TW538207B - Dynamic blending gas delivery system and method - Google Patents

Dynamic blending gas delivery system and method Download PDF

Info

Publication number
TW538207B
TW538207B TW088117702A TW88117702A TW538207B TW 538207 B TW538207 B TW 538207B TW 088117702 A TW088117702 A TW 088117702A TW 88117702 A TW88117702 A TW 88117702A TW 538207 B TW538207 B TW 538207B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
fluid
gas
header
patent application
item
Prior art date
Application number
TW088117702A
Other languages
English (en)
Inventor
Alexandre De Almeida Botelho
Thomas Anthony Delprato
Robert William Ford
Original Assignee
Air Prod & Chem
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Air Prod & Chem filed Critical Air Prod & Chem
Application granted granted Critical
Publication of TW538207B publication Critical patent/TW538207B/zh

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17CVESSELS FOR CONTAINING OR STORING COMPRESSED, LIQUEFIED OR SOLIDIFIED GASES; FIXED-CAPACITY GAS-HOLDERS; FILLING VESSELS WITH, OR DISCHARGING FROM VESSELS, COMPRESSED, LIQUEFIED, OR SOLIDIFIED GASES
    • F17C13/00Details of vessels or of the filling or discharging of vessels
    • F17C13/04Arrangement or mounting of valves
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/20Measuring; Control or regulation
    • B01F35/22Control or regulation
    • B01F35/221Control or regulation of operational parameters, e.g. level of material in the mixer, temperature or pressure
    • B01F35/2211Amount of delivered fluid during a period
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F23/00Mixing according to the phases to be mixed, e.g. dispersing or emulsifying
    • B01F23/10Mixing gases with gases
    • B01F23/19Mixing systems, i.e. flow charts or diagrams; Arrangements, e.g. comprising controlling means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/20Measuring; Control or regulation
    • B01F35/21Measuring
    • B01F35/211Measuring of the operational parameters
    • B01F35/2111Flow rate
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/20Measuring; Control or regulation
    • B01F35/21Measuring
    • B01F35/211Measuring of the operational parameters
    • B01F35/2113Pressure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/90Heating or cooling systems
    • B01F2035/99Heating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01FMIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F35/00Accessories for mixers; Auxiliary operations or auxiliary devices; Parts or details of general application
    • B01F35/80Forming a predetermined ratio of the substances to be mixed
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30Hydrogen technology
    • Y02E60/32Hydrogen storage

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Accessories For Mixers (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Description

538207 五、發明說明ο) 發明背景 本發明為有關於動態摻混二 體混合⑱,再#此摻混氣體混^液f以形成摻混氣 或多供用於包含磊晶薄膜成^ 勿配管集箱輸送至一 氣相沉積的器具的裝置盥方2或相似層面沉積程序之化學 領域’本發明特別適用於半導體發明能應用於其他 半導體製造業者通常使 業。 氫氣之沉積氣體混合物來成長;夕烧⑶叫) 之上。一般來說,這種混合物的從t例如磊晶矽)於矽晶片 泡器裝置中’ *由將氫氣噴布入^:二m定溫度的發 通過TCS液體而完成。這個裝置CS液體中或使氫氣氣泡 態的氫氣運送流體至一種半導雕"1制运一種與了以達成飽合狀 中。然而,由於流體必須=造業所使用的製程器具 器具中的是穩定組成物,'因此狀態以確保輸送至製程 以避免在顧客的供廊管線 x,包益必須置於處理器旁, 響流體組成物)。這樣的結:Λ凝」结作„用(因為凝結會影 泡器,這不但大大地提高處理=—個益具都有各自的發 導體製造業設備的可用空間。所須的經費,也減少半 業界需要一種輸送系蛴盥 下(也就是較低的似霧點)/提供'能在不飽合的狀態 組成物。 ^供摻混氣體混合物之穩定 送至= = = ; =氣體混合物自分配管集箱輸 業界還需要在維持稃定:二f用地及節省資金。 〜机妝、,且成物時,能夠將摻混氣體混
ai rl1006.ptd 第7頁 538207 五、發明說明(2) 合物供應給數種處理製程器具。 快速巧妙 業界還需要能夠在最後使用者須求有所變動時 地操縱流體組成物。 發明之簡 本發 含以動態 合物使用 長蠢晶薄 本發 形成一掺 配管集箱 具之方法 一流體。 的溫度。 止輸送至 混氣體混 流體。第 過熱氣相 步驟是結 以形成摻 沉積、磊 性。最後 箱,再由 氣體輸送 的摻混氣 積器具或 具。 體實施例 ,而後供 種化學氣 七個步驟 第一流體 第一流體 氣相沉積 之溫度。 二流體加 體接觸時 二流體與 ,此摻混 相似處理 摻混氣體 送至至少 系統及方法。本發明還包 體混合物,該換混氣體混 相似製程器具,如用於成 述 明是動 摻混方 於化學 膜所使 明的第 混氣體 輸送至 。本方 第二步 第三步 至少一 合物產 五步驟 部分與 合已加 混氣體 晶薄膜 一個步 分配管 態摻混 法產生 氣相沉 用之器 一個具 混合物 至少一 法包含 驟是將 驟是使 種化學 生凝結 是將第 第二流 熱之第 混合物 成長或 驟是將 集箱輸 是將多 應給分 相沉積 。第一 加熱至 之氣相 器具或 第四步 熱至足 會產生 過熱之 氣體混 程序預 種液體 配管集 器具或 步驟是 產生至 過熱, 相似製 驟是供 以防止 凝結之 經過處理後 箱,再由分 相似製程器 供應一種第 少部分汽化 達到足以防 程器具之摻 應一種第二 第一流體之 合物具 期之物 混合物輸送至 一種化學氣相 溫度。苐六 第一流體氣相部分 備化學氣相 理化學特 分配管集 沉積器具或
airll006.ptci 第8頁 538207
相似製程器具。 .上述的衣置與程序中,該第一流體是三氯矽 (SiHCj3)/TCS)而第二流體是氫(仏)。然而,本發明還邛用 於動態摻混及輪送其他汽化沉積流體。舉例來說,I玎與 其他第一流體—起使用,其包含但限於四氯化石夕⑻Cl4), 四乙氧基石夕甲烧(TE〇S),氧基氣化鱗 氮、氬與氧。 第一、机脰包έ,但不限於氦、
白知本毛々月的第—個具體實施例是-種方法,1亥方法包含 铪杜准持第與第一流體間預期流量比的附加步驟,進而 的持摻混氣體混合物預期之物理化學特性。此具體實施例 的個變化中’該自動維持第-與第二流體間預期流量比 的步驟包含以下的從屬步驟: (a)測量第一流體的流率;(㈨測量第二流體的流率; 之測里分曰S己官集箱内的壓力變化;(d )將第一與第二流體 預期流里比调整在與分配管集箱内所測量的壓力變化成 久比的流率。
驟,二具體貫施例比上述第一具體實施例多了三個步 #丄第一附加步驟是供應不與第一、第二流體或#混氣體 i D物起化學反應的第三流體;第二附加步驟是將第三流 具"^熱’,到足以防止輸送至該至少一種化學氣相沉積器 或相似製為具之摻混氣體混合物產生凝結之溫度·,最 個附加步驟是將已加熱之第三流體氣態部分與摻混氣
538207 五、發明說明(4) 體混合物結 以維持預期 體混合物產 三流體必須 第四具 個附加步驟 以便維持摻 第五具 一附加步驟 加步驟是將 送至分配管 第六具 為分配管集 會由分配管 製程器具。 合,使 之物理 生冷凝 是惰性 體實施 是自動 混氣體 體實施 是提供 換混氣 集箱。 體實施 箱供應 集箱輸 這個系 第一流體加熱至產 第一流體之氣相過 止輸送至該至少一 摻混氣體混合物產 將第二流體加熱之 一流體之過熱氣相 (6)將已加熱之第-而形成摻混氣體混 學氣相沉積、蠢晶 第一與第二流體之預期莫耳比得以維持 化學特性及防止分配管集箱内的摻混氣 。於本具體實施例的一種變化中,該第 氣體。 例比第三具體實施例多了一個步驟,這 維持第一與第二流體間的預期流量比, 混合物預期的物理化學特性。 例比第一具體實施例多了二個步驟,第 分配管集箱上游之儲存緩衝器;第二附 體混合物先輸送至儲存緩衝器,而後輸 例是一種動態摻混氣體輸送系統,它可 摻混氣體混合物,而此摻混氣體混合物 送至至少一種化學氣相沉積器具或相似 統包含(1 )供應第一流體之裝置;(2)將 生至少部分汽化的溫度之裝置;(3 ) 使 熱之裝置,而該過熱之溫度必須足以防 種化學氣相沉積器具或相似製程器具之 生凝結;(4 )供應第二流體之裝置;(5 ) 裝置,而該加熱之溫度必須足以防止第 部分與第二流體接觸時產生凝結作用; 二流體與過熱之第一流體氣相部分結合 合物之裝置,此摻混氣體混合物具備化 薄膜成長或相似處理程序預期之物理化
ai rl1006.ptd 第10頁 ▲ 538207 五、發明說明(5) 學特性;及(7 )將摻混氣體混合物輸送至分配管集箱,再由 分配管集箱輸送至該至少一種化學氣相沉積器具或相似製 程器具之裝置。 於較佳的具體實施例中,第一流體是三氯矽烷(TCS)
TO 而第二流體是氫 — 一流體,包含但不限於四氣化矽(s i c 14),二氣矽烷 (SiH2Cl2),四乙氧基矽甲烷(TE0S),氧基氣化磷(p〇ci3),三 甲基矽烷(SiH(CH3)3),三氣化硼(BC13),與六氯化鎢(wf6)。 其他可用之第二流體包含但不限於氦、氮、氬與氧。 第七具體實施例為與第六具體實施例雷同之動態摻混 氣體輸送系統’但還包含為了維持摻混氣體混合物預期的 物理化學特性’而自動維持第-與第二流體間預期流量比 之裝置。於較佳的具體實施例中’自動維持第一盥泣 體間預期流量比率之裝置是流量比率γ制哭 〃 $ 1«· 於第七具體實施例的變化中,自第 體間預期流量比率之裝置包含:(1 )測旦穿 ”弟一机 置;⑵測量第二流體流率之裝置;體ΐ率之裝 壓力變化之裝置;(4)將第-與第二流埤里刀酉己官集相内 整在與分配管集箱内壓力變化成反比之収裝置預。期流量比調 此具體實施例的一種變化為第八具,每^ y τ 、: 附加元件:(1 )檢測第一流體流率並提貝供^? ’亚包含以下 一感應器;(2)檢測第二流體流率並提供其指 ^弟_ 感應器;(3)檢測分配管集箱内壓力變仆廿拉b的弟一 的第三感應器;及⑷接收第-、第二=其指示信號 ~ 弟二感應器所提供
538207 五、發明說明(6) 之信號的電腦,此電腦還須測定第一、第二、第三流體之 流率、測定分配管集箱内之壓力變化以及測定為維持預期 流量比,第一、第二流體之流率所需之調整,並向流量比 控制器發出至少一則需要調整之流率的指示信號。於較佳 的具體實施例中,該電腦是經程式設計的邏輯控制器。 除了上述第六具體實施例之元件,第九具體實施例多 了三個元件,此附加三元件是(1 )供應不與第一、第二流 體或摻混氣體混合物產生化學反應的第三流體之裝置; (2 )將第三流體加熱的裝置,而加熱之溫度必須足以防止 輸送至至少一種化學氣相沉積器具或相似製程器具之摻混 氣體混合物產生凝結;(3)將已加熱之第三流體之氣態與 摻混氣體混合物結合,以維持預期之物理化學特性,使第 一與第二流體之預期莫耳比得以維持及防止分配管集箱内 的摻混氣體混合物產生冷凝。於較佳的具體實施例中,該 第三流體是惰性氣體,例如氮或氦。 第十具體實施例比第九具體實施例多出一個步驟,這 個附加步驟是自動維持第一與第二流體間的預期流量比, 使摻混氣體混合物之物理化學特性得以維持。 除了上述第六具體實施例之元件,第十一具體實施例多了 二個元件,此二項附加元件是(1 )分配管集箱上游的儲存 緩衝器;(2 )將摻混氣體混合物先輸送至儲存緩衝器,而 後輸送至分配管集箱之裝置。 第十二具體實施例中,動態摻混氣體輸送系統包含了 系統沖洗裝置。
ai rl1006.ptd 第12頁 538207 五、發明說明(7) 第十三具體實施例具體實施例是摻混並輸送沉積程序 之氣體至至少一種化學氣相製程器具或相似器具的系統。 這個系統包含.·( 1)累積沉積程序之氣體,並按器具之需求 分配沉積程序之氣體至每一器具的分配管集箱;(2)與分 配管集箱聯繫,測定分配管集箱内因沉積程序之氣體流出 所造成之壓力下降的感應器;(3)供應液態沉積物質之裝 置;(4)將液態沉積物質汽化與過熱所得氣相之加熱器; (5)調節過熱氣相自加熱器至分配管集箱間流率的第一流 量控制器;及(6)調整第一流量控制器,使過熱氣相之流量 與分配管集箱内壓力變化成反比的裝置。 除了第十三具體實施例之元件,第十四具體實施例多 了以下元件:(1)供應至少一種氣體的至少一種裝置;(2 ) 與每一供應之運送氣體聯繫,以調節其流率之附加流量控 制器;(3)調整附加流量控制器的裝置,使經由第一流量 控制器之過熱氣相以事先選定比率流過;(4)摻混每一經 流量控制器之運送氣體與過熱氣相之動態摻混裝置;及(5) 輸送所得之摻混氣體混合物至分配管集箱之裝置。此具體 實施例的變化中,至少須有二種運送氣體,至少一種運送 氣體為反應物質,至少一種運送氣體為惰性物質。 第十五具體實施例與第十四具體實施例雷同,但還包 含附加元件,其為將每一運送氣體在摻混之前提升至高於 過熱氣相霧點之加熱裝置。 本發明的另一方面就是以上述方法產生之摻混氣體混 合物,該些方法包含但不限於第一與第三具體實施例之方
