JP2816813B2 - エキシマレーザ装置 - Google Patents

エキシマレーザ装置

Info

Publication number
JP2816813B2
JP2816813B2 JP6255478A JP25547894A JP2816813B2 JP 2816813 B2 JP2816813 B2 JP 2816813B2 JP 6255478 A JP6255478 A JP 6255478A JP 25547894 A JP25547894 A JP 25547894A JP 2816813 B2 JP2816813 B2 JP 2816813B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
laser
intensity distribution
beam intensity
predetermined
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP6255478A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07335961A (ja
Inventor
理 若林
計 溝口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
Priority to JP6255478A priority Critical patent/JP2816813B2/ja
Priority to KR1019950007860A priority patent/KR0148521B1/ko
Priority to US08/420,132 priority patent/US5642374A/en
Priority to TW084105783A priority patent/TW295737B/zh
Publication of JPH07335961A publication Critical patent/JPH07335961A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2816813B2 publication Critical patent/JP2816813B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/134—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、縮小投影露光用光
源、材料の微細加工、材料の表面改質等に用いられるエ
キシマレーザ装置に関し、特に出力レーザ光のビーム強
度分布を安定させるための改良に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、ハロゲンガスを用いてエキシマレーザ装置を運転す
る場合、運転にしたがって電極材料の蒸発、レーザチャ
ンバ構成材料との化学反応によりハロゲンガスが消費さ
れる。したがって、従来はハロゲンガスの消耗によるレ
ーザ出力の低下を補うために次のような制御を行うよう
にしていた。
【０００３】すなわち、レーザの出力はレーザを励起す
るためにコンデンサに蓄積しておいた電気エネルギーを
放電空間に投入してレーザ媒質ガス中で放電することに
より得るが、このコンデンサの充電電圧を大きくすると
レーザ出力（パワー）は増加する。従って、従来におい
てはレーザ出力を検出し、この検出にしたがって充電電
圧値を制御することでレーザ出力を安定化するようにし
ている。この制御をパワーロック制御と呼ぶ。
【０００４】しかしながら、この制御によっても長時間
の運転を続けているとハロゲンガスの消耗によって発振
効率が低下し、次第に充電電圧を高くしていかないと所
定の出力を維持できなくなる。
【０００５】そこで、従来は、或る所定の電圧以上に充
電電圧が上昇したときに一定量のハロゲンガスを補給す
るようにして上記ハロゲンガスの消耗に対処するように
している。
【０００６】この従来技術におけるハロゲンガスの補強
方法について、図２３、図２４にしたがって説明する。
【０００７】すなわち、図２３は一般的な放電励起エキ
シマレーザ装置のガス補給にかかる構成部分を示すもの
で、この場合ガス注入用のボンベとして、ハロゲンガス
（Ｆ2、ＨＣｌなど）が充填されたボンベ１、Ｋｒなど
のレアガス（希ガス）が充填されたボンベ２、Ｎｅ又は
Ｈｅなどのバッファガスが充填されたボンベ３を備えて
いる。
【０００８】レーザチャンバ４から出力されたレーザ光
は、ビームスプリッタ５を介してその一部が出力検出器
６に入射され、出力検出器６によってその出力値Ｅが検
出される。検出された出力値Ｅはコントローラ７に入力
される。
【０００９】また、圧力センサ８によってレーザチャン
バ４内のレーザガス圧（全圧）ＰTが検出され、その検
出値ＰTもコントローラ７に入力される。
【００１０】コントローラ７はこれら検出値Ｅ，ＰTに
基づいて放電電源９の充電電圧値Ｖを制御すると共に、
ガス供給排気装置１０を制御してレーザガスの供給排気
制御を実行する。
【００１１】その詳細について説明すると、例えば、ガ
スをハロゲンガス：レアガス：バッファガス＝4：40：2
456(torr)の割合で充填した後、目標レーザ出力Ｅc、最
適制御充電電圧範囲Ｖm（Ｖmin〜Ｖmax）などを設定す
る。
【００１２】運転が開始されると、コントローラ７は、
出力検出器６によって検出されたレーザ出力Ｅを取り込
み、該レーザ出力Ｅを目標レーザ出力Ｅcと比較し、Ｅ
＜Ｅcであれば充電電圧Ｖを微小電圧ΔＶだけ、Ｅ＝Ｅc
であれば充電電圧Ｖをそのままとし、Ｅ＞Ｅcであれば
充電電圧Ｖを微小電圧ΔＶだけ下げるような制御を実行
する。
【００１３】さらに、コントローラ７は充電電圧Ｖを充
電電圧最大値Ｖmaxと比較し、Ｖ＞Ｖmaxのときはハロゲ
ンガスボンベ１からハロゲンガスを所定量だけレーザチ
ャンバ４に補給するような制御を行う。
【００１４】図２４は上記制御に関するタイムチャート
を示すもので、(a)はレーザ出力Ｅ、(b)は充電電圧Ｖ、
(c)はハロゲンガス分圧、(d)はレアガス分圧、(e)はビ
ーム幅を示すものである。すなわち、充電電圧ＶがＶma
x以下のときはレーザ出力Ｅを一定にするために充電電
圧Ｖを変化させ（この場合は増大している）、ｔ1，ｔ
2，…，ｔ6の各時点で充電電圧Ｖが最大許容値Ｖmaxに
到達しているので、これらの各時点でハロゲンガスを注
入している。
【００１５】この制御によれば、ハロゲンガス注入の
際、ガス排気を行っていないので、レアガスＫｒの分圧
は一定となっているが、ハロゲンガスは補給回数が多く
なってくるに伴なって次第に過補給となって最終的には
ガスのバランスが崩れてしまう。すなわち、上記従来手
法によれば、ハロゲンガスを補給する毎に、レーザチャ
ンバ内の混合ガスの最適組成バランスが崩れてゆき、コ
ンデンサへの充電電圧をいくら制御してもレーザ出力を
一定に維持する事ができなくなる。
【００１６】ところで、レーザ出力だけを一定に制御す
る上記従来手法によれば、レーザ出力に関しては一定制
御をなし得るが、ビーム強度分布に関しては何の制御も
行っていないので、ビーム強度分布が大きく変化すると
いう問題が発生していた。ビーム強度分布の具体例とし
ては、出力レーザの放電方向に垂直な方向のビーム幅な
どがあり、図２４(e)に該ビーム幅Ｗの経時変化を示し
ている。この図からも判るように、上記ビーム幅Ｗはハ
ロゲン分圧と同様に、大きな変化をしている。
【００１７】このビーム強度分布の変化は、露光又は加
工面におけるレーザ光のエネルギー密度を変化させ、露
光品質や加工品質を劣化させる要因となる。なお、ビー
ム強度分布を変化させる要因としては、電極形状、運転
放電電圧、ガス組成、ガス圧力などがある。
【００１８】この発明はこのような実情に鑑みてなされ
たもので、励起強度（充電電圧）およびガス組成等の変
動に起因するビーム強度分布の変動を確実且つ的確に防
止するエキシマレーザ装置を提供することを目的とす
る。
【００１９】ここで、ビーム強度分布の変動を防止する
ために、ガス組成を変化させた場合には、出力レーザ光
のパワーの変動を招来する。
【００２０】そこで、本発明は、また、こうした出力レ
ーザ光のパワーの変動を防止するエキシマレーザ装置を
提供することを目的とする。
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【課題を解決するための手段および作用】この発明で
は、所定種類のレーザガスがレーザチャンバ内に封入さ
れ、前記レーザチャンバ内で放電を行うことにより前記
レーザガスを励起し、レーザ発振光を出力するエキシマ
レーザ装置において、出力されたレーザ光のビーム強度
分布を検出するビーム強度分布検出手段と、前記ビーム
強度分布検出手段の検出結果に基づいてビーム強度分布
を一定の所望の形状にするように、前記所定種類のレー
ザガスの組成または全圧を制御するガス制御手段とを具
えている。
【００２４】すなわち、ビーム強度分布とレーザガスの
組成または全圧とは、略比例関係等の所定の関係にある
ので、この関係に基づいてガスの補給量等を調整するこ
とによって、ビーム強度分布を一定の所望形状に制御す
ることが可能となる。
【００２５】また、この発明では、所定種類のレーザガ
スがレーザチャンバ内に封入され、前記レーザチャンバ
内で放電を行うことにより前記レーザガスを励起し、レ
ーザ発振光を出力するエキシマレーザ装置において、出
力されたレーザ光のビーム強度分布を検出するビーム強
度分布検出手段と、前記ビーム強度分布検出手段の検出
結果に基づいてビーム強度分布を一定の所望の形状にす
るように、充電電圧（励起強度）を制御するとともに、
前記所定種類のレーザガスの組成または全圧を制御する
制御手段とを具えている。
【００２６】すなわち、ビーム強度分布と充電電圧、そ
してビーム強度分布とレーザガスの組成または全圧と
は、それぞれ略比例関係等の所定の関係にあるので、こ
れら関係に基づいて充電電圧を制御したりガスの補給量
等を調整することによって、ビーム強度分布を一定の所
望形状に制御することが可能となる。
【００２７】また、この発明では、ハロゲンガスを含む
レーザガスがレーザチャンバ内に供給され、前記レーザ
チャンバ内で放電を行うことにより前記レーザガスを励
起し、レーザ発振光を出力するエキシマレーザ装置にお
いて、出力されたレーザ光のビーム強度分布を検出する
ビーム強度分布検出手段と、前記ビーム強度分布検出手
段の検出結果に基づいてビーム強度分布を一定の所望の
形状にするように、前記ハロゲンガスの供給量を制御す
るハロゲンガス供給手段とを具えている。
【００２８】すなわち、ビーム強度分布とハロゲンガス
分圧とは、略比例関係等の所定の関係にあるので、この
関係に基づいてハロゲンガスの供給量を制御することに
よって、ビーム強度分布を一定の所望形状に制御するこ
とが可能となる。
【００２９】また、この発明では、希ガスを含むレーザ
ガスがレーザチャンバ内に供給され、前記レーザチャン
バ内で放電を行うことにより前記レーザガスを励起し、
レーザ発振光を出力するエキシマレーザ装置において、
出力されたレーザ光のビーム強度分布を検出するビーム
強度分布検出手段と、前記ビーム強度分布検出手段の検
出結果に基づいてビーム強度分布を一定の所望の形状に
するように、前記希ガスの供給量を制御する希ガス供給
手段とを具えている。
【００３０】すなわち、ビーム強度分布と希ガス分圧と
は、略比例関係等の所定の関係にあるので、この関係に
基づいて希ガスの供給量を制御することによって、ビー
ム強度分布を一定の所望形状に制御することが可能とな
る。
【００３１】また、この発明では、所定種類のレーザガ
スがレーザチャンバ内に封入され、前記レーザチャンバ
内で放電を行うことにより前記レーザガスを励起し、レ
ーザ発振光を出力するエキシマレーザ装置において、出
力されたレーザ光のパワーを検出するパワー検出手段
と、出力されたレーザ光のビーム強度分布を検出するビ
ーム強度分布検出手段と、前記パワー検出手段の検出結
果に基づいて出力レーザのパワーを所望の値にするよう
に、充電電圧（励起強度）を充電電圧（励起強度）制御
手段と、前記ビーム強度分布検出手段の検出結果に基づ
いてビーム強度分布を一定の所望の形状にするように、
前記所定種類のレーザガスの組成または全圧を制御する
ガス制御手段とを具えている。
【００３２】すなわち、ビーム強度分布の変動を防止す
るために、レーザガスの組成または全圧を変化させた場
合には、出力レーザ光のパワーが変動する。しかし、こ
うした出力レーザ光のパワーの変動は、充電電圧を制御
することによって抑制される。
【００３３】
【実施例】以下、この発明を添付図面に示す実施例に従
って詳細に説明する。
【００３４】図１はこの発明の実施例を示すもので、先
の図２３に示した従来装置と重複する構成要素について
は同一符号を付している。この図１の実施例は、先の図
２３に示した従来装置に対し、ビームスプリッタ１５お
よびビーム強度分布検出器２０を追加したものである。
【００３５】図１において、レーザチャンバ４内には、
レーザガスであるハロゲンガス（Ｆ2、ＨＣｌなど）、
レア（希）ガス（Ｋｒ，Ｘｅなど）、バッファガス（Ｎ
ｅ，Ｈｅなど）が充填されている。放電電源９によって
図示しない充電コンデンサに電気エネルギーが蓄積さ
れ、該蓄積された電気エネルギーが放電電極１１を介し
て放電空間に投入されることによりレーザガスが放電励
起される。この放電によって発光した光がフロントミラ
ー１４及びリアミラー１３から成る共振器によって共振
することによりレーザ発振が行われる。レーザ光は、ウ
ィンドウ１２、フロントミラー１４を介して出力され
る。
【００３６】出力されたレーザ光の一部はビームスプリ
ッタ５およびビームスプリッタ１５によってサンプリン
グされ、該サンプリング光は出力（パワー）検出器６及
びビーム強度分布検出器２０にそれぞれ入力される。
【００３７】出力検出器６はレーザ出力（パワー）Ｅを
検出し、該検出出力Ｅをコントローラ７に入力する。
【００３８】ビーム強度分布検出器２０は、ビーム強度
分布として例えば、放電方向に垂直な方向のビーム幅Ｗ
を検出するもので、その検出出力をコントローラ７に入
力する。ビーム強度分布検出器２０の詳細については後
述する。
【００３９】ハロゲンガスボンベ１にはＦ2、ＨＣｌな
どのハロゲンガスが充填され、レアガスボンベ２にはＫ
ｒ，Ｘｅなどのレアガスが充填され、バッファガスボン
ベ３にはＮｅ，Ｈｅなどのバッファガスが充填されてい
る。ガス供給排気装置１０は、コントローラ７からの指
令に従って前記各ボンベに充填されたガスをレーザチャ
ンバ４に対して供給すると共に、レーザチャンバ４内の
ガスの排気制御を実行する。なお、ハロゲンガスボンベ
１は、通常バッファガスで希釈されている。
【００４０】圧力センサ８は、レーザチャンバ４内のガ
ス圧ＰTを検出し、その検出出力ＰTをコントローラ７に
入力する。
【００４１】コントローラ７は、出力検出器６で検出し
たレーザ出力Ｅ、ビーム強度分布検出器２０で検出した
ビーム幅Ｗ、および圧力センサ８で検出したガス圧ＰT
に基づいて放電電源９の充電電圧Ｖを制御すると共にレ
ーザチャンバ４に対するガスの供給排気制御を実行す
る。
【００４２】図２は、ビーム強度分布検出器２０とレー
ザチャンバ４との配置関係を示すもので、(a)は平面
図、(b)は側面図である。
【００４３】この場合、ビーム強度分布検出器２０はラ
インセンサ２１を含んでおり、ラインセンサ２１は放電
方向（平面図(a)においては紙面に垂直な方向）に対し
垂直な方向のビーム幅Ｗを検出するべく配設されており
（紙面を含む方向に配設されている）、その受光出力を
コントローラ７に入力する。なお、ビーム幅Ｗに対応す
る値としては、半値全幅または１／ｅ2幅でもよい。
【００４４】図３(a)(b)は、ビーム強度分布検出器２０
の具体例を示すもので、図３(a)においては、レーザ光
を集光レンズ２２によって集光してラインセンサ２１に
入射するようにしている。なお、集光レンズ２２の替わ
りに凹レンズまたは凸面鏡を配置してビームを広げてレ
ーザ光を検出するようにしてもよい。
【００４５】図３(b)では、転写レンズ２３によってレ
ーザ光をラインセンサ２１上に転写するようにしてい
る。
【００４６】ここで、発明者等の実験によれば、ビーム
強度分布検出器２０によって検出されるビーム幅Ｗは、
ハロゲンガス分圧、充電電圧（励起強度）、バッファガ
ス分圧には大きく依存するが、レーザガス全圧ＰTには
あまり依存しないことが判明した。
【００４７】図４にハロゲンガス分圧とビーム幅Ｗの関
係を示し、図５にハロゲンガス分圧とレーザ出力Ｅの関
係を示し、図６に充電電圧Ｖとビーム幅Ｗの関係を示
し、図７に充電電圧Ｖとレーザ出力Ｅの関係を示し、図
８にガス全圧ＰTとビーム幅Ｗの関係を示し、図９にガ
ス全圧ＰTとレーザ出力Ｅの関係を示し、図１０にレア
