TW540066B

TW540066B - Semiconductor integrated circuit device

Info

Publication number: TW540066B
Application number: TW090130193A
Authority: TW
Inventors: Shinji Kawai; Masaaki Mihara
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2001-01-23
Filing date: 2001-12-06
Publication date: 2003-07-01
Also published as: US20020126565A1; JP2002215258A; KR20020071712A; US6560164B2; KR100461286B1

Description

540066 五、發明說明〇) 〜 [發明所屬之技術領域] 本發明有關於半導體積體電路裝置，特別有關於内藏有 %脈產生電路之半導體S己憶裝置。特別有關於時脈產生電路之構造，用來產生時脈信號藉以產生快閃EEPR0M(電可抹除可程式化僅讀記憶器）等之非揮發性記憶器之内部電壓和藉以決定内部時序。 [習知之技術]

圖2 3概略的表示作為習知之半導體積體電路裝置之一与例之快閃EEPR0M之全體之構造。在圖23中，半導體積雕g 路裝置包含有：記憶器陣列9 0 0 ’具有多個非揮發性記ς 兀，被排列成為行列狀；X解碼器9〇1，用來選擇記情^ ^ 列900之位址被指定之列；γ解碼器9〇2，用來選纪恃二一陣列90 0之位址被指定之行；和源極/井解碼器9〇3二= 選擇記憶器陣列9 0 0之源極線和井（基板）區域。 $ 性記憶單7C之資料之寫入/抹除動作時，對非二單元之源極，閘極和基板區域施加電壓，萨 ^ ό1 (程式設計）或抹除。源極/井解碼器9 〇 3 1寫入域，用來施加該等之寫入/抹除所需要之電/、和線和井區該半導體積體電路裝置更包含有：位址^ ;

來自外部之位址信號，依照動作模態，枋杰904，接受位址信號，用來產生内部位址信號=寫乂據該來自外部之器905，用來進行資料之寫入/讀出；和次電路/感測放大用來進行與外部之間之資料輸入/輪出。貝；斗緩衝器9 0 6，位址緩衝器904在通常之資料讀出模、心時，依照來自外

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540066 五、發明說明（2) 旧广+ L 像木自外部之位址，選擇在内邱、宜f之位址# #ϋ，將其施加到解碼器90卜9 0 3。資感'放大器905包含有：寫入暫存器電路，在 =:::之=;和外部讀出用之感二怎 !:ί: 解碼器902讀出之記憶單元資料進行放大，將其輸出到資料緩衝器906所含之資料輸出電4路，丁放 γ = 測放大㈣5，當寫人/抹除模態時， 90 ，H積Λ電路裝置更包含有：寫入/抹除控制電路 — 二1J ^號之控制下，從外部取入命令，用來產生 90:之在動二模態所需要之控制信號；高電麼產生電路入/抹除要控環式振$9Π7 (的或負的高電壓）；和進行振i::fV宜抹除控制電路90 9之控制下電壓產生電路9°8之高電壓產生動作所使用尸ί之上5丄控制電路9〇9 ’例如依照寫入賦能信號/WE之二判定為被施加有效之命令，依照該有效 0 ^動作杈態，產生所需要之控制信號，用來第6頁丨❿ C:\2D-G0DE\91-03\90130193.ptd 五、發明說明（3) 控制解碼器90 1 - 903，位址大器電路m和資料緩衝器二衝之^ 位址緩衝器904，在來自外部乍。導體積體電路裝置時，就從σ之控^信號表示選擇該半衝器州亦是在來自外部之控制^入位址:九外，資料緩寫入電路/感測放大器905所讀出之二'不貝料項*時，對其輸出到外部。、枓進行緩衝處理和將在該圖23所示之半導體積體電路裝置路9〇7以預定之振盪週期進行振盪中〜式=二電制電路909之動作時序，用來產 =寫入/抹除控，充電栗電路構成之高電壓生產主生中個別的設有用以產生主時脈信號之電路，和用以產生充電泵用之時脈信號之電路。經由在内部設置此種環式振盪器電路9〇7，當盥從外邛施加時脈信號之構造比較時，插腳端子數可以減少和外部時脈信號之傳達不需要驅動板上配線，可以減小系統全體之消耗電力。與來自該環式振盪器電路9〇7之主時脈信號同步的，使寫入/抹除控制電路9 0 9進行動作，可以以主^夺脈信號作為基準用來決定各種内部動作時序，可以正確的設定内部時序。圖24表示圖23之環式振盪器電路907所含之環式振盪器之構造之一實例。在圖24中，環式振盪器電路9〇7包含有· 反相器I Va，成為（2η-1)段之縱向連接；和反相器I vb，用 C:\2D-00DE\91-03\90130193.ptd 第7頁 540066 五、發明說明（4) 來使反相器I Va之列之最後段之輸出信號反相，藉以產生輸出信號0OUT(時脈信號）。利用奇數段之縱向連接之反相器I Va，用來形成程式振盪器。在利用此種反相器鍊構成振蘯電路之情況時，通常之反相器I Va和I Vb是使用P通道M0S電晶體（絕緣閘型場效電晶體）和N通道M0S電晶體，用來構成CMOS反相器。在此種CMOS反相器之情況時，M0S電晶體之動作特性具有溫度相關性。亦即，在M0S電晶體中，當溫度上升時:、其通道内之電子/電洞之移動度變小（因為晶格振動和晶格散亂變強），汲極電流ids變小。因此，在該CM〇s反相器 IVa之> 動/乍特性具有溫度相關性，在低溫時充放電速度變快，該環式振盪器之振盪週期變短，另外一方面，合加登高時’反相ima之充放電速度變慢，其㈣週期田變“ "圖2丄1 ΐ圖2!所示之高電壓產生電路908之構造之“ 例。圖25中之南電愿漆斗齋夂Q 只日3 i# i =[產生電路908包含有充電泵9〇8a，依照％式振盪裔電路9〇7所含之環 = 4 OUT，用來產生莴雷颅vp w狀盈斋之翰出信號依照環式振盈器907a\YP+\該充電泉908a利用電容器，用來產生高電壓VP。該高電壓產！電路動作，壓亦可以是負的高雷汽座士電路908所產生之高電利用充電果動作用來1 的=咼，壓之情況時，亦可ΰ 成為正的高電壓。、、阿電壓。這時，該高電壓V] 在充電系9 0 8 〇_ 利用1次之泵動作所傳達之電荷量，與

