KR20020094034A - 전자 방출성 박막, 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널및 이들의 제조 방법 - Google Patents

전자 방출성 박막, 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널및 이들의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 종래에 비하여 2차 전자 방출성이 우수한 전자 방출성 박막, 이것을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 이들의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이러한 목적을 달성하기 위하여, 진공 증착장치를 이용하여, 전면 유리 기판에 형성시킨 유전체층상에 MgO의 박막으로 구성된 보호층을 형성한다. 이 증착시에 보호층의 조성으로 되는 타겟의 중심점과 전면 유리 기판의 중심점 및 양쪽 단부의 점을 연결하는 각각의 직선과 전면 유리 기판이 이루는 각도가 각각 30∼80°의 범위로만 되도록 증착한다. 이에 의하면, 보호층을 구성하는 MgO의 원기둥형 결정은 그 적어도 일부는 박막 표면에 대하여 경사진 평탄면을 갖게 된다.

Description

전자 방출성 박막, 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널 및 이들의 제조 방법{ELECTRON EMISSION THIN FILM, PLASMA DISPLAY PANEL COMPRISING IT AND METHOD OF MANUFACTURING THEM}
최근, 컴퓨터나 텔레비전의 화상 표시에 이용되고 있는 컬러 표시 장치에서, 전계방출 디스플레이 패널이나 플라즈마 디스플레이 패널(이하 "PDP"라 함) 등의 디스플레이 패널은 박형(薄型)의 패널을 실현할 수 있는 표시 장치로서 주목받고 있으며, 특히 PDP는 고속 응답 특성이나 고시야각(高視野角) 등의 우수한 특징을 가지고 있기 때문에, 기업이나 연구기관에서 그 보급을 위한 개발이 활발하게 이루어지고 있다.
이러한 PDP는, 복수개의 라인모양의 전극이 배치되어 있는 전면 유리 기판 및 배면 유리 기판이 갭 부재를 통하여 기판 각각의 전극이 직교하도록 대향하여 배치되고, 기판과 기판 사이의 공간에 방전 가스가 봉입된다. 전면 유리 기판에는 배면 유리 기판과 대향하는 쪽의 면에 각각의 전극을 덮는 유전체층이 피막되고, 이 유전체층상에 전자 방출성 박막으로 이루어지는 보호층이 피복되어 있다.
PDP의 구동시에는, 전면 유리 기판과 배면 유리 기판의 전극 사이에서 어드레스 방전이 연속적으로 행하여지도록 하여 점등하고자 하는 셀(cell)의 보호층 표면에 전하를 형성하고, 이 전하가 형성된 셀에 전면 유리 기판의 인접하는 전극 사이에서 유지 방전(sustained discharge)을 행하게 된다.
어드레스 방전에 의하여 전하가 형성되는 보호층은 어드레스 방전시에 발생하는 이온 충격[스패터링(spattering)]으로부터 유전체층 및 전극을 보호하는 역할과, 어드레스 방전시에 2차 전자를 방출하여 전하를 유지하는, 즉 메모리 기능의 역할을 수행한다. 이를 실현하기 위하여, 보호층으로서 스패터링 방지 특성(resistance to spattering)과 2차 전자 방출 특성이 우수한 산화마그네슘(MgO)이 일반적으로 이용되고 있다.
최근의 표시 장치의 분야에서, 화면의 고선명화에 대한 요구가 높아지고 있기 때문에, 이러한 요구에 대응하기 위하여, 각 기판의 단위 면적당 전극의 개수를 증가시킴으로써 셀의 개수를 증가시켜 고선명화를 실현하고 있다.
그러나, 셀의 개수를 증가시킴에 따라 전극 개수가 많아지는 만큼 1개의 셀에 대하여 사용되는 어드레스 시간도 단축되기 때문에, 어드레스 방전시 보호층으로부터 방출되는 2차 전자의 방출량이 저하되어 메모리 기능이 열화되며, 그 결과, PDP는 어드레스 방전 오류의 발생에 수반하는 점등 불량이 쉽게 발생하게 된다. 이러한 배경에 기초하여, 산화마그네슘(MgO) 박막에 있어서도 2차 전자 방출 특성을 향상시키기 위한 기술이 요청되고 있다.
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 보호층 등에 이용되는 전자 방출성 박막에 관한 것으로, 특히 그 전자 방출 특성을 개선하는 기술에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 관한 PDP의 일부를 개략적으로 나타내는 단면 사시도.
도 2는 도 1에서 PDP를 x축 방향에서 보았을 때의 일부를 확대한 단면도.
도 3은 도 2에서 b-b'선을 따라 취한 PDP의 단면도.
도 4의 (a)는 PDP에서의 보호층 단면의 주사형 전자현미경 사진.
도 4의 (b)는 PDP에서의 보호층 평면의 주사형 전자현미경 사진.
도 5의 (a)는 도 4의 (a)에서의 원기둥형 결정을 모식적으로 나타내는 도면.
도 5의 (b)는 도 4의 (b)에서의 원기둥형 결정을 모식적으로 나타내는 도면.
도 5의 (c)는 종래의 제조 방법을 이용하여 형성한 원기둥형 결정을 모식적으로 나타내는 도면.
도 6은 진공 증착 장치를 이용하여 전면 유리 기판의 유전체층상에 보호층을 형성한 상태를 나타내는 도면.
도 7은 보호층 형성 물질이 기판에 입사하는 각도에 대하여, 형성된 보호층의 2차 전자 방출량의 비를 나타내는 그래프.
도 8은 보호층에서 원기둥형 결정의 평탄면이 보호층 표면을 형성하는 각도에 대하여, 보호층의 2차 전자 방출량의 비를 나타내는 그래프.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 전면 패널 11: 전면 유리 기판
12, 13 : 표시 전극 14 : 유전체층
15 : 보호층 20 : 배면 패널
21 : 배면 유리 기판 22 : 어드레스 전극
23 : 유전체층 24 : 격벽
25 : 형광체층
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 종래에 비하여 2차 전자 방출량이 우수하고 점등 불량을 방지하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법과, 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널에 적합한 전자 방출성 박막 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 관한 전자 방출성 박막은 전자 방출성 물질을 조성성분으로 하는 복수의 원기둥형 결정(columnar crystals)이 기판으로부터 신장되어 이루어지는 전자 방출성 박막으로서, 박막 표면에서 복수의 원기둥형 결정의 적어도 일부의 노출 단면이 박막 표면에 대하여 경사진 평탄면(flat plane)을 갖는 것을 특징으로 한다.
이러한 전자 방출성 박막에 의하면, 종래에 비하여 2차 전자 방출량이 우수하다. 이는 박막을 구성하는 원기둥형 결정의 단결정성(single crystallinity)이 종래의 원기둥형 결정보다 높기 때문이라고 할 수 있다.
특히, 원기둥형 결정의 평탄면이 박막 표면에 대하여 5∼70°의 각도로 경사지도록 하는 것이, 원기둥형 결정의 2차 전자 방출성이 종래에 비하여 높고 박막의 2차 전자 방출성이 향상되기 때문에 바람직하다.
또, 원기둥형 결정의 평탄면이 (100)면과 등가인 결정 방위면이 되면, (110)면 등의 다른 결정 방위면인 경우에 비하여 2차 전자의 방출량이 높다.
또, 원기둥형 결정의 신장 방향은 결정의 <211> 방향과 등가인 방향에 상당한다.
원기둥형 결정의 폭을 100∼500nm의 범위로 하게 되면, 원기둥형 결정의 단결정성이 높아져서 2차 전자 방출성이 향상된다고 할 수 있다.
구체적으로는, 원기둥형 결정이 산화마그네슘으로 구성되는 것을 이용하면, 2차 전자 방출성이 우수하고 또한 스패터링 방지 특성도 우수한 박막을 형성하게 된다.
상기와 같은 2차 전자 방출성이 우수한 박막은, 증착시 박막을 형성하는 물질이 기판에 대하여 입사(入射)하는 각도가 30∼80°의 범위로만 되도록 하여 증착시키는 것에 의하여 형성될 수 있다. 이 방법에 의하면, 단결정성이 우수한 원기둥형 결정으로 이루어지는 전자 방출성 박막을 형성할 수 있기 때문에, 전자 방출성 박막의 2차 전자 방출량이 향상된다.
구체적으로는, 박막을 형성하는 물질로서 산화마그네슘을 이용하는 것이 가능하다.
전자 방출성 박막을 형성하는 방법은 진공 증착법을 채택하여 2차 전자 방출량이 우수한 박막을 단시간에 형성하는 것이 가능하다.
또한, 본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널은 제 1 전극 및 이 제 1 전극을 피복하는 유전체 유리층이 배치된 제 1 패널과 제 2 전극이 배치된 제 2 패널을 그 사이에 삽입된 갭 부재를 통하여 상기 유전체 유리층과 제 2 전극을 대향시킨 상태로 배치하여, 제 1 전극 및 제 2 전극간에 어드레스 방전을 행함으로써 어드레싱이 수행되는 플라즈마 디스플레이 패널로서, 유전체 유리는 어드레스 방전시 발생하는 스패터링에 대하여 유전체 유리를 보호하는 보호층에 의하여 피복되며, 이 보호층은 전자 방출성 물질로 구성되는 복수의 원기둥형 결정으로 형성되고, 이보호층의 표면측에서 원기둥형 결정의 노출 단면은 보호층 표면에 대하여 경사진 평탄면을 갖는 것을 특징으로 한다.
이러한 플라즈마 디스플레이 패널에서는, 보호층의 2차 전자 방출성이 우수하기 때문에, 고선명화를 위하여 어드레스 시간이 단축된다고 하여도, 어드레스 방전 오류에 수반하는 점등 불량의 발생을 억제하는 것이 가능하게 된다.
특히, 원기둥형 결정의 평탄면을 보호층 표면에 대하여 5∼70°의 각도로 경사지게 하는 것이, 원기둥형 결정의 2차 전자 방출성이 높아져서 보호층의 2차 전자 방출성이 향상되기 때문에 바람직하다.
여기에서, 원기둥형 결정의 평탄면이 (100)면과 등가인 결정 방위면으로 되면, (110)면 등의 다른 결정 방위면에 비하여 2차 전자 방출성이 높아진다.
구체적으로는, 원기둥형 결정의 신장 방향이 결정의 <211> 방향과 등가인 방향에 상당하도록 되어 있다.
또, 원기둥형 결정의 폭을 100∼500nm의 범위로 하게 되면, 원기둥형 결정의 단결정성이 더욱 우수하게 되기 때문에 보호층에서의 2차 전자 방출성이 향상된다.
보호층을 형성하는 물질로서 산화마그네슘을 이용하게 되면, 2차 전자 방출성이 우수하게 되고 어드레스 방전시 발생하는 스패터링의 방지 특성도 우수하게 된다.
또, 본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은 기판상에 형성된 유전체 유리층상에 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법으로서, 보호층 형성 단계는 감압 분위기하에서 보호층을 구성하는 물질이 기판에 대하여 입사하는 각도가 30∼80°의 범위로만 되도록 하여 증착시키는 것에 의하여 기판상에 보호층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
이 제조 방법에 의하면, 보호층의 2차 전자 방출성이 우수하게 되기 때문에, 어드레스 방전 오류에 수반하는 점등 불량의 발생이 억제되는 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 것이 가능하게 된다.
또, 보호층 형성 단계에서, 보호층을 형성하는 물질을 산화마그네슘으로 하면, 2차 전자 방출성이 우수하게 되고 어드레스 방전시의 스패터링 방지 특성도 우수한 플라즈마 디스플레이 패널을 제조하는 것이 가능하게 된다.
또, 보호층 형성 단계에서, 보호층을 형성하는 방법으로 진공 증착법을 이용하게 되면, 2차 전자 방출성이 우수한 보호층을 단시간에 형성하는 것이 가능하게 된다.
이하, 본 발명이 적용되는 PDP에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
< PDP의 전체 구성 >
도 1은 본 발명의 일적용예로서의 교류면방전형(alternating current surface discharge type) PDP의 중요부분을 개략적으로 나타내는 단면 사시도이다.도 2는 도 1에서 PDP를 y축 방향에서 본 단면도이다. 도 3은 도 2의 b-b'선을 따라 취한 PDP의 단면도이다. 각각의 도면에서, z축 방향은 PDP의 두께 방향에 대응하고, x-y 평면은 PDP의 패널면과 평행한 평면에 대응한다.
도 1에 도시된 바와 같이, PDP는 전면 패널(10)과 배면 패널(20)이 대향하는 상태로 배치되어 구성된다.
전면 패널(10)은 전면 유리 기판(11), 표시 전극(12, 13), 유전체층(14) 및 보호층(15)을 구비하며, 도 3에 도시된 바와 같이, 전면 유리 기판(11)의 대향면상에 복수개의 쌍을 이루는 표시 전극(12, 13)이 교대로 정렬되어 있고, 유전체층(14) 및 보호층(15)이 이 순서대로 전극(12, 13)의 각각의 표면을 피복하도록 구성되어 있다.
전면 유리 기판(11)은 붕규소나트륨(sodium borosilicate)계열의 유리 재료로 이루어지는 평판모양의 기판이고 표시 방향측에 배치되어 있다.
표시 전극(12, 13)은 크롬층, 구리층 및 크롬층이 이 순서대로 적층된 3층 구조를 가지며, 그 두께는 대략 2㎛이다. 이 표시 전극에 금, 은, 니켈 및 백금 등의 금속을 이용하는 것도 가능하다. 또한, 셀내의 방전 면적을 넓게 확보하기 위하여, ITO(Indium Tin Oxide), SnO2, Zno 등의 유전성 금속산화물로 이루어지는 폭이 넓은 투명 전극상에 폭이 좁은 은(Ag)으로 이루어진 전극을 적층시켜 조합한 전극을 이용하는 것도 가능하다.
유전체층(14)은 표시 전극(12, 13)을 피복하도록 형성되어(두께는 대략 20㎛), 예컨대 산화납(lead oxide), 산화붕소, 산화규소 및 산화알루미늄의 혼합물로 이루어지는 산화납계열의 유리 또는 산화비스무스, 산화아연, 산화붕소, 산화규소 및 산화칼슘의 혼합물로 이루어지는 산화비스무스계열의 유리 등의 융점이 낮은 유리 성분으로 구성되어 표시 전극(12, 13)을 절연하는 기능을 갖는다.
보호층(15)은 유전체층(14)의 표면을 덮도록 형성되고, 미시적으로는 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는 원기둥형 결정이 밀집하여 층을 형성한다. 이 보호층(15)의 구성에 대하여는 후술한다.
도 1에서, 배면 패널(20)은 배면 유리 기판(21), 어드레스 전극(22), 유전체층(23), 격벽(24) 및 형광체층(25R, 25G, 25B)을 구비하고 있다.
배면 유리 기판(21)은 전면 유리 기판(11)과 동일하게, 붕규소나트륨 계열의 유리 재료로 이루어지는 평판형의 기판이다. 이 배면 유리 기판(21)의 대향면상에는 도 2에 도시되어 있는 것과 같이 어드레스 전극(22)이 스트라이프 형상으로 정렬되어 있다.
어드레스 전극(22)은 표시 전극(12, 13)과 동일하게, 크롬층, 구리층 및 크롬층이 적층된 전극이고, 이 어드레스 전극을 덮도록 유전체층(23)이 피막되어 있다.
유전체층(23)은 전면 패널(10)의 유전체층(14)을 구성하는 유리 성분과 동일한 성분을 포함하는 유전체 유리층이며, 어드레스 전극(22)을 절연시킨다.
격벽(24)은 유전체층(23)의 표면상에 어드레스 전극(22)과 평행하게 정렬되어 있다. 모든 인접하는 격벽(24)들 사이에는 적색, 녹색 및 청색을 발광하는 각각의 형광체층(25R, 25G, 25B)이 이 순서대로 정렬되어 있다.
형광체층(25R, 25G, 25B)은 그 각각이 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)을 발광하는 형광체 입자가 부착된 층이다.
PDP는 전면 패널(10)과 배면 패널(20)이 대향하도록 배치되고, 이들 각각의 패널 주위가 프릿 유리(frit glass)(도시 생략)로 이루어지는 밀봉층에 의하여 밀봉되며, 패널 사이에 형성되는 방전 공간(26)내에 방전 가스(예컨대, 네온 95vol% 와 크세논 5vol%의 혼합 가스)가 소정의 압력(예컨대, 66.5kPa∼106kPa 정도)으로 봉입된 구성으로 되어 있다.
< 보호층(15)의 구성 >
도 4의 (a)는 보호층(15)을 전면 패널(10)의 측면에서 본 주사형 전자현미경 사진이며, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)의 보호층(15)을 위에서 본 주사형 전자현미경 사진이다. 또, 설명의 편의를 위하여, 각각의 사진에 X, Y, Z축 방향을 표시하고, Y축의 음의 방향에 유전체층(14)이 형성되어 있으며, 각각의 축의 교점으로 검은 점으로 표시한 축은 종이면에 대하여 안쪽에서 바깥쪽으로 향하는 수직 방향을 나타낸다.
도 4의 (a)에 도시된 바와 같이, 보호층(15)은 MgO로 이루어진 복수의 원기둥형 결정이 하나의 방향으로 신장하여 밀집한 층으로서, 원기둥형 결정의 일단이 노출되어 있다. 이 원기둥형 결정은 도 4의 (b)에 도시된 바와 같이 위에서 보면 대략 삼각형으로 보인다.
도 5의 (a)는 도 4의 (a)에 도시된 보호층에서 원기둥형 결정을 모식적으로나타내는 도면이고, 도 5의 (b)는 도 4의 (b)에 도시된 원기둥형 결정을 위에서 본 형상을 모식적으로 나타내는 도면이며, 도 5의 (c)는 종래의 보호층의 원기둥형 결정을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 복수개의 원기둥형 결정(31)은 전면 패널(10)의 유전체층(14)으로부터 신장하고, 각각의 원기둥형 결정의 노출 단면을 포함하는 평면이 보호층(15)의 표면(33)을 구성하게 된다.
원기둥형 결정(31)의 노출측에는 표면(33)에 대하여 각도 α를 형성하는 1개의 평탄면(32)이 있다. 이 평탄면(32)은 X선 회절법에 의한 결정 방위의 해석을 행한 결과, (100)면의 결정 방위면과 등가인 면이라는 것이 판명되어 원기둥형 결정(31)은 단결정성이 높다고 할 수 있다.
종래의 보호층은 MgO를 그 각도가 거의 90°가 되도록 하여 기판에 입사하는 진공 증착법에 의하여 형성하는 것이 통상적이었으며, 이에 의하여 형성된 막은 도 5의 (c)에 도시된 바와 같이 원기둥형 결정(41)의 노출측의 단면(42)에 평탄한 형상이 명료하게 관찰되지 않는다. 이것은 원기둥형 결정(41)이 단결정이 아니고 다결정(polycrystals)으로 구성되어 배향면이 여러 방향으로 향하기 때문이라 할 수 있다.
이러한 다결정으로 구성된 원기둥형 결정(41)의 2차 전자 방출성이 열악한 이유로서, 원기둥형 결정(41)은 단결정성이 낮고 결함도 많기 때문에, 1차 전자가 입사할 때에 튀어나가는 원기둥형 결정(41)내의 가전자(valence electrons)는 결정 격자에 의한 브래그 반사(Bragg reflection)를 받기 어렵기 때문이라고 할 수 있다.
한편, 본 실시예에서의 원기둥형 결정(31)은 단결정으로 구성되기 때문에, (100)면과 등가인 평탄면(32)이 형성된다고 할 수 있다. 단결정으로 구성되는 원기둥형 결정(31)은 그 결정성도 높고 결정 격자가 정렬되어 있다고 할 수 있어, 1차 전자가 입사할 때에 튀어나가는 원기둥형 결정(31)내의 가전자는 결정 격자에 의한 브래그 반사를 받기 용이하기 때문에, 원기둥형 결정(31)으로부터 튀어나가는 2차 전자의 방출량은 종래에 비하여 증가한다고 할 수 있다.
이 원기둥형 결정(31)의 평탄면(32)은 증착시에 기판 온도나 증착 압력을 변경하는 것에 의하여 (110)면, (100)면을 형성하는 것이 가능하며, 특히 (100)면이 2차 전자 방출성이 가장 높다는 것이 실험적으로 확인되고 있다. 즉, (111)면을 형성하는 것도 가능하지만, 평탄면(32)의 부분이 평탄하지 않고 2차 전자 방출성도 (110)면보다 열악하다.
평탄면(32)과 표면(33)이 이루는 각도 α는 5∼70°의 각도를 갖도록 하는 것이, 2차 전자 방출량이 종래에 비하여 증가하기 때문에 바람직하며, 더 바람직하게는 5∼55°의 각도, 더욱 바람직하게는 10∼40°의 범위의 각도를 갖도록 하는 것이 좋다. 각도 α가 5∼70°의 범위의 각도를 가지면, 원인은 알 수 없지만 실시예의 실험결과로부터 종래에 비하여 2차 전자 방출량이 증가하여, 5∼55°의 각도, 더 바람직하게는 10∼40°의 범위의 각도로 하면 2차 전자 방출량이 현저하게 증가하게 된다.
또한, 원기둥형 결정(31)은 크기가 클수록 좋고, 원기둥형 결정(31)의 가장넓은 부분의 폭 w[도 5의 (b) 참조]는 100∼500nm의 범위인 것이 바람직하다. 이 폭 w가 100nm 미만이 되면 단결성이 부족하여 2차 전자 방출량이 저하되고, 500nm를 초과하게 되면 원기둥형 결정은 그 제조가 곤란하게 된다.
상술한 바와 같이 원기둥형 결정으로 이루어지는 보호층(15)은 2차 전자 방출성이 우수한 박막이 된다. 이 때문에, PDP에서는 어드레스 시간이 단축되어도 어드레스 방전이 양호하게 수행되어 점등 불량의 발생도 억제된다.
< PDP의 제조 방법 >
다음으로, PDP를 제조하는 방법에 대하여 설명한다. PDP는 전면 패널(10)과 배면 패널(20)을 형성한 후, 이들을 서로 부착함으로써 제조된다.
① 전면 패널(10)의 제조
전면 패널(10)은 전면 유리 기판(11)상에 표시 전극(12, 13)을 형성하고, 그 위를 유전체층(14)으로 피막하여, 이 유전체층(14)의 표면에 보호층(15)을 형성함으로써 만들어진다.
표시 전극(12, 13)은 크롬층, 구리층 및 크롬층의 3층 구조를 갖는 전극이며, 크롬, 구리 및 크롬의 순서로 연속으로 스퍼터링함으로써 막을 형성한다.
유전체층(14)은 예컨대, 70중량%의 산화납(PbO), 14중량%의 산화붕소(B2O3), 10중량%의 산화규소(SiO2) 및 5중량%의 산화알루미늄과 유기 접합제[α-터피네올(α-terpineol)에 10%의 에틸셀룰로오스를 용해한 것]를 혼합시킨 조성물의 페이스트를 스크린인쇄법으로 도포한 후, 520℃에서 20분간 소성(燒成)함으로써 막 두께를 대략 20㎛로 하여 형성된다.
보호층(15)은 산화마그네슘(MgO)으로 이루어지는데, 스퍼터링법에 의하여 형성하는 것도 가능하지만, 본 실시예에서는 타겟(target)으로 MgO를 이용한 진공증착법에 의하여 형성한다. 이 보호층(15)의 형성방법에 대하여는 후술한다.
② 배면 패널(20)의 제조
배면 유리 기판(21)상에 표시 전극(12, 13)과 동일하게 크롬, 구리 및 크롬을 이 순서대로 적층하여 어드레스 전극(22)을 형성한다.
다음으로, 유전체층(14)과 동일하게 납계열의 유리 재료를 포함하는 페이스트를 스크린인쇄법을 이용하여 도포한 후, 소성함으로써 유전체층(23)을 형성한다. 여기에서, 형광체층(25R, 25G, 25B)에서 발광하는 가시광을 반사시키기 위하여 납계열의 유리 재료의 페이스트에 TiO2입자를 혼합하여 도포하여도 좋다.
격벽(24)은 스크린인쇄법을 이용하여 유리 재료를 포함하는 격벽용 페이스트를 반복하여 도포한 후 소성함으로써 형성된다.
다음으로, 인접하는 격벽(24)들 사이에 형성된 홈마다 형광체 잉크를 예컨대, 잉크젯법을 이용하여 도포함으로써 형광체층(25R, 25G, 25B)을 형성한다.
③ 패널들의 부착에 의한 PDP의 제조
다음으로, 이와 같이 형성된 전면 패널(10)과 배면 패널(20)의 주위를 밀봉층용 유리를 이용하여 부착하고, 격벽(24)에 의하여 분할되는 방전 공간(26)에 대하여 높은 진공(예컨대, 8 ×10-7Torr)이 되도록 배기한 후, 방전 가스(예컨대, He-Xe 계열, Ne-Xe 계열의 비활성 가스)를 소정의 압력(예컨대, 66.5kPa∼106kPa)으로 봉입함으로써 PDP가 제조된다.
PDP를 구동시켜 표시하고자 할 때에는 구동 회로(도시 생략)를 전극(12, 13, 21)에 실장하여 점등하고자 하는 셀에 표시 전극(12 또는 13)과 어드레스 전극(21)간에 어드레스 방전을 행하는 벽전하(wall charge)를 형성한 후, 표시 전극(12, 13)간에 펄스 전압을 인가함으로써 유지 방전을 행하여 표시를 위한 구동이 이루어진다.
④ 보호층(15)의 형성 방법
보호층(15)은 막형성 속도가 빠르고 대형 기판에 대하여도 비교적 용이하게 증착이 가능한 진공증착법을 이용하여 MgO를 증착함으로써 형성된다.
도 6은 진공 증착 장치(50)의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 진공 증착 장치(50)는 밀폐용기인 챔버(51)와 챔버(51)의 내부를 감압하는 진공 펌프, MgO로 이루어지는 타겟(52)을 가열하는 히터 및 전면 유리 기판(53)을 가열하기 위한 히터(도시 생략) 등으로 구성된다.
챔버(51)내에는 유전체층(14)이 형성된 전면 유리 기판(53)과 MgO로 이루어지는 타겟이 지지대(도시 생략)에 의하여 고정되어 있고, 전면 유리 기판(53)의 유전체층(14)측이 타겟(52)에 대하여 소정의 각도를 갖도록 고정된다.
이러한 전면 유리 기판(53)의 유전체층(14)측이 타겟(52)에 대하여 갖는 각도를 후술하는 소정 범위의 각도로 설정함으로써, 상술한 단결정의 원기둥형 결정으로 이루어지는 보호층을 형성하는 것이 가능하게 된다.
타겟(52)의 중심점을 점 P0으로 하고, 전면 유리 기판(53)의 유전체층(54)상의 중심점을 점 P1, 양쪽 단부의 점을 점 P2, P3라 한다.
점 P0 및 각각의 점 P1, P2, P3를 연결하는 직선과 유전체층(54)의 표면이 이루는 각도를 각각 β1, β2, β3이라고 하면, 각각의 각도 β1, β2, β3은 전부 30∼80°의 범위내의 각도가 되도록 고정하고, 이 범위를 벗어나는 각도에서는 타겟 물질이 입사되지 않도록 하는 것이 좋다. 이와 같이 하면, 온도 조건에 좌우되기도 하지만, 통상 상기와 같이 평탄면(32)과 표면(33)이 이루는 각도를 5∼70°의 범위에 포함되도록 할 수 있다. β1, β2, β3의 각각의 각도는 45∼80°이 좋고, 더 바람직하게는 50∼70°의 범위를 갖는 각도로 하면, 원인은 명확하지 않지만 단결정성이 향상된다고 할 수 있어, 보호층의 2차 전자 방출성이 현저하게 향상된다. 이와 같은 각도로 증착을 행함으로써, 2차 전자 방출성이 우수한 보호층(15)을 얻을 수 있다.
또한, 증착시, 챔버(51)의 내부는 1 ×10-2Pa 정도까지 진공 펌프에 의하여 감압되고, 타겟(52)을 히터에 의하여 2000℃ 이상으로 가열함으로써, 전면 유리 기판(53)의 유전체층(54)상에 MgO가 증착되어 보호층이 형성된다. 또, 전면 유리 기판(53)의 온도는 150∼300℃ 정도, 바람직하게는 200℃ 정도의 온도로 가열하는 것이 좋다. 왜냐하면 상술한 온도 범위 이외의 온도 범위에서는 형성되는 원기둥형 결정에서 단결성이 저하되는 것이 실험적으로 확인되고 있기 때문이다. 또, 전면 유리 기판(53)의 크기가 작은 경우나 타겟(52)과 전면 유리 기판(53)의 거리가 큰경우에는 각도 β1, β2, β3는 대략 동일한 값을 갖는다고 할 수 있다.
< 효과 >
이상 상술한 바와 같이, 기판에 대하여 소정의 각도로 증착되는 물질이 입사하도록 진공 증착함으로써, 비교적 단시간(5분 정도)내에 2차 전자 방출성이 우수한 보호층을 얻을 수 있다.
다시 말해서, 이러한 방법으로 얻은 보호층은 단결성이 우수한 원기둥형 결정이 밀집한 보호층이고, 각각의 원기둥형 결정의 단결정성이 높으며, 원기둥형 결정의 노출 단면으로서 (100)면과 등가인 면에 상당하는 평탄면이 보호층 표면에 대하여 소정의 각도를 갖도록 형성되기 때문에, 종래의 보호층에 비하여 2차 전자 방출성이 현저하게 높아진다.
따라서, 이러한 보호층을 갖는 PDP는 어드레스 시간을 단축시키고도 어드레스 방전이 양호하게 수행되어 점등 불량의 발생을 종래에 비하여 억제하는 것이 가능하다.
< 실시예 >
(1) 실시예 샘플
[ 실시예 샘플 S1∼S6 ]
유리 기판상에 상기 실시예에서 설명한 진공 증착법을 이용하여 MgO로 이루어지는 보호층을 형성하였다. 이 때, 진공 증착시의 타겟(MgO)의 중심 및 유리 기판의 중심을 연결하는 직선과 유리 기판이 이루는 각도 β1을 각각 80°, 70°, 60°, 50°, 40°, 30° 가 되도록 설정하였다.
[ 실시예 샘플 S7∼S14 ]
유리 기판상에 상기 실시예에서 설명한 진공 증착법을 이용하여 MgO로 이루어지는 보호층을 형성하였다. 이 때, 진공 증착시에 유리 기판의 타겟(MgO)에 대한 각도를 여러가지로 변경함으로써 원기둥형 결정에서의 평탄면과 보호층 표면과의 각도 α가 각각 5°, 10°, 20°, 30°, 40°, 50°, 60°, 70°가 되는 보호층을 구비하는 유리 기판을 형성하였다.
(2) 비교예 샘플
[ 비교예 샘플 R1 ]
실시예 샘플 S1∼S6과 동일한 방법을 이용하여 유리 기판상에 보호층을 형성하였다. 단, 진공 증착시의 각도 β1을 90°가 되도록 설정한 점이 다르다.
[ 비교예 샘플 R2 ]
실시예 샘플 S7∼S14와 동일한 방법을 이용하여 유리 기판상에 보호층을 형성하였다. 단, 보호층 증착시의 유리 기판의 타겟에 대한 각도를 조정하여, 각도 α가 0°를 갖는 보호층을 형성한 점이 다르다.
또한, 상기 각 실시예 샘플 및 비교예 샘플의 보호층 증착시에, 진공 증착 장치내의 압력을 1 ×10-2Pa로 하고, 유리 기판을 200℃로 가열하여 증착을 행하였다.
(3) 실험
① 실험 방법
상기 각 실시예 샘플 및 비교예 샘플에서, 2차 전자 방출량을 측정하여, 타겟 물질이 유리 기판에 입사하는 각도 β1 및 원기둥형 결정에서의 평탄면과 보호층 표면이 이루는 각도 α에 대한 2차 전자 방출량을 비교 검토하였다.
② 실험 조건
조사 이온(irradiation ion) : Ne 이온
가속 전압 : 500 V
상기 가속 전압을 인가함으로써, Ne 이온을 가속시켜 보호층에 조사하고, 보호층으로부터 방출된 2차 전자의 방출량을 집전장치(collector)에 의하여 검출하였다.
(4) 결과와 고찰
실험 결과를 도 7 및 도 8에 도시하고 있다.
도 7은 실시예 샘플 S1∼S6 및 비교예 샘플 R1의 결과를 나타낸 것으로서, 타겟 물질이 유리 기판에 입사하는 각도 β1에 대한 2차 전자 방출량의 비를 나타낸다. 즉, 2차 전자 방출량 비라는 것은 비교예 샘플 R1의 2차 전자 방출량에 대한 각 샘플의 2차 전자 방출량의 비를 나타낸다.
도 7에 도시된 바와 같이, 진공 증착시의 입사 각도 β1을 30∼80°로 경사지게 함으로써, 보호층의 2차 전자 방출량이 종래기술에 상당하는 비교예 샘플 R1(90°)에 비하여 향상된다는 것을 알 수 있다. 특히, 입사 각도 β1이 45∼80°의 범위에서는 2차 전자 방출량이 종래에 비하여 2배 이상 향상되는 것을 알 수 있다. 또한, 이 각도가 50∼70°의 범위에서는 2차 전자 방출량이 대략 2.2배 이상향상되어 2차 전자 방출량을 증가시키는 점에서 가장 바람직하다.
도 8은 실시예 샘플 S7∼S14 및 비교예 샘플 R2의 결과를 나타낸 것으로서, 원기둥형 결정에서 평탄면과 보호층 표면이 이루는 각도 α에 대한 2차 전자 방출량비를 나타낸다. 즉, 2차 전자 방출량비라는 것은 비교예 샘플 R2의 2차 전자 방출량에 대한 각 샘플의 2차 전자 방출량의 비를 나타낸다.
도 8에 도시된 바와 같이, 원기둥형 결정의 평탄면이 보호층 표면에 대하여 5∼70°로 경사지게 함으로써, 2차 전자 방출량이 비교예 샘플 R2에 비하여 향상되어 있는 것을 알 수 있다. 또한, 경사 각도가 5∼55°의 범위에서는 2차 전자 방출량이 비교예 샘플 R2에 비하여 2배 이상 향상되어 있는 것을 알 수 있다. 또, 경사 각도를 10∼40°의 범위로 하면 2차 전자 방출량이 2.3배 이상 향상되어 가장 바람직한 범위가 된다.
또한, 각 실시예 샘플 및 비교예 샘플에서 스패터링 방지 특성에 대하여는 큰 차이는 발견되지 않았다.
< 본 실시예에 관한 변형예 >
① 상기 실시예에서 보호층으로서 MgO로 이루어진 층을 이용하고 있지만, 산화베릴륨, 산화칼슘, 산화스트론튬, 산화바륨 등의 면심입방격자의 결정 구조를 갖는 물질을 이용하여 층을 형성하여도 본 발명과 동일한 효과를 얻을 수 있다고 할 수 있다.
② 상기 실시예에서는 진공 증착법을 이용하여 보호층을 형성하고 있지만, 이러한 진공 증착법으로서 EB(전자빔: Electron Beam)증착법을 적용하는 것이 가능하다. 또, 진공 증착법 대신에 스퍼터링법을 적용하여 상기 실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
③ 상기 실시예에서는 2차 전자 방출성이 우수한 박막을 PDP의 보호층에 적용하였지만, 이것에 한정되지 않으며, 전계방출 디스플레이에 있어서 캐소드 등의 전자 방출 특성이 요구되는 박막에도 본 발명을 적용하는 것이 가능하다.
본 발명의 전자 방출성 박막을 이용하여 형성하는 PDP 등의 디스플레이 패널은 컴퓨터나 텔레비전 등에 사용되는 디스플레이 패널로서, 특히 고선명을 필요로 하는 디스플레이 패널에 유효하다.

Claims (18)

  1. 전자 방출성 물질을 조성 성분으로 하는 복수의 원기둥형 결정이 기판으로부터 신장되어 이루어지는 전자 방출성 박막에 있어서,
    상기 박막의 표면에서 상기 원기둥형 결정의 적어도 일부의 노출 단면이 박막 표면에 대하여 경사진 하나의 평탄면으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 방출성 박막.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 원기둥형 결정의 평탄면은 박막 표면에 대하여 5∼70°의 각도로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 전자 방출성 박막.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 원기둥형 결정의 평탄면은 (100)면과 등가인 결정 방위면인 것을 특징으로 하는 전자 방출성 박막.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 원기둥형 결정의 신장 방향은 결정의 <211>방향과 등가인 방향에 상당하는 것을 특징으로 하는 전자 방출성 박막.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 원기둥형 결정의 폭은 100∼500nm인 것을 특징으로 하는 전자 방출성 박막.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 원기둥형 결정은 산화마그네슘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전자 방출성 박막.
  7. 감압 분위기하에서 기판에 박막이 되는 조성의 물질을 증착시켜 기판상에 전자 방출성 박막을 형성하는 방법에 있어서,
    상기 증착시에, 상기 박막이 되는 조성의 물질이 기판에 대하여 입사하는 각도가 30∼80°의 범위로만 되도록 증착시키는 것을 특징으로 하는 전자 방출성 박막의 형성 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 박막을 형성하는 물질은 산화마그네슘인 것을 특징으로 하는 전자 방출성 박막의 형성 방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 전자 방출성 박막을 형성하는 방법은 진공 증착법인 것을 특징으로 하는 전자 방출성 박막의 형성 방법.
  10. 제 1 전극 및 이 전극을 피복하는 유전체 유리층이 배치된 제 1 패널과 제 2 전극이 배치된 제 2 패널을 그 사이에 삽입된 갭 부재를 통하여 상기 유전체 유리층과 제 2 전극을 대향시킨 형태로 배치하여 제 1 전극 및 제 2 전극 사이에서 어드레스 방전을 행함으로써 어드레싱이 수행되는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 유전체 유리는 어드레스 방전시의 스패터링을 방지하기 위한 보호층에 의하여 피막되고, 상기 보호층은 전자 방출성 물질을 조성으로 하는 복수의 원기둥형 결정이며, 그 보호층 표면측에 노출되는 단면은 보호층 표면에 대하여 경사진 평탄면을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 원기둥형 결정의 평탄면은 보호층 표면에 대하여 5∼70°의 각도로 경사져 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 원기둥형 결정의 평탄면은 (100)면과 등가인 결정 방위면인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 원기둥형 결정의 신장 방향은 결정의 <211>방향과 등가인 방향에 상당하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  14. 제 10항에 있어서,
    상기 원기둥형 결정의 폭은 100∼500nm인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  15. 제 10항에 있어서,
    상기 원기둥형 결정은 산화마그네슘으로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  16. 기판상에 형성된 유전체 유리층상에 보호층을 형성하는 보호층 형성 단계를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서,
    상기 보호층 형성 단계는 감압 분위기하에서 보호층을 조성하는 물질이 기판에 입사하는 각도를 30∼80°의 범위로만 되도록 증착시켜 기판상에 보호층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 보호층을 조성하는 물질은 산화마그네슘인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  18. 제 16항에 있어서,
    상기 보호층 형성 단계에서 보호층을 형성하는 방법은 진공 증착법을 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
KR1020027015081A 2000-05-11 2001-05-11 전자 방출성 박막, 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널및 이들의 제조 방법 KR100769414B1 (ko)

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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001086685A1 (fr) * 2000-05-11 2001-11-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Film mince a emission d'electrons, ecran a plasma comportant un tel film et procede de fabrication dudit film et dudit ecran
US7348729B2 (en) * 2000-08-29 2008-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma display panel and production method thereof and plasma display panel display unit
EP2369611A1 (en) * 2003-09-26 2011-09-28 Panasonic Corporation Plasma display and method of manufacturing same
WO2005041240A1 (ja) * 2003-09-26 2005-05-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. プラズマディスプレイパネル
KR100599704B1 (ko) * 2003-10-21 2006-07-12 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR100570675B1 (ko) * 2003-10-21 2006-04-12 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 보호막용 ＭｇＯ 펠렛 및 이를이용한 플라즈마 디스플레이 패널
JP4541832B2 (ja) 2004-03-19 2010-09-08 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP4541108B2 (ja) 2004-04-26 2010-09-08 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイ装置
JP4636857B2 (ja) 2004-05-06 2011-02-23 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイ装置
JP4481131B2 (ja) 2004-05-25 2010-06-16 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイ装置
KR100615245B1 (ko) * 2004-08-20 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 보호막 및 그 제조방법
JP4650824B2 (ja) * 2004-09-10 2011-03-16 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP4683547B2 (ja) * 2004-09-16 2011-05-18 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
EP1640946A3 (en) * 2004-09-24 2008-05-14 Pioneer Corporation Plasma display apparatus
JP4870362B2 (ja) * 2005-01-19 2012-02-08 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイ装置
JP4650829B2 (ja) * 2005-03-22 2011-03-16 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
KR20070048017A (ko) * 2005-11-03 2007-05-08 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 보호막
KR20080043540A (ko) * 2006-11-14 2008-05-19 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 디바이스, 발광 장치 및 표시 장치
KR100889775B1 (ko) * 2007-06-07 2009-03-24 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR20090017266A (ko) * 2007-08-14 2009-02-18 엘지전자 주식회사 ＭｇＯ 보호막 및 이를 포함한 플라즈마 디스플레이 패널용상부패널
JP2009099436A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Hitachi Ltd プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
CN102714121A (zh) * 2010-01-22 2012-10-03 松下电器产业株式会社 等离子体显示面板以及等离子体显示装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3205746A1 (de) * 1982-02-18 1983-08-25 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Thermionische kathode und verfahren zu ihrer herstellung
JPS58144619A (ja) 1982-02-23 1983-08-29 Toyota Motor Corp デイ−ゼル機関の微粒子トラツプ再生方法
IT1190721B (it) * 1982-03-09 1988-02-24 Lepetit Spa Derivati 3-azetidiniletil-1-fenil-2-imidazolidinici ad attivita' neurolettica,procedimento per la loro preparazione e loro impiego
JPS63205031A (ja) 1987-02-19 1988-08-24 Fujitsu Ltd ガス放電パネル
US5537000A (en) * 1994-04-29 1996-07-16 The Regents, University Of California Electroluminescent devices formed using semiconductor nanocrystals as an electron transport media and method of making such electroluminescent devices
US5903092A (en) * 1994-05-18 1999-05-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Device for emitting electrons
JPH07335116A (ja) 1994-06-14 1995-12-22 Toshiba Corp 電子放出素子
JP3184890B2 (ja) 1994-09-17 2001-07-09 経済産業省産業技術総合研究所長 電子放出素子及びその製造方法
WO1996032520A1 (en) 1995-04-14 1996-10-17 Spectra-Physics Lasers, Inc. Method for producing dielectric coatings
JP3339554B2 (ja) 1995-12-15 2002-10-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
KR100365444B1 (ko) 1996-09-18 2004-01-24 가부시끼가이샤 도시바 진공마이크로장치와이를이용한화상표시장치
JP3421549B2 (ja) * 1996-09-18 2003-06-30 株式会社東芝 真空マイクロ装置
JPH10330193A (ja) * 1997-03-31 1998-12-15 Nec Corp 酸化物超電導膜の製造方法
JP3425063B2 (ja) * 1997-06-09 2003-07-07 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
CN1161815C (zh) * 1997-08-14 2004-08-11 松下电器产业株式会社 气体放电板及包括该气体放电板的显示装置
JP3906536B2 (ja) 1997-11-14 2007-04-18 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネルの製造方法
JP3377426B2 (ja) 1997-12-15 2003-02-17 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネルの保護層及び保護層形成方法
JP2000001771A (ja) * 1998-06-18 2000-01-07 Hitachi Ltd 誘電体保護層の製造方法とその製造装置、並びにそれを用いたプラズマディスプレイパネルと画像表示装置
JP3422266B2 (ja) 1998-10-20 2003-06-30 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
JP3422300B2 (ja) * 1999-10-19 2003-06-30 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイパネル及びその製造方法
JP2001135238A (ja) * 1999-11-02 2001-05-18 Display Kenkyusho:Kk Ａｃ型プラズマディスプレイパネル
WO2001086685A1 (fr) * 2000-05-11 2001-11-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Film mince a emission d'electrons, ecran a plasma comportant un tel film et procede de fabrication dudit film et dudit ecran
JP2002235238A (ja) 2001-02-07 2002-08-23 Negoro Sangyo Co 高性能な再生ポリエステル繊維及びその製造方法

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