TW498382B - Electron releasing membrane, plasma display panel using the electron releasing membrane, and production method thereof - Google Patents

Description

498382 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 Λ7 B7 五、發明說明（1 ) 本發明係有關使用電漿顯示面板之保護層等之電子釋 出性薄膜，特別係有關改善該電子釋出特性之技術者。 近來，使用於電腦及電視等影像顯示之彩色顯示裝置 中’電場發射顯示面板（Field emission display panel)及電 黎顯示面板（Plasma Display Panel，以下稱為r pdp」）等顯 示面板，因作為可實現薄型面板之顯示裝置而受注目，尤 其因PDP具有高速反應性及高視角等優越特徵，故各企業 及研究機關均踴躍地進行使其普及之開發。 此種PDP中，列設有複數線狀電極之前面玻璃基板及 背面玻璃基板，係隔著間隙材料而以各基板之電極為交叉 之狀態對向配置，且於各基板間之空間内封入放電氣體。 前面玻璃基板上，於與該背面基板為對向側之面上，覆蓋 各電極之介電體層係施行有覆膜，進而於該介電體層上覆 蓋有由電子釋出性薄膜所構成之保護層。 驅動PDP時，藉由於前面玻璃基板與背面玻璃基板之 電極間依次進行位址放電，以於欲點亮之胞元的保護層表 面形成電荷，且於已形成該電荷之胞元中，於與前面玻璃 基板鄰接之電極間進行維持放電。 藉位址放電形成電荷之保護層具有以下之功用，即， 保護介電體層及電極免於受到位址放電時所產生之離子衝 擊（濺鍍），及於該放電時放出2次電子以保持電荷，即所謂 s己憶機能。因此保護層一般均使用对喷賤性與2次電子釋出 性優越之氧化鎂（Mg〇)。 近年之顯示裝置之領域中，對畫面高精細化之要求漸 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-4- 498382 A7 ______B7_ . 五、發明説明（2 ) - 尚，為因應此要求，藉由增加各基板中平均單位面積之電 極條數以增加胞元數，以實現高精細化。 然而，藉由增加胞元數而使得電極條數變得越多時， " 可花費於1個胞元之位址時間亦將縮短，故來自位址放電時 之保護層的2次電子釋出量減低，而記憶機能不充分之結 果，即PDP為易於引起伴隨發生位址放電錯誤之點亮不良 _ 者。於此種背景之下，乃希求於MgO薄膜中亦可提高2次電 子釋出特性之技術。 有鑑於前述課題，本發明之目的係提供保護層之2次電 子釋出量較習知者優越，且不易引起點亮不良之電漿顯示 面板及其製造方法，以及適於此種電漿顯示面板之電子釋 出性薄膜及其製造方法者。 為達前述目的，本發明之電子釋出性薄膜係，使以電 子釋出性物質為組成成分之多數柱狀結晶由基板拉伸所構 成者；且，前述柱狀結晶之至少一部分中，位於該薄膜表 1 面側之露出端面係具有相對於薄膜表面為傾斜之平坦面 者。 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、?! 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若為此種電子釋出性薄膜，則其2次電子釋出量較習知 者佳。其理由可考慮如下’即構成薄膜之柱狀結晶的單晶 性較習知之柱狀結晶為高。 阳 尤其，若前述柱狀結晶之平坦面為相對薄膜表面傾斜5 θ〜70 ，則柱狀結晶之2次電子釋出性將較習知者高，並 提高薄膜之2次電子釋出性，故為理想者。 又，前述柱狀結晶之平坦面若為與（1〇〇)面等價之晶體

本紙張尺度朝標準(CNS) A4規格^ -5- 五、發明説明（ = 則其2次電子釋出量較⑴。)面等其他晶體取向 面者為咼。 又，前述柱狀結晶之拉伸方向，係相當於與結晶之 〈211〉方向等價之方向者。 可考慮為，若前述柱狀結晶之幅寬為l〇〇nm〜5〇〇nm， 則柱狀結晶之單晶性將變高，並提高2次電子釋出性。 具體而言，前述柱狀結晶若使用由氧化鎮所構成者， 則將成^2次電子釋出性及耐噴濺性皆優越之薄膜。 月J述2人電子釋出性優越之薄膜於蒸鑛時，形成薄膜 之物質’可藉以對於基板人射之角度僅為〜⑼。之範圍 的狀態進行蒸錄而製作。藉此方法，因可形成由單晶性優 訂 越之柱狀結晶所構成之電子釋出性薄膜，故電子釋出性薄 膜之2次電子釋出量將提高。 ht 八體而σ可使用氧化鎂作為形成前述薄膜之物質。 形成前述電子釋出性薄膜之方法若為真空蒸鑛法，則 可於短時間内形成2次電子釋出量優越之薄膜。 、 又，本發明之電漿顯示面板，係使配設有第丨電極及覆 蓋該電極之介電體玻璃層之第丨面板，與配設有第2電極之 第2面板，配置成使前述介電體玻璃層及第2電極為隔著間 隙材料呈對向之狀態，並藉於第丨電極及第2電極間進行位 置放電，以進行編址者；而，前述介電體玻璃係，藉用以 應付位址放電時之濺鍍之保護層而施行有覆膜，且該保護 層係以電子釋出性物質為組成之多數柱狀結晶，並且露出 於該保護層表面側之端面，係具有相對保護層表面為傾斜 :紙張尺度適用中關家標準（CNS ) Α4規格“x29^ ) 498382 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 故 五、發明説明（4 之平坦面者。 依此種電漿顯示面板，因保護層之2次電子釋出性停 越，故即便隨著高精細化而縮短位址時間，亦可抑制伴^ 位址放電錯誤而發生之點亮錯誤。 尤其，若前述柱狀結晶之平坦面為相對保護層表面傾 斜5°〜70。，則柱狀結晶之2次電子釋出性將提高，並提升 保護層之2次電子釋出性，故為理想者。 在此，前述柱狀結晶之平坦面若為與（1〇〇)面等價之晶 體取向者，則2次電子釋出性將較（110)面等其他晶體取向 者為南。 具體而言，前述柱狀結晶之拉伸方向係，相當於與結 晶之〈211〉方向等價之方向者。 又，可考慮為，若前述柱狀結晶之幅寬為 100nm〜500nm，則因柱狀結晶之單晶性更優越，故將提高 保護層中之2次電子釋出性。 形成前述保護層之物質若使用氧化鎂，則不但2次電子 釋出性優越，位址放電時之耐喷濺性亦優越。 又，本發明之電漿顯示面板之製造方法，係具有於形 成於基板上之介電體玻璃層上形成保護層之保護層形成步 驟；且，前述保護層形成步驟係，於減壓環境下，構成保 護層之組成的物質以對於基板入射之角度僅為3〇。〜8〇。 之範圍的狀態進行蒸鍍，俾於基板上形成保護層者。 依此種製造方法，因保護層之2次電子釋出性優越， 可製造抑制伴隨位址放電錯誤而發生之點亮錯誤之電漿 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 顯

A7五、發明説明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 示面板。 又’前述保護層形成步驟中之形成保護層之物質若為 氧化鎮，則可製造不但2次電子釋出性優越，位址放電時之 耐噴濺性亦優越之電漿顯示面板。 又’前述保護層形成步驟中之形成保護層之方法若使 用真空蒸鍍法，則可於短時間内形成2次電子釋出性優越之 保護層。 【圖示之簡單說明】 第1圖··本發明之實施形態之PDP的一部分概略剖面斜 視圖。 第2圖：由X軸方向觀看第i圖中之Pdp時，將一部分放 大之剖面圖。 第3圖：第2圖中之PDP之b—b，剖面圖。 第4(a)圖：PDP中之保護層剖面之掃瞄型電子顯微鏡相片。 第4(b)圖：PDP中之保護層平面之掃瞄型電子顯微鏡相片。 第5(a)圖：將第4(a)圖中之柱狀結晶模式化之圖。 第5(b)圖：將第4(b)圖中之柱狀結晶模式化之圖。 第5(c)圖：將使用習知之製造方法所製作之柱狀結晶 模式化之圖。 第6圖：例示使用真空蒸鍍裝置於前面玻璃基板之介電 體層上形成保護層之情況之圖。 第7圖：繪製相對保護層形成物質對基板入射之角度， 已形成保護層之2次電子釋出量比之圖表。 第8圖：繪製保護層中之柱狀結晶之平坦面相對形成保 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇'〆297公釐） 請 $ 讀 背 5 寫 本 頁 裴 訂 -8- 498382 A7 B7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明説明（ 護層表面之角度，保護層之2次電子釋出量比之圖表。 以下，參照圖面說明適用本發明之PDP。 〈PDP之整體構成〉 第1圖係作為本發明之一適用例之交流面放電型PDp 之重要部位概略剖面斜視圖。第2圖為由γ轴方向觀看第1 圖中之PDP之剖面圖。第3圖為第2圖之b—b，線中之PDP剖 面圖。各圖中，Z軸方向相當於PDP之厚度方向，且χ — γ 平面相當於與PDP之面板平行之平面。 如第1圖所示’ PDP係構造成前面面板1〇與背面面板 配置為對向之狀態者。 前面面板10係構造成具有前面玻璃基板η、顯示電極 12及13、介電體層14、及保護層15,如第3圖所示，於前面 玻璃基板11之對向面上交互列設多數對之顯示電極12、 13 ’且；丨電體層14及保護層15以覆蓋各電極12、13表面上 之狀態依序施行有覆膜。 前面玻璃基板11係由硼矽鈉系玻璃材料所構成之平板 狀之基板，並配置於顯示方向側。 顯示電極12、13均為具有疊層為鉻層一銅層一鉻層3 層構造，厚度約2μιη之顯示電極。此顯示電極亦可使用銀、 金、錄、始等金屬。進而，為廣泛確保胞元内之放電面積， 亦可使用於由ΙΤΟ(銦錫氧化物Tin Oxide)、Sn02、 ZnO 4導電性金屬氧化物所構成之寬幅的透明電極上，層 積窄幅之銀電極之組合電極。 介電體層14係形成為呈覆蓋顯示電極12、13之狀態（厚 本紙張尺度適财_家標icNS ) A4^^2lGx297公麓）---- -9- --------1^------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 498382 A7 五、發明説明（ 度約2〇μΓη)，且由譬如氧化鉛、氧化硼、及氧化鋁之混合 物所構成之氧化鉛系玻璃、與由氧化鉍、氧化鋅、氧化硼、 氧化矽、及氧化鈣之混合物所構成之氧化鉍系玻璃等，低 溶點玻璃成为所構成，並具有使顯示電極1 2、1 3絕緣之作 用。 保護層15係形成為呈覆蓋介電體層14表面之狀態，且 微觀的來看，為由氧化鎂（Mg〇)所構成之柱狀結晶密集之 層。有關此保護層15之構成將於其後敘述。 返回第1圖’背面面板2〇係具有背面玻璃基板21、位址 電極22、介電體層23、間壁24、及螢光體層25R、〇、B者。 背面玻璃基板21與前面玻璃基板丨丨相同，為由硼矽鈉 系玻璃材料所構成之平板狀之基板。此背面玻璃基板2 i之 對向面上’如第2圖所示，線條狀地列設有位址電極22。 位址電極22與前述顯示電極12、13相同，係疊層為鉻 層一銅層一鉻層之電極，且介電體層23以覆蓋此電極之狀 態而施行有覆膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 介電體23為含有與構成前述前面面板1〇中之介電體層 14之玻璃成分相同成分之介電體玻璃層，並使位址電極22 絕緣。 間壁24列設於介電體層23之表面上，且與位址電極22 平行。間壁24群之間，依序配置有發出紅色、綠色、藍色 之光的各螢光體層25R、G、B。 螢光體層25R、G、B分別為黏合發出紅色（R)、綠色 (G)、藍色（B)之光之螢光體粒子之層。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 498382 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（8 PDP係構造成，前述前面面板1〇與背面面板2〇以對向 之狀態貼合，且該各面板周圍藉由以燒結玻料構成之密封 層封著，並於形成於其間之放電空間26内，以預定之壓力 (譬如66.5kPa〜l〇6kPa程度）封入放電氣體（譬如氖95ν〇ι% 與氙5vol%之混合氣體）。 〈保護層15之構成〉 第4(a)圖為，由前面面板1〇之側面觀看保護層μ之掃 瞄型電子顯微鏡相片，第4(b)圖則為，由第4(a)圖之保護層 15上方觀看之掃瞄型電子顯微鏡相片。且，方便起見，各 相片旁例示有X、Y、Z軸，並於γ軸之負方向形成有介電 體層14，且以各軸交點之黑點所示之軸為顯示由紙面裏處 延伸至面前之方向。 如第4(a)圖所示，保護層15係多數之氧化鎂柱狀結晶 朝同一方向拉伸且密集之層，且露出有柱狀結晶之一端。 此柱狀結晶如係第4(b)圖所示，平面視看起來為略三角形。 第5(a)圖係，將第4(a)圖之保護層中之柱狀結晶模式化 之圖，而第5(b)圖係將第4(b)圖之柱狀結晶之平面視形狀模 式化之圖，第5(c)圖則係將習知之保護層之柱狀結晶模式 化之圖。 如第5(a)圖所示，柱狀結晶31由前面面板1〇之介電體 層14拉伸複數根，並藉含有各柱狀結晶露出端面之平面構 成保護層15之表面33。 柱狀結晶3 1之露出側，具有一相對表面33為具有角度 α之平坦面32。此平坦面32藉X射線衍射法進行結晶取 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-11- A7 B7 五、發明説明（9 ) 之解析，由其結果可考慮如下，即，可知其具有與（100) 面之結晶取向面等價之面，且柱狀結晶3 1為單晶性高者。 •"(請先^讀背面之注意事^^填寫本頁) 習知之保護層通常均以使用真空蒸鍍法，Mg〇朝基板 入射度為90。者為主體而進行製作，如此成膜者則如第5(c) 圖所示’無法清楚觀察柱狀結晶41之露出側的端面42中之 平坦形狀。原因可考慮為，柱狀結晶41並不是由單晶構成， 而是由多結晶所構成，且定向面朝向各個方向。 如此，由多結晶構成之柱狀結晶41之2次電子釋出性低 劣之理由可考慮如下，即，因柱狀結晶41之單晶性低且缺 陷多’故1次電子入射時所彈出之柱狀結晶41内之價電子， 將難以藉晶格接受布雷格反射。 然而，因本實施形態中之柱狀結晶31係由單晶所構 成，故形成有與（100)面等價之平坦面32。由單晶所構成之 柱狀結晶3 1，其結晶性高且晶格完整，且i次電子入射時所 彈出之柱狀結晶3 1内之價電子，易藉晶格接受布雷格反 射，而接受布雷格反射且由柱狀結晶31飛出之2次電子釋出 量則較習知者更為增加。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此柱狀結晶31之平坦面32，可藉於蒸鍍時變更基板溫 度及蒸鍍壓力而形成（110)面、（1〇〇)面，特別是可實驗確認 (100)面為2次電子釋出性最高者。且，雖亦可形成（丨1丨）面， 但平坦面32之部分並不平坦，且2次電子釋出性更劣於（11〇) 面。 平坦面32與表面33所形成之角度α，若具有y〜7〇。 之角度’則其2次電子釋出量將較習知者增加，故為理邦 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） *12- ^8382 A7 B7 五、發明説明（) 者，更理想之範圍為5。〜55。，由以具有1〇。〜4〇。範圍之 角度者為最佳。若角度α為5。〜7〇。範圍之角度，則由實 施例之實驗結果，雖不清楚原因，但其2次電子釋出量較習 知者增加，進而，若由5。〜55。進而為1〇。〜4〇。範圍之角 度，則2次電子釋出量將明顯增加。 進而，柱狀結晶3丨以較大者為佳，柱狀結晶3〗最寬的 部分之幅寬w(參照第5(b)圖）宜為1〇〇nm〜5〇〇nm之範圍 者。若該幅寬未達l〇0nm，則將缺乏單晶性且2次電子釋出 量低下，另一方面，若為超過5〇〇nm之柱狀結晶，其製造 將有所困難。 由如則述之柱狀結晶所構成之保護層1 5，將成為2次電 子釋出性優越之薄膜。因此，即使於PDp中之位址時間縮 短亦可良好地進行位址放電，且亦可抑制點亮錯誤之發生。 〈PDP之製作方法〉 接著說明有關製作PDP之方法。PDP係於形成前面面 板10與背面面板20後，藉由貼合其等面板而製作者。 ①前面面板10之製作 前面面板10係藉以下作業而製作，即，於前面玻璃基 板11上形成顯示電極12、13，並於其上以介電體層14施行 有覆膜’進而再於介電體層14之表面形成保護層15。 顯示電極12、13為具有鉻層一銅層一鉻層3層構造之電 極’且藉 >賤鍵依絡一銅一絡之順序連續成膜。 介電體層14係，譬如將混合以下兩者，即7〇重量。/〇之 氧化錯（PbO)、14重量％之氧化硼（B2〇3)、重量％之氧化 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚） --------:1¾衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 498382 A7 B7 五、發明説明（11 ) 矽（Si〇2)及5重量％之氧化鋁，與有機結合劑（於α —蔥品醇 溶解1 〇%之乙基纖維素者）之組成物之糊，以網版印刷法塗 佈後，藉由以520°C燒成20分鐘，而形成為膜厚約20μιη者。 保護層15係由氧化鎂（MgO)所構成，亦可藉濺鑛法形 成，此處於標的藉由使用MgO之真空蒸鍍法而形成。有關 此保護層15之形成方法於其後詳述。 ② 背面面板20之製作 於背面玻璃基板21上，與顯示電極12、13同樣地使鉻、 銅、鉻連續成膜，以形成位址電極22。 其次’使用網版印刷法塗佈含有與介電體層14相同的 錯系玻璃材料之糊後，藉燒成形成介電體層23。此處，為 反射於螢光體層25R、G、B中發光之可見光，亦可於雜系 玻璃材料之糊混合塗佈Ti02粒子。 間壁24藉由以下作業而形成，即，使用網版印刷法反 覆塗佈含有玻璃材料之間壁用糊後，藉燒成而形成者。 接著’於間壁24間之所有溝内，藉使用譬如噴射法而 進行塗佈，以形成螢光體25R、G、B。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ③ 面板貼合之PDP之製作 其次，使用密封層用玻璃貼合如此製作出之前面面板 1〇與背面面板20之周圍，並將高真空（譬如8χ i〇-7T〇rr)排 氣於以間壁24區隔出之放電空間26内後，藉由將放電氣體 (譬如He — Xe系、Ne— Xe系之不活性氣體）以預定之壓力 (譬如66.5kPa〜106kPa)封入，以製作pDP。 驅動顯示PDP時，將驅動電路（無圖示）實際安裝於各電 Μ氏張尺度制中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -14- 498382 A7 B7 nr 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（12 ) 玉12 I3、21，並於欲點亮之胞元中之顯示電極12(13)與 位址電極21間進行放電，形成壁電荷後，藉由於顯示電極 12、13間施加脈衝電壓以進行維持放電，並進行顯示驅動。 ④保護層15之形成方法 保護層15係藉以下方式形成者，即，使用膜形成速度 快，對大基板亦可較輕易地進行蒸鍍之真空蒸鍍法，蒸鍍 MgO而形成者。 第6圖為例示真空蒸鍍裝置5〇之概略構成之圖。 如第6圖所示，真空蒸鑛裝置5 〇係由密閉容器，即箱盒 51 '使箱盒51内減壓之真空泵、將由Mg〇所構成之標的52 加熱之加熱器、及用以加熱前面玻璃基板53之加熱器（全無 圖示）等構件所構成。 相里51内中已形成介電體層14之前面玻璃基板53， 與由MgO構成之標的係藉支持台（無圖示）固定，而前面玻 璃基板53之介電體層14側，以相對標的52具有一預定角度 之狀態靜置。 & 藉由使此角度為如下所示之預定範圍者，便可形成由 如刖述單晶之柱狀結晶所構成之保護層。 軚的52之中心點為點p〇，前面玻璃基板^之介電體層 54上中之中心點為點ρι，而兩端之點則為點μ、p3。 使連結點p。與各點P1、P2、P3之直線，與介電體層^ 之表面所形成之角度分別為13,宜使各角“ 全靜置為僅於30。,。之範圍内，且標的物質不人 射此範圍外之角度。如&，雖溫度條件亦有影響，但如 本紙張尺度_ t關家轉-—___ -15- ---------¾衣------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 498382 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 述，通常均可使平坦面32與表面33之形成角度於5。〜70。 範圍之内。各角度45。〜80。為佳，若進而為更 佳之50 70範圍之角度，則雖尚不明白原因，但單晶性 提高，且保護層之2次電子釋出性明顯提升。#自以此種角 度進行瘵鍍，可得2次電子釋出性優越之保護層丨5。 且，於蒸鍍時之箱盒51内，以真空泵減壓至ΐχ i〇_2pa 程度，且藉加熱器使標的52加熱至2〇〇〇t：以上，藉此於前 面玻：基板53之介電體層54上蒸鍍Mg〇以形成保護層。 又則面玻璃基板53之溫度宜加熱至150°C〜300°C程度， 而以20(TC程度之溫度為佳。此係因為，可實驗確認此外之 溫度範圍所形成之柱狀結晶中之單晶性低。又，前面玻璃 基板53小時，及標的52與前面玻璃基板幻之距離大時，角 度/5 1〜/53可視為略同一值者。 〈效果〉 如前述，藉由以對基板具有預定角度入射蒸鑛物質之 狀態進行真空蒸鍵，可於較短的時間（5分鐘程度）内得-2 次電子釋出性優越之保護層。 即，以此種方法所得之保護層為，單晶性優越之柱狀 結曰曰狁集之保護層，因各柱狀結晶之單晶性高，且柱狀結 曰曰之路出、面係形成為如下之狀態，即，相當於與（1 〇〇) 面寺價之面的平坦面相對於保護層表面具有預定之角度， 故2次電子釋出性較習知之保護層明顯增高。 因此，具有此種保護層之PDP即使位址時間短，亦可 良好地進行位址放電，點亮錯誤之發生較習知者更能被 本紙張尺用T關家標準（CNS)A4規格（21g χ 297公爱）------^--1 — II I —— — — — — I— 11111111 . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 498382 五、發明說明（ 制 〈實施例〉 (1)實施例樣本 [實施例樣本S1〜S6] 使用前述實施形態所說明之直处— 具空瘵鍍法，於玻璃基板 上形成由Mg〇所構成之保護層。此時，將連結真空基鍍時 之標的(Mg〇)中心與玻璃基板中心之直線，與玻璃基板所 形成之角度分別設定為80。、70。 /：Λ〇 。 /υ 、60 ' 50 、40。、 30。。 [貫施例樣本S7〜S14] 使用前述實施形態所說明《真空蒸鍵法，力玻璃基板 上形成由MgO所構成之保護層。此時，藉由將相對於真空 蒸鍍時中之玻璃基板之標的中心之角度作種種之改變，以 製作具備保護層之玻璃基板，而該保護層為柱狀結晶中之 平坦面與保護層表面之角度α分別為5。、1〇。、2〇。、3〇 。、40。 、 50。 、 60。 、 70。者。 (2)比較例樣本 [比較例樣本R1] 使用與實施例S1〜S6同樣的方法，於玻璃基板上形成 保護層。不過，將真空蒸鍍時之角度冷1設定為9〇。之點相 異。 [比較例樣本R2] 使用與實施例樣本S7〜S14同樣的方法，於玻璃基板上 形成保護層。不過，藉由調整相對於保護層蒸鍍時之玻璃 -17- --------------^-----r---^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 498382 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（ 基板之標的的角度，以形成具有角度0為〇。之點相異。 且，前述各實施例樣本與比較例樣本之保護層蒸鍍 時，使真空蒸鍍裝置内之壓力為1>( 10-2pa，並將玻璃基板 加熱為200°c，進行蒸鍍。 (3) 實驗 ① 實驗方法 測定前述各實施例樣本及比較例樣本中之2次電子釋 出置，並比較檢討標的物質對玻璃基板入射之角度点1，及 相對柱狀結晶中之平坦面與保護層表面所形成之角度α之 2次電子釋出量。

② 實驗條件 照射離子：Ne離子 加速電壓：500V 藉由施加前述加速電壓，加速Ne離子以照射保護層， 並藉收集器檢測由保護層釋出之2次電子之釋出量。 (4) 結果及考察 貫驗結果如第7圖及第8圖所示。 第7圖中顯示實施例樣本S1〜S6及比較例樣本Ri之結 果丄並例示相對標的物質人射基板之角度^之2次電子釋 出里比且所明2次電子釋出量比係指，相對比較例樣本 以之2次電子釋出量，各樣本之2次電子釋出量之比。 。如同圖所示’可知藉由使真空蒸料之人射角p傾斜 3〇 80 ’保遵層之2次電子釋出量便較相當於習知技術 之比較例樣本R1(90。）更為提高。尤其，可知入射角度… - AWI— ^-----^----^---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

498382 16. A7 B7 五、發明說明（ 為45〜80之範圍時，2次電子釋出量較習知者提高2倍以 上。進而，該角度為50。〜70。之範圍時，2次電子釋出量 — 提高約2·2倍以上，以使2次電子釋出量增加之意味而論， - 此為最佳者。 第8圖中顯示貫施例樣本S7〜S14及比較例樣本R2之結 果，並例示相對柱狀結晶中之平坦面與保護層表面所形成 之角度α之2次電子釋出量比。且，所謂2次電子釋出量比 係指，相對比較例樣本R2之2次電子釋出量，各樣本之2次 電子釋出量之比。 如同圖所示，可知藉由使柱狀結晶之平坦面相對保護 =表面傾斜5〜70 ，2次電子釋出量即較比較例樣本R2 提高。尤其，可知該傾斜角度為5。〜55。之範圍時，2次電 子釋出量較比較例樣本以提高2倍以上。進而，傾斜角度 為10。〜40。之範圍時，2次電子釋出量提高2·3倍以上，故 為最佳之範圍。 且，不太看得出各實施例樣本及比較例樣本中之耐喷 減性有差異。 〈本實施形態之變形例〉 ① 前述實施形態中，保護層雖使用製膜為Mg〇者，但 製膜為具有氧化鈹、氧化舞、氧化銘、氧化鎖等面心立方 晶格之結晶構造之物質者，亦可得與本發明相同之效果。 ② 前述實施形態中雖使用真空蒸鍍法形成保護層，但 EB蒸鑛法亦可適用於作為此真空蒸錄法。進而，代替真空 蒸錢法，使用韻法亦可得與前述實施形態相同之效果。工 本紙張尺適用中國國家標準（CNS)A4 — — — — — — — — — — — — 1 · I I I l· I I I ^ ·11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 杜 印 製 -19- 498382 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） ③前述實施形態中，2次電子釋出性優越之薄膜雖適用 於PDP之保護層，但並不限於此例，求出電場發射顯示面 板中之陰極等之電子釋出性之薄膜，亦可適用於本發明。 使用本發明4電子釋出&薄膜所製造之pDp等顯示面 板，對使用於電腦及電視等顯示面板中，尤其要求高精細 之顯示面板而言，為有效之產品。 【元件標號對照表】 10… 前面面板 42., .•端 面 11··. 前面玻璃基板 50·. .•真 空 蒸鍍裝置 12... 顯不電極 51·. .•箱 盒 13.·· 顯示電極 52.. .•標 的 14··· _介電體層 53·, ，·前 面 玻璃基板 15... 保護層 54·. .•介 電 體層 20... ，背面面板 21·.. 背面玻璃基板 22... ，位址電極 23... .介電體層 24... .間壁 25R 、G、B…螢光體層 26... ，放電空間 31··, .柱狀結晶 32… .平坦面 33··, .表面 41·· .柱狀結晶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20- · ϋ ·ϋ «I ϋ ί ϋ 一 δ， >ϋ ·ϋ I ϋ ϋ ί n I · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. 一禋電子釋出性薄膜，係使以 八4A 电十釋出性物質為組成成 刀夕數柱狀結晶由基板拉伸所構成者； 且’則述柱狀結晶之至少_部分中，位於該薄膜表 面侧之露出端面係具有相對於薄膜表面為傾斜之平括 面者。 .如申請專利範圍第i項之電子釋出性薄膜，其中前述柱 狀結晶之平坦面係相對薄膜表面傾斜5。〜70。者。 3·如申請專利範圍第i項之電子釋出性薄膜’其中前述柱 狀結晶之平坦面係，與⑽）面等價之晶體取向面者。 4.如申請專利範圍第！項之電子釋出性薄膜，其中前述柱 狀結晶之拉伸方向係，相當於與結晶之〈211〉方向等 仏之方向者。 5.如申請專利範圍第旧之電子釋出性薄膜，其中前述柱 狀結晶之幅寬係1〇〇ηηι〜5〇〇nm者。 6·如申請專利範圍第i項之電子釋出性薄膜，其中前述柱 狀結晶係由氧化鎮所構成者。 7·種電子釋出性薄膜之成形方法，係於減壓環境下，藉 由將構成薄膜之組成物質蒸鍍於基板上，俾於基板上形 成電子釋出性薄膜； 且，於前述蒸鍍時，係以對於基板入射之角度僅為 30°〜80。之範圍的狀態，蒸鍍構成薄膜之組成物質者。 8.如申請專利範圍第7項之電子釋出性薄膜之形成方法， 其中形成前述薄膜之物質係氧化鎂者。 9·如申請專利範圍第7項之電子釋出性薄膜之形成方法， 498382

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ABCD 々、申請專利範圍 其中形成前述電子釋出性薄膜之方法係真空蒸鍍法者。 10. —種電漿顯示面板，係使配設有第丨電極及覆蓋該電極 之介電體玻璃層之第1面板，與配設有第2電極之第2面 板，配置成使前述介電體玻璃層及第2電極為隔著間隙 材料呈對向之狀態，並藉於第1電極及第2電極間進行位 址放電，以進行編址； 而，則述；丨電體玻璃係，藉用以應付位址放電時之 濺鍍之保護層而施行有覆膜，且該保護層係以電子釋出 性物質為組成之多數柱狀結晶，並且露出於該保護層表 面側之端面，係具有相對保護層表面為傾斜之平坦面 者0 η.如申請專利範圍第ίο項之電聚顯示面板，其中前述柱狀 結晶之平坦面係相對保護層表面傾斜5。〜7〇。者。 12·如申請專利範圍第1G項之電景顯示面板，其中前述柱狀 結晶之平坦面係，與（100)面等價之晶體取向面者。 13·如申請專利範圍第1G項之錢顯㈣板，其巾前述柱狀 結晶之拉伸方向係相當於與結晶之〈211〉方向等價之 方向者。 14.如申請專利㈣第_之錢顯㈣板，其中前述柱狀 結晶之幅寬係1〇〇ηηι〜5〇〇nm者。 15·如申請專利範圍第Π)項之電_示面板，其中形成前述 保護層之物質係氧化鎂者。 16.-種電漿顯示面板之製造方法，係具有於形成於基板上 之介電體玻璃層上形成保護層之保護層形成

   (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ϋ-i ·ϋ ϋ— · -裝· 、1Τ, 線 498382 A8 B8 C8 --------- -^____ 六、申請專利範圍 "~~ 且，前述保護層形成步驟係，於減壓環境下，構成 保護層之組成物質以對於基板入射之角度僅為30。〜8〇。 之範圍的狀態進行蒸鍍，俾於基板上形成保護層者。 17. 如申請專利範圍第16項之電漿顯示面板之製造方法，其 中構成前述保護層之組成物質係氧化鎂者。 18. 如申請專利範圍第16項之電漿顯示面板之製造方法，其 中前述保護層形成步驟中之形成保護層之方法，係使用 真空蒸鍍法者。 Ί — ^-----裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 镳 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）