TW459380B - Clock synchronous system - Google Patents
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Description
qc^3Q〇 五、發明說明(1) ^ 發明之背景 本發明係關於一種與時鐘信號同步而控制的系統,例如 適用於同步DRAM(動態隨機存取記憶體)等半導體裝置的時 鐘同步系統,尤其是關於一種接收用以指示系統之各種動 作模式之複數個命令的命令接收器(c〇mmand receiver)。 例如同步DRAM ’其在與時鐘信號同步而控制的系統中, 為了要指定某一動作模式而需要動作命令。此命令係使用 複數個信號所構成’其可藉由該等信號之位準組合來表現 複數個命令。 圖4係顯示習知之命令接收器的一例。此命令接收器係 由接收電路1 1 - 0、1 1 - 1、1 1 - 2、11 - 3…所構成》在各接收 電路11,0、11-1、11-2 '11-3…上供給有用以構成命令的 信號/CMDO、/CMDl、/CMD2'/CMD3...( /係表示信號為低 時的活動(active))。各信號/CMDO、/CMDl、/CMD2、 /CMD3’·· ’例如係為低位址選通(i〇w address strobe)信 號/RAS、行位址選通信號/CAS、寫入致能(write enable) 信號/ W E、位址/ A D。各接收電路1 1 - 〇、1 1 - 1、η - 2、 11-3…係依命令閂鎖信號(command latch signal)CL而同 時被活性化。接收電路1 1 - 〇 ' 1 1 - 1、1 1 — 2、1 1 - 3…,係對 每一命令問鎖信號CL之每一週期取入信號/ CMDO、/CMDl、 /CMD2、/CMD3…,且從該等接收電路1 1-〇、ll-ι、11 — 2、 11-3 …中輸出内部信號ICMD0、ICMD1 、ICMD2、ICMD3 …。 該等内部信號ICMD0、ICMD1、ICMD2、ICMD3…係依未圖示 之解碼電路而被解碼,可生成預定的命令。
O:\61\61490.PTD 第5頁 五' 發㈣明⑵ =5係顯示習知之命令取入動作的時序圖。複數個接收 ^係在每一命令閂鎖信號“之時鐘週期(cl〇ck cyci 接收如圖4所示之複數個信號/CMDi(i=:〇、j、2 .)。 該等的信號/CMDi之位準組合對應預定的命令時,就會 收命令,而系統會成為對應該命令的動作模式。但是, 於對應命令之信號/CMDi不知何時會變化,所以有必要由 生在每一時鐘信號之每一週期用以驅動接收 鎖信號CL。 7閂 圖6顯示圖4所示之接收電路(CRCV) j j _〇、1丨_1、工卜2 11-3〜之一例。此接收電路((^^)係由接收電路(代 、 和連接此接收電路(RCV)之輸出端的正反器電路叮 成。接收電路RCY之輸出信號係如後述之脈衝狀 為了要攸此仏號生成穩定的命令,而在接收電路^ 出端上,連接由二個NOR(非或閘)電路所構成 ^ 路FF。 及為電 圖7係顯示圖6之動作。如圖7所示,此正反器 係用以保持從接收電路Rcv所輸出的脈衝狀之作, D,藉以產生内部信號ICMD。此例之情況,正二器。=是 FF,係接收輸出信號/D以產生内部信號ICMD,且在蛀 出信號D之前會保持此内部信號丨CMD的狀皞。 *收輪 組合狀態被保持之内部信號丨CMD並取邏輯以生 八藉由 可穩定保持命令的狀態。因此’①需要使用特別::路:P 可穩定保持對應命令之系統的動作狀態。 包路即 圖8係顯示圖6之接收電路RCV之—例。此接收電路心,
第6頁 五、發明說明(3)
係由P通道MOS電晶體Pi .. D 反相電路π、12所構成/=° M〇S電晶體N1...N7、及 成命令的信號/CMD,在t Β·二,之閘極上供給有用以構 Vre卜再者,命令問鎖二二體Ν6之閘極上供給有基準電壓 之問極上。 ^號CL係供給至電晶體Ν3及Ρ3…Ρ5 圖9係顯示圖§之動作& 接收電路RCV的動作加以圖’參照此圖就圖8所示之 號CL變成t付盘吐 ^ 5兒明。如圖9所示,當命令閂鎖信 ^準^ ’電晶體N 3就會被活性化,而雷s俨 可取入供給至電曰 隨之電阳體心…耵會被活性化,而 體Ν6之閘極上的:準C上的信號/CMD和供給至電晶 高於基準電壓Vref之位準:電!:p,=,謂之位準 節點nl就會變成低位準丰體N1之連接 丨…在連接節點ηι上連接有反相電路 路η:ΐΐίΓ'η2上連接有反相電路12。因此,反相電 路11之輸出k號D會變成高位準,而反相雷故丨9 + &山, 號/D會變成低位準。 +而反相電路12之輸出信 接⑽之位準低於基準電細之位準時,連 接即點nl就會變成高位 ^位半吁連 準,輸出信號D會變成^ M :點n2就會變成低位 準。