TW495530B - Inorganic filler and epoxy resin composition for semiconductor devices - Google Patents
Inorganic filler and epoxy resin composition for semiconductor devices Download PDFInfo
- Publication number
- TW495530B TW495530B TW086112406A TW86112406A TW495530B TW 495530 B TW495530 B TW 495530B TW 086112406 A TW086112406 A TW 086112406A TW 86112406 A TW86112406 A TW 86112406A TW 495530 B TW495530 B TW 495530B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- particle size
- inorganic filler
- epoxy resin
- resin composition
- microns
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
- C08K7/16—Solid spheres
- C08K7/18—Solid spheres inorganic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
- C09C1/00—Treatment of specific inorganic materials other than fibrous fillers; Preparation of carbon black
- C09C1/28—Compounds of silicon
- C09C1/30—Silicic acid
- C09C1/3009—Physical treatment, e.g. grinding; treatment with ultrasonic vibrations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09C—TREATMENT OF INORGANIC MATERIALS, OTHER THAN FIBROUS FILLERS, TO ENHANCE THEIR PIGMENTING OR FILLING PROPERTIES ; PREPARATION OF CARBON BLACK ; PREPARATION OF INORGANIC MATERIALS WHICH ARE NO SINGLE CHEMICAL COMPOUNDS AND WHICH ARE MAINLY USED AS PIGMENTS OR FILLERS
- C09C3/00—Treatment in general of inorganic materials, other than fibrous fillers, to enhance their pigmenting or filling properties
- C09C3/04—Physical treatment, e.g. grinding, treatment with ultrasonic vibrations
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/12—Surface area
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/22—Rheological behaviour as dispersion, e.g. viscosity, sedimentation stability
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/80—Compositional purity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12528—Semiconductor component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
495530 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(彳) Μ背景 發明範園 本發明係關於一種新穎的無機塡充劑,其可大量添加 在通常是環氧樹脂組成物的樹脂組成物中而不會增加黏性 ,因此提供具有足以模塑的低熔化黏性之樹脂組成物,本 發明也關於一種添加無機塡充劑的環氧樹脂組成物及一種 用此組成物的固化產物包封的半導體裝置。 先前技藝 用於包封半導體裝置的先前環氧樹脂組成物通常含低 於80重量%的無機塡充劑,爲了改進抗逆流銲接性,最近 形成的主流技藝是用低黏性的樹脂作爲主要成份並在樹脂 中摻混大量的無機塡充劑以降低吸水率,當使用傳統習知 的連續性捏合機製造含非常少量樹脂成份的高度添加樹脂 組成物時,所得的組成物有很高的黏性及不良的模塑性, 因爲塡充劑與樹脂的潤濕度不足。 關於這一點,我們發現當使用含大量比表面積大於10 平方米/克且粒子大小低於2微米且特別是低於0.5微米之 塡充劑成份的無機塡充劑時,可實質降低模塑性,而且, 當使用習知的方法製造塡充劑時,次微米粒子(粒子大小低 於1微米)的含量在批號間有些許的變化,於是模塑性決定 於特定批號的塡充劑,此不方便的問題可經由重新設計連 續性捏合機的螺旋或延長捏合的時間而克服,不幸的是, (請先閲#背面之注意事項再填寫本頁) 訂 J· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X 297公釐) -4- 495530 A 7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(2 ) 這些方式的生產性低且增加成本。 因此需要克服關於大量添加無機塡充劑的問題。 置明槪述 本發明之目的是提供一種無機塡充劑,其可大量添加 在樹脂組成物中且同時保持足以模塑的低熔化黏性,本發 明之另一目的是提供一種添加大量此無機塡充劑之環氧樹 脂組成物,本發明之再一目的是提供一種用此環氧樹脂組 成物包封的半導體裝置。 我們發現經由分粒法或濕篩法從起始無機塡充劑粒子 中移除一部分粒子大小低於2微米的微細粒子,並隨後加 入控制粒子大小、粒子大小分佈及比表面積的微細粒子, 可以得到微粒無機塡充劑,其可摻混液體或固體粉末樹脂 通常是環氧樹脂而形成具有穩定流動性質及改進的模塑性 之樹脂組成物。 更特定地說,包封的樹脂組成物之流動性質大幅影響 新型薄裝置及多接線大型裝置的模塑性,對於作爲包封物 的樹脂組成物,爲了尋求在塡充性改進及低吸水率的折衷 方案,目前採行的方法是摻混含平均粒子大小低於1微米 且尤其是低於0.5微米的大量次微米塡充劑成份之球形塡 充劑,製造此種球形塡充劑通常是將氧化矽粉碎成微細粉 末並在火燄中將粉末熔化成球形粒子,用此方法,很難控 制平均粒子大小低於2微米尤其是低於0.5微米的微細球形 塡充劑含量,且其含量經常隨著不同批號而變化,而且製 丨^-------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T .1· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -5- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 495530 A7 ______B7 五、發明説明(3 ) 造情形不可捉摸的變化導致低於2微米的微細球形塡充劑 部份之粒子大小分佈不同,此種微細塡充劑部份的變化可 大幅影響添加此種塡充劑的環氧樹脂組成物之流動及模塑 性質,在此情形下爲了達到改進,我們發現經由從起始無 機塡充劑中移除一部分粒子大小低於2微米且有較大比表 面積的微細粒子,並在其中加入平均粒子大小爲0.1-2微 米且比表面積爲3-10平方米/克的控制微細粒子,可得到 獨特的無機塡充劑,使用此微細的無機塡充劑,可以得到 沒有上述問題的樹脂組成物,通嘗試環氧樹脂組成物。 根據本發明之第一個方面,可提供平均粒子大小爲5 至40微米的微細無機塡充劑,其係得自經由從平均粒子大 小爲10至50微米的無機塡充劑粒子中移除一部分粒子大 小低於2微米的微細粒子,並在其中加入平均粒子大小爲 0.1至2微米且經由氮吸附BET法測量比表面積爲3至10 平方米/克的粒子,較宜將1至30重量組份平均粒子大小 爲0.1至2微米且比表面積爲3至10平方米/克的粒子添加 至100重量組份從其中移除一部分微細粒子之的無機塡充 劑粒子。 在第二個方面,本發明提供一種含環氧樹脂、固化劑 、及根據上述的無機塡充劑之環氧樹脂組成物。 同時也包含在本發明的是用上述的環氧樹脂組成物之 固化產物包封的半導體裝置。 發明之詳細敘述 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210'〆297公釐) -6 - ---·---^----衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 J· 495530 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4 ) 簡要地說,根據本發明之微細無機塡充劑係得自經由 從無機塡充劑粒子中移除粒子大小低於2微米的微細粒子 ,並代替加入平均粒子大小爲0.1至2微米且比表面積爲3 至10平方米/克的粒子。 起始無機塡充劑的平均粒子大小必須是10至50微米, 較宜是10至40微米,如果平均粒子大小低於10微米,其 表示塡充劑的粒子大小過低,添加大量塡充劑的環氧樹脂 組成物將變成黏性過高而不適於模塑,如果平均粒子大小 高於50微米,固化的產物將變成強度太低,起始無機塡充 劑所含的微細粒子之粒子大小低於2微米,起始無機塡充 劑中適宜含0.5至25重量%且尤其是0.5至15重量%粒子大 小低於2微米的微細粒子,因爲微細粒子的移除簡易且便 宜,而且,起始無機塡充劑根據氮吸附BET法測量較宜有 0.5至4平方米/克且尤其是0.5至3平方米/克的比表面積。 在本發明之第一個方面,是將原先包含在起始無機塡 充劑中一部分粒子大小低於2微米的微細粒子移除。 微細粒子的移除可在塡充劑的製造過程中,使起始塡 充劑通過分粒器例如旋風器或濕篩網,移除的粒子爲粒子 大小低於2微米且尤其是低於0.1微米且比表面積大於50 平方米/克的微細粒子,在起始無機塡充劑中微細粒子的含 量隨著塡充劑的不同製造批號而變化,因爲微細粒子有較 大的比表面積,微細粒子含量的些微變化可大幅影響模塑 性質,因此爲了提供穩定的模塑性質,控制此微細粒子的 含量非常重要。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Γ 495530 A7 B7 五、發明説明(5 ) 在本發明之第二個方面,將控制的微細粒子添加至從 其中移除一部分粒子大小低於2微米的微細粒子之無機塡 充劑,因而產生微細的無機塡充劑,其可大量添加至樹脂 組成物中並提供具有穩定模塑性質之組成物。 此控制的微細粒子之平均粒子大小必須爲0.1至2微米 ,較宜爲0.3至2微米,更宜爲0.5至1.5微米,且根據氮 吸附BET法測量的表面積必須爲3至10平方米/克,較宜 爲4至7平方米/克,這種控制的微細粒子可商業化供應爲 平均粒子大小是0.3至2微米且比表面積是3至10平方米/ 克的球形氧化矽及氧化鋁塡充劑,例如從Admatechs K.K. 供應的商品名稱S025及S032,也可使用經由溶膠法製備 並具有類似特性的球形微細粒子,一種可添加的塡充劑實 例可經由在火燄中燃燒金屬氧化矽而氧化的方法製備,此 方法使得粒子大小分佈及比表面積可以很容易地控制。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 添加控制的微細粒子導致具有平均粒子大小爲5至40 微米且尤其是10至35微米之微細無機塡充劑,如果平均 粒子大小低於5微米,此種塡充劑將增加添加此塡充劑的 樹脂組成物之黏性,所以無法添加大量的塡充劑,平均粒 子大小高於40微米表示大量的粗粒子可導致閘門阻塞,無 機塡充劑的最大粒子大小較宜低於74微米,尤其是低於50 微米。 據此,將平均粒子大小爲0· 1至2微米且比表面積爲3 至10平方米/克的控制微細粒子添加至無機塡充劑粒子(在 此將其中低於2微米的原先微細粒子移除)的添加量是使無 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' 495530 A7 _ B7 五、發明説明(6 ) 機塡充劑具有上述範圍的平均粒子大小,較宜將1至30重 量%且尤其是5至25重量%的控制微細粒子添加至100重量 %從其中移除原先微細粒子的無機塡充劑粒子,如果控制 微細粒子的量低於1組份,微細粉末的量將太少所以模塑 性可能發生鑿紋及縫脊,如果控制微細粒子的量高於30組 份,微細粉末的量將太多所以樹脂組成物可能有太高的黏 性。 從低黏性及模塑性的觀點,本發明的無機塡充劑根據 氮吸附BET法的測量,比表面積較宜爲0.5至3平方米/克 ,更宜爲0.7至2平方米/克,因爲添加此的樹脂組成物不 會如此觸變性。 本發明的無機塡充劑實質上不含會大幅影響流動性質 的粒子大小低於0.1微米之微細粒子,換句話說,本發明 的無機塡充劑有較狹窄的粒子大小分佈。 必須註明的是平均粒子大小及粒子大小分佈是經由雷 射繞射粒子大小分佈儀例如由CILAS ALCATEL (法國)製 造的Granulometer 920之測量値(例如重量平均値)。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明的無機塡充劑型態並無嚴格限制,可根據 所要的應用而適當地選擇,例如可以使用融熔的氧化矽、 結晶態的氧化矽、氧化鋁、一氮化硼、氮化鋁、氮化矽、 氧化鎂及矽酸鎂,當半導體元件產生大量的熱釋出時,需 要使用具有較大熱傳導性及較低熱膨脹係數的塡充劑例如 氧化鋁、氮化硼、氮化鋁及氮化矽,這些可與熔的氧化砂 摻混,無機塡充劑的形狀並無嚴格限制,片狀、樹枝狀及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -9 - 495530 A7 B7 五、發明説明(7 ) 球形的塡充劑可單獨或以二或多種的混合物使用,使用前 塡充劑的表面較宜用矽烷偶合劑及鈦偶合劑處理。 本發明的無機塡充劑可摻混至多種樹脂組成物中,例 如環氧樹脂組成物、矽酮樹脂組成物、及酚醛樹脂組成物 ,尤其是烷氧樹脂組成物供包封半導體裝置。 現在敘述此無機塡充劑的應用,根據本發明之環氧樹 脂組成物含環氧樹脂、固化劑、及無機塡充劑作爲必要的 成份。 本文中使用的環氧樹脂可選自在分子中含至少兩個環 氧基的先前技藝習知之環氧樹脂,例如雙酚A型環氧樹脂 、雙酚F型環氧樹脂、可溶酚醛型環氧樹脂、甲酚可溶型 酚醛環氧樹脂、萘型環氧樹脂、聯苯基型環氧樹脂、酚芳 烷基型環氧樹脂及環戊二烯型環氧樹脂,這些環氧樹脂中 較宜爲萘型環氧樹脂、聯苯基型環氧樹脂、及含下列結構 式之一代表的液體結晶結構之環氧樹脂。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 H3Cv CR CH3 H3C. CHn
f 文◦少 R R,人 R
F. R
E R 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) _ _ 495530 A 7 ______B7五、發明説明(8 ) R爲氫或含1至4個碳原子之烷基,例如甲基、乙基、丙 基、異丙基、丁基、異丁基、及第三丁基,且字母η爲0 至5的整數。 這些環氧樹脂的整體氯含量必須較宜低於1,500 ppm, 更宜低於1,000 ppm,且在120°C下測量50重量%濃度的環 氧樹脂20小時,水可萃取的氯含量低於5 ppm,如果整個 氯含量大於1,500 ppm及/或水可萃取的氯含量大於5 ppm ,用此環氧樹脂包封的半導體裝置對濕度的信賴度較低。 固化劑可選自傳統習知供環氧樹脂作爲固化劑使用的 化合物,例如酚化合物、胺化合物及酸酐化合物,尤其是 可使用分子中含至少兩個酚醛羥基的酚醛樹脂,酚醛樹脂 的實例爲可溶性酚醛樹脂、甲酚可溶性酚醛樹脂、酚芳烷 基樹脂、萘型酚醛樹脂、環戊二烯型酚醛樹脂、及下列結 構的含酚醛羥基的酚醛樹脂: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
其中R爲氫或含1至4個碳原子之烷基,例如甲基、乙基 、丙基、異丙基、丁基、異丁基、及第三丁基,且字母η 爲0至5的整數。 類似於環氧樹脂,酚醛樹脂的氯及鈉離子含量在1 20 。(:萃取時,必須較宜低於1〇 PPm,尤其是低於5 ppm。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -11 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 495530 A7 B7 五、發明説明(9 ) 環氧樹脂及酚醛樹脂的混合量,較宜使每莫耳的環氧 基有〇·5至1.6莫耳且尤其是〇.6至1.4莫耳的酚醛羥基,每 莫耳的環氧基少於0.5莫耳的酚醛羥基表示缺乏羥基,此 可導致較大量的環氧基共聚和反應,因此有較低的玻璃轉 化溫度,每莫耳的環氧基高於16莫耳的酚醛羥基表示較 大量的酚醛羥基,其可導致較低的反應性、較低的交聯密 度及強度不足。 在本發明的環氧樹脂組成物中,可摻混固化促進劑, 此固化促進劑可選自磷化合物、咪唑衍生物、及環脒衍生 物,每100重量組份的環氧樹脂及酚醛樹脂混合物中,固 化促進劑的量較宜爲0.01至10重量組份。 在本發明的環氧樹脂組成物中使用的塡充劑爲根據本 發明上述定義之微細無機塡充劑,整份組成物中無機塡充 劑的摻混量較宜爲約70至90重量%且尤其是約80至90重 量%,換句話說,每1 00重量組份的環氧樹脂及固化劑混 合物中,無機塡充劑的量較宜爲約250至900重量組份, 超出此範圍,含較少量的無機塡充劑之環氧樹脂組成物有 相對較高的膨脹係數及較高的吸水率,使得高溫下在基板 上安裝之逆流銲接時,有裝置裂化的風險,含過量無機塡 充劑的環氧樹脂組成物將變成黏性太高而不適於模塑,每 100重量組份的環氧樹脂及固化劑混合物中,需要摻混約 500至850重量組份的無機塡充劑。 爲了使具有觸變性,可在環氧樹脂組成物中加入超微 細的氧化砂例如氣旋膠。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) •12- (請先閱讀背面之注意事項'再填寫本頁) 訂 J·. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 495530 A7 B7 五、發明説明(1〇 ) 而且,傳統習知的粉末例如矽酮橡膠及膠、改良的矽 酮I環氧樹脂、改良的矽酮酚醛樹脂、及熱塑性樹脂例如甲 基丙烯酸甲酯-丁二烯-苯乙烯共聚物可摻混在環氧樹脂組 成物中作爲應力降低劑。 同樣地,可添加傳統習知的具有環氧或酚醛羥基的稀 釋劑供降低黏性,稀釋劑的實例包括正丁基縮水甘油醚、 苯基縮水甘油醚、苯乙烯氧化物、第三丁基-苯基縮水甘油 醚、二環戊二烯二過氧化物、酚、甲酚、及第三丁基酚。 另外必要時還可加入偶合劑例如矽烷偶合劑、鈦偶合 劑、及鋁偶合劑、色素例如碳黑、及濕度調節劑及抗泡沬 劑例如非離子性的表面活性劑、氟化的表面活性劑及砂酮 液。 關於製造方法,製備液體環氧樹脂組成物可經由在攪 拌混合器例如Shinagawa混合器內充分捏合上述成份,捏 合溫度適宜爲20至50 °C ;製備粉末環氧樹脂組成物可在 高速混合器中均勻地混合上述的成份並在雙輥硏磨機或連 續性捏合機中充分捏合混合物,捏合溫度適宜爲50至110 °C,捏合後,將組成物薄片化、冷卻並粉碎。 本發明之樹脂組成物可作爲一般目的之模塑原料使用 ,尤其是半導體包封原料,本文中使用的模塑技術包括傳 遞模塑、陶器製造、及安裝晶片夾的底部充塡,傳遞模塑 的固化溫度爲150至180 t,陶器製造及底部充塡的固化 溫度爲80至170 °C,且逐步梯度固化的溫度約1〇〇 °C且適 宜爲約150 t:。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) .13 - --.1---^----衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、訂 495530 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(n ) 多種半導體裝置可用根據本發明之環氧樹脂組成物包 封,尤其是適宜包封不連續的裝置、ic及高積體裝置例 如大型積體電路及超大型積體電路。 頃經揭示一種微細的無機塡充劑,其可大量添加在樹 脂組成物中,通常是環氧樹脂組成物,使得樹脂組成物具 有足夠模塑的低熔化黏性,添加此無機塡充劑的環氧樹脂 組成物可用於包封半導體裝置而不會造成模墊變形及線路 變形,用此環氧樹脂組成物包封的半導體裝置於是保有高 度的信賴度。 實例 下列本發明的實例是供說明使用而不能以任何方式作 爲限制,全部的組份以重量表示。 實例1:製備氧化矽 將平均粒子大小爲30.2微米且比表面積爲1.7平方米/ 克的球形氧化矽用水進行濕式分粒,移除微細粉末狀的氧 化矽部份,在94重量%的產率下得到平均粒子大小爲32.1 微米且比表面積爲0.8平方米/克的球形氧化矽(A),此表示 起始的球形氧化矽之平均粒子大小爲30.2微米其中6重量 %的粒子之粒子大小爲2微米或更低,移除的微細粉末狀 氧化矽部份(B)之平均粒子大小爲1.5微米且比表面積爲15 平方米/克,如下所示將6重量%的微細球形氧化矽添加至 球形氧化矽(A),得到球形氧化矽樣品,爲了比較之目的, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 14- ---------衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、?! 495530 A7 B7 五、發明説明(12 ) 同時也將6重量%的微細粉末狀氧化矽部份(B)添加至球形 氧化矽(A)而製備球形氧化矽樣品,如此所得氧化矽樣品的 特性列在表1。 微細球形氧化矽: 商品名稱 比表面積(平方米/平均粒子大小(微米 克) ) S025R 6.9 0.5 S025H 4.8 0.6 S032R 3.4 1.7 SOC1 26.2 0.2 全部可得自Admatechs K.K. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 •15· 本紙張尺度適用中國國家標準(cns )A4規格(210x297公釐) 495530 A7 B7 五、發明説明(13 ) 表1 球形氧 S025R S025H S032R S0C1 微細粉末 平均粒 比表面 氧化矽 化矽A (%) (%) (%) (%) 狀氧化矽 子大小 積(平方 樣品編 (%) B(%) (微米) 米/克) 號 94 6 - - - - 30.2 1.1 1 實例 94 - 6 - - - 30.1 1.0 2 實例 94 - - 6 - - 30.3 0.9 3 實例 94 - - - 6 - 30.2 2.3 4 實例 比較 94 - - - - 6 29.5 1.7 5 賓例 比較 90 - 10 - - - 29.0 1.2 6 實例 92 - 4 - - 4 28.3 1.5 7 實例 比較 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 實例2-5&實例比較1-3 分別秤重300克實例1製備的七種氧化矽樣品及分粒前 的起始氧化矽、1〇〇克環氧樹脂Epikote 807 (環氧當量爲 168且在25 °C的黏性爲38泊的雙酚F型環氧樹脂,得自 Shell Chemical Co.)、及1.2克2-苯基咪唑作爲固化劑,並 在30 °C的真空下充分將其捏合30分鐘,製備環氧樹脂組 成物,捏合結束後,使用E型黏度計在0.6秒“及10秒〃的 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 495530
7 B 五、發明説明(14 ) 切變速率及在25 °C下測量組成物的黏性,其結果列在表2 〇 在80 °C下,使每種環氧樹脂組成物在含塑膠並連接 450金線的晶片載體(PLCC)上陶製,在110 t下固化1小時 ,然後在150 °C再度固化4小時,用超音波裂口偵測器檢 查是否存在有內部孔洞而評定PLCC的包封,從結果明顯 可看出添加本發明塡充劑的環氧樹脂組成物在0.6秒-1及 10秒^的切變速率間有較低的黏性差異,並達成較有效的 包封。 :---蝼II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 表2 氧化矽樣品 編號 黏性@ 0 . 6 秒―1 (毫泊·秒) 黏性@10 秒-1 (毫泊·秒) 包封,內部 孔洞 E2 1 275000 164000 4πτ. m E3 2 220000 161000 無 E4 3 300000 117000 無 E5 6 230000 102000 無 CE1 4 415000 163000 存在 CE2 5 457000 216000 存在 CE3 7 405000 206000 存在 訂 實例6·8&實例比較4-5 秤重42.6克聯苯基型環氧樹脂ΥΧ4000ΗΚ (得自Yuka -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 495530 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(15 )
Shell Κ·Κ·)、46·8 克酚芳烷基樹脂 Mylex-3L (Mitsui Toatsu Chemical Κ·Κ.)、6克三氧化銻、4·2克溴化酚醛環氧樹脂 BREN-S (Nihon Kayaku Κ·Κ·)、 2·6 克加洛巴蠘、1.3 克三 苯基膦、及所示量(參見表3)的氧化矽樣品編號1、 2、 4 或5,在Henschel混合機中混合成份,製備環氧樹脂組成 物,混合物進一步在連續性捏合機中捏合,用下列測試檢 驗組成物。 添力口量 每100組份環氧乙烷及固化劑混合物中塡充劑的量(組 份)。 螺旋流動 在溫度爲175 °C且壓力爲70公斤/平方公分下,經由傳 遞模塑環氧樹脂組成物而測量螺旋流動。 凝膠時間 在1 7 5 °C的加熱板上加熱環氧樹脂組成物直到組成物 膠化。 熔化黏性 使用噴嘴直徑爲1毫米的Kouka型流動測試計,在溫 度爲175 °C且壓力爲10公斤下測量黏性。 ---^---^----^^衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) · 18 - 495530 A 7 B7 五、發明説明(16 ) 西_都及外部孔洞 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在溫度爲175 °C且壓力爲70公斤/平方公分下,在方形 扁平裝置(QFP,5個樣品)上傳遞模塑環氧樹脂組成物,使 用超音波裂口偵測器計算內部孔洞的數目,經由目視觀測 計算外部孔洞的數目,孔洞的數目爲五個樣品內部或外部 孔洞之總數。 模墊變形 在溫度爲175t且壓力爲70公斤/平方公分下,在qfp 上傳遞模塑環氧樹脂組成物,將裝置分段測試是否有模墊 變形。 線路變形 在溫度爲175 °C且壓力爲70公斤/平方公分下,在含 金線的QFP上傳遞模塑環氧樹脂組成物,用軟χ_光分析儀 觀察裝置以檢驗金線是否變形。 測試結果列在表3。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -19· 本紙張又度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 495530 五、發明説明(π ) —^ E6 E7 E8 CE4 CE5 編號1 編5虎2 編號2 編號4 編號5 遂迦量 750 750 850 750 750 螺旋流動 (^) 115 118 96 102 98 凝膠時間 (秒) ---^ 22 21 21 22 23 熔化黏性 (泊) 105 98 145 150 180 內部孔洞 數(個) 0 0 0 8 11 外部孔洞 數(個) 0 0 0 3 2 模墊變形 >frrr. 1 If Γ j\\\ Μ Μ 有 有 線路變形 /frrr· ΤτΠΤ J\\\ /friT- m ifnr 那 有 有 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 雖然頃經揭示數個較佳具體實施例,根據上列的敘述 可進行許多改良及變化,因此當然在下列專利申請範圍內 本發明可用上列揭示之外的方式進行。 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 495530 22. U 9 A η I修 ABCD 六、申請專利磁® 附件:1 (A) 第86 1 1 2406號專利申請案 .中文申請專利範圍修正本 民國91年2月修正 1 · 一種供半導體裝置用之微粒狀無機塡充劑,其平 均粒子大小爲5至40微米及根據氮吸附B E T法測得的 比表面積爲0 · 5至3m2/g,該微細無.塡充劑係經 V 由自平均粒子大小爲1 0至5 0微米的無機塡充劑中移除一 部分粒子大小低於2微米的微細粒子,將1至3 0重量份 之平均粒子大小爲〇·1至2微米且根據氮吸附BET法測 量比表面積爲3至1 0平方米/克的粒子添加至1 〇 〇重量 份之該部份微細粒子已經除去之無機塡充劑粒子。 2 · —種供半導體裝置用之環氧樹脂組成物,其含環 氧樹脂、固化劑、及無機塡充劑,其中該無機塡充劑係如 申請專利範圍第1項所定義,且其量佔全部組成物之7 〇 至9 0重量%。 3 ·如申請專利範圍第1項之無機塡充劑,其係用於製 備供包封半導體裝置之環氧樹脂組成物。 ---------- 4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家襟準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24702596A JP3611066B2 (ja) | 1996-08-29 | 1996-08-29 | 無機質充填剤及びエポキシ樹脂組成物の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW495530B true TW495530B (en) | 2002-07-21 |
Family
ID=17157294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW086112406A TW495530B (en) | 1996-08-29 | 1997-08-28 | Inorganic filler and epoxy resin composition for semiconductor devices |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5935314A (zh) |
EP (1) | EP0829455B1 (zh) |
JP (1) | JP3611066B2 (zh) |
KR (1) | KR100255340B1 (zh) |
CN (1) | CN1080746C (zh) |
DE (1) | DE69727869T2 (zh) |
MY (2) | MY124820A (zh) |
SG (1) | SG55369A1 (zh) |
TW (1) | TW495530B (zh) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1113083C (zh) * | 1998-06-09 | 2003-07-02 | 日东电工株式会社 | 半导体封装用环氧树脂组合物及使用了该组合物的半导体器件 |
JP3334864B2 (ja) * | 1998-11-19 | 2002-10-15 | 松下電器産業株式会社 | 電子装置 |
EP1203792A4 (en) * | 1999-02-25 | 2002-05-29 | Nitto Denko Corp | RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR ENCLOSURE, SEMICONDUCTOR COMPONENT OBTAINED therefrom, AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
US6201055B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-03-13 | Dow Corning Corporation | Silicone composition and silicone pressure sensitive adhesive |
JP3417354B2 (ja) | 1999-08-19 | 2003-06-16 | ソニーケミカル株式会社 | 接着材料及び回路接続方法 |
US6500891B1 (en) | 2000-05-19 | 2002-12-31 | Loctite Corporation | Low viscosity thermally conductive compositions containing spherical thermally conductive particles |
JP2001329145A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
JP4438973B2 (ja) * | 2000-05-23 | 2010-03-24 | アムコア テクノロジー,インコーポレイテッド | シート状樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
US6737467B1 (en) * | 2000-11-21 | 2004-05-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low gloss powder coatings |
DE10137666A1 (de) * | 2001-08-01 | 2003-02-27 | Infineon Technologies Ag | Schutzvorrichtung für Baugruppen und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE60334295D1 (de) * | 2002-05-23 | 2010-11-04 | 3M Innovative Properties Co | Elektronische baugruppe und verfahren zur herstellung einer elektronischen baugruppe |
TWI281924B (en) * | 2003-04-07 | 2007-06-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Epoxy resin molding material for sealing use and semiconductor device |
DE602004002623T2 (de) * | 2003-07-17 | 2007-01-18 | Nitto Denko Corporation, Ibaraki | Verfahren zur Herstellung eines Harzverkapselungsscheibchens für Halbleiter |
CA2605209C (en) * | 2005-04-19 | 2013-10-22 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Metal base circuit board, light-emitting diode and led light source unit |
US20070134844A1 (en) * | 2005-12-13 | 2007-06-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Process for producing flip-chip type semiconductor device and semiconductor device produced by the process |
KR101148140B1 (ko) | 2007-12-24 | 2012-05-23 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 |
KR101202042B1 (ko) | 2008-12-17 | 2012-11-16 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 |
US8828806B2 (en) * | 2009-06-01 | 2014-09-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Dam composition for use with multilayer semiconductor package underfill material, and fabrication of multilayer semiconductor package using the same |
TWI432477B (zh) * | 2010-08-18 | 2014-04-01 | Benq Materials Corp | 環氧樹脂組成物 |
EP2693476A4 (en) * | 2011-03-31 | 2014-10-15 | Mitsubishi Chem Corp | LAMINATED THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT AND INTERLAYER LOAD MATERIAL FOR INTEGRATED LAMINATED THREE-DIMENSIONAL CIRCUIT |
CN104497490B (zh) * | 2014-12-22 | 2017-08-25 | 科化新材料泰州有限公司 | 用于全包封器件的高导热环氧树脂组合物及其制备方法 |
CN104788911B (zh) * | 2015-04-29 | 2017-10-31 | 华中科技大学 | 一种环氧树脂复合材料、其制备方法及应用 |
WO2017188280A1 (ja) | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素共重合体組成物、その製造方法、および成形体 |
JP2018104649A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 日東電工株式会社 | 樹脂シート |
JP6292334B1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-03-14 | 日立化成株式会社 | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 |
JP6288344B1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-03-07 | 日立化成株式会社 | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 |
MY177304A (en) * | 2017-03-31 | 2020-09-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | Protective material for electronic circuit, sealing material for protective material for electronic circuit, sealing method, and method for manufacturing semiconductor device |
KR102359057B1 (ko) * | 2017-07-31 | 2022-02-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 열전 소자 |
JP6547818B2 (ja) * | 2017-12-14 | 2019-07-24 | 日立化成株式会社 | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 |
JP6930555B2 (ja) * | 2017-12-14 | 2021-09-01 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 |
JP6547819B2 (ja) * | 2017-12-14 | 2019-07-24 | 日立化成株式会社 | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 |
JP6870706B2 (ja) * | 2019-06-27 | 2021-05-12 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 電子回路用保護材、電子回路用保護材用封止材、封止方法及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3862090A (en) | 1971-06-28 | 1975-01-21 | Celanese Corp | Process for producing oxymethylene copolymers |
US3862030A (en) * | 1972-12-13 | 1975-01-21 | Amerace Esna Corp | Microporous sub-micron filter media |
JPS6132446A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPS62243630A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-10-24 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 無機質充填剤 |
JPH0645740B2 (ja) * | 1989-03-01 | 1994-06-15 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
US5137940A (en) * | 1989-02-09 | 1992-08-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Semiconductor encapsulating epoxy resin compositions |
JPH02261856A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-24 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止形半導体装置 |
JP2864584B2 (ja) * | 1989-12-05 | 1999-03-03 | 日立化成工業株式会社 | 半導体用エポキシ樹脂組成物および半導体装置の製造法 |
JPH06102715B2 (ja) * | 1990-08-14 | 1994-12-14 | 信越化学工業株式会社 | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
JP2668289B2 (ja) * | 1991-01-25 | 1997-10-27 | ソマール 株式会社 | 粉体塗料用エポキシ樹脂組成物 |
DE4204266C2 (de) * | 1992-02-13 | 1996-04-18 | Basf Lacke & Farben | Pulverlack und Verfahren zur Innenbeschichtung von Verpackungsbehältern |
JPH05239321A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-17 | Toshiba Chem Corp | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
US5630554A (en) * | 1995-02-21 | 1997-05-20 | Dowa Mining Co., Ltd. | Method of separating and recovering valuable metals and non-metals from composite materials |
DE69722106T2 (de) * | 1996-08-29 | 2004-04-01 | Mitsubishi Denki K.K. | Epoxidharzzusammensetzung und damit eingekapselte Halbleiteranordnungen |
-
1996
- 1996-08-29 JP JP24702596A patent/JP3611066B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-08-25 DE DE69727869T patent/DE69727869T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-25 EP EP97114664A patent/EP0829455B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-27 MY MYPI20012743 patent/MY124820A/en unknown
- 1997-08-27 MY MYPI97003951A patent/MY121624A/en unknown
- 1997-08-28 TW TW086112406A patent/TW495530B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-08-28 CN CN97119275A patent/CN1080746C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-28 US US08/919,344 patent/US5935314A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-08-29 KR KR1019970042521A patent/KR100255340B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-08-29 SG SG1997003167A patent/SG55369A1/en unknown
-
1999
- 1999-06-07 US US09/326,588 patent/US6207296B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0829455A3 (en) | 1998-11-18 |
DE69727869D1 (de) | 2004-04-08 |
KR19980019141A (ko) | 1998-06-05 |
MY124820A (en) | 2006-07-31 |
US6207296B1 (en) | 2001-03-27 |
JP3611066B2 (ja) | 2005-01-19 |
KR100255340B1 (ko) | 2000-05-01 |
SG55369A1 (en) | 1998-12-21 |
CN1080746C (zh) | 2002-03-13 |
EP0829455A2 (en) | 1998-03-18 |
US5935314A (en) | 1999-08-10 |
EP0829455B1 (en) | 2004-03-03 |
CN1176276A (zh) | 1998-03-18 |
DE69727869T2 (de) | 2005-02-03 |
MY121624A (en) | 2006-02-28 |
JPH1067883A (ja) | 1998-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW495530B (en) | Inorganic filler and epoxy resin composition for semiconductor devices | |
TW474968B (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device encapsulated therewith | |
JP3821173B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JPS58138740A (ja) | 樹脂組成物 | |
JP3800277B2 (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH10120878A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2000063636A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH10173103A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
JPH0366151A (ja) | 半導体装置 | |
JP2000169671A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP5275697B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物およびその製造方法 | |
JPH10204257A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH0841294A (ja) | 絶縁性樹脂ペースト及び半導体装置 | |
JPH08311159A (ja) | エポキシ樹脂組成物、その製造方法及びそれを用いた半導体装置 | |
JP2690795B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JP2002284859A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2864415B2 (ja) | 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置 | |
JP2587043B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH10182947A (ja) | 封止材用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 | |
JP3239970B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH10130469A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
JPH0794641A (ja) | 半導体装置 | |
JP2572782B2 (ja) | 半導体封止用充填剤 | |
JPH11106608A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
JPH0326717A (ja) | エポキシ樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |