TW459386B

TW459386B - Memory with trench-capacitor and selection-transistor and its production method

Info

Publication number: TW459386B
Application number: TW089117368A
Authority: TW
Inventors: Dietmar Temmler; Herbert Benzinger; Wolfram Karcher; Catharina Pusch; Martin Schrems
Original assignee: Infineon Technologies Ag
Priority date: 1999-08-30
Filing date: 2000-08-30
Publication date: 2001-10-11
Also published as: US6664167B2; US20020137278A1; JP2003508915A; KR20020025996A; DE19941148A1; JP3878019B2; DE19941148B4; WO2001017019A3; WO2001017019A2; KR100445308B1

Description

經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（/ ) 本發明係關於一種具有溝渠式電容器及選擇電晶體之記憶體及其製造方法。本發明將參考一種在DRAM記憶胞中所用之溝渠式電容器來描述。爲了討論上之3的，本發明只就各別記憶胞之形成來描述。積體電路（ICs )或晶片含有電容器以便儲存電荷，此種 (I C s )例如可以是動態隨機讀/寫記憶體（DRAM )。電容器中之電荷狀態因此表示一種資料位元。 DRAM晶片含有·種記憶胞構成之矩陣，各記憶胞配置成列和行且由字元線和位元線所控制。由記憶胞中讀出資料或寫入資料至記憶胞中是藉由驅動適當之字元線和位元線來達成。 DRAM記憶胞通常含有一·個與電容器相連接之電晶體。此電晶體另由二個擴散區（其藉由通道而互相隔開）所構成，此通道是由閘極所控制。依據電流之方向而稱其中一個擴散區爲源極，另一個擴散區稱爲汲極。源極區是與位元線相連接，汲極區是與溝渠式電容器相連接且閘極是與字元線相連接。藉由施加適當之電壓至閘極來控制此電晶體，使電流可在汲極區和源極區之間經由通道而導通或截止（of f)。電容器中所儲存之電荷由於漏電流而隨著時間消失。在電荷消失至一種低於臨限（t h r e s h 0 1 d )値之位準之前’此記憶電容器必須更新（r e f r e s h ) °由於此…原因’此種記本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）丨_!|!_ -------—訂！！ ί請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^45938 6 A7 _B7 五、發明說明（2 ) 憶體稱爲動態RAM (DRAM)。在各種習知之DRAM型式屮以溝渠式電容器爲主之主要問題是須使溝渠式電容器產生一種足夠大之電容。此種問題將來由於半導體組件持續之小型化而更爲明顯。積體密度之提高所具有之意義是：每記憶胞中可使用之面積以及溝渠式電容器之電容通常會更小。讀出放大器需要一種足夠之信號位準以便可靠地讀出記憶胞中之資訊。記憶體電容對位元線電容之比（r a t i 〇 )在決定信號位準時是有決定性的。若記憶體電容太小，則此種比値太小而不能產生足夠大之信號。較小之記憶體電容同樣需要一種較高之更新（ref resh) 頻率，因爲儲存在溝渠式電容器中之電荷量會受到其電容所限制且另外會由於漏電流而減少。若記憶電容器中之最小電荷量未達到，則不能以所連接之讀出放大器來讀出所儲存之資訊，資訊會遺失而造成讀出時之錯誤。爲了防止讀出時之錯誤，則須使漏電流減小。一方面是流經各電晶體之漏電流，另一方面是流經介電質（例如，電容器介電質）之漏電流須減小。藉由此種方式，則可使一種不期望之較小之保持（r e t e n t i ο η )時間延長。堆疊式電容器或溝渠式電容器通常是使用在DRAMs中。例如，在專利文件 US- 56588 1 6、US- 4649625、US- 5 5 1 2767 'US- 564 1 694、US- 569 1 549、US- 5065273、US - 5736760 ' US- 5744386和US- 5869868中已描述各種具有溝渠式電容本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） HI— —------- 1 -----I I I ^ ·1111111 1^^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局員Η消费合作社印製 ^Μϋ593Β 1 A7 _ B7_ 五、發明說明O ) 器之DRAM記憶胞。溝渠式電容器具有三維空間之結構其例如形成在矽基板中。電容器電極面積之提高（因此使溝渠式電容器之電容增大）例如可在基板中作較深之蝕刻 (即，較深之溝渠）而達成°因此，溝渠式電容器電容之提高不會使記憶胞所需求之基板表面增大。但此種方法是會受限制的，因爲溝渠式電容器所可達成之蝕刻深度是與溝渠直徑有關，且在製造時在溝渠深度和溝渠直徑之間只可達成一種固定而有限之縱橫比（aspect ratio)。在積體密度逐漸增加時，每個記憶胞中可使用之基板表面通常會更少。溝渠直徑之與此有關之減小會使溝渠式電容器之電容減小。若測定此溝渠式電容器之電容’使可儲存之電荷不足以由隨後所連接之讀出放大器完美地讀出，則這樣會造成讀出錯誤。上述問題例如在 N.C.C. Lou, IEDM 1 988，page 588 ff 中所揭示之文件中已解決，其方式是此種電晶體（其通常是在溝渠式電容器旁邊）設置在一個位置處，此位置是在溝渠式電容器上方。此溝渠因此佔有基板表面之一部份，此種基板表面傳統方式是保留給電晶體使用。藉由此種配置方式，則溝渠式電容器和電晶體佔有基板表面之一部份。藉由生長在溝渠式電容器上方之磊晶層可達成上述之配置方式。當然此溝渠式電容器電性連接至此電晶體是有問題的。因此在 N.C.C. Lou, IEDM 1988，page 588ff 中描述一種本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝！| 訂-- -------線 (請先閲讀背面之注§項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 , ____B7_ 五、發明說明（& ) 方法，其中各別微影術平面相互對準時在溝渠式電容器和電晶體之間需要·種最小距離。記憶胞陣列中之各記憶胞因此需要較大之面積而不適合積體化於高積體式之晶胞 (c e 1 1 )陣列中。此外，由J P 1 0 - 3 2 1 8 1 3 A中同樣已知.一種DRAM記憶胞，其中該選擇電晶體在事後生長之磊晶矽層屮直接位於溝渠式電容器上方。設置一種所謂〃表面條（strap)"擴散層35，以便使容器內電極25在電性上與源極/汲極區34 相連接。由美國專利文件US5 843 820中已知一種DRAM記憶胞，其中該選擇電晶體存在於水平溝渠式電容器上方之事後生長之磊晶矽層中。此外，由美國專利文件US 54 1 0503中已知一種具有…·選擇電晶體和溝渠式電容器之記憶胞。此選擇電晶體配置在一種事後生長之磊晶矽層中且在水平方向中鄰接於溝渠式電容器，使源極電極可導電性地與電容器外電極相連接〇本發明之目的是使溝渠式電容器在電性上連接至電晶體，此電晶體適用於高積體化之晶胞陣列。依據本發明，上述目的是由申請專利範圍第1項中之記憶體來達成。此外，該目的亦由申請專利範圍第8項中之方法來達成。較佳之其它形式敘述在申請專利範圍各附屬項中。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） !11! — I!訂·！--線 ί請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（f) 本發明所依據之理念是使用一種自我對準之終端，其使溝渠式電容器在電性上連接至電晶體。爲了形成此種自我對準之終端，則須使用基板上所存在之一些結構。有利之方式是使用各字元線之隔離封罩作爲蝕刻遮罩以形成一種接觸溝渠。然後在此接觸溝渠中形成自我對準之終端。在本發明之其它形式中，使用…種溝渠隔離區（STI )作爲蝕刻遮罩以形成該接觸溝渠，然後在此接觸溝渠中形成自我對準之終端。在本發明之其它形式中’一種隔離領位於該接觸溝渠之下部區中。在本發明之其它形式中’一種導電性材料位於該接觸溝渠中，此材料可在溝渠式電容器和電晶體之間形成電性連接= 在本發明之其它形式中’一種導電蓋位於導電性材料上之接觸溝渠中，此導電蓋同樣可在溝渠式電容器和電晶體之間形成電性連接。該隔離領有利之方式是巾隔離用之蓋層延仲至電晶體之汲極區。該導電性材料和導電蓋須互相隔離，以便可使漏電流（其使溝渠式電荇器放電）降低。在本發明之其它有利之鮮明形式中，溝渠隔離區至少到達隔離用之蓋層之深度中。本發明之記憶胞分別含有一個電晶體及一個溝渠式電容本紙張尺度適用中困國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--------訂-----— I!線 <請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 、 J 0 .3' Α7 Β7 五、發明說明（6) 器（其具有內電極、外電極和介電質層），此電晶體具有源極區、汲極區、通道及一條配置於源極區和汲極區之間的第一字元線。本發明記憶體之製造方法包括以下各步驟 :製備一個具有溝渠之基板，溝渠中以導電性塡料塡入以形成溝渠式電容器之內電極，在導電性溝渠塡料上形成一種隔離用之蓋層*在基板表曲' 上生長…種嘉品層，使此晶晶層至少·部份覆蓋此隔離用之蓋層，至少在此磊晶層中形成一種溝渠隔離區以便使相鄰之記憶胞隔離，在該磊晶層上方形成第一字元線且在溝渠隔離區上方形成第二字元線，其中第一字元線是由第一隔離封罩所圍繞而第二字元線是由第二隔離封罩所圍繞，在磊晶層中界定源極區和汲極區，經由該磊晶層和隔離用之蓋層來對該接觸溝渠進行蝕刻直至導電性溝渠塡料爲止，其中第一字元線以其第一隔離封罩作爲蝕刻遮罩且第二字元線以其第二隔離封罩作爲蝕刻遮罩以便對該接觸溝渠進行蝕刻，在該接觸溝渠中製備一種自我對準之終端，其可使導電式溝渠塡料與汲極區在電性上相連接。依據本發明，該接觸溝渠以自我對準之方式形成在第— 和第二字元線之間，即，第一和第二字元線以其第一或第二隔離封罩作爲蝕刻遮罩以便形成該接觸溝渠. 在另一特徵屮，形成溝渠隔離區作爲蝕刻遮罩以便形成該接觸溝渠。有利之方式是在接觸溝渠屮形成一種隔離領。此外，在本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - ----------裝！！ I 訂·!----—線 ΐ請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〉經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 ,^45938 6 五、發明說明（？）接觸溝渠中至少引入一種導電性材料，其可在溝渠式電容器和電晶體之間形成一種電性連接。在本發明製造方法之其它特徵中，在該導電性材料上方和該隔離領上方形成一種導電蓋，其同樣可形成一種電性連接。須以有利之方式形成該隔離領，使該導電性材料和導電蓋只經由汲極區而與磊晶層在電性上相連接。因此可使漏電流（其可使溝渠式電容器放電）減小。其它有利之方法是對磊晶層進行一種同次（i n s i t u )之摻雜。因此可在磊晶層生長時調整此電晶體之通道摻雜度及各壁之摻雜度。此外，可形成· ·種側面很陡峭之摻雜外型（profile)，這樣可使漏電流較小且允許組件可被校準之其它有利之特徵中，在磊品層中形成其至少一部份是由溝渠隔離區及/或由此外，須使溝渠之佈局對準此基板之晶式鎖縫儘可能小。方式中，隔離用之蓋層在硬遮罩（藉此結構化）去除之前形成。因此可在導電性地在溝渠中形成該隔離用之蓋屑。驟來處埋此裔晶層是有利的’其p」使兹且使磊晶式鎖縫復合。此磊晶式鎖縫之可能完整地重建。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）閲讀背面之注意事項再 !裝頁訂經濟部智慧財產局貝工消费合作杜印製在本發明之方法 --種磊晶式鎖縫，接觸溝渠所隔開。體方向，使該晶晶在本方法之其它硬遮罩可使溝渠被性溝渠塡料上選擇此外，以加溫步晶層中之缺陷減小晶體結構因此能儘 A 5938 6 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（？）又，以整平步驟來處理此磊晶層是有利的，其可使磊晶層之表面平滑且一部份表面被回蝕刻。在有利之特徵中，在溝渠隔離區之側面上形成各字元線及其隔離封罩（作爲側面之邊條（S p a c e r))。這樣所具有之優點是：字元線之寬度可小於微影術最小範圍F。本發明之實施例顯示於圖式中且將詳述如下。圖式簡單說明：第1圓本發明之DRAM記憶胞之實施例*其對應於本發明之方法之第一實施形式。第2圖是第I圖之DRAM記憶胞陣列之俯視圖》第3圖是第1圖之DRAM記憶胞陣列之另一俯視圖。第4圖是第1圖之DRAM記憶胞陣列之另一俯視圖。第5圖是第1圖之DRAM記憶胞陣列之另一俯視圖。第6圖本發明之DRAM記憶胞之第二實施例，其對應於本發明之方法之第二實施形式。第7圖依據第6圖之實施例之較早之製程階段。第8圖依據第6圖之DRAM記憶胞陣列之實施例之俯視圖

U 參考第1圖，其是本發明第一實施形式。記憶胞100由溝渠式電容器1 1 0和電晶體1 6 0構成。溝渠式電容器1 1 0 形成在基板105中，基板具有表面1〇6。在此種例如由p-摻雜之矽所構成之基板1 0 5中引入一種埋入井1 5 5 (其例如闬η -摻雜之矽所構成）。硼、砷或磷適合用作摻雜物質 -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — —--I---- 11---- 1 訂·!-----線 C請先《讀背面之注f項再填寫本頁> A7 A7 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製五、發明說明（7 ) 以便對矽進行摻雜。溝渠式電容器1 1 〇具有一個溝渠1 1 5 ，溝渠115具有上部區120和下部區125。上部區12〇中存在一種較大之隔離領1 5 0。下部區丨2 5至少一部份穿過該埋入井1 5 5。圍繞此溝渠1 1 5之下部區1 2 5而配置一種埋入板1 4 5，其形成此溝渠式電容器1 1 〇之外電極。相鄰記憶胞之埋入板藉由埋入井1 5 5而在電性上互相連接。埋入板1 4 5例如由η -摻雜之矽所構成。溝渠115之下部區125內部覆蓋一種介電質層ΜΟ，其形成此溝渠式電容器1 1 〇之介電質。介電質層1 40可由各層或層堆疊所製成，其是由氧化矽、氮化矽或矽-氧化氮化物所構成。亦可使用介電常數較大之介電質，例如，氧化鉬、氧化鈦、BST以及使用其它每一種適當之介電質。溝渠1 1 5中塡入一種導電性溝渠塡料1 30，其形成電容器內電極且例如由摻雜之多晶矽所構成。導電性溝渠塡料 1 3 0上存在一種隔離用之蓋層1 3 5，其例如由氧化矽所構成。此外，導電性塡料Π0上存在一自我對準之終端220 ，其配置在一種接觸溝渠205中，此接觸溝渠205具有上部區2 1 5和下部區2 1 0。下部區2 1 0中是以隔離領2 3 5覆蓋且因此圍繞著導電性材料22 5 ’材料22 5配置在導電性塡料1 30上。該接觸溝渠20 5中在隔離領2 35和導電性材料22 5上方配置•種導電蓋230。導電性材料2 2 5和導電蓋2 3 0由摻雜之多晶砂所構成。隔離領2 3 5由氧化矽所構成。 -1 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x297公釐） — — — — — — — — — — — — — * — — — — — — — ^ ·1111111 <請先閱讀背面之注$項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（π ) 磊晶層245位於隔離用之蓋層135和基板105上方。在磊晶層245中形成電晶體160。電晶體160由汲極區165 (其與導電蓋2 3 0相連接）、源極區1 7 0和通道1 7 5 (其同樣形成在磊晶層2 4 5屮）所構成。源極區1 7 0和汲極區1 6 5 例如由摻雜之矽所構成。在電晶體160之通道175上方存在第一字元線180，其上覆蓋第一隔離封罩1 85 (其例如由氮化矽所構成）。在溝渠Π5上方在該接觸溝渠205旁邊配置一個溝渠隔離區 250 (其在本實施例中由氧化矽所構成）。此溝渠隔離區之位置將依第2圖來詳述。在溝渠隔離區250上方延-1 1 -仲著第二字元線190，其上覆蓋第二隔離封罩。在第一字元線1 80旁延伸著第三字元線200。在字元線和源極區1 70 上方配置…種停止層2 4 0，其在第一和第二字元線之問被去除。此停止層可保護第一字元線I 80和第三字元線200 之間的區域。溝渠隔離區250以圓形方式圍繞該主動區270且此主動區270存在於磊晶層245中。第2圖是第1圖之俯視圖。溝渠隔離區250以圓形方式圍繞該主動區270,在主動區270之一末端存在著溝渠115 〇第3圖是第1圖之另一俯視圖。爲了淸楚之故，溝渠1 1 5 未顯示，但其位於第2圖所示之位置處》在第3圖中第一字元線1 80及其第一隔離封罩1 85經由主動區270而延伸 -1 2 - 本紙張尺度適用中國囷家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — nil — — — - I I I 1 I I I ^ ·1]111>-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ._____B7 五、發明說明（…）。第二字元線1 90及其第二隔離封罩經由溝渠隔離區250 而延伸。自我對準之終端220是以第一字元線180 (其具有第一隔離封罩1 85 )，第二字元線丨90 (其具有第二隔離封罩1 9 5 )以及溝渠隔離區2 5 0所圍繞。此外，源極區1 7 0 配置在溝渠隔離區250,第- ' 字元線1 80和第.=字元線200 之間。第4圖是第1圖之另一俯視圖。其和第3圖不同處是巳顯示此溝渠11 5之位置。第5圖是第1圖之另一俯視圖。記憶胞1 00之大小是以一個框來表示。此框之大小是8F2之晶胞（ce 1 1 )，其中F 是微影術所可達成之最小範圍。此框之內部（其是記憶胞 100 )中此基板表面106之大部份是由溝渠U 5所使用。相較於第4圖而言已顯示此磊晶式鎖縫2 7 5之位置，此鎖縫2 75形成在該隔離用之蓋層135上。電晶體1 60 (其由第一字元線1 80所控制）以及相鄰之電晶體（其由第三字元線200所控制）使用共同之源極區 1 70 (其配置在此二條字元線之間）。第5圖之上部區中顯示溝渠隔離區2 5 0，爲了淸楚之故而未顯示各字元線（其在溝渠隔離區250上延仲）。參考第1至第5圖，其顯示本發明記憶胞之製造方法。製備此基板1 05，DRAM記憶胞製作在此甚板中及基板上。在此種方式中此基板1 〇 5以p -型-摻雜物質（例如，硼）作輕微之摻雜。在此基板1 〇 5中在適當之深度中形成n _ -1 3 - 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---- - - - - -----' I I I----in — — — I (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7^ 五、發明說明（μ ) 摻雜之埋入井1 5 5。例如可使用磷或砷作爲摻雜物質來對此埋入井155作摻雜。此埋入并155例如可藉由植入而產生且在相鄰各電容器之埋入板之間形成一種導電性連接。另一方式是此埋入井155可藉由磊晶生長之摻雜矽層或藉由晶體牛長（磊晶）和植入之組合而形成。此種技術描述在 Bronner et al 之 US-Patent 5250829 中。以適當之硬遮罩層作爲反應性離子鈾刻（R I E )之蝕刻遮罩而形成溝渠Η 5。然後在溝渠1 1 5之上部區1 2 0中形成大隔離領1 5 0 (其例如由氧化矽所構成）。然後形成此種具有η型摻雜物質（例如，砷或磷）之埋入板1 45以作爲電容器外電極。該大隔離領1 5 0用作摻雜遮罩，其可限制溝渠1 08之下部區i 2 5上之摻雜。可使用氣相摻雜、電漿摻雜或電漿浸入-離子植入（ΡΙ π )來形成該埋入板1 45。這些技術例如已描述在 Ransom et al, Electrochemical. Soc·，Band 141，No.5 (1994)，page 1378ff 及 US-Patent 5 3 4 4 3 8 1和4 9 3 7 2 0 5中。使用此種大隔離領1 5 0作爲摻雜遮罩來作離子植入同樣是可能的。另一方式是可使用一種摻雜之矽酸鹽玻璃（例如，ASG、砷矽酸鹽玻璃）作爲摻雜物質源來形成該埋入板1 45。此種形式例如描述在 Becker et al, J. Electrochemical. Soc., Band 136 ( 1 989 ),page 3033ff中。若使用已摻雜之矽酸鹽玻璃來摻雜，則其在形成該埋人板1 45之後須去除。然後形成介電質層140,其覆蓋此溝渠115之下部區125 -1 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --II--— — — — — — — - — — — 111— I I I---I (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 59^©ββ * 4 5938 6 __Β7____ 五、發明說明（〇 ) 。此介電質層1 40用作記憶體介電質使電荇器之二個電極隔開。介電質層1 40例如由氧化矽、氮化矽、矽-氧化氮化物或層堆疊（由氧化矽層和氮化矽層所構成）所構成。可使用氧化鉅或BST作爲此種具有高介電常數之材料。然後沈積導電性溝渠塡料1 30 (其例如可由摻雜之多晶矽或不定形矽所構成）以便塡入溝渠1 1 5中。此時例如可使用CVD力法或其它習知之技術。在該導電性溝渠塡料1 3 0上形成該隔離用之蓋層1 3 5 ’ 這例如可藉由導電性溝渠塡料1 30之熱氧化來進行。此隔離用之蓋層1 3 5沈積在導電性溝渠塡料1 3 0上是可能的。此時例如可使用CVD沈積方法。特別有利的是：選擇性地在導電性溝渠塡料1 6 I上形成此隔離用之蓋層1 3 5。可選擇性地形成此隔離用之蓋層1 3 5 ’因爲此時該硬遮罩層（其用來對溝渠Π 5作蝕刻）存在於基板表面上且因此可使此區域（其中即將形成該隔離用之蓋層1 3 5 )釋出（r e 1 e a s e )

O 全部之層（其此時存在於此基板1 〇5之表面106上）須去除且使基板1 0 5被淨化。然後以磊晶方式選擇性地在基板1 0 5上生長該幕晶層2 4 5。在春f晶層2 4 5生長時須以單晶矽生長此隔離用之蓋層135。此隔離用之蓋層135 C如第5圖所示）是由所有方向以單晶矽來生長=於是形成磊晶式之鎖縫2 7 5。此種選擇性之磊晶生長例如已描述在由 N.C.C. Lou, IEDM，1988, page 588 ff 中所揭示之文件中。 -1 5 - 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------- 1!訂·！ !!線 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ^59386 B7_____ 五、發明說明（从）當然該文件中會出現此問題：此磊晶層在二個步驟中利用磊晶之中斷而生長。在中斷期間各步驟（例如，視窗之蝕刻）是在氧化物層中進行。這樣在蝕刻時會造成損傷，其會使磊晶層發生缺陷之危險性提高而造成漏電流。其它之困難性是發生於第二磊晶步驟進行時，其在單晶矽上及多晶矽上都須進行生長過程。這樣會造成晶體缺陷，此種缺陷由多晶矽區擴散至單晶矽區。此種晶體缺陷由下述原因而形成：在單晶砂及多晶砂上都進行該幕晶過程。由於在上述公開文件中所生長之多晶砍〃頸（n e c k ) 〃是此記憶胞構造之功能性組件，則此種晶體缺陷是不可避免的。在本發明中此種缺點是藉由至少去除一部份之磊晶式鎖縫275 來解除。然後以回（back)蝕刻方法或CMP方法來對所生長之磊晶層245進行回蝕刻或整平。然後形成溝渠隔離區2 5 0，此時須對溝渠隔離區中第2 圖所示之區域進行蝕刻且以介電質材料（例如，氧化矽）塡入，然後整平。於是剩下該主動區270以便隨後可形成電晶體丨6 0。較住是須形成該溝渠隔離區2 5 0，使磊晶式鎖縫2 7 5之一部份被去除。在形成閘極氧化物之後沈積一種摻雜之多晶矽層，由此種層而在隨後之曝光和蝕刻步驟中形成各字元線。因此在主動區270上形成第一字元線180，在溝渠隔離區250上形成第二字元線1 90。第一字元線1 80以第一隔離封罩1 85 -1 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I1IIIIIIIII1— ---I I I I I » — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（圍繞而第二字元線1 90以第二隔離封罩1 95圍繞。這些隔離封罩例如由氮化矽所構成。然後以離子植入法而形成汲極區1 65和源極區1 70。這些由多晶矽所形成之字元線及其隔離封罩用作植入用遮罩。由於須形成第一字元線1 80，使其一部份垂直式地在該隔離用之蓋層135上方延伸，則此電晶體160之通道175 之一部分須直接位於該隔離用之蓋層1 35上方，使電晶體 160能構成一部份之SOI-電晶體。然後以共形（conform)方式沈積該停止層240,使其覆蓋各字元線之隔離封罩。此停止層240例如由氮化矽所形成。然後沈積一種氧化物層且向後（b a c k )整平至該停止層 2 40，以便在第一字元線1 80和第三字元線200之間形成一種隔離塡入區280 »然後藉助於微影術和蝕刻而在停止層240中開啓（open)--個視窗。於是使第一字元線180和第二字元線1 9 0之間之位於汲極區1 6 5上方之停止層2 4 0 被去除。藉由非等向性之電漿蝕刻（其選擇性地對溝渠隔離區250 (由氧化矽構成）且選擇性地對第一隔離封罩1 85 和第二隔離封罩1 95 (由氮化矽所構成）來進行）而對汲極區1 65和磊晶層245進行向下之蝕刻直至隔離用之蓋層 U 5爲止。此種蝕刻由於其選擇性而停止於隔離用之蓋層 1 3 5。此蝕刻以自我對準方式進行，這是[大丨爲其在橫向中是由字元線之隔離封罩且由溝渠隔離區250所限制°在此種蝕刻中，較佳是使所形成之磊晶式鎖縫275之其餘部份本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂---------線 (請先Μ讀背面之注f項再瑱寫本頁) B7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（出）被去除。然後使隔離用之蓋層135之裸露部份被去除。這是藉由選擇性鈾刻來進行，其選擇性地去除該隔離用之蓋層1 35 (其由氧化矽所構成）。此種選擇性是相對於導電性溝渠塡料130 (其由摻雜之多晶矽所構成）、磊晶層245 (其由矽所構成）、第一和第二隔離封罩1 8 5、1 9 5和停止層240 (其由氮化矽所構成）而言。然後在接觸溝渠205之下部區210中形成··_-·種隔離領 143。爲此目的須進行一種熱氧化作用且沈積一種氧化矽層，巾此層藉由非等向性之回蝕刻（間隔層（s p a c e r )技術 )而形成該隔離領235。然後在隔離領2 3 5中形成· ·種導電性材料225。此材料225例如由摻雜之多晶矽所構成且能以CVD方法沈積而成。對該隔離領235進行選擇性之回蝕刻直至汲極區1 65之深度爲止。在淨化步驟之後沈積該導電蓋2 3 0且此蓋2 3 0 因此可與汲極區165和導電性材料相接觸。此導電性溝渠塡料1 30因此經由導電性材料225而與汲極區1 65在電性上相連接。在此種配置中該導電蓋2 3 0和導電性材料2 2 5 藉由隔離領235而與磊晶層245相隔離，使溝渠式電容器不會由於漏電流而放電。因此，已顯示·種記憶體（其具有自我對準之終端220 )之第一種形式之製造方法，以後之各步驟是以一般方式來完成此種記憶體，其具有先前技藝中已爲人所知之各種本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I------------^---I---- ^ -------- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 4.： . 4.： . 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 ______B7___ 五、發明說明（Ο ) 功能性元件。第6圖是…種具有自我對準式終端之記憶體之另一種形式’其是一種丨_電晶體式記憶胞配置，其4F2晶胞佈局 (1 a y q u t )具有開放式（◦ p e n )位元線結構，溝渠式電容器及部份SO I -電晶體。所示之記憶胞1 〇〇巾溝渠式電容器π 0 和電晶體1 6 0所構成。溝渠式電容器1 1 〇形成在基板1 〇 5 中或其上。在基板1 0 5中引入一種埋入井丨5 5，其例如由 η -摻雜之矽所構成》溝渠式電容器11〇具有溝渠115 (其包含上部區1 20和下部區1 25 )。在上部區1 20中存在一種大隔離領1 5 0。下部區1 2 5至少一部份穿過此埋入井1 5 5 。在下部區125周圍配置一個埋入板145，其形成電容器外電極。相鄰記憶胞之埋入板145可藉由埋入井1 55而在電性上互相連接。溝渠115之下部區125是以介電質層140覆蓋，此介電質層140形成此溝渠式電容器之介電質。此介電質層140 可由各層或層堆疊所構成，其中此層堆疊包括氧化矽、氮化矽或矽-氧化氮化物。溝渠1 1 5中以導電性溝渠塡料1 30 塡人，其形成電容器內電極。在導電性溝渠塡料1 3 0上方於人隔離領150內部中存在--種隔離用之蓋層135。在該隔離用之蓋層135上，大隔離領150上及基板1〇1 上存在該磊晶層245。此電晶體丨60形成在磊晶層245中且由源極區170、汲極區165和通道175所構成。此外，電晶體1 60包括第·--字元線1 80 (其控制通道1 7 5 )。第一 -1 9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------I--- - I ! 訂 * I! - ί t {請先《讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（π ) 字元線1 80是以第一隔離封罩1 85 (其例如由氮化矽所構成）所包封。汲極區1 65 (其具有自我對準之終端220 ) 在電性上是與導電性溝渠塡料1 30相連接.肉我對準之終端220由隔離領235、導電性材料225 (其位於隔離領235 內部）和導帶蓋2 30 (其使導電性材料22 5與汲極區1 65 相連接）所構成。須配置此隔離領235，使漏電流不會由導電性溝渠塡料130、導電性材料225或該導電蓋230流至磊晶層245。此溝渠隔離區2 5 0存在於相鄰之記憶胞之間以便使它們在電性上互相隔離。此溝渠隔離區250之外形將依據第8 圖來詳述。第7圖是第6圖較早之製程階段之後之晶胞配置。此種溝渠隔離區250是與一種在字元線方向中延伸之第二溝渠隔離區260有關。在此種溝渠隔離區260之二側（其未由磊晶層245之表面所封閉）上配置一些犠牲性間隔條265 (其例如由氧化砂所構成）。第8圖是第6圖之記憶胞配置之俯視圖。記憶胞1 00之大小在本實施例中是4F2。此記憶胞1 00另外由溝渠1 1 5 ( 其中存在著溝渠式電容器1 1 〇 )所構成。在溝渠1 1 5上方延伸著笫一字元線1 8 0 (其由第·隔離封罩1 8 5所圍繞）。在第.字元線之..側上配置源極區丨70且在另一側上於接觸溝渠205中配置汲極區165和配置自我對準之終端220。此溝渠隔離區250在相鄰之記憶胞之間延伸。主動區270 -20 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — 111 — — — — ·1 11 i ί 11 — — — — — — <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（f?) 用於各電晶體之處理過程中。溝渠隔離區250在本實施例中由第.溝渠隔離區2 55 (其平行於位元線而延伸）以及第二溝渠隔離區2 6 0 (其平行於字元線而延伸）所構成。在磊晶層245中在溝渠1 1 5上方中央處存在一種磊晶式鎖縫2 7 5。依據第7圖來描述第6圖之記憶體之製造。本發明記憶胞配置之製造是以在4F2之佈局中製成溝渠式電容器110 作爲開始。因此首先在基板1 05中對此溝渠1 1 5進行蝕刻。在溝渠1 1 5之上部區1 20中形成大隔離領1 50。對溝渠 115周圍之下部區進行摻雜，以便形成該埋入板145。然後在溝渠1 1 5之下部區1 25中形成介電質層1 40，此溝渠中以導電性溝渠塡料1 30塡入且藉由摻雜物質之引入而形成該埋入板1 55 »然後藉由熱氧化作用使導電性溝渠塡料 1 30被氧化而在溝渠1 i 5之開口上形成該隔離用之蓋層 135,這是以自我對準之方式來進行，因爲此時基板表面 .之剩餘部份是以硬遮罩（其用來使溝渠11 5被結構化）來覆盖。然後去除該硬遮罩，使基板1 05之表面1 06此時由隔離用之蓋屑1 35，大隔離領1 50及基板〗05所形成。在雜散氣化物Μ氧化之後藉由摻雜物質之植入而形成該埋入井 1 5 5，其可連接相鄰記憶胞之埋入板。在去除該雜散氧化物層之後，使基板表面1 06淨化且選擇性地生長該磊晶層245。此磊晶層245之生長是在裸露 -2 1 - 本紙張尺度適用中國圉家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I-- --ill--1 — ^ --------1^^. (請先閱讀背面之注意事項再墣寫本頁) Λ Α7 Β7 五、發明說明（Μ ) 之基板1 05上開始且向著所有方向之側向都完全生長著此種以該隔離用之蓋層1 3 5來封閉之溝渠1 1 5。因此在該隔離用之蓋層1 3 5中央之上方形成一種磊晶式鎖縫2 7 5。然後以二個相隔開之步驟形成該溝渠隔離區250。首先以傳統之技術製成此種在位元線方向中延伸之第一溝渠隔離區255,使其平坦地與磊晶層245 —起終止於此層245 之表面。然後在字元線方向中形成第二溝渠隔離區260。於是使較厚之遮罩堆疊被結構化且藉由選擇式電漿蝕刻而轉換成磊晶層245和基板1 05。然後使此已結構化之溝渠中塡入氧化矽且平坦地回（back)蝕刻至該遮罩堆疊之表面。然後選擇性地去除該遮罩堆疊而剩下第7圖所示之第二溝渠隔離區260。此溝渠式電容器1 1 0於是被第二溝渠隔離區 260所重疊直至該隔離用之蓋層135下方爲止且該磊晶層 245在此區域被去除。然後在第二溝渠隔離區260之側面上由氧化矽形成該犧牲性間隔條265。然後在此間隔條265 上產生第一字元線1 80及其第一隔離封罩1 85 (作爲側面之邊條（間隔層（s p a c e r )))。這是藉由等向性之層沈積及非等向性之選擇性回蝕刻（間隔層技術）而達成。因此在該隔離用之蓋層1 35上方垂直地形成第-.字元線丨80 ’使電晶體160構成SOI -電晶體之一部份。然後藉由植人法而形成源極區1 70。第一字元線丨80和第三字元線 200之間的間隙（其位於源極區1 7〇上方）中以隔離塡人 -22 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 >= 297公釐） — — — — — — — —lilt — 1 1 I I I i I [1111111 (請先M讀背面之項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員Η消费合作社印製 A7 __B7 五、發明說明（3 ) 區280塡人。第二字元線1 90平行於第-字元線而在第二溝渠塡入區260之相鄰結構上形成。然後選擇性地對表面裸露之字元線U 0、1 9 0和2 0 0進行回蝕刻且由此種回蝕刻所形成之溝渠中藉由層沈積及整平而以一種隔離區（由氮化矽所構成）塡入，以便完成第一和第二隔離封罩185和195。參考第6圖，在隨後之微影術步驟中使該犧牲性間隔條 265裸露且藉由電漿蝕刻選擇性地回蝕刻至磊晶層245之表面。於是使源極區170所存在之區域被遮罩覆蓋。由於較小之蝕刻速率，則第二溝渠隔離區260同時有一部份會被回蝕刻。然後藉由摻雜物質之植入而形成汲極區1 65。自我對準式終端220形成在第一溝渠隔離區255、第二溝渠隔離區260和第一字元線丨80之第一隔離封罩1 85之間》自我對準式終端220之形成是使用已存在之結構來進行且由於此一原因而稱爲自我對準。源極區1 70所存在之此一區域因此以停止層240作爲遮罩。藉由非等向性之蝕刻來對此接觸溝渠205作蝕刻，其可去除汲極區1 65之一部份及此區域中磊晶層245之一部份。此種選擇性蝕刻停止於該隔離用之蓋層Π 5 (其由氧化矽所構成）。藉由該接觸溝渠205之蝕刻而去除該磊晶式鎖縫2 7 5。該隔離用之蓋層135在接觸溝渠205之底部上被去除。此種蝕刻步驟選擇性地對第一隔離封罩I 8 5和溝渠隔離區 -23 - I------II-------- - 訂 *!! !·^ (請先《讀背面之注$項爯旗寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 459386 _B7__ 五、發明說明（，） 2 5 0來進行。然後藉由氧化、氧化矽沈積和非等向性回蝕亥!J (spacer technique)而形成該隔離領235。在隔離領235 中沈積此種由摻雜之多晶矽所構成之導電性材料2 2 5。然後對此隔離領235進行冋蝕刻直至汲極區165之高度爲止。在淨化步驟之後沈積該導電蓋230，此導電蓋230 在本實施例中是由摻雜之多晶矽所構成。此導電性溝渠塡料1 30因此經由導電性材料225和此導電蓋230而與汲極區1 65在電性上相連接。此外，須形成該隔離領23 5，使導電性溝渠塡料130、導電性材料225以及導電蓋230都不具有此種至磊晶層245之電性接觸區。藉由此種配置可防止漏電流（其可使溝渠式電容器1 1 0放電）。自我對準式終端220之形成過程至此結束且以其餘之功能性元件利用習知技藝來完成此記憶胞配置。符號說明 100…記憶胞 105…基板 106…基板表面 I 10…溝渠式電容器 II 5…溝渠 120…溝渠之上部區 125…溝渠之下部區 130…導電性溝渠塡料（電容器內電極） 1 35…隔離用之蓋層 -24 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X297公釐〉 — — — — — — — — — —--- I I---丨 1 訂i! ·線 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 絰濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I -938β A7 _B7 五、發明說明（β ) 1 40…介電質層 145…埋入板 150…大隔離領 155…埋入井 160…電晶體 165…汲極區 1 70···源極區 1 75…電晶體通道 1 8 0…第一字兀線 185…第一隔離封罩 190…第二字元線 195…第二隔離封罩 2 0 0…第二字兀線 205…接觸溝渠 2 10…接觸溝渠之下部區 21 5…接觸溝渠之上部區 220…自我對準之終端 22 5…導電性材料 2 30…導電蓋 2 3 5…隔離領 240…停止層 245…磊晶層 2 5 0…溝渠隔離區（S T I ) -25 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------i I -----訂 If------- <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) __ , , , _____ —- — ——-3 A7 B7 五、發明說明) 255…第一溝渠隔離區 2 60…第二溝渠隔離區 26 5…犧牲性間隔條 270…主動區 275…磊晶式鎖縫 2 8 0…隔離塡入區 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 26 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims

煩^^:明示sf年I2月巧之修正-;4有無t-^背質内，ίΐχ:否准予修瓜。經.^部智总料是功員工消費合作社印製六、申請專利範圍第89117368號「具有溝渠式電容器及選擇電晶體之記憶體及其製造方」專利案 (89年12月修正）六、申請專利範圍： 1 , 一種具有記憶胞（1 00 )之記憶體，記憶胞至少-·部份是配置在基板（1 05 )中且具有-個電晶體（1 60 )及一個溝渠式電容器（1 1 0 )，電晶體（1 60 )包含一個汲極區 (1 6 5 )、一個源極區（1 7 0 )、一個通道（1 7 5 )以及一條配置於源極；^ ( 170)和汲極區（1 65 )之間的第一字元線（1 8 0 );溝渠式電容器（1 1 0 )包含一個內電極（1 3 0 ) 、外電極（1 4 5 )及一種配置於此二個電極之間的介電質屑（1 40)，其特徵爲：一在基板（1 05 )中具有一個溝渠（1 1 5 )，其中以導電性溝渠塡料（I 30)塡入以便形成此溝渠式電容器（1 1 〇 ) 之內電極（1 3 0 ); 一具有一種隔離用之蓋層（1 3 5 )，其位於導電性溝渠塡料.（130)上，一具有一種磊晶層（ 245 )，其配置在基板（10 5)上且至少一部份配置在該隔離用之蓋屑（1 35 )上，此磊晶層（2 4 5 )中形成此電晶體之源極區（1 7 0 )、汲極區（1 6 5 ) 及通道（1 75 ); - U有一個溝渠隔離區（2 5 0 )，其使相鄰之記憶胞 (100)互相隔開； -27 - ,----------裝------訂------線 (請先閲讀背而之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中囷國家揉準（CNS ) Α4规格（210Χ57公釐） 8 8 8 8 ABCD 經濟部智*財4局肖工消費合作社印製六、申請專利範圍 —第一字元線（]8 0 )配置在磊品層（2 4 5 )上且.部份覆蓋此溝渠（1 1 5 )而由第·隔離封罩（1 8 5 )所圍繞 —具有第二字元線（1 90 )，其配置在溝渠隔離區 (2 5 0 )上且由第二隔離封罩（1 9 5 )所_繞； —具有一種接觸溝渠（2 0 5 )，其中存在一種自我對準之終端（220 )，其使導電性溝渠塡料（B0 )在電性上與汲極區（165)相連接，該接觸溝渠（ 205 )形成在第字元線（1 80 )(其具有第一隔離封罩（1 85 ))和第二字元線（1 90 )(具有其第二隔離封罩（1 95 ))之間。 2 .如申請專利範圍第丨項之記憶體，其中該接觸溝渠 (2 0 5 )亦以溝渠隔離區（2 5 0 }爲界。 3 ·如申請專利範圍第1或第2項之記憶體，其中在接觸溝渠（2 0 5 )之下部區（2 1 0 )中配置--種隔離領（2 3 5 )。 4 .如申請專利範圍第1或第2項之記憶體，其中在接觸溝渠（205 )中在導電性溝渠塡料（1 30 )上配置一種導電性材料（ 225 )。 5 .如申請專利範圍第3項之記憶體，其中在接觸溝渠 (205 )中在導電性溝渠塡料（1 30 )上配置..種導電性材料（ 225 )。 6 .如申請專利範圍第4項之記億體，其中在接觸溝渠 (205 )中在導電性材料（22 5 )上配置種導電蓋（ 230 ) 0 -28 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS >八4規洛（210x297公鏠） -----------^------1T------0 (請I閱讀背而之注意事項再填寫本) , Λ8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 7 .如申請專利範圍第6項之記憶體，其屮該隔離領（2 3 5 ) 由隔離用之蓋層（1 3 5 )至少延伸辛汲極區（1 6 5 )且該導電性材料（225 )和導電蓋（230 )因此不直接與基板（1 05 ) 相連接或不直接與磊晶層（245 )相連接。 8.如申請專利範圍第1項之記憶體，其中該溝渠隔離區 ( 2 50 )向內到達基板（105)之深度較該隔離用之蓋層 (1 3 5 )之深度還深。 9 . 一種具有記憶胞（1 00 )之記憶體之製造方法，此記憶胞具有…個電晶體（1 6 0 )及一個溝渠式電容器（1 1 0 )，電晶體（160)包含一個汲極區（165)、一個源極區（1 70 ) 、一個通道（1 75 )以及一條配置於源極區（1 70 )和汲極區（165)之問的第一字元線（180);溝渠式電容器（110) 包含一個內電極（1 3 0 )、外電極（1 4 5 )及一種配置於此二個電極之間的介電質層（1 40 )，K特徵爲以下各步驟一製備一種具有溝渠（115)之基板（105); 一溝渠:（i I 5 )中以導電性溝渠塡料（1 30 )塡入以形成此溝渠式電容器（Π 〇 )之內電極（Π 0 ); 一在導電性溝渠塡料（1 30 )上形成該隔離用之蓋層 (135)；一在基板（1 0 5 )之表面（1 0 6 ) _ f:牛長·種磊晶層（2 4 5 ) ，使磊晶屑（245 )至少·部份覆蓋此隔離用之蓋層 (135)； -29 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X2V7公螫） --------------,裝------ΐτ------^ {請先閱‘讀背而之注愈事項再填肖本頁) 4 的386 C8 D8 六、申請專利範圍一至少在磊晶層（ 245 )中形成一種溝渠隔離區（ 250 ) 以便使相鄰之記憶胞（1 〇〇 )隔開：一在磊晶層（245 )上方形成第' 字元線（1 80 )且在溝渠隔離區（ 2 50 )上方形成第二字元線（190)，其屮第-字元線（180)由第一隔離封罩（185)所圍繞且第二字元線（1 90 )由第二隔離封罩（1 95 )所圍繞；一在晶晶層（245)中界疋此源極區（170)及汲極區 (165)； —經由磊晶層（245 )和隔離用之蓋層（1 35 )來對此接觸溝渠（205 )進行蝕刻直至該導電性溝渠塡料（1 30 )爲止，其中第一字元線（180)以其第一隔離封罩（185)作爲蝕刻遮罩而第二字元線（1 90 )以其第二隔離封罩 (1 95 )作爲蝕刻遮罩來對該接觸溝渠進行蝕刻：一在接觸溝渠（205 )巾製備一種自我對準之終端，此終端使導電性溝渠塡料（1 3 0 )在電性上可與汲極區 (165)相連接。 I 〇 .如申誚專;利範圍第9項之方法，其中爲了以自我對準之方式形成該接觸溝渠（205 )，須使用溝渠隔離區（250 ) 作爲蝕刻遮罩。 1 1 .如中請專利範圍第9或第1 0項之方法，其中在接觸溝渠（20 5 )之下部區（2 1 0 )中形成一種隔離領（2 3 5 )。 1 2 .如申請專利範圍第9或第1 〇項之方法，其中在接觸溝渠（2 0 5 )中引入至少一種導電性材料（2 2 5 )。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X2W公f ) (請先閲讀背而之注悫事項再^¾本頁) 裝- *1T 線經·"部智慧时4-Aa (工消費合作社印製 -— #充六、申請專利範圍 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之方法，其中在接觸溝渠（2 0 5 ) 中弓丨入至少一種導電性材料（2 2 5 )。 1 4 .如申請專利範阑第1 2項之方法，其屮在接觸溝渠（205 ) 中在導電性材料（225 )上方及該隔離領（235 ) h方形成 -種導電蓋（2 3 0 )。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之方法，其中須形成該隔離領（ 2 3 5 )，使導電性材料（ 22 5 )和導電蓋（230)只經由汲極區（1 6 5 )而與磊晶層（2 4 5 )在電性卜.相連接。 1 6 如巾請專利範圍第9項之方法，其中在施加磊晶層 (245 )之後進行一種加溫步驟。 1 7 .如申請專利範圍第9或第1 6項之方法，其中在施加磊晶層（2 4 5 )之後進行一種整平歩驟。 1 8 .如申請專利範圍第9或第1 6項之方法，其中該磊晶層（2 4 5 )在其生長期間以同次（i n s i t u )方式被摻雜。 1 9 .如申請專利範圍第1 7項之方法，其中該磊晶層（2 4 5 ) 在其生長期間以同次（i n s i t u )方式被摻雜。 I - In I —i In If I - I I n I— I d T _ _ 1 I I I <3^. (請先間讀背1FI之江意事項再4寫本頁> 經濟部智葸財是/»7其工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（U0X297公埯）