另外,在人Apq 皁,而輸出信號/D會變成高位 會被活性化,“接mCL為低位準時,電晶體P3…P5 此,輪出作號η , η 雙方會成為向位準。因 =出L破D、/D皆可保持於低位準^ 上述接收電路RCV σ+ yv Λ 路队ν,、有在命令問鎖信號α被活性化時, 459380 五、發明說明(4) 才會保持信號/CMD之位準。又,在命令閂鎖信號CL被活性 化時,由於係高速感測信號之狀態所以會流動很大的電 流’且會消耗相當大的電力。 如上述般,由於圖4所示之習知的命令接收器無法知道 命令之狀態何時會變化,所以在每一時鐘信號之週期中就 要使複數個接收電路活性化以監視信號。因而,隨著命令 之數目增加,構成命令之信號增加,則由於同時以每一週 期活性化的接收電路之數目會增加,所以依該等接收電路 所消耗的電力就會增大。又,隨著電路動作之高速化,當 時鐘週期時間變短時,由於每一單位時間的週期數會加, 所以消耗電力就會更為增大。進而,難以正確調整高速動 作之全部的接收電路之準備時間(set-up time)、及保持 時間達到相等,而且在信號之取入時間或保持時間上發生 偏移時,就有生成錯誤的命令之虞。 發明之簡述 本發明係為了解決上述問題而成者,其目的係在於提供 一種可防止消耗電力之增大,同時可確實監視複數個信號 的時鐘同步系統。 本發明之目的係可由如下之裝置來達成。 一種時鐘同步系統,其係包含有:第一接收電路,用以 接收與時鐘信號同步並指示輸入信號之取入週期的指示信 號者;活性化信號生成電路,根據前述指示信號用以生成 活性化信號者;以及第二接收電路,按照前述活性化信號 而接收前述輸入信號者。
第8頁 459380 五、發明說明(5) 又,本發明之目的係由如下之裝置來達成。 一種時鐘同步系統,其係包含有:第一活性化信號生成 電路,用以每一時鐘生成與時鐘信號同步的第一活性化信 號;第一接收電路,按照由前述第一活性化信號生成電路 所供給的第一活性化信號,而接收用以指示輸入信號之取 入週期的指示信號者;第二活性化信號生成電路,根據來 自前述第一接收電路的前述指示信號用以生成第二活性化 信號者;以及第二接收電路,按照來自前述第二活性化信 號生成電路之前述第二活性化信號而接收前述輸入信號 者。 若依據本發明,則第二接收電路於平時並未被活性化, 而只有在接收輸入信號時才被活性化。因而,可刪減消耗 電力。而且,由於第一接收電路係與時鐘信號同步而動 作,所以可確實接收用以指示信號之取入週期的指示信 號,且第二接收電路可按照對應指示信號之活性化信號而 接收輸入信號。因而,可確實監視輸入信號。 圖式之簡單說明 圖1係概略顯示適用本發明之半導體記憶裝置的構成 圖。 圖2係顯示本發明之一實施例的電路構成圖。 圖3係顯示圖2之動作的時序圖。 圖4係顯示習知命令接收器之一例的構成圖。 圖5係顯示習知之命令取入動作的時序圖。 圖6係顯示圖4所示之接收電路CRCV之一例的電路圖。
4^938〇 五、發明說明(6) 圖7係顯示圖6之動作的時序圖。 圖8係顯示圖6之接收電路rcv之一例的電路圖。 圖9係顯示圖8之動作的時序圖。 較佳具艎抝之簡單說明 以下,係參照圖式而就本發明之實施形態加以說明。 美國專利中請案號第〇, 930, 5752號、第0, 935, 4102號、 第0,938,3193號及日本專利特願平1〇_337114號之揭示, 係依參照而編入於說明書中,以構成說明書之一部分。
圖1係顯示適用本發明之半導體記憶裝置例如同步DRAM 的一例。圖1中,位址信號An(n = l、2…)係介以未圖示之 位址緩衝電路而供給至列位址緩衝器21、行位址緩衝器2 2 上°該等列位址緩衝器2 1、行位址緩衝器2 2係連接在記憶 體塊23上。此記憶體塊23係具有複數個群組(bank)BK,各 群組具有記憶體單元陣列24、感測放大器2 5、行解碼器26 及列解碼器2 7 ^此列解碼器27係連接在前述列位址緩衝器 2 1上’且按照從此列位址緩衝器2丨所供給的列位址而選擇 字線WL °前述行解碼器26係連接在前述行位址緩衝器22 上’且按照從此行位址緩衝器22所供給的行位址而選擇位 凡線BL。在該等位元線BL和字線η之交又部上配置有記憶 體單元MC。 ☆在=述感測放大器2 5上連接有用以保持寫入資料的輸入 緩衝器2 y、和用以保持讀出資料的輸出緩衝器2 9。該等輸 入緩衝器28、輸出緩衝器29係介用以切換該等的切換控制 電路30而連接在輸出鲜塾31上。再者,_輸人緩衝器
