JP2006281751A - 追記型光記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 追記型光記録媒体における記録再生特性の向上、構成の簡略化を図る。
【解決手段】 基体上に、無機記録膜を構成する酸化物膜３を有する追記型光記録媒体であって、上記酸化物膜３が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物Ｇｅ_１Ｏ_ｘ（ｘは原子比）による記録材料よりなり、上記酸化物膜３のＧｅ_１Ｏ_ｘの組成が、１．０＜ｘ＜２．０とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、追記型光記録媒体に関する。

追記型光記録媒体、例えば追記型光ディスクは、例えば追記型のＣＤ（Compact Disc)や、追記型のＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、いわゆるＣＤ−Ｒや、ＤＶＤ−Ｒで広く知られているように、その記録層を構成する記録材料は、有機色素を用いたものが普及している。

一方、無機記録材料を用いる記録媒体の提案も、種々なされている（例えば特許文献１参照）。
しかしながら、現在、記録材料が無機材料による記録媒体（以下無機記録媒体という）に比し、記録材料が有機材料による記録媒体（以下有機記録媒体という）が広く用いられている。
その理由は、無機材料を記録膜とした場合、反射率の自由度が狭いためＲＯＭ（Read on Memory）との互換性が得られないという不都合があったこと、更に、記録特性や耐久性の向上を図ると、多層膜とせざるを得ず、その製造装置、例えばスパッタ装置への設備投資などが必要となることから、有機材料による場合に比して、コスト高となるなどの問題を有することである。

これに対して有機材料を記録材料とする追記型光記録媒体においては、その記録層はスピンコート法により成膜することができるものであり、これに反射膜の成膜を行えば良い程度であることから、その製造方法は簡単で、製造装置の設備費用も低廉である。

一方、光ディスクの高密度化は、主として光源の波長の短波長化と対物レンズの開口数（Ｎ．Ａ．）により実現されてきた。現在は短波長４００ｎｍ近辺のブルーの半導体レーザが実用化されてきたため、このような波長の光源に適した有機色素の開発が必要となっている。
しかし、短波長光に対する光学的な特性を満たす有機色素は、色素分子のサイズが小さくなる方向であり、分子設計の自由度が小さくなり、結果として、スピンコートが可能でかつ上述した短波長のブルー光源で良好な記録を行うことのできる有機色素は、現在、実用化されるほど開発されていない。

また、次世代光ディスクの規格として商品化されているBlu-ray Discと呼称されるディスクにおいては、Ｎ．Ａ．が、０．８５であるため、スキューの許容度が小さいなどの問題から、記録層に対する記録再生のブルーレーザ光の照射は、記録層上に形成された厚さ０．１ｍｍの光透過層側からなされる。
そして、Blu-ray Discにおいては、上述したように、光透過層側から光を入射させるという事情から、ランド（Blu-ray Discにおけるいわゆるオン・グルーブ）が記録トラックとして規格化されている。
ところが、有機色素の成膜をスピンコート法によって行うと、基本的にランドよりもグルーブにおいて厚く成膜される。
そこで、スピンコート法による有機色素膜を記録膜とする光記録媒体による場合、特性上有利な、膜厚が大きいグルーブ（Blu-ray Discにおけるいわゆるイン・グルーブ）記録を採ることが望ましいが、この場合、極性が通常と逆となる。
そこで、スピンコートにより成膜した記録媒体においても、ランドに記録することが望まれるが、この場合、上述したように、スピンコートによる成膜によるときは、グルーブ内で記録膜としての有機色素が厚く成膜されるために、記録部のランド間のクロストークが大きくなるという問題が生じる。

このように、有機色素の場合には、グルーブに厚く色素が成膜されることに因る問題がある。これに対して、スパッタが可能な無機記録材料によるときは、無機記録材料の記録媒体が特性的に有利といえる。

更に、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒの光学系においても、同様の理由で無機記録媒体が有機記録媒体より優位となる場合がある。
しかし、例えば相変化型の記録媒体におけるように、スパッタ法によって記録層を形成する光記録媒体にあって、その構成膜数が多層である場合、製造の煩雑さや、コストの問題が生ずる。そこで、この追記型光記録媒体の構成膜数は、３〜４層以下であること望まれる。
特開平１１−１４４３１６号公報

