TW444147B

TW444147B - Electro-optical apparatus and electro device

Info

Publication number: TW444147B
Application number: TW087117759A
Authority: TW
Inventors: Masao Murade
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1997-10-31
Filing date: 1998-10-27
Publication date: 2001-07-01
Also published as: KR20000069149A; WO1999023530A1; US6262702B1; EP1345070A2; CN1214282C; EP0950917B1; DE69820226T2; US6483493B2; EP0950917A4; US20010022572A1; EP0950917A1; KR100518923B1; DE69820226D1; EP2189839A1; EP1345070A3; CN1242842A

Description

;4441 4 7 五、發明説明$ ) 技術領域本發明係關於利用薄膜電晶體（以下稱TFT)驅動等之主動矩陣驅動方式之液晶裝置等電氣光學裝置及使用其之電子機器之技術領域，特別是利用設於TF T陣列基板上之資料線驅動電路，依時脈信號等控制信號將資料線以高頻驅動形式之電氣光學裝置及使用其之電子機器之技術領域。背景技術、習知利用T F T驅動之主動矩陣驅動方式之液晶裝置等電氣光學裝置中，配列於縱橫之多數掃描線及資料線，及對應各交叉點之多數畫素電極設置於T F T陣列基板上。此外，包含資料線驅動電路，取樣電路等供給資料信號於資料線之資料信號供給裝置，或包含掃描線驅動電路等供給時脈信號於掃描線之掃描信號供給裝置被設於T F T 陣列基板上。經濟部中央標準局貝工消費合作社印製此場合下，於資料信號供給裝置，成爲資料信號之供給時序基準之使資料線驅動電路動作用之資料線側基準時脈等控制信號，及對應應顯示畫像內容|成爲資料信號基準之畫像信號，正或負之定電位電源等，係介由設於 T F T陣列基板之外部輸入端子及配線分別被供給。另一方面，於掃描信號供給裝置，成爲時脈信號供給時序基準之使掃描線驅動電路動作用之掃描線側基準時脈，正或負之定電位電源等，介由設於T F T陣列基板之外部輸入端 -4- 本纸張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公t ) 44414 7 五、發明説明$ ) 子及配線分別被供給。因此，於時脈信號供給裝置中，藉泰一由例如掃描線驅動電路，利用掃描線側基準時脈等時序將時脈信號依線順序供至掃描線。對應於此，於資料信號供給裝置，資料線驅動電路則依資料線側基準時脈等時序，對取樣電路依序作驅動俾進行輸入之畫像信號之取樣，資料信號則由取樣電路供至資料線。結果，以閘極連接於掃描線之T F T，則響應於時脈信號而成導通狀態，資料信號介由該T F T供至畫素電極以進行各畫素之顯示。近年來，特別是投影機用之液晶裝置等，隨顯示畫像之高解析度化，極高頻之序列畫像信號被輸入。例如|畫像信號之點頻率，於近年之高解析度個人電腦畫面使用之 XGA顯示模式或SXGA顯示模式，分別爲約6 5MH z及約1 3 5MH z，遠較習知VGA顯示模式之點頻率 (約3 ΟΜΗ z )爲高。與其對應地，特別是供給於資料信號供給裝置之資料線側基準時脈之頻率亦極高。發明之指示經濟部中央標準局員工消費合作社印繁但是，近年來之顯示畫像之高品位化要求下，提高基準時脈頻率引起之高頻時脈雜訊之產生無法忽視。即，例如將習知較低頻之資料線側基準時脈供至資料線驅動電路以驅動取樣電路之構成中，直接提昇時脈信號之頻率時| 於輸入取樣電路之畫像信號中或由取樣電路輸出之資料信號中將產生高頻之時脈雜訊|供至資料線之資料信號劣化。此種劣化之資料信號供至各畫素時’顯示於各畫素之畫 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準< CNS ) A4規格（210X297公漦） 444 t 47 Λ' ΙΓ 五、發明説明$ ) 像亦劣化，此爲問題。例如，各畫素中，進行中間位準之階層顯示時，即使1 OmV程度之微小雜訊混入畫像信號中1於顯示畫像中將出現可視認之雜訊。此乃因，和進行與最高或最低之液晶驅動電壓（例如〇〜5 V間之電壓）對應之白或黑位準之顯示之場合比較，相對於中間位準中之液晶驅動電壓之變化，液晶之透過率之變化更快速。因此，爲實現高精度之多階顯示，高頻時脈雜訊爲大問題。另一方面，增加序列一並列轉換數可降低供至取樣電路之畫像信號之頻率，必需設於液晶裝置之基板之畫像信號輸入外部輸入端子數，將對應序列一並列轉換數之增加而增加。即，6相之序列一並列轉換時，畫像信號輸入用外部輸入端子需6個，1 2個序列一並列轉換時，需1 2 個。又，由畫像信號輸入用外部輸入端子至取樣電路間之配線數，同樣地需要序列一並列轉換數之個數。結果，畫像信號用配線佔有液晶裝置之基板面上之比例增加，形成取樣電路，資料線驅動電路等資料信號供給裝置用之領域，於基板上難以確保。此處假設如習知般，由設有外部輸入端子之基板之緣觀之，將時脈信號等控制信號用配線配置於資料線驅動電路之一方之側，將多數之畫像信號用配線配置於資料線驅動電路之另一方之側，如此則於各側配置之配線數顯著不同，資料線驅動電路之周圍之配線之配置平衡極差（即配線偏一側）等問題將產生。此場合下，可增大液晶裝置基板之尺寸以確保配線領域或資料線驅動電路之形成領域，但此將與有限基板尺寸下之畫面大型化本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2丨0X297公釐）請先閱讀背面之注拳項再/ % 本頁 , 經濟部中央標準局貞工消资合作社印製 -6 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 44 1 4 7 ___B* 五、發明説明4 ) 之液晶裝置之技術領域中之基本要求背道而行。本發明係有鑑於上述問題，目的在於提供一種，可減低輸入之畫像信號中或依其產生之資料信號中之高頻時脈雜訊之產生。又，本發明目的在於提供一種，隨畫像信號之序列~ 並列轉換數之增加，配線數或外部輸入端子數即使增加亦可具較佳平衡配線，且可減低高頻時脈信號等控制信號對畫像信號影響引起之高頻時脈雜訊，可進行高品位畫像顯示之液晶裝置及具備該液晶裝置之電子機器。爲解決上述問題，本發明之一態樣，其特徵爲基板上具有：多數之掃描線：與上述多數掃描線呈交叉之多數資料線；接於上述多數掃描線及資料線的多數開關元件；接於上述多數開關元件的多數畫素電極；依時脈信號將畫像信號對應之資料信號供至上述多數資料線的資料信號供給裝置；將由第1外部輸入端輸入之上述畫像信號供至上述資料信號供給裝置的畫像信號線：將由第2外部輸入端輸入之上述時脈信號供至上述資料信號供給裝置的時脈信號線；及將上述畫像信號線從上述時脈信號線予作電氣屏蔽用的定電位導電線。依本發明上述構成，由第1外部輸入端輸入之畫像信號，係介由配線於基板之畫像信號線，供至資料信號供給裝置》與此並行地，由第2外部輸入端輸入之時脈信號，介由配線於基板之時脈信號線，供至資料信號供給裝置。如此則，藉由設於第1基板之包含例如資料線驅動電路，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公犮） —^14· ^^—^1 p ^^1 t-y (請先閲讀背面之注意事項本頁) 訂. .Α 經濟部中央掠準局負工消费合作社印家 ' 444 1 4 7 五、發明説明$ ) 取樣電路等構成之資料信號供給裝置，畫像信號對應之資料信號依時脈信號被供至多數之資料線。此處，特別是，藉由配線於基板之定電位導電線，畫像信號線被由時脈信號線作電氣屏蔽。因此，時脈信號頻率高時，可減低由時脈信號線至畫像信號之高頻雜訊之混入。另方面*藉由包含形成或連接於基板之掃描線驅動電路等之掃描信號供給裝置，掃描信號介由掃描線供至開關元件。與此並行地，上述高頻之時脈雜訊減低之畫像信號對應之資料信號，介由資料線供至開關元件，因介由開關元件供之資料信號使施加於畫素電極之電壓變化，該畫素電極對向之液晶被驅動。結果，顯示畫像之解析度高，高頻之序列畫像信號輸入時，與其對應地使用高頻之時脈信號，不會因高頻時脈雜訊使畫質劣化，高品位之畫像顯示爲可能。本發明之一態樣中較好是，上述導電線包含有由供給定電位電源至上述資料信號供給裝置之定電位線構成之部分。依上述構成|導電線包含由供給定電位電源至上述資料信號供給裝置之定電位線構成之部分，藉由外部輸入端或配線之共用，換言之，使定電位線延伸形成導電線，貝IJ 可實現構成之簡略化及省空間化，特別是將導電線設爲定電位線爲極容易。本發明之一態樣中較好是，上述定電位線，係由供給互異之定電位電源至上述資料信號供給裝置的第1及第2 (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 广裝- '1T- 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐} -8- 4 44 1 4 7 1Γ 五、發明説明0 ) 定電位線構成，該第1定電位線構成之上述導電線部分， ·— 在上述第1基板上包圍上述畫像信號，上述第2定電位線構成之上述導電線部分，係在上述基板上包圍上述時脈信號線。依此構成，畫像信號線，將被例如供給接地電位之負電源的第1定電位線所構成之導電線部分|於基板上包圍 «時脈信號線，將被例如供給正電源之第2定電位線所構成導電線部分，在基板上包圍。因此可得，畫像信號線* 在第1基板上從時脈信號線被作雙層屏蔽之構成。本發明之一態樣中，上述資料信號供給裝置具有：對上述畫像信號進行取樣的取樣電路；及接受來自上述定電位線之電源供給，依上述時脈信號驅動該取樣電路的資料線驅動電路。上述畫像信號線與上述時脈信號線，較好是在上述基板上相對上述資料線驅動電路由相反方向配線。經濟部中央標準局員工消费合作社印製 iulf Ϊ 依本發明上述構成，於掃描信號供給裝置，畫像信號係由取樣電路取樣。之後，藉由接受來自定電位線之電源供給之資料線驅動電路，依時脈信號驅動取樣電路，取樣之畫像信號作爲資料信號供至資料線。此處，特別是，畫像信號線與時脈信號線，於基板上相對資料線驅動電路由相反方向配線，一般因距離及障害物之介在電磁波會減少，故由時脈信號線施加於畫像信號線之電磁波隨兩信號線間之距進，且隨資料線驅動電路之存在而減少。因此，即使時脈信號之頻率高之場合，亦可更減低由時脈信號線混入畫像信號線之高頻時脈雜訊。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4現格（210X 297公釐) .Q _ 44414 7 Λ ί Β 五、發明説明f ) 本發明之一態樣中，上述第1及第2外部輸入端 > 較好是於基板周邊部互相隔開特定間隔而配置，於上述第1 及第2外部輸入端之間配置第3外部輸入端俾將上述定電位電源輸入上述定電位線。依上述構成，第1及第2外部輸入端，中間介由第3 外部輸入端•於基板周邊部互相隔開特定間隔而配置*較好是於基板周板部，於外部輸入端形成可能之領域儘可能互相分離配置。因此，和畫像信號線及時脈信號線鄰接配置之場合比較，可減低由時脈信號線混入畫像信號之高頻時脈雜訊。本發明之一態樣中較好是，上述導電線延伸設置成在上述基板上包圍上述多數畫素電極界定之畫像顯示領域及上述多數資料線。經濟部中央標準局負工消費合作社印製依此構成|藉導電線於基板上將畫像顯示領域及多數資料線包圍，該畫像顯示領域及多數資料線亦從時脈信號線被屏蔽。因此，可減低資料信號供給裝置輸出之資料信號，傳至開關元件或畫素電極之資料信號中之高頻時脈雜訊之產生。本發明之一態樣中較好是，在上述基板與對向基板之間挾持電氣光學物質，另具備在上述基板與對向基板中之至少一方形成之遮光性周框，上述導電線係包含有於上述周框之對向位置沿上述週框設於上述基板的部分。依此構成，導電線設於對向基板之周框下，可實現 T F T陣列基板之省空間化，例如於基板周邊部分可形成 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐）經濟部中央標嗥局負工消费合作社印製 44414 7 ΙΓ 五、發明説明$ ) 掃描線驅動電路或資料線驅動電路，因導電線形成自導致電氣光學裝置中之有效顯示面積減少之事不會發生。本發明之一態樣較好是，上述導電線及資料線由同一低電阻金屬材料形成。依此構成，導電線例如由A 1等，和資料線爲同一低電阻金屬材料形成，則即使導電線之配線領域長，導電線之電阻値實用上可抑制極低，即，不會因電阻値增加而降低蔽磁效果。例如，繞其他配線或電路等間隙而加長導電線之Z字型配線，或在包含畫像顯示領域等之寬領域加長導電線之配線爲可能，可以較簡單構成，提高全體之蔽磁效果。又，於該電氣光學裝置之製程中，導電線及資料線可以用一低電阻金屬材料以同一製程形成。即，導電線形成之製程增加可抑制於最低限。本發明之一態樣較好是，介於上述畫像信號線及時脈信號線間之上述導電性部分及上述畫像信號線及時脈信號線，係由在上述基板上形成於平行之同一平面上之同一低電阻金屬層構成。依此構成，介於畫像信號線與時脈信號線之間之導電線部分，與畫像信號或時脈信號係於基板形成於平行之同一平面上，更能發揮蔽磁效果。此處，同一平面係指，於基板上將其直接配線，或在基板上所形成底層之絕緣層上或在T F T等開關元件之半導體層上所形成之層間絕緣層上將其配線之意義。又，於該電氣光學裝置之製程中，導電線，畫像信號線及時脈信號可以例如A 1層等同一低電本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格（210X297公犮) _ 11 _ ~ (請先閱讀背面之注意事項再功寫本頁)

-1T 丨旅 t 4 7 五、發明説明ί ) .. « 阻金屬層一次形成，故可抑制導電線形成製程之增加於最小限。請先閱讀背 ιδ 之注意事項 k % 本頁本發明之一態樣·於上述畫素電極另具有賦予特定容量之容量線，該容量線接於上述導電線。依此構成，藉容量線提供畫素電極特定之容量，即使任務比小時，高精細之顯示爲可能。另外，容量線接於導電線，故可防止容量線之電位變動對開關元件或畫素電極之不良影響。而且，容量線設爲定電位用之配線可以導電線兼用，使容量線設於定電位之必要之外部輸入端，可以例如上述第3外部輸入端或導電線專用外部輸入端兼用。經濟·邵中央標準局員工消費合作社印製本發明之第2態樣，其特徵爲於基板上具有：多數之資料線；與該多數資料線呈交叉的多數掃描線：接於上述多數資料線及多數掃描線的多數開關元件：接於上述多數開關元件的多數畫素電極；供給畫像信號的多數畫像信號線：供給包含時脈信號之控制信號的多數控制信號線；及分別介由上述畫像信號線及控制信號線輸入畫像信號及控制信號，並依上述控制信號將上述畫像信號對應之資料信號供至上述多數資料線的資料信號供給裝置；上述多數畫像信號線之中第1畫像信號群係於上述基板朝上述資料信號供給裝置之一方之側配線，上述多數畫像信號線之中第2畫像信號線群係於上述第1基板上朝上述資料信號供給裝置之另一方之側配線；於上述基板上另具有至少1條導電線俾將上述第1及第2畫像信號線群從上述多數控制信號線作電氣屏蔽。 -12- 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ______ 五、發明説明彳0 ) 依此構成，畫像信號介由畫像信號線供至資料信號供給裝置，與此並行地，包含時脈信號，能動信號等之控制信號介由控制信號線供至資料信號供給裝置。如外則藉由包含資料線驅動電路，取樣電路等構成之資料信號供給裝置，依控制信號將畫像信號對應之資料信號供至多數之資料線。此處，特別是，藉配線於基板之導電線，使畫像信號線分別從時脈信號線，能動信號線等控制信號線作電氣屏蔽。因此，即使時脈信號頻率高時，亦可減低由時脈信號線等控制信號線混入畫像信號線之高頻時脈雜訊。另一方面，藉形成或連接於基板之包含掃描線驅動電路等之掃描信號供給裝置，掃描信號介由掃描線供至開關元件。與此並行地上述減低高頻時脈雜訊等之羞像信號所對應之資料信號，介由資料線供至開關元件，介由開關元件供給之資料信號使施加於畫像信號之電壓變化，該畫素電極對向之液晶被驅動。經濟部中央樣準局貝工消费合作社印裝 {請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁> 結果，顯示畫像之解析度高，例如多數序列一並列轉換之畫像信號輸入時1因高頻.時脈雜訊等使畫質劣化之現象不會產生，高品位之畫像顯示爲可能。而且，第1畫像信號群，於基板上朝資料信號供給裝置之一方之側配線，第2畫像信號群於基板上朝資料信號供給裝置之另一方之側配線。因此，例如1 2相之序列一並列轉換，2 4相之序列一並列轉換等因序列一並列轉換數增加而使供至資料信號供給裝置之畫像信號頻率下降時，多相之序列一並列轉換所對應之多數畫像信號線，可平衡地配置於資料信號本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（2丨0X297公釐) -13 - 444 1 47 __1Γ _ 五、發明説明”) 供給裝置之兩側。結果，取樣電路或由取樣電路，資料線驅動電路等形成之資料信號供給裝置之形成領域，於基板上容易確保。因此，可實現有限基板尺寸之畫面之大型化〇本發明之第2態樣較好是，上述導電線將上述第1及第2畫像信號群，從上述多數控制信號線之中至少供給具有較上述畫像信號之水平掃描期間爲短周期之高頻控制信號的高頻控制信號予以電屏蔽。依此構成，藉導電線將畫像信號線，及多數控制信號線之中供給高頻控制信號（例如時脈信號，能動信號等）之高頻控制信號線作電氣屏蔽。因此，即使時脈信號之頻率高時，亦可減低高頻控制信號線之高頻時脈雜訊等之混入畫像信號線。又，低頻控制信號（例如，資料線驅動電路中之移位暫存器用起動信號等），不會成爲畫像信號或資料信號中之高頻雜訊之原因，因此低頻控制信號線可以導電線屏蔽，亦可不屏蔽= 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 本發明第2態樣中較好是，在上述第1及第2畫像信號群與高頻控制信號線之間配置上述導電線及上述多數控制信號線之中供給至少具較上述畫像信號之水平掃描期間爲短周期之低頻控制信號的低頻控制信號線。依此構成，第1及第2畫像信號群之中位於高頻控制信號線附近側之畫像信號線，因低頻控制信號線及導電線之至少合計2條配線之存在，被從高頻控制信號線分離且屏蔽。即，將畫像信號或供給資料信號中不成爲高頻雜訊本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) 格（210X297公釐） .-14- 44414 7 ΙΓ 五、發明説明¢2 ) 原因之低頻控制信號（例如資料線驅動電路中之移位暫存器用起動信號等）之低頻控制信號，與導電線同時配置於高頻控制信號線與畫像信號線之間，如此則更降低高頻控制信號線對畫像信號線造成之時脈雜訊之不良影響。特別是，一般電磁被將因距離及障害物之存在而減少，因此，在控制信號線與畫像信號線之間儘量多配置導電線或低頻控制信號線之構成，將可減少由高頻控制信號線施加於畫像信號線之電磁波。如此般除導電線外將低頻控制信號線配置於高頻控制信號線與畫像信號線之間，就基板空間之有效利用及雜訊減低之觀來看極有利。經濟部中央標準局貝工消費合作社印繁本發明之第2態樣中較好是，在上述基板周邊部另具有：連接上述第1畫像信號群，由外部畫像信號源分別輸入畫像信號的多數第1外部輸入端；及連接上述第2畫像信號群《由上述外部畫像信號源分別輸入畫像信號的多數第2外部輸入端：及連接上述控制信號線，由外部控制信號源分別輸入控制信號的多數第3外部輸入端；及分別連接上述導電線的多數第4外部輸入端：於上述第1與第2 外部輸入端之間配置上述第3輸入端，於上述第1與第3 外部輸入端之間及第3與第2外部輸入端之間分別配置第 4外部輸入端》依此構成，於基板周邊部上，在連接第1及第2畫像信號群之多數第1及第2外部輸入端之間，配置連接控制信號線之多數第3外部輸入端。即，在設有第1〜第4外部輸入端之基板周邊部上，於中央集中配置連接控制信號 -15- (請先閱讀背面之注意事項再填ί?ΐ本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐〉 444 彳 4 7 五、發明説明（13 ) 線之多數第3外部輸入端，於其兩端配置連接第1及第2 畫像信號群之多數第1及第2外部輸入端。再於其間配置連接導電線之第4外部輸入端。因此，容易獲得在第1及第2畫像信號群與控制信號之間，在基板上隔間距離之同時，於其間配置導電線之構成。特別是，在該電氣光學裝置之輸入之前段，可有效防止時脈信號等控制信號對畫像信號引起之時脈雜訊等。假設，連接畫像信號之多數外部輸入端與連接控制信號線之多數外部輸入端混在時，或鄰接時，在該電氣光學裝置之輸入之前段，畫像信號線與控制信號之鄰接或近接之配線部分爲不可避免，時脈雜訊將混入畫像信號中。但依本發明|在電氣光學裝置之輸入之前後，可減低時脈信號線混入畫像信號線之高頻時脈雜訊。又，較好是，於基板周邊部，在外部輸入端之形成可能領域，將第1及第2外部輸入端儘量偏兩側配置之同時，在與配置於兩者間之第3外部輸入端之間儘量隔開間隔，將連接導電線之第4外部輸入端配置於此間隔。本發明之第2態樣中，上述導電線，係將上述第1及第2畫像信號群，從上述多數控制信號線之中至少供給具較上述畫像信號之水平掃描期間爲短周期之高頻控制信號的高頻控制信號線隔離，上述第3外部輸入端之中鄰接第 4外部輸入端之端子，係連接上述多數控制信號線之中供給具較上述畫像信號之水平掃描期間爲短周期之低頻控制信號的低頻控制信號線。依本發明，藉導電線，將畫像信號線從高頻控制信號本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210乂297公釐） η 先閱諳背 1¾ $ 事項再 i 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 -16- 44414 7 五、發明説明<4 ) 線作電隔離。特別是，連接控制信號線之第3外部輸入端之中與導電線所連接第4外部輸入端鄰接之端子，係接低頻控制信號線，因此，藉低頻控制信號線及導電線至少合計2條配線之存在，使畫像信號線從低頻控制信號線作電隔離。本發明之第2態樣中較好是，上述導電線包含有由供給定電位之資料線驅動用電源至上述資料信號供給裝置的資料線驅動用定電位線構成之部分。依此構成，上述導電線包含有由供給定電位之資料線驅動用電源至上述資料信號供給裝置的資料線驅動用定電位線構成之部分，藉由外部輸入端或配線之共用，換言之，延長定電位線作爲導電線，可實現構成之簡單化及省空間化，特別是以導電線作爲定電位爲極容易者。經濟部中央標準局負工消费合作社印製本發明之第2態樣中較好是*上述資料線驅動用定電位線，係由將不同之定電位電源供至上述資料信號供給裝置之第1及第2定電位線構成，該第1定電位線構成之上述導電線部分，係於上述基板上包圍第1及第2畫像信號群，第2定電位線構成之上述導電線部分，係於上述基板上包圍上述控制信號線。依此構成，第1及第2畫像信號群|於基板上係由供給例如接地電位之負電源用第1定電位線構成之導電線部分包圍。控制信號線，於基板上係由供給例如正電源用之第2定電位線構成之導電線部分包圍。因此|畫像信號線，於第1基板上由控制信號線作二重電隔離。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 444 彳 4 7 Λ" IT _ 五、發明説明<5 ) «. · 本發明之第2態樣中較好是，上述導電線設置成於基板上包圍上述多數畫素電極界定之畫像顯示領域，及上述多數資料線。依此構成，藉導電線包圍畫像顯示領域及多數資料線，該畫像顯示領域及多數資料線與時脈信號線等控制信號裝置線作電隔離。因此，可減低線圈輸出之資料信號，到達開關元件或畫素電極之資料信號中之高頻時脈雜訊之產生。本發明之第2態樣中較好是，面對上述基板設有對向基板，另具有沿上述畫像顯示領域之輪廓形成於上述基板及對向基板之中至少一方之遮光性用框，上述導電線係包圍於面對上述周框之位置沿上述周框設於上述基板之部分〇依此構成，導電線設於基板周框之下，可實現TFT 陣列基板上之省空間化，可將例如掃描線驅動電路或資料線驅動電路充分形成於基板周邊部分，不因導電性形成而減少液晶裝置中之有效顯示面積。經濟部中央標準局員工消费合作社印繁 C {请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 本發明之第2態樣中*上述導電線及資料線係由同一低電阻値金屬材料構成。依此構成，導電線由例子A 1等，與資料線爲同一低電阻値金屬材料形成，故即使導電線之配線領域長時*導電線電阻可抑制於極低。即，不因電阻增加而降低屏蔽效果，例如利用其他配線或電路等間隙使導電線增加之Z字形配線，或在包含畫像顯示領域等寬領域加長導電線之配本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- 444 1 47 Λ* Β· 經濟部中央標準局負工消費合作社印製五、發明説明<6 ) 線爲可能，可以較簡單構成|提高全體之屏蔽效果。又，於電氣光學裝置之製程中，導電線及資料線可以同一低電阻材料，以同一製程形成。即•導電線形成之製程增加可抑制於最低限。本發明第2態樣中較好是，在上述基板上另具賦予上述畫素電極特定量容量之容量線，該容量線連接上述導電線。依此構成，藉容量線賦予畫素電極特定量之容量，即使任務比小時高精細之顯示爲可能。又，容量線連接導電線。因此，可防止容童線之電位變動對開關元件或畫素電極之不良影響。而且，可以導電線兼作使容量線定電位之配線，使容量線定電位之必要之外部輸入端，亦可以例如第3外部輸入端或導電線專用之外部輸入端兼用β 本發明之第2態樣中較好是，於上述基板上另具將掃描信號依序供至多數掃描線的掃描信號供給裝置，上述導電線包含有由供給定電位之掃描線驅動電源至上述掃描信號供給裝置的掃描線驅動用定電位線構成之部分。依此構成，藉由掃描線驅動用定電位線構成之導電線部分，使畫像信號線從控制信號線作電氣屏蔽。因此，即使時脈信號頻率高之場合，亦可減低控制信號線混入畫像信號線之高頻時脈雜訊等。本發明第2態樣中較好是，上述掃描信號供給裝置設於上述的數畫素電極界定之畫像顯示領域之兩側，上述掃描線驅動用定電位線構成之導電線部分，係延伸設置成在請先閱讀背 τέ 之注

I 頁訂 Λ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4現格（210Χ 297公釐） -19- 44414 7 Λ' ΪΓ 五、發明説明<7 ) 上述基板上包圍上述畫像顯示領域及多數資料線，且有餘裕地供給上述掃描線驅動用電源至上述掃描線供給裝置。依此構成，藉掃描線驅動用定電位線構成之導電線部分，使畫像顯示領域及多數資料線於基板上被包圍，因此，畫像顯示領域及多數資料線，亦從時脈信號線等控制信號線被作電氣屏蔽。因此，資料信號供給裝置輸出之資料信號，到達開關元件或畫素電極之資料信號中之高頻時脈雜訊之產生可減少。又，掃描線驅動用定電位線構成之導電線部分，係延設成有餘裕地供給掃描線驅動用電源至畫像顯示領域兩側所設之掃描線供給裝置，故即使掃描線驅動用定電位線構成之導電線部分，或其以外之部分，在掃描線驅動用定電位線產生斷線，不易造成整體裝置之缺陷，此點極有利。經濟部中央標率局員工消費合作社印製本發明第2態樣中較好是，上述資料信號供給裝置具有：對上述畫像信號進行取樣的取樣電路1及依控制信號驅動該取樣電路的資料線驅動電路；上述第1畫像信號群包含之畫像信號線及上述第2畫像信號線群包含之畫像信號線，係於上述資料線驅動電路與取樣電路之間，至少在每一條畫像信號線從上述資料線驅動電路兩側交互配置成梳齒狀。依此構成，第1畫像信號線群包含之畫像信號（例如奇數號資料線對應之畫像信號線V I D 1，3，5，7， ……）及第2畫像信號線群包含之畫像信號線（例如偶數號資料線對應之畫像信號線V I D 2，4，6，8，…… -20- (請先間讀背面之注意事項再填巧本頁) 本紙張尺度適用中國國家棉準（CNS ) A4規格（210X297公釐）五、發明説明<8 ) )’係於至少每一條畫像信號線從資料線驅動電路兩側交互配置成梳齒狀。因此，可於資料線驅動電路周圍將畫像信號或資料線有規則且平衡良好地配線。本發明第2態樣中較好是，上述資料信號供給裝置對上述每一資料線使資料信號之電壓極性反轉，上述第1畫像信號線群包含之畫像信號線及第2畫像信號線群包含之畫像信號線，係以相鄰接2條資料線對應之2條畫像信號線爲對而從上述資料線驅動電路兩側交互配置成梳齒狀。依此構成，藉資料信號供給裝置使每一資料線之資料信號之電壓極性反轉，以進行所謂1 S反轉或點反轉之反轉驅動，減少顯示畫面上之閃爍現象。此處，第1畫像信號線群包含之畫像信號線（例如相鄰接2條資料線對應之畫像信號線VID1，2，5，6 .......)及第2畫像信號線群包含之畫像信號線（例如，相鄰接之2條資料線對應之畫像信號線之VID3，4，7，8 .......)，係以經濟部中央標準局貝工消費合作社印製相鄰接2條資料線對應之2條畫像信號爲對從資料線驅動電路兩側交互配置成梳齒狀。因此，相鄰接之畫像信號線被供給逆極性之畫像信號，同一雜訊源起因之雜訊成分，於兩者間被抵消，對減低雜訊極有利。本發明之第1及第2態之電氣光學裝置可用於電子機器。依此構成，電子機器具備上述本案發明之電氣光學裝置，可減低高頻時脈雜訊等，高品位之畫像顯示爲可能。以下，以實施形態說明本案之作用及其他優點。 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS >A4規格（210X297公釐） 4441 4 7 五、發明説明<9 ) 實施發明之最佳形態。以下*以圖面說明本發明之實施形態。以液晶裝置作爲電氣光學裝置之一例說明本實施形態。第1實施形態 (液晶裝置之構成）以下，依圖1〜圖3說明第1實施形態之構成。圖1 爲包含液晶裝置之實施形態中之T F Τ陣列基板上所設導電線（以下稱屏蔽線）之各種配線，周邊電路等構成之平面圖，圖2爲圖1之屏蔽線之更詳細之2次元布局之平面圖，圖3爲屏蔽線，畫像信號線，及時脈信號線等配線之沿圖2之Α_Α<斷面圖。經濟部中央標準局員工消費合作社印裝於圖1，液晶裝置2 0 0具有例如石英基板，硬玻璃等形成之TFT陣列基板1»於TFT陣列基板1上形成有：矩陣狀之多數畫素電極11;及於X方向配列多數，各向Y方向延伸的資料線3 5 :及於Y方向配列多數，方向X方向延伸的掃描線3 1 ;及介於各資料線3 5與畫素電極1 1之間，依介由掃描線3 1供給之掃描信號控制其間之導通狀態與非導通狀態的開關元件之一例之多數T F T30。又，於TFT陣列基板1上，後述之儲存容量（參照圖9)用之配線之容量線31/(儲存容量電極），係與掃描線31平行地形成。於T F Τ陣列基板1上另形成有構成資料信號供給裝 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 444147 五、發明説明2(0 ) 置之一例之取樣電路3 0 1及資料線驅動電路1 0 1，及掃描線驅動電路1 0 4。又，在多數畫素電極1 1所界定之畫像顯示領域（即，依實際液晶之配向狀態變化，畫像顯示之領域）之上邊|設有連接畫像顯示領域兩側所設掃描線驅動電路1 0 4間用的多數配線1 〇 5，於畫像顯示領域之4角，設上下導通材1 0 6俾使TF T陣列基板1 與對向基板之間成電導通。以下在圖1〜圖3之說明中，介由沿TFT陣列基板1之下邊設置之多數外部輸入端1 0 2輸入之信號名稱，及其信號配線，爲容易說明分別於信號及配線之後附記同一英文記號（例如對信號名稱""時脈信號CLK〃，其信號配線稱、配線CLK# )。掃描線驅動電路1 0 4，係使用由外部控制電路介由外部輸入端：L 0 2及配線VS SY及VDDY供給之掃描線驅動電路用負電源V S SY及正電源VDDY作爲電源，依掃描線驅動電路用之起動信號DY之輸入使內藏移位暫存器電路起動。依據介由外部輸入端1 0 2及配線 C LY及C LY /供給之掃描線驅動電路用基準時脈信號 C L Y及其反轉時脈信號C LY >產生之特定時序，將脈衝式掃描信號依線順序施加於掃描線31。資料線驅動電路1 0 1，係使用由外部控制電路介由外部輸入端1 0 2及信號配線VS SX及VDDX供給之資料線驅動電路用負電源VS SX及正電源VDDX作爲電源，依資料線驅動電路用之起動信號DX之輸入使內藏移位暫存器電路起動。依據介由外部輸入端1 0 2及配線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐）請先閱背 1¾ 之注意事項頁經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 -23- 經濟部中央標準局員工消费合作社印«. 444 彳 4 7 ___B- 五、發明説明2(1 ) — »^~'~~ C L X及L C X —供給之資料線驅動電路用基準時脈信號 CLX及其反轉時脈信號CLX-將取樣電路驅動信號供至取樣電路驅動信號線3 0 6。取樣電路3 0 1 ’依各資料線3 5具備TFT3 0 2 ，配線VID1〜VID6接TFT302之源極，取樣電路驅動信號線3 0 6接TFT3 0 2之閘極。介由外部輸入端1 0 2及配線V I D1〜V I D6供給之例如6相序列一並列轉換之畫像信號V I D 1〜VI D6，係介由取樣電路驅動信號線3 0 6，響應於由資料線驅動電路 1 0 1供給之取樣電路供給信號而於取樣電路3 0 1被取樣’取樣之畫像信號V I D1〜V I D6，係依序施加於 6個鄰接資料線3 5形成之各群。如上述|資料線驅動電路1 〇 1及取樣電路3 〇 1，係將6相序列一並列轉換之畫像信號v I D 1〜V I D 6 作爲資料信號供至資料線3 5。本實施形態中係採用，同時選擇鄰接之6個資料線3 5連接之取樣電路3 ◦ 1，依 6個資料線3 5形成之群依序傳送之方式。但亦可選擇1 條資料線3 5，同時選擇鄰接2，3........ 5條或7條以上亦可。又，供至資料線3 5之畫像信號之序列一並列轉換數不限6相，構成取樣電路3 0 1之TFT 3 0 2之寫入特性好的話，5相以下亦可。畫像信號之頻率高的話 ’亦可增爲7相以上。此時，至少畫像信號之序列一並列轉換數之畫像信號用外部輸入端1 〇 2及畫像信號線爲必要。 (請先閱讀背面之注意事巩本頁) -裝_ 訂本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4現格（210X297公ft ) - 24 - 444 彳 4 7

IT 經濟部中央標準局員工消費合作社印製五、發明説明农 1 I 如圖 2所示資料線驅動電路 1 0 1 具有起動信 Μ 1 1 | D X輸入時，開始依基準時脈信號 C L X 及其反轉時脈信 1 1 疏 C L K ~依序產生傳送信號的移位暫存器電路 1 0 1 a I •1 4 f 及對來自移位暫存器電路 1 0 1 a 之傳送信號作波形整先閱 1 形，緩衝後介由取樣電路驅動信號 3 0 6 供至取樣電路基Λ 背面 I 3 0 1 的波形控制電路 1 0 1 b 及緩衝電路 1 0 1 C 〇又 ί 1 1 | > 於取樣電路3 0 1 » 對應 6 相序列 — 並列轉換之畫像信事項再, 1 J 號 VI D 1〜V I D 6 T F T 3 0 2 各 6 個分別連接各本取樣電路驅動信線 3 0 6 0 即 T F Τ 3 0 2 構成之開頁 s_-· 1 1 關 S 1 S 6，由左起連接第 1 條取樣電路驅動信號線 1 1 3 0 6 開關S 7 S 1 2 由左起連接第 2 條取樣電路驅 I 動信號線 3 0 6 開關 S η — 5 S η 連接右端之取樣電 1 訂. 路驅動信號線3 0 6 〇 ! 1 本實施形態中特別如圖 1 及圖 2 所示於 T F T 陣列 1 1 基板1 配置有兼作負電源 V S S X 用配線 V S S X 之定電 1 位屏蔽線 8 0及兼作正電源 V D D X 用之配線 V D D X 的 V、 I 位屏蔽線 8 2° 藉由屏蔽線 8 0 及 8 2 配線 V I D 1 1 1 V ID 6 由配線 C L X 及 C L X - 作電氣屏蔽〇因此即 1 f 使時脈信號C L X 之頻率高時亦可減低由配線 C L X 及 1 1 C LX 混入配線 V I D 1 V I D 6 之尚頻時脈雜訊〇 1· I 又掃描線驅動用時脈信號 C L Υ ( 及其反轉時脈信 1 [ I P|# m CL Y 。之頻率和資料線驅動用之上述時脈信號 1 1 c LX ( 及其反轉時脈信號 C L X ) 比較極低 0 因此 1 1 對於時脈信號C L Y 及 C L Y 高頻時脈雜訊較少成爲 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家揉準{CNS ) A4規《格（2丨OX297公釐） .〇5 - 44414 7 Λ'

IT 五、發明説明蚱）問題。但是，本實施形態中，如圖1及圖2所示，藉由屏蔽線80及82，使配線VID1〜VID6亦由配線 CLY及CLY <作電氣屏蔽。即，由外部輸入端1 0 2 延設，兼作資料線驅動電路1 〇 1之負電源VS SX之屏蔽線8 0，係沿設於對向基板2之遮光性周邊接合面5 3 下，配線成包圍畫像顯示領域。因此，不僅畫像信號用之配線V I D 1〜V I D6，就連介由取樣電路3 0 1之 TFT3 0 2資料信號被寫入之資料線3 5之經由周邊電路混入之雜訊亦可減少。特別是本實施形態中，將配線V S S X及VDDX分別延伸成屏蔽線8 0及8 2，外部輸入端或配線之共同爲可能，可實現裝置構成之簡略化及省空間化。又，屏蔽線 8 0及8 2之電位，藉由與定電位線之共用，容易設爲定電位。但是，電源用配線與屏蔽線分別配線亦可。經濟部中央標準局員工消費合作社印製又，驅動資料線驅動電路1 0 1及掃描線驅動電路 1 0 4之電源電壓相同時|正電源電位（正電位）之 VDDX及VDDY，負電源電位（負電位）之VSSX 及VSS共同亦可。採用此種構成時，外部輸入端及由其延伸之配線可減少，極有利。本實施形態中，如圖2所示，負電源V S S輸入之外部輸入端1 0 2有2個，配線VS SX亦有2個》配線 VID1〜VID6，藉由負電源VSSX電位之屏蔽線 8 0，於TFT陣列基板1上被包圍。特別是，於移位暫存器電路1 0 1 a與波形控制電路1 0 1 b之間，設有以 -26- {讀先閱讀背面之注意事項再填艿本頁} 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 444 1 4 7 Λ7 五、發明説明料）和資料線3 5相同之A1等金屬層形成之屏蔽線8 0。延伸之屏蔽線8 0之前端部，如後述般介由第1層間絕緣層於A 1等金屬層下方，介由例如和掃描線3 1相同之多晶矽等導電性層形成之屏蔽線連接部8 1，如包圍波形控制電路1 Ο 1 b及緩衝電路1 〇 1 c般連接屏蔽線8 0。另方面，如圖2所示，配線CLX及CLX<，並鄰接資料線驅動電路1 Ο 1之部分，藉由正電源VDDX電位之屏蔽線8 2，而於導線1上被包圍。特別是，在波形控制電路1 Ο 1 b與緩衝電路1 〇1 c之間，亦設有由和資料線3 5相同之A 1等金屬層形成之屏蔽線8 2，其前端部，係介由例如和掃描線3 1相同之多晶矽等導電層形成之屏蔽線連接部8 3包圍波形控制電路1 0 1 b及畫素電極1 0 1 a般地連接於屏蔽線8 2。經濟部中央標準局負工消費合作社印裝因此，配線VID1〜VID6，於TFT陣列基板 1上被從配線CLX及CLX —作二重屏蔽之構成被採用，對畫素電極1 0 1 a及波形控制電路1 〇 1 b及緩衝電路10 1 c之屏蔽信賴性亦可提高》但是，若不採用此種構成，而在配線CLX及CLX<與配線VID1〜 V I D 6之間存在屏蔽線8 0或8 2之至少一條之構成的話，多少可得屏蔽效果。本實施形態中，如圖1反圖2所示，配線V I D 1〜 VID6，與配線CLX及CLX*·，於TF 丁陣列基板 1上採用相對資料線驅動電路1 0 1爲反向（即’前者爲順時針方向，後者爲逆時針方向）之配線。因此’其配線本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公楚) .〇7 - _ 44414 7 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 Λ7 五、發明説明蚱）間之全體距離變大，而且，因其配線間存在之資料線驅動電路1 0 1使傳達於配線間之電磁波減少，即使時脈信號 C L X及C L X -之頻率高時，亦可更減低由配線C L X 及CLX ~混入配線V I D1〜V I D6之高頻時脈雜訊。又，配線CLX及CLX —，與配線VID1〜 V I D6之配置，其方向互換亦可。即，配線CLX及 CLX /以負電源VS S屏蔽，配線V I D 1〜V I D6 以正電源VD D屏蔽亦可。又，若不採用相反方向配線之構成，而採用於配線CLX及XLX —，與配線VID1 〜V I D 6之間至少存在1條屏蔽線8 0或8 2之構成，亦多少可得屏蔽效果。本實施形態中，時脈信號C LX及C LX >用外部輸入端1 0 2，及畫像信號V I D 1〜V I D6用外部輸入端102 ’及負電源VSSX用，正電源VDDX用及起動信號DX用之3個外部輸入端1 〇 2，互相隔以特定間隔而配置。較好是，於TF T陣列基板1之周邊部，在外部輸入端1 0 2形成可能領域，儘可能使時脈信號C L X 及XLC<用外部輸入端1〇2，及畫像信號VID1〜 V I D 6用外部輸入端1 〇 2互爲分離配置，至少1個以上之外部輸入端1 0 2配置於兩者間。如此構成的話，例如和畫像信號線與時脈信號線鄰接配置之場合比較，可減低由時脈信號用配線混入畫像信號用配線之高頻時脈雜訊〇本實施形態，如圖1及圖2所示，藉屏蔽線80，畫 I ί ^^^1 ^^^1 li 士^, ^^^1 G (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） -28- 經濟部中央標準局舅工消費合作社印聚 44414 7

Λ7 FP 五、發明説明蚱）像顯示領域及多數資料線3 5，於TFT陣列基板1上被包圍。因此，畫像顯示領域及多數資料線3 5亦屏蔽於配線CLX及CLX*·。因此，資料線驅動電路10 1輸出之取樣電路驅動信號，到達TF T 3 0或畫素電極11之資料信號中之高頻時脈雜訊之混入可減少。又，不採用上述包圍畫像顯示領域之構成，而採用將包含取樣電路 3 0 1之配線V I D 1〜V I D 6藉由屏蔽線8 0或8 2 予以屏蔽之構成，亦可得屏蔽效果。如圖3之斷面圖所示，包含屏蔽線8 0及8 2之外部輸入端1 0 2所接各種配線DY，V S SY........ VDDX，係由例如A 1等和資料線3 5相同低電阻之金屬材料形成。因此，即使屏蔽線8 0及8 2之配線領域較長，控制信號8 0及8 2之電阻亦可抑制在極低之實用上。即，如圖2所示，可利用其他各種配線或畫素電極 1 0 1 a及Z字形以增長長度，及，可在包含畫像顯示領域之寬領域增長屏蔽線8 0之配線。如此藉由簡單之構成，可提高全體之屏蔽效果。又，如圖3所示，包含屏蔽線 8 0及8 2之外部輸入端1 0 2所接各種配線DY， V S S Y - ....... VDDX，係形成於TFT陣列基板1 所形成之第1層間絕緣層4 2上，即同一層上。因此，屏蔽效果可佳。又，如此構成時，於液晶裝置2 0 0之製程中，各種配線DY ’ V S SY ........ VDDX，可以例如A 1層等相同低電阻金屬層，以同一製程一次形成，製造上有利* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}

本紙張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格(2I0X297公t ) -29- *+ 蚪 Μ·丨 q· / ___Β1 五、發明説明^ ) 又’圖1〜圖3之外部輸入端102輸入之信號 L C COM ’爲共用電極之電源信號，介由配線 L C C OM及上述上下導通材χ 〇 6供至後述對向基板上設置之共用電極（參照圖1〇)。第二實施形態以下’說明第2實施形態。第2實施形態和第1實施形態具同樣構成’對相同構成附加相同符號，省略其說明。僅說明不同之點如下。 (液晶裝置之構成）經濟部中央標準局員工消费合作社印策以下，以圖4〜圖8說明之。圖4爲液晶裝置之實施形態中之T F T陣列基板上所設包含屏蔽線之各種配線，周邊電路等構成之平面圖，圖5爲圖4之屏蔽線之更詳細之2次元布局之平面圖，圖6 (a)及（b)爲圖5之畫素電極之電路圖（a )及時序圖（b )，圖7爲圖6之形成於TF T陣列基板上之屏蔽線，畫像信號線及時脈信號線配線之A — A >斷面圖及B — B <斷面圖，圖8爲圖1 之畫像信號線之2次元布局之一例之槪略平面圖（圖8( a))及其他例之槪略平面圖（圖8 (b) ) » 取樣電路301，於各資料線35具TFT302, 配線VID1〜VID12接TFT302之源極，取樣電路驅動信號線3 0 6接TF T 3 0 2之閘極。介由外部輸入端1 0 2及配線V I D 1〜V I D 1 2供給之例如 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210Χ297公釐} 444 彳 4 7 Ί 經濟部中央標準局負工消费合作社印製五、發明説明 ) 1 I 1 2 相序列並列轉換之畫像信號 V I D 1 V I D 1 2 > 1 I | 係介由取樣電路驅動信號線 3 0 6 » 依由資料線驅動電路 1 1 1 0 1 供給之取樣電路驅動信號 f 於取樣電路3 0 1 作取許 1 L 樣 » 取樣之畫像信 Pjte m V I D 1 V I D 1 2 依序施加於先 Μ 1 1 1 2 鄰接之資料線 3 5 構成之群〇 Vi 背 1 I 如上述 9 資料線驅動電路 1 0 1 及取樣電路 3 0 1 I 之注 $ 1 I 係將 1 2相序列 — 並列轉換之畫像信號 V I D 1 事項 1 —- V I D 12 供至資料線 3 5 〇本實施形態中，係以 1 2 條本爲 — 群供給畫像信號但和實施形態 1 同樣不限定爲 1 2 頁 1 1 條〇實施形態中特別是如下所述從資料線驅動電路 1 I 1 0 1 兩側配置配線 V I D 1 V I D 1 2 故即使線數 ( 1 1 序列並列轉換數 ) 多數在 T F T 陣列基板 1上亦可良好 1 訂 I 配線 0 又，畫像信號之序列一並列轉換數及取樣電路 1 1 3 0 1 同時選擇之數相等之構成亦可或前者較後者多亦 1 1 可〇 1 1/ 如圖5 所示資料線驅動電路 1 0 1 係具備 ; 當起動 Λ I 信 Prfe· 號 D X輸入時開始依序產生響應於基準時脈信號 1 1 I C L X 及其反轉時脈信號 C L X - 之傳送信號的畫素電極 1 1 1 0 1 a ，及將來白畫素電極 1 0 1 a 之傳送信作波形 ί 1 整形緩衝後介由取樣電路驅動信號 3 0 6 供至取樣電路 I 3 0 1 的波形控制電路 1 0 1 b 及緩衝電路 10 1 C 0 又 i I 1 取樣電路 3 0 1 9 係與 1 2 相序列一並列轉換之畫像信 1 1 號 V I D 1 V I D 1 2 對應地 T F T 3 0 2 各 1 2 個 1 1 分別並接各取樣電路驅動信號線 3 0 6 〇即，T F T 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） .31 . 444 t 4 7 五、發明説明扣） 3 構成之開關S 1〜S 1 2由左起接第1條取樣電路驅動信號線306，開關S1 3〜S24由左起接第2條取樣電路驅動信號線306，開關Sn— 1 1〜Sn接右端之取樣電路驅動信號線3 0 6。圖5之能動信號（控制信號）ENB1及ENB2，輸入設於波形控制電路 1 〇 1 b內之能動電路。該能動電路，係將畫素電極 1 〇 1 a依序輸出之脈寬限制於驅動信號ENB 1及 ΕΝ B 2之脈寬，據以控制取樣電路3 0 1之選擇期間。依此，資料線以1 2條分分離而從同一配線（V I D1〜 V I D 1 2 )接受畫像信號之資料線3 5間之重像之產生可防止。因此，能動信號ENB1及ENB2，和時脈信號CLX及CLX 1相同，屬於具較水平掃描期間爲短周期之高頻控制信號。另一方面，輸入畫素電極1 0 1 a之起動信號DX，和時脈信號CLY及CLY< ，或輸入掃描線驅動電路側之移位暫存器之起動信號DY相同，屬於具不較水平掃描期間爲短周期之低頻控制信號。經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝參照圖6具體說明畫素電極1 0 1 a之電路構成及動作。圖6 ( a )爲包含能動電路之移位暫存器電路之電路圖，圖6 ( b )爲該移位暫存器電路中之各種信號之時序圖。首先，圖6 (a)中，對應畫素電極101a之各段輸出分別設能動電路1 1 2。畫素電極1 0 1 a之各段構成爲包含2個同步反相器俾於特定周期之基準時脈信號 CLX及其反轉時脈信號CLX <之2値位準變化時將傳 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 44414 7 五、發明説明$〇 ) 送信號回授傳至次段據以對應於右方向（由左向右之方向 )之傳送方向使各段之傳送信號依序輸出。又，能動電路 1 1 2，係將畫素電極1 〇 1 a —奇數段輸出之傳送信號之脈寬限制於第1能動信號ENB 1之脈寬之同時，將偶數段輸出之傳送信號之脈寬限制於第2能動信號E NB 2 之脈寬，由取傳送信號與能動信號ENB 1或ENB 2間之排他邏輯積的NAND電路，及使其結果反轉之反相電路構成。於畫素電極1 0 1 a，傳傳送信號之傳送開始之信s^D.X由圖中左側輸入。當以圖6 (b)之時序圖所示時序|信號DX，時脈信號CLX及其反轉信號CLX^，及第1及第2能動信號ENB 1及ENB 2輸入時，由上述構成之移位暫存器電路1 0 1 a ，僅延遲時脈信號CLX之半周期分之傳送信號被依序輸出。如此則藉由能動電路1 1 2，該傳送信號之脈寬被限制於信號ENB 1及ENB 2之脈寬，由較時脈信號C L X之脈寬窄之脈寬形成之取樣電路驅動信號

Ql ，Q2，Q3........Qm (其中m爲奇數），介由經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝圖2之波形控制電路1〇1b及緩衝電路1〇1c依序供至取樣電路3 0 1。本實施形態中特別是，如圖4及圖5所示，於T F 丁陣列基板1上配置有：兼作負電源V S S X用之配線 V S SX的定電位屏蔽線8 4，及兼作負電源V S SY用之配線V S S Y的定電位屏蔽線8 5，及兼作正電源 VDDX用之配線VDDX的定電位屏蔽線8 6，及兼作 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210XW7公釐） 444 彳 4 7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 Λ7 ________ B'五、發明説明幻）正電源VDDY用之配線VDDY的定電位屏蔽線8 7。藉由屏蔽線84，85，86，87 ’畫像信號線之配線 VID1〜VID12被從配線CLX’ CLX<，配線 EnB1 ，及ENB2作電屏蔽。因此’時脈信號信號 C L X頻率高時，可減少由高頻控制信號之配線c L X及 x L C "，配線ENB1，及ENB2混入配線VID1 〜VI D1 2之高頻時脈雜訊》而且，如圖4及圖5所示，構成第1畫像信號線群之 —例之奇數號畫像信號線VID1，3 ’ 5 ’ 7，9及 11，係朝TFT陣列基板1上之資料線驅動電路101 之X方向配線，構成第2畫像信號線群之—例之偶數號之畫像信號線VI D2 1 4，6，8，10，及12，係朝與丁FT陣列基板1上之資料線驅動電路101之X方向之相反方向配線。因此，例如藉由進行1 2相之序列一並列轉換等較多相之序列一並列轉換，來降低供至取樣電路 3 0 1之畫像信號V I D 1〜1 2之頻率，對多數配線 VID1〜12，可於資料線驅動電路101兩側平衡狀況良好等配置。結果，取樣電路3 0 1及資料線驅動電路 1 0 1構成之資料信號供給裝置之形成領域於TFT陣列基板1上容易確保。因此可實現有限基板尺寸之畫面之大型化。本實施形態中，如圖5所示，藉定電位屏蔽線8 4 ’ 使畫像信號線之配線V I D 1〜1 2被從供給屬於高頻控制信號之時脈信號CLX及CLX >及能動信號ENB 1 請先閲讀背 * 之注項 1¾ 訂. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨0X297公釐） -34- Λ7

_ FT 五、發明説明^ ) 及ΕΝΒ 2之高頻控制信號線之配線C LX及C LX —及配線ΕΝΒ 1及ΕΝΒ 2作電氣屏蔽。因此，即使時脈信號頻率高時，亦可減低由高頻控制信號線混入配線 V I D 1〜1 2之高頻時脈雜訊。另一方面，對屬於低頻控制信號之起動信號DX及DY，及時脈信號C LY， CLY —，不會造成配線VID1〜12上之畫像信號，或依其供給之資料線3 5上之資料信號中之高頻雜訊。因此，低頻控制信號之配線DX，DY，CLY及CLY> ，以定電位屏蔽線屏蔽亦可，不屏蔽亦可。本實施例中，如圖5所示，於右側，配線VI D1，3 ........ 11，係藉定電位配線VDDY形成之屏蔽線8 7從配線DY， CLY及CLY—作電屏蔽，於左側，配線VID2，4 ，……，1 2則藉定電位配線V S S Y形成之屏蔽線8 5 而從配線DY作電屏蔽。又，藉屏蔽線8 5使配線 ▽101〜12從配線又作電屏蔽。經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 {請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 又，本實施形態中，X方向側（奇數號）之畫像信號線群之中位於接近高頻控制信號線之配線C L X及C L X 一側之配線VID11，因配線VSSX及VDDX構成之2條屏蔽線8 4及8 6之存在，從配線C LX及 C L X <隔開，作電屏蔽·>又，X方向之相反側（偶數號 )之畫像信號線群之中位於接近高頻控制信號線之配線 CLX及CLX>側之配線VID12，因配線VSSX 構成之1條屏蔽線8 4及低頻控制信號線之配線DX之存在，而從配線C LX及C LX '作隔離及電屏蔽。即，將本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) A4規格（210X29?公瀣） .35 - 444 彳 4 7 Λ7 Η'____ 五、發明説明$3 )

屬於不成爲畫像信號或資料信號中之高頻雜訊原因之低頻控制信號線之配線DX，及屏蔽線8 4配置於高頻控制信號線之配線CLX及CLX**與配線V Ϊ D1 2之間’如此可使配線CLX及CLX -對V I D 1 2之時脈雜訊之不良影響更降低。一般，電磁波隨距離及障害物之存在而減少，因此在配線CLX及C LX >或配線ENB 1及 ΕΝ B 2與配線V I D 1〜1 2之間儘量配置多之屏蔽線 (配線84，85，86，87等定電位配線）或低頻控制信號線（配線DX，DY，CLY ’ CLY^·等低頻控制信號供給之配線），藉此種構成，可減少產生時脈雜訊之電磁波，減少時脈雜訊。如此般，將屏蔽線及低頻控制信號線置於高頻控制信號線與畫像信號線之間，對TFT 陣列基板1上之空間有效利用及雜訊減低觀點而言是有利〇經濟部中央榡準局員工消費合作社印製又，如圖5所示，本實施形態中，於T F T陣列基板 1之周邊部，接配線V I D 1〜1 2之外部輸入端1 〇 2 配置於兩側，於其間將連接配線ENB1，ENB2， CLX<，及CLX之外部輸入端102集中配置。於連接配線V I D 1 2之外部輸入端1 0 2與連接配線 ΕΝΒ 1之外部輸入端1 〇 2之間，配置連接屏蔽線8 4 (配線VSSX)之外部輸入端1〇2。又，在連接配線 V I D 1 1之外部輸入端1 〇 2與連接配線C LX之外部輸入端1 0 2之間，配置連接屏蔽線8 4 (配線VS SX )之外部輸入端1 0 2。因此，在配線V I D 1〜1 2與 -36- 本紙張尺度適用中國國家標隼（CMS ) Α4規格（210Χ297公釐} 44414 7 五、發明説明64 ) 配線ENB1 ’ ENB2 ’ CLX'及CLX之間配置屏蔽線8 4之構成容易獲得。特別是，在液晶裝置2 0 0之輸入之前段，例如由顯示資訊處理電路等外部電路朝液晶裝置2 0 0之配線之中，時脈信號CLX等對畫像信號 V I D 1〜1 2產生時脈雜訊等之現象可有效防止。如此般依本發明，於輸入液晶裝置2 0 0之前後，可減低由時脈信號用配線混入畫像信號用配線之高頻時脈雜訊。又，更好爲，於TF T陣列基板1之周邊部，在外部輸入端 1 0 2形成可能領域，將配線v I D 1〜1 2之外部輸入端儘量偏兩側（X方向及其相反側）配置，同時，與中央集中配置之配線CLX >等用之外部輸入端1 0 2之間儘量隔開間隔，於其間配置屏蔽線8 0等用之外部輸入端 10 2 = 本實施形態中，將配線VS SX，VS SY， VDDX及VSSY分別延伸設成屏蔽線84，85，經濟部中央標準局員工消费合作社印製 8 6，8 7，使外部輸入端或配線可共用，以達成裝置構成之簡略化及省空間化。又，屏蔽線84，85，86，及8 7之電位，藉由與定電位線之共用，容易設成έ電位。但是，電源用配線與屏蔽線各別配線亦可。本實施形態中，如圖5所示，輸入負電源V S S X之外部輸入端102設2個。配線VID1〜VID12，藉設爲負電源V S S X電位之屏蔽線8 4包圍於T F Τ陣列基板1上。特別是，畫素電極1 0 1 a與波形控制電路 1 0 1 b之間，亦延設有與資料線3 5相同之A 1等金屬 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS 現格（210X297公釐） 444 彳 4 7 A7 五、發明説明$5 ) 層形成之屏蔽線8 4。延設之屏蔽線8 4之前端部，如後述般介由第1層間絕緣層於A 1等金屬層下方，例如與掃描線31相同地介由多晶矽等導電性層形成之屏蔽線連接部8 1，如包圍波形控制電路1 〇 1 b及緩衝電路 101c般連接屏蔽線84。另一方面，如圖5所示，配線CLX及CLX—，於鄰接資料線驅動電路1 〇 1之部分，係藉設爲正電源 VDDX之電位之屏蔽線8 6，於TFT陣列基板1上被包圍。特別是，在波形控制電路1 Ο 1 b與緩衝電路 101 c之間，延設與資料線35同樣由A1等金屬層形成之屏蔽線8 6，其前端部，係介由例如與掃描線3 1同樣由多晶矽等導電性層形成之屏蔽線連接部8 3，包圍波形控制電路1 0 1 b及畫素電極1 〇 1 a般地連接屏蔽線 8 6° 因此，採用配線VID1〜VID12，於TFT陣列基板1上從配線CLX及CLX> ，及配線ENB1， ENB 1 2被作二重屏蔽之構成，可提高對畫素電極 101a，波形控制電路l〇lb及緩衝電路101c之屏蔽信賴性。但是，不採用此種構成，在配線CLX， CLX^，ENB1 及 ENB2 與配線 VID1 〜 VID12之間至少存在1條屏蔽線84，85，86， 8 7之構成，亦多少可得屏蔽效果。本實施形態中，如圖4及圖5所示，藉屏蔽線8 5，畫像顯示領域及多數資料線3 5，係於T F T陣列基板1 (计先閱讀背面之注意事項再.

A 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝本紙张尺度適用中國圉家標準（CNS ) A4現格（210X 297公釐） -38- 五、發明説明$6 ) 上被包圍。因此，該畫像顯示領域及多數資料線3 5，亦與配線CLX，CLX#，ENB1，及ENB2作電隔離。因此，資料線驅動電路1 0 1輸出之取樣電路驅動信號，到達TFT 3 0或畫素電極之資料信號中之高頻時脈雜訊之產生可減少。但是，不採用此種包圍畫像顯示領域之構成，而採用將取樣電路3 0 1範圔之配線V I D 1〜 VID12藉屏蔽線84，85，86，及87屏蔽之構成，亦多少可得屏蔽效果。此場合由圖4可知*屏蔽線 8 5，係由配線VS SY延設，將電源信號VS SY冗長地供至畫像顯示領域兩側所設掃描線驅動電路1 0 4般地延設。因此，即使屏蔽線8 5或配線VS SY產生斷線，亦不致造成裝置缺陷，此點爲有利。如圖7 (a)及（b)之斷面圖所示，接外部輸入端 1 0 2之各種配線DY，VS SY，……，VDDX，係例如A 1等與資料線3 5同一低電阻値金屬材料形成。因此，屏蔽線84 (配線VSSX) ，85 (配線VSSY )，86 (配線VDDX)及87 (配線VDDY)之配線領域，即使較長，各屏蔽線84，85，86，87之電阻亦可抑制於實用上之低値。即，如圖5所示，利用其他各種配線或畫素電極1 0 1 a及波形控制電路1 〇 1 b 及緩衝電路1 0 1 c之間隙，將屏蔽線8 4或8 6配線成較長之Z字型，在包含畫像顯示領域之寬領域可將屏蔽線 8 5配置成較長。藉此種簡單之構成，可提高全體之屛蔽效果。又，如圖7 (a)及（b)所示，各種配線DY，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0乂297公釐）請閱背之注意事項

t 經濟部中央標準局貝工消費合作社印繁 -39- 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裳 /t jI /t 1 Λ Ί

· -T -r i I A? ___________ 五、發明説明$7 ) VS SY ........VDDY係形成於TFT陣列基板1所形成之第1層間絕緣層4 2上，即同一層上。因此，屏蔽效果更能發揮。又，此種構成，在液晶裝置2 0 0之製程中，可將各種配線DY，VS SY........VDDX以例如A 1層等同一低電阻金屬層，以同一工程一次形成，製造上有利。圖8 ( a )爲圖4及圖5之掃描線驅動電路1 0 1與取樣電路3 0 1間之配線V I D 1〜1 2之配線方式之擴大圖。圖中、，奇數號畫像信號線之配線V I D 1，…… 1 1與偶數號畫像信號線之配線V I D2 ........ 12，係於各配線由兩側交互配置成梳齒狀。因此，於資料線驅動電路1 0 1之周圍，配線v I D 1〜1 2及取樣電路驅動信號線3 0 6，可以極佳規則性，且平衡地配線。但是，本實施形態中，爲防止液晶直流驅動引起之劣化，或顯示畫面上之閃爍等，可採用反轉液晶驅動電壓之各種方式，例如場（Field )或幀反轉驅動，掃描線反轉驅動（所謂1H反轉驅動），資料線反轉驅動（所謂1S反轉驅動），點反轉驅動等。此處特別是，1 S反轉或點反轉之於相鄰接資料線間反轉電壓極性進行液晶驅動之場合，比起圖8 ( a )所示在每一條配線VID1〜12配成梳齒狀，如圖8 (b) 所示，以鄰接之2條資料線3 5對應之2條配線V I D 1 及2，5及6等爲1對每隔2條由一方之側（例如右側）起配線之同時，其以外之相鄰接2條資料線3 5對應之2 本紙張尺度適用中國國家標準（〔灿）人4規格（2〗0父297公釐) -40- (請先聞讀背面之注意事項再^!^本頁)

訂 44414 7 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚五、發明説明) 條配線V I D 3及4 ’ 7及8等爲1對每隔2條由逆側（例如左側）起配線之同時，於資料線驅動電路1 〇 1與取樣電路3 0 1之間以2條配線爲1對由兩側起配置成梳齒狀爲較好。此種配線，於T F T陣列基板i上鄰接之各對配線1及2，3及4所供給之畫像信號被設爲道極性供至資料線35，因此存在於該信號中之同一雜訊源引起之雜訊成分，將於成對之兩者間抵消，有助於雜訊之降低。 (液晶裝置之動作）以下’參照圖1說明以上構成之液晶裝置2 0 0之動作。首先，掃描線驅動電路1 0 4，以特定時序將脈衝掃描信號施加於掃描線3 1。與此並行地，由1 2條配線V I D 1〜V I D 1 2接受並列之畫像信號，取樣電路3 0 1對該畫像信號作取樣資料線驅動電路1 〇 1，配合掃描線驅動電路1 〇 4施加閘極電壓之時序，針對1 2條配線V I D 1〜V I D 1 2 ，於每一資料線供給取樣電路驅動信號，使取樣電路 3 0 1之TFT3 0 2成爲ON狀態。依此可對鄰接之 1 2條資料線3 5，依序施加取樣電路3 0 1取樣之資料信號。即，藉資料線驅動電路101及取樣電路301，使由配線V I D 1〜V I D 1 2輸入之1 2相序列一並列轉換之並列畫像信號V I D 1〜V I D 1 2供至資料線 (請先閱讀背面之注意事項再令I- 本頁 -*δ '4. 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -41 - 444 Μ 7 經濟部中央樣隼局貝工消贤合作社印聚 ____ΒΊ 五、發明説明$9 ) .. *· 如此般，介由施加有掃描信號及資料信號之T F T 3 Ο，將電壓施加於畫素電極1 1 «該畫素電極1 1之電壓1係由儲存容量（後述）保持較源極電壓施加之時間長例如3位數之時間。此次，特別是，藉屏蔽線84，85 ，86，87，使配線VID1〜VID12與配線 CLX及CLX< ，及配線ΕΝΒ1，ΕΝΒ2作電氣隔離，故即使時脈信號C L X頻率高時，亦可減低由配線 CLX及CLX/ ，配線ENB1及ENB2混入配線 V I D 1〜V I D1 2之高頻時脈雜訊。如上述般，於畫素電極1 1施加電壓時，液晶層5 0 中之畫素電極1 1與共用電極（後述）所挾持部分之液晶之配向狀態將變化，若爲常白模式，則依施加電壓，射入光不能通過該液晶部分，若爲常暗模式，則依施加之電壓，射入光可通過該液晶部分，全體而言，由液晶裝置 2 0 0射出具響應於畫像信號之對比之光。結果，顯示畫像之解析度高，即使高頻序列之畫像信號V I D 1〜V I D 1 2輸入之場合，可對應地使用高頻之時脈信號C L X，而且不會有因高頻時脈雜訊產生引起畫質劣化之事，高品位之畫像顯示爲可能。而且1 1 2相之序列一並列轉換，以較多相之序列一並列轉換之結果，藉由降低畫像信號之頻率，使以一般性能之取樣電路進行取樣爲可能。 (關於液晶裝置全體構成） (請先聞讀背面之 — -- 項本頁) -丁， -s

A 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐) _a〇 4441 4 7 五、發明説明4〇 ) 以下，參照圖9，圖10，及圖1 1說明第1及第2 實施形態之液晶裝置2 0 0之具體構成。圖9爲液晶裝置 200之畫素部之平面圖，圖10爲圖9之沿B — B <之斷面圖，圖1 1爲沿與周框部分對向配置之液晶裝置之屏蔽線80之斷面圖。又*圖10，圖1 1中，爲使各層或各構件於圖面上爲可辨識程序之尺寸，各層或各構件之縮尺比例不同。此處，如圖9之平面圖所示，容量線3 1 >係於 T F Τ陣列基板1上與掃描線3 1 (閘極）平行地，例如和掃描線3 1同樣地由導電性多晶矽層等形成，介由接觸孔8 0 a接屏蔽線8 0。依此種構成，則可以屏蔽線8 0 兼作使容量線3 1 ~設爲定電位之配線，使容量線3 1 < 設爲定電位之必要之外部輸入端，亦可以屏蔽線8 0用之外部輸入端1 0 2兼用之。經濟部中央標準局負工消費合作社印製於圖1 0之斷面圖中，液晶裝置2 0 0，在設於各畫素之TFT30部分具有：TFT陣列基板1及積層於其上半導體層32，閘極絕緣層33，掃描線31 (閘極），第1層間絕緣層42,資料線35 (源極），第2層間絕緣層43，畫素電極1 1，及配向膜1 2 «液晶裝置 2 0 0另具有例如玻璃基板形成之對向基板2及其上積層之共用電極2 1，配向膜2 2及遮光膜2 3。液晶裝置 2 〇〇另具有挾持於兩基板間之液晶層5 0。此處，首先說明該層之中除T F T 3 0以外各層之構成。 -43- 本紙張尺度逋用中國國家標準{ CNS ) Λ4規格（210X29?公釐） 44414 7 _ B" 五、發明説明41 ) 第1及第2層間絕緣層4 2及4 3，係分別由具 5000〜1 5000A程度厚之NSG (非矽酸鹽玻璃 )，PSG(磷矽酸鹽玻璃），BSG (硼矽酸鹽玻璃），BPSG (硼磷矽酸鹽玻璃）等矽酸鹽玻璃膜，氮化砂膜或氧化矽膜等形成。又，於TF T陣列基板1上，令 T F T 3 0之底層之層間絕緣膜以矽酸鹽玻璃膜，氮化砂膜或氧化矽膜等形成亦可。畫素電極1 1係由例如I T 0膜等透明導電性薄膜形成。此種畫素電極11，係藉測射處理等沈積約50〜 2 0 0 nm厚之I TO膜後，施予光蝕刻，蝕刻製程等而形成。又，將該液晶裝置2 0 0作爲反射型液晶裝置使用時，由A 1等反射率高之不透明材料形成畫素電極1 1亦可。配向膜1 2，係由例如聚酰亞胺薄膜等有機薄膜形成。此種配向膜1 2，係塗布例如聚酰亞胺系塗布液後，施予摩使於特定方向具特定之預傾斜角而形成。經濟部中央標準局貝工消費合作社印製共用電極2 1 ，係於對向基板2之全面形成。共用電極2 1，例如藉濺射處理等沈積約5 0〜2 0 0 nm厚之 I T 0膜後，施予光蝕刻，蝕刻等製程而形成。配向膜2 2，係由例如聚酰亞胺薄膜等有機薄膜形成。此種配向膜2 2，係塗布例如聚酰亞胺系塗布液後於特定方向施予摩擦處理使具特定預傾斜角而形成。遮光膜2 3，設在面對TFT3 0之特定領域。遮光膜23，和上述周框53同樣，.以Cr或Νί等金屬材料 -44- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210X297公釐） 4441 4 7 A? B" 五、發明説明42 ) 藉濺射，光蝕射，蝕刻等形成，或由將碳或T i分散於光阻劑之暗樹脂等材料而形成。遮光膜23，除對TFT 3 0之半導體層（多晶矽膜）3 2遮光外，具有對比提昇，色材之混色防止之功能。液晶層5 0，係在畫素電極1 1與共用電極2 1呈對向般配置之TFT陣列棊板1與對向基板2之間，於密封材5 2 (參照圖5及圖6 )包圍之空間以真空吸引等封入液晶而形成。液晶層50，在未施加來自畫素電極1 1之電場之狀態下，由配向膜1 2及2 2設爲特定之配向狀態。液晶層5 0 ’由例如一種或數種絲狀液晶混合而成。密封材5 0 ’爲將2個基板1及2沿其周邊貼合用之例如光硬化性樹脂或熱硬化性樹脂形成之接著劑，混入有間隔物俾將兩基板間距離設爲特定値。以下，說明TFT3 0之各層之構成。經濟部中央標準局員工消費合作社印製 TFT30具有：掃描線3 1(閘極），藉來自掃描線3 1之電場形成通道之半導體層3 2，使掃描線3 1與半導體層3 2絕緣的閘絕緣層3 3，形成於半導體層3 2 的源極領域3 4，資料線3 5 (源極），及形成於半導體層3 2的汲極領域3 6。於汲極領域3 6，連接多數畫素電極1 1之中對應之一個。源極領域3 4及汲極領域3 6 ，如後述，相對於半導體層3 2，依η型或p型通道之形成，藉摻雜特定濃度之η型或ρ型摻雜劑而形成。η型通道之T F Τ，優點爲動作速度快，作爲畫素之開關元件使用較多。本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4况格（210X297公釐） .45 - 444 1 4 7 五、發明说明43 ) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製構成TFT30之半導體層32，係在例如TFT陣列基板1上形成a_S i膜後’施予退火處理，固相成長約50〜200nm厚而形成。此時，η通道型TFT 30之場合，使用Sb，As ’ P等V族元素之摻雜劑藉離子植入亦可。P通道型T F T 3 0之場合，係使用B， Ga，I a等I I I施元素之摻雜劑藉離子植入形成。特別是 TFT3 0 設定爲具 LDD ( Lightly Doped Dram )構造之η通道型TFT時，於P型半導體層32，在源極領域3 4及汲極領域3 6之中鄰接通道側之一部分藉P等V 族元素摻雜劑形成低濃度摻雜領域，同樣地藉P等V族元素摻雜劑形成高濃度摻雜領域。又，設爲P通道型TFT 30之場合，於η型半導體層32，使用B等I I I族元素之摻雜劑形成源極領域3 4及汲極領域3 6。此種 LDD構造，可減低短通道效應。TFT30亦可設定爲 L D D構造中之低濃度摻雜領域植入離子而成偏移構造之 T F Τ，或採用以閘極爲掩罩將高濃度雜質離子摻入，自動對準地形成高濃度源極及汲極領域的自動對準型T F Τ 。又，將閘極3 1設2個串聯之雙閘構造亦可，閘極3 1 設3個以上串聯亦可。採用此種構成，可減低TF Τ3 0 之0 F F時之漏電流，抑制串訊之產生，提供高品位液晶裝置。閘極絕緣層33，可藉約900〜1 300 t溫度對半導體層3 2施予熱氧化，而形成3 0〜1 5 0 nm程度之較薄之熱氧化膜。如此可形成半導體層3 2與閘極絕緣 -46- 本紙張尺度適用中國囤家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 444147 Λ7 五、發明説明恥）層3 3之界面狀態佳之良質絕緣膜。掃插線3 1 (閘極），係藉減壓CVD法沈積多晶矽膜後，藉光蝕刻，蝕刻等製程形成。或由A 1等金屬膜或金屬矽化物膜形成亦可。此場合下，將掃描線3 1 (閘極 )配置成對應遮光膜3 3覆蓋領域之一部分或全部，藉由金屬膜或金屬矽化物質之持有遮光性，即可省略遮光膜 2 3之一部分或全部。此場合下特別是，具可防止對向基板2與T F T陣列基板1之貼合偏移引起之畫素開口率之降低之優點p 資料線3 5 (源極），係和畫素電極11同樣由 I TO膜等透明導電性薄膜形成亦可，或藉濺射處理等沈積約1 0 0〜5 0 0 nm厚之A 1等低電阻値金屬或金屬砂化物等形成亦可。又，於第1層間絕緣層4 2分別形成通過源極領域 3 4之接觸孔3 7及通過汲極領域3 6之接觸孔3 8。介由接觸孔37，資料線35電連接於源極領域34。又，於第2層間絕緣層4 3，形成通過汲極領域3 6之接觸孔 3 8。介由接觸孔3 8，畫素電極1 1電連接汲極領域 3 6。畫素電極1 1設於第2層間絕緣層4 3之上面。各接觸孔，藉例如反應性蝕刻，反應性離子束蝕刻等乾蝕刻形成，則開口尺寸之微細化爲可能，可實現畫素之高開口率化。又，一般形成有通道之半導體層3 2，光射入時因P 一 s i具有之光電轉換效應而產生光電流，使TFT30 本紙張尺度適用中國國家標準（〇奶）為4規格{2丨0乂297公1> .47- 讀先聞 ιΐ 背面之注意事項再

訂. 經濟部中央標準局貝工消费合作社印装 4441 4 7 ____ ΗΊ 五、發明説明45 ) ,. * 之電晶體特性劣化。但本實施形態中，於對向基板2在與各TFT30對向之位置形成有遮光膜23，故可防止射入光射入半導體層3 2。此外，將閘極從上側覆蓋般以 A 1等不透明金屬薄膜形成資料線3 5，則和遮光膜2 3 同时，或單獨地可有效防止光之射入半導體層3 2 (即，於圖7來自上側之光）。於圖1 0，在畫素電極1 1設儲存容量70。該儲存容量7 0，具體言之爲由：和半導體層3 2以同一製程形成之第1儲存容量電極層3 2 *;和閘絕絕緣層3 2與同一製程形成之絕緣層3 3 和掃描線3 1以同一製程形成之容量線3 1 >(第2儲存容量電極）：第1及第2層間絕緣層42，43 ;及介由第1及第2層間絕緣層4 2 ，4 3面對容量線3 1 >之畫素電極1 1之一部分構成。儲存容量7 0之設置，即使任務比小亦可實現高精細之顯示。經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 (請先閱讀背而之注意事項f填艿本頁) I _ t G~ 如圖1 1之斷面圖所示，面對周框5 3且在多數掃描線3 1之上方之位置，屏蔽線8 0通過第1層間絕緣層 4 2上。該屏蔽線8 0，其大部分爲和上述資料線3 5以同一製程形成之A 1等金屬薄膜形成之低電阻配線<如上述，在液晶裝置2 0 0之製程中屏蔽線8 0及資料線3 5 可一次形成，製造上有利。本實施形態中特別是' TF T 3 0爲多晶砂TFT，在TFT3 0形成時以同一薄膜形成製程，可形成取樣電路30，資料線驅動電路1〇1，掃描線驅動電路1Q4 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) Γα» - 444 彳 4 7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製五、發明説明46 ) 等同樣爲多晶矽TFT至之TFT3 0 2等構成之周邊電路，製造上有利。例如，該周邊電路，可由η通道型多晶矽t f t及Ρ通道型多晶矽TFT構成之互補構造之多數 T F T形成於TF T陣列基板1上之周邊部分* 又，如圖1 0及圖1 1所示，於液晶裝置2 0 0 >在對向基板2之投射光射入側及T F T陣列基板1之投射光射出側*依例如T N (扭轉絲狀）模式，S T N (超扭轉絲狀）模式，D-STN (雙一STN)模式等動作模式 |或常白模式/常暗模式等，於特定方向配置偏光薄膜，相位差薄膜，偏光板等。 (本發明之液晶裝置之全體構成）以下，說明第1及第2實施形態之液晶裝置之全體構成。圖1 2爲液晶裝置全體構成之平面圖，圖1 3爲圖1 2之Η — 斷面圖。如圖12所示，取樣電路301，如圖1及圖4之斜線領域所示，且如圖1 2及圖1 3所示，係於對向基板2上所形成遮光性用框5 3之對向位置，設於TFT陣列基板1上，資料線驅動電路1 0 1及掃描線驅動電路104，係設在未面對液晶層50之TFT陣列基板1之窄，細長周邊部分上。於TF T陣列基板1之上，於畫像顯示領域周圍，使兩基板貼合以包圍液晶層 5 0之密封構件之一例之光硬性樹脂所形成密封材5 2 ’ 係沿畫像顯示領域設置。在對向基板2上之畫像顯示領域 (請先閱讀背面之注意事項再$^本頁)

訂·· -L Μ 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS > Α4規格{ 210Χ297公釐） -49- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 44 彳 4 7 _____________ _ 五、發明説明47 ) 與密封材5 2之間，設遮光性周框5 3。周框5 3，當對應畫像顯示領域設有開口部之遮光性殼體裝入TFT陣列基板1時，該畫像顯示領域不因製造誤差而被該殻體之開口周緣所隱蔽地，即例如相對於T F T 陣列基板1之殻體容許數百// m程度之偏移般，在畫像顯示領域周圍至少具5 0 0 jum以上寬之帶狀遮光性材料所形成者。此種遮光性周框53，可由例如使用Cr，Ni ’ A 1等金屬材料，以濺射法，光蝕刻，蝕刻製程形成於對向基板2，，或由將碳，T i分散於光阻劑之黑樹脂等材料形成。又，在TFT陣列基板1上設遮光性周口框5 3 亦可。將周框5 3內藏於TF 丁陣列基板1上'則不因 T F T陣列基板1與對向基板2之貼合工程時之精度誤差使畫素之開口領域受影響，可維持液晶裝置之透過率於高精度。於密封材5 2外側領域，沿畫像顯示領域下邊，設置資料線驅動電路10 1及外部輸入端（實裝端子）102 ，沿畫像顯不領域左右2邊，掃描線驅動電路1 〇 4設於畫像顯示領域兩側，與密封材5 2具大略相同輪廓之對向基板2，藉由該密封材5 2固著於TFT陣列基板1上。如上述，屏蔽線8 0及取樣電路3 0 1，係設於 TFT陣列基板1之周框5 3之下，故可實現TFT陣列基板1之省空間化，例如，可將掃描線驅動電路1 〇 4或資料線驅動電路1 0 1充分形成於T F T陣列基板1之周邊部分，不會因屏蔽線8 0之形成使液晶裝置2 0 0之有 {請先閒讀背而之注意事項再本頁) 訂· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） .R〇 -

經濟部中央標準局負工消費合作社印笨 4Λ4 1 五、發明説明48 ) 效顯示面積減少。又，上述說明之液晶裝置2 0 0 ’可適用於彩色液晶投影機，因此以3個液晶裝置2 0 0 0分別作爲RGB用燈泡使用，於各面板’以介由RGB色分解用之分色鏡分解成之各色之光作爲射入光射入。因此，於各實施形態中，於對向基板2，不設濾色片。但是，於液晶裝置2 0 0 並未形成遮光層2 3之畫素電極1 1之對向特定領域以 RGB濾色片作爲其保護膜之同時，形成於對向基板2上亦可。或與T F T陣列基板1上之各畫素對應般，藉 RG B之彩色暫存器內藏濾色片層亦可。如此則本實施形態之液晶裝置可適用液晶投影機之以外之直視型或反射型彩色液晶電視等彩色液晶裝置。又，於對向基板2上1畫素1個對應地形成微透鏡亦可°如此則射入光之集光效率佳，可實現亮之液晶裝置。又，於對向基板2上*沈積幾層折射率不同之干擾層，利用光干擾作成RG B色以形成分色濾片亦可。依具該分色濾片之對向基板，可實用更高之彩色液晶裝置。於液晶裝置2 0 0，爲抑制τ F T陣列基板1側之液晶分子之配向不良，於第2層間絕緣層4 3上以旋轉塗布等塗布平坦膜亦可，或施予CMP處理亦可。或將第2層間絕緣膜4 3以平坦膜形成亦可。液晶裝置2 0 0之開關元件，係以正交錯型或共面型多晶矽T F T作說明，但逆交錯型T F T或非晶質矽 TFT等其他形式之TFT，本實施形態亦適用。請閱 ik 背 1¾ 事項

I I 訂本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS > A4ii格（210X297公釐） -51 - 444147 五、發明説明扣) 於液晶裝置2 0 0中，液晶層5 0係以絲狀液晶構成爲例。但是，使用將液晶以微小粒分散於高分子中之高分子分散型液晶的話，配向膜1 2及2 2，偏光板，偏光薄膜可以不要，光利用效率提高，對液晶裝置之高亮度化，低消費電力化有利。又，畫素電極1 1以A 1等反射率高之金屬膜形成，如此則將液晶裝置2 0 0適用於反射型液晶裝置時，可使用在無電壓施加狀態下液晶分子呈略垂直配向之S H ( Super-homeotropic)型液晶等。又，於液晶裝置2 0 0 t在對向基板2之側設共用電極2 1以對液晶層5 0施加垂直電場（縱電場），但亦可由一對橫電場產生用電極來構成畫素電極1 1 (即，不在對向基板2之側設縱電場產生用電極，而在TFT陣列基板1之側設橫電場產生用電極）以對液晶層5 0施加平行電場（橫電場）。使用橫電場時，較使用縱電場，更能擴大視野角，爲極有利。此外，本實施形態可適用各種液晶材料（液晶層），動作模式，液晶配列，驅動方法等。經濟部中央標準局貝工消費合作社印製上述說明之實施形態中，亦可於周框5 3下或TFT 陣列基板1之周邊部設預充電電路，檢測電路等周邊電路。預充電電路，係以對比提昇，資料線3 5之電位水準安定，顯示畫面上之線誤差之減少爲目的，對資料線3 5 , 以先行於來自資料線驅動電路101之資料信號之時序，供給預充電信號’俾減低將資料信號寫入資料線3 5時之負載的電路。例如特開平7 - 2 9 5 5 2 0號公報揭示此種預充電電路之一例。另一方面，檢測電路，係於周框 -52- 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210';<297公1 > 4 44 1 4 7 FT _ 五、發明説明$0 ) 5 3下或T F T陣列基板之周邊部，檢測製造中途或出廠時該液晶裝置之品質，缺損等之電路。又，於上述實施形態中，取代TFT30，以TFD (Thin Film Diode )等2端子型非線性元件等構成開關元件亦可。又，取代石英基板，硬玻璃等，於矽基板構成開關元件亦可。此場合下，使資料線及掃描線之中一方之線配置於對向基板作對向電極之功能，在設於T F T陣列基板之另一方之線與畫素電極之間配置開關元件驅動之=此種構成下，將畫像信號線或資料線從時脈信號線作電屏蔽，以發揮防止高頻時脈雜訊之混入畫像信號或資料信號之效果。上述實施形態係以液晶裝置爲例作說明，但並不限於液晶裝置，亦可適用電致發光，電漿顯示器等各種電氣光學裝置。 (電子機器）以下，參照圖1 4〜圖1 8說明具上述液晶裝置 2 0 0之電子機器之實施形態。經濟部中央標準局負工消费合作社印製圖1 4爲具液晶裝置2 0 0之電子機器之槪略構成。於圖1 4，電子機器具有：顯示資訊輸出源1 〇〇〇，顯示資訊處理電路1002，躔動電路1〇〇4，液晶裝置200，時脈產生電路1008，及電源電路 1 0 1 0。顯示資訊輸出源1000包含：ROM， RAM，光碟裝置等記憶體，調諧電視信號輸出的調諧電路等，依時脈產生電路1 0 0 8之時脈信號，將特定格式 -53- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐> 4441 4 7 經濟部中央榡準局貝工消费合作社印聚 Λ7 五'發明説明0 ) 之畫像信號等顯示資訊輸出至顯示資訊處理電路1 0 0 2 。顯示資訊處理電路1 0 0 2係由：放大·極性反轉電路，序列一並列轉換電路，旋轉電路，伽馬補正電路，柑位電路等周知之各種處理電路構成，依時脈信號由輸入之顯示資訊依序產生數位信號，將之與時脈信號C L K同時輸出至驅動電路1004。驅動電路1004，驅動液晶裝置200。電源電路1010，對各電路供給特定電源。又，構成液晶裝置2 0 0之TFT陣列基板1之上，可搭載驅動電路1 0 0 4，亦可另搭載顯示資訊處理電路 1 0 0 2。以下，圖1 5〜圖1 8分別爲此種構成之電子機器之具體例。於圖1 5，電子機器之一例之液晶投影機1 1 00，係準備包含在T F T陣列基板上搭載有上述驅動電路 1 0 0 4之液晶裝置2 0 0的液晶模組3個，分別作爲 RGB用之燈泡200R，200G及200B而構成投影機。於液晶投影機1 i 0 0，當由金屬鹵化物水銀燈等之白色光源之燈泡單元1 1 0 2發出投射光時，藉3片鏡片1 1 0 6及2片分色鏡1 1 〇 8，分解成RGB 3原色對應之光成分R，G ’ B，並分別導入各色對應之燈泡 200R，200G，及200B ^此時，特別是b光，爲防止長光路引起之光損失，而介由射入透鏡1 1 2 2，中繼透鏡1 1 2 3，及射出透鏡1 1 2 4形成之中繼透鏡系1 12 1導入。藉燈泡200R，200G，及 (讀先閱讀背面之注意事項再本頁)

訂·- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ2ί>7公釐） -54- 4441 4 7 五、發明説明鉍） 2 Ο Ο B調變之3原色對應之光成分，再度經由分色透鏡 1 1 1 2合成後，介由投射透鏡將彩色畫像投射於螢幕 112 0° 本實施形態中特別是，如上述般將遮光層亦設於 TF T之下側時，當來自該液晶裝置2 0 0之射入光，於液晶投影機內之投射光學系產生之反射光|射入光通過時之來自於T F T陣列基板表面之反射光 > 或由其他液晶裝置射出後突出於分色稜鏡1 1 1 2之射入光之一部分（R 光及G光之=部分）等，即使以回折光射入T F T陣列基板之側時，亦可充分進行對畫素電極之開關元件用之 T F T等之通道之遮光。此場合下，即使使用於小型化稜鏡之投射光學系時•在各液晶裝置之T F T陣列基板與稜鏡之間；不需貼付回折光防止用之AR濾色片，或於偏光板施予AR被膜處理，可實現構成小型化，簡易化•極有利。經濟部中央標準局貝工消费合作社印聚於圖1 6，電子機器另一例之多媒體對應之膝上型個人電腦（PC) 1200，上述液晶裝置200備於頂蓋內，另具本體1204收容有CPU，記億體，數據機等，及鍵盤1 2 0 2。於圖17，電子機器之另例之呼叫器1300，係在金屬框1 3 0 2內收容有：於TFT陣列基板搭載有驅動電路1 0 0 4而構成液晶模組的液晶裝置2 0 0 :包含背照燈1306的燈源1306:電路基板1308;第1 及第2屏蔽板1310及1312;2個彈性導電體 -55- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格{ 210X2517公釐） 44414 7 五、發明説明釭） 1 3 1 4及1 31 4 :及薄膜捲帶1 3 1 8。此例之場合，上述顯示資訊處理電路1002 (參照圖11)，亦可搭載於電路基板1 3 0 8，或搭載於液晶裝置2 0 0之 T F T陣列基板上。又，亦可將上述驅動電路1 〇〇 4搭載於電路基板1308上》又，圖1 7爲呼叫器之例，故設有電路基板1 3 0 8 等。但是，搭載驅動電路1004或顯示資訊處理電路 1 0 0 2構成液晶模組之液晶裝置2 0 0之場合時，以在金屬框1 3 0 2內固定液晶裝置2 0 0作爲液晶裝置，或再加裝組入燈源1 3 0 6作爲背照或液晶裝置，作爲生產，販賣，使用等亦爲可能。又，如圖1 8所示，來搭載驅動電路1 0 0 4或顯示資訊處理電路1 0 0 2之液晶裝置2 0 0之場合，包含驅動裝置1 0 0 4或顯示資訊處理電路1 〇 0 2之 I C 1 324，係於聚酰亞胺捲帶1 322上實裝之 T C P ( Tape Carrier Package ) 1 3 2 0 上，介由設於 TFT陣列基板1之周邊部之異方性導電薄膜作物理，及電氣連接，而可作爲液晶裝置之生產，販賣，使用等。除上述圖15〜圖18說明之電子機器之外|具備液晶電視，觀景型或監控直視型攝錄影機，汽車導引裝置，電子記事簿，電子計算機，文書處理機，工程用工作站（ E W S )，攜帶電話，視訊電話，POS終端機，觸控面板等之裝置均可作爲圖14之電子機器之例。如上述說明，依本實施形態，可減低高頻時脈雜訊之 (請先聞讀背面之注意事項再今— 本頁訂. M濟部中央橾率局貝工消費合作杜印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） -56- 44414 7

五、發明説明^ ) 產生，高品位之畫像顯示爲可能。而且’和基板尺寸比較，可實現具較大畫像顯示領域之液晶裝置2 0 0之各種電子機器。產業上之利用領域依本發明之電氣光學裝置，藉由配線於基板之定電位導電線，畫像信號線被從時脈信號線等控制信號線作電屏蔽，故可減低由時脈信號線混入畫像信號線之高頻時脈雜訊等，可依高解析度畫像顯示用之高頻畫像信號進行高品位之顯像顯示。而且，藉由將畫像信號線配線於資料信號供給裝置兩側之構成，即使多相序列一並列轉換對應之多數畫像信號配線之場合，亦可於資料信號供給裝置兩側平衡良好地進行配線，可實現有限基板尺寸之畫面之大型化。又，藉由將畫像顯示領域及多數資料線亦作電屏蔽，則可減低資料線上之資料信號中之高頻時脈雜訊之產生，更高品位之畫像顯示爲可能- 又，依本發明之電子機器，高頻時脈雜訊被減少，和基板尺寸相比，較大畫像顯示領域之高品位之畫像顯示爲可能，可實現液晶投影機，個人電腦，呼叫器等各種電子機器。圖式之簡單說明圖1 :第1實施形態中，TFT陣列基板上形成之包含屏蔽線之各種配線，周邊電路等之槪略平面圖。 (请先閱讀背面之注意事項再裝丨本頁訂經濟部中央標準局員工消費合作社印聚本紙張尺度適用中國國家椋準< CNS ) A4規格（2丨0X297公釐} -57- 444 1 47 五、發明説明如）圖2 :第1實施形態之屏蔽線之2次元布局之更詳細之槪略平面圖。圖3 :圖2之TFT陣列基板上形成之屏蔽線，畫像信號線，時脈信號線之A斷面圖。圖4 :第2實施形態中，形成於TF T陣列基板上之包含屏蔽線之各種配線，周邊電路等之槪略平面圖。圖5 :第2實施形態之屏蔽線之2次元布局之更詳細槪略平面圖。圖6 :第2實施形態之畫素電極之電路圖（a )及時序圖（b )" 圖7 :圖5之TFT陣列基板上形成之屏蔽線，畫像信號線，時脈信號線之C一斷面圖（a)，及B_B >斷面圖（b )。圖8 :圖4之畫像信號線（配線VID1〜12)之 2次元布局之一例之槪略平面圖（a)，及另例之槪略平面圖（b )。圖9 :本發明之TFT陣列基板上所形成畫素電極，掃描線，資料等之畫像顯示領域端部之擴大平面圖。圖1 〇 :本發明之液晶裝置之畫像顯示領域所設TF T部分之斷面圖。圖1 1 ·•本發明之液晶裝置之周框領域所設屏蔽線部分之斷面圖。圖1 2 :本發明之液晶裝置之全體構成之平面圖。圖13:圖12之Η—IT斷面圖。 {τί先閱讀背面之注意事項再· 岸|_ 本頁訂- 娌濟部中央橾準局負工消費合作社印聚本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } Α4規格（210X 297公釐） -58- 4441 4 7 B*7 五、發明説明鉍）圖1 4 :本發明之電子機器之實施形態之槪略構成之方塊圖。圖1 5電子機器之一例之液晶投影機之斷面圖。圖1 6電子機器之一例之個人電腦之正面圖。圖1 7 :電子機器之一例之呼叫器之分解斜視圖。圖1 8 :電子機器之一例之使用TC P之液晶裝置之斜視圖。主要元件對照表 I T F T陣基板 II 畫素電極 3 1 掃描線 3 1 >容量線 3 5 資料線 8 0 屏蔽線 8 2 屏蔽線

3 0 TFT 經濟部中夾標率局貝工消費合作社印製 101 資料線驅動電路 102 外部輸入端 104 掃描線驅動電路 10 5 配線 1 0 6 上下導通材 1 0 1 a 移位暫存器電路 101b 波形控制電路本紙張尺度適用t國國家標準（CNS > A4規格（2〗〇X297公釐} . 59 - 444 1 4 7

五、發明説明狖 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 1 0 1 c 緩衝電路 4 2 第1層間絕緣層 4 3 第2層間絕緣層 8 3 屏蔽線 8 4 屏蔽線 8 4 屏蔽線 8 6 屏蔽線 8 7 屏蔽線 8 0 a 接觸孔 3 2 半導體層 3 3 閘極絕緣層 3 7 接觸孔 3 8 接觸孔 2 對向基板 1 1 畫素電極 1 2 配向膜 2 1 共用電極 2 2 配向膜 2 3 遮光膜 3 4 源極領域 3 6 汲極領域 5 0 液晶層 7 0 儲存容量 5 3 周框 (計先閱讀背面-注意事項再^^本頁) 裝. 丁- •-ΰ -—外本紙張尺度適用中國國家標準（〇”5)六4規格（210/ 297公釐） -60- 4如4 7 Λ7 B-1 五、發明説明釦) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 3 0 1 取樣電路 3 0 2 T F T 3 0 6 取樣電路驅動信號線 2 0 0 液晶裝置 1 0 0 0 顯示資訊輸出源 1 0 0 2 顯示資訊處理電路 1 0 0 4 驅動電路 1 0 0 8 時脈產生電路 1 0 1 0 電源電路 1 1 2 能動電路 5 2 密封材 3 1 閘極 2 0 0 R 燈泡 2 0 0 G 燈泡 2 0 0 B 燈泡 1 1 0 0 液晶投影機 1 1 0 2 燈泡單元 1 1 0 6 透鏡 1 1 0 8 1 1 1 2 分色 Λ-fT. 鏡 1 1 1 4 投射透鏡 1 1 2 0 螢幕 1 1 2 1 中繼透鏡系 1 1 2 2 射入透 Mf. 鏡 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) σ t --11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -61 - 4441 4 7 經濟部中央標丰局貝工消費合作社印製五、發明説明轵） 112 3 112 4 12 0 0 12 0 2 13 0 0 13 0 2 13 0 6 13 0 6 13 0 8 13 10 13 12 13 14 13 16 13 18 中繼透鏡射出透鏡個人電腦键盤 Γ1ΤΤ- 呼叫器金屬框架光源背照光電路基板屏蔽板屏蔽板彈性導電體彈性導電體薄膜捲帶。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -62-

Claims

44414 7 A8B8C8D8 六、申請專利範圍附件Ί a : 第87 1 17759號專利申請案中文申請專利範圍修正本 ί請先Μ讀背面之注意事項再赛寫本買> 民國90年丨月修正 1 . 一種電氣光學裝置，其特徵爲基板上具有：多數之掃描線；與上述多數掃描線呈交叉之多數資料線；接於上述多數掃描線及資料線的多數開關元件；接於上述多數開關元件的多數畫素電極；依時脈信號將對應於畫像信號之資料信號供至上述多數資料線的資料信號供給裝置：將由第1外部輸入端輸入之上述畫像信號供至上述資料信號供給裝置的畫像信號線：將由第2外部輸入端輸入之上述時脈信號供至上述資料信號供給裝置的時脈信號線；及將上述畫像信號線從上述時脈信號線作電氣屏蔽甩的定電位/ 導電線。 2 .如申請專利範圍第1項之電氣光學裝置，其中上述導電線包含有由供給定電位電源至上述資料信號供給裝置之定電位線構成之部分。經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 3 .如申請專利範圔第2項之電氣光學裝置，其中上述定電位線，係由供給互異之定電位電源至上述資料信號供給裝置的第1及第2定電位線構成’該第1定電位線構成之上述導電線部分，在上述基板上包圍上述畫像信號，上述第2定電位線構成之上述導電線部分，係在上述基板上包圍上述時脈信號線。 4.如申請專利範圍第2或3項之電氣光學裝置，其. 中上述資料信號供給裝置具有：對上述畫像信號進行取樣本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公« > 4441 4 7 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -2 - 六、申請專利範圍的取樣電路；及接受來自上述定電位線之電源供給，依上述時脈信號驅動該取樣電路的資料線驅動電路：上述畫像信號線與上述時脈信號線，是在上述基板上相對上述資料線驅動電路由相反方向配線。 5 ·如申請專利範圍第2或3項之電氣光學裝置，其中上述第1及第2外部輸入端，係於基板周邊部互相隔開特定間隔而配置，於上述第1及第2外部輸入端之間配置第3外部輸入端俾將上述定電位電源輸入上述定電位線。 6.如申請專利範圍第1〜3項中任一項之電氣光學裝置，其中上述導電線延伸設置成在上述基板上包圍上述多數畫素電極界定之畫像顯示領域及上述多數資料線β 7 .如申請專利範圔第6項之電氣光學裝置，其中面對上述基板設有對向基板，另具有沿上述畫像顯示領域之輪廓而形成於上述基板及上述對向基板之中至少一方的遮光性周框：上述導電線係包含有在面對上述周框之位置，沿上述周框設在上述基板之部分。 8.如申請專利範圍第1〜3項中任一項之電氣光學裝置，其中上述導電線及資料線係由同一低電阻値金屬材料形成。 9 _如申請專利範圍第1〜3項中任一項之電氣光學裝置，其中介於上述畫像信號線及時脈信號線間之上述導電線部分及上述畫像信號線及時脈信號線，係由在上述基板上形成於平行之同一平面上之同一低電阻金屬層構成。本&張尺度適用中囷困家標準（CNS)A4規格（210 X 297公S ) -------------- -------—訂----線· 續 > ' f靖先明讀背«之注4事«再填窝本 \ 餐08 444 1 4 7 六、申請專利範圍 1 0··如申請專利範圍第1〜3項中任一項之電氣光 _裝置’其中於上述畫素電極另具有賦予特定容量之容量線’該容量線接於上述導電線。 1 1 . 一種電氣光學裝置，其特徵爲於基板上具有：多數之資料線；與該多數資料線呈交叉的多數掃描線；接於上述多數資料線及掃描線的多數開關元件；接於上述多數開關元件的多數畫素電極；供給畫像信號的多數畫像信號線；供給包含時脈信號之控制信號的多數控制信號線；及分別介由上述畫像信號線及控制信號線輸入上述畫像信號及控制信號，並依上述控制信號將對應於上述畫像信號之資料信號供至上述多數資料線的資料信號供給裝置；上述多數畫像信號線之中第1畫像信號群係於上述基板上朝上述資料信號供給裝置之一方之側配線，上述多數畫像信號線之中第2畫像信號線群係於上述第1基板上朝上述資料信號供給裝置之另一方之側配線；於上述基板上另具有至少1條導電線俾將上述第1及第2畫像信號線群從上述多數控制信號線分別作電氣屏蔽。 1 2 _如申請專利範圍第1 1項之電氣光學裝置’其中上述導電線將上述第1及第2畫像信號群，從上述多數控制信號線之中至少供給具有較上述畫像信號之水平掃描期間爲短周期之高頻控制信號的高頻控制信號予以電屏蔽 0 Ϊ 3 .如申請專利範圍第1 2項之電氣光學裝置，其中在上述第1及第2畫像信號群與高頻控制信號線之間配本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） _ 3 - I 閱讀背_ 面之注項 ί _ Ϊ裝頁訂經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 444147 AS B8 C8 D8 六、申請專利範圍置上述導電線及上述多數控制信號線之中供給至少具較上述畫像信號之水平掃描期間爲短周期之低頻控制信號的低頻控制信號線。 1 4 ·如申請專利範圍第1 1項之電氣光學裝置，其中在上述基板周邊部另具有：連接上述第1畫像信號群，由外部畫像信號源分別輸入畫像信號的多數第1外部輸入端：及連接上述第2畫像信號群，由上述外部畫像信號源分別輸入畫像信號的多數第2外部輸入端；及連接上述控制信號線，由外部控制信號源分別輸入控制信號的多數第 3外部輸入端：及分別連接上述導電線的多數第4外部輸入端；於上述第1與第2外部輸入端之間配置上述第3輸入端，於上述第1與第3外部輸入端之間及第3與第2外部輸入端之間分別配置第4外部輸入端。 1 5 .如申請專利範圔第1 4項之電氣光學裝置，其中上述導電線，係將上述第1及第2畫像信號群，從上述多數控制信號線之中至少供給具較上述畫像信號之水平掃描期間爲短周期之高頻控制信號的高頻控制信號線隔離，上述第3外部輸入端之中鄰接第4外部輸入端之端子，係連接上述多數控制信號線之中供給具較上述畫像信號之水平掃描期間爲短周期之低頻控制信號的低頻控制信號線。 16.如申請專利範圍第11〜15項中任一項之電氣光學裝置，其中上述導電線包含有由供給定電位之資料線驅動用電源至上述資料信號供給裝置的資料線驅動用定電位線構成之部分。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) ~ n n n n .^1 i n I n ί n n i I n ϋ ί n I {請，先«讀背面之注意Ϋ項再讀窝本I > 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 44414 7 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 1 7 如申請專利範圍第1 6項之電氣光學裝置，其中上述資料線驅動用定電位線，係由將不同之定電位電源供至上述資料信號供給裝置之第丨及第2定電位線構成，該第1定電位線構成之上述導電線部分，係於上述基板上包圍第1及第2畫像信號群，第2定電位線構成之上述導電線部分，係於上述基板上包圍上述控制信號線。 .1 8 .如申請專利範圍第1 1〜1 5項中任一項之電氣光學裝置，其中上述導電線設置成在基板上包圍上述多數畫素電極界定之畫像顯示領域，及上述多數資料線。 1 9 如申請專利範圍第1 8項之電氣光學裝置 > 其中面對上述基板設有對向基板，另具有沿上述畫像顯示領域之輪廓形成於上述基板及對向基板之中至少一方之遮光性周框，上述導電線係包圍面對上述周框之位置沿上述周框設於上述基板之部分。 2 0 .如申請專利範圍第1 1〜1 5項中任一項之電氣光學裝置，其中上述導電線及資料線係由同一低電阻値金屬材料形成。 2 1 .如申請專利範圍第1 1〜1 5項中任一項之電氣光學裝置，其中在上述基板上另具賦予上述畫素電極特定量容量之容量線，該容量線連接上述導電線。 22 .如申請專利範圍第1 1〜1 5項中任一項之電氣光學裝置，其中於上述基板上另具將掃描信號依序供至多數掃描線的掃描信號供給裝置，上述導電線包含有由供給定電位之掃描線驅動電源至上述掃描信號供給裝置的掃紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) \ <請先《讀背面之注項再垓寫本I > -HI — — — — ^ it—— — —— - 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 /144 14 __§_ 六、申請專利範圍描線驅動用定電位線構成之部分。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之電氣光學裝置，其中上述掃描信號供給裝置設於上述多數畫素電極界定之畫像顯示領域之兩側，上述掃描線驅動用定電位線構成之導電線部分，係延伸設置成在上述基板上包圍上述畫像顯示領域及多數資料線，且有餘裕地供給上述掃描線驅動用電源至上述掃描線供給裝置》 2 4 .如申請專利範圍第2 1〜2 3項中任一項之電氣光學裝置，其中上述資料信號供給裝置具有：對上述畫像信號進行取樣的取樣電路，及依控制信號驅動該取樣電路的資料線驅動電路；上述第1畫像信號群包含之畫像信號線及上述第2畫像信號線群包含之畫像信號線，係於上述資料線驅動電路與取樣電路之間，至少在每一條畫像信號線從上述資料線驅動電路兩側交互配置成梳齒狀。 2 5 .如申請專利範圍第2 4項之電氣光學裝置，其中上述資料信號供給裝置對上述每一資料線使資料信號之電壓極性反轉，上述第1畫像信號線群包含之畫像信號線及第2畫像信號線群包含之畫像信號線，係以相鄰接2條資料線對應之2條畫像信號線爲對而從上述資料線驅動電路兩側交互配置成梳齒狀。 2 6 · —種電子機器，其具有電氣光學裝置，該電氣光學裝置之特徵爲基板上具有：多數之掃插線：與上述多數掃描線呈交叉之多數資料線；接於上述多數掃描線及資料線的多數開關元件；接於上述多數開關元件的多數畫素紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（210 X 297公釐) ΓβΤ -- I I — In — — — — — —— -nlllll vllfl—ΙΙ 1 K -r (猜先閲讀背面之注意事項再螭寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 \ A8B8C8D8 六、申請專利範圍電極：依時脈信號將對應於畫像信號之資料信號供至上述多數資料線的資料信號供給裝置；將由第i外部輸入端輸入之上述畫像信號供至上述資料信號供給裝置的畫像信號線：將由第2外部輸入端輸入之上述時脈信號供至上述資料信號供給裝置的時脈信號線；及將上述畫像信號線從上述時脈信號線作電氣屏蔽用的定電位導電線。 2 7 —種電子機器，其具有電氣光學裝置，該電氣光學裝置之特徵爲於基板上具有：多數之資料線；與該多數資料線呈交叉的多數掃描線：接於上述多數資料線及掃描線的多數開關元件：接於上述多數開關元件的多數畫素電極；供給畫像信號的多數畫像信號線：供給包含時脈信號之控制信號的多數控制信號線；及分別介由上述畫像信號線及控制信號線輸入上述畫像信號及控制信號，並依上述控制信號將對應於上述畫像信號之資料信號供至上述多數資料線的資料信號供給裝置；上述多數畫像信號線之中第1畫像信號群係於上述基板上朝上述資料信號供給裝置之一方之側配線，上述多數畫像信號線之中第2畫像信號線群係於上述第1基板上朝上述資料信號供給裝置之另一方之側配線：於上述基板上另具有至少1條導電線俾將上述第1及第2畫像信號線群從上述多數控制信號線分別作電氣屏蔽。 * 297公釐） {請先«·讀背面之注意事項再灌窝本頁) -I - III 訂---------碜經濟部智慧財產局負工消费合作社印製 V