JPH0236583A - エキシマガスレーザ発振装置 - Google Patents

エキシマガスレーザ発振装置

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JPH0236583A
JPH0236583A JP18552688A JP18552688A JPH0236583A JP H0236583 A JPH0236583 A JP H0236583A JP 18552688 A JP18552688 A JP 18552688A JP 18552688 A JP18552688 A JP 18552688A JP H0236583 A JPH0236583 A JP H0236583A
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laser
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JP18552688A
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Yutaka Uchida
裕 内田
Tsutomu Sumino
努 角野
Saburo Sato
三郎 佐藤
Tatsumi Goto
後藤 達美
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
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Agency of Industrial Science and Technology
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/036Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はエキシマガスレーザ発振装置に関する。
(従来の技術) ガスレーザ発振装置には、例えば希ガスハイランドエキ
シマレーザ発振装置やCO2レーザ発振装置があるが、
これらレーザ発振装置に使用されるガスレーザ媒質は一
般に数種類のガス組成からなりレーザ発振の毎にその組
成が変化する。例えば、Xe;1%以下、Heノ;o、
2%以下、残りをHe又はNeとした混合ガスをレーザ
媒質としたXeCノエキシマレーザ発振装置のようにガ
スレーザ媒質にハロゲンドナーを1つの組成として使用
しているものでは、レーザ発振の毎にハロゲンドナーの
濃度が低下する。このように濃度が低下して例えば第4
図に示すようにo、1%以下になると、レーザ発振出力
は急激に低下する。従って、XeCl!エキシマレーザ
発振装置等では、ハロゲンドナー濃度の変化によるレー
ザ出力変動への影響を少なくするため、ハロゲンドナー
濃度が常に所定値となるように制御が行われている。
そこで、このハロゲンドナー濃度の変化による出力変動
を制御する方法として一定量ハロゲン注入法及び注入エ
ネルギー増加法が行われている。
第5図は一定量ハロゲン注入法を適用したエキシマレー
ザ発振装置の構成図であって、エキシマレーザ発振器1
にはハロゲン注入弁2を介してハロゲンガスボンベ3が
接続されている。又、レーザ発振する毎にカウントを行
なう動作ショツト数カウンタ4が設けられ、このカウン
ト値が注入コントローラ5に送出されている。そして、
この注入コントローラ4は動作ショツト数が所定数に達
するとハロゲン注入弁2に開の操作信号を送出して一定
量のハロゲンドナーをエキシマレーザ発振器1に供給す
る機能を存している。なお、6はエキシマレーザ発振器
1の各主放電電極間に高電圧を印加する高圧電源である
。しかるに、ハロゲンドナーが供給されない状態には第
6図に示すようにレーザ発振の毎にハロゲンドナー濃度
が次第に低下するとともにレーザ出力が次第に低下する
。そうして、動作ショツト数が所定値に達すると、ハロ
ゲン注入弁2が開かれてハロゲンドナーがエキシマレー
ザ発振器1に供給される。しかるに、このときハロゲン
ドナーの濃度が高くなるとともにレーザ出力も大きくな
る。
又、第7図は注入エネルギー増加法を適用したエキシマ
レーザ発振装置の構成図であって、注入コントローラ7
は動作ショツト数カウンタ4のカウント値増加に応じて
高圧電源6から各主放電電極間に印加する電圧レベルを
高く制御する機能を有している。つまり、第8図に示す
ように動作ショツト数の増加とともに各主放電電極間に
印加する電圧レベルつまり注入エネルギーが増加して、
レーザ出力が一定となるようにしている。
しかしながら、上記各方法では次のような問題がある。
先ず、一定量ハロゲン注入法ではハロゲンドナーが間欠
的に供給されるために第6図に示すようにハロゲンドナ
ー濃度がある範囲内で上下17、このためレーザ出力は
変動して不安定となっている。さらに、この方法では各
毎に注入されるハロゲンドナー量が経験によって定めら
れて、いるので、レーザ出力を大きく変化させる場合等
の動作条件の大きな変化に対しては対応できない。とり
わけ、この方法では直接ハロゲンドナー濃度を検出して
いないので、ハロゲンドナー濃度制御に対する信頼性は
低い。
又、注入エネルギー増加法は強制的に各主放電電極間に
印加する電圧レベルを高くするので、最適な動作条件で
レーザ光を発振させるものとはなりでいない。従って、
レーザ発振の回数が増加するにともなって印加される電
圧が高くなり、これによってレーザ発振装置の寿命が短
くなるとともに安定性及び信頼性が低下し、そのうえレ
ーザ発振の効率も低下する。
なお、実際には上記各方法を組み合せてハロゲンドナー
濃度やレーザ出力の制御が行われているが、たとえ組み
合せたとしても上記各問題が生じる。
(発明が解決しようとする課題) 以上のようにハロゲンドナー濃度つまりガスレーザ媒質
の組成又はレーザ出力を一定に制御する方法が行われて
いるが、上記の如くハロゲンドナー濃度を常に所定値に
制御できるものでなく、又レーザ発振装置の寿命や安定
性、信頼性を低ドさせるものであった。
そこで本発明は、ガスレーザ媒′口のi11戊比か常に
所定値となるように制御できる高安定性でj;:l I
r(頼性のエキシマガスレーザ発振装置を提供すること
を目的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は、ガスレーザ管内にエキシマガスレーザ媒質を
封入しガスレーザ管内に対向配置した各主放電電極間に
主放電を発生させてレーザ発振するガスレーザ発振装置
において、ガスレーザ媒質を組成するハロゲンドナーの
洸吸収帯域における波長の光をガスレーザ管内に照射す
る発光素子と、この発光素子で照射された光を受光して
受光量に応じた電気信号に変換する受光素子と、この受
光素子からの電気信号を受けてガスレーザ管内における
ハロゲンドナーの濃度が所定値となるようにこのハロゲ
ンドナーのガスレーザ管への供給量を制御するガス供給
制御手段とを備えて上記目的を達成しようとするエキシ
マガスレーザ発振装置である。
(作用) このような手段を備えたことにより、発光素子からエキ
シマガスレーザ媒質を組成するハロゲンドナーの光吸収
帯域における波長の光が照射され、この光が受光素子で
受光されて受光量に応じた電気信号に変換される。そし
て、この受光素子からの電気信号を受けてガス供給制御
手段はガスレーザ管内におけるハロゲンドナーの濃度が
所定値となるようにこのハロゲンドナーのガスレーザ管
への供給量を制御する。
(実施例) 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図はエキシマガスレーザ発振装置の全体構成図であ
って、ガスレーザ管10の内部にはガスレーザ媒質とし
てハロゲンドナーを組成の一部とするエキシマが封入さ
れている。さらに、このガスレーザ管10の内部にはそ
れぞれ対向配置された各主放電電極11.12が設けら
れ、かつこれら各主放電電極11.12の長手方向の各
端部側にはそれぞれ光共振器を構成する全反射ミラー1
3及び出力ミラー14が設けられている。なお、各主放
電電極11.12の間には高圧電源15が接続されて、
直流高電圧+HVが印加されるようになっている。又、
このガスレーザ管10にはハロゲン注入弁16を介して
ハロゲンガスボンベ17が接続されている。
さて、このガスレーザ管10の長手方向の一端側には発
光素子としてのダイオードレーザ20が設けられてダイ
オードレーザコントローラ21によって発光制御される
ようになっている。そして、このダイオードレーザ20
はその発光波長がハロゲンドナーの光吸収帯域における
波長、XeCノエキシマレーザのようにハロゲンドナー
としてHC,i?を用いる場合、波数5[i[i4〜8
347cm−1に設定されている。又、ガスレーザ管1
0の長手方向の他端側つまりダイオードレーザ20の対
・同位置には受光素子としてのPbs半導体セル22が
設けられている。このPbs半導体セル22はダイオー
ドレーザ20から放射されエキシマ雰囲気中を進行して
きたダイオードレーザ光を受光し、この受光量に応じた
電圧レベルの電気信号を出力するものである。そして、
この電気信号は濃度コントローラ23に送られるように
なっている。この濃度コントローラ23はPbs半導体
セル22からの電気信号を受けてその電圧レベルから現
在のハロゲンドナー濃度を求め、この濃度と基準濃度と
を比較してハロゲンドナー濃度が基準濃度となるような
開度の操作信号を逐次ハロゲン注入弁16に送出する機
能を有している。
次に上記の如く構成された装置の作用について説明する
各主放電電極11.12の間に高圧電源15から高電圧
が印加されてこれら主放電電極11゜12の間に主放電
が発生すると、全反射ミラー13と出力ミラー14との
間に光共振が発生して出力ミラー14からレーザ光が出
力される。このようにしてレーザ光が発振されると第4
図に示すようにハロゲンドナーの濃度が次第に低下し、
これとともにレーザ出力が小さくなる。
ところが、本装置ではダイオードレーザコントローラ2
1によってダイオードレーザ20はハロゲンの光吸収帯
域と同一波長の光を常に発光している。しかるに、この
ダイオードレーザ光はガスレーザ媒質中を通過してPb
s半導体セル22に到達する。従うて、ダイオードレー
ザ光はガスレーザ媒質中を通過する間にハロゲンドナー
の濃度に応じてその一部が吸収される。しかるに、Pb
s半導体セル22はダイオードレーザ光を受光し、その
受光量に応じた電圧レベルの電気信号を出力する。この
電気信号は濃度コントローラ23に送られ、この濃度コ
ントローラ23は電気信号の電圧レベルからハロゲンド
ナー濃度を求めて基準濃度と比較し、ハロゲンドナー濃
度が基準濃度となるような開度の操作信号を作成してノ
)ロゲン注入弁16に送出する。この結果、ガスレーザ
媒質を組成するハロゲンドナーの濃度は常に所定値に制
御される。第2図は以上のような110ゲンドナ一濃度
制御を行なった場合のハロゲンドナー濃度とレーザ出力
とを示す図であって、ハロゲンドナー濃度は常に一定で
、そのときのレーザ出力は動作ショツト数か105以上
となってもほぼ一定となっている。又、レーザ発振の効
率を見ると、第3図に示すように本装置は一定量ハロゲ
ン注入法及び注入エネルギ増加法と比較して高効率であ
ることが分かる。
このように上記一実施例においては、ダイオードレーザ
20からガスレーザ媒質を組成するハロゲンドナーの光
吸収帯域における波長の光を照射してこの光をPbs半
導体セル22で受光し、この受光回に応じて濃度コント
ローラ23によってハロゲンドナーのガスレーザ管10
への供給量を制御する構成としたので、常にハロゲンド
ナー濃度をモニタできて濃度が低下した場合、この低下
したときにハロゲンドナーを供給してノ\ロゲンドナー
濃度を所定値に保てる。従って、レーザ出力はレーザ発
振の回数に関係無く常に安定した状態にできる。又、ハ
ロゲン濃度の測定はダイオードレーザ20により放射さ
れる光を用いるので、測定によるガスレーザ管10内へ
のガス汚染等の影響を与えることが無く、逆にガスレー
ザ媒質によるハロゲン濃度測定装置(センサ)の腐蝕等
のトラブル防止も簡単にできる。
[発明の効果コ 以上詳記したように本発明によれば、エキシマガスレー
ザ媒質の組成比が常に所定値となるように制御できる高
安定性で高信頼性のエキシマガスレーザ発振装置を提供
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図は本発明に係わるエキシマガスレーザ
発振装置の一実施例を説明するための図であって、第1
図は全体(14成図、第2図は動作ショツト数に対する
ハロゲンドナー濃度及びレーザ出力を示す図、第3図は
動作ショツト数に対する効率を示す図、第4図はハロゲ
ンドナー濃度に対するレーザ出力を示す図、第5図乃至
第8図は従来技術を説明するための図である。 10・・・ガスレーザ管、11.12・・・主放電電極
、13・・・全反射ミラー 14・・・出力ミラ15・
・・高圧電源、16・・・ハロゲン注入弁、17・・・
ハロゲンガスボンベ、20・・・ダイオードレーザ、2
1・・・ダイオードレーザコントローラ、22・・・P
bs半導体セル、23・・・濃度コントローラ。 第2図 十りl’F  シ、a、y1−、J 出願人 工業技術院長 飯塚幸三 手刀i’p シう・ノドでぶ〔− 第30 弔4 図 第5図 f1J1′!ニジっソト(( 第6 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ガスレーザ管内にエキシマガスレーザ媒質を封入し前記
    ガスレーザ管内に対向配置した各主放電電極間に主放電
    を発生させてレーザ発振するエキシマガスレーザ発振装
    置において、前記ガスレーザ媒質を組成するハロゲンド
    ナーの光吸収帯域における波長の光を前記ガスレーザ管
    内に照射する発光素子と、この発光素子で照射された光
    を受光して受光量に応じた電気信号に変換する受光素子
    と、この受光素子からの電気信号を受けて前記ガスレー
    ザ管内における前記ハロゲンドナーの濃度が所定値とな
    るようにこのハロゲンドナーの前記ガスレーザ管への供
    給量を制御するガス供給制御手段とを具備したことを特
    徴とするエキシマガスレーザ発振装置。
JP18552688A 1988-07-27 1988-07-27 エキシマガスレーザ発振装置 Granted JPH0236583A (ja)

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JP18552688A JPH0236583A (ja) 1988-07-27 1988-07-27 エキシマガスレーザ発振装置

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JPH0236583A true JPH0236583A (ja) 1990-02-06
JPH0357632B2 JPH0357632B2 (ja) 1991-09-02

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000294857A (ja) * 1999-03-17 2000-10-20 Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh ガス放電レーザシステム及びその制御方法
JP2007239213A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Toyo Exterior Co Ltd 折畳戸のロック装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000294857A (ja) * 1999-03-17 2000-10-20 Lambda Physik G Zur Herstellung Von Lasern Mbh ガス放電レーザシステム及びその制御方法
JP2007239213A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Toyo Exterior Co Ltd 折畳戸のロック装置

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