JP4294910B2 - 半導体デバイス製造プラントにおける物質供給システム - Google Patents
半導体デバイス製造プラントにおける物質供給システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4294910B2 JP4294910B2 JP2002088153A JP2002088153A JP4294910B2 JP 4294910 B2 JP4294910 B2 JP 4294910B2 JP 2002088153 A JP2002088153 A JP 2002088153A JP 2002088153 A JP2002088153 A JP 2002088153A JP 4294910 B2 JP4294910 B2 JP 4294910B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- primary
- water
- supply system
- water supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 82
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 54
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 92
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 297
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 82
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 30
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 17
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 claims description 10
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 5
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 claims description 4
- 238000010612 desalination reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 127
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 description 54
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 50
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 48
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 40
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 38
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 35
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 34
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 17
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 7
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 7
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 7
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 7
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 7
- 238000011033 desalting Methods 0.000 description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000003014 ion exchange membrane Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004065 wastewater treatment Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000006114 decarboxylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- KBXLLJPIBFBWEP-UHFFFAOYSA-N ethylcyclopentane ruthenium Chemical compound [Ru].CCC1CCCC1 KBXLLJPIBFBWEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000008235 industrial water Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- POHFBTRVASILTB-UHFFFAOYSA-M potassium;fluoride;dihydrofluoride Chemical compound F.F.[F-].[K+] POHFBTRVASILTB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 239000008237 rinsing water Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical group [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N tantalum(v) ethoxide Chemical compound [Ta+5].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 that is Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C11D2111/22—
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/32—Operator till task planning
- G05B2219/32082—Planing, material requiring planning MRP, request
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S210/00—Liquid purification or separation
- Y10S210/90—Ultra pure water, e.g. conductivity water
Description
【発明の技術分野】
本発明は、半導体デバイスの製造技術に関し、より詳細には、気体、液体、又は固体からなる物質を、半導体デバイス製造プラント中の処理設備に供給するための物質供給システムに関する。なお、本明細書において、「物質」とは、処理設備において、材料ガスや薬液などの半導体ウエハの処理に用いたり、処理設備そのものの洗浄に用いたりするガスや液体、処理設備に付随するポンプや反応室を加熱するヒーターの冷却水などの、直接反応の材料に使用されないガスや液体、並びに粒状の固体を含んでいる。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体デバイス製造工場は、大量生産により生産コストを下げるため大規模であり、例えば、1ヶ月当たり1000ロット(1ロット=100枚)を生産可能なものが知られている。このような大規模工場においては、設置される主要装置(機器)の数は数百台を超え、例えば、純水を使用して処理を行う処理設備すなわちユースポイントも、100台を超える規模となっているのが通常である。
【0003】
従来の物質供給システムの一例である純水供給システムを、図14に示す。前処理装置1では原水に凝集剤等を投入し、ろ過することにより、原水中に含まれる濁質成分を除去し、ろ過水タンク2に貯留する。次いで、一次純水装置3では、前処理装置1からのろ過水(及び、回収装置7からの回収水)に含まれるイオン成分を主に除去して一次純水を製造し、純水タンク4に貯留する。次に、超純水装置(すなわちサブシステム)5では、一次純水装置3からの一次純水をさらに精製して、超純水を製造する。超純水は、半導体デバイス製造工場内の種々のユースポイント6に供給される。ユースポイント6からのリンス水等の希薄排水は、回収装置7によって回収されて、回収の状態に応じて、一部がろ過水タンク2に貯留されて一次純水装置3での一次純水製造に再使用され、他の一部が再利用タンク8に貯留され、工場の適宜の設備用水として再利用される。ユースポイント6から排出された希釈排水以外の排水は、排水処理装置9において処理され、放出される。このとき、排水中の固形分は、脱水処理されて、スラッジとして排出される。
このようにして製造された超純水は、総てのユースポイントに供給されていた。
なお、本明細書においては、「一次純水」及び「超純水」を代表的に表す場合には、単に「純水」と称することにする。
【0004】
しかし、近年、半導体製品の需要は、パソコン向けの製品から、携帯電話などのデジタル家電向け等の用途が広がってきており、かつ、各種用途のライフサイクルが短くなってきていることから、半導体製品の生産は、大量生産ではなく多品種少量とし、なおかつ、機動的であることが求められるようになってきた。このような生産方法として、小規模化された半導体デバイス製造工場が提案されているが、このような小規模半導体デバイス製造工場(以下、「小規模工場」)では、少量生産であるにもかかわらず大規模半導体デバイス製造工場(以下、「大規模工場」)と同等以上のコスト競争力が必要であるという課題がある。
純水供給システムにおいても、大規模工場における純水供給システムを単に小型化しただけでは、純水の単位当たりの製造コスト(イニシャルコスト及びランニングコスト)が上昇し、半導体製品の生産コストに反映してしまうという問題点があった。
【0005】
このような小規模工場における問題は、純水の供給のみに限らず、半導体ウエハの処理に用いる材料ガスや薬液、処理設備を洗浄するためのガスや液体、処理設備に付随するポンプや反応室を加熱するヒーターの冷却水などの物質供給についても、同様に言えることである。