ガス分圧とビーム幅Ｗの関係を示し、図１１にレアガス
分圧とレーザ出力Ｅの関係を示す。
【００４８】これらの図によれば、特にハロゲンガス分
圧とビーム幅Ｗとは広い範囲において傾きが比較的大き
な略比例関係等の所定の関係にあるため（図４参照）、
この関係に基づいてハロゲンガスの補給量または補給速
度を調整することによってビーム幅を制御することが可
能になる。
【００４９】また、図６、図１０によれば、充電電圧Ｖ
またはレアガス分圧もビーム幅とほぼ比例関係にあるた
め（これらの傾きはハロゲンガス分圧とビーム幅との関
係ほど大きくはないが）、充電電圧Ｖまたはレアガス分
圧を調整することによってもビーム幅Ｗを制御すること
ができる。
【００５０】以下、コントローラ７による充電電圧制御
及びガス供給排気制御について図１２のフローチャート
にしたがって説明する。
【００５１】最初にオペレータは、定格レーザ出力Ｅc
およびビーム幅目標値Ｗcを所望の値に設定する（ステ
ップ１００）。
【００５２】次に、レーザを発振させた後、出力検出器
６によってレーザ出力Ｅを検出すると共に、ビーム強度
分布検出器２０によってビーム幅Ｗを検出する（ステッ
プ１１０）。
【００５３】そして、検出したレーザ出力Ｅを定格レー
ザ出力Ｅcと比較すると共に、検出したビーム幅Ｗを目
標値Ｗcと比較する（ステップ１２０）。
【００５４】次に、上記比較結果に応じて充電電圧Ｖ、
ハロゲンガス補給量ΔＨ、バッファガス補給量ΔＢ、レ
アガス補給量ΔＲ、排気量ΔＧ、または全圧ＰTを計算
し、該計算した値Ｖを放電電源に送って充電電圧Ｖを制
御すると共に、前記計算した値をΔＨ、ΔＢ、ΔＲ、Δ
Ｇ、またはＰTをガス供給排気装置１０に送ってガスの
供給排気制御を行う（ステップ１３０〜１５０）。
【００５５】これらの制御を繰り返し実行する。
【００５６】・第１例 次に、上記ステップ１２０及び１３０で行う計算サブル
ーチンの詳細について図１３にその第１例を示す。
【００５７】この図１３においては、ステップ２００〜
ステップ２３０の処理と、ステップ３００〜ステップ３
３０の処理とが並行して行われる。
【００５８】ステップ２００においては、レーザ出力Ｅ
を定格レーザ出力Ｅcと比較し、その比較結果がＥ＜Ｅc
となった場合は充電電圧ＶをΔＶだけ増加し（ステップ
２１０）、Ｅ＞Ｅcとなった場合は充電電圧ＶをΔＶだ
け減少し（ステップ２３０）、Ｅ＝Ｅcの場合は現状の
充電電圧Ｖを維持する（ステップ２２０）。なお、ΔＶ
は一定量であってもよいし、ＥとＥcとの差に応じた量
としてもよい。
【００５９】一方、ステップ３００においては、ビーム
幅Ｗを目標値Ｗcと比較し、その比較結果がＷ＞Ｗcとな
った場合はハロゲンガス補給量ΔＨをΔｈだけ少なくし
（ステップ３１０）、Ｗ＜Ｗcとなった場合はハロゲン
ガス補給量ΔＨをΔｈだけ増加し（ステップ３３０）、
Ｗ＝Ｗcの場合は現状のハロゲンガス補給量ΔＨを維持
する（ステップ３２０）。Δｈは一定量であってもよい
し、ＷとＷcとの差に応じた量としてもよい。なお、こ
こではハロゲンガス補給量を制御したが、連続的にハロ
ゲンガスを補給する場合は補給流量を制御するようにし
てもよい。
【００６０】図１４に上記制御による各種状態量のタイ
ムチャートを示す。
【００６１】この図によれば、レーザ出力一定制御によ
り充電電圧Ｖが徐々に上昇する。そして、充電電圧Ｖが
最大許容値Ｖmaxとなった時点ｔ1以降は、これ以上充電
電圧Ｖを上げることができないので、レザー出力Ｅは徐
々に低下している。また、ステップ３００〜３３０の処
理によりビーム幅Ｗが目標値Ｗcとなるようにハロゲン
補給量が制御されているので、ビーム幅は常に一定とな
っている。さらに、図４に示したように、ハロゲン分圧
とビーム幅は比例関係にあるので、一定に制御されてい
るビーム幅に対応して、ハロゲンガス分圧も常に一定と
なっている。
【００６２】・第２例 次に、図１５に上記計算サブルーチンの第２例を示す。
【００６３】この第２例では、先の図１３のフローチャ
ートにステップ４００〜４３０の手順を追加している。
【００６４】すなわち、ステップ２００〜２３０の手順
を終了すると、充電電圧Ｖが最小許容値Ｖminおよび最
大許容値Ｖmaxの範囲に入っているか否かをチェックし
（ステップ４００）、Ｖ＜Ｖminの場合はレーザガスの
全圧をΔＰTだけ減少させ（ステップ４１０）、Ｖ＞Ｖm
axの場合はレーザガスの全圧をΔＰTだけ上昇させ（ス
テップ４３０）、Ｖmin≦Ｖ≦Ｖmaxの場合はガスを補給
しないように制御する（ステップ４２０）。全圧を上昇
する手法としては、ハロゲンガスを供給する、バッファ
ガスを供給する、レアガスを供給する、バッファガス及
びレアガスの両方を供給する等の手法があり、また全圧
を減少させる手法としてはレーザガスの排気制御があ
る。
【００６５】かかる図１５の制御による各種状態量のタ
イムチャートを図１６に示す。
【００６６】この図１６によれば、レーザ出力一定制御
を行うことにより充電電圧Ｖが徐々に上昇し、充電電圧
Ｖが最大許容値Ｖmaxとなった各時点ｔ1，ｔ2，ｔ3にお
いて、ガス全圧ＰTをΔＰTだけ上昇させている。この全
圧ＰTの上昇によりこれらの時点ｔ1，ｔ2，ｔ3において
はレーザ出力Ｅが上昇するため、これに対応して充電電
圧Ｖは降下している。
【００６７】時刻ｔ4以降においては、全圧ＰTが最大値
Ｐmaxに到達し、また充電電圧Ｖもこれ以上上げること
ができないので、レーザ出力Ｅが徐々に低下している。
【００６８】なお、この場合においても、ステップ３０
０〜３３０の処理によりビーム幅Ｗが目標値Ｗcとなる
ようにハロゲン補給量が制御されているので、ビーム幅
は常に一定となっている。また、ハロゲンガス分圧もビ
ーム幅に対応して一定となっている。
【００６９】・第３例 次に、図１７に、前記計算サブルーチンの第３例を示
す。
【００７０】この第３例は、先の図１５に示したステッ
プ４１０およびステップ４３０をそれぞれステップ４４
０およびステップ４５０で置き換えたものである。
【００７１】すなわち、Ｖ＜Ｖminの場合は、ガスの全
圧ＰTを下げるべくΔＧ（一定値またはＶとＶminの差に
応じた量）の排気工程を行い（ステップ４４０）、Ｖ＞
Ｖmaxの場合は、ガスの全圧ＰTを上げるべくバッファガ
スまたはレアガスまたは両者の混合ガスを補給するよう
にしている（ステップ４５０）。Ｖmin≦Ｖ≦Ｖmaxの場
合は前記同様ガス補給を行わないようにしている（ステ
ップ４２０）。
【００７２】・第４例 次に、図１８に、前記計算サブルーチンの第４例を示
す。
【００７３】この第４例は、先の図１５に示した第２例
のステップ４００〜４３０をステップ５００〜５２０に
置き換えたものである。
【００７４】すなわち、この第４例においては、ステッ
プ２００〜２３０の手順を終了後、充電電圧Ｖを最大許
容値Ｖmaxと比較し、Ｖ≦Ｖmaxである場合はガスを補給
せず、Ｖ＞Ｖmaxである場合に全圧ＰTをΔＰTだけ上昇
させるようにしている。この第４例と先の第２例との違
いは、Ｖ＜Ｖmaxである場合に、ガスを補給しないよう
に制御するか（第４例）、全圧をΔＰT下げるように制
御するか（第２例）の違いのみであり、それ以外は両者
は全く同じである。したがって、この第３例における各
種状態信号のタイムチャートは先の第２例の場合とほぼ
同じとなる。
【００７５】・第５例 次に、図１９に、前記計算サブルーチンの第５例を示
す。
【００７６】この第５例は、先の図１８に示した第４例
のステップ５２０をステップ５３０に置き換えたもので
ある。
【００７７】すなわち、この第５例においては、ステッ
プ２００〜２３０の手順を終了後、充電電圧Ｖを最大許
容値Ｖmaxと比較し、Ｖ≦Ｖmaxである場合はガスを補給
せず（ステップ５１０）、Ｖ＞Ｖmaxである場合に全圧
ＰTを上昇させるべくバッファガスまたはレアガスまた
は両者の混合ガスを補給するようにしている（ステップ
５３０）。
【００７８】・第６例 次に、図２０に、前記計算サブルーチンの第６例を示
す。
【００７９】この第６例は、先の図１５に示した第２例
のステップ４１０をステップ４４０に置き換え、ステッ
プ４３０をステップ４６０に置き換え、ステップ３００
〜３３０をステップ６００〜６２０に置き換えたもので
ある。
【００８０】すなわち、この第６例においては、ステッ
プ２００〜２３０の手順を終了後、充電電圧Ｖが最小許
容値Ｖminおよび最大許容値Ｖmaxの範囲に入っているか
否かをチェックし（ステップ４００）、Ｖ＜Ｖminの場
合はレーザガスの全圧を下げるべく排気工程を行い（ス
テップ４４０）、Ｖ＞Ｖmaxの場合はレーザガスの全圧
を上昇させるべくハロゲンガスをΔＨだけ補給するとと
もに（ステップ４６０）、Ｖmin≦Ｖ≦Ｖmaxの場合はガ
スを補給しないように制御するようにしている（ステッ
プ４２０）。
【００８１】一方、ステップ６００においては、ビーム
幅Ｗを目標値Ｗcと比較し、その比較結果がＷ≧Ｗcとな
った場合はレアガスを補給しないよう制御するとともに
（ステップ６１０）、Ｗ＜Ｗcとなった場合はレアガス
をΔＲだけ補給するようにしている（ステップ６２
０）。ΔＲは一定量であってもよいし、ＷとＷcとの差
に応じた量としてもよい。
【００８２】この第６例においては、ビーム幅Ｗとレア
ガス分圧が、図１０に示したように、略比例関係等の所
定の関係にあるのに着目し、レアガスの供給制御によっ
てビーム幅Ｗを一定に制御するようにしている。
【００８３】・第７例 次に、図２１に、前記計算サブルーチンの第７例を示
す。
【００８４】ステップ７００においては、レーザ出力Ｅ
を定格レーザ出力Ｅcと比較し、その比較結果がＥ＜Ｅc
となった場合はレーザガスの全圧ＰTをΔＰTだけ増加し
（ステップ７１０）、Ｅ＞Ｅcとなった場合はレーザガ
スの全圧ＰTをΔＰTだけ減少し（ステップ７３０）、Ｅ
＝Ｅcの場合は現状のガス圧ＰTを維持する（ステップ７
２０）。なお、ΔＰTは一定量であってもよいし、Ｅと
Ｅcとの差に応じた量としてもよい。
【００８５】上記手順が終了すると、レーザガス圧ＰT
をその最大許容値Ｐmaxと比較し、ＰT≦Ｐmaxの場合は
ガスを補給しないよう制御し（ステップ８１０）、ＰT
＞Ｐmaxの場合はハロゲンガスをΔＨだけ補給するよう
にしている（ステップ８２０）。ΔＨは一定量であって
もよいし、ＰTとＰmaxの差に応じた量としてもよい。
【００８６】一方、ステップ９００においては、ビーム
幅Ｗを目標値Ｗcと比較し、その比較結果がＷ＜Ｗcとな
った場合は充電電圧ＶをΔＶだけ大きくし（ステップ９
１０）、Ｗ＞Ｗcとなった場合は充電電圧ＶをΔＶだけ
小さくし（ステップ９３０）、Ｗ＝Ｗcとなった場合は
現状の充電電圧Ｖを維持するように制御する（ステップ
９２０）。
【００８７】この第７例では、充電電圧Ｖを制御するこ
とによりビーム幅Ｗの制御を行うようにしている。図６
に示したように、充電電圧Ｖとビーム幅Ｗはほぼ比例関
係にあるので、このような制御も可能である。
【００８８】また、レーザ出力Ｅの制御も、充電電圧Ｖ
ではなくガス圧ＰTによって行っている。
【００８９】以上説明したレーザ出力制御及びビーム幅
制御は、図４〜図１１に示したような、各パラメータと
レーザ出力Ｅまたはビーム幅Ｗとの関係をメモリテーブ
ルに記憶しておくことで容易に実現できる。その動作手
順を図２２に示す。
【００９０】すなわち、まず、上記メモリテーブルから
所要のデータを読み出した後（ステップ９５０）、レー
ザ出力Ｅおよびビーム幅ＷをＥcおよびＷcと比較し、こ
れらの比較結果に応じて前記読み出したデータから最適
なパラメータ値を選択するようにする（ステップ９６
０）。
【００９１】なお、実施例ではビーム強度分布として、
放電方向に垂直な方向のビーム幅Ｗを用いるようにした
が、他に、放電方向のビーム幅またはビームの対称性な
どを用いるようにしてもよい。要は、ビーム強度分布を
一定の所望形状にできるパラメータであればよい。
【００９２】また、上記実施例では自然発振のエキシマ
レーザに本発明を適用するようにしたが、スペクトルを
狭帯域化した狭帯域エキシマレーザに本発明を適用する
ようにしてもよい。
【００９３】つぎに、ガス注入回路等が上記実施例とは
僅か異なる実施例について説明する。
【００９４】・第８例 図２５は第８例の実施例装置の構成を示すブロック図で
あり、図２６は図２５の実施例装置で行われる補給処理
の処理手順を示すフローチャートである。
【００９５】まず、図２５に示すレーザ装置のガス注入
回路について説明すると、このガス注入回路は、Ｎeや
Ｈe等のバッファガスで希釈されたＦ2、ＨＣｌ等のハロ
ゲンガスが充填されたボンベ３８と、Ｋr、Ｘe、Ａr等
の希（レア）ガスが充填されたボンベ３９と、ＮeやＨe
等のバッファガスが充填されたボンベ４０と、各ボンベ
３８〜４０からレーザチャンバ３４までの各ガスごとの
ガス供給路上に配設された各ガスごとの注入開閉弁４
１、４２、４３とから構成されている。
【００９６】なお、この図２５のレーザ装置は、いわゆ
るフッ素系エキシマレーザ装置を想定しており、ボンベ
３８には、Ｆ2ガスとＮeガスとが、Ｆ2：Ｎe＝５：９５
（％）の濃度割合で充填されており、また、ボンベ３９
にはＫrガスが充填されており、また、ボンベ４０には
Ｎeガスが充填されているものとする。なお、またボン
ベ３９、４０を同一のボンベとし、予め希ガスとバッフ
ァガスとを所定の組成割合で混合、充填しておくように
してもよい。
【００９７】なお、バッファガスとしてＮeガスを使用
した場合を想定しているが、もちろんＨeガスを使用し
てもよいし、ＮeガスとＨeガスとを任意の混合比で混ぜ
合わせたものをバッファガスとして使用してもよい。
【００９８】また、実施例装置におけるガス補給回路
は、上記ボンベ３８と、このボンベ３８からレーザチャ
ンバ３４へ至るまでのガスの供給路４４上に配設された
各種ガス補給用開閉弁とから構成されている。この実施
例装置の場合、説明を簡略にするために、ガス補給用開
閉弁は、サブタンク４５と、このサブタンク４５の前後
に直列に配設された下流側開閉弁４６および上流側開閉
弁４７とからなっているものとしているが、実際には、
その他、図示せぬ様々な微量流量制御弁が配設されてい
るものとする。
【００９９】また、実施例装置のガス排出回路は、真空
ポンプ５０と、レーザチャンバ３４から該真空ポンプ５
０へ至るまでのガスの排出路４８上に配設されたレーザ
チャンバガス排気弁４９とから構成されている。
【０１００】また、各種ガスを注入する時期、ハロゲン
ガスを補給する時期、このハロゲンガスの補給量等に関
するデータは、図示せぬ入力手段より入力され、制御器
３１に加えられる。
【０１０１】発振器３２はパルス発振を行うための発振
器であり、この発振器３２から発振信号が放電電源３３
に出力される。放電電源３３は、発振器３２から出力さ
れる発振信号に応じてレーザチャンバ３４内の２つの電
極間で放電を行わせるものであり、制御器３１から出力
される指令充電電圧Ｖａに応じた電圧で充電回路におい
て一旦充電が行われ、たとえばサイラトロン等のスイッ
チ素子の動作により放電を行う。この放電電源３におけ
る充電電圧Ｖは所定のセンサで検出され、制御器３１に
加えられる。
【０１０２】レーザチャンバ３４において放電が行わ
れ、レーザガスが励起されるとレーザ発振が行われ、発
振されたレーザ光は光共振器内で共振され、フロントミ
ラーから有効な発振レーザ光として出力される。なお、
放電は所定のパルス幅をもって所定の間隔で行われ、レ
ーザ光が断続的に出力される。
【０１０３】こうして発振されたレーザ光は出力モニタ
３６に入射され、この出力モニタ３６において出力レー
ザ光のエネルギーＥ（以下「レーザ出力Ｅ」という）が
検出される。この検出されたレーザ出力Ｅは制御器３１
に加えられる。
【０１０４】ビーム強度分布検出器３７は、上記ビーム
強度分布検出器２０と同様に、レーザ光をラインセンサ
に入射するようにしたものであり、発振レーザ光のビー
ム幅Ｗを検出し、これを制御器３１に加える。
【０１０５】圧力モニタ３５は、レーザチャンバ３４内
のガスの圧力（全圧）ＰTを検出するセンサであり、検
出された圧力ＰTは制御器３１に加えられる。また、発
振器３２から発振信号が出力されるごとに、１パルス発
振されたことを示す信号Ｐが制御器３１に加えられる。
【０１０６】制御器３１は、これら各モニタ等３２、３
３、３６、３７の出力に基づき後述するよう指令充電電
圧Ｖａを演算し、これを放電電源３３に出力し、放電電
圧を制御するとともに、圧力モニタ３５の出力に基づき
後述するようハロゲンガス補給時におけるレーザチャン
バ３４からのガス排出の際、レーザチャンバ３４内の圧
力が所定の一定圧力になるように弁４４、４６、４９の
開閉を制御する。また、制御器３１はレーザの運転前に
おけるガス交換の際、つまり各種レーザガスをボンベ３
８、３９、４０からレーザチャンバ３４内に注入する際
に、弁４１、４２、４３の開閉を所要に制御してレーザ
チャンバ３４内のガス組成が所定の割合になるようにす
る。
【０１０７】ところで、このガス注入は以下のような手
順で行われる。
【０１０８】すなわち、レーザの運転起動前において、
まず、レーザチャンバ３４内の旧ガスが上記ガス排出回
路によって排出される。
【０１０９】そして、ボンベ３９からＫrガスが４０ｔ
ｏｒｒだけレーザチャンバ３４内に導入され、つぎにボ
ンベ３８からＦ2ガス（上述の通り、Ｎeガスで希釈され
ている）がレーザチャンバ３４内に８０ｔｏｒｒだけ導
入され、最後にレーザチャンバ３４内の全圧が２５００
ｔｏｒｒとなるように、ボンベ４０からＮeガスがレー
ザチャンバ３４内に導入される。この実施例装置の場
合、レーザチャンバ３４内のガス組成は、Ｆ2：Ｋr：Ｎ
e＝４：４０：２４５６（ｔｏｒｒ）、つまりＦ2：Ｋ
r：Ｎe＝０．１６：１．６０：９８．２４（％）の濃度
割合となるようにされる。なお、各ボンベ３８、３９、
４０からのレーザチャンバ３４内への各ガスの導入に際
しては、制御器３１は、圧力モニタ３５の出力に基づき
チャンバ３４内圧力が上記所定圧２５００ｔｏｒｒとな
るよう各開閉弁４１、４２、４３を開閉制御する。
【０１１０】さて、前述したようにエキシマレーザ装置
の運転を継続していくと、運転の経過に伴いハロゲンガ
スが消費され、レーザ出力が低下する。このレーザ出力
は、レーザを励起するためにコンデンサに充電した電気
エネルギーを放電空間に投入してレーザ媒質ガスを活性
化させて得るため、このコンデンサへの充電電圧Ｖａを
制御することによって該レーザ出力を変化させることが
できる。すなわち、ハロゲンガスが消費しても、消費に
よる出力低下の相当分だけコンデンサへの充電電圧Ｖａ
を上げることによって該レーザ出力を一定に維持するこ
とができる。
【０１１１】そこで、この実施例では、充電電圧Ｖａに
関し最適制御充電電圧範囲Ｖc（Ｖmin〜Ｖmax）を予め
設定しておき、この充電電圧Ｖａがこの範囲を越えた場
合、つまりＶａ＞Ｖmaxに至ると、ガス交換を行う必要
がある旨のアラーム信号を出力するようにしている。
【０１１２】なお、このガス補給時期や補給量は、上述
したように入力手段から入力されたデータに基づき決定
され、ガス補給は上記ガス補給回路によって行われ、ま
た、ガス補給時はその都度、レーザチャンバ３４内の全
圧を所定圧力に維持されるよう、上記ガス排出回路によ
って該レーザチャンバ３４内のガスの一部が排出するよ
うにしている。
【０１１３】図２６は、かかる補給処理の処理手順を示
したものであり、目標レーザ出力Ｅc、最適制御充電電
圧範囲Ｖc（Ｖmin〜Ｖmax）、指令充電電圧増減量Δｖ
（絶対値）、１回分の補給ガス量ΔＧ（初期値）、目標
ビーム幅Ｗc、パルス数しきい値Ｐc、最適制御ガス補給
量範囲ΔＧc（ΔＧmin〜ΔＧmax）、補給ガス増減量Δ
ｇ（絶対値）が入力データに基づき予め設定される（ス
テップ１０１０）。なお、これら設定値Ｅc、Ｖc、Δ
ｖ、ΔＧ、Ｗc、ΔＰc、ΔＧcとしては、マニュアル制
御であれば、少なくとも必要時前に設定すればよく、上
述のように最初に設定する必要はない。また、マイコン
による完全制御の場合には、これら設定値は、上述のよ
うに最初に設定、記憶しておく必要がある。
【０１１４】つぎに、上記出力モニタ３５、放電電源３
３、発振器３２およびビーム強度分布検出器３７より検
出値Ｅ、Ｖ、Ｐ、Ｗが入力される（ステップ１０２
０）。
【０１１５】ついで、検出されたレーザ出力Ｅと目標レ
ーザ出力Ｅcとが比較され（ステップ１０３０）、この
比較の結果、Ｅ＜Ｅcであれば、つぎに検出されるレー
ザ出力Ｅが目標レーザ出力Ｅcまで上昇するように、検
出された充電電圧Ｖに増減量Δｖが加えられ、この加え
られたものが指令充電電圧Ｖａとして放電電源３３に出
力される（ステップ１０４０）。また、比較結果がＥ＝
Ｅcであれば、検出された充電電圧Ｖがそのまま指令充
電電圧Ｖａとして放電電源３３に出力される（ステップ
１０５０）。また、比較結果がＥ＞Ｅcであれば、つぎ
に検出されるレーザ出力Ｅが目標レーザ出力Ｅcまで低
下するように、検出された充電電圧Ｖから増減量Δｖが
減算され、この減算されたものが指令充電電圧Ｖａとし
て放電電源３３に出力される（ステップ１０６０）。
【０１１６】ここで、この指令充電電圧Ｖａと最適制御
充電電圧範囲Ｖcの最大値Ｖmaxとが比較される。この結
果、Ｖａ≦Ｖmaxであり適正範囲内であれば、手順は再
びステップ１０２０に移行され同様な処理が行われる
が、Ｖａ＞Ｖmaxであれば、指令電圧が許容範囲外とな
ったことを警告し、ガス交換を促すアラーム信号が出力
され、オペレータに警告を与えるようにする。
【０１１７】一方、ステップ１０７０では、新しいガス
がレーザチャンバ３４内に注入された時点から現在まで
の累算パルス数Ｐnがパルス発振Ｐをカウントすること
により検出されており（ステップ１０７０）、この累算
値Ｐnとしきい値Ｐcとが比較される（ステップ１０８
０）。この比較の結果、累算パルス数Ｐnがしきい値Ｐc
以下であれば、そのままガス補給をしなくても何等問題
はないと判断して再び手順はステップ１０２０に移行さ
れる。しかし、累算パルス数Ｐnがしきい値Ｐcに達した
時点で、しきい値Ｐcに対応する補給量ΔＧだけガス補
給が行われる。
【０１１８】このガス補給は以下のようにして行われ
る。
【０１１９】すなわち、弁４６を閉じるとともに弁４７
を開いて一定量の容積を有したサブタンク４５内に希釈
ハロゲンガスを充填する。そして、充填されたならば、
弁４６を開くとともに弁４７を閉じてサブタンク４５か
らハロゲンガスを排出してレーザチャンバ３４内にガス
を供給する。かかる処理を所定回数だけ繰り返し行うこ
とにより所定量ΔＧのガス補給が行われる（ステップ１
０９０）。なお、この補給の際、補給に伴いレーザチャ
ンバ３４内の全圧は上昇するが、全圧ＰTは圧力モニタ
３５で検出され、この検出値ＰTに基づきレーザチャン
バ３４内の圧力が所定圧になるよう、バルブ４９の開閉
が制御される（ステップ１１００）。
【０１２０】さて、ここで上記ガスの補給量ΔＧは、必
ずしもステップ１０１０で設定された初期値であるとは
限らず、ビーム幅Ｗに応じて可変するものである。
【０１２１】すなわち、検出されたビーム幅Ｗと目標ビ
ーム幅Ｗcとが比較され（ステップ１１１０）、この結
果、Ｗ＜Ｗcである場合には、つぎに検出されるビーム
幅Ｗが目標ビーム幅Ｗcまで広がるように補給量ΔＧに
対し所定増減量Δｇ（絶対値）が加えられ、このΔｇだ
け増加した補給量ΔＧがレーザチャンバ３４内に供給さ
れる（ステップ１１２０）。また、比較結果がＷ＞Ｗc
である場合には、つぎに検出されるビーム幅Ｗが目標ビ
ーム幅Ｗcまで狭まるように補給量ΔＧから増減量Δｇ
が減算され、このΔｇだけ減少した補給量ΔＧがレーザ
チャンバ３４内に補給される（ステップ１１４０）。ま
た、比較結果がＷ＝Ｗcである場合には、現在の補給量
ΔＧを増減することなくレーザチャンバ３４内に補給さ
れる（ステップ１１３０）。
【０１２２】このようにガス補給量ΔＧの増減がなされ
ると、それに応じて上述したサブタンク４５を用いた充
填、排出処理の回数が変化され、この変化された回数だ
け充填、排出する処理を行うことにより増減された補給
量ΔＧのガスがレーザチャンバ３４内に補給されること
になる。
【０１２３】ここで、補給量ΔＧに関しても制御可能な
範囲が最適制御ガス補給量範囲ΔＧmin〜ΔＧmaxとして
設定されており、現在の補給量ΔＧがこの範囲にあるか
否かの判断がなされる。この結果、補給量ΔＧが上記範
囲内であれば、レーザ光を用いた所定の処理（露光処理
等）が精度上問題がないとして、手順は再びステップ１
０２０に移行されるが、補給量ΔＧが上記範囲外となっ
た場合には、露光装置の照明系の光の均一性の低下が招
来するので、その旨のアラーム信号を外部の制御装置
（露光装置）に出力する。この結果、レーザ光を用いた
処理を停止させる等所定の措置をとることができる。
【０１２４】・第９例 つぎに、他の実施例について図２５、図２６と同様な図
２７、図２８を用いて説明する。なお、図２７において
図２５と同一機能を有するものには同一符号を付けてい
る。この実施例装置では、ガス補給路４４上に開閉弁５
１とマスフローコントローラ（質量流量制御装置）５２
とを配設するようにしている。なお、このマスフローコ
ントローラ５２は質量流量が所望の一定値となるように
ガス補給路４４を通過するガス量を制御するものであ
る。
【０１２５】図２８は、図２７の装置において行われる
補給処理の処理手順を示したものであり、上述した第８
例と同様に、目標レーザ出力Ｅc、最適制御充電電圧範
囲Ｖc（Ｖmin〜Ｖmax）、指令充電電圧増減量Δｖ（絶
対値）、１回分の補給ガス量ΔＧ（初期値）、目標ビー
ム幅Ｗc、補給ガス増減量Δｇ（絶対値）、最適制御ガ
ス補給量範囲ΔＧc（ΔＧmin〜ΔＧmax）が入力データ
に基づき予め設定される（ステップ２０１０）。
【０１２６】つぎに、上記出力モニタ３５、放電電源３
３、発振器３２およびビーム強度分布検出器３７より検
出値Ｅ、Ｖ、Ｐ、Ｗが入力される（ステップ２０２
０）。
【０１２７】ついで、検出されたレーザ出力Ｅと目標レ
ーザ出力Ｅcとが比較され（ステップ２０３０）、この
比較の結果、Ｅ＜Ｅcであれば、つぎに検出されるレー
ザ出力Ｅが目標レーザ出力Ｅcまで上昇するように、検
出された充電電圧Ｖに増減量Δｖが加えられ、この加え
られたものが指令充電電圧Ｖａとして放電電源３３に出
力される（ステップ２０４０）。また、比較結果がＥ＝
Ｅcであれば、検出された充電電圧Ｖをそのまま指令充
電電圧Ｖａとして放電電源３３に出力される（ステップ
２０５０）。また、比較結果がＥ＞Ｅcであれば、つぎ
に検出されるレーザ出力Ｅが目標レーザ出力Ｅcまで低
下するように、検出された充電電圧Ｖから増減量Δｖが
減算され、この減算されたものが指令充電電圧Ｖａとし
て放電電源３３に出力される（ステップ２０６０）。
【０１２８】ここで、この指令充電電圧Ｖａと最適制御
充電電圧範囲Ｖcの最大値Ｖmaxとが比較される。この結
果、Ｖａ≦Ｖmaxであり適正範囲内であれば、手順は再
びステップ２０２０に移行され同様な処理が行われる。
また、Ｖａ＞Ｖmaxとなったときには、指令電圧が許容
範囲外となり、ガス交換を促すアラーム信号が出力さ
れ、オペレータに警告を与えるようにする。
【０１２９】さて、この第９例では、単位時間あたりの
発振パルス数、つまり発振パルス速度ｆ（Ｐ）に比例し
た速度で補給が行われるマスフローコントローラ５２を
用い希釈ハロゲンガスの補給を行なうにしている。
【０１３０】すなわち、パルス発振Ｐに基づき現在の発
振時におけるパルス発振速度ｆ（Ｐ）が演算されており
（ステップ２０７０）、この速度ｆ（Ｐ）に比例する補
給量ΔＧをもってハロゲンガスがレーザチャンバ３４内
に補給される。
【０１３１】このガス補給は以下のようにして行われ
る。
【０１３２】すなわち、弁５１を開くとともに、マスフ
ロコントローラ５２によりガス補給路４４における流量
が上記速度ｆ（Ｐ）に応じた一定値となるように流量を
制御する。したがって、弁５１が一定時間開状態とさ
れ、上記流量をもってガスが補給されることにより、所
定量ΔＧのガスがレーザチャンバ３４内に補給されるこ
とになる。
【０１３３】また、マスフロコントローラ５２により制
御される流量を一定値に固定しておき、上記速度ｆ
（Ｐ）に応じた時間だけ弁５１を開状態にする制御も可
能である。この場合も、弁５１の開時間と、マスフロー
コントローラ５２により制御される流量とに応じて所定
量ΔＧのガスがレーザチャンバ３４内に補給されること
になるれる（ステップ２０８０）。なお、この補給の
際、補給に伴いレーザチャンバ３４内の全圧は上昇する
が、全圧ＰTは圧力モニタ３５で検出され、この検出値
ＰTに基づきレーザチャンバ３４内の圧力が所定圧にな
るよう、バルブ４９の開閉が制御される（ステップ２０
９０）。
【０１３４】さて、ここで上記ガスの補給量ΔＧは、必
ずしもステップ２０１０で設定された初期値であるとは
限らず、上記ビーム強度分布検出器３７で測定されたビ
ーム幅Ｗに応じて可変するものである。
【０１３５】すなわち、検出されたビーム幅Ｗと目標ビ
ーム幅Ｗcとが比較され（ステップ２１００）、この結
果、Ｗ＜Ｗcである場合には、つぎに検出されるビーム
幅Ｗが目標ビーム幅Ｗcまで広がるように補給量ΔＧに
対し所定増減量Δｇ（絶対値）が加えられ、このΔｇだ
け増加した補給量ΔＧがレーザチャンバ３４内に供給さ
れる（ステップ２１１０）。また、比較結果がＷ＞Ｗc
である場合には、つぎに検出されるビーム幅Ｗが目標ビ
ーム幅Ｗcまで狭まるように補給量ΔＧから増減量Δｇ
が減算され、このΔｇだけ減少した補給量ΔＧがレーザ
チャンバ３４内に補給される（ステップ２１３０）。ま
た、比較結果がＷ＝Ｗcである場合には、現在の補給量
ΔＧを増減することなくレーザチャンバ３４内に補給さ
れる（ステップ２１２０）。
【０１３６】ここで、補給量ΔＧに関しても制御可能な
範囲が最適制御ガス補給量範囲ΔＧmin〜ΔＧmaxが設定
範囲が設定されており、現在の補給量ΔＧがこの範囲に
あるか否かの判断がなされる。この結果、補給量ΔＧが
上記範囲内であれば、レーザ光を用いた所定の処理（露
光処理等）の精度上問題がないとして、手順は再びステ
ップ２０２０に移行されるが、補給量ΔＧが上記範囲外
となった場合には、露光装置の照明系の光の均一性の低
下が招来するので、その旨のアラーム信号を外部の制御
装置（露光装置）に出力する。この結果、レーザ光を用
いた処理を停止させる等所定の措置をとることができ
る。
【０１３７】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
レーザ光のビーム強度分布を一定の所望値にすることが
できるので、レーザ光のエネルギー密度が安定して均一
性が向上し、露光品質や加工品質を向上させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例についてそのシステム構成を
示すブロック図。
【図２】ビーム強度分布検出器とレーザチャンバの配置
関係を示す図。
【図３】ビーム強度分布検出器の構成例を示す図。
【図４】ハロゲンガス分圧とビーム幅の関係を示す図。
【図５】ハロゲンガス分圧とレーザ出力の関係を示す
図。
【図６】充電電圧とビーム幅の関係を示す図。
【図７】充電電圧とレーザ出力の関係を示す図。
【図８】ガス全圧とビーム幅の関係を示す図。
【図９】ガス全圧とレーザ出力の関係を示す図。
【図１０】レアガス分圧とビーム幅の関係を示す図。
【図１１】レアガス分圧とレーザ出力の関係を示す図。
【図１２】コントローラによる充電電圧制御及びガス供
給排気制御の概略を示すフローチャート。
【図１３】充電電圧制御及びガス供給排気制御の具体的
な第１例を示すフローチャート。
【図１４】第１例の制御による各種信号の経時変化を示
すタイムチャート。
【図１５】充電電圧制御及びガス供給排気制御の具体的
な第２例を示すフローチャート。
【図１６】第２例の制御による各種信号の経時変化を示
すタイムチャート。
【図１７】充電電圧制御及びガス供給排気制御の具体的
な第３例を示すフローチャート。
【図１８】充電電圧制御及びガス供給排気制御の具体的
な第４例を示すフローチャート。
【図１９】充電電圧制御及びガス供給排気制御の具体的
な第５例を示すフローチャート。
【図２０】充電電圧制御及びガス供給排気制御の具体的
な第６例を示すフローチャート。
【図２１】充電電圧制御及びガス供給排気制御の具体的
な第７例を示すフローチャート。
【図２２】メモリテーブルを用いた計算の手法を示すフ
ローチャート。
【図２３】従来技術のシステム構成を示す図。
【図２４】従来技術の各種信号の経時変化を示すタイム
チャート。
【図２５】第８例の構成を示すブロック図。
【図２６】図２５の実施例装置で行われるガス補給処理
の処理手順を示すフローチャート。
【図２７】図２５と異なる第９例の実施例装置の構成を
示すブロック図。
【図２８】図２７の実施例装置で行われるガス補給処理
の処理手順を示すフローチャート。
【符号の説明】
１…ハロゲンガスボンベ ２…レアガスボンベ ３…バッファガスボンベ ４…レーザチャンバ ５…ビームスプリッタ ６…出力検出器 ７…コントローラ ８…圧力センサ ９…放電電源 １０…ガス供給排気装置 １１…放電電極 １２…ウィンドウ １３…リアミラー １４…フロントミラー １５…ビームスプリッタ ２０…ビーム強度分布検出器 ３１…制御器 ３４…レーザチャンバ ３７…スペクトル幅モニタ ３８…ハロゲンガス用ボンベ ４４…ガス補給路 ４５…サブタンク ４６…開閉弁 ４７…開閉弁 ５１…開閉弁 ５２…マスフローコントローラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/134 H01S 3/104 H01S 3/225

Claims (12)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定種類のレーザガスがレーザチャ
    ンバ内に封入され、前記レーザチャンバ内で放電を行う
    ことにより前記レーザガスを励起し、レーザ発振光を出
    力するエキシマレーザ装置において、 出力されたレーザ光のビーム強度分布を検出するビーム
    強度分布検出手段と、 前記ビーム強度分布検出手段の検出結果に基づいてビー
    ム強度分布を一定の所望の形状にするように、前記所定
    種類のレーザガスの組成または全圧を制御するガス制御
    手段とを具えたエキシマレーザ装置。
  2. 【請求項２】 所定種類のレーザガスがレーザチャ
    ンバ内に封入され、前記レーザチャンバ内で放電を行う
    ことにより前記レーザガスを励起し、レーザ発振光を出
    力するエキシマレーザ装置において、 出力されたレーザ光のビーム強度分布を検出するビーム
    強度分布検出手段と、 前記ビーム強度分布検出手段の検出結果に基づいてビー
    ム強度分布を一定の所望の形状にするように、充電電圧
    （励起強度）を制御するとともに、前記所定種類のレー
    ザガスの組成または全圧を制御する制御手段とを具えた
    エキシマレーザ装置。
  3. 【請求項３】 ハロゲンガスを含むレーザガスがレ
    ーザチャンバ内に供給され、前記レーザチャンバ内で放
    電を行うことにより前記レーザガスを励起し、レーザ発
    振光を出力するエキシマレーザ装置において、 出力されたレーザ光のビーム強度分布を検出するビーム
    強度分布検出手段と、 前記ビーム強度分布検出手段の検出結果に基づいてビー
    ム強度分布を一定の所望の形状にするように、前記ハロ
    ゲンガスの供給量を制御するハロゲンガス供給手段とを
    具えたエキシマレーザ装置。
  4. 【請求項４】 希ガスを含むレーザガスがレーザチ
    ャンバ内に供給され、前記レーザチャンバ内で放電を行
    うことにより前記レーザガスを励起し、レーザ発振光を
    出力するエキシマレーザ装置において、 出力されたレーザ光のビーム強度分布を検出するビーム
    強度分布検出手段と、 前記ビーム強度分布検出手段の検出結果に基づいてビー
    ム強度分布を一定の所望の形状にするように、前記希ガ
    スの供給量を制御する希ガス供給手段とを具えたエキシ
    マレーザ装置。
  5. 【請求項５】 前記ビーム強度分布検出手段は、放
    電方向に略垂直な方向のビーム幅を検出するものである
    請求項１または２または３または４記載のエキシマレー
    ザ装置。
  6. 【請求項６】 所定種類のレーザガスがレーザチャ
    ンバ内に封入され、前記レーザチャンバ内で放電を行う
    ことにより前記レーザガスを励起し、レーザ発振光を出
    力するエキシマレーザ装置において、 出力されたレーザ光のパワーを検出するパワー検出手段
    と、 出力されたレーザ光のビーム強度分布を検出するビーム
    強度分布検出手段と、 前記パワー検出手段の検出結果に基づいて出力レーザの
    パワーを所望の値にするように、充電電圧（励起強度）
    を充電電圧（励起強度）制御手段と、 前記ビーム強度分布検出手段の検出結果に基づいてビー
    ム強度分布を一定の所望の形状にするように、前記所定
    種類のレーザガスの組成または全圧を制御するガス制御
    手段とを具えたエキシマレーザ装置。
  7. 【請求項７】 前記ビーム強度分布検出手段は、放
    電方向に略垂直な方向のビーム幅を検出するものであ
    り、 前記ハロゲンガス供給手段は、ガス交換により新しいレ
    ーザガスが前記レーザチャンバ内に封入されてからの発
    振パルス数を累算し、この累算された発振パルス数が所
    定数に達した場合に、該所定数に対応する所定量のハロ
    ゲンガスを供給するものであり、さらに、検出されたビ
    ーム幅が所望のビーム幅よりも小さい場合には前記所定
    供給量を増加させ、検出されたビーム幅が前記所望のビ
    ーム幅よりも大きい場合には前記所定供給量を減少させ
    るように前記ハロゲンガス供給量を変化させるものであ
    る請求項３記載のエキシマレーザ装置。
  8. 【請求項８】 所定容量のタンクが前記レーザチャ
    ンバとハロゲンガス供給源との間のガス供給路に設けら
    れ、前記ハロゲンガス供給手段は、前記ハロゲンガス供
    給源より前記タンク内に所定容量のガスを充填した後、
    このタンクより前記ガス供給路を介して前記レーザチャ
    ンバ内にハロゲンガスを供給する処理を所定回数行うこ
    とにより、所定供給量のハロゲンガスの供給を行うもの
    であり、さらに、前記所定回数を変化させることにより
    前記所定供給量を変化させるものである請求項３または
    ７記載のエキシマレーザ装置。
  9. 【請求項９】 所定容量のタンクが前記レーザチャン
    バと希ガス供給源との間のガス供給路に設けられ、前記
    希ガス供給手段は、前記希ガス供給源より前記タンク内
    に所定容量のガスを充填した後、このタンクより前記ガ
    ス供給路を介して前記レーザチャンバ内に希ガスを供給
    する処理を所定回数行うことにより、所定供給量の希ガ
    スの供給を行うものであり、さらに、前記所定回数を変
    化させることにより前記所定供給量を変化させるもので
    ある請求項４記載のエキシマレーザ装置。
  10. 【請求項１０】 前記ハロゲンガス供給手段は、レ
    ーザ発振光の単位時間当たりの発振回数を演算し、この
    単位時間当たりの発振回数に比例して前記補給量を変化
    させるものである請求項３記載のエキシマレーザ装置。
  11. 【請求項１１】 前記レーザチャンバとハロゲンガ
    ス供給源との間のガス供給路に定流量制御弁および供給
    路開閉弁が設けられ、前記ハロゲンガス供給手段は、前
    記開閉弁を所定時間だけ開状態にするとともに、前記演
    算された発振回数に応じて前記定流量制御弁により制御
    される定流量の流量値を変化させることにより前記補給
    量を変化させるものである請求項１０記載のエキシマレ
    ーザ装置。
  12. 【請求項１２】 前記レーザチャンバとハロゲンガ
    ス供給源との間のガス供給路に定流量制御弁および供給
    路開閉弁が設けられ、前記ハロゲンガス供給手段は、前
    記開閉弁の弁閉じ時間を変化させることにより前記補給
    量を変化させるものである請求項３または１０記載のエ
    キシマレーザ装置。
JP6255478A 1994-04-12 1994-10-20 エキシマレーザ装置 Expired - Lifetime JP2816813B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6255478A JP2816813B2 (ja) 1994-04-12 1994-10-20 エキシマレーザ装置
KR1019950007860A KR0148521B1 (ko) 1994-04-12 1995-04-04 엑시머 레이저장치
US08/420,132 US5642374A (en) 1994-04-12 1995-04-10 Excimer laser device
TW084105783A TW295737B (ja) 1994-10-20 1995-06-06

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6-73389 1994-04-12
JP7338994 1994-04-12
JP6255478A JP2816813B2 (ja) 1994-04-12 1994-10-20 エキシマレーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07335961A JPH07335961A (ja) 1995-12-22
JP2816813B2 true JP2816813B2 (ja) 1998-10-27

Family

ID=26414535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6255478A Expired - Lifetime JP2816813B2 (ja) 1994-04-12 1994-10-20 エキシマレーザ装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5642374A (ja)
JP (1) JP2816813B2 (ja)
KR (1) KR0148521B1 (ja)

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2836566B2 (ja) * 1995-12-08 1998-12-14 日本電気株式会社 波長安定化狭帯域エキシマレーザ装置
JPH09260749A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Komatsu Ltd ガスレーザ装置
US6331994B1 (en) * 1996-07-19 2001-12-18 Canon Kabushiki Kaisha Excimer laser oscillation apparatus and method, excimer laser exposure apparatus, and laser tube
JP3815578B2 (ja) * 1996-07-19 2006-08-30 忠弘 大見 エキシマレーザー発振装置
US5982795A (en) * 1997-12-22 1999-11-09 Cymer, Inc. Excimer laser having power supply with fine digital regulation
US6128323A (en) * 1997-04-23 2000-10-03 Cymer, Inc. Reliable modular production quality narrow-band high REP rate excimer laser
US5959725A (en) * 1997-07-11 1999-09-28 Fed Corporation Large area energy beam intensity profiler
US6330261B1 (en) 1997-07-18 2001-12-11 Cymer, Inc. Reliable, modular, production quality narrow-band high rep rate ArF excimer laser
DE69827524T2 (de) * 1997-12-15 2005-04-07 Cymer, Inc., San Diego Gepulstes stromversorgungssystem mit hoher pulsrate
WO1999039414A1 (en) * 1998-01-30 1999-08-05 Cymer, Inc. Fluorine control system with fluorine monitor
US5978406A (en) * 1998-01-30 1999-11-02 Cymer, Inc. Fluorine control system for excimer lasers
US6240117B1 (en) 1998-01-30 2001-05-29 Cymer, Inc. Fluorine control system with fluorine monitor
US6580517B2 (en) 2000-03-01 2003-06-17 Lambda Physik Ag Absolute wavelength calibration of lithography laser using multiple element or tandem see through hollow cathode lamp
US6160832A (en) 1998-06-01 2000-12-12 Lambda Physik Gmbh Method and apparatus for wavelength calibration
US7006541B2 (en) * 1998-06-01 2006-02-28 Lambda Physik Ag Absolute wavelength calibration of lithography laser using multiple element or tandem see through hollow cathode lamp
US6490307B1 (en) * 1999-03-17 2002-12-03 Lambda Physik Ag Method and procedure to automatically stabilize excimer laser output parameters
US6269110B1 (en) * 1998-10-05 2001-07-31 Lambda Physik Ag Internal wavelength calibration for tunable ArF-excimer laser using atomic carbon and molecular oxygen absorption lines
US6526085B2 (en) * 1998-10-05 2003-02-25 Lambda Physik Ag Performance control system and method for gas discharge lasers
US6285701B1 (en) * 1998-08-06 2001-09-04 Lambda Physik Ag Laser resonator for improving narrow band emission of an excimer laser
US6212214B1 (en) 1998-10-05 2001-04-03 Lambda Physik Ag Performance control system and method for gas discharge lasers
DE19942455A1 (de) 1998-10-05 2000-04-06 Lambda Physik Gmbh Leistungssteuersystem und -verfahren für Gasentladungslaser
US6804285B2 (en) 1998-10-29 2004-10-12 Canon Kabushiki Kaisha Gas supply path structure for a gas laser
KR100731948B1 (ko) * 1998-11-09 2007-06-25 가부시키가이샤 고마쓰 세이사쿠쇼 엑시머 레이저 장치 및 엑시머 레이저용 가스
US6717973B2 (en) * 1999-02-10 2004-04-06 Lambda Physik Ag Wavelength and bandwidth monitor for excimer or molecular fluorine laser
US6389052B2 (en) 1999-03-17 2002-05-14 Lambda Physik Ag Laser gas replenishment method
US6965624B2 (en) * 1999-03-17 2005-11-15 Lambda Physik Ag Laser gas replenishment method
JP4256520B2 (ja) * 1999-02-26 2009-04-22 忠弘 大見 レーザ発振装置、露光装置及びデバイスの製造方法
US6243405B1 (en) * 1999-03-17 2001-06-05 Lambda Physik Ag Very stable excimer or molecular fluorine laser
US6243406B1 (en) 1999-03-12 2001-06-05 Peter Heist Gas performance control system for gas discharge lasers
US6727731B1 (en) 1999-03-12 2004-04-27 Lambda Physik Ag Energy control for an excimer or molecular fluorine laser
US6700915B2 (en) 1999-03-12 2004-03-02 Lambda Physik Ag Narrow band excimer laser with a resonator containing an optical element for making wavefront corrections
US6714577B1 (en) 1999-03-17 2004-03-30 Lambda Physik Ag Energy stabilized gas discharge laser
US6496527B1 (en) 1999-09-27 2002-12-17 Komatsu, Ltd. Ultraviolet laser apparatus and gas for ultraviolet laser
JP3444350B2 (ja) * 1999-11-17 2003-09-08 ウシオ電機株式会社 エキシマレーザ装置
US6597462B2 (en) 2000-03-01 2003-07-22 Lambda Physik Ag Laser wavelength and bandwidth monitor
US6763048B2 (en) * 2000-06-19 2004-07-13 Lambda Physik Ag Line narrowing of molecular fluorine laser emission
US6577663B2 (en) 2000-06-19 2003-06-10 Lambda Physik Ag Narrow bandwidth oscillator-amplifier system
US6603789B1 (en) 2000-07-05 2003-08-05 Lambda Physik Ag Narrow band excimer or molecular fluorine laser with improved beam parameters
US6721345B2 (en) 2000-07-14 2004-04-13 Lambda Physik Ag Electrostatic precipitator corona discharge ignition voltage probe for gas status detection and control system for gas discharge lasers
US6807205B1 (en) 2000-07-14 2004-10-19 Lambda Physik Ag Precise monitor etalon calibration technique
US6801561B2 (en) 2000-09-25 2004-10-05 Lambda Physik Ag Laser system and method for spectral narrowing through wavefront correction
US6747741B1 (en) 2000-10-12 2004-06-08 Lambda Physik Ag Multiple-pass interferometric device
US20050259709A1 (en) * 2002-05-07 2005-11-24 Cymer, Inc. Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
US7830934B2 (en) * 2001-08-29 2010-11-09 Cymer, Inc. Multi-chamber gas discharge laser bandwidth control through discharge timing
JP4033333B2 (ja) * 2002-02-21 2008-01-16 ギガフォトン株式会社 ガスレーザ装置及びガスレーザ装置のフッ素濃度制御方法
US7277188B2 (en) * 2003-04-29 2007-10-02 Cymer, Inc. Systems and methods for implementing an interaction between a laser shaped as a line beam and a film deposited on a substrate
US7209507B2 (en) * 2003-07-30 2007-04-24 Cymer, Inc. Method and apparatus for controlling the output of a gas discharge MOPA laser system
US7277464B2 (en) 2003-12-18 2007-10-02 Cymer, Inc. Method and apparatus for controlling the output of a gas discharge laser system
US7848378B2 (en) * 2005-08-05 2010-12-07 Photomedex, Inc. Apparatus and method for monitoring power of a UV laser
US20070030876A1 (en) * 2005-08-05 2007-02-08 Levatter Jeffrey I Apparatus and method for purging and recharging excimer laser gases
US7679029B2 (en) 2005-10-28 2010-03-16 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a line beam for interaction with a substrate having surface variations
US7317179B2 (en) 2005-10-28 2008-01-08 Cymer, Inc. Systems and methods to shape laser light as a homogeneous line beam for interaction with a film deposited on a substrate
JP4146867B2 (ja) * 2006-06-22 2008-09-10 ファナック株式会社 ガスレーザ発振器
WO2008118975A2 (en) * 2007-03-27 2008-10-02 Photomedex, Inc. Method and apparatus for efficiently operating a gas discharge excimer laser
JP5499432B2 (ja) * 2007-10-05 2014-05-21 ソニー株式会社 撮像装置
US8598490B2 (en) 2008-03-31 2013-12-03 Electro Scientific Industries, Inc. Methods and systems for laser processing a workpiece using a plurality of tailored laser pulse shapes
US8526473B2 (en) * 2008-03-31 2013-09-03 Electro Scientific Industries Methods and systems for dynamically generating tailored laser pulses
US8476552B2 (en) * 2008-03-31 2013-07-02 Electro Scientific Industries, Inc. Laser systems and methods using triangular-shaped tailored laser pulses for selected target classes
US20110051761A1 (en) * 2009-08-27 2011-03-03 Jianzhong Lu Operating method of excimer laser system
CN102025101A (zh) * 2009-09-14 2011-04-20 联华电子股份有限公司 准分子激光系统的操作方法
JP5925674B2 (ja) * 2010-02-22 2016-05-25 ギガフォトン株式会社 露光装置用レーザ装置およびその制御方法
US8411720B2 (en) * 2011-06-30 2013-04-02 Cymer, Inc. System and method for automatic gas optimization in a two-chamber gas discharge laser system
JP6306658B2 (ja) * 2011-10-25 2018-04-04 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザ装置及びエキシマレーザシステム
JP6022837B2 (ja) 2011-10-25 2016-11-09 ギガフォトン株式会社 エキシマレーザ装置及びエキシマレーザシステム
WO2013136644A1 (ja) * 2012-03-12 2013-09-19 パナソニック株式会社 ガスレーザ発振装置およびレーザガス置換方法
WO2014003018A1 (ja) * 2012-06-26 2014-01-03 ギガフォトン株式会社 レーザ装置の制御方法及びレーザ装置
JP5850969B2 (ja) * 2014-04-03 2016-02-03 ファナック株式会社 レーザガスの組成比を推定可能な炭酸ガスレーザ発振器
WO2017195244A1 (ja) * 2016-05-09 2017-11-16 ギガフォトン株式会社 レーザ装置
US11588293B2 (en) * 2017-11-21 2023-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods and systems for aligning master oscillator power amplifier systems
WO2019240906A1 (en) * 2018-06-13 2019-12-19 Cymer, Llc Gas monitoring system
US11581692B2 (en) * 2019-06-18 2023-02-14 KLA Corp. Controlling pressure in a cavity of a light source
KR102628797B1 (ko) * 2019-09-19 2024-01-23 사이머 엘엘씨 가스 제어 방법 및 관련된 용도
CN113764962B (zh) * 2021-08-19 2022-11-29 中国科学院合肥物质科学研究院 基于放电出光时间差的激光器状态监控系统及监控方法
CN116698374B (zh) * 2023-08-01 2023-10-20 安徽雷彻科技有限公司 获取准分子激光器的最优工作参数的装置及方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1989007353A1 (en) * 1988-01-27 1989-08-10 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Method and apparatus for controlling narrow-band oscillation excimer laser
JPH01238179A (ja) * 1988-03-18 1989-09-22 Mitsubishi Electric Corp レーザ装置
JPH0756905B2 (ja) * 1988-10-04 1995-06-14 富士電機株式会社 エキシマレーザ装置
US5450436A (en) * 1992-11-20 1995-09-12 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Laser gas replenishing apparatus and method in excimer laser system
US5440578B1 (en) * 1993-07-16 2000-10-24 Cymer Inc Gas replenishment method ad apparatus for excimer lasers

Also Published As

Publication number Publication date
JPH07335961A (ja) 1995-12-22
KR950030424A (ko) 1995-11-24
KR0148521B1 (ko) 1998-12-01
US5642374A (en) 1997-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2816813B2 (ja) エキシマレーザ装置
US5450436A (en) Laser gas replenishing apparatus and method in excimer laser system
JP3824092B2 (ja) エキシマレ−ザ装置のガス補給方法
US5463650A (en) Apparatus for controlling output of an excimer laser device
US4977573A (en) Excimer laser output control device
US7266137B2 (en) Laser gas replenishment method
US6504861B2 (en) Laser gas replenishment method
US6490307B1 (en) Method and procedure to automatically stabilize excimer laser output parameters
KR101930894B1 (ko) 투챔버 가스방전 레이저 시스템 내의 가스 농도를 제어하는 시스템 및 방법
WO2006076261A2 (en) Method and apparatus for controlling the output of a gas discharge laser system
US6727731B1 (en) Energy control for an excimer or molecular fluorine laser
JP2668489B2 (ja) エキシマレーザ装置におけるレーザガス補給装置
JP2701184B2 (ja) エキシマレーザ装置のガス補給方法及びエキシマレーザ装置
JP2003511865A (ja) エキシマ又は分子フッ素レーザのエネルギー制御
JP4095095B2 (ja) エキシマレーザ装置のガス補給方法
JP2779571B2 (ja) レーザ装置の出力制御装置
JP4135957B2 (ja) エキシマレーザ装置のガス補給方法
JP3779010B2 (ja) エキシマレーザ装置のガス供給制御装置およびガス供給制御方法
JP2941341B2 (ja) ガスレーザ装置
JP3755777B2 (ja) エキシマレーザ装置
JPH10190103A (ja) エキシマレーザ装置
JPH10173273A (ja) エキシマレーザ装置
JPH06169120A (ja) エキシマレーザ装置のガス補給方法
JP3079977B2 (ja) エキシマレーザ装置の出力制御方法
WO2001059891A2 (en) Energy stabilized gas discharge laser

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080821

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090821

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090821

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100821

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100821

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110821

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110821

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120821

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130821

Year of fee payment: 15

EXPY Cancellation because of completion of term