JPS60214434A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPS60214434A JPS60214434A JP59070933A JP7093384A JPS60214434A JP S60214434 A JPS60214434 A JP S60214434A JP 59070933 A JP59070933 A JP 59070933A JP 7093384 A JP7093384 A JP 7093384A JP S60214434 A JPS60214434 A JP S60214434A
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は材料の相転移をオＵ用して情報を記録再生する
光記録媒体に関する。さらに詳しくは、本発明はアルミ
ニウムおよびシリコンの合金薄膜を有する光記録媒体に
関する。
光記録媒体に関する。さらに詳しくは、本発明はアルミ
ニウムおよびシリコンの合金薄膜を有する光記録媒体に
関する。
従来、相転移を利用した光記録媒体における記録材料と
しては種々のものが知られており。
しては種々のものが知られており。
そのうち最も一般的なものは酸紫を除く周期律表第７丁
族の元素Ｓ、 ８ｅ、Ｔｏなどのカルコゲン系金属また
゛は半金属の化合物薄膜である。しかしながら、このよ
うな薄膜は酸化や腐食を受け易いので記録媒体に用いる
と光学特性に経時変化が起り易く且つ信号劣化も起りひ
いては保存性が悪くなるという欠点がある。そこでこの
欠点に鑑みカルコゲン系化合物薄膜には一般的に８１０
２などの酸化物、Ｓｉ３Ｎ３などの窒化物を保護層とし
て設けることが行なわれているが保護層形成時にピンホ
ールを生じるなど製造上の問題が発生する。
族の元素Ｓ、 ８ｅ、Ｔｏなどのカルコゲン系金属また
゛は半金属の化合物薄膜である。しかしながら、このよ
うな薄膜は酸化や腐食を受け易いので記録媒体に用いる
と光学特性に経時変化が起り易く且つ信号劣化も起りひ
いては保存性が悪くなるという欠点がある。そこでこの
欠点に鑑みカルコゲン系化合物薄膜には一般的に８１０
２などの酸化物、Ｓｉ３Ｎ３などの窒化物を保護層とし
て設けることが行なわれているが保護層形成時にピンホ
ールを生じるなど製造上の問題が発生する。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであって、その
目的は従来技術の欠点を解消し、比較的製造費が安価で
あり且つ保存性のすぐれた光記録媒体を提供することに
ある。
目的は従来技術の欠点を解消し、比較的製造費が安価で
あり且つ保存性のすぐれた光記録媒体を提供することに
ある。
本発明者はアルミ、ニウムおよびシリコンの合金より形
成される薄膜が熱により非晶質から結晶への相転移を起
こすことに着目して本発明の完成に至った。すなわち本
発明者の１つの実験によれば例えば５１１０原子チを含
むＡｎ−８１合金から形成される膜厚２００Ｘの蒸着膜
およびこの蒸着膜をＩ Ｘ １０”−’Ｔｏｒｒ雰囲気
中で４００℃で１時間熱処理したものについて反射率の
分光特性を測定したところ、第１図に示すように熱処理
後（実線で示す曲線）では反射率が増加しそして電子線
回折観測によりアモルファスから結晶に変化しているこ
とを見出した。すなわち、本発明の基本思想はａｎ−ｓ
ｔ金合金かかる相転移を光記録媒体における記録材料と
して利用することにある。一般に、 Ａｆｉ−８１合金
は第２図の２成分平衡図に示すように共晶点ｐにおける
組成が８１１１．３原子チであり温度が５７７℃である
。一般に金属を誘電体中に分散させると金属がアモルフ
ァス状態となることが知られているが本発明によるＡｊ
ｌ、−８ｉ薄膜においてはシリコンの組成が５原子チ以
上になるとＡλが電子線回折観測によリアモルファス状
態になっていることが判明している。したがって、本発
明のＡβ−８１合金を光記録媒体の記録材料として利用
するためには合金の融点を１０００℃以下すなわちシリ
コンの組成を５原子チから５０原子優の範囲で選択する
ことが好都合である。
成される薄膜が熱により非晶質から結晶への相転移を起
こすことに着目して本発明の完成に至った。すなわち本
発明者の１つの実験によれば例えば５１１０原子チを含
むＡｎ−８１合金から形成される膜厚２００Ｘの蒸着膜
およびこの蒸着膜をＩ Ｘ １０”−’Ｔｏｒｒ雰囲気
中で４００℃で１時間熱処理したものについて反射率の
分光特性を測定したところ、第１図に示すように熱処理
後（実線で示す曲線）では反射率が増加しそして電子線
回折観測によりアモルファスから結晶に変化しているこ
とを見出した。すなわち、本発明の基本思想はａｎ−ｓ
ｔ金合金かかる相転移を光記録媒体における記録材料と
して利用することにある。一般に、 Ａｆｉ−８１合金
は第２図の２成分平衡図に示すように共晶点ｐにおける
組成が８１１１．３原子チであり温度が５７７℃である
。一般に金属を誘電体中に分散させると金属がアモルフ
ァス状態となることが知られているが本発明によるＡｊ
ｌ、−８ｉ薄膜においてはシリコンの組成が５原子チ以
上になるとＡλが電子線回折観測によリアモルファス状
態になっていることが判明している。したがって、本発
明のＡβ−８１合金を光記録媒体の記録材料として利用
するためには合金の融点を１０００℃以下すなわちシリ
コンの組成を５原子チから５０原子優の範囲で選択する
ことが好都合である。
したがって５本発明の１つの態様によれば基板上にアル
ミニウムおよびシリコンの合金薄膜を有する光記録媒体
が提供される。かかるＡｊｌ−ｓ１合金薄膜の形成は電
子ビーム蒸着、スノξツタリング、イオンブレーティン
グなどの慣用手段によって行なわれる。
ミニウムおよびシリコンの合金薄膜を有する光記録媒体
が提供される。かかるＡｊｌ−ｓ１合金薄膜の形成は電
子ビーム蒸着、スノξツタリング、イオンブレーティン
グなどの慣用手段によって行なわれる。
また、本発明の別の態様によれば上述のようにして構成
された光記録媒体のＡλ−６１合金薄膜の基板とは反対
側の表面を酸化性雰囲気（例えば、オゾン雰囲気）中で
酸化処理して該合金薄膜の酸化および腐食などに対する
安定性を高めることである。この安定性の向上はｈｌ−
ｓ１合金薄膜の表面がＡｎ２ｏ５−ｓｔｏ２酸化物形態
となりこれが保護層として作用することに起因するもの
と考えられる。それ故、本発明では酸化物保護層を一体
的に形成することができるため従来の光情報記録媒体の
ように５１ｇＮ４．５ｔｏ２などの保護層を別途設ける
手間が省けるばかりでなく製造時のピンホールなどの欠
陥の発生を回避できる利点が得られる。したがって、本
発明はまた基板上にアルミニウムおよびシリコンの合金
薄膜を有しさらに該合金薄膜の基板とは反対側の表面に
アルミニウムおよびシリコンの酸化物層を有する光記録
媒体を提供することである。
された光記録媒体のＡλ−６１合金薄膜の基板とは反対
側の表面を酸化性雰囲気（例えば、オゾン雰囲気）中で
酸化処理して該合金薄膜の酸化および腐食などに対する
安定性を高めることである。この安定性の向上はｈｌ−
ｓ１合金薄膜の表面がＡｎ２ｏ５−ｓｔｏ２酸化物形態
となりこれが保護層として作用することに起因するもの
と考えられる。それ故、本発明では酸化物保護層を一体
的に形成することができるため従来の光情報記録媒体の
ように５１ｇＮ４．５ｔｏ２などの保護層を別途設ける
手間が省けるばかりでなく製造時のピンホールなどの欠
陥の発生を回避できる利点が得られる。したがって、本
発明はまた基板上にアルミニウムおよびシリコンの合金
薄膜を有しさらに該合金薄膜の基板とは反対側の表面に
アルミニウムおよびシリコンの酸化物層を有する光記録
媒体を提供することである。
次に第３図を参照して本発明の材料を利用した記録媒体
について説明すると、基板１として例えばガラスなどの
透湿性のない透明基板を用いこの基板１上にＡｌ１−８
１合金薄膜２を設ける。
について説明すると、基板１として例えばガラスなどの
透湿性のない透明基板を用いこの基板１上にＡｌ１−８
１合金薄膜２を設ける。
厚さは２００〜ｓｏ’ｏｆ程度とする。次に、この合金
薄膜２を表面酸化してＡｎ２ｏ３−ｓｔｏ２表面層３を
形成させる。この例の場合には基板側よりレーザ光を照
射して情報を記録再生することができる。第４図は他の
構成を示すものであって、第３図に示した一対の記録媒
体を用いそれぞれの基板を外側にし空間４を介してスは
−サまたは接着剤５により接合したサンドインチ構造を
示す。
薄膜２を表面酸化してＡｎ２ｏ３−ｓｔｏ２表面層３を
形成させる。この例の場合には基板側よりレーザ光を照
射して情報を記録再生することができる。第４図は他の
構成を示すものであって、第３図に示した一対の記録媒
体を用いそれぞれの基板を外側にし空間４を介してスは
−サまたは接着剤５により接合したサンドインチ構造を
示す。
ガラス基板上にｈｉ、９０原子チおよび５ｉ１０原子チ
からなる合金な膜厚２００Ａで蒸着してＪ−８１合金薄
膜を形成した。次に、この合金薄膜をオゾン雰囲気中で
表面酸化処理して第３図に示した構成の光記録媒体を作
製した。次に、この記録媒体の表面に透明基板側から５
ｍＷのＨｅ−Ｈｅレーザで書込み、α８ｍＷで再生した
ところ５０ ｄ、ＢのＯ／Ｎが倒られた。書込み部ｋｉ
１１字の形状変化ではなくアモルファス→結晶の相転移
であることが確認された。
からなる合金な膜厚２００Ａで蒸着してＪ−８１合金薄
膜を形成した。次に、この合金薄膜をオゾン雰囲気中で
表面酸化処理して第３図に示した構成の光記録媒体を作
製した。次に、この記録媒体の表面に透明基板側から５
ｍＷのＨｅ−Ｈｅレーザで書込み、α８ｍＷで再生した
ところ５０ ｄ、ＢのＯ／Ｎが倒られた。書込み部ｋｉ
１１字の形状変化ではなくアモルファス→結晶の相転移
であることが確認された。
保存性試験は同時に作製した試料を６０℃。
９０チ囲の環境下に所定時間放置した後透明基板側から
反射率を測定したところ第５図に示すように変化はほと
んどなかった。
反射率を測定したところ第５図に示すように変化はほと
んどなかった。
本発明を特定の好適例について説明してきたが、本発明
の基本思想から逸脱することなく種種の変更を行なうこ
とは本発明の範囲に包含されることは明白である。
の基本思想から逸脱することなく種種の変更を行なうこ
とは本発明の範囲に包含されることは明白である。
上述のようにして構成された本発明の光記録媒体によれ
ば保存性の向上を達成することができる。
ば保存性の向上を達成することができる。
第１図は本発明によるＡβ−８１合合金層膜（点線）お
よび熱処理後の蒸着膜（実線）の反射率を示すグラフで
あり、第２図はＡｎ−８ｉ合金の平衡図を示し、第３図
および第４図は本発明による光記録媒体の構成例を示す
断面図でありそして第５図は本発明による光記録媒体の
保存後の反射率の変化を示すグラフ（ＲＯ：初期反射率
、Ｒ：保存後の反射率）である。 １・・・基板、２・・・Ａｎ−８ｉ合金薄膜、３・・・
ｈＲ２０３−ｓ１ｏ２表面層、４・・・空間、５・・・
スペーサまたは接着剤。 特許出願人 株式会社 リ コ − 第１図 第２図 一一−％ＳＩＪ 第３図 第４図 第５図
よび熱処理後の蒸着膜（実線）の反射率を示すグラフで
あり、第２図はＡｎ−８ｉ合金の平衡図を示し、第３図
および第４図は本発明による光記録媒体の構成例を示す
断面図でありそして第５図は本発明による光記録媒体の
保存後の反射率の変化を示すグラフ（ＲＯ：初期反射率
、Ｒ：保存後の反射率）である。 １・・・基板、２・・・Ａｎ−８ｉ合金薄膜、３・・・
ｈＲ２０３−ｓ１ｏ２表面層、４・・・空間、５・・・
スペーサまたは接着剤。 特許出願人 株式会社 リ コ − 第１図 第２図 一一−％ＳＩＪ 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 基板上にアルミニウムおよびシリコンの合金薄膜を有す
ることを特徴とする。光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59070933A JPS60214434A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59070933A JPS60214434A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60214434A true JPS60214434A (ja) | 1985-10-26 |
Family
ID=13445802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59070933A Pending JPS60214434A (ja) | 1984-04-11 | 1984-04-11 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60214434A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009093794A (ja) * | 1999-07-22 | 2009-04-30 | Sony Corp | 光記録媒体、光記録方法、光再生方法、光記録装置、光再生装置および光記録再生装置 |
-
1984
- 1984-04-11 JP JP59070933A patent/JPS60214434A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009093794A (ja) * | 1999-07-22 | 2009-04-30 | Sony Corp | 光記録媒体、光記録方法、光再生方法、光記録装置、光再生装置および光記録再生装置 |
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