airl1006.ptd 第13頁 538207
圖示之簡述。 图 疋說明本發明之程序流程圖。 以π ΐ 是顯示TCS/H2混合物於15 psia之飽合流體與混 、耳氬之不飽合流體的飽合曲線圖。 本發明之詳述。 $ — ^ ί明教不將摻混氣體混合物輸送至至少一種化學氣
_和器具或相似製程器具之動態摻混氣體輸送系統。本 教示將夕種液體經過處理後形成一種摻混氣體混合 一’將其供應給分配管集箱,再由分配管集箱輸送至至少 種化學氣相沉積器具或相似製程器具之方法。
圖一說明本發明之一較佳具體實施例;顯示於圖一的 2殊案例與以下所述,是摻混TCS與氫氣以提供飽合或輕 u不飽合之混合物。然而,本發明還可用於動態摻混tcs ,氣氣以外之流體。其他可使用的流體包含但不限定於四 乳化石夕(SiCl4),二氣矽四乙氧基矽曱烷 (TE〇s),氧基氣化磷(P0C13),三甲基矽烷(SiH(CH3)3),三氣 化’(BC13),與六氣化鎢(wf6 )。其他可用之第二流體包含· 但不限於氦、氮、氬與氧。 於圖一中系統内以虛線圍住之部分2 〇 〇是選擇性的。 、擇〖生功肖匕可使氣體混合物被以例如鼠或氛的惰性氣體 不飽合化,以維持較理想iTCS/H2比。(可使用其他惰性
第14頁 airll〇〇6.ptd 538207 五、發明說明(9) 氣體,事實上,任何不與摻混氣體(如TCS與化)產生化學 反應的氣體皆可使用)。 參照圖一,液態形式的TCS供應丨2經由管線丨4流至加 ,器1曰8。管線1 4中之液流是由氣動隔離閥1 6所調節。加熱 器1 8是電動加熱器塊,它的作用如同多回路熱交換器。加' ,器將tcs液體汽化及過熱,至足以防止下游儀器,尤i 是供應器86之摻混氣體混合物凝結之操作溫度。虛、^ 86可以是一或多種化學蒸氣沉積器具或相似處理器^…。為 此加熱器配有溫度元件22,可將TCS溫度指示信號裎、 溫度指示控制器24,再由指示控制器24發信號給控制;;5 2〇,來控制加熱器(也就是提高或降低所須熱能之 1 · 皿度指示控制器包含提示高低溫之警報。 ’ 過熱之TCS蒸氣經由管線26自加熱器18流出, 26之墨力由壓力轉換器28測得,再將其壓力指示 2 給壓力控制器30。壓力控制器包含提示高低壓之 :26之溫度由溫度元件32測得,再將其溫度指示〜。官 ^給溫度指示器34;溫度指示器包含提示高低溫之| : 吕線26裝設有破裂圓盤36與安全閥38,其中還包。 不器開關40及高壓開關42。 i力指 過熱TCS蒸氣之流動由氣動控制閥44所控制,、 ::集箱82内之壓力成反比運作,該分配管集箱進料= 吊破稱為,,供應器” 86的一或多製程裝置。分配管集箱f通 之壓力由壓力轉換器72測得,再發信號給壓力指=== 4 6來控制氣動控制閥4 4,壓力指示器7 4可能包含接-^ 5耗不向低 538207
求增二報反2配I集箱82内之壓力下降會導致tcs流量需 量ΐ求減少。(換分二管集箱82内之壓力增加會導致TCS流 的壓力變化成反、比) TCS流量之調整與分配管集箱内 认之流量由質量流元件48測得,再發信號 制器(PLC)或其他型气的而唬疋由經程式設計的邏輯控 流元件48之流量的Λ/腦所接收(未顯示)。通過質量 脱。該m用來接收^】示白也/提供給高-高流量警 颅七、Α旦Μ、接收特別疋來自感測各種參數(如溫度、
給特別::::&的衣置所發出的輸入信號,再發輸出信號 二釗的疋”、、、,、夺預期氣體摻混而控制流體流量之控制閥的 土旦=以ί顯不)也將過熱Tcs蒸氣流動之指示信號提供給 =扎不Λ50’,流量指示器50,再發信號給流量比率控制 二里比率控制器11 8的作用在於控制在H2供應管線 上之曰氣動閥116,以維持過熱TCS蒸氣與H2(運送氣體) 間的f量比率,1供應流90經由管線94流至加熱器1〇〇, 經由管線94的流量可受止回閥92限制,也可受手動隔離閥 巧調節:化氣體流於加熱器1〇〇受到加熱,以減低過熱ks 洛氣與氫氣接觸時,冷氫氣導致凝結之可能性。 一溫度感測7C件1 〇 4發信號給溫度指示控制器丨〇 2,溫度 ,示控制器1 02再把信號回傳至控制裝置98,使氫氣供應 量維持於預期溫度。已加熱之氫氣自熱交換器經由管線 1 1 4流至氣動控制閥11 6。管線11 4内的溫度由溫度感測元
airll006.ptd 第16頁 538207 發明說明(11) 件11 0測得,再將溫度指示信號提供給可能包含提示高低 溫警報之溫度指示器11 2,管線11 4内的壓力由壓力轉換器 1 0 6測得’再由壓力轉換器1 〇 6將指示信號提供給可能包 含提示高低溫警報之壓力指示器丨〇 8。 除了接收自流量指示器50,(指示經由流動元件48之過 熱TCS蒸氣流量)的信號,流量比率控制器丨丨8還須接收自 流量指示器1 2 4的信號(代表經由將信號提供給流量指示器 1 2 4之流動元件1 2 2的流量),流量指示器1 2 4還會提供作货 給高-高流量警報器126。 虎
已加熱之氫氣(運送氣體)經由與摻混過熱TCS蒸氣與 氫氣的管線5 4連接之管線1 2 8,自流動元件1 2 2流出。此摻 混氣體混合物繼續經由管線54流至儲存緩衝器56,它可緩 和因下游整批處理造成的亂流及系統總流率上下跳動時造 成的輕微組成物變化。儲存緩衝器配備有液位開關5 8,用 來探測任何液體並發信號給高液位警報裝置6〇。一旦液位 升至警告水平’也就代表加熱器丨8以及(或者)加熱器丨〇 〇 之熱度流失’系統會基於保護理由自動關閉。
#混氣體混合物由儲存緩衝器56流至管線62,管線62 内的壓力由壓力轉換器64測得,再由壓力轉換器64發信號 給壓力氣動控制閥^ 8之指示控制器6 6。此閥會根據壓力轉 換器64之設定’也就是依照系統最後使用者(例如半導體 製造業者之製程器具)以所須操作情況所作之設定,來維 持儲存緩衝器内的壓力。 #混氣體繼續由閥6 8,經過管線6 2與進入分配管集箱
airll〇〇6.ptd
第17頁 538207 五、發明說明(12) · 8 2之前將其過濾的過濾器7 〇流出,經由分配管集箱至供應 器8 6的流量可由氣動隔離閥8 〇或手動隔離閥84來調節。分 析器連接78使流量取樣經由管線62流至分配管集箱82。 藉由裝置分析器於分析器連接上可以痛認#混氣體混合物 流之組成。手動隔離閥7 6可用來調節至分析器連接之流 量。 系統之選擇性部分200可用以加入氦、氬或其他惰性 氣體以當作不飽合氣體。這使最後使用者能在使氣體分配 管集箱82内之冷凝最小化之下,繼續維持TCS至氫氣的持 定莫耳比。 惰性氣體202經由管線2 08流至加熱器212。止回閥204 與手動隔離閥2 0 6可用來調節惰性氣體之流量。加熱器2 i 2 是電動加熱塊,它的作用如同多路之熱交換器,此熱量交 換Is配有溫度感測元件2 1 4,可為溫度指示控制器2 1 6提供 已加熱惰性氣體之溫度指示信號,進而控制調節埶 2 1 2的控制裝置2 1 〇。 已加熱惰性氣體經由管線218自加熱交換器212流出, 此管線内的壓力由壓力轉換器220測得,再將其指示壓力 ^號提供給壓力轉換器2 2 2,此壓力指示器包含提示高低 壓之警報。同樣的,此管線内的溫度由溫度感測元件224. ,得,再發信號給溫度指示器226。溫度指示器包含提示 向低溫之警報。
airU〇〇6.ptd 第18頁 538207 五、發明說明(13) 過熱TCS蒸氣流量指示信號來自於PLC。自流量指示器 234,流量比率控制器230也接收經由流量元件238之惰性 氣體流量指示信號。流量指示器2 3 4也會發信號給高-高流 量警報器236。 自流量元件238,已加熱的惰性氣體經由管線240到達 管線54,也就是已加熱惰性氣體與TCS/H2之摻混氣態混合 物混合的地方。將惰性氣體視為第三成份加入摻混氣體混 合物可降低摻混流體的霧點,且不影響TCS與氫氣間的預 期莫耳比。 T C S與氫氣在磊晶成長器具中的反應以下列反應式敘 述:
SiHCl3 + H2Si+3HCI 在化學計量條件下,一莫耳的H2必須與一莫耳的τ c S起反 應。在理想的情況下,T C S與H2混合物會與等莫耳的混合 物進料到蠢晶成長器具或化學蒸氣沉積器具,然而,典型 的工業應用取向還是使用過量h2。 圖2 所示為T C S / Η?糸統的飽合曲線。圖中上方的線代 表飽合物流,下方的線代表含丨5莫耳氬的不飽合化物流。 在15 psia時,以總物流的TCS與h的已知比率看來,每一 條線了方的溫度標明液相出現的位置。上方往左·的物流情: 況顯示不飽合化之情況,例如在原先飽合物流中加入氫 (降低TCS/氫比率)。為了達至“匕較的目的,將氬視為第三 t份加入的效果也顯示於圖中。對於某些想使流體不飽合 又不影響TCS與112間預期莫耳比的最後使用者來說,這
a i r11006.ρ ί d 第19頁 538207 五、發明說明(14) 是非常有益的。 系統可以在開始之前、維修當中、及最後結 時,藉由以沖洗氣體沖洗系統管線來達到沖洗的效 洗氣體1 30是例如氮的惰性氣體。在氣體通過系統後,系 統沖洗氣1 4 8被輸送至洗滌器、燃燒器、或其他處理系2 (未顯示)。由沖洗氣體供應器1 3 0流出之沖洗氣體之流量 由各種止回閥(132,160,168,172,138)及手動隔離閥(134, 1 6 2,1 7 0,1 7 4 )所調節。沖洗氣體由沖洗氣體供應器1 3 0經 由管線1 3 6流至該系統。手動隔離閥1 4 0控制沖洗氣體至細 腰管144(或其他真空產生器)的流量,壓力轉換器152測量 管線1 5 0内的壓力,再發信號給壓力指示器1 5 4,也就是在 高壓時關閉氣動隔離閥1 5 6的連鎖。壓力指示器1 5 4包含提 示高低壓的警報。
airll〇〇6.ptd 第20頁

