TW202236044A - 溫度補償電路 - Google Patents

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阿密特 昆杜
洪照俊
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台灣積體電路製造股份有限公司
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Abstract

本揭示內容提供用於產生一溫度補償參考電壓的系統及方法。一溫度補償電路可包括與絕對溫度成比例（PTAT）電路及與絕對溫度互補（CTAT）電路，其中PTAT電路及CTAT電路包括至少一公共金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），且用以回應於經調整的電流輸入而共同產生參考電壓。PTAT電路可用以隨著溫度的升高而產生參考電壓之幅度的增大，且CTAT電路可用以隨著溫度的升高而產生參考電壓之幅度的減小，其中由PTAT電路產生的參考電壓之幅度的增大至少部分地被由CTAT電路產生的參考電壓之幅度的減小所抵消。

Description

電壓參考溫度補償電路及方法
本揭示內容中描述之技術通常係關於電壓參考電路及方法。
電壓參考係通常用作混合模式及類比積體電路（integrated circuit，IC）中的功能區塊的電路，例如資料轉換器、鎖相迴路（phase lock-loop，PLL）、振盪器、電源管理電路、動態隨機存取記憶體（dynamic random access memory，DRAM）、快閃記憶體等。較佳地，電壓參考通常與溫度、電源及負載變化無關。
為了幫助補償溫度變化，已知的電壓參考電路包括利用雙極接面電晶體（bipolar junction transistor，BJT）技術的溫度補償電路。在諸如低電壓參考電路之演進技術中，基於BJT的溫度補償電路的效能可能受到限制，例如由於BJT或二極體接入電壓。因此，需要使用基於金屬氧化物半導體（metal-oxide semiconductor，MOS）的技術來提供高精度、低溫度係數（temperature coefficient，TC）調整電壓的電壓參考電路。
無
以下揭示內容提供了許多不同的實施例或實例，用於實現所提供主題的不同特徵。下面描述組件及組態的特定實例以簡化本揭示內容。當然，這些僅為實例，並不旨在限制。此外，本揭示內容可重複各種實例中的參考標記及/或字母。此類重複係為了簡單及清楚之目的，其本身並不規定所論述之各種實施例及/或組態之間的關係。
根據本揭示內容之各種實施例通常係關於積體電路（integrated circuit，IC）裝置，更特定而言，提供用於低壓應用中之製程不變及溫度無關之電壓參考電路的電路及產生電路的方法。高溫通常會改變IC裝置的特性，對其工作速度及可靠性產生不利影響，因此需要低成本及溫度無關的裝置，特別是對於現代可攜式及物聯網（Internet-of-things，IoT）裝置。IoT裝置通常不受限制，需要低功耗的組件。用於IoT應用之感測裝置，如壓力、溫度或濕度感測器，使用與溫度無關且在低偏壓下工作的類比數位轉換器（analog-to-digital converter，ADC）及數位類比轉換器（digital-to-analog converter，DAC）組件。根據本揭示內容之電壓參考電路係用於上述低功率IoT應用或諸如低壓差（low dropout，LDO）穩壓器之電源系統的不可或缺的重要部件。
第1圖係實例性電壓參考電路100的方塊圖。根據本揭示內容之電壓參考電路藉由補償溫度變化引起的輸出變化來產生大體上與溫度無關的電壓輸出。電壓參考電路100可包含與絕對溫度互補（complementary-to-absolute-temperature，CTAT）電路102及與絕對溫度成比例（proportional-to-absolute temperature，PTAT）電路104，與絕對溫度互補電路102及與絕對溫度成比例電路104接收電壓輸入（Vin）106且產生大體上與溫度無關的輸出電壓（Vref）108。
電壓參考電路100係大體上與溫度無關的電壓參考電路，其中PTAT電路104的正溫度依賴性被CTAT電路102的負溫度依賴性抵消，因此產生參考溫度下的穩定輸出電壓（Vref）108。在PTAT電路104中，輸出電壓的變化與溫度成比例，即，分別隨著溫度的升高及降低而增大及減小。在CTAT電路102中，輸出電壓的變化與溫度互補，即，分別隨著溫度的升高及降低而降低及升高。在操作中，PTAT電路104產生輸出電壓V P及電流I P，CTAT電路102產生輸出電壓V C及電流I C。將CTAT電路102及PTAT電路104產生的輸出電流組合以產生參考電壓（Vref）108。參考電壓（Vref）108對溫度或電源的變化大體不敏感。
第2圖係包括組合PTAT/CTAT溫度調整電路202之實例性電壓參考電路200的圖。電壓參考電路200包括產生調整電流輸入（I 1）208的電流偏置電路204及電流鏡電路206，以及回應於調整電流輸入（I 1）208而產生大體上與溫度無關的參考電壓（Vref）210的溫度調整電路202。
電流偏置電路204用以回應於電源電壓（VDD）214輸入而產生恆定偏置電流212。下面參考第9圖描述電流偏置電路204的實例。電流鏡電路206用以將恆定偏置電流212鏡像為調整電流輸入（I 1）208，而不考慮負載。第8圖、第10圖及第11圖說明電流鏡電路206的實例如下。
溫度補償電路202包括與絕對溫度成比例（PTAT）電路及與絕對溫度互補（CTAT）電路，與絕對溫度成比例電路及與絕對溫度互補電路共享公共金屬氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET）（M 2）216。PTAT及CTAT電路回應於調整電流輸入（I 1）208產生大體上與溫度無關的參考電壓（Vref）210。PTAT電路包括第一MOSFET（M 1）218及公共MOSFET（M 2）216，且隨著溫度的升高產生參考電壓（Vref）210的幅度的增大。CTAT電路包括第一電阻器（R 1）220、第二電阻器（R 2）222及公共MOSFET（M 2）216，且隨著溫度的升高產生參考電壓（Vref）210的幅度減小。因此，由PTAT電路產生的參考電壓（Vref）210的幅度的增大至少部分地被由CTAT電路產生的參考電壓（Vref）的幅度的減小抵消，反之亦然。
在PTAT電路中，第一MOSFET（M 1）218的源極端子及第一MOSFET（M 1）218的閘極端子耦接至溫度補償電路202的輸入節點（Va）224，第一MOSFET（M 1）218的汲極端子在溫度補償電路202的輸出節點（Vref）226處耦接至公共MOSFET（M 2）216的源極端子，且公共MOSFET（M 2）216的汲極端子耦接至接地電位。在CTAT電路中，第一電阻器（R 1）220耦接於第一MOSFET（M 1）218的閘極端子與公共MOSFET（M 2）216的閘極端子之間，第二電阻器（R 2）222耦接於公共MOSFET（M 2）216的閘極端子與接地電位之間。
可選擇MOSFET（M 1及M 2）218、216的尺寸以及電阻器（R 1及R 2）220、222的值，以便調整溫度補償電路202之溫度係數（temperature coefficient，TC），使得參考電壓（Vref）210的輸出係準確的且大體上與溫度無關（即，即使對於低VDD操作，亦能實現低TC。例如，在一個實施例中，MOSFET M 1及M 2（218、216）的大小可為N:1的比率，且M 1、M 2、R 1及R 2的值可基於以下等式來選擇：
Figure 02_image001
, 其中 Va係節點224處的電壓，Vref係節點226處的參考電壓，Vgs M1係M 1218的閘極源極電壓。使用分壓器規則：
Figure 02_image003
, 其中Vgs M2係M 2216的閘極源極電壓。M 1及M 2（218，216）在次臨限值條件下偏置。在次臨限值條件下，MOS Vgs如下：
Figure 02_image005
,
Figure 02_image007
, 其中 k係玻耳茲曼常數，T係絕對溫度，q係電荷（單位為eV），Vth係MOSFET臨限值電壓，η=次臨限值擺幅，Id=電流，W/L=MOS的寬度/長度，μ=遷移率。因此
Figure 02_image009
,
Figure 02_image011
, 其中Vth/μ對於兩個電晶體（M1及M2）係相同的；Id在此拓撲中係相同的，只有M1的W/L~M2的N*W.L。因此，PTAT及CTAT電路的操作可表示為：
Figure 02_image013
, 其中{η*（kT/q）*ln（N）}表示PTAT電路的操作，{（R1/R2）*Vgs M2}表示CTAT電路的操作。
第3圖係包括組合PTAT/CTAT溫度調整電路302之第二實例性電壓參考電路300的圖。此電壓參考電路300與第2圖中所示的實例電壓參考電路200相同，唯在本實施例中M 1及M 2（304、306）各自包括一系列MOSFET除外。特定而言，所示實施例電壓參考電路300中的M 1304及M 2306各自包括以堆疊閘極配置連接之複數個MOSFET，即，MOSFET藉由其源極汲極端子串聯耦接，且每個MOSFET之閘極端子耦接在一起。例如，可選擇每個堆疊（M 1及M 2）中MOSFET的數量及尺寸來提高溫度調整電路302的精度，同時保持M 1及M 2的比率為N:1。應理解，增大堆疊中電晶體的數量可提高溫度調整電路302的精度，但可能以降低TC效能為代價。包括用於M1 304及M2 306的堆疊電晶體亦可使得能夠使用較短通道長度的MOS裝置。
第4圖係包括組合PTAT/CTAT溫度調整電路402之第三實例電壓電壓參考電路400的圖。此電壓參考電路400與第2圖中所示的實例電壓參考電路200相同，除此之外，在本實施例中第二電阻器（R 2）404係可調整以調整溫度調整電路402之TC的可變電阻器。增大R 2404的值降低CTAT，使得溫度調整電路402的TC更為正。相反，減小R 2404的值增大CTAT，使得溫度調整電路402的TC負移。對於所示的溫度調整電路402，此係藉由調整以下操作等式中的R 2的值來實現的：
Figure 02_image015
第5圖係可用於第4圖中的可調整電阻器R 2404的電阻器微調電路500的實例。實例電阻器微調電路500包括串聯的複數個電阻器501～503，以及複數個選擇電晶體505～507。選擇電晶體505～507藉由其源極汲極端子串聯，且每個選擇電晶體505～507與複數個電阻器501～503中的相應一個並聯連接。選擇電晶體505～507在其閘極端子處由一系列電阻器微調位元（Bit＜0＞ ~Bit(＜2＞）509～511控制，用於將電阻器501～503耦接至電阻器網路中或自電阻器網路中耦接出來，以便調整電阻器微調電路500的電阻。例如，在Bit＜0＞ 509上接收邏輯高位準信號將導致選擇電晶體505導通，因此，繞過電阻器網路中的電阻器501並降低電阻器微調電路500的總電阻。以此方式，一系列電阻器微調位元（Bit＜0＞~Bit(＜2＞）509～511的值可選擇，以便提供可調整電阻器，例如第4圖中之電阻器R 2404。
第6圖係包括組合PTAT/CTAT溫度調整電路之第四實例性電壓參考電路600的圖。此電壓參考電路600與第2圖所示的實例電壓參考電路200相同，除此之外，在本實施例中，PTAB電路可藉由使用MOS微調電路602調整第一電晶體（M 1）218之效應來調整。MOS微調電路602包括複數個微調MOSFET 604、606以及複數個選擇電晶體605、607。微調MOSFET 604、606使用複數個選擇電晶體605、607選擇性地與第一電晶體（M 1）218並聯耦接，複數個選擇電晶體605、607使用一系列控制位元（Bit＜0＞, Bit＜1＞）608、610進行控制。控制位元（Bit＜0＞, Bit＜1＞）608、610各自在複數個選擇電晶體605、607中之一者的閘極端子處接收，且用以將各別微調MOSFET 604、606耦接至MOS微調網路中或耦接出MOS微調網路。例如，在Bit＜1＞ 610上接收邏輯高位準信號將導致選擇電晶體607導通，因此將MOSFET 606耦接至微調網路。以此方式，可選擇控制位元（Bit＜0＞, Bit(＜1＞）509～511，以便藉由調整以下運算方程中之 N值來調整PTAT電路的解析度：
Figure 02_image015
第7圖係包括組合PTAT/CTAT溫度調整電路702之第五實例電壓參考電路700的圖。此電壓參考電路700與第3圖中所示的實例電壓參考電路300相同，除此之外，在本實施例中，電阻R2被分割成複數個電阻器（R2a~R2z）704，這些電阻器耦接於M 2306之的MOSFET 306堆疊中之電晶體的閘極端子之間。例如，在所說明實施例中，複數個電阻器（R2a~R2z）704中之一者耦接於用於M 2306之MOSFET 306堆疊中的每對相鄰電晶體的閘極端子之間。在本實施例中，R2之電阻器的增大提供了用於選擇R2的值的提高的解析度，以便微調溫度調整電路702的TC。
第8圖及第9圖分別說明可在第2圖、第3圖、第4圖、第6圖及第7圖所示的電壓參考電路中使用的電流鏡電路800及電流偏置電路900的實例。首先參考第8圖，實例電流鏡電路800包括第一參考電流MOSFET 802、第二參考電流MOSFET 804及輸出電流MOSFET 806。第一及第二參考電流MOSFET 802、804被組態為第一電流鏡，第一電流鏡輸出輸入至差分電流偏置電路的參考電流（I R1）及鏡像參考電流（I R2），例如如第9圖所示。參考電流MOSFET 802、804亦以電流鏡組態與輸出MOSFET 806連接，形成將參考電流（I R1及I R2）鏡像為輸出電流（I 1）之第二電流鏡。
第9圖所示的實例性電流偏置電路900包括形成差分放大器對之第一及第二偏置MOSFET 902、904以及耦接於第一偏置MOSFET 902之源極端子與接地電位之間的偏置電阻器906。偏置MOSFET 902、904之跨導（g m）值例如可緊密匹配以提供基本恆定的跨導電流偏置。以此方式，可藉由電流鏡之參考電流分支維持基本恆定的參考電流（I R1及I R2）。
應理解，其他電流鏡及/或電流偏置電路組態亦可用於第2圖、第3圖、第4圖、第6圖及第7圖所示的電壓參考電路中。較佳地，其他實例電流鏡組態將包括低偏置條件中的低變化，且其他實例電流偏置組態將包括大體上製程、電壓及溫度（process, voltage, and temperature，PVT）不變的結構。例如，第10圖及第11圖說明瞭可使用的電流鏡電路的附加實例。
首先參考第10圖，此圖說明與第9圖之電流偏置電路900一起使用的堆疊閘極電流鏡電路1000的實例。第10圖所示的實例電流鏡電路1000類似於第8圖所示的實例電流鏡電路800，在本實例電流鏡電路1000中，三個電流鏡分支中之每一者中的MOSFET被以堆疊閘極配置連接的一系列MOSFET 1002、1004、1006替換，即，MOSFET藉由其源極汲極端子串聯耦接且每個MOSFET的閘極端子耦接在一起。例如，可選擇每個堆疊MOSFET 1002、1004、1006中之MOSFET的數量及大小，以藉由最小化三個電流鏡分支之間的任何不匹配來提高電流鏡的精度。
第11圖說明寬擺幅串接電流鏡1100的實例，其可例如與第9圖之電流偏置電路900一起使用。第11圖所示的實例電流鏡1100類似於第8圖所示的實例電流鏡電路800，在此實例電流鏡1100中，附加的MOSFET 1102、1104，1106與三個電流鏡分支中之每一者中的MOSFET 802、804、806串聯耦接。此外，三個附加MOSFET 1102、1104、1106的閘極端子耦接至偏置電壓（Vb）1108。在操作中，可選擇偏置電壓1108來補償電流鏡1100及電流偏置900電路中的MOSFET上的VDD的任何壓降，因此，與例如第8圖所示的電流鏡電路800相比，提供了增大的可用信號擺動。
第12圖係用於產生溫度補償參考電壓的實例方法1200的流程圖。在操作1202處，由溫度補償電路接收經調整的輸入電流，該溫度補償電路包括與絕對溫度成比例（PTAT）電路及具有至少一個公共金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）的與絕對溫度互補（CTAT）電路。在操作1204處，PTAT電路產生與溫度升高成比例的溫度補償電路的參考電壓輸出的幅度的增大。在操作1206處，CTAT電路產生與溫度升高成比例的溫度補償電路的參考電壓輸出的幅度的減小，使得由PTAT電路產生的參考電壓之幅度的增大至少部分地被由CTAT電路產生的參考電壓之幅度的減小所抵消。