本発明は、従前の追記型光記録媒体によっては得ることができなかった記録再生特性にすぐれた、また、生産性にすぐれ、コストの低廉化を図ることができる追記型光記録媒体を提供することを目的とする。
すなわち、本発明は、無機記録膜の構成の特定によって、従来の無機記録膜によって得られない記録再生特性にすぐれた追記型光記録媒体を構成することができることの究明に基いてなされた発明を提供するものである。

本発明による追記型光記録媒体は、無機記録膜を有する追記型光記録媒体であって、上記無機記録膜が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物Ｇｅ_１Ｏ_ｘ（ｘは原子比）による酸化物膜を有して成り、上記無機記録膜のＧｅ_１Ｏ_ｘの組成が、１．０＜ｘ＜２．０とされたことを特徴とする。

本発明による追記型光記録媒体は、上記無機記録膜が、上記酸化物膜に接して形成された金属膜を有して成ることを特徴とする。
本発明による追記型光記録媒体は、上記金属膜がＴｉを主たる材料とする金属膜より成ることを特徴とする。
本発明による追記型光記録媒体は、上記金属膜が、Ａｌを主たる材料とする金属膜より成ることを特徴とする。
本発明による追記型光記録媒体は、上記金属膜が、Ａｌと、希土類金属のＴｂ,Ｇｄ,Ｄｙ,Ｎｄのいずれか１種以上との合金膜より成ることを特徴とする。

本発明による追記型光記録媒体は、上記酸化物膜の一方の面に接して上記金属膜が形成され、該金属膜と接する側とは反対側の面に誘電体膜が形成されて成ることを特徴とする。
本発明による追記型光記録媒体は、上記誘電体膜が、ＳｉＮより成ることを特徴とする。
本発明による追記型光記録媒体は、上記誘電体膜の膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする。
本発明による追記型光記録媒体は、上記酸化物膜の膜厚が１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下であることを特徴とする。

本発明による追記型光記録媒体は、ランド・グルーブの凹凸面が形成された基体上に、少なくとも上記酸化物膜が形成されて成ることを特徴とする。
本発明による追記型光記録媒体は、上記酸化物膜が、スパッタ膜よりなることを特徴とする。
なお、本発明において、主たる材料とは、他の元素に比べて最も組成比が高いことを指称する。

本発明による追記型光記録媒体は、無機記録膜として、上述したＧｅ_１Ｏ_ｘで、その組成が、１．０＜ｘ＜２．０という特定された構成とすることによって、後に詳述するような記録再生特性にすぐれた追記型光記録媒体を構成することができたものである。

また、本発明による追記型光記録媒体においては、膜構成の単純な無機記録膜による、低廉な高密度媒体を提供するものである。

本発明による追記型光記録媒体の実施の形態を例示するが、本発明は、例示する実施の形態例に限定されないことはいうまでもない。
図１は、本発明による追記型光記録媒体１０の形態例の概略断面図である。
例えば図１に示すように、グルーブ１１Ｇ（基体１側に凹をグルーブと呼称する。）およびランド１１Ｌ（光透過層５側に凸をランドと呼称する。）が形成された凹凸面１１を有するポリカーボネート基板等による基体１上に、順次、無機記録膜を構成する金属膜２および酸化物膜３、更に、誘電体膜４が形成され、この上に光透過層５が塗布されて成る。
この場合、記録、再生波長が、４０５ｎｍ±５ｎｍ、開口数（Ｎ．Ａ．）が０．８５±０．０１のＢＤ対応の追記型光記録媒体構成とすることができ、この追記型光記録媒体１０に対する記録および再生光は、厚さ１０μｍ〜１７７μｍの厚さの光透過層５側から照射される。
しかしながら、後述するように、基板１側からレーザ光入射を行う構成とすることもできる。

本発明による追記型光記録媒体の無機記録膜を構成する酸化物膜３は、Ｇｅ_１Ｏ_ｘで、その組成が、１．０＜ｘ＜２．０とされた構成とされ、その膜厚は、１０ｎｍ〜３５ｎｍとされる。
そして、この場合、無機記録膜が、酸化物膜３に接して金属膜２が形成された構成を有する。
金属膜２は、Ｔｉを主たる材料とし、例えばさらに高い反射膜としての機能を必要とするときは、Ａｌを添加することができる。そのほかの添加物としては、Ａｌのほかに、Ａｇ,Ｃｕ，Ｐｄ，Ｇｅ,Ｓｉ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｖ，Ｃ，Ｃａ，Ｂ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｓ，Ｓｅ，Ｍｎ，Ｇａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｇｄ，Ｎｄ，Ｚｎ，Ｔａを用いることができる。

また、誘電体膜４は、無機記録膜３上に接して形成され、無機記録膜３の光学的、機械的保護、すなわち耐久性の向上や、記録時の無機記録膜の変形、すなわちふくらみの抑制等を行う。この誘電体膜４は、例えばＳｉＮによって構成され、その膜厚は、１０ｎｍ〜１００ｎｍとする。

光透過層５は、例えば紫外線硬化樹脂によって、例えばBlu-ray Discを構成する場合においては、例えば０．１ｍｍの厚さに塗布することによって形成することができる。
また、この光透過層５は、紫外線硬化樹脂の代わりに、ＰＣシートをＰＳＡ（感圧性粘着シート、Pressure Sensitive Adhesive）により接着して形成することもできる。

次に本発明による追記型光記録媒体の実施例を挙げて説明する。
［実施例１］
この実施例においては、開口数（Ｎ．Ａ．）０．８５の２群対物レンズを通じて、波長４０５ｎｍの青紫色半導体レーザ光源からの光ディスク記録再生装置によるBlu-ray Disc（以下ＢＤという）対応の実施例である。
図２は、この実施例による追記型光記録媒体１０の構成を示す凹凸面を省略した膜構成の模式的断面図である。

この追記型光記録媒体１０を作製する成膜装置は、Ｕｎａｘｉｓ製Ｃｕｂｅを用いた。このときのターゲットサイズは、直径φ２００ｍｍである。
基板１は、ポリカーボネート樹脂を用いて射出成型形によってその１主面にランド・グルーブによる上述した凹凸面１１がディスク基体１の成型と同時に成型された構成とすることができる。
このランド・グルーブのピッチ、すなわちトラックピッチは、０．３２μｍ（ＢＤ仕様）であり、グルーブ１１Ｇの深さは２０ｎｍである。
光透過層５は、ＵＶレジン（紫外線硬化樹脂）をスピンコート法により形成した。

この場合、先ず、ディスク基体１上に、Ｔｉを膜厚３０ｎｍにスパッタして金属膜２を成膜した。このスパッタ時のＡｒ（アルゴン）ガス流量は、２４ｓｃｃｍとし、スパッタパワーは１．０ｋＷとした。
次に、Ｇｅターゲットを用い、Ａｒガスを２４ｓｃｃｍ、Ｏ₂ガスを９ｓｃｃｍ流した状態で反応性スパッタリングして無機記録膜３を２０ｎｍの厚さに成膜した。この組成は、原子数比で１：１．８であった。この組成比はラザフォード後方散乱分光法（ＲＢＳ）により測定した実測値である。

この酸化物膜３上に誘電体膜４を保護膜として、ＳｉＮを厚さ６０ｎｍに成膜することによって形成した。この誘電体膜４の成膜は、Ｓｉターゲットを用い、ＡｒガスとＮ₂ガスの混合ガスにより、反応性スパッタリングによって成膜した。このＳｉＮの組成は、原子比で３：４であり、屈折率が２．０、吸収係数が０の膜となっている。

このようにして得た追記型光記録媒体１０について、パルステック製ＤＤＵ-1０００を用いて、線速度５．２８ｍ／ｓ、チャンネルビット長８０．０ｎｍで特性評価した。
これらは、ＢＤの２３．３ＧＢ密度の規格にのっとったものである。
変調方式は１７ＰＰで、最短マーク長は２Ｔ（０．１６μｍ)、最長マーク長は８Ｔ(０．６４μｍ)である。Ｃ／Ｎ評価にはTakeda Riken製TR4171を用いた。
この実施例による追記型光記録媒体１０を上述した記録再生評価したところ、８ＴマークのＣ／Ｎは、６１ｄＢという高い値を示した。また、２Ｔマークについても４５ｄＢを超える値を得ることができた。
因みに、およその実用レベルとしては、２ＴマークのＣ／Ｎが４３ｄＢ以上、８ＴマークのＣ／Ｎは５５ｄＢ以上が目安となる。

