TW510045B - Nonvolatile semiconductor memory device and process for same - Google Patents
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Description
510045
【發明背景】 【發明之領域】 、本發明係關於一種非揮發性半導體記憶裝置及其製造方 法,尤其關於改良後能提高性能和可靠性的非揮發性半導 體記憶裝置及其製造方法。 【先前技術】 近年來,作為非揮發性半導體記憶裝置之一種的快閃記 憶體,能以比動態隨機存取記憶體(DRAM)更低價格進行製 造,因此,人們期待它作為擔當下一代的記憶裝置。 圖1 1疋以往快閃記憶體的記憶單元部的剖面圖。如圖1 1 所不,在半導體基板1的表面設有連接源極線的源極2和連 接對應位元線的汲極3。 在半導體基板1上隔著隧道氧化膜4設有存放資訊用的浮 動閘極5。在浮動閘極5上隔著層間絕緣膜(例如,氧化膜/ 氮化膜/氧化膜的疊層膜(0N0膜))6設有連接對應字線的控 制閘極7。 利用位於浮動閘極5正下方的隧道氧化膜4 -Nordheim)電流現象、通道熱電子(CHE)現象將電子植入 浮動閘極5,或將存放在浮動閘極5的電子引出來抹除或寫 入。按照浮動閘極5中的電子狀態作成臨限值的2值狀綠: 再按照該狀態讀出” 〇"或” 1 ”。 〜 在稱為快閃記憶體或EEPR0M這樣的浮動閘極型非揮發性 半導體記憶體中,最常用的陣列結構是N0R型陣列。N〇XR型 陣列在各列記憶單元電晶體的汲極擴散層上形成接點,並
五、發明說明(2) 即:_型陣列各化_物佈線等在列方向上形成位元線。 圖1 2是顯示nor型陳列的 佈圖。 、電路圖。圖1 3是NOR型陣列的分 圖14是沿圖13中3 η 〇 — q η π μ 400 — 400線的剖:圖。圖i f的剖視圖。圖15是沿圖13中 圖。在這肚圖中,疋沿圖13中5 00 — 50 0線的剖視 示隔離“膜,u顯示氧化膜線接點9顯不活性區,顯 構:)看二些二’各塊(例如由512K位元的記憶單S電晶體 I i,, t ΐ ^ ^1 aBa ^ ^ 〇 ίί;Λ’若採用自對準源極結構,則非常有利於: 憶早兀電晶體的微細化。 〜7…己 2時所在\自二準源極結構不是連接各記憶單元電晶體的源極 也此的 平电曰曰體的擴散層上形成接觸部並用金屬 佈線將它們連接起來的結構。 屬 的ΐϋ準源極技術首先如圖17所*,形成記憶單元電晶體 的^閉極7後,开> 成光阻12,使其僅對源極2開口。奴 光阻1 2的邊部形成在控制閘極7上。如圖J 6和圖Η 光阻12和控制閘極7作為罩幕材料,以触刻掉存在 於源極2上的隔離氧化膜。 =源極2上植入As(石申)離子。這#,用擴散層在行方 j接各源極2 〇通過自對準形成這些源極2。$外,圖j 6 中虛線部分顯示已蝕刻除去的隔離氧化膜。
第5頁 Μ 0045
五、發明說明(3) 在所有活性區形成記憶單元電晶體的源極並用金屬佈線 連接時’需要有對準餘量,因而不得不將源極的閘極間隔 做大。 但疋’在自對準源極技術中,用擴散層連接記憶單元電 晶體的源極,因而能用最小設計規則形成夾著記憶單元電 晶體源極的閘極與閘極的間隔。並能實現記憶單元電晶體 的微細化。 左然而近年來,在採用自對準源極結構的快閃記憶體中, 隨著設計原則的顯著縮小,用最小設計原則可能形成的閘 極長度變得越來越短。 _此日^ ’記憶單元電晶體的短通道效應增大,通道濃度增 南’若不採用袋形結構(例如,設置包圜η型源極的p+袋形 區的结構^也許因穿通而不能正常工作。 η型記憶單元電晶體情況下,對於通道植入或形成袋形 區一般採用刪(Β)。但是,若過度植入硼,則經以後的熱 處理’如圖1 8所示’通常可見在基板1上會產生結晶缺陷 在兄憶早疋電晶體的源極/汲極間發生漏 電,元件性能_荽下卩欠 ^ 貝者下卜。另外,在結晶缺陷1 3延伸到通道 氧化膜4下面的愔τ . οα θ t τ _ 月况下’ έ明顯地降低耐久性和保存等的 勺罪性。 圖19示出圖 ^ . ,aiI ^ p. R斤不苐1和第2豐層閘極20a, 20b形成後直 到形成側壁間隔物的第"支術的流程圖。 如圖2 0所示,甘|, 百无开y成苐1和第2疊層閘極20a,20b。接
510045 五、發明說明(4) 著如圖2 1所示,利用微影術形成徭s _ 、 阻28。將光阻28用作罩幕進行除去p :,源極部開口的光 進行離子植入,以便將除去的部分;:::^白】蝕刻’及 成自對準源極。 ^作成擴散層佈線,以完 此時的離子植人行人’以形成作為擴散層佈 線的源極。在用對通道商濃度植入抑制穿通的情況 隔離氧化膜形成後、隨道氧化膜形成前,對單元部進行蝴 的咼濃度植入。 在袋形構造單元情況下,自對準源極步驟中除了 外還進行硼的高濃度植入。 接著,如圖22所示’除去光阻28,再如圖23所示, 絕緣膜1 4,用於形成側壁間隔物。其後,如圖24所示,、 了圓滑浮動閘極5的源極端和汲極端的目的,對浮動門^ 及控制閘極7進行側壁氧化。接著如圖25所示,對絕二脬5 1 4進行回蝕刻,形成側壁間隔物丨8。 水、 一圖26是第2個先前技術的製造步驟的流程圖。如圖2了 示’形成第1和第2疊層閘極20a,2 Ob後結束自對準源 驟(微影術+蝕刻+離子植入+除去光阻)。 、° ^ 之後,對浮動閘極5及控制閘極7進行側壁氧化。再吵 絕緣膜並對其回蝕刻。由此如圖2 8所示,形成側壁門=積 18。 句隔物 上述自對準源極步驟中植入的^,為了形成擴散層佈 必須高濃度植入。具體而言,必須植入1 χ 1 〇】5〜1 χ }㈣4 子/cm2的As。 馬、
510045 五、發明說明(5) 植入這樣的As後的源極(基板)基本完全非晶化。這樣非 晶化後的基板,在後續的熱處理,例如在第丨習知例沈積 絕緣膜1 4時,在第2習知例氧化側壁時對其進行再結晶 化。 這種再結晶化是通過從未非晶化基板的内部成長和從基 板表面的成長兩方向成長進行的。因此,植入高濃度硼 時^從兩方向成長相遇的區域容易生成結晶缺陷。 要!: Π非揮發性半導體記憶裝置的可靠性方面的重 要 項疋改寫的耐受性。 在對記憶單元電晶體重覆進 定的電子進行植入/引出就可以丁寫伯入古1除日厂只要對設 因會對氧化膜4植入電洞。此時,;'有%因電M配置等原 的界面上生成界面電位,單此元日m道氧化膜4與基板1 生寫入速度、抹除速度或兩者料^私率貫際降低,從而產 _係顯示該改寫;的問題。 知耐久特性會惡化。 、^久特性。如該圖所示,可 如上述,在以往的非揮 題是,因上述那樣產生姓晶體存儲裳置中產生的問 下降。 曰曰、陷和界面電位等而使可靠性 【發明之概要) 本發明為了解決上述課 導體記憶裝置的可靠性。 /、目的在於提高非揮發性半 本發明的非揮發性 面的半導體基板;以;=裝置,係備有:具有主表
C:\2D-CODE\90.11\9012l886.ptd 及&錢道絕緣膜形成在主表面上並 發明說明(6) =極記‘…電晶"極和-極的至 面附近的;辰度峰值位於源極和汲極之至少-方之表 通過對基板導入氮佶:t _處# 7 樣能抑制從基板表面的再 行再結晶化,钿& 日日 由此,此從基板内部進 斟主道μ 抑制基板内部產生結晶缺陷。另外,、s $ 使得漠度峰值位於汲極表=近: 界面中返氧化膜引起的隨道氧化膜與基板的 導ίΐΐΓΓ生半導體記憶裝置最好綱型非揮發性半 f:,憶單元電晶體的源極最好是通過上述主 ^ 开> 成雜質擴散層相互電連接。 =明對N0R型非揮發性半導體記憶裝置有用 過雜質擴散層相互電連接的所謂自對準源極構造 的非揮發性半導體記憶裝置有用。 焉以 上述氮的濃度峰值可以位於離基板表面100nm以内, 子位於離基板表面3 0 n m以内。 在亡述耗圍内導入氮,能有效地抑制從基板表面士曰 化並此抑制產生結晶缺陷。還能有效地抑制在隧道& 膜與基板的界面中生成界面電位。 上述氮的峰值濃度最好在1 χ l〇i9cnr3以上、1 X 1〇22⑽3以 下。通過對基板表面導入有關濃度的氮,能有效抑制從二 板表面再結晶化,還能有效抑制生成上述界面電位。土 在源極和汲極兩者含有上述氮的情況下,也可以使源極
C:\2D-CODE\90-ll\90121886.ptd 第9頁 510045 五、發明說明(7) 所含氮的濃度比汲極所含氮 氮的濃度比源極的高。 前者能重點抑制來自基板 抑制在記憶單元汲極附近生 也可以僅在源極含有上述 這樣對只要抑制基板表面來 任一種就可以的元件是有用 本發明非揮發性半導體記 步驟。即,隔著隧道絕緣膜 多個記憶單元電晶體的閘極 汲極的至少一方的形成區植 和汲極至少一方的表面附近 才虽 ° 通過在运樣的源極和没極 濃度峰值位於該表面,這樣 生成界面電位的至少一方。 上述源極形成步驟最好包 區並且使源極形成區露出的 極形成區上的隔離絕緣膜的 區植入雜質以形成源極的步 包含用上述罩幕對源極形成 成自對準源極的步驟中向基 這樣’能在源極表面附近 結晶化。 的濃度高’也可以使汲極所含 表面的再結晶化,後者能重點 成界面電位。 氮’或僅在汲極含有上述氮, 的再結晶化和生成界面電位的 的。 憶裝置的製造方法備有如下各 在半導體基板的主表面上形成 在5己憶單元電晶體的源極及 入氮’使得濃度峰值位於源極 。在上述主表面形成源極和汲 的至少_方的形成區植入氮使 能抑制從基板表面再結晶化和 含··形成罩幕層覆蓋汲極形成 步驟;用該罩幕層除去位於源 步驟;用該罩幕層對源極形成 驟。此時,植入氮的步驟最好 區植入氮的步驟。也即,在形 板表面植入氮。 植入氮,能抑制基板表面的再
510045 五、發明說明(8) 植入上述氮的步驟也可以包含將閘極作為罩幕對源極和 汲·極形成區植入氮的步驟。 由此’能將氮植入到源極和没極的表面附近,能同時抑 制基板表面再結晶化和生成界面電位。此時,由於與上述 自對準源極步驟中的氮植入合併使用,因而能向源極植入 氮的量比植入汲極的多,能重點抑制基板表面的再結晶 化。 上述植入氮的步驟也可以包含形成罩幕使汲極形成區露 出並覆蓋源極形成區的步驟,以及用該罩幕向汲極形成區 植入氮的步驟。 這樣,能在沒極表面附近植入氮,能抑制生成界面電 在將上述自對準源極形成 區植入氮合併使用時,也可 比植入源極ί [^成區的多。由 位0 步驟中的氮植入與向汲極形成 以使向沒極形成區植入氮的量 此,旎重點抑制生成界面電 【發明之實施形態】 下面參知圖1至圖1 〇說明本發明的實施开^能 (實施形態1 ) ^ 圖1為本貫施形悲1中Ν 0 R型快閃却情雕r 、 σ ] σ匕“粗(非探發相:主墓雜 記憶裝置)的記憶單元電晶體的剖視圖。禪&〖生+ V組 如圖1所示,在半導體基板丨的主多 开雷曰Μ。夂笮愔罝-+ Β碰主表面上形成多個記憶單 兀電日日脰 各^ L早70電晶體具有第1或楚〇 #讲 20b和汲極3a,3b。 有第1戍弟2疊層閑極20a,