在一個實例中，溫度補償電路包括與絕對溫度成比例（PTAT）電路及與絕對溫度互補（CTAT）電路。PTAT電路及CTAT電路包括至少一個公共金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），且用以回應於經調整的電流輸入而共同產生參考電壓。PTAT電路用以隨著溫度的升高而產生參考電壓之幅度的增大，CTAT電路用以隨著溫度的升高而產生參考電壓之幅度的減小，其中，由PTAT電路產生的參考電壓之幅度的增大至少部分地被由CTAT電路產生的參考電壓之幅度的減小所抵消。
在一個實例中，電壓參考電路包括溫度補償電路，其接收輸入節點處的經調整電流輸入並在輸出節點處產生參考電壓，溫度補償電路包含與絕對溫度成比例（PTAT）電路及與絕對溫度互補（CTAT）電路，與絕對溫度成比例（PTAT）電路及與絕對溫度互補（CTAT）電路共享至少一個公共金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），且回應於調整電流輸入而共同產生參考電壓。PTAT電路用以隨著溫度的升高而產生參考電壓之幅度的增大，CTAT電路用以隨著溫度的升高而產生參考電壓之幅度的減小，其中，由PTAT電路產生的參考電壓之幅度的增大至少部分地被由CTAT電路產生的參考電壓之幅度的減小所抵消。在實施例中，電壓參考電路亦可包括產生參考電流的電流偏置電路及回應於參考電流產生參考電流輸入的電流鏡電路。
前面概述了幾個實施例的特徵，以便熟習此項技術者可更佳地理解本揭示內容之各個態樣。熟習此項技術者應理解，其可容易地使用本揭示內容作為設計或修改其他製程及結構的基礎，以實現本文介紹的實施例的相同目的及/或實現其相同優點。熟習此項技術者亦應認識到，此類等效構造不脫離本揭示內容之精神及範疇，且其可在不脫離本揭示內容之精神及範疇的情況下對本文進行各種改變、替換及變更。
100:電壓參考電路 102:與絕對溫度互補（CTAT）電路 104:與絕對溫度成比例（PTAT）電路 106:電壓輸入 108:電壓 200:電壓參考電路 202:電路 204:電流偏置電路 206:電流鏡電路 208:調整電流輸入 210:參考電壓 212:恆定偏置電流 214:電源電壓 216:電晶體（MOSFET（M 2）） 218:電晶體（MOSFET（M 1）） 220:電阻器 222:電阻器 224:節點 226:節點 300:電壓參考電路 302:溫度調整電路 304:電晶體（MOSFET（M 1）） 306:電晶體（MOSFET（M 2）） 400:電壓參考電路 402:溫度調整電路 404:電阻器（R 2） 500:電阻器微調電路 501~503:電阻器 505~507:選擇電晶體 509~511:位元（Bit＜0＞~Bit(＜2＞） 600:電壓參考電路 602:金屬氧化物半導體（MOS）微調電路 604:金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 605:選擇電晶體 606:金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 607:選擇電晶體 608:控制位元 610:控制位元 700:電壓參考電路 702:溫度調整電路 704:電阻器 800:電流鏡電路 802:金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 804:金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 806:金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 900:電流偏置電路 902:偏置金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 904:偏置金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 906:偏置電阻器 1000:電流鏡電路 1002:金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 1004:金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 1006:金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 1100:電流鏡 1102:金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 1104:金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 1106:金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET） 1108:偏置電壓 1200:方法 1202:操作 1204:操作 1206:操作
當與附圖一起閱讀時，藉由以下詳細描述可最佳地理解本揭示內容之各個態樣。 第1圖係實例性電壓參考電路之方塊圖。 第2圖係包括組合PTAT/CTAT溫度調整電路之實例性電壓參考電路的圖。 第3圖係包括組合PTAT/CTAT溫度調整電路之第二實例性電壓參考電路的圖。 第4圖係包括組合PTAT/CTAT溫度調整電路之第三實例性電壓參考電路的圖。 第5圖係可用於第4圖中之可變電阻器的電阻器微調電路的實例。 第6圖係包括組合PTAT/CTAT溫度調整電路之第四實例性電壓參考電路的圖。 第7圖係包括組合PTAT/CTAT溫度調整電路之第五實例性電壓參考電路的圖。 第8圖及第9圖分別說明電流鏡電路及電流偏置電路的實例。 第10圖說明堆疊閘極電流鏡電路的實例。 第11圖說明寬擺幅串接電流鏡電路的實例。 第12圖係用於產生溫度補償參考電壓之實例方法的流程圖。
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1200:方法
1202:操作
1204:操作
1206:操作

Claims (20)

  1. 一種溫度補償電路，包含： 一與絕對溫度成比例電路；及 一與絕對溫度互補電路， 該與絕對溫度成比例電路及該與絕對溫度互補電路包括至少一個公共金屬氧化物半導體場效電晶體，且用以回應於一經調整的電流輸入而共同產生一參考電壓， 該與絕對溫度成比例電路用以隨著溫度的一升高而產生該參考電壓之幅度的一增大，且該與絕對溫度互補電路用以隨著溫度的該升高而產生該參考電壓之幅度的一減小，其中由該與絕對溫度成比例電路產生的該參考電壓之幅度的該增大至少部分地被由該與絕對溫度互補電路產生的該參考電壓之幅度的該減小所抵消。
  2. 如請求項1所述之溫度補償電路，其中在該溫度補償電路之一輸入節點處接收該經調整的電流輸入，且在該溫度補償電路之一輸出節點處產生該參考電壓，且其中 該與絕對溫度成比例電路包含一第一金屬氧化物半導體場效電晶體及一第二金屬氧化物半導體場效電晶體， 其中該第一金屬氧化物半導體場效電晶體之一源極端子及該第一金屬氧化物半導體場效電晶體之一閘極端子耦接至該溫度補償電路之該輸入節點， 在該溫度補償電路之該輸出節點處，該第一金屬氧化物半導體場效電晶體之一汲極端子耦接至該第二金屬氧化物半導體場效電晶體之一源極端子，且 該第二金屬氧化物半導體場效電晶體之一汲極端子耦接至一接地電位，且 該與絕對溫度互補電路包含該第二金屬氧化物半導體場效電晶體、一第一電阻器及一第二電阻器， 該第一電阻器耦接於該第一金屬氧化物半導體場效電晶體之該閘極端子與該第二金屬氧化物半導體場效電晶體之一閘極端子之間，且 該第二電阻器耦接於該第二金屬氧化物半導體場效電晶體之該閘極端子與該接地電位之間。
  3. 如請求項2所述之溫度補償電路，其中該第二電阻器包含一可變電阻器，其中該可變電阻器之一電阻值可調整以修改該溫度補償電路之一溫度係數。
  4. 如請求項3所述之溫度補償電路，其中該可變電阻器包含一電阻器微調電路，該電阻器微調電路包括： 複數個微調電阻器，串聯耦接以形成一電阻器網路，及 複數個選擇電晶體，該些選擇電晶體中之每一者與該些微調電阻器中之一者並聯耦接，且由一電阻器微調位元控制以調整該電阻器網路之一電阻值。
  5. 如請求項1所述之溫度補償電路，其中在該溫度補償電路之一輸入節點處接收該經調整的電流輸入，且在該溫度補償電路之一輸出節點處產生該參考電壓，且其中 該與絕對溫度成比例電路包含一第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體及一第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體， 該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體包括一第一複數個金屬氧化物半導體場效電晶體，該第一複數個金屬氧化物半導體場效電晶體藉由其源極汲極端子串聯耦接，且該第一複數個金屬氧化物半導體場效電晶體的每個閘極端子耦接在一起， 該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體包括一第二複數個金屬氧化物半導體場效電晶體，該第二複數個金屬氧化物半導體場效電晶體藉由其源極汲極端子串聯耦接，且該第二複數個金屬氧化物半導體場效電晶體的每個閘極端子耦接在一起， 該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端子及該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的該些閘極端子耦接至該溫度補償電路之該輸入節點， 在該溫度補償電路之該輸出節點處，該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端子耦接至該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端子，且 該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端子耦接至一接地電位，且 該與絕對溫度互補電路包含該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體、一第一電阻器及一第二電阻器， 該第一電阻器耦接於該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的該些閘極端子與該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體的該些閘極端子之間，且 該第二電阻器耦接於該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體的該些閘極端子與該接地電位之間。
  6. 如請求項1所述之溫度補償電路，其中在該溫度補償電路之一輸入節點處接收該經調整的電流輸入，且在該溫度補償電路之一輸出節點處產生該參考電壓，且其中 該與絕對溫度成比例電路包含一第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體及一第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體， 該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體包括一第一複數個金屬氧化物半導體場效電晶體，該第一複數個金屬氧化物半導體場效電晶體藉由其源極汲極端子串聯耦接，且該第一複數個金屬氧化物半導體場效電晶體的每個閘極端子耦接在一起， 該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體包括一第二複數個金屬氧化物半導體場效電晶體，該第二複數個金屬氧化物半導體場效電晶體藉由其源極汲極端子串聯耦接， 該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端子及該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的該些閘極端子耦接至該溫度補償電路之該輸入節點， 在該溫度補償電路之該輸出節點處，該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端子耦接至該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端子，且 該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端子耦接至一接地電位，且 該與絕對溫度互補電路包含該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體、一第一電阻器及一第二系列電阻器， 該第一電阻器耦接於該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的該些閘極端子與該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一第一閘極端子之間，且 該第二系列電阻器包括複數個電阻器，該些電阻器串聯耦接於該第一電阻器與該接地電位之間，且該些電阻器中之每一者耦接於該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體中之相鄰金屬氧化物半導體場效電晶體的閘極端子之間。
  7. 如請求項1所述之溫度補償電路，其中在該溫度補償電路之一輸入節點處接收該經調整的電流輸入，且在該溫度補償電路之一輸出節點處產生該參考電壓，且其中 該與絕對溫度成比例電路包含一第一金屬氧化物半導體場效電晶體、一第二金屬氧化物半導體場效電晶體及一金屬氧化物半導體微調電路， 該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端子及該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的一閘極端子耦接至該溫度補償電路之該輸入節點， 在溫度補償電路之該輸出節點處，該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端子耦接至該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端子，且 該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端子耦接至一接地電位， 該金屬氧化物半導體微調電路耦接於該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的該源極端子及該汲極端子之間，該金屬氧化物半導體微調電路可由一系列控制位元控制，以將複數個微調金屬氧化物半導體場效電晶體中之一或多者與該第一金屬氧化物半導體場效電晶體並聯耦接，且 該與絕對溫度互補電路包含該第二金屬氧化物半導體場效電晶體、一第一電阻器及一第二電阻器， 該第一電阻器耦接於該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的該閘極端子與該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的一閘極端子之間，且 該第二電阻器耦接於該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的該閘極端子與該接地電位之間。
  8. 一種電壓參考電路，包含： 一溫度補償電路，用以在一輸入節點處接收一經調整的電流輸入且在一輸出節點處產生一參考電壓，該溫度補償電路包含一與絕對溫度成比例電路及一與絕對溫度互補電路，該與絕對溫度成比例電路及該與絕對溫度互補電路共享至少一個公共金屬氧化物半導體場效電晶體，且回應於該經調整的電流輸入而共同產生該參考電壓， 該與絕對溫度成比例電路用以隨著溫度的一升高而產生該參考電壓之幅度的一增大，該與絕對溫度互補電路用以隨著溫度的該升高而產生該參考電壓之幅度的一減小，其中由該與絕對溫度成比例電路產生的該參考電壓之幅度的該增大至少部分地被由該與絕對溫度互補電路產生的該參考電壓之幅度的該減小所抵消。
  9. 如請求項8所述之電壓參考電路，進一步包含： 一電流偏置電路，產生一參考電流；及 一電流鏡電路，產生回應於該參考電流的該經調整的電流輸入。
  10. 如請求項8所述之電壓參考電路，其中在該溫度補償電路之一輸入節點處接收該經調整的電流輸入，在該溫度補償電路之一輸出節點處產生該參考電壓，且其中 該與絕對溫度成比例電路包含一第一金屬氧化物半導體場效電晶體及一第二金屬氧化物半導體場效電晶體， 該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端子及該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的一閘極端子耦接至該溫度補償電路之該輸入節點， 在該溫度補償電路之該輸出節點處，該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端子耦接至該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端子，且 該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端子耦接至一接地電位，且 該與絕對溫度互補電路包含該第二金屬氧化物半導體場效電晶體、一第一電阻器及一第二電阻器， 該第一電阻器耦接於該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的該閘極端子與該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的一閘極端子之間，且 該第二電阻器耦接於該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的該閘極端子與該接地電位之間。
  11. 如請求項10所述之電壓參考電路，其中該第二電阻器包含一可變電阻器，其中該可變電阻器的一電阻值可調整以修改該溫度補償電路之一溫度係數。
  12. 如請求項11所述之電壓參考電路，其中該可變電阻器包含一電阻器微調電路，該電阻器微調電路包括： 複數個微調電阻器，串聯耦接以形成一電阻器網路，及 複數個選擇電晶體，該些選擇電晶體中之每一者與該些微調電阻器中之一者並聯耦接，且由一電阻器微調位元控制以調整該電阻器網路的一電阻值。
  13. 如請求項8所述之電壓參考電路，其中在該溫度補償電路之一輸入節點處接收該經調整的電流輸入，在該溫度補償電路之一輸出節點處產生該參考電壓，且其中 該與絕對溫度成比例電路包含一第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體及一第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體， 該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體包括一第一複數個金屬氧化物半導體場效電晶體，該第一複數個金屬氧化物半導體場效電晶體藉由其源極汲極端子串聯耦接，且該第一複數個金屬氧化物半導體場效電晶體的每個閘極端子耦接在一起， 該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體包括一第二複數個金屬氧化物半導體場效電晶體，該第二複數個金屬氧化物半導體場效電晶體藉由其源極汲極端子串聯耦接，且該第二複數個金屬氧化物半導體場效電晶體的每個閘極端子耦接在一起， 該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端子及該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的該些閘極端子耦接至該溫度補償電路之該輸入節點， 在該溫度補償電路之該輸出節點處，該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端子耦接至該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端子，且 該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端子耦接至一接地電位，且 該與絕對溫度互補電路包含該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體、一第一電阻器及一第二電阻器， 該第一電阻器耦接於該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的該些閘極端子與該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體的該些閘極端子之間，且 該第二電阻器耦接於該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體的該些閘極端子與該接地電位之間。
  14. 如請求項8所述之電壓參考電路，其中在該溫度補償電路之一輸入節點處接收該經調整的電流輸入，在該溫度補償電路之一輸出節點處產生該參考電壓，且其中 該與絕對溫度成比例電路包含一第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體及一第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體， 該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體包括一第一複數個金屬氧化物半導體場效電晶體，該第一複數個金屬氧化物半導體場效電晶體藉由其源極汲極端子串聯耦接，且該第一複數個金屬氧化物半導體場效電晶體的每個閘極端子耦接在一起， 該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體包括一第二複數個金屬氧化物半導體場效電晶體，該第二複數個金屬氧化物半導體場效電晶體藉由其源極汲極端子串聯耦接， 該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端子及該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的該些閘極端子耦接至該溫度補償電路之該輸入節點， 在該溫度補償電路之該輸出節點處，該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端子耦接至該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端子，且 該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端子耦接至一接地電位，且 該與絕對溫度互補電路包含該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體、一第一電阻器及一第二系列電阻器， 該第一電阻器耦接於該第一系列金屬氧化物半導體場效電晶體的該些閘極端子與該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體的一第一閘極端子之間，且 該第二系列電阻器包括複數個電阻器，該些電阻器串聯耦接於該第一電阻器與該接地電位之間，且該些電阻器中之每一者耦接於該第二系列金屬氧化物半導體場效電晶體之相鄰金屬氧化物半導體場效電晶體的閘極端子之間。
  15. 如請求項8所述之電壓參考電路，其中在該溫度補償電路之一輸入節點處接收該經調整的電流輸入，在該溫度補償電路之一輸出節點處產生該參考電壓，且其中 該與絕對溫度成比例電路包含一第一金屬氧化物半導體場效電晶體、一第二金屬氧化物半導體場效電晶體及一金屬氧化物半導體微調電路， 該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端子及該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的一閘極端子耦接至該溫度補償電路之該輸入節點， 在該溫度補償電路之該輸出節點處，該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端子耦接至該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的一源極端子，且 該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的一汲極端子耦接至一接地電位， 該金屬氧化物半導體微調電路耦接於該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的該些源極及汲極端子之間，該金屬氧化物半導體微調電路由一系列控制位元控制，以將複數個微調金屬氧化物半導體場效電晶體中之一或多者與該第一金屬氧化物半導體場效電晶體並聯耦接，且 該與絕對溫度互補電路包含該第二金屬氧化物半導體場效電晶體、一第一電阻器及一第二電阻器， 該第一電阻器耦接於該第一金屬氧化物半導體場效電晶體的該閘極端子與該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的一閘極端子之間，且 該第二電阻器耦接於該第二金屬氧化物半導體場效電晶體的該閘極端子與該接地電位之間。
  16. 一種產生一溫度補償參考電壓的方法，包含： 接收一經調整的輸入電流； 使用包括一與絕對溫度成比例電路之一溫度補償電路及包括至少一個公共金屬氧化物半導體場效電晶體之一與絕對溫度互補電路，回應於該經調整的電流輸入而產生一參考電壓； 藉由該與絕對溫度成比例電路產生的該參考電壓的幅度的一增大；及 藉由該與絕對溫度互補電路隨溫度的一升高產生該參考電壓的幅度的一減小， 其中由該與絕對溫度成比例電路產生的該參考電壓之幅度的該增大至少部分地被由該與絕對溫度互補電路產生的該參考電壓之幅度的該減小所抵消。
  17. 如請求項16所述之方法，進一步包含： 改變該與絕對溫度互補電路中之一或多個電阻值，以調整該與絕對溫度互補電路隨溫度的該升高而產生該參考電壓幅度減小的一量。
  18. 如請求項17所述之方法，其中使用一系列電阻器微調位元來改變該一或多個電阻值。
  19. 如請求項16所述之方法，進一步包含： 將一個或複數個附加金屬氧化物半導體場效電晶體耦接至該與絕對溫度成比例電路中，以調整該與絕對溫度成比例電路隨溫度升高而產生該參考電壓幅度增大的一量。
  20. 如請求項19所述之方法，其中使用一系列控制位元將該一或多個附加金屬氧化物半導體場效電晶體耦接至該與絕對溫度成比例電路中。
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