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寫入/抹除不良曰 ^泵能力變大，二題之可能性變小’但是使充電泵9 電流變大之問題“耗大於所需程度之電^1，會產生消耗另外，在利用 ^ j出信號，作為電路907内之環式振盈器之 :度變動，在涵蓋寬廣！：图内部動作時序隨著餘：t行變動，不内部動作時序此，在該半導體纪恃向乍為其問題。 C時脈信號，用來進行必要之内盛器電路，在 a序之決定，但是在此種情況時，二t電虔之產生和内 =裝置之動作溫度之寬 =給於該半導體其問題。穩疋性之時脈信號為通吊’對於沒有此種溫度相關十生侦之溫度檢測功能之環式振盪器電路，Μ進行溫度補系統板上，從半導體記憶裝置之外外之方法設在半導體記憶裝置之端子數增加和晶片面信號，會有外，在利H统板上 < 外部之環式振盈器2之問，° 1 號之情況時’需要驅動板上配線，系統全^ I生時脈信增加，有損時脈内藏型半導體記憶裝置之優=消，，== 體之組裝面積會增加為其問題。 -’和糸、、’充王 [發明之概要] 本發明之目的是提供半導體積體電路梦產生電路，可以在寬廣之動作溫度範圍^ ’内藏有時脈礼固穩疋的供給時脈信

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本發明之另一目的是提供適於積體化之時脈產生電路，可以在寬廣之動作溫度範圍穩定的產生時本發明之另-目的是提供内藏型時脈；：i:，可以供給非揮發性記憶器所使用之時脈信號。本發明之半導體積體電路裝置包含有：記憶器電路，來記憶資才斗"夺脈產生電路’肖來產生該記憶器電用之時脈信號；溫度檢測電路；和週期變更電路，依照溫度檢測電路之檢測輸出信號，用來變更時脈產生電^二產生之時脈信號之週期。 77 本發明之另一態樣是一種半導體積體電路裝置，包含有：記憶器電路，用來收納資料；溫度檢測電路，被化在與該記憶器電路相同之半導體基板上，用來檢測溫度，和時脈產生電路，被積體化在與記憶器電路相同之導體基板上，依照溫度檢測電路之輸出信號，用來產生期被變更之時脈信號。該時脈信號被記憶器電路利用。經由在0Ν晶片設置用以進行時脈信號之溫度補償之溫产檢測功能，不需要在板上設置溫度檢測電路，可以二上之糸統組裝面積。另外’因為在半導體積體電路裝置之内部進行溫度檢測和時脈信號之產生，所以該系統全體之消耗電力可以減小，和半導體積體電路裝置亦不需要設置多餘之溫度檢測用和時脈信號輸入用之端子，可以使晶片面積減小。下面經由聯合附圖之對本發明之詳細說明，當可對本發

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540066 五、發明說明（9) 溫度上升時之可變時脈產生以用來補償時脈芦妒π κ /週J之變短，可 m 一…！ Γ # 期之溫度相關性，可以f暂上產生一疋週期之内部時脈信號。只貝利用此種時脈信號之週期之溫度進行動作，和可以穩定的產生 :準之内部而電μ’可以使記憶器電路2穩定的希進^^ [實施形態1 ] 產月之實施形態1之具有溫度補償功能之時脈，生态3之構以。在圖3中，溫度檢測電路4包含1 ^產生電路11 ’用來產生與溫度無關之— 準失考，刪；第!基準電壓產生電路12，用來產生第2基準電壓產生電路13,用來： 3 Λ Λ厂第1基準電壓V R Ε F1不同而且具有溫度相關性之苐2基準電壓VREF2 ;比較電路14，用來使參考電壓 VREFR和第1基準電MVREF1進行比較；比較電路^，用來使參考電壓VREFR和第2基準電壓VREF2進行比較；和閘電路1 6〜1 8，依照比較電路1 4和1 5之輸出信號用來產生溫度檢測信號0 A- $ C。比較電路14在基準電壓VREF1大於參考電壓VREFR之電壓位準時，輸出Η位準之信號。比較電路15在基準電壓VREF2 大於參考電壓VREFR之電壓位準時，輸出η位準之信號。閘電路16在比較電路14和15之輸出信號均為L位準時，將輸出k號0 Α驅動成為Η位準。閘電路1 7在比較電路1 4之

I C:\2D-C0DE\91·03\90130193.ptd 第13頁 i 540066 五發明說明（I〇) 輸出信號為L位準而且比將其輸出信號0 β驅動成為1{位準。之輪出信號為Η位準時，和1 5之輸出信號均為位 f電路1 8在比較電路14 Η位準。該等之輸出信號具有^出信號0C驅動成為功能，用來指定動作溫度範圍。八,作為溫度檢測信號之可變時脈產生電路5包含有. 行振盈’用來產生振盈信以。？ =週期T進生分頻信號0 1 ;第2分頻雷路μ，I十進仃分頻，精以產輸出之俨轳ώ η、隹> \ #電路23用來對環式振盪器21所選,以產生分頻陶2 ;和時脈 ioH 檢測信號0A—0C，選擇該等信號 φ 中之1個，藉以產生輸出時脈信號0OUT(CLK)。第1和第2分頻電路22和23各具有不同之分頻比，例如，第1分頻電路22進行1/2分頻動作，用來產生振盪週期τ/2 之分頻信號0 1。第2分頻電路23進行1/4分頻動作，用來產生週期Τ / 4之分頻信號0 2。因此，該等之分頻電路2 2和 23為頻率倍增器，信號0 i和02具有環式振盪器21之輸出 "ί吕就0 0之2倍和4倍之頻率。時脈選擇電路24包含有：選擇器24a，在溫度檢測信號0 A之活性化時進行導通，用來選擇環式振盪器2 1之輸出信號00，藉以產生時脈信號0〇UT(CLK);選擇器24b，在溫度檢測信號4 B之活性化時進行導通，選擇來自第1分頻電路22之分頻信號$ 1，藉以產生時脈信號4⑽T(CLK);和選擇器24c，在溫度檢測信號0 C之活性化時進行導通，” 用

