TW472253B - Optical recording medium, optical recording method, optical reproducing method, optical recording device, optical reproducing device, and optical recording reproducing device - Google Patents

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TW472253B
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optical recording
film
recording medium
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TW089114556A
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Katsuhisa Aratani
Seiji Kobayashi
Masanobu Yamamoto
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Sony Corp
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Description

472253 • A7 ____B7_____ 五、發明說明(1 ) 【技術之領域】 本發明係有關光記錄媒體、光記錄方法、光再生方法 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、光記錄裝置、光再生裝置及光記錄再生裝置。 【技術之背景】 _ 做爲習知技術之光記錄媒體,譬如音頻用,使用於遊戲程 式等譬如CD(Compact Disc),影像用等之DVD ( Digital Versatile Disc)等之光碟中,譬如有再生專用之所謂ROM( Read Only Memory)型磁碟。 在如此之光記錄媒體中,資訊記錄,係關於厚度方向或磁 道寬度方向之其中之一做爲物理的形狀變化被記錄之記錄 部,譬如被形成著凹凸槽或蛇行(搖擺)溝等,且將此等記錄部 之資訊以光學的高S/N可讀出,形成使A 1反射膜被被著。 如此,光記錄媒體具有記錄部被形成物理的形狀變化,係 譬如藉由射出成型與塑膠基板之成型同時用以形成記錄部, 或譬如在塑膠基板上藉由2P法(Photopolymerization法),用以 形成記錄部,所以可量產、廉價製造之優點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 種 記 該,作光 此著該, 因得又 取 未 媒 錄 記 光 之 而 可 許 之 者 被 係 澧 媒 錄 正’ S 2形 即 製 乎依 幾邛 用等 使賣 複販 會 不 也 規 正 照 之 製 複 以 成 重 由 藉 之使 外即’ 以出 徑讀 途1°觸 之題接 _ _ ττν 被 品 新 爲 做 品 古 中 使 以 所’ 化 惡 性 特 者 權 作 著 得 取 未 生 產 樣 同 賣 販 被 有 待 期 正’ 側 商 廠 造 製 如 譬 中 澧 。媒 題5M 問記 之光 賣之 --Imll 反種 被該, 而此 可因 許 之 張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) _ 4 _ 4722 Ο, A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(2 ) 方法可記錄暗號、或標記等用以判斷是否藉由正規之途徑 〇 又,譬如在遊戲用,使用者期望,在使遊戲中斷終了之情 开;^等,可判斷該終了點之程度的記錄等,使用者之個人的資訊 ί己錄等,在使用者側可簡使的記錄。 進而,碟片製作後將被儲蓄於碟片之一部分的數據具有 可修正,或可追加一部分新數據的功能,係廠商及使用者更期 望地。取汽車導航用爲例,藉由被附加上述功能,將簡單的地 圖變更,追加資訊藉由通訊由廠商發送,或使用者自己進行數 據輸入,以使用者側成爲可進行記錄於碟片。 做爲習知技術可光記錄之記錄媒體,譬如僅一次可被追 加記錄之CD-R,係在具有引導溝之塑膠基板上使色素材料藉 由旋轉塗布法被塗布,之後使Au被濺鍍而被製作。 又,在改寫型之光磁記錄媒體,係在被形成引導溝的塑膠 基板上以透明電介體,記錄材料之TbFeCo等之垂直磁化膜,透 明電介膜,進而使A 1反射膜依順序被濺鍍而被製作。 又,改寫型之相變化記錄媒體,係上述之改寫型之光磁記 錄媒體的構成中做爲記錄材料被使用GeSbTe等相變化材料 被構成。 可是,此等任何之一的記錄材料皆昂貴,又,型之光磁記 錄媒體中,如上述由於必要形成多數的膜形成使其製造工程 數變多,在此等使用記錄材料用以形成追加記錄層時,則比起 前述之CD等之ROM型的光記錄媒體,成爲特別昂貴。 本發明中,其目的係提供光記錄媒體、光記錄方法、光 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) n 1— ϋ I n I I -ϋ n m n n I x n n n I* n n * -5- 472253 A7
五、發明說明(3 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再生方法、光^2錄裝置、光再生裝置及光記錄再生裝置,如 上述,藉由對應於ROM型構成之構成及製造方法可廉價製造, 而且可追加記入上述之暗號、標記等。 【發明之揭示】 根據本發明,一種光記錄媒體具有資訊層並具備反射膜, 基本上承擔資訊至少在厚度方向或磁道寬度方向之其中之 一藉由物理的形狀變化被形成資訊記錄部,特別是該反射膜, 係具有反射膜構成藉由熱記錄可進行追記記錄。而且,該反 射膜,係分別對再生光將未記錄狀態之反射率做爲R〇,而將記 錄狀態之反射率做爲Ri時,則以 0.5[%]^ ( | Ro-Ri | /Ro)X 100[%]^ 17[%] 之範圍藉由使反射率產生變化之構成做爲反射膜構成。 又,上述之構成中,進行該追記記錄之領域,係藉由上述 之物理的形狀變化使與資訊記錄部至少一部分做爲重疊位 置根據記錄態樣時,其反射膜係 0.5[%]^ ( | Ro-Ri [ /Ro)x 100[%]^ 10[%] 之範圍藉由使反射率產生變化之構成做爲反射膜構成。 又,根據本發明之光記錄方法,係根據上述之本發明使用 光記錄媒體,進行其追加記錄將熱記錄,藉由追加記錄資訊信 — — — — — — — ί — — — — · ^ * I I--r - I - 11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -6 - 472253 Α7 Β7 五、發明說明(4 ) 號根據被調制之雷射光的照射進行,將反射膜,若以原子之移 動,或結晶構造之變化等而言使變質並使其反射率增加或減 少藉由熱記錄進行。 又,根據本發明之光再生方法,係根據上述之本發明對光 ί己錄媒體藉由其反射膜之反射率_變化對被形成追加記錄 之光記錄媒體,進行照射雷射光,根據其反射光之反射率變化 藉由微小變化進行追加記錄之再生。 進而,根據本發明之光記錄裝置,係具備有記錄裝備根據 上述之本發明對光記錄媒體藉由其反射膜在追加記錄領域 進行追加記錄,而該光記錄裝備,其構成係對光記錄媒體,具 有雷射光之照射裝備根據追加記錄資訊被調制,並藉由雷射 光之照射,使反射膜變質並使其反射率產生變化藉由熱記錄 進行追加記錄。 又,根據本發明之光再生裝置,係根據上述之本發明對光 記錄媒體在其反射膜,做爲反射率變化用以再生被記錄之追 加記錄的光再生裝置中,具備光再生裝備,而該光再生裝備, 其構成係具有:再生光照射裝備,在光記錄媒體用以照射再生 光;及檢測裝備,用以檢測由反射膜之反射光;而由該檢測裝 備將檢測輸出之微小變化做爲追加記錄之再生信號。 進而,根據本發明之光記錄再生裝置,其構成係同時具備 有上述之光記錄裝置中之光記錄裝備,及上述之光再生裝置 中之光再生裝備。 如上述,本發明中之光記錄媒體,係具有資訊記錄部,譬 如藉由凹凸槽或蛇行溝等承擔資訊被形成物理的形狀變化, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 t 1111111 111 瞧1 — I I — II — I — 1 —--I — — II_I I____ 253 253 Y 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 A7 __B7 _ 五、發明說明(5 ) 且使反射膜在被被著形成之光記錄媒體中,不會增加任何膜 數等,僅藉由用以選定其反射腊之特性,構成可形成追加記錄 領域,所以不會增加製造工程數,與習知技術之CD-ROM,或 DVD-ROM等可同樣量產且廉價製造。 / 又,根據本發明對光記錄媒體之追加記錄方法,再生方法 ,係簡潔可進行,藉此根據本發明之光記錄裝置,光再生裝置 或光記錄再生裝置,係可做爲簡便之構成。 又,根據本發明之追加記錄的再生,係使該追加記錄,對 再生光將未記錄狀態之反射率做爲R〇,而將記錄狀態之反射 率做爲 Ri時,則以 0·5[%] S ( I Ro-Ri | /Ro) X 100[%] S 17[%], 進而將該追記記錄領域,做爲與上述之資訊記錄部重疊位置 時,則做爲 0.5[%] ‘( | Ro-Ri | /Rq) X 100[%] S 10[%],如此,由 於藉由小的反射率變化做爲記錄,其再生輸出,也由原來之記 錄部比起數據資訊等的資訊之再生輸出可形成更小。因此, 由後述之部分,更能明白顯示,將追加記錄資訊之讀出,由原 來之記錄部不會用以阻礙數據資訊等之資訊的再生而可進 行再生。 如此,該追加記錄,係以小的範圍藉由進行反射率變化, 使該追加記錄之再生中的S/N爲低,但該追加記錄,係如前述, 由於有暗號、標記等之記錄,所以使該記錄讀出程度之輸出 只不過被要求而已,而不必做爲高的S/N。 又,如上述,本發明,係對反射膜使追加記錄領域未被形 成於資訊記錄領域內時,則做爲0.5[%]S(| R〇-Ri| /R〇)x 100[%] S 17[%]以下,係譬如藉由記錄使反射率進行變化時, ----.-,-----^---I — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -8- 472253 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7 _ 五、發明說明(6 ) 將聚焦(focusing)及跟蹤(tracking)之伺服系統(servo)對反射 率變化必須穩定進行追從,一般而言,以追記使反射率變化愈 小則愈能形成穩定的伺服系統。 譬如DVD等ROM碟片,係使反射率被設定於60%〜85%。 對具有該中間之反射率的碟片,係_由於不用附加高度的伺服 電路可進行穩定的伺服系統。將伺服電路之電路定數的設 定,藉由上述之60%~85 %的平均數,即設定於72.5%,在具有反 射率變動時,最大變動量也在(72.5-60)/72.5 X 1 00 = 1 7%,藉 由簡易的電路構成可進行伺服系統。因此,在追記型構成中, 在其一部分進行簡易記錄時,也可期望進行同程度之反射率 之 1 7 %。 【圖式之簡單說明】 第1圖係.根據本發明之光記錄媒體之一例的要部槪略剖 面圖。 第2圖係顯示根據本發明之光記錄媒體之一例的資訊記 錄部及追加記錄部之關係的要部槪略平面圖。 第3圖係顯示根據本發明之光記錄媒體另外之一例的資 訊記錄部及追加記錄部之關係的要部槪略平面圖。 第4圖係顯示變更反射膜之組成的各例之記錄功率及反 射率之關係的測定結果圖。 第5圖係提供於本發明之說明的再生輸出波形圖° 第6圖係根據本發明之光記錄媒體另外之一例的要部槪 略剖面圖。 木紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9 - I-------!--- til--^-111 ----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 472253 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(7 ) 第7圖係顯示變更反射膜之組成的各例之記錄功率及反 射率之關係的測定結果圖。 圖8係根據本發明之光再生裝置之一例的構成圖。 _【元件編號之說明】 . S…光記錄媒體,1…透明基板,2…(第1)資訊層, 3···(第1)反射膜,4…粘接劑,5…基板,6…對物透鏡, 12…記錄部,12A…追加記錄部,12P…槽,12G…蛇行引 導溝,31…基板,32···(第2)資訊層,33···(第2)反射膜, 41…驅動部,42…主軸馬達,43…光拾波器,44···電路部 ,45…CPU, 46…光撿波器控制部,47…雙値化電路, 48…譯碼電路,49…ECC電路,50.··數字模擬變換電路, 5 1…標記檢測電路。 【實施發明之最佳形態】 根據本發明之光記錄媒體,係可適用於CD,或DVD等之光 記錄媒體。 即,本發明,係光記錄媒體具有資訊層,藉由碟片狀,卡片 狀等之基板或薄板等之基板上,至少在厚度方向或磁道寬度 方向之其中之一做爲物理的形狀變化之資訊記錄,使所謂數 據資訊等之原來的資訊被記錄之資訊記錄部,即使具有r〇m 部的反射膜被被著形成,特別是該反射膜,係藉由熱記錄可用 以形成追加記錄領域做爲反射膜構成,該反射膜,係〇. 5 [ % ] $ ( I Ro-Ri | /Ro)x 100[%]$ 17[%],進而將其追加記錄領域,與 本紙張尽0用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線丨 I ϋ n I n ϋ n n n n n ϋ n n n n n n n n 472253 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 _ 五、發明說明(8 ) 上述之資訊記錄部做爲重疊位置時,則在0.5 [ % ] S ( I Ro-R 1 丨/Ro)x 100[%]$ 10[%]之反射率範圍進行變化之構成。 該反射膜,係藉由金屬膜,或半導體膜可做爲單層構造。 根據本發明將光記錄媒體之一實施形態的一例,參考第 1圖之槪略剖面圖加以說明。 該例中,係做爲DVD構成的情形,但本發明係不限定於該 例。 根據第1圖所示本發明之光記錄媒體S,係透明基板譬如 藉由聚碳酸酯(PC)等之透明基板1,以該例係在透明基板1之 —主面形成物理的形狀變化,在該例,係藉由凹凸使被形成資 訊記錄部之資訊層2被形成,在資訊層2係以全面性被被著反 射膜。在具有該基板1之資訊層2側,譬如藉由紫外線硬化樹 脂將粘著劑4藉由旋轉塗布進行塗布,使其他之基板重疊並 藉由紫外線照射使粘著劑被硬化,使兩基板1及5被接合所構 成。 資訊層2,係譬如如第2圖或第3圖所示分別其一部分之槪 略平面圖,使數據資訊等,如第2圖中藉由厚度方向的變形做 爲凹凸槽12P被形成之原來的記錄部12,或如第3圖中,藉由磁 道寬度方向之變形做爲蛇行溝1 2G使被形成之原來的資訊記 錄部12被形成。 此等資訊記錄部1 2,即凹凸槽1 2P或蛇行溝1 2G等之形成, 係使用分別具有對應之槽或溝的模子藉由射出成形與基板1 之成型同時在其一主面進行形成,或在透明基板上,譬如用以 塗布紫外線硬化樹脂,用以推壓具有所要之槽或溝的模子並 本紙張尽择通用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -1---r---訂.! _線! -I ϋ I I n I I ϋ I ^ I I I - 253 A7 __B7____ 五、發明說明(9 ) 使硬化藉由所謂2P法依據通常之方法可形成。 在資訊層2係全面性使反射膜3被被著形成。該反射膜3, 係由記錄部1 2在讀出數據資訊等之原來的記錄時對讀出光 具有做爲反射膜之功能,同時在本發明中,係將反射膜3,做爲 追加記錄之記錄層使用。即藉由骞反射膜3用以構成追加記 錄領域。 該追加記錄領域,係根據追加記錄之目的做爲上述之資 訊記錄部12內,也可做爲該原來之記錄部12之形成領域外,但 將追加記錄領域,做爲資訊記錄部12之記錄領域內時,係設於 該原來之記錄部的物理的形狀變化之最短周期部以外。總 之,使該資訊記錄部12,如第2圖所示,藉由凹凸槽12P之形成 被採用記錄態樣時,係在凹凸槽1 2P之最短凹凸槽部以外,藉 由該凹部或凸部之槽部,或在其槽間等用以形成追加記錄部 12A。又,如第3圖所示,譬如藉由蛇行溝12G被構成時,則可形 成於該磁道寬度方向之往復變化的周期之最短周期部以外 譬如蛇行溝12G內。 反射膜3,係藉由熱記錄,譬如利用雷射光照射之熱記錄 對上述之讀出光取得預定範圍之反射率變化藉由金屬膜或 半導體膜進行構成。 做爲如此反射膜3之1例,係由A1 1QQ-X之A1合金膜所構成 ,Χ係Ge、Ti、Ni、Si、Tb、Fe、Ag之中至有少1種以上的元 素,將該1種以上之元素X之A1合金膜中的組成比X做爲 4 < X < 50[原子 %]。 反射膜3之其他例,係由A1旧-x-z Xx Zz之A1合金膜所 本紙張尽用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-I I I l· I I I — — — — — — — — — I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 472253 A7 B7 五、發明說明(10) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 構成,該X,係Ge、Ti、Ni、Si、Tb、Fe、Ag之中至少有1種以 上的元素,Z係該元素X以外之元素1種以上之元素,該1種以上 之元素X,係將A 1合金膜之組成比X,選定成4 < X < 50[原子 % ],1種以上之元素Z,係將A 1合金膜之組成比X,選定成〇 ^ z < 5 [原子 % ]。 __ 反射膜3之另外其他例,係由A g 1QQX X X之Ag合金膜所 構成,該 X,係 Ge、Ti、Ni、Si、Tb、Fe、Cr、A卜 Au之中至 少有1種以上的元素,該1種以上之元素X,係將A g合金膜之 組成比X,做爲5 < X < 50[原子%]。 反射膜3之其他例,係由Ag i〇o-x-z Xx Zz之Ag合金膜 所構成,該 X,係 Ge、Ti、Ni、S卜 Tb、Fe、Cr、A1、Au之中 至少有1種以上的元素,該1種以上之元素X,係將A g合金膜 之組成比X,爲5 < X < 5 0 [原子% ], Z係兀素X以外之兀素之1 種以上的元素,該1種以上之元素Z,係將A1合金膜之組成比z, 選定成OS z < 5[原子%]。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 反射膜3之其他例,係由Cu iQQX X X之Cu合金膜所構成, 該X,係A卜Ti、Ci.、Ni、Fe之中至少有1種以上的元素,該1 種以上之元素X,係將A g合金膜之組成比X,選定爲5 < X < 4 0 [原子% ]。 進而,反射膜3之其他例,係由Cu lQQ-x-z Xx Zz之Cu合 金膜所構成,該χ,係A1、Τι、Ci.、Νι、Fe之中至少有1種以上 的元素,Ζ係元素X以外之元素之1種以上的元素,該1種以上之 元素X,係將A g合金膜中之組成比X,選定爲< 40[原子 %],1種以上之元素Z,係將Cu合金膜中之組成比Z,選定爲 本紙張尽率#_用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 472253 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(H ) z S 5 [原子 % ]。 又,或,反射膜3,係藉由半導體材料S1加以構成。本發明 中之Si,係指具有通常之半導體程度的Si純度,並容許半導體 中不純物混入程度之其他元素的混入。 — 此等反射膜3之形成,係譬如_由濺鍍,譬如藉由磁控管 濺鍍可形成。該情形,譬如分別藉由被做爲上述所要之組成 的金屬,或半導體使用濺鍍中間電極,或各構成元件之單體, 使用複數之濺鍍中間電極用以構成其合金,將濺鍍裝置內排 氣到所要之真空度以下後,進行濺鑛。而且,該情形,藉由該 濺鍍之投入功率及時間之控制被做爲反射膜3之膜厚的選定 〇 第4圖係顯不,藉由A1 G e合金對於反射膜3,變更其組成 之各例,即八11〇〇-\〇6\中,對於做爲)(=11.2[原子%]3 = 16:0[原子%],χ =20.0[原子%],x =27.6[原子%]之各例,分別之 記錄雷射光功率[mW]及反射率之關係的測定結果圖。即,第 4圖中,□記號,係根據X = 11.2[原子%]時,〇記號,係根據X = 16.0[原子%]時,△記號,係根據x =20.0[原子%]時,◊記號,係 根據X = 27.6[原子%]時之各測定結果圖。 該情形,反射膜之膜厚係50nm,使用於記錄及再生之光源 ,係波長660nm之半導體雷射光,如第1圖所示,通過對物透鏡6 在光記錄媒體S,由該透明基板1側進行雷射光之照射。對物 透鏡6之開口數N、A係0、60,記錄時之線速度,係1.5m/sec,記 錄係藉由連續光進行。而且,該情形,透明基板1係藉由射出 成型並藉由被形成蛇行溝之聚碳酸酯(PC)基板所構成。 本紙張&專與_用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I — — — — — — —1 -----r 111 I----1I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 472253 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(12 ) 右依據第4圖,則G e之組成變少時,譬如以1 1 . 2 [原子% ]顯 示高的反射率,在進行記錄使必要的記錄功率變高,以9 [mW] 之功率,被取得反射率的變化R s(Rs =( | R〇-Ri | /R〇)X 100[ % ])成爲約0.6 8 %。 相對地使Ge之組成變大時,則未記錄狀態之反射率係進 行下降,藉由所要之記錄功率的反射率變化,即形成被記錄。 譬如將Ge之組成做爲20[原子%]時,則使記錄功率在2[ mW]以下反射率係61 %之狀態下不會變化。g卩,不被記錄。可 是,使記錄功率在3[mW],使反射率產生變化,譬如使記錄功率 被做爲6〜7 [mW]時,其反射率係成爲55%。即,在未記錄狀態 及記錄狀態下,其反射率變化rs係成爲9.84%程度,藉由該變 化形成被記錄。 進而,將Ge之組成,做爲27.6 [原子%],即做爲接近30 [原子 %]時,則使記.錄功率在2[mW]程度看見反射率之變化,將記錄 功率做爲5〜8[mW]時,RS係約可做爲14.54%。 即,藉由Ge之組成的選定,將可再生之反射率變化可知獲 得0.5%以上的反射率變化。總之,對反射膜,可知可記錄。 而且,該情形,係藉由連續雷射光進行記錄時,但使用脈 衝雷射光時也可獲得同樣之結果。 而且,譬如如上述,做爲記錄部12藉由凹凸槽12P進行記 錄時,一般而言,其記錄資訊,係以槽之行走方向的邊緣位置 之形式被記錄。該邊緣位置,係用以修正非對稱等之再生輸 出信號的補償後,藉由進行用以檢測信號之零交叉位置。因 此,在該零交叉檢測不影響範圍內,將槽列中之任何位置做爲 本紙張尽用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -----:-111 訂-! !!線| I I I I I I I . • n I ϋ I n . 472253 A7 B7 五、發明說明(13) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 追加記錄領域進行追加記錄用以形成追加記錄部即可。即, 譬如以槽例中之最短周期的槽列之信號輸出,係由最長周期 之槽列與被獲得信號輸出之比由於係0.1〜0.3程度之小的信 號輸出,所以藉由微小的反射率變化由於可產生邊緣位置之 位移,如第2圖之說明,追加記錄部1_2A,係在記錄部12之邊緣 資訊不會賦予影響,即期望形成於上述最短周期部以外。 如此,如第5圖所示,以第5圖中實線所示譬如藉由記錄槽 對再生輸出,如虛線所示,根據追加記錄部2之反射率變化即 根據反射率之增加或減少進行微小變化。因此,藉由檢測該 微小變化將該微小檢測輸出可做爲追加記錄之再生信號。 而且,該追加記錄信號,實際上,係低的密度,低的光帶,進 而譬如追加記錄時將同一信號藉由使記錄於複數之追加記 錄領域,譬如進行複數部位之再生等藉由用以適用與通常不 同之再生方法,有關該追加記錄之反射率變化,若係〇. 5以上, 則可進行穩定的追加記錄之再生。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此,使該追加記錄中之反射率變化,過大,則第5圖說明 之再生記錄及零交叉電平之差△變小,由於在原來之記錄的 再生輸出會產生影響,所以該反射率變化Rs,係期望做爲10% 以下。 即有關該追加記錄之反射率變化R s,係期望在〇 · 5 %以上 1 0 %以下。 而且,在表1及表2,對記錄前之反射率使上述之變化Rs, 獲得± 0.5%以上之變化,並用以例示反射膜組成,及該情形之 記錄前的反射率Ro[%],記錄功率[mW],膜厚[nm]。 本紙張尽用中國國家標準(CNS>A4規格(210 X 297公釐) 472253 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(14) 【表1】 材料組成 (at%) 記錄前反射率 記錄功率 膜厚 R ο (%) (Mw) (nm) A 1 88.5Ge 11.5 73.5 , 9.2 50 A1 84.oGe 16.0 71.0 7.5 50 A1 so.oGe 20.0 61.0 3.2 50 A1 72.4Ge 27.6 5 1.0 2.3 50 A1 61. 2Ge 38.8 42.2 1.9 50 A1 63. ί Ge 45.9 38.5 1.7 50 A1 92.3T1 7.7 74.4 9.5 50 A1 89.〇Ti 11.0 68.0 6.5 50 A1 85.8Ti 14.2 〇 62.6 3.5 50 A1 7 7 . 2 T i 22.8 48.0 7.5 50 A1 59.3T1 30.7 45.0 4.0 50 A1 79.5N1 20.5 50.7 3.5 50 A1 6 5 . 9 N 1 34.1 33.5 3.5 50 A1 5 6 . 3 Ni 4 3.7 〇 41.3 3.0 50 A1 88.5Si 11.5 64.0 7.0 50 A1 8 2 . 8 S ί 17.2 60.0 2.8 50 A1 76.3Si 23.7 61.6 2.4 50 A1 70.7S1 29.3 61.8 2.4 50 A1 92 . oTb 8.0 〇 63.0 4.0 38 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -----:----訂---------線| -1· i n ϋ ϋ ϋ ϋ n ϋ ϋ ί ϋ n · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17- 472253 A7 五、發明說明(15) B7 A1 88.〇Tb 1 2.0 〇 57.5 3.6 38 A1 ss.oFe 12.0 〇 64.0 5.5 38 A1 85.7Ag 14.3 74.5 9.2 40 A1 8 1 .3 Ag 18.7 12 A 8.0 40 A1 77.〇Ag 23.0 71.9 ^ 8.0 40 Ag 70.3A1 29.7 66.4 7.0 40 Ag 87.4A1 12.6 65.3 9.0 40 Ag 79.4Ge 20.6 65.3 5.4 40 Ag 72.〇Ge 23.0 55.6 3.7 40 Ag 65.8Ge 34.2 50.9 3.5 40 Ag 89.〇Ti 11.0 70.0 9.5 40 Ag82.6Ti 17.4 66.3 7.0 40 附上表中〇記號之材料,係增加反射率之材料。 I - I I I ---一— — — 訂----I I I I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -18- 472253 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(16) 【表2】 材料組成(at%) 記錄前反射率 Ro(%) 記錄功率 (M w) 膜厚 (nm) A1 80.〇Cu 20.0 71.5 , 9.4 50 Al 73.7Cu 26.3 64.3 8.0 50 A1 78.6Cu 2 1.4 58.5 7.4 50 Al66.8Cu30.〇Ti3.2 63.2 7.0 50 Al68.2Cu29.〇Tl2.8 60.8 6.5 50 Al66.8Cu30.3Cr2.9 62.5 7.1 50 Al65.5Cu29.〇Cr5.5 58.9 6.0 50 Cu 90.6A1 9.4 68.9 9.8 50 Cu 87.6A1 12.4 67.0 9.0 50 Cu 82.5A1 17:.5 68.5 8.0 50 Cu82.7Al6.8Ti 10.5 68.2 6.5 50 Cu80.4Al6.6Til3.0 65.2 5.2 50 Cu82.8All2.4Tl4.8 66.0 7.0 50 CU77.8 Al 14.2ΤΪ8.0 64.5 6.1 50 Cu76.〇All9.5Ti4.5 66.8 6 · 6 50 A170.3 Al25.4Ti4.3 68.3 5.0 50 Al 95.5T1 4.5 77.5 0.3 50 Al95.2Tl3.2Ni 1 .6 77.2 9.8 50 Si 23.1 3.6 15 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r * n ϋ I n n n 一5JI n n ϋ ϋ n ϋ I I I n n ϋ · 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -19- 472253 發明說明(17) A7 _ B7 1 〇 26.5 3.5 18 V g 9 6 . 5 Τ ί 4.5 〇 31.5 6.7 13 \g95.lPd〇.9Tl4.0 〇 31.0 6.8 13 \g92.2Pd〇.9Ti6.9 〇 30.6 5.9 '13 \g 95.5Cr 4.5 31.5 6.5. 13 \r94.6Pd〇.9Cr4.5 〇 31.2 6.1 13 A.g84.6Au 1 0.9ΤΪ4.5 〇 30.2 6.0 13 \g 95.〇Si 5.0 30.7 7.5 13 Au 95.2T1 4.8 29.5 5.4 15 A u 9 5.7 T i 4.3 28.3 5.0 15 表中附上〇記號之材料,係增加反射率之材料 由表1及表2也可知,對多數種類之添加物使反射率變化 被觀測。此係被認爲譬如藉由濺鍍法被形成Al、Ag等幾乎 之金屬膜,藉由成膜後之熱處理(熱記錄)使原子進行移動並 藉由使膜構造或結晶性進行變化而產生反射率之變化。 因此在所有的金屬薄膜中,反射率之多少的變化係被認 爲會產生,但實際上A:1、Ag、Au、Cu之單體金屬中熱傳導率 高的金屬,或如W、Mo、Ta、Pt等融點極高使原子產生移動 對於溫度極高的材料,係使用半導體雷射之記錄功率,要取得 上述之0.5%之反射率變化RS並取得記錄溫度係有所困難。 被要求過高的記錄溫度,則藉此在透明基板1之塑膠基 板本身的表面會受到破壞根據上述之槽在資訊再生,會有產 生影響之虞。 ^-----r---^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -20- B7 五、發明說明(18) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 相對地,如上述,使Al,Ag等自體在熱傳導率高的材料中, 其他之元素,即如上述,譬如將A1做爲母體材料,藉由在此將 Ge、Ti、Ni、Si、Tb、Fe、Ag之 1 種以上,添加 4〜50[原子 %] 之二元以上的合金,或將Ag做爲母體材料,在此將Ge、Ti、Ni :Si、Tb、Fe、Cr、A卜Au之1 _以上添加5〜50[原子%]之 二元以上的合金藉由做爲反射膜構成,在半導體雷射中之功 率,即50[mW]以下,進而在30[mW]以下使RS獲得0.5以上之反 射率變化形成可記錄。 又,上述之反射膜3中,藉由A Iiqq-x-z Xx Zz之A1合金膜 或Agi-x-z XxZz之合金膜,即上述之A1合金膜或Ag合金膜中, 進而做爲其他之元素Z,譬如藉由用以添加B、C、N、◦、Mg 、V、Cr、Μη、Co、Cu、Zn、Ga、As、Se、Y ' Zr ' Nb、
Mo、Pd、In、Sn、Sb、Te ' Lu、Hf、Ta、W、Ir、Pt、Au、 Pb、Bi、La、Ce、Nd、Sm、Gd、Dy、Ho、Er等任何其中 1 種以上之元素將所要之反射率變化 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 譬如藉由半導體雷射可取得。該元素Z之添加量係微少 量,即藉由做爲OS zS 5[原子%]在半導體雷射中之功率,即50 [mW]以下,進而在30[mW]以下使RS可獲得0.5%以上之反射率 變化形成可記錄。 進而,在反射膜3中,將Cu loo-x Xx做爲母體材料,在此用 以添加Al、Ti、Cr、Ni、Fe之中至少1種以上,並使該Cu合金 膜中之組成比X藉由選定成5< X <40[原子%],同樣,半導體雷 射中之功率,即50[mW]以下,進而在30[mW]以下使Rs可獲得 0.5 %以上之反射率變化形成可記錄。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 472253 A7 -----------B7_____ 五、發明說明(19) 又,在反射膜3中,將Cu 1QQ-X-Z Xx Zz做爲母體材料,在此 八卜Τι、Cl-、Ni、Fe之中至少1種以上之元素,做爲其他之元 素 Z,譬如將 B、C、N、0、Mg、V、Cr、Mn、Co、Cu、Zn、 Ga、As、Se、Y、Zr、Nb ' Mo、Pd、In、Sn、Sb、Te、Lu、 rif、Ta、W、Ii-、Pt、Au、Pb、Bi—、La、Ce、Nd、Sm、Gd、 Dy、Ho、Er等任何其中1種以上之元素使Cu合金膜中之組成 比z,以5[原子%],半導體雷射中之功率,即50[mW]以下, 進而在30[mW]以下使RS可獲得0.5 %以上之反射率變化形成 可記錄。 上述之第1圖的實施形態中,係具有單一之資訊層2做爲 DVD構成時,但如第6圖顯示其槪略剖面圖,重疊於第1資訊層 2,同樣具有被形成第2反射膜33之第2資訊層使第2基板3 1藉 由透明之粘著劑4具有被接合譬如具有2層之資訊層譬如也 可做爲DVD等之光記錄媒體構成。 該情形,由基板1側關於第2資訊層32,也可做爲構成進行 追加記錄,或該第2資訊層中之追加記錄及讀出原來之記錄, 該情形,係將有關第1資訊層2之記錄前的反射率R〇,譬如做爲 10〜40程度之半透明膜即可。而且,在獲得如此反射率,係做 爲第1反射膜3,將其膜厚選定爲大約5nm~20nm。 該情形,做爲第1反射膜3,係譬如藉由Si半導體膜可構成 。該Si半導體中,也與前述同樣容許含有不純物程度之其他 元素。 又,做爲第1反射膜3,係由Agioo-x-z Xx之Ag合金膜所構 成,X係 Ge、Ti、Ni、Si、Tb、Fe、Pd、Cr、Al、Au之中至少 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ••illl·---訂.---II—--線— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -22- 472253 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(20) 1種以上的元素,1種以上之元素X,係將上述Ag合金膜中之組 成比X,可選定成4.5SXS40[原子%]之構成。 又,做爲第1反射膜3,係由Agioo-x-z Xx Zz之Ag合金膜所 構成,X 係 Ge、Ti、Ni、Si、Tb、Fe、Pd、Cr、Al、Au 之中至 少1種以上的元素,Z係上述元素X以外之元素1種以上的元素, 該1種以上之元素Z,係將Ag合金膜中之組成比z,可選定成4.5 S z S 40[原子%]之構成。 進而,做爲第1反射膜3,係由Auioo-x X之Au合金膜所構 成,X係Ge、Ti、Ni、Tb、Fe、Pd、Cr、A1之中至少1種以上 的元素,Au合金膜中之組成比x,可選定成4.5S xS 40[原子%] 之構成。 藉由此等任何之構成對於第1反射膜3,也藉由半導體雷 射照射,使Rs在0.5以上可進行記錄。 第7.圖係顯示記錄雷射光功率[mW]及反射率[%]之關係 的測定結果圖,記號,係做爲厚度18nm之Si膜的情形,籲記 號,係顯不對厚度1 3 n m之A19 3.5 P d ο. 9 T i 5.6膜的測定結果圖 〇 由第7圖明白顯示,譬如做爲厚度18nm之Si膜的情形,使 記錄雷射功率在3mW程度以下,則使反射率有26.5%程度,但 做爲5mW時,則上昇到30.5%。即Rs,係約成爲15%。 又,厚度13nm之A192.5 Pdo.9 Ti6.6膜中,係使記錄功率在 5mW以下,則顯示30.5%,但在7mW,則上昇到32.5%程度。即, 該情形R s,係成爲約6 %。 尙有,在第1圖說明之單一資訊層構造中之反射膜3,及第 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 -23- --------------- --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 472253 A7 B7 五、發明說明(21) 6圖之2層資訊層構造中第2反射膜的膜厚,係期望選定成20 nm〜70nm爲佳。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如上述,根據本發明若依據光記錄媒體S,則藉由形成可 追加記錄,譬如在製造時記入暗號數據放著,另外具有阿拉伯 藪字可解讀該暗號藉由再生裝置準行該暗號之再生,譬如對 於違法被複製之光記錄媒體係可做爲不能再生等,可形成多 數的利用方法。 又,譬如使租賃業者,對許可租賃之特定人以外用以追記 專用通行字,禁止該特定特定人以外之使用,或譬如藉由一般 之使用者,可採用媒體管理,或遊戲軟體中之遊戲終了點,或 再生完成位置之標記,使用者資訊之記錄,除此之外再生次數 等記錄,而且藉由使讀出功能賦予記錄再生裝置放著之各種 利用態樣。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且,根據本發明之光記錄裝置,係根據上述之本發明對 光記錄媒體具備有光記錄裝備所構成。該光記錄裝備,其構 成係具有雷射光之照射裝備根據追加記錄資訊被調制,藉由 雷射光之照射,使反射膜3變質並使其反射率產生變化藉由 熱記錄可進行追加記錄。 又,根據本發明之光再生裝置,係具備有光再生裝備根據 上述本發明對被形成追加記錄之光記錄媒體所構成,該光再 生裝備,係具有:再生光照射裝備,在光記錄媒體用以照射再 生光;及檢測裝備,由該反射膜用以檢測反射光;而由該檢測 裝備將檢測輸出之微小變化做爲追加記錄之再生信號。 又,根據本發明之光記錄再生裝置,係具備有:光記錄裝 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公f ) 472253 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7___ 五、發明說明(22) 備,根據上述之本發明對光記錄媒體;及光再生裝備;而光記 錄再生裝備,係具有雷射光之照射裝備對光記錄媒體根據追 加記錄資訊被調制,藉由雷射光之照射,使上述反射膜變質並 使其反射率產生變化藉由熱記錄進行追加記錄,而光再生裝 備,係具有:再生光照射裝備,在光_記錄媒體用以照射再生光 ;及檢測裝備,由反射膜用以檢測反射光;而由該檢測裝備將 檢測輸出之微小變化做爲追加記錄之再生信號。 使用根據本發明之光記錄媒體S,進行所要之追加記錄 及再生根據本發明將光記錄再生裝置之一例參考第7圖之構 成圖加以說明。 該光記錄再生裝置,係譬如根據第1圖說明之DVD對光記 錄媒體S進行追加記錄之裝置,該情形,具有驅動部41用以旋 轉驅動該光記錄媒體S。 該驅動部4 1之旋轉驅動,係藉由主軸馬達42被形成,該主 軸馬達42,係藉由伺服電路(未圖示)之控制,使光記錄媒體S 之旋轉速度的控制被形成。 對置於該光記錄媒體S,形成光記錄裝備進行上述之追 加記錄,且設有光拾波器43在光記錄媒體S進行追加記錄之 再生並做爲光記錄裝備。 該光拾波器43,係藉由螺紋機構(未圖示),在光記錄媒體 S之半徑方向被形成能移動於平行之方向。 又,該光拾波器43,係譬如在通常之光§5錄再生裝備中能 在光拾波器構成中,具有具備半導體雷射之光照射裝備,由半 導體雷射使雷射光藉由對物透鏡能形成聚光照於光記錄媒 ----I---- --------ΙΓ! — 訂·! ·線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格(210 X 297公釐) -25- 472253 A7 B7 五、發明說明(23) 體S。 該光照射裝備,係具備有:調制裝備,根據追加記錄資訊, 將雷射光,對光記錄媒體用以調制照射光量;光強度調制元件 ,譬如被配置於雷射光之光路;或調制裝備(未圖示),用以控制 半導體雷射之功率;並對光記錄媒ft被形成可用以照射記錄 雷射光。又,同時在再生中,係做爲再生光用以照射雷射光。 又,該光拾波器43,係具有取出檢測部由上述之雷射光的光記 錄媒體S用以檢測反射光做爲電氣輸出。 以如此,進行讀出追加記錄部1 2A之追加記錄資訊,及由 上述之記錄槽1 2P及追加記錄部1 2A的追加記錄。 又,與通常之光拾波器中同樣,被形成能取得漏電痕跡錯 誤信號及聚焦錯誤信號,並藉由此等錯誤信號使漏電痕跡伺 服器及聚焦伺服器被形成驅動。 被設有電路部44用以控制該光拾波器43之光記錄及光 再生動作。該電路部44,其構成譬如具有,CPU(中央處理單元 )45,光拾波器43之控制部46,雙値化電路47,譯碼電路48,ECC( Error Correcting Code)電路 49,數字摸擬變換電路(D-A)50, 及標記檢測電路5 1。 首先,對於該構成中之再生功能加以說明。 光記錄媒體S,係譬如在其所定部,被構成具有追加記錄 部1 2A,使製造者,被記錄各種暗號,標記,譬如爲了用以檢測 不法使用之標記。 將光記錄媒體S設置於驅動部4 1,則由CPU45藉由控制信 號,在光拾波器43之控制部46被賦予所要之信號使光拾波器 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -26- 4722 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(24) 43之雷射光,用以照射光記錄媒體S之追加記錄位置的位置, 即,被形成能照射於被形成標記記入之預定位置。而且,被設 定在適合於該標記檢測之雷射輸出。 以如此,由光拾波器43,藉由追加記錄部之標記被形成使 爯生輸出被取出,此係被輸入到標記檢測電路5 1,並使該標記 檢測輸出被輸入到CPU45,藉此譬如用以控制光拾波器控制 部,譬如使再生動作停止。 而且,該停止未被形成時,係由CPU45藉由指令,由光拾波 器控制部46藉由控制信號,使光拾波器43之雷射光,將光記錄 媒體S之預定,用以照射原來之記錄部12,被形成再生動作。 即,譬如由光拾波器43使記錄部1 2之讀出信號被輸入於雙値 化電路43,藉此藉由預定之限幅電平進行雙値化,取得雙値化 信號,藉由譯碼電路48被譯碼並用以生成再生數據。 該再生數據,係被輸入於ECC電路,並使用被附加於記錄 時之符號化時的錯誤修正符號被形成錯誤修正處理,在數字 摸擬變換電路(D-A)50,被變換成模擬信號。 而且,對光記錄媒體S之追加記錄,係與前述同樣,使雷射 光之照射位置,進行追加記錄被設定於預定位置,在光拾波器 控制部46譬如由CPU45將記錄資訊,或其他之記錄資訊信號 源(未圖示)等之記錄資訊進行輸入,由光拾波器控制部46藉 由控制信號使光拾波放大器43之雷射光被調制並被形成其 記錄。 以上述之例,係根據本發明對光記錄媒體S具有再生功 能及記錄功能對於光記錄再生裝置之一例做了說明,但根據 ----I--— In--- til--^! — 訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -27- 472253 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(25) 本發明之光記錄裝置,又,根據本發明之光再生裝置,係被構 成做爲具備上述之構成的光記錄或光再生之其中一方之機 能的裝置。 尙有,根據本發明之光記錄媒體,光記錄再生裝置,光記 錄裝置,光再生裝置,係不限定於將_上述所謂DVD做爲對象之 情形,譬如將CD等爲首具有所謂ROM部之光碟,可適用於具 有其他形狀之光記錄媒體。 根據上述之本發明的光記錄媒體,係在ROM型之光記錄 媒體中,藉由做爲可追記譬如在使者側,成爲可使再生完成位 置,遊戲軟體中之遊戲終了點之標記,在使用者側之個人的資 訊記錄,藉由租賃業者之特定貸出人的通行字,除此之外再生 次數等任意的記錄。 又,在製造者側,係進行管理代碼之記入等,成爲可製造 商之特定,是否有違法複製之識別,管理等。 譬如如前述,在製造時藉由記入暗號數據放著,以具有可 解讀暗號之阿拉伯數字的再生裝置藉由進行再生,對於被違 法複製之光記錄媒體係成爲不能再生等,形成可多數之利用 方法。 而且,根據本發明之光記錄媒體,係進行上述之追加記錄 做爲記錄層,藉由特別構成不另設記錄層,藉由用以選定反射 膜之組成形成於原來之資訊層,在該反射膜自體,進行追加記 錄用以構成追加記錄領域,所以不會增加任何製造工程數可 量產,又,由於可回避有害物質之使用,所以與通常之ROM型 的光記錄媒體以廉價可同等之量產性,以低成本可製造。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公. ?8 - --I------------A-----L! — 訂-----I ---線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 472253 A7 ____B7__ 五、發明說明(26) 又,根據本發明對光記錄媒體之記錄方法,係藉由半導體 雷射由於可光記錄,所以該記錄裝置即在光記錄裝置中根據 該追加記錄之構成,基本上不要特別的構成。 進而,根據本發明對光記錄媒體之光再生方法,也藉由半 導體雷射由於可光再生,所以根據赘追加記錄之目的的構成, 基本上,如通常之光記錄再生裝置中,由於藉由半導體雷射可 讀出,所以可簡便構成。 — — — — — — —---— ΙΆ---I l· I--訂· —----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 月 尺- 張 紙 本 釐 公 97 2 X 10 (2 格 規 A4 s) N (c 準 標 家 國 國

Claims (1)

  1. 472253 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種光記錄媒體,係具有資訊層至少在厚度方向或磁 道寬度方向之其中之一藉由物理的形狀變化被形成資訊記 錄部並具備有反射膜,其特徵爲: 上述反射膜,係具有反射膜構成藉由熱記錄可進行追加 着己錄,而該反射膜,係分別對再生光將未記錄狀態之反射率做 爲Rq,將記錄狀態之反射率做爲,則藉由構成在 0.5[%]^ ( | Ro-Ri | /Ro)x 100[%]^ 17[%] 之範圍使反射率進行變化。 2. 如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,係對上述 反射膜之追加記錄領域,藉由上述物理的形狀變化與資訊記 錄部使至少一部分做爲重疊位置藉由記錄態樣時,上述反射 膜,係構成爲, 0.5[%]^ ( | Ro-Ri | /Ro)X 1〇〇[%]^ 1〇[%] ° 3. 如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,其中上述 追加記錄領域,係具有被形成上述物理的形狀變化之資訊記 錄部被設於記錄領域內或外者。 4. 如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,係將上述 追加記錄領域,藉由上述物理的形狀變化具有資訊記錄部做 爲記錄領域內時,則上述追加記錄領域,係被設於上述資訊記 錄部之最短周期以外者。 ' 5.如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,其中上述 反射膜,係由金屬膜或半導體膜所構成被做爲單層構造膜所 形成者。 6.如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,其中上述 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公髮) --------— II--· I I I----訂.! I---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30 - 3 5 2 2 7 4 8888 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 反射膜,係由A 1 1G0-X Xx之A 1合金膜所構成, 而上述X,係G e、T i、N i、s i、T b、F e、A g之中 至少有1種以上之元素, 將上述1種以上之元素X,使上述A 1合金膜中之組成比x, 插選定形成爲4<x<50[原子%]者。 7. 如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,其中上述 反射膜,係由A1 i〇q-x-z Xx Zz之A 1合金膜所構成, 而上述X,係Ge' Ti、Ni、Si、Tb、Fe、Ag之中至少有1 種以上之元素, 上述Z,係上述元素X以外之元素的1種以上之元素 將上述1種以上之元素X,使上述A1合金膜中之組成比X, 被選定爲4<x<50[原子%_], 而將上述1種以上之元素Z,使上述A1合金膜中之組成比z ,被選定形成爲OS zS 5[原子%]者。 8. 如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,其中上述 反射膜,係由Ag<iQ〇-x; Ag合金膜所構成, 而上述 X,係 Ge、Ti、Ni、Si、Tb、Fe、Cr、A1之中至少 有1種以上之元素, 將上述1種以上之元素X,使上述Ag合金膜中之組成比X, 被選定形成爲5<x<50[原子%]者。 9. 如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,其中上述 反射膜,係由Ag 1QQ-X-Z Xx Zz之A g合金膜所構成, 而上述 X,係 Ge、Ti、Ni、Si、Tb、Fe、Cr、Al、Au之中 至少有1種以上之元素, 1- II---· - I I I I - I ^ ·1111111 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 -31 - 472253 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 而將上述1種以上之元素X,使上述A 2合金膜中之組成 比X,被選定形成爲5<z<50[原子%], 上述Z,係上述元素X以外之元素的1種以上之元素 而將上述1種以上之元素Z,使上述Ag合金膜中之組成比 z,被選定形成爲OS zS 5[原子%]曼。 10. 如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,其中上 述反射膜,係由CU 1QQ-X Xx之Cu合金膜所構成, 而上述X,係Al、Ti、Cr、Ni、Fe之中至少有1種以上之 元素, 將上述1種以上之元素X,使上述Cu合金膜中之組成比X, 被選定形成爲5<x<40[原子%]者。 11. 如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,其中上 述反射膜,係由Cu iGo-x-z Xx Zz之C u合金膜所構成, 而上述X,係Al、Ti、Ci·、Ni、Fe之中至少有1種以上之 元素, 上述Z,係上述元素X以外之元素的1種以上之元素, 而將上述1種以上之元素X,使上述Cu合金膜中之組成比 X,被選定形成爲5<z<40[原子%], 而將上述1種以上之元素Z,使上述Cu合金膜中之組成比z,被 選定形成爲OS zS 5[原子%]者。 12. 如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,其中上 述反射膜,係藉由S!被構成者。 13. 如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,其中上 述資訊層,係使第1資訊層及第2資訊層被層疊而成,由第1或 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS〉A4規格(210 X 297公釐) -32- — — — — — — III — — — — — — — — — — II ·111111 — I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 472253 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2資訊層側對上述第1或第2資訊層被形成再生光照射,並使 該再生光之射入側的上述第1或第2資訊層之第1或第2反射 膜,由S i被構成者。 14. 如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,其中上 述資訊層,係使第1資訊層及第2資_訊層被層疊而成,由第1或 第2資訊層側對上述第1或第2資訊層被形成再生光照射,並使 該再生光之射入側的上述第1或第2資訊層之第1或第2反射 膜,由Ag 1QQ-X-Z Xx Zz之Ag合金膜所構成, 而上述 X,係 Ge、Ni、Si、Tb、Fe、Al、Ti、Pd、Cr、Au 之中至少有1種以上之元素, 將上述1種以上之元素X,使上述Ag合金膜中之組成比X, 被選定形成爲4.5Sx<40[原子%]者。 15. 如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,其中上 述資訊層,係.使第1資訊層及第2資訊層被層疊而成,由第1或 第2資訊層側對上述第1或第2資訊層被形成再生光照射,並使 該再生光之射入側的上述第1或第2資訊層之第1或第2反射 膜,由Ag 1QG-X-Z Xx Zz之Ag合金膜所構成, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而上述 X,係 Ge、Ni、Si、Tb、Fe、Al、Ti、Pd、Cr、 Au之中至少有1種以上之元素, 上述Z,係上述元素X以外之元素的1種以上之元素, 將上述1種以上之元素Z,使上述Ag合金膜中之組成比z, 被選定形成爲4.5Sz<40[原子%]者。 16. 如申請專利範圍第1項所記載之光記錄媒體,其中上 述資訊層,係使第1資訊層及第2資訊層被層疊而成,由第1或 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 058899 ABCD 472253 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2資訊層側對上述第1或第2資訊層被形成再生光照射,並使 該再生光之射入側的上述第1或第2資訊層之第1或第2反射 膜,由Au 1GG-X Xx之Au合金膜所構成, 而上述 X,係 Ti、Ge、Ni、Tb、Fe、Al、Pd、Cr、 乏中至少有1種以上之元素,使上_述Au合金膜中之組成比x, 被選定形成爲4.5Sz<40[原子%]者。 Π.—種光記錄方法,其特徵爲:係具有資訊層至少在厚 度方向或磁道寬度方向之其中之一藉由物理的形狀變化被 形成資訊記錄部並具備有反射膜,而上述反射膜,係具有反射 膜構成藉由熱記錄可進行追加記錄,分別對再生光將未記錄 狀態之反射率做爲Ro,將記錄狀態之反射率做爲Ri時,則具有 0.5[%]^ ( 1 Ro-Ri | /Ro)x 100[%]^ 17[%] 之構成對光記錄媒體,藉由追加記錄資訊信號被調制用以照 射雷射光,使上述反射膜變質並使其反射率產生變化藉由熱 記錄可進行追加記錄。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 8.—種光再生方法,其特徵爲:係具有資訊層至少在厚 度方向或磁道寬度方向之其中之一藉由物理的形狀變化被 形成資訊記錄部並具備有反射膜,而上述反射膜,係具有反射 膜構成藉由熱記錄可進行追加記錄,分別對再生光將未記錄 狀態之反射率做爲Ro,將記錄狀態之反射率做爲Ri時,則具有 0.5[%]^ ( | Ro-Ri | /Ro)X 100[%]^ 17[%] 之構成對光記錄媒體,用以照射雷射光,藉由其反射光之反射 率變化根據微小變化可進行上述追加記錄之再生。 19.一種光記錄裝置,其特徵爲:係具有資訊層至少在厚 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 472253 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 度方向或磁道寬度方向之其中之一藉由物理的形狀變化被 形成資訊記錄部並具備有反射膜,而上述反射膜,係具有反射 膜構成藉由熱記錄可進行追加記錄,分別對再生光將未記錄 狀態之反射率做爲Ro,將記錄狀態之反射率做爲Ri時,則具有 0.5[%]^ ( I Ro-Ri | /Ro)x 100[%]^ 17[%] 之構成對光記錄媒體具備光記錄裝備, 而該光記錄裝備,係具有雷射光之照射裝備,對上述光記 錄媒體,根據追加記錄資訊被調制, 並藉由該雷射光之照射,使上述反射膜變質並使其反射 率產生變化藉由熱記錄可進行追加記錄。 2 0.—種光再生裝置,其特徵爲:係具有資訊層至少在厚 度方向或磁道寬度方向之其中之一藉由物理的形狀變化被 形成資訊記錄部並具備有反射膜,而上述反射膜,係具有反射 膜構成藉由熱記錄可進行追加記錄,分別對再生光將未記錄 狀態之反射率做爲R〇,將記錄狀態之反射率做爲Ri時,則具有 0.5[%]^ ( I Ro-Ri | /Ro)x 100[%]^ \1 [%} 之構成對光記錄媒體具備光再生裝備, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而該光再生裝備,係具有:再生光照射裝備,在上述光記 錄媒體用以照射再生光;及檢測裝備,由上述反射膜用以檢 測反射光;並由該檢測裝備將檢測輸出之微小變化做爲上 述追加記錄之再生信號。 2 1.—種光記錄再生裝置,其特徵爲:係具有資訊層至少 在厚度方向或磁道寬度方向之其中之一藉由物理的形狀變 化被形成資訊記錄部並具備有反射膜,而上述反射膜,係具有 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 472253 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 反射膜構成藉由熱記錄可進行追加記錄,並分別對再生光具 備有光記錄裝備及光再生裝備, 而該光記錄再生裝置,係具有雷射光之照射裝備對上述 光記錄媒體根據追加記錄資訊被調制,並藉由雷射光之照射 便上述反射膜變質並使其反射率章生變化藉由熱記錄可進 行追加記錄, 而上述光再生裝備,係具有:再生光照射裝備,在上述光 記錄媒體用以照射再生光;及檢測裝備,由上述反射膜用以檢 測反射光;_並由該檢測裝備將檢測輸出之微小變化做爲上述 追加記錄之再生信號。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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