TW540251B - EL display device and method for driving the same - Google Patents

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540251 A7 B7 五、發明説明（ 發明背景 1 ·發明領域 本發明係關於以建立在一基底上之半導體元件（使用 半導體薄膜之元件）形成之E L (電致照明）顯示裝置， 和包含此E L顯示裝置當成顯示器之電子裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

2 ·相 形 對主動 使用多 更高的 形成在 知以在 藉 矩陣型 顯示裝 此 型E L 稱爲有 OLE E 關技藝之說明 成T F T在一基底上之技術近年 矩陣型顯示裝置之施加發展亦持 晶矽膜之T F T具有比使用習知 電場效移動率，且其可進行高速 相同基底上之驅動電路而執行圖 基底外之驅動電路執彳了。 由製造各種電路和元件在相同基 顯示裝置可獲得許多優點，如低 置，增加良率等。 外，對於具有E L元件當成自發 顯示裝置之硏發亦蓬勃發展。此 機E L顯示（〇E L D )或有機: D ) 〇 L顯示裝置爲自發光型 E L元件具有之構造爲e L層夾在一對 一般爲一疊層構造。由Eastman Kodak 所發表的'^ ~電洞傳送層，一發光層， 來已顯著進步，且 續進行。特別的， 非晶矽膜之T F T 操作。因此，可以 素之控制，而其習 底上，此型之主動 製造成本，較小的 光元件之主動矩陣 種E L顯示裝置亦 變光二極體（ 其與液晶顯示裝置不同。 電極間，和E L層 公司之Tang等人 和一電子傳送層 先〗 閱 講 P 5 意 事 項 再 填 寫 本 頁 虞 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4- 540251 Α7 Β7 五、發明説明（2 ) (賞先閱It背面之注意事項再填寫本頁) 之疊層構造爲一典型的構造。此構造具有極高的發光效率 ’且現今幾乎所有正在進行硏發的E L顯示裝置皆使用此 種構造。 再者，亦可使用依序形成在一圖素電極上之電洞注入 層，電洞傳送層，發光層，和電子傳送層；或依序形成在 一圖素電極上之電洞注入層，電洞傳送層，發光層，電子 傳送層’和電子注入層等其他構造。如螢光顏料之元件亦 可摻雜入E L層中。 而後，藉由一對電極施加預定電壓至具有上述構造之 E L層，和因此在發光層中發生載子之再結合，和發光。 在本說明書中，E L元件之發光視爲驅動E L元件。 此外，由陽極，E L層，和陰極所形成之發光元件視 爲E L元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 大略而言，於此有四種E L顯示裝置之彩色顯示方法 :形成三種對應於R (紅色），G (綠色），和B (藍色 )之E L元件之方法；結合白色發光E L元件和濾色器之 方法；結合藍色或藍綠色E . L元件和螢光體（螢光彩色改 變層C C Μ )之方法；和使用透明電極於陰極（相反電極 )和重疊對應R G Β之E L元件之方法。 但是’一般而言，許多有機E L材料之紅色光亮度比 藍色或綠色光亮度低。因此，在使用具有這些型式發光特 性之有機E L材料當成E L顯示裝置中，所顯示之紅色影 像亮度變成相當弱。 再者’因爲紅色光亮度比藍色或綠色光亮度低，使用 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 540251 A7 B7 五、發明説明（3 ) 一 m Γ請先閲济背面之注意事項再填寫本頁) 具有比紅色光些微低波長之橘色光之方法已被採用。但是 ，由E L顯示裝置顯示之紅色影像本身之亮度亦是低的， 且當嘗試顯示紅色影像時，其顯示爲橘色。 發明槪要 有鑒於上述之問題，本發明之目的乃在提供一種使用 不同紅色光，綠色光，和藍色光亮度之E L材料之E L顯 示裝置以顯示一影像，該影像具有在紅色，藍色，和綠色 間之良好平衡。 本發明之申請人在執行分隔色階顯示之E L顯示裝置 中，使施加至執行具有低發光亮度之顏色顯示之E L元件 之電壓高於施加至執行具有相當高發光亮度之顏色顯示之 E L元件之電壓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 執行對E L元件之電流控制之E L驅動T F T具有比 控制E L驅動T F T之驅動之開關T F T較大的電流，以 使E L元件發光。驅動T F T之控制意即T F T之啓動或 關閉狀態乃由控制施加至T F T之閘電極電壓而設定。特 別的，對於上述構造，本發明使在具有低發光亮度之顯示 顏色之圖素之E L驅動T F T中比在顯示其他顏色之E L 驅動T F T中流動更多的電流。因此，由於熱載子注入， 具有低發光亮度之圖素顯示顏色之E L驅動T F T比顯示 其他顏色之圖素之E L驅動T F T之表面更快速下降。 除了上述構造外，本發明之申請人使具有低發光亮度 之顯示顏色之圖素之E L驅動T F T之L D D區域之長度 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 540251 A7 B7 五、發明説明（4 ) (嘗先閱意背面之注意事項再填寫本頁) 比顯示其他具有較高發光亮度之顏色之圖素之E L驅動 TFT之LDD區域之長度長，以抵抗由熱載子對EL驅 動丁 F T造成之破壞。 在本說明書中，L D D之長度爲連接源極區域和汲極 區域之方向之L D D區域之長度。 再者，同時，使具有低發光亮度之顯示顏色之圖素之 E L驅動T F T之通道寬度（W )比顯示其他具有較高發 光亮度之顏色之圖素之E L.驅動T F T之通道寬度（W) 寬。 在本說明書中，通道寬度（W )爲垂直於連接源極區 域和汲極區域之方向之通道區域之長度。 即使用以控制E L驅動T F T之電流量藉由依照上述 構造而使電壓上升而增加，本發明亦可抑制對E L驅動 T F T之破壞。此外，藉由施加至E L元件之電壓値，可 調節由E L元件所發出之光之亮度，和顯示具有生動彩色 和在所發出紅色，綠色，和藍色光売度間有良好平衡之影 像。本發明不只可使用劃時色階顯示，且亦可使用於其它 顯示方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之構造如下。 依照本發明，一種E L顯示裝置，包含多數圖素，每 一圖素包含EL元件，其中： 該E L顯示裝置藉由控制在光以多數E L元件發出時 之時間而執行色階顯示；和 依照由多數圖素所顯示之顏色使施加至多數E L元件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 540251 Α7 Β7 五、發明説明（5 ) 之電壓不同。 依照本發明，一種E L顯示裝置，包含： 多數圖素，每一圖素包含： 一 E L元件； 一 EL驅動TFT，以控制來自EL元件之光發射； 和 一開關T F T，用以控制E L驅動T F T之驅動； 其中： §亥E L威不裝置藉由控制在光以多數e l元件發出時 之時間而執行色階顯示； 依照由多數圖素所顯示之顏色使施加至多數E L元件 之電壓不同； 多數E L驅動T F T以η通道T F T構成；和 當應至多數E L元件之電壓愈高，在通道之縱向上之 多數E L驅動T F Τ之L D D區域之長度愈長。 再者，依照本發明，一種E L顯示裝置，包含： 多數圖素，每一圖素包含： 一 E L元件； 一 E L驅動T F Τ，以控制來自E L元件之光發射； 和 一開關T F Τ，用以控制E L驅動T F 丁之驅動； 其中： 該E L顯示裝置藉由控制在光以多數E L元件發出時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (於先閱請背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8 - 540251 A7 B7 五、發明説明（6 ) 之時間而執行色階顯示； (束先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依照由多數圖素所顯示之顏色使施加至多數E L元件 之電壓不同； 多數EL驅動TFT以η通道TFT構成；和 當應至多數E L元件之電壓愈高，多數E L驅動 T F T之通道區域之寬度愈大。 依照本發明，一種E L顯示裝置，包含： 多數圖素，每一圖素包含： 一 E L元件； 一 EL驅動TFT，以控制來自EL元件之光發射； 和 一開關T F T，用以控制E L驅動T F T之驅動； 其中= 該E L顯示裝置藉由控制在光以多數E L元件發出時 之時間而執行色階顯示； 依照由多數圖素所顯示之顏色使施加至多數E L元件 之電壓不同； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 多數EL驅動TFT以η通道TFT構成； 當應至多數E L元件之電壓愈高，在通道之縱向上之 多數EL驅動TFT之LDD區域之長度愈長；和 當應至多數E L元件之電壓愈高，多數E L驅動 T F T之通道區域之寬度愈大。 依照本發明，一種E L顯示裝置，包含： 多數圖素，每一圖素包含： -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 540251 A7 B7_ 五、發明説明（7 ) ~ E L元件； (t先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〜E L驅動T F T，以控制來自E L元件之光發射； 和 〜開關T F T，用以控制E L驅動T F T之驅動； 其中： 該E L顯示裝置藉由控制在光以多數E L元件發出時 之時間而執行色階顯示； 依照由多數圖素所顯示之顏色使施加至多數E L元件 之電壓不同；和 當應至多數E L元件之電壓愈高，多數e l驅動 T F T之通道區域之寬度愈大。 本發明之特徵亦在於由多數E L元件所發光之時間量 乃由輸入至開關T F T之數位訊號所控制。 本發明亦關於使用上述E L顯示裝置之電子裝置。 圖式簡單說明 在圖中： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 A和1 B爲本發明之E L顯示裝置之構造圖； 圖2爲本發明之劃時分級方法顯示模式之說明圖； 圖3爲本發明之劃時分級方法顯示模式之說明圖； 圖4爲本發明之EL顯示裝置之橫截面構造圖； 圖5 A至5 E爲E L顯不裝置之製造方法圖； 圖6 A至6 D爲E L顯示裝置之製造方法圖； 圖7A至7D爲EL顯示裝置之製造方法圖； -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公餐） 540251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 i、發明説明（8 ) 圖8 A至8 C爲E L顯示裝置之製造方法圖； 圖9爲E L模組之外部視圖； 圖1 Ο A和1 〇 B爲E L模組之外部視圖；和 圖1 1 A至1 1 E爲電子設備之特殊例圖。 (#-先閱樣背面之注意事項再填寫本頁)

符號說 明 1 1 基 底 1 2 絕 緣 膜 1 3 源 極 區 域 1 4 汲 極 TE 域 1 5 L D D 區 域 1 6 隔 離 區 域 1 7 通 道 形 成 區 域 1 8 閘 極 絕 緣 膜 1 9 閘 電 極 2 0 中 間 層 絕 緣 膜 2 1 源 極 接 線 2 2 汲 極 接 線 2 6 源 極 區 域 2 7 汲 極 區 域 2 8 L D D 域 2 9 通 道 形 成 區 域 3 0 閘 電 極 3 1 源 極 接 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 540251 A7 B7 五、發明説明（9 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 2 汲 極 接 線 3 5 源 極 區 域 3 6 汲 極 區 域 3 7 L D D 區 域 3 8 通 道 形 成 區 域 3 9 閘 電 極 4 0 源 極 域 4 1 汲 極 域 4 2 通 道 形 成 區 域 4 3 閘 電 極 4 4 4 5 源 極 接 線 4 6 汲 極 接 線 4 7 被 動 膜 4 8 第 二 中 間 層 絕 緣 膜 4 9 保 護 電 極 5 〇 第 三 中 間 層 絕 緣 膜 5 1 圖 素 電 極 5 2 E L 層 5 3 相 反 電 極 5 4 第 二 被 動 膜 1 〇 1 圖 素 部 份 1 0 2 資 料 訊 號 側 驅 動 電 路 1 〇 3 閘 極 訊 號 側 驅 動 電 路 1 0 2 a 移 位 暫 存 器 (f先閲敢背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -12- 540251 A7 B7 五、發明説明（10 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 〇 2 b 閂 鎖 1 0 2 C 旦 鎖 1 1 4 劃 時 分 級 資 料 訊 1 〇 4 圖 素 1 0 5 開 關 Τ F 丁 1 0 6 閘 極 接 線 1 0 7 資 料 接 線 1 0 8 E L 驅 動 T F 丁 1 1 〇 E L 元 件 1 1 1 電 源 供 應 線 1 1 2 共 同 電 源 1 1 3 電 容 2 〇 1 開 關 Τ F T 2 〇 2 E L 驅 動 T F T 2 〇 4 η 通 道 型 T F T 2 〇 5 Ρ 通 道 型 T F T 5 〇 1 基 底 5 〇 2 非 晶 矽 膜 5 〇 3 開 □ 5 〇 4 保 護 膜 5 0 5 含 鎳 層 5 0 6 添 加 鎳 層 5 〇 7 多 晶 矽 膜 5 〇 8 添 加 磷 域 (t先閲欢背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 540251 A7 B7 五、發明説明（11 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 0 9 多 晶 矽 膜 5 1 〇- -5 1 3 主 動 層 5 1 4 閘 絕 緣 膜 5 1 5 阻 止 罩 5 1 6 ^ -5 1 8 雜 質 區 域 5 1 9 阻 止 罩 5 2 0 ，5 2 1 雜 質 區 域 5 2 2〜5 2 5 閘 電 極 5 2 7〜5 3 3 雜 質 域 5 3 4〜5 4 1 阻 止 罩 5 4 4 ，5 4 5 雜 質 域 5 4 6 第 一 中 間 層 絕 緣 膜 5 4 7 - -5 5 0 源 極 接 線 5 5 1 ^ -5 5 3 汲 極 接 線 5 5 4 被 動 膜 5 5 5 第 二 中 間 層 絕 緣 膜 5 5 6 保 護 電 極 5 5 7 第 二 中 間 層 絕 緣 膜 5 5 8 圖 素 電 極 5 5 9 E L 層 5 6 〇 相 反 電 極 5 6 1 第 二 被 動 膜 6 〇 1 玻 璃 基 底 6 0 2 圖 素 部 份 (t先閲It背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -14- 540251 A7 B7 五、發明説明（12 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 〇 3 閘 極 訊 號 側 驅 動 電 路 6 0 4 源 極 訊 號 側 驅 動 電 路 6 0 5 開 關 T F T 6 0 6 閘 極 接 線 6 0 7 源 極 接 線 6 〇 8 E L 驅 動 T F T 6 0 9 饋 流 線 6 1 1 E L 元 件 6 1 2 F P C 6 1 3 ， 6 1 4 輸 入 接 線 6 1 6 電 容 1 2 0 0 基 底 1 2 0 1 圖 素 部 份 1 2 0 2 資 料 訊 號 側 驅 動 電 1 2 〇 3 閘 極 訊 號 側 驅 動 電 1 2 0 4 殼 材 料 1 2 〇 5 黏 劑 1 2 0 6 間 隙 1 2 0 7 保 護 電 極 1 2 〇 8 區 域 1 2 0 9 連 接 接 線 1 2 1 0 輸 入 輸 出 接 線 1 2 1 1 導 電 膏 材 料 2 〇 0 1 主 體 (#·先閲束背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 540251 A7 B7 五、發明説明（13 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 0 〇 2 殼 2 〇 0 3 顯 示 部 份 2 〇 〇 4 鍵 盤 2 1 〇 1 主 體 2 1 〇 2 顯 示 裝 置 2 1 0 3 聲 音‘ 輸 入 部 份 2 1 0 4 操 作 開 關 2 1 0 5 電 池 2 1 0 6 影 像 接 收 部 份 2 3 〇 1 主 體 2 3 0 2 訊 號 線 2 3 〇 3 頭 固 定 帶 2 3 〇 4 顯 示 監 視 器 2 3 0 5 光 學 系 統 2 3 〇 6 顯 示 裝 置 2 4 〇 1 主 體 2 4 0 2 記 錄 介 質 2 4 〇 3 操 作 開 關 2 4 0 4 顯 示 裝 置 2 4 0 5 顯 示 板 2 5 〇 1 主 體 2 5 0 2 相 機 2 5 0 3 影 像 接 收 部 份 2 5 0 4 操 作 開 關 (請先閱t背面之注意事項再填寫本頁)

本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16 - 540251 Α7 Β7 五、發明説明（14) 2505 顯示部份 (f先閲棟背面之注意事項再填寫本頁) 較佳實施例之詳細說明 實施例模式 圖1 A和1 B爲本發明之E L顯示裝置之電路構造。 圖1 A之E L顯示裝置具有一圖素部份1 〇 1 ，和安排在 圖素部份周邊之資料訊號側驅動電路1 〇 2和閘極訊號側 驅動電路1 0 3，其皆由形成在一基底上之TFT構成。 雖然在本發明之實施例模式中，E L顯示裝置具有一資料 訊藏側驅動電路和一*聞極訊號側驅動電路，本發明亦可使 用兩資料訊號側驅動電路。再者，亦可使用兩閘極訊號側 驅動電路。 資料訊號側驅動電路1 0 2基本上包含一移位暫存器 1 0 2 a ，一閂鎖（A ) 1〇2 b和一閂鎖（B ) 1 0 2 c。再者，時鐘脈衝（C K )和啓始脈衝（S P ) 輸入至移位暫存器1 0 2 a，數位資料訊號輸入至閂鎖（ A ) 1 〇 2 b，和閂鎖訊號輸入至閂鎖（B ) 1 〇 2 c。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 輸入至圖素部份之數位資料訊號乃以劃時分級資料訊 號產生電路1 1 4形成。此電路，隨著轉換爲類比訊號或 數位訊號（含影像資訊之訊號）之視頻訊號爲一數位資料 訊號以執行劃時分級，乃是產生需用於執行劃時色階顯示 之時間脈衝之電路。 典型的，在劃時分級資料訊號產生電路1 1 4中包括 一機構以分隔一框成爲對應η位元分級之多數副框（η爲 -17- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 540251 Α7 Β7 五、發明説明（15 ) 等於或大於2之實數），一機構以選擇在多數副框週期中 位址週期和維持週期，和一機構以設定維持週期以使

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：T 2 2 2

T :…：T s ( η - 1 :Τ 2 2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 劃時分級資料訊號產生電路1 1 4亦可形成在本發明 之E L顯示裝置之外部。在此例中，其變成之構造爲所形 成之數位訊號輸入至本發明之E L顯示裝置。因此，具有 本發明之E L顯示裝置之電子裝置包含本發明之E l顯示 裝置和當成分離元件之劃時分級資料訊號產生電路。 再者，本發明之E L顯示裝置亦可以如使用用於劃時 分級資料訊號產生電路1 1 4之I C晶片之形式實施。在 此例中，其構造爲由I C晶片所形成之數位資料訊號輸入 至本發明之E L顯不裝置。因此，具有本發明之E L顯示 裝置當成顯示器之電子裝置包含本發明之E L顯示裝置， 其中實施含有劃時分級資料訊號產生電路之I C晶片。 再者，劃時分級資料訊號產生電路1 1 4亦可如同圖 素部份1 0 1 ，資料訊號側驅動電路1 0 2，和閘極訊號 側驅動電路1 0 3以T F Τ形成在相同基底上。在此例中 ，假設含有影像資訊之視頻訊號輸入至E L顯示裝置時， 所有處理皆可在基底上執行。因此，最好以具有使用在本 發明中之多晶矽膜之T F Τ當成主動層而形成劃時分級資 料訊號產生電路。再者，在具有本發明之E L顯示裝置當 成顯示器之電子裝置之例中，劃時分級資料訊號產生電路 請 閲 讀· 背 5 ί 事 項 再 填 馬 本 頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -18- 540251 Α7 Β7 五、發明説明（16) 安裝在E L顯示裝置本身內，因此，可使電子裝置更小。 多數圖素1 0 4以矩陣狀態安排在圖素部份1 〇 1中 。圖素部份1 0 4之展開圖如圖1 B所示。參考數字 1 05表示在圖1B中之開關TFT。開關TFT1 〇 5 之閘電極連接至輸入閘極訊號之閘極接線1 〇 6。開關 T F T 1 〇 5之汲極區域和源極區域之一連接至資料接線 (亦視爲源極接線）1 0 7以輸入數位資料訊號，和另一 連接至E L驅動TFT 1 〇 8之閘電極。 數位資料訊號包含資訊vv 0 〃和'' 1 "，和數位資料 訊號0 〃和〜1 〃之一具有高電位，而另一具有低電位 〇 再者，E L驅動TFT 1 〇 8之源極區連接至電源供 應線1 1 1，和汲極區域連接至一 E L元件1 1 〇。 EL元件1 1 〇由連接至EL驅動TFT1 08之汲 極區域之圖素電極和形成相對於圖素電極且夾住一 E L層 之相對電極構成，和此相對電極連接至保持固定電位之共 同電源1 1 2 (共同電位）。 當使用E L元件1 1 0之陽極當成圖素電極，且使用 相對電極當成陰極時，EL驅動TFT108最好爲p通 道 T F T。 當使用E L元件1 1 0之陰極當成圖素電極，且使用 相對電極當成陽極時，E L驅動TFT 1 〇 8最好爲η通 道 T F Τ。

施加至電源線1 1 1之電位爲E L驅動電位。當E L if'· 衣-- , 备 (t先閲I背面之注意事項再填寫本頁) ••訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 540251 A7 _ B7 五、發明説明（17 ) 兀件發光時之E L驅動電位視爲一啓動E L驅動電位。再 者，當E L元件不發光時之E L驅動電位視爲關閉E L驅 動電位。 此外，E L驅動電位和共同電位間之差異爲e L驅動 電壓。當E L元件發光時之E L驅動電壓視爲一啓動E L 驅動電壓。再者，當E L元件不發光時之E L驅動電壓視 爲關閉E L驅動電壓。 施加至電源線1 1 1之啓動E L驅動電壓値依照顯示 在對應圖素之顏色（紅，綠，藍）而改變。例如，當由所 使用之有機E L材料所發出之紅色光亮度小於藍和綠色光 売度時，施加至連接顯示紅色之圖素之電源線之啓動E L 驅動電壓設定成高於施加至連接顯示綠和藍色圖素之電源 線之啓動E L驅動電壓。 一電阻體亦可形成在具有圖素電極之EL元件1 1 〇 和E L驅動T F T 1 0 8之汲極區域間。因此，可控制從 E L驅動T F T供應至E L元件之電流量，和藉由形成電 阻體防止E L驅動T F T之特性散佈而造成之任何影響。 此電阻體可爲顯示充份大於EL驅動TFT 1 〇 8之啓動 電阻之電阻値之元件，且因此，其構造並無限制。啓動電 阻爲由在此時流動之汲極電流除以T F T之汲極電壓之値 。電阻體之電阻値選擇在1 kQ至5 0ΜΩ (最好介於 1 OkQ至1 0ΜΩ，且更好爲介於5 OkD至1ΜΩ) 。使用具有如電阻體之高電阻値之半導體層乃因爲其可輕 易形成而是較佳的。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 20 - (免先閱説背面之注意事項再填寫本頁) - 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 540251 A7 B7______ 五、發明説明（18) (家先閱冰背面之注意事項再填寫本貢) 當開關T F T 1 0 5在非選擇狀態（關閉狀態）時 爲了保持EL驅動TFT 1 〇 8之閘極電壓，可提供一電 容1 1 3。電容1 1 3連接至開關TFT1 05之汲極區 域和至電源線1 1 1。 以下使用圖1 A至2說明劃時色階顯示。以η位元數 位驅動方法執行2 η色階顯示之例說明如下。 首先，一框週期分隔成η個副框（SF 1至SFn) 。所有圖素部份之圖素顯示一影像之週期視爲一框週期。 在一般E L顯示中，發射頻率等於或大於6 0 Η z ，亦即 ，在一秒中形成6 0或更多框週期，和在一秒中顯示6 0 或更多影像。如果在一秒中顯示之影像數目小於6 0，則 影像之閃燦變成可見。一框週期額外分隔之多數週期乃視 爲副框。當分級數目變大時，一框之分隔數目增加且驅動 電路必須以高頻驅動。（見圖2 )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 每一副框可分成一位址週期（T a )和一維持週期（ Ts)。位址週期表示在一副框週期時，需用以輸入資料 至所有圖素之時間，和維持週期（或啓動週期）表示E L 元件發光之週期。 分別具有η副框週期（S F 1至S F η )之位址週期 (T a 1至T a η)之長度固定。分別具有sf 1至 SF η之維持週期（T s)變成Ts 1至Ts η。 維持週期之長度設定爲T s 1 : T s 2 : T s 3 :… ......:Ts (η— 1) :Tsn = 2〇:2 — 1:2— 2: .........:2 — ( η - 2 ) : 2 - ( η _ 1 )。S F 1 至 S F η 之出 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X別公釐） 540251 A7 B7 五、發明説明（19 ) 現順序可任意設定。在2 η分級外之所需値之色階顯示可 藉由結合維持週期而執行。 (½先閲束背面之注意事項再填寫本頁) 首先，電源線1 1 1設定成維持關閉E L驅動電位之 狀態，閘極訊號施加至閘極接線1 〇 6，和連接至閘極接 線1 0 6之所有開關T F Τ 1 〇 5設定成啓動狀態。於此 ’關閉E L驅動電位爲E L元件不發光之等級之電位，幾 乎相同於共同電位。 而後，在設定開關T F Τ 1 〇 5爲啓動狀態後，或在 開關T F Τ 1 0 5設定在啓動狀態同時，具有、、〇 〃或、、 1 〃資訊之數位資料訊號輸入至開關T F Τ 1 0 5之源極 區域。 數位資料訊號經由開關T F Τ 1 0 5輸入至連接E L 驅動TFT1 08之閘電極之電容1 1 3，和儲存。數位 資料訊號輸入至所有圖素之週期即爲位址週期。 在完成位址週期後，電源線1 1 1維持在啓動E L驅 動電位，開關T F Τ在關閉狀態，和儲存在電容1 1 3之 數位資料訊號輸入至E L驅動T F Τ 1 0 8之閘電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 E L驅動電位之大小在使E L元件可在啓動E L驅動 電位和共同電.位間發光之級數。較佳的是，施加至陽極之 電位大於施加至陰極之電位。換言之，當使用陽極當成圖 素電極時，最好設定啓動E L電位大於共同電位。另一方 面，當使用陰極當成圖素電極時，最好設定啓動E L驅動 電位小於共同電位。 當在此實施例模式中之數位資料訊號具有〃資訊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -22- 540251 Α7 Β7 五、發明説明（2〇 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 時’ E L驅動T F Τ 1 〇 8設定至關閉狀態，和施加至電 源線1 1 1之啓動E L驅動電壓不施加至E L元件1 1 0 之陽極（圖素電極）。 另一方面，對於、1 〃資訊之例，E L驅動 T F Τ 1 〇 8設定至啓動狀態，和施加至電源線1 1 1之 啓動EL驅動電壓施加至EL元件1 1 〇之陽極（圖素電 極）。 結果，施加有包含> 0 〃資訊之數位資料訊號之圖素 之E L元件1 1 〇不發光。施加有包含1 〃資訊之數位 資料訊號之圖素之E L元件1 1 0發光。直到發光完成之 週期即爲維持週期。 使EL元件1 1 〇發光（圖素啓動）之週期爲從 T s 1至T s η之任何週期。於此，預定圖素在T s η週 期啓動。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次再度進入位址週期，且當資料訊號輸入至所有圖 素時，進入維持週期。在此點上，從Tsl至Ts (η-1 )之任何週期可變成維持週期。於此，預定圖素對於週 期Ts (η - 1)啓動。 而後對剩餘η - 2副框重覆相似的操作，維持週期

Ts (n — 2) ，Ts (η — 3).......... 一個一個設定 ，和預定圖素在相關副框啓動。 在η副框週期呈現後，完成一框週期。圖素之分級可 藉由計算圖素啓動時之維持週期之長度而執行，亦即，直 接在含> 1 〃資訊之數位資料訊號施加至圖素之位址週期 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 540251 A/ B7 五、發明説明（21 ) 請· 先 閱 讀· 背 ί 事 項 再 填 馬 本 頁 後之維持週期。例如，在對所有週期發光之圖素之例中， 亮度爲1 00%，當n = 8時，在Ts 1和Ts 2中由圖 素發光表示之亮度爲75%，和當Ts 3 ，Ts 5 ，和 T s 8選擇時，呈現之亮度爲1 6%。 此外，施加至電源線1 1 1之啓動E L驅動電壓値依 照以本發明之相關圖素顯示之顏色（紅，綠，藍色）而改 變。例如，當從所使用有機E L材料發出之紅色光亮度低 於藍或綠色光亮度時，施加至連接顯示紅色圖素之電源線 之啓動E L驅動電壓設定以使大於施加至連接顯示藍或綠 色圖素之電源線之啓動E L電壓。 於此當改變啓動E L驅動電位値時，亦可同時適當改 變閘極訊號和數位資料訊號之電位値。 以下說明本發明之E L驅動T F T之構造。在本發明 中’ EL驅動TFT以p通道TFT或η通道TFT構成 。以P通道T FT構成之E L驅動TFT不具有LDD區 域，而以η通道TFT構成之EL驅動TFT具有LDD 區域。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 E L驅動T F T之控制電流量高於開關T F T者。特 別的，顯示具有低發光亮度之顏色之圖素之E L驅動 T F T比顯示其它顏色之圖素之E L驅動T F T具有更大 的控制電流量。

當EL驅動TFT爲p通道TFT時，顯示具有低發 光亮度之顏色之圖素之E L驅動T F T比顯示具有相當高 發光亮度之圖素之E L驅動T F T具有更大通道寬度（W -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 540251 B7________ 五、發明説明（22) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) )。即使顯示具有低發光亮度之顏色之圖素之E L驅動 T F T比顯示其它顏色之圖素之E L驅動T F T具有更大 的控制電流量，以上述構造，亦可防止顯示具有低發光亮 度之顏色之圖素之E L驅動丁 F T因熱載子之注入而快速 的破壞。 藉由使在EL驅動TFT爲η通道TFT之例中，使 顯示具有低發光亮度之顏色之圖素之E L驅動T F T比顯 示具有相當高發光亮度之圖素之E L驅動T F T具有更大 通道寬度（W)，可防止顯示具有低發光亮度之顏色之圖 素之E L驅動T F T因熱載子之注入而快速的破壞。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當EL驅動TFT爲η通道TFT時，即使無上述構 造，藉由使顯示具有低發光亮度之顏色之圖素之E L驅動 T F T之L D D區域之長度大於顯示具有相當高發光亮度 之圖素之EL驅動TFT之LDD區域之長度，可防止顯 示具有低發光亮度之顏色之圖素之E L驅動T F T因熱載 子之注入而破壞。對於η通道TFT之E L驅動TFT之 例而言，它們可具有兩構造，其一爲EL驅動TFT之通 道寬度（W)因圖素而不同，如上所述，和另一爲EL驅 動丁FT之LDD區域之長度因圖素而不同。 以本發明，在上述構造中，藉由施加至E L元件之啓 動E L驅動電位値，可調整目標圖素之E L元件之發光亮 度，且可顯示在發射紅，綠，藍色光上具有良好平衡之生 動影像。此外，藉由使啓動E L驅動電壓變大，即使在 E L驅動T F T中之控制電流量增加，亦可抑制E L驅動 本紙張尺度適用中國國家^準（CNS ) A4規格(21〇>< 297公釐) -25 - 540251 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（23) T F T之變質。 以本發明，藉由劃時色階顯示，可執行淸楚的多級顯 示。且即使E L驅動T F T之控制電流量因所施加之電壓 變大而增加時，亦可抑制E L驅動T F T之變質。 〔第一實施例〕 在第一實施例中，說明以8位元數位驅動方法執行 2 5 6分級（1 6 7 7 0 0 0 0顏色）全彩顯示之例之劃 時色階顯示。在第一實施例中說明使用一有機E L材料之 E L顯示裝置之驅動，其中紅色光之發光亮度小於藍或綠 色光之發光亮度。 首先，一框週期分隔成八個副框週期（S F 1至 DF8)。在第一實施例之EL顯示裝置中之發光頻率設 定爲6 0 Η z ，在一秒中形成6 0個框週期，和在一秒中 顯示6 0個影像（見圖3 )。 每一副框可分成一位址週期（T a )和一維持週期（ T s ) °SF1至SF8之位址週期（Tal至Ta8) 之長度分別固定。SF 1至SF8之維持週期（T s )分 別視爲T s 1至T s 8。 此時，維持週期之長度設定爲Ts 1 : Ts 2 : Ts3:Ts4:Ts5:Ts6:Ts7:Ts8 = l ·· 1/2: 1/4: 1/8·· 1/16·· 1/32: 1/ 6 4 : 1 / 1 2 8。於此S F 1至s F 8可以任何順序呈 現。藉由結合維持週期，可執行2 5 6分級外之任何所需 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -26- *' ("請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 540251 A7 B7 五、發明説明（24) 色階顯示。 Γ請先閱请背面之注意事項再填寫本頁) 首先，電源線設定在保持關閉E L驅動電位之狀態， 一閘極訊號施加至閘極接線，和連接至閘極接線之開關 T F T皆設定至啓動狀態。在第一實施例中，關閉E L驅 動電位設定爲Ο V。E L元件之陽極連接至電源線當成圖 素電極，和陰極連接至一共同電源當成相對電極。 在開關T F T設定在啓動狀態後，或開關T F T設定 在啓動狀態同時，具有'' 0 〃或〜1 "資訊之數位資料訊 號輸入至開關T F T之源極區域。 數位資料訊號經由開關T F T輸入至連接E L驅動 T F T之閘電極之電容，和儲存。數位資料訊號輸入至所 有圖素之週期即爲位址週期。 在完成位址週期後，電源線維持在啓動E L驅動電位 ，開關T F T在關閉狀態，和儲存在電容之數位資料訊號 輸入至E L驅動T F T之閘電極。連接至用以顯示紅色之 圖素之電源線乃保持在啓動E L驅動電位之1 Ο V上，在 第一實施例之維持週期時。再者，連接至用以顯示綠或藍 色圖素之電源線保持在啓動E L驅動電位之5 V上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當在第一實施例中之數位資料訊號具有> 0 〃資訊時 ，E L驅動T F T設定至關閉狀態，和施加至電源線之啓 動EL驅動電壓不施加至EL元件之陽極（圖素電極）。 另一方面，對於、1 〃資訊之例，E L驅動T F T設 定至啓動狀態，和施加至電源線之啓動E L驅動電壓施加 至EL元件之陽極（圖素電極）。 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 540251 A7 ______B7 五、發明説明（25 ) 結果’施加有包含'' 0 〃資訊之數位資料訊號之圖素 之E L元件不發光。施加有包含、、1 〃資訊之數位資料訊 號之圖素之E L元件發光。直到發光完成之週期即爲維持 週期。 使EL元件發光（圖素啓動）之週期爲從τ s 1至 T s 8之任何週期。於此，預定圖素在T s 8週期啓動。 其次再度進入位址週期’且當資料訊號輸入至所有圖 素時，進入維持週期。在此點上，從丁 s 1至丁 s 7之任 何週期可變成維持週期。於此，預定圖素對於週期T s 7 啓動。 而後對剩餘6個副框重覆相似的操作，維持週期T s 請 先 閱 讀· 背 之 注 意 事 項 再 填 馬 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6，丁 s 5 相關副框啓 在8副 藉由計算圖 接在含1 後之維持週 亮度爲1 0 亮度爲7 5 呈現之亮度 此外， 改變閘極訊 依照上 動電位値， 動0 •·Τ s 1 —個一個設定，和預定圖素在 框週期呈現後’完成一*框週 素啓動時之維持週期之長度 〃資訊之數位資料訊號施加 期。例如，在對所有週期發 0%，在丁3 1和丁32中 %，和當Ts3，Ts5, 爲 1 6 %。 當改變啓動E L驅動電位値 號和數位資料訊號之電位値 述之構造，藉由施加至E L 可調整目標圖素之E L元件 期。圖素之 而執行，亦 至圖素之位 光之圖素之 由圖素發光 和T s 8選 分級可 即，直 址週期 例中， 表不之 擇時， 時，亦可同時適當 元件之啓動 之發光亮度

Em ，且可 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 540251 A 7 B7 五、發明説明（26) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 以本發明之劃時色階顯示而執行淸楚的多級顯示。特別的 ’從使用具有紅色光売度小於藍或綠色光亮度之有機E L 材料之E L元件而來之紅，綠，藍色光上之平衡更好，且 可顯示生動之影像。此外，依照數位訊號執行劃時色階顯 示’且因此可獲得具有良好彩色再生之高界定影像和在 E L驅動T F T之特性上無因散佈而引起之分級缺點。 〔第二實施例〕 其次，參考圖4，其示意的說明本發明之E L顯示裝 置之截面構造。此實施例說明連接至E L驅動T F T之汲 極區域之E L元件之陰極之例。 在圖4中，參考數字1 1爲一基底，1 2爲一絕緣膜 (以下稱爲基膜）。關於基底11方面，可使用輕的透光 材料製成，如玻璃基底，石英基底，玻璃陶瓷基底，和結 晶玻璃基底等。但是，其必須可在製造過程中抵抗最高之 處理溫度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 基膜1 2特別有效的使用在包含移動離子或具有導電 性之基底中，但是其不需設置在石英基底上。包含矽之絕 緣膜可使用當成基膜1 2。在此說明書中，含矽絕緣膜表 示氧或氮以預定比例（以S i ΟχΝγ : X和Y爲整數） 添加至矽之絕緣膜，例如氧化矽膜，氮化矽膜或氮氧化矽 膜。 參考數字2 0 1表示一開關TFT和2 0 2表示一 E L驅動T F T。它們皆以η通道T F T形成。亦可使用 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 540251 A/ ___ B7 五、發明説明（27 ) η通道T F T和p通道T F T於開關T F T和E L驅動 TFT。 由於η通道T F T比p通道τ F T具有更大的場效移 動率，且因此’ η通道T F Τ可高速操作且使更大的電流 輕易流動。當相同量的電流流動時，可以較小的尺寸形成 η通道TFT。因此，所需的是使用η通道TFT當成 E L·驅動T F T，以使圖像顯示板之有效發光區域更寬。 開關T F T 2 0 1以一主動層製成，包括一源極區域 1 3，一汲 離區域1 6 膜1 8，閘 ’源極接線 請 先 閱 誇 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 極區域14，LDD區域15a至15d，隔 ，和通道形成區域1 7 a和1 7 b，一閘絕緣 電極1 9 a和1 9 b，第一中間層絕緣膜2 0 2 1 ，和汲極接線2 2。閘絕緣膜1 8或第一 中間層絕緣膜2 0可根據電路或元件而共接至基底上之所 有 T F T 〇 在圖4 1 9 b —起 可使用雙閘 極構造。此 接之主動層 多閘極 T F T之截 E L驅動T 。亦即，由 造之使用可 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 所示之開關TFT2 0 1中，閘電極1 9 a和 電連接以形成所謂的雙閘極構造。當然，不只 極構造，亦可使用所謂的多閘極構造，如三閛 多閘極構造爲包含具有兩或多通道形成區域串 之構造。 構造可極有效的降低截斷電流値，且如果開關 斷電流値可降低至某一程度，需用以連接至 F T之閘電極之電容之電容値亦可對應的降低 於可降低由電容占據之面積，因此，多聞極構 有效的擴大E L元件之有效發光面積。 -30 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 540251 A7 B7 五、發明説明（28) 此外，在開關T F T 2 0 1中，提供L D D區域 (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 1 5 a至1 5 d以使設置在閘絕緣膜1 8上而不會重疊聞 電極1 9 a和1 9 b。此種構造可極有效的降低截斷電流 値。再者，LDD區域1 5 a至1 5 d之長度（寬）可爲 從0 . 5至3 · 5μιη，典型的爲2 · 0至2 . 5μηι。 所需的是在通道形成區域和L D D區域間形成一偏置 區域（一區域由如同通道形成區域相同的組成之半導體層 形成，且閘極電壓未施加於此），以降低截斷電流値。在 使用具有兩或多個閘電極之多閘構造中，形成在通道形成 區域間之隔離區域1 6 (添加和源極區域或汲極區域相同 雜質元素以相同濃度之區域）可有效的降低截斷電流値。 E L驅動TFT2 0 2以一主動層製成，包括：一源 極區域26，一汲極區域27，一 LDD區域28，和一 通道形成區域2 9，一閘絕緣膜1 8，一閘電極3 0，第 一中間層絕緣膜2 0，一源極接線3 1 ，和汲極接線3 2 。在此實施例中，EL驅動TFT2 02爲η通道TFT 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 開關T F T 2 0 1之汲極區域1 4連接至E L驅動 TFT202之閘電極30。具體而言，EL驅動 T F T 2 0 2之閘電極3 0經由汲極接線2 2 (亦稱爲連 接接線）而電連接至開關T F T 2 0 1之汲極區域1 4 ° 再者，聞電極3 0爲單閘極構造，但是亦可爲多聞極構造 。再者，E L驅動T F T 2 0 2之源極接線3 1連接至電 流饋線（未顯示）。 -31 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 540251 A7 B7 五、發明説明（29 ) 請 先 閱 * 背, 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 E L驅動T F T 2 0 2爲一元件，以控制供應至E L 元件之電流量，且藉此可流動相當大的電流。因此，其通 道寬度（W)需要設計成大於開關TFT之通道寬度。亦 需設計通道以使具有一長的通道長度（L )，因此過多的 電流不會流入E L驅動T F T 2 0 2。一般而言，所流動 之電流每一圖素從0 . 5至2mA (較佳的，從1至 1 . 5mA) 〇 在第一實施例中，特別的，顯示低發光亮度之圖素之 E L驅動T F T比顯不其它顏色控制電流之圖素之E L驅 動T F T控制更大的電流量。因此，顯示低發光亮度之圖 素之E L驅動T F T之熱載子注入而引起之破壞比顯示其 它顏色之圖素之E L驅動T F T更容易。 顯示低發光顏色之圖素之E L驅動T F T之L D D區 域之長度比顯示相當高發光亮度顏色之圖素之E L驅動 TF 丁之LDD區域之長度長。因此，可抑制由於由EL 驅動T F T所控制之電流量之增加之熱載子至注入而造成 對E L驅動T F T之破壞。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了抑制對T F T之破壞，可使E L驅動τ F T之主 動層（特別是通道形成區域）之膜厚度較厚（5 0 -l〇〇nm，最好爲6〇一8〇nm)。另一方面，從降 低在開關T F T 2 0 1中之截斷電流之觀點而言，最好使 主動層（特別是通道形成區域）之膜厚度變薄（2 0 -50nm，且最好爲 25 — 4〇nm)。 在圖4中，用以降低量注入熱載子而未降低操作速度 -32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇><297公麓） 540251 Α7 Β7 五、發明説明（3C)) Γ請先閱.背面之注意事項再填寫本頁) 之丁FT構造使用當成CM〇S電路之η通道 T F Τ 2 0 4。於此，驅動電路代表資料訊號側驅動電路 和閘極訊號側驅動電路。當然’亦可形成其它邏輯電路（ 如移位暫存器，A / D轉換器，訊號分割電路等）。 η通道TFT2 0 4之主動層包括一源極區域3 5 ’ 一汲極區域3 6，一 L D D區域3 7 ’和一通道形成區域 3 8，且L D D區域3 7經由閘絕緣膜1 8而重疊閘電極 3 9° 只在汲極側形成L D D區域3 7乃是考量不降低操作 速度。再者，在η通道TFT2 0 4中，不必關心截斷電 流値，而是應注意操作速度。因此，最好是L D D區域 3 7完全的重疊閘電極上，以儘可能降低電阻成份。換言 之，最好能消除所有的偏置。 在CM〇S電路中之ρ通道TFT2 0 5幾乎不會受 到熱載子注入之破壞，因此，無需特別提供L D D區域。 因此，主動層包括一源極區域4 0，一汲極區域4 1 ，和 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一通道形成區域4 2。一閘極絕緣膜1 8和閘電極4 3形 成在其上。當然，亦可允許提供L D D區域以及η通道 TFT204，以消除熱載子。 η通道TFT2 0 4和ρ通道TFT2 0 5覆蓋以第 一中間層絕緣膜2 0，且形成源極接線4 4和4 5。η通 道丁 F Τ 2 0 4和ρ通道T F Τ 2 0 5經由一汲極接線 4 6而電連接在一起。 參考數字4 7表示第一被動膜，和其膜厚度可爲 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 540251 Α7 Β7 五、發明説明（31) 10nm至Ιμιη (最好爲介於200至500nm)。 請 先 閱 讀- 背 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 白砂之絕緣膜（特別的，氮氧化砂膜或氮化砂膜）可使用 當成被動膜材料。被動膜4 7扮演保護所製造之T F T免 於受到驗性金屬和水之侵犯。驗性金屬，如鈉等，包含在 形成在最終T F T上之E L層中。換言之，第一被動膜4 7作用當成保護層以使鹼性金屬（移動離子）不會穿透入 T F 丁側。 參考數字4 8表示第二中間層絕緣膜，其作用當成一 平坦膜以平坦由T F T所形成之步階。關於第二中間層絕 緣膜4 8方面，可使用有機樹脂膜，如聚醯胺，聚醯亞胺 ’丙烯酸，或BCB (苯並環丁烷）。這些有機樹脂膜具 有之優點爲其可形成平坦表面且具有小的特殊電介電常數 。由於E L層非常易受到粗糙度之影響，所需的是可藉由 第二中間層絕緣膜吸收所有由T F T造成之步階。再者， 從降低形成在閘極接線或資料接線和E L元件之陰極間之 寄生電容之觀點而言，所需的是使形成具有低特殊電介電 常數之材料較厚。因此，較佳的，膜厚度爲0 . 5至5 μ m (最好爲 1 · 5 至 2 · 5μηι)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參考數字4 9爲一保護電極，其連接至每一圖素之圖 素電極。關於此保護電極4 9方面，最好使用包括鋁（ A 1 )，銅（C u )，或銀（A g )之低電阻材料。從保 護電極4 9可預期降低E L層之熱之冷卻效果。保護電極 4 9形成以接觸E L驅動T F T 2 0 2之汲極接線3 2。 在保護電極4 9上形成厚度爲〇 · 3 - Ιμιη之第三 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 540251 ΚΊ Β7 _ 五、發明説明（32) (^-先閱沐背面之注意事項再填寫本頁) 中間層絕緣膜5 0。膜5 0以氧化矽膜，氮氧化矽膜或一 有機樹脂膜製成。藉由在保護電極4 9上以蝕刻在第三中 間層絕緣膜5 0中形成一開口，開口之緣以蝕刻而漸尖。 漸尖之角度從1 0至6 0° (最好爲從3 0至5 0°)。 圖素電極（EL元件之陰極）51設置在第三中間層 絕緣膜5 0上。關於陰極5 1方面，可使用含低工作係數 材料之材料如鎂（M g )，鋰（L i )，或鈣（C a )。 較佳的，可使用以M g A g製成之電極（以M g和A g以 M g : A g = 1 〇 : 1之比例混合之材料）。此外，亦可 使用MgAgA 1電極，L i A 1電極，和L i FA 1電 極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 EL層5 2形成在圖素電極5 1上。EL層5 2爲單 層構造或疊層構造。但是，當其爲疊層構造時，可獲得高 的發光效率。一般而言，一正電洞注入層，一正電洞傳送 層’一發光層，和一電子傳送層以所述順序形成在圖素電 極上。但是，亦可形成如電洞傳送層/發光層/電子傳送 層或正電洞注入層/正電洞·傳送層/發光層/電子傳送層 /電子注入層之構造。在此實施例中，可使用任何型式之 已知構造，或亦可執行營光有色染料之摻雜入E L層中。 E L藏不裝置主要具有四種彩色顯不方法，亦即：形 成對應於R，G，B之三種型式EL元件之方法；根據發 出白光之E L元件與濾色器（彩色層）之結合之方法；根 據發出藍或藍綠色光之E L元件和螢光材料（螢光顏色改 變層’ C C Μ )之結合之方法；和使用透明電極當成陰極 ^氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公董) ^35 - --- 540251 A7 B7___ 五、發明説明（33) (相對電極）和其中對應於R，G，B之E L元件重疊在 其上之方法。 (請先閲.背面之注意事項再填寫本頁) 圖4所示之構造爲使用形成對應於R G B之三種型式 E L元件之方法之例。雖然圖4只顯示一圖素，相同構造 之圖素形成以對應於紅，綠，和藍色，藉以產生一彩色顯 示。 本發明可實際使用而無關於發光方法，且上述之四種 方法皆可使用在本發明中。但是，由於螢光體之響應速度 比E L慢，而會留下殘餘光問題，因此，所需的是，不要 使用此螢光材料。 其次，一相對電極（E L元件之陽極）5 3形成在 E L層上。在此實施例中，〗τ〇（銦錫氧化物）使用當 成一透明導電膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 所需的是，對於每一圖素，個別的形成包含E L層 5 2和相對電極5 3之疊層體。但是，E L層5 2相對於 水非常微弱，且無法依賴一般光石印技術形成。因此，所 需的是，以蒸氣相方法，如真空沉積法，濺鍍法，或氣相 法（如電漿CVD)，藉由使用如金屬光罩等實質光罩材 料而選擇性形成。 關於選擇性形成E L層之方法方面，亦可使用噴墨法 ’旋轉塗覆，或網版印刷法。 參考數字5 4表示第二被動膜，和其膜厚度可設定爲 從10nm至Ιμιη (最好介於2〇〇至5〇〇nm)。 形成第二被動膜5 4之目的主要爲保護e L層5 2免於水 本I氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 540251 A7 B7 五、發明説明（34) 分子之滲入。且亦可有效的提供冷卻效果。但是’如上所 述，如果E L層之抗熱相當微弱，且因此，需儘可能在低 溫下形成（最好在室溫至1 2 0 t：之溫度範圍內）。因此 ，所需之膜形成方法可爲電漿C V D法，濺鍍法，真空蒸 鍍法，離子濺鍍法，或溶液塗覆法（旋轉塗覆法）等。 因此，本發明並不限於圖4之E L顯示裝置之構造， 其只是一較佳實施例而已。 依照上述構 之E L驅動啓動 度。依照劃時色 細而言，藉由依 而控制E L亮度 綠色，和藍色光 色階顯示可以獲 而無由E L驅動 於此可自由 成0 造，在此實施例中，依照施加至E L元件 電壓値，可控制目標圖素之E L元件之亮 階顯示，亦可執行可見之多級顯示。更詳 照施加至E L元件之E L驅動啓動電壓値 ，可顯示細微的彩色影像，其具有紅色， 之平衡亮度。再者，以數位訊號執行劃時 得高細緻影像，其具有良好彩色再生性， T F T之特性散佈而致之失敗分級。 的結合此實施例之構成和第一實施例之構 請. ka -閱 之 注 意 事 項 再 填_ 寫I 本衣 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔第三實施例〕 在此實施例中，說明同時製造一圖素部份之τ F T和 環繞圖素部份之驅動電路部份之方法。於此，爲了簡化說 明，相關於驅動電路以基本單元之CMO S電路表示。 首先’參考圖5 (A) ’準備一基底501 ，其中一 底膜（未顯示）形成在其表面上。在此實施例中，厚度爲 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37- 540251 A7 B7 五、發明説明（35) 請 先 閲 讀- 背 之 注 意 事 項 再 填 馬 本 頁 2 0 0 nm之氮氧化矽膜和厚度爲1 〇 〇 nrn之另一氮氧 化矽膜疊層當成底膜在一結晶玻璃上。於此，最好使接觸 結晶玻璃基底之膜之氮濃度保持1 〇至2 5 %重量百分比 。當然，亦可直接形成元件在石英基底上而未形成底膜。 而後，以已知之膜形成法形成4 5 n m厚之非晶矽膜 5 0 2在基底5 0 1上。於此無需限制於非晶矽膜，只要 是含非晶構造之半導體膜（包括微晶半導體膜）皆可。此 外，亦可使用含非晶構造之化合半導體膜，如非晶矽鍺膜 〇 關於由此至圖5 ( C )之步驟方面，可引用本申請人 所揭不之日本專利弟3 0 3 2 8 0 1號案之內容。此專利 案揭示使用如鎳等元素當成觸媒之半導體膜之結晶方法之 技術。 首先，形成具有開口 503a，503b之保護膜 5 0 4。在此實施例中，使用厚度爲1 5 0 nm之氧化石夕 膜。含鎳（N i )之層5 0 5藉由旋轉塗覆法形成在保護 膜5 0 4上。關於含鎳層之形成方面，可參考上述之專利 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次參考圖5 ( Β )，在惰性氣體中，在5 7 0 °C下 進fr熱處理1 4小時以使非晶砂膜5 0 2結晶。此時，結 晶幾乎平行於基底從接觸鎳之區域506a ，506b ( 以下稱添加鎳區域）進行。結果，可形成結晶構造之多晶 矽膜5 0 7，其中桿晶體聚集且形成線。 其次，如圖5 ( C )所示，屬於第V A族之元素（如 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 540251 A7 B7 五、發明説明（36 ) 磷）添加至添加鎳區域506 a ，506b，而以保護膜 504當成一光罩。因此形成區域508a ，508b ( 以下稱爲添加磷區域），其中磷以高濃度添加。

而後，如圖5 ( C )所示，在惰性氣體中，6 0〇°C 下進行熱處理1 2小時。由於此熱處理，在多晶矽膜 5 0 7中之鎳移除，且最後幾乎所有鎳皆由添加磷區域 5 0 8 a，5 0 8 b所捕捉，如箭頭所示。此即視爲由於 因磷引起之金屬元素（在此例中爲鎳）之聚集效果所造成 之現象。 由於此步驟，以S I M S (二次離子質量頻譜儀）量 測，殘餘在多晶矽膜5 0 9中之鎳濃度降低至至少2 X 1 0 17原子/cm3。雖然鎳是半導體之壽命殺手，但是 ，在降低至此位準下，其不再會對T F T特性造成負面影 響。此外，此濃度幾乎爲以現有的S I M S分析之量測下 限。因此，實際上，於此之濃度可能更低（2 X 1 〇 1 7 原子/ c m 3或更低）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此，於此獲得之多晶矽膜5 0 9，其使用觸媒結晶 ，且其中觸媒之濃度降低至不會阻礙T F T操作之位準。 而後，使用多晶矽膜5 0 9之主動層5 1 〇至5 1 3只以 定圖樣形成。此時，藉由使用上述多晶砂膜，可形成一標 示，以在後續定圖樣中對準光罩（圖5 ( D ))。 而後’參考圖5 (E)，在氧氣中，在950 t：下熱 處理一小時以執行熱氧化步驟後，以電漿C V D法形成厚 度爲5 0 nm之氮氧化砂膜。氧化氣體可爲氧氣或添加有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -39 - 540251 Α7 Β7 五、發明説明（37 ) 鹵素之氧氣。 請 先 閱 讀， 背 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 在此熱氧化步驟中，氧化在介於主動層和氮氧化矽膜 間之介面中進行，藉此，厚度爲1 5 n m之多晶矽膜氧化 ’以形成厚度爲約3 0 n m之氧化矽膜。亦即，於此形成 厚度爲8 0 nm之閘極絕緣膜5 1 4，其中厚度3 0 nm 之氧化砂膜和厚度5 0 n in之氣氧化砂膜互相疊層在一·起 。再者，以熱氧化處理而形成3 〇 nm厚之主動層5 1 0 至 5 1 3。 參考圖6 (A)，形成一阻止光罩5 1 5 ，且一雜質 元素（以下稱爲p型雜質元素）經由閘極絕緣膜5 1 4添 加以授予P型。關於p型雜質元素方面，可使用屬於 I I IA族之元素，如硼或鍺。此步驟（稱爲通道摻雜步 驟）乃用以控制T F T之臨界電壓。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 在此實施例中，以電漿激勵離子摻雜法，而未質量分 離硼化氫（B2H6)，以添加硼。亦可使用執行質量分 離之離子植入法。經由此步驟，可形成含有硼之濃度爲1 X 1 015 至 lx 1 018 原子/ cm3 (典型爲 5x 1 01 6至5x 1〇17原子/ cm3)之雜質區域5 1 6至5 1 8 〇 參考圖6 (B)，形成阻止光罩519a和519b ，且一雜質元素（以下稱爲η型雜質元素）經由閘極絕緣 膜5 1 4添加以授予η型。關於η型雜質元素方面，可使 用屬於V Α族之元素，如磷或砷。在此實施例中，以電漿 激勵離子摻雜法，而未質量分離磷化氫（P Η 3 )，以添 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -40 - 540251 Α7 Β7 五、發明説明（38 ) 加濃度爲lx 1 0 18原子/cm3之磷。亦可使用執行質 量分離之離子植入法。 請 先 閲 讀- 背 之 注 意 事 項 再 填 本 頁 經由此步驟’摻雜劑量調整以形成η型雜質區域 5 2 0至5 2 1含有η型雜質元素之濃度爲2χ 1 〇16 至5χ 1 〇19原子/ cm3 (典型爲5χ 1 01 ‘至5x 1018 原子/ cm3)。 參考圖6 (C)，所添加之η型雜質元素和p型雜質 元素受到活化。雖然於此無需限制活化機構，由於此裝置 提供有閘極絕緣膜5 1 4，所需的是使用電熱爐執行爐退 火。再者，在圖6 ( A )之步驟中，在主動層和閘極絕緣 膜間之介面可能會在變成通道形成區域之部份受到破壞。 因此，需要儘可能在高溫下執行熱處理。 由於此實施例使用具有高熱電阻之結晶玻璃。因此， 活化步驟根據在8 0 0 °C下之爐退火執行一小時。熱氧化 可在氧化氣體中執行，或熱處理可在惰性氣體中執行。 此步驟澄淸了 η型雜質區域5 2 0，5 2 1之緣，亦 即，介於η型雜質區域5 2.0，5 2 1和環繞η型雜質區 域520，521之一區域（由步驟6 (Α)形成之ρ型 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 雜質區域）間之邊界（接面），其中未添加η型雜質元素 。亦即，L D D區域和通道形成區域可在T F Τ完成時形 成一非常好的接面部份。 其次，形成保持厚度爲2 0 0至4 0 0 nm之導電膜 ，且定圖樣形成閘電極5 2 2至5 2 5。TFT之通道長 度以閘電極5 2 2至5 2 5之寬度決定。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -41 - 540251 A7 ___B7_ 五、發明説明（39 ) 閘電極可以單層導電膜形成。但是，依需要，閘電極 亦可以兩層或三層疊層膜形成。關於閘電極之材料方面， 可使用已知之導電膜。具體而言，可使用選自具有導電率 之鈦（T i )，鉅（T a )，鉬（Μ 〇 )，鎢（W )，鉻 (C r )和矽（S i )之元素製成之膜；或上述元素之氮 化物膜（典型的，氮化鉅膜，氮化鎢膜，或氮化鈦膜）； 或上述元素之結合之合金膜（典型的，Mo - W合金或 Mo - Ta合金）：或上述元素之矽化物膜（典型的，矽 化鎢膜或矽化钽膜）。這些膜當然亦可使用單層膜或疊層 膜型式。 在此實施例中使用5 0 n m厚之氮化鎢（W N )膜和 3 5 0 n m厚之鎢膜之疊層膜。可以濺鍍方法形成此膜。 再者，如果如X e或N e之惰性氣體添加至濺鍍氣體中時 ，可防止因爲應力之膜剝離。 此時形成閘電極5 2 3和5 2 5經由閘絕緣膜5 1 4 重疊在部份之η型雜質區域5 2 0和5 2 1上。重疊部份 於後變成重疊閘電極之L D D區域。依照截面圖所示，閘 電極5 2 4 a和5 2 4 b互相分離，但是實際上電連接在 一起。 其次參考圖7 (A) ，η型雜質元素（在此實施例中 使用磷）使用閘電極5 2 2至5 2 5當成光罩自我調整的 添加。此時，對所形成之雜質區域5 2 7至5 3 3添加磷 以η型雜質區域5 2 0和5 2 1之濃度之1/2至1/ 10 (典型爲1/3至1/4)。具體而言，磷濃度最好 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -42 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 540251 A7 B7_ 五、發明説明（4〇 ) 爲lx 1 〇16至5x 1 018原子/cm3 (典型爲3χ 1〇17 和 3xl018 原子/ cm3)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而後，參考圖7(B)，形成阻止光罩534a至 5 3 4 d以覆蓋閘電極，和添加η型雜質元素（在此實施 例中使用磷）以形成含有高濃度磷之雜質區域5 3 4至 5 4 1。在此例中，使用磷化氫（ρ Η 3 )之離子摻雜法 施加於此，且執行調整，以使此區域之磷濃度爲1 X 1 0 20至lx 1 021原子/cm3 (典型爲2x 1 02〇和5

X 1 〇 2 ° 原子 / c m 3 )。 以上述步驟形成η通道T F T之源極區域或汲極區域 ’但是，開關TFT留下形成在圖7 (Α)之步驟中之一 部份η型雜質區域。所留下之區域相當於圖4之開關 TFT 之 LDD 區域 1 5 a 至 1 5 d。 其次，如圖7(C)所示，移去阻止光罩534a至

5 3 4 d，和形成一新的阻止光罩5 4 3。而後，添加P 型雜質元素（在此實施例中使用硼），和形成含有高濃度 硼之雜質區域544和545。於此使用硼化氫（B2H 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 )之離子摻雜添加硼，而添加硼之濃度爲3 X 1 0 2 ^至 3χ 1〇21原子/cm3 (典型爲5x 1 02〇和lx 1 0 2 1 原子 / c m 3 )。 在雜質區域5 4 4和5 4 5中，磷已以濃度爲lx 1 0 2 Q至1 X 1 0 2 1原子/ c m 3添加。但是，硼亦可 以至少三倍於磷濃度添加。因此，已事先形成之η型雜質 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -43 - 540251 A7 B7 五、發明説明（41 ) 區域已完全改變爲p型，且作用當成p型雜質區域。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次參考圖7(D)，在移除阻止光罩543後’形 成第一中間層絕緣膜5 4 6。關於第一中間層絕緣膜 5 4 6方面，可使用以結合之單層或疊層型式之含矽絕緣 膜。此膜具有之厚度從400nm至1 · 5μπι。在此實 施例中，此膜具有一疊層結構包括8 0 0 n m厚之氧化矽 膜疊層在2 0 0 nm厚之氮氧化矽膜上。 而後，以各種濃度添加之η型和p型雜質元素受到活 化。較佳的活化機構爲爐退火。在此實施例中，在氮氣下 在5 5 0 °C下熱處理4小時。 而後，在含3至1 0 0%氫氣之大氣中，在3 00至 4 5 0 °C上作用熱處理1至1 2小時，以作用氫化。此步 驟乃爲以熱激勵之氫氣終止半導體膜之未配對結合鍵。關 於氫化之另一機構方面，可執行電漿氫化（使用以電漿激 勵之氫氣）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在形成第一中間層絕緣膜5 4 6時可執行氫化處理。 亦即，在氮氧化矽膜形成厚度爲2 0 0 n m時，可作用上 述氫化處理，且而後，形成氧化矽膜保持8 0 0 n m厚。 其次參考圖8 ( A )，在第一中間層絕緣膜5 4 6中 形成接觸孔，以形成源極接線5 4 7至5 5 0和汲極接線 5 5 1至5 5 3。在此實施例中，電極乃以具有 1 0 0 n m鈦膜，3 0 0 n m含鈦鋁膜，和1 5 0 n m鈦 膜連續以依照濺鍍法形成之三層構造之疊層膜形成。當然 亦可使用其它導電膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -44 - 540251 A7 B7 五、發明説明（42 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次形成厚度爲5 0至5 0 〇 nm (典型的爲介於 200和300nm間）之第一被動膜5 54。在此實施 例中，使用3 0 0 n m厚之氮氧化矽膜當成第一被動膜 5 5 4。此亦可以氮化矽膜取代之。 於此’在氮氧化矽膜形成前，如果使用含如Η 2或 ΝΗ3等之氣體進行電漿處理是相當有效的。以此先前處 理激勵之氫乃供應至第一中間層絕緣膜5 4 6，和藉由執 行熱處理可改善第一被動膜5 5 4之品質。同時，添加至 第一中間層絕緣膜5 4 6之氫擴散至下側，因此主動層可 有效的氫化。 其次參考圖8 (Β)，形成以有機樹脂製成之第二中 間層絕緣膜5 5 5。關於有機樹脂方面，可使用聚醯亞胺 ，丙烯酸纖維，或B C Β (苯並環丁烷）。特別的，由於 第二中間層絕緣膜5 5 5必須平坦由T F Τ形成之步階， 且因此，最好使用具有優良平坦性之丙烯酸膜。在此實施 例中，形成之丙烯酸膜具有之膜厚度爲2 · 5μπι。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，在第二中間層絕緣膜5 5 5和在第一被動膜 5 5 4中形成一接觸孔以到達汲極接線5 5 3，而後形成 一保護電極5 5 6。關於保護電極5 5 6方面，可使用大 部份以鋁構成之導電膜。保護電極5 5 6可依照真空沉積 法形成。 其次，形成厚度爲5 0 0 n m之含矽絕緣膜（在此實 施例中爲氧化矽膜），且在對應於圖素電極之位置上形成 一開口，和形成第三中間層絕緣膜5 5 7。當形成開口時 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -45 - 540251 A7 B7 五、發明説明（43 ) ’可以濕蝕刻法輕易的形成一漸尖側壁。當開口不夠緩和 的傾斜時’由位準差異引起對E L層之破壞會造成一嚴重 問題。 (請先閲t背面之注意事項再填寫本頁) 其次’形成EL元件之陰極之圖素電極（MgAg電 ® ) 5 5 8。此M g A g電極5 5 8使用真空沉積法形成 膜厚度爲180至300nm(典型爲200至 2 5 0 n m ) 〇 其次’以真空沉積法形成E L層5 5 9 ，其未曝露至 空氣中。EL層之膜厚度爲80 — 200nm (典型爲 l〇〇一120nm)。 在此步驟中，E L層和陰極連續形成以用於對應紅色 之圖素，綠色之圖素，和藍色之圖素。但是，由於EL層 相對於溶液之承受性相當差，因此必須分離形成每一顏色 之圖素’而未依賴光石印技術。因此，藉由使用金屬光罩 ’除了所欲之圖素外，其它區域皆受到密封，和選擇性形 成所需圖素之E L層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 亦即，一光罩首先設定以密封除了用於紅色之圖素外 之所有圖素，且藉由使用此光罩，紅色光之E L層選擇性 形成。其次，一光罩設定以密封除了用於綠色之圖素外之 所有圖素，且藉由使用此光罩，綠色光之E L層和陰極選 擇性形成。其次，一光罩設定以密封除了用於藍色之圖素 外之所有圖素，且藉由使用此光罩，藍色光之E L層和陰 極選擇性形成。雖然上述使用不同的光罩，於此當然亦可 重複使用相同光罩。所需的是進行處理，而未破壞真空狀 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -46 - 540251 A7 B7 五、發明説明（44 ) 態’直到E L層形成在所有圖素上。 (請先閱—背面之注意事項再填寫本頁) 可使用已知之材料當成E L層5 5 9。在考量驅動電 壓下，其可爲一有機材料。例如，E L層可具有四層構造 包括正電洞注入層，正電洞傳送層，發光層，和電子注入 層。 其次’形成一相對電極5 6 0 (陽極）。相對電極 5 6 0 (陽極）之膜厚度爲1 1 〇 nm。在此實施例中， 形成一銦錫氧化膜（I T〇）當成e L元件之相對電極（ 陽極）560。於此可使用一透明導電膜，其中2一 2 0%之氧化鋅（Ζ η〇）混入氧化銦中，或可使用其它 已知之材料。 最後’形成厚度爲3 0 0 nm之以氮化矽膜製成之第 二被動膜5 6 1。 因此可完成如圖8 ( C )所示之構造之e L顯示裝置 。實際上’在完成至圖8 (C)後，所需的是以高氣密保 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 護膜（疊層膜，紫外線硬化樹脂膜等）或以如陶瓷密封容 器之殼構件封裝（密封）此裝置。在此例中，殼構件之內 部充塡以惰性氣體。或是，一易濕材料（如氧化鋇）設置 在內部以改善EL層之可靠度（壽命）。 在以如封裝處理進行氣密後，接附一連接器（彈性印 刷電路F P C )，以連接形成在基底上之元件或連接從電 路拉出之纟而至外部訊號端’以獲得最終產品。在此說明書 中，可完全的準備於市場之E L顯示裝置視爲e l模組。 於此可自由的結合此實施例之構成和第一實施例之構 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -47 - 540251 A7 ____B7 五、發明説明（45 ) 成。 〔第四實施例〕 於此參考圖9之立體圖說明此實施例之E L顯示裝置 之構成。 此實施例之E L顯不裝置由一圖素部份6 0 2，一聞 極側驅動電路6 0 3，和一源極側驅動電路6 0 4組成， 其皆形成在一玻璃基底6 0 1上。圖素部份6 0 2之開關 T F T 6 0 5爲η通道T F T，且設置在連接至閘極側驅 動電路6 0 3之閘極接線6 0 6和連接至源極側驅動電路 6 0 4之源極接線6 0 7之交叉處。再者，開關 T F Τ 6 0 5之汲極區域和源極區域連接至源極接線 6 0 7和另一連接至EL驅動TFT6 0 8之閘極。 E L驅動T F Τ 6 0 8之源極區域連接至電流饋線 6 0 9。於此提供一電容6 1 6，其連接至EL驅動 T F Τ 6 0 8之電流饋線6 0 9。在此實施例中，E L驅 動電位添加至電流饋線6 0 9。再者，共同電極之共同電 位（在此實施例中爲0 V )添加至E L元件6 1 1之相對 電極（在此實施例中爲陰極）。 當成外部輸入輸出端之F P C 6 1 2提供有輸入接線 (連接接線）6 1 3，6 1 4，以傳送訊號至驅動電路’ 和輸入輸出接線6 1 4連接至電流饋線6 0 9。 以下參考圖1 0 ( A )和1 〇 ( Β )說明包括有殼構 件之E L模組之此實施例。依需要，將引用圖9中使用之 請· 先， 閱 背 面· 5 ί 事 項 再 填 寫 本 頁 t 一訂 經濟部智慧財產笱員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -48- 540251 A7 B7 五、發明説明（46 ) 參考數字。 在基底1 2 0 0上形成圖素部份1 2 Q 1 ，畜料側驅 動電路1 2 0 2，和閘極側驅動電路1 2 0 3。來自驅動 電路之各種接線經由輸入接線6 1 3至6 1 5和 F P C 6 1 2而連接至外部設備。 此時，殻材料1 2 0 4設置以包圍至少圖素部份，且 較佳的亦包圍驅動電路和圖素部份。殻材料丨2 〇 4爲具 有凹卩曰部份之形狀，其中內部尺寸大於g L元件之外部尺 寸，或形成一片狀。殼材料1 2 0 4以黏劑1 2 0 5固定 至基底1 2 0 0，以形成和基底1 2 0 〇接合之氣密空間 。此時，E L元件完全密封於上述氣密空間中，且完全與 外部氣體隔離。亦可提供多數殼材料1 2 〇 4。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 較佳的是使用如玻璃或聚合物之絕緣基底當成殻材料 1 2 0 4。下述爲殻材料之例：非晶玻璃（如硼矽玻璃或 石央）：結晶玻璃；陶瓷玻璃；有機樹脂（如丙烯酸樹脂 ’本乙烯樹脂’聚碳酸鹽樹脂，和環氧樹脂），和矽酮樹 脂等。此外，如果黏劑1 2 0 5爲絕緣材料時，亦可使用 如不鏽鋼合金之金屬材料。 再者’可使用如環氧樹脂或丙烯酸樹脂當成黏劑 1 2 0 5之材料。此外，亦可使用熱硬化樹脂或光硬化樹 脂當成黏劑。但是’於此儘可能必須使用氧氣和水無法穿 透之材料。 較佳的，最好以惰性氣體（如氬，氦，或氮）充塡介 於殻材料和基底1 2 0 〇間之間隙1 2 〇 6。在氣體上並 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】〇x 297公羞） 540251 A7 ______B7_ 五、發明説明（47 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 無限制，且亦可使用惰性液體（如液態氟化碳，典型爲全 氟鏈烷）。關於液體方面，可使用如日本專利第平8-7 8 5 1 9號案所述之材料當成惰性液體。 在間隙1 2 0 6中設置乾燥劑亦是非常有效的。此乾 燥劑如日本專利第平9 - 1 4 8 0 6 6號案所揭示之材料 。典型的，可使用氧化鋇。 再者，如圖1 0 ( B )所示，圖素部份提供有多數圖 素’每一圖素具有一獨立的E L元件。所有圖素皆具有保 護電極1 2 0 7當成一共同電極。在此實施例中，最好連 續形成EL層，陰極（MgAg電極）和保護電極，而未 曝露至大氣中。但是，如果E L層和陰極使用相同光罩材 料形成，且如果只有保護電極以其它光罩材料形成時，而 後’可達成圖10 (B)所示之構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於此，E L層和陰極可只提供在圖素部份1 2 0 1上 ’且不需要將其提供在驅動電路1 2 0 2和1 2 0 3上。 當然，毫無問題的可將其提供在驅動電路上，但是，在考 量鹼性金屬包含在E L層中之事實，最好還是不要將其提 供在驅動電路上。 保護電極1 2 0 7經由以和圖素電極相同材料製成之 連接線1 2 0 9之介質而連接至在以參考數字1 2 0 8所 示之區域上之輸入輸出接線1 2 1 0。輸入接線1 2 1 〇 爲一電流饋線以施加一預定電壓至保護電極1 2 0 7，且 經由一導電膏材料1 2 1 1之介質連接至FPC6 1 1。 於此可自由的結合此實施例之構成和第一實施例之構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -50 - 540251 A7 B7 五、發明説明（48 成。 〔第五實施例〕 請 先 閲 讀- 背 面_ 意 事 項 再 填 馬 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 亦可施加本發明至一有機E L材料，其中紅，綠，和 藍色之發光亮度不同。例如，對於紅色光之發光亮度最低 且藍色光之發光亮度最高之有機E L材料之例，爲了調整 顯示紅色圖素之亮度和顯示綠色圖素之亮度和顯示藍色圖 素之亮度，E L顯示裝置執行劃時色階顯示，且施加至執 行紅色顯示之E L元件和執行綠色顯示之E L元件之E L 驅動電壓可設定大於施加至執行藍色顯示之E L元件之 E L驅動電壓。而後，添加上述之構造，當成抵抗因熱載 子注入而使E L驅動T F T變質之對策，紅色顯示圖素之 EL驅動TFT之通道寬度（W)和綠色顯示圖素之EL 驅動T F T之通道寬度（W)製成大於藍色顯示圖素之 EL驅動TF 丁之通道寬度（W)。再者，當EL驅動 TFT爲η通道TFT時，紅色顯示圖素之EL驅動 T F T之L D D區域之長度和綠色顯示圖素之E L驅動 T F T之L D D區域之長度大於藍色顯示圖素之E L驅動 TFT之LDD區域之長度。因此，操作者可適當的設定 E L驅動T F T之L D D區域之長度和E L驅動T F T之 通道寬度（W )。 依照本發明之上述構造，藉由施加至E L元件之E L 驅動電壓之値，可調整E L元件之發光亮度，且可以紅色 ，綠色，和藍色發光亮度之良好平衡顯示生動的影像。此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -51 - 540251 A7 五、發明説明（49) 外，即使由E L驅動T F T所控制之電流量因所施加之電 壓變大而增加，亦可抑制E L驅動τ F Τ之變質。 再者，於此可自由的結合第五實施例之構成和第一至 第四實施例之構成。 〔第六實施例〕 在桌 貫施例中，最好使用一有機E L材料當成ε L· 層。但是’本發明亦可使用一無機E L材料。但是，現有 的無機E L材料需要非常高的驅動電壓，且因此所使用之 T F Τ必須具有可承受此驅動電壓之抗壓特性。 如果未來發展出只需低驅動電壓之無機E L材料時， 亦可施加本發明。 再者’此實施例之構成可自由的結合第一至第五實施 例構成。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) it

4T 經濟部智慧財產^7M工消費合作社印製 〔第七實施例〕 在本發明中使用當成E L層之有機物質可爲低分子量 有機物質或亦可爲聚合物（高分子量）有機物質。聚合物 (高分子量）有機物質可藉由簡單的薄膜形成方法，如旋 轉塗覆法（.亦視爲溶液施加法），浸入法，印刷法，和噴 墨印刷法形成，且相較於低分子量有機物質，其具有高的 抗熱性。 典型的聚物有機物質爲Ρ Ρ V (聚苯乙烯撐）， Ρ ν κ (聚乙烯咔唑），和聚碳酸鹽。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -52- 540251 A7 B7 五、發明説明（50 ) 再者，第七實施例之構成可自由的結合第一至第五實 施例構成。 〔第八實施例〕 藉由以本發明形成之E L顯示裝置（E L模組）相較 於液晶顯示裝置，具有可自我發光之特性，且在明亮度上 更具優良可見度。因此，本發明之裝置可使用當成直接觀 看型E L顯示器之顯示部份（安裝有E L模組之顯示器） 。E L顯示器之範例可包括個人電腦之顯示器，T V接收 監視器，廣告顯示器之監視器等。 除了上述E L顯示器外，本發明之裝置亦可使用當成 包括有此顯示單元當成一零件之各種電子設備之顯示器。 電子設備之例包括：E L顯示器；攝影機；數位相機 ;頭戴型顯示器；車輛導航系統；個人電腦；手提資訊終 端機（如手提電腦，行動電話，或電子書）；安裝有記錄 媒體之影像播放裝置（特別是，可執行記錄媒體播放且可 提供顯示這些影像之顯示器之裝置，如C D，L D，或 DVD))。圖11爲這些電子設備之範例。 圖11(A)爲一個人電腦，且包含一主體2001 ，一殼2 0 0 2，一顯示部份2 0 0 3，和一鍵盤 2 0 0 4。本發明可施加至顯示部份2 0 〇 3 ° 圖11(B)爲一攝影機，且包含一主體2101 ， 一顯示部份2 1 0 2，一聲音輸入部份2 1 〇 3，操作開 關2 1 0 4，一電池2 1 0 5，和一影像接收部份 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣.

、*1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -53 -

5402M A7 五、發明說^------ 2 1 〇 6。 本發明可施加至顯示部份2 1 〇 2。 ® 1 1 r )， 1 C )爲一頭戴型E L顯示器之一部份（右側 门〜巳§〜主體23〇1 ，一訊號纜線2302 ，一頭 固疋帶2 q 〇 3，一顯示監視器2 3 0 4，一光學系統 2 3 〇 5 曰一 和一顯不裝置2 3 0 6。本發明可施加至顯示 裝置2 3 ϋ 6。 w ° 1 (D)爲一安裝有記錄媒體之圖像再生裝置（ 具體而言，一DvD再生裝置），且包含一主體2401 記錄媒體（如CD，LO，或DVD) 2402，一 操作開關2 4 0 3，一顯示裝置 2 4 0 4 ，和 示衣置（b ) 2 4 0 5。顯示裝置（a )主要使用於顯示 圖像資料，和顯示裝置（b )主要使用於顯示文字資料。 本發明可使用在顯示裝置（a )和顯示裝置（b )。關於 安裝有記錄媒體之圖像再生裝置方面，本發明可施加至 C D再生裝置和遊戲設備。 圖11 (E)爲一手提（行動）電腦，且包含一主體 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2501 ，一相機單元2502，一圖像單元2503 ， 操作開關2 5 0 4 ’和一顯示裝置2 5 0 5。本發明可施 加至顯示裝置2 5 0 5。 再者，如果未來E L材料可展現高照度時，本發明亦 可使用在前面型或背面型投影器中。 如上所述，本發明之可施加範圍極廣，且本發明可施 加至所有領域之電子設備。再者’此實施例之電子設備亦 可藉由使用第一至第七實施例之構成之任意結合而達成。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-54 - 540251 A7 ____B7 五、發明説明（52 ) 以本發明之上述構造，可依照施加至E L元件之E L 驅動電壓値調整E L元件之發光亮度，且可以介於紅色， 綠色’和藍色發光亮度間之良好平衡顯示生動的影像。此 外’此外，即使由E L驅動T F T所控制之電流量因所施 加之電壓變大而增加，亦可抑制E L驅動T F T之變質。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -55 -

Claims (1)

1. 540251 Ϋ ABCD ^、申％專利範圍 附件1: 第89 1 1 78 1 7號專利申請案 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 中文申請專利範圍修正本 民國92年4月7日修正 1 · 一種電場發光顯示裝置，包含： 第一圖素，包含第一電場發光元件，第一電場發光驅 動T F T，和第一開關T F T ;和 第一圖素’包含第二電場發光元件，第二電場發光驅 動TFT，和第二開關TFT， 其中第一電場發光驅動T F T包含第一通道和第一 L D D區域，和第一 L D D區域在第一通道之縱向上具有 第一長度， 其中第二電場發光驅動T F T包含第二通道和第二 LDD區域，和第二LDD區域在第二通道之縱向上具有 第二長度， 其中第一長度比第二長度長，和 經濟部智慧財產局員工消費合作社印髮 其中施加至第一電場發光元件之第一電壓高於施加至 第二電場發光元件之第二電壓。 2·—種電場發光顯示裝置，包含： 多數圖素，每一圖素包含： 一電場發光元件； 一電場發光驅動T F T，以控制來自電場發光元件之 光發射；和 一開關丁 F T，用以控制電場發光驅動丁 F T之驅動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X29*7公釐） 540251 經濟部智慧財產局員工消黄合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中： 該電場發光顯示裝置藉由控制在光以多數電場發光元 件發出時之時間而執行分級顯示； 依照由多數圖素所顯示之顏色使應用至多數電場發光 元件之電壓不同； 多數電場發光驅動TFT以η通道TFT構成；和 當應至多數電場發光元件之電壓愈高，在通道之縱向 上之多數電場發光驅動T F T之L D D區域之長度愈長。 3.—種電場發光顯示裝置，包含： 多數圖素，每一圖素包含： 一電場發光元件； 一電場發光驅動T F T，以控制來自電場發光元件之 光發射；和 一開關T F T，用以控制電場發光驅動丁 F T之驅動 其中： 該電場發光顯示裝置藉由控制在光以多數電場發光元 件發出時之時間而執行分級顯示； 依照由多數圖素所顯示之顏色使應用至多數電場發光 元件之電壓不同； 多數電場發光驅動TFT以η通道TFT構成；和 當應至多數電場發光元件之電壓愈高，多數電場發光 驅動T F T之通道區域之寬度愈大。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) J. 訂--- 540251 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 4·一種電場發光顯示裝置，包含： 多數圖素，每一圖素包含： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一電場發光元件；- 一電場發光驅動T F T，以控制來自電場發光元件之 光發射；和 一開關T F T，用以控制電場發光驅動丁 F 丁之驅動 9 其中： 該電場發光顯示裝置藉由控制在光以多數電場發光元 件發出時之時間而執行分級顯示； 依照由多數圖素所顯示之顏色使應用至多數電場發光 元件之電壓不同； 多數電場發光驅動T F T以η通道T F T構成； 當應至多數電場發光元件之電壓愈高，在通道之縱向 上之多數電場發光驅動TFT之LDD區域之長度愈長； 和 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當應至多數電場發光元件之電壓愈高，多數電場發光 驅動T F T之通道區域之寬度愈大。 5 · —種電場發光顯示裝置，包含： 多數圖素，每一圖素包含： 一電場發光元件； 一電場發光驅動T F T，以控制來自電場發光元件之 光發射；和 一開關T F T，用以控制電場發光驅動T F T之驅動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） 540251 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ψ 其中： 該電場發光顯示裝置藉由控制在光以多數電場發光元 件發出時之時間而執行分級顯示； 依照由多數圖素所顯示之顏色使應用至多數電場發光 元件之電壓不同；和 當應至多數電場發光元件之電壓愈高，多數電場發光 驅動T F T之通道區域之寬度愈大。 6 · —種電場發光顯示裝置，包含： 多數圖素，每一圖素包含： 一電場發光元件； 一電場發光驅動T F T，以控制來自電場發光元件之 光發射；和 一開關T F T，用以控制電場發光驅動T F T之驅動 其中： 依照由多數圖素所顯示之顏色使應用至多數電場發光 元件之電壓不同；和 當應至多數電場發光元件之電壓愈高，在通道之縱向 上之多數電場發光驅動T F T之L D D區域之長度愈長。 了·一種電場發光顯示裝置，包含： 多數圖素，每一圖素包含： 一電場發光元件； 一電場發光驅動T F T，以控制來自電場發光元件之 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 、?r 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -4- 540251 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 光發射；和 一開關T F T，用以控制電場發光驅動T F T之驅動 其中= 依照由多數圖素所顯示之顏色使應用至多數電場發光 元件之電壓不同；和 當應至多數電場發光元件之電壓愈高，多數電場發％ 驅動T F T之通道區域之寬度愈大。 8 .如申請專利範圍第1項之電場發光顯示裝置，# 中由多數電場發光元件所發光之時間乃由輸入至開關 T F T之數位訊號所控制。 9 .如申請專利範圍第2項之電場發光顯示裝置，# 中由多數電場發光元件所發光之時間乃由輸入至開關 T F T之數位訊號所控制。 1 〇 .如申請專利範圍第3項之電場發光顯示裝置， 其中由多數電場發光元件所發光之時間乃由輸入至開關 T F T之數位訊號所控制。 1 1 .如申請專利範圍第4項之電場發光顯示裝置， 其中由多數電場發光元件所發光之時間乃由輸入至開關 T F T之數位訊號所控制。 12·如申請專利範圍第5項之電場發光顯示裝置， 其中由多數電場發光元件所發光之時間乃由輸入至開關 T F T之數位訊號所控制。 13·—種電場發光顯示裝置，包含： (請先閲讀背面之>i意事^再填寫本頁j 訂 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度迺用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5- )4〇25i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 -------D8 六、申請專利範圍 第一圖素，包含第一電場發光元件，第一電場發光驅 動TFT，和第一開關TFT ;和 第二圖素，包含第二電場發光元件，第二電場發光驅 劻丁 FT，和第二開關丁 FT， 其中第一電場發光驅動T F T包含第一通道具有第一 寬度’和第二電場發光驅動T F T包含第二通道具有第二 寬度， 其中第一寬度比第二寬度寬，和 其中施加至第一電場發光元件之第一電壓高於施加至 第二電場發光元件之第二電壓。 1 4 ·如申請專利範圍第1項之電場發光顯示裝置， 其中從第一電場發光元件發出之光具有第一顏色，和從第 二電場發光元件發出之光具有與第一顏色不同之第二顏色 〇 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項之電場發光顯示裝置 ’其中從第一電場發光元件發出之光具有第一顏色，和從 第二電場發光元件發出之光具有與第一顏色不同之第二顏 色。 1 6 · —種電場發光顯示裝置之驅動方法，該電場發 光顯示裝置包含第一電場發光元件和第二電場發光元件， 該方法包含之步驟爲： 施加第一電壓至第一電場發光元件，·和 施加第二電壓至第二電場發光元件， 其中第一電壓高於第二電壓， 本紙伕尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4洗格（210X297公簇） -6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 乂. 釘 • I » - 1 — 540251 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中第一電場發光元件連接至第一電場發光驅動 丁 F T ’和第二電場發光元件連接至第二電場發光驅動 TFT， - 其中第一電場發光驅動T F T包含第一通道和第一 L D D區域，和第一 L D D區域在第一通道之縱向上具有 第一長度， 其中第二電場發光驅動T F T包含第二通道和第二 LDD區域，和第二LDD區域在第二通道之縱向上具有 第二長度，和 其中第一長度比第二長度長。 1 7 . —種電場發光顯示裝置之驅動方法，該電場發 光顯示裝置包含第一電場發光元件和第二電場發光元件， 該方法包含之步驟爲： 施加第一電壓至第一電場發光元件；和 施加第二電壓至第二電場發光元件， 其中第一電壓高於第二電壓， 經濟部智慧財產局員工消胥合作社印製 其中第一電場發光元件連接至第一電場發光驅動 T F T，和第二電場發光元件連接至第二電場發光驅動 TFT， 其中第一電場發光驅動T F T包含第一通道具有第一 寬度，和第二電場發光驅動T F T包含第二通道具有第二 寬度， 其中第一寬度比第二寬度寬。 1 8 · —種電場發光顯示裝置，包含： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2I0X297公釐） 540251 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第一圖素’包含第一電場發光元件，第一薄膜電晶體 以控制從第一電場發光元件發出之光，和第二薄膜電晶體 ;和 - 第二圖素’包含第二電場發光元件，第三薄膜電晶體 以控制從第二電場發光元件發出之光，和第四薄膜電晶體 其中第一薄膜電晶體包含第一通道和第一輕摻雜汲極 (LDD)區域，和第一輕摻雜汲極區域在第一通道之縱向上具 有第一長度， 其中第三薄膜電晶體包含第二通道和第二輕摻雜汲極 區域，和第二輕摻雜汲極區域在第二通道之縱向上具有第 —長度， 其中第一長度比第二長度長，和 其中施加至第一電場發光元件之第一電壓高於施加至 第二電場發光元件之第二電壓。 1 9 · 一種電場發光顯示裝置，包含： 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 第一圖素，包含第一電場發光元件，第一薄膜電晶體 電連接至第一電場發光元件，和第二薄膜電晶體；和 第二圖素，包含第二電場發光元件，第三薄膜電晶體 電連接至第二電場發光元件，和第四薄膜電晶體， 其中第一薄膜電晶體包含第一通道和第一輕摻雜汲極 (LDD)區域，和第一輕摻雜汲極區域在第一通道之縱向上具 有第一長度， 其中第三薄膜電晶體包含第二通道和第二輕摻雜汲極 -8- 本纸張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） 540251 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 區域，和第二輕摻雜汲極區域在第二通道之縱向上具有第 二長度， 其中第一長度比第二·長度長，和 其中施加至第一電場發光元件之第一電壓高於施加至 第二電場發光元件之第二電壓。 20 · —種電場發光顯示裝置，包含： 第一圖素，包含第一電場發光元件，第一薄膜電晶體 以控制從第一電場發光元件發出之光，和第二薄膜電晶體 ;和 第二圖素，包含第二電場發光元件，第三薄膜電晶體 以控制從第二電場發光元件發出之光，和第四薄膜電晶體 其中第一薄膜電晶體包含具有第一寬度之第一通道和 第三薄膜電晶體包含具有第二寬度之第二通道， 其中第一寬度大於第二寬度，和 其中施加至第一電場發光元件之第一電壓高於施加至 第二電場發光元件之第二電壓。 2 1 · —種電場發光顯示裝置，包含： 第一圖素，包含第一電場發光元件，第一薄膜電晶體 電連接至第一電場發光元件，和第二薄膜電晶體；和 第二圖素，包含第二電場發光元件，第三薄膜電晶體 電連接至第二電場發光元件，和第四薄膜電晶體， 其中第一薄膜電晶體包含具有第一寬度之第一通道和 第三薄膜電晶體包含具有第二寬度之第二通道， 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消黄合作社印製 540251 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中第一寬度大於第二寬度，和 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中施加至第一電場發光元件之第一電壓高於施加至 第二電場發光元件之第二-電壓。 2 2 . —種電場發光顯示裝置之驅動方法，該電場發 光顯示裝置包含第一電場發光元件和第二電場發光元件， 該方法包含之步驟爲： 施加第一電壓至第一電場發光元件；和 施加第二電壓至第二電場發光元件， 其中第一電壓高於第二電壓， 其中第一電場發光元件連接至第一薄膜電晶體，和第 二電場發光元件連接至第二薄膜電晶體， 其中第一薄膜電晶體包含第一通道和第一輕摻雜汲極 區域，和第一輕摻雜汲極區域在第一通道之縱向上具有第 一長度， 其中第二薄膜電晶體包含第二通道和第二輕摻雜汲極 區域，和第二輕摻雜汲極區域在第二通道之縱向上具有第 二長度，和 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 其中第一長度比第二長度長。 2 3 · —種電場發光顯示裝置之驅動方法，該電場發 光顯示裝置包含第一電場發光元件和第二電場發光元件， 該方法包含之步驟爲： 施加第一電壓至第一電場發光元件；和 施加第二電壓至第二電場發光元件， 其中第一電壓高於第二電壓， 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -1〇 - ' 一 540251 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中第一電場發光元件連接至第一薄膜電晶體，和第 二電場發光元件連接至第二薄膜電晶體， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中第一薄膜電晶體包含具有第一寬度之第一通道， 和第二薄膜電晶體包含具有第二寬度之第二通道，和 其中第一寬度大於第二寬度。 2 4 ·如申請專利範圍第1 8至2 1項任一項之電場 發光顯示裝置，其中每一第一薄膜電晶體和第二薄膜電晶 體爲η通道薄膜電晶體。 2 5 ·如申請專利範圍第1 8至2 1項任一項之電場 發光顯示裝置，其中從第一電場發光元件發出之光具有第 一顏色’和從第二電場發光元件發出之光具有與第一顏色 不同之第二顏色。 2 6 ·如申請專利範圍第2 2或2 3項之電場發光顯 示裝置之驅動方法，其中該電場發光顯示裝置藉由控制第 一電場發光元件和第二電場發光元件發光之時間而執行分 級顯示。 27 · —種電場發光顯示裝置，包含： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第一圖素，包含第一電場發光元件，包含第一陰極， 第一電場發光層和第一陽極，第一薄膜電晶體電連接至第 一陰極，和第二薄膜電晶體；和 第二圖素，包含第二電場發光元件，包含第二陰極， 第二電場發光層和第二陽極，第三薄膜電晶體電連接至第 二陰極，和第四薄膜電晶體， 其中第一薄膜電晶體包含第一通道和第一輕摻雜汲極 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 540251 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (LDD)區域，和第一輕摻雜汲極區域在第一通道之縱向上具 有第一長度， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中第三薄膜電晶體包含第二通道和第二輕摻雜汲極 區域’和第二輕摻雜汲極區域在第二通道之縱向上具有第 二長度， 其中第一長度比第二長度長，和 其中施加至第一電場發光元件之第一電壓高於施加至 第二電場發光元件之第二電壓， 其中第一電場發光層提供在第一陰極上，和第一陽極 提供在第一電場發光層上，和 其中第二電場發光層提供在第二陰極上，和第二陽極 提供在第二電場發光層上。 28 · —種電場發光顯示裝置，包含： 第一圖素，包含第一電場發光元件，包含第一陰極， 第一電場發光層和第一陽極，第一薄膜電晶體電連接至第 一陰極，和第二薄膜電晶體；和 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 第二圖素，包含第二電場發光元件，包含第二陰極， 第二電場發光層和第二陽極，第三薄膜電晶體電連接至第 二陰極，和第四薄膜電晶體， 其中第一薄膜電晶體包含具有第一寬度之第一通道， 和第三薄膜電晶體包含具有第二寬度之第二通道， 其中第一寬度比第二寬度寬，和 其中施加至第一電場發光元件之第一電壓高於施加至 第二電場發光元件之第二電壓， -12- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） 540251 A8 B8 C8 ______ D8 六、申請專利範圍 其中第~電場發光層提供在第一陰極上，和第一陽極 提供在第一電場發光層上，和 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中第二電場發光層提供在第二陰極上，和第二陽極 提供在第二電場發光層上。 2 9 ·如申請專利範圍第2 7或2 8項之電場發光顯 示裝置’其中一保護電極形成在第一薄膜電晶體之汲極區 域和第一電場發光元件間。 3 0 .如申請專利範圍第2 7或2 8項之電場發光顯 示裝置’其中該保護電極包含至少一材料選自以A卜Cu， 和Ag所組成之群之一。 3 1 · —種視頻相機，其特徵在於具有如申請專利範 圍第1至1 5項任一項之電場發光顯示裝置。 3 2 · —種數位相機，其特徵在於具有如申請專利範 圍第1至1 5項任一項之電場發光顯示裝置。 3 3 · —種車輛導航系統，其特徵在於具有如申請專 利範圍第1至1 5項任一項之電場發光顯示裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 4 . —種個人電腦，其特徵在於具有如申請專利範 圍第1至1 5項任一項之電場發光顯示裝置。 3 5 · —種行動電話，其特徵在於具有如申請專利範 圍第1至1 5項任一項之電場發光顯示裝置。. 3 6 . —種視頻相機，其特徵在於具有如申請專利範 圍第18，19，20，21 ，28，或29項之電場發 光顯示裝置。 3 7 . —種數位相機，其特徵在於具有如申請專利範 本ϋ尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐1 -13 - " 540251 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 圍第18 ’ 19 ，20，21 ，28，或29項之電場發 光顯示裝置。 3 8 ·〜種車輛導航系統，其特徵在於具有如申請專 利範圍第18，19，20，21 ，28，或29項之電 場發光顯示裝置。 3 9 · —種個人電腦，其特徵在於具有如申請專利範 圍第18 ’ 19 ，20，21 ，28，或29項之電場發 光顯示裝置。 4 0 · —種行動電話，其特徵在於具有如申請專利範 圍第18 ’ 19 ，20，21 ，28，或29項之電場發 光顯示裝置。 I- ^^-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .·訂 經濟部智慧財產局員工消黄合作社印製 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) M規格（210X297公釐） -μ -