作製工程を示す。（断面図）

【図４】 実施例３の作製工程を示す。（断面図）

【符号の説明】

１０１・・・・・ガラス基板 １０２・・・・・下地膜（酸化珪素） １０３・・・・・非晶質珪素膜 １０４・・・・・マスク膜（酸化珪素） １０５・・・・・触媒層（酢酸ニッケル） １０６、１０７・結晶化した領域 １０８、１０９・結晶化していない領域 １１０、１１１・島状の珪素膜領域 １１２・・・・・熱酸化による酸化珪素膜 １１３・・・・・ゲイト絶縁膜（酸化珪素） １１４〜１１６・ゲイト電極（燐のドープされた珪素） １１７・・・・・Ｐ型領域（ソース／ドレイン） １１８〜１１９・Ｎ型領域（ソース／ドレイン） １２０・・・・・層間絶縁物（酸化珪素） １２１〜１２５・金属電極（アルミニウム）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 29/786 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/20

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁表面上に酸化珪素膜を第１の温度で形
   成する工程と、 前記酸化珪素膜上に異層を形成しないように、前記酸化
   珪素膜表面に非晶質珪素膜を連続的に第２の温度で形成
   する工程と、 前記非晶質珪素膜に接触させて前記非晶質珪素膜の結晶
   化を助長させる触媒元素を導入した後、前記酸化珪素膜
   及び前記非晶質半導体膜を第３の温度で加熱する工程と
   を有し、 前記第１の温度は軟質な膜質を呈する酸化珪素膜を形成
   する温度であり、前記第３の温度は、前記非晶質半導体
   膜内の前記触媒元素を前記軟質な膜質を呈する酸化珪素
   膜に吸収させると共に前記軟質な膜質を呈する酸化珪素
   膜を硬質化する温度であることを特徴とする半導体装置
   の作製方法。
2. 【請求項２】絶縁表面上に酸化珪素膜を第１の温度で形
   成する工程と、 前記酸化珪素膜上に異層を形成しないように、前記酸化
   珪素膜表面に非晶質珪素膜を連続的に第２の温度で形成
   する工程と、 前記非晶質珪素膜に接触させて前記非晶質珪素膜の結晶
   化を助長させる触媒元素を導入した後、前記酸化珪素膜
   及び前記非晶質半導体膜を第３の温度で加熱する工程と
   を有し、 前記第１の温度は熱拡散した前記触媒元素を吸収できる
   程度の軟質な膜質を呈する酸化珪素を形成する温度であ
   り、前記第３の温度は前記非晶質珪素膜を結晶化すると
   共に前記熱拡散した触媒元素を前記軟質な膜質を呈する
   酸化珪素膜で吸収しながら前記軟質な膜質を呈する酸化
   珪素膜を硬質化する温度であることを特徴とする半導体
   装置の作製方法。
3. 【請求項３】絶縁表面上に軟質な膜質を呈する酸化珪素
   膜を第１の温度で形成する工程と、 前記軟質な膜質を呈する酸化珪素膜上に異層を形成しな
   いように、前記軟質な膜質を呈する酸化珪素膜表面に非
   晶質珪素膜を連続的に第２の温度で形成する工程と、 前記非晶質珪素膜に接触させて前記非晶質珪素膜の結晶
   化を助長させる触媒元素を導入した後、前記軟質な膜質
   を呈する酸化珪素膜及び前記非晶質半導体膜を第３の温
   度で加熱して前記非晶質半導体膜内の前記触媒元素を前
   記軟質な膜質を呈する酸化珪素膜に吸収させると共に前
   記軟質な膜質を呈する酸化珪素膜を硬質化する工程とを
   有し、 前記第１の温度は４５０度以下であり、前記第３の温度
   は４００度から７５０度であることを特徴とする半導体
   装置の作製方法。
4. 【請求項４】絶縁表面上に軟質な膜質を呈する酸化珪素
   膜を第１の温度で形成する工程と、 前記軟質な膜質を呈する酸化珪素膜上に異層を形成しな
   いように、前記軟質な膜質を呈する酸化珪素膜表面に非
   晶質珪素膜を連続的に第２の温度で形成する工程と、 前記非晶質珪素膜に接触させて前記非晶質珪素膜の結晶
   化を助長させる触媒元素を導入した後、前記軟質な膜質
   を呈する酸化珪素膜及び前記非晶質半導体膜を第３の温
   度で加熱して前記非晶質半導体膜内の前記触媒元素を前
   記軟質な膜質を呈する酸化珪素膜に吸収させると共に前
   記軟質な膜質を呈する酸化珪素膜を硬質化する工程とを
   有し、 前記第１の温度及び前記第２の温度は４５０度以下であ
   り、前記第３の温度は４００度から７５０度であること
   を特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 【請求項５】絶縁表面上に軟質な膜質を呈する酸化珪素
   膜を第１の温度で形成する工程と、 前記軟質な膜質を呈する酸化珪素膜上に異層を形成しな
   いように、前記軟質な膜質を呈する酸化珪素膜表面に非
   晶質珪素膜を連続的に第２の温度で形成する工程と、 前記非晶質珪素膜に接触させて前記非晶質珪素膜の結晶
   化を助長させる触媒元素を導入した後、前記軟質な膜質
   を呈する酸化珪素膜及び前記非晶質半導体膜を第３の温
   度で加熱する工程とを有し、 前記第１の温度は４５０度以下であり、前記第３の温度
   は前記非晶質半導体膜内の前記触媒元素を前記軟質な膜
   質を呈する酸化珪素膜に吸収させると共に、前記非晶質
   半導体膜と前記軟質な膜質を呈する酸化珪素膜を結晶化
   する温度であることを特徴とする半導体装置の作製方
   法。
6. 【請求項６】請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記軟質な膜質を呈する酸化珪素膜に塩素を添加するこ
   とを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 【請求項７】請求項６において、前記塩素を添加した酸
   化珪素膜は少なくともテトラ・テトキシ・シランとトリ
   クロロエチレンを用いて形成することを特徴とする半導
   体装置の作製方法。
8. 【請求項８】請求項１乃至７のいずれか一項において、
   前記軟質な膜質を呈する酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法
   によって形成することを特徴とする半導体装置の作製方
   法。
9. 【請求項９】請求項１乃至８のいずれか一項において、
   前記非晶質珪素膜の結晶化を助長させる触媒元素は、Ｎ
   ｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐ、
   Ａｓ、Ｓｂの少なくとも一つであることを特徴とする半
   導体装置の作製方法。
10. 【請求項１０】請求項１乃至９のいずれか一項におい
    て、前記非晶質珪素膜の結晶化を助長させる触媒元素を
    含む極性溶媒を、前記非晶質珪素膜表面に塗布すること
    を特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 【請求項１１】請求項１０において、前記極性溶媒に界
    面活性剤を添加することを特徴とする半導体装置の作製
    方法。
12. 【請求項１２】請求項１乃至１１のいずれか一項におい
    て、前記第３の温度で加熱する工程の後、レーザー光を
    照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 【請求項１３】請求項１乃至１１のいずれか一項におい
    て、前記第３の温度で加熱する工程の後、非コヒーレン
    トな光を短時間照射することを特徴とする半導体装置の
    作製方法。
14. 【請求項１４】請求項１３において、前記非コヒーレン
    トな光は赤外光であることを特徴とする半導体装置の作
    製方法。