JP2004246371A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 プリチャージ回路とサンプリング回路とを画像表示領域に対して同じ側の基板上に配置した構成の液晶表示装置において、画像信号を波形変形させることなく正確に画素電極に印加することが可能な液晶駆動装置等を提供する。
【解決手段】 プリチャージ信号線２０４に電気的に接続されたソース領域と、プリチャージ回路駆動信号線２０６ａに電気的に接続されたゲート電極とを有する複数の薄膜トランジスタ２０２からなるプリチャージ回路２０１と、プリチャージ回路の薄膜トランジスタに対応して設けられ、プリチャージ回路の薄膜トランジスタのドレイン領域とデータ線に電気的に接続されたドレイン領域と、画像信号線に電気的に接続されたソース領域と、サンプリング回路駆動信号線３０６に電気的に接続されたゲート電極とを有する複数の薄膜トランジスタ３０２からなるサンプリング回路３０１とを具備する。
【選択図】 図６

Description

本発明は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す。）駆動等によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶パネル等の電気光学装置、または当該電気光学装置を用いた電子機器の技術分野に属し、特に、プリチャージ回路及びサンプリング回路を備えた駆動回路、電気光学装置、及び電子機器の技術分野に属する。

従来、ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶パネルにおいては、縦横に夫々配列された多数の走査線及びデータ線と、走査線及びデータ線の各交点に対応する多数の画素電極がＴＦＴアレイ基板上に設けられている。そして、これらに加えて、走査線駆動回路、データ線駆動回路、サンプリング回路、プリチャージ回路などのＴＦＴを構成要素とする各種の周辺回路が、このようなＴＦＴアレイ基板上に設けられる場合がある。

これらの周辺回路のうち、サンプリング回路は、高周波数の画像信号を各データ線に所定のタイミングで安定的に走査信号と同期して供給するために、画像信号をサンプリングする回路である。その外にも、液晶表示における画質の向上、消費電力の低減、コストの低減等の観点から、ＴＦＴ等を用いた各種の周辺回路をＴＦＴアレイ基板上に設けることも可能である。

また、プリチャージ回路は、コントラスト比の向上、データ線の電位レベルの安定、表示画面上のラインむらの低減等を目的として、データ線に対し、前記サンプリング回路により画像信号がサンプリングされるタイミングに先行するタイミングで、プリチャージ信号（画像補助信号）を供給することにより、画像信号をデータ線に書き込む際の負荷を軽減する回路である。特に液晶を交流駆動するために通常行われるデータ線の電圧極性を１水平走査期間毎に反転して駆動する所謂１Ｈ反転駆動方式においては、１水平有効表示期間前の１水平帰線期間において、画像信号の極性が切り換わってから後に、所定電位のプリチャージ信号をデータ線に予め書き込んでおけば、画像信号をデータ線に書き込む際に必要な電荷量を顕著に少なくできる。

ここで、ＴＦＴアレイ基板上にマトリクス状に配置された複数の画素により規定される画面表示領域、即ち液晶パネル上で実際に液晶の配向状態の変化により画像が表示される領域において、前記複数の画素に夫々設けられる画素スイッチング用ＴＦＴを制御するために、該画面表示領域の周囲に設けられる周辺回路を形成するための領域は基本的要請として大きい程よいとされている。

しかしながら、更なる解像度の向上を図るために液晶パネルの高精細化や、或いは、マザー基板からの取れ個数を増加することで歩留まりを向上したり、持ち運び自由なモバイル用途に使用するために液晶パネル自体の小型化を望む声が多くなっている。このように、液晶パネルの高精細化、或いは小型化が進むと、画素サイズの微細化が必然となり、それに伴い同一基板上に形成された周辺回路の集積化を図る必要がある。

そこで、前記周辺回路の集積化を図るために、前記プリチャージ回路及び前記サンプリング回路を液晶パネルの画面表示領域に対して同じ側に設けることがある。データ線に対してデータ線駆動回路及びサンプリング回路により画像信号が供給される側に、前記プリチャージ回路及び前記サンプリング回路を該データ線に対して並列に設けるようにする。このような構成を採れば、従来のようにデータ線の他端、すなわち画像信号が供給される側と反対側にプリチャージ回路を設ける必要がないので、プリチャージ信号を供給するためのプリチャージ信号線やプリチャージ回路を制御するためのプリチャージ回路駆動信号線を画面表示領域周辺に引き回さなくてもよい。

しかしながら、上述した従来のプリチャージ回路及びサンプリング回路の構成によると、プリチャージ回路とサンプリング回路を同じ側に連続的に形成する必要があり、基板上の所定の範囲の領域を占有することとなるため、プリチャージ回路及びサンプリング回路の集積化、及び当該プリチャージ回路及びサンプリング回路を含む液晶パネルの小型化が困難であるという問題点があった。

すなわち、前記プリチャージ回路を構成するスイッチング手段はデータ線毎に構成する必要があり、プリチャージ回路駆動信号線及びプリチャージ信号線からの延設配線を設けなければならない。同様に、前記サンプリング回路を構成するスイッチング手段はデータ線毎に構成する必要があり、サンプリング回路駆動信号線及び画像信号線からの延設配線を設けなければならない。結果として液晶パネルが小型化するとプリチャージ回路及びサンプリング回路を並列に形成することが難しくなり、結果としてプリチャージ回路及びサンプリング回路の集積化が図れない。

そこで、本発明は、前記の問題点に鑑みてなされたもので、その課題は、前記プリチャージ回路及びサンプリング回路を基板上に効率的に配置して、電気光学装置を小型化することが可能な電気光学装置並びに当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。

前記の課題を解決するために、本発明の電気光学装置は、複数の画素電極と、画像信号が供給される複数のデータ線と、走査信号が供給される複数の走査線と、前記データ線と前記画素電極との間に夫々介在すると共に前記データ線と前記画素電極の間における導通状態及び非導通状態を前記走査線に供給される走査信号に基づいて制御されるスイッチング手段とを備えた電気光学装置であって、プリチャージ信号線に電気的に接続されたソース領域と、プリチャージ回路駆動信号線に電気的に接続されたゲート電極とを有する複数の薄膜トランジスタからなるプリチャージ回路と、前記プリチャージ回路の薄膜トランジスタに対応して設けられ、前記プリチャージ回路の薄膜トランジスタのドレイン領域と前記データ線に電気的に接続されたドレイン領域と、画像信号線に電気的に接続されたソース領域と、サンプリング回路駆動信号線に電気的に接続されたゲート電極とを有する複数の薄膜トランジスタからなるサンプリング回路とを具備したことを特徴とする。

また、本発明の電気光学装置は、前記プリチャージ信号線は分岐して、前記複数の薄膜トランジスタのソース領域に接続されるとよい。
また、本発明の電気光学装置は、前記サンプリング回路駆動信号線は、前記プリチャージ回路の隣接する薄膜トランジスタ間に配設されているとよい。
また、本発明の電気光学装置は、前記サンプリング回路の薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域は、前記プリチャージ回路の薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域の延長線上に位置しているとよい。
また、本発明の電気光学装置は、前記プリチャージ回路の薄膜トランジスタのドレイン領域と前記サンプリング回路の薄膜トランジスタのドレイン領域とを結ぶ配線は、前記画像信号線を交差し、前記画像信号線と交差する前記配線は、前記画像信号線とは別層に形成された配線であるとよい。
また、本発明の電気光学装置は、複数の画素電極と、画像信号が供給される複数のデータ線と、走査信号が供給される複数の走査線と、前記データ線と前記画素電極との間に夫々介在すると共に前記データ線と前記画素電極の間における導通状態及び非導通状態を前記走査線に供給される走査信号に基づいて制御されるスイッチング手段とを備えた電気光学装置であって、プリチャージ信号線に電気的に接続されたソース領域と、前記ソース領域の両側にチャネル形成領域を介して設けられた一対のドレイン領域と、前記チャネル形成領域に対向しプリチャージ回路駆動信号線に電気的に接続された一対のゲート電極とを有する複数の薄膜トランジスタからなるプリチャージ回路と、前記プリチャージ回路の薄膜トランジスタの一方のドレイン領域と前記データ線に電気的に接続されたドレイン領域と、画像信号線に電気的に接続されたソース領域と、サンプリング回路駆動信号線に電気的に接続されたゲート電極とを有する複数の薄膜トランジスタからなるサンプリング回路とを具備したことを特徴とする。

また、本発明の電気光学装置は、前記プリチャージ信号線は分岐して、前記複数の薄膜トランジスタのソース領域に接続されるとよい。
また、本発明の電気光学装置は、前記プリチャージ回路駆動信号線は分岐して、前記薄膜トランジスタの一対のゲート電極に接続されるとよい。
また、本発明の電気光学装置は、前記サンプリング回路駆動信号線は分岐して、前記サンプリング回路の複数の薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続されているとよい。
また、本発明の電気光学装置は、前記プリチャージ回路は、前記画像信号線の層展開の数に応じて前記薄膜トランジスタがブロックごとに設けられるとよい。
また、本発明の電気光学装置は、前記サンプリング回路駆動信号線は、前記プリチャージ回路の薄膜トランジスタでなる前記ブロックの両側に配設された一対のサンプリング回路駆動信号線からなり、前記一対のサンプリング回路駆動信号線は接続されて前記サンプリング回路の複数の薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続されているとよい。

また、上記電気光学装置を用いた電子機器によれば、電子機器は上述した本願発明の電気光学装置を備えており、該電気光学装置の小型化が可能なので、電子機器の小型化を実現することができる。

本発明のこのような作用及び他の利得は、次に説明する実施の形態から明らかにする。

次に、本発明に好適な実施の形態について、図面に基づいて説明する。
なお、以下に説明する各実施形態は、光源からの光を透過して画像を表示する投射型の液晶装置に対して本発明を適用した場合の実施の形態である。

（I）第１実施形態
（Ａ）液晶装置の構成
最初に、第１実施形態の液晶装置の構成について図１乃至図８を用いて説明する。

先ず、第１実施形態の電気光学装置の一例である液晶装置の全体構成について、図1から図３を用いて説明する。ここで、図１は第１実施形態の液晶装置におけるＴＦＴアレイ基板上に設けられた各種配線、周辺回路等の構成を示すブロック図であり、図２はＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図３は対向基板を含めて示す図２のＨ−Ｈ’断面図である。

図１に示すように、液晶装置２００は、例えば石英基板、ハードガラス等からなるＴＦＴアレイ基板１を備えている。このＴＦＴアレイ基板１上には、マトリクス状に設けられた複数の画素電極１１と、Ｘ方向に複数配列されており夫々がＹ方向に沿って伸びるデータ線３５と、Ｙ方向に複数配列されており夫々がＸ方向に沿って伸びる走査線３１と、各データ線３５と画素電極１ｌとの間に夫々介在すると共に当該データ線３５と画素電極１ｌの間における導通状態及び非導通状態を、走査線３１を介して夫々供給される走査信号を用いて夫々制御する複数のＴＦＴ３０とが形成されている。

また、ＴＦＴアレイ基板１上には、複数のデータ線３５に対して、画像信号に先行して所定電圧レベルのプリチャージ信号を夫々供給する本発明に係るプリチャージ回路２０１と、上記画像信号をサンプリングして複数のデータ線３５に夫々供給する本発明に係るサンプリング回路３０１と、データ線駆動回路１０１と、走査線駆動回路１０４とが形成されている。ここで、データ線駆動回路１０１は、後述の画像信号用シフトレジスタ回路とプリチャージ専用シフトレジスタ回路とを含んでいる。また、サンプリング回路３０１は、夫々独立して駆動される複数の第２スイッチング手段としてのＴＦＴ３０２を含んでおり、他方、プリチャージ回路２０１は、夫々独立して駆動される複数の第１スイッチング手段としてのＴＦＴ３０２を含んでいる。

このうち、走査線駆動回路１０４は、外部制御回路から供給される電源電圧及び基準クロック等に基づいて、所定タイミングで走査線３１に走査信号をパルス的に線順次で印加する。

一方、データ線駆動回路１０１内の画像信号用シフトレジスタ回路は、外部制御回路から供給される電源電圧、基準クロック等に基づき、走査線駆動回路１０４が走査信号を印加するタイミングに合わせて、６つの画像信号供給線としての画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６夫々について、データ線３５毎にサンプリング回路駆動信号をササンプリング回路３０１内のＴＦＴ３０２にンプリング回路駆動信号線３０６を介して供給する。

これと並行して、データ線駆動回路内のプリチャージ専用シフトレジスタ回路は、サンプリング回路駆動信号が出力されるタイミングに先立って、プリチャージ回路２０１を構成するＴＦＴ２０２の夫々について、外部制御回路からプリチャージ回路駆動信号線２０６を介して供給されるプリチャージ回路駆動信号を当該ＴＦＴ２０２毎にプリチャージ回路駆動信号線２０６ａを介して供給する。

次に、プリチャージ回路２０１は、ＴＦＴ２０２を各データ線３５毎に備えている。そして、プリチャージ信号線２０４がＴＦＴ２０２のソース電極に接続されて、上記プリャージ回路駆動信号線２０６ａがＴＦＴ２０２のゲート電極に接続され、上記データ線３５がＴＦＴ２０２のドレイン電極に接続されている。そして、プリチャージ信号線２０４を介して外部電源からプリチャージ信号を書き込むために必要な所定電圧の電源が供給されると共に、各データ線３５について、画像信号に先行するタイミングでプリチャージ信号を書き込むように、データ線駆動回路１０１内のプリチャージ専用シフトレジスタ回路からプリチャージ回路駆動信号線２０６ａを介してプリチャージ回路駆動信号が供給される。このとき、プリチャージ回路２０ｌは、好ましくは中間階調レベルの画素データに相当する上記プリチャージ信号をデータ線３５に対して供給する。

一方、サンプリング回路３０１では、上記ＴＦＴ３０２を各データ線３５毎に備え、画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６がＴＦＴ３０２のソース電極に夫々接読され、サンプリング回路駆動信号線３０６がＴＦＴ３０２のゲート電極に夫々接続されている。そして、画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６を介して、６相展開された６つのパラレルな画像信号が入力されると、これらの画像信号をサンプリングする。そして、データ線駆動回路１０１内の画像信号用シフトレジスタからサンプリング回路駆動信号線３０６を介してサンプリング回路駆動信号が入力されると、６つの画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６夫々についてサンプリングされた画像信号を、６つの隣接するデータ線３５からなるグループ毎に順次当該データ線３５に印加する。

このとき、プリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１のＴＦＴアレイ基板１上の位置関係については、図１又は図２に示すように、データ線駆動回路１０１に相隣接してプリチャージ回路２０１が形成されており、更に当該プリチャージ回路２０１に相隣接して画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６が配設されており、当該画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６に相隣接してサンプリング回路３０１が形成されている。

すなわち、画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６を挟む形でサンプリング回路３０１とプリチャージ回路２０１とが形成されており、更にプリチャージ回路２０１に対してサンプリング回路３０１がより画像表示領域に近い位置に形成されている（図２参照）。

ここで、これらサンプリング回路３０１及びプリチャージ回路２０１は、液晶パネルの完成時には遮光性のケース内に収められる。従って、当該サンプリング回路３０１及びプリチャージ回路２０１を構成する上記ＴＦＴ２０２及びＴＦＴ３０１内の後述する半導体層に外部からの入射光等が照射されることがなく、当該半導体層において入射光等に起因する光電流が発生してＴＦＴ２０２又はＴＦＴ３０２が誤動作することはない。

一方、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は、図２及び図３に示すように、液晶層５０に面しないＴＦＴアレイ基板１の周辺部分上に設けられている。

更に、図２及び図３において、ＴＦＴアレイ基板１の上には、複数の画素電極１１を含みその大きさにより規定される広さの上記画像表示領域（即ち、実際に液晶層５０の配向状態変化により画像が表示される領域）の周囲において両基板を貼り合わせて液晶層５０を包囲する光硬化性樹脂からなるシール材５２が、当該画像表示領域に沿って設けられている。このシール材５２は、ＴＦＴアレイ基板１及び対向基板２をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定植とするためのスペ−サが混入されている。

次に、シール材５２の外側の領域には、図２に示すように画像表示領域の下辺に沿ってデータ線駆動回路１０１及び実装端子１０２が設けられており、画像表示領域の左右の二辺に沿って走査線駆動回路１０４が当該画像表示領域の両側に設けられている。更に、画像表示領域の上辺には、複数の配線１０５が設けられている。

また、対向基板２のコーナー部の少なくとも１箇所において、ＴＦＴアレイ基板１と対向基枚２との間で電気的導通をとるための導通材からなる銀点１０６が設けられている。そして、シール材５２とほば同じ輪郭を持つ対向基板２が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基枝１に固着されている。

ここで、プリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１は、基本的に交流駆動の回路である。このため、シール材５２により包囲され両基板間に挟持された液晶層５０に面するＴＦＴアレイ基板１の部分にこれらのプリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１を設けても、直流電圧印加による液晶層５０の劣化という間題は生じない。

また、シール材５２に面するＴＦＴアレイ基板１部分にプリチャージ回路２０１やサンプリング回路３０１を形成するのではないので、これらの回路を構成するＴＦＴ２０２及び３０２をシール材５２に混入されたスペーサにより破壊する恐れがない。

（Ｂ）プリチャージ回路及びサンプリング回路の構成
次に、第１実施形態の液晶装置２００のうち、本発明に係る上記プリチャージ回路２０１及びサンプリング回路の具体的構成について、図６乃至図８を用いて説明する。なお、図６はプリチャージ回路２０１の対向電極２側から見た平面拡大図であり、図７は液晶装置２００の図６におけるＢ−Ｂ’断面図であり、図８は液晶装置２００の図６におけるＡ−Ａ’断面図である。

なお、第１実施形態のプリチャージ回路２０１におけるＴＦＴ２０２は、より具体的には、図４（１）に示すようにＮチャネル型のＴＦＴ２０２ａから構成されてもよいし、図４（２）に示すようにＰチャネル型のＴＦＴ２０２ｂから構成されてもよい。ここで、図４（１）又は図４（２）において、図１に示したプリチャージ回路駆動信号線２０６ａを介して入力されるプリチャージ回路駆動信号は、ゲート電極を介して各ＴＦＴ２０２ａ又はＴＦＴ２０２ｂに入力され、同じく図１に示したプリチャージ信号線２０４を介して入力されるプリチャージ信号は、ソース電極を介して各ＴＦＴ２０２ａ又はＴＦＴ２０２ｂに入力される。

また、これらに対応して、第１実施形態のサンプリング回路３０１におけるＴＦＴ３０２は、図５（１）に示すようにＮチャネル型のＴＦＴ３０２ａから構成されてもよいし、図５（２）に示すようにＰチャネル型のＴＦＴ３０２ｂから構成されてもよい。ここで、図５（１）又は図５（２）において、図１に示した画像信号入力線ＶＩＤｎ（ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６）を介して入力される６つの画像信号は、ソース電圧として各ＴＦＴ３０２ａ又はＴＦＴ３０２ｂに入力され、同じく図１に示したデータ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線３０６を介して入力されるサンプリング回路駆動信号は、ゲート電圧としてＴＦＴ３０２a又はＴＦＴ３０２ｂに入力される。

始めに、第１実施形態のプリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１の構成について図６を用いて説明する。なお、図６は、ＴＦＴ２０２がＮチャネル型のＴＦＴ又はＰチャネル型のＴＦＴのいずれか一方により形成されている場合を示しており、また、図６においては、説明の簡略化のために画像信号入力線を３本としている。

図６に示すように、第１実施形態のプリチャージ回路２０１及びサンプリング回路３０１は、画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ３を挟んでその両側に配置されており、更に、サンプリング回路３０１が画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ３から見て画像表示領域側に配置されている。

このとき、プリチャージ回路２０１内のＴＦＴ２０２がプリチャージ信号線２０４をソース電極線とし、プリチャージ回路駆動信号線２０６ａをゲート電極線とし、データ線３５をドレイン電極線として構成されている。

そして、各電極線と各ＴＦＴ２０２の夫々の電極領域とはコンタクトホール３８により層間接続されている。

一方、サンプリング回路３０１内のＴＦＴ３０２が画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ３のうちいずれか一つに接続されている信号線３０３をソース電極線とし、サンプリング回路駆動信号線３０６をゲート電極線とし、データ線３５をドレイン電極線として構成されている。

そして、各電極線と各ＴＦＴ３０２の夫々の電極領域とはコンタクトホール３８により層間接続されている。

更に、ＴＦＴ２０２のドレイン電極とＴＦＴ３０２のドレイン電極を共通的にゲート線３５により接続するために、画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ３とは別の層に中継配線３０４が形成されている。

次に、図７を用いてサンプリング回路３０１部分の液晶パネルの断面構成について更に説明する。なお、図７においては、各層や各部材を図面上で認織可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、図７においては、サンプリング回路３０１に液晶層５０を挟んで対向して形成されている配向膜２２等も併せて示してある。

なお、プリチャージ回路２０１内のＴＦＴ２０２部分の液晶パネルの断面構造については、基本的に図７に示す断面構造と同様であるので細部の説明は省略する。

図７に示すように、サンプリング回路３０１におけるＴＦＴ３０２は、ＴＦＴアレイ基板１並びにその上に積層された第１層間絶縁層４１、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）等の半導体層３２、ゲート絶縁層３３、サンプリング回路駆動信号線３０６（ゲート電極）、プリチャージ信号線２０４（ソース電極）、第２層間絶縁層４２、データ線３５（ドレイン電極）、第３層間絶縁層４３、遮光膜４４及び配向膜１２を備えている。

また、ＴＦＴ３０２に対向する位置には、例えばガラス基板等から成る対向基板２並びにその上に積層された配向膜２２を備えている。そして、夫々の配向膜１２及び２２間に液晶５０が封入されている。

次に、これらの層のうち、ＴＦＴ３０２を除く各層の構成について順に説明する。

先ず、ＴＦＴアレイ基板１上に形成された遮光膜４４は、図７中下方からの光がＴＦＴ３０２に照射され、これにより当該ＴＦＴ３０２を構成する半導体層３２に光電流が誘起されることを防止する。なお、当該遮光膜４４については、反射型の液晶パネルでは不要となる。

次に、ＴＦＴ３０２の基礎となる第１層間絶縁層４１は、１００００Å程度の厚さのＮＳＧ、ＰＳＧ（Ｐ₂Ｏ₅を含むＳｉＯ₂）、ＢＳＧ（Ｂ₂Ｏ₃を含むＳｉＯ₂）、ＢＰＳＧ（Ｐ₂Ｏ₅とＢ₂Ｏ₃を含むＳｉＯ₂）などのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜又は酸化シリコン膜等からなる。ここで、第１層間絶縁層４１の製造時に約９００℃のアニ−ル処理を施すことにより、汚染を防ぐと共に平坦化することができる。

また、第２層間絶縁層４２及び第３層間絶縁層４３は、夫々５０００乃至１５０００Å程度の厚さのＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる。

次に、配向膜１２及び２２は、例えばポリイミド薄膜などの有機薄膜により構成される。この配向膜１２及び２２は、例えばポリイミド系の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により形成される。

また、液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１と対向基板２との間において、シール材５２（図２及び図３参照）により囲まれた空間に液晶が真空吸引等により封入されることにより形成される。この液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。

次に、ＴＦＴ３０２に係る各層の構成について順に説明する。

図７に示すように、ＴＦＴ３０２は、サンプリング回路駆動信号線３０６（ゲート電極）と、半導体層３２内に含まれ、サンプリング回路駆動信号線３０６からの電界によりチャネルが形成されるチャネル形成領域３７と、サンプリング回路駆動信号線３０６と半導体層３２とを絶縁するゲート絶縁層３３と、半導体層３２に形成されたソース領域３４と、データ線３５（ドレイン電極）と、信号線３０３と、半導体層３２に形成されたドレイン領域３６と、データ線３５とドレイン領域３６並びに信号線３０３とソース領域３４とを夫々層間接続するコンタクトホール３８とを備えている。

このうち、ソース領域３４及びドレイン領域３６は後述のように、半導体層３２内にＰ型のチャネル形成領域３７を形成するか又はｐ型のチャネル形成領域３７を形成するかに応じて所定濃度のＰ型用又はｐ型用のドーパントをドープすることにより形成されている。

ここで、Ｐ型チャネルのＴＦＴ３０２は、動作速度が速いという利点があり、上記サンプリング回路３０１として適している。

一方、上記半導体層３２は、例えば、基礎としての第１層間絶縁層４１上にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜を形成後、アニール処理を施して約５００乃至２０００Åの厚さに固相成長させることにより形成する。この際、ｎチャネル型のＴＦＴ３０２の場合には、Ｓｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ族元素のドーパントをイオン注入法等によりドープする。また、ｐチャネル型のＴＦＴ３０２の場合には、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂ（ボロン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などの亜族元素のドーパントをイオン注入法等によりドープする。

このとき、特にＴＦＴ３０２をＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場合には、ｐ型の半導体層３２に、ソース領域３４及びドレイン領域３６のうちチャネル形成領域３７側に夫々隣接する一部にＰなどのＶ族元素をドープすることにより低濃度ドープ領域を形成し、他の部分に同じくＰ等のＶ族元素をドープして高濃度ドープ領域を形成する。更に、ｐチャネル型のＴＦＴとする場合、Ｐ型の半導体層３２に、ＢなどのIII族元素のドーパントを用いてソ−ス領域３４及びドレイン領域３６を形成する。このようにしてＬＤＤ構造とした場合、ショートチャネル効果を低減できる利点が得られる。

なお、ＴＦＴ３０２は、低濃度ドレイン領域を形成することなくオフセット構造のＴＦＴとしてもよいし、ゲート電極をマスクとしてセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。

一方、ゲ−ト絶縁層３３は、半導体層３２を約９００乃至１３００℃の温度により熱酸化させて、３００乃至１５００Å程度の比較的薄い厚さの熱酸化膜を形成して得る。

更に、データ線３５（ドレイン電極）は、減圧ＣＶＤ法等によりｐ−Ｓｉを堆積した後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により形成される。このとき、Ａｌ等の金属膜又は金属シリサイド膜から形成してもよい。

また、データ線３５（ドレイン電極）は、画素電極１１と同様にＩＴＯ膜等の透明導電性薄膜から形成してもよい。

更に、スパッタリング処理等により、約１０００乃至５０００Åの厚さに堆積されたＡｌ等の低抵抗金属や金属シリサイド等から形成してもよい。

一方、コンタクトホール３８は、例えば、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成される。

なお、一般にはチャネル形成領域３７となる半導体層３２は、光が入射するとｐ−Ｓｉが有する光電変換効果により光電流が発生してしまいＴＦＴ３０２のトランジスタ特性が劣化するが、第１実施形態では、当該ＴＦＴ３０２及びＴＦＴ２０２は遮光性のケース内に収められることとなるので、外部からの入射光が少なくとも半導体層３２のチャネル領域に入射することを防止できる。

更にこれに加えて又はこれに代えて、チャネル形成領域３７を上側から覆うようにデータ線３５（ドレイン電極）をＡｌ等の不透明な金属薄膜から形成し、半導体層３２への入射光（即ち、図７で上側からの光）の入射を防ぐように構成してもよい。

また、第１実施形態では、ＴＦＴ３０２及び２０２はｐ−ＳｉタイプのＴＦＴであるので、ＴＦＴ３０２及び２０２の形成時に同一薄膜形成工程でサンプリング回路２０１、プリチャ−ジ回路３０１、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の同じｐ−Ｓｉ ＴＦＴタイプのＴＦＴ等から構成された周辺回路を形成できるので製造上有利である。
更に、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は、例えば、ｎチャネル型ｐ−Ｓｉ ＴＦＴ及びｐチャネル型ｐ−Ｓｉ ＴＦＴから構成される相補構造の複数のＴＦＴによりＴＦＴアレイ基板１上の周辺部分に形成される。

更にまた、図７には示されていないが、対向基板２の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１の投射光が出射する側には夫々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブルーＳＴＮ）モード等の動作モ−ドや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。

次に、図６に示す上記中継配線３０４が形成されている部分のＡ−Ａ’断面構造について、図８を用いて説明する。

画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ３との間で絶縁を保ちつつＴＦＴ３０２のドレイン電極としてのデータ線３５とＴＦＴ２０２のドレイン電極としてのデータ線３５とを接続するために形成される中継配線３０４は、例えば、図８（１）に示すように第１層間絶縁膜４１と第２層間絶縁膜４２との間の走査線３１が形成される層と同一の層に形成することができる。このとき、各データ線３５との層間接続は、コンタクトホール３８により形成される。

また、この他に、図８（２）に示すようにＴＦＴアレイ基板１と第１層間絶縁層４１との間の遮光膜４４が形成される層と同一の層に形成し、これと各データ線３５とを夫々コンタクトホール３８を用いて層間接続するようにすることもできる。

更に、低抵抗化を図るために、図８（３）に示すようにＴＦＴアレイ基板１と第１層間絶縁層４１との間の遮光膜４４が形成される層と同一の層に中継配線３０４を形成すると共に、第１層間絶縁膜４１と第２層間絶縁膜４２との間の走査線３１が形成される層と同一の層に中継配線３０４’を形成し、当該中継配線３０４’と各データ線３５とを夫々コンタクトホール３８で層間接続すると共に、中継配線３０４と中継配線３０４’とをコンタクトホール３８’で層間接続してもよい。

更にまた、同様に低抵抗化を図るために、図８（４）に示すように第１層間絶縁膜４１と第２層間絶縁層４２との間の走査線３１が形成される層と同一の層に中継配線３０４を形成すると共に、第３層間絶縁膜４３の図８（４）中上部表面に中継配線３０４’を形成し、当該中継配線３０４’と各データ線３５とを夫々コンタクトホール３８’で層間接続すると共に、各データ線３５と中継配線３０４とをコンタクトホール３８で層間接続してもよい。なお、この場合には、中継配線３０４’と第３層間絶縁膜４３の図８（４）中上部表面に、更に第４層間絶縁膜４５を形成することが必要となる。

（Ｃ）液晶装置の動作
次に、以上のように構成された液晶装置２００の動作について図１を参照して説明する。

先ず、走査線駆動回路１０４は、所定タイミングで走査線３１に走査信号をパルス的に線順次で印加する。

これと並行して、６つの画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６から６相展開された６つのパラレルな画像信号を受けると、サンプリング回路３０１は、これらの画像信号をサンプリングする。

一方、データ線駆動回路１０１は、走査線駆動回路１０４がゲート電圧を印加するタイミングに合わせて、６つの画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６夫々について、一つのデータ線毎にサンプリング回路駆動信号を供給してサンプリング回路３０１のＴＦＴ３０２をオン状態とする。これにより、隣接する６つのデータ線３５に対して、サンプリング回路３０１でサンプリングされた画像信号を順次印加する。即ち、データ線駆動回路１０１とサンプリング回路３０１により、画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６から入力された６相展開された６つのパラレルな画像信号は６相展開されて、データ線３５に供給される。

他方で、各画像信号に先行するタイミングで、プリチャージ回路２０１は、プリチャージ信号を各データ線３５に供給する。より具体的には、プリチャージ回路２０１は、プリチャージ信号をデータ線３５に書き込むための電源をプリチャージ信号線２０４から受けつつ、プリチャージ回路駆動信号縁２０６を介して入力されるプリチャ−ジ回路駆動信号に応じてＴＦＴ２０２をオン状態とし、プリチャージ信号をデータ線３５に書き込む。

そして、走査信号及び画像信号の両方が印加されたＴＦＴ３０においては、そのソース領域及びチャネル形成領域並びにドレイン領域を介して画素電極１１に電圧が印加される。その後、この画素電極１１の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁長い時間だけ図示しない蓄積容量により維持される。

なお、第１実施形態においては、液晶を交流駆動するために、１フィールド又は１フレームといった所定周期毎にデータ線３５におけるソース電圧の電圧極性が反転されるが、上述のように各画像信号がＴＦＴ３０に供給される前に、各データ線３５に、好ましくは中間階調レベルの画素信号に相当するプリチャージ信号が供給されているので、画像信号を書き込む際の負荷は軽減されており、データ線３５の電位レベルは、前回に印加された電圧レベルによらずに安定している。このため、今回の画像信号を各データ線３５に安定した電位により供給することができる。

以上のように、画素電極１１に電圧が印加されると、液晶層５０における画素電極１１と共通電極２１とに挟まれた部分における液晶の配向状態が変化し、ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体として液晶装置２００からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。

以上説明したように、第１実施形態の液晶装置２００によれば、プリチャージ回路２０１とサンプリング回路３０１との位置関係において、サンプリング回路３０１の方が画像表示領域に近いので、画像表示領域とサンプリング回路との間を低抵抗化することができ、画素電極１１に供給すべき画像信号が波形変形すること等を防止できる。

また、相展開された画像信号を印加する複数の画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６がプリチャージ回路２０１が形成されている領域とサンプリング回路３０１が形成されている領域との間のＴＦＴアレイ基板１上に配置されているので、画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６からサンプリング回路３０１を介して画素電極１１に至るまでの画像信号の経路を短縮化すると共に低抵抗化することができる。

更に、ＴＦＴ２０２又はＴＦＴ３０２が、Ｐチャネル型ＴＦＴ又はＮチャネル型ＴＦＴのうちいずれか一方であるので、高速に画像信号又はプリチャージ信号をデータ線に対して供給できる。

更にまた、特にサンプリング回路３０１により多相展開された画像信号をサンプリングし、多相展開してからデータ線３５に画像信号として供給するので、高周波数の画像信号を各データ線３５に所定のタイミングで安定的に走査信号と同期して供給できる。

また、画像信号に先行してプリチャージ回路２０１からプリチャ−ジ信号が供給されているので、コントラスト比の向上、データ線３５の電位レベルの安定、表示画面上のラインむらの低滅等が図られ、液晶装置２００の画像表示領域に高晶位の画像を表示することができる。

更に、上述したプリチャージ回路２０１を含む液晶装置２００は、カラー液晶プロジェクタに適用されるため、３つの液晶装置２００がＲＧＢ用のライトバルブとして夫々用いられ、各パネルには夫々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が入射光として夫々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２にカラーフィルタは設けられていない。

しかしながら、液晶装置２００においても画素電極１１に対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に対向基板２上に形成してもよい。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に第１実施形態の液晶装置２００を適用できる。

また、上述の第１実施形態では、プリチャージ回路２０１のＴＦＴ２０２又はサンプリング回路３０１のＴＦＴ３０２が正スタガ型又はコプラナー型のｐ−Ｓｉ ＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやａ−Ｓｉ ＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、第１実施形態は有効である。

更に、液晶装置２００においては、一例として液晶層５０をネマティック液晶から構成したが、液晶を高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、配向膜１２及び２２、並びに前述の偏光フィルム、偏光板等が不要となり、光利用効率が高まることによる液晶装置の高輝度化や低消費電力化の利点が得られる。

更にまた、画素電極１１をＡｌ等の反射率の高い金属膜により構成すれば、液晶装置２００を反射型液晶装置に適用する場合に、電圧無印加状態で液晶分子がほぼ垂直配向されたＳＨ（スーパーホメオトロピック）型液晶などを用いることができる。

更に、対向基板２０上に、一の画素に対して一つ対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光の集光効率が向上し、より明るい液晶パネルが実現できる。

更にまた、液晶装置２００においては、液晶層５０に対し垂直な電界（縦電界）を印加するように対向基板２の側に共通電極２１を設けているが、液晶層５０に並行な電界（横電界）を印加するように一対の横電界発生用の電極から画素電極１１を夫々構成する（即ち、対向基板２の側には縦電界発生用の電極を設けることなく、ＴＦＴアレイ基板１の側に横電界発生用の電極を設ける）ことも可能である。このように横電界を用いると、縦電界を用いた場合よりも視野角を広げる上で有利である。

（II）第２実施形態
次に、本発明に係る他の実施形態である第２実施形態について、図９及び図１０を用いて説明する。なお、図９又は図１０において、夫々図１又は図６と同様の部材については、同一の部材番号を付して細部説明は省略する。また、第２実施形態においては、液晶装置２００全体の構成は第１実施形態と同様であり、異なるのは、以下に説明するプリチャージ回路及びサンプリング回路の構成のみである。

上述の第１実施形態においては、サンプリング回路３０１内の各ＴＦＴ３０２について、データ線駆動回路１０１から夫々に一のサンプリング回路駆動信号線３０６を接続する構成とし、更にプリチャージ回路２０１内のＴＦＴ２０２についても、データ線駆動回路１０１から夫々に一のプリチャージ回路駆動信号線２０６ａと一のプリチャージ信号線２０４を接続する構成とした。

これに対し、第２実施形態のプリチャージ回路及びサンプリング回路においては、夫々に含まれるＴＦＴに対して信号を供給する複数の信号線を集中配置することにより、ＴＦＴアレイ基板１上におけるサンプリング回路及びプリチャージ回路の占有面積を小面積化している。

すなわち、図９に示すように、第２実施形態の液晶装置２００’においては、第１実施形態と同様に、画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６を挟む形でサンプリング回路３０１とプリチャージ回路２０１’とが形成されており、更にプリチャージ回路２０１’に対してサンプリング回路３０１がより画像表示領域に近い位置に形成されている。

そして、第１実施形態と同様の画像信号用シフトレジスタ回路とプリチャージ専用シフトレジスタ回路とを含むデータ線駆動回路１０１を含み、６個の隣接するＴＦＴ３０２について、当該画像信号用シフトレジスタ回路からの一のサンプリング回路駆動信号線３０６を分岐して夫々のＴＦＴ３０２のゲート電極に接続する構成としている。そして、この構成によると、６個のＴＦＴ３０２が同時開け駆動されることとなる。

また、６個のＴＦＴ２０２について、プリチャージ専用シフトレジスタからの一のプリチャージ回路駆動信号線２０６ａを分岐して夫々のＴＦＴ２０２のゲート電極に接続する構成となっている。そして、この構成によっても、６個のＴＦＴ２０２が同時開け駆動されることとなる。

更に、各ＴＦＴ３０２のソース電極には、信号線３０３を介して対応する画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６が夫々接続され、夫々相展開された画像信号を供給する構成となっている。

更にまた、各ＴＦＴ２０２については、相隣接する二つのＴＦＴ２０２のソース電極を重複させ、相互に後述する一のプリチャージ信号線２０４ａを共有する構成となっている。

また、一のＴＦＴ３０２のドレイン電極と対応するＴＦＴ２０２のドレイン電極は、一のデータ線３５に接続されている。このとき、画像信号入力線ＶＩＤ１乃至ＶＩＤ６と平面的に重なるデータ線３５の部分は、図８で例示したような中継配線３０４又は３０４’とされている。

次に、第２実施形態のプリチャージ回路及びサンプリング回路の具体的なパターンレイアウトについて、図１０を用いて説明する。

図１０に示すように、第２実施形態のプリチャージ回路２０１’では、相隣接する二つのＴＦＴ２０２で一のソース電極を共有しており、当該一のソース電極に一のプリチャージ信号線２０４ａが接続されている。

また、相隣接する６個のＴＦＴ２０２のゲート電極には、データ線駆動回路１０１’からの一のプリチャージ回路駆動信号線２０６ａが分岐されて夫々接続されている。

更に、サンプリング回路３０１内の各ＴＦＴ３０２には、６個のＴＦＴ３０２のゲート電極について、データ線駆動回路１０１’からの一のサンプリング回路駆動信号線３０６が分岐されて夫々接続されている。

このとき、各電極線と各ＴＦＴ３０２又はＴＦＴ２０２の夫々の電極領域とはコンタクトホール３８により層間接続されている。

以上説明した第２実施形態の液晶装置２００’におけるサンプリング回路３０１とプリチャージ回路２０１’の構成によれば、第１実施形態の液晶装置２００の構成による効果に加えて、サンプリング回路３０１及びプリチャージ回路２０１’により占有されるＴＦＴアレイ基板１上の領域を小面積化することができる。

（電子機器）
次に、以上詳細に説明した液晶装置２００を備えた電子機器の実施の形態について図１７から図２０を参照して説明する。

先ず図１７に、このように液晶装置２００を備えた電子機器の概略構成を示す。図１７において、電子機器は、表示情報出力源１０００、上述した外部表示情報処理回路１００２、前述の走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１を含む表示駆動回路１００４、液晶パネル１０、クロック発生回路１００８並びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などのメモリ、テレビ信号を同調して出力する同調回路等を含んで構成され、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回路１００２は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に表示駆動回路１００４に出力する。表示駆動回路１００４は、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１によって前述の駆動方法により液晶パネル１０を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所定電源を供給する。尚、液晶パネル１０を構成するＴＦＴアレイ基板の上に、表示駆動回路１００４を搭載してもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を搭載してもよい。

このような構成の電子機器として、図１８に示す液晶プロジェクタ、図１９に示すマルチメディア対応のパーソナルコンピユータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、あるいは携帯電話、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテーブレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などを挙げることができる。
次に図１８から図２０に、このように構成された電子機器の具体例を夫々示す。図１８において、電子機器の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、投射型の液晶プロジェクタであり、光源１１１０と、ダイクロイックミラー１１１３，１１１４と、反射ミラー１１１５，１１１６，１１１７と、入射レンズ１１１８，リレーレンズ１１１９，出射レンズ１１２０と、液晶ライトバルブ１１２２，１１２３，１１２４と、クロスダイクロイックプリズム１１２５と、投射レンズ１１２６とを備えて構成されている。液晶ライトバルブ１１２２，１１２３，１１２４は、上述した駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶パネル１０を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々液晶ライトバルブとして用いたものである。また、光源１１１０はメタルハライド等のランプ１１１１とランプ１１１１の光を反射するリフレクタ１１１２とからなる。

以上のように構成される液晶プロジェクタ１１００においては、青色光・緑色光反射のダイクロイックミラー１１１３は、光源１１１０からの白色光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー１１１７で反射されて、赤色光用液晶ライトバルブ１１２２に入射される。一方、ダイクロイックミラー１１１３で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー１１１４によって反射され、緑色光用液晶ライトバルブ１１２３に入射される。また、青色光は第２のダイクロイックミラー１１１４も透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ１１１８、リレーレンズ１１１９、出射レンズ１１２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段１１２１が設けられ、これを介して青色光が青色光用液晶ライトバルブ１１２４に入射される。各ライトバルブにより変調された３つの色光はクロスダイクロイックプリズム１１２５に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１１２６によってスクリーン１１２７上に投射され、画像が拡大されて表示される。

図１９において、電子機器の他の例たるラップトップ型のパーソナルコンピュータ１２００は、上述した液晶パネル１０がトップカバーケース内に備えられた液晶ディスプレイ１２０６と、ＣＰＵ、メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２が組み込まれた本体部１２０４とを有する。

また、図２０に示すように、液晶を２枚の透明基板１３０４ａ，１３０４ｂの間に封入し、上述した駆動回路１００４をＴＦＴアレイ基板上に搭載した液晶装置用基板１３０４を備え、当該液晶装置用基板１３０４を構成する２枚の透明基板１３０４ａ，１３０４ｂの一方に、金属の導電膜が形成されたポリイミドテーブ１３２２にＩＣチップ１３２４を実装したＴＣＰ（Tape Carrier Package）１３２０を接続して、電子機器用の一部品である液晶装置として生産、販売、使用することもできる。

以上、図１８から図２０を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダー型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、携帯電話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が図２１に示した電子機器の例として挙げられる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、本発明は上述の各種の液晶パネルの駆動に適用されるものに限らず、エレクトロルミネッセンス、プラズマディスプレ一装置にも適用可能である。

本実施の形態によれば、小型であり、かつ、十分なプリチャージ機能により画像信号の信号源の負荷を著しく軽減し、安定した画像表示の可能な液晶装置２００を備えた各種の電子機器を実現できる。

第１実施形態におけるＴＦＴアレイ基板上に形成された各種配線、周辺回路等のブロック図である。 液晶装置の全体構成を示す平面図である。 液晶装置の全体構成を示す断面図である。 液晶装置に設けられたプリチャージ回路を構成するＴＦＴの回路図であり、（１）はｎチャネル型ＴＦＴの回路図であり、（２）ｐチャネル型ＴＦＴの回路図である。 液晶装置に設けられたサンプリング回路を構成するＴＦＴの回路図であり、（１）はｎチャネル型ＴＦＴの回路図であり、（２）ｐチャネル型ＴＦＴの回路図である。 第１実施形態のプリチャージ回路の構成を示す平面図である。 第１実施形態のプリチャージ回路の構成を示す断面図である。 第１実施形態の中継配線の構成を示す断面図であり、（１）は中継配線の配置の第１例を示す断面図であり、（２）は中継配線の配置の第２例を示す断面図であり、（３）は中継配線の配置の第３例を示す断面図であり、（４）は中継配線の配置の第４例を示す断面図である。 第２実施形態におけるＴＦＴアレイ基板上に形成された各種配線、周辺回路等のブロック図である。 第２実施形態のプリチャージ回路の構成を示す平面図である。 電子機器の概要構成を示すブロック図である。 電子機器の一例としての液晶プロジェクタの構成を示す断面図である。 電子機器の一例としてのパーソナルコンピュータの外観を示す正面図である。 電子機器の一例としてのページャの構成を示す分解斜視図である。 電子機器の一例としてのＴＣＰを用いた液晶装置の外観を示す斜視図である。

符号の説明

１…ＴＦＴアレイ基板
２…対向基板
１１…画素電極
１２…配向膜
２１…共通電極
２２…配向膜
３０、２０２、２０２ａ、２０２ｂ、３０２、３０２ａ、３０２ｂ…ＴＦＴ
３１…走査線（ゲート電極）
３２…半導体層
３３…ゲート絶縁層
３４…ソース領域
３５…データ線（ソース電極）
３６…ドレイン領域
３８、３８’…コンタクトホール
４１…第１層間絶縁層
４２…第２層間絶縁層
４３…第３層間絶縁層
４５…第４層間絶縁層
５０…液晶層
５２…シール材
１０１、１０１’…データ線駆動回路
１０２…実装端子
１０４…走査線駆動回路
２００、２００’…液晶装置
２０１、２０１’…プリチャージ回路
２０４、２０４ａ…プリチャージ信号線
２０６、２０６ａ…プリチャージ回路駆動信号線
３０１…サンプリング回路
３０４、３０４’…中継配線
３０６…サンプリング回路駆動信号線

Claims (12)

1. 複数の画素電極と、画像信号が供給される複数のデータ線と、走査信号が供給される複数の走査線と、前記データ線と前記画素電極との間に夫々介在すると共に前記データ線と前記画素電極の間における導通状態及び非導通状態を前記走査線に供給される走査信号に基づいて制御されるスイッチング手段とを備えた電気光学装置であって、
   プリチャージ信号線に電気的に接続されたソース領域と、プリチャージ回路駆動信号線に電気的に接続されたゲート電極とを有する複数の薄膜トランジスタからなるプリチャージ回路と、
   前記プリチャージ回路の薄膜トランジスタに対応して設けられ、前記プリチャージ回路の薄膜トランジスタのドレイン領域と前記データ線に電気的に接続されたドレイン領域と、画像信号線に電気的に接続されたソース領域と、サンプリング回路駆動信号線に電気的に接続されたゲート電極とを有する複数の薄膜トランジスタからなるサンプリング回路とを具備したことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記プリチャージ信号線は分岐して、前記複数の薄膜トランジスタのソース領域に接続されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記サンプリング回路駆動信号線は、前記プリチャージ回路の隣接する薄膜トランジスタ間に配設されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
4. 前記サンプリング回路の薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域は、前記プリチャージ回路の薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域の延長線上に位置していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記プリチャージ回路の薄膜トランジスタのドレイン領域と前記サンプリング回路の薄膜トランジスタのドレイン領域とを結ぶ配線は、前記画像信号線を交差し、前記画像信号線と交差する前記配線は、前記画像信号線とは別層に形成された配線であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 複数の画素電極と、画像信号が供給される複数のデータ線と、走査信号が供給される複数の走査線と、前記データ線と前記画素電極との間に夫々介在すると共に前記データ線と前記画素電極の間における導通状態及び非導通状態を前記走査線に供給される走査信号に基づいて制御されるスイッチング手段とを備えた電気光学装置であって、
   プリチャージ信号線に電気的に接続されたソース領域と、前記ソース領域の両側にチャネル形成領域を介して設けられた一対のドレイン領域と、前記チャネル形成領域に対向しプリチャージ回路駆動信号線に電気的に接続された一対のゲート電極とを有する複数の薄膜トランジスタからなるプリチャージ回路と、
   前記プリチャージ回路の薄膜トランジスタの一方のドレイン領域と前記データ線に電気的に接続されたドレイン領域と、画像信号線に電気的に接続されたソース領域と、サンプリング回路駆動信号線に電気的に接続されたゲート電極とを有する複数の薄膜トランジスタからなるサンプリング回路とを具備したことを特徴とする電気光学装置。
7. 前記プリチャージ信号線は分岐して、前記複数の薄膜トランジスタのソース領域に接続されることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
8. 前記プリチャージ回路駆動信号線は分岐して、前記薄膜トランジスタの一対のゲート電極に接続されることを特徴とする請求項６または７に記載の電気光学装置。
9. 前記サンプリング回路駆動信号線は分岐して、前記サンプリング回路の複数の薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記プリチャージ回路は、前記画像信号線の層展開の数に応じて前記薄膜トランジスタがブロックごとに設けられることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 前記サンプリング回路駆動信号線は、前記プリチャージ回路の薄膜トランジスタでなる前記ブロックの両側に配設された一対のサンプリング回路駆動信号線からなり、前記一対のサンプリング回路駆動信号線は接続されて前記サンプリング回路の複数の薄膜トランジスタのゲート電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
    
    

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