Claims (1)

  1. 538207 案號 88117702 _a. 曰 修正 六、申請專利範圍 步包含以下步驟: A )供應不與第一、第二流體或摻混氣體混合物產生化 學反應的一第三流體; B )加熱該第三流體,而加熱之溫度必須足以防止輸送 至該至少一器具之掺混氣體混合物產生凝結;及 C)在步驟f )或g)中將已加熱之氣態第三流體與摻混氣 體混合物結合使第一與第二流體之預期莫耳比得以維持, 以維持預期之物理化學特性,及防止分配管集箱内的摻混 氣體混合物產生冷凝。 4 ·如申請專利範圍第三項所述的方法,該方法在步 驟f )中進一步包含自動維持第一與第二流體間的預期流量 比的步驟,以維持摻混氣體混合物預期的物理化學特性。 5 ·如申請專利範圍第一項所述的方法,該方法在步 驟g)中進一步包含以下步驟·· 在管集箱上游裝設一儲存緩衝器;及 將摻混氣體混合物先輸送至該儲存緩衝器,而後輸送 至該分配管集箱。 6 ·如申請專利範圍第二項所述的方法,其中該自動 維持第一與第二流體間的預期流量比,以維持摻混氣體混 合物預期的物理化學特性的步驟還包含以下從屬步驟: i )測量該第一流體之流率;
    未命名 第22頁 2003. 03. 27. 023 538207 案號 88117702 A_Δ. 曰 修正 六、申請專利範圍 i i )測量該第二流體之流率; i i i )測量分配管集箱内之壓力變化;及 i v )調整第一與第二流體之預期流量比,使其與分配 管集箱内壓力變化成反比。 7 · —種動態摻混氣體輸送系統(1 0 ),用於將摻混氣 體混合物供應給分配管集箱(8 2 ),再由分配管集箱輸送至 至少一化學蒸氣沉積器具或相似處理器具(8 6 ),該系統包 含: 應一第一流體之裝置(1 2 ),其連接於; 第一流體加熱至部分汽化之裝置(1 8 ),包括; 第一流體之蒸氣過熱之裝置(1 8 ),而過熱之溫度必 防止輸送至該至少一器具(8 6 )之摻混氣體混合物產 j 應一第二流體之裝置(9 0 ),其連接於; 該第二流體加熱之裝置(1 0 0 ),而加熱之溫度必須 止該第一流體之過熱蒸氣部分與該第二流體接觸時 結作用; 接收自前述裝置的已加熱之該第二流體(1 14)與過 第一流體蒸氣部分(2 6)結合而形成摻混氣體混合物 (5 4 ),此摻混氣體混合物具備化學蒸氣沉積、磊晶 長或相似製程預期之物理化學特性;及 接收自前述裝置(5 4 )的該摻混氣體混合物輸送至分 箱(8 2 ),再由分配管集箱輸送至該至少一器具(8 6 ) 供 將 使 須足以 生凝結 供 將 足以防 產生凝 將 熱之該 之裝置 薄膜成 將 配管集
    未命名 第23頁 2003. 03. 27. 024 538207 _案號88117702_年月日 修正 六、申請專利範圍 之裝置(62)。 送 輸 體 氣 混 摻 態 之 述 所 項 七 第 圍 範 利 專 請 中 如 進 統 系 該 統 系 含 包 步 性 特 學 化。 理置 物裝 的的 期比 預量 物流 合期 混預 體間 氣體 混流 摻二 持第 維與 為一 第 持 維 9 ·如申請專利範圍第七項所述之動態摻混氣體輸送 系統,該系統進一步包含: 供應不與第一、第二流體(1 2、9 0 )或摻混氣體混合物 (54)產生化學反應的第三流體之裝置(202),其連接於; 將第三流體(2 0 2 )加熱的裝置(2 1 2 ),而加熱之溫度必 須足以防止輸送至該至少一器具(8 6 )之摻混氣體混合物 (54)產生凝結,其連接於; 將已加熱之氣態第三流體(2 1 8 )與摻混氣體混合物 (5 4 )結合之裝置(2 4 0 ),以維持預期之物理化學特性,使 第一與第二流體(1 2、9 0 )之預期莫耳比得以維持及防止分 配管集箱(8 2 )内的摻混氣體混合物(5 4 )產生冷凝。
    未命名 第24頁 2003.03.27. 025 538207 _案號88117702_年月日 修正_ 六、申請專利範圍 1 1 ·如申請專利範圍第七項所述之動態摻混氣體輸送 系統,該系統進一步包含: 位於分配管集箱(8 2 )上游的儲存緩衝器(5 6 ),其連接 於;及 將摻混氣體混合物輸送至分配管集箱前先輸送至儲存 缓衝器(56)的裝置(54)。 1 2 ·如申請專利範圍第八項所述之動態掺混氣體輸送 系統,其中該自動維持第一與第二流體(1 2、9 0 )間預期流 量比的裝置包含: 測量該第一流體流率之裝置(4 8 ),其測量該過熱之該 第一流體蒸氣部分(2 6 ); 測量該第二流體流率之裝置(1 2 2 ),其測量該已加熱 之第二流體(1 1 4 ); 測量分配管集箱(8 2 )内壓力變化之裝置(6 4 );及 將第一與第二流體之預期流量比調整在與分配管集箱 内壓力變化成反比之裝置。 1 3 ·如申請專利範圍第八項所述之動態摻混氣體輸送 系統,其中該自動維持第一與第二流體間預期流量比的裝 置是流量比率控制器。 1 4 ·如申請專利範圍第十一項所述之動態摻混氣體輸 送系統,該系統進一步包含連接於該儲存緩衝器(5 6 )的沖
    未命名 第25頁 2003.03. 27. 026 538207 案號 88117702 曰 修正 六、申請專利範圍 140, 142, 洗該系統的裝置(130, 132, 134, 136, 138, 144, 146, 148, 150, 152, 154, 156) ° 1 5 ·如申請專利範圍第十二項所述之動態摻混氣體輸 送系統,該系統進一步包含: 檢測第一流體的流率並提供其指示信號的第一感應器 (4 8 ),其檢測該過熱之該第一流體蒸氣部分(2 6 ); 檢測第二流體的流率並提供其指示信號的第二感應器 (1 2 2 ),其測量該已加熱之第二流體(1 1 4 ); 檢測分配管集箱(8 2 )内壓力變化並提供其指示信號的 第三感應器(64);及 接收第一、第二、第三感應器所提供之信號的電腦, 此電腦還須測定第一、第二流體(1 2、9 0 )之流率、測定分 配管集箱(8 2 )内之壓力變化以及測定為維持預期流量比, 第一、第二流體(1 2、9 0 )之流率所需之調整,並向流量比 控制器(1 1 8 )發出至少一則需要調整之流率的指示信號。 1 6 ·如申請專利範圍第十五項所述之動態摻混氣體輸 送系統,其中該電腦是經程式設計的邏輯控制器。 1 7 ·如申請專利範圍第一項的方法,其中該第一流體 是三氯矽烷而該第二流體是氫。 1 8 ·如申請專利範圍第三項的方法,其中該第三流體
    未命名 第26頁 2003. 03. 27. 027 送 輸 。 體氮 氣是 混體 摻流 能5二 動第 之該 述而 所烷 項矽 七氯 第三 圍是 範體 利流 專一 請第 申該 如中 .其 9 , 1X 統 系 送 輸 體 氣 混 摻 態 之 述。 所體 項氣 九性 第惰 圍是 範體 利流 專三 請第 申該 如中 .其 ο , 2 統 系 538207 _案號88117702_年月日 修正 六、申請專利範圍 是惰性氣體。 2 1 · —種摻混並輸送沉積製程氣體至至少一化學蒸氣 沉積器具或相似器具的系統(1 0 ),該系統包含: 累積沉積製程氣體,並按器具之需求分配沉積製程氣 體至每一器具(8 6 )的分配管集箱(8 2 ); 與分配管集箱(8 2 )聯繫之感應器(6 4 ),以測定分配管 集箱内因沉積製程氣體流出所造成之壓力下降; 供應液態沉積物質的裝置(1 2 ); 將該液態沉積物質汽化與過熱所得蒸氣之加熱器 (1 8 ),其連接於該供應裝置(1 2 ); 調節該過熱蒸氣自該加熱器(1 8 )至該分配管集箱(8 2 ) 間流率的第一流量控制器(4 4 ),其設於一用於將該過熱蒸 氣送至該分配管集箱(8 2 )的一管路(2 6 );及 調整該第一流量控制器(4 4 ),使該過熱蒸氣之流量與 該分配管集箱内壓力變化成反比之裝置(46)。 2 2 ·如申請專利範圍第二十一項之系統,該系統進一
    未命名 第27頁 2003.03.27. 028 538207 案號 88117702 Λ_η 曰 修正 六、申請專利範圍 步包含: 供應至少一運送氣體的至少一供應器(2 0 2 ); 與每一供應之運送氣體聯繫,以調節其流率之附加流 量控制器(2 3 0 ); 調整附加流量控制器之裝置(5 0 π ),使得對經由第一 流量控制器之過熱蒸氣的質量流率呈一預先選定比率的流 率; 連接於每一流量受控制之運送氣體(2 4 0 )與流量受控 制之過熱蒸氣(2 6 )並將它們摻混之動態摻混裝置(5 4 ),·及 連接於所得之摻混氣體混合物(5 4)並將其輸送至分配 管集箱(82)之裝置(62)。 2 3 ·如申請專利範圍第二十二項之系統,該系統至少 須有二種運送氣體,至少一種運送氣體為反應物質,且至 少一種運送氣體為惰性物質。 2 4 ·如申請專利範圍第二十二項之系統,該系統進一 步包含將運送氣體在摻混之前提升至高於過熱蒸氣霧點之 加熱裝置(212),其連接於該供應器(202)。 2 5 ·如申請專利範圍第二十三項之系統,該系統進一 步包含將運送氣體在摻混之前提升至高於過熱蒸氣霧點之 加熱裝置,其連接於該供應器(202)。
    未命名 第28頁 2003. 03. 27. 029
TW088117702A 1998-10-16 1999-10-13 Dynamic blending gas delivery system and method TW538207B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/174,196 US6217659B1 (en) 1998-10-16 1998-10-16 Dynamic blending gas delivery system and method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW538207B true TW538207B (en) 2003-06-21

Family

ID=22635229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088117702A TW538207B (en) 1998-10-16 1999-10-13 Dynamic blending gas delivery system and method

Country Status (8)

Country Link
US (3) US6217659B1 (zh)
EP (1) EP0994502B1 (zh)
JP (1) JP3329775B2 (zh)
KR (1) KR100360921B1 (zh)
AT (1) ATE350140T1 (zh)
DE (1) DE69934646T2 (zh)
SG (1) SG91836A1 (zh)
TW (1) TW538207B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI483784B (zh) * 2009-07-31 2015-05-11 Tokyo Electron Ltd 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3472482B2 (ja) * 1998-06-30 2003-12-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法と製造装置
JP3905678B2 (ja) * 2000-02-28 2007-04-18 株式会社堀場製作所 薄膜堆積方法とその装置および薄膜堆積方法に用いるftirガス分析計並びに薄膜堆積方法に用いる混合ガス供給装置
US7001640B2 (en) * 2000-05-31 2006-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus and method for forming deposited film
US7905653B2 (en) * 2001-07-31 2011-03-15 Mega Fluid Systems, Inc. Method and apparatus for blending process materials
DE60123254T2 (de) 2000-07-31 2007-09-06 Kinetics Chempure Systems, Inc., Tempe Verfahren und vorrichtung zum mischen von prozessmaterialien
WO2002095519A1 (en) * 2001-05-24 2002-11-28 Unit Instruments, Inc. Method and apparatus for providing a determined ratio of process fluids
JP2002350925A (ja) * 2001-05-30 2002-12-04 Fuji Photo Film Co Ltd カメラの絞り切換え装置
US7334708B2 (en) * 2001-07-16 2008-02-26 L'air Liquide, Societe Anonyme A Directoire Et Conseil De Surveillance Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude Integral blocks, chemical delivery systems and methods for delivering an ultrapure chemical
US6461436B1 (en) * 2001-10-15 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Apparatus and process of improving atomic layer deposition chamber performance
US20090001524A1 (en) * 2001-11-26 2009-01-01 Siegele Stephen H Generation and distribution of a fluorine gas
US6474077B1 (en) 2001-12-12 2002-11-05 Air Products And Chemicals, Inc. Vapor delivery from a low vapor pressure liquefied compressed gas
JP4294910B2 (ja) * 2002-03-27 2009-07-15 株式会社東芝 半導体デバイス製造プラントにおける物質供給システム
DE20205819U1 (de) 2002-04-12 2003-08-21 Kinetics Germany GmbH, 63863 Eschau Vorrichtung zur Bereitstellung von hochreinen Prozesschemikalien
US20030236489A1 (en) 2002-06-21 2003-12-25 Baxter International, Inc. Method and apparatus for closed-loop flow control system
JP2004039921A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Watanabe Shoko:Kk 成膜装置
CN1332741C (zh) * 2002-07-19 2007-08-22 动力系统有限公司 混合过程原料的方法和设备
US7192486B2 (en) * 2002-08-15 2007-03-20 Applied Materials, Inc. Clog-resistant gas delivery system
JP2004091850A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
US6868869B2 (en) * 2003-02-19 2005-03-22 Advanced Technology Materials, Inc. Sub-atmospheric pressure delivery of liquids, solids and low vapor pressure gases
US6909839B2 (en) * 2003-07-23 2005-06-21 Advanced Technology Materials, Inc. Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material
US20050120958A1 (en) * 2003-12-07 2005-06-09 Frank Lin Reactor
KR100591762B1 (ko) * 2004-01-19 2006-06-22 삼성전자주식회사 증착 장치 및 증착 방법
US8088223B2 (en) * 2005-03-10 2012-01-03 Asm America, Inc. System for control of gas injectors
US20060243207A1 (en) * 2005-04-20 2006-11-02 Jursich Gregory M Fluid mixing and delivery system
JP2007051002A (ja) * 2005-08-19 2007-03-01 Kyocera Mita Corp 用紙カセット
CN100422628C (zh) * 2006-07-28 2008-10-01 周玉成 一种标准气体的动态配制系统
JP5306993B2 (ja) * 2007-03-30 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 蒸着源ユニット、蒸着装置および蒸着源ユニットの温度調整装置
US8067061B2 (en) 2007-10-25 2011-11-29 Asm America, Inc. Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports
US20100051109A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-04 Michael Meier CO2 dialer and manifold apparatus and system
US8486191B2 (en) * 2009-04-07 2013-07-16 Asm America, Inc. Substrate reactor with adjustable injectors for mixing gases within reaction chamber
KR20100119346A (ko) * 2009-04-30 2010-11-09 한국에이에스엠지니텍 주식회사 증착 장치
US8671971B2 (en) 2010-08-25 2014-03-18 Michael Meier Systems and methods for providing a monitoring and deactivation apparatus for a beverage distribution system
JP5395102B2 (ja) 2011-02-28 2014-01-22 株式会社豊田中央研究所 気相成長装置
FR2976258B1 (fr) * 2011-06-09 2014-09-05 Air Liquide Installation de conditionnement de no a debitmetres massiques
JP5430621B2 (ja) * 2011-08-10 2014-03-05 Ckd株式会社 ガス流量検定システム及びガス流量検定ユニット
TWI458843B (zh) * 2011-10-06 2014-11-01 Ind Tech Res Inst 蒸鍍裝置與有機薄膜的形成方法
JP5793103B2 (ja) * 2012-04-13 2015-10-14 岩谷産業株式会社 混合気体の供給方法及び供給装置
DE102014100135A1 (de) * 2014-01-08 2015-07-09 Aixtron Se Gasmischvorrichtung an einem Reaktor mit Wegeventil
JP2016134569A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社東芝 半導体製造装置
TWI772330B (zh) * 2016-10-14 2022-08-01 荷蘭商蜆殼國際研究所 用於定量分析氣態製程流之方法及設備
US10184496B2 (en) * 2016-12-06 2019-01-22 Airgas, Inc. Automatic pressure and vacuum clearing skid method
CN107058982B (zh) * 2017-01-23 2018-06-19 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 一种具有多层结构防液涂层的制备方法
CN109237304A (zh) * 2018-06-04 2019-01-18 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院 电气设备混合绝缘气体配制灌充系统
CN113262714A (zh) * 2021-05-19 2021-08-17 核工业理化工程研究院 三氟化溴和载荷气体配料方法及装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1298086B (de) * 1965-07-28 1969-06-26 Siemens Ag Verfahren zur Dosierung von SiCl oder SiHCl3 in einem Wasserstoffstrom bei der Silicium-Epitaxie
US3771260A (en) 1970-01-29 1973-11-13 Black Sivalls & Bryson Inc Method of vaporizing and combining a liquefied cryogenic fluid stream with a gas stream
US3751644A (en) 1972-02-22 1973-08-07 Sun Oil Co Automatic blending control system
US3856033A (en) 1973-02-22 1974-12-24 Scott Environmental Tech Dynamic gas blending
US3948281A (en) 1973-02-22 1976-04-06 Scott Environmental Technology, Inc. Gas blending using null balance analyzer
JPS55166163A (en) 1979-06-13 1980-12-25 Citizen Watch Co Ltd Controller for anesthetic gas
US4277254A (en) 1980-02-15 1981-07-07 Energy Systems, Incorporated Control system and apparatus for producing compatible mixtures of fuel gases
US5268327A (en) * 1984-04-27 1993-12-07 Advanced Energy Fund Limited Partnership Epitaxial compositions
JPS61232298A (ja) * 1985-04-04 1986-10-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコン単結晶の製造方法
US4963506A (en) * 1989-04-24 1990-10-16 Motorola Inc. Selective deposition of amorphous and polycrystalline silicon
JPH0784662B2 (ja) 1989-12-12 1995-09-13 アプライドマテリアルズジャパン株式会社 化学的気相成長方法とその装置
US5447568A (en) * 1991-12-26 1995-09-05 Canon Kabushiki Kaisha Chemical vapor deposition method and apparatus making use of liquid starting material
JP3156326B2 (ja) * 1992-01-07 2001-04-16 富士通株式会社 半導体成長装置およびそれによる半導体成長方法
US5575854A (en) 1993-12-30 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Semiconductor treatment apparatus
US5476115A (en) 1994-03-10 1995-12-19 Praxair Technology, Inc. Automatic gas blending system
JP3122311B2 (ja) 1994-06-29 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 成膜処理室への液体材料供給装置及びその使用方法
US5495875A (en) 1994-12-01 1996-03-05 Scott Specialty Gases, Inc. System for continuous blending of a liquid into a gas
US5761911A (en) * 1996-11-25 1998-06-09 American Air Liquide Inc. System and method for controlled delivery of liquified gases
US5789309A (en) * 1996-12-30 1998-08-04 Memc Electronic Materials, Inc. Method and system for monocrystalline epitaxial deposition
JPH10306377A (ja) * 1997-05-02 1998-11-17 Tokyo Electron Ltd 微量ガス供給方法及びその装置
US6039809A (en) * 1998-01-27 2000-03-21 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Method and apparatus for feeding a gas for epitaxial growth
US6301434B1 (en) * 1998-03-23 2001-10-09 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for CVD and thermal processing of semiconductor substrates

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI483784B (zh) * 2009-07-31 2015-05-11 Tokyo Electron Ltd 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體

Also Published As

Publication number Publication date
SG91836A1 (en) 2002-10-15
US20020054956A1 (en) 2002-05-09
US6217659B1 (en) 2001-04-17
US6514564B2 (en) 2003-02-04
DE69934646D1 (de) 2007-02-15
JP3329775B2 (ja) 2002-09-30
EP0994502B1 (en) 2007-01-03
US20010009138A1 (en) 2001-07-26
ATE350140T1 (de) 2007-01-15
JP2000223431A (ja) 2000-08-11
EP0994502A3 (en) 2000-07-26
KR20000029100A (ko) 2000-05-25
KR100360921B1 (ko) 2002-11-22
EP0994502A2 (en) 2000-04-19
DE69934646T2 (de) 2007-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW538207B (en) Dynamic blending gas delivery system and method
EP0931861B1 (en) Method and apparatus for feeding a gas for epitaxial growth
CN103572258B (zh) 蒸气输送装置及其制造和使用方法
TWI254749B (en) Source gas delivery
CA1228268A (en) Vacuum deposition system with improved mass flow control
US5531183A (en) Vaporization sequence for multiple liquid precursors used in semiconductor thin film applications
US4717596A (en) Method for vacuum vapor deposition with improved mass flow control
EP1242656B1 (en) Method and apparatus for delivering precursors to a plurality of epitaxial reactor sites
JPS6057921A (ja) 堆積および拡散源制御装置及び方法
KR20100083721A (ko) 액상 전구체의 유동과 농도를 제어하는 방법
US10480071B2 (en) Continuous distillation trichlorosilane vaporization supply apparatus
US5431733A (en) Low vapor-pressure material feeding apparatus
KR20150128417A (ko) 액상 전구체 공급장치
JPH02217474A (ja) 化学蒸着装置
JPH07508257A (ja) ガラス基板をコーティングする方法及び装置
JP2866374B1 (ja) エピタキシャル成長用ガスの供給方法及びその装置
TW200928231A (en) Vapour delivery system
JP2004514997A (ja) 低容量液体流の計量化送出のための方法および装置
JP3675376B2 (ja) 気相成長装置用ガス供給方法およびその装置
JP2003013233A (ja) 液体原料気化供給装置
JPH06316765A (ja) 液体原料用気化器
JPH0397693A (ja) 有機金属化合物の気化供給装置
JPS59185772A (ja) 高融点金属化合物における蒸発ガスの流量制御装置
JP2024524244A (ja) Cvdリアクタ用の蒸気ソース
JP2795098B2 (ja) 化学気相成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees