TW498372B - Methods for manufacturing ceramic green sheet and multilayer ceramic electronic parts - Google Patents

Description

發明的技術背暑 1.發明的技 本發明具有關衫胚片的製造方法。更明確地說，本發 :具有關製造諸如陶资電容器或多層陶资基板的多層陶“ 私子兀件使用〈陶瓷胚片的製造方法，和使用由該方法製 造的陶瓷胚片製造多層陶瓷電子元件的方法。 2.相關，技術的銳明 陶资基板和其它多層陶瓷電子元 ’加壓和熱處理，因而燒結陶瓷 多層陶瓷電容器，多層 件通常係由層壓陶瓷胚片 和電極之方法製造。 此處使用具有圖1所+ έ士搂Μ夕迁“ 口所π尨構的多層陶瓷電容器為例。該 夕層陶瓦私谷态包括陶瓷裝置i，内電極2和一對多電極仏 和3b。諸如圖所示，内電極2設在陶资裝置^，並從陶毫 裝置1的左邊和右邊交替地伸出，而外電極⑽外設在陶 =置1的兩侧，以便與内電極2電連接。這種多層陶資電 容器通常使用以下方法製造： (1) 參見圖2，起初在陶瓷胚片上形成構成電容的内電極 2，诸如此製得電極承載片u。 (2) 之後層壓預定層數的電極承載片丨丨，形成層壓製 件’並層壓在沒有電極的陶瓷胚片(最外層片)21，並加壓 層壓製件的上下兩邊，諸如此形成層壓製件（未燒製層壓 製件…。在形成之層壓製件中，内電極2從陶莞裝置W 右邊和左邊交替伸出（圖2)。 (3) 之後，在預定條件下燒製層壓製件u，因而燒結該 498372 五、發明説明（ 陶免，在經燒製層壓製件（陶资裝置M的左邊和右邊塗覆 -種導電聚料並烘烤之，諸如此構成與内電極2電連接的 :。卜電極3a和3b。諸如此’製得㈣斤示的多層陶峨 器。 同樣地’經由層壓陶竞胚片以形成一層壓製件作為上述 ^層陶毫電容器之方法，製造其它多層陶究電子元件 如多層陶瓷基板。 裝 製造多層陶竞電子元件中使用的陶毫胚片通常係以下列 万法製造：混合-種陶资粉末與預定比例之分散媒質（溶 劑）、分散劑、黏合劑、增塑劑和其它添加劑，使用中型 分散設備（諸如珠磨機、球磨機、磨碎機、塗料振動機^ 砂磨機）混合並分散所形成混合物，製得陶資衆液，並藉 由例如刮板法將陶资漿液塗覆到載體（例如，承載膜s 製得具有預定厚度的胚片，並乾燥之。 通常使用包絲徑為數微米的有機或無機粉末作為 的聚合膜作為載體，諸如聚（對苯二甲酸乙二酯）膜。八 像其它電子裝置一樣’多層陶資電子元件(諸如 资電容器)也需要小型化以及高性能。因此，使用於：告 多層陶瓷電子元件的陶瓷胚片必須極薄，薄膜厚度必 3 μ m以下。 但是，含具有粒徑為數微米的填料之載體（例如承載 會因該填料之故而具有明顯的凸點吴 片某些部分的厚度中具有約。.3至深處的凹坑^胚 本文所使用之「凹坑」-辭係指沒有穿透該片的凹坑或閉 -5· 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(2i〇x 297公袭) 、發明説明（ 合孑L。 如果使用此等且右叨铲 -_ ’、 几、通孔和其它缺陷的陶瓷胚片製 t者如多層陶瓷電容器和 件， 夕層陶是基板的多層陶瓷電子元 牛θ引起短路和耐壓降低的缺胃占。 =元件的製造方法中’所形成之料胚片必須從載體 上豕ι!離’而且該載體的頂矣 7 ， Α ΑΨ Uη^ 八 上通常具有一層包括矽氧烷 4履貝材料的脫離層。如 ^ ^ ^ Μ载β豆頂衣面是光滑的，而且 底質材料構成的脫

如，當載體是捲續W 7¾恭γ U J 的可滑動性會惡化，這兩層 戰膜又間 危及載體膜本身的製造相互黏在-起’嚴重地 製造方法。戽0衣k万去或使用該載體膜的陶瓷胚片之 曰本特許公開專利申請案公報第i㈡謂27號中提出— ^方法#中，所使用的載體膜具有粗糙下表面（即與頂 表面相反的一面或背面），並具有經改良可滑動性:、； 疋，以孩万法製造陶资胚片_，該粗糙下表面上之 引起之凸點塾到該捲繞的陶资胚片頂表面：因此導致= 瓷胚片撕裂、通孔、凸點和其它瑕疵。 如果使用具有這些瑕病的陶竞胚片製造諸如多 ==…的陶"子元件’則會造成短路= 發明概述 因此，本發明目的係提供—種用以製造厚度小，沒 如撕裂、通孔和凸點等瑕疫，以及具有高度可靠性的多： -6- 4 五、發明説明（ =胚片之方法’並提供使用上述方法製造的陶资胚片製 化夕層陶瓷電子元件之方法。 /體地說’本發明實施樣態之—提供一種將陶定漿液塗 復於-載體上’以製造供多層陶究電子元件用之陶資胚片 =万法’該方法包括製備該載體的步驟，其中該載體的頂 2士具有脫離層而且其光滑度係至少欲塗覆該陶繼 勺載眼頂表面區域中基本上沒有高度在約_以上的凸 點；以及將-種陶資漿液塗覆於該載體之脫離層，該 槳液包含分散在媒質中的陶瓷粉末。 藉由此種結構，能有效而可靠地製造厚度小(例如厚度 = 至片3μιη)、無撕裂或通孔等瑕疫以及具有高可靠二 此處使用的:至少欲塗覆該陶资衆液的載體頂表面區域 基本上沒有高度在約1μιη以上的凸點」措辭，並不排除 孩區域包括心染或製造條件變化引起的不穩定的或極局 邰凸點的情況’而且指載體本身主要部分沒有 以上的凸點的情況。 ， 此處使用的「載體」一辭係指包括能捲繞的載體膜，例 如禾（對苯一甲酸乙二酯）（ρΕΤ)和聚（二羧酸伸乙基'卜奈 醋）（ΡΕΝ)以*薄片、薄膜、金屬帶、剛性板，以及能切割 成預定尺寸，而且能層壓的其它物件，此處對於此等物件 的U負、材料，尺寸和其它特徵無特別限定。 「包括分散在媒質中的陶瓷粉末」一辭不僅意指一種包 含分散在媒質（一種分散媒質或溶劑）中之陶瓷粉末的組合 -7- 本紙張尺度適财® ®家料i^iF(21QX297公梦)

初，亦意指一 切个丹蛛貞 < 外，另卜 八 散劑、增塑劑、抗靜電劑盥A G括刀 % w /、其他各種添加劑的組合物。 匈瓷漿液可視需要包括自由選擇比例之各種物質。 Μ 、上述製造方法中，該載體的光滑度係使至少其 域中基本上沒有高度在約1μιη以上的凸點，其： 漿液塗覆於該下表面（以下簡稱Λ「 將勺瓷 Μ ^ κ卜間％為下表面」）和對應於欲 至设孩.陶瓷漿液的頂表面區的下表面區。 該結構能防止陶瓷胚片和載體捲繞時，該陶瓷胚片盥下 表面接觸造成的損壞’另外能可靠地提供基本上無缺陷的 陶瓷胚片。 ，使用該製造方法製得的陶瓷胚片厚度最好約03至 3μιη。 如果所形成之陶資胚片薄，習用的製造方法在製造過程 中會造成該薄陶资胚片Α現瑕威，諸如撕裂或通孔的缺 陷’但是本發明方法能可靠地製造厚度自約Q3至的基 本上無缺陷的極薄陶资胚片。 欲塗孩陶瓷漿液的載體頂表面之靜摩擦係數和動態摩擦 係數最好各小於或等於約〇 45。 此種能有效捲繞和輸送該載體的結構能更有效地顯示本 發明的優點。具體地說，如果欲塗覆該陶瓷漿液的載體頂 表面之靜®摩擦係數和動態摩擦係數超過約〇 45，所形成 之載體於形成脫離層後不能有效地捲繞，而且，在該載體 製造中還會出現其它問題。