第10頁 -5938η____ 五、發明說明(7) 28、輸出缓衝器29、切換控制電路3〇係連接在控制電路32 上。此控制電路32,係按照從後述之閂鎖電路3 6所供給之 用以顯示動作模式的信號而控制同#DRAM整體的動作。 另一方面’構成命令的複數個信號/CMD〇、/CMDl、 /CMD2’’’/CMDn係供給至命令接收器μ上。此命令接收器 33,係按照從詳細後述之活性化信號生成電路34所供給的 命令閂鎖信號CL1而取入前述複數個信號/cbo、/CMD1、 /CMD2…/CMDn,以生成對應該等信號的内部信號。該等内 部信號係供給至命令解碼器35上。此命令解碼器35係用以 解碼該等内部信號,以生成例如切換群組活動命令(bank active command)、資料之讀出命令或寫入命令、潛伏期 (latency)的命令等。此命令解碼器35之輸出信號係介以 閂鎖電路3 6而供給至前述控制電路3 2上。 圖2係具體顯示前述命令接收器33和活性化信號生成電 路34,在與圖1相同的部分上附記相同的元件編號。 命令接收器33,係由複數個接收電路33-0、33-1、 33-2···33-η所構成。該等接收電路33-〇、33-丨n2... 33-η ’係與圖6所示之電路相同。但是’圖2中,省略了基 準電壓Vref。供給至各接收電路33-0、33-1、3Π..33~η 上的k號/ CMDO '/CMD1、/CMD2…/ CMDn係例如分別為低 位址選通信號/RAS、行位址選通信號/CAS、寫入致能 (write enable)信號/WE ' —部分的位址信號Aj·。該等接 收電路33-0、33-1、33-2 ...33-η係依從活化性信號生成電 路34所供給的命令閂鎖信號CL而同時被活性化,藉此,信
第11頁 五、發明說明(8) 號/CMDO、/CMD1、/CMD2…/ CMDn就可取入於接收電路 33-0、33-1、33-2 …33-n 内。該等接收電路 33-0、33-1、 33- 2 _··33-η係對應被取入的信號而輸出内部信號ICMDO、 ICMD1 、 ICMD2 …ICMDn 。 活性化信號生成電路3 4係由接收電路3 4 - 1、延遲電路 34- 2及及閘(AND)電路34-3所構成。接收電路34-1,係與 圖6所示之電路相同的構成。但是,在接收電路34-1中, 省略了基準電壓Vref。在此接收電路34-1上供給有用以指 定命令週期的命令閂鎖致能信號(command latch enable s i g n a 1 ) / C L E、及活性化信號C L K 1,且按照此活性化信號 CLK1而取入命令閃鎖致能信號/CLE。此命令閃鎖致能信號 / C L E係用以指示命令之取入時間的信號,例如用以指示此 命令閂鎖致能信號/CLE之下一個週期構成命令的信號者。 前述接收電路34-1係取入命令問鎖致能信號/CLE,以從輸 出端輸出内部信號I C L E。從此接收電路3 4 - 1所輸出的内部 信號ICLE係與時鐘信號CLK同時供給至及閘電路34-3上。 此及閘電路34-3係從内部信號I CLE和時鐘信號CLK中生成 前述命令閃鎖信號C L 1。此命令閃鎖信號C L 1係供給至接收 電路33-0 、 33-1 、 33-2 …33-n 上。 其次,參照圖3 ’就圖2之具體的動作加以說明。如圖3 所示,前述命令W鎖致能信號/CLE係在取入命令用的命令 週期之前變成低位準。此低位準之命令閂鎖致能信號/CLE 係按照從延遲電路3 4 - 2所輸出的活性化信號C L K 1而取入於 接收電路3 4 - 1内,此接收電路3 4 - 1係輸出用以顯示命令週
O:\61\61490.PTD 第12頁 45^38〇 五、發明說明(9) 期的内部信號ICLE。前述命令閂鎖致能信號/CLE,例如係-· 由未圖示之控制器所產生的信號,此命令閂鎖致能信號 /CLE ’係當作外部信號而供給至接收電路34-1之輸入端 上。 上述接收電路34-1,由於取入無法知道何時會依命令接 收器33而變化的信號/CMD〇、/CMD1、/CMD2…/CMDn,所以 要檢測一個命令問鎖致能信號/CLE之變化。因此,如圖3 所示’用以驅動接收電路3 4-1之活性化信號CLK1,係有必 要在每一時鐘信號CLK之每一週期中產生。此實施例,係 利用前述延遲電路34-2使時鐘信號CLK之相位例如延遲270 度以生成活性化信號CLK 1。此理由,係因在命令週期之前 的時鐘週期的後半段,亦即命令週期的半週期前,要確實 取入成為低位準的命令閂鎖致能信號/ C L E,所以有必要在 命令閃鎖致能信號/CLE之狀態保持期間的中間使接收電路 3 4 - 1活性化之故。 用以生成前述活性化信號C L Κ 1的電路,並非被限定於延 遲電路,亦可適用可使信號之相位變化的PLL(Phase Locked Loop :鎖相迴路)電路等的同步電路β 又’使命令閃鎖致能信號/CLE之輸出時間或接收電路 3 4 - 1活性化的時間並非被限定於本實施例,只要對於依命 令而被驅動的系統設定最適當的時間即可。亦即,本實施 例中’雖然係從時鐘信號CLK開始延遲2 7 0度而產生活性化 信號CLK 1,但是並非被限定於此,只要對於系統設定最適 當的時間即可。
O:\61\61490.PTD 第13頁 45338〇 五、發明說明(ίο) 依從上述延遲電路34-2所輸出的活性化信號CLK1之時間-. 而取入於接收電路34-1内的命令閃鎖致能信號/(:1^,係可 在1時鐘週期之間保持《此係因每一週期會監視命令閂鎖-致能信號/ C L E之狀態所致。 圖3係顯示取入命令閂鎖致能信號/ c L E,且保持内部信 號I CL E的狀態。此内部信號I c L E成為高位準的週期係為命 令週期’而利用此命令週期内的時鐘信號c L K之上升即可 取入用以構成命令之複數個信號的狀態。亦即,從接收電 路3 4-1所輸出的内部信號I CLE係與時鐘信號CLK同時供給 至前述及問電路34-3上,並從此及閘電路34-3之輸出端輸 出命令閂鎖信號C L 1。此命令閂鎖信號c L 1 ,係供給至前述 接收電路33-0、33-1、33-2…33-n上。如圖3之實線所 示’此命令閂鎖信號CL 1 ,係只有在命令週期内產生,而 不在其他的週期内產生。接收電路33-0、33-1、33-2… 3 3 - η係依命令問鎖信號C L1而被活性化,並取入用以構成 命令的信號/CMDO、/CMDl、/CMD2…/ CMDn。亦即,接收電 路33-0、33-1、33-2…33-n係在命令週期中,只有產生命 令閂鎖信號C L1的期間中才被活性化,且按照已取入的信 號/ CMDO、/ CMD1、/CMD2 "./CMDn 而輸出内部信號ICMDO、 ICMD1、ICMD2 …ICMDn ° 若依據上述實施例,則只有接收電路3 4 - 1,可依與時鐘 信號同步的活性化信號C L K 1而在每一時鐘中被活性化,且 接收電路3 3 - 0、3 3 - 1、3 3 - 2…3 3 - η只有在命令期間被活性 化,而不會在每一時鐘中被活性化。因此,經常動作者只
O:\61\61490.PTD 第14頁 五'發明說明(11) 有接收電路34-1而已,接收電路33-0、33-1、33-2". 33-n 在命令期間以外會被形成非活化。因而,可比習知還大幅 地減低消耗電力。 又,用以構成信號/CMDO、/CMD1 、/CMD 2 ,只要 在由命令閂鎖致能信號/CLE所指定的命令週期之開頭確定 狀態即可,而沒有必要使之與高速的時鐘信號同步來確 定。要與高速的時鐘信號同步而同時確定用以構成命令之 複數個信號是很難的。但是,本實施例之情況,只要與在 遲於時鐘信號之時間所生成的命令閂鎖致能信號/CLE同步 而確定用以構成命令之複數個信號即可。因而,可很容易 生成該等的信號。 再者,由於接收電路33~0、33-1、33_2…33-n亦是不依 高速的時鐘信號而在每一時鐘中被活性化,所以在信號之 取入時間或保持時間中不易發生偏移。因而,可降低生成 錯誤之内部信號的機率。亦即,在依高速的時鐘信號而使 接收電路3 3 - 0、3 3 - 1、3 3 - 2…3 3 - η在每一時鐘中活性化 時,有時接收電路3 3 - 0、3 3 - 1、3 3 - 2…3 3 - η之内部連接節 點的電位不會被充分重設(r e s e t)。因此,有時會在信號 之取入時間或保持時間中發生偏移。但是,本實施例之情 況,係只有在供給命令閂鎖信號CL1時接收電路33-0、 3 3 - 1、3 3 - 2…3 3 - η才會被活性化,而不會在每一時鐘中被 活性化。因此,可充分重設内部連接節點的電位,且可使 信號之取入時間或保持時間一致。因而,可降低生成錯誤 的命令之機率。
O:\61\61490.PTD 第15頁 4^938〇 五、發明說明(12) 另外,上述 的情況加以說 鐘信號同步而 號同步而接收 再者,本發 而與時鐘信號 又’上述實 用以構成命令 準之D R A Μ,例 構成命令之信 令之信號的系 將命令閂鎖致 即可。
實施例,雖 明,但是並 取入信號之 命令的系統 明並非只有 同步被取入 施例,係以 的信號。但 如適用於不 號的全部, 統中。此情 能信號/CLE 係就將 非被限 例如位 等中。 命令而 的資料 時鐘信 是,亦 以時鐘 而以複 況,例 在複數 本發明適用於同步DRAM中 定於此, 亦可適用於與時 址閃鎖¢4/ 電路、或與時鐘信 已’亦可適用於按照命令 ,身之接收電路中。 ,之I逍期,而全部取入 ^,本發明例如R a m b u s標 ^號之1週期而取入用以 數個週期取入用以構成命 如圖3之虛線所示,只要 個時鐘之間保持於低位準 再者’上述實施例中,雖然在命令閂鎖致能信號/ C l E之 後會產生命令閂鎖信號C L1,但是並非被限定於此。例如 若明確命令閂鎖致能信號/C LE和用以構成命令之信號的關 係,則如圖3之虛線所示,亦可從命令閂鎖致能信號/CLE 開始數週期後才產生命令閂鎖信號C L 1。 又,接收電路33-0、33-1、33-2…33-n ’並非被限定於 圖6所記載之電路構成,亦可採用其他的構成。
第16頁
Claims (1)
- 4 5S 3 b u 六、申請專利範圍 1. 一種時鐘同步系統,其係包含有: 第一活性化信號生成電路,用以每一時鐘生成與時鐘 信號同步的第一活性化信號; 第一接收電路,按照由前述第一活性化信號生成電路 所供給的第一活性化信號,而接收用以指示輸入信號之取 入週期的指示信號,此第一接收電路係用以生成對應前述 指示信號的内部信號者; 第二活性化信號生成電路,用以供給由前述第一接收 電路所生成的内部信號、及前述時鐘信號,此第二活性化 信號生成電路係在生成前述内部信號之期間内用以生成與 前述時鐘信號同步的第二活性化信號者;以及 第二接收電路,用以供給由前述第二活性化信號生成 電路所輸出的第二活性化信號,此第二接收電路係按照前 述第二活性化信號而取入前述輸入信號者。 2. 如申請專利範圍第1項之系統,其中前述第一活性化 信號生成電路,係在前述輸入信號之取入週期前的前述時 以 用 内 期 週 之 lgJ 信 鐘 圍 々巳 ί JnJ ί 專 請 申 如 3 成1 生第 者 號 信 化 性 活 \ 第 化 性 活 一 第 述 前 中 其 統 系 之 項 以 用 段 半 後 的 期 週 各 之 Jg-3 # 信 鐘 時 述 1 前者第 在號圍 係信範 ,化利 路性專 電活請 成一申 生第如 號成4 信生 化 性 活 1 第 述 前 中 其 統 系 之 項 第 圍 々巳 ί , #. 路 專 電 請 成。申 生者如 號成δ 信構 所 路 電 遲 延 的 &u 信 鐘 時 述 肯 遲 延 以 用 由 係 號 信 示 指 述 上月 中 其 統 系 之 項第17頁 六、申請專利範圍 係具有前述時鐘信號之數週期份的週期者。 6 ·如申請專利範圍第1項之系統,其中前述第二活性化 信號,係與前述第一活性化信號隔開數個時鐘者。 7. —種時鐘同步系統,其係包含有: 記憶體部,其與時鐘信號同步而動作; 第一活性化信號生成電路,用以每一時鐘生成與時鐘 信號同步的第一活性化信號; 第一接收電路,按照由前述第一活性化信號生成電路 所供給的第一活性化信號,而接收用以指示構成命令之複 數個信號之取入週期的指示信號,此第一接收電路係用以 生成對應前述指示信號的内部信號者; 第二活性化信號生成電路,在產生由前述第一接收電 路所生成的内部信號之期間内用以生成與前述時鐘信號同 步的第二活性化信號者; 複數個第二接收電路,按照由前述第二活性化信號生 成電路所供給的第二活性化信號,而接收用以構成前述命 令的複數個信號者; 解碼器,用以解碼由前述第二接收電路所供給的前述 信號以生成命令者;以及 控制部,按照由前述解碼器所供給的命令而控制前述 記憶體部者。 8. 如申請專利範圍第7項之系統,其中前述第一活性化 信號生成電路,係在構成前述命令之複數個信號之取入週 期前的前述時鐘信號之週期内用以生成第一活性化信號第18頁 4593 8 〇 六、申請專利範圍 者。 9.如申請專利範圍第7項之系統,其中前述第一活性化 信號生成電路,係在前述時鐘信號之各週期的後半段用以 生成第一活性化信號者。 1 〇.如申請專利範圍第7項之系統,其中前述第一活性化 信號生成電路,係由用以延遲前述時鐘信號的延遲電路所 構成者。 1 1.如申請專利範圍第7項之系統,其中前述指示信號, 係具有前述時鐘信號之數週期份的週期者。 1 2.如申請專利範圍第7項之系統,其中前述第二活性化 信號,係與前述第一活性化信號隔開數個時鐘者。 1 3. —種時鐘同步系統,其係包含有: 第一接收電路,用以接收與時鐘信號同步並指示輸入 信號之取入週期的指示信號者: 活性化信號生成電路,根據前述指示信號用以生成活 性化信號者;以及 第二接收電路,按照前述活性化信號而接收前述輸入 信號者。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之系統,其中前述第一接收 電路,係與前述時鐘信號同步而被活性化者,而前述第二 接收電路,係依前述時鐘信號和非同步之前述活性化信號 而被活性化者。 1 5.如申請專利範圍第1 3項之系統,其中前述指示信號 係由遲於前述時鐘信號的時間所生成者。第19頁 4 59 3 8 0 六、申請專利範圍 1 6.如申請專利範圍第1 3項之系統,其中用以指示前述 輸入信號之取入週期的指示信號以外之信號,係與用以指 示前述輸入信號之取入週期的指示信號同步而被確定者。 1 7. —種時鐘同步系統,其係包含有: 第一活性化信號生成電路,用以每一時鐘生成與時鐘 信號同步的第一活性化信號; 第一接收電路,按照由前述第一活性化信號生成電路 所供給的第一活性化信號,而接收用以指示輸入信號之取 入週期的指示信號者; 第二活性化信號生成電路,根據來自前述第一接收電 路的前述指示信號用以生成第二活性化信號者:以及 第二接收電路,按照來自前述第二活性化信號生成電 路之前述第二活性化信號而接收前述輸入信號者。 1 8.如申請專利範圍第1 7項之系統,其中前述第一接收 電路,係與前述時鐘信號同步而被活性化者,而前述第二 接收電路,係依前述時鐘信號和非同步之前述第二活性化 信號而被活性化者。 1 9.如申請專利範圍第1 7項之系統,其中前述指示信號 係由遲於前述時鐘信號的時間所生成者。 2 0.如申請專利範圍第1 7項之系統,其中用以指示前述 輸入信號之取入週期的指示信號以外之信號,係與用以指 示前述輸入信號之取入週期的指示信號同步而被確定者。第20頁
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33711498A JP3725715B2 (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | クロック同期システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW459380B true TW459380B (en) | 2001-10-11 |
Family
ID=18305579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW088120602A TW459380B (en) | 1998-11-27 | 1999-11-25 | Clock synchronous system |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6185150B1 (zh) |
JP (1) | JP3725715B2 (zh) |
KR (1) | KR100338967B1 (zh) |
TW (1) | TW459380B (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001014847A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Toshiba Corp | クロック同期回路 |
US6937683B1 (en) | 2000-03-24 | 2005-08-30 | Cirronet Inc. | Compact digital timing recovery circuits, devices, systems and processes |
JP4727799B2 (ja) * | 2000-09-25 | 2011-07-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体集積回路及び外部信号の取り込み方法 |
JP4113338B2 (ja) * | 2001-04-10 | 2008-07-09 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路 |
DE10121165B4 (de) * | 2001-04-30 | 2011-02-03 | Qimonda Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Initialisieren einer asynchronen Latch-Kette |
KR100401508B1 (ko) | 2001-05-25 | 2003-10-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 램버스 디램의 뱅크 제어회로 |
US7009894B2 (en) * | 2004-02-19 | 2006-03-07 | Intel Corporation | Dynamically activated memory controller data termination |
US7280054B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-10-09 | Nokia Corporation | Integrated circuit interface that encodes information using at least one input signal sampled at two consecutive edge transitions of a clock signal |
JP4751178B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2011-08-17 | エルピーダメモリ株式会社 | 同期型半導体装置 |
JP5418528B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-02-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体メモリ |
JP2012226800A (ja) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその制御方法並びに情報処理システム |
KR20220026417A (ko) * | 2020-08-25 | 2022-03-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 집적 회로 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0756749B2 (ja) | 1989-09-29 | 1995-06-14 | 株式会社東芝 | 機能選択回路 |
JP2605576B2 (ja) | 1993-04-02 | 1997-04-30 | 日本電気株式会社 | 同期型半導体メモリ |
JPH07130166A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-05-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置および同期型半導体記憶装置 |
JP2697634B2 (ja) * | 1994-09-30 | 1998-01-14 | 日本電気株式会社 | 同期型半導体記憶装置 |
US5636173A (en) | 1995-06-07 | 1997-06-03 | Micron Technology, Inc. | Auto-precharge during bank selection |
JPH0922592A (ja) * | 1995-07-03 | 1997-01-21 | Sanyo Electric Co Ltd | シンクロナスdram |
JP3724654B2 (ja) | 1995-07-06 | 2005-12-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置 |
JP2904076B2 (ja) * | 1995-11-10 | 1999-06-14 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
-
1998
- 1998-11-27 JP JP33711498A patent/JP3725715B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-11-23 US US09/448,412 patent/US6185150B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-11-25 TW TW088120602A patent/TW459380B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-11-27 KR KR1019990053229A patent/KR100338967B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3725715B2 (ja) | 2005-12-14 |
US6185150B1 (en) | 2001-02-06 |
JP2000163962A (ja) | 2000-06-16 |
KR20000035737A (ko) | 2000-06-26 |
KR100338967B1 (ko) | 2002-05-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |