JP2004318235A - 基準電圧発生回路 - Google Patents
基準電圧発生回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004318235A JP2004318235A JP2003107758A JP2003107758A JP2004318235A JP 2004318235 A JP2004318235 A JP 2004318235A JP 2003107758 A JP2003107758 A JP 2003107758A JP 2003107758 A JP2003107758 A JP 2003107758A JP 2004318235 A JP2004318235 A JP 2004318235A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- current
- constant current
- circuit
- reference voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
- G05F3/262—Current mirrors using field-effect transistors only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
【課題】基準電圧の温度依存性を所定の正の温度特性から所定の負の温度特性の間に設定可能な基準電圧発生回路を提供する。
【解決手段】正の温度特性を有する定電流回路1から出力された定電流I1、および負の温度特性を有する定電流回路2から出力された定電流I2は、ともに電流合成回路3に入力される。電流合成回路3は、定電流I1,I2を、定電流I1の正の温度特性から定電流I2の負の温度特性の間の温度特性となるような割合で合成することによって、特定の範囲内で任意の温度依存性を有する定電流I=p・I1+q・I2(p,qは、ゼロの場合を含む係数)を出力する。定電流Iは、電流−電圧変換回路4に入力され、基準電圧VREFに変換される。
【選択図】 図1
【解決手段】正の温度特性を有する定電流回路1から出力された定電流I1、および負の温度特性を有する定電流回路2から出力された定電流I2は、ともに電流合成回路3に入力される。電流合成回路3は、定電流I1,I2を、定電流I1の正の温度特性から定電流I2の負の温度特性の間の温度特性となるような割合で合成することによって、特定の範囲内で任意の温度依存性を有する定電流I=p・I1+q・I2(p,qは、ゼロの場合を含む係数)を出力する。定電流Iは、電流−電圧変換回路4に入力され、基準電圧VREFに変換される。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、基準電圧発生回路に関し、より特定的には、半導体集積回路に用いられる基準電圧発生回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、DRAM(Dynamic Random Access Memory)のような半導体集積回路では、外部から供給される電源電圧に基づいてまず基準電圧が生成され、この基準電圧をもとに数種類の内部電源電圧が生成される。つまり、内部電源電圧の精度は、基準電圧の精度によって支配される。
【0003】
一方、半導体集積回路における技術傾向の一つとして低電圧化がある。半導体集積回路の低電圧化が進むにつれて、今まで問題にならなかった基準電圧の温度による変動が顕在化してくるようになった。
【0004】
特許文献1に記載された従来の基準電圧発生回路は、正の温度特性を有する第1の電圧を発生する第1の電圧発生回路と、負またはゼロの温度特性を有する第2の電圧を発生する第2の電圧発生回路と、第1および第2の電圧のうち高い方の電圧を選択して基準電圧として出力するOR回路とを備える。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−11649号公報(11−13頁、図2,3)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1に記載された従来の基準電圧発生回路は、低温領域において負またはゼロの温度特性を有し高温領域において正の温度特性を有する基準電圧を発生させることができるが、温度領域に対する温度特性が上記の温度特性に固定されてしまうという問題点があった。
【0007】
それゆえに、この発明の目的は、基準電圧の温度依存性を所定の正の温度特性から所定の負の温度特性の間に設定可能な基準電圧発生回路を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明による基準電圧発生回路は、正の温度特性を有する第1の定電流を出力する第1の定電流回路と、負の温度特性を有する第2の定電流を出力する第2の定電流回路と、第1および第2の定電流を、先の正の温度特性と先の負の温度特性との間の温度特性を有するような割合で合成することによって第3の定電流を生成する電流合成回路と、第3の定電流を電圧に変換することによって基準電圧を生成する電流−電圧変換回路とを備える。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【0010】
[実施の形態1]
図1は、この発明の実施の形態1による基準電圧発生回路10の概略的な構成を示したブロック図である。
【0011】
図1に示すように、実施の形態1の基準電圧発生回路10は、正の温度特性を有する定電流回路1と、負の温度特性を有する定電流回路2と、電流合成回路3と、電流−電圧変換回路4とを備える。ここで、「正の温度特性を有する」とは、温度が上昇するにつれて発生する電流が増大することを意味し、「負の温度特性を有する」とは、温度が上昇するにつれて発生する電流が減少することを意味する。
【0012】
正の温度特性を有する定電流回路1から出力された定電流I1、および負の温度特性を有する定電流回路2から出力された定電流I2は、ともに電流合成回路3に入力される。電流合成回路3は、定電流I1,I2を、定電流I1の正の温度特性から定電流I2の負の温度特性の間の温度特性となるような割合で合成することによって、特定の範囲内の温度依存性を有する定電流I=p・I1+q・I2(p,qは、ゼロの場合を含む係数)を出力する。定電流Iは、電流−電圧変換回路4に入力され、基準電圧VREFに変換される。
【0013】
このように、正の温度特性を有する定電流と負の温度特性を有する定電流とをその正の温度特性とその負の温度特性との間の温度特性となるような割合で合成し、その合成された定電流を電圧に変換することによって、基準電圧の温度依存性を特定の範囲内で任意に設定することが可能となる。
【0014】
以下、基準電圧発生回路10を構成する各回路の具体的な回路構成について詳細に説明する。
【0015】
図2は、この発明の実施の形態1による定電流回路1Aの回路構成を示した回路図である。
【0016】
図2に示す実施の形態1の定電流回路1Aは、電源ノードとノードN1との間に接続されゲートがノードN1に接続されたPチャネルMOSトランジスタ11と、電源ノードとノードN2との間に接続されゲートがノードN1に接続されたPチャネルMOSトランジスタ12と、電源ノードとPチャネルMOSトランジスタ12との間に接続された抵抗値R1の抵抗素子13と、ノードN1と接地ノードとの間に接続されゲートがノードN2に接続されたNチャネルMOSトランジスタ14と、ノードN2と接地ノードとの間に接続されゲートがノードN2に接続されたNチャネルMOSトランジスタ15とを含む。ノードN2から引き出された信号NCC1については、後の図4において述べる。
【0017】
NチャネルMOSトランジスタ14,15はカレントミラー回路を構成し、NチャネルMOSトランジスタ14,15のサイズ(チャネル幅とチャネル長との比)は互いに等しい。そのため、PチャネルMOSトランジスタ11,12の各々には、同じ大きさの電流I1が流れる。なお、NチャネルMOSトランジスタ14,15のチャネル幅は互いに等しく、これをnw1とおく。
【0018】
一方、PチャネルMOSトランジスタ11,12は、チャネル長は互いに等しいものの、チャネル幅pw1,pw2は互いに異なっており、pw1<pw2である。また、抵抗素子13の抵抗値R1は十分大きいため電流I1は微小電流となり、PチャネルMOSトランジスタ11,12はサブスレショルド領域で動作する。このとき、電流I1は次の式で表わせる。
【0019】
I1=S/R1・log(pw2/pw1)
ここで、Sはサブスレショルド係数,テーリング係数,Sファクタなどと呼ばれるMOSトランジスタの物理パラメータの一つである。ここでは、SをSファクタと呼ぶ。Sファクタは、S∝kT/q(k:ボルツマン係数,T:絶対温度,q:電荷素量)の関係を有し、正の温度特性を持つ。また、抵抗素子13はポリシリコン等から作られる抵抗素子であって、Sファクタに比べて温度係数が小さい。
【0020】
したがって、電流I1の温度特性は、Sファクタの温度特性をほぼそのまま反映し、正の温度特性を有する。定電流回路1Aのように、PチャネルMOSトランジスタ11,12の動作ポイントをサブスレショルド領域に設定することで定電流を実現する定電流回路は、ウィーク・インバージョン型と呼ばれる。
【0021】
図3は、この発明の実施の形態1による定電流回路2Aの回路構成を示した回路図である。
【0022】
図3に示す実施の形態1の定電流回路2Aは、電源ノードとノードN4との間に接続されゲートがノードN3に接続されたPチャネルMOSトランジスタ21と、ノードN3とノードN5との間に接続されゲートがノードN4に接続されたPチャネルMOSトランジスタ22と、電源ノードとPチャネルMOSトランジスタ22との間に接続された抵抗値R2の抵抗素子23と、ノードN4と接地ノードとの間に接続されゲートがノードN5に接続されたNチャネルMOSトランジスタ24と、ノードN5と接地ノードとの間に接続されゲートがノードN5に接続されたNチャネルMOSトランジスタ25とを含む。ノードN5から引き出された信号NCC2については、後の図4において述べる。
【0023】
NチャネルMOSトランジスタ24,25はカレントミラー回路を構成し、NチャネルMOSトランジスタ24,25のサイズ(チャネル幅とチャネル長との比)は互いに等しい。そのため、PチャネルMOSトランジスタ21,22の各々には、同じ大きさの電流I2が流れる。なお、NチャネルMOSトランジスタ24,25のチャネル幅は互いに等しく、これをnw2とおく。
【0024】
一方、PチャネルMOSトランジスタ21のサイズ,および抵抗素子23の抵抗値R2は、PチャネルMOSトランジスタ21のゲート−ソース電圧がしきい値電圧Vthp近傍となるように設定されている。このとき、電流I2は、次の式で表わせる。
【0025】
I2=Vthp/R2
MOSトランジスタのしきい値電圧は、通常−2mV/℃程度の負の温度係数を有する。また、抵抗素子23は、図2の抵抗素子13と同様、温度係数が小さい。
【0026】
したがって、電流I2の温度特性は、MOSトランジスタのしきい値電圧の温度特性をほぼそのまま反映し、負の温度特性を有する。定電流回路2Aのように、PチャネルMOSトランジスタ21の動作ポイントをしきい値近傍に設定することで定電流を実現する定電流回路は、しきい値型と呼ばれる。
【0027】
次に、定電流回路1Aによって生成された正の温度特性を有する定電流I1と定電流回路2Aによって生成された負の温度特性を有する定電流I2とを、定電流I1の正の温度特性から定電流I2の負の温度特性の間の温度特性となるような割合で合成することによって、特定の範囲内の温度依存性を有する定電流Iを生成する電流合成回路3Aについて説明する。
【0028】
図4は、この発明の実施の形態1による電流合成回路3Aの回路構成を示した回路図である。
【0029】
図4に示す実施の形態1の電流合成回路3Aは、電源ノードとノードN6との間に接続されゲートがノードN6に接続されたPチャネルMOSトランジスタ31と、電源ノードとノードN7との間に接続されゲートがノードN6に接続されたPチャネルMOSトランジスタ32と、ノードN6と接地ノードとの間に接続されゲートが図2のノードN2から引き出された信号NCC1を受けるNチャネルMOSトランジスタ33と、ノードN6と接地ノードとの間に接続されゲートが図3のノードN5から引き出された信号NCC2を受けるNチャネルMOSトランジスタ34と、ノードN7と接地ノードとの間に接続されゲートがノードN7に接続されたNチャネルMOSトランジスタ35とを含む。NチャネルMOSトランジスタ33,34のチャネル幅nw3,nw4は、条件に応じて設定を変え得る。
【0030】
NチャネルMOSトランジスタ33と図2のNチャネルMOSトランジスタ14,15とはカレントミラー回路を構成し、チャネル長は互いに等しく、チャネル幅は、NチャネルMOSトランジスタ33がnw3で、NチャネルMOSトランジスタ24,25がnw1である。そのため、NチャネルMOSトランジスタ34には(nw3/nw1)I1の電流が流れる。
【0031】
また、NチャネルMOSトランジスタ34と図3のNチャネルMOSトランジスタ24,25とはカレントミラー回路を構成し、チャネル長は互いに等しく、チャネル幅は、NチャネルMOSトランジスタ34がnw4で、NチャネルMOSトランジスタ24,25がnw2である。そのため、NチャネルMOSトランジスタ34には(nw4/nw2)I2の電流が流れる。
【0032】
したがって、PチャネルMOSトランジスタ31に流れる電流Iは、
I=p・I1+q・I2
となる。ただし、p=nw3/nw1,q=nw4/nw2である。
【0033】
PチャネルMOSトランジスタ31,32はカレントミラー回路を構成し、PチャネルMOSトランジスタ32にも電流Iが流れる。この電流Iは、たとえばカレントミラー回路を利用することによって取り出すことができる。カレントミラー回路は、ノードN6から引き出された信号PCCを共通ゲート信号として構成することもできるし、ノードN7から引き出された信号NCCを共通ゲート信号として構成することもできる。
【0034】
図5は、電流I1,I2および電流Iの温度特性を示した図である。
図5に示すように、電流I1は正の温度特性を有し、電流I2は負の温度特性を有する。電流I1,I2にそれぞれ係数p,qを乗じた上で両者を合成することにより、電流I=p・I1+q・I2が生成される。係数p,qは、図4におけるNチャネルMOSトランジスタ33,34のチャネル幅nw3,nw4を変化させることによって調整可能である。
【0035】
図5に実線で示した電流Iは、係数p,qを調整することにより温度依存性を有さない電流Iを生成した場合である。この温度依存性を有さない電流Iは一例であって、係数pを係数qに比べて相対的に大きく設定することにより、図5に破線で示した電流Iupのように正の温度特性を有する電流Iを生成することもできる。また、係数qを係数pに比べて相対的に大きく設定することにより、図5に破線で示した電流Idownのように負の温度特性を有する電流Iを生成することもできる。
【0036】
さらに、図4におけるNチャネルMOSトランジスタ33,34のいずれか一方を機能させない(係数p,qのいずれか一方をゼロとする)ことによって、電流I1またはI2をそのまま電流Iとすることもできる。
【0037】
このように、図4に示したNチャネルMOSトランジスタ33,34のチャネル幅nw3,nw4を変化させて係数p,qをある割合で設定することにより、定電流Iの温度依存性を特定の範囲内で任意に設定することが可能となる。NチャネルMOSトランジスタ33,34のチャネル幅nw3,nw4を変化させる具体的な手段について、次の図6,7で説明する。ここでは、NチャネルMOSトランジスタ33のチャネル幅を変化させる場合を例に説明する。
【0038】
図6は、チャネル幅を変化させることが可能なNチャネルMOSトランジスタ部33Aの回路構成を示した回路図である。
【0039】
図6に示すように、NチャネルMOSトランジスタ部33Aは、NチャネルMOSトランジスタ101〜103と、ヒューズ111〜113とを含む。NチャネルMOSトランジスタ101〜103は、ドレインが共通に接続され、ソースがヒューズ111〜113の一方にそれぞれ接続され、ゲートが図2のノードN2から引き出された信号NCC1を受ける。ヒューズ111〜113の他方は、接地ノードに接続される。
【0040】
NチャネルMOSトランジスタ101〜103は、チャネル長が互いに等しく、チャネル幅は、NチャネルMOSトランジスタ101,102,103がそれぞれnw31,nw32,nw33である。図6のNチャネルMOSトランジスタ部33Aは、ヒューズ111〜113を任意に溶断することによって、NチャネルMOSトランジスタ部33Aのチャネル幅を調節することができる。
【0041】
図7は、チャネル幅を変化させることが可能なNチャネルMOSトランジスタ部33Bの回路構成を示した回路図である。
【0042】
図7に示すように、NチャネルMOSトランジスタ部33Aは、NチャネルMOSトランジスタ101〜106を含む。NチャネルMOSトランジスタ101〜103は、ドレインが共通に接続され、ソースがNチャネルMOSトランジスタ104〜106のドレインにそれぞれ接続され、ゲートが図2のノードN2から引き出された信号NCC1を受ける。NチャネルMOSトランジスタ104〜106は、ソースが接地ノードに接続され、ゲートが制御信号CONT1,CONT2,CONT3をそれぞれ受ける。
【0043】
NチャネルMOSトランジスタ104〜106は、チャネル長が互いに等しく、チャネル幅は、NチャネルMOSトランジスタ104,105,106がそれぞれnw34,nw35,nw36である。図6のNチャネルMOSトランジスタ部33Bは、制御信号CONT1,CONT2,CONT3を制御してNチャネルMOSトランジスタ104〜106を任意にオンオフすることにより、NチャネルMOSトランジスタ部33Bのチャネル幅を調節することができる。
【0044】
なお、NチャネルMOSトランジスタ101,102,103のチャネル幅nw31,nw32,nw33は、互いに等しく設定する場合、または、たとえば1:2:4の比となるように設定する場合などが考えられる。チャネル幅nw31,nw32,nw33の比をある特定の比となるように設定すると、NチャネルMOSトランジスタ部33A,33Bのチャネル幅を広い範囲で調節することが可能となる。
【0045】
また、NチャネルMOSトランジスタ部33A,33Bを組み合わせた回路構成も可能である。この場合、たとえば、テスト時に制御信号CONT1,CONT2,CONT3を調整して適切なチャネル幅を決定しておき、その後にヒューズを切断することが可能となる。
【0046】
次に、電流合成回路3Aによって生成された定電流Iを基準電圧VREFaに変換する電流−電圧変換回路4Aについて説明する。
【0047】
図8は、この発明の実施の形態1による電流−電圧変換回路4Aの回路構成を示した回路図である。
【0048】
図8に示す実施の形態1の電流−電圧変換回路4Aは、電源ノードとノードN8との間に接続されゲートが図4のノードN6から引き出された信号PCCを受けるPチャネルMOSトランジスタ41と、ノードN8と接地ノードとの間に接続された可変抵抗素子42Aとを含む。可変抵抗素子42Aの抵抗値を仮にRaとおく。
【0049】
PチャネルMOSトランジスタ41と図4のPチャネルMOSトランジスタ31,32とはカレントミラー回路を構成し、PチャネルMOSトランジスタ41には、電源電圧VCCに依存しない電流Iが流れる。そのため、オームの法則により、ノードN8からは基準電圧VREFa=I・Raが得られる。
【0050】
先述したように、電流Iは、図4に示したNチャネルMOSトランジスタ33,34のチャネル幅nw3,nw4を変化させることにより、温度依存性を任意に設定し得る。また、可変抵抗素子42Aは、図2,3の抵抗素子13,23と同様、温度係数が小さい。
【0051】
したがって、ノードN8から得られる基準電圧VREFaは、図4に示したNチャネルMOSトランジスタ33,34のチャネル幅nw3,nw4を変化させることによって、温度依存性を任意に設定することができる。また、可変抵抗素子42Aの抵抗値Raをトリミングすることによって、基準電圧VREFaを所望の電圧値に調整することが可能である。
【0052】
以上のように、実施の形態1によれば、正の温度特性を有する定電流と負の温度特性を有する定電流とを、その正の温度特性からその負の温度特性の間の温度特性となるような割合で合成し、その合成された定電流を電圧に変換することによって、基準電圧の温度依存性をある特定の範囲内で任意に設定することが可能となる。
【0053】
[実施の形態2]
実施の形態1の基準電圧発生回路10において、スタンバイ電流を低減するために電流Iの値を小さくしようとすると、同じ基準電圧VREFaの値を得るためには、電流−電圧変換回路4Aにおける可変抵抗素子42Aの抵抗値Raをその分だけ大きくする必要がある。
【0054】
しかしながら、可変抵抗素子42Aは、たとえばポリシリコンといった材料から作られるため、可変抵抗素子42Aの抵抗値Raを大きくすることは、可変抵抗素子42Aを含むチップのレイアウト面積にそのまま跳ね返ってくる。そのため、実施の形態1の電流−電圧変換回路4Aのような回路構成の場合、電流Iの値を小さくすることと可変抵抗素子42Aを含むチップのレイアウト面積を小さくすることとは、トレードオフの関係にあるという問題があった。
【0055】
ゆえに、実施の形態2の電流−電圧回路4Bでは、電流Iの値を小さくしても可変抵抗素子を含むチップのレイアウト面積を大きくせずに済む電流−電圧変換回路を提供する。
【0056】
図9は、この発明の実施の形態2による電流−電圧変換回路4Bの回路構成を示した回路図である。
【0057】
図7に示す実施の形態2の電流−電圧変換回路4Bは、バイアス電圧発生部50と、ボルテージフォロワ部60と、電流バランス部70と、可変抵抗素子42Bとを含む。
【0058】
バイアス電圧発生部50は、電源ノードとノードN11との間に接続されゲートが図4のノードN6から引き出された信号PCCを受けるPチャネルMOSトランジスタ51と、ノードN11と接地ノードとの間に接続されゲートがノードN11に接続されたNチャネルMOSトランジスタ52とを有する。NチャネルMOSトランジスタ52のサイズ(チャネル幅とチャネル長との比)は、条件に応じて設定を変え得る。
【0059】
PチャネルMOSトランジスタ51と図4のPチャネルMOSトランジスタ31,32とはカレントミラー回路を構成し、PチャネルMOSトランジスタ51には、電源電圧VCCに依存しない電流Iが流れる。また、NチャネルMOSトランジスタ52はダイオード接続されており、ノードN11にはNチャネルMOSトランジスタ52のゲート−ソース電圧がバイアス電圧BIASとして現れる。ここで、一般的なNチャネルMOSトランジスタにおけるゲート−ソース電圧の温度依存性について説明する。
【0060】
図10は、一般的なNチャネルMOSトランジスタにおけるドレイン電流Idとゲート−ソース電圧Vgsとの関係を表わした図である。なお、縦軸のドレイン電流Idは対数目盛で表わされている。
【0061】
図10に示すように、一般的なNチャネルMOSトランジスタにおけるドレイン電流Idとゲート−ソース電圧Vgsとの関係には、通常、温度依存性が存在する。しかし、ドレイン電流IdがId0のとき、低温/高温時にかかわらずゲート−ソース電圧VgsはVgs0となり、温度依存性が消失する。
【0062】
NチャネルMOSトランジスタのゲート−ソース電圧Vgsは、当該NチャネルMOSトランジスタのサイズを変化させることによっても調整可能である。したがって、再び図7を参照して、NチャネルMOSトランジスタ52のゲート−ソース電圧を温度依存性の消失するVgs0となるように調整することで、温度依存性のないバイアス電圧BIASを得ることができる。
【0063】
ボルテージフォロワ部60は、電源ノードとノードN12との間に接続されゲートがノードN12に接続されたPチャネルMOSトランジスタ61と、電源ノードとノードN13との間に接続されゲートがノードN12に接続されたPチャネルMOSトランジスタ62と、ノードN12とノードN14との間に接続されゲートがノードN11からのバイアス電圧BIASを受けるNチャネルMOSトランジスタ63と、ノードN13とノードN14との間に接続されゲートがノードN15Bに接続されたNチャネルMOSトランジスタ64とを有する。
【0064】
ボルテージフォロワ部60は、ノードN11からのバイアス電圧BIASを高入力インピーダンスで受けて、ノードN15Bに同じ値のバイアス電圧BIASを低出力インピーダンスで出力する。
【0065】
電流バランス部70は、ノードN12と接地ノードとの間に接続されゲートが図4のノードN7から引き出された信号NCCを受けるNチャネルMOSトランジスタ71と、ノードN14と接地ノードとの間に接続されゲートが図4のノードN7から引き出された信号NCCを受けるNチャネルMOSトランジスタ72と、ノードN15Bと接地ノードとの間に接続されゲートが図4のノードN7から引き出された信号NCCを受けるNチャネルMOSトランジスタ73とを有する。
【0066】
電流バランス部70は、NチャネルMOSトランジスタ71,72,73が図4のNチャネルMOSトランジスタ35とカレントミラー回路を構成し、ボルテージフォロワ部60のノードN12,N13,N14からそれぞれ流れ出る電流をバランスする。
【0067】
可変抵抗素子42Bは、ノードN13とノードN15Bとの間に接続される。可変抵抗素子42Bの抵抗値を仮にRbとおく。ノードN15Bにはバイアス電圧BIASが与えられ、可変抵抗素子42Bには定電流Iが流れるため、ノードN13から得られる電流−電圧変換回路4Bの基準電圧VREFbは、
VREFb=BIAS+I・Rb
となる。バイアス電圧BIASは温度依存性を有さず、可変抵抗素子42Bの抵抗値Rbの温度係数も小さいため、電流−電圧変換回路4Bの基準電圧VREFbの温度依存性は、定電流Iの温度依存性とほぼ等しくなる。
【0068】
図11は、電流−電圧変換回路4Bにおける基準電圧VREFbと抵抗値Rbとの関係を示した図である。
【0069】
図11に示すように、電流−電圧変換回路4Bの基準電圧VREFbは、可変抵抗素子42Bの抵抗値Rbの増加に比例して増大する。
【0070】
また、基準電圧VREFbは、実施の形態1の電流−電圧変換回路4Aにおける基準電圧VREFaと比較して、バイアス電圧BIASの分だけ底上げされている。そのため、電流Iの値を小さくしても可変抵抗素子42Bの抵抗値Rbの増大を抑えることができ、可変抵抗素子42Bを含むチップのレイアウト面積を大きくせずに済む。
【0071】
次に、電流−電圧変換回路4Bにおいて、可変抵抗素子の配置および基準電圧の取り出しノードを変更した電流−電圧変換回路4Cについて説明する。
【0072】
図12は、この発明の実施の形態2による電流−電圧変換回路4Cの回路構成を示した回路図である。
【0073】
図12に示す実施の形態2の電流−電圧変換回路4Cは、バイアス電圧発生部50と、ボルテージフォロワ部60と、電流バランス部70と、可変抵抗素子42Cとを含む。
【0074】
バイアス電圧発生部50,ボルテージフォロワ部60,および電流バランス部70は、図7に示した電流−電圧変換回路4Bと同等なので、ここでは説明を繰り返さない。
【0075】
可変抵抗素子42Cは、ノードN15CとノードN16との間に接続される。可変抵抗素子42Cの抵抗値を仮にRcとおく。ノードN15Cにはバイアス電圧BIASが与えられ、可変抵抗素子42Cには定電流Iが流れるため、ノードN16から得られる電流−電圧変換回路4Cの基準電圧VREFcは、
VREFc=BIAS−I・Rc
となる。バイアス電圧BIASは温度依存性を有さず、可変抵抗素子42Cの抵抗値Rcの温度係数も小さいため、電流−電圧変換回路4Cの基準電圧VREFcの温度依存性は、定電流Iの温度依存性とほぼ等しくなる。
【0076】
図13は、電流−電圧変換回路4Cにおける基準電圧VREFcと抵抗値Rcとの関係を示した図である。
【0077】
図13に示すように、電流−電圧変換回路4Cの基準電圧VREFcは、可変抵抗素子42Cの抵抗値Rcの増加に比例して減少する。
【0078】
次に、電流−電圧変換回路4B,4Cを一つにまとめた電流−電圧変換回路4Dについて説明する。
【0079】
図14は、この発明の実施の形態2による電流−電圧変換回路4Dの回路構成を示した回路図である。
【0080】
図14に示す実施の形態2の電流−電圧変換回路4Dは、バイアス電圧発生部50と、ボルテージフォロワ部60と、電流バランス部70と、可変抵抗素子42Dと、トランスファゲート81〜84とを含む。
【0081】
バイアス電圧発生部50,ボルテージフォロワ部60,および電流バランス部70は、図9に示した電流−電圧変換回路4Bと同等なので、ここでは説明を繰り返さない。
【0082】
可変抵抗素子42Dは、ノードN13とノードN17との間に接続される。可変抵抗素子42Dの抵抗値を仮にRdとおく。ノードN15Dにはバイアス電圧BIASが与えられ、可変抵抗素子42Dには定電流Iが流れる。
【0083】
トランスファゲート81は、制御信号PLUS,/PLUSに応じて、ノードN15DとノードN13とを接続/分離する。トランスファゲート82は、制御信号PLUS,/PLUSに応じて、ノードN15DとノードN17とを接続/分離する。トランスファゲート83は、制御信号PLUS,/PLUSに応じて、ノードN13とノードN18とを接続/分離する。トランスファゲート84は、制御信号PLUS,/PLUSに応じて、ノードN17とノードN18とを接続/分離する。
【0084】
制御信号PLUSがHレベル(制御信号/PLUSがLレベル)のとき、トランスファゲート82,83が導通し、ノードN15DとN17およびノードN13とN18がそれぞれ接続される。このとき、電流−電圧変換回路4Dは、電流電圧回路4Bの回路構成と等価となり、ノードN18から得られる電流−電圧変換回路4Dの基準電圧VREFdは、
VREFd=BIAS+I・Rd
となる。
【0085】
一方、制御信号PLUSがLレベル(制御信号/PLUSがHレベル)のとき、トランスファゲート81,84が導通し、ノードN15DとN13およびノードN17とN18がそれぞれ接続される。このとき、電流−電圧変換回路4Dは、電流電圧回路4Cの回路構成と等価となり、ノードN18から得られる電流−電圧変換回路4Dの基準電圧VREFdは、
VREFd=BIAS−I・Rd
となる。
【0086】
バイアス電圧BIASは温度依存性を有さず、可変抵抗素子42Dの抵抗値Rdの温度係数も小さい。そのため、電流−電圧変換回路4Dの基準電圧VREFdは、制御信号PLUS,/PLUSの状態にかかわらず、定電流Iの温度依存性とほぼ等しくなる。
【0087】
図15は、電流−電圧変換回路4Dにおける基準電圧VREFdと抵抗値Rdとの関係を示した図である。
【0088】
図15に示すように、電流−電圧変換回路4Dの基準電圧VREFdは、制御信号PLUS,/PLUSの状態に応じて変化の仕方が異なる。
【0089】
制御信号PLUSがHレベル(制御信号/PLUSがLレベル)のとき、VREFd=BIAS+I・Rdとなり、基準電圧VREFdは、可変抵抗素子42Dの抵抗値Rdの増加に比例して増大する。
【0090】
一方、制御信号PLUSがLレベル(制御信号/PLUSがHレベル)のとき、VREFd=BIAS−I・Rdとなり、基準電圧VREFdは、可変抵抗素子42Dの抵抗値Rdの増加に比例して減少する。
【0091】
このように、電流−電圧変換回路4Dは、制御信号PLUS,/PLUSの状態に応じて、可変抵抗素子42Dの抵抗値Rdの増加に対する基準電圧VREFdの変化の仕方が異なる。ゆえに、制御信号PLUS,/PLUSの状態制御と可変抵抗素子42Dの抵抗値Rdのトリミングとを組み合わせることによって、温度依存性を特定の範囲内で任意に設定可能な基準電圧VREFdを広い電圧範囲で得ることができる。
【0092】
以上のように、実施の形態2によれば、電流−電圧変換回路4の回路構成を改良することによって、温度依存性を特定の範囲内で任意に設定可能な基準電圧を広い電圧範囲で得ることができる。
【0093】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0094】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、基準電圧の温度依存性を所定の正の温度特性から所定の負の温度特性の間に設定可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1による基準電圧発生回路10の概略的な構成を示したブロック図である。
【図2】この発明の実施の形態1による定電流回路1Aの回路構成を示した回路図である。
【図3】この発明の実施の形態1による定電流回路2Aの回路構成を示した回路図である。
【図4】この発明の実施の形態1による電流合成回路3Aの回路構成を示した回路図である。
【図5】電流I1,I2および電流Iの温度特性を示した図である。
【図6】チャネル幅を変化させることが可能なNチャネルMOSトランジスタ部33Aの回路構成を示した回路図である。
【図7】チャネル幅を変化させることが可能なNチャネルMOSトランジスタ部33Bの回路構成を示した回路図である。
【図8】この発明の実施の形態1による電流−電圧変換回路4Aの回路構成を示した回路図である。
【図9】この発明の実施の形態2による電流−電圧変換回路4Bの回路構成を示した回路図である。
【図10】一般的なNチャネルMOSトランジスタにおけるドレイン電流Idとゲート−ソース電圧Vgsとの関係を表わした図である。
【図11】電流−電圧変換回路4Bにおける基準電圧VREFbと抵抗値Rbとの関係を示した図である。
【図12】この発明の実施の形態2による電流−電圧変換回路4Cの回路構成を示した回路図である。
【図13】電流−電圧変換回路4Cにおける基準電圧VREFcと抵抗値Rcとの関係を示した図である。
【図14】この発明の実施の形態2による電流−電圧変換回路4Dの回路構成を示した回路図である。
【図15】電流−電圧変換回路4Dにおける基準電圧VREFdと抵抗値Rdとの関係を示した図である。
【符号の説明】
1,1A,2,2A 定電流回路、3,3A 電流合成回路、4,4A,4B,4C,4D 電流−電圧変換回路、10 基準電圧発生回路、11,12,21,22,31,32,41,51,61,62 PチャネルMOSトランジスタ、13,23 抵抗素子、14,15,24,25,33,34,35,52,63,64,71,72,73,101〜106 NチャネルMOSトランジスタ、33A,33B NチャネルMOSトランジスタ部、42A,42B,42C,42D 可変抵抗素子、71,72,73,74 トランスファゲート、111,112,113 ヒューズ。
【発明の属する技術分野】
この発明は、基準電圧発生回路に関し、より特定的には、半導体集積回路に用いられる基準電圧発生回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、DRAM(Dynamic Random Access Memory)のような半導体集積回路では、外部から供給される電源電圧に基づいてまず基準電圧が生成され、この基準電圧をもとに数種類の内部電源電圧が生成される。つまり、内部電源電圧の精度は、基準電圧の精度によって支配される。
【0003】
一方、半導体集積回路における技術傾向の一つとして低電圧化がある。半導体集積回路の低電圧化が進むにつれて、今まで問題にならなかった基準電圧の温度による変動が顕在化してくるようになった。
【0004】
特許文献1に記載された従来の基準電圧発生回路は、正の温度特性を有する第1の電圧を発生する第1の電圧発生回路と、負またはゼロの温度特性を有する第2の電圧を発生する第2の電圧発生回路と、第1および第2の電圧のうち高い方の電圧を選択して基準電圧として出力するOR回路とを備える。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−11649号公報(11−13頁、図2,3)
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1に記載された従来の基準電圧発生回路は、低温領域において負またはゼロの温度特性を有し高温領域において正の温度特性を有する基準電圧を発生させることができるが、温度領域に対する温度特性が上記の温度特性に固定されてしまうという問題点があった。
【0007】
それゆえに、この発明の目的は、基準電圧の温度依存性を所定の正の温度特性から所定の負の温度特性の間に設定可能な基準電圧発生回路を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明による基準電圧発生回路は、正の温度特性を有する第1の定電流を出力する第1の定電流回路と、負の温度特性を有する第2の定電流を出力する第2の定電流回路と、第1および第2の定電流を、先の正の温度特性と先の負の温度特性との間の温度特性を有するような割合で合成することによって第3の定電流を生成する電流合成回路と、第3の定電流を電圧に変換することによって基準電圧を生成する電流−電圧変換回路とを備える。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【0010】
[実施の形態1]
図1は、この発明の実施の形態1による基準電圧発生回路10の概略的な構成を示したブロック図である。
【0011】
図1に示すように、実施の形態1の基準電圧発生回路10は、正の温度特性を有する定電流回路1と、負の温度特性を有する定電流回路2と、電流合成回路3と、電流−電圧変換回路4とを備える。ここで、「正の温度特性を有する」とは、温度が上昇するにつれて発生する電流が増大することを意味し、「負の温度特性を有する」とは、温度が上昇するにつれて発生する電流が減少することを意味する。
【0012】
正の温度特性を有する定電流回路1から出力された定電流I1、および負の温度特性を有する定電流回路2から出力された定電流I2は、ともに電流合成回路3に入力される。電流合成回路3は、定電流I1,I2を、定電流I1の正の温度特性から定電流I2の負の温度特性の間の温度特性となるような割合で合成することによって、特定の範囲内の温度依存性を有する定電流I=p・I1+q・I2(p,qは、ゼロの場合を含む係数)を出力する。定電流Iは、電流−電圧変換回路4に入力され、基準電圧VREFに変換される。
【0013】
このように、正の温度特性を有する定電流と負の温度特性を有する定電流とをその正の温度特性とその負の温度特性との間の温度特性となるような割合で合成し、その合成された定電流を電圧に変換することによって、基準電圧の温度依存性を特定の範囲内で任意に設定することが可能となる。
【0014】
以下、基準電圧発生回路10を構成する各回路の具体的な回路構成について詳細に説明する。
【0015】
図2は、この発明の実施の形態1による定電流回路1Aの回路構成を示した回路図である。
【0016】
図2に示す実施の形態1の定電流回路1Aは、電源ノードとノードN1との間に接続されゲートがノードN1に接続されたPチャネルMOSトランジスタ11と、電源ノードとノードN2との間に接続されゲートがノードN1に接続されたPチャネルMOSトランジスタ12と、電源ノードとPチャネルMOSトランジスタ12との間に接続された抵抗値R1の抵抗素子13と、ノードN1と接地ノードとの間に接続されゲートがノードN2に接続されたNチャネルMOSトランジスタ14と、ノードN2と接地ノードとの間に接続されゲートがノードN2に接続されたNチャネルMOSトランジスタ15とを含む。ノードN2から引き出された信号NCC1については、後の図4において述べる。
【0017】
NチャネルMOSトランジスタ14,15はカレントミラー回路を構成し、NチャネルMOSトランジスタ14,15のサイズ(チャネル幅とチャネル長との比)は互いに等しい。そのため、PチャネルMOSトランジスタ11,12の各々には、同じ大きさの電流I1が流れる。なお、NチャネルMOSトランジスタ14,15のチャネル幅は互いに等しく、これをnw1とおく。
【0018】
一方、PチャネルMOSトランジスタ11,12は、チャネル長は互いに等しいものの、チャネル幅pw1,pw2は互いに異なっており、pw1<pw2である。また、抵抗素子13の抵抗値R1は十分大きいため電流I1は微小電流となり、PチャネルMOSトランジスタ11,12はサブスレショルド領域で動作する。このとき、電流I1は次の式で表わせる。
【0019】
I1=S/R1・log(pw2/pw1)
ここで、Sはサブスレショルド係数,テーリング係数,Sファクタなどと呼ばれるMOSトランジスタの物理パラメータの一つである。ここでは、SをSファクタと呼ぶ。Sファクタは、S∝kT/q(k:ボルツマン係数,T:絶対温度,q:電荷素量)の関係を有し、正の温度特性を持つ。また、抵抗素子13はポリシリコン等から作られる抵抗素子であって、Sファクタに比べて温度係数が小さい。
【0020】
したがって、電流I1の温度特性は、Sファクタの温度特性をほぼそのまま反映し、正の温度特性を有する。定電流回路1Aのように、PチャネルMOSトランジスタ11,12の動作ポイントをサブスレショルド領域に設定することで定電流を実現する定電流回路は、ウィーク・インバージョン型と呼ばれる。
【0021】
図3は、この発明の実施の形態1による定電流回路2Aの回路構成を示した回路図である。
【0022】
図3に示す実施の形態1の定電流回路2Aは、電源ノードとノードN4との間に接続されゲートがノードN3に接続されたPチャネルMOSトランジスタ21と、ノードN3とノードN5との間に接続されゲートがノードN4に接続されたPチャネルMOSトランジスタ22と、電源ノードとPチャネルMOSトランジスタ22との間に接続された抵抗値R2の抵抗素子23と、ノードN4と接地ノードとの間に接続されゲートがノードN5に接続されたNチャネルMOSトランジスタ24と、ノードN5と接地ノードとの間に接続されゲートがノードN5に接続されたNチャネルMOSトランジスタ25とを含む。ノードN5から引き出された信号NCC2については、後の図4において述べる。
【0023】
NチャネルMOSトランジスタ24,25はカレントミラー回路を構成し、NチャネルMOSトランジスタ24,25のサイズ(チャネル幅とチャネル長との比)は互いに等しい。そのため、PチャネルMOSトランジスタ21,22の各々には、同じ大きさの電流I2が流れる。なお、NチャネルMOSトランジスタ24,25のチャネル幅は互いに等しく、これをnw2とおく。
【0024】
一方、PチャネルMOSトランジスタ21のサイズ,および抵抗素子23の抵抗値R2は、PチャネルMOSトランジスタ21のゲート−ソース電圧がしきい値電圧Vthp近傍となるように設定されている。このとき、電流I2は、次の式で表わせる。
【0025】
I2=Vthp/R2
MOSトランジスタのしきい値電圧は、通常−2mV/℃程度の負の温度係数を有する。また、抵抗素子23は、図2の抵抗素子13と同様、温度係数が小さい。
【0026】
したがって、電流I2の温度特性は、MOSトランジスタのしきい値電圧の温度特性をほぼそのまま反映し、負の温度特性を有する。定電流回路2Aのように、PチャネルMOSトランジスタ21の動作ポイントをしきい値近傍に設定することで定電流を実現する定電流回路は、しきい値型と呼ばれる。
【0027】
次に、定電流回路1Aによって生成された正の温度特性を有する定電流I1と定電流回路2Aによって生成された負の温度特性を有する定電流I2とを、定電流I1の正の温度特性から定電流I2の負の温度特性の間の温度特性となるような割合で合成することによって、特定の範囲内の温度依存性を有する定電流Iを生成する電流合成回路3Aについて説明する。
【0028】
図4は、この発明の実施の形態1による電流合成回路3Aの回路構成を示した回路図である。
【0029】
図4に示す実施の形態1の電流合成回路3Aは、電源ノードとノードN6との間に接続されゲートがノードN6に接続されたPチャネルMOSトランジスタ31と、電源ノードとノードN7との間に接続されゲートがノードN6に接続されたPチャネルMOSトランジスタ32と、ノードN6と接地ノードとの間に接続されゲートが図2のノードN2から引き出された信号NCC1を受けるNチャネルMOSトランジスタ33と、ノードN6と接地ノードとの間に接続されゲートが図3のノードN5から引き出された信号NCC2を受けるNチャネルMOSトランジスタ34と、ノードN7と接地ノードとの間に接続されゲートがノードN7に接続されたNチャネルMOSトランジスタ35とを含む。NチャネルMOSトランジスタ33,34のチャネル幅nw3,nw4は、条件に応じて設定を変え得る。
【0030】
NチャネルMOSトランジスタ33と図2のNチャネルMOSトランジスタ14,15とはカレントミラー回路を構成し、チャネル長は互いに等しく、チャネル幅は、NチャネルMOSトランジスタ33がnw3で、NチャネルMOSトランジスタ24,25がnw1である。そのため、NチャネルMOSトランジスタ34には(nw3/nw1)I1の電流が流れる。
【0031】
また、NチャネルMOSトランジスタ34と図3のNチャネルMOSトランジスタ24,25とはカレントミラー回路を構成し、チャネル長は互いに等しく、チャネル幅は、NチャネルMOSトランジスタ34がnw4で、NチャネルMOSトランジスタ24,25がnw2である。そのため、NチャネルMOSトランジスタ34には(nw4/nw2)I2の電流が流れる。
【0032】
したがって、PチャネルMOSトランジスタ31に流れる電流Iは、
I=p・I1+q・I2
となる。ただし、p=nw3/nw1,q=nw4/nw2である。
【0033】
PチャネルMOSトランジスタ31,32はカレントミラー回路を構成し、PチャネルMOSトランジスタ32にも電流Iが流れる。この電流Iは、たとえばカレントミラー回路を利用することによって取り出すことができる。カレントミラー回路は、ノードN6から引き出された信号PCCを共通ゲート信号として構成することもできるし、ノードN7から引き出された信号NCCを共通ゲート信号として構成することもできる。
【0034】
図5は、電流I1,I2および電流Iの温度特性を示した図である。
図5に示すように、電流I1は正の温度特性を有し、電流I2は負の温度特性を有する。電流I1,I2にそれぞれ係数p,qを乗じた上で両者を合成することにより、電流I=p・I1+q・I2が生成される。係数p,qは、図4におけるNチャネルMOSトランジスタ33,34のチャネル幅nw3,nw4を変化させることによって調整可能である。
【0035】
図5に実線で示した電流Iは、係数p,qを調整することにより温度依存性を有さない電流Iを生成した場合である。この温度依存性を有さない電流Iは一例であって、係数pを係数qに比べて相対的に大きく設定することにより、図5に破線で示した電流Iupのように正の温度特性を有する電流Iを生成することもできる。また、係数qを係数pに比べて相対的に大きく設定することにより、図5に破線で示した電流Idownのように負の温度特性を有する電流Iを生成することもできる。
【0036】
さらに、図4におけるNチャネルMOSトランジスタ33,34のいずれか一方を機能させない(係数p,qのいずれか一方をゼロとする)ことによって、電流I1またはI2をそのまま電流Iとすることもできる。
【0037】
このように、図4に示したNチャネルMOSトランジスタ33,34のチャネル幅nw3,nw4を変化させて係数p,qをある割合で設定することにより、定電流Iの温度依存性を特定の範囲内で任意に設定することが可能となる。NチャネルMOSトランジスタ33,34のチャネル幅nw3,nw4を変化させる具体的な手段について、次の図6,7で説明する。ここでは、NチャネルMOSトランジスタ33のチャネル幅を変化させる場合を例に説明する。
【0038】
図6は、チャネル幅を変化させることが可能なNチャネルMOSトランジスタ部33Aの回路構成を示した回路図である。
【0039】
図6に示すように、NチャネルMOSトランジスタ部33Aは、NチャネルMOSトランジスタ101〜103と、ヒューズ111〜113とを含む。NチャネルMOSトランジスタ101〜103は、ドレインが共通に接続され、ソースがヒューズ111〜113の一方にそれぞれ接続され、ゲートが図2のノードN2から引き出された信号NCC1を受ける。ヒューズ111〜113の他方は、接地ノードに接続される。
【0040】
NチャネルMOSトランジスタ101〜103は、チャネル長が互いに等しく、チャネル幅は、NチャネルMOSトランジスタ101,102,103がそれぞれnw31,nw32,nw33である。図6のNチャネルMOSトランジスタ部33Aは、ヒューズ111〜113を任意に溶断することによって、NチャネルMOSトランジスタ部33Aのチャネル幅を調節することができる。
【0041】
図7は、チャネル幅を変化させることが可能なNチャネルMOSトランジスタ部33Bの回路構成を示した回路図である。
【0042】
図7に示すように、NチャネルMOSトランジスタ部33Aは、NチャネルMOSトランジスタ101〜106を含む。NチャネルMOSトランジスタ101〜103は、ドレインが共通に接続され、ソースがNチャネルMOSトランジスタ104〜106のドレインにそれぞれ接続され、ゲートが図2のノードN2から引き出された信号NCC1を受ける。NチャネルMOSトランジスタ104〜106は、ソースが接地ノードに接続され、ゲートが制御信号CONT1,CONT2,CONT3をそれぞれ受ける。
【0043】
NチャネルMOSトランジスタ104〜106は、チャネル長が互いに等しく、チャネル幅は、NチャネルMOSトランジスタ104,105,106がそれぞれnw34,nw35,nw36である。図6のNチャネルMOSトランジスタ部33Bは、制御信号CONT1,CONT2,CONT3を制御してNチャネルMOSトランジスタ104〜106を任意にオンオフすることにより、NチャネルMOSトランジスタ部33Bのチャネル幅を調節することができる。
【0044】
なお、NチャネルMOSトランジスタ101,102,103のチャネル幅nw31,nw32,nw33は、互いに等しく設定する場合、または、たとえば1:2:4の比となるように設定する場合などが考えられる。チャネル幅nw31,nw32,nw33の比をある特定の比となるように設定すると、NチャネルMOSトランジスタ部33A,33Bのチャネル幅を広い範囲で調節することが可能となる。
【0045】
また、NチャネルMOSトランジスタ部33A,33Bを組み合わせた回路構成も可能である。この場合、たとえば、テスト時に制御信号CONT1,CONT2,CONT3を調整して適切なチャネル幅を決定しておき、その後にヒューズを切断することが可能となる。
【0046】
次に、電流合成回路3Aによって生成された定電流Iを基準電圧VREFaに変換する電流−電圧変換回路4Aについて説明する。
【0047】
図8は、この発明の実施の形態1による電流−電圧変換回路4Aの回路構成を示した回路図である。
【0048】
図8に示す実施の形態1の電流−電圧変換回路4Aは、電源ノードとノードN8との間に接続されゲートが図4のノードN6から引き出された信号PCCを受けるPチャネルMOSトランジスタ41と、ノードN8と接地ノードとの間に接続された可変抵抗素子42Aとを含む。可変抵抗素子42Aの抵抗値を仮にRaとおく。
【0049】
PチャネルMOSトランジスタ41と図4のPチャネルMOSトランジスタ31,32とはカレントミラー回路を構成し、PチャネルMOSトランジスタ41には、電源電圧VCCに依存しない電流Iが流れる。そのため、オームの法則により、ノードN8からは基準電圧VREFa=I・Raが得られる。
【0050】
先述したように、電流Iは、図4に示したNチャネルMOSトランジスタ33,34のチャネル幅nw3,nw4を変化させることにより、温度依存性を任意に設定し得る。また、可変抵抗素子42Aは、図2,3の抵抗素子13,23と同様、温度係数が小さい。
【0051】
したがって、ノードN8から得られる基準電圧VREFaは、図4に示したNチャネルMOSトランジスタ33,34のチャネル幅nw3,nw4を変化させることによって、温度依存性を任意に設定することができる。また、可変抵抗素子42Aの抵抗値Raをトリミングすることによって、基準電圧VREFaを所望の電圧値に調整することが可能である。
【0052】
以上のように、実施の形態1によれば、正の温度特性を有する定電流と負の温度特性を有する定電流とを、その正の温度特性からその負の温度特性の間の温度特性となるような割合で合成し、その合成された定電流を電圧に変換することによって、基準電圧の温度依存性をある特定の範囲内で任意に設定することが可能となる。
【0053】
[実施の形態2]
実施の形態1の基準電圧発生回路10において、スタンバイ電流を低減するために電流Iの値を小さくしようとすると、同じ基準電圧VREFaの値を得るためには、電流−電圧変換回路4Aにおける可変抵抗素子42Aの抵抗値Raをその分だけ大きくする必要がある。
【0054】
しかしながら、可変抵抗素子42Aは、たとえばポリシリコンといった材料から作られるため、可変抵抗素子42Aの抵抗値Raを大きくすることは、可変抵抗素子42Aを含むチップのレイアウト面積にそのまま跳ね返ってくる。そのため、実施の形態1の電流−電圧変換回路4Aのような回路構成の場合、電流Iの値を小さくすることと可変抵抗素子42Aを含むチップのレイアウト面積を小さくすることとは、トレードオフの関係にあるという問題があった。
【0055】
ゆえに、実施の形態2の電流−電圧回路4Bでは、電流Iの値を小さくしても可変抵抗素子を含むチップのレイアウト面積を大きくせずに済む電流−電圧変換回路を提供する。
【0056】
図9は、この発明の実施の形態2による電流−電圧変換回路4Bの回路構成を示した回路図である。
【0057】
図7に示す実施の形態2の電流−電圧変換回路4Bは、バイアス電圧発生部50と、ボルテージフォロワ部60と、電流バランス部70と、可変抵抗素子42Bとを含む。
【0058】
バイアス電圧発生部50は、電源ノードとノードN11との間に接続されゲートが図4のノードN6から引き出された信号PCCを受けるPチャネルMOSトランジスタ51と、ノードN11と接地ノードとの間に接続されゲートがノードN11に接続されたNチャネルMOSトランジスタ52とを有する。NチャネルMOSトランジスタ52のサイズ(チャネル幅とチャネル長との比)は、条件に応じて設定を変え得る。
【0059】
PチャネルMOSトランジスタ51と図4のPチャネルMOSトランジスタ31,32とはカレントミラー回路を構成し、PチャネルMOSトランジスタ51には、電源電圧VCCに依存しない電流Iが流れる。また、NチャネルMOSトランジスタ52はダイオード接続されており、ノードN11にはNチャネルMOSトランジスタ52のゲート−ソース電圧がバイアス電圧BIASとして現れる。ここで、一般的なNチャネルMOSトランジスタにおけるゲート−ソース電圧の温度依存性について説明する。
【0060】
図10は、一般的なNチャネルMOSトランジスタにおけるドレイン電流Idとゲート−ソース電圧Vgsとの関係を表わした図である。なお、縦軸のドレイン電流Idは対数目盛で表わされている。
【0061】
図10に示すように、一般的なNチャネルMOSトランジスタにおけるドレイン電流Idとゲート−ソース電圧Vgsとの関係には、通常、温度依存性が存在する。しかし、ドレイン電流IdがId0のとき、低温/高温時にかかわらずゲート−ソース電圧VgsはVgs0となり、温度依存性が消失する。
【0062】
NチャネルMOSトランジスタのゲート−ソース電圧Vgsは、当該NチャネルMOSトランジスタのサイズを変化させることによっても調整可能である。したがって、再び図7を参照して、NチャネルMOSトランジスタ52のゲート−ソース電圧を温度依存性の消失するVgs0となるように調整することで、温度依存性のないバイアス電圧BIASを得ることができる。
【0063】
ボルテージフォロワ部60は、電源ノードとノードN12との間に接続されゲートがノードN12に接続されたPチャネルMOSトランジスタ61と、電源ノードとノードN13との間に接続されゲートがノードN12に接続されたPチャネルMOSトランジスタ62と、ノードN12とノードN14との間に接続されゲートがノードN11からのバイアス電圧BIASを受けるNチャネルMOSトランジスタ63と、ノードN13とノードN14との間に接続されゲートがノードN15Bに接続されたNチャネルMOSトランジスタ64とを有する。
【0064】
ボルテージフォロワ部60は、ノードN11からのバイアス電圧BIASを高入力インピーダンスで受けて、ノードN15Bに同じ値のバイアス電圧BIASを低出力インピーダンスで出力する。
【0065】
電流バランス部70は、ノードN12と接地ノードとの間に接続されゲートが図4のノードN7から引き出された信号NCCを受けるNチャネルMOSトランジスタ71と、ノードN14と接地ノードとの間に接続されゲートが図4のノードN7から引き出された信号NCCを受けるNチャネルMOSトランジスタ72と、ノードN15Bと接地ノードとの間に接続されゲートが図4のノードN7から引き出された信号NCCを受けるNチャネルMOSトランジスタ73とを有する。
【0066】
電流バランス部70は、NチャネルMOSトランジスタ71,72,73が図4のNチャネルMOSトランジスタ35とカレントミラー回路を構成し、ボルテージフォロワ部60のノードN12,N13,N14からそれぞれ流れ出る電流をバランスする。
【0067】
可変抵抗素子42Bは、ノードN13とノードN15Bとの間に接続される。可変抵抗素子42Bの抵抗値を仮にRbとおく。ノードN15Bにはバイアス電圧BIASが与えられ、可変抵抗素子42Bには定電流Iが流れるため、ノードN13から得られる電流−電圧変換回路4Bの基準電圧VREFbは、
VREFb=BIAS+I・Rb
となる。バイアス電圧BIASは温度依存性を有さず、可変抵抗素子42Bの抵抗値Rbの温度係数も小さいため、電流−電圧変換回路4Bの基準電圧VREFbの温度依存性は、定電流Iの温度依存性とほぼ等しくなる。
【0068】
図11は、電流−電圧変換回路4Bにおける基準電圧VREFbと抵抗値Rbとの関係を示した図である。
【0069】
図11に示すように、電流−電圧変換回路4Bの基準電圧VREFbは、可変抵抗素子42Bの抵抗値Rbの増加に比例して増大する。
【0070】
また、基準電圧VREFbは、実施の形態1の電流−電圧変換回路4Aにおける基準電圧VREFaと比較して、バイアス電圧BIASの分だけ底上げされている。そのため、電流Iの値を小さくしても可変抵抗素子42Bの抵抗値Rbの増大を抑えることができ、可変抵抗素子42Bを含むチップのレイアウト面積を大きくせずに済む。
【0071】
次に、電流−電圧変換回路4Bにおいて、可変抵抗素子の配置および基準電圧の取り出しノードを変更した電流−電圧変換回路4Cについて説明する。
【0072】
図12は、この発明の実施の形態2による電流−電圧変換回路4Cの回路構成を示した回路図である。
【0073】
図12に示す実施の形態2の電流−電圧変換回路4Cは、バイアス電圧発生部50と、ボルテージフォロワ部60と、電流バランス部70と、可変抵抗素子42Cとを含む。
【0074】
バイアス電圧発生部50,ボルテージフォロワ部60,および電流バランス部70は、図7に示した電流−電圧変換回路4Bと同等なので、ここでは説明を繰り返さない。
【0075】
可変抵抗素子42Cは、ノードN15CとノードN16との間に接続される。可変抵抗素子42Cの抵抗値を仮にRcとおく。ノードN15Cにはバイアス電圧BIASが与えられ、可変抵抗素子42Cには定電流Iが流れるため、ノードN16から得られる電流−電圧変換回路4Cの基準電圧VREFcは、
VREFc=BIAS−I・Rc
となる。バイアス電圧BIASは温度依存性を有さず、可変抵抗素子42Cの抵抗値Rcの温度係数も小さいため、電流−電圧変換回路4Cの基準電圧VREFcの温度依存性は、定電流Iの温度依存性とほぼ等しくなる。
【0076】
図13は、電流−電圧変換回路4Cにおける基準電圧VREFcと抵抗値Rcとの関係を示した図である。
【0077】
図13に示すように、電流−電圧変換回路4Cの基準電圧VREFcは、可変抵抗素子42Cの抵抗値Rcの増加に比例して減少する。
【0078】
次に、電流−電圧変換回路4B,4Cを一つにまとめた電流−電圧変換回路4Dについて説明する。
【0079】
図14は、この発明の実施の形態2による電流−電圧変換回路4Dの回路構成を示した回路図である。
【0080】
図14に示す実施の形態2の電流−電圧変換回路4Dは、バイアス電圧発生部50と、ボルテージフォロワ部60と、電流バランス部70と、可変抵抗素子42Dと、トランスファゲート81〜84とを含む。
【0081】
バイアス電圧発生部50,ボルテージフォロワ部60,および電流バランス部70は、図9に示した電流−電圧変換回路4Bと同等なので、ここでは説明を繰り返さない。
【0082】
可変抵抗素子42Dは、ノードN13とノードN17との間に接続される。可変抵抗素子42Dの抵抗値を仮にRdとおく。ノードN15Dにはバイアス電圧BIASが与えられ、可変抵抗素子42Dには定電流Iが流れる。
【0083】
トランスファゲート81は、制御信号PLUS,/PLUSに応じて、ノードN15DとノードN13とを接続/分離する。トランスファゲート82は、制御信号PLUS,/PLUSに応じて、ノードN15DとノードN17とを接続/分離する。トランスファゲート83は、制御信号PLUS,/PLUSに応じて、ノードN13とノードN18とを接続/分離する。トランスファゲート84は、制御信号PLUS,/PLUSに応じて、ノードN17とノードN18とを接続/分離する。
【0084】
制御信号PLUSがHレベル(制御信号/PLUSがLレベル)のとき、トランスファゲート82,83が導通し、ノードN15DとN17およびノードN13とN18がそれぞれ接続される。このとき、電流−電圧変換回路4Dは、電流電圧回路4Bの回路構成と等価となり、ノードN18から得られる電流−電圧変換回路4Dの基準電圧VREFdは、
VREFd=BIAS+I・Rd
となる。
【0085】
一方、制御信号PLUSがLレベル(制御信号/PLUSがHレベル)のとき、トランスファゲート81,84が導通し、ノードN15DとN13およびノードN17とN18がそれぞれ接続される。このとき、電流−電圧変換回路4Dは、電流電圧回路4Cの回路構成と等価となり、ノードN18から得られる電流−電圧変換回路4Dの基準電圧VREFdは、
VREFd=BIAS−I・Rd
となる。
【0086】
バイアス電圧BIASは温度依存性を有さず、可変抵抗素子42Dの抵抗値Rdの温度係数も小さい。そのため、電流−電圧変換回路4Dの基準電圧VREFdは、制御信号PLUS,/PLUSの状態にかかわらず、定電流Iの温度依存性とほぼ等しくなる。
【0087】
図15は、電流−電圧変換回路4Dにおける基準電圧VREFdと抵抗値Rdとの関係を示した図である。
【0088】
図15に示すように、電流−電圧変換回路4Dの基準電圧VREFdは、制御信号PLUS,/PLUSの状態に応じて変化の仕方が異なる。
【0089】
制御信号PLUSがHレベル(制御信号/PLUSがLレベル)のとき、VREFd=BIAS+I・Rdとなり、基準電圧VREFdは、可変抵抗素子42Dの抵抗値Rdの増加に比例して増大する。
【0090】
一方、制御信号PLUSがLレベル(制御信号/PLUSがHレベル)のとき、VREFd=BIAS−I・Rdとなり、基準電圧VREFdは、可変抵抗素子42Dの抵抗値Rdの増加に比例して減少する。
【0091】
このように、電流−電圧変換回路4Dは、制御信号PLUS,/PLUSの状態に応じて、可変抵抗素子42Dの抵抗値Rdの増加に対する基準電圧VREFdの変化の仕方が異なる。ゆえに、制御信号PLUS,/PLUSの状態制御と可変抵抗素子42Dの抵抗値Rdのトリミングとを組み合わせることによって、温度依存性を特定の範囲内で任意に設定可能な基準電圧VREFdを広い電圧範囲で得ることができる。
【0092】
以上のように、実施の形態2によれば、電流−電圧変換回路4の回路構成を改良することによって、温度依存性を特定の範囲内で任意に設定可能な基準電圧を広い電圧範囲で得ることができる。
【0093】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【0094】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、基準電圧の温度依存性を所定の正の温度特性から所定の負の温度特性の間に設定可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態1による基準電圧発生回路10の概略的な構成を示したブロック図である。
【図2】この発明の実施の形態1による定電流回路1Aの回路構成を示した回路図である。
【図3】この発明の実施の形態1による定電流回路2Aの回路構成を示した回路図である。
【図4】この発明の実施の形態1による電流合成回路3Aの回路構成を示した回路図である。
【図5】電流I1,I2および電流Iの温度特性を示した図である。
【図6】チャネル幅を変化させることが可能なNチャネルMOSトランジスタ部33Aの回路構成を示した回路図である。
【図7】チャネル幅を変化させることが可能なNチャネルMOSトランジスタ部33Bの回路構成を示した回路図である。
【図8】この発明の実施の形態1による電流−電圧変換回路4Aの回路構成を示した回路図である。
【図9】この発明の実施の形態2による電流−電圧変換回路4Bの回路構成を示した回路図である。
【図10】一般的なNチャネルMOSトランジスタにおけるドレイン電流Idとゲート−ソース電圧Vgsとの関係を表わした図である。
【図11】電流−電圧変換回路4Bにおける基準電圧VREFbと抵抗値Rbとの関係を示した図である。
【図12】この発明の実施の形態2による電流−電圧変換回路4Cの回路構成を示した回路図である。
【図13】電流−電圧変換回路4Cにおける基準電圧VREFcと抵抗値Rcとの関係を示した図である。
【図14】この発明の実施の形態2による電流−電圧変換回路4Dの回路構成を示した回路図である。
【図15】電流−電圧変換回路4Dにおける基準電圧VREFdと抵抗値Rdとの関係を示した図である。
【符号の説明】
1,1A,2,2A 定電流回路、3,3A 電流合成回路、4,4A,4B,4C,4D 電流−電圧変換回路、10 基準電圧発生回路、11,12,21,22,31,32,41,51,61,62 PチャネルMOSトランジスタ、13,23 抵抗素子、14,15,24,25,33,34,35,52,63,64,71,72,73,101〜106 NチャネルMOSトランジスタ、33A,33B NチャネルMOSトランジスタ部、42A,42B,42C,42D 可変抵抗素子、71,72,73,74 トランスファゲート、111,112,113 ヒューズ。
Claims (7)
- 正の温度特性を有する第1の定電流を出力する第1の定電流回路と、
負の温度特性を有する第2の定電流を出力する第2の定電流回路と、
前記第1および第2の定電流を、前記正の温度特性と前記負の温度特性との間の温度特性を有するような割合で合成することによって第3の定電流を生成する電流合成回路と、
前記第3の定電流を電圧に変換することによって基準電圧を生成する電流−電圧変換回路とを備える、基準電圧発生回路。 - 前記電流合成回路は、
前記第1の定電流回路からのカレントミラー接続によって、前記第1の定電流に第1の係数を乗じた第4の定電流を生成する第1のトランジスタと、
前記第2の定電流回路からのカレントミラー接続によって、前記第2の定電流に第2の係数を乗じた第5の定電流を生成する第2のトランジスタと、
前記第4および第5の定電流が加算されて生成された前記第3の定電流を受ける第3のトランジスタとを含む、請求項1に記載の基準電圧発生回路。 - 前記第1および第2のトランジスタは、チャネル幅とチャネル長との比を変更することができる、請求項2に記載の基準電圧発生回路。
- 前記電流−電圧変換回路は、
前記電流合成回路からのカレントミラー接続によって前記第3の定電流を受けるトランジスタと、
前記第3の定電流を第1の電圧に変換する、温度依存性の小さな可変抵抗素子と、
前記第1の電圧を前記基準電圧として出力する基準電圧端子とを含む、請求項1に記載の基準電圧発生回路。 - 前記電流−電圧変換回路は、
バイアス電圧を発生するバイアス電圧発生部と、
前記第3の定電流を第1の電圧に変換する、温度依存性の小さな可変抵抗素子と、
前記バイアス電圧に前記第1の電圧を加算した第2の電圧を前記基準電圧として出力する基準電圧端子とを含む、請求項1に記載の基準電圧発生回路。 - 前記電流−電圧変換回路は、
バイアス電圧を発生するバイアス電圧発生部と、
前記第3の定電流を第1の電圧に変換する、温度依存性の小さな可変抵抗素子と、
前記バイアス電圧から前記第1の電圧を減算した第3の電圧を前記基準電圧として出力する基準電圧端子とを含む、請求項1に記載の基準電圧発生回路。 - 前記電流−電圧変換回路は、
バイアス電圧を発生するバイアス電圧発生部と、
前記第3の定電流を第1の電圧に変換する、温度依存性の小さな可変抵抗素子と、
制御信号に応じて、前記バイアス電圧に前記第1の電圧を加算した第2の電圧および前記バイアス電圧から前記第1の電圧を減算した第3の電圧のいずれか一方を選択する選択部と、
前記選択部によって選択された前記第2または第3の電圧を前記基準電圧として出力する基準電圧端子とを含む、請求項1に記載の基準電圧発生回路。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003107758A JP2004318235A (ja) | 2003-04-11 | 2003-04-11 | 基準電圧発生回路 |
US10/658,192 US20040207380A1 (en) | 2003-04-11 | 2003-09-10 | Reference voltage generating circuit capable of controlling temperature dependency of reference voltage |
TW092125723A TW200421354A (en) | 2003-04-11 | 2003-09-18 | Reference voltage generating circuit |
KR1020030091043A KR20040089433A (ko) | 2003-04-11 | 2003-12-15 | 기준 전압의 온도 의존성을 제어할 수 있는 기준 전압발생 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003107758A JP2004318235A (ja) | 2003-04-11 | 2003-04-11 | 基準電圧発生回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004318235A true JP2004318235A (ja) | 2004-11-11 |
Family
ID=33156934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003107758A Withdrawn JP2004318235A (ja) | 2003-04-11 | 2003-04-11 | 基準電圧発生回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040207380A1 (ja) |
JP (1) | JP2004318235A (ja) |
KR (1) | KR20040089433A (ja) |
TW (1) | TW200421354A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005044051A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Ricoh Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
JP2005071172A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Ricoh Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
JP2006145367A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
JP2007200234A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Nec Electronics Corp | 非線形カレントミラー回路で駆動する基準電圧回路 |
JP2007323799A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Hynix Semiconductor Inc | 温度依存性を有する内部電源発生装置 |
JP2008071335A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Hynix Semiconductor Inc | バンドギャップレファレンス回路とこれを利用した温度情報出力装置 |
US7430149B2 (en) | 2005-09-01 | 2008-09-30 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
KR100957228B1 (ko) * | 2007-11-08 | 2010-05-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 밴드갭 기준전압 발생회로 |
JP4478994B1 (ja) * | 2009-06-24 | 2010-06-09 | 一 安東 | 基準電圧発生回路 |
JP2010231774A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-10-14 | Semiconductor Technology Academic Research Center | 基準電流源回路 |
JP2011150561A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路およびそれを用いた差動増幅器およびバッファアンプ |
US8284624B2 (en) | 2009-02-03 | 2012-10-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Level detector, internal voltage generator including level detector, and semiconductor memory device including internal voltage generator |
JP2017027445A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | ボルテージレギュレータ |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4374254B2 (ja) * | 2004-01-27 | 2009-12-02 | Okiセミコンダクタ株式会社 | バイアス電圧発生回路 |
JP2006244228A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Elpida Memory Inc | 電源回路 |
CN100515031C (zh) * | 2005-06-29 | 2009-07-15 | 罗姆股份有限公司 | 视频信号处理电路以及安装了该电路的电子设备 |
JP4713280B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-06-29 | 株式会社リコー | 基準電圧発生回路及び基準電圧発生回路を使用した定電圧回路 |
KR100881719B1 (ko) * | 2007-09-12 | 2009-02-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 기준전압발생회로 |
US7727833B2 (en) * | 2008-04-07 | 2010-06-01 | Microchip Technology Incorporated | Work function based voltage reference |
US7675134B2 (en) * | 2008-04-07 | 2010-03-09 | Microchip Technology Incorporated | Temperature compensated work function based voltage reference |
US8669808B2 (en) * | 2009-09-14 | 2014-03-11 | Mediatek Inc. | Bias circuit and phase-locked loop circuit using the same |
WO2012091777A2 (en) * | 2010-10-04 | 2012-07-05 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Complementary biasing circuits and related methods |
US9964975B1 (en) * | 2017-09-29 | 2018-05-08 | Nxp Usa, Inc. | Semiconductor devices for sensing voltages |
KR102523129B1 (ko) | 2018-06-08 | 2023-04-20 | 삼성전자주식회사 | 읽기/프로그램/소거 전압을 생성하기 위한 보상 회로 |
JP2020004136A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | 株式会社リコー | 半導体集積回路および電源供給装置 |
CN117631742A (zh) * | 2022-08-15 | 2024-03-01 | 长鑫存储技术有限公司 | 电源电路与芯片 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5315230A (en) * | 1992-09-03 | 1994-05-24 | United Memories, Inc. | Temperature compensated voltage reference for low and wide voltage ranges |
US6052020A (en) * | 1997-09-10 | 2000-04-18 | Intel Corporation | Low supply voltage sub-bandgap reference |
US5994945A (en) * | 1998-03-16 | 1999-11-30 | Integrated Device Technology, Inc. | Circuit for compensating for variations in both temperature and supply voltage |
JP2000011649A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US6181191B1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-01-30 | International Business Machines Corporation | Dual current source circuit with temperature coefficients of equal and opposite magnitude |
EP1315063A1 (en) * | 2001-11-14 | 2003-05-28 | Dialog Semiconductor GmbH | A threshold voltage-independent MOS current reference |
-
2003
- 2003-04-11 JP JP2003107758A patent/JP2004318235A/ja not_active Withdrawn
- 2003-09-10 US US10/658,192 patent/US20040207380A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-18 TW TW092125723A patent/TW200421354A/zh unknown
- 2003-12-15 KR KR1020030091043A patent/KR20040089433A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005044051A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Ricoh Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
JP2005071172A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Ricoh Co Ltd | 基準電圧発生回路 |
JP2006145367A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
US8014224B2 (en) | 2005-09-01 | 2011-09-06 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
CN1925058B (zh) * | 2005-09-01 | 2011-10-19 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体装置 |
US7430149B2 (en) | 2005-09-01 | 2008-09-30 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
JP2007200234A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Nec Electronics Corp | 非線形カレントミラー回路で駆動する基準電圧回路 |
JP2007323799A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Hynix Semiconductor Inc | 温度依存性を有する内部電源発生装置 |
JP2008071335A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-03-27 | Hynix Semiconductor Inc | バンドギャップレファレンス回路とこれを利用した温度情報出力装置 |
KR100957228B1 (ko) * | 2007-11-08 | 2010-05-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 밴드갭 기준전압 발생회로 |
US8284624B2 (en) | 2009-02-03 | 2012-10-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Level detector, internal voltage generator including level detector, and semiconductor memory device including internal voltage generator |
US8483001B2 (en) | 2009-02-03 | 2013-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Level detector, internal voltage generator including level detector, and semiconductor memory device including internal voltage generator |
JP2010231774A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-10-14 | Semiconductor Technology Academic Research Center | 基準電流源回路 |
JP4478994B1 (ja) * | 2009-06-24 | 2010-06-09 | 一 安東 | 基準電圧発生回路 |
JP2011008438A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Hajime Ando | 基準電圧発生回路 |
JP2011150561A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Rohm Co Ltd | 半導体集積回路およびそれを用いた差動増幅器およびバッファアンプ |
JP2017027445A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | ボルテージレギュレータ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040089433A (ko) | 2004-10-21 |
US20040207380A1 (en) | 2004-10-21 |
TW200421354A (en) | 2004-10-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004318235A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
JP3512332B2 (ja) | 内部電圧発生回路 | |
US7084695B2 (en) | Method and apparatus for low voltage temperature sensing | |
JP4574938B2 (ja) | 半導体装置の内部基準電圧生成回路及びこれを備える内部供給電圧生成回路 | |
US6631503B2 (en) | Temperature programmable timing delay system | |
JP5607963B2 (ja) | 基準電圧回路および半導体集積回路 | |
US9971376B2 (en) | Voltage reference circuits with programmable temperature slope and independent offset control | |
US8890503B2 (en) | Step-down power supply circuit | |
TW200522372A (en) | Low voltage cmos bandgap reference | |
US20060138582A1 (en) | Digital temperature sensing device using temperature depending characteristic of contact resistance | |
JP2004133800A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2007052718A (ja) | バンドギャップ回路 | |
JP2008015925A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
US6411554B1 (en) | High voltage switch circuit having transistors and semiconductor memory device provided with the same | |
JP2009259373A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
US11429131B2 (en) | Constant current circuit and semiconductor apparatus | |
JPH06350355A (ja) | 電流制御電圧発生回路 | |
EP1505467A2 (en) | Voltage reference generator providing an output voltage lower than the bandgap voltage | |
TW202236044A (zh) | 溫度補償電路 | |
JP2003256056A (ja) | Mos型基準電圧発生回路 | |
KR100422442B1 (ko) | 전류원을 사용한 지연회로 | |
TWI792988B (zh) | 電壓生成電路及半導體裝置 | |
KR20190044937A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
JP2005534124A (ja) | バンドギャップ基準回路 | |
KR20050041592A (ko) | 온도 보상이 가능한 내부전압 발생장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060704 |