【0006】
また、一方で、従来の半導体デバイスの製造工程において、工場内の種々の処理設備では、その工程に応じて数々の材料ガス、薬液、溶媒を用いており、それらは、工場に設置されたガス配管または薬液配管を通して、一般には、工場の隣接したシリンダーキャビネットやガス生成器、薬液、溶媒の貯蔵タンクやイオン交換器などの精製器から、それぞれ供給されている。このシリンダーキャビネットやガス生成器、薬液、溶媒の貯蔵タンクやイオン交換器などの精製器などの供給設備の規模は、その工場でそれを使用するガス、薬液等の消費速度に対して過不足なく対応できなければならない。それは、供給設備の供給能力だけでなく、それをそれぞれの製造装置に輸送する手段としての配管の内径なども消費速度に合わせて過不足なく用意されるべきである。
【0007】
しかしながら、処理設備において、これらの材料ガス、薬液等は、常時おなじ速度で消費されつづけているわけではない。例えば、多結晶シリコン膜をLPCVDにて成膜する複数の基板をバッチ処理するLPCVD炉においては、シリコン膜の材料であるモノシランガスが供給される必要がある場合は、まさにシリコン膜が成膜されている時だけである。したがって、炉内を真空に排気したり、被処理基体である半導体ウエハを棚状のボートに乗せている時は、モノシランガスを消費していないが、供給設備の供給能力や輸送設備である配管の輸送能力は、勿論、消費している時のモノシランガスの消費流量を規準に設計される。このようなLPCVD装置が10台あれば、その10台分だけの供給設備と輸送設備が用意されることになる。ここで例に挙げた、モノシランガスのように、半導体ウエハの処理に直接関連して消費するものに限らず、ヒーターの冷却水はヒーターが加熱されている時にのみ必要となり、加熱されていない時は必要な水量は減少する。
【0008】
さらに、半導体製造工程に用いられる半導体ウエハの直径は、その生産効率の観点から年々増大していく傾向にあり、それに伴って半導体製造装置内の処理チャンバーも拡大されており、そこで消費される材料ガスや薬液の使用量も増大しているため、それだけ材料ガスや薬液等の物質を供給するための大容量の供給設備や輸送設備が必要となり、それへの投資が増加することになる。
したがって、小規模工場のみならず、大規模工場においても、材料ガスや薬剤の供給のためのシステムを如何にして容量を小さくして経済的なものにするかが、大きな問題になっている。
【0009】
本発明は、上記した従来例の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体デバイスの製造プラントにおける物質供給システムを、イニシャルコスト及びランニングコストが低く、しかも、半導体ウエハの処理に必要なときに必要な量だけ、効率よく処理設備に供給することができるようにすることである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために、第1の観点の本発明は、半導体デバイス製造プラントにおける複数の処理設備に対して、気体、液体、又は固体からなる同一種類の物質を供給する物質供給システムにおいて、
物質の供給ソースと、
供給ソースからの物質の複数の処理設備への供給を制御する制御装置であって、複数の処理設備で現在使用中の物質の総和が、供給ソースから供給可能な量を超えないように、処理設備での物質の供給開始時点を制御する制御装置と
からなることを特徴とする物質供給システムを提供する。
第1の観点の本発明に係る物質供給システムにおいて、複数の処理設備の少なくとも2つの処理設備は、物質の使用開始を要求するための使用要求信号、又は、使用要求信号及び使用の終了又は終了予告を通知するための使用終了信号を、制御装置に通知するよう構成されており、制御装置は、少なくとも1つの処理設備が物質を使用中に、該物質に関する使用要求信号を他の処理設備から受け取ったとき、供給ソースからの物質の供給可能量を超えないと判定した場合に、該他の処理設備に物質の使用を可能するための使用許可信号を通知するよう構成されていることが好ましい。
【0011】
第2の観点の本発明は、半導体デバイス製造プラントにおける複数の処理設備に対して、気体、液体、又は固体からなる同一種類の物質を供給する物質供給システムにおいて、
物質の供給ソースと、
供給ソースからの物質の複数の処理設備への供給を制御する制御装置であって、複数の処理設備で同時に物質が使用されないように、処理設備での物質の使用開始時点を制御する制御装置と
からなることを特徴とする物質供給システムを提供する。
第2の観点の物質供給システムにおいて、複数の処理設備の内の少なくとも2つの処理設備は、物質の使用開始を要求するための使用要求信号及び使用の終了又は終了予告を通知するための使用終了信号を、制御装置に通知するよう構成されており、制御装置は、少なくとも1つの処理設備が物質を現在使用中のときに、該物質の使用要求信号を他の処理設備から受け取ったときに、使用中の処理設備から使用終了信号を受け取るまで、使用要求信号を発した処理設備に対する物質使用を可能するための使用許可信号の通知を待機するよう構成されていることが好ましい。
【0012】
第1及び第2の観点の本発明に係る物質供給システムにおいて、物質の供給ソースは、複数の水質グレードの純水を製造する純水製造装置であり、制御装置は、処理設備への純水供給を、グレード毎に制御するよう構成されていることが好ましい。
【0013】
第3の観点の本発明は、半導体デバイス製造プラントにおける処理設備に対して、気体、液体、又は固体からなる物質を供給する物質供給システムにおいて、
物質の供給ソースと、
物質を一次保持するバッファと、
バッファからの物質の処理設備への供給を制御する制御装置と
からなることを特徴とする物質供給システムを提供する。
第3の観点の本発明に係る物質供給システムはさらに、バッファ内の物質の状態を制御する制御手段、及びバッファ内の物質の状態を測定する測定手段の少なくとも一方を備えていることが好ましい。また、処理設備において少なくとも1バッチの処理で必要とする物質の量を定量化する手段を備えていることが好ましい。さらに、バッファ内に少なくとも2種類以上の物質を同時に保持し、かつ、これら物質を同一の処理設備に供給可能に構成されていることが好ましい。
【0014】
第3の観点の本発明に係る物質供給システムはさらに、バッファ内において、保持された物質を反応させることによって新しい物質として保持し、該新しい物質を処理設備に供給するよう構成されていることが好ましい。また、バッファ内の温度、圧力、物質成分濃度、又はこれら任意の組合せを制御する制御手段を備えていることが好ましい。さらに、バッファ部内にエッチングガスを保持し、かつ、該ガスを、処理設備のチャンバの洗浄のために供給するよう構成されていることが好ましい。さらにまた、バッファ内に純水を保持して、処理設備のチャンバに供給するよう構成されていることが好ましい。また、処理設備のチャンバから排出された物質を再生してバッファに保持し、チャンバへ供給するよう構成されていることが好ましい。
【0015】
第1〜第3の観点の本発明に係る物質供給システムは、1つの供給ソースからの物質を複数の処理設備に供給するよう構成されていることが好ましい。また、供給ソースが物質を一次保持するバッファを備えていることが好ましい。
【0016】
本発明はまた、複数の処理設備を備えた半導体デバイス製造プラントであって、
第1〜第3の観点の物質供給システムと、
各処理設備における処理工程を記録管理するデータベースと、
半導体デバイス製造プラント全体を制御するCIMからなる制御システムであって、データベース上での処理設備の稼動スケジュールと半導体デバイスの製造スケジュールとに基づいて、物質供給システムにおける物質の供給速度、処理設備間の物質供給の優先順位を設定する制御システムと
からなること特徴とした半導体デバイス製造プラントを提供する。
【0017】
【発明の実施の態様】
<第1の実施形態>
本発明に係る半導体デバイス製造プラントにおける物質供給システムの第1の実施形態として、複数の処理設備に純水を供給する純水供給システムについて、説明する。
本発明者が純水供給システムに関して着目した点は、以下の通りである。
・純水を使用するユースポイントでは、ユースポイントごとに要求する純水の水質が異なり、総てのユースポイントが超純水レベルの水質を必要としているわけではない。
・純水を使用する一部のユースポイントは、工程毎で要求する純水の水質が異なり、総ての工程で超純水レベルの水質を必要とするわけではない。
・小規模工場では、ユースポイント数が比較的少ないため、純水の水質グレードを複数設け、かつ各グレード毎に純水供給配管を設けても、配管のひき回しは複雑にならない。
・純水をグレード分けすることにより、超純水などの製造コストが高い純水の製造量を抑えることができる。
・小規模工場では、ユースポイント数が比較的少ないため、ユースポイントでの純水使用状況を容易に把握することができる。
・小規模工場では、ユースポイント数が比較的少ないため、ユースポイント相互間での純水供給制御が容易である。
【0018】
・各ユースポイントの純水使用時間は、全体の処理工程中(稼働中)の数%〜数10%程度と低く、かつ、1回の純水使用時間は、数10秒〜数分間程度で使用パターンは間欠的かつ周期的である。また、純水を使用するユースポイントが比較的少ないため、複数のユースポイントが同一の水質グレードの純水を同時に必要とする確率が極めて低く、しかも、工場全体として純水の使用パターン(グレード、水量、及び使用時間を含む)を容易に把握することができる。
・時間的に重複した純水使用の要求が生じたとしても、純水の1回当たりの使用時間が極めて短いため、一方のユースポイントへの純水使用が終了するまで他方のユースポイントへの純水供給を遅らせても、工場全体としての生産効率に殆ど影響を及ぼすことがない。
・各ユースポイントでの純水使用状況の把握により、瞬時必要水量を抑えるように制御することができ、これにより、純水供給システムの規模を小さくすることができる。
【0019】
以上のように、小規模工場においては、複数のユースポイントが同一グレードの純水を同時に重複して使用とする確率が極めて低く、しかも、このような重複した純水使用要求が生じたとしても、純水の1回当たりの使用時間が極めて短いため、一方のユースポイントへの純水使用が終了するまで他方のユースポイントへの純水供給を遅らせても、工場全体としての生産効率に殆ど影響を及ぼすことがない。また、各ユースポイントが必要とするグレード毎の純水の必要量を把握し、そして、グレード毎に、把握した水量の内の最大値(瞬時必要水量)を提供可能にすることで、生産効率を悪化させることなく純水製造コストを低減することができる。さらに、ユースポイント間の純水の使用状況の把握及び制御により、瞬時必要水量を低く抑えることができ、純水供給システムの規模を小さくすることができる。
本発明の物質供給システムの一実施形態である純水供給システムは、このように、半導体デバイス製造工場におけるユースポイントでの純水の重複使用時間の分析、及びユースポイントでの工程毎に必要な水質グレードの解析結果に基づいてなされたものである。
