TW454370B - Method and procedure to automatically stabilize excimer laser output parameters - Google Patents

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4 5 43 7 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7__ 五、發明說明（1 ) 發明背景 1. 發明領域 本發明係關於一種穩定氣體放電雷射之輸出束參數之方 法及裝置。特別，本發明係關於使用極少數氣體注入經歷 長的連續作業或靜態時間雇氣體混合物組成。 2. 相關技術之討論 脈衝氣體放電雷射例如於深紫外光（DUV)或眞空紫外光 (VUV)發射的準分子雷射及分子雷射對產業應用變得極爲 重要，例如刻術。此種雷射通常包括含有二或多種氣 體’例如齒素及一或二種稀有氣體之放電腔室。例如 KrF( 248毫微米）’ ArF( 1 93毫微米），XeF( 350毫微米）， 1^(：丨（222毫微米），乂6(：1(308毫微米）及卩2(157毫微米）雷 Μ 0 氣體混合物之激光效率及此等雷射輸出束的多f參数^ 表物組成靈敏地改變+谷rF食射之最佳氣體混合物 組成具有較佳氣體混合物成份比約爲0、1 °。F_2/l °。Kr/98.9% 參見美國專利第號，讓與本案之受讓人且併 述於此以供參考）。F2雷射具有氣體成份比約爲〇. 1 F2/99.9% Ne (參考美國專利申請案第09/3 17,526號’讓與本 案之相同受讓人且併述於此以供參考），小量山也可添加 至稀有氣體鹵化物氣體混合物（參考R.S. Taylor及K.E.

Leopold，稀有氣體鹵化物雷射氣體混合物之閃火預先游離 輻射之傳輸性質，IEEE量子電子期刊，21 95-2207頁，第31 卷，第12期（1995年12月））。任何;1離及其它準分子雷 -4- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2l〇x 297公发） ---ί-------------1----訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .-1..'§却智社財產局P'工消費合作社印製 454370 A7 —----— ____B7_____ 五、發明說明（2 ) 射或分子雷射之最生屬^典型地將導致—或多種輸出 束參數之〇急定參數例如束能，能量 穩定性，瞭性，空間相干性，放電 寬度’頻寬’及長抽及短袖束側錄與發散。 I · 就此方面而言，特別重要地爲氣體混合物之鹵素例如氟 濃度（或分壓）。稀有氣體例如對KrF雷射的氪及氖的耗用 比較氣的耗；T低。圖1顯示KrF雷射之雷射輸出效率相對於 氣;辰度’顯示輸出效率偏離中心最大値減低。圖2顯示民汗 雷射脈衝之時間脈衝寬度（脈衝長度或持續時間）如何隨著 氟濃度的増高而降低。圖3 _ 4顯示對各種F2雷射之氟濃度 輸出能對驅動電壓（亦即放電電路之驅動電壓）的相依性。 由圖3 - 4觀察到對任何指定驅動電壓而言，脈衝能隨著氟 後度的降低而減少。例如圖3中，於丨9千伏，對3 46毫 巴’ 3.16党巴及2.86毫巴之氟分壓而言，脈衝能分別約爲 焦，11宅焦及ι〇毫焦。圖3之圖説指示塡充於κ汴雷射 放见腔室的二種預混物，亦即預混物A及B之分壓。預混 4 Α η貞上包含1 % F2及"％ Ne，及預混物B實質上包含 1 0〇 Kr及99% Ne。因此，對三角形資料點指示的線圖而 言，預混物分壓346毫巴指示氣體混合物實質上含有3 46毫 巴氟，預混物B分壓3200毫巴指示氣體混合物實質上含32 毛巴氪3其餘氣體混合物爲緩衝氣體氖3圖5顯示隨著氟 啦度的增高’ KrF雷射頻寬穩定增加。 於產業應用上，較佳準分子或分子氟雷射可連續操作長 時間，亦即，極少有停機時間。希望有—種準分予或分子 ^---一 ~ 5 - 中國絲標準（CNS)A4規格（ X 297公g )--' ------------- I 裝.：----1-----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I> 4543 7 0 A7 五、發明說明（3 雷射可全年無休運作，或至少只有接少數或極短的 間進行排程維修’同時維持恨定輸出束參數。開機 例如大於98%的開機時間要求精準控制及穩定輪出二 數，而其又要求精確控制氣體混合物組成。 ^幸，㈣分子及分子氟雷射作業期間，由於氣體混人 物^或制激烈性質發生氣體冷染。齒素氣體具有高: 反應性，當反應時期於氣體混合物的濃度下降，留下= 污染物。#素氣體與放電腔室或管的材料反應以及與;·昆合 物的其Έ：氣體反應。此外’無論雷射作業（放電）與否，皆 發生反應而使氣體混合物分解。純性或靜態氣體（亦即雷 射未放電或未作業時）壽命對典型K r F雷射而言約爲—周^ 於KrF雷射準分子操作期間，觀察到污染物例如hf， CF4 ’ COF2，SiF4濃度迅速增高（參考G M Judsch等人放 电激發KrF雷射之氣體污染物影響，應用光學第3丨卷，第 12期，！975-1981頁，（1992年4月20日））。對靜態KrF雷射 氣體混合物，亦即無放電運作，也觀察到HF，〇2，^匕及 SiF4濃度增高（參考jurisch等人之上文）3 一種有少此種氣體分解之方式保減低或消Μ τΑ 電腔室内部的污染源。牢記此點，曾經揭示一種全金屬， 陶瓷雷射管（參考D. Basting等人，「Laserrohr fur halogenhaltige Gasentladungslaser」G 295 20 280.】，1995 年 1月25日/ 1996年4月1 8日（揭示λ物理Novatube，併述於此 以供參考））。圖6於定性方面舉例説明使用對画素溶蝕較 有抗性材料製成的管（圖B )如何比較使用對自素溶蝕不具 -6- M氏張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（210 X 297公釐 f琦先閱讀背面之注意事項再填寫本I) 裝'i--„-----訂--I------線 454370 ^^-•智"时產^3工"'費合作社印裂 A7 B7 五、發明說明（4 ) 抗性的管（圖A)可減慢氣體混合物之氟濃度的降低。於約 70百萬脈衝後圖A顯示氟濃度降至約其初値的60〇。，而經 相同次數脈衝後圖B所示氟濃度僅降至其初値之約80%。 氣體純化系統，例如低溫氣體過濾器（參考美國專利第 4,534,〇34號）或靜電粒子過濾器（參考美國專利第5 586 134 號）也用於延長KrF雷射氣體壽命至1 〇〇百萬次發射隨後才 推薦需要重新填充氣體。 爲了做快速線上調整，不容易直接測量雷射管内部卣素 濃度（參考美國專利第5，14 9，6 5 9號（揭示監視氣體混合物之 化學反應））。因此，於本發明了解可應用於產業雷射系統 之優異方法包括使用氟濃度與雷射參數間的已知關保，例 如可述氟濃度相依性輸出束參數之一種參數。此種方法

中，可直接測量參數正確數値，由此數値算出氟濃度。藉 此方式，可間接監視氟濃度D 曾經揭示經由監視束側錄（參考美國專利第5642,374號） 及頻譜（頻帶戍度（參考美國專利第5,45〇,436貌）間接監視 會帶準分子雷射之由素耗用之方法。此等方法皆非特別可 靠，原因在於東側錄及頻寬各別受多種其它作業條件，例 ::重復速率 '調變準確度、溫度條件及雷射管老化等影 喜。換各之’依據並令作量他Vit — I 1 1 妹’、匕作業條件而足，由不同氣體组成可 產生相同頻寬。 已知&提㊉放電電路的驅動電壓來維持輸出束於 恒定能量可補償由於由素耗用造成的雷射效率下降； 舉例説明此點，圖7鞀千祝A ^ 國顯不1恆定驅動電壓時，輸出雷射脈 本紐⑼S因家標準（CNS>^[^(21〇 x 297公f (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝v----1-----訂---------線 椏-^智"財產局貧、工消費合作社印" 454370 A7 _ B7 ^ ------------ 真、發明說明（5 ) 衝能如何隨脈衝數目降低。圖8類示驅動電壓如何穩定增 高來補償ΐ素的耗用，藉此產生恒定能量之輸出脈衝。曰 此種辦法ι>缺冬鳴例如前文就圖丨_ 5討論之能量以外 的輸出束參數受氣體混合物分解影響將無法藉由穩定提高 驊動電壓相對校正。圖9_U舉例說明此點，顯示長及短軸 束侧錄、短軸束發散及能量穩定性累加値分別與驅動電壓 的相依性。此外，於某點自素變得太過耗用因此若未更新 氣體混合物’即使驅動電壓達到最高値仍^維持脈衝 >匕 〇 希望穩定全部受自素耗㈣響的輸出參數而不僅穩定輸 出脈衝能之方法。本發明了解此點最佳係經由調整函素及 稀有氣體濃度達成。 有些技術係經由將頦外稀有氣體及由素氣體注入放電腔 室及重新調整氣體壓力來補充氣體混合物（參考美國專利 弟5,396,514號）。更複雜的系統係監視氣體混合物的分 解，使用對氣體混合物中各種氣體之選擇補充演算法重新 調整氣體混合物（參考美國專利第5,44〇,578號）3第三種技 術使用專業系統，包括對應不同氣體混合物及雷射操作條 件的資訊及線圖資料庫（參考$國專利申肖案第〇9/167,⑹ 號，讓與本發明之相同受讓人且併述於此以供参考驅 動電壓相對於輸出脈衝能資料集合，例如經測量且與儲存 的「王控」資料集合比較，主控資料集合對應於最佳氣體 組成，例如剛填充後存在於放電腔室的氣體組成^由資料 集合數値及/或資料集合產生的線圖斜率比較可決定目前 I紙張尸、用中S國家標準&NS)A4規格（210 X 297公餐 1------- (請先閱讀背面之注t事項再填寫本頁) ---T-----訂---It-----線 454370 A7 五、發明說明（6 ) 氣體混合物狀態及適當氣體補充程序（若有），且重新調整 氣體混合物變成最適化。若干氣體補充程序述於美國專利 第4,977,573號’讓與本發明之相同受讓人且併述於此以供 參考& 所有此等技術通常於補充氣體時皆對雷射作業條件產生 非期望的干擾。例如圖12之説明，注入鹵素（HI)結果造成 驅動電壓的強力顯著跳動。結果造成有意義的輸出參數， 例如逐脈衝穩定度的強力失眞。因此理由故，典型於氣體 補充時關閉雷射再重新啓動，結导造成雷射的開機時間顯 著縮短（參考美國專利第5,450,436號）。 發明概述 本發明< 係提供一種準分子或分子雷射系統，其中 氣體混合物狀態可經確定定期測定且順利地調整。 衣發明之又一目的係4疋供一種當補充氣體時可自動補債 氧體混合物的分解而未干擾雷射操作條件之技術。 木發明之另一目的係提供一種可連續運作同時維持恆定 輸出朿參數之準分子或分子雷射系統。 提供一種氣體放電雷射系統可滿足前述各目的，該系統 具有一放電腔室含有一種第一氣體混合物包括—種组成氣 體，一對電極連結至一電源供應電路包括驅動電壓用以致 能第一氣體混合物，及一諧振器環繞放電腔室用以產生雷 射東。氣體供應單元連結至放電腔室用以補充包括組成^ 體的第一氣體混合物。氣體供應單元包括_進氣口，具有 一岡俾允許一種第二氣體混合物注入放電腔室内部而混合 _______~9 ~ 乂度遺丐令®國家標準 (CNS)A4规格（2丨0 * 297公釐） ---.---"------ 裝----------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4543 7 0 A7 Μ濟部智祛財產局員工消費合作社印製 腔室内部的第一氣體混合物。 & μ λ. ' λ —處理器監視—種指示组成 亂體分整足參數’且於連績初― 嘴預疋間隔控制閥俾補充第一氣 體混合物所含組成氣體的分 墙 ^ ^ 知。由於各次連續注入結果， 第一軋體混合物壓力提高 约001至10毫巴，且較佳〇_1至1 或2¾巴心量。第二氣體：思人 . 成合物較佳包含1 %第一組成氣 月豆，且較佳爲含鹵素物種， 及99%緩衝氣體，因此由於各 /人連續注入結果，放電腔分、 ^ <组成氣體分壓提高0.0001至 0.1耄巴，且較俾_〇^1〇^至〇】+ .或0.2宅巴。處理器監視可指示 组成氣體分壓之參數，其中 、 分壓以已知對應關係隨組成翕 體分壓改變。小量氣體注 此可減少或全然避免雷射輪 五、發明說明（7 u 各次僅於第一氣體混合物的組 成氣體分.壓造成小量變動，4 出束參數的非連續性。 也提供一種穩定雷射輸出 ^ + <万法’该万法係經由使用翕 體供應單元及處理器維持褒秘 、 行孔aa放電雷射之放電腔室内部之 雷射氣體混合物的組成n微、九M . 凡乱體於預疋分壓。該方法始於提供 包含组成氣體於初分懕夕+ 1 刀登〈雷射氣體混合物，該氣體於故電 腔室内部耗用。其次，於茄 ^ I視一種以與效組成氣體分壓呈已 知對應關係改變的參數選擇一種對應選定的组成氣體分壓 後分壓降低I參數値，當測得該參數値之預定値或變化 時，注入1¾组成氣體或含該組成氣體之氣體混合物。當注 入含約1。。該組成氣體之氣體混合物時，每次注入時放電 腔室内邵之氣體壓力増高〇 〇1至1 〇毫巴或較佳〇 1至丨或2 父巴。每次注入時组成氣體分壓增高〇 〇〇〇1至〇 1毫巴，或 較佳0.001至0.01或0,02毫巴。注入係以足夠維持或返回組 ___-10- ^本紙張&度邊用中國固家標準(CNS)M规格（2]〇 >ς 297公g ) — -----I-----I ! -1--τ ----訂---I-----線 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 4543 7 Ο Α7 五、發明說明（8 ) 成氣體負至雷射氣體溫A私 轧體& 13物内邵初分壓的間隔時間進 行。 組成氣體典型爲含有，例如患+ k 冬1或氪化氩物種的自素。組 成氣體可爲活性稀有氣體成裔_ A ^ - 孔飞职*眩添加劑。接受監視的參數 較佳選自包括下列之袓薜· „ a疋..‘且群·時間，脈衝數目，輸入至放電 的總累進能量，維持慢定雷射輪出能之驅動電壓，脈衝形 狀’脈衝持續時間，脈衝穩定性，束側錄，雷射束頻寬， 能量穩定性’移動平均能量劑量，時間脈衝寬度，時間相 干性：空間相干性，放電寬度，及長及短軸朿側錄及發 散，或其組合。各參數隨著與由素分壓之已知對應關係改 ^ 後使用小量氣體注入準確控制由素分壓而提供穩定 輸出束參數。 本發明中，氣體供應單元較佳包括小型氣體貯槽，用以 於江入放電腔室前儲存組成氣體或第二氣體混合物（參考 美國專利第5，3 9 6，5 1 4號，瓖與本發明之相同受讓人且併述 於此以供參考，有關如何使用此種氣體貯槽之概略説 明）。貯槽可爲閥總成或額外蓄積器之容積。蓄積器可優 異地用於板制氣體注入量a第二氣體混合物之壓力及容積 經選擇，放電腔室壓力於每次注入時提高小於1 〇毫巴，且 較佳0.1至2毫巴之預定量，較佳第二氣體混合物分壓隨第 二氣體混合物中含鹵素物種之百分濃度改變。 注入可於雷射作業期間以選定量及於選定的小間隔連續 進行。另外，一系列注入可以小間隔進行接著爲一段未進 行注入的時間。然後於預定的較大間隔重覆進行該系列注 -11 - S (CNS)A4 (210 χ 297 ) ' ----.---.---lit 裝·----------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4g43 ?〇 A7 B7 五'發明說明（9 射接著爲潛伏時 間 圖 • 圖式之簡單説明 圖1爲準分子或分子雷射輸出效率相對於氟濃度之線 經濟部1?慧財1局貧工消货合作社印製 圖2爲準分子或分子雷射之積分脈衝寬度相對於氟濃度 之線圖。 圖3顯示數幅對各種氣體混合物分壓，KrF準分子雷射之 輸出束能相對於驅動電壓之線圖。 圖4顯示數幅對不同氟濃度之準分子或分子雷射輸出束 能相對於驅動電壓之線圖。 圖5爲準分子雷射頻寬相對於氟濃度之線圖。 圖6舉例說明對準分子或分子雷射i耗用速率 電腔室组成改變。 二圖7爲於恆定驅動電壓作業之準分子或分子雷射之脈衝 能相對於脈衝數目之線圓。 圖8爲於恒定輸出脈衝能作業之準分予或分子雷射之驅 動電壓相對於脈衝數目之線圖。 圖9爲對於恆定輸出脈衝作業之準分子或分子雷射， 軸束側錄相對於驅動電壓之第一線圖 '長 κ 口久知軸束側綠相對於 驅動電壓之第二線圖。 、 圖10爲對於恒定輸出脈衝能作s之帛分子或分子雷射， 輸出束之短軸發射相對於驅動電壓之線圖。 J 圓丨1爲對於恆定輸出脈衝能的穩定性作業之準分子D，八 子雷射相對於驅動電壓之線圖。 或刀 -12 --—'I I ΙΓ----- ---J------^ *-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本如:ΐ θ @家標準（CNS)A4規格π·χ 29?公爱） 4 5^3 7 Ο Α7 ' ----------B7 五、發明說明（1〇) 圖12舉例説明當由於注入自素而於放電腔室出現鹵素分 壓大增時的驅動電壓之強力顯著非連續性。 圖13a顯示根據本發明之準分子或分子雷射之示意方塊 圖。 圖13b顯不圖13a之準分子或分子雷射之氣體控制單元之 示意圖。 圖14a顯示使用蓄積器將鹵素注入圖丨3之雷射放電腔室 之氣體管線。 圖14b顯不於連結至圖π3之處理器之電腦顯示器上所見 氣體管線及間’指示處理器控制氣體補充過程。 圖1 5爲驅動電壓相對於時間之線圖，也顯示對根據本發 明I系統定期注入鹵素（Β)(氣體作用以週期性垂直線舉例 説明）。 圖1 6爲驅動電壓相對於時間之線圖，也顯示用於本發明 疋系統之週期性！||素注入（Β)及迷你氣體置換（c)(氣體動 作再度以垂直線舉例説明，本次不同高度垂直線表示不同 類型氣體動作）。 圖1 7爲對根據本發明於2千赫作業之雷射系統之脈衝能 钕疋性（σ ’上圖）相對於時間及移動平均（經歷4〇脈衝間 隔 '最差、最大及最小）之線圖。 阖1 8爲驅動電壓相對於時間之定性方面之線圖，也顯示 恨據本發明之系統之週期性微量函素注入（μΗΙ)。 圖1 9爲能量穩定性變化相對於脈衝數目之線圖，用以比 較衣發明之系統與未使用微量卣素注入之習知系統3 -j________ _ ' 13 - 本咬& 丨·3因家標準（CNS)A4規恪---— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------^ ---------線 r--u·'智?±'一^產局轉工消货合作.社印裂 454370 A7 __B7 ：--——_ 五、發明說明（11) 圖20爲束發送相對於脈衝數目之線圖，用以比較本發明 之系統與未使用微量齒素注入之習知系統3 圖21爲驅動電壓相對於脈衝數目之定性線圖，也顯示對 根據本發明之系統之週期性卣素注入、速你氣體置換及部 份氣體置換。 圖22爲流程圖用以執行根據本發明之氣體注入、迷你氣 體1換及部份氣體置換。 較佳具體例之詳細説明 圖13a顯示根據本發明之準分子或分子氟雷射之較佳具 體實施例之示意方塊圖。圖1 3 a之雷射系統包括雷射管】， 包括一電極或放電腔室及氣體流動容器，其中氣體流動容 器典型包括鼓風機及熱交換器或冷卻單元。雷射管丨含有 雷射氣體混合物’壓力錶P較佳用於監視雷射管1壓力。講 振器包圍管1且包括一後光學模组2及一前光學模组3。 後光學模組2包括譜振器反射鏡，其可爲高度反射鏡、 另一種光學組件例如校準器或棱鏡之高度反射性表面。較 佳於光學模組之一包含波長校準模組。較佳波長校準單元 或敕置及技術係揭示於美國專利第4,9〇,5,243號及美國專利 申清案第 09/136,275 ’ 09/167,657 及 09/179 262 號，各案皆 濃與本發明之受讓人且併述於此以供參考_。 前光學模組3較佳包括一諧振器反射鏡，其較佳爲一輸 出轉合器。前光學模组之諧振器反射鏡另外可爲高度反射 繞：及其它用於輸出搞合束Π之裝置，例如分束器或其它 於謂振器内部的夾角部份反射面。前光學模組3也包括線 _ - 14- 用申國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝' -------訂---------線 45 43 7 0 A7 B7 •脊 ti -ί, -¾ 消 合 作 社 印 製 五、發明說明（12 ) 窄化及/或選擇單元及/或波長調節單元3 另外’線窄化及/或選擇單元及/或波長調節單元可涵括 於後光學模组。此種光學元件做爲—或多東擴張元件例如 束擴張稜鏡及/或透鏡配置，一或多分散元件例如分散棱 鏡及7或光罩，一或多校準具，雙折射板，或棱鏡（prism)可 涵括用於線窄化、選擇及/或調節。美國專利第5 761，236 號及美國專利申請案第09/244,554 ，09/130,277 ， 60/124,804，60/124,241 及 60/140,532 號，各案讓與本發明 之相同受讓人且併述於此以供參考，敘述可用於本發明之 線窄化、選擇及/或調節元件、裝置及/或技術。 波長、脈衝能及氣體控制資訊以及其它有關雷射系統的 資訊由處理器11接收。處理器”經由基於處理器丨丨接收到 的波長資訊控制線調整模組而控制輸出束13波長，電脈衝 功率及放電模組（「脈衝功率模組」）5基於其接收到的脈 衝能貪訊，以及氣體控制元件6_丨0及12基於其接收到的有 關氣體混合物狀態之資訊’以及儲存於其資料庫的資料 (I、考如上653號申請案）控制輸出束波長。 東部份較佳由能量監視器4接收，其測量接收到的束部 份輸出束U能量。然後對應束部份能量之資料發送給處理 為1卜其連結至能量監视器4。然後處理器⑽用此資訊 決=/或i行下列功㉟，例如控制驅動電壓及/或波長及/ 或頻寬’或控制有關-或多種參數（參考前文）之氣體動作 例如輸出束13能量。 脈衝功率模组5透過放電腔室】内部之_對電極Μ供應於 ---一 _____" 15 - …t 用士關家標準(CNS)A4規格咖⑽公髮Γ ---:--------- ------II ^ · I---1---^ (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 454370 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 _ -16- Μ氏張及度適用中囤國家標準（cns)a4規格（2Κ) X 297公芨） A7 五、發明說明（13) 量給氣趙混合物。較佳，前游離單元（圖中未顯…也係由 脈衝功率模組致能用以恰於主放電之前預先游離氣體混合 物。雷射系統輸出束13之能量對脈衝功率模組之「驅動電 壓」具有已知相依關係。驅動電壓於雷射操作期間調整來 控制於穩疋輸出束13之能量。處理器"基於接收自能量監 視器4的能量資訊控制驅動電壓β根據本發明，處理器u 也控制及穩定氣體混合物狀態，如此藉由控制雷射管I内 部的氣體混合物狀態，間接控制及穩定其它雷射輸出束參 數，例如旎量穩定性，時間脈衝寬度，空間與時間相干 性’频寬，及長與短抽束側錄及發散。 圖13b顯示圖13a之氣體控制箱1〇之細節示意圖。氣體控 制箱10連結至雷射管1用以基於接收自處理器1丨的控制信 號供給氣體。處理器Π透過閥總成6或閥系統調節氣體或 氣體混合物供給雷射管1。閥總成較佳有一貯槽或腔室7具 有已知容積且附有壓力錶p用以測量腔室7内部壓力。腔室 7之容積大小可爲20立方厘米3左右（成對比低，雷射管！之 容積可爲42,000立方厘米3)。顯示四閥8a- 8d可控制外部氣 體容器所含氣流流入腔室7内部。當然，可提供多於或少 於四個閥。顯示另一閥32控制眞空幫浦VP接近腔室7，顯 示透過_素過;慮器H F連結。顯示另一閥3 4控制腔室7與雷 射管1間的氣體流動。另一閥（圖中未顯示）可沿閥34至管！ 的管線35設置來控制管線35的氣壓，例如使用幫浦將管線 3 5抽眞空。 、量氣體或氣體混合物較佳由腔室7注入放電腔室]。舉 彳Λ - -----—II--I 1 ---I-----訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 454370 A7 B7 五、發明說明（14) 例言之，經由规體官線36a連結至閥總成6之氣體供應爲預 混物A包括1 °/〇F2 : 99%Ne ;經由氣體管線36b爲預混物B包 括1 % Kr : 99% Ne可用於KrF雷射。用於ArF雷射，預混物 B以Ar取代Kr ;用於F2雷射，可使用純緩衝氣體。如此， 透過閥總成將預混物A及預混物B注入管1，可分別補充雷 射管1的氟及氪濃度。氣體管線36c及36d可用於其它不同 氣體混合物。雖然未顯示，管1較佳具有頦外釋放氣體之 裝置，或另外，氣體經由閥總成，如透過閥34及32釋放。 新填裝'部份及迷你氣體更新及氧體注入程序，例如顯微 鹵素注入，以及任何與全部其它氣體補充動作可由處理器 Π引發與控制，處理器丨】基於反饋迴路的多種輸入資訊控 制閥總成6及幫浦VP。 ^ f次説明本發明方法之例用以小量準確且精旬ζ補充爹 射官】S 4濃t，因此，每次氣體之注入不會顯著干擾有 意義的輸出束參數（即使有）。處理器〗丨監視參數，指示雷 射管1之氟濃度，決定何時爲顯微自素注Mm)時間。 然後’處理器η送出信號使閥8a開啓，允許㈣物八填 装⑻至預定壓力’例如5巴、然後，軸，閉而閥洲 以’九许至少邵份場裝於腔室7之預混物a釋放入雷射管 1 若注入前管壓力爲3巴，管容積約4Q，咖立方 入後蓄積器内壓力p条 ' k幻巴’則2 x 2。織_巴爲注入造成 力増加的結果等於1毫巴。而預混物A含有匕F，： 99 ° Ne，則/王入造成雷射管之氟分壓增高約0.01毫巴 • 17- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) f---—----訂---------線 _^ f,濟郜旮Μ>^產局P'工消饽合作社印製 4543 7 0 A7 B7 經濟部智殳射產局員工消費合作社印製

本好、佐&度適用中國®家標準（CNS)A4規格（210 X 297公S 五、發明說明（1S) 前述技術可藉處理恶〗袖 . 路里器11執行更精確決定應注入多少Jg， 〔 入則’腔£7壓力可根據處理器"之計算基於處理 ::二到的監視參數狀態資訊，或基於預先程式規劃標 ^ 心，王入多少氟設定。腔室7氣體於管丨氣體間之溫差 杈正也可藉處理器u更準確進行：或腔室7之氣體溫度可 預設，例如預設爲雷射管1溫度。 較佳，對應管L總氣體壓力增高小於10毫巴或01毫巴氟 分壓I氣體預混物量由腔室7注入。又更佳，由氣體注入 造成田射-g 1之總氣體壓力増高少於5毫巴或甚至2毫巴 (〇_〇5或0.02毫巴氟分壓）。 腔室7可單純爲閥總成6本身，或可爲額外蓄積器（容後 詳述）^腔室7也可配置成小量氣體以連績極短間隔注入， 來補彳Μ车· π子或分子雷射，例如ΚΓρ，ArF或F2雷射之放電 腔室7内部之鹵素氣體及/或其它氣體的分解。 如前述’可有多餘一個類似腔室7之腔室，各自有不同 性質’例如容積空間。不同預混物可由不同腔室注入。 又’所述範例方法使用特殊氣體組合物預混物，但多種其 它氣體組合物也可用於本發明。例如，可使用含較高氟 (或氟化氫）百分泼度之氣體組合物，例如5 °。而非丨。。，也 可有額外閥連結至1 〇〇。。緩衝氣體容器3 較佳’處理器11及氣體供應單元需配置成允許輸送或注 射極小量一或多種氣體或氣體混合物至放電腔室1 3注入 +量氣體或其它混合物導致放電腔室1之氣壓增高低於10 毫巴及較佳〇. 1至2毫巴。放電腔室1内部之氣體混合物之 -18 11 I^— -------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本寅) 1--5'^·")时4.'"3 工消費合"社印焚 4543 7 0 A7 __ B7 五、發明說明（16) 各種氣體可分開調節，因此可準確控制放電腔室内部的氣 體組成。例如，可從事Kr，Ar或Xe之類似注射來補充雷射 管1之氣體。 由於氣體注入或補充程序期間之氣體注入量小，故每次 注入時，雷射轉·量改變3注入較佳以對 應已知氣體耗用量的預定間隔定期進行。例如，若已知f_ 雷射氣體混合物之鹵素分壓於目前操作條件下，於新填裝 後約爲3毫巴，而每X分鐘或每γ次射出耗用〇丨毫巴，則 根據本發明可每X/10分鐘或γ/10射出進行鹵素注入，包括] 毫巴（管1的氣體增加）預混物含丨〇/〇 h，俾維持画素濃度· 或每Χ/5分鐘進行2毫巴預混物的南素注入等。又，顯微齒 素注入（μΗΙ) 1毫巴預混物Α含1 % F2及99。。Ne緩衝氣體可每 隔X / 5分鐘注入1〇〇分鐘接著爲ι〇〇分鐘的無注入時間。於 本發明足精髓範圍内，多種變化皆屬可能，包括由處理器 決定之不規則氣體動作。 於本發明相反，若，例如，每5χ分鐘或每5γ次射出或任 何時間進行50毫巴（管！壓力増高）預混物Α注入（再度含】〇。 Γ: ’故管1之氟分壓增高至0 5毫巴，以及對應於管1之氟濃 度增高17 % )，大注入量將造成雷射束之輸出東參數有顯 著非期望的起伏波動回應。舉例言之，當進行大量注入 時，脈衝能或驅動電壓可波動1〇%或以上。當從事大量注 八時’若雷射未關閉或工業處理被中斷，則由於輸出束參 數之顯著干擾造成工業製程的不準確。 決定前述前次氣體動作規格時應考慮的因素爲先前氣體 ，19- 义t :3用十因囚家標準（CNS)A4規格(210 X 297公爱 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝----------訂---------線 454370 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ___ -20- 表纸沒&度邊用中國國家標準（CNUAj規格（21〇 χ 297公釐 五、發明說明（1?) 動作期間注入的特定南素量。該量可基於前次氣體動作 (選擇性與基於雷射管壓力）期間由其中注入氣體的蓄積器 之氣體塾力量測決定（參考，785號申請案）。雷射管及蓄積 器之氣體混合物溫度也可列入考慮。 閥總成較佳具有貯槽或腔室7，具有已知容積且有壓力 錶P附著來量測腔室7恩力。腔室及雷射管較佳也有裝置如 熱耦配置來測量腔室及管内部之氣體溫度。 圖14b顯示雷射系統作業時附於處理器11之顯示器監視 器外觀。雷射管顯示有内壓2〇64毫巴，而氣體歧管（對應 圖13a心腔室7或圖Ua之蓄積器6a)内部壓力顯示内壓4706 觉巴。如前文討論，注入雷射管之氣體準確量可部份基於 壓力讀値計算。再度’溫度可列入考慮做更準確測定s 目前注入於下次注入間之間隔係基於任一種參數或多種 參數’例如驅動電壓與前述任—種輸出束參數的組合決 定。此外’目前注入之自素量及/或前次注入與目前注入 間之間隔也可列入考量。 任何μΗΙ或提升μΗΙ注入鹵素量可根據本發明測定，經由 測量法入時及/或恰於注入前及/或恰於注入後蓄積器（參 考圖13 b及14a)及雷射管壓力。也可測定蓄積器及管之氣 體溫度°管及蓄積器内容積事先已知。熟知之方程式 PV = NkBT用來計算任一次注入時注入管内的由素量3 例如’若蓄積器具有鹵素分壓測量値Pa.及溫度Ta,及容積 Va_ ’則蓄積器含有队個氟分子。若全部NJ®分子皆於注入 期間注入雷射，以及管溫度Ττ及容積％，則由於注入結果 ---.---.------^---------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 454370 A7 B7 五 '發明說明（18) ^ 將造成管之氟分壓變化ΔΡ(Ρ2)Τ = PaVaTT/VTTa。由於希望維 持管内氟分子總數，更適合計算管内氟分子數目變化’亦 即，AN(F2)T = AP(F2)tVt/KbTt，且保持追蹤該數量。則’幽 素量及/或下次注入前的間隔時間係基於前次注入的函素 計算量，前次注入後管内南素分壓，及/或不次注入後預 定管内具有的卣素量決定。 全體計算也依據各次注入前已經進行（或將進行）的函素 耗用量決定。此種耗用，原則上，已知爲多種因素的函 數，例如包括時間及脈衝數（可能也包括前數多種參數及 其它）。例如，各次注入中間間隔之雷射管的鹵素分壓（或 另外鹵素分子數）變化計算得依kt X ~及kp X Δρ決定，其中kt 及kp分別爲決定自素耗用速率與時間及脈衝數之常數，及 Δ t及Δ p分別爲該時間間隔之時間量及脈衝數3脈衝數 Λ P本身其依重覆速率決定，對於以叢發模作業的雷射而言 也考慮一次叢發之脈衝數及二次叢發間之脈衝間隔。再 度’其它參數也有影響可爲涵括於此計算的額外項目。 現在，由一間隔至另一間隔的計算進行如後3於該間隔 之·雷射管氟分壓増高（或減低，反應爲負數和）計算爲： AP(F2) ” V 約等於△p^Jt 〜—kt χ Δί _ kp χ Δρ。再度，由於氟 分子總數希望維持恆定，故分子數變化計算爲：△叫匕）q * 約箏於倾(卩士 “ - kt X 4 — kp X Δρ，此處常數、及、以單位 換算與分壓的計算不同。 整體演算法尋求維持画素分子總數（或鹵素分壓）的恆 义。如此，粒子數目（或分壓）變化於多個間隔連續加總， --------~21 ~_ άt迮叫十函闯家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公髮） C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂·-------- 454370 Α7 Β7 ---- 智 財 產 .¾ 消 t 合 作 社 印 $ΐ 五、發明說明（19) 或較佳由末次新填裝開始的全部間隔加總。根據本發Β月總 和儘可能維持接近於零。 本發明之齒素注入演算法可視爲延伸較長/段時間的總 鹵素注入或脈衝計數數目。經若干鹵素注入之該段時間’ 高電壓及氟濃度未顯著改變，因此在多種其它有意義的輸 出束參數中，脈衝能及脈衝能穩定性的顯著變化被消除。 再度，若干其它輸出束參數列舉如前，各別使用本發明方 法可保持極穩定。 圖14a示意顯示使用蓄積器6a將鹵素注入圖Ua雷射之放 電腔室〗之氣體管線的另一種配置。蓄積器6a透過雷射頭 閥LH連結至雷射管1。蓄積器6a也透過鹵素閥Η連結至氣 體管線12a，鹵素閥Η連結至包括鹵素或鹵素預混物的氣體 瓶〗3。例如，氣體瓶13可填裝含氟混合物之氣體混合物（例 如 5°。F2/95% Ne 或 5% HC1/1% Η2於尼混合物或 i °〇F2 : 99% Ne預混物等多種可能）。幫浦i〇a顯示經由眞空閥V連結至 各蓄積器6a及雷射管1。管1顯示經由閥B連結至其它氣體 管線或閥包括緩衝氣體：經由閥R連結至稀有氣體或稀有 氣體混合物（用於KrF，ArF，XeCl及XeF.準分子雷射，舉例） 及經由閥I連結至惰性氣體。惰性氣體閥〖或其它未圖式説 明的閥可用於閥連結至山來源，山用做管内氣體混合物及 添加劑。 蓄積器6a之特殊優點爲可精確控制小量含氣氣體，氣各 於氟預混物將連同本發明的鹵素注入一起注入λ蓄積專容 易幫送至低壓。準確量氟氣或氟氣預ί昆物釋放人皆積器 -22 - * (請先蘭讀背面之注意事項再填寫本頁) I I i I ---^ <1111111< 度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 454370 A7 --------B7_ 五、發明說明（20) 6a，氟量係依據蓄積器内部之總氣體壓力，蓄積器6a及雷 射管1 t已知容積，以及氟已知濃度或預混物氣體之氟百 分濃度決定。注入後雷射管i之氟分壓的增高係基於注入 則（及可能注入後）蓄積器6a中之氟已知量決定。 圖14b顯示當雷射系统作動時附著於處理器u之顯示器 監視器外觀如何。雷射管顯示具有内壓2〇64毫巴，氣體歧 管（對應圖13a之腔室7或圖14a之蓄積器6a)之内部壓力顯示 4706毫巴。如此處討論’注入雷射管之氣體準確量可部份 基於壓力讀値求出。 現在説明多種氣體作用及程序。該程序可能可應用於全 部氣體放電雷射，但準分子雷射（例如KrF，ArF，XeCl及

XeF)及氟雷射可由本發明獲得最大裨益。KrF雷射用做下 述特例5 4方法始於雷射系統作動前進行新填裝。用於新填裝， 雷射管1被抽眞空然後填入新鮮的氣體混合。KrF雷射之新 ~裝典型獲得氣體混合物具有如下氣體比例：F2 : Kr : Ne = 〇‘1 〇。： 1,0% : 98.9°。。若KrF雷射放電腔室之氣體混合 物典型具有總壓約p二3000毫巴，則氟及氪之分量典型分 別約爲3毫巴及30毫巴。F2雷射之新塡裝可得如下典型氣體 區搞：F2 : Ne = 0.1 °。： 99.90。。用於F2雷射，可使用氦或氦 钟7’/v <混合物做爲緩衝氣體替代僅使用氖（參考前述'526號 申請案）。 新場裝程序可使用輸送純氣體或預混氣體的分開氣體管 線進行。典型常規用於半導體業之氣體預混物爲氣體預混 _______-2Z-______ 中同固家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐〉 I--- — ——-I----- 裝·--一----訂 *--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 454370 經濟郁智n--;,d局S工消费合作社印製 A7 五、發明說明（21) 物A及B，此處預混物A含有1% F2/1% κ备及預混物^ 有 1 % Kr/Ne。 新填裝後，画素氣體開始與其接觸的雷射管1成份反應 而與雷射是否作動無關。「氣體補充」爲一般用詞，包括 氣體的更新與氣體注入，用來使氣體混合物狀態回到較爲 接近新填裝狀態之狀態。 從事氣體補充程序時須考慮氣體混合物内部之务種氣體 係以^用，例如由素係以前述耗用1，而氣體 補充程序以須響應於此進行。用於窄頻KrF雷射，例如氟 耗用之發生速率約爲每百萬射出〇·丨。/〇至〇3%(偶爾高達接 近丨。。）：而氣的耗用速率慢約10至5〇倍^氖緩衝氣體較不 重要，可視爲整體氣體補充作業之一部份，例如用來維持 管1之預定壓力。 較佳進行分開氣體動作而補充氣體混合物之各組成氣 體。例如用於KrF雷射，氟可藉齒素或自素/稀有氣體或預 混物A注入補充；氪可藉稀有氣體或預混物B注入補充3 备別耗用速率也依據雷射操作條件決定，例如雷射爲宽頻 或乍頻模，作業成T準位，雷射被關閉_或連續，等候或其 它叢發模式作業’以及作業重覆速率。處理器I丨之程式规 劃時考慮所有此等雷射作業上的變化3 當氟及氪含量偏差低於5 %，且較佳低於3。。時，氣體混 合物狀態於本發明被視爲充份穩定。未做任何補充動作， 經1 00百萬次射出後’氟及氪分壓可分別降至丨〇 %及^ 〇〇。。 間及0.5 °。至5 %間。 -24- 本纸張义1通用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 * 297公釐）

If---1 ^ ----------訂---1-----線 C請先閱讀背面V注意事項再填寫本頁} 454370 Α7 Β7 本 五、發明說明（22) 爲了補償放電腔室内部氣體之不同耗用速率，本發明執 行多次分開且交互關聯的氣體補充程序，及經由參照不同 雷射作業條件之資料庫來考慮各別分解速率之變化。較佳 技術討論於前述’653號申請案。特定雷射作業時的表現以 及於不同條件氣體分解的相關經驗儲存於資料庫，且由處 理器控制的「專家系統」用來決定雷射的目前條件以及管 理氣體補充或再度供應作業。 如前述，一系列小量氣體注入（稱做顯微氣體或自素注 入’或稱做HI)可用來使準分子咩分子雷射之任何組成氣 體，特別極爲活潑的鹵素返回其於放電腔室的最適當濃度 而未顯著干擾輸出束參數。但，氣體混合物隨著時間的經 過當放電腔室内部污染物堆積時也分解3因此，於較佳方 法也進行迷你氣體補充（MGr)及部份氣體補充（PGR)。氣體 更新通常涉及由放電腔室釋放部份氣體，包括排除若干污 染物。迷你氣體更新涉及以比小量HI更長的間隔時間定期 置換小量氣體。部份氣體更新涉及又較大量氣體置換且於 又更長的週期間隔進行。各種情況下精確間隔時間係參考 目前雷射操作條件及專家系統與資料庫決定。間隔時間爲 隨著與氣體混合物分解呈已知關係改變的參數變化。如 此’間隔時間可爲時間、脈衝數或驅動電壓、脈衝形狀、 脈街持續時間、脈衝穩定性 '束侧錄、相干性、放電寬度 或頻寬變化之一者或多種組合。HI、MGR及PGR可於雷射 系統開機運轉期間進行而不會損害雷射的開機時間。 以下説明三種穩定最適當氣體混合物之氣體補充方法 ____ -25- R ΐ料。S家標i (㈤⑷又川χ 297 ϋ ) --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -ill.--- I 訂--------- 454370 A7 _______B7___ 五、發明說明（23) 例=多種其它方法也可能’包括下列方法的組合。使用之 方法及參數可於雷射作業期間依據雷射作業條件及基於資 料庫及專家系統變更。處理器及氣體供應單元配置成可基 於雷射作業條件及氣體混合物狀態之資料庫從事此等方 法。 各方法涉及明確定義之極小氣體動作，伴以小量連續氣 體注入’較佳注入低於10毫巴及更佳〇 1至2毫巴之預混物 包括較佳5 %或以下含由素物種濃度俾便不干擾雷射作業 及輸出東參數a無論預混物組成如何，預混物之齒素含量 最具有意義。換言之，於小量氣體動作注入的含鹵素物種 之較佳量較佳對應於雷射管1之分壓增高小於1毫巴且更 佳0.001至0.02毫巴。 第一氣體穩定方法例包括基於作業時間執行氣體注入=> 該方法考慮雷射是否在作業中，亦即，雷射系統是否開機 且進行產業製程、雷射是否與等待模，或單純關機3如 此’第一方法可用於維持活潑或鈍性氣體組成狀態=根據 可基於作業條件選擇的時間間隔進行時間交互關聯的 μΗΙ，MGR及PGR s例如，μΗΙ可於時間間隔tl後進行， MGRs於時間間隔η及PGRs於時間間隔t3後進行=> 後文將説明根據本發明之作業雷射系統之細節線圖。典 型’若雷射處於+候模而未施加脈衝或以低重覆速率（小 元100赫）施加脈衝’則氣體作用始於數小時後。若雷射完| 全被關閉（電源關模），電池驅動内部時鐘仍然運轉，於重 新啓動雷射後的暖機期間，專家系統可釋放適當的以時間 _______ - 26 - 一 本纸mS 家標準（CNS)A4 麟（21G X 297 公复)' ~~ '一 ------------ 裝----U-----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 46^3 7 0 ,>--3-智2 .^工峭费合作社印製 A7 五、發明說明（24) 控制的注入次數。λ奴ΕΤ 7Ϊ、、 數目及ί王入量也與某些驅動電壓開 始條件有關，開始條件初始化較佳氣體動作順序而重新建 立最適當氣體量。 圖15及16爲驅動電歷相對於時間之線圖，也分別顯示根 據本發月之70整作業系統之週期性μΗΙ及週期性μΗΙ及 MGR。圖15包括驅動電壓相對於時間（Α)作圖，其中_係 .0每12 π鐘進行’由線圖至直線指示（部份直線標示以參 考孚母「Β」），用於以1〇毫焦輪出束能以⑻赫叢發模運 作的窄頻雷射。縱轴僅對應線圖Α。如線圖八所示，小量 μΗΪ5於驅動電壓未造成顯著非連續。 圖16爲驅動電壓相對於時間之作圖（標示爲Γ A」），其 中㈣係每12分鐘進行，如線圖之短垂直線指示（再度，' 部份標示爲參考字母「B」，且垂直轴未敍述商奢注入、）： 及MGR係約每90分鐘進行，如線圖較高的垂直線指示（部 份標示以「C」供參考，且再度垂直轴對所示⑽以無意義） 用於以1〇毫焦輸出束能於2_赫運作窄頻雷射。再度，驅 動包壓實貝上於約1.8千伏爲恆定且未觀察到重大改變，例 如大於5 °。之改變。 圖〗5及16與圖8或圓丨2比較顯示本發明可優異地避免習 知-法’習知辦法於氣體混合物分解時激列增高驅動電 迠楮由以此種方式防止驅動電壓的非連續、起伏攻動戋 又化，也可避免有意義的輸出束參數干擾。 ， 圖丨7包括根據本發明之系統随絕對脈衝能百分比，以標 羊是（SDEV)(線圖中標示爲「A」）及移動平均穩定性 _______-27- (CNS)A4 (2Ϊ〇 X 297 -------- 1 i . 裝.---------訂---------線 I <請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 454370 經濟部%慧財產局員工消費合作社印製 -28- A7 五、發明說明（25) (±MAV)(線圖標示爲「B」及「c」）之値作出脈衝能穩定 性相對於雷射脈衝時間之相對線圖。線圖標示「B」及 「C」顯示每组4〇脈衝的移動平均。於此搡作回合期間， 從事顯微自素注入，結果導致極穩定的連續雷射操作而無 因氣體補充動作引發的任何可偵測的偏差。 第二氣趙穩定方法例涉及使用射出或脈衝計數器基於射 出或脈衝數目進行氣體注入。經過某個雷射脈衝數目後， 例如N(HI) ’ N(MGR)及N(PGR)，再度取決於雷射作業模， 可各別執行HI，MGR及PGR。典型，HI量用於KrF、ArF、 XeF或F2雷射（氖以氦或氦及氖之混合物替代）約〇 5 2 〇毫 巴氟預混物（例如1-5% f2 : 95-99% Ne)，或用於XeCl或KrCl 高射爲氣化氫預混物（例如1 _ 5 % HC1 : 1 。於Ne或He)經數 十禺或甚至數百萬次雷射射出後釋放此組Η丨量3各H〖恰可 補償画素的耗用，原因在於最後氣體動作典型對應，例如 每一百萬次射出雷射管1之分壓增高低於〇1毫巴含鹵素物 種或更佳0.001至0.02毫巴。實際用量及射出間隔隨雷射類 型、放電腔至組成及年齡、原先氣體混合物组成及作業 模，例如能量’或重覆速率改變。 射出計數器也可合併時間關聯氣體補充使用。射出計數 器可用於不同雷射脈衝作業模，例如叢發脈衝，或於不同 脈衝重覆之連續脈衝模，其中使用各射出計數器數目 N,⑽。全部不同射出計數器儲存於專家系統資料庫。任 何時間使用何部射出計數器Ni(HI)係由專家系統軟體決 定 〈度通用中0國家標準（CNS)A4規格(21^7^7^ ---—.1 I 1.--I I---I I ------^---*------^ Ϊ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 454370 A7 B7 【销私標準（CNSM4規格⑵0 X 297公爱） 發明說明（2β) 圖18就疋性方面舉例説明根據本發明因HIs於雷射放電腔 A執行小量提鬲分壓時驅動電壓不含非連續。顯示驅動電 壓實質上穩定於150百萬脈衝約1.7千伏，而每丨2百萬脈衝 進行His约一次。脈衝能也維持於穩定水平。 圖Μ與圖12之驅動電壓線圖比較顯示本發明之優點。圖 12觀察得驅動電壓穩定增高至執行自素注入（即爲止，然 吏觀；τ'得根據習知氣體補充方法注入大量由素時驅動電壓 隨降。圖12之驅動電壓出現出現此等干擾原因在㈣素注 入間隔過大因而鹵素注入量過高而無法避兔干擾。由圖9 _ 1 1推定，此等大量驅動電壓干擾非期望地影響有意義的輸 出東參數。他方面，圖〗8顯示響應根據本發明執行的顯微 自素注入，驅動電壓無起伏波動。 而圖'9爲涵括二作圓的線圖。第一作圖係依據深色三角形 =爲「習知出」’乃使用習知出演算法對系統所得能量 =《性變化相料脈衝數，顯示能量穩定性之鮮明非連 性3例如，第—HI幾乎於響應HI的瞬間產生〇 95。。跳至 ^10°〇 °第二作圖遵照深色圓且標示爲「m-本發明」，爲 2用本發明（HI喊算法之系統之能量穩定性變化相對於脈 r數，其中能量穩定性之非連續實質上減至最低， 、圖20爲線圖也包含二作圖3第一作圖依據深色三角形且 :^習_」’爲使用習知_算法之系統之束發散 1脈衝數，且顯示束發散之鮮明非連續。例如，第一 HI錢乎於響應HI的瞬間產生由丨·175百萬雷得遽二 萬雷得。第二作圖遵循暗色圓且標示爲「__本發明 29- ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---U-----訂---------線 454370 A7 B7 五、發明說明（27) 爲使用根據本發明HI之演算法之系統的束發散相對於脈衝 數，其中束發散之非連續實質上減至最低。 專家系统可對其它型氣體動作（例如得自不同Ν(μΗΙ))使 用不同種射出計數器，例如N(MGR)及/或N(PGR)。MGR及 PGR以預定量置換或取代雷射管之氣體混合物的不同氣 體。如所述，MGR及PGR包括伴隨氣體由雷射管釋放的氣 體注入’而μΗΙ不涉及氣體釋放。可單純進行氣體釋放俾 降低雷射管壓力，以及由氣體混合物排除污染。氣體混合 物内部各別氣體成份之分解不相_等可使用MGR及PGR良好 補h ’再度如專家系統對不同操作模及條件決定，可使用 不同數目的NJMGR)及Ni(PGR)。全部此等設定値，亦即 ’ MMGR) ’ Nl(PGR)具各氣體分開選擇注入部份可 採用於雷射管老化，考慮當老化時氣體消耗於補充的變化 條件。補償量可藉人工設定或基於電腦控制專家系统資料 庫的設定値預先選定。用於MGR，類似_，注入氣體僅 達數毫巴（或僅達其百分比量）。_結合管内壓力約川毫 巴的小量壓力解除。 沒;"部智"-?財產局3工消费合作社印製 多餘—種氣體可於同次氣體動作中注^更換。例如， 某種量“素及㈣量的準分子雷射之活性稀有氣體可共 心入雷射管。此項注人如同MGR可伴隨小量壓力解除。 ::卜二素及稀有氣體混合物可單純注人或提高放電腔室 门邵乳體分壓而未伴隨氣體的釋放。 第：：驗性氣體穩定方法涉及基於雷射作業 執爾注入。此種方法特別組合第—及第二範例方二 本纸張H國家標準（CNS_)14規格⑵0 x 297_$ (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) -30 - --,?: r 產f''^T/ 工消费合作.¢:5-¾ 4543 7 0 A7 ______B7________ 五、發明說明（28) 任一者或二者。時間關聯t|(HI)，t2(MGR)，t3(pGR)及計數 器關聯Ν/μΗΙ) ’ Ni(MGR)，Ni(PGR)氣體動作通常係於驅動 電壓的某個作業帶操作。 參照圖21，基於進行何種其它額外氣體動作’可定義若 干驅動電壓準位（HVi)。例如，當驅動電壓HV低於HVt(亦 即HV < HV〗）時，未進行任何氣體動作原因在於氣體混合物 含有足量鹵素。當驅動電壓介於^{乂1與HV2問（亦即HV, <HV < HV2)時’定期執行MGR,及μΗΙ。當驅動電壓介於^^2與 HVs * (亦即HV2 > HV > HV u )時，比尋常用量MGRi更大量 的MGR2以及μΗΙ定期執行來重新調理氣體混合物。當驅動 電壓高於HVt « (亦即ΗV > ΗV έ * )時，執行又更大量的氣體 更新PGR。 PGR可用於更換高達ι〇%或以上的氣體混合物。例如當 雷射可調節時，可採行某些防衛來防止非期望的氣體動作 發生^ —種防衛措施係於ΗV2或HV"準位超過後而於允許 執彳了氣體動作前經過一段時間（例如數分鐘），如此確保驅 動電壓實際因氣體混合物的分解而增高3 圖22爲根據第二範例方法執行及之流程 阅。該程序始於新填裝，其中放電腔室塡裝最佳氣體混合 物最後雷射可供產業應用、以等待模或完全關閉。於測 量目前驅動電壓（HV)後執行驅動電壓檢查（Hv_檢查）。 測得的驅動電壓（HV)比較HVl , Η%及Ην^的預定値3 處理器決定HV是否位於HV]及HV2間（亦即HV! < HV〈 HA) ’如此於正常作業驅動電壓帶3若於正常作業帶内， -____ -31 - Ά < m_P關家標準（CNS)A4規格⑵0 X 297公釐) ' I I I I I I.--I I I I · I I ----I I ---------( (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 454370 A7 ^¾^智u.>3|"局員工消費合作 '社印製 B7 玉、發明說明（29) _ 則遵循路徑（1)，較佳基於專家系統根據作業條件決定的時 間及/或脈衝計數間隔實行μΗΙ及MGh。 遵循路徑（1)時執行的μΗΙ及MGRi可根據美國專利申請案 第09/167,653號，已經合併供參考列舉的任一種方法決定。 若HV非屬正常作業帶，則決定HV是否低於HV1(亦即HV< HVQ。若HV低於HV,，則遵循路徑（2)且未採行氣體動作。 若HV位：間（亦即HVsSHVSHVt*)，則依據 路徑（3)且進行MGRs。注入的氣體以及釋放的氣體的準確 量及組成較佳由專家系統決定且辞依據作業條件而定。 若Η V高於Η V u (亦即Η V > Η V t « )，則遵循路徑（4)及進 行PGR。再度，被注入與釋放的氣體準確量及組成較佳由 專家系統決定且依作業條件而定。遵照路徑（丨）_(句之任一 種且執行相對的氣體動作後，且較佳經過—段特定沉降時 間後，方法返回決定雷射作業模之步驟，再度測量及比較 HV與預定HV準位Hv】，^2及HVu。 人 此等不同驅動電壓準位及時間及脈衝數計畫之設定可各 別進行或參照儲存用於不同作業條件的電腦控制資料庫進 什°於不同操作條件下，例如連續脈衝模或叢發模，於不 同準位的雷射作業可合併考慮。 、 所有此等不同種氣體控制與補充機制的組合& 1 m 本 〇又叮义種因 …入％數的協调。也人鱼皆益祕贫太立止成 „0 ，.几σ專衣系統及曰料庫，本發明之處理 =制的雷射系統可之前提供延長氣體壽 I原則上可芫全避免雷射系統停機重新塡裝。兩 依據其Έ：雷射組件例如雷射管窗或其它光學组件更換 國家標準兩- {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

裝----------訂·-------I 4 ,-.--.^2 財走-4 赀合作社印爽 43 7 0 A7 _________B7__ 五、發明說明（30) 的排程維修間隔時間而定。 則述氣體補充程序可組合低溫氣體純化技術，因此污染 物例如稀有氣體氟化物，亦即AFn分子（此處A = ☆以及η = 2，4或6 )或其它前述污染物可由氣體混合物去除3用於此 項用途’美國專利第5,001 721，5111，473，5，136 6〇5及 5,430,752號併入本發明以供參考。標準方法典型包括使用 冷凝氣瓣來於氣體循環入放電腔室之前冷凍去除污染物。 污染物爲準分子雷射之南素氣體之分子化合物。如此，由 故雹腔室的氣體化合物去除大量學素3結果爲卣素氣體濃 度快速降低，非期望地影響輸出束參數。 要δ之’本發明k供一種穩定原先或最適當氣體放電雷 射氣體组成’特別準分子或分子（例如F2)雷射之方法及程 序 '於運轉模或等待模之長期雷射作業期間，藉由異測與 控制高電壓、雷射幕衝形狀、先填裝後二經過的時間或甚它 額外前文已經列舉的雷射參數而連續監視雷射氣體的耗 用=根據各種雷射於各種條件下作業之關鍵作業參數的已 知過去史及趨勢資料庫，應用處理器控制程序來補充氣體 的分解3穩定過程涉及使用多次小量氣體動作（顯微注 八），較佳係基於規定時間，驅動電壓變化及/或射出數目 間隔時間’其組合或若干其它間隔時間關聯參數其以已知 關係隨氣體混合物分解改變進行。μΗΙ，MGR(s)及PGR的 審慎组合用來經歷無限期時間執行雷射氣體混合物極爲接 近完全穩定。最要緊地’此處所述氣體動作不干擾有意義 的輸出束參數或雷射操作，原因在於該等氣體動作平順且 -33- 山準（CNS)A4 規格（210 x 297 公爱） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-----Γ 訂---------線 454370 A7 B7

五、發明說明（31 ) 係基於專家系統控制’專家系絲包含無數雷射系統作業條 件。如此’於氣體補充動作期間可無間斷地進行雷射操作 且可高效率進行產業處理。 本發明之説明書、附圖及概述敘述的特定具體實施例以 及揭示之摘要絕非意圖囿限申請專利範圍之範圍，反而僅 做爲申請專利範圍之説明範例。須了解本發明之範園係由 申請專利範園之説明及其結構及功能上的相當範圍所涵 蓋0 f^* _ * *^1 n n t— ^^1 I 41 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經-即智"財產局8工消费合作社印製 -34 本纸ft义度这用中3西家標準（CN-S)A4規格（21〇 x 297公t ) 5 43 7 0 第89103586號專利申請案 中文說明書修正頁(卯年6月） A7 B7 修 五、發明説明（31, m

UI 經濟部中央樣準局員工消费合作社_製 元件符號說明： 1 雷射管 2 後光學模組 3 前光學模組 4 能量監視器 5 放電模組 6 閥總成 6 a 蓄積器 6-1 0 控制元件 7 腔室 8 a 8b閥 10 控制箱 10a 泵 11 處理器 12 控制元件 13 輸出束 14 電極 3 2 閥 3 4 閥 3 5 管線 3 6a -3 6 d氣體管線 VP 泵 A 預混物 B 預混均 HF 鹵素過濾器 HI 鹵素注入 Pa 分壓測量值 Ta 溫度 Va 容積 -34a- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） —I n Hi - —IT -—----t— - J--- ------ ,ςτ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. 4543 70 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種氣體放電雷射系統，包含： (請先"讀背面之注意事項再填寫本頁) 一放電腔室，其含有雷射氣體混合物，該混合物包 括將被耗用的第一組成氣體； 一對電極，連結至一電源供應電路，其包括驅動電 壓用以提供脈衝放電而致能雷射氣體混合物； 一諧振器，其環繞放電腔室用以產生脈衝化雷射 束； 一氣體供應單元，其連結至放電腔室；以及 一處理器，其用以控制氣體_供應單元與放電腔室間 之氣體流動， 其中該氣體供應單元及處理器係配置成允許 巴至—組成氣體於選定間隔注入放電腔室内 部.:· 2 .如申請專利範園第1項之雷射系統，其中該氣體供應單 元及處理器係配置成允許0.00丨毫巴至0. 1毫巴的第一组 成氣體於選定間隔注入放電腔室内部， 如申請專利範圍第丨項之雷射系統，其中該氣體供應單 元及處理器係配置成允許0.000 1毫巴至0.05毫巴的第一 組成氣體於選定間隔注入放電腔室内部。 4 .如申請專利範圍第1項之雷射系統 '，其中該氣體供應單 二及處理器係配置成允許0.0001毫巴至0.02毫巴的第一 組成氣體於選定間隔注入放電腔室内部。 ί .如申請專利範圍第丨-4項中任一項之雷射系統、，其中該 -35- ,ϋΊϋί ·;:中:¾國家標準（CNS > Α4規格（210x W7公釐） 454370 A8 B8 C8 D8 六'申請專利範圍 選定的間隔至少部份係基於時間。 6. 如申請專利範圍第5項之雷射系統，其中 '、甲及時間間隔爲 5秒至5小時。 7. 如申請專利範園第5項之雷射系統，其中該時間間隔爲 5秒至30分鐘。 8 .如申請專利範園第5項之雷射系統，其中該時間間隔爲 5秒至20分鐘。 9-如申請專利範圍第1 - 4項中任一項之雷射系統，其中节 選定的間隔係基於選定脈衝數。_ 1 0.如申请專利範圍第9項之雷射系統，其中該脈衝間隔爲 1萬至1千萬。 11.如申蜻專利範圍第9項之雷射系統，其中該脈衝間隔爲 1萬至1百萬。 1 2.如申請專利範圍第丨-4項中任一項之雷射系統，其中兮 選定的間隔至少部份係基於用以維持恆定雷射東輪出 能之驅動電壓變化。 .4 .李 r_ 'Ά 作 印 η 如申請專利範圍第12項之雷射系統，其中該驅動電譽 變化間隔爲0.5 %至10。。。 1 4.如申请專利範圍第1 2項之雷射系統，其中該驅動電要 變化間隔爲0.1 %至5。。= 15.如申請專利範圍第12項之雷射系統，其中該驅動電壓 變化間隔爲〇.〇1 %至5 %。 1 6.如申請專利範圍第1 _ 4項中任一項之雷射系统，其中兮 -36- 夂虼迕尺度送'r•令男囷家標隼（CNS ί Μ規格（210Χ 297公釐了 454370 A8 B8 C8 D8 Ti 申5a專利範圍 選定的間隔至少部份係基於時間與用以維持恢定 不輪出能之驅動電壓變化的組合。 田’ 17·如^請專利範園第卜4項中任—項之雷射系統，其中# 迦疋的間隔至少部份係基於哌衝數與用以維持值定^ 知束輪出能之驅動電壓變化的組合。 印 '^申4專利範圍第i _ 4項中任一項之雷射系統，其中該 選定的間隔至少部份係基於時間、脈衝數與用以維持 <雷射束輸出能之驅動電壓變化的組合3 19·如申請專利範圍第1 -4項中任一項之雷射系統，其中該 選定的間隔爲下列至少一種變化：時間，脈衝數，維 持值定雷射束輸出能之驅動電壓，脈衝形狀，脈衝持 時間’脈衝能穩定性，朿側綠（profile)，雷射束之發 散及頻寬。 Q心申請專利範園第1 - 4項中任一項之雷射系統，其中該 選足間隔至少部份係基於下列至少二種變化的组合： 時間，脈衝數’維持恆定雷射束輸出能之驅動電壓， 服衝形狀，脈衝持續時間，脈衝穩定性，東側錄，雷 射東及頻寬。 2 1 ·如申請專利範圍第1 - 4項中任一項之雷射系統，其中該 氣體供應單元包括注入放電腔室前存放第一组成氣體 之腔室。 〜’申請專利範圍第21項之雷射系統，其中該腔室爲一 落積器，其内部容積及壓力決定於注入後放電腔室内 ig家標準（CNS ) A4規格 (21 Ox297公釐） {請先閱讀背面之注意事邛再填寫本頁) 裝- 454370 Α8 Β8 C8 D8 7T、申請專利範圍 部將提高的第一组成氣體分壓量。 23. 如申請專利範圍第21項之雷射系統，其中該腔室爲一 閥總成，其内部容積及壓力決定於注入後放電腔室内 部將提高的第一组成氣體分壓量。 24. 如申請專利範園第1 - 4項中任一項之雷射系統，其中該 處理器及氣體處理單元配置成允許第二组成氣體連同 第一组成氣體注入放電腔室内部。 2 5.如申請專利範圍第1 - 4項中任一項之雷射系統，其中該 處理器及氣體處理單元配置成-允許第一组成氣體呈預 混物注入放電腔室内部，該預混物包含0.1 °。至5 °。之 氟及氣化氫之一，以及95。·。至99.9。〇之惰性氣體。 26. 如申請專利範園第24項之雷射系統，其中該處理器及 氣體處理單元配置成允許第一组成氣體呈預混物注入 放電腔室内部，該預混物包含0.1 %至5 %之氟及氣化氫 之一，以及99.9。。至95。。之惰性氣體；以及第二组成氣 體包括氪、氙、氖及氬中之一或多者，以及由於各次 注入第一及第二組成氣體，放電腔室總壓力增高0.1至 1 0毫巴。 27. 如申請專利範園第24項之雷射系統，其中該放電腔室 係配置成當第一及第二組成氣體注入時可釋放部份放 電腔室内部之氣體混合物。 *"":^社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 8.如申請專利範圍第21項之雷射系統，其中該處理器係 配置成可基於於含有第一纽成氣體之腔室測得之壓力 -38- 义度遣3中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 4 5 4 3 7 0 A8 BS Cg D8 六、申請專利範圍 _ 選定間隔。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫大t頁) 29. 如申請專利範圍第21項之雷射系統，其中該處理器係 配置成可基於於含有第一组成氣體之腔室測得之壓力 選定欲注入的第一组成氣體量。 30. 如申請專利範園第1 - 4項中任一項之雷射系統，其中該 處理器及氣體供應單元係配置成允許第一组成氣體以 一组選定間隔時間注入，且該组注入週期性重覆。 3 1.如申請專利範圍第1或4項中任一項之雷射系統，其中 該第一组成氣體爲含自素分子_，且係呈預混物包括一 種惰性氣體及〇. 1 %至5 °。之第一組成氣體。 I 32.如申請專利範圍第〗或4項中任一項之雷射系統，其中 ! I j 該第一組成氣體包括0.5 %至5 %之氟及氣化氫中之一 !, 3 3.如申請專利範圍第1 - 4項中任一項之雷射系統，其中該 : 氣體供應單元及處理器係配置成注入係以該間隔連續 I 進行。 3 4.如申請專利範圍第1或4項中任一項之雷射系統，其中 ; 該氣體供應單元及處理器係配置成可以該間隔進行多 ； 次注入接著爲一段未進行注入的時間。 35.—種使用一氣體供應單元維持一氣體放電雷射之放電 !：1 1 ^ ! 粒室内部的雷射氣體混合物中之一種被耗用的组成氣 ¥ : 體於預定分壓之方法，該方法包含下列步.驟： ! ί! ! 提供雷射氣體混合物於放電腔室，該雷射氣體混合 古-=+£:中 家標準（CNS > Λ4 规格（21，·).. 297公釐） 4543 7 0 8 S 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 物包括該組成氣體與預定分壓且於雷射腔室内部被耗 用； 監視至少一參數，其係以已知對應關係随放電腔室 内部之组成氣體分壓改變；以及 於週期性間隔將該組成氣體注入放電腔室而提高組 成氣體於放電腔室之分壓達0.0001至〇2毫巴，俾使該 组成氣體實質上返回預定分壓。 36·如申請專利範圍第35項之方法，其中該組成氣體係呈 包括至少95 %緩衝氣體之預混物注入，以及該注入步 驟包括將預;昆物注入放電腔室内部 37. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該參數爲時間。 38. 如申請專利範圍第37項之方法，其中該間隔爲丨〇秒至5 小時2 39. 如申請專利範圍第37項之方法，其中該間皞爲丨〇秒至3〇 分鐘。 4 0.如申請專利範園第3 5項之方法，其中該參數爲脈衝 數。 4 1.如申請專利範圍第4〇項之方法，其中該問隔爲1 〇萬至！ 千萬脈衝。 v二""";"?£印緊 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 42_如申請專利範園第40項之方法，其中該間隔爲萬至5 百萬脈衝。 43_如申請專利範圍第3 5項之方法，其中該麥數爲驅動電 壓。 __ - 40 _ _ 中ϋ家樣) A4規格（〆 454370 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ^ (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁) 44. 如申請專利範圍第43項之方法，其中該間隔爲0.1 %至 5 0 〇。 45. 如申請專利範圍第43項之方法，其中該間隔爲0.〗％至 2 %。 46. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該至少一種參數 包括時間、脈衝數以及維持恆定雷射束輸出能之驅動 電壓。 47. 如申請專利範園第35項之方法，其中該至少一種參數 包括脈衝數以及維持恆定雷射束輸出能之驅動電壓。 48. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該至少一種參數 包括時間以及維持恆定雷射束輸出能之驅動電壓。 i | 49.如申請專利範圍第3 5項之方法，其中該至少一種參數 1 包括下列之至少一者：時間，脈衝數，維持怪定雷射 束輸出能之驅動電壓，脈衝形狀，脈衝持續時間，脈 衝穩定性，束側錄，雷射東及頻寬。 50.如申請專利範圍第35項之方法.，其中該至少一種參數 包括下列之二或多者的組合：時間，脈衝數，維持恆 定雷射束輸出能之驅動電壓，脈衝形狀，脈衝持續時 間，脈衝穩定性，束侧綠，雷射束及頻宽。 5】.如申請專利範園第3 5或3 6項中任一項之方法，進一步 包含於注入放電腔室前塡裝一盛裝該成份用之腔室之 步驟。 52.如申請專利範圍第35或36項中任一項之方法，其中該 -41 - 本》H 中荔國家標準（CNS ) A4規格（2! 0 X297公釐） 454370 A8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 注入步驟致使放電腔室之組成氣體分壓升高0.0001至 0.1毫巴。 53. 如申請專利範園第35或36項中任一項之方法，其中該 注入步驟致使放電腔室之組成氣體分壓升高0.0001至 0.05毫巴。 54. 如申請專利範圍第35或36項中任一項之方法，其中該 注入步驟包括於一組間隔時間注入組成氣體之步驟， 以及該组注入係週期性重覆。 55. 如申請專利範圍第35項之方法_，其中該注入步驟接著 爲一段未進行步驟的時間，以及然後爲另一注入步 驟。 56. 如申請專利範圍第35或36項中任一項之方法，其中各 次連續注入使該组成氣體實質上返回預定分壓。 5 7.如申請專利範圍第3 5或3 6項中任一項之方法，其中該 組成氣體爲含画素分子。 58.如申請專利範圍第35或36項中任一項之方法，其中該 組成氣體爲敗及氣化氫之一者。 "况"'1"4'7'--';9:工;^"、"泎社卬製 5 9.如申請專利範園第3 6項之方法，其中該组成氣體爲含 鹵素分子，以及該預混物包括一種惰性氣體及0.Ί °。至 5 °。之含鹵素分子。 60，—種操作一準分子或分子氣體放電雷射之方法，該雷 射具有一氣體放電腔室填裝氣態成份混合物，該混合 物於雷射操作期間受到污染，該方法包含下列步驟： -42- 本紙張尺度這用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） 454370 Αδ Β8 CS ____ D8 六、申請專利範圍 _ ^^^1 ^^^^1 If 士^^·^^^^1 (讀先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 於雷射操作期間將氣態成份中之至少—種成份注入 氣禮放電腔室，其中注入量係小於0.2毫巴：以及 重覆注入步驟多次，故雷射可連續作動同時維持相 當穩定的輸出。 61. 如申請專利範固第6〇項之方法，其中該注入步驟經選 擇使雷射輸出脈衝能之變化小於〗％。 62. 如申請專利範固第60項之方法，其中該注入步驟經選 擇使東發散變化小於〇 〇25毫雷得。 6j’如申請專利範園第60項之方法_，進一步包括監视一種 吞射參數以及響應被監視的參數之變化而引發注入步 驟之步驟。 64·如申靖專利範固第63項之方法，其中該被監視的參數 I 4時間。 I ! 6 3.如申請專利範圍第63項之方法，其中該被監視的參數 i 爲脈衝數。 I '66.如申凊專利範園第6 3項之方法，其中該被監視的參數 爲驅動電壓= ^ ； .: 67.扣中請專利範圍第63項之方法，其中該被監视的參數 4 ' 爯東發散。 …：ί } i!) ! 68‘’申請專利範園第63項之方法，其中該被監视的參數 •» ΐ V | 4領宽。 、.如申請專利範園第63項之方法，其中該被監視的參數 爲表側錄。 -43- ~~--- _ _ 七S II：家缥隼（CNS > A4&格（2丨〇 297公爱) 8 8 8 8 ABCD 454370 六、申請專利範圍 _ -----*----裝-------訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本f ) 70.如申請專利範圍第60項之方法，進一步包含週期性注 入大於0.2毫巴量之至少一種氣態成份之步驟，其中以 大於0.2毫巴之量注入氣體之頻率係低於小於0.2毫巴之 氣體注入頻率。 71 ·如申請專利範園第60項之方法，進一步包括週期性由 氣體放電腔室釋放部份氣體混合物之步驟。 72. 如申請專利範圍第60項之方法，其中該注入步經選 擇使雷射輸出脈衝之能量穩定性之標準差係小於1。。。 73. 如申請專利範園第3 5及60项中任一項之方法，其中該 注入步驟係基於於含有纽成氣體腔室内測得之壓力以 某種間隔選擇性注入。 74. 如申請專利範圍第35或60項中任一項之方法，進一步 包含基於於含有組成氣體之腔室測得之壓力選擇第一 组成氣體注入量之步媒。 75. —種操作一準分子或分子氣體放電雷射之方法，該雷 射具有一氣體放電腔室填裝氣態成份混合物，該等成 份至少之一於雷射操作期間受到消耗，該方法包含下 列步驟： -5功 Η;工.^作社印製 將該至少一種接受耗用的氣態成份於雷射操作期間 注入氣體放電腔室内部，其中該注入量係低於已經存 在於放電腔室總量之5 °。：以及 重覆注入步驟多次，故雷射可連續作動同時維持相 當穩定的輸出。 -44- 本饫張（度遗用中國國家標準（CNS ) Α4現格（21〇乂 297公釐） AB,CD 454370 六、申請專利範圍 _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 76. 如申請專利範圍第75項之方法，其中該注入量係低於 已經存在於放電腔室内部總量之3 %。 77. 如申請專利範圍第60或75項中任一項之方法，其中該 注入步驟經選擇使隨著時間積分平方測量得之輸出脈 衝之脈衝長度改變小於1 0 %。 78. 如申請專利範圍第60或75項中任一項之方法，其中該 注入步驟經選擇使隨著時間積分平方測量得之輸出脈 衝之脈衝長度改變小於5 %。 ，、I 泎 ri -45- 太'..:.玉义度4、：士莕；8家標準（〇^)八4規格{2丨0〕<297公釐）