また、変調度は８０％であり、きわめて良好な記録再生特性を示した。
なお、この変調度の定義は、８Ｔマークのスペース部分の戻り光量をＩ８Ｈ、マーク部分の戻り光量をＩ８Ｌとしたとき、(Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ)／Ｉ８Ｈである。

この実施例では、反射率は１０％であった。
そして、より高い反射率が必要である場合は、金属膜２として、ＴｉにＡｌを添加することで、２０％以上の反射率が得られた。
また、Ｔｉを主たる材料とすれば基本的に記録特性は良好であり、このように、最適化を図って光学特性を高め、耐久性を向上するため、あるいは、記録感度を向上させるための添加物として、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｐｄ，Ｇｅ,Ｓｉ,Ｓｎ,Ｎｉ,Ｆｅ,Ｍｇ,Ｖ，Ｃ，Ｃａ，Ｂ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｓ，Ｓｅ，Ｍｎ，Ｇａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｇｄ，Ｎｄ，Ｚｎ，Ｔａを用いることができる。
また、誘電体膜４としては、この他にＺｎＳ−ＳｉＯ_２，ＡｌＮ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，ＴｉＯ_２、ＳｉＣ等を用いることもできる。

上述した実施例１においては、金属膜２、酸化物膜３、誘電体膜４の３層のみで高密度記録ができる追記型光記録媒体を構成することから、この追記型光記録媒体は、工業的に有利な追記型光記録媒体である。
上述した実施例においては、無機記録膜として、Ｇｅ_１Ｏ_ｘによる酸化物膜３に接してＴｉによる金属膜２を配置した場合であるが、これら膜間に他の膜を介在させた構造とした場合を比較例１として示す。

［比較例１］
実施例１のＴｉ金属膜２とＧｅ_１Ｏ_ｘによる酸化物膜３との間に、ＳｉＮによる誘電体膜を５ｎｍの厚さで成膜し、実施例１と同様の記録再生実験を行った。
このように、５ｎｍの薄さの誘電体の介在では、熱的・光学的特性に与える影響は殆どない。しかし、この誘電体膜は、Ｔｉ層による金属膜２とＧｅ_１Ｏ_ｘによる酸化物膜３とを隔離する。
その結果、記録感度はほぼ同じながら、記録後の反射率が記録前よりも高い、いわゆるlow to high記録となり、変調度は−１３％という実施例１に比して、きわめて小さな値となった。

また、マーク長８ＴのＣ／Ｎは、４４ｄＢ、マーク長２ＴのＣ／Ｎは、３１ｄＢとなり、記録特性が悪化した。つまり、Ｔｉ膜とＧｅ_１Ｏ_ｘとは実施例１におけるように互いに接している必要がある。具体的には、Ｇｅ_１Ｏ_ｘとＴｉとが界面で反応していることが記録原理であると考えられる。したがって、Ｇｅ_１Ｏ_ｘに隣接して活性の高い金属材料や金属酸化物等があった場合に良好な記録が行われるものであり、比較例１におけるように、Ｇｅ_１Ｏ_ｘの両面を安定な材料の誘電体膜で保護した構成とする場合、良好な記録が行われないことがわかった。
更に、断面ＴＥＭで記録前後の膜厚分布を調べたところ、Ｔｉ層の膜厚に変化は見られず、Ｇｅ_１Ｏ_ｘ層が酸素richな層とＧｅ richな層に分離しており、Ｔｉ層側に酸素richな層が形成されていることがわかった。したがって、本発明は金属を酸化させることを記録原理とする前記特許文献１とは全く異なる、新規の記録原理を用いるものである。

［実施例２］
この実施例においては、図３に構成図を示すように、金属膜２として、Ａｌを用い、誘電体膜４のＳｉＮの厚さを２０ｎｍとした場合である。その他の成膜条件、評価方法は実施例１と同一とした。
この場合、誘電体膜４の膜厚が実施例１の場合より薄くしたのは、光学的理由による。すなわち、金属膜２として用いたＡｌはＴｉとは光学定数が大きく異なるためにＳｉＮによる多重干渉の効果が違うため、ＳｉＮの膜厚の最適化により所望の反射率が得られるよう調整したものである。

この実施例の追記型光記録媒体１０は、実施例１と同様に記録した結果、記録マークの戻り光は記録前よりも高くなった。いわゆるlow to high記録である。しかし、８ＴのＣ／Ｎは、５５ｄＢであり、２ＴのＣ／Ｎも４２ｄＢであり、記録特性自体は良好であった。
この構成条件では、ＢＤの規格を満たさないが、高密度記録が実現できている。
したがって、ＢＤの規格によることがない追記型光記録媒体として充分使用可能であり、また、製造条件の選定によってＢＤの規格にあわせることも可能であることは、充分推測できるものである。
そして、この構成による場合、Ａｌ金属膜によることによって、耐久性が向上した。また、この場合においても、金属膜２、酸化物膜３、誘電体膜４の３層のみで高密度記録ができるという点でも、また、ＳｉＮ誘電体膜の膜厚が薄いという点でも、工業的に有利な追記型光記録媒体である。

［実施例３］
この実施例においては、金属膜２として、Ａｌと希土類金属のＧｄとの合金、ＡｌＧｄ合金を用いた場合で、他は実施例２と同様の構成とした。この例では、ＡｌＧｄの組成は、Ａｌ：Ｇｄ（原子数比）でおよそ７：３とした。図４は、この実施例の膜構成の模式的断面図である。
希土類金属は、酸化されやすい材料であり、また、熱伝導率が低いが、希土類金属をＡｌと合金化することにより記録感度も調整することができるものである。
希土類金属としては、Ｇｄの他にＴｂ,Ｄｙ, Ｎｄが上げられるが、これらの特性は非常に類似しており、この実施例はこれらの希土類金属を用いてもほぼ同じ特性が得られる。
また、酸化されやすい他の材料としては、Ｆｅ,Ｍｇ,Ｖ，Ｃａ，Ｂ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｓ，Ｓｅ，Ｍｎ，Ｇａ，Ｍｏ，Ｗがあげられ、同様の効果が得られる。これらは熱伝導率を下げて記録感度を向上させる効果があり、かつ、材料によっては耐久性の向上に寄与する。

そして、記録再生の結果、記録後の反射率が記録前よりも低い、いわゆるhigh to low記録になった。記録前の反射率は約１０％、変調度は５０％であった。Ａｌを用いて、光学的にhigh to low記録である必要がある場合は、このように、添加元素を加えることが有効であることがわかる。
また、ＡｌやＴｉ金属膜２の耐久性向上のための添加物としては、Ｃｕ,Ｐｄ,Ｓｉ,Ｎｉ, Ｃ，Ｃｒ，などが有効である。

［実施例４］
この実施例においては、実施例１と同一の膜構成で、Ｇｅ_１Ｏ_ｘの酸素組成ｘを変えた各追記型光記録媒体を構成した。
この場合、Ｇｅ_１Ｏ_ｘの成膜時の酸素ガス流量を６ｓｃｃｍ〜９ｓｃｃｍの範囲で変化させて、酸化物膜３を、その膜厚が２０ｎｍになるようにスパッタ時間を調整して成膜した。その他の成膜条件は実施例１と全く同一とした。
その実験結果を図５に示す。この図５では、横軸は実際の酸素の組成であるが、これはＲＢＳ（Rutherford Backscattering）分析法により測定した実測値である。
この図から、ｘ＝１．８４までの範囲では酸素の組成が多いほど変調度が大きく、ｘ＜２．０の範囲まで２ＴのＣ／Ｎも高いことがわかる。また、ｘが１．０以下では２ＴのＣ／Ｎが４０ｄＢ以下となり、また、変調度も４０％程度に低下するため、記録特性に明らかな劣化が見られる。
また、ｘ≧２．０の範囲で成膜したところ、急激に記録感度が悪くなり、記録が行えなくなった。これは、Ｇｅ_１Ｏ_２が安定な組成であるためと考えられる。
つまり、Ｇｅ_１Ｏ_ｘとして好ましい酸素組成の範囲は、１．０＜ｘ＜２．０であるが、より好ましくは、１．３＜ｘ＜１．８である。

［実施例５］
この実施例は、実施例１と同じ膜構成で、Ｇｅ_１Ｏ_1.8の無機記録膜３の膜厚を変化させた。この膜厚を変化させた以外のパラメータ、成膜方法等はすべて実施例１と同一とした。その結果を図６に示す。
これによると、膜厚２０ｎｍ付近が最も変調度および８Ｔと２Ｔの各Ｃ／Ｎが高く、これよりも厚い場合、もしくは薄い場合には低下していることがわかる。
そして、１０ｎｍ以下では、変調度が４０％を下回り、また、２ＴのＣ／Ｎが４０ｄＢ未満となり、記録特性が劣化してくる。また、２ＴのＣ／Ｎについては、３５ｎｍまでは、４０ｄＢ以上である。したがって、Ｇｅ_１Ｏ_1.8の膜厚は、１０ｎｍより大で、３５ｎｍ以下に選定する。なお、８ＴのＣ／Ｎは、測定した全膜厚範囲で５０ｄＢ以上であった。
すなわち、Ｇｅ_１Ｏ_1.8.の層の膜厚は２０ｎｍが最適であり、１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下であれば本発明の効果が得られる。

［比較例２］
この比較例においては、誘電体膜４を１０ｎｍとした以外は、図３に示した実施例２と同様の構成とした。
この追記型光記録媒体について、実施例２と同様の記録を行ったところ、記録ノイズが大きく上昇し、８ＴのＣ／Ｎが４０ｄＢ程度に低下した。これは誘電体膜４の剛性が不足したためと考えられる。したがって、誘電体膜４の膜厚は、１０ｎｍ以上であることが好ましい。
また、この誘電体膜４は、酸化物膜３の保護膜としても機能しているため、保護の観点からはなるべく厚い方が好ましいが、量産性の観点からは１００ｎｍ以下であることが好ましく、また、本発明の効果はこの膜厚範囲で得られるものである。

しかし、最適な誘電体膜４の膜厚は、金属膜２の材料、誘電体膜４の材料によって変わるものであり、一意的には決定されない。
例えば実施例１の場合は、６０ｎｍが最適膜厚であり、実施例２の場合には、２０ｎｍが最適膜厚であった。更に、誘電体膜４がＳｉＯ_２であった場合、屈折率がディスク基板や光透過層５とほぼ同じであるため、光学的には膜厚はどの厚さでも構わず、耐久性、量産性、記録特性の観点のみから最適化することが可能である。
また、誘電体膜４は、単一層である必要は無く、たとえばＳｉＮ/ＳｉＯ_２やＺｎＳ−ＳｉＯ_２/ＳｉＮのように２層以上に分けることも可能であり、この場合にも本発明の効果が全く同様に得られる。

［実施例６］
この場合、波長６５０ｎｍ、レンズ開口数（Ｎ．Ａ．）が０．６の光学系を用いた評価機による例を示す。
この場合、図７に膜構成の模式的断面図を示すように、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板による基体１側から光が入射されるものであり、この場合、基体１上に、順次厚さ２０ｎｍのＳｉＮ誘電体膜４、厚さ１２ｎｍのＧｅ_１Ｏ_ｘ（ｘ＝１．８）酸化物膜３、厚さ３０ｎｍのＴｉ金属膜２、厚さ０．０５ｍｍのＵＶレジンをスピンコートした保護層１５を形成した膜構成を有する。
基体１は、トラックピッチ０．７４μｍ、グルーブ深さ４０ｎｍの凹凸面を有する構成とした。

評価機はパルステック社製ＤＤＵ−１０００を用いた。これにより、ＤＶＤ−Ｒと同一のパラメータで記録を行った結果、変調度５０％、ＥＦＭ＋(Eight to Fourteen Modulation +)における８ＴマークのＣ／Ｎとして５５ｄＢが得られ、良好な記録が行われた。また、金属膜２としてＴｉＡｌ（Ａｌの原子組成比が３０％）を用いた場合、反射率が若干上昇した。
このように、本発明は特定の光波長や対物レンズの開口数に限定されるものではなく、また、光入射側が基板側に対してどちら側であっても同様に効果の認められるものであることが確認された。
例えば波長４００ｎｍで、開口数（Ｎ．Ａ．）０．６〜０．８の範囲による場合や、ＣＤ−Ｒの光学系にも適用することができるものである。

上述したように、本発明構成によれば、無機記録膜とすることにより、スパッタ膜構成とすることができることから、前述したように、スピンコートによる場合におけるグルーブの膜厚が大となることに基くＲＯＭとの互換性の問題を解決することができる。
また、上述したように、本発明構成によれば、記録特性、耐久性にすぐれた追記型光記録媒体が得られる。
また、金属膜２、酸化物膜３、誘電体膜４の３層というきわめて少ない膜層数で、良好な記録特性が得られることから、量産性にすぐれ、また、層数が少ないことから、不良品の発生率を低減できるなどコストの低減化を図ることができる。
このように、本発明においては、基本的には、上述した３層を設けることによって、良好な記録再生が良好に行われるが、使用態様、目的応じて反射率を更に上げる場合や、耐久性を上げるなどの理由により、この３層以外にも金属膜、誘電体膜を設けることもできるなど上述した例に限定されるものではなく、本発明構成において、種々の変更を行うことができる。

本発明による追記型光記録媒体の一例の概略断面図である。 本発明の追記型光記録媒体の一実施例の膜構成の模式的断面図である。 本発明の追記型光記録媒体の一実施例の膜構成の模式的断面図である。 本発明の追記型光記録媒体の一実施例の膜構成の模式的断面図である。 本発明による追記型光記録媒体のＣ／Ｎおよび変調度の、無機記録膜を構成する酸化物膜の酸素組成依存性を示す図である。 本発明による追記型光記録媒体のＣ／Ｎおよび変調度の、無機記録膜を構成する酸化物膜の膜厚依存性を示す図である。 本発明の追記型光記録媒体の一実施例の膜構成の模式的断面図である。

符号の説明

１・・・基体、２・・・金属膜、３・・・酸化物膜、４・・・誘電体膜、５・・・光透過層、１０・・・追記型光記録媒体、１１・・・凹凸面、１１Ｇ・・・グルーブ、１１Ｌ・・・ランド、１５・・・保護層

Claims (10)

1. 無機記録膜を有する追記型光記録媒体であって、
   上記無機記録膜が、ゲルマニウム（Ｇｅ）の酸化物Ｇｅ_１Ｏ_ｘ（ｘは原子比）による酸化物膜を有して成り、
   上記無機記録膜のＧｅ_１Ｏ_ｘの組成が、１．０＜ｘ＜２．０とされたことを特徴とする追記型光記録媒体。
2. 上記無機記録膜が、上記酸化物膜に接して形成された金属膜を有して成ることを特徴とする請求項１に記載の追記型光記録媒体。
3. 上記金属膜がＴｉを主たる材料とする金属膜より成ることを特徴とする請求項２に記載の追記型光記録媒体。
4. 上記金属膜が、Ａｌを主たる材料とする金属膜より成ることを特徴とする請求項２に記載の追記型光記録媒体。
5. 上記金属膜が、Ａｌと、希土類金属のＴｂ,Ｇｄ,Ｄｙ,Ｎｄのいずれか１種以上との合金膜より成ることを特徴とする請求項２に記載の追記型光記録媒体。
6. 上記酸化物膜の一方の面に接して上記金属膜が形成され、該金属膜と接する側とは反対側の面に誘電体膜が形成されて成ることを特徴とする請求項１に記載の追記型光記録媒体。
7. 上記誘電体膜が、ＳｉＮより成ることを特徴とする請求項６に記載の追記型光記録媒体。
8. 上記誘電体膜の膜厚が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の追記型光記録媒体。
9. 上記酸化物膜の膜厚が１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の追記型光記録媒体。
10. ランド・グルーブの凹凸面が形成された基体上に、少なくとも上記酸化物膜が形成されて成ることを特徴とする請求項１に記載の追記型光記録媒体。

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