但是，使用靜態摩擦係數和動 悲摩擦係數小於或等於約〇 45的載體能防止出現這些問 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公爱) 498372 五、發明説明 欲塗覆該陶瓷漿液的基板頂表 揪八衣甸乏表面自由能無特定限 制，其最好小於或等於約55 mJ/m2。 該結構能使生成的陶资胚片自該載體頂表面平順地剝 離，因此更有效地顯示本發明優點。若該表面自由能超過 55 mJ/m2，則使陶瓷胚片不易從該載體剝離，而且益損壞 地從載體上剥離陶^片會花#更長時間，因此造成生產 效率變差。 本發月中所“的摩擦係數係根據日本工業標準（JIS)K· 7125規定的方法測量。 本發明中使用的脫離層係用以控制該陶瓷胚片與載體之 間的黏合力。$成脫離層能減少陶走胚片從載體剥離的力 (剥離力），因而能使陶瓷胚片平順地剥離。此外，該脫離 層可以避免兩層具有極平滑表面的載體黏合以及降低該載 體的摩擦係數。 该載體另外具有一额外中間層，介於該啤離層與載體基 底之間。但是，該情況下，該额外中間層不能在載體頂表 面上形成高度等於或大於Ιμίη以上的生成物。 另一方面，本發明提供多層陶瓷電子元件的製造方法， 該方法包括以下步驟：層壓切割並燒製數層具有卑金屬内 電極之陶瓷胚片組合物，製得經燒結壓塊，其中該陶资肢 片係以上述方法製造，並在該經燒結壓塊上形成外電極。 因為此種結構，可以製造短路率低以及其它所需特性、 高質量及高可靠性，而且無内部瑕戚的多層陶瓷元件。 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS) Α4規格(210 X 297公釐） 498372 五、發明説明（ 圖式簡诚 圖1是顯示層壓陶瓷胚片製 剖視圖；和 々多層陶瓷電容器結構之 圖2疋顯示圖1所示多； 圖。多層陶是電容器的製造方法之示意 施例的說^ 兹將參考較佳具體實施例更詳細說明本發明。 孩用於㈣層的材料沒有特定限制 料和非聚矽氧材料，但县Α π戌k 且G括永矽乳材 嗜脫離芦八，為靜態摩擦和動態摩擦小， Θ脫離層取好包含氟。此等 :=括聚幾和氟聚 可由熱=:者括二可固化聚彻脂(例如 对如 KS-847(H)和 KS-776(商。文， 可從—Slllc〇nes講買），以及YSR3〇 “名 67〇〇，TPR-6720，和 TpR_ 2 TPR" ς·Γ ^ /Zi(商 口口名，可以 Toshiba ==一。n購買)。此處將這些聚”材料以外的 材枓界疋為非聚矽氧材料。 、製備用於本發明的陶片，其係例如將含陶纪粉末、 分散劑、、黏合劑、增塑劑、抗靜電劑和分散媒質的陶資漿 液土谈於載上所製備。構成該陶瓷漿液的陶瓷粉末種類 和組成沒有特m制’而且此等陶€粉末包括例如致酸 鋇、致酸銘和敘酸錯的介質陶资粉末，·諸如鐵酸鹽的磁性 1 €泰末’壓私陶纪粉末；諸如氧化銘和氧化參的絕緣陶 究粉末；和其它陶瓷粉末。 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) ^^(21〇_ -10- x 297公釐） 8 五、發明説明（ 制’但當本發明 薄陶瓷胚片時， 此係使用電子顯 所使用之陶资粉末的顆粒大小無特定限 万法應用於厚度為例如自约^3μιη的極 平均顆粒大小最好在0.01至Ιμπι範圍内， 微鏡觀察測定。 嶋末還可以含各種添加 =時’它還能含破璃、氧化鎂、氧:短=要 =金屬氧化物、氧化料其它化合物。此外，該、 :遠另外包含由原材料衍生的雜質或在製造期間冷染的雜 :成本發明中使用的陶资漿液之媒質(分散 :特足限制，包括例如，甲苯、二甲苯和其它芳香族二 二士·、：丙醇、丁醇和其它醇類媒質，和其它各種媒 貝。廷些媒質中的每_種均能單獨使用或者組合使用。此 外，其它有機媒質或水也能使甩作該媒質。 該黏合劑包括但不局限於聚乙料縮丁㈣脂、纖維素 樹脂、丙婦酸樹脂、乙酸乙烯醋樹脂，和聚(乙缔醇_ 脂。孩黏合劑的種類與數量應該視標的陶 適當選擇。 域而 孩陶資聚液還可包含增塑劑。這些增塑劑包括聚乙二 醇、苯二甲酸脂，和醇酸樹脂，但不限於此。該增塑劑： 種類與數量應該視標的陶资胚片的種類而適當選擇。 孩陶瓷漿液還可含分散劑和/或抗靜電濟卜本發明中使 用的這些抗靜電劑和分散劑可為陶资衆液中常使用的任何 498372 A7 B7 五、發明説明（ ) " y 7 層壓、切剖並燒製數層由本發明製造方法形成且且有 金屬内電極的陶竞胚片，製得經燒結壓塊，在該經燒結壓 塊上形成外電極，如此製得多層陶瓷電子元件。該情況 下，構成该卑金屬内電極的卑金屬材料並沒有特定限制， 其包括例如鎳，銅和其它卑金屬材料。使用卑金屬材料製 的％極可以疋使用網版印刷形成的印刷電極，或者是使 用薄膜.形成方法形成的金屬箔電極。 以下使用幾個實施更詳細說明本發明，但這些實例不限 制發明範圍。 ' 實施例1 在基底載體的頂表面上形成厚100 nm的有機-無機複合 材料層作為脫離層製造一載體（載體膜），其係由氟聚合物 和聚矽氧烷構成的有機-無機組合物材料層，而該基底載 體是由厚50μπι的聚（對苯二甲酸乙二酯）膜組成，其光滑度 係該膜兩個表面上的最大凸點高度為〇 9μ m。 該載體膜的表面自由能為27 mJ/m2 ，靜態摩擦係數是 0.20，動態摩擦係數是0.25。 使用光干擾表面剖面測試儀（平面解析度：1 P m，高度 方向解析度·0· 1 nm)測量實施例1和下列實施例及對照實 例中所指的最大凸點高度。 其次’將粒控為0.2μιη的市售介質陶瓷粉末（購自Sakai

Chemical Co.，Ltd.，商品名為’’BTO 2”）、分散劑（講自

Nippon Oils & Fats Corporation，商品名為 ” MALIALIM”）、 黏合劑（購自Sekisui Chemical Co·，Ltd.的聚乙缔醇縮丁 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) - 498372 五、發明説明（ 醛）増塑劑（苯二甲酸二乙基己醋（D〇p》，以及 劑分散到分散媒質中。將形成 " ΛΛ ^ ^ L /成日]闽瓮水履塗覆到上述製備 的載組膜上，由此製造陶瓷胚片。 本實施例中’使用到板方法塗覆陶资漿液 Mm厚的陶瓷胚片。 衣 -:::ΪΓ法，使用上述製備的陶竞胚片製造具有圖1所 不、、、。構的多層陶瓷電容器。 ⑴首先’在上述製備的陶资胚片上網 如此製造電極承載片η，其頂表面上且 琛水料 刷内電極。 …上具有構成電容用的印 装 ⑺其次，如圖2所示，層壓預定層數（本實施 的電極承載片1丨，再声壓，·§右+打aa h ^ ，〃再層壓-有电極的陶资胚片（最外層的 ==層壓製件的上下兩邊加壓，如此構成層壓 未燒製的層壓製件）la，其中，内電極2從層壓製件u 的左邊和右邊交替件出。 (3)使用切塊機把層壓製件1&切割成預定大小，並進 除去黏合劑和燒製操作。 ’ 在氮氣氛中對該層壓製件進行熱處理，以進行除去勒人 劑操作。 4 口 在弱還原氣氛中以敎溫度加熱層壓製件，實施該燒社 操作。 " ⑷之後，把含銀作為導電組分的導電聚料塗覆於經燒 製層壓製件（陶資裝置的兩個邊緣部分上，構成與内電 極2電連通的外電極3a和3b(見圖1)。 -13- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 11 五、發明説明（ 層陶瓷電 容器。製侍如圖1所777〈含鎳作為内電極2的多 測量所形成多層^電容器的 果令人滿意，其為化7%。該靜—’、旦路發生率），結 子工業協會）技術標準規定的X7r^=溫度特性符合EIA(電 畫施例2 。 根據與實施例1相同的方式製備陶毫胚” 的陶瓷胚片厚度變成2μηι。 、 仁疋將形成 使用上述製備的陶瓷胚片， 舍> 造多層陶资電容器。 相同的方法製 測量形成的多層陶瓷電容哭 音，並炎〗1〇/ 、、y 态〈短路率，結果很令人滿 /vu、 其為1 · 14。該靜雷雷交、、w u 愈、 評私私谷溫度特性符合X7R特性。 jr施合[1 3 以與實施例1相同的方式製偌 、 乃八1備陶瓷胚片，但是使用光滑 度㈣膜兩個表面上的最大凸點高度為。之聚（對苯二 甲酸乙二酯)膜’而且形成的陶瓷胚片厚度變成0、m。 使用上述製備的陶资胚片，以與實施例i相同的方法製 造多層陶瓷電容器。 測量形成的多層陶瓷;電容器之短路率。結果是令人滿意 的3.6%。該靜電電容溫度特性符合X7r特性。 實施例4 以與實施例1相同的方式製備陶瓷胚片，但是在基底載 體上形成100 nm厚之聚矽氧為底質材料層作為脫離層，製 備一載體（承載膜）。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210X297公董）_ 五、發明説明（12 使用上述製備的陶资 ^ ^ a j定胚片，以與實施例1相同的方法製 造多層陶瓷電容器。 灰 測量形成之多居+ 夕層陶I電容器的短路率，結果是令人滿意 的0.8%。涊靜電雷交 1 ^ 私各的溫度特性符合X7R特性。 對照實例1 =底載體頂表面上形成⑽㈣厚之有機_無機複 」 , ^備一載體（承載膜）。此製程中，該有 機-無機複合材料層肖八 G S鼠5c合物和聚矽氧烷，而該基底 體包聚（對苯二甲酸乙二醋）膜’其膜厚為50μη!，光滑度 係其兩邊表面的最大凸點高度為2加。 二載缸（承载膜）的表面自由能為π mJ/m2，靜態摩擦係 數是0.16，動態摩擦係數是〇2〇。 以與實施m相同的方式製備3μιη厚的陶资胚片，但是 使用上述製備的載體（承載膜）。 使用上ii：衣備的陶瓷胚片，以與實施例工相同的方法製 造多層陶瓷電容器。 測1形成 < 多層陶瓷電容器的短路率。結果高達5 1%。 仁是咸#私電谷器溫度係數符合X7R特性。 對照實例2 使用與對照實例i相㈤白勺載體月莫，並β與實施例2相同的 方式製備2μιη厚的陶瓷胚片。 使用上述製備的陶瓷胚片，以與實施例1相同的方法製 造多層陶瓷電容器。 測I形成 < 多層陶瓷電容器的短路率，發現其高達 ______15_ i紙張尺度適财@ @家鮮(CNS) A4規格(2i〇^7^y 498372 A7 B7 五、發明説明（13 ) 76% 0 但是，該靜電電容的溫度特性符合X7R特性。 對照 實 例3 於 一 基底載體表面上形成ΙΟΟμπι厚的有機-無機複 合 材 料層 製備一載體（承載膜）。此製程中，該有機-無機 複合 材料 層 由氟聚合物和聚碎氧燒組成，而該基底載體 係 由 50μπι厚的聚（對苯二甲酸乙二酯）膜組成，其光滑度係 兩 個 表面 上 最大凸點高度為1·3μπι。該載體（承載膜）的表 面 白 由能 是 27 mJ/m2，靜態摩擦係數是0.18，動態摩擦係 數是 0.22 0 以 與 實施例1相同的方式，製備厚3 mm的陶瓷胚片 但 是使 用 上述製備的載體（承載膜）。 使 用 上述製備的陶瓷胚片，以與實施例1相同的方 法 製 造多 層 陶瓷電容器。 測 量 形成之多層陶瓷電容器的短路率，結果高達16% 〇 但是 ， 該靜電電容的溫度特性符合X7R特性。 對照 實 例4 使 用 與對照實例3相同載體，以與實施例2相同方式 製 備 厚2μ m 的陶瓷胚片。 使 用 上述製備之陶瓷胚片，以與實施例1相同方法 製 造 一多 層 陶瓷電容器。 所 製 得之多層陶瓷電容器之短路率經測量發現 高 達 28% 。但靜電電容之溫度特性符合X7R特性。 對照 實 例5 使 用 其頂表面上沒有脫離層的基底載體。該載體 係 由 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 14 498372 五、發明説明（ 50μπι厚的聚（對茇_ 表面的最大凸點古:、阪乙二酿）膜構成，其光滑度係兩個 載體頂表面之表面：為〇·9μΠ1 ’而且该欲塗覆陶瓷漿液的 ο.”，動態摩檫係數彳能為55感2,靜態摩擦係數是 ,μ ^ ，、數疋.37。以與實施例1相同的方式製傜 3mm…胚片，但是使 々万式衣備 使用上述製備的陶瓷肊片 _ 造多層陶资電容器 片’以與貫施例1相同的方法製 測f形成〈多層陶瓷電容器的短 的1%。該靜電電容的、、w户祛地—人 、，。果疋令人滿意 、、 备，皿度特性符合X7R特性。 但疋’該對照實例5中，它触 ， 需的時間是實施例1中所使;;：來離陶瓷胚片所 顯地降低生產效率。時間的兩至三倍，如此會明 對照實例6 在-基底載體頂表面上形成w氧脫㈣， (承載膜）。此製程中，該基底載體係㈣_厚的聚 二甲酸乙二醋)膜組成，其光滑度係兩個表面的最大凸ΐ 南f為0、·9μιη。該載體（承載膜）的表面自由能為16 mJ/, 靜恐摩擦係數為0.64，動態摩擦係數為〇 56。已堂盥 實施例!相同的條件下製造一陶资胚片，但是使二製 備的載體。不過’在對照實例6的條件下，無法輸 :(承載膜)(即’不能纏繞與鬆開)，所以無法製備陶：胚 表丄和之列出實施例⑴與對照實例^中之載體的兩個 表面最大凸點高度、短路率、脫離層種類、載體頂表面的 -17-297公釐）

本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 498372 五 發明説明

摩接係數、載體輸送性能評估、載踢 該載體脫離性能的評估。 、面自由此’以及 使用光干擾系統的表面剖面 」吗，則武儀（平面解蚯厣. 1Ί, :·01μιη^ ^ ^ ^ 面取大凸點高度。 v 一 --—^——— 表1 載體兩個表面 的最大凸點高 度 短路率（胚片 厚度） 脫離層種類 實施例1 -------- 〇.9μιη -—--- —^Ζ^-(3 μπι) _夕氧 實施例2 ---——___ 0.9mm --—^—-- _L1% (2μιη) —氧 實施例3 ------ 0.3 μιη 3.6% (0.3 μιη) —ir_ —氧 實施例4 ----— 〇.9μπι 0.8% (3 μιη) 石々 列 1 2.2μιη -—-*--------- 5 1% (3 μιη) --上 2.2μιη 76% (2μιη) _氧 3 1.3 μιη 16% (3 μιη), 非聚石々氧 對照實例4 1.3 μιη 2 8% (2μιη) 非聚石々氧 0.9μιη 1.0% (3μιη) 對照實例6 0.9 μιη —_ 矽 本紙張尺度適用中國®家標準(CNS) A4規格(21G X 297公爱) 498372 A7 B7 五、發明説明（16 表2 載體表面摩擦係數 載體輸送 特性 表面自由能 脫離性能 實施例1 靜態摩擦係數：0.20 動態摩擦係數：0.25 好 27 mJ/m2 優 實施例2 靜態摩擦係數：0.20 動態摩擦係數：0.25 好 27 mJ/m2 優 實施例3 靜態摩擦係數：0.20 動態摩擦係數：0.25 好 27 mJ/m2 優 實施例4 靜態摩擦係數：0.32 動態摩擦係數：0.37 好 28 mJ/m2 優 對照實施例1 靜態摩擦係數：0.16 動態摩擦係數：0.20 好 27 mJ/m2 優 對照實施例2 靜態摩擦係數：0.16 動態摩擦係數：0.20 好 27 mJ/m2 優 對照實施例3 靜態摩擦係數：0.18 動態摩擦係數：0.22 好 27 mJ/m2 優 對照實施例4 靜態摩擦係數：0.18 動態摩擦係數：0.22 好 27 mJ/m2 優 對照實施例5 靜態摩擦係數：0.31 動態摩擦係數：0.37 好 55 mJ/m2 好 對照實施例6 靜態摩擦係數：0.64 動態摩擦係數：0.56 差 16 mJ/m2 - -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 498372 A7 B7 五、發明説明（17 ) 已參考目前視為是較佳的具體實施例說明本發明，但是 須明白，本發明不限於所揭示具體實施例和實施例。反 之，本發明欲包括在附錄主張權項的精神和範圍内之各種 修正和同等設置，例如，陶瓷;粉末的種類、分散劑、黏合 劑、增塑劑、抗靜電劑、溶劑、陶瓷漿液的製備方法（分 散方法）、該載體的特定結構和組成材料。以下主張權項 的範圍給予最廣泛的解釋，所以包括全部這些修正和同等 結構和功能。 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 抚供-載體，其具有頂表面和底表面，其頂表面上具 =層’而且其光滑度使至少欲塗覆該陶资衆液的區 或中基本上沒有高度等於或大㈣喊上的凸點；以及 :包括分散在媒質中的陶资粉末之陶_ 載體的脫離層。 2.=:請矣專利範圍第1項的方法，其中’該載體的光滑 度使其展表面的至少一個區域中基本上沒有高度或等於 大於Ιμιη以上的凸點，而且其中底表面的該區域對應於 頂表面欲塗覆該陶瓷漿液的區域。 ^ ’其中塗覆該陶瓷襞 約 0.3 至 3μπι。 其中該欲塗覆陶資漿 動態摩擦係數均小於 4. 根據申清專利範圍第2項的方法 液，使形成的陶瓷胚片厚度範圍自 根據申請專利範圍第3項的方法， 液之載體頂表面的靜電摩擦係數和 或等於約0.45。 5. ^據中請專㈣圍第4項的方法，另外包括製造該載 月丑〇 6. 根據中請專利範圍第丨項的方法，其中塗覆該陶资雙 液，使形成的陶瓷胚片厚度自約〇313μπι。 7. 根據申請專利範圍第6項的方法，其中該欲塗覆該陶瓷 漿液之載體頂表面的靜態和動態摩擦係數均小於= 約 0.45。 ； A B c D 498372 六、申請專利範圍 8. 根據申請專利範圍第7項的方法，另外包括製造該載 體。 9. 根據申請專利範圍第1項的方法，其中該欲塗覆該陶瓷 漿液之載體頂表面的靜態和動態摩擦係數均小於或等於 約 0.45。 10. 根據申請專利範圍第9項的方法，另外包括製造該載 體。 11. 根據申請專利範圍第1項的方法，另外包括製造該載 體。 12. —種多層陶瓷電子元件之製造方法，該方法包括： 以申請專利範圍第11項的方法形成許多陶瓷胚片； 在每片陶瓷胚片表面上設置卑金屬電極； 將該包含電極的陶瓷胚片層壓在一起，形成一層壓製 件； 燒製該層壓製件，如此製得經燒結壓塊；以及 在形成的經燒結壓塊外表面上形成電極。 13. —種多層陶瓷電子元件的製造方法，該方法包括： 以申請專利範圍第10項的方法形成許多陶瓷胚片； 在母片陶瓷i胚片的表面上設置卑金屬電極， 將該包含電極的陶瓷胚片層壓在一起，形成一層壓製 件； 燒製該層壓製件，如此製得經燒結壓塊；以及 在形成的經燒結壓塊外表面上形成電極。 14. 一種多層陶瓷電子元件的製造方法，該方法包括： -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

   ^y〇j72

   申請專利範圍 以：請專利範圍第9項的方法形成許多陶變胚片； 在母片陶變胚片的表面上設置卑金屬電極； 件 15. 件 將該包含電極崎胚片層壓在-起，形成-層壓製 燒製孩層壓製件，如此製得經燒結壓塊；以及 在形成的經燒結壓塊外表面上形成電極。 種多層陶資電子元件的製造方法，該方法包括： 以=請專利範圍第7項的方法形成許多陶毫胚 在母片陶瓷胚片的表面上設置卑金屬電極； 將該包含電極的陶資胚片層壓在-起，形成-層壓製 燒製該層壓製件 在形成的經燒結 16. —種多層陶瓷電子 以申請專利範圍 在每片陶瓷胚片 將該包含電極的 件； 燒製該層壓製件 在形成的經燒結 17. —種多層陶瓷電子 以申請專利範圍 在每片陶瓷胚片 將該包含電極的 ’如此製得經燒結壓塊；和 壓塊外表面上形成電極。 兀件的製造方法，該方法包括·· 第6項的方法形成許多陶瓷胚片； 的表面上設置卑金屬電極； ’ 陶資胚片層壓在-起，形成—層壓製 ，如此製得經燒結壓塊；以及 壓塊外表面上形成電極。 =件的製造方法，該方法包括： 第5項的方法形成許多陶瓷胚片； 的表面上設置卑金屬電極； ’ 陶資:胚片層壓在一起， ^ 巧成一層壓製 -23-

   裝 訂 件； 燒製該層壓製件，如此製得經燒結壓塊；及 在形成的經燒結壓塊外表面上形成電極。 18.—種多層陶资電子元件的製造方法，該方法包括. 以t請專利範圍第4項的方法形成許多陶资肛片.； 在母片陶t:胚片的表面上設置卑金屬電極. 件將該包含電極的陶資胚片層壓在一起，形成—層㈣ 燒製該層壓 在形成的經 19. 一種多層陶瓷 以申請專利 每片陶瓷胚 將該包含電 件； 燒製該層壓 在該經燒結 20. —種多層陶瓷 以申請專利 在每片陶資; 將該包含電 件 製件，如此製得經燒結壓塊；及 燒結壓塊外表面上形成電極。 電子疋件的製造方法，該方法包括： 範圍第2項的方法形成許多陶瓷胚片； 片的表面上設置卑金屬電極； ’ 極的陶^片層壓在—起1成一層歷 製件，如此製得經燒結壓塊；以及 壓塊外表面上形成電極。 電子元件的製造方法，該方法包括： 範圍第1項的方法形成許多陶瓷胚片； 胚片的表面上設置卑金屬電極； 極的陶變胚片層壓在一起，形成一層遷 燒製該層壓製件，如此製得經燒結壓塊；以及 在該經燒結壓塊外表面上形成電極。 -24-