JP3648015B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に１つのチップ内に複数種類のトランジスタを作り込む半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
１つのチップ内に複数種類のトランジスタ（例えば要求スペックの異なる）を作り込んだ半導体装置として、以下に４つの従来例を挙げて説明する。
【０００３】
＜第１の従来例＞
＜ＤＲＡＭの全体構成＞
まず、第１の従来例として、複数種類のトランジスタを作り込んだＤＲＡＭ６００の構成および製造方法について説明する。図７１にＤＲＡＭ６００の構成（セル配置）を示す。
【０００４】
ＤＲＡＭ６００は、データを蓄積するメモリセルアレイ部６０１だけでなく、周辺回路部（アドレスバッファ６０２、Ｘデコーダ６０３、Ｙデコーダ６０４）、ロウ／カラムクロック部６０５、Ｉ／Ｏパス部６０６、リフレッシュ部６０７）やセンスアンプ部６０８なども備えている。
【０００５】
いずれの部位もトランジスタにより構成されているが、それぞれの部位により要求される特性が異なる。例えばメモリセルアレイ部６０１では、漏れ電流によるデータの消失を防ぐため低リーク電流であることが求められる。また、周辺回路部では高速動作を行うため電流量が多いことが求められている。さらに、センスアンプ部６０８はハイレベルとローレベルを区別するため、例えばハイレベルの半分の電圧で動作させなければならない。このため、センスアンプ部６０８に用いられるトランジスタには低電圧での動作が要求される。つまり、１チップのＤＲＡＭ内で特性の異なる数種類のトランジスタが必要となるのである。
【０００６】
例えばしきい値を比較すると、メモリセルアレイ部のトランジスタは１Ｖ程度、周辺回路部のトランジスタは０．８Ｖ程度で、センスアンプ部のトランジスタは０．４Ｖにまで抑える必要が生じる。
【０００７】
＜各トランジスタの構成＞
これらの特性が異なるトランジスタを１チップ内に作るため、従来はチャネルドープ層の不純物プロファイルをトランジスタに合わせて変えることで対応していた。以下、チャネルドープの不純物濃度をトランジスタにより変化させた例について説明する。
【０００８】
図７２は従来の製造方法により製造したＤＲＡＭの構成例（部分図）であり、センスアンプ部、周辺回路部、メモリセルアレイ部に用いられるＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１〜Ｔ３の断面をそれぞれ示している。
【０００９】
図７２において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１〜Ｔ３は同一の半導体基板１（Ｐ型）上に形成されたＰ型のウエル層１０１内に形成されている。ウエル層１０１はウエル層１０１内に形成されたチャネルカット層１０２と、ＬＯＣＯＳ層２とで素子間分離され、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１〜Ｔ３は、それぞれ素子間分離された領域に形成されている。
【００１０】
センスアンプ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１は、ウエル層１０１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１０６と、当該ソース・ドレイン層１０６の向かい合う端縁部に接して形成された１対の低ドープドレイン層（以後、ＬＤＤ層と呼称）１０７とを備えている。
【００１１】
そして、ＬＤＤ層１０７の上部にはゲート酸化膜３が形成され、当該ゲート酸化膜３の上部にはゲート電極４が形成されている。また、ゲート酸化膜３およびゲート電極４の側面にはサイドウォール酸化膜５が形成されている。また、ゲート電極４の下層のウエル層１０１内には、チャネルドープ層１０３が形成されている。
【００１２】
周辺回路部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ２は、ウエル層１０１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１０６と、当該ソース・ドレイン層１０６の向かい合う端縁部に接して形成された１対のＬＤＤ層１０７とを備えている。
【００１３】
そして、ＬＤＤ層１０７の上部にはゲート酸化膜３が形成され、当該ゲート酸化膜３の上部にはゲート電極４が形成されている。また、ゲート酸化膜３およびゲート電極４の側面にはサイドウォール酸化膜５が形成されている。また、ゲート電極４の下層のウエル層１０１内には、チャネルドープ層１０４が形成されている。
【００１４】
メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３は、ウエル層１０１内に独立して平行に形成された一対のソース・ドレイン層１０６と、当該ソース・ドレイン層１０６の向かい合う端縁部に接して形成された一対のＬＤＤ層１０７とを備えている。
【００１５】
そして、ソース・ドレイン層１０６およびＬＤＤ層１０７の上部にはゲート酸化膜３が形成され、当該ゲート酸化膜３の上部にはゲート電極４が形成されている。また、ゲート酸化膜３およびゲート電極４の側面にはサイドウォール酸化膜５が形成されている。また、ゲート電極４の下層のウエル層１０１内には、チャネルドープ層１０５が形成されている。なお、メモリセルアレイ部はゲートアレイ構造となっており、隣合うゲートどうしが１のソース・ドレイン層１０６を共有する構造となっており、その構造が連続して配設された構成となっている。
【００１６】
なお、表１にＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１〜Ｔ３の構成諸元を示す。
【００１７】
【表１】
Figure 0003648015
【００１８】
表１において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１〜Ｔ３のそれぞれのチャネルドープ層形成時の不純物ドーズ量は、１×１０12／ｃｍ2、３×１０12／ｃｍ2、５×１０12／ｃｍ2となっている。なお、注入不純物は何れもボロン（Ｂ）であり、注入エネルギーは何れも５０ｋｅＶである。
【００１９】
また、図６７で示したセンスアンプ部、周辺回路部、およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１〜Ｔ３における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線による断面部分の不純物プロファイルを図７３に示す。
【００２０】
図７３において、横軸に断面方向の位置（深さ）を、縦軸に不純物濃度を示す。なお、横軸は図に向かって左側から順に、ゲート電極（ポリシリコン層）、ゲート酸化膜（ＳｉＯ2層）、ウエル層（バルクシリコン層）となっている。
【００２１】
ゲート電極における不純物濃度は表１に示すように、何れのトランジスタにおいても同じ量で均一になるように形成されているので、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線は重なり合う直線で示されるが、ウエル層においては、先に説明したように、しきい値の要求が低いトランジスタ（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３の順）ほどチャネルドーズ量は少なく、酸化膜−バルク界面での不純物濃度が低くなっている。なお、各プロファイルのピーク位置は、それぞれのチャネルドープ層の形成位置にほぼ等しい。
【００２２】
＜各トランジスタの製造方法＞
以下に、図７２で示したセンスアンプ部、周辺回路部、およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１〜Ｔ３の製造方法について、図７４〜図７９を用いて説明する。
【００２３】
まず、図７４に示す工程において、Ｐ型の半導体基板１の表面にロコス法によりＬＯＣＯＳ層（フィールド酸化膜）２を、例えば４０００オングストロームの厚さに形成する。続いて、例えばボロンイオンを、７００ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板１内にＰ型のウエル領域１０１を形成する。なお、半導体基板１内にはＰチャネル型ＭＯＳトランジスタを形成するためにＮ型のウエル領域も形成されるが、説明および図示は省略する。次に、例えばボロンイオンを、１３０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板１内にチャネルカット層１０２を形成する。なお、チャネルカット層１０２は、ＬＯＣＯＳ層２とで素子間分離領域を形成するような形状に形成する。
【００２４】
次に、図７５に示す工程において、ウエル領域１０１内の所定位置に、センスアンプ部のトランジスタＴ１に合わせた最も不純物濃度の低いチャネルドープ層１０３を形成する。このとき、周辺回路部およびメモリセルアレイ部のトランジスタＴ２およびＴ３の形成領域にもチャネルドープ層１０３が形成される。なお、チャネルドープ層１０３の形成は、例えばボロンイオンを、５０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【００２５】
次に、図７６に示す工程において、センスアンプ部の上部にレジストマスクＲ２０１を形成し、周辺回路部およびメモリセルアレイ部のチャネルドープ層１０３に選択的に不純物を追加注入し、周辺回路部のトランジスタＴ２に合わせた不純物濃度のチャネルドープ層１０４を形成する。このとき、メモリセルアレイ部のトランジスタＴ３の形成領域にもチャネルドープ層１０４が形成される。なお、チャネルドープ層１０４の形成は、例えばボロンイオンを、５０ｋｅＶのエネルギーで、２×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【００２６】
次に、図７７に示す工程において、センスアンプ部および周辺回路部の上部にレジストマスクＲ２０２を形成し、メモリセルアレイ部のチャネルドープ層１０４に選択的に不純物を追加注入し、メモリセルアレイ部のトランジスタＴ３に合わせた不純物濃度のチャネルドープ層１０５を形成する。なお、チャネルドープ層１０５の形成は、例えばボロンイオンを、５０ｋｅＶのエネルギーで、２×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【００２７】
次に、図７８に示す工程において、半導体基板１の主面上にゲート酸化膜３となる酸化膜３１を熱酸化法により形成した後、その上にゲート電極材料として、例えばドープトポリシリコン層４１をＣＶＤ法にて形成する。なお、酸化膜３１の厚みは１００オングストローム程度、ドープトポリシリコン層４１の厚みは２０００オングストローム程度で、その不純物としてはリン（Ｐ）を使用し、濃度は５×１０20／ｃｍ3程度である。
【００２８】
次に、図７９に示す工程において、ドープトポリシリコン層４１の上部にレジストマスクＲ２０３を形成し、パターンニングによりゲート電極４およびゲート酸化膜３を形成する。
【００２９】
次に、センスアンプ部、周辺回路部、メモリセルアレイ部にイオン注入によりＬＤＤ層１０７を形成した後、ゲート酸化膜３およびゲート電極４の側面に、約１０００オングストロームの厚さのサイドウォール酸化膜５を形成する。そして、サイドウォール酸化膜５をマスクとして、イオン注入によりソース・ドレイン層１０６を形成することで、図７２に示すＤＲＡＭの構成が得られる。
【００３０】
ここで、ＬＤＤ層１０７は、例えば砒素（Ａｓ）イオンを３０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで形成する。また、ソース・ドレイン層１０６は、例えば砒素イオンを５０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入した後、８５０℃で６０分間アニールすることで形成する。
【００３１】
なお、この後に、キャパシタ形成、層間絶縁膜の形成、配線層の形成工程等を経ることによりＤＲＡＭが形成されるが、それらの工程の説明および図示は省略する。
【００３２】
＜従来のＤＲＡＭの問題点＞
以上説明したように、従来のＤＲＡＭにおいては、センスアンプ部、周辺回路部、メモリセルアレイ部などで使用される、特性が異なるトランジスタを１チップ内に作るため、チャネルドープ層の不純物濃度をトランジスタに合わせて変えることでしきい値の調整をしていた。
【００３３】
しかし、チャネルドープ層の不純物濃度が高くなると、しきい値が上がるのと同時に、例えば拡散層と基板との接合部分での不純物濃度が高くなるため拡散層からの漏れ電流（拡散層リーク）が多くなる。つまり、しきい値と拡散層リークとはトレードオフの関係を有し、しきい値が決まると漏れ電流も一義的に決定され、回路設計は両者のトレードオフ関係により制約を受けていた。
【００３４】
＜第２の従来例＞
＜フラッシュメモリの全体構成＞
第２の従来例として、複数種類のトランジスタを作り込んだフラッシュメモリ７００の構成および製造方法について説明する。
【００３５】
図８０にはフラッシュメモリ７００の構成（セル配置）を示している。一般にＤＲＡＭに比べてフラッシュメモリの異なる点は、例えば１０Ｖといった高い電圧を書込動作や消去動作で用いることである。このため、図８０に示すフラッシュメモリ７００においては、昇圧回路としてチャージポンプ回路７１０を備えている。
【００３６】
そして、フラッシュメモリ７００は、データを蓄積するメモリセルアレイ部７０１だけでなく、Ｘデコーダー７０３やＹデコーダー７０４など昇圧後に使われる高耐圧部、周辺回路部（例えば、アドレスバッファ７０２、ロウ／カラムクロック部７０５、Ｉ／Ｏパス部７０６、データレジスタ部７０７、センスアンプ部７０８、動作制御部７０９）なども備えている。いずれの部位もトランジスタにより構成されているが、使用電圧の差異により、数種類の特性の異なるトランジスタが必要となる。
【００３７】
例えば、メモリセルアレイ部７０１でのトランジスタでは、トンネル酸化膜の信頼性を保証するため、例えば１００オングストローム程度の酸化膜厚が必要である。しかし、周辺回路部では高速動作を行うため電流量が多いことが求められており、酸化膜厚はメモリセルアレイ部７０１に比べて薄く設定されることが多い。ただし、高耐圧部では、１０Ｖの電圧に耐えうるトランジスタが必要となる。このため、例えば２５０オングストロームといった厚い酸化膜を用いる必要が生じる。すなわち、１チップのフラッシュメモリ内で酸化膜厚の異なる数種類のトランジスタが必要となる。
【００３８】
＜各トランジスタの構成＞
以下では、酸化膜厚をトランジスタにより変化させた例について説明する。図８１は従来の製造方法により製造したフラッシュメモリの構成例（部分図）であり、高耐圧部、周辺回路部、メモリセルアレイ部に用いられるＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１１〜Ｔ１３の断面をそれぞれ示している。
【００３９】
図８１において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１１〜Ｔ１３は同一の半導体基板２１（Ｐ型）上に形成されたＰ型のウエル層１２１内に形成されている。ウエル層１２１は、ウエル層１２１内に形成されたチャネルカット層１２２と、ＬＯＣＯＳ層２２とで素子間分離され、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１１〜Ｔ１３は、それぞれ素子間分離された領域に形成されている。
【００４０】
高耐圧部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１１は、ウエル層１２１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１２６と、当該ソース・ドレイン層１２６の向かい合う端縁部に接して形成された１対のＬＤＤ層１２７とを備えている。
【００４１】
そして、ＬＤＤ層１２７の上部にはゲート酸化膜２６が形成され、当該ゲート酸化膜２６の上部にはゲート電極２９が形成されている。また、ゲート酸化膜２６およびゲート電極２９の側面にはサイドウォール酸化膜３０が形成されている。また、ゲート電極２９の下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２３が形成されている。
【００４２】
周辺回路部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１２は、ウエル層１２１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１２６と、当該ソース・ドレイン層１２６の向かい合う端縁部に接して形成された１対のＬＤＤ層１２７とを備えている。
【００４３】
そして、ＬＤＤ層１２７の上部にはゲート酸化膜２５が形成され、当該ゲート酸化膜２５の上部にはゲート電極２９が形成されている。また、ゲート酸化膜２５およびゲート電極２９の側面にはサイドウォール酸化膜３０が形成されている。また、ゲート電極２９の下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２４が形成されている。
【００４４】
メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１３は、ウエル層１２１内に独立して平行に形成された一対のソース・ドレイン層１２６を備え、ソース・ドレイン層１２６の端縁部上部にはトンネル酸化膜２３が形成され、当該トンネル酸化膜２３の上部にはフローティングゲート電極２７、層間絶縁膜２４、コントロールゲート電極２８が順次形成されている。
【００４５】
また、トンネル酸化膜２３、フローティングゲート電極２７、層間絶縁膜２４、コントロールゲート電極２８の側面にはサイドウォール酸化膜３０が形成されている。
【００４６】
また、フローティングゲート電極２７の下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２５が形成されている。なお、メモリセルアレイ部はゲートアレイ構造となっており、隣合うゲートどうしが１のソース・ドレイン層１２６を共有する構造となっており、その構造が連続して配設された構成となっている。
【００４７】
図８６に示すフラッシュメモリにおいて特徴的なのは、高耐圧部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１１のゲート酸化膜２６の厚みが最も厚く、メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１３のトンネル酸化膜２３、周辺回路部Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１２のゲート酸化膜２５の順に厚みが薄くなっている点である。
【００４８】
図８２に各ゲート酸化膜の厚みを示す。図８２において、横軸左側から順に高耐圧部、周辺回路部、メモリセルアレイ部のそれぞれのＮチャネル型ＭＯＳトランジスタを表示している。
【００４９】
なお、表２にＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１１〜Ｔ１３の構成諸元を示す。
【００５０】
【表２】
Figure 0003648015
【００５１】
表２において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１１〜Ｔ１３のそれぞれのゲート酸化膜の厚みは、２５０オングストローム、８０オングストローム、１００オングストロームとなっている。
【００５２】
＜各トランジスタの製造方法＞
以下に、図８１で示した高耐圧部、周辺回路部、およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１１〜Ｔ１３の製造方法について、図８３〜図９６を用いて説明する。
【００５３】
まず、図８３に示す工程において、Ｐ型の半導体基板２１の表面にロコス法によりＬＯＣＯＳ層（フィールド酸化膜）２２を、例えば４０００オングストロームの厚さに形成する。続いて、例えばボロンイオンを、７００ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板２１内にＰ型のウエル領域１２１を形成する。なお、半導体基板２１内にはＰチャネル型ＭＯＳトランジスタを形成するためにＮ型のウエル領域も形成されるが、説明および図示は省略する。次に、例えばボロンイオンを、１３０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板２１内にチャネルカット層１２２を形成する。なお、チャネルカット層１２２は、ＬＯＣＯＳ層２２とで素子間分離領域を形成するような形状に形成する。
【００５４】
次に、ウエル領域１２１内の高耐圧部、周辺回路部、メモリセルアレイ部のそれぞれの所定位置に、チャネルドープ層１２０を形成する。なお、チャネルドープ層１２０の形成は、例えばボロンイオンを、５０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【００５５】
次に、図８４に示す工程において、半導体基板２１の主面上にトンネル酸化膜２３となる酸化膜２３１を熱酸化法により形成した後、その上にゲート電極材料として、例えばドープトポリシリコン層２７１をＣＶＤ法にて形成する。なお、酸化膜２３１の厚みは１００オングストローム程度、ドープトポリシリコン層２７１の厚みは１０００オングストローム程度で、その不純物としてはリン（Ｐ）を使用し、濃度は１×１０20／ｃｍ3程度である。
【００５６】
次に、図８５に示す工程において、メモリセルアレイ部におけるドープトポリシリコン層２７１の上部に選択的にレジストマスクＲ２２１を形成する。この場合、レジストマスクＲ２２１はメモリセルアレイ部のゲート幅方向に沿って形成される。そして、レジストマスクＲ２２１で覆われていない部分のドープトポリシリコン層２７１を異方性エッチングにより除去する。この状態を図８６に示す。
【００５７】
図８６は、図８５を上面側（レジストマスクＲ２２１を形成する側）から見た平面図であり、レジストマスクＲ２２１はメモリセルアレイ部において、規則的に配列された矩形の島状をなすように形成されている。なお、レジストマスクＲ２２１は、矩形の島状をなす活性層ＡＬ上と、その周囲のＬＯＣＯＳ層ＬＬ上を覆うように形成されている。また、高耐圧部および周辺回路部においてはレジストマスクＲが形成されていないので、活性層ＡＬが露出している。なお、図８６においては、レジストマスクＲ２２１の下部の構成を判りやすくするため、部分的にレジストマスクＲ２２１を除いて活性層ＡＬおよびＬＯＣＯＳ層ＬＬが見えるようにしているが、これは便宜的なものである。
【００５８】
次に、レジストマスクＲ２２１を除去した後、図８７に示す工程において、ドープトポリシリコン層２７１上に、フローティングゲートとコントロールゲートとを絶縁する層間絶縁膜２４となる絶縁膜２４１をＣＶＤ法にて形成する。なお、この膜はＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）膜、窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）、ＴＥＯＳ膜を順に積層した構成となっており、それぞれの膜厚は１００オングストロームである。また、層間絶縁膜２４はＯＮＯ膜と呼称される場合もある。また、絶縁膜２４１は高耐圧部および周辺回路部上にも形成される。
【００５９】
次に、図８８に示す工程において、メモリセルアレイ部の絶縁膜２４１上をレジストマスクＲ２２２で覆い、その他の領域の絶縁膜２４１を全て除去する。この場合、その他の領域においては酸化膜２３１も除去する。この状態を図８９に示す。
【００６０】
図８９は、図８８を上面側（レジストマスクＲ２２２を形成する側）から見た平面図であり、レジストマスクＲ２２２はメモリセルアレイ部全域を覆うように形成されているが、高耐圧部および周辺回路部においてはレジストマスクＲ２２２が形成されていないので、活性層ＡＬが露出している。
【００６１】
次に、レジストマスクＲ２２２を除去した後、図９０に示す工程において、半導体基板２１の主面全面にゲート酸化膜２６となる酸化膜２６１を熱酸化法により形成する。このときメモリセルアレイ部上の絶縁膜２４１は、窒化膜を含んでいるため酸化されることはなく、その厚さは保たれる。なお、酸化膜２６１の厚みは１７０オングストローム程度である。
【００６２】
次に、図９１に示す工程において、周辺回路部以外の領域をレジストマスクＲ２２３で覆い、周辺回路部上の酸化膜２６１をウエットエッチングにより除去する。この状態を図９２に示す。
【００６３】
図９２は、図９１を上面側（レジストマスクＲ２２３を形成する側）から見た平面図であり、レジストマスクＲ２２３はメモリセルアレイ部および高耐圧部の全域を覆うように形成されているが、周辺回路部においてはレジストマスクＲ２２３が形成されていないので、活性層ＡＬが露出している。
【００６４】
次に、レジストマスクＲ２２３を除去した後、図９３に示す工程において、ゲート酸化膜２５となる酸化膜２５１を熱酸化法により形成する。このときメモリセルアレイ部上の絶縁膜２４１は、窒化膜を含んでいるため酸化されることはなく、その厚さは保たれるが、高耐圧部では酸化膜２６１が成長し膜厚が増加することになる。なお、酸化膜２５１の厚みは８０オングストローム程度であり、酸化膜２６１は２５０オングストローム程度に成長する。
【００６５】
次に、図９４に示す工程において、半導体基板２１の主面全面に、ゲート電極材料として、例えばドープトポリシリコン層２９１をＣＶＤ法にて形成する。なお、ドープトポリシリコン層２９１の厚みは２０００オングストローム程度で、その不純物としてはリン（Ｐ）を使用し、濃度は５×１０20／ｃｍ3程度である。
【００６６】
次に、図９５に示す工程において、ドープトポリシリコン層２９１の上部にレジストマスクＲ２２４を形成してパターンニングを行う。この状態を図９６に示す。
【００６７】
図９６は、図９５を上面側（レジストマスクＲ２２４を形成する側）から見た平面図であり、レジストマスクＲ２２４は、矩形状の活性領域ＡＬに垂直になるように形成されている。
【００６８】
このパターンニングにより、高耐圧部においては、ゲート酸化膜２６およびゲート電極２９を、周辺回路部においては、ゲート酸化膜２５およびゲート電極２９を、メモリセルアレイ部においては、トンネル酸化膜２３、フローティングゲート電極２７、層間絶縁膜２４、コントロールゲート電極２８を形成する。
【００６９】
次に、高耐圧部、周辺回路部にイオン注入によりＬＤＤ層１２７を形成した後、ゲート酸化膜２６およびゲート電極２９の側面、ゲート酸化膜２５およびゲート電極２９の側面、トンネル酸化膜２３、フローティングゲート電極２７、層間絶縁膜２４、コントロールゲート電極２８の側面に、約１０００オングストロームの厚さのサイドウォール酸化膜３０を形成する。そして、サイドウォール酸化膜３０をマスクとして、イオン注入によりソース・ドレイン層１２６を形成することで、図８１に示すフラッシュメモリの構成が得られる。
【００７０】
ここで、ＬＤＤ層１２７は、例えば砒素イオンを３０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで形成する。また、ソース・ドレイン層１２６は、例えば砒素イオンを５０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入した後、８５０℃で６０分間アニールすることで形成する。
【００７１】
なお、この後に、キャパシタ形成、層間絶縁膜の形成、配線層の形成工程等を経ることによりフラッシュメモリが形成されるが、それらの工程の説明および図示は省略する。
【００７２】
＜従来のフラッシュメモリの問題点＞
以上説明したように、従来のフラッシュメモリにおいては、従来のＤＲＡＭ同様、しきい値と拡散層リークはトレードオフの関係を有するため、回路設計は両者のトレードオフにより制約を受けることになる。
【００７３】
また、１チップのフラッシュメモリ内で酸化膜厚の異なる数種類のトランジスタを形成する必要から、酸化膜の形成を複数回に分けて行う場合が生じる。例えば、高耐圧部では、酸化膜２６１は、レジストマスクＲ２２３を除去する工程（図９１）等を経て、酸化膜２５１を形成する際にさらに成長させる（図９３）ことになる。すなわち、酸化膜２６１を２回に分けて形成することになる。このため、不純物混入の機会が増えるなどしてゲート酸化膜２６の信頼性劣化が生じたり、膜厚の制御性が悪くなって、高耐圧部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１１の信頼性が損なわれるなどの問題が生じていた。
【００７４】
＜第３の従来例＞
＜ロジック回路を有したＤＲＡＭの全体構成＞
次に、第３の従来例として、ロジック回路を有したＤＲＡＭ（以後、ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭと呼称）８００の構成および製造方法について説明する。
【００７５】
ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭ８００は、ロジック回路を同一チップ内に作りこむことにより、独立した別チップとして作られたＤＲＡＭとロジック回路とを組み合わせて使用するより、高性能かつ低コストを実現できる装置である。
【００７６】
図９７に示すように、ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭ８００はロジック部とＤＲＡＭ部とに大別される。ここで、ロジック部では、高速であること、すなわち、高駆動能力と低容量であることが求められている。また、ＤＲＡＭ部には先に述べたように、低リーク電流が求められるメモリセルアレイ部や、低電圧での動作が要求されるセンスアンプ部などが含まれている。つまり、１チップのＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭ８００においては、特性の異なる数種類のトランジスタが必要となる。
【００７７】
＜各トランジスタの構成＞
これらの特性が異なるトランジスタを１チップ内に作るため、従来はチャネルドープ層の不純物プロファイルや酸化膜厚をトランジスタに合わせて変えることで対応していた。以下、ＤＲＡＭ部ではチャネルドープ層の不純物濃度をトランジスタにより変化させた例を、ロジック部では酸化膜厚をトランジスタにより変化させた例について説明する。
【００７８】
図９８は従来の製造方法により製造したＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの構成例（部分図）であり、ロジック部と、ＤＲＡＭ部内のセンスアンプ部およびメモリセルアレイ部に用いられるＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ２１〜Ｔ２３の断面をそれぞれ示している。
【００７９】
図９８において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ２１〜Ｔ２３は同一の半導体基板５１（Ｐ型）上に形成されたＰ型のウエル層１５１内に形成されている。ウエル層１５１はウエル層１５１内に形成されたチャネルカット層１５２と、ＬＯＣＯＳ層５２とで素子間分離され、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ２１〜Ｔ２３は、それぞれ素子間分離された領域に形成されている。
【００８０】
ロジック部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ２１は、ウエル層１５１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１５６と、当該ソース・ドレイン層１５６の向かい合う端縁部に接して形成された１対のＬＤＤ層１５７とを備えている。
【００８１】
そして、ＬＤＤ層１５７の上部にはゲート酸化膜５４が形成され、当該ゲート酸化膜５４の上部にはゲート電極５５が形成されている。また、ゲート酸化膜５４およびゲート電極５５の側面にはサイドウォール酸化膜５６が形成されている。また、ゲート電極５５の下層のウエル層１５１内には、チャネルドープ層１５５が形成されている。
【００８２】
センスアンプ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ２２は、ウエル層１５１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１５６と、当該ソース・ドレイン層１５６の向かい合う端縁部に接して形成された１対のＬＤＤ層１５７とを備えている。
【００８３】
そして、ＬＤＤ層１５７の上部にはゲート酸化膜５３が形成され、当該ゲート酸化膜５３の上部にはゲート電極５５が形成されている。また、ゲート酸化膜５３およびゲート電極５５の側面にはサイドウォール酸化膜５６が形成されている。また、ゲート電極５５の下層のウエル層１５１内には、チャネルドープ層１５４が形成されている。
【００８４】
メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ２３は、ウエル層１５１内に独立して平行に形成された一対のソース・ドレイン層１５６と、当該ソース・ドレイン層１５６の向かい合う端縁部に接して形成された一対のＬＤＤ層１５７とを備えている。
【００８５】
そして、ソース・ドレイン層１５６およびＬＤＤ層１５７の上部にはゲート酸化膜５３が形成され、当該ゲート酸化膜５３の上部にはゲート電極５５が形成されている。また、ゲート酸化膜５３およびゲート電極５５の側面にはサイドウォール酸化膜５６が形成されている。また、ゲート電極５５の下層のウエル層１５１内には、チャネルドープ層１５３が形成されている。なお、メモリセルアレイ部はゲートアレイ構造となっており、隣合うゲートどうしが１のソース・ドレイン層１５６を共有する構造となっており、その構造が連続して配設された構成となっている。
【００８６】
なお、表３にＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ２１〜Ｔ２３の構成諸元を示す。
【００８７】
【表３】
Figure 0003648015
【００８８】
表３において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ２１〜Ｔ２３のそれぞれのチャネルドープ層形成時の不純物ドーズ量は、１×１０13／ｃｍ2、１×１０12／ｃｍ2、５×１０12／ｃｍ2となっている。なお、注入不純物は何れもボロン（Ｂ）であり、注入エネルギーは何れも５０ｋｅＶである。
【００８９】
また、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ２１〜Ｔ２３のそれぞれのゲート酸化膜の厚みは、６０オングストローム、１００オングストローム、１００オングストロームとなっている。
【００９０】
また、図９８で示したロジック部、センスアンプ部、メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ２１〜Ｔ２３における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線による断面部分の不純物プロファイルを図９９に示す。
【００９１】
図９９において、横軸に断面方向の位置（深さ）を、縦軸に不純物濃度を示す。なお、横軸は図に向かって左側から順に、ゲート電極（ポリシリコン層）、ゲート酸化膜（ＳｉＯ2層）、ウエル層（バルクシリコン層）となっている。
【００９２】
ゲート電極における不純物濃度は表３に示すように、何れのトランジスタにおいても同じ量で均一になるように形成されているので、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線は重なり合う直線（Ａ−Ａ’線を区別するため図面的には２つの直線で示している）で示されるが、ウエル層においては、しきい値の要求が低いセンスアンプ部のトランジスタでは、チャネルドーズ量が少なく、酸化膜−バルク界面での不純物濃度も低い。なお、各プロファイルのピーク位置は、それぞれのチャネルドープ層の形成位置にほぼ等しい。
【００９３】
また、図１００に各ゲート酸化膜の厚みを示す。図１００において、横軸左側から順にロジック部、センスアンプ部、メモリセルアレイ部のそれぞれのＮチャネル型ＭＯＳトランジスタを表示している。図１００に示されるように、ロジック部は、電流駆動能力向上のため、ＤＲＡＭ部のセンスアンプ部、メモリセルアレイ部に比べ、酸化膜厚が薄くなっている。
【００９４】
＜各トランジスタの製造方法＞
以下に、図９８で示したロジック部、ＤＲＡＭ部のセンスアンプ部およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ２１〜Ｔ２３の製造方法について、図１０１〜図１０９を用いて説明する。
【００９５】
まず、図１０１に示す工程において、Ｐ型の半導体基板５１の表面にロコス法によりＬＯＣＯＳ層（フィールド酸化膜）５２を、例えば４０００オングストロームの厚さに形成する。続いて、例えばボロンイオンを、７００ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板５１内にＰ型のウエル領域１５１を形成する。なお、半導体基板５１内にはＰチャネル型ＭＯＳトランジスタを形成するためにＮ型のウエル領域も形成されるが、説明および図示は省略する。次に、例えばボロンイオンを、１３０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板１内にチャネルカット層１５２を形成する。なお、チャネルカット層１５２は、ＬＯＣＯＳ層５２とで素子間分離領域を形成するような形状に形成する。
【００９６】
次に、図１０２に示す工程において、ウエル領域１５１内の所定位置に、センスアンプ部のトランジスタＴ２２に合わせた最も不純物濃度の低いチャネルドープ層１５４を形成する。このとき、ロジック部およびメモリセルアレイ部のトランジスタＴ２１およびＴ２３の形成領域にもチャネルドープ層１５４が形成される。なお、チャネルドープ層１５４の形成は、例えばボロンイオンを、５０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【００９７】
次に、図１０３に示す工程において、センスアンプ部の上部にレジストマスクＲ２５１を形成し、ロジック部およびメモリセルアレイ部のチャネルドープ層１５４に選択的に不純物を追加注入し、メモリセルアレイ部のトランジスタＴ２３に合わせた不純物濃度のチャネルドープ層１５３を形成する。このとき、ロジック部のトランジスタＴ２１の形成領域にもチャネルドープ層１５３が形成される。なお、チャネルドープ層１５３の形成は、例えばボロンイオンを、５０ｋｅＶのエネルギーで、４×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【００９８】
次に、図１０４に示す工程において、センスアンプ部およびメモリセルアレイ部の上部にレジストマスクＲ２５２を形成し、ロジック部のチャネルドープ層１５３に選択的に不純物を追加注入し、ロジック部のトランジスタＴ２１に合わせた不純物濃度のチャネルドープ層１５５を形成する。なお、チャネルドープ層１５５の形成は、例えばボロンイオンを、５０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【００９９】
次に、図１０５に示す工程において、半導体基板５１の主面上にゲート酸化膜５３となる酸化膜５３１を熱酸化法により形成する。なお、酸化膜５３１の厚みは４０オングストローム程度である。
【０１００】
次に、図１０６に示す工程において、センスアンプ部およびメモリセルアレイ部の絶縁膜５３１上をレジストマスクＲ２５３で覆い、ロジック部上の酸化膜５３１のみを選択的に除去する。
【０１０１】
次に、レジストマスクＲ２５３を除去した後、図１０７に示す工程において、半導体基板５１の主面上にゲート酸化膜５４となる酸化膜５４１を熱酸化法により形成する。このとき、センスアンプ部およびメモリセルアレイ部の酸化膜５３１が成長し膜厚が増加することになる。なお、酸化膜５４１の厚みは６０オングストローム程度であり、酸化膜５３１は１００オングストローム程度に成長する。
【０１０２】
次に、図１０８に示す工程において、酸化膜５３１および酸化膜５４１の上にゲート電極材料として、例えばドープトポリシリコン層５５１をＣＶＤ法にて形成する。なお、ドープトポリシリコン層５５１の厚みは２０００オングストローム程度で、その不純物としてはリン（Ｐ）を使用し、濃度は１×１０20／ｃｍ3程度である。
【０１０３】
次に、図１０９に示す工程において、ドープトポリシリコン層５５１の上部にレジストマスクＲ２５４を形成しパターンニングを行う。このパターンニングにより、ロジック部においては、ゲート酸化膜５４およびゲート電極５５を、センスアンプ部およびメモリセルアレイ部においては、ゲート酸化膜５３およびゲート電極５５を形成する。
【０１０４】
次に、ロジック部、センスアンプ部、メモリセルアレイ部にイオン注入によりＬＤＤ層１５７を形成した後、ロジック部においては、ゲート酸化膜５４およびゲート電極５５の側面に、センスアンプ部およびメモリセルアレイ部においては、ゲート酸化膜５３およびゲート電極５５の側面に、約１０００オングストロームの厚さのサイドウォール酸化膜５６を形成する。そして、サイドウォール酸化膜５６をマスクとして、イオン注入によりソース・ドレイン層１５６を形成することで、図９８に示すＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの構成が得られる。
【０１０５】
ここで、ＬＤＤ層１５７は、例えば砒素（Ａｓ）イオンを３０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで形成する。また、ソース・ドレイン層１５６は、例えば砒素イオンを５０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入した後、８５０℃で３０分間アニールすることで形成する。
【０１０６】
なお、この後に、キャパシタ形成、層間絶縁膜の形成、配線層の形成工程等を経ることによりＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭが形成されるが、それらの工程の説明および図示は省略する。
【０１０７】
＜従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの問題点＞
以上説明したように、従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭにおいては、ロジック部、センスアンプ部、メモリセルアレイ部などで使用される、特性が異なるトランジスタを１チップ内に作るため、チャネルドープ層の不純物濃度をトランジスタに合わせて変えることでしきい値の調整をしていた。
【０１０８】
しかし、チャネルドープ層の不純物濃度が高くなると、しきい値が上がるのと同時に、例えば拡散層と基板との接合部分での不純物濃度が高くなるため拡散層リークが多くなる。つまり、しきい値と拡散層リークとはトレードオフの関係を有し、しきい値が決まると漏れ電流も一義的に決定され、回路設計は両者のトレードオフ関係により制約を受けていた。
【０１０９】
また、ロジック部では、高駆動能力を得るため他の部分よりも厚さの薄いゲート酸化膜を形成する必要がある。そのため、１チップのフラッシュメモリ内で酸化膜厚の異なる数種類のトランジスタを形成する必要から、酸化膜の形成を複数回に分けて行う場合が生じる。例えば、センスアンプ部、メモリセルアレイ部などでは、酸化膜５３１は、レジストマスクＲ２５３を除去する工程（図１０６）等を経て、酸化膜５４１を形成する際にさらに成長させる（図１０７）ことになる。すなわち、ゲート酸化膜５３を２回に分けて形成することになる。このため、不純物混入の機会が増えるなどしてゲート酸化膜５３の信頼性劣化が生じたり、膜厚の制御性が悪くなって、センスアンプ部およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ２２およびＴ２３の信頼性が損なわれるなどの問題が生じていた。
【０１１０】
＜第４の従来例＞
＜ロジック回路を有したフラッシュメモリの全体構成＞
次に、第４の従来例として、ロジック回路を有したフラッシュメモリ（以後、ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨと呼称）９００の構成および製造方法について説明する。
【０１１１】
トランジスタの微細化に伴い、大容量化と共に注目される開発目標の１つに、マイクロコンピュータを１つのチップに作り込んだワンチップマイコンがある。特に、フラッシュメモリとＭＰＵ（microprocessing unit）とを１チップ内に作り込む素子を、フラッシュ混載ロジックと呼び、例えば１９９５ＩＥＤＭショートコースプログラム等で発表されている（１９９５ＩＥＤＭ ＳＨＯＲＴ ＣＯＵＲＣＥ ＰＲＯＧＲＡＭ ”ＥＭＢＥＤＤＥＤ ＦＬＡＳＨ ＭＥＭＯＲＹ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ、ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＡＮＤ ＤＥＳＩＧＮ”、ＣＬＩＮＴＯＮ ＫＵＯ、ＭＯＴＯＲＯＬＡ）。
【０１１２】
一例を図１１０に示す。図１１０に示すように、ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨ９００は、ロジック部とフラッシュメモリ部とに大別され、ロジック部では、高速であること、すなわち、高駆動能力と低容量であることが求められている。
【０１１３】
また、フラッシュメモリ部では、高電圧が印加される高耐圧部やトンネル酸化膜に高い信頼性が求められるメモリセルアレイ部などを有している。つまり、１チップのＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨ内で特性の異なる数種類のトランジスタが必要となる。
【０１１４】
＜各トランジスタの構成＞
これらの特性が異なるトランジスタを１チップ内に作るため、従来は酸化膜厚をトランジスタによって変えたり、場合によってはチャネルドープ層の不純物プロファイルを変えることで対応していた。以下、酸化膜厚をトランジスタによって変えるとともに、チャネルドープ層の不純物濃度を変化させた例について説明する。
【０１１５】
図１１１は従来の製造方法により製造したＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの構成例（部分図）であり、ロジック部と、フラッシュメモリ部内の高耐圧部およびメモリセルアレイ部に用いられるＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３１〜Ｔ３３の断面をそれぞれ示している。
【０１１６】
図１１１において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３１〜Ｔ３３は同一の半導体基板７１（Ｐ型）上に形成されたＰ型のウエル層１７１内に形成されている。ウエル層１７１は、ウエル層１７１内に形成されたチャネルカット層１７２と、ＬＯＣＯＳ層７２とで素子間分離され、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３１〜Ｔ３３は、それぞれ素子間分離された領域に形成されている。
【０１１７】
ロジック部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３１は、ウエル層１７１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１７６と、当該ソース・ドレイン層１７６の向かい合う端縁部に接して形成された１対のＬＤＤ層１７７とを備えている。
【０１１８】
そして、ＬＤＤ層１７７の上部にはゲート酸化膜７６が形成され、当該ゲート酸化膜７６の上部にはゲート電極７９が形成されている。また、ゲート酸化膜７６およびゲート電極７９の側面にはサイドウォール酸化膜８０が形成されている。また、ゲート電極７９の下層のウエル層１７１内には、チャネルドープ層１７５が形成されている。
【０１１９】
フラッシュメモリ部における高耐圧部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３２は、ウエル層１７１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１７６と、当該ソース・ドレイン層１７６の向かい合う端縁部に接して形成された１対のＬＤＤ層１７７とを備えている。
【０１２０】
そして、ＬＤＤ層１７７の上部にはゲート酸化膜７５が形成され、当該ゲート酸化膜７５の上部にはゲート電極７９が形成されている。また、ゲート酸化膜７５およびゲート電極７９の側面にはサイドウォール酸化膜８０が形成されている。また、ゲート電極７９の下層のウエル層１７１内には、チャネルドープ層１７３が形成されている。
【０１２１】
フラッシュメモリ部におけるメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３３は、ウエル層１７１内に独立して平行に形成された一対のソース・ドレイン層１７６を備え、ソース・ドレイン層１７６の端縁部上部にはトンネル酸化膜７３が形成され、当該トンネル酸化膜７３の上部にはフローティングゲート電極７７、層間絶縁膜７４、コントロールゲート電極７８が順次形成されている。
【０１２２】
また、トンネル酸化膜７３、フローティングゲート電極７７、層間絶縁膜７４、コントロールゲート電極７８の側面にはサイドウォール酸化膜８０が形成されている。
【０１２３】
また、フローティングゲート電極７７の下層のウエル層１７１内には、チャネルドープ層１７５が形成されている。なお、メモリセルアレイ部はゲートアレイ構造となっており、隣合うゲートどうしが１のソース・ドレイン層１７６を共有する構造となっており、その構造が連続して配設された構成となっている。
【０１２４】
図１１１に示すフラッシュメモリにおいて特徴的なのは、高耐圧部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３２のゲート酸化膜７５の厚みが最も厚く、メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３３のトンネル酸化膜７３、ロジック部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３１のゲート酸化膜７６の順に厚みが薄くなっている点と、高耐圧部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３２のチャネルドープ層１７３の不純物濃度が、他のチャネルドープ層よりも低く形成されている点である。
【０１２５】
なお、表４にＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３１〜Ｔ３３の構成諸元を示す。
【０１２６】
【表４】
Figure 0003648015
【０１２７】
表４において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３１〜Ｔ３３のそれぞれのゲート酸化膜の厚みは、６０オングストローム、２５０オングストローム、１００オングストロームとなっている。
【０１２８】
また、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３２のチャネルドープ層１７３の不純物の不純物ドーズ量は１×１０12／ｃｍ2、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３１およびＴ３３のチャネルドープ層１７５の不純物の不純物ドーズ量は１×１０13／ｃｍ2となっている。なお、注入不純物は何れもボロン（Ｂ）であり、注入エネルギーは何れも５０ｋｅＶである。
【０１２９】
また、図１１１で示したセンスアンプ部、周辺回路部、およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３１〜Ｔ３３における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線による断面部分の不純物プロファイルを図１１２に示す。
【０１３０】
図１１２において、横軸に断面方向の位置（深さ）を、縦軸に不純物濃度を示す。なお、横軸は図に向かって左側から順に、ゲート電極（ポリシリコン層）、ゲート酸化膜（ＳｉＯ2層）、ウエル層（バルクシリコン層）となっている。
【０１３１】
ゲート電極における不純物濃度は表４に示すように、何れのトランジスタにおいても同じ量で均一になるように形成されているので、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線は重なり合う直線（それぞれを区別するため図面的には３つの直線で示している）で示されるが、ウエル層においては、しきい値の要求が低い高耐圧部のトランジスタでは、チャネルドーズ量が少なく、酸化膜−バルク界面での不純物濃度も低い。なお、各プロファイルのピーク位置は、それぞれのチャネルドープ層の形成位置にほぼ等しい。
【０１３２】
また、図１１３に各ゲート酸化膜の厚みを示す。図１１３において、横軸左側から順にロジック部、高耐圧部、メモリセルアレイ部のそれぞれのＮチャネル型ＭＯＳトランジスタを表示している。図１１３に示されるように、フラッシュメモリ部の高耐圧部の酸化膜が最も厚く、ロジック部は、電流駆動能力向上のため、酸化膜が最も薄くなっている。
【０１３３】
＜各トランジスタの製造方法＞
以下に、図１１１で示したロジック部、フラッシュメモリ部の高耐圧部およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３１〜Ｔ３３の製造方法について、図１１４〜図１２７を用いて説明する。
【０１３４】
まず、図１１４に示す工程において、Ｐ型の半導体基板７１の表面にロコス法によりＬＯＣＯＳ層（フィールド酸化膜）７２を、例えば４０００オングストロームの厚さに形成する。続いて、例えばボロンイオンを、７００ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板７１内にＰ型のウエル領域１７１を形成する。なお、半導体基板７１内にはＰチャネル型ＭＯＳトランジスタを形成するためにＮ型のウエル領域も形成されるが、説明および図示は省略する。次に、例えばボロンイオンを、１３０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板７１内にチャネルカット層１７２を形成する。なお、チャネルカット層１７２は、ＬＯＣＯＳ層７２とで素子間分離領域を形成するような形状に形成する。
【０１３５】
次に、高耐圧部のトランジスタＴ３２のウエル領域１７１内に、最も不純物濃度の低いチャネルドープ層１７３を形成する。なお、チャネルドープ層１７３の形成は、例えばボロンイオンを、５０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０１３６】
次に、ロジック部およびメモリセルアレイ部のトランジスタＴ３１およびＴ３３のウエル領域１７１内に不純物を注入し、ロジック部およびメモリセルアレイ部のトランジスタＴ３１およびＴ３３に合わせた不純物濃度のチャネルドープ層１７５を形成する。なお、チャネルドープ層１７５の形成は、例えばボロンイオンを、５０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０１３７】
次に、図１１５に示す工程において、半導体基板７１の主面上にトンネル酸化膜７３となる酸化膜７３１を熱酸化法により形成した後、その上にゲート電極材料として、例えばドープトポリシリコン層７７１をＣＶＤ法にて形成する。なお、酸化膜７３１の厚みは１００オングストローム程度、ドープトポリシリコン層７７１の厚みは１０００オングストローム程度で、その不純物としてはリン（Ｐ）を使用し、濃度は１×１０20／ｃｍ3程度である。
【０１３８】
次に、図１１６に示す工程において、メモリセルアレイ部におけるドープトポリシリコン層７７１の上部に選択的にレジストマスクＲ２６１を形成する。この場合、レジストマスクＲ２６１はメモリセルアレイ部のゲート幅方向に沿って形成される。そして、レジストマスクＲ２６１で覆われていない部分のドープトポリシリコン層７７１を異方性エッチングにより除去する。この状態を図１１７に示す。
【０１３９】
図１１７は、図１１６を上面側（レジストマスクＲ２６１を形成する側）から見た平面図であり、レジストマスクＲ２６１はメモリセルアレイ部において、規則的に配列された矩形の島状をなすように形成されている。なお、レジストマスクＲ２６１は、矩形の島状をなす活性層ＡＬ上と、その周囲のＬＯＣＯＳ層ＬＬ上を覆うように形成されている。また、高耐圧部およびロジック部においてはレジストマスクＲ２６１が形成されていないので、活性層ＡＬが露出している。なお、図８７においては、レジストマスクＲ２６１の下部の構成を判りやすくするため、部分的にレジストマスクＲ２６１を除いて活性層ＡＬおよびＬＯＣＯＳ層ＬＬが見えるようにしているが、これは便宜的なものである。
【０１４０】
次に、レジストマスクＲ２６１を除去した後、図１１８に示す工程において、ドープトポリシリコン層７７１上に、フローティングゲートとコントロールゲートとを絶縁する層間絶縁膜７４となる絶縁膜７４１をＣＶＤ法にて形成する。なお、この膜はＴＥＯＳ膜、窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）、ＴＥＯＳ膜を順に積層した構成となっており、それぞれの膜厚は１００オングストロームである。また、層間絶縁膜７４はＯＮＯ膜と呼称される場合もある。また、絶縁膜７４１は高耐圧部およびロジック部上にも形成される。
【０１４１】
次に、図１１９に示す工程において、メモリセルアレイ部の絶縁膜７４１上をレジストマスクＲ２６２で覆い、その他の領域の絶縁膜７４１を全て除去する。（この場合、その他の領域においては酸化膜７３１も除去する。）この状態を図１２０に示す。
【０１４２】
図１２０は、図１１９を上面側（レジストマスクＲ２６２を形成する側）から見た平面図であり、レジストマスクＲ２６２はメモリセルアレイ部全域を覆うように形成されているが、高耐圧部およびロジック部においてはレジストマスクＲ２６２が形成されていないので、活性層ＡＬが露出している。
【０１４３】
次に、レジストマスクＲ２６２を除去した後、図１２１に示す工程において、半導体基板７１の主面全面にゲート酸化膜７５となる酸化膜７５１を熱酸化法により形成する。このときメモリセルアレイ部上の絶縁膜７４１は、窒化膜を含んでいるため酸化されることはなく、その厚さは保たれる。なお、酸化膜７５１の厚みは１９０オングストローム程度である。
【０１４４】
次に、図１２２に示す工程において、ロジック部以外の領域をレジストマスクＲ２６３で覆い、ロジック部上の酸化膜７５１をウエットエッチングにより除去する。この状態を図１２３に示す。
【０１４５】
図１２３は、図１２２を上面側（レジストマスクＲ２６３を形成する側）から見た平面図であり、レジストマスクＲ２６３はメモリセルアレイ部および高耐圧部の全域を覆うように形成されているが、ロジック部においてはレジストマスクＲ２６３が形成されていないので、活性層ＡＬが露出している。
【０１４６】
次に、レジストマスクＲ２６３を除去した後、図１２４に示す工程において、ゲート酸化膜７６となる酸化膜７６１を熱酸化法により形成する。このときメモリセルアレイ部上の絶縁膜７４１は、窒化膜を含んでいるため酸化されることはなく、その厚さは保たれるが、高耐圧部では酸化膜７５１が成長し膜厚が増加することになる。なお、酸化膜７６１の厚みは６０オングストローム程度であり、酸化膜７５１は２５０オングストローム程度に成長する。
【０１４７】
次に、図１２５に示す工程において、半導体基板７１の主面全面に、ゲート電極材料として、例えばドープトポリシリコン層７９１をＣＶＤ法にて形成する。なお、ドープトポリシリコン層７９１の厚みは２０００オングストローム程度で、その不純物としてはリン（Ｐ）を使用し、濃度は５×１０20／ｃｍ3程度である。
【０１４８】
次に、図１２６に示す工程において、ドープトポリシリコン層７９１の上部にレジストマスクＲ２６４を形成してパターンニングを行う。この状態を図１２７に示す。
【０１４９】
図１２７は、図１２６を上面側（レジストマスクＲ２６４を形成する側）から見た平面図であり、レジストマスクＲ２６４は、矩形状の活性領域ＡＬに垂直になるように形成されている。
【０１５０】
このパターンニングにより、ロジック部においては、ゲート酸化膜７６およびゲート電極７９を、高耐圧部においては、ゲート酸化膜７５およびゲート電極７９を、メモリセルアレイ部においては、トンネル酸化膜７３、フローティングゲート電極７７、層間絶縁膜７４、コントロールゲート電極７８を形成する。
【０１５１】
次に、ロジック部、高耐圧部にイオン注入によりＬＤＤ層１７７を形成した後、ゲート酸化膜７６およびゲート電極７９の側面、ゲート酸化膜７５およびゲート電極７９の側面、トンネル酸化膜７３、フローティングゲート電極７７、層間絶縁膜７４、コントロールゲート電極７８の側面に、約１０００オングストロームの厚さのサイドウォール酸化膜８０を形成する。そして、サイドウォール酸化膜８０をマスクとして、イオン注入によりソース・ドレイン層１７６を形成することで、図１１１に示すフラッシュメモリの構成が得られる。
【０１５２】
ここで、ＬＤＤ層１７７は、例えば砒素イオンを３０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで形成する。また、ソース・ドレイン層１７６は、例えば砒素イオンを５０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入した後、８５０℃で３０分間アニールすることで形成する。
【０１５３】
なお、この後に、キャパシタ形成、層間絶縁膜の形成、配線層の形成工程等を経ることによりＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨが形成されるが、それらの工程の説明および図示は省略する。
【０１５４】
＜従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの問題点＞
以上説明したように、従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨにおいては、ロジック部、高耐圧部、メモリセルアレイ部などで使用される、特性が異なるトランジスタを１チップ内に作るため、チャネルドープ層の不純物濃度をトランジスタに合わせて変えることでしきい値の調整をしていた。
【０１５５】
しかし、チャネルドープ層の不純物濃度が高くなると、しきい値が上がるのと同時に、例えば拡散層と基板との接合部分での不純物濃度が高くなるため拡散層リークが多くなる。つまり、しきい値と拡散層リークとはトレードオフの関係を有し、しきい値が決まると漏れ電流も一義的に決定され、回路設計は両者のトレードオフ関係により制約を受けていた。
【０１５６】
また、ロジック部では、高駆動能力を得るため他の部分よりも厚さの薄いゲート酸化膜を形成する必要がある。そのため、１チップのフラッシュメモリ内で酸化膜厚の異なる数種類のトランジスタを形成する必要から、酸化膜の形成を複数回に分けて行う場合が生じる。例えば、高耐圧部などでは、酸化膜７５１は、レジストマスクＲ２６３を除去する工程（図１２２）等を経て、酸化膜７６１を形成する際にさらに成長させる（図１２４）ことになる。すなわち、酸化膜７５１を２回に分けて形成することになる。このため、不純物混入の機会が増えるなどしてゲート酸化膜７５の信頼性劣化が生じたり、膜厚の制御性が悪くなって、高耐圧部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ３２の信頼性が損なわれるなどの問題が生じていた。
【０１５７】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したように、１つのチップ内に複数種類のトランジスタを作り込んだ半導体装置においては、チャネルドープ層の不純物濃度をトランジスタに合わせて変えることでしきい値の調整をしていたが、しきい値と拡散層リークとはトレードオフの関係を有し、しきい値が決まると漏れ電流も一義的に決定され、回路設計は両者のトレードオフ関係により制約を受けていた。また、ゲート酸化膜の形成を複数回に分けて行う必要があり、そのため、不純物混入の機会が増えるなどしてゲート酸化膜の信頼性劣化が生じたり、膜厚の制御性が悪くなって、トランジスタの信頼性が損なわれるなどの問題が生じていた。
【０１５８】
本発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、しきい値と拡散層リークとのトレードオフ関係を解消するとともに、ゲート酸化膜の形成を複数回に分けて行う必要のない半導体装置を提供する。
【０１５９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る請求項１記載の半導体装置は、半導体基板の主表面に第１および第２のトランジスタを備えた半導体装置であって、前記第１のトランジスタは、前記半導体基板の主表面に所定の距離を隔てて形成された一対の第１のソース・ドレイン領域と、前記一対の第１のソース・ドレイン領域に挟まれる領域と対向するように前記半導体基板の前記主表面上に第１のゲート絶縁膜を介在して形成され、その内部に不純物および窒素を含む第１の窒素導入領域を有する第１のポリシリコン層を備えた第１の制御電極とを備え、前記第２のトランジスタは、前記半導体基板の前記主表面に所定の距離を隔てて形成された一対の第２のソース・ドレイン領域と、前記一対の第２のソース・ドレイン領域に挟まれる領域と対向するように前記半導体基板の前記主表面上に第２のゲート絶縁膜を介在して形成され、その内部に不純物および窒素を含む第２の窒素導入領域を有する第２のポリシリコン層を備えた第２の制御電極とを備え、前記第１および第２の窒素導入領域の窒素濃度分布が異なり、前記第１および第２のトランジスタは同一導電型であり、それぞれ、前記一対の第１のソース・ドレイン領域に挟まれる領域に形成された第１のチャネルドープ層と、前記一対の第２のソース・ドレイン領域に挟まれる領域に形成された第２のチャネルドープ層とをさらに備え、前記第１および第２のチャネルドープ層は同じ不純物濃度を有し、前記第１および第２のトランジスタの前記第１および第２のポリシリコン層および前記第１および第２のゲート絶縁膜は同じ膜厚を有し、前記第１および第２の窒素導入領域の不純物濃度はいずれも、前記第１および第２のポリシリコン層の上部側で比較的高く、下部側で比較的低い。
【０１６１】
本発明に係る請求項２記載の半導体装置は、前記半導体基板の前記主表面に第３のトランジスタをさらに備え、前記第３のトランジスタの導電型は、前記第１および第２のトランジスタと同一であって、前記第３のトランジスタは、前記半導体基板の前記主表面に所定の距離を隔てて形成された一対の第３のソース・ドレイン領域と、前記一対の第３のソース・ドレイン領域に挟まれる領域に形成された第３のチャネルドープ層と、前記第３のチャネルドープ層と対向するように前記半導体基板の主表面上に第３のゲート絶縁膜を介在して形成され、その内部に不純物および窒素を含む第３の窒素導入領域を有した第３のポリシリコン層を備えた第３の制御電極とを備え、前記第３のチャネルドープ層は、前記第１および第２のチャネルドープ層と同じ不純物濃度を有し、前記第１ないし第３のトランジスタの前記第１ないし第３のポリシリコン層および前記第１ないし第３のゲート絶縁膜は同じ膜厚を有し、前記第３の窒素導入領域は、前記第１および第２の窒素導入領域と異なる濃度分布を有し、前記第１ないし第３の窒素導入領域の不純物濃度はいずれも、前記第１ないし第３のポリシリコン層の上部側で比較的高く下部側で比較的低い。
【０１６２】
本発明に係る請求項３記載の半導体装置は、前記第１および第２の窒素導入領域においては、前記第１および第２ポリシリコン層の下部側に窒素が選択的に導入される。
【０１７３】
【発明の実施の形態】
一般的にＭＯＳトランジスタを構成するゲート電極（材質はポリシリコン）には、Ｎ型かＰ型の不純物がドープされている。これは、不純物をドープすることによりゲート電極の抵抗を下げる効果を狙ったものである。また、Ｎ型かＰ型かは、ウエル層のタイプによって異なる。すなわち、Ｎ型ウエルに対してはＰ型ゲート電極を、Ｐ型ウエルに対してはＮ型ゲート電極を選択することによりしきい値を低く抑えることができる。
【０１７４】
図１に、イオン注入によりゲート電極中に不純物をドープして形成されたＭＯＳトランジスタＭ１の構成を示す。なお、このようなゲート電極において、ゲート電極とゲート酸化膜との接合界面近傍に窒素を注入すると、酸化膜の信頼性向上や、後の工程の熱処理により不純物がゲート電極を突き抜けて、基板まで拡散するという現象を抑制する効果があることが知られている。
【０１７５】
従って、図１に示すＭＯＳトランジスタＭ１においては、濃度分布を有する不純物層ＩＬおよび窒素導入層ＮＬが形成されている。
【０１７６】
図２に、ＭＯＳトランジスタＭ１の不純物プロファイルおよび窒素プロファイルを示す。図２において、図１に示すＭＯＳトランジスタＭ１のゲート電極Ｇ１のＡ−Ａ’線での不純物濃度は、ゲート酸化膜（ＳｉＯ2）Ｚ１とゲート電極（ポリＳｉ）Ｇ１との界面からカーブを描いて立ち上がり、ゲート電極Ｇ１内において第１のピークに達した後、一旦、カーブを描いて立ち下がり、再びカーブを描いて立ち上がり、第２のピークに達した後、再びカーブを描いて立ち下がるような分布となっている。
【０１７７】
また、窒素濃度は、ウエル層Ｗ１（Ｓｉ）とゲート酸化膜（ＳｉＯ2）Ｚ１との界面からカーブを描いて立ち上がり、ゲート酸化膜（ＳｉＯ2）Ｚ１とゲート電極（ポリＳｉ）Ｇ１との界面でピークに達した後、カーブを描いて立ち下がるような分布となっている。
【０１７８】
なお、図２においては、横軸に窒素濃度および不純物濃度を、縦軸にＡ−Ａ’線方向の距離（深さ）を示し、図中において、Ｓｉ−ＳｉＯ2界面とは、ウエル層Ｗ１とゲート酸化膜Ｚ１との接合界面、ＳｉＯ2−ポリＳｉ界面とは、ゲート酸化膜Ｚ１とゲート電極Ｇ１との接合界面を示す。
【０１７９】
先に説明したように、窒素は不純物の拡散を抑制する作用を有しているので、ゲート電極Ｇ１とゲート酸化膜Ｚ１との接合界面近傍に注入された窒素の濃度が高いほど、当該接合界面近傍での不純物濃度は低くなる。ゲート電極内において不純物濃度が低くなり過ぎると、トランジスタ動作時にはゲート電極内に空乏層が形成されることが知られており、窒素の過剰注入によって空乏層が形成されるなどの問題が発生する。
【０１８０】
図３および図４を用いて、窒素の過剰注入による空乏層の形成現象を説明する。図３は、窒素濃度が比較的低いＭＯＳトランジスタＭ２において、ゲート電極Ｇ２内に形成される空乏層ＤＰ１の形成状態と、ゲート電極Ｇ２のＡ−Ａ’線での窒素プロファイルおよび不純物プロファイルを示している。
【０１８１】
図４は、窒素濃度が比較的高い場合のＭＯＳトランジスタＭ３において、ゲート電極Ｇ３内に形成される空乏層ＤＰ２の形成状態と、ゲート電極Ｇ３のＡ−Ａ’線での窒素プロファイルおよび不純物プロファイルを示している。
【０１８２】
両者の比較により、ゲート電極とゲート酸化膜との接合界面近傍での窒素濃度が高くなると、当該接合界面近傍での不純物濃度が低下し、ゲート電極Ｇ３内の空乏層ＤＰ２は、ゲート電極Ｇ２内の空乏層ＤＰ１よりも広い範囲に形成されていることがわかる。
【０１８３】
空乏層が形成されると、空乏層内で電圧ドロップが生じるため、素子に印加される電圧は、印加された電圧より低くなる。すなわち、酸化膜厚が実効的に厚くなる。従って、しきい値の増加やドレイン電流の減少などの問題が生じる。
【０１８４】
本願発明はゲート電極内に形成される空乏層を積極的に利用するものであり、過剰に窒素を導入することにより、ゲート酸化膜の信頼性や、ゲート不純物の拡散抑制を損なうことなく、複数種類のトランジスタを１チップ内に作り込むものである。
【０１８５】
以下、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、ロジックインＤＲＡＭ、ロジックインフラッシュメモリを例にとって、本願発明の実施の形態を説明する。
【０１８６】
＜実施の形態１＞
＜１−１．装置構成＞
図５に本発明に係る実施の形態１として、複数種類のトランジスタを作り込んだＤＲＡＭ１００の部分構成を示す。一般的にＤＲＡＭは、データを蓄積するメモリセルアレイ部だけでなく、センスアンプ部、周辺回路部（例えば、アドレスバッファ、Ｘデコーダ、Ｙデコーダ、ロウ−カラムクロック回路、Ｉ／Ｏパス回路、リフレッシュ回路など）を備えている。
【０１８７】
いずれの部位もトランジスタにより構成されており、それぞれのトランジスタに要求される特性は異なっている。例えばしきい値を比較すると、メモリセルアレイ部のトランジスタは１Ｖ程度、周辺回路部のトランジスタは０．８Ｖ程度で、センスアンプ部のトランジスタは０．４Ｖにまで抑える必要が生じる。
【０１８８】
図５においては、センスアンプ部、周辺回路部、メモリセルアレイ部に用いられるＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４１〜Ｔ４３の断面をそれぞれ示している。
【０１８９】
図５において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４１〜Ｔ４３は同一の半導体基板１（Ｐ型）上に形成されたＰ型のウエル層１０１内に形成されている。ウエル層１０１はウエル層１０１内に形成されたチャネルカット層１０２と、ＬＯＣＯＳ層２とで素子間分離され、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４１〜Ｔ４３は、それぞれ素子間分離された領域に形成されている。
【０１９０】
センスアンプ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４１は、ウエル層１０１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１０６と、当該ソース・ドレイン層１０６の向かい合う端縁部に接して形成された１対の低ドープドレイン層（以後、ＬＤＤ層と呼称）１０７とを備えている。
【０１９１】
そして、ＬＤＤ層１０７の上部にはゲート酸化膜３が形成され、当該ゲート酸化膜３の上部にはゲート電極４Ａが形成されている。また、ゲート酸化膜３およびゲート電極４Ａの側面にはサイドウォール酸化膜５が形成されている。また、ゲート電極４Ａの下層のウエル層１０１内には、チャネルドープ層１０３Ａが形成されている。
【０１９２】
なお、ゲート電極４Ａ内には、ゲート酸化膜３との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１が形成されている。
【０１９３】
周辺回路部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４２は、ウエル層１０１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１０６と、当該ソース・ドレイン層１０６の向かい合う端縁部に接して形成された１対のＬＤＤ層１０７とを備えている。
【０１９４】
そして、ＬＤＤ層１０７の上部にはゲート酸化膜３が形成され、当該ゲート酸化膜３の上部にはゲート電極４Ｂが形成されている。また、ゲート酸化膜３およびゲート電極４Ｂの側面にはサイドウォール酸化膜５が形成されている。また、ゲート電極４Ｂの下層のウエル層１０１内には、チャネルドープ層１０３Ｂが形成されている。
【０１９５】
なお、ゲート電極４Ｂ内には、ゲート酸化膜３との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ２が形成されている。
【０１９６】
メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４３は、ウエル層１０１内に独立して平行に形成された一対のソース・ドレイン層１０６と、当該ソース・ドレイン層１０６の向かい合う端縁部に接して形成された一対のＬＤＤ層１０７とを備えている。
【０１９７】
そして、ソース・ドレイン層１０６およびＬＤＤ層１０７の上部にはゲート酸化膜３が形成され、当該ゲート酸化膜３の上部にはゲート電極４Ｃが形成されている。また、ゲート酸化膜３およびゲート電極４Ｃの側面にはサイドウォール酸化膜５が形成されている。また、ゲート電極４Ｃの下層のウエル層１０１内には、チャネルドープ層１０３Ｃが形成されている。なお、メモリセルアレイ部はゲートアレイ構造となっており、隣合うゲートどうしが１のソース・ドレイン層１０６を共有する構造となっており、その構造が連続して配設された構成となっている。
【０１９８】
なお、ゲート電極４Ｃ内には、ゲート酸化膜３との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ３が形成されている。
【０１９９】
なお、表５にＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４１〜Ｔ４３の構成諸元を示す。
【０２００】
【表５】
Figure 0003648015
【０２０１】
表５において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４１〜Ｔ４３のそれぞれのゲート電極形成時の不純物ドーズ量は、何れも５×１０15／ｃｍ2となっている。なお、注入不純物は何れもリン（Ｐ）であり、注入エネルギーは何れも３０ｋｅＶである。
【０２０２】
そして、窒素ドーズ量は、それぞれ１×１０15／ｃｍ2、３×１０15／ｃｍ2、１×１０16／ｃｍ2となっており、注入エネルギーは何れも１０ｋｅＶである。
【０２０３】
また、図５で示したセンスアンプ部、周辺回路部、およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４１〜Ｔ４３における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線による断面部分の窒素プロファイルおよび不純物プロファイルを図６および図７に示す。
【０２０４】
図６および図７において、横軸に断面方向の位置（深さ）を、縦軸に窒素濃度および不純物濃度をそれぞれ示す。なお、横軸は図に向かって左側から順に、ゲート電極（ポリシリコン層）、ゲート酸化膜（ＳｉＯ2層）、ウエル層（バルクシリコン層）となっている。
【０２０５】
表５に示すように、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４１〜Ｔ４３のゲート電極４Ａ〜４Ｃにおいては、窒素ドーズ量がそれぞれ異なっているので、窒素濃度もそれぞれ異なり、しきい値が高いことを期待される順に、窒素導入領域の窒素濃度は高くなっている。すなわち、図６においてＡ−Ａ’線で示すようにセンスアンプ部のトランジスタＴ４１が最も低く、周辺回路部のトランジスタＴ４２（Ｂ−Ｂ’線）、メモリセルアレイ部のトランジスタＴ４３（Ｃ−Ｃ’線）の順に濃度が高くなっている。
【０２０６】
また、それぞれのゲート酸化膜中にも窒素は存在しており、その濃度の高低関係は維持されている。そして、ウエル層中においてはゲート酸化膜との接合界面近傍以外には窒素は殆ど存在しないプロファイルとなっている。
【０２０７】
また、図７に示すようにゲート電極中の不純物プロファイルは、Ａ−Ａ’線で示すようにセンスアンプ部のトランジスタＴ４１が最も平坦であり、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線で示すように、周辺回路部のトランジスタＴ４２、メモリセルアレイ部のトランジスタＴ４３の順に、急峻なプロファイルとなっている。これは、窒素注入量の多いゲート電極ほど不純物の拡散および活性化が抑制されているためである。
【０２０８】
なお、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４１〜Ｔ４３のチャネルドープ層１０３Ａ〜１０３Ｃの不純物ドーズ量は同一なので、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線は重なり合っている。
【０２０９】
窒素注入量の多いゲート電極ほど不純物の拡散および活性化が抑制され、ゲート酸化膜近傍での不純物濃度が低くなる。従って、不純物濃度の最も低いメモリセルアレイ部では、ゲート電極において空乏層が最も広くなり、酸化膜の実効的な厚さが最も厚くなり、しきい値が高くなる。
【０２１０】
図８に各ゲート酸化膜の実際の厚みと、実効的な厚みを示す。図８において、横軸左側から順にセンスアンプ部、周辺回路部、メモリセルアレイ部のそれぞれのＮチャネル型ＭＯＳトランジスタを示している。図８から明らかなように、各ゲート酸化膜の実効的な厚みは、センスアンプ部、周辺回路部、メモリセルアレイ部の順に厚くなっている。
【０２１１】
＜１−２．製造方法＞
以下に、図５に示したＤＲＡＭ１００を構成するセンスアンプ部、周辺回路部、およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４１〜Ｔ４３の製造方法について、図９〜図１５を用いて説明する。
【０２１２】
まず、図９に示す工程において、Ｐ型の半導体基板１の表面にロコス法によりＬＯＣＯＳ層（フィールド酸化膜）２を、例えば４０００オングストロームの厚さに形成する。続いて、例えばボロンイオンを、７００ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板１内にＰ型のウエル領域１０１を形成する。なお、半導体基板１内にはＰチャネル型ＭＯＳトランジスタを形成するためにＮ型のウエル領域も形成されるが、説明および図示は省略する。次に、例えばボロンイオンを、１３０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板１内にチャネルカット層１０２を形成する。なお、チャネルカット層１０２は、ＬＯＣＯＳ層２とで素子間分離領域を形成するような形状に形成する。
【０２１３】
次に、ウエル領域１０１内の所定位置に、後にチャネルドープ層１０３Ａ〜１０３Ｃとなるチャネルドープ層１００を形成する。このとき、周辺回路部およびメモリセルアレイ部のトランジスタＴ２およびＴ３の形成領域にもチャネルドープ層１００が形成される。なお、チャネルドープ層１００の形成は、例えばボロンイオンを、５０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０２１４】
次に、図１０に示す工程において、半導体基板１の主面上にゲート酸化膜３となる酸化膜３１を熱酸化法により形成した後、その上にゲート電極材料として、（ノンドープ）ポリシリコン層４２をＣＶＤ法にて形成する。なお、酸化膜３１の厚みは１００オングストローム程度、ポリシリコン層４２の厚みは２０００オングストローム程度である。
【０２１５】
次に、図１１に示す工程において、イオン注入によりポリシリコン層４２中に不純物イオンを注入し、ドープトポリシリコン層４２１を形成する。なお、ドープトポリシリコン層４２１の形成は、例えばリンイオンを、３０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０２１６】
次に、図１２に示す工程において、ゲート電極中の窒素濃度が最も低いセンスアンプ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４１に合わせて、ドープトポリシリコン層４２１に窒素イオンを注入し、窒素導入領域Ｎ１を形成する。このとき、窒素導入領域Ｎ１は周辺回路部およびメモリセルアレイ部上のドープトポリシリコン層４２１にも形成される。なお、窒素導入領域Ｎ１の形成は、窒素イオンを、例えば、１０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０２１７】
次に、図１３に示す工程において、センスアンプ部の上部にレジストマスクＲ２０４を形成し、周辺回路部およびメモリセルアレイ部のドープトポリシリコン層４２１に選択的に窒素イオンを追加注入し、周辺回路部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４２に合わせた濃度の窒素導入領域Ｎ２を形成する。このとき、窒素導入領域Ｎ２はメモリセルアレイ部上のドープトポリシリコン層４２１にも形成される。なお、窒素導入領域Ｎ２の形成は、窒素イオンを、例えば、１０ｋｅＶのエネルギーで、２×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０２１８】
次に、レジストマスクＲ２０４を除去した後、図１４に示す工程において、センスアンプ部および周辺回路部の上部にレジストマスクＲ２０５を形成し、メモリセルアレイ部のドープトポリシリコン層４２１に選択的に窒素イオンを追加注入し、メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４３に合わせた濃度の窒素導入領域Ｎ３を形成する。なお、窒素導入領域Ｎ３の形成は、窒素イオンを、例えば、１０ｋｅＶのエネルギーで、７×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０２１９】
次に、図１５に示す工程において、ドープトポリシリコン層４２１の上部にレジストマスクＲ２０６を形成し、パターンニングによりゲート電極４Ａ〜４Ｃおよびゲート酸化膜３を形成する。
【０２２０】
次に、センスアンプ部、周辺回路部、メモリセルアレイ部にイオン注入によりＬＤＤ層１０７を形成した後、ゲート酸化膜３およびゲート電極４Ａ〜４Ｃの側面に、約１０００オングストロームの厚さのサイドウォール酸化膜５を形成する。そして、サイドウォール酸化膜５をマスクとして、イオン注入によりソース・ドレイン層１０６を形成することで、図５に示すＤＲＡＭ１００の構成が得られる。
【０２２１】
ここで、ＬＤＤ層１０７は、例えば砒素（Ａｓ）イオンを３０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで形成する。また、ソース・ドレイン層１０６は、例えば砒素イオンを５０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入した後、８５０℃で６０分間アニールすることで形成する。
【０２２２】
なお、図１５においては、窒素導入領域Ｎ１〜Ｎ３がゲート酸化膜３に接触するようになっているが、これは注入した窒素がソース・ドレイン層などの形成に際しての熱処理により拡散し、結晶欠陥が多く存在するゲート酸化膜３との接合界面近傍に集まった結果である。
【０２２３】
なお、この後に、キャパシタ形成、層間絶縁膜の形成、配線層の形成工程等を経ることによりＤＲＡＭが形成されるが、それらの工程の説明および図示は省略する。
【０２２４】
＜１−３．特徴的作用効果＞
以上説明したように本発明に係る実施の形態１のＤＲＡＭ１００は、特性の異なる複数種類のトランジスタ（例えば、要求スペックの異なる）に対して、ゲート電極中の窒素濃度をそれぞれ変えることでゲート酸化膜の実効的な厚みを変えてしきい値を設定する構成となっている。従って、チャネルドープ層の不純物濃度をトランジスタの特性に合わせて変える必要がなく、拡散層からの漏れ電流（拡散層リーク）を最小限に抑制できる濃度に固定することができる。
【０２２５】
従って、チャネルドープ層の不純物濃度は拡散層リークを最小にするように設定し、しきい値はゲート電極の窒素濃度により設定することで、しきい値と拡散層リークとのトレードオフ関係を打開（ブレークスルー）することができ、回路設計の制約を解消することができる。
【０２２６】
また、ゲート電極の窒素濃度をそれぞれ変えることは、半導体基板内に形成されたチャネルドープ層の不純物濃度を変える場合に比べて、他の構成に及ぼす影響が少なくて済む。すなわち、半導体基板内にイオンを注入する場合、特に高ドーズの注入を行う場合には、半導体基板の結晶性を劣化させる要因となる。しかし、本発明では最外層に位置するゲート電極に窒素イオンを注入するので、上記のような問題は発生しない。窒素イオンがゲート酸化膜に到達しないように注入飛程を設定すれば良い。
【０２２７】
なお、以上の説明においては、チャネルドープ層１０３Ａ〜１０３Ｃの不純物濃度は同一としたが、必ずしも同一である必要はない。例えば、ゲート電極の窒素濃度をそれぞれ変えるだけでは、しきい値を十分に調整できない場合には、チャネルドープ層１０３Ａ〜１０３Ｃの不純物濃度を変更することで、しきい値を調整しても良い。この場合、補助的に利用するだけなので不純物濃度増加は少なく、拡散層リークが大幅に増えることも、イオン注入により半導体基板の結晶性が劣化することもない。
【０２２８】
また、ゲート電極とゲート酸化膜との接合界面近傍には結晶欠陥が多く存在するが、ゲート電極に窒素を導入することで、結晶欠陥の原因の１つであるダングリングボンドに窒素原子が結合して結晶欠陥を回復させるので、ゲート酸化膜の信頼性を向上させることができる。
【０２２９】
また、ゲート電極４Ａ〜４Ｃ内の、ゲート酸化膜３との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１〜Ｎ３が形成されているので、ゲート電極中に注入された不純物の突き抜け現象を抑制することができる。すなわち、注入された不純物は濃度プロファイルを有するため後の熱処理等により拡散する。このとき、拡散し過ぎるとゲート酸化膜を突き抜けて、シリコン基板にまで達する場合がある。これを突き抜け現象と呼称する。突き抜け現象が発生すると、チャネル領域の不純物濃度が変化し、しきい値など基本的な電気特性が変わることになるが、窒素導入領域Ｎ１〜Ｎ３の存在によりこれを防止ことができる。
【０２３０】
＜１−４．変形例＞
図９〜図１５を用いて説明した実施の形態１のＤＲＡＭ１００の製造方法においては、イオン注入によりポリシリコン層４２中に不純物イオンを注入することでドープトポリシリコン層４２１を形成する例について説明した（図１１）。
【０２３１】
しかし、ドープトポリシリコン層は、ＣＶＤ法でポリシリコン層を形成する際に、ポリシリコンの積層材料ガスと、不純物、例えばリンを含んだガスとを併せて用いることで、ポリシリコン層の形成と同時に不純物を導入するＩｎｓｉｔｕドープで形成しても良い。なお、この方法は、後に説明する実施の形態２〜４において、ゲート電極の主材となるポリシリコン層の形成の際に適用しても良い。
【０２３２】
このようにして形成されたドープトポリシリコン層は、その内部の不純物濃度が均一になり、熱処理等により不純物が拡散することが抑制されることになる。
【０２３３】
また、図９〜図１５を用いて説明した実施の形態１のＤＲＡＭ１００の製造方法においては、要求されるしきい値の最も低い、すなわち、空乏層の形成領域が最も小さいセンスアンプ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４１のゲート電極４Ａ内にも窒素導入領域Ｎ１を形成する例について説明した（図１２）。
【０２３４】
しかし、ゲート電極４Ａ内には窒素導入領域Ｎ１を形成せず、チャネルドープ層の不純物濃度を調整することで、しきい値を調整するようにしても良い。
【０２３５】
このような構成により、窒素注入工程を少なくとも１回分削減することができ、製造工程を簡略化することができる。
【０２３６】
なお、以上説明した本発明に係る実施の形態１では、単結晶基板上に各種トランジスタを形成する構成について示したが、ＳＯＩ（silicon on insulator）基板上に各種トランジスタを形成する場合であっても、同様の作用効果を得ることができる。
【０２３７】
＜実施の形態２＞
＜２−１．装置構成＞
図１６に本発明に係る実施の形態２として、複数種類のトランジスタを作り込んだフラッシュメモリ２００の部分構成を示す。一般的に、ＤＲＡＭに比べてフラッシュメモリの異なる点は、例えば１０Ｖといった高い電圧を書込動作や消去動作で用いることである。このため、フラッシュメモリは、データを蓄積するメモリセルアレイ部だけでなく、ＸデコーダーやＹデコーダーなど昇圧後に使われる高耐圧部、周辺回路部（例えば、アドレスバッファ、ロウ／カラムクロック部、Ｉ／Ｏパス部、データレジスタ部センスアンプ部、動作制御部）なども備えている。いずれの部位もトランジスタにより構成されているが、使用電圧の差異により、複数種類の特性の異なるトランジスタが必要となる。
【０２３８】
図１６においては、高耐圧部、周辺回路部、メモリセルアレイ部に用いられるＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５１〜Ｔ５３の断面をそれぞれ示している。
【０２３９】
図１６において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５１〜Ｔ５３は同一の半導体基板２１（Ｐ型）上に形成されたＰ型のウエル層１２１内に形成されている。ウエル層１２１は、ウエル層１２１内に形成されたチャネルカット層１２２と、ＬＯＣＯＳ層７２とで素子間分離され、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５１〜Ｔ５３は、それぞれ素子間分離された領域に形成されている。
【０２４０】
高耐圧部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５１は、ウエル層１２１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１２６と、当該ソース・ドレイン層１２６の向かい合う端縁部に接して形成された１対のＬＤＤ層１２７とを備えている。
【０２４１】
そして、ＬＤＤ層１２７の上部にはゲート酸化膜２５Ａが形成され、当該ゲート酸化膜２５Ａの上部にはゲート電極２９Ａが形成されている。また、ゲート酸化膜２５Ａおよびゲート電極２９Ａの側面にはサイドウォール酸化膜３０が形成されている。また、ゲート電極２９Ａの下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２３が形成されている。
【０２４２】
なお、ゲート電極２９Ａ内には、ゲート酸化膜２５Ａとの接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１１が形成されている。
【０２４３】
周辺回路部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５２は、ウエル層１２１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１２６と、当該ソース・ドレイン層１２６の向かい合う端縁部に接して形成された１対のＬＤＤ層１２７とを備えている。
【０２４４】
そして、ＬＤＤ層１２７の上部にはゲート酸化膜２５Ａが形成され、当該ゲート酸化膜２５Ａの上部にはゲート電極２９Ｂが形成されている。また、ゲート酸化膜２５Ａおよびゲート電極２９Ｂの側面にはサイドウォール酸化膜３０が形成されている。また、ゲート電極２９Ｂの下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２４が形成されている。
【０２４５】
なお、ゲート電極２９Ｂ内には、ゲート酸化膜２５Ａとの接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成されている。
【０２４６】
メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５３は、ウエル層１２１内に独立して平行に形成された一対のソース・ドレイン層１２６を備え、ソース・ドレイン層１２６の端縁部上部にはトンネル酸化膜２３が形成され、当該トンネル酸化膜２３の上部にはフローティングゲート電極２７、層間絶縁膜（ＯＮＯ膜）２４、コントロールゲート電極２９Ｃが順次形成されている。なお、コントロールゲート電極２９Ｃは、ゲート電極と同じ構成であるので、以後、ゲート電極として扱う。
【０２４７】
また、トンネル酸化膜２３、フローティングゲート電極２７、層間絶縁膜２４、コントロールゲート電極２９Ｃの側面にはサイドウォール酸化膜３０が形成されている。
【０２４８】
なお、コントロールゲート電極２９Ｃ内には、層間絶縁膜２４との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成されている。
【０２４９】
また、フローティングゲート電極２７の下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２５が形成されている。なお、メモリセルアレイ部はゲートアレイ構造となっており、隣合うゲートどうしが１のソース・ドレイン層１２６を共有する構造となっており、その構造が連続して配設された構成となっている。
【０２５０】
表６にＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５１〜Ｔ５３の構成諸元を示す。
【０２５１】
【表６】
Figure 0003648015
【０２５２】
表６に示すように、フラッシュメモリ２００において特徴的なのは、高耐圧部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５１のゲート電極２９Ａの窒素ドーズ量が最も高く、周辺回路部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５２のゲート電極２９Ｂおよび、メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５３のコントロールゲート電極２９Ｃの窒素ドーズ量は同じになっている点である。
【０２５３】
図１６で示した高耐圧部、周辺回路部、およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５１〜Ｔ５３における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線による断面部分の窒素プロファイルおよび不純物プロファイルを図１７および図１８に示す。
【０２５４】
図１７および図１８において、横軸にはそれぞれ断面方向の位置（深さ）を、縦軸に窒素濃度および不純物濃度を示す。なお、メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５３の構成順序を図面上部に、他のＭＯＳトランジスタの構成順序を図面横軸に示す。
【０２５５】
図１７および図１８の上部において、図に向かって左側から順に、コントロールゲート電極（ポリシリコン層）、層間絶縁膜（ＯＮＯ膜）、フローティングゲート電極（ポリシリコン層）、トンネル酸化膜（ＳｉＯ2層）、ウエル層（バルクシリコン層）となっている。
【０２５６】
また、図１７および図１８の横軸において、図に向かって左側から順に、ゲート電極（ポリシリコン層）、ゲート酸化膜（ＳｉＯ2層）、ウエル層（バルクシリコン層）となっている。
【０２５７】
図１７において、Ａ−Ａ’線で示すように、高耐圧部においてゲート電極中の窒素濃度が最も高く、Ｂ−Ｂ’線で示す周辺回路部のゲート電極中の窒素濃度および、Ｃ−Ｃ’線で示すメモリセルアレイ部のコントロールゲート電極中の窒素濃度は同じ濃度となっている。
【０２５８】
なお、窒素はゲート酸化膜および層間絶縁膜中にも存在しており、その濃度の高低関係は維持されている。そして、ウエル層中においてはゲート酸化膜との接合界面近傍以外には窒素は殆ど存在しないプロファイルとなっている。
【０２５９】
また、図１８に示すようにゲート電極中の不純物プロファイルは、Ａ−Ａ’線で示すように高耐圧部のトランジスタＴ５１が最も急峻であり、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線で示すように、周辺回路部のトランジスタＴ５２およびメモリセルアレイ部のトランジスタＴ５３においては緩やかなロファイルとなっている。これは、窒素注入量の多いゲート電極ほど不純物の拡散および活性化が抑制されているためである。
【０２６０】
このため、高耐圧部のトランジスタＴ５１ではゲート電極において空乏層が最も広くなり、酸化膜の実効的な厚さが最も厚くなり、高い電圧にも耐えることができる。
【０２６１】
図１９に各ゲート酸化膜の実際の厚みと、実効的な厚みを示す。図１９において、横軸左側から順に高耐圧部、周辺回路部、メモリセルアレイ部のそれぞれのＮチャネル型ＭＯＳトランジスタを示している。なおメモリセルアレイ部においてはトンネル酸化膜をゲート酸化膜として取り扱う。図１９から明らかなように、各ゲート酸化膜の実効的な厚みは、高耐圧部において特に厚くなっている。
【０２６２】
また、図１８に示すように、高耐圧部（Ａ−Ａ’線）、周辺回路部（Ｂ−Ｂ’線）、メモリセルアレイ部（Ｃ−Ｃ’線）の何れのトランジスタにおいても、チャネルドープ層の不純物プロファイルは同じである。
【０２６３】
なお、メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５３のフローティングゲート電極はＣＶＤ法で形成するため、不純物プロファイルは一定である。
【０２６４】
＜２−２．製造方法＞
以下に、図１６で示した高耐圧部、周辺回路部、およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５１〜Ｔ５３の製造方法について、図２０〜図３３を用いて説明する。
【０２６５】
まず、図２０に示す工程において、Ｐ型の半導体基板２１の表面にロコス法によりＬＯＣＯＳ層（フィールド酸化膜）２２を、例えば４０００オングストロームの厚さに形成する。続いて、例えばボロンイオンを、７００ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板２１内にＰ型のウエル領域１２１を形成する。なお、半導体基板２１内にはＰチャネル型ＭＯＳトランジスタを形成するためにＮ型のウエル領域も形成されるが、説明および図示は省略する。次に、例えばボロンイオンを、１３０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板２１内にチャネルカット層１２２を形成する。なお、チャネルカット層１２２は、ＬＯＣＯＳ層２とで素子間分離領域を形成するような形状に形成する。
【０２６６】
次に、ウエル領域１２１内の高耐圧部、周辺回路部、メモリセルアレイ部のそれぞれの所定位置に、チャネルドープ層１２０を形成する。なお、チャネルドープ層１２０の形成は、例えばボロンイオンを、５０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０２６７】
次に、図２１に示す工程において、半導体基板２１の主面上にトンネル酸化膜２３となる酸化膜２３１を熱酸化法により形成した後、その上にゲート電極材料として、例えばドープトポリシリコン層２７１をＣＶＤ法にて形成する。なお、酸化膜２３１の厚みは１００オングストローム程度、ドープトポリシリコン層２７１の厚みは１０００オングストローム程度で、その不純物としてはリン（Ｐ）を使用し、濃度は１×１０20／ｃｍ3程度である。
【０２６８】
次に、図２２に示す工程において、メモリセルアレイ部におけるドープトポリシリコン層２７１の上部に選択的にレジストマスクＲ２２１を形成する。この場合、レジストマスクＲ２２１はメモリセルアレイ部のゲート幅方向に沿って形成される。そして、レジストマスクＲ２２１で覆われていない部分のドープトポリシリコン層２７１を異方性エッチングにより除去する。この状態を図２３に示す。
【０２６９】
図２３は、図２２を上面側（レジストマスクＲ２２１を形成する側）から見た平面図であり、レジストマスクＲ２２１はメモリセルアレイ部において、規則的に配列された矩形の島状をなすように形成されている。なお、レジストマスクＲ２２１は、矩形の島状をなす活性層ＡＬ上と、その周囲のＬＯＣＯＳ層ＬＬ上を覆うように形成されている。また、高耐圧部および周辺回路部においてはレジストマスクが形成されていないので、活性層ＡＬが露出している。
【０２７０】
なお、図２３においては、レジストマスクＲ２２１の下部の構成を判りやすくするため、部分的にレジストマスクＲ２２１を除いて活性層ＡＬおよびＬＯＣＯＳ層ＬＬが見えるようにしているが、これは便宜的なものである。
【０２７１】
次に、レジストマスクＲ２２１を除去した後、図２４に示す工程において、ドープトポリシリコン層２７１上にフローティングゲートとコントロールゲートとを絶縁する層間絶縁膜２４となる絶縁膜２４１をＣＶＤ法にて形成する。層間絶縁膜２４はＯＮＯ膜と呼称される場合もある。絶縁膜２４１は高耐圧部および周辺回路部上にも形成される。なお、この膜はＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）膜、窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）、ＴＥＯＳ膜を順に積層した構成となっており、それぞれの膜厚は１００オングストロームである。
【０２７２】
次に、図２５に示す工程において、メモリセルアレイ部の絶縁膜２４１上をレジストマスクＲ２２２で覆い、その他の領域の絶縁膜２４１を全て除去する。この場合、その他の領域においては酸化膜２３１も除去する。この状態を図２６に示す。
【０２７３】
図２６は、図２５を上面側（レジストマスクＲ２２２を形成する側）から見た平面図であり、レジストマスクＲ２２２はメモリセルアレイ部全域を覆うように形成されているが、高耐圧部および周辺回路部においてはレジストマスクＲ２２２が形成されていないので、活性層ＡＬが露出している。
【０２７４】
次に、レジストマスクＲ２２２を除去した後、図２７に示す工程において、半導体基板２１の主面全面にゲート酸化膜２５Ａとなる酸化膜２５１Ａを熱酸化法により形成する。このときメモリセルアレイ部上の絶縁膜２４１は、窒化膜を含んでいるため酸化されることはなく、その厚さは保たれる。なお、酸化膜２５１Ａの厚みは８０オングストローム程度である。
【０２７５】
次に、図２８に示す工程において、半導体基板２１の主面全面に、ゲート電極材料として、（ノンドープ）ポリシリコン層２８０をＣＶＤ法にて形成する。なお、ポリシリコン層２８０の厚みは２０００オングストローム程度である。
【０２７６】
次に、図２９に示す工程において、ポリシリコン層２８０に不純物イオンを注入し、ドープトポリシリコン層２８１を形成する。なお、ドープトポリシリコン層２８１の形成は、例えばリンイオンを、３０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０２７７】
次に、図３０に示す工程において、ゲート電極中の窒素濃度が低い周辺回路部およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５２およびＴ５３に合わせて、ドープトポリシリコン層２８１に窒素イオンを注入し、窒素導入領域Ｎ１２を形成する。このとき、窒素導入領域Ｎ１２は高耐圧部上のドープトポリシリコン層２８１にも形成される。なお、窒素導入領域Ｎ１２の形成は、窒素イオンを、例えば、１０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０２７８】
次に、図３１に示す工程において、周辺回路部およびメモリセルアレイ部の上部にレジストマスクＲ２２５を形成し、高耐圧部のドープトポリシリコン層２８１に選択的に窒素イオンを追加注入し、高耐圧部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ５１に合わせた濃度の窒素導入領域Ｎ１１を形成する。なお、窒素導入領域Ｎ１１の形成は、窒素イオンを、例えば、１０ｋｅＶのエネルギーで、９×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０２７９】
次に、レジストマスクＲ２２５を除去した後、図３２に示す工程において、ドープトポリシリコン層２８１の上部にレジストマスクＲ２２７を形成してパターンニングを行う。この状態を図３３に示す。
【０２８０】
図３３は、図３２を上面側（レジストマスクＲ２２７を形成する側）から見た平面図であり、レジストマスクＲ２２７は、矩形状の活性領域ＡＬに垂直になるように形成されている。
【０２８１】
このパターンニングにより、高耐圧部においては、ゲート酸化膜２５Ａおよびゲート電極２９Ａを、周辺回路部においては、ゲート酸化膜２５Ａおよびゲート電極２９Ｂを、メモリセルアレイ部においては、トンネル酸化膜２３、フローティングゲート電極２７、層間絶縁膜２４、コントロールゲート電極２９Ｃを形成する。
【０２８２】
次に、高耐圧部、周辺回路部にイオン注入によりＬＤＤ層１２７を形成した後、ゲート酸化膜２５Ａおよびゲート電極２９Ａの側面、ゲート酸化膜２５Ａおよびゲート電極２９Ｂの側面、トンネル酸化膜２３、フローティングゲート電極２７、層間絶縁膜２４、コントロールゲート電極２９Ｃの側面に、約１０００オングストロームの厚さのサイドウォール酸化膜３０を形成する。そして、サイドウォール酸化膜３０をマスクとして、イオン注入によりソース・ドレイン層１２６を形成することで、図１６に示すフラッシュメモリの構成が得られる。
【０２８３】
ここで、ＬＤＤ層１２７は、例えば砒素イオンを３０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで形成する。また、ソース・ドレイン層１２６は、例えば砒素イオンを５０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入した後、８５０℃で６０分間アニールすることで形成する。
【０２８４】
なお、この後に、キャパシタ形成、層間絶縁膜の形成、配線層の形成工程等を経ることによりフラッシュメモリが形成されるが、それらの工程の説明および図示は省略する。
【０２８５】
＜２−３．特徴的作用効果＞
以上説明したように本発明に係る実施の形態２のフラッシュメモリ２００は、特性の異なる複数種類のトランジスタ（例えば、要求スペックの異なる）に対して、ゲート電極の窒素濃度をそれぞれ変えることでゲート酸化膜の実効的な厚みを変える構成となっている。従って、耐電圧の異なるトランジスタのゲート酸化膜の厚さを、それぞれ異なった厚さに形成する必要がなくなる。
【０２８６】
また、ゲート酸化膜の実効的な厚みを変えることで、しきい値を設定することができるので、チャネルドープ層の不純物濃度をトランジスタの特性に合わせて変える必要がなく、拡散層からの漏れ電流（拡散層リーク）を最小限に抑制できる濃度に固定することができる。
【０２８７】
従って、チャネルドープ層の不純物濃度は拡散層リークを最小にするように設定し、耐電圧特性やしきい値はゲート電極の窒素濃度により調整することで、耐電圧についての要求を満足するとともに、しきい値と拡散層リークとのトレードオフ関係を打開（ブレークスルー）することができ、回路設計の制約を解消することができる。
【０２８８】
また、厚さの異なるゲート酸化膜を形成する場合でも、ゲート酸化膜の実効的な厚みを変えることで、ゲート酸化膜の種類を削減することができる。従って、ゲート酸化膜の製造工程を簡略化できるとともに、信頼性に優れ、膜厚の制御性が良好なゲート酸化膜を得ることができる。
【０２８９】
すなわち、図１６に示す構成においては、高耐圧部および周辺回路部のトランジスタにおけるゲート酸化膜の厚みは同じであるので、ゲート酸化膜の種類は２種類となる。そして、酸化膜を形成する工程は、酸化膜２３１を形成する工程（図２１）と、酸化膜２５１Ａを形成する工程（図２７）だけであり、いずれの工程も１回の熱酸化工程で形成しているので、図８４〜図９６を用いて説明した従来の製造方法のように、１つの酸化膜の形成を複数回に分けて行う必要はなく、不純物混入や膜厚の制御性の低下を心配する必要はない。
【０２９０】
また、ゲート電極とゲート酸化膜との接合界面近傍には結晶欠陥が多く存在するが、ゲート電極に窒素を導入することで、結晶欠陥の原因の１つであるダングリングボンドに窒素原子が結合して結晶欠陥を回復させるので、ゲート酸化膜の信頼性を向上させることができる。
【０２９１】
また、ゲート電極２９Ａおよび２９Ｂ内の、ゲート酸化膜２５Ａとの接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１１およびＮ１２が形成され、コントロールゲート電極２９Ｃ内の、層間絶縁膜２４との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成されているので、ゲート電極中に注入された不純物の突き抜け現象を抑制することができる。
【０２９２】
なお、以上説明した本発明に係る実施の形態２では、単結晶基板上に各種トランジスタを形成する構成について示したが、ＳＯＩ（silicon on insulator）基板上に各種トランジスタを形成する場合であっても、同様の作用効果を得ることができる。
【０２９３】
＜実施の形態３＞
＜３−１．装置構成＞
図３４に本発明に係る実施の形態３として、ロジック回路を有したＤＲＡＭ（以後、ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭと呼称）３００の部分構成を示す。
【０２９４】
ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭは、ロジック回路を同一チップ内に作りこむことにより、独立した別チップとして作られたＤＲＡＭとロジック回路とを組み合わせて使用するより、高性能かつ低コストを実現できる装置である。
【０２９５】
一般的に、ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭはロジック部とＤＲＡＭ部とに大別される。ここで、ロジック部では、高速であること、すなわち、高駆動能力と低容量であることが求められている。また、ＤＲＡＭ部には先に実施の形態１で説明したように、低リーク電流が求められるメモリセルアレイ部や、低電圧での動作が要求されるセンスアンプ部などが含まれている。つまり、１チップのＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭにおいては、特性の異なる数種類のトランジスタが必要となる。
【０２９６】
図３４においては、ロジック部、センスアンプ部、メモリセルアレイ部に用いられるＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ６１〜Ｔ６３の断面をそれぞれ示している。
【０２９７】
図３４において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ６１〜Ｔ６３は同一の半導体基板５１（Ｐ型）上に形成されたＰ型のウエル層１５１内に形成されている。ウエル層１５１はウエル層１５１内に形成されたチャネルカット層１５２と、ＬＯＣＯＳ層５２とで素子間分離され、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ６１〜Ｔ６３は、それぞれ素子間分離された領域に形成されている。
【０２９８】
ロジック部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ６１は、ウエル層１５１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１５６と、当該ソース・ドレイン層１５６の向かい合う端縁部に接して形成された１対のＬＤＤ層１５７とを備えている。
【０２９９】
そして、ＬＤＤ層１５７の上部にはゲート酸化膜５３形成され、当該ゲート酸化膜５３の上部にはゲート電極５５Ａが形成されている。また、ゲート酸化膜５３およびゲート電極５５Ａの側面にはサイドウォール酸化膜５６が形成されている。また、ゲート電極５５Ａの下層のウエル層１５１内には、チャネルドープ層１５５Ａが形成されている。
【０３００】
センスアンプ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ６２は、ウエル層１５１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１５６と、当該ソース・ドレイン層１５６の向かい合う端縁部に接して形成された１対のＬＤＤ層１５７とを備えている。
【０３０１】
そして、ＬＤＤ層１５７の上部にはゲート酸化膜５３が形成され、当該ゲート酸化膜５３の上部にはゲート電極５５Ａが形成されている。また、ゲート酸化膜５３およびゲート電極５５Ａの側面にはサイドウォール酸化膜５６が形成されている。また、ゲート電極５５Ａの下層のウエル層１５１内には、チャネルドープ層１５４が形成されている。
【０３０２】
なお、ゲート電極５５Ａ内には、ゲート酸化膜５３との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ２１が形成されている。
【０３０３】
メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ６３は、ウエル層１５１内に独立して平行に形成された一対のソース・ドレイン層１５６と、当該ソース・ドレイン層１５６の向かい合う端縁部に接して形成された一対のＬＤＤ層１５７とを備えている。
【０３０４】
そして、ソース・ドレイン層１５６およびＬＤＤ層１５７の上部にはゲート酸化膜５３が形成され、当該ゲート酸化膜５３の上部にはゲート電極５５Ｂが形成されている。また、ゲート酸化膜５３およびゲート電極５５Ｂの側面にはサイドウォール酸化膜５６が形成されている。
【０３０５】
なお、ゲート電極５５Ｂ内には、ゲート酸化膜５３との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ２２が形成されている。
【０３０６】
また、ゲート電極５５Ｂの下層のウエル層１５１内には、チャネルドープ層１５５Ａが形成されている。なお、メモリセルアレイ部はゲートアレイ構造となっており、隣合うゲートどうしが１のソース・ドレイン層１５６を共有する構造となっており、その構造が連続して配設された構成となっている。
【０３０７】
なお、表７にＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ６１〜Ｔ６３の構成諸元を示す。
【０３０８】
【表７】
Figure 0003648015
【０３０９】
表７において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ６１〜Ｔ６３のそれぞれのゲート電極形成時の不純物ドーズ量は、何れも５×１０15／ｃｍ2となっている。なお、注入不純物は何れもリン（Ｐ）であり、注入エネルギーは何れも３０ｋｅＶである。
【０３１０】
そして、窒素ドーズ量は、それぞれ１×１０15／ｃｍ2、１×１０15／ｃｍ2、５×１０15／ｃｍ2となっており、注入エネルギーは何れも１０ｋｅＶである。
【０３１１】
また、図３４で示したロジック部、センスアンプ部、およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ６１〜Ｔ６３における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線による断面部分の窒素プロファイルおよび不純物プロファイルを図３５および図３６に示す。
【０３１２】
図３５および図３６において、横軸にはそれぞれ断面方向の位置（深さ）を、縦軸に窒素濃度および不純物濃度を示す。なお、横軸は図に向かって左側から順に、ゲート電極（ポリシリコン層）、ゲート酸化膜（ＳｉＯ2層）、ウエル層（バルクシリコン層）となっている。
【０３１３】
表７に示すように、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ６１〜Ｔ６３のゲート電極５５Ａおよび５５Ｂにおいては、窒素ドーズ量が異なっているので、窒素濃度も異なり、しきい値が最も高いことを期待されるメモリセルアレイ部のトランジスタにおいて、窒素導入領域の窒素濃度が最も高くなるように構成されている。すなわち、図３５においてＣ−Ｃ’線で示すようにメモリセルアレイ部のトランジスタＴ６３が最も高く、ロジック部のトランジスタＴ６１（Ａ−Ａ’線）、センスアンプ部のトランジスタＴ６２（Ｂ−Ｂ’線）の濃度は同じで、トランジスタＴ６３よりも低くなっている。
【０３１４】
また、それぞれのゲート酸化膜中にも窒素は存在しており、その濃度の高低関係は維持されている。そして、ウエル層中においてはゲート酸化膜との接合界面近傍以外には窒素は殆ど存在しないプロファイルとなっている。
【０３１５】
また、図３６において、Ａ−Ａ’線およびＢ−Ｂ’線で示すように、ゲート電極における不純物濃度はトランジスタＴ６１およびＴ６２において同一であり、重なり合っている。そして、Ａ−Ａ’線およびＢ−Ｂ’線は比較的平坦であり、Ｃ−Ｃ’線で示すメモリセルアレイ部のトランジスタＴ６３は急峻なプロファイルとなっている。
【０３１６】
なお、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ６１およびＴ６３のチャネルドープ層１５５Ａの不純物ドーズ量は同一なので、Ａ−Ａ’線およびＣ−Ｃ’線は重なり合っている。
【０３１７】
窒素注入量の多いゲート電極ほど不純物の拡散および活性化が抑制され、不純物濃度が低くなる。従って、不純物濃度の最も低いメモリセルアレイ部では、ゲート電極において空乏層が最も広くなり、酸化膜の実効的な厚さが最も厚くなり、しきい値が高くなる。
【０３１８】
図３７に各ゲート酸化膜の実際の厚みと、実効的な厚みを示す。図３７において、横軸左側から順にロジック部、センスアンプ部、メモリセルアレイ部のそれぞれのＮチャネル型ＭＯＳトランジスタを示している。図３７から明らかなように、何れのトランジスタにおいても実際の厚みは同じであるが、実効的な厚みは、メモリセルアレイ部において最も厚くなっている。
【０３１９】
＜３−２．製造方法＞
以下に、図３４で示したロジック部、ＤＲＡＭ部のセンスアンプ部およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ６１〜Ｔ６３の製造方法について、図３８〜図４４を用いて説明する。
【０３２０】
まず、図３８に示す工程において、Ｐ型の半導体基板５１の表面にロコス法によりＬＯＣＯＳ層（フィールド酸化膜）５２を、例えば４０００オングストロームの厚さに形成する。続いて、例えばボロンイオンを、７００ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板５１内にＰ型のウエル領域１５１を形成する。なお、半導体基板５１内にはＰチャネル型ＭＯＳトランジスタを形成するためにＮ型のウエル領域も形成されるが、説明および図示は省略する。次に、例えばボロンイオンを、１３０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板１内にチャネルカット層１５２を形成する。なお、チャネルカット層１５２は、ＬＯＣＯＳ層５２とで素子間分離領域を形成するような形状に形成する。
【０３２１】
次に、ウエル領域１５１内の所定位置に、センスアンプ部のトランジスタＴ６２に合わせた最も不純物濃度の低いチャネルドープ層１５０を形成する。このとき、ロジック部およびメモリセルアレイ部のトランジスタＴ６１およびＴ６３の形成領域にもチャネルドープ層１５０が形成される。なお、チャネルドープ層１５０の形成は、例えばボロンイオンを、５０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０３２２】
次に、図３９に示す工程において、センスアンプ部の上部にレジストマスクＲ２５１を形成し、ロジック部およびメモリセルアレイ部のチャネルドープ層１５０に選択的に不純物を追加注入し、ロジック部およびメモリセルアレイ部のトランジスタＴ６１およびＴ６３に合わせた不純物濃度のチャネルドープ層１５０Ａを形成する。なお、チャネルドープ層１５０Ａの形成は、例えばボロンイオンを、５０ｋｅＶのエネルギーで、４×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０３２３】
次に、図４０に示す工程において、半導体基板５１の主面上にゲート酸化膜５３となる酸化膜５３１を熱酸化法により形成した後、その上にゲート電極材料として、（ノンドープ）ポリシリコン層５５０をＣＶＤ法にて形成する。なお、酸化膜５３１の厚みは６０オングストローム程度、ポリシリコン層５５０の厚みは２０００オングストローム程度である。
【０３２４】
次に、図４１に示す工程において、ポリシリコン層５５０に不純物イオンを注入し、ドープトポリシリコン層５５１を形成する。なお、ドープトポリシリコン層５５１の形成は、例えばリンイオンを、３０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０３２５】
次に、図４２に示す工程において、ゲート電極中の窒素濃度が低いロジック部およびセンスアンプ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ６１およびＴ６２に合わせて、ドープトポリシリコン層５５１に窒素イオンを注入し、窒素導入領域Ｎ２１を形成する。このとき、窒素導入領域Ｎ２１はメモリセルアレイ部上のドープトポリシリコン層５５１にも形成される。なお、窒素導入領域Ｎ２１の形成は、窒素イオンを、例えば、１０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０３２６】
次に、図４３に示す工程において、ロジック部およびセンスアンプ部の上部にレジストマスクＲ２５２を形成し、メモリセルアレイ部のドープトポリシリコン層５５１に選択的に窒素イオンを追加注入し、メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ６３に合わせた濃度の窒素導入領域Ｎ２２を形成する。なお、窒素導入領域Ｎ２２の形成は、窒素イオンを、例えば、１０ｋｅＶのエネルギーで、４×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０３２７】
次に、レジストマスクＲ２５２を除去した後、図４４に示す工程において、ドープトポリシリコン層５５１の上部にレジストマスクＲ２５３を形成してパターンニングを行う。
【０３２８】
次に、ロジック部、センスアンプ部、メモリセルアレイ部にイオン注入によりＬＤＤ層１５７を形成した後、ゲート酸化膜５３およびゲート電極５５Ａ、５５Ｂの側面に、約１０００オングストロームの厚さのサイドウォール酸化膜５６を形成する。そして、サイドウォール酸化膜５６をマスクとして、イオン注入によりソース・ドレイン層１５６を形成することで、図３４に示すＬＯＧＩＣ ｉｎ
ＤＲＡＭ３００の構成が得られる。
【０３２９】
ここで、ＬＤＤ層１５７は、例えば砒素（Ａｓ）イオンを３０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで形成する。また、ソース・ドレイン層１５６は、例えば砒素イオンを５０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入した後、８５０℃で３０分間アニールすることで形成する。
【０３３０】
なお、この後に、キャパシタ形成、層間絶縁膜の形成、配線層の形成工程等を経ることによりＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭが形成されるが、それらの工程の説明および図示は省略する。
【０３３１】
＜３−３．特徴的作用効果＞
以上説明したように本発明に係る実施の形態３のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭ３００は、特性の異なる複数種類のトランジスタ（例えば、要求スペックの異なる）に対して、ゲート電極中の窒素濃度を変えることでゲート酸化膜の実効的な厚みを変えてしきい値を設定する構成となっている。
【０３３２】
すなわち、図３５に示すように、ゲート電極中の窒素濃度が最も高いメモリセルアレイ部では、不純物の拡散および活性化が抑制されゲート電極内に広い範囲で空乏層が形成され、酸化膜厚が実効的に厚くなって、しきい値が高くできる。
【０３３３】
また、図３６に示すように、センスアンプ部においては、チャネルドープ層の不純物濃度を他よりも低くすることで、拡散層からの漏れ電流（拡散層リーク）を最小限に抑制することができる。
【０３３４】
このように、チャネルドープ層の不純物濃度は拡散層リークを最小にするように設定し、しきい値はゲート電極の窒素濃度により設定することで、しきい値と拡散層リークとのトレードオフ関係を打開（ブレークスルー）することができ、回路設計の制約を解消することができる。
【０３３５】
また、ゲート電極とゲート酸化膜との接合界面近傍には結晶欠陥が多く存在するが、ゲート電極に窒素を導入することで、結晶欠陥の原因の１つであるダングリングボンドに窒素原子が結合して結晶欠陥を回復させるので、ゲート酸化膜の信頼性を向上させることができる。
【０３３６】
また、ゲート電極５５Ａおよび５５Ｂ内の、ゲート酸化膜５３との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ２１およびＮ２２が形成されているので、ゲート電極中に注入された不純物の突き抜け現象を抑制することができる。
【０３３７】
なお、以上説明した本発明に係る実施の形態３では、単結晶基板上に各種トランジスタを形成する構成について示したが、ＳＯＩ（silicon on insulator）基板上に各種トランジスタを形成する場合であっても、同様の作用効果を得ることができる。
【０３３８】
＜実施の形態４＞
＜４−１．装置構成＞
図４５に本発明に係る実施の形態４として、ロジック回路を有したフラッシュメモリ（以後、ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨと呼称）４００の部分構成を示す。
【０３３９】
一般に、ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨは、ロジック部とフラッシュメモリ部とに大別され、ロジック部では、高速であること、すなわち、高駆動能力と低容量であることが求められている。
【０３４０】
また、フラッシュメモリ部では、高電圧が印加される高耐圧部やトンネル酸化膜に高い信頼性が求められるメモリセルアレイ部などを有している。つまり、１チップのＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨ内で特性の異なる数種類のトランジスタが必要となる。
【０３４１】
図４５においては、ロジック部、高耐圧部、メモリセルアレイ部に用いられるＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７１〜Ｔ７３の断面をそれぞれ示している。
【０３４２】
図４５において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７１〜Ｔ７３は同一の半導体基板７１（Ｐ型）上に形成されたＰ型のウエル層１７１内に形成されている。ウエル層１７１は、ウエル層１７１内に形成されたチャネルカット層１７２と、ＬＯＣＯＳ層７２とで素子間分離され、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７１〜Ｔ７３は、それぞれ素子間分離された領域に形成されている。
【０３４３】
ロジック部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７１は、ウエル層１７１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１７６と、当該ソース・ドレイン層１７６の向かい合う端縁部に接して形成された１対のＬＤＤ層１７７とを備えている。
【０３４４】
そして、ＬＤＤ層１７７の上部にはゲート酸化膜７６が形成され、当該ゲート酸化膜７６の上部にはゲート電極７９Ａが形成されている。また、ゲート酸化膜７６およびゲート電極７９Ａの側面にはサイドウォール酸化膜８０が形成されている。また、ゲート電極７９Ａの下層のウエル層１７１内には、チャネルドープ層１７３が形成されている。
【０３４５】
なお、ゲート電極７９Ａ内には、ゲート酸化膜７６との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ３１が形成されている。
【０３４６】
フラッシュメモリ部における高耐圧部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７２は、ウエル層１７１内に独立して平行に形成された１対のソース・ドレイン層１７６と、当該ソース・ドレイン層１７６の向かい合う端縁部に接して形成された１対のＬＤＤ層１７７とを備えている。
【０３４７】
そして、ＬＤＤ層１７７の上部にはゲート酸化膜７６が形成され、当該ゲート酸化膜７６の上部にはゲート電極７９Ｂが形成されている。また、ゲート酸化膜７６およびゲート電極７９Ｂの側面にはサイドウォール酸化膜８０が形成されている。また、ゲート電極７９Ｂの下層のウエル層１７１内には、チャネルドープ層１７３が形成されている。
【０３４８】
なお、ゲート電極７９Ｂ内には、ゲート酸化膜７６との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ３２が形成されている。
【０３４９】
フラッシュメモリ部におけるメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７３は、ウエル層１７１内に独立して平行に形成された一対のソース・ドレイン層１７６を備え、ソース・ドレイン層１７６の端縁部上部にはトンネル酸化膜７３が形成され、当該トンネル酸化膜７３の上部にはフローティングゲート電極７７、層間絶縁膜７４、コントロールゲート電極７９Ｃが順次形成されている。なお、コントロールゲート電極７９Ｃは、ゲート電極と同じ構成であるので、以後、ゲート電極として扱う。
【０３５０】
また、コントロールゲート電極７９Ｃ内には、層間絶縁膜７４との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ３１が形成されている。
【０３５１】
また、トンネル酸化膜７３、フローティングゲート電極７７、層間絶縁膜７４、コントロールゲート電極７９Ｃの側面にはサイドウォール酸化膜８０が形成されている。
【０３５２】
また、フローティングゲート電極７７の下層のウエル層１７１内には、チャネルドープ層１７３が形成されている。なお、メモリセルアレイ部はゲートアレイ構造となっており、隣合うゲートどうしが１のソース・ドレイン層１７６を共有する構造となっており、その構造が連続して配設された構成となっている。
【０３５３】
表８にＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７１〜Ｔ７３の構成諸元を示す。
【０３５４】
【表８】
Figure 0003648015
【０３５５】
表８において、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７１〜Ｔ７３のそれぞれのゲート酸化膜の厚みは、５０オングストローム、５０オングストローム、１００オングストロームとなっている。
【０３５６】
また、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７１〜Ｔ７３のチャネルドープ層形成時の不純物ドーズ量は、何れも５×１０12／ｃｍ2となっている。なお、注入不純物は何れもボロン（Ｂ）であり、注入エネルギーは何れも５０ｋｅＶである。
【０３５７】
また、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７１〜Ｔ７３のゲート電極形成時の不純物ドーズ量は、何れも５×１０15／ｃｍ2となっている。なお、注入不純物は何れもリン（Ｐ）であり、注入エネルギーは３０ｋｅＶである。
【０３５８】
そして、窒素ドーズ量は、それぞれ１×１０15／ｃｍ2、１×１０16／ｃｍ2、１×１０15／ｃｍ2となっており、注入エネルギーは何れも１０ｋｅＶである。
【０３５９】
また、図４５で示したロジック部、高耐圧部、およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７１〜Ｔ７３における、Ａ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線、およびＣ−Ｃ’線による断面部分の窒素プロファイルおよび不純物プロファイルを図４６および図４７に示す。
【０３６０】
図４６および図４７において、横軸にはそれぞれ断面方向の位置（深さ）を、縦軸に窒素濃度および不純物濃度を示す。なお、メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７３の構成順序を図面上部に、他のＭＯＳトランジスタの構成順序を図面横軸に示す。図面上部において、図に向かって左側から順に、コントロールゲート電極（ポリシリコン層）、層間絶縁膜（ＯＮＯ膜）、フローティングゲート電極（ポリシリコン層）、トンネル酸化膜（ＳｉＯ2層）、ウエル層（バルクシリコン層）となっている。
【０３６１】
また、図面横軸において、図に向かって左側から順に、ゲート電極（ポリシリコン層）、ゲート酸化膜（ＳｉＯ2層）、ウエル層（バルクシリコン層）となっている。
【０３６２】
表８に示すように、しきい値が最も高いことを期待される高耐圧部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７２のゲート電極７９Ｂの窒素ドーズ量が最も高く、ロジック部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７１のゲート電極２９Ａおよび、メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７３のコントロールゲート電極７９Ｃの窒素ドーズ量は同じになっている。
【０３６３】
その結果、図４６においてＢ−Ｂ’線で示すように高耐圧部のトランジスタＴ７２の窒素濃度が最も高く、ロジック部のトランジスタＴ７１（Ａ−Ａ’線）、メモリセルアレイ部のトランジスタＴ７３（Ｃ−Ｃ’線）の濃度は同じで、トランジスタＴ７２よりも低くなっている。
【０３６４】
なお、窒素はゲート酸化膜および層間絶縁膜中にも存在しており、その濃度の高低関係は維持されている。そして、ウエル層中においてはゲート酸化膜との接合界面近傍以外には窒素は殆ど存在しないプロファイルとなっている。
【０３６５】
また、図４７に示すようにゲート電極中の不純物プロファイルは、Ｂ−Ｂ’線で示すように高耐圧部のトランジスタＴ７２が最も急峻であり、Ａ−Ａ’線、およびＣ−Ｃ’線で示すように、ロジック部のトランジスタＴ７１およびメモリセルアレイ部のトランジスタＴ７３においては緩やかなプロファイルとなっている。これは、窒素注入量の多いゲート電極ほど不純物の拡散および活性化が抑制されているためである。
【０３６６】
このため、高耐圧部のトランジスタＴ７２ではゲート電極において空乏層が最も広くなり、酸化膜の実効的な厚さが最も厚くなり、高い電圧にも耐えることができる。
【０３６７】
図４８に各ゲート酸化膜の実際の厚みと、実効的な厚みを示す。図４８において、横軸左側から順にロジック部、高耐圧部、メモリセルアレイ部のそれぞれのＮチャネル型ＭＯＳトランジスタを示している。なおメモリセルアレイ部においてはトンネル酸化膜をゲート酸化膜として取り扱う。図４８から明らかなように、各ゲート酸化膜の実効的な厚みは、高耐圧部において特に厚くなっている。
【０３６８】
また、図４７に示すように、ロジック部（Ａ−Ａ’線）、高耐圧部（Ｂ−Ｂ’線）、メモリセルアレイ部（Ｃ−Ｃ’線）の何れのトランジスタにおいても、チャネルドープ層の不純物プロファイルは同じである。
【０３６９】
なお、メモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７３のフローティングゲート電極はＣＶＤ法で形成するため、不純物プロファイルは一定である。
【０３７０】
＜４−２．製造方法＞
以下に、図４５で示したロジック部、フラッシュメモリ部の高耐圧部およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７１〜Ｔ７３の製造方法について、図４９〜図６２を用いて説明する。
【０３７１】
まず、図４９に示す工程において、Ｐ型の半導体基板７１の表面にロコス法によりＬＯＣＯＳ層（フィールド酸化膜）７２を、例えば４０００オングストロームの厚さに形成する。続いて、例えばボロンイオンを、７００ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板７１内にＰ型のウエル領域１７１を形成する。なお、半導体基板７１内にはＰチャネル型ＭＯＳトランジスタを形成するためにＮ型のウエル領域も形成されるが、説明および図示は省略する。次に、例えばボロンイオンを、１３０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで、半導体基板７１内にチャネルカット層１７２を形成する。なお、チャネルカット層１７２は、ＬＯＣＯＳ層７２とで素子間分離領域を形成するような形状に形成する。
【０３７２】
次に、ウエル領域１７１内にチャネルドープ層１７０を形成する。なお、チャネルドープ層１７０の形成は、例えばボロンイオンを、５０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０12／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０３７３】
次に、図５０に示す工程において、半導体基板７１の主面上にトンネル酸化膜７３となる酸化膜７３１を熱酸化法により形成した後、その上にゲート電極材料として、例えばドープトポリシリコン層７７１をＣＶＤ法にて形成する。なお、酸化膜７３１の厚みは１００オングストローム程度、ドープトポリシリコン層７７１の厚みは１０００オングストローム程度で、その不純物としてはリン（Ｐ）を使用し、濃度は１×１０20／ｃｍ3程度である。
【０３７４】
次に、図５１に示す工程において、メモリセルアレイ部におけるドープトポリシリコン層７７１の上部に選択的にレジストマスクＲ２７１を形成する。この場合、レジストマスクＲ２７１はメモリセルアレイ部のゲート幅方向に沿って形成される。そして、レジストマスクＲ２７１で覆われていない部分のドープトポリシリコン層７７１を異方性エッチングにより除去する。この状態を図５２に示す。
【０３７５】
図５２は、図５１を上面側（レジストマスクＲ２７１を形成する側）から見た平面図であり、レジストマスクＲ２７１はメモリセルアレイ部において、規則的に配列された矩形の島状をなすように形成されている。なお、レジストマスクＲ２７１は、矩形の島状をなす活性層ＡＬ上と、その周囲のＬＯＣＯＳ層ＬＬ上を覆うように形成されている。また、高耐圧部およびロジック部においてはレジストマスクが形成されていないので、活性層ＡＬが露出している。
【０３７６】
なお、図５２においては、レジストマスクＲ２７１の下部の構成を判りやすくするため、部分的にレジストマスクＲ２７１を除いて活性層ＡＬおよびＬＯＣＯＳ層ＬＬが見えるようにしているが、これは便宜的なものである。
【０３７７】
次に、レジストマスクＲ２７１を除去した後、図５３に示す工程において、ドープトポリシリコン層７７１上に、フローティングゲートとコントロールゲートとを絶縁する層間絶縁膜７４となる絶縁膜７４１をＣＶＤ法にて形成する。なお、この膜はＴＥＯＳ膜、窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4）、ＴＥＯＳ膜を順に積層した構成となっており、それぞれの膜厚は１００オングストロームである。また、絶縁膜７４１は高耐圧部およびロジック部上にも形成される。
【０３７８】
次に、図５４に示す工程において、メモリセルアレイ部の絶縁膜７４１上をレジストマスクＲ２７２で覆い、その他の領域の絶縁膜７４１を全て除去する。この場合、その他の領域においては酸化膜７３１も除去する。この状態を図５５に示す。
【０３７９】
図５５は、図５４を上面側（レジストマスクＲ２７２を形成する側）から見た平面図であり、レジストマスクＲ２７２はメモリセルアレイ部全域を覆うように形成されているが、高耐圧部およびロジック部においてはレジストマスクＲ２７２が形成されていないので、活性層ＡＬが露出している。
【０３８０】
次に、レジストマスクＲ２７２を除去した後、図５６に示す工程において、半導体基板７１の主面全面にゲート酸化膜７６となる酸化膜７６１を熱酸化法により形成する。このときメモリセルアレイ部上の絶縁膜７４１は、窒化膜を含んでいるため酸化されることはなく、その厚さは保たれる。なお、酸化膜７６１の厚みは５０オングストローム程度である。
【０３８１】
次に、図５７に示す工程において、半導体基板７１の主面全面に、ゲート電極材料として、（ノンドープ）ポリシリコン層７９０をＣＶＤ法にて形成する。なお、ポリシリコン層７９０の厚みは２０００オングストローム程度である。
【０３８２】
次に、図５８に示す工程において、ポリシリコン層７９０に不純物イオンを注入し、ドープトポリシリコン層７９１を形成する。なお、ドープトポリシリコン層７９１の形成は、例えばリンイオンを、３０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０３８３】
次に、図５９に示す工程において、ゲート電極中の窒素濃度が低いロジック部およびメモリセルアレイ部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７１およびＴ７３に合わせて、ドープトポリシリコン層７９１に窒素イオンを注入し、窒素導入領域Ｎ３１を形成する。このとき、窒素導入領域Ｎ３１は高耐圧部上のドープトポリシリコン層７９１にも形成される。なお、窒素導入領域Ｎ３１の形成は、窒素イオンを、例えば、１０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０３８４】
次に、図６０に示す工程において、ロジック部およびメモリセルアレイ部の上部にレジストマスクＲ２７５を形成し、高耐圧部のドープトポリシリコン層７９１に選択的に窒素イオンを追加注入し、高耐圧部のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ７２に合わせた濃度の窒素導入領域Ｎ３２を形成する。なお、窒素導入領域Ｎ３２の形成は、窒素イオンを、例えば、１０ｋｅＶのエネルギーで、９×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入することで行う。
【０３８５】
次に、レジストマスクＲ２７５を除去した後、図６１に示す工程において、ドープトポリシリコン層７９１の上部にレジストマスクＲ２７６を形成してパターンニングを行う。この状態を図６２に示す。
【０３８６】
図６２は、図６１を上面側（レジストマスクＲ２７６を形成する側）から見た平面図であり、レジストマスクＲ２７６は、矩形状の活性領域ＡＬに垂直になるように形成されている。
【０３８７】
このパターンニングにより、ロジック部においては、ゲート酸化膜７６およびゲート電極７９Ａを、高耐圧部においては、ゲート酸化膜７６およびゲート電極７９Ｂを、メモリセルアレイ部においては、トンネル酸化膜７３、フローティングゲート電極７７、層間絶縁膜７４、コントロールゲート電極７９Ｃを形成する。
【０３８８】
次に、ロジック部および高耐圧部にイオン注入によりＬＤＤ層１７７を形成した後、ゲート酸化膜７６およびゲート電極７９Ａの側面、ゲート酸化膜７６およびゲート電極７９Ｂの側面、トンネル酸化膜７３、フローティングゲート電極７７、層間絶縁膜７４、コントロールゲート電極７９Ｃの側面に、約１０００オングストロームの厚さのサイドウォール酸化膜８０を形成する。そして、サイドウォール酸化膜８０をマスクとして、イオン注入によりソース・ドレイン層１７６を形成することで、図４５に示すフラッシュメモリの構成が得られる。
【０３８９】
ここで、ＬＤＤ層１７７は、例えば砒素イオンを３０ｋｅＶのエネルギーで、１×１０13／ｃｍ2のドーズ量を注入することで形成する。また、ソース・ドレイン層１７６は、例えば砒素イオンを５０ｋｅＶのエネルギーで、５×１０15／ｃｍ2のドーズ量を注入した後、８５０℃で３０分間アニールすることで形成する。
【０３９０】
なお、この後に、キャパシタ形成、層間絶縁膜の形成、配線層の形成工程等を経ることによりＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨが形成されるが、それらの工程の説明および図示は省略する。
【０３９１】
＜４−３．特徴的作用効果＞
以上説明したように本発明に係る実施の形態４のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨ４００は、特性の異なる複数種類のトランジスタ（例えば、要求スペックの異なる）に対して、ゲート電極中の窒素濃度を変えることでゲート酸化膜の実効的な厚みを変えてしきい値を設定する構成となっている。
【０３９２】
すなわち、図４６に示すように、ゲート電極中の窒素濃度が最も高い高耐圧部では、不純物の拡散および活性化が抑制されゲート電極内に広い範囲で空乏層が形成され、酸化膜厚が実効的に厚くなって、しきい値が高くできる。
【０３９３】
また、ゲート酸化膜の実効的な厚みを変えることで、しきい値を設定することができるので、チャネルドープ層の不純物濃度をトランジスタの特性に合わせて変える必要がなく、拡散層からの漏れ電流（拡散層リーク）を最小限に抑制できる濃度に固定することができる。
【０３９４】
従って、チャネルドープ層の不純物濃度は拡散層リークを最小にするように設定し、耐電圧特性やしきい値はゲート電極の窒素濃度により調整することで、耐電圧についての要求を満足するとともに、しきい値と拡散層リークとのトレードオフ関係を打開（ブレークスルー）することができ、回路設計の制約を解消することができる。
【０３９５】
また、厚さの異なるゲート酸化膜を形成する場合でも、ゲート酸化膜の実効的な厚みを変えることで、ゲート酸化膜の種類を削減することができる。従って、ゲート酸化膜の製造工程を簡略化できるとともに、信頼性に優れ、膜厚の制御性が良好なゲート酸化膜を得ることができる。
【０３９６】
すなわち、図４５に示す構成においては、ロジック部および高耐圧部のトランジスタにおけるゲート酸化膜の厚みは同じであるので、ゲート酸化膜の種類は２種類となる。そして、酸化膜を形成する工程は、酸化膜７３１を形成する工程（図５０）と、酸化膜７６１を形成する工程（図５６）だけであり、いずれの工程も１回の熱酸化工程で形成しているので、図１１４〜図１２７を用いて説明した従来の製造方法のように、１つの酸化膜の形成を複数回に分けて行う必要はなく、不純物混入や膜厚の制御性の低下を心配する必要はない。
【０３９７】
また、ゲート電極とゲート酸化膜との接合界面近傍には結晶欠陥が多く存在するが、ゲート電極に窒素を導入することで、結晶欠陥の原因の１つであるダングリングボンドに窒素原子が結合して結晶欠陥を回復させるので、ゲート酸化膜の信頼性を向上させることができる。
【０３９８】
また、ゲート電極７９Ａおよび７９Ｂ内のゲート酸化膜７６との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ３１およびＮ３２が形成され、コントロールゲート電極７９Ｃ内の、層間絶縁膜７４との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ３２が形成されているので、ゲート電極中に注入された不純物の突き抜け現象を抑制することができる。
【０３９９】
なお、以上説明した本発明に係る実施の形態４では、単結晶基板上に各種トランジスタを形成する構成について示したが、ＳＯＩ（silicon on insulator）基板上に各種トランジスタを形成する場合であっても、本発明を適用することで同様の作用効果を得ることができる。
【０４００】
＜本発明のその他の適用例＞
以上説明した本発明に係る実施の形態１〜４では、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭ、ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨを例として説明したが、本願発明の技術的思想の適用はこれらの半導体装置に限られない。すなわち、制御電極内の窒素濃度を調整することで、制御電極内の空乏層の厚みを任意に設定し、ゲート酸化膜の実効的な厚みを変えてしきい値を任意に設定することができるので、共通した１の基板上に形成される各部分のトランジスタにおいて、ゲート酸化膜の厚みは共通で、ゲート酸化膜の実効的な厚みを変える必要がある場合や、ゲート酸化膜の厚みはそれぞれ異なっても良いが、チャネルドープ層の濃度は同じにする必要がある場合には、本願発明を適用することで、所望の効果を得ることができる。
【０４０１】
また、実施の形態１〜４では、それぞれ共通した１の基板上の３つの部分において、それぞれ特性が異なるトランジスタを使用する例を示したが、これは、３つの部分にそれぞれ１種類のトランジスタしか使用しないということではない。例えば、ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭを例にとれば、ロジック部で２種類あるいはもっと多くの種類のトランジスタを使用しても良いし、センスアンプ部でも２種類あるいはもっと多くの種類のトランジスタを使用する構成であっても良い。また、ロジック部では２種類、メモリセルアレイ部では１種類のトランジスタを使用する構成であっても良い。
【０４０２】
また、ロジック部、高耐圧部、センスアンプ部、メモリセルアレイ部などのように装置構成を明確に区分できないような半導体装置であっても、特性の異なる複数の種類のトランジスタを必要とする構成においては、本願発明は有効である。
【０４０３】
また、使用するトランジスタの種類は３種類である必要はない。３種類以上、あるいは、２種類の特性の異なるトランジスタを使用する構成であっても良い。
【０４０４】
これら種々の構成においても、制御電極内の窒素濃度を調整し、ゲート酸化膜の厚み、チャネルドープ層の濃度の組み合わせを適宜選択することで、所望の効果を得ることができる。
【０４０５】
また、１種類のトランジスタしか有さない半導体装置においても、ゲート酸化膜の実効的な厚みを変えてしきい値を任意に設定したい場合には有効である。
【０４０６】
＜実施の形態５＞
以上説明した本発明に係る実施の形態１〜４においては、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭ、ＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの、センスアンプ部、周辺回路部、メモリセルアレイ部、高耐圧部において、それらを構成するＭＯＳトランジスタのゲート電極に窒素を導入した例について説明したが、ゲート電極に窒素を導入することで発生する空乏層の利用は、上述した部位に限定されるものではない。
【０４０７】
すなわち、本願発明は１つのチップ内に複数種類のトランジスタを作り込む必要のある半導体装置おいて有効である。以下、本発明に係る実施の形態５について説明する。
【０４０８】
図６３に、一般的な降圧回路を示す。この降圧回路は５Ｖ（ボルト）の信号を３．３Ｖに降圧して出力する回路で、電源電位Ｖccと接地電位ＧＮＤとの間に直列に接続されたＰＭＯＳトランジスタＱ１およびＮＭＯＳトランジスタＱ２と、電源電位Ｖccと接地電位ＧＮＤとの間に直列に接続されたダイオードＤ１およびＤ２と、ダイオードＤ１およびＤ２の接続点ＮＤ１に接続された入力パッドＰＤとを備えている。なお、ダイオードＤ１のカソードは電源電位Ｖccに、アノードはダイオードＤ２のカソードに接続され、ダイオードＤ２のアノードは接地電位ＧＮＤに接続されている。そして、接続点ＮＤ１は、ＰＭＯＳトランジスタＱ１およびＮＭＯＳトランジスタＱ２のゲート電極に共通に接続される接続点ＮＤ２に接続され、ＰＭＯＳトランジスタＱ１およびＮＭＯＳトランジスタＱ２の接続点ＮＤ３は、３．３Ｖで動作する回路系（以後、３．３Ｖ系回路と呼称）ＬＣに接続されている。
【０４０９】
このような構成の降圧回路において、ＰＭＯＳトランジスタＱ１およびＮＭＯＳトランジスタＱ２のゲート電極には、入力パッドＰＤから５Ｖの信号が与えられることになる（以後、５Ｖ系回路ＨＣと呼称）。一方、３．３Ｖ系回路ＬＣを構成するＭＯＳトランジスタのゲート電極には、５Ｖ系回路ＨＣの出力である３．３Ｖが与えられることになる。
【０４１０】
このように、ゲート電極に与えられる電圧が異なる回路系においては、それらを構成するＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜の厚さは、それぞれ異なっている必要がある。なぜなら、５Ｖ系回路ＨＣのＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜の厚さを、３．３Ｖ系回路ＬＣのＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜と同じにすると、絶縁能力の点で問題が発生する。逆に、３．３Ｖ系回路ＬＣのＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜の厚さを、５Ｖ系回路ＨＣのＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜と同じにすると、３．３Ｖ系回路ＬＣのＭＯＳトランジスタの動作速度が遅くなり、動作特性の点で問題が発生する。
【０４１１】
そこで、従来はゲート酸化膜の厚さがそれぞれ異なったＭＯＳトランジスタを形成していた。従って、厚さが異なるゲート酸化膜を形成するための工程が必要になり、製造工程が複雑になるという問題があった。
【０４１２】
しかし、本願発明によれば５Ｖ系回路ＨＣと３．３Ｖ系回路ＬＣとでゲート酸化膜の厚さを変える必要はなく、製造工程を簡略化できる。
【０４１３】
＜５−１．装置構成＞
図６４に本発明に係る実施の形態５として、ゲート電極に与えられる電圧が比較的高いＭＯＳトランジスタＨ１で構成される高電圧回路部ＨＰと、ゲート電極に与えられる電圧が比較的低いＭＯＳトランジスタＬ１で構成される低電圧回路部ＬＰを示す。
【０４１４】
図６４において、ＭＯＳトランジスタＨ１およびＬ１は、同一の半導体基板１００１上に形成されたウエル層１００２内に形成されている。ウエル層１００２はウエル層１００２内に形成されたチャネルカット層１００３と、ＬＯＣＯＳ層１００４とで素子間分離されている。そして、チャネルカット層１００３とＬＯＣＯＳ層１００４とで素子間分離された領域内には、チャネルドープ層１００５が形成されている。
【０４１５】
また、半導体基板１００１の主面上には酸化膜１００６が形成され、酸化膜１００６の上部にはポリシリコン層１００７が形成されている。なお、ポリシリコン層１００７には不純物が例えばイオン注入法で導入されている。ここで、不純物の種類としては、ＭＯＳトランジスタをＮチャネル型とする場合には、例えばリン（Ｐ）イオンを、３０ｋｅＶで５×１０15／ｃｍ2のドーズ量となるように注入する。また、ＭＯＳトランジスタをＰチャネル型とする場合には、例えばボロン（Ｂ）イオンを、１０ｋｅＶで５×１０15／ｃｍ2のドーズ量となるように注入する。なお、酸化膜１００６の厚みは、ＭＯＳトランジスタＬ１のゲート電極に与えられる電圧に適した厚さとなっている。
【０４１６】
そして、高電圧回路部ＨＰのポリシリコン層１００７内には、酸化膜１００６の近傍に窒素導入領域Ｎ４０が形成されている。
【０４１７】
ここで、図６５に低電圧回路部ＬＰの部分斜視図を示す。図６５において、Ｄ−Ｄ’線による断面図が図６０の低電圧回路部ＬＰに対応する。なお、図６５に示す、ポリシリコン層１００７の両側面外側のウエル層１００２内には、後の工程でソース−ドレイン領域が形成されることになる。
【０４１８】
窒素導入領域Ｎ４０を形成するためには、窒素イオンを例えば、１０ｋｅＶで１×１０16／ｃｍ2のドーズ量となるように注入する。このとき、低電圧回路部ＬＰのポリシリコン層１００７上にはレジストマスクを形成し、窒素が注入されないようにしておく。
【０４１９】
このように、高電圧回路部ＨＰのポリシリコン層１００７内に、酸化膜１００６の近傍に窒素導入領域Ｎ４０を形成することで、酸化膜１００６の近傍に不純物が拡散することが抑制され、酸化膜１００６の近傍においては不純物濃度が低くなり、ＭＯＳトランジスタＨ１の動作時において、ゲート電極内に空乏層が形成され、酸化膜が実効的に厚くなり、しきい値が高くなる。従って、酸化膜１００６の厚みが、ＭＯＳトランジスタＨ１のゲート電極に与えられる電圧に適した厚さではない場合でも、酸化膜１００６にかかる電界が小さくなり、酸化膜１００６が絶縁破壊されることが防止されて、ＭＯＳトランジスタＨ１の信頼性を向上することができる。
【０４２０】
一方、ＭＯＳトランジスタＬ１のポリシリコン層１００７には、窒素イオンは注入されないので、ＭＯＳトランジスタＬ１の動作時に、ゲート電極内に空乏層が形成されることが防止され、酸化膜が実効的に厚くなることはない。
【０４２１】
＜５−２．特徴的作用効果＞
このように、ゲート電極に与えられる電圧が比較的高いＭＯＳトランジスタＨ１で構成される高電圧回路部ＨＰと、ゲート電極に与えられる電圧が比較的低いＭＯＳトランジスタＬ１で構成される低電圧回路部ＬＰが存在する場合あっても、酸化膜はＭＯＳトランジスタＬ１に適するように形成すれば良く、酸化膜を作り分ける場合に比べて製造工程を簡略化できる。
【０４２２】
また、低電圧回路部ＬＰにおいてはＭＯＳトランジスタＬ１のポリシリコン層１００７内には窒素導入領域を形成しないので装置動作時にも空乏層は形成されず、酸化膜１００６の実際の厚さと実効的な厚さは変わらない。そして、酸化膜１００６の厚みはＭＯＳトランジスタＬ１に合わせて薄く設定されているので、ゲート電圧の印加によってウエル層１００２内に発生するキャリアの個数が増え、ソース・ドレイン電流が増加して動作速度が高まり、動作特性が優れたＭＯＳトランジスタを得ることができる。
【０４２３】
なお、上記の説明では、ＭＯＳトランジスタＬ１のポリシリコン層１００７には窒素イオンを注入しない例を示したが、ＭＯＳトランジスタＨ１のポリシリコン層１００７に窒素イオンを注入しない構成としても良い。
【０４２４】
すなわち、図６６に示すように、ポリシリコン層１００７への不純物の注入に際しては、高電圧回路部ＨＰおよび低電圧回路部ＬＰのポリシリコン層１００７に比較的低いドーズ量、例えば５×１０14／ｃｍ2のドーズ量で不純物を注入する。ここで、不純物の種類としては、ＭＯＳトランジスタをＮチャネル型とする場合には、例えばリン（Ｐ）イオンを３０ｋｅＶのエネルギーで、また、ＭＯＳトランジスタをＰチャネル型とする場合には、例えばボロン（Ｂ）イオンを１０ｋｅＶのエネルギーで注入する。
【０４２５】
次に、図６７に示すように、高電圧回路部ＨＰのポリシリコン層１００７上を覆うように、レジストマスクＲ１０を形成し、不純物のイオン注入を行うと、低電圧回路部ＬＰのポリシリコン層１００７には不純物が追加注入されることになる。ここで、ドーズ量は５×１０15／ｃｍ2程度とする。
【０４２６】
続いて、窒素イオンを例えば、１０ｋｅＶで１×１０15／ｃｍ2のドーズ量となるように注入して、窒素導入領域Ｎ４０を形成する。
【０４２７】
このような構成とすることで、高電圧回路部ＨＰのポリシリコン層１００７では、不純物濃度が低いので装置動作時に空乏層が広い範囲で形成され、酸化膜１００６の実効的な厚さが厚くなる。一方、低電圧回路部ＬＰのポリシリコン層１００７では、不純物濃度が高いので、窒素導入領域Ｎ４０の存在によっても、装置動作時に空乏層が形成されることが抑制される。なお、低電圧回路部ＬＰのポリシリコン層１００７に窒素を導入することで、不純物が高電圧回路部ＨＰ側に拡散することが防止される。なお、高電圧回路部ＨＰのポリシリコン層１００７には全く不純物を導入しなくても良い。
【０４２８】
＜５−３．変形例１＞
以上説明した本発明に係る実施の形態５においては、低電圧回路ＬＰおよび高電圧回路部ＨＰのＭＯＳトランジスタＨ１上に１層のポリシリコン層１００７を形成し、そこに窒素イオンを注入する例を示したが、以下に説明するようにポリシリコン層を２層構造としても良い。
【０４２９】
図６８に、高電圧回路部ＨＰの主要部を示す。図６８において、高電圧回路部ＨＰの酸化膜１００６の上部にはノンドープポリシリコン層１０２０、ドープトポリシリコン層１０２１が順に形成されている。
【０４３０】
この状態において、ドープトポリシリコン層１０２１の上部から窒素イオンを注入することで、高電圧回路ＨＰのノンドープポリシリコン層１０２０中に窒素導入領域（図示せず）を形成する。
【０４３１】
この結果、ドープトポリシリコン層１０２１からノンドープポリシリコン層１０２０には不純物が拡散しないことになり、高電圧回路ＨＰのＭＯＳトランジスタＨ１の動作時には、ノンドープポリシリコン層１０２０内に空乏層が形成され、酸化膜１００６が実効的に厚くなり、しきい値が高くなる。従って、酸化膜１００６の厚みが、ＭＯＳトランジスタＨ１のゲート電極に与えられる電圧に適した厚さではない場合でも、酸化膜１００６にかかる電界が小さくなり、酸化膜１００６が絶縁破壊されることが防止されて、ＭＯＳトランジスタＨ１の信頼性を向上することができる。
【０４３２】
なお、窒素イオンは、例えば、１０ｋｅＶで１×１０15／ｃｍ2のドーズ量となるように注入する。
【０４３３】
＜５−４．変形例２＞
以上説明した本発明に係る実施の形態５においては、高電圧回路部ＨＰのＭＯＳトランジスタＨ１上の活性層上のポリシリコン層１００７の全域（ＬＯＣＯＳ層１００４上も含む）に窒素イオンを注入する例を示したが、以下に説明するように、ポリシリコン層１００７の活性層の端縁部のみに窒素イオンを注入するようにしても良い。
【０４３４】
図６９に高電圧回路部ＨＰの主要部を示す。なお、図６９においては、チャネルカット層１００３およびチャネルドープ層１００５は省略されている。
【０４３５】
図６９において、ＬＯＣＯＳ層１００４に挟まれた活性領域ＡＬの中央部のポリシリコン層１００７上にレジストマスクＲ１２が形成されている。
【０４３６】
そして、この状態において、レジストマスクＲ１２で覆われないポリシリコン１００７の上部から窒素イオンを注入することで、活性領域ＡＬの端縁部のポリシリコン層１００７内に窒素イオンが注入され、窒素導入領域Ｎ５０が形成されることになる。
【０４３７】
なお、窒素イオンは、例えば、１０ｋｅＶで１×１０15／ｃｍ2のドーズ量となるように注入する。
【０４３８】
従って、ＭＯＳトランジスタＨ１の動作時には、活性領域ＡＬの端縁部のポリシリコン層１００７内においては空乏層の形成範囲が広がり、実効的な酸化膜の厚さが厚くなり、実効的な酸化膜の厚さが厚くなって、部分的にしきい値が高くなる。
【０４３９】
なお、このように部分的にしきい値を高くするのであれば、高電圧回路部ＨＰだけでなく低電圧回路部ＬＰのＭＯＳトランジスタＬ１に適用しても良い。
【０４４０】
このような構成を採ることによる利点は、バルクシリコン基板上に形成するＭＯＳトランジスタにおいては少ないが、ＳＯＩ（silicon on insulator）基板上に形成するＭＯＳトランジスタにおいては、活性領域ＡＬの端縁部の構造に起因するしきい値低下の問題を解消できる。
【０４４１】
図７０に、ＳＯＩ（silicon on insulator）基板上に形成したＭＯＳトランジスタを示す。ＳＯＩ基板１０１０は、シリコン基板１０１３、シリコン基板１０１３上に形成された埋め込み絶縁膜１０１２、埋め込み絶縁膜１０１２上に形成されたＳＯＩ層１０１１とで構成され、ＳＯＩ層１０１１上にＭＯＳトランジスタ等を形成するものである。そして、ＳＯＩ層１０１１は厚みが薄く形成されている。特に、図７０のＥ−Ｅ’線で示す部分のように、活性領域ＡＬの端縁部ではＳＯＩ層１０１１は極めて薄く、この部分におけるＭＯＳトランジスタのしきい値は、他の部分（Ｆ−Ｆ’線で示す部分）に比べて低下し、ＭＯＳトランジスタ全体のしきい値が低下するという問題があった。
【０４４２】
しかし、本願発明によれば、活性領域ＡＬの端縁部上のポリシリコン１００７内において窒素導入領域Ｎ５０が形成され、空乏層の形成範囲が大きくなり、実効的な酸化膜の厚さが厚くなって、部分的にしきい値を高くすることができるので、この問題を解消することができる。
【０４４３】
以上説明した本発明に係る実施の形態５およびその変形例においては、基本的にバルクシリコン基板に形成される半導体装置を例として説明したが、変形例２において図７０に示したようなＳＯＩ基板に形成される半導体装置に適用しても良いことは言うまでもない。
【０４４４】
また、実施の形態５の変形例１〜３においては、高電圧回路部ＨＰへの適用を例として説明したが、低電圧回路部ＬＰに適用しても良いことは言うまでもない。
【０４４５】
また、本発明に係る実施の形態５においては、降圧回路を例に採り、ゲート電極に与えられる電圧が比較的高いＭＯＳトランジスタＨ１で構成される高電圧回路部ＨＰと、ゲート電極に与えられる電圧が比較的低いＭＯＳトランジスタＬ１で構成される低電圧回路部ＬＰの存在を前提として説明したが、一般的な入出力回路に本発明を適用しても良い。すなわち、入出力回路においては、外部から静電気に起因する高電圧、例えば電源電圧に比べて高い電圧がゲート電極に入力する場合がある。しかし、本発明を適用することで、ゲート酸化膜の実効的な厚さが厚くなっているので、このような場合でも、ゲート酸化膜が絶縁破壊することが防止され、信頼性の高い入出力回路を得ることができる。
【０４４６】
【発明の効果】
本発明に係る請求項１記載の半導体装置によれば、例えば、チャネルドープ層の不純物濃度は拡散層リークを最小にするように設定し、しきい値は不純物濃度と窒素濃度とで設定することで、しきい値と拡散層リークとのトレードオフ関係を打開（ブレークスルー）することができ、回路設計の制約を解消することができる。また、ゲート酸化膜の実効的な厚みを変えることができるので、耐電圧の異なるトランジスタのゲート酸化膜の厚さを、それぞれ異なった厚さに形成する必要がなくなる。また、不純物の濃度が比較的低い部分に応じて装置動作時にポリシリコン層内に空乏層が形成され、空乏層の形成領域に応じてゲート酸化膜の実効的な厚みが決まることになる。従って、特性（例えば、要求スペック）の異なる複数の種類のトランジスタが必要な場合には、不純物の濃度分布をそれぞれ変えることでゲート酸化膜の実効的な厚みを変えてしきい値を設定することができる。従って、従来のようにチャネルドープ層の不純物濃度をトランジスタの特性に合わせて変える必要がなく、拡散層からの漏れ電流（拡散層リーク）を最小限に抑制できる濃度に固定することができる。
【０４４８】
本発明に係る請求項２記載の半導体装置によれば、従来のようにチャネルドープ層の不純物濃度をトランジスタの特性に合わせて変える必要がなく、拡散層からの漏れ電流（拡散層リーク）を最小限に抑制できる濃度に固定することができる。従って、チャネルドープ層の不純物濃度は拡散層リークを最小にするように設定し、しきい値は第１〜第３の窒素導入領域の濃度により設定することで、しきい値と拡散層リークとのトレードオフ関係を打開（ブレークスルー）することができ、回路設計の制約を解消することができる。また、第１〜第３の窒素導入領域の濃度をそれぞれ変えることは、チャネルドープ層の不純物濃度を変える場合に比べて、他の構成に及ぼす影響が少なくて済む。すなわち、半導体基板内にイオンを注入する場合、特に高ドーズの注入を行う場合には、半導体基板の結晶性を劣化させる要因となる。しかし、本発明では最外層に位置する制御電極に手を加えるので、上記のような問題は発生しない。
【０４４９】
本発明に係る請求項３記載の半導体装置によれば、耐電圧の異なるトランジスタのゲート酸化膜の厚さを、それぞれ異なった厚さに形成する必要がなくなる。また、ゲート酸化膜の実効的な厚みを変えることで、しきい値を設定することができるので、チャネルドープ層の不純物濃度をトランジスタの特性に合わせて変える必要がなく、拡散層からの漏れ電流（拡散層リーク）を最小限に抑制できる濃度に固定することができる。従って、チャネルドープ層の不純物濃度は拡散層リークを最小にするように設定し、耐電圧特性やしきい値は窒素濃度により設定することで、耐電圧についての要求を満足するとともに、しきい値と拡散層リークとのトレードオフ関係を打開（ブレークスルー）することができ、回路設計の制約を解消することができる。また、厚さの異なるゲート酸化膜を形成する場合でも、ゲート酸化膜の実効的な厚みを変えることで、ゲート酸化膜の種類を削減することができる。従って、ゲート酸化膜の製造工程を簡略化できるとともに、信頼性に優れ、膜厚の制御性が良好なゲート酸化膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 ゲート電極中の窒素の作用を説明する図である。
【図２】 ゲート電極中の不純物分布および窒素分布を説明する図である。
【図３】 ゲート電極中の窒素の作用を説明する図である。
【図４】 ゲート電極中の窒素の作用を説明する図である。
【図５】 本発明に係る実施の形態１の構成を示す断面図である。
【図６】 本発明に係る実施の形態１の窒素分布を説明する図である。
【図７】 本発明に係る実施の形態１の不純物分布を説明する図である。
【図８】 本発明に係る実施の形態１のゲート酸化膜の厚みを説明する図である。
【図９】 本発明に係る実施の形態１の製造工程を示す図である。
【図１０】 本発明に係る実施の形態１の製造工程を示す図である。
【図１１】 本発明に係る実施の形態１の製造工程を示す図である。
【図１２】 本発明に係る実施の形態１の製造工程を示す図である。
【図１３】 本発明に係る実施の形態１の製造工程を示す図である。
【図１４】 本発明に係る実施の形態１の製造工程を示す図である。
【図１５】 本発明に係る実施の形態１の製造工程を示す図である。
【図１６】 本発明に係る実施の形態２の構成を示す断面図である。
【図１７】 本発明に係る実施の形態２の窒素分布を説明する図である。
【図１８】 本発明に係る実施の形態２の不純物分布を説明する図である。
【図１９】 本発明に係る実施の形態２のゲート酸化膜の厚みを説明する図である。
【図２０】 本発明に係る実施の形態２の製造工程を示す図である。
【図２１】 本発明に係る実施の形態２の製造工程を示す図である。
【図２２】 本発明に係る実施の形態２の製造工程を示す図である。
【図２３】 本発明に係る実施の形態２の製造工程を示す図である。
【図２４】 本発明に係る実施の形態２の製造工程を示す図である。
【図２５】 本発明に係る実施の形態２の製造工程を示す図である。
【図２６】 本発明に係る実施の形態２の製造工程を示す図である。
【図２７】 本発明に係る実施の形態２の製造工程を示す図である。
【図２８】 本発明に係る実施の形態２の製造工程を示す図である。
【図２９】 本発明に係る実施の形態２の製造工程を示す図である。
【図３０】 本発明に係る実施の形態２の製造工程を示す図である。
【図３１】 本発明に係る実施の形態２の製造工程を示す図である。
【図３２】 本発明に係る実施の形態２の製造工程を示す図である。
【図３３】 本発明に係る実施の形態２の製造工程を示す図である。
【図３４】 本発明に係る実施の形態３の構成を示す断面図である。
【図３５】 本発明に係る実施の形態３の窒素分布を説明する図である。
【図３６】 本発明に係る実施の形態３の不純物分布を説明する図である。
【図３７】 本発明に係る実施の形態３のゲート酸化膜の厚みを説明する図である。
【図３８】 本発明に係る実施の形態３の製造工程を示す図である。
【図３９】 本発明に係る実施の形態３の製造工程を示す図である。
【図４０】 本発明に係る実施の形態３の製造工程を示す図である。
【図４１】 本発明に係る実施の形態３の製造工程を示す図である。
【図４２】 本発明に係る実施の形態３の製造工程を示す図である。
【図４３】 本発明に係る実施の形態３の製造工程を示す図である。
【図４４】 本発明に係る実施の形態３の製造工程を示す図である。
【図４５】 本発明に係る実施の形態４の構成を示す断面図である。
【図４６】 本発明に係る実施の形態４の窒素分布を説明する図である。
【図４７】 本発明に係る実施の形態４の不純物分布を説明する図である。
【図４８】 本発明に係る実施の形態４のゲート酸化膜の厚みを説明する図である。
【図４９】 本発明に係る実施の形態４の製造工程を示す図である。
【図５０】 本発明に係る実施の形態４の製造工程を示す図である。
【図５１】 本発明に係る実施の形態４の製造工程を示す図である。
【図５２】 本発明に係る実施の形態４の製造工程を示す図である。
【図５３】 本発明に係る実施の形態４の製造工程を示す図である。
【図５４】 本発明に係る実施の形態４の製造工程を示す図である。
【図５５】 本発明に係る実施の形態４の製造工程を示す図である。
【図５６】 本発明に係る実施の形態４の製造工程を示す図である。
【図５７】 本発明に係る実施の形態４の製造工程を示す図である。
【図５８】 本発明に係る実施の形態４の製造工程を示す図である。
【図５９】 本発明に係る実施の形態４の製造工程を示す図である。
【図６０】 本発明に係る実施の形態４の製造工程を示す図である。
【図６１】 本発明に係る実施の形態４の製造工程を示す図である。
【図６２】 本発明に係る実施の形態４の製造工程を示す図である。
【図６３】 本発明に係る実施の形態５を説明する回路図である。
【図６４】 本発明に係る実施の形態５の構成を示す図である。
【図６５】 本発明に係る実施の形態５を説明するＭＯＳトランジスタの斜視図である。
【図６６】 本発明に係る実施の形態５の製造工程を示す図である。
【図６７】 本発明に係る実施の形態５の製造工程を示す図である。
【図６８】 本発明に係る実施の形態５の変形例１を示す図である。
【図６９】 本発明に係る実施の形態５の変形例２の製造工程を示す図である。
【図７０】 本発明に係る実施の形態５の変形例２の適用例を説明する図である。
【図７１】 従来のＤＲＡＭの全体構成を説明する図である。
【図７２】 従来のＤＲＡＭの構成を説明する断面図である。
【図７３】 従来のＤＲＡＭの不純物分布を説明する図である。
【図７４】 従来のＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図７５】 従来のＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図７６】 従来のＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図７７】 従来のＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図７８】 従来のＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図７９】 従来のＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図８０】 従来のフラッシュメモリの全体構成を説明する図である。
【図８１】 従来のフラッシュメモリの構成を説明する断面図である。
【図８２】 従来のフラッシュメモリのゲート酸化膜の厚みを説明する図である。
【図８３】 従来のフラッシュメモリの製造工程を示す図である。
【図８４】 従来のフラッシュメモリの製造工程を示す図である。
【図８５】 従来のフラッシュメモリの製造工程を示す図である。
【図８６】 従来のフラッシュメモリの製造工程を示す図である。
【図８７】 従来のフラッシュメモリの製造工程を示す図である。
【図８８】 従来のフラッシュメモリの製造工程を示す図である。
【図８９】 従来のフラッシュメモリの製造工程を示す図である。
【図９０】 従来のフラッシュメモリの製造工程を示す図である。
【図９１】 従来のフラッシュメモリの製造工程を示す図である。
【図９２】 従来のフラッシュメモリの製造工程を示す図である。
【図９３】 従来のフラッシュメモリの製造工程を示す図である。
【図９４】 従来のフラッシュメモリの製造工程を示す図である。
【図９５】 従来のフラッシュメモリの製造工程を示す図である。
【図９６】 従来のフラッシュメモリの製造工程を示す図である。
【図９７】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの全体構成を説明する図である。
【図９８】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの構成を説明する断面図である。
【図９９】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの不純物分布を説明する図である。
【図１００】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭのゲート酸化膜の厚みを説明する図である。
【図１０１】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図１０２】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図１０３】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図１０４】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図１０５】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図１０６】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図１０７】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図１０８】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図１０９】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＤＲＡＭの製造工程を示す図である。
【図１１０】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの全体構成を説明する図である。
【図１１１】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの構成を説明する断面図である。
【図１１２】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの不純物分布を説明する図である。
【図１１３】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨのゲート酸化膜の厚みを説明する図である。
【図１１４】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの製造工程を示す図である。
【図１１５】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの製造工程を示す図である。
【図１１６】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの製造工程を示す図である。
【図１１７】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの製造工程を示す図である。
【図１１８】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの製造工程を示す図である。
【図１１９】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの製造工程を示す図である。
【図１２０】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの製造工程を示す図である。
【図１２１】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの製造工程を示す図である。
【図１２２】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの製造工程を示す図である。
【図１２３】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの製造工程を示す図である。
【図１２４】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの製造工程を示す図である。
【図１２５】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの製造工程を示す図である。
【図１２６】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの製造工程を示す図である。
【図１２７】 従来のＬＯＧＩＣ ｉｎ ＦＬＡＳＨの製造工程を示す図である。
【符号の説明】
４２，２８０，５５０，７９０，１０２０ （ノンドープ）ポリシリコン層、２７１，４２１，２８１，５５１，７７１，７９１，１０２１ ドープトポリシリコン層、ＨＰ 高電圧回路部、ＬＰ 低電圧回路部、１０１０ ＳＯＩ基板、１０１１ ＳＯＩ層、Ｎ１〜Ｎ３，Ｎ１１，Ｎ１２，Ｎ２１，Ｎ２２，Ｎ３１，Ｎ３２，Ｎ４０，Ｎ５０ 窒素導入領域。

Claims (3)

  1. 半導体基板の主表面に第１および第２のトランジスタを備えた半導体装置であって、
    前記第１のトランジスタは、
    前記半導体基板の主表面に所定の距離を隔てて形成された一対の第１のソース・ドレイン領域と、
    前記一対の第１のソース・ドレイン領域に挟まれる領域と対向するように前記半導体基板の前記主表面上に第１のゲート絶縁膜を介在して形成され、その内部に不純物および窒素を含む第１の窒素導入領域を有する第１のポリシリコン層を備えた第１の制御電極とを備え、
    前記第２のトランジスタは、
    前記半導体基板の前記主表面に所定の距離を隔てて形成された一対の第２のソース・ドレイン領域と、
    前記一対の第２のソース・ドレイン領域に挟まれる領域と対向するように前記半導体基板の前記主表面上に第２のゲート絶縁膜を介在して形成され、その内部に不純物および窒素を含む第２の窒素導入領域を有する第２のポリシリコン層を備えた第２の制御電極とを備え、
    前記第１および第２の窒素導入領域の窒素濃度分布が異なり、
    前記第１および第２のトランジスタは同一導電型であり、それぞれ、前記一対の第１のソース・ドレイン領域に挟まれる領域に形成された第１のチャネルドープ層と、前記一対の第２のソース・ドレイン領域に挟まれる領域に形成された第２のチャネルドープ層とをさらに備え、
    前記第１および第２のチャネルドープ層は同じ不純物濃度を有し、
    前記第１および第２のトランジスタの前記第１および第２のポリシリコン層および前記第１および第２のゲート絶縁膜は同じ膜厚を有し、
    前記第１および第２の窒素導入領域の不純物濃度はいずれも、前記第１および第２のポリシリコン層の上部側で比較的高く、下部側で比較的低いことを特徴とする半導体装置。
  2. 前記半導体基板の前記主表面に第３のトランジスタをさらに備え、
    前記第３のトランジスタの導電型は、前記第１および第２のトランジスタと同一であって、
    前記第３のトランジスタは、
    前記半導体基板の前記主表面に所定の距離を隔てて形成された一対の第３のソース・ドレイン領域と、
    前記一対の第３のソース・ドレイン領域に挟まれる領域に形成された第３のチャネルドープ層と、
    前記第３のチャネルドープ層と対向するように前記半導体基板の主表面上に第３のゲート絶縁膜を介在して形成され、その内部に不純物および窒素を含む第３の窒素導入領域を有した第３のポリシリコン層を備えた第３の制御電極とを備え、
    前記第３のチャネルドープ層は、前記第１および第２のチャネルドープ層と同じ不純物濃度を有し、
    前記第１ないし第３のトランジスタの前記第１ないし第３のポリシリコン層および前記第１ないし第３のゲート絶縁膜は同じ膜厚を有し、
    前記第３の窒素導入領域は、前記第１および第２の窒素導入領域と異なる濃度分布を有し、
    前記第１ないし第３の窒素導入領域の不純物濃度はいずれも、前記第１ないし第３のポリシリコン層の上部側で比較的高く下部側で比較的低いことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 前記第１および第２の窒素導入領域においては、前記第１および第２ポリシリコン層の下部側に窒素が選択的に導入される、請求項１記載の半導体装置。
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