C:\2D-CODE\90-ll\90121886.ptd 第11頁 510045 五、發明說明(9) 源極2係介以形成在上述主表面的雜質擴散層(未 白而勺電連接。即’圖1所示源極2具有所謂的自對準源極 第1和第2疊層閘極20a,20b隔著隧道氧化膜4形成在 體基板1的主表面上,具有浮動閘極5和控制閘極7。 浮動閘極5由第1多晶矽膜構成,控制閘極7由第2 膜和矽化鎢膜構成。浮動閘極5與控制閘極7間形成芦= 緣膜6,層間絕緣膜6由例如氧化膜、氮化 ς曰' 層結構(ΟΝΟ膜)形成。 不乳化fe的:r 18在:】上第=間極2°a,20b的侧壁上形成侧壁間隔物 本I月的重要特徵是源極2和汲極3a,3b兩者的至之 一包含氮’使濃度峰值位於其表面附近。 •:: m:: f板1的主表面使濃度峰值位於源極2的 =面附近,因而此抑制半導體基板1的主表面的再結晶 由此,能改進僅來自半導體基板丨内部的再結晶化, 使B在半導體基板i内部存在高濃度,也能抑 1内部發生結晶缺陷。 干等版&板 上述結果,能抑制源極2與汲極3a,3wl、源 體基板…的漏電流,並提高記憶單元電 靠t 此外,將氮導入半導體基板】的主表面,使】:二 於汲極3a’ 3b的表面附近’因而能抑制因電洞植入隧道 化膜4而在隧道氧化膜4與半導體基板丨的界面中產生 電位。由此,能抑制重覆改寫產生的記憶單元電晶體的
第12頁 丄wu 五、發明說明(10) --------—-
Vth的變動,從而提高了耐受性。 佈=示出圖1中100 一100線剖面中規定元素US,B,N)的分 友如圖2所示,從源極2的表面到半導體基板丨的内部導入 =使漢度峰值位於源極2的表面。更具體而言,在源極2 ^中氮元素的濃度最高,從源極2表面向半導體基板1 内。卩氮元素一度減少,但在源極2的表面附近,植入時的 2杈射範圍.Pr〇jection Range)w近氮元素濃度再次增 咼,在源極2表面附近,在規定深度的位置處存在氮元素 濃度的峰值,從峰值位置指向半導體基板丨深部,氮元素 濃度再次減小。 源極2内部的氮元素的濃度峰值位於離半導體基板丨的主 表面lOOnm以内該氮元素的濃度峰值最好在3〇nm以内。這 樣’能有效地抑制從半導體基板1的主表面的再結晶化, 並能抑制產生結晶缺陷。 源極2内部的氮元素的峰值濃度比用於形成#擴散區的 As的峰值濃度低,但比形成〆硼區(未圖示)用的B峰值濃 度高’在lx ltPcm-3以上、lx l〇22cm-3以下。通過將相關 濃度的氮導入基板表面’能有效地抑制基板表面的再結晶 化。 在沒極3a,3b下可與上述分佈一樣的分佈導入氮。由此 ,能抑制在隧道氧化膜4與半導體基板丨界面處生成界面電 位。 下面,參照圖3至圖5說明本實施形態j的N〇R型快閃記憶
五、發明說明(11) 體中記憶單元電晶體的製造方法。 ,蓄ΐ ί二周/σ的方法’在半導體基板1的主表面隔著隨 "⑴面植入;定雜,:r2〇a,2°b,在半導體基板 示,利用微影術形/光貝阻:成:極3a,3b。再如圖3所 2的形成區開口。 〇 ’僅讓記憶單元電晶體的源極 將該光阻3 0用作罜1> 你綠r货罩幕進订乾蝕刻,除去應構成擴散層 佈線(源極2)部分的隔離氣 入化成續 作為罩幕,在15〜70ke乳1 再如圖3所示,用光_ 條件下植入As。由此,如^為1Χ 1〇15〜1X 1〇16/cm2的 私π ρ π 〇·、a 士圖4所不,形成構成源極2的n+擴 散區,即形成自對準源極的結構。 Ίη Μ 接著,如圖4所示,用光阻3〇作為罩幕, 劑量為lx 1〇π〜lx 10iVcm2的條件下植 ^ 所示,能形成包圍源極2的擴散區(袋形區)3 ^ 3 憶皁元電晶體的穿通。 ^抑制&己 接著,如圖5所示,用光阻3〇作A $ 〜40keV的低能量’將半導體基板^主表^ = γ 5x 1014〜5x l〇iVCm2左右的氮元夸。了囬邗局目‘植入 示分佈將氮植入半導體基板1。另外二:b,‘以圖2所 植入As、植人B之前進行。^ 的植人也可在 之後’沈積形成側壁間隔物用的絕緣膜 二控制:極7的側壁進行氧化’ ^述絕緣膜進二1 刻’形成側壁間隔物18。經過以上步 的記憶單元電晶體。 取回1所不 C:\2D-CODE\90-ll\90121886.ptd 第14頁 510045 五、發明說明(12) (實施形態2 ) 下面,參照圖6和圖7,說明本發明的實施形態2。在本 實施形態中,對源極2和汲極3a,3b雙方導入氮。由此,抑 制了半導體基板1的主表面的再結晶化,同時抑制了隧道 氧化膜4與半導體基板1的界面處產生界面電位。 如圖6所示,源極2和汲極3 a,3 b的氮分佈都具有與圖2所 示實施形態1中氮元素的分佈相同的傾向。 在圖6所示例中,將源極2所含氮的濃度取為高於汲極 3 a,3 b所含氮的濃度。由此,能重點抑制半導體基板1的主 表面的再結晶化。 但是,本實施形態2對源極2結晶缺陷引起的不利方面大 於界面電位引起的耐久性下降的記憶單元結構是有用的。 下面,用圖7說明本實施形態2的N0R型快閃記憶體中記 憶單元電晶體的製造方法。 與貝施形悲1的情況相同,用周知的方法在半導體基板1 的主表面形成第1及第2疊層閘極2〇a,20b,用例如〇. 5keV 〜4OkeV左右的低能量,以半導體基板1的主表面為目標植 入5 X 1014〜5 X l〇i6/cm2左右的氮元素。 接著’用與實施形態1相同的方法,除去應構成擴散層 佈線部分的隔離氧化膜,並進行植入As、植入B及向源極2 植入氮。這樣,能按照圖6所示分佈將氮元素導入半導娜 基板1的主表面。 ~ 如果在自對準源極形成步驟中不植入氮,則源極2與沒 極3a,3b所含氮的濃度相等。另外,不進行自對準源極形
510045 五、發明說明(13) 成步驟本身的情況也相同。 (實施形態3 ) 下面,用圖8和圖9說明本發明的實施形態3。在本實施 形態中也對源極2和汲極3a,3b雙方導入氮。 本貫施形態3的情況,如圖8所示,可見源極2和汲極3 a, 3b任一方中的氮分佈具有與圖2所示實施形態1中氮分佈相 同的傾向。 #在本實施形態3中,如圖所示,汲極3a,3b所含氮元素的 ΐ ^比源極2所含的咼。由此,能重點抑制隧道氧化膜4與 牛¥體基板1的界面中產生界面電位。 況的記憶單元結構是有用 的 本貫施形態3對界面電位引起的耐久性能下降大 於源極結晶缺陷引起的不利情 參照® 9說明本實施形態3的議型快閃記憶體中 A k早元電晶體的製造方法。 66 Ϊ :施形gl的情況相同,用周知的方法在半導體基板1 田叫:面上形成第1和第2疊層閘極2 〇&,2 〇b,如圖9所示利 用被影術在半導體基板1 Μ β 干守丞槪1的主表面上形成光阻32,覆蓋形 成#極2的區,接汲^搞卩a 〇 κ J匕仗次位da,3b的形成區露出。 用該光阻3 2、第1及篦? # p μ,Λ 乐及弟Ζ «層閘極20a,20b作為罩幕,在 合1J 士口 0 · 5 k e V〜4 0 k e V太亡从 主二& v左右的低能量下,以半導體基板1的主 表面為目標植入i x ! 〇15〜 2 士士从--主 ±士 ^ a x 1 〇16/cm2左右的亂兀素。 接者,用與實施形能〗知& ^ ν 貝办心、1相同的方法,除去應構成擴散層 佈線部分的隔離氧化膜, 、 亚進行植入A s、植入Β及向源極2
C:\2D-CODE\9CMl\90m886.ptd 第16頁 51〇〇45
五、發明說明(14) 植入氮。這樣,能按照圖8所示分佈將氮元素導入半導體 基板1的主表面。 在本實施形態3中,雖然是在自對準源極形成步驟前進 行氮植入的,但也可在自對準源極形成步驟後進行氣植 入。 (實施形態4) 下面,用圖1 0說明本發明的實施形態4。在本實施形能4 中僅向汲極3 a,3 b導入氮元素。本實施形態4的情況如圖j 〇 所示,可見汲極3a,3b中的氮分佈具有與圖2所示實施形熊 1中氮分佈相同的傾向。 心 如上述,向汲極3 a,3 b導入氮,因而能抑制隧道氧化膜4 與半導體基板1界面中產生界面電位。因此,本實施形離4 對源極2不易產生結晶缺陷的記憶單元結構有用。 下面,說明本實施形態4的NOR型快閃記憶體中記憶單元 電晶體的製造方法。 經過與實施形態3情況相同的步驟,如圖9所示,在半導 體基板1的主表面上形成光阻32,覆蓋源極2的形成區,使 汲極3a,3b形成區露出。 用該光阻32、第1及第2疊層閘極20a,20b作為罩幕,在 例如0.5keV〜40keV左右的低能量下,以半導體基板1的主 表面為目標植入5x 1014〜25x 1016/cm2左右的氮元素。 接著,用與實施形態1相同的方法,除去應構成擴散層 佈線部分的隔離氧化膜,植入As,植入B。這樣,能按照 圖10所示分佈將氮元素導入汲極3a,3b。
510045 五、發明說明(15) 另夕卜’亦可在上述實施形態中省略自對準源極步锦 :二1Ϊ除去記憶單元中源極間的隔離氧化膜的步驟, ,.^ ^心接點部與各源極連接,利用這藉八除 佈線連接各源極2。 複金屬 奶=ί ΐ明’能夠抑制基板内部產生的結晶缺陷w、 、吧、,水Μ與基板界面中產生界面電位 一隧道 基板内部產生的結晶缺陷,能抑制記情單元2 =過抑制 電流,而且能提高耐受性和保存等。另電日日歧中的漏 氧化膜與基板界面中生成界面電位,能抑制=抑制隧道 的記憶單元電晶體的Vth變化,能提高作為後改寫產生 耐久性。因此,能提高非揮發性半導體元件的\耐1受性的 【元件編號說明】 可靠性。 1 2 3、3 a 4 5 6 7 8 9 10 11 12 半導體基板 源極 3b 汲極 隧道氧化膜 浮動閘極 層間絕緣膜 控制閘極 位元線接點 活性區 隔離氧化膜 氧化膜 光阻
C:\2D-CODE\90-ll\90m886.ptd 510045 五、發明說明(16) 13 14 18 20a 20b 28〜30〜32 31 結晶缺陷 絕緣膜 側壁間隔物 第1疊層閘極 第2疊層閘極 光阻 P+擴散區
C:\2D-CODE\90-ll\9O121886.ptd 第19頁 510045
圖圖】為本發明_型快閃記憶體的記憶單元電晶體的剖視 圖2為顯示本發明實施形態1的記憶單元電晶體中沿圖工 中1 〇 〇 — 1 ο 〇線的剖面中各元素的分佈圖。 圖3至圖5為顯示本發明實施形態1中N0R型快閃記憶體的 製造步驟中第1至第3步驟的剖視圖。 圖6為顯示本發明實施形態2的記憶單元電晶體中沿圖1 中1〇〇 —100線及2〇〇 — 2 0 0線的剖面中氮的分佈圖。 圖7為顯示本發明實施形態2中N〇R型快閃記憶體的具有 特徵的製造步驟的剖視圖。 圖8為顯示本發明實施形態3記憶單元電晶體中沿圖1中 1 0 0 — 1 0 0線及20 0 — 20 0線的剖面中氮的分佈圖。 圖9為顯示本發明實施形態3中N〇R型快閃記憶體的具 特徵的製造步驟的剖視圖。 圖1 〇為顯示本發明實施形態4的記憶單元電晶體中沿圖】 中2 0 0 — 2 0 〇線的剖面中氮的分佈圖。 圖11為以往之快閃記憶體的剖視圖。 圖12為顯示以往之N〇R型快閃記憶體的陣列結構的圖。 圖1 3為顯示以往之N〇R型快閃記憶體的分佈圖。 圖14為沿圖13中3〇〇 — 300線的剖面圖。 圖15為沿圖13中4〇〇 — 400線的剖面圖。 圖16為沿圖13中5〇〇 — 500線的剖面圖。 圖1 7為顯示自對準源極形成方法的原理圖。 圖1 8為顯示以往之N〇R型快閃記憶體中問題的圖。 1 1 Η 1 I I! 1 I _ C:\2D-CODE\90-ll\90l2l886.ptd 第 20 百 ·------— 510045 圖式簡單說明 圖1 9為顯示以往之NOR型快閃記憶體之製造方法的步驟 流程圖。 圖20至圖25為顯示以往之N0R型快閃記憶體的製造步驟 中第1至第6步驟的剖視圖。 圖26為顯示其他習知例之N0R型快閃記憶體之製造方法 的處理流程圖。 圖27及28為顯示其他習知例之N0R型快閃記憶體之製造 步驟之第1及第2步驟的剖視圖。 圖2 9為顯示習知例之财受(Endur ance )特性的圖。
C:\2D-CODE\90-ll\90121886.ptd 第21頁
Claims (1)
- "——-- 六、申請專利範圍 1且右一Λ非揮發性半導體記憶裝置,1特徵A据古 具5主表面的半導體基板;以& -特铽為,備有: &耆隧道絕緣膜# 個記憶單元電晶體/ 、上亚具有源極和汲極的多 上述源極和汲極的至少一方 * 源極和汲極之至小一 尔^3〉辰度峰值位於上述 2.如申姓直& = 一方之表面附近的氮。 其中,= = 半導體記憶裝置。X '屺fe裝置,係Ν〇β型非揮發性 其3中如Π:::圍二項之非揮發性半導體記憶裝置, 以形成在上述;參:: f中相鄰記憶單元的源極,係介 4.如申靖面的雜質擴散層面相互電連接。 其中,I:以;;1項之非揮發性半導體記憶裝置, 内。 A /辰又峰值,係位於離基板表面1 0 0nm以 其5中如ΠΠ;圍第1項之非揮發性半導體記憶裝置, 以下。 值濃度,係在1 X l〇i9cnr3以上1 X 1 022 cm-3 二如範圍第1項之非揮發性半導體記憶裝置, ^源極和沒極兩者含有 高。 I的/辰度,係比上述汲極所含氮的濃度 苴7中如t : ί,範圍第1項之非揮發性半導體記憶裝置, ’、 a Λ、極和汲極兩者含有上述氮元素, 第22頁 C:\2D-G0DE\90-ll\90121886.ptd 六、申請專利範圍 上述;:及極所含上述氮的 的濃度高。 又 /、 上述源極所含上述氮 8 ·如申请專利範圍第1項之非揮發性丰m _ 其中,上述源極和上述U僅體記憶裝置’ 9 . -種非揮發性半導體記憶裝置之製造方虱 為,備有如下各步驟: W方法,其特徵 抑著隧道絶緣膜在半導體基板的主 早元電晶體的閘極; ^上形成多個記憶 在上述記憶單元電晶體的源極及汲極的至+ 一 、 區,植人濃度•值位於上述源極和沒極至j ^形成 近的氮;以及 ^ 方之表面附 在上述主表面形成上述源極和上述汲極。 衣把方法,其中,上述源極形成步驟包含有:%、凌置之 形成罩幕層覆蓋上述汲極形成區並且 露出的步驟; 更上述源極形成區 用上述罩幕層除去位於上述源極形成 的步驟;以及 们^離纟巴緣膜 用上述罩幕層對上述源極形成區植 極的步驟; 八雜貝以形成上述源 而植入上述氮的步驟,係包含有用上述罩幕 極形成區植入氮的步驟。 θ子上述源 1 1.如申請專利範圍第9項之非揮發 製造方法’其中,植入上述氮的步驟, 510045 六、申請專利範圍 作為罩幕對上述源極和汲極形成區植入上述氮元素的步 驟。 1 2.如申請專利範圍第9項之非揮發性半導體記憶裝置之 製造方法,其中,植入上述氮的步驟,係包含有形成罩幕 使上述汲極形成區露出並覆蓋上述源極形成區的步驟,以 及用上述罩幕層向上述汲極的形成區植入上述氮的步驟。 1 3.如申請專利範圍第1 2項之非揮發性半導體記憶裝置 之製造方法,其中,植入上述汲極形成區的氮量,係比植 入上述源極形成區的氮量多。\\312\2d-code\90-ll\90121886.ptd 第24頁
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