C:\2D-CODE\91-03\90130193.ptd 第14頁 540066 五、發明說明（11) 來選擇第2分頻電路23所輸出之分頻信號0 2 出時脈信號0〇UT(CLK)。 9 產生輸乂亥之各個包含有:反相器，用來使對㈣反相；和籠傳輸閘，依照對應之溫度松測化諕之互補信號進行導通。因此，該等之成為高輸出阻抗，禁止對應之信號 0 2傳達到輸出節點。圖4表示圖3所示之參考電壓VREFR和 Ϊ二二定之電麼位準。基準fMVREF1*VREF2具有正數，隨著溫度Θ之上升，其電壓位準亦進行上 Λ射咖之電塵位準被設定成為高於基準電愿 m " ，里度0咼於溫度X1時，基準電壓VREF1之電壓位 m向於參考電壓vrefr。當溫度（㈧高於溫度η 。土準電壓”5^2之電壓位準變成為高於參考電壓 =脈度0低於溫度义i之情況，比較電路1 4輸出L位準之 ^犰因此，來自閘電路1 6之溫度檢測信號0 A變成為Η位么/、餘之閘電路17和18所輸出之溫度檢測信號0 Β和4 C 俨二位準因此，圖3所示之選擇器24a進行導通，選擇二1振盪态2 1之輸出信號必0。因此，在溫度XI以下之溫二=圍，如圖5所示，選擇和輸出以週期ΐ進行變化之振盪 s號0 〇 ’作為輸出時脈信號0 ουτ。在胍度0呵於溫度X1而且低於溫度χ 2之情況時，比較電

c-\2D-CX)dh\9i.〇3\9〇13〇193 第15頁 540066 五、發明說明（12) 輸出信號為η位準’比較電路15之輪出信號為l位準二因此，在此種狀態，閘電路17之輸出信號變成位準，閘電路1 6和1 8之輸出信號均變成為[位 : 所示之選擇器24b進行導通，選擇第1分浐之分頻信號…作為輸出時脈信號在溫度Θ高於溫度X2時，比較電路14和15之 iL Λ田士之溫度檢測信!虎0 A和Μ均變成為4準。因此，時脈選擇電路24之選擇器2 !擇第2分頻電路23所輸出之分頻信號必2，作為：出二脈化唬0 OUT的進行輸出。@此，在該溫 …、，、、信號OUT具有週期T/4。乾㈤輸出％脈如上所述’隨著溫度之上升， ^ .e, 〇υτ , ^ 有 ίίίΠ 和 ΐ 頻電：二=二週期，且有正的π = I秘之h況衿，％式振盪器21之振盪 . 八有的'皿度相關性’隨著溫度之上并而嫩县。八頻電路22和23通常以正反器列槿占=之上升而k長。分變化，變化其輸出信號。因此，產生H所”信號之頻率之1/2倍和1/4件之八^ %產t衣式振盪器21之振盪化。之/刀頻^號之分頻動作本身沒有變隨著溫度之上升使縮短實際施加在記 %式振盪器21利用正的溫度相關性，其振盪週期變長，當溫度上升時，經由

540066 五、發明說明（13) 憶器電路之時脈信號之振盪週期，關之-定週期之輪出時脈信號(時脈信4=^ 在圖5中，為著概略的表示該選擇動、時脈信號0 OUT之週期變短，但是隨著m声頊不成使輸出夂丨迎考溫度之上并推無滿，期變長’用來進行該振盡週期變短之部份之溫度補償，精以使輸出時脈信號0 OUT之週期成為一定。利用以上之方式，依照動作溫度使時脈"信 =多階段式之變更’可以正喊的依照動作溫 ; 信號之週期，產生具有一定之週期之内部時脈信號。圖6表示圖3所示之參考電壓產生電路u之構造之一者例。在圖6中，參考電壓產生電路η包含有汴通&道肌3 &曰體Q1 ’連接在電源節點和節點1 la之間，和使苴閘極連接曰曰到節點11a ;P通道M0S電晶體Q2，連接在電源節點和節點 11 b之間’和使其閘極連接到節點1 1 a ; N P N雙極電晶體 QB1，連接在節點11 a和11 c之間，使其基極連接到節點 11 b ’電阻元件R1 ’連接在節點11 c和接地節點之間；n p n 雙極電晶體Q B 2連接在節點11 b和接地節點之間，和使其夷極連接到節點lib ; P通道M0S電晶體Q3，連接在電源節'點& 和輸出節點1 1 d之間，和使其閘極連接到節點丨丨a ;和npn 雙極電晶體Q B 3，連接在節點11 d和11 e之間，和使其基極連接到節點1 1 e。在該參考電壓產生電路11，於雙極電晶體QB1和QB2分別具有下式所示之電流11和I 2流動。 I1=A1 · exp (VBEl/Vt) ..........⑴

C:\2D-C0DE\91-03\90130193.ptd 第17頁 540066 五、發明說明（14) 12二A2 · exp (VBE2/Vt) ..........(2)

Vt = k · Θ /q ..........(3) 其中’ A1和A2分別表示雙極電晶體QB1和QB2之射極面積，VBE1和VBE2是雙極電晶體QB1和的2之帶隙電壓（基極一射極間接面電壓），k表示波爾茲曼（B〇ltzman，s)常數，q 表不電何。由上式（1 )和（2 )求得下式（4 )。 VBE2-VBE1 =Vt · {1η(Ι2/Α2)-(1η(Ι1/Α1))}.........⑷ M0S電晶體Q1和Q2構成電流鏡電路，在該等之M〇s電晶體 Q1和Q2之大小（通道幅度和通道長度之比，w/l)相等之情況時，電流11和I 2變成為相等（11 = I 2 )。當雙極電晶體QB1之射極面積A1成為雙極電晶體的2之射極面積A2之N倍時，上式（4)以下式表示。 VBE2-VBEl=Vt · ln(N) 電流11和I 2相等，對電阻元件R1施加（v b e 2 - V B E1 )之電壓，所以電流11 ( = I 2 )以下式（6 )表示。 I1=I2=(VBE2-VBE1)/R1 =Vt · ln(N)/Rl ..........(6) M0S電晶體Q3與M0S電晶體Q1構成電流鏡電路。因此，當在該M0S電晶體Q3流動之電流13之鏡比成為！時，參考電壓 VREFR以下式表示。 VREFR=I1 · R2+VBE3 =Vt · ln(N) · (R2/R1) + VBE3 .........⑺

C:\2D-0QDE\91-03\90130193.ptd 第18頁 540066 五、發明說明（15) 此處之電阻元件“和以之電阻值分別以以和以表示。 =之電阻元件m和R2由相同之材料構成，當其電阻值之：成為R2/R1=M時’可以獲得下式。 VREFR=M · Yt · ln(N)+VBE3 (8) 係數vt之溫、度係數為正，和帶隙電壓νβΕ3之溫度係數 :。，阻比Μ為-定之常數，未具有溫度相關性。因此厂 =由調整電阻元件R1和以之電阻值之比Μ之值，彳以使參胳2 iVREFR未具有溫度相關性，可以在寬廣之溫度範圍將參考電壓VREFR保持在一定之值。国 —圖7表示圖3所示之基準電壓產生電路12和13之構造之一貫例。因為基準電壓產生電路12和13具有相同之構造，所以在圖7中只顯示丨個之基準電壓產生電路之構造。雷t 中、基準電壓產生電路(12, 13)包含有:P通道M0S =體Q:，連接在電源節點和節點…之間，和使其閘極點心；電阻元細，連接在電源節點和節點咖 =間；N通道M0S電晶體Q7，連接在節點…和接地節點之二i t使其閑極連接到節點25c ; P通道M0S電晶體Q6，連、fMfK即和25C之間，和使其閘極連接到節點25a ; ^ U0S電晶脰Q8，連接在節點25c和接地節點之^，和使其 2 2接2節點25C ; P通道M〇S電晶體Q9，連接在電源節 :口輸出節點25d之間，使其閘極連接到節點25b ;和電阻元件R 4，連接在輸出節點2 5 d和接地節點之間。電晶則7和Q8構成電流鏡電路，該等之觀電晶體Q7 之電机驅動爿b力被设定成為遠小於Mqs電晶體q5。第19頁 C:\2D-CX)DE\91.03\90130193.ptd 540066 五、發明說明（16) 在此種h況，因為在電晶體Q5具有微小之電流I &流動，所以該M0S電晶體Q5之閘極—源極晶電壓變成等於臨限值Vthp。M0S電晶體Q6在節點25a之電壓位準上升時，電導變小，電流15變小，節點25b之電壓值上升，M〇s電晶體的之電導變小，電流14變小，節點25a之電磨值降即，利用該M0S電晶體Q6之回饋控制，用來將節點25b雷壓位準保持為-定，保持在電壓(VDD_lvthp丨；電bJ電 M0S電晶體Q7和Q8構成電流鏡電路，因此，在電晶體 Q5和Q6流動之電流14和15變成為相等（M〇s電晶體Q7和^之大小相同）。因此，電流I 4和I 5以下式表示。 14 = 15= | Vthp | /R3 .........⑻ M0S電晶體Q9之臨限值電壓假如與M〇s電晶體Q5之臨限值電壓相同時，基準電壓VREF(VREF1，VREF2)以下式表示。 VREF=A3 · | Vthp | · R4/R3 .....(1〇) 在此處A3表示M0S電晶體Q9和Q5之大小比（/3比），R3和 R4分別表示電阻元件R3和R4之電阻值。當電阻元件R3和R4以相同之材料形成時，電阻值”和^ 之比成為與溫度無關之一定值。p通道M〇s電晶體之臨限值電壓之絕對值| Vthp丨具有正的溫度係數，隨著溫度之上升其值變大，所以基準電壓VREF具有正的溫度相關性。經由變更電阻元件R3和R4之電阻值之比，或變更M0S電晶體 Q9之大小（召：通道幅度和通道長度之比），可以產生電壓位準和溫度相關性不同之基準電壓VREF1和VREF2。因此，經由適當的決定電阻元件R3和R4之電阻值，和

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電晶體Q5之臨限值電麼yfhp 可 M0S電晶體Q9之大小和m〇s 以檢測所希望之溫度範圍另外，在上述之實施形態中是將溫度區但是，假如準備_之基準電塵產 1成為3個。信號選擇用之選擇器時，利用同樣之方法°，n可：：二：：溫度補償之控制。』乂進仃更細之上述方式之本發明之實施形態1時依也 ^ f 0 Η〜只^ π怨土吋，依昭動柞、，田度，以夕個階段變換時脈信號之振盪週期，"宫乍皿溫度範圍’可以對施加在記憶器電路之時脈，J 2動作振盪週期進行溫度補償使其保持二貫際之時脈信號。疋了以供給穩定之 [實施形態2 ] 生發:二形」態=有溫度補—^ 器3,在以下之:=戶7造上具，有二具有溫度補償功能之時脈產生器不圖同3所；；實施形態」之式振盈器30和32用以代替分頻電：即別使用環之振盪週期為Τ，環式振盪器3〇和振盪器24 對應之部份附Λ同之^;^;:^3所示之構造相同，在又依冽化唬0 A - 0 C，揖摆护4、1 β 和32之輸出信號02之!個。該C盪器24, 30 〆專之/皿度檢測電路4和

540066 五、發明說明08) 可變時脈產生電路5之動作，與圖6之信號波形圖所示之動作相同。依照參考電壓VREFR和基準電壓VREF1和VREF2之比較結果，產生溫度檢測信號，藉以變更輸出時脈信號 $ OUT之週期。使用該寻之環式振盪器2 4，3 0和3 2，分別產生週期不同之振盪信號，不會受到分頻電路之動作特性之影響，可以正4的依照溫度進行振盪週期之變換，藉以產生輸出時脈信號0 OUT(時脈信號CLK)。

另外，在圖8所示之構造中，環式振盪器24,3〇和32之振盪週期为別被设定為T，T / 2和T / 4。但是，該等之環式振盪器2 4，3 0和3 2之振盪週期亦可以依照該等之環式振盪器 2 4，3 0和3 2之溫度相關性，用來決定適當之週期。另外乂亦可以設置n種互異之振盪週期之環式振盪器，利用η位元之溫度檢測信號，用來選擇丨個之環式振盪器所輸出之佗號，可以依照更細之溫度區域調整輸出時脈信號 0 OUT之㈣，可以補償溫度相關性，和產生一定之振盪週期之輸出時脈信號0 〇υτ。 [實施形態3 ]

圖9概略的表示本發明之實施形態3之具有溫度補償功之時脈產生器3之構造。在圖9中，溫度檢測電路4包含孝基準電壓產生電路4 0，用來產生具有溫度相關之基準電 VREF。該基準電壓產生電路4〇之構造，例如與圖7所示^ 構造相同，如圖10所示，用來產生具有正的溫度準電壓VREF。

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可變時脈產生電路5以電壓控制型環式振盪器42構成，依照基準電壓VREF變更振盪週期。該電壓控制型環式振盈器42接受基準電壓VREF作為其控制電壓，當基準電壓vref 之電壓位準上升時，其振盪週期就變短。亦即，如圖丨丨所示，隨著溫度之上升，電壓控制型環式振盪器42之振盪週期就變短。在圖11中所示之情況是電壓控制型環式振盪器42之輸出時脈信號0 OUT之振盪週期，離散的變化成為週期τ，T1， T2，----Τη，但是，來自基準電壓產生電路4〇之基準電壓 VREF，如圖1〇所示，依照溫度使其電壓位準連續的變化，因此，電壓控制型環式振盪器42之振盪週期亦依照基準電壓VREF連續的變化。利用此種方式，彳以依照溫度使振盪週期類比式的變化，可以更正確的產生溫度補償後之輸出類比信號0 OUT。圖1 2表示圖9所示之電壓控制型環式振盪器42之且體之構造之一實例。在圖12中，電壓控制型環式振盪器42包含有：基準電流產生電路，用來產生與基準電壓…肝相關之基準電流lest ;和環式振盪器，依照該基準電流產生電路所產生之基準電流，用來設定動作電流。基準電流產生電路包含有：P通道M〇s電晶體Q2〇，連接在電源節點和節點42a之間，和使其閘極連接到節點42a ;N 通道M0S電晶體Q22，連接在節點仏和接地節點之間，和使其閘極接受基準電壓VREF ; p通道M〇s電晶體Q21，連接在電源節點和節點42b之間，和使其閘極連接到節點42a ;

540066 五、發明說明（20) 和N通道M0S電晶體Q23，連接在節點42b和接地節點之間，和使其閘極連接到節點4 2 b。在該基準電流產生電路中，M0S電晶體Q20和Q21構成電流鏡電路。該等之M0S電晶體Q20和Q21被設定成為具有相同之大小，在該等之M0S電晶體Q20和Q21具有相同大小之基準電流lest流動。M0S電晶體Q20將基準電流lcst供給到 M0S電晶體Q22。該基準電流icst成為M0S電晶體q22之汲極電流，基準電流lest之大小依照基準電壓VREF設定。 MOS電晶體Q23以其閘極和汲極連接到節點42b，用來將從MOS電晶體Q21供給之基準電ncst變換成為電壓。環式振盤器包含3段縱向連接之CM〇s反相器電路43a一43c 。反相Is電路43c之輸出回饋到初段之反相器43a之輸入。反相器電路43c之輸出信號被反相器43d反相，用來產生輸出時脈信號0OUT。〇河03反相器電路43&包含有卟通道肋3電晶體的〇和924, 串聯連接在電源節點和輸出節點42c之間；通道m〇s電晶體Q25和Q33，串聯連接在輸出節點42c和接地節點之間:CMOS反相器電路43b包含有：p通道廳電曰曰曰體⑽和⑽

Φ ί Ϊηΐ接在電源節點和輸出節點42d之間；和N通道M0S = Q g / j ¥聯連接在輸出節點42d和接地節點之〇?« 拉有：P通道M0S電晶體Q32和

雷曰/ 輪出節點之間；通道M0S 電日日體Q 2 9和Q 3 5，串聯遠技a认、間。中％P連接在輸出節點42e和接地節點之

C:\2D-CODE\91-03\90130193.ptd 第24頁 540066 五、發明說明（21) Μ 0 S電晶體Q 3 0 - Q 3 2之閘極連接到基準電流產生電路之節點4 2 a，Μ 0 S電晶體Q 3 3 - Q 3 5之閘極連接到節點4 2 b。該等 M0S電晶體Q30-Q32與P通道M0S電晶體Q20構成電流鏡電路，和M0S電晶體Q33-Q35與M0S電晶體Q23構成電流鏡電路。因此’利用該等之電流源之M〇s電晶體Q30-Q32和 Q3 3-Q35，用來決定CMOS反相器電路43a-43c之動作電流。假如M0S電晶體Q30-Q32之大小與M0S電晶體Q20相同，和 M0S電晶體Q33-Q35之大小與M0S電晶體Q23之大小相同時，則在CMOS反相器電路4 3a-43c具有與基準電流lest相同大小之電流流動。在CMOS反相器電路43a-43c之各個之輸出節點42c-42e連接有延遲用之電容器Cl-C3。依照該等電容器Cl-C3充放電速度’用來決定以CMOS反相器電路43a_43c構成之環式振盪器之振盪週期。反相器4 3d以其動作電源節點接受電源電壓VDD，其動作電流不變。該反相器4 3 d進行緩衝器電路之動作用來驅動比較大之負載。在該圖12所示之電壓控制型環式振盪器42之構造中，當基準電壓VREF上升時，基準電流Icst之電流值變大，因此’CMOS反相器電路43a_43c之動作電流lest變大，以高速對各個對應之輸出部之電容器Cl _C3進行充放電，使該環式振盪器之振盪週期變短。另外一方面，當基準電壓 VREF降低時，基準電流Icst之電流值亦變小，CMOS反相器電路43a-43c之動作電流變小，電容器C1-C3之充放電速度

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I m 第25頁 540066 五、發明說明（22) 變慢’環式振盈器之振盈週期變長。因此，使用該圖12所以„ 且有溫声i日關料+使、，隹而主衣式振盈裔4 2，以〆、有/皿度相關丨生之基準電壓VREF作為偏々該環式振盪器之動作電流，可以依昭西，！由设疋蘆器之振盪週期連續的變化；：：：：？環式振 J ^ t ,43a^3c . , , J 5 V/^ 有一定週期之時脈信號0 〇UT。；的產生具為= 生電路之M〇S電晶體_和_，和成為衣式振盪裔之電流源之M〇s電晶體Q3〇 —Q32，Q33 —的5之可以依照輸出時脈信號之週期之溫度相關和土準電壓之溫度相關性，用來適當的決定。依照上述方式之本發明之實施形態3時，使用具有溫度相關性之基準電壓，用來設定電壓控制型環式振盪器（振盪器）之動作電流，可以依照動作溫度連續的調整振盪週期，可以依知、動作溫度使時脈信號之週期變化用來進行補償’可以穩定的產生具有一定週期之内部時脈信號。 [實施形態4 ] ° 圖1 3表示本發明之實施形態4之具有溫度補償功能之時脈產生器3之構造。在該圖1 3所示之具有溫度補償功能之時脈產生器3中，設有數位-類比變換電路52，用來將溫度檢測電路4之溫度檢測信號0 a- 0 C變換成為類比信號。該溫度檢測電路4之其他構造，與圖3所示之實施形態1之溫度檢測電路之構造相同，在對應之部份附加相同之元件編號，而其詳細之說明則加以省略。

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1 ill C:\2D-roDE\91-03\90130193.ptd 第26頁 540066

54〇〇66 . * · * 明說明(24) " * '—~ 較短之週期進行振盪動作，用來產生輸出時脈信號4〇ιπ 〇即使產生多位元之溫度檢測信號0 Α 一 0 C，利用數位一類比變換電路52將該等之多位元溫度檢測信號$ A— 0 c變換成為類比信號（電壓），經由產生偏壓電壓BIAS，可以依照動作溫度變更電壓控制型環式振盪器5 〇之振盪週期，隨著溫度之上升使其振盪週期變短，用來補償由於溫度上升之振盪週期之變長，可以將内部時脈信號CLK之實際之週期保持為一定。一圖15表示圖13所示之數位-類比變換電路52之構造之一具例。在圖1 5中，所示之電路構造是依照n位元之溫度檢測信號4 Yl- 0 Yn用來產生偏壓電壓BIAS。該等之溫度變化檢測彳§號0 Y 1 - 0，Υη對應到圖1 3所示之溫度檢測信號 0 Α- 0 C 〇在圖1 5中，數位-類比變換電路5 2包含有：比較電路 52a ’用來使參考電壓VREFR和節點52b上之回饋電壓VFB進行比較，？通道仙8電晶體丁〇0，依照比較電路528之輸出信號，用來將電流從電源節點供給到節點52c ; N通道型MOS 電晶體TQl-TQn，並聯連接在節點52c，分別以其閘極接受溫度檢測信號0 γ 1 - 0 γ n ;和位準變換電路，被設置成與 MOS電晶體TQl-TQn之各個對應。 ^

該等之位準變換電路包含有電阻元件r i 〇和R i 1 (丨=卜n ) ’串聯連接在對應之MOS電晶體TQi和接地節點之間。利用串聯連接之電阻元件Ri〇和Ril，對節點52c上之電壓BIAS

C:\2D-OODE\91-03\90130193.ptd 第28頁 540066 五、發明說明（25) 進行分壓，藉以在對應之電壓輸出節點NDi，（i = ；l-n)產生位準變換電壓。數位-類比變換電路52更包含有選擇器SELl-SELn，被設置成與電壓輸出節點N1M - NDn對應，於溫度檢測信號必γ卜 0 Υ η之活性化時進行導通，用來使對應之電壓輸出節點結合到節點52b。該等之選擇器SELl_SELn之各個包含有：反相器，用來使對應之溫度檢測信號0 Y i (i = 1 -η)反相，藉以產生互補之溫度檢測信號；和CM0S傳輸閘，依照互補之溫度檢測信號進行導通。在該數位-類比變換電路52，當回饋電壓VFB低於參考電壓¥1^£?1?時，比較電路523輸出低位準之信號，1^03電晶體 TQ0之電導變大，電流從電源節點供給到節點52c，使偏壓電壓BIAS之電壓位準進行上升。另外一方面，當回饋電壓 VFB高於參考電壓VREFR時，比較電路52a輸出Η位準之信號，將M0S電晶體TQ0設定在OFF狀態。因此，該比較電路 52a可以調整偏壓電壓BIAS之電壓位準，用來使參考電壓 VREFR和回饋電壓VFB成為相等。回饋電壓VFB以下式表示。 VFB=BIAS · Ril/(Ri〇+Ril)=VREFR 因此，偏壓電壓BIAS以下式表示。

BIAS={l+(RiO/Ril)} .vreFR 位準變換用之電阻元件Ri〇和^1之比Ri〇/RU隨著溫度之上升而變大’依照溫度檢測信號必γ丨—必Υη使⑽^電晶體 TQ1-TQn選擇性的成為0Ν狀態，可以使偏壓電壓BUS之電

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第29頁 540066 五、發明說明（26) 5^0之ί 序Γ Μ向’因此，可以使電壓控制型環式振盪器之振盪週期變短。产：：土 5:式之本發明之實施形態4時，將多位元之溫造，欠換成為類比信號，利用簡易之電路構生具有被溫度補整！脈信號之週期’可以產 [實施形態5] 週期之時脈信號。脈^ 2 in本^^之實施形態5之具有溫度補償功能之時 :ίί;ϊ;。該圖16所示之具有溫度補償功能之時有、、田ΪΓ广^之部份與圖3之實施形態1戶斤示之具 %之時脈產生器3之構造不同。亦即，對第1 二Ϊ Ϊ ΐ生電路62和第2基準電麼產生電路63分別施加特性设定資料S 1 < j{] · 〇 >和ς 9 /〗η \ ,ν. .n、i ^ <1:〇>。依照該等之特性設定資牲W :〇>，設定基準電壓VREF1和VREF2之溫度特性和電壓位準b。其他之構造與圖3所示之構造相同，在對應之部份附加相同之元件編號，而其詳細之說明則加以省略。在：=16所示之構造之情況，如圖17所示，可以依照特性設定資料Sl<m:〇>和S2〈i:0>，用來變更基準電壓vrefi 和VREF2之溫度特性。亦即，可以變更基準 VREF2之梯度和開始電壓位準，因此可以變 VREFR和基準電壓VREF1*VREF2之各個之交又溫度。因此，可以依照環式振盈哭2 1夕宭七料击η士〆 W — 盈1之貝力變更時脈信號之頻率/ 週期’耩以^溫度區域’可以產生穩定之内部時脈信

540066 五、發明說明（27) 號。特性設定資料S1 < m : 〇 >和§ 2 < 1 · η、★ 熔線之熔斷等用來進行程式設計，亦可以在測試時，經由記憶器電路所含之寫入/抹除_制另外，亦可以在圖1之控制下，被設定在暫存器電^”路（圖3G之電糊9)之圖18表示圖16所示之基準電壓產一實例。該等之基準雷厭方止干電路62和63之構造之同電路62和63因為電路構造相冋，所以在圖1 8中，只代表性的4 4 Φ ^ μ ^ ^ 〇的颂不其1個之基準電壓產之部份與圖7所示之基準電壓產生Ύ產生電路具有以下 ,_ 电1屋生電路不同。亦即，在輪 ==25d並聯連接有N通道型_電晶體T]u_TRn，在回應 U日性^定#料位元s^Sn時進行導通，另外，在該等，-Zn。其他之構造與圖7所示之構造相同，在其對應之 4份附加相同之元件編號，而其詳細之說明則加以省略。在该圖18所不之基準電壓產生電路之構造中，基準電壓 VREF如圖7所示，以丨vthp丨.Zi/R3表示。此處之以表示電阻元件Zi(i = l- η)之電阻值。因此’經由將特性設定資料位元S1 _Sn選擇性的設定在η 位準，可以變更Zi/R3之比之值，因此可以變更基準電壓 VREF之溫度相關性和電壓位準。使電阻元件R3 *zl_Zn之電阻值成為很大，經由設定成使M0S電晶體TR卜TRn之導通時之通道電阻之溫度相關性成為可以忽視之程度，可以保持該基準電壓VREF之正的溫度特性的變更溫度相關性，因

C:\2D-CODE\91-03\90130193.ptd _釅

第31頁 540066 五、發明說明（28) 此可以變更時脈信號之週期變換溫度區域。另外，該特性設定資料位元S1 - S η可以只將1個位元設定為Η位準，亦可將多個位元設定為η位準，（在輸出節點2 5 D 和接地節點之間並聯連接電阻）。 [變更例1 ] 圖1 9表示本發明之實施形態5之變更例1之構造。在該圖 1 9所示之具有溫度補償功能之時脈產生器3，對參考電壓產生電路7 1施加特性設定資料S 〇 < k : 0 >，可以用來變更其參考電壓VREFR之溫度相關性和電壓位準。其他之構造與圖3所示之具有溫度補償功能之時脈產生器3之構造相同，在其對應之部份附加相同之元件編號，而其詳細之說明則加以省略。在該圖1 9所示之具有溫度補償功能之時脈產生器3之構造中，可以使參考電壓產生電路71所產生之參考電壓 VREFR之溫度相關性，依照特性設定資料s〇<k: 〇〉的進更。因此，如圖20所示，該參考電壓VREFR對溫度曰一定’而是可以隨著溫度Θ進行變化，因此可以又疋號之頻率/週期變換溫度。利用此種方式，更$脈t 態時，可α依照該環、式振i器21之實際 °在測試模期變換溫度區域設定在最適當之值，可以在乍速度，將週圍，使時脈信號之振盪週期正確的伴持寬廣之溫度範圖21表示，所示之參考電壓產：二；。、例。在圖21中，參考電壓產生電路71包含構造之一實晶體NQO-NQk，並聯連接在輸出節點Ud，通道M0S電 • 和分別以閘極接

540066 五、發明說明（29) 受特性設定資料位元S〇〇_SOk ;和電阻元件ZRO-ZRk，連接在該等之M0S電晶體NQO-NQk之各個和節點ue之間。其他之構造與圖6所示之參考電壓產生電路n之構造相同，在對應之部份附加相同之元件編號，而其詳細之說明則加以省略。參考電壓VREFR以下式表示。 VREFR = Vt · ln(N) · (ZRi/R1) + VBE3 在此處Z R i表示連接在節點π d和11 e之間之電阻元件之電阻值。特性設定資料位元S 〇〇一 g q k中之多個位元亦可以同時被設定成為Η位準。經由將特性設定資料位元S〇〇-S0k選擇性的設定在η位準，可以變更電阻元件之電阻值之比（ZRi/R1 )，因此可以變更參考電壓VREFR之電壓位準和溫度特性。特別是因為 NPN雙極電晶體QB3之帶隙電壓VBE3具有負的溫度相關性，係數V t具有正的溫度係數，所以利用該電阻值之比 (ZRi/Rl)之變更，可以將參考電壓VREFR之溫度相關性設定為正的或負的之任何一方，可以在寬廣之溫度範圍内將時脈信號之週期變換溫度設定在最適當之值。另外’特性δ又疋 > 料S L < k ·· 0 >之設定，例如亦可根據測試結果，在圖1記憶器電路所含之寫入/抹除控制電路之控制下，以設定最佳之溫度區域之方式被收納在暫存器電^ 等，或是利用溶線元件之程式設計。 ° [變更例2 ] 圖22表示本發明之實施形態5之變更例2之具有溫度補償

540066 五、發明說明（30) f能之時脈產生器3之構造。在該圖22所示之具有溫度補 <貝功二ί時脈產生器3中，參考電壓產生電路7 1可以依照特性設定資料so<k:o>變更參考電壓VREFR之溫度相關性和電？位準’和第1和第2基準電壓產生電路62和63可以分別依照特性設定資料31<111:〇>和32<11:〇>用 VREF1和VREF2之電壓位進知、四命扣0月α 又土千电& _ 电彳立旱和&度相關性。其他之構造盥圖 Λ示之具有溫度補償功能之時脈產生器3之構造相同了在對應之部份附加相同之元件繞缺甘』 … 兀仵、，扁唬，而其砰細之說明則加以笮略。該是組變更性及此，和電變更寬廣照環度0 圖22 合該參考電壓即使壓位參考之範式振所不之具有溫度補償功能之時脈產生器3之實施形態5先前2個實施例之構造所形成者，崾^ 電壓VREFR和基準電壓VREF1和"肫2之溫度相關位準，可以彈性的變更時脈週期變換溫度。在第1和第2基準電壓產生電路62和63之溫卜 :二換用之電阻元件之數目很少之情況，經電壓VREFR之溫度相關性和電壓位準，可γ在乂圍，變更時脈信號之週期變換用之溫度，W £ 盈器21之特性’設定最佳之時脈信號週期變換3

另外，本實施形態5之基準電壓和/ 性及電壓位準之變更所使用之構造，之實施形態2至7之構造所形成者。 [其他之實施形態] 或參考電壓之溫度特亦可以使用組合先前

在上述之說明中

所說明之時脈產生器用來產生非揮發

C:\2D-CODE\91-03\90130193.ptd 第34頁 540066

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C:\2D-C0DE\91-03\90130193.ptd 第36頁 540066 圖式簡單說明圖1概略的表示本發明之半導體積體電路裝之體之構造。圖2概略的表示本發明之内部時脈信號之溫度特性。圖3表示本發明之實施形態1之具有溫度補償功能之時脈產生器之構造。圖4,=圖3所示之基準電壓和參考電壓之溫度相關性。圖5是信號波形圖，用來表示圖3所示之電路之動作。圖6表示圖3所示之參考電壓產生電路之構造之一實例。圖7表示圖3所示之基準電壓產生電路之構造之一實例。圖8表示本發明之實施形態2之具有溫度補償功能之時脈產生器之構造。 ^9概略的表示本發明之實施形態3之具有溫度補償功能之時脈產生器之構造。圖1 0 f示圖9所示之基準電壓之溫度相關性。圖11是信號波形圖，用來表示圖9所示之電式振盪器之動作。衣圖1 2表不圖9所示之電壓控制型環式振盪器之構造實例。圖1 3表不本發明之實施形態4之具有溫度補償功能脈產生器之構造。叶圖14是信號波形圖，用來表示圖13所示之電路之動。圖1 5表不圖1 3所示之數位—類比變換電路之構造之一每 4歹,J 。貝圖16表示本發明之實施形態5之具有溫度補償功能之時

C:\2D-C0DE\91-03\90130193.ptd 第37頁 540066 圖式簡單說明脈產生器圖1 7概相關性。圖18表例。圖19表圖2 0概性。圖2 1表例。圖22表圖2 3概圖24表圖2 5概圖2 6概關性。之構造。略的表示示圖1 6所示本發明略的表示示圖1 9所示本發明略的表示示圖2 3所略的表示略的表示圖16所示之基準電壓和參考電壓之溫度示之基準電壓產生電路之構造之一實之貫施形態5之變更例。圖19之基準電壓和參考電壓之溫度相關不之參考電壓產生電路之構造之一實之實施形態5之變更例2之構造。習知之半導體記憶裝置之示之環式振盈器電路之構造圖23所示之高電壓產生電路之構造。圖25所示之充電泵之輸出電壓之溫度相

C:\2D-00DE\91-03\90130193.ptd 第38頁

Claims

540066 六'申請專利範圍 1 · 一種半導體積體雷記憶器電路，用來記憶=:其特徵是具備有: 時脈產生電路，用來 ' : 信號；來產生上述記憶器電路所利用之時脈溫度檢測電路；和週期變更電路，依照上述之溫度檢 f，用來變更上述之時脈產生電路所產生：t檢測輪出信期。所屋生之時脈信號之週 2·如申請專利範圍第i項之半導體積上述之溫度檢測電路被積體化在與上述之 & ，箭、中上述之記憶器電路相同之半導體晶片上。、電路和上3心2利範圍第1項之半導體積體電路裝置，直中上述之溫度檢測電路具有： /、〒壓參考電壓產生電路，用來產生作為比較基準之參考電基準電壓產生電路，個基準電壓；用來產生具有溫度相關性互異之多比杈電路，用來使上述之參考電壓和上述之多個基壓之各個進行比較；和 +

溫度判定電路，依照上述之比較電路之比較結果指示號’用來產生溫度檢測信號。 4·如申請專利範圍第3項之半導體積體電路裝置，其d 上述之基準電壓產生電路具備有：、定電流產生電路；和

540066 六、申請專利範圍一電壓變換電路，用來將上“ 定電流變換成為電壓；现之疋電流產生電路所產生之上述之電Μ變換電路可以 5·如申請專利範圍第3項斤產生之基準電壓位準。上述之參考電壓產生電路、勺入 +導肢積體電路裝置，其中述之參考電壓之溫度相關二:更用電路，用來變更上 6.如申請專利範圍第5 位皁之至少-方。上述之變更用電路具備有之+導體積體電路裝置，其中多個電阻元件，具有万 · 和有互異之電阻值，被配置成為並聯；選擇電路，在回應選擇信伽 1個連接在輪出節點和接地節點之：;上述夕個電阻元件之利用該連接之電阻元件用生之電壓之位準。 "又在上述之輸出節點所產 7·如申請專利範圍第3 上述之基準電壓產生電路裝置’其中述之基準電壓之溫产含有變更用電⑬’用來變更上 8上=專利範圍第7項之半導體積體轉方，。上述之變更用電路具備有：电格在置其中和夕個電阻元件，具有互異之電阻值，被配置成為並聯； 1 ^連擇接\\’ 應Λ擇錢時，使上料個電阻元件之輸出即點和接地節點之間；利用該連接之電阻用來設定在上述之輸出節點所產生之

C:\2D-CODE\91.03\90130193 Dtrf 第40頁 540066 六、申請專利範圍電壓之位準。 9.如申請專利範圍第3項之半導體積體電路，且述之參考電壓產生電路來產生與〜 , 壓位準之電壓。度無關之一疋之電 1 0.如申請專利範圍第i項之半導體積體 =之時脈產生電路產生多個週期互異之時u -产=週#;變更電路包含有時脈選擇電⑬，依照上述之用來選擇上述多個時脈信號中之1個之時中11.如申請專利範圍第10項之半導體積體電路裝置，其上述之時脈產生電路包含有·· 生電路’用來產生第1週期之時脈信號；和進行分i ;路，以互異之分頻比對上述之第1時脈信號擇ΐ ί ί 3 ί選擇電路在回應上述之溫度檢測信號時，選 =個基準時脈產生電路和上述之多個分頻電路之輸出 12. —種半導體積體電路裝置，記憶器電路，用來收納資料；疋具備有. 被積體化在與上述之記憶器電路相同之牛導體基板上，用來檢測溫度；和 j心半：$ ’被積體化在與上述之記憶器電路相同之丰導體基板上’依照上述之溫度檢測電路之輸出信號，用 mi 第41頁 C:\2D.O0DE\91-03\90130193.ptd 540066 六、申請專利範圍來產生週期被變更之時脈信號；上述之時脈信號被上述之記憶器電路利用。 1 3 ·如申請專利範圍第丨2項之半導體積體電路裝 ^，之溫度檢測電路具備有產生電路，用來產生電壓準〃有溫度相關性之基準電壓；和、、上述之時脈產生電路具備有電壓控制振盪電路，述之基準電壓用來設定振盪週期。 “、、 14·如申請專利範圍第12項之半導體積體電路中且丹上述之溫度檢測電路具備有：严參考電壓產生電路，用來產生作為比較基準之參考電基準電壓產生電路，用來產生具有互異多個基準電壓； ” < μ度相關性之電；電·，依照上述之參考電壓和上述之多個基準 ί: 較結果，用來產生多位元之溫度檢測信上ΓΛ?換電路’用來將上述之多位元溫度檢測信號變換成為類比信號；上述之時脈產生電路具備有電壓控制振盪電路，述之類比信號用來設定振盪頻率。又…、上中15·如申請專利範圍第12項之半導體積體電路裝置，其

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