TW491751B - Grinding wheel - Google Patents

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491751 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明領域 本發明有關一麗特別適用於硏磨半導體晶圓之一側面 、但未受限於此之磨輪。 先前技藝之敘述 如熟諳此技藝者所熟知，於半導體裝置之生產中，進 行單側硏磨以將半導體晶圓之一側面硏磨至一預定厚度。 一具有平坦夾持表面之卡盤平台及一具有旋轉軸並與該平 台呈相向配置之砂輪係用於硏磨操作。該半導體晶圓係以 暴露欲硏磨側面之方式夾持在該卡盤平台上（因此另一側 係緊密接觸該卡盤平台），及一磨輪係附著至該旋轉軸之_ 端點。該磨輪包含一環狀基座及一安裝在該基座下方表面 之磨石機構。該磨石機構大致上係由以弧形樣式延伸於周 圍方向及在該周圍方向中彼此隔開之複數磨石所構成。複 數冷卻劑流動孔洞係於該周圍方向中以預定間隔形成在該 基座內。該冷卻劑流動孔洞由該頂部至該底部延伸貫穿該 基座，及其下方端點係於安裝在該基座下方表面之磨石機 構之徑向中位於該內側上。該卡盤平台係在相當低速（譬 如100至300轉/分）下轉動，及該旋轉軸與附著至該旋 轉軸之磨輪係在一相當高之速度（譬如4,000至5,000轉/ 分）下旋轉。該磨輪之磨石機構係按抵住半導體晶圓之一 側面及向前移動，藉以實現半導體晶圓之一側面之硏磨。 於硏磨期間，諸如純水之冷卻劑係經過該旋轉軸中所形成 之冷卻劑流動通道供給進入該磨輪之冷卻劑流動孔洞，以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .裝---- 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ·111 —ϋ.—· 1 、 n···— emmeaim ^ϋϋ i 線 -4- 491751 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（2 ) 由該冷卻劑流動孔洞流出，該孔洞係通至該基座下方表面 〇 由本發明之發明家之經驗，已發現硏磨中使用上面所 述之習知磨輪，所供給之冷卻劑未能充分有效地用於冷卻 該磨輪之磨石機構及一欲硏磨物體之欲硏磨表面，亦即半 導體晶圓具有下列之結果：其硏磨效率總是未必高至令人 滿意，且該磨輪之磨石機構之磨耗係相當大。 發明槪要 本發明之一主要目標係藉著改良該磨輪充分有效地利 用所供給之冷卻劑，以冷卻該磨輪及欲硏磨物體。 當本發明之發明家硏究使用習知磨輪之硏磨操作時， .已認知相當可觀之冷卻劑數量向外流至一徑向中未能被充 分利用，以冷卻該磨石機構及欲硏磨物體，這是因爲該磨 輪之極高轉速。基於上面之認知，吾人已發現藉著改良該 磨輪基座之形狀能達成上面之主要目標，更特別地是於該 基座之內側表面（內圓周表面）形成一於徑向中通至內部之 冷卻劑池槽，以致暫時地防止供給至該磨輪基座之冷卻劑 於徑向中朝外流動，造成溢出朝向該磨石機構及欲硏磨物 體。 換句話說，根據本發明提供一種磨輪，其包括一環狀 基座及一安裝在該基座下方表面之磨石機構，其中 一於徑向中通至內部之冷卻劑池槽係形成在該基座之 內側表面中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) #Ί -項再填· 裝- 訂 491751 A7 B7_五、發明説明（3 ) 於本發明之一較佳具體實施例中，該冷卻劑池槽在圓 周方向中連續地延伸。該冷卻劑池槽係界定於在徑向中往 下朝外傾斜之上傾斜表面及一突出表面之間，該突出表面 實質上在該上傾斜表面之下於該徑向中水平及朝外延伸。 由基座之頂部表面與該冷卻劑池槽.相通之複數連通刻槽或 連通孔係以預定間隔形成在該圓周方向中。該基座在該突 出表面之下於徑向中具有一往下朝外傾斜之下傾斜表面。 由該冷卻劑池槽延伸至該磨石機構之複數冷卻劑引導.溝槽 較佳地係於該圓周方向中以預定間隔形成在基座之內側表 面及下方表面。該冷卻劑引導溝槽較佳地係由該冷卻劑池 槽延伸朝向該磨石機構，及係於該圓周方向中傾斜朝向一 側面。於一較佳具體實施例中，該磨石機構係由在一弧形 中於該圓周方向延伸之複數磨石所構成，及係於該圓周方 向中隔開彼此，且與該磨石對應地形成該冷卻劑引導溝槽 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖面簡述 圖1係根據本發明所構成磨輪之較佳具體實施例之局 部切開立體圖； 圖2係圖1所示磨輪之局部放大剖面圖； 圖3係一剖面圖，其顯示如何使用圖1所示磨輪硏磨 半導體晶圓之單側； 圖4係根據本發明所構成磨輪之另一具體實施例之局 部剖面圖； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491751 A7 B7 五、發明説明（4 ) 圖5係圖4所示磨輪之局部立體圖；及 圖6係一用於比較性實例之習知磨輪之局部放大剖面 圖。 主要元件對照表 2 磨輪 4 基座 6 磨石機構 8 頂部表面 10 底部表面 12 外部表面 14 冷卻劑池槽 16 垂直表面 18 凹入表面 20 傾斜表面 22 垂直表面 24 突出表面 26 垂直表面 28 傾斜表面 30 刻槽 32 螺絲盲孔 34 溝槽‘ 36 磨石 38 半導體晶圓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） I Γ«---j----Aw~ 裝----^---訂--· ----線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 491751 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（5 ) 40 卡 盤 平 台 42 旋 轉 軸 44 安 裝 突 緣 46 凹 陷 部 分 48 流 動 通 道 50 額 外 構 件 51 緊 固 螺 絲 52 密 封 環 54 密 封 環 5 6 溝 槽 58 孔 洞 60 緊 固 螺 絲 62 溝 槽 較佳具體實施例之詳細敘述 將參考所附圖面更詳細地敘述根據本發明所構成磨輪 之較佳具體實施例。 參考圖1及圖2，整個標以數字2之磨輪包含一基座 4及一磨石機構6。由諸如鋁之合適金屬所製成之基座4 整體而言係呈環形，及具有一實質上水平之環狀頂部表面 8、一實質上水平之環狀底部表面1〇、及一實質上垂直 之圓柱形外部表面12。 重要的是一於徑向中通至內側之冷卻劑池槽14係形 成在該基座4之內側表面中。於所示具體實施例中，該基 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210父297公釐） I T---T---裝----„---訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -8- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491751 A7 B7 五、發明説明（6 ) 座4之內側表面包含一實質上垂直往下延伸之上垂直表面 16、一實質上由該上垂直表面16之下端於徑向中水平朝 外延伸之凹入表面18、一於凹入表面18之徑向中由外部 端點在徑向中往下朝外傾斜延伸之上傾斜表面20、一實 質上由該上傾斜表面20之下端垂直往下延伸之中間垂直 表面22、一於徑向中在內側延伸及實質上由該中間垂直 表面22之下端水平地延伸（且因此在該上傾斜表面20之 下）之突出表面24、一實質上由該突出表面24之內側端 點於徑向中垂直往下延伸之下垂直表面26、及一由該下 垂直表面26之下端於徑向中傾斜往下延伸之下傾斜表面 28。一具有近乎直角三角形剖面形式之冷卻劑池槽14係_ 界定於該上傾斜表面20及該突出表面24之間。排除形成 稍後敘述連通刻槽之各部分，上面之上垂直表面1·6、凹 入表面18、上傾斜表面20、中間垂直表面22、突出表面 24、下垂直表面26、及下傾斜表面28係連續地形成在一 圓周方向中，且上面之冷卻劑池槽14亦連續地形成於該 圓周方向中。該冷卻劑池槽14未必需連續地形成在該圓 周方向中。若需要時，在該圓周方向中延伸之複數冷.卻劑 池槽能以預定間隔形成於該圓周方向中。該上傾斜表面 20之傾斜角度α可能約10至30度。該下傾斜表面28之 傾斜角度β可爲大約35至55度。若需要，該突出表面24 可於徑向中以20度或更小之角度在內側往下傾斜。 如參考圖1所淸楚了解者，由該頂部表面8延伸至內 側表面之上面凹入表面1 8之複數連通刻槽3 0係於該圓周 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ' ~ ' -9- ,m ^ n .. I I 訂 I I . 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491751 A7 B7 五、發明説明（7 ) 方向中以預定間隔形成在該基座4中。更特別地是以等角 距之間隔形成六個刻槽，以致該基座4之頂部表面經過該 連通刻槽30與上面之冷卻劑池槽14相通。每一連通刻槽 30實質上係呈半圓形及於徑向中在該內側展開。若需要 ，具有諸如圓形等合適剖面形式及於徑向中在內側封閉之 連通孔可形成取代該連通刻槽30。實質上由該頂部表面 8垂直往下延伸之複數螺絲盲孔32係在圓周方向中以預 定間隔進一步形成在該基座4中。於所示具體實施例中， 以等角距之間隔形成6個螺絲盲孔32，及由該圓周方向 觀看時使它們位於鄰接連通刻槽30間之中間位置。 繼續參考圖1及圖2敘述，上面之磨石機構6係安裝 在該基座4之底部表面10上。更特別言之，於所示具體 實施例中，一在圓周方向中連續地延伸之環狀溝槽34係 形成於該基座4之底部表面1 〇中。該磨石機構6係由複 數（於所示具體實施例中有27塊磨石）磨石36所構成，該 磨石36在圓周方向中以弧形樣式延伸及於該圓周方向中 彼此隔開，且每一磨石36之頂部係藉著合適之黏接劑固 定至該溝槽34，而與該基座4之底部表面10緊固在一起 。每一磨石3 6可爲藉著諸如玻璃化黏合劑之合適接合劑 將鑽石磨粒凝結在一起以形成之磨石。每一磨石3 6之剖 視形式可爲長方形。取代於該圓周方向中以預定間隔排列 之複數硏磨石頭36,若需要，該磨石機構6可由在該圓 周方向中連續地延伸之環狀磨石所構成。 圖3僅只顯示如何藉著使用圖1及圖2所說明之磨輪 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚) -- -10- I..5---J----~ 裝----Ί—--訂----一線 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 491751 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2硏磨半導體晶圓38之單側。半導體晶圓38之欲硏磨單 側係以欲硏磨面側面面朝上而暴露向上之方式夾持在——^ 盤平台40上。該卡盤平台40之至少一中心主要部分較佳 地係由多孔材料製成或具有大量之吸入孔，該吸入孔具有 一種能夠真空吸附該半導體晶圓38之結構。 一旋轉軸42係配置在該卡盤平台40之上，及該磨輪 2係附著至該旋轉軸42之末端，亦即該旋轉軸42之下端 。更特別言之，一安裝突緣44係與該旋轉軸42之下端一 體成形，且一具有相當大直·徑之圓形凹陷部分46係形成 於該在安裝突緣44之底部表面中。一在垂直方向中延伸 及通至該圓形凹陷部分47之冷卻劑流動通道48係形成於 該旋轉軸42中。一額外構件50係固定至該旋轉軸42之 .下端、亦即該安裝突緣44。該額外構件50包括一具有實 質上與該圓形凹陷部分46內徑相同之外徑之上方部分， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 及一具有實質上與該安裝突緣44外徑相同之外徑之下方 部分，該上方部分係裝在該圓形凹陷部分46中，及一界 定在該上方部分及該下方部分間之環狀肩表面係接觸至該 安裝突緣44之底部表面。在徑向中由該安裝突緣44之外 部周圍表面延伸至該圓形凹陷部分46之穿透孔係以預定 間隔於該圓周方向中形成在該安裝突緣44內，在徑向中 由該額外構件50之外部表面伸出之螺絲盲孔係以預定間 隔於該圓周方向中形成在該額外構件50之上方部分內， 且藉著經過該安裝突緣44中所形成之穿透孔將緊固螺絲 5 1鎖入該額外構件50之螺絲盲孔使該額外構件50固定 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 491751 A7 B7 五、發明説明（9 ) 至該安裝突緣44。一可由人造橡膠製成之密封環52係提 供於該額外構件50之上方部分外表面及該安裝突緣44圓 形凹陷部分46之內側表面之間，且一可由人造橡膠製成 之密封環54亦提供於該額外構件50之環狀肩部表面及該 安裝突緣44之底部表面之間。由該中心徑向地伸出之複 數（於該圖中爲6個）溝槽56係形成於該額外構件50之頂 部表面中，及實質上由溝槽56之外部端點垂直地伸出及 通至該底部表面之孔洞58係形成於該額外構件50中。該 溝槽56及該孔洞58與形成在該旋轉軸42中之冷卻劑流 動通道48相通。 繼續參考圖1至3敘述，該磨輪2係安裝至該額外構 件50之底部表面。實質上垂直延伸之複數穿透孔（於該圖 中爲6個）係於該圓周方向中以預定間隔形成於該安裝突 緣44及該額外構件50中。藉著經過該穿透孔將緊固螺絲 60鎖入上面形成在磨輪2基座4之頂部表面中之螺絲盲 孔3 2，該磨輪2係安裝在該額外構件5 0之底部表面上、 亦即該旋轉軸42之下端。上面形成在該磨輪2基座4中 之個別連通刻槽30係與上面形成在該額外構件50中之個 別孔洞58成對等。因此，上面形成在該磨輪2基座4中 之冷卻劑池槽14係與該旋轉軸42中所形成之冷卻劑流動 通道48相通，這是經過該基座4中所形成之連通刻槽30 及該額外構件50中所形成之孔洞58及溝槽56。 當硏磨該半導體晶圓38時，以100至300轉/分之 相當低速轉動該卡盤平台40，以4,000至5,000轉/分之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_ 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 491751 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____ B7___五、發明説明（ίο) 相當高速轉動該旋轉軸42，及將該磨輪2壓按抵住半導 體晶圓3 8之一側面以逐漸硏磨之。如此，藉著該磨輪2 、更特別是藉著該磨石機構6硏磨半導體晶圓3 8之一側 面。於硏磨期間，可經過該旋轉軸42中之冷卻劑流動通 道48供給常溫純水之冷卻劑。該冷卻劑由該旋轉軸42之 冷卻劑流動通道48流經該溝槽56及該額外構件50中所 形成之孔洞58，且經過該基座4中所形成之連通刻槽30 流入該冷卻劑池槽14。既然該磨輪2係在一相當高速下 轉動，很大離心力作用於該冷卻劑上，藉此造成該冷卻劑 於徑向中朝外流動。然而，既然於徑向中通至內側之冷卻 劑池槽14係形成在根據本發明所構成之磨輪中，傾向於 在徑向中朝外流動之冷卻劑係暫時保留於該冷卻劑池槽 14中，以防止其在徑向中朝外流出。在其保留於該冷卻 劑池槽14之後，其由該冷卻劑池槽14溢出，沿著在該冷 卻劑池槽14下方於徑向中朝外傾斜之下傾斜表面28流下 ，及引導至該磨石機構6及藉著該磨石機構6所硏磨半導 體晶圓38之一側面上。既然由於該磨輪2之高速旋轉所 造成在徑向中朝外流動之冷卻劑係暫時地保留於該冷卻劑 池槽14中且然後供給至所需位置，亦即進行硏磨之位置 ，可防止該冷卻劑於徑向中過度朝外流動及浪費，藉此使 其可能充分有效使用冷卻劑。 圖4及圖5顯示根據本發明所構成磨輪之另一具體實 施例。於圖4及圖5所示具體實施例中，界定該冷卻劑池 槽14之突出表面24係於徑向中在內側以20度或更小之 ---^---Γ---裝----„---訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -13- 491751 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（11 ) 角度γ往下傾斜。由該冷卻劑池槽14延伸至該磨石機構6 之複數冷卻劑導引溝槽62係於該圓周方向中以預定間隔 形成於上面基座4內側表面之下垂直表面2 6及該下傾斜 表面28與該基座4之底部表面10。該複數冷卻劑引導溝 槽62係形成對應於該複數磨石36。雖然該冷卻劑引導溝 槽62實質上可垂直延伸而未在該圓周方向中傾斜，如參 考圖5所了解者，有利的是他們於該圓周方向中係傾斜朝 向一側，亦即於該磨輪2之旋轉方向中，以消除或減少因 磨輪2旋轉所造成之冷卻劑在該圓周方向中流動之傾向。 每一冷卻劑引導溝槽62之下端較佳地是於該磨輪2之旋 轉方向中在該磨石36中心之上游側延伸至該磨石36之內 側表面。於該冷卻劑引導溝槽62圓周方向中朝向一側之 傾斜角度Θ可爲約20至60度。 於圖4及圖5所示磨輪中，該冷卻劑池槽14中所保 有之冷卻劑主要經過該冷卻劑引導溝槽62流出，及引導 至該磨石機構6及至欲藉著該磨石機構6硏磨之半導體晶 圓38之一側面上（圖3 )。 圖4及圖5所示磨輪2實質上可與圖1至3所示磨輪 2完全相同，除了上面之構造外。 實例 製成圖1及圖2所示之磨輪。該基座係由鋁所形成。 該基座之外徑D1係290毫米，該基座之高度Η1係17毫 米，該頂部表面之內徑D2係158毫米，及該底部表面之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I-J---J----~裝----Ί—--訂-----—線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -14 - 491751 A7 B7 五、發明説明（12 ) 內徑D3係178毫米。該基座內側表面之上垂直表面之高 度H2係2.5毫米，該凹入表面之寬度W1係3.8毫米，該 上傾斜表面之傾斜角度α係20度，該上傾斜表面之長度 L1係8.8毫米，該中間垂直表面之高度Η3係1.6毫米， 該突出表面之寬度W2係6.3毫米，該下垂直表面之高度 Η4係1.6毫米，該下傾斜表面之傾斜角度β係45度，及 該下傾斜表面之長度L2係11.3毫米。27塊磨石係於該圓 周方向中以相等間隔固定至該基座之下方表面。每一磨石 於圓周方向中具有20毫米之長度L3，4.0毫米之厚度丁1 ，及由該基座下方表面突出之長度L4爲5.2毫米，且於 該圓周方向中鄰接磨石間之間隔G1係2.2毫米。每一磨‘ 石可爲藉著玻璃化黏合劑將鑽石磨粒凝結在一起以形成之 磨石，該鑽石磨粒之粒徑爲40至60微米，且該鑽石磨粒 之濃度係75 〇 上面之磨輪係安裝至一由迪斯可（DISCO)公司以 DFG841商品名稱行銷之磨床（平面磨床）之旋轉軸，以硏 磨具有6吋直徑之半導體晶圓之一側面。於硏磨期間，該 旋轉軸之迴轉速度係4,800轉/分，該卡盤平台之迴轉速 度係200轉/分，該磨輪在8微米/秒之速率下降低了 200微米，且因此矽晶圓之一側面係硏磨至200微米之深 度。具有24°C溫度之純水係以3,000毫升/分之速率經過 該旋轉軸之冷卻劑流動通道供給當作該冷卻劑。 在硏磨1 80塊矽晶圓之一側面之後，測量該磨輪之磨 石磨耗量（於突出長度中之縮減量），及顯示在下表1。藉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 491751 A7 ___B7_ 五、發明説明（13 ) 著將矽晶圓之總硏磨體積値除以該磨石之總磨損體積値即 可獲得該硏磨速率，且顯示在下表1中。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 比較性實例 爲做比較，藉著使用一與實例中所用磨輪完全相同之 磨輪硏磨1 80塊矽晶圓之一側面，其硏磨方式與實例相同 ，除了圖6所示之基座形狀外。該磨輪之基座具有290毫 米之外徑D4，17毫米之高度H5，138毫米之頂部表面之 內徑D5，及178毫米之底部表面內徑D6。一具有1.9毫 米深度XI及三角形剖面樣式之環狀溝槽係形成在該基座 頂部表面之內側端點部分，及由該溝槽延伸至該基座下方 表面之1 2個孔洞係於該圓周方向中以相等間隔形成於該 基座中。該孔洞在徑向中朝外往下傾斜及具有25度之傾 斜角γ及2毫米之直徑D7。 以與實例相同之方式獲得該磨輪磨石之磨耗量（於突 出長度中之縮減量）及硏磨速率，及顯示在下表1中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表1 磨石之磨耗量（毫米） 硏磨速率 實例 20.0 14950 比較性實例 32.0 9344 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -16-

Claims (1)

1. 491751 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 1 ·一種磨輪，其包括一環狀基座及一安裝在該基座 下方表面之磨石機構，其中 一冷卻劑池槽，其於徑向中通至內部且形成在該基座 之內側表面中。 2 .如申請專利範圍第1項之磨輪，其中該冷卻劑池 槽在一圓周方向中連續地延伸。 3 ·如申請專利範圍第1項之磨輪，其中該冷卻劑池 槽係界定於在徑向中往下朝外傾斜之上傾斜表面及一突出 表面之間，該突出表面實質上在該上傾斜表面之下於屬徑 向中水平及朝外延伸。 4 .如申請專利範圍第1項之磨輪，其中由該基座之 頂部表面與該冷卻劑池槽相通之複數連通刻槽或連通孔係 以預定間隔形成在該圓周方向中。 5 .如申請專利範圍第1項之磨輪，其中該基座在該 突出表面之下於徑向中具有一往下朝外傾斜之下傾斜表面 〇 6 .如申請專利範圍第1項之磨輪，其中該磨石機構 係由在一弧形中於該圓周方向延伸之複數磨石所構成，及 係於該圓周方向中彼此隔開。 7 .如申請專利範圍第1項之磨輪，其中由該冷卻劑 池槽延伸至該磨石機構之複數冷卻劑引導溝槽係於該圓周 方向中以預定間隔形成在該基座之內側表面及下方表面中 〇 8 .如申請專利範圍第7項之磨輪，其中該冷卻劑引 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) JL 裝· 訂 -17- 491751 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 導溝槽由該冷卻劑池槽延伸朝向該磨石機構，及係於該圓 周方向中傾斜朝向——側面。 9 .如申請專利範圍第7項之磨輪，其中該磨石機構 係由在一弧形中於該圓周方向延伸之複數磨石所構成，及 係於該圓周方向中彼此隔開，且與該磨石對應地形成該冷 卻劑引導溝槽。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18-