【0020】
図1は、本発明に係る、小規模工場等において特に有用な純水供給システムの構成を模式的に示すブロック図である。図1において、10は複数の水質グレードの純水を製造する純水製造装置、20は純水の供給を制御するための制御装置を示している。また31〜33は、半導体デバイスを製造するための種々の処理装置の内、処理に純水を必要とする装置すなわちユースポイントを示している。この例においては、4基の洗浄装置(すなわち、2基の大型洗浄装置WET1及びWET2、並びに2基の小型洗浄装置WET3及びWET4)31、5基のケミカル・メカニカル・ポリッシング装置(CMP1〜CMP5)32、1基のリソグラフィ装置(LITHO)33をユースポイントとして含んでいる。これらを代表して表す場合には、単に「ユースポイント30」と称することにする。21は、制御装置20に設けられた純水利用データベース(DB)であり、該DB21には、制御装置20と純水製造装置10との間で通信された情報、及び制御装置20と各ユースポイント30との間で通信された情報等の制御情報が記憶され、これにより、純水供給/使用履歴が蓄積される。これら情報の通信は、工場内のLAN等の任意の通信手段を介して行われる。
【0021】
なお、図1においては、説明を省略するために、純水を供給するための供給配管、及びユースポイント30から排出される希薄排水を回収して純水製造装置10に戻すための配管及び回収処理装置は、説明を簡略化するために省略している。
また、小規模工場内の複数のユースポイント30として、上記した装置の種類及び個数に限定されないことは、勿論である。
【0022】
純水製造装置10は、図2に示すように、原水タンク11、一次純水装置12、純水タンク13、サブシステム(超純水装置)14、循環処理装置15を備えている。図2の例においては、原水として市水を使用しているが、図7に示した従来例のように、工業用水を原水として使用し、前処理装置等によりろ過水を製造することも、勿論可能である。なお、小規模工場においては、原水の使用量が少ないので、煩雑な前処理工程を必要としない市水を原水として使用することが好ましい。一次純水装置12、純水タンク13、及びサブシステム14はそれぞれ、図7に示した従来例の純水供給システムに備えられている装置と同様な装置である。
【0023】
循環処理装置15は、瞬時必要水量(複数のユースポイント30が同時に使用可能な水量)を確保した水量の一次純水が配管中を常時循環するように制御する。すなわち、循環処理装置15の制御により、瞬時必要水量+余裕量の一次純水が配管中を常時流れ、各ユースポイント30が必要な時点で必要量の一次純水を配管から取水し使用し、使用されない一時純水は、純水タンク13に戻される。循環処理装置15には、一次純水の循環時に上昇する水温を冷却するための熱交換器、殺菌用のUVランプ装置、限外ろ過膜(UF)を備えることが好ましい。殺菌用UVランプ装置は、サブシステム14に通常具備されるTOC分解用のUVランプ装置に比較して、イニシャルコスト及びランニングコスト共に十分低いので、循環処理装置15の設置による純水製造コストの上昇は、極めて僅かである。また、一次純水装置12の後段に純水タンク13を設けて一次純水を貯留しておくので、一次純水装置12による一次純水製造量を、工場全体で必要とする平均使用水量(最低量)に設定することができる。
【0024】
純水製造装置10におけるこれら装置は、それぞれが独立して運転できる機能別ユニット構造で構成されることが好ましい。このような機能別の複数のユニット構造に形成することにより、工場内の生産設備等の取り替えによりユースポイントが必要とする超純水使用条件が変更されても、必要な機能ユニット構造だけを改造又は取り替えることにより対処することができるので、機動的な超純水供給が可能となる。また、ユニット構造の装置は、ユニット製造工場で製作することができるので、純水供給システムの工場内設置における工期短縮とコストダウンを図ることもできる。
【0025】
純水製造装置10を構成する一次純水装置12及びサブシステム14として、少なくとも膜処理技術を使用した装置を採用することが好ましい。特に、一次純水装置12は、逆浸透膜装置と脱気膜装置と電気式脱塩装置を備えることが好ましい。
なお、図14に示した従来の一次純水装置3では、イオン交換膜樹脂法、イオン交換膜樹脂法+逆浸透膜、逆浸透膜+イオン交換樹脂法のいずれかを主体とし、これに真空脱気塔を組み合わせて、一次純水を製造するのが一般的である。
【0026】
しかしながら、処理の主体となるイオン交換樹脂法は、大規模半導体デバイス製造工場向けに、100m3/h以上の大容量の一次純水を製造するには、コストが低くかつ実証された技術であるが、本発明が意図する小規模半導体工場向けには、以下のような問題点がある。
すなわち、イオン交換樹脂法は、不純物をイオン交換樹脂に吸着して純水化を図るため、イオン交換樹脂から不純物を除去するための再生操作を、1日に1回程度行う必要がある。したがって、運転管理が複雑になるとともに、再生操作の間は一次純水の製造ができないので、再生操作の期間中でも使用可能なように、一次純水を予め製造してタンクに貯留しておく必要がある。
【0027】
小規模工場では、工場面積に対する純水供給システムの面積の割合が大きくなりがちであるが、再生操作期間中の一次純水使用量を確保するためには、一次純水装置12及び純水タンク13の容量を大きくせざるを得ず、したがって、純水供給システムの面積割合がさらに増加すると言う問題に繋がる。また、イオン交換樹脂の再生用に、塩基、苛性ソーダ等の取り扱いに注意を要する薬品を大量に使用する必要があり、多量の強酸、強アルカリ性の化学排水が発生し、排水処理が複雑となるという問題もある。
また、真空脱気塔は、処理容量に関わらず、10m程度の高さを必要とし、専用の設置架台が必要となるので、建屋構造に配慮する必要がある。
【0028】
これに対して、本発明の一実施形態である純水供給システムの一次純水装置12として採用することが好適な電気式脱塩装置は、イオン交換樹脂法に関わる上記したような問題がなく、逆浸透膜と組み合わせることにより、再生用薬品を必要とせず、純度の高い純水を連続して製造することができる。また、脱気膜を逆浸透膜と電気式脱塩装置との間に設置すれば、真空脱気塔に関わる上記したような問題がなく、しかも、脱酸素だけでなく脱炭酸も行うことができるので、電気式脱塩器のイオン負荷が減り、容易にかつ連続的に高純度純水を製造することができる。
一次純水装置12として使用する電気式脱塩装置として、市販の任意の電気式脱塩装置を採用可能であるが、WO99/48820、特開2001−121152号に開示された電気式脱塩装置(荏原製作所製の商品名GDI)を採用すると、システム構成を簡素化でき好適である。
【0029】
また、GDIを採用した場合、GDIは硬度成分が析出しにくい特性を有しているため、GDI前段の逆浸透膜を1段設けるだけでよく、他の電気式脱塩装置のように硬度成分を高度に除去するための逆浸透膜の2段設置又は逆浸透膜と軟水器との併用装置を必要としない。
さらに、GDIは、全有機炭素(TOC)成分の除去特性に優れているので、GDI処理水は、高純度な一次純水の指標であるTOC15ppb以下を容易に達成することができる。なお、他の電気式脱塩装置は、TOC除去特性が低く、電気式脱塩装置中に充填したイオン交換体からTOCが溶出する場合もあることから、TOCを安定して15ppb以下に保持するためには、装置は多少複雑になるが、後段にTOC除去用の逆浸透膜又はTOC分解用の紫外線照射装置を設けることで、同等の効果が得られる。
なお、GDI以外の任意の電気式脱塩装置を一次純水装置12として用いること、及び、図14に示した従来装置等の任意の純水製造装置を、本発明における純水製造装置10として適用可能であることは、言うまでもない。
【0030】
ユースポイント30はそれぞれ、各水質グレードの純水の使用制限を越えない限り、独立して稼働する。大型洗浄装置、小型洗浄装置、CMP装置、及びリソグラフィ装置において、必要な純水の水質グレードは、例えば、図3に示す通りである。なお、複数の水質グレードの純水を供給可能に供給配管を配置しても、小規模工場においてはユースポイント30の数が少ないため、配管が複雑になることがない。
各ユースポイント30は、稼働時に、図3に例示した各グレードの純水を予め設定された純水使用パターンに応じて使用するために、「使用要求信号」を制御装置20に対して通信する。使用要求信号には、純水使用を開始したいことを表す情報とともに、例えば、信号発信元であるユースポイント30の装置ID、使用したい純水のグレードを表すグレードID、水量、及び使用時間(期間)等が含まれる。
【0031】
使用要求信号に使用時間に関する情報を含ませることなく、「使用終了信号」を、ユースポイント30から制御装置20に通知するようにしてもよい。使用終了信号には、純水使用の終了又は終了の予告を表す情報及び装置IDが含まれる。
なお、制御装置20の純水利用DB21(又は、他の任意の記憶装置)に、ユースポイント30毎の純水使用パターンが格納されている場合、そして、それに沿って各ユースポイント30で処理が進められている場合、使用要求信号中にグレードID(又は、グレードID、水量、及び使用時間(期間))を必ずしも含ませなくてもよい。
【0032】
制御装置20は、受け取ったこれら信号に基づいて、純水製造装置10から供給配管を介して巡回している適切なグレードの純水を、該当するユースポイント30が使用可能な時点を決定し、決定された時点で、当該ユースポイント30に純水使用の許可を表す「使用許可信号」を通知する。制御装置20を、回収処理装置(不図示)及び、純水製造装置10そのものの動作を制御するよう、構成してもよい。
【0033】
制御装置20における制御により、瞬時水量の少量化により純水供給システムを小型化可能であることを、具体例に基づいて以下に説明する。
ユースポイントの一例である大型洗浄装置(WET1及びWET2)31は、図3に示すように、超純水を最終リンス水として使用しているが、これら装置それぞれの純水使用面からみた稼働率は0.4程度であり、しかも、その内の最終リンス水すなわち超純水を使用する工程の稼働率は0.17程度である。したがって、図4に示すように、2台の大型洗浄装置が同時に稼働して超純水を必要とする重複期間の出現率(半導体工場の稼働時間から見た)は1%程度であり、1台のみが稼働して超純水を必要とする出現率は11%程度である。それ以外の88%の期間は、2つの大型洗浄装置のいずれの最終リンス工程も稼働していないため、全く超純水を必要としていない。したがって、2台の大型洗浄装置が重複して超純水を要求した場合に、後から要求した洗浄装置への超純水の供給を遅延させるよう制御すれば、純水製造装置10のサブシステム(超純水装置)14は、1台分である20L/分の規模に半減させることが可能となる。
【0034】
一次純水供給系、すなわち一次純水装置12、純水タンク13、及び循環処理装置15についても、同様に規模を低減することができる。すなわち、図3に示すように、一次純水は、ユースポイントである4つの洗浄装置31、5つのCMP装置32、及び1つのリソグラフィ装置33において必要とされている。そして、これらユースポイント30での稼働率及び必要水量は、例えば、図5に示すように表すことができる。図5に示した稼働率及び必要水量からみて、工場全体において、50L/分の一次純水を必要とする出現率は30%であり、最大100L/分の一次純水を必要とする場合の出現率は30+46=76%であり、また、最大150L/分の一次純水を必要とする場合の出現率は30+46+21=97%である。
【0035】
したがって、使用するすべてのユースポイント30で必要な一次純水を単純加算した176L/分を供給可能な一次純水供給系を用いる必要がなく、どの程度の重複使用を許容するかに応じて、50L/分、100L/分、又は150L/分の一次純水を供給可能な装置を用いることができ、規模を小さくすることができる。そして、例えば、100L/分の供給容量の一次純水供給系を用いた場合、2基のユースポイント30が一次純水使用中に他の1基のユースポイントが一次純水使用を要求したとき、最後に要求したユースポイントの純水使用を遅延させるよう制御すればよい。このような重複使用要求は、図5の例では21%程度の低い出現率であり、しかも短時間であるため、工場全体の処理に殆ど悪影響を及ぼすことがない。
【0036】
以上から明らかなように、本発明によれば、一次純水及び超純水の供給能力が小さい場合でも、各ユースポイント30に対する純水供給開始時点を適切に制御すれば、半導体デバイスの製造に支障なく純水を供給することができる。
【0037】
図6のフローチャートを参照して、本発明による、制御装置20によって実行される純水供給制御動作をより詳細に説明する。なお、この制御は、コンピュータに内蔵されるソフトウエアによって実行される。
工場の操業が開始され、工場内の複数のユースポイント30が独立して稼働を開始すると、制御装置20は、ステップS1において、使用要求信号及び使用終了信号の受信を待機する。この場合の使用要求信号は、使用開始要求+装置ID+グレードID+水量の情報を含んでおり、使用終了信号は、使用終了+装置IDを含んでいる。
【0038】
制御装置20は、使用要求信号を受信すると、ステップS2に移行し、使用要求信号中の純水のグレードIDに基づいて、純水利用DB21を検索することにより、該当するグレードの純水が現在使用中であるか否かを判定する。当該グレードの純水がすでに使用されている場合、ステップS3に移って、純水製造装置10における当該グレードの純水供給能力から見て、使用要求信号で要求された水量を直ちに供給可能であるか否かを判定する。
このステップS3においては、純水利用DB21を検索することにより、当該グレードの純水使用を待機中の他のユースポイントが存在するか否かを判定し、存在する場合、そのグレードの水量を供給不可能であると判定する。また、待機中の他のユースポイントが存在しない場合、純水製造装置10の純水供給能力から見て、新規要求のユースポイント30が必要とするそのグレードの純水を供給可能であるか否かを判断する。
【0039】
ステップS2において、そのグレードの純水を使用中であると判定し、かつステップS3において、当該グレードの純水が供給不可能であると判定した場合、ステップS4において、該当するユースポイント30に、そのグレードの純水の使用を待機するよう指示するための待機指示信号を通知するとともに、純水供給DB21中に、装置ID及びグレードIDに関連付けて、待機マークを付与する。このとき、要求された水量も純水利用DB21に記憶する。
一方、ステップS2において使用されていないと判定した場合、又はステップS3において供給可能であると判定した場合、ステップS5において、使用要求信号中の装置ID及びグレードIDに関連付けて、純水利用DB中に供給開始マーク付け、かつ要求された水量を記憶する。また、当該装置IDに対応するユースポイント30に使用許可信号を通知し、これにより、該ユースポイント30は当該グレードの純水を使用可能となる。
【0040】
一方、ステップS1において、受け取った信号が使用終了信号である場合、ステップS6に移行し、該信号中の装置IDと、純水利用DB21中の該装置IDとグレードIDとに関連させて、供給終了マークを付ける。そして、ステップS7において、純水利用DB21中の、当該グレードIDに関連付けて待機マークが付与されている装置IDがあるかどうかを検索し、待機マークがある場合にはステップS8に進み、ない場合にはステップS1に戻って新たな信号の受信を待機する。ステップS8では、純水利用DB21中の、当該グレードIDに関して、最も早い時点で待機マークが付与された装置IDに関連付けて記憶されている水量を読み出す。そして、ステップS2に移行し、上記したように、他のユースポイントがそのグレードの純水を使用中であるか否かを判定し、ステップS3〜S5を実行する。
【0041】
このようにして、制御装置20は、純水製造装置10のグレード別の純水供給能力から見て、要求されたグレード及び水量の純水が要求元のユースポイント30に直ちに供給可能であるか否かを判定し、供給不可能である場合に、当該純水が供給可能となるまで、使用を許可しない。これにより、純水製造装置10の各グレードの純水の供給能力が比較的小さい場合でも、製品の生産効率を実質的に低下させることなく、製品を製造することができる。
【0042】
上記説明した純水供給の制御動作においては、純水製造装置10の供給能力の範囲内であれば、複数のユースポイント30が同時に同一グレードの純水を使用可能であることを前提としているが、重複使用が全く不可能となるように制御してもよい。その場合、あるユースポイントで既に使用中のグレードの純水に関する使用要求信号を他のユースポイントから受信した場合、前者から使用終了信号が送られてくるまで、後者に使用許可信号を送信しないようにすればよい。
また、先に説明したように、使用要求信号中に使用時間(期間)に関する情報を含ませれば、使用終了信号をユースポイント30から制御装置20に通信する必要がなく、したがって、ステップS1では使用要求信号のみの受信を待機することになり、図6のステップS6〜S8での処理は不要となる。さらに、制御装置20が各ユースポイント30の純水使用時間を予め把握している場合には、純水使用開始から所定時間後に純水使用が終了しているものと、自動的に判定するようにしてもよい。この場合も、ユースポイント30が使用終了信号を通知する必要がなくなる。
【0043】
なお、同一グレードの超純水を同時に要求しないユースポイントをグループ化することが好ましい。この場合、同一機能の装置、連続して処理を行う少なくとも2つの装置を含むようにグループ化することが好ましい。これは、ランダムにグループ化すると、装置が交換された場合においてグループの再構築が煩雑であり、生産効率を落とさずに純水の供給量を抑えるという効果が十分に発揮されない可能性があるからである。
【0044】
本発明の物質供給システムの実施形態である純水供給システムの好適例について説明したが、種々の変形が可能であることが当業者には明らかであろう。例えば、上記例においては、使用要求信号を発したユースポイント30に純水使用を直ちに許可しない場合に、制御装置20が待機指示信号を返送しているが、待機指示信号を必ずしも返送する必要がない。また、使用許可信号により、該当するユースポイント30の純水取り込みバルブを開放制御するようにしてもよい。さらに、純水に限定されずに、任意の気体、液体、又は固体からなる物質の供給に適用可能であることは言うまでもない。
【0045】
<第2の実施形態>
図7は、本発明に係る物質供給システムの第2の実施形態である、シリコン膜のLPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition:低圧化学気相蒸着)装置において、モノシランガスにてLPCVD工程を行う場合の、物質供給システムを示している。
半導体デバイス製造プラントの1つの処理設備であるLPCVD装置(半導体製造装置)40は、クリーンルームのFab階に置かれ、その内部に高純度石英からなるチャンバすなわち反応管41を備えている。該反応管41には、クリーンルームの外に置かれたモノシランガスのガスシリンダー51、及びクリーンルーム内に階下(SUB−Fab階)に設置されたフッ素ガス発生器52からそれぞれ、バッファ(ガスバッファ)42を通して、LPCVD成膜の材料ガスであるモノシランガス、及び反応管41の内壁やその他の内蔵された石英や、シリコンカーバイド製の部品の表面にLPCVD成膜されたシリコン膜をエッチングして反応管内部を洗浄するフッ素ガスが導入される。モノシランガスやフッ素ガスのバッファ42への導入側は、エアオペレーションバルブの46.1と46.2によって仕切られ、バッファ42から反応管41への導入は、同じくエアオペレーションバルブ45によって、仕切られている。
なお、洗浄のためのフッ素ガス供給については、第3の実施形態として、以降で説明する。
【0046】
バッファ42の中の充填圧力は、圧力計43によって測定されている。このバッファ42の内部と反応管41をパージするため、及び、反応時の希釈ガス、または、反応管41の内部の圧力を1気圧に復帰させるための窒素ガスが、窒素ガス発生器53からバルブ46.3を通して供給されている。バッファ42から反応管41へ供給されたガスは、中で加熱されてLPCVD反応、またはエッチング反応した後に、反応生成ガスと未反応ガスと共に、その開度によって流体のコンダクタンスを調節することで、反応管41内部の圧力調整機能と遮断機能を併せ持ったゲートバルブ48を通過して、クリーンルームの階下に置かれた真空ポンプ54によって排気される。排気ガスは、除害装置55によって安全に処理された後、クリーンルーム内に設置された排気ダクト56から排出される。
【0047】
処理される半導体ウエハは、LPCVD反応を行う反応管41の内部に配置され、その状態で反応管41がヒーター47により加熱される。これらのバルブ45、46.1〜46.3、8、ヒーター47、フッ素発生器52、真空ポンプ54、除害装置56は、LPCVD工程のレシピを実行管理する装置コントローラ49によって制御される。圧力計43やヒーター47の出力、反応管41の炉内温度、炉内圧力などの測定値も、装置コントローラ49に出力される。レシピなどの成膜情報は、LAN60を経由して、製品管理データベース(DB)71より装置コントローラ49に出力される。
【0048】
図7に示したLPCVD装置40を用いて、多結晶シリコン膜を成膜する場合を説明する。未処理の半導体ウエハがこのLPCVD装置40での処理工程に到着する以前に、製品管理データベース71より、次にこの装置が処理すべきLPCVD工程の詳細情報が装置コントローラ49に入力される。例えば、多結晶膜100nmのLPCVD工程であり、620℃にて、モノシランガスを100sccmの流量で、0.2Torrの圧力において、10分間のLPCVD成膜を行うことであると仮定すると、この成膜に用いるモノシランガスの総量は、
100SCCM×10分間=1000SCC
である。
【0049】
LPCVD装置40のバッファ42の内容積が1000ccであると仮定すると、装置コントローラ49の制御の下で、真空ポンプ54によって、バッファ42はバルブ45を空けて一旦、十分に低い圧力にまで排気された後、バルブ45を閉め、次いでバルブ46.2をあけることで、バッファ42内にモノシランガスを導入する。バッファ42の内部にモノシランガスを1000SCC(気体の標準状態の下、1000cm3の体積であること)を充填した後にバルブ46.2を閉じ、バッファ42を封じる。
【0050】
このバッファ42の充填を制御する方法は、種々のバリエーションをとることができる。図8に3つのバリエーションを例に示した。
図8の(A)は、圧力調整を行う方法を示している。この方法においては、バルブ46.2の前または後に、装置コントローラ49の指示に従って、自動で所望の圧力調整制御のできる減圧弁を備え、それによって、バッファ42内のモノシランガスの圧力をこの場合においては、1気圧に制御することで、1000SCCを秤量する。
図8の(B)の方法は、バルブ46.2の前または後に、マスフローコントローラ(MFC)を用意して、流量と時間で、例えば2SLMの流量一定で30秒間などのようにして、1000SCCを秤量する方法である。ここで、マスフローコントローラを用いずにより安価なマスフローメータを用いて、その出力の積算値から1000SCCを用いる方法もある。
図8の(C)の方法は、バッファ42に取り付けられた圧力計43の出力を用いてバッファ内の圧力を測定し、所望の圧力、この場合は1気圧=760Torrに達したときに、バルブ46.2を閉じてバッファ42内部の圧力を制御する方法である。この時、圧力の上昇が早い場合は、オリフィスなど流体のコンダクタンスを落とすものを用意するか、又は、コンダクタンスの開度調整のできるピエゾバルブなどを用いて、その開度を圧力計43の値からフィードバックして760Torrに制御することが有効である。
【0051】
これらの方法では、モノシランガスを他の装置と分岐する上流側に圧力調整器や、マスフローコントローラ、コンダクタンス制御装置を配置することで、比較的高価な部品であるこれらの装置を、複数のLPCVD装置など他の半導体製造装置の複数台で共有することができる。図8の(A)や(C)に示した方法のように、マスフローコントローラやマスフローメーターによる流量測定をおこなわない場合は、そのトータル流量を精密に制御するには、温度、圧力が気体の標準状態でなければならない。したがって、バッファ42の状態、この場合は、温度の調整または測定をすることで、圧力設定値を補正することが必要となる。その用途と製品の要求するスペックとコストとのバランスから最適な組み合わせを選ぶことが重要である。
【0052】
また、何れの方法においても、実際の成膜時間に関係なく、それよりも短い時間でモノシランガスを供給できるため、モノシランガスのシリンダーキャビネット51とLPCVD装置40が、実際につながる時間を短くすることができ、また、実際の成膜が行われるより前にモノシランガスを供給することで、工場側の事故や故障、人為的ミスによる供給停止、減少などの影響が、実際のLPCVD製造工程に及ぼす機会を格段に減少して、安定した製造をすることができる。また逆に、成膜する時間より、モノシランガスをゆっくりと長くすることで、今までの供給設備よりスペース的にもコスト的にも安価な装置で、供給することが可能である。
【0053】
バッファ42にモノシランガスを充填する作業の後、または、並行して、反応管41の内部には、未処理の基板が配置され、大気を排気した後、窒素などの不活性ガス雰囲気の中、ヒーター47やゲートバルブ48によって、温度及び圧力が所望の値、ここでは620℃及び0.2Torrになるように調節され、またその他の成膜前の準備が進められる。
【0054】
成膜するときは、バルブ45の下流にマスフローコントローラを用意して、流量制御をすることも可能である(図9の(A)を参照)。また、バルブ45にコンダクタンスを開度によって調整する機能を付加することによって、または、たとえば、ピエゾバルブなどコンダクタンスを調整できるバルブを併用することによって、その開度をバッファ42に取り付けられた圧力計43の出力値が一定に減少(この場合は、10分間で、760Torrのモノシランガスを使い切るので、ほぼ、76Torr/minの割合で減少)するように調節することで、マスフローコントローラを用いることなく流量を制御することもできる(図9の(B)を参照)。このように、流量を成膜時に制御することで、成膜で用いられるモノシランガスを先の段階で、1000SCCを正確に測定する必要はない。100SCCMで10分間の成膜を行った後に、残ったモノシランガスは、反応管41を通さずに、バイパスラインを通して、真空ポンプ54を介して廃棄することも可能であるし、次回の成膜分として保持しておいても良い。
【0055】
反応管41に複数(通常、100〜200枚)の半導体ウエハを配置して、これら半導体ウエハ上に一度に成膜を行うバッチ式LPCVD装置に適応した場合を例にあげる。バッチ式の縦型LPCVD炉では、半導体ウエハを、縦に所定の間隔(例えば5mmほど)空けて積み重ねるように、反応管41の中に配置した後に、反応管41内の温度を反応温度(ここでは、620℃)に安定させた後に、材料ガスたるモノシランガスをマスフローなどによる流量制御した状態で送り込む。ただし、反応管41内に導入されたガスは、上流側で消費されるためと、反応生成ガスが発生するため、下流側では、導入されたガスの濃度が相対的に薄くなり、成膜反応が鈍化する。
【0056】
ここに挙げた実施例では、モノシランガスが、成膜反応と気相反応で消費されて、
SiH4 → SiH2+H2 (気相)
SiH4 → Si+2H2 (成膜表面)
SiH2 → Si+H2 (成膜表面)
の化学反応が生じる。
SiH2(シリレンガス)やH2(水素ガス)を発生するために下流では、SiH4(モノシランガス)の分圧が減少して成膜速度が落ちる。従って、多数積み重ねた複数の半導体ウエハを内蔵した反応管41へ、次々とある流量(ここでは、100SCCM)でモノシランガスを流れ込ませる場合、下流側に位置したものは、上記の理由から成膜速度が遅くなる。モノシランガスは、積み重ねた半導体ウエハの隙間が一般的に基板の半径に比べて狭い空間(この実施例では、5mmほどの間隔の狭い空間)を拡散によって、半導体ウエハの周辺部から中心部へと運ばれる。すなわち、周辺部が上流側であり、中心部が下流になる。その結果、周辺部の成膜速度は中心部のそれに比べて早くなり、中心部で膜厚が薄くなり、それが、成膜の均一性の限界を決めていることも良く知られていることである。
【0057】
バッファ42を用いた場合の成膜として、モノシランガスをバッファ42から、図9の(A)に示したようなマスフローコントローラを用いた方法で、または図9の(B)に示したような方法で、成膜時にその流量をコントロールする場合も、成膜の均一性は同様であるが、バッファ42を用いることで、図9の(C)のように、まったく流量を管理せずに、導入したガスの総量で、成膜に用いるモノシランの供給量を制御することも可能である。その成膜部分のシーケンスは、以下の通りである。
【0058】
まず、バッファ42に必要なモノシランガスを秤量して封じておく。そして、反応管41を真空ポンプ54によって十分に排気して、圧力を例えば0.1mTorrまで下げた状態で、真空ポンプ54に繋がるゲートバルブ48を完全に閉じて密封する。その後、バッファ42と反応管41をつなぐバルブ45を全開することで、目標とする成膜に必要なだけのモノシランガスが、数秒以内に、一度に反応管41内部に充満する。先に述べたウエハとウエハとの間の狭い空間に対しても、一気にモノシランガスが充満する。このように、反応速度よりも十分に速い速度でガスを拡散させてやることによって、前述のようなガスの拡散律速による不均一性を起こすことなく、膜厚均一性のよい成膜を行うことができる。
【0059】
図9の(D)にモノシランガスの濃度の時間変化を示し、図9の(E)に成膜速度の変化と成膜された膜厚の時間変化を示した。通常の、マスフローコントローラなどで導入流量を制御した成膜の場合と異なり、成膜レートが一定ではない。狙い膜厚は、成膜レートのデータから積分して求め、図9の(E)のグラフに基づいて、成膜時間を決定してやる必要がある。成膜速度は、最初は速いが、次第に遅くなり、目標とする膜厚付近で、非常に遅くなるため、短時間で、かつ、時間による膜厚の誤差が小さい、より精密な膜厚制御も可能となる。
【0060】
また、非ドープのシリコン膜ではなく、砒素、硼素、リンなどのドナーもしくはアクセプターとなる不純物や同じ4族のゲルマニウムを成膜中にドーピングさせる場合は、予め、バッファ42と同等なもう一つのバッファを設けて、そこに、ASH3(アルシン)やB2H6(ジボラン)、PH3(ホスフィン)、GeH4(ゲルマン)などのガスソースを保持し、モノシランと同様な手順で成膜工程に使用することも可能である。さらに、同じバッファ42内部にこれらガスをモノシランガスと混合させて保持しておくことにより、ドーパント濃度を均質にすることも可能となる。この時、バッファ42に質量分析器や赤外線吸収分光器を接続し、その分析結果を装置コントローラ49に出力して、バッファ42への導入弁やフローコントロールをすることで、成膜に使用する前の各成分の濃度を正確に知り、各ガスの充填濃度を制御することも可能である。また、単純に、各ガスを順順にバッファ42に貯めていくときの圧力の増加分を圧力計43で測定していくことにより、各ガスの混合比を算出することも可能である。その後の成膜の仕方のバリエーションも、モノシランガス単体での成膜の場合と同様である。
【0061】
モノシランガスによるシリコン成膜ではなく、ペンタエトキシタンタル(PETと記す)よるタンタルオキサイドのLPCVD成膜に、本発明を適用した場合は、常圧、常温で液体であるPETは液体マスフローによる流量制御や、重量や、液面位置などによって必要な量だけ秤量され、バッファ42に注入される。バッファ42には、温度調整するためのヒーター47と温度調整機(不図示)を備え付け、PETが気化し、但し、熱反応しない状態を維持することで、PETを液体から気体へ変化させて保持できる。この場合を図10の(A)に示す。その後の成膜は、モノシランと同様である。これにより、常温で液体または固体であるソースによる気相でのLPCVD反応に対して、気化器の能力などによる供給不足などの問題を起こすことなく、成膜に必要な分のガスを供給できる。同じくルテニウムのLPCVD成膜に用いられるルテニウムエチルシクロペンタンも液体ソースであり、PETと同様に扱えるが、同じく、ルテニウムCVDの材料であるルテニウムシクロペンタンは固体であるため、バッファ42に顆粒状またはペレット状で供給して過熱して気化させることになる。この場合を図10の(B)に示す。この場合の秤量は、重量や、ペレットの個数で管理することになる。気化して貯蔵された後のLPCVDは、モノシランガスを用いた場合と同様である。
【0062】
<第3の実施形態>
第3の実施形態として、図7のシリコン膜のLPCVD装置40を用いて、上記したように多結晶シリコン膜を成膜した後に、フッ素ガスを用いた反応管41の内壁のシリコン膜を洗浄する場合の例について説明する。
洗浄する前には、予め、装置管理データベース72(図7)より、現在の石英管内壁の膜厚から、エッチング条件などの次にこの装置が処理すべき洗浄エッチングの詳細が装置コントローラ49に入力される。例えば、これは、多結晶膜100nmの剥離であり、それは、300℃にて、フッ素ガスを1000sccmの流量で、10Torrの圧力において、5分間のLPCVD成膜を行うことである。この成膜に用いるフッ素ガスの総量は、
1000SCCM×5分間=5000SCC
である。
【0063】
バッファ42の内容積が5000CCであるとすると、装置コントローラ49の制御の下で、バルブ45が開けられると、真空ポンプ54によってバッファ42は、一旦十分に低い圧力にまで排気された後、バルブ45を閉め、バルブ46.1を開けることにより、バッファ42内にフッ素ガスを導入する。バッファ42内部にモノシランガスを5000SCC(気体の標準状態の下、5000cm3の体積であることを意味する)を充填した後に、バルブ46.1を閉じてバッファ42を封じる。フッ素ガスは、フッ素発生器52から、KF.2HFの電気分解反応やKF.6HFの熱分解化学反応により生成するものとすると、フッ素の生成が100SCCM/分程度である場合を想定すると、従来例のように、バッファ42を用いることなくLPCVD炉にフッ素ガスを直接供給する場合は、エッチング条件に要求される1000SCCMのフッ素ガス流量を得るためには、現在の10倍の規模のフッ素生成器が必要になる。但し、その能力を100%用いるのは、エッチング反応を行っている5分間だけであり、それ以外では稼動しない。
【0064】
本発明では、エッチングが始まる50分前に、バッファ42にフッ素ガスを貯め始めることで、100SCCMの供給量しか有しないフッ素発生器52を用いて、1000SCCMの流量のフッ素ガスを要求するプロセスに対応することが可能となる。バッファ42に貯める開始時点は、前の成膜が終了して、バッファ42内のモノシランガスが除去された直後から開始できるため、反応管41のパージ時間、常圧復帰時間、半導体ウエハの取り出し時間、エッチングのための真空排気、熱安定時間を、フッ素ガスをバッファ42内に充填する時間に充てることができる。また、モノシランガス用のバッファとは別の専用のバッファを用意することにより、前回のエッチング直後からフッ素ガスをバッファに充填することもできる。一般に、洗浄エッチングは成膜にくらべて行う頻度が小さく、フッ素ガスの供給能力をさらに下げることで、投資、スペースなどを削減できる。
【0065】
洗浄工程でのLPCVD装置40における扱いは、モノシランガスによる成膜工程と同様である。特に洗浄工程では、エッチング終了を反応管41内の温度上昇の終端や排気ガスによる分析によって、リアルタイムでモニタできることが多く、図9の(C)に示した流量制御を用いずに導入総量で制御する場合に、事前にエッチング速度の時間変化を測定する必要がなく、非常に有用である。
また、図9の(C)に示すように、反応管41を孤立させて反応を行った場合、図11の(A)に示すように、排気側に別のバッファを用意して、エッチングガスを回収したものを、再度、バッファ42に戻すことで、次回のエッチング時に利用できる。これにより、材料ガスの利用効率が高まり、低コスト化、省エネルギー化を図ることができる。
【0066】
また、図11の(B)に示したように、処理設備における処理及び反応に用いられる材料だけでなく、例えば、排気ガスの除害装置55の前にバッファを設けて、除害装置55の処理能力を上回るガスが排出された場合に、その流量を調節することも可能である。除害装置55は、まさに、有害ガスが排気されている時間しか実効的には働いていないが、前段にバッファを設けることにより、複数の処理設備からの排気の処理を共有化できる。また、複数台の設備から同時に排気ガスが排出されたり、一台で通常より大量のガスを出すようなプロセスをすることで、除害装置55の処理速度を超える場合でも、一時的にバッファに退避して、該バッファから、処理速度を超えない速度で除害装置55に送り込むことにより、余剰の除害装置55を削減することが可能となる。
【0067】
<第4の実施形態>
第4の実施形態として、図7のシリコン膜のLPCVD装置40を複数用い、反応管41の洗浄を該複数のLPCVD装置に跨って行う場合のシステムについて、図12を参照して説明する。
LPCVD装置40と同様に、LPCVD装置40.1及び40.2は、フッ素発生器52よりフッ素の供給を受け、また、工場のCIMサーバ73によって、工場内LAN60及び装置コントローラ49.1及び49.2を介して制御されている。フッ素発生器52と各LPCVD装置40、40.1、及び40.3への分岐バルブ52−0〜52−25を制御する配分コントローラ52−4も、CIMサーバ73の制御を受けている。
【0068】
CIMサーバ73には、未処理の半導体ウエハの各ロットの工程順やその種類、また製造ラインにおける他のロットに対する製造の優先順位が、緊急度としてクラス分けされ格納されている。それによって、どのロットがどの装置にいつ処理されるかという製造スケジュールを管理している。また、各LPCVD装置においても、現在の各反応管の累積膜厚が算出され、洗浄が推奨されている膜厚が、その成膜の膜厚やダストの時系列、過去の洗浄後の膜厚や成膜ダストの時系列の推移からなるデータなどから、人為的に予定または自動的に計算予測されており、現在の待機ロットや将来の製造スケジュールから、何時、反応管洗浄を行うかをスケジュールする機能を有している。
【0069】
このシステムにおいては、最初に洗浄を必要とする(すなわち、フッ素ガスを使用する)装置が優先してスケジューリングされる。例えば、最初に洗浄する必要がある装置がLPCVD装置40である場合、CIMサーバ73から、装置コントローラ49を介して、バルブ45を空け、そして、他のLPCVD装置40.1及び40.2のコントローラ49.1及び49.2はそれぞれ、バルブ45.1及び45.2を閉める。
次いで、図8の(A)〜(C)に示したような方法で制御して、累積膜厚から算出された必要なだけのフッ素ガスがバッファ42に貯蔵されたことが、装置コントローラ49からCIMサーバ73に返送されると、CIMサーバ73は、設定されている次の優先順位にしたがって、LPCVD装置40.1又は40.2のいずれかにおいて、同様にフッ素ガスのバッファへの貯蔵が開始されるよう制御する。
【0070】
すべての貯蔵が終了した後に、未だ、どのLPCVD装置40、40.1、40.2のどのバッファも未使用の場合は、フッ素発生器52内部に内蔵されるているバッファ52−3にその加圧限界まで貯蔵し、さらに時間がある場合は、CIMサーバ73がフッ素発生器52の動作を停止させる。これらの操作により、フッ素発生器52を有効に使用することができ、その規模のコスト、スペース、メンテナンスなどのリソースも最小に最適化させることができる。
また、フッ素発生器52の中のバッファ52−3と配分バルブ52−0〜52−2を配分コントローラ52−4によって制御することで、LPCVD装置が内部にバッファを内蔵しない装置であっても、対応できる。この場合は、CIMサーバ73からの指示を、装置コントローラ49(及び/又は49.1、49.2)ではなく配分コントローラ12−4によって実行し、フッ素ガスの使用時に、例えばLPCVD装置40にバッファ42が備え付けられていない場合を想定すると、バルブ45と連動させて、バルブ52−0を開放させる。これにより、バッファ機能を複数台で、共有することも可能となる。
【0071】
<第5の実施形態>
図13を参照して、第5の実施形態として、処理設備が半導体ウエハの洗浄装置であって、該洗浄理装置を複数(図においては3台)用い、かつ、フッ化水素水溶液を濃縮及び精製器を用いてリサイクルする場合について説明する。
各洗浄装置において、工場からのフッ化水素(HF)供給配管62から分岐された配管と、HF濃縮及び精製装置57からのリターン配管63が、洗浄装置それぞれのバッファ42、42.1、42.2に接続される。これらバッファへのそれぞれの配管からの導入部は制御弁によって区切られており、各バッファには、液面位置などでバッファ内部の量を測定する秤量センサ(不図示)が設けられている。これらのバッファ、その秤量センサ、及び制御弁(導入バルブ)を制御する装置コントローラ49、49.1、49.2(これらのみの専用コントローラであってもよい)が、洗浄装置それぞれに付随して設置され、工場のLAN60を通して、洗浄装置とLOTとを管理する管理DBサーバによって制御されている。各洗浄装置において、半導体ウエハの処理に用いられたフッ化水素(HF)の水溶液は、一部は、シリコン酸化膜のエッチングなどの反応で消費され、一部は消費されずに、純水などで希釈されて排水され、一旦、HF濃縮及び精製装置57に排水管64を通って輸送される。
【0072】
HF濃縮及び精製装置57においては、フッ化水素の成分だけがフィルタリングされて精製され、バッファ42、42.1、42.2に戻される。各バッファへの配分は、第4の実施形態の場合と同様に、CIMサーバ73による優先順位の算出によって、LAN60を通してバッファ制御装置(不図示)に指示され、それに従って、次にフッ化水素が必要な設備に優先的に配分される。また、処理される半導体ウエハが特に正常なフッ化水素を要求するような場合は、工場側の1次フッ化水素供給ソースから対応するバッファへ供給するようにし、2番目に優先される装置に、HF濃縮及び精製装置57からフッ化水素を供給するようにする。該装置57におけるフッ化水素の再生速度では次回の供給が間に合わない場合も同様に、工場側の1次フッ化水素供給ソースからフッ化水素の供給を補給することもできる。
【0073】
また、ロット管理DB(不図示)にて、ロットが洗浄装置での洗浄処理の終了後に、次の製造装置での待ち時間を勘案して、ロットの投入を、フッ化水素のバッファへの再生HFの充填のために、待たせるように制御することも可能である。このように、本発明により、HF濃縮及び精製装置57とバッファ装置と洗浄装置とをCIMサーバ73で管理することで、実質的な製造速度を落とすことなく、再利用によって得られる安価なフッ化水素を最小の規模の濃縮及び精製装置をもって提供することができる。
【0074】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る物質供給システムにおいては、従来例に対比して、過剰な供給能力を排除した小規模な物質供給設備を用いることができる。したがって、物質供給システムのイニシャルコスト及びランニングコストを低減することができるので、半導体デバイス製造プラントにおいて生産される製品の生産コストを低減させることができる。
また、本発明に係る物質供給システムにおいては、物質を各処理設備に供給する前に、各処理設備に付随するバッファ内に一時的に保管するので、物質の一次供給ソースの供給能力が比較的小さい場合であっても、各処理設備に必要な量の物質を供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る物質供給システムの一実施形態である純水供給システムの構成を説明するための説明図である。
【図2】図1に示した純水供給システムに具備される純水製造装置の構成を示すブロック図である。
【図3】ユースポイントである洗浄装置、CMP装置、及びリソグラフィ装置がそれぞれ必要な純水のグレードの事例を示す表である。
【図4】ユースポイントである2台の大型洗浄装置により必要とされる超純水の使用水量とその出現率との関係の事例を示す説明図である。
【図5】ユースポイントである2台の大型洗浄装置、2台の小型洗浄装置、1台のリソグラフィ設備がそれぞれ装置、及び5台のCMP装置により必要とされる一次純水とその出現率との関係の事例を示す説明図である。
【図6】図1に示した純水供給システムに具備される制御装置において実行される純水供給の制御動作の事例を示すフローチャートである。
【図7】本発明に係る物質供給システムの他の実施形態である、多結晶または非晶質シリコン膜のLPCVD装置に物質を供給するシステムの概念図である。
【図8】図7に示したLPCVD装置における、モノシランガスのシリンダーキャビネットからガスバッファへモノシランガスを導入する時の秤量の方法のバリエーションの例を示した説明図である。
【図9】図7に示したLPCVD装置における、モノシランガスのバッファから反応管へ、モノシランガスを導入する時の方法のバリエーションの例の説明図、並びに、モノシランガスの濃度の時間変化と成膜速度の時間変化及び目標膜厚と成膜時間の関係を示すグラフである。
【図10】図7に示したLPCVD装置における、液体ソース及び固体ソースからバッファへ導入する時の方法を例示する説明図である。
【図11】図7に示したLPCVD装置における、フッ素ガスのバッファから反応管へ、フッ素ガスを導入する時の方法のバリエーション例の説明図である。
【図12】図7に示したLPCVD装置を複数台用いた場合の、本発明に係る物質供給システムの別の実施形態を示す説明図である。
【図13】本発明に係る物質供給システムの他の実施形態である、半導体ウエハの薬液洗浄においてフッ化水素水溶液を再利用する場合のシステム図である。
【図14】従来例の純水供給システムの構成を説明するための説明図である。
Claims (6)
- 半導体デバイス製造プラントにおける複数の処理設備に対して、純水を供給する純水供給システムにおいて、
複数の水質グレードの純水を製造して供給する純水供給ソースであって、
一次純水を製造する一次純水製造装置と、
一次純水から超純水を製造する超純水製造装置と、
一次純水が流入され、処理設備に供給すべき一次純水の必要量に余裕量を加算した水量の一次純水を一次純水供給用の配管に流出し、かつ、超純水製造装置に一次純水を流出する循環処理装置であって、水温冷却用の熱交換器、殺菌用のUVランプ、及び限外ろ過膜の少なくとも1つを備えている循環処理装置と
を備えた純水供給ソースと、
純水供給ソースからの一次純水及び超純水の複数の処理設備への供給を制御する制御装置であって、複数の処理設備で現在使用中の純水の水質グレード毎の総和が、純水供給ソースから供給可能な水質グレード毎の量を超えないように、処理設備での純水の供給開始時点を制御する制御装置と
からなることを特徴とする純水供給システム。 - 請求項1記載の純水供給システムにおいて、複数の処理設備の少なくとも2つの処理設備は、グレード毎の純水の使用開始を要求するための使用要求信号、又は、使用要求信号及び使用の終了又は終了予告を通知するための使用終了信号を、制御装置に通知するよう構成されており、
制御装置は、少なくとも1つの処理設備が一次純水又は超純水を使用中に、該純水に関する使用要求信号を他の処理設備から受け取ったとき、純水供給ソースからの当該純水の供給可能量を超えないと判定した場合に、該他の処理設備に当該純水の使用を可能するための使用許可信号を通知するよう構成されている
ことを特徴とする純水供給システム。 - 半導体デバイス製造プラントにおける複数の処理設備に対して、純水を供給する純水供給システムにおいて、
複数の水質グレードの純水を製造して供給する純水供給ソースであって、
一次純水を製造する一次純水製造装置と、
一次純水から超純水を製造する超純水製造装置と、
一次純水が流入され、処理設備に供給すべき一次純水の必要量に余裕量を加算した水量の一次純水を一次純水供給用の配管に流出し、かつ、超純水製造装置に一次純水を流出する循環処理装置であって、水温冷却用の熱交換器、殺菌用のUVランプ、及び限外ろ過膜の少なくとも1つを備えている循環処理装置と
を備えた純水供給ソースと、
純水供給ソースからの一次純水及び超純水の複数の処理設備への供給を制御する制御装置であって、複数の処理設備で同時に同一の水質グレードの純水が使用されないように、処理設備での水質グレード毎の使用開始時点を制御する制御装置と
からなることを特徴とする純水供給システム。 - 請求項3に記載の純水供給システムにおいて、
複数の処理設備の内の少なくとも2つの処理設備は、水質グレード毎の使用開始を要求するための使用要求信号及び使用の終了又は終了予告を通知するための使用終了信号を、制御装置に通知するよう構成されており、
制御装置は、少なくとも1つの処理設備が一次純水又は超純水を現在使用中のときに、該純水の使用要求信号を他の処理設備から受け取ったときに、使用中の処理設備から使用終了信号を受け取るまで、使用要求信号を発した処理設備に対する当該純水の使用を可能するための使用許可信号の通知を待機するよう構成されている
ことを特徴とする純水供給システム。 - 請求項1〜4いずれかに記載の純水供給システムにおいて、一次純水製造装置は、逆浸透膜、電気式脱塩装置、及び脱気膜を備えていることを特徴とする純水供給システム。
- 請求項1〜5いずれかに記載の純水供給システムにおいて、複数の処理設備は、それぞれ独立して稼働する設備であることを特徴とする純水供給システム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002088153A JP4294910B2 (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 半導体デバイス製造プラントにおける物質供給システム |
PCT/JP2003/003874 WO2003081647A1 (en) | 2002-03-27 | 2003-03-27 | Material supply system in semiconductor device manufacturing plant |
CNA03809536XA CN1650400A (zh) | 2002-03-27 | 2003-03-27 | 半导体器件制造工厂中的原料供给系统 |
US10/507,699 US7305275B2 (en) | 2002-03-27 | 2003-03-27 | Material supply system in semiconductor device manufacturing plant |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002088153A JP4294910B2 (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 半導体デバイス製造プラントにおける物質供給システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003282386A JP2003282386A (ja) | 2003-10-03 |
JP2003282386A5 JP2003282386A5 (ja) | 2005-08-25 |
JP4294910B2 true JP4294910B2 (ja) | 2009-07-15 |
Family
ID=28449425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002088153A Expired - Fee Related JP4294910B2 (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 半導体デバイス製造プラントにおける物質供給システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7305275B2 (ja) |
JP (1) | JP4294910B2 (ja) |
CN (1) | CN1650400A (ja) |
WO (1) | WO2003081647A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7862662B2 (en) * | 2005-12-30 | 2011-01-04 | Lam Research Corporation | Method and material for cleaning a substrate |
US20070084793A1 (en) * | 2005-10-18 | 2007-04-19 | Nigel Wenden | Method and apparatus for producing ultra-high purity water |
JP4018726B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2007-12-05 | 東洋炭素株式会社 | 半導体製造プラント |
US7532952B2 (en) | 2006-03-16 | 2009-05-12 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for pressure control in electronic device manufacturing systems |
JP2010528475A (ja) * | 2007-05-25 | 2010-08-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 電子デバイス製造システムを組み立てる及び運転する方法及び装置 |
CN101678407A (zh) * | 2007-05-25 | 2010-03-24 | 应用材料股份有限公司 | 用于减量系统的有效操作的方法与装置 |
WO2008156687A1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-24 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for designing and validating operation of abatement systems |
EP2009532A1 (en) * | 2007-06-29 | 2008-12-31 | Siemens Aktiengesellschaft | A method for real-time scheduling of processes at distributed manufacturing sites |
US8668868B2 (en) * | 2007-10-26 | 2014-03-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for smart abatement using an improved fuel circuit |
CN101939713B (zh) * | 2008-02-05 | 2013-05-22 | 应用材料公司 | 运作电子装置制造系统的方法与设备 |
KR101581673B1 (ko) * | 2008-02-05 | 2015-12-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 제조 프로세스들로부터의 가연성 폐기물 가스들을 처리하기 위한 시스템 및 방법 |
JP2013115117A (ja) * | 2011-11-25 | 2013-06-10 | Tokyo Electron Ltd | 資源再利用装置、処理装置群コントローラ、資源再利用システム、資源再利用方法、及び資源再利用プログラム |
TW201312638A (zh) * | 2012-03-03 | 2013-03-16 | Hong Tung Resource Co Ltd | 矽晶圓切割廢料之處理方法 |
JP6368458B2 (ja) * | 2013-05-24 | 2018-08-01 | 株式会社荏原製作所 | 除害機能付真空ポンプ |
JP2016134569A (ja) * | 2015-01-21 | 2016-07-25 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置 |
CN109571227B (zh) * | 2018-12-27 | 2021-08-31 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 抛光液供给系统、方法及抛光系统 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2533495B2 (ja) * | 1986-07-25 | 1996-09-11 | 株式会社日立製作所 | ワ−クスケジユ−リング方法及び装置 |
JPS6362325A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
US5023787A (en) * | 1988-02-01 | 1991-06-11 | Rainbird Sprinkler Mfg. Corp. | Irrigation control and flow management system |
JP3277340B2 (ja) * | 1993-04-22 | 2002-04-22 | 日本酸素株式会社 | 半導体製造工場向け各種ガスの製造方法及び装置 |
WO1996029598A1 (fr) * | 1995-03-17 | 1996-09-26 | Hitachi, Ltd. | Systeme de gestion des eaux usees |
JPH0947750A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-02-18 | Ricoh Co Ltd | 水処理システム |
US6217659B1 (en) * | 1998-10-16 | 2001-04-17 | Air Products And Chemical, Inc. | Dynamic blending gas delivery system and method |
JP2000135426A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Tokico Ltd | 混合装置 |
DE19900805C2 (de) * | 1999-01-12 | 2002-06-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Reinstwasser |
TW495819B (en) * | 2000-05-31 | 2002-07-21 | Toshiba Corp | Method and system for electronic commerce of semiconductor product, system and method of production, and design system, design method and manufacturing method of production equipment |
US7317972B2 (en) * | 2001-10-31 | 2008-01-08 | Aqua Conserve, Inc. | Management of peak water use |
JP2003271218A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Toshiba Corp | 半導体製造装置、半導体製造システム及び基板処理方法 |
-
2002
- 2002-03-27 JP JP2002088153A patent/JP4294910B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-27 US US10/507,699 patent/US7305275B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-27 CN CNA03809536XA patent/CN1650400A/zh active Pending
- 2003-03-27 WO PCT/JP2003/003874 patent/WO2003081647A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050177273A1 (en) | 2005-08-11 |
CN1650400A (zh) | 2005-08-03 |
WO2003081647A1 (en) | 2003-10-02 |
JP2003282386A (ja) | 2003-10-03 |
US7305275B2 (en) | 2007-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4294910B2 (ja) | 半導体デバイス製造プラントにおける物質供給システム | |
US5722442A (en) | On-site generation of ultra-high-purity buffered-HF for semiconductor processing | |
US8236692B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device, cleaning method and cleaning control apparatus | |
US5785820A (en) | On-site manufacture of ultra-high-purity hydrofluoric acid for semiconductor processing | |
JP2003271218A (ja) | 半導体製造装置、半導体製造システム及び基板処理方法 | |
JP2002515179A (ja) | 半導体プロセス用オンサイトアンモニア精製 | |
JP2005161284A (ja) | 定濃度オゾン水の供給方法 | |
TWI539991B (zh) | 現場超高純度化學品或氣體的純化 | |
CN104201133A (zh) | 回收和再利用六氟化钨的系统和方法 | |
CN1082402C (zh) | 用于向半导体制造操作中提供超高纯度缓冲的氟化铵或氢氟酸的系统 | |
US20010051128A1 (en) | On-site generation of ultra-high-purity buffered-hf and ammonium fluoride | |
KR100379886B1 (ko) | 반도체공정용초순도완충HF의온-사이트(on-site)발생시스템 | |
US9587789B2 (en) | Methods and apparatus for providing a gas mixture to a pair of process chambers | |
CN109585332A (zh) | 清洁腔室的方法、干式清洁系统及非暂态电脑可读取媒体 | |
KR20040078534A (ko) | 초순수 제조시스템 및 그 운전방법 | |
US20120091099A1 (en) | Methods and apparatus for recovery and reuse of reagents | |
CN100533656C (zh) | 成膜装置及其使用方法 | |
US6372022B1 (en) | Ionic purifier | |
JPH11507001A (ja) | 半導体処理用超高純度弗化水素酸の現場での製造 | |
WO2010049024A1 (en) | Precursor recycling | |
KR20200070318A (ko) | 박막 제조를 위한 공급원 화학물질의 통합된 합성, 전달 및 처리 방법 및 시스템 | |
JP4508701B2 (ja) | 電子部品部材類製造装置用水処理システム | |
JP3456933B2 (ja) | 半導体処理装置のクリーニング方法および半導体処理装置 | |
CN1398661A (zh) | 化学气相沉积的排气处理回收的方法及装置 | |
JP2006332700A (ja) | 半導体製造装置、半導体製造システム及び基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050215 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090311 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090409 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120417 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |