JP3750360B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）駆動等によるアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置及びこれを用いた電子機器の技術分野に属し、特に、入射光の利用効率を向上するためのマイクロレンズが対向基板上に設けられた形式の電気光学装置及びこれを用いた電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置においては、縦横に夫々配列された多数の走査線及びデータ線並びにこれらの各交点に対応して多数のＴＦＴがＴＦＴアレイ基板上に設けられている。各ＴＦＴは、走査線にゲートが接続され、データ線にソースが接続され、画素電極にドレインが接続されている。特に画素電極は、ＴＦＴや配線を構成する各種の層や当該画素電極を相互に絶縁するための層間絶縁層上に設けられているため、層間絶縁層等に開孔されたコンタクトホールを介してＴＦＴのドレインに接続されている。ＴＦＴアレイ基板上には更に、所謂デューティー比が小さくても画像表示が可能なように各画素電極に蓄積容量を付与するための容量線が走査線に平行に設けられるのが一般的である。
【０００３】
ここで、通常ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）薄膜から形成される画素電極をＴＦＴのドレインに接続するためのコンタクトホールは、ＴＦＴから画素電極までの配線を長くとることにより配線抵抗が増加したり断線したりする不具合を防ぐために、各画素毎にＴＦＴが形成された四角い画素の角に寄せられた位置に開孔される。
【０００４】
他方、この種の電気光学装置では、画面を明るくするためには、電気光学装置の画像表示領域全体に対する画素の開口領域の比率である画素開口率を高めることが重要であるが、Ａｌ（アルミニウム）等からなるデータ線、ポリシリコン等からなる走査線や容量線、半導体層や絶縁層を含むＴＦＴなどが画像表示領域内に非開口領域をなすため、画素開口率を高めるのには一定の限界がある。特に、画素密度を上げて高精細な画像を表示可能とするため及び電気光学装置の大きさを小型化するために画素ピッチを小さくすると、このような非開口領域をなす各種配線やＴＦＴ等を小さくすることに一定の限界があるが故に、画素開口率を高めることも困難となる。
【０００５】
そこで、例えば特開昭６０−１６５６２１号〜１６５６２４号公報、特開平５−１９６９２６号公報等に開示されているように、入射光の利用効率を向上するためのマイクロレンズが対向基板上に設けられた形式の電気光学装置が開発されている。この場合、画素開口率が同じであれば、電気光学装置に対向基板の側から入射した光は、開口領域に入るように集光されるので、開口率が同じであっても、各開口を通過する光の強度が増加するため、電気光学装置により表示される画像を明るく出来る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、電気光学装置の技術分野における表示画像の高品位化や省エネルギ化の要請の下では、例えば上述した従来のマイクロレンズを用いた電気光学装置においても、入射光の利用効率は十分とは言えない。
【０００７】
本発明は上述の問題点に鑑みなされたものであり、比較的簡単な構成を用いて入射光の利用効率を改善し得る電気光学装置及び当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が封入されてなり、該第１基板上に、複数のデータ線と、該複数のデータ線に交差する複数の走査線と、前記各データ線及び前記各走査線に対応して設けられたスイッチング素子と、前記複数のスイッチング素子に対応して設けられマトリクス状に配置された複数の画素電極とが設けられており、前記第２基板上には前記複数の画素電極に対応して複数のマイクロレンズが設けられてなり、前記画素電極の開口領域は、当該開口領域のほぼ中心点を通る少なくとも一本の中心線に対して線対称な形状を持つことを特徴とする。
【０００９】
本発明のかかる構成によれば、開口領域は、そのほぼ中心点を通る中心線に対して線対称であるので、円形等の光照射領域は、この線対称な開口領域内において線対称な位置に形成される。従って、当該開口領域に対する光照射領域が占める割合が高くなる。
【００１０】
本発明の電気光学装置は、前記画素電極はコンタクトホールを介して前記スイッチンング素子に接続されてなり、前記コンタクトホールは、前記開口領域の前記中心線に対して線対称な位置に開孔されてなることを特徴とする。
【００１１】
本発明のかかる構成によれば、コンタクトホールは、開口領域の中心線に対して線対称な位置に開孔されているので、マトリクス状に配置されて四角い平面形状を持つ各画素内の中央付近に位置する線対称な開口領域を広くとることができる。そしてコンタクトホールの周囲における画素電極の段差が開口領域に対して線対称となる。従って、例えば電気光学物質が液晶であれば、右回りの液晶を用いた場合でも左回りの液晶を用いた場合でも、リバースティルト等の液晶の配向不良の起き易さは、殆ど同じとなる。即ち、どちらか一方回りの液晶を用いると、配向不良が顕著に発生してしまうような事態を未然に防ぐことが可能となり、どちら回りの液晶でも等しく採用でき実用上便利である。また、従来のように各画素の角にコンタクトホールが形成され線対称でない開口領域内に円形等の光照射領域が形成される場合と比較して、光の利用効率が改善される。
【００１２】
本発明の電気光学装置は、前記第１基板上に、前記複数の画素電極と前記複数のデータ線及び走査線との間に夫々介在する複数の薄膜トランジスタが更に設けられており、該薄膜トランジスタのソース及びドレインの一方が前記データ線に接続されており、該ソース及びドレインの他方が前記コンタクトホールを介して前記画素電極に接続されており、前記薄膜トランジスタのゲートが前記走査線に接続されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明のかかる構成によれば、開口領域の中心線に対して線対称な位置に開孔されたコンタクトホールを介して画素電極がＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のドレインに接続されているので、マトリクス状に配置されて四角い各画素内の中央付近に位置する線対称な開口領域を広くすることができる。従って、従来のように各画素の角に形成されたコンタクトホールを介して画素電極がＴＦＴのドレインに接続される場合と比較して、光の利用効率が改善される。
【００１４】
本発明の電気光学装置は、前記第１基板上に、前記画素電極に所定蓄積容量を夫々付与する複数の容量線が前記走査線と平行に更に設けられており、前記走査線に沿った方向の前記開口領域の幅は、相隣接する２つの前記データ線により規定されており、前記データ線に沿った方向の前記開口領域の幅は、前記開口領域を挟んで相隣接する前記容量線及び走査線により規定されており、前記コンタクトホールは、前記開口領域を挟むことなく相隣接する前記容量線及び走査線の間に開孔されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明のかかる構成によれば、コンタクトホールは、開口領域を挟むことなく相隣接する容量線及び走査線の間にあるスペースを利用して、開孔されているので、容量線及び走査線によりデータ線に沿った方向の幅が規定された線対称な開口領域を、マトリクス状に配置された四角い各画素内において広くとることができる。従って、従来のように各画素の角にコンタクトホールが形成される場合と比較して、光の利用効率が改善される。
【００１６】
本発明の電気光学装置は、前記開口領域は、回転対称な平面形状を持つことを特徴とする。
【００１７】
本発明のかかる構成によれば、マイクロレンズによる円形等の光照射領域が、円形、正方形、正六角形等の回転対称な開口領域内に形成される。しかも、両者のほぼ中心点は重ねられている。従って、当該開口領域に対する光照射領域が占める割合が高くなり、光の利用効率が改善される。
【００１８】
本発明の電気光学装置は、前記コンタクトホールは、前記開口領域毎に、前記中心線上に一つ開孔されていることを特徴とする。
【００１９】
本発明のかかる構成によれば、開口領域毎に、コンタクトホールが中心線上に一つだけ開孔されているので、線対称な開口領域を、マトリクス状に配置された四角い各画素内において広くとることができる。
【００２０】
本発明の電気光学装置は、前記コンタクトホールは、前記開口領域毎に、前記中心線を挟んで２つずつ開孔されていることを特徴とする。
【００２１】
本発明のかかる構成によれば、開口領域毎に、コンタクトホールが中心線を挟んで２つずつ開孔されているので、線対称な開口領域を、マトリクス状に配置された四角い各画素内において広くとることができる。特に、開口領域毎に（即ち、画素電極毎に）１つのコンタクトホールを形成する場合と比較して、２つのコンタクトホールを設けることでコンタクトホール内におけるコンタクト抵抗を下げることも可能となるので、各コンタクトホールの径を小さくしてもよいことになる。従って、開口形状の自由度が増し、円形に近く且つ光利用効率が高い開口が得られる。ここで、コンタクトホールは、電気光学装置の層構成において比較的深い穴である（即ち、エッチングが比較的困難な穴である）ので、このようにコンタクトホールを複数にすることは、歩留まりを向上させる上で役立つ。
【００２２】
本発明の電子機器は、上述の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００２３】
本発明の電子機器によれば、電子機器は、上述した本願発明の電気光学装置を備えており、開口領域に対する光照射領域が広く、光の利用効率が改善された電気光学装置により、明るく高品位の画像表示が可能となる。 本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにする。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２５】
（液晶パネルの第１の実施の形態）
電気光学装置の一例として液晶パネルについて説明する。第１の実施の形態の液晶パネルを図１から図６に基づいて説明する。図１は、液晶パネルの有するＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、対向基板を含めて示す図１のＨ−Ｈ’断面図である。また、図３は、マイクロレンズの一例が形成された画素部における対向基板の拡大断面図であり、図４は、マイクロレンズの他の一例が形成された画素部における対向基板の拡大断面図である。更に、図５は、図１の画素部を拡大して示すＴＦＴアレイ基板の拡大平面図であり、図６は、図５のＡ−Ａ’断面図である。
【００２６】
図１において、液晶パネル１００は、例えば石英基板、ハードガラス等からなるＴＦＴアレイ基板１を備えている。液晶パネル１００の中央に位置する画像表示領域においてＴＦＴアレイ基板１上には、図５に示すようにマトリクス状に設けられた複数の画素電極１１と、Ｘ方向に複数配列されており夫々がＹ方向に沿って伸びるデータ線３５（ソース電極線）と、Ｙ方向に複数配列されており夫々がＸ方向に沿って伸びる走査線３１（ゲート電極線）と、この走査線３１と平行に配列された容量線１３１（蓄電容量電極）が設けられている。
【００２７】
再び図１において、ＴＦＴアレイ基板１の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して対向基板２（図２参照）の周辺見切り５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１及び実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴアレイ基板１の残る一辺には、複数の配線１０５が設けられている。また、シール材５２の四隅には、ＴＦＴアレイ基板１と対向基板２との間で電気的導通をとるための導通剤１０６が設けられている。
【００２８】
走査線駆動回路１０４は、外部制御回路から供給される電源、基準クロック等に基づいて、所定タイミングで走査線３１（図５参照）に走査信号をパルス的に線順次で印加するように構成されている。
【００２９】
データ線駆動回路１０１は、外部の画像信号源から供給される画像信号を、外部制御回路から供給される電源、基準クロック等に基づいて走査線駆動回路１０４が走査信号を印加するタイミングに合わせてサンプリングして、各データ線に対応するデータ信号としてデータ線３５（図５参照）に印加するように構成されている。
【００３０】
尚、本実施の形態では特に、画素部におけるＴＦＴ３０の形成時に同一工程で、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４を構成するＴＦＴを形成することも可能であり、製造上有利である。但し、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（テープオートメイテッドボンディング）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。尚、複数のデータ線３５に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して夫々供給するプリチャージ回路、多相展開された画像信号をサンプルリングして複数のデータ線３５に夫々供給するサンプリング回路、ＴＦＴ３０や各種の配線の欠陥を検査するための検査回路等を、ＴＦＴアレイ基板１上に更に設けてもよい。
【００３１】
図２のＨ−Ｈ’断面に示すように、図１に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１に固着されており、両基板間に液晶層５０が挟持されている。液晶層５０は、画素電極１１と対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１と対向基板２との間において、シール材５２により囲まれた空間に液晶が真空吸引等により封入されることにより形成される。液晶層５０は、画素電極１１からの電界が印加されていない状態で後述の配向膜１２（図５参照）及び２２（図３参照）により所定の配向状態を採る。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなる。シール材５２は、二つの基板１及び２をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。対向基板２には、ブラックマトリクス、ブラックストライプ等と呼ばれる遮光層２３が設けられており、マトリクス状に配置された各画素の開口領域を規定している。
【００３２】
図３に示すように、このような画素の開口領域に対応して複数のマイクロレンズ２００が対向基板２上にマトリクス状に設けられている。
【００３３】
マイクロレンズ２００は、例えば、特開平６−１９４５０２号公報に開示されている製造方法により形成される。即ち、例えば、対向基板２上に感光性材料の膜を形成した後、各レンズとなる部分に対応する凸部が残るように光パターニングした後、感光性材料の熱変形及び表面張力により、滑らかな各レンズの凸面を持つ感光性材料からなる配列パターンを対向基板２の上に形成し、その後、当該感光性材料の配列パターンをマスクとしてドライエッチングを行って感光性材料の配列パターンを対向基板２に彫り写すことにより、表面に滑らかな各レンズの凸面が彫られたマイクロレンズ２００が形成される。或いは、伝統的な所謂「熱変形法」によりマイクロレンズ２００を形成してもよい。
【００３４】
マイクロレンズ２００の表面全体には、接着剤２０１によりカバーガラス２０２が貼り付けられており、この上に更に遮光層２３、対向電極（共通電極）２１及び配向膜２２が順に形成される。この場合、遮光層２３は、各開口の中心が各マイクロレンズ２００のレンズ中心２００ａに重なるように各マイクロレンズ２００の境界に沿ってマトリクス状に設けられている。
【００３５】
図３において、対向電極２１は、対向基板２の全面に渡って形成されている。このような対向電極２１は、例えばスパッタリング処理等によりＩＴＯ膜等を約５００〜２０００オングストロームの厚さに堆積した後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を施すこと等により形成される。配向膜２２は、例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。このような配向膜２２は、例えばポリイミド系の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により形成される。遮光層２３は、ＴＦＴ３０に対向する所定領域に設けられている。このような遮光層２３は、ＣｒやＮｉなどの金属材料を用いたスパッタリング、フォトリソグラフィ及びエッチングにより形成されたり、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成される。遮光層２３は、後述のＴＦＴ３０の半導体層（ポリシリコン膜）３２に対する遮光の他に、コントラストの向上、色材の混色防止などの機能を有する。 或いは、図４に示すように、例えば、予め各レンズの凸面が形成された透明板（マイクロレンズアレイ）を対向基板２の表面に貼り付けて構成したマイクロレンズ２００’を対向基板２に設けるようにしてもよい。更に、対向基板２の液晶層５０に対面する側の面上に、このようなマイクロレンズアレイを貼り付けてもよい。
【００３６】
このように各種の層が形成された対向基板２は、図２に示したように液晶層５０に対し配向膜２２が面するように配置される。
【００３７】
図５及び図６に示すようにＴＦＴアレイ基板１上には更に、各データ線３５と画素電極１１との間にコンタクトホール３７及び３８を介して夫々介在すると共に該間における導通状態及び非導通状態を、走査線３１を介して夫々供給される走査信号に応じて夫々制御する複数のＴＦＴ３０と、容量線１３１とＴＦＴ３０のドレインから延設された半導体層３２ｂが絶縁膜（ゲート絶縁膜）３３を介して対向配置されてなり、各画素電極１１に所定の蓄積容量を付与する複数の蓄積容量７０とが設けられている（図６参照）。そして、ＴＦＴ３０のソース領域３４がデータ線３５にコンタクトホール３７を介して接続されており、ＴＦＴ３０のドレイン領域３６がコンタクトホール３８を介して画素電極１１に接続されており、走査線３１がＴＦＴ３０のゲート電極として構成されている。
【００３８】
図６において、ＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１上に積層された半導体層３２、ゲート絶縁膜３３、走査線３１（ゲート電極線）、第１層間絶縁層４２、データ線３５（ソース電極線）、第２層間絶縁層４３、画素電極１１及び配向膜１２を備えている。
【００３９】
第１及び第２層間絶縁層４２及び４３は夫々、５０００〜１５０００オングストローム程度の層みを持つＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる。尚、ＴＦＴアレイ基板１上に、ＴＦＴ３０の下地となる層間絶縁層をシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等から形成してもよい。画素電極１１は例えば、ＩＴＯ膜（インジウム・ティン・オキサイド膜）などの透明導電性薄膜からなる。このような画素電極１１は、スパッタリング処理等によりＩＴＯ膜等を約５００〜２０００オングストロームの厚さに堆積した後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を施すこと等により形成される。尚、当該液晶パネル１００を反射型の液晶パネルに用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い不透明な材料から画素電極１１を形成してもよい。配向膜１２は例えば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。このような配向膜１２は、例えばポリイミド系の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等により形成される。
【００４０】
図６に示すように、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３１、走査線３１からの電界によりチャネルが形成される半導体層３２のチャネル形成用領域３２ａ、走査線３１と半導体層３２とを絶縁するゲート絶縁膜３３、半導体層３２の低濃度ソース領域（ソース側ＬＤＤ領域）３４’、データ線３５、半導体層３２の低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）３６’、半導体層３２の高濃度ソース領域３４及び高濃度ドレイン領域３６を備えている。高濃度ドレイン領域３６には、複数の画素電極１１のうちの対応する一つがコンタクトホール３８を介して接続されている。ソース領域３４及び３４’並びにドレイン領域３６及び３６’は、半導体層３２に対し、ｎ型又はｐ型のチャネルを形成するかに応じて所定濃度のｎ型用又はｐ型用のドーパントをドープすることにより形成されている。ｎ型チャネルのＴＦＴは、動作速度が速いという利点があり、画素のスイッチング素子であるＴＦＴ３０として用いられることが多い。本実施の形態では特にデータ線３５（ソース電極線）は、Ａｌ等の金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの遮光性の薄膜から構成されている。また、走査線３１（ゲート電極線）、ゲート絶縁膜３３及び第１層間絶縁膜４２の上には、高濃度ソース領域３４へ通じるコンタクトホール３７及び高濃度ドレイン領域３６へ通じるコンタクトホール３８が夫々形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。このソース領域３４へのコンタクトホール３７を介して、データ線３５（ソース電極線）は高濃度ソース領域３４に電気的接続されている。更に、データ線３５及び第１層間絶縁膜４２の上には、高濃度ドレイン領域３６へのコンタクトホール３８が形成された第２層間絶縁膜４３が形成されている。この高濃度ドレイン領域３６へのコンタクトホール３８を介して、画素電極１１は高濃度ドレイン領域３６に電気的接続されている。前述の画素電極１１は、このように構成された第２層間絶縁膜４３の上面に設けられている。
【００４１】
ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域３４’及び低濃度ドレイン領域３６’に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、ゲート電極３１をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００４２】
また、本実施の形態の蓄積容量７０は、半導体層３２の高濃度ドレイン領域３６を、容量線１３１に沿って延設し、容量線１３１と絶縁膜３３を介して対向させることにより形成される。これに加えて、半導体層３２の高濃度ドレイン領域３６を、データ線３５に沿って延設し、同じくデータ線３５下に容量線１３１を延設して、この部分に絶縁膜３３を介して対向させることによっても蓄積容量を形成している。更に、ＴＦＴアレイ基板１の側から液晶パネル１００に入射される光（例えば、戻り光、離面反射等）がＴＦＴ３０のチャネル形成領域３２ａ等に入射しないようにするための遮光層をＴＦＴ３０の下側に形成した場合には、容量線下或いはデータ線下において、遮光膜とこれに対向する半導体層３２とから蓄積容量を形成してもよい。
【００４３】
これらの結果、データ線３５下の領域及びデータ線に平行な領域という開口領域（図５の斜線部）を外れたスペースを有効に利用して、画素電極１１の蓄積容量を増やすことが出来る。
【００４４】
本実施の形態では特に、画素電極１１の開口領域（図５中の斜線領域）は、開口領域のほぼ中心点１１ａを通る中心線１１ｂに対して線対称な形状を持つ。また、コンタクトホール３８は、開口領域の中心線１１ｂに対して線対称な位置に開孔されている。更に、マイクロレンズ２００は、ほぼ中心点１１ａに対向する位置にレンズ中心２００ａ（図３参照）を夫々有する。尚、画素電極１１は、コンタクトホール３８を介した配線接続が容易となるように、その平面形状が開口領域よりも広く且つコンタクトホール３８が開孔される位置まで含むように構成されている。
【００４５】
本実施の形態によれば、光が対向基板２の側から入射すると、開口領域のほぼ中心点１１ａ（重心）に対向する位置にレンズ中心２００ａを有するマイクロレンズ２００により、この入射光は、開口領域のほぼ中心点１１ａを中心として画素電極１１上に集光される。従って、マイクロレンズ２００により集光された光により円形（若しくは略円形又は楕円形）の光照射領域が開口領域内に形成される。ここで、コンタクトホール３８は、開口領域の中心線１１ｂに対して線対称な位置に開孔されている。このため、四角い平面形状を持つ各画素内の中央付近に位置する線対称な開口領域を広くとることができる。そして、開口領域は、そのほぼ中心点１１ａを通る中心線１１ｂに対して線対称であるので、円形等の光照射領域は、この線対称な開口領域内において線対称な位置に形成される（円形等の中心がほぼ中心点１１ａと重なることになる）。従って、当該開口領域に対する光照射領域が占める割合が高くなり、光の利用効率が改善される。尚、マイクロレンズの集光能力としては、光照射領域が開口領域に丁度収まる程度に集光できれば十分であり、必要以上に光照射領域を小さくする必要はない。
【００４６】
更に、本実施の形態によれば、コンタクトホール３８は、開口領域の中心線１１ｂに対して線対称な位置に開孔されているので、コンタクトホール３８の周囲における画素電極１１の段差（図６参照）が開口領域に対して線対称となる。従って、液晶層５０用に、右回りの液晶を用いた場合でも左回りの液晶を用いた場合でも、リバースティルト等の液晶の配向不良の起き易さは、殆ど同じとなる。即ち、どちらか一方回りの液晶を用いると、配向不良が顕著に発生してしまうような事態を未然に防ぐことが可能となり、液晶層５０として、右回りの液晶でも左回りの液晶でも等しく採用でき実用上便利である。
【００４７】
尚、図１から図６には示されていないが、対向基板２の入射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１の出射光が出射する側には夫々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００４８】
次に以上のように構成された第１の実施の形態の動作について説明する。
【００４９】
先ず、制御回路から画像信号を受けたデータ線駆動回路１０１（図１及び図２参照）は、この画像信号に応じたタイミング及び大きさで信号電圧をデータ線３５（図５及び図６参照）に印加し、これと並行して、走査線駆動回路１０４（図１及び図２参照）は、所定タイミングで走査線３１にゲート電圧をパルス的に順次印加し、ＴＦＴ３０は駆動される。これにより、ゲート電圧がオンとされた時点でソース電圧が印加されたＴＦＴ３０においては、ソース領域３４及び３４’、半導体層３２のチャネル形成用領域３２ａに形成されたチャネル並びにドレイン領域３６及び３６’を介して画素電極１１に電圧が印加される。そして、この画素電極１１の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間だけ蓄積容量７０により保持される（図５及び図６参照）。
【００５０】
以上のように、画素電極１１に電圧が印加されると、液晶層５０におけるこの画素電極１１と対向電極２１とに挟まれた部分における液晶の配向状態が変化し、ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体として液晶パネル１００からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。
【００５１】
特に本実施の形態では、マイクロレンズ２００（図３及び図４参照）により光の利用効率が高められているため、液晶パネル１００により、明るい高画質の画像を表示することが可能となる。
【００５２】
以上に構成及び動作を説明したように本実施の形態によれば、従来の如く各画素の角に形成されたコンタクトホールを介して画素電極がＴＦＴのドレインに接続される場合と比較して、光の利用効率が改善される。特に、本実施の形態の場合、開口領域は、正方形に近い矩形、即ち、回転対称な平面形状を持つので、円形等の光照射領域が、当該開口領域に対して占める割合が高くなり、光の利用効率が改善される。尚、開口領域を円形、正十二角形、正八角形、正六角形、正方形等の他の回転対称な形状としてもよいことは言うまでもない。更に本実施の形態では、Ｘ方向の開口領域の幅は、相隣接する２つのデータ線３５により規定されており、Ｙ方向の開口領域の幅は、開口領域を挟んで相隣接する容量線１３１及び走査線３１により規定されており、コンタクトホール３８を、開口領域を挟むことなく相隣接する容量線１３１及び走査線３１の間にあるスペースに開孔することにより、画像表示領域の２次元スペースを有効利用できる。従って、開口領域をより効率的に広くすることが出来、光の利用効率が非常に改善されている。
【００５３】
しかも、図５から分かるように、コンタクトホール３８と開口領域との間には走査線３１又は容量線１３１が存在するため、これらの配線幅に応じてコンタクトホール３７を開口領域から基板面に沿って離すことが出来る。このため、コンタクトホール３７の段差による開口領域への悪影響を軽減できる。更に、コンタクトホール３８は、基板面に沿ってＴＦＴ３０及びデータ線３５からも比較的離間している（どのＴＦＴ３０やデータ線からも、開口領域の幅の半分程度の距離を隔てて位置している）ので、コンタクトホール３８の開孔の際や、実際の液晶パネル１００の動作に際して、コンタクトホール３８が、ＴＦＴ３０やデータ線３５に悪影響を及ぼす事態をも未然に防ぐことが出来る。
【００５４】
以上のように、本実施の形態の液晶パネル１００は、画素ピッチを小さくして、各画素の微細化を行う場合に非常に適している。
【００５５】
尚、本実施の形態では、ＴＦＴを用いて画素電極１１を駆動するように構成したが、ＴＦＴ以外の、例えば、ＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）等のアクティブマトリクス素子を用いることも可能であり、更に、液晶パネルをパッシブマトリクス型の液晶パネルとして構成することも可能である。また、液晶パネルに限らず、エレクトロルミネッセンス、あるいはプラズマディスプレイ等にもてきようできる。このような場合であっても、マイクロレンズで画素電極上に光を集光する構成を採る限り、本実施の形態で説明した開口領域を線対称や回転対称として、レンズ中心を開孔領域のほぼ中心点に対向させる構成は、光の利用効率を向上させる上で本実施の形態の場合と同様に有効である。
【００５６】
（液晶パネルの第２の実施の形態）
本発明による液晶パネルの第２の実施の形態について図１〜図４並びに図７及び図８を参照して説明する。図７は、図１の画素部を拡大して示すＴＦＴアレイ基板の拡大平面図であり、図８は、図７のＢ−Ｂ’断面図である。尚、図７及び図８において、図６及び図７と同じ構成要素については、同じ参照符号を付し、その説明は省略する。
【００５７】
第２の実施の形態では、液晶パネル１００の全体構成は図１及び図２に示した第１の実施の形態とほぼ同様であり、マイクロレンズを備えた対向基板の構成についても、図３及び図４に示した第１の実施の形態の場合とほぼ同様である。
【００５８】
図７及び図８において、第２の実施の形態では特に、コンタクトホール３８が開孔される位置の周囲であり、相隣接するデータ線３１’及び容量線１３１’の間に、図７中、右下がりの斜線領域を付して示したシート状ポリシリコン８０が設けられている。また、走査線３１’及び容量線１３１’は、このシート状ポリシリコン８０に重ならないように、このシート状ポリシリコン８０が設けられた領域に沿って縁が後退して形成さている（図７参照）。その他の構成については、第１の実施の形態の場合と同様である。
【００５９】
この結果、本第２の実施の形態によれば、シート状ポリシリコン８０の存在により、コンタクトホール３８をエッチングにより開孔する際に、半導体層３２を突き抜けても何等問題が生じないので（図８参照）、当該コンタクトホール３８を開孔する工程制御が容易となる。更に本実施の形態では、コンタクトホール３８を、開口領域を挟むことなく相隣接する容量線１３１’及び走査線３１’の間にあるスペースに開孔すると共に、このスペースを確保するために容量線１３１’及び走査線３１’の縁がシート状ポリシリコン８０に沿って夫々後退しているので、画像表示領域の２次元スペースを有効利用できる。従って、開口領域をより効率的に広くすることが出来、光の利用効率が非常に改善されている。（液晶パネルの第３の実施の形態）
本発明による液晶パネルの第３の実施の形態について図９を参照して説明する。図９は、図１の画素部を拡大して示すＴＦＴアレイ基板の拡大平面図であり、尚、図９において、図６と同じ構成要素については、同じ参照符号を付し、その説明は省略する。
【００６０】
第３の実施の形態では、液晶パネル１００の全体構成は図１及び図２に示した第１の実施の形態とほぼ同様であり、マイクロレンズを備えた対向基板の構成についても、図３及び図４に示した第１の実施の形態の場合とほぼ同様である。
【００６１】
図９において、第３の実施の形態では特に、ＴＦＴ３０のドレインと画素電極１１を接続するために二つのコンタクトホール３８’、３８’が、開口領域毎に、中心線１１ｂ’を挟んで線対称な位置に開孔されている。そして、ＴＦＴ３０を構成する半導体層３２が、ドレインから各画素の左右両方の下側の角にまで延設されている。また、コンタクトホール３７及び３８’の開孔形状を円形とすると共に開孔径を第１及び第２の実施の形態の場合と比べて小さく設定してある。その他の構成については、第１の実施の形態の場合と同様である。
【００６２】
従って本第３の実施の形態によれば、開口領域毎に、コンタクトホール３８’、３８’が中心線１１ｂ’を挟んで２つずつ開孔されているので、線対称な開口領域を、マトリクス状に配置された四角い各画素内において広くとることができる。従って、光の利用効率が改善される。
【００６３】
特に、開口領域毎に１つのコンタクトホール３８を形成する第１及び第２の実施の形態の場合と比較して、２つのコンタクトホール３８’、３８’を設けることでコンタクトホール内におけるコンタクト抵抗を下げることができ、各コンタクトホール３８’、３８’の径が小さく構成されている。このように、本実施の形態では、開口形状の自由度が増しており、円形に近く且つ光利用効率の高い開口が得られる。ここで、液晶パネル１００の層構成において比較的深い穴であり、従ってエッチングが比較的困難であるコンタクトホール３８’、３８’を複数にすることにより、当該エッチング工程を含む製造方法により製造される当該液晶パネル１００の歩留まりを向上させることができる。 尚、以上説明した第１から第３の実施の形態では、遮光層２３により、データ線３５、走査線３１、容量線１３１、コンタクトホール３８、ＴＦＴ３０等が形成された領域を覆うことにより、図５、図７及び図９に夫々斜線で示した（各画素電極１１よりも小さい）画素の開口領域を規定するようにしたが、Ａｌ等の遮光性材料からこれらの配線等を構成する場合には、遮光層２３の少なくとも一部に代えて当該遮光性の配線により、画素の開口領域の少なくとも一部を規定するように構成してもよい。
【００６４】
また、以上説明した第１から第３の実施の形態では、液晶パネル１００は、カラー液晶プロジェクタに適用されるため、３つの液晶パネル１００がＲＧＢ用のライトバルブとして夫々用いられ、各パネルには夫々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投写光として夫々入射されることになる。従って、各実施の形態では、対向基板２に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、液晶パネル１００においてもブラックマトリックス２３の形成されていない画素電極１１に対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２上に形成してもよい。このようにすれば、液晶プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー液晶装置に本実施の形態の液晶パネルを適用できる。更に、対向基板２上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー液晶パネルが実現できる。
【００６５】
更に、第１から第３の実施の形態の液晶パネル１００において、ＴＦＴアレイ基板１側における液晶分子の配向不良を更に抑制するために、第２層間絶縁膜４３の上に更に平坦化膜をスピンコート等で塗布してもよく、又はＣＭＰ処理を施してもよい。或いは、第２層間絶縁膜４３を平坦化膜で形成してもよい。また、液晶パネル１００のスイッチング素子は、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴやアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに対しても、本実施の形態は有効である。更に、液晶パネル１００においては、一例として液晶層５０をネマティック液晶から構成したが、液晶を高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液晶を用いれば、配向膜１９及び２２、並びに前述の偏光フィルム、偏光板等が不要となり、光利用効率が高まることによる液晶パネル１００の高輝度化や低消費電力化の利点が得られる。更に、画素電極１１をＡｌ等の反射率の高い金属膜から構成することにより、液晶パネル１００を反射型液晶装置に適用する場合には、電圧無印加状態で液晶分子がほぼ垂直配向されたＳＨ（スーパーホメオトロピック）型液晶などを用いても良い。更にまた、液晶パネル１００においては、液晶層５０に対し垂直な電界（縦電界）を印加するように対向基板２の側に対向電極２１を設けているが、液晶層５０に平行な電界（横電界）を印加するように一対の横電界発生用の電極から画素電極１１を夫々構成する（即ち、対向基板２の側には縦電界発生用の電極を設けることなく、ＴＦＴアレイ基板１の側に横電界発生用の電極を設ける）ことも可能である。このように横電界を用いると、縦電界を用いた場合よりも視野角を広げる上で有利である。その他、各種の液晶材料（液晶相）、動作モード、液晶配列、駆動方法等に本実施の形態を適用することが可能である。
【００６６】
更にまた、以上の実施の形態において、特開平９−１２７４９７号公報、特公平３−５２６１１号公報、特開平３−１２５１２３号公報、特開平８−１７１１０１号公報等に開示されているように、ＴＦＴアレイ基板１上においてＴＦＴ３０に対向する位置（即ち、ＴＦＴ３０の下側）にも、例えば高融点金属からなる遮光層を設けてもよい。このようにＴＦＴ３０の下側にも遮光層を設ければ、ＴＦＴアレイ基板１の側からの戻り光等がＴＦＴ３０に入射するのを未然に防ぐことができる。この場合には、ＴＦＴ３０の下側の遮光層により、図５、図７及び図９に夫々斜線で示した画素の開口領域の一部又は全部を規定することも可能である。
【００６７】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した実施の形態における液晶パネル１００を備えた電子機器の実施の形態について図１０から図１４を参照して説明する。
【００６８】
先ず図１０に、このように液晶パネル１００を備えた電子機器の概略構成を示す。
【００６９】
図１０において、電子機器は、表示情報出力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１００４、液晶パネル１００、クロック発生回路１００８並びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などのメモリ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回路１００２は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック信号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共に駆動回路１００４に出力する。駆動回路１００４は、液晶パネル１００を駆動する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所定電源を供給する。尚、液晶パネル１００を構成するＴＦＴアレイ基板の上に、駆動回路１００４を搭載してもよく、これに加えて表示情報処理回路１００２を搭載してもよい。
【００７０】
次に図１１から図１４に、このように構成された電子機器の具体例を夫々示す。
【００７１】
図１１において、電子機器の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、上述した駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶パネル１００を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投写光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投写レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投写される。
【００７２】
本実施の形態では特に、前述のように遮光膜をＴＦＴの下側に設けておけば、当該液晶パネル１００からの投写光に基づく液晶プロジェクタ内の投写光学系による反射光、投写光が通過する際のＴＦＴアレイ基板の表面からの反射光、他の液晶パネル１００から出射した後にダイクロイックプリズム１１１２を突き抜けてくる投写光の一部（Ｒ光及びＧ光の一部）等が、戻り光としてＴＦＴアレイ基板の側から入射しても、画素電極のスイッチング用のＴＦＴ等のチャネル領域に対する遮光を十分に行うことができる。このため、小型化に適したプリズムを投写光学系に用いても、各液晶パネルのＴＦＴアレイ基板とプリズムとの間において、戻り光防止用のＡＲフィルムを貼り付けたり、偏光板にＡＲ被膜処理を施したりすることが不要となるので、構成を小型且つ簡易化する上で大変有利である。
【００７３】
図１２において、電子機器の他の例たるマルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）１２００は、上述した液晶パネル１００がトップカバーケース内に備えられており、更にＣＰＵ、メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２が組み込まれた本体１２０４を備えている。
【００７４】
図１３において、電子機器の他の例たるページャ１３００は、金属フレーム１３０２内に前述の駆動回路１００４がＴＦＴアレイ基板上に搭載されて液晶表示モジュールをなす液晶パネル１００が、バックライト１３０６ａを含むライトガイド１３０６、回路基板１３０８、第１及び第２のシールド板１３１０及び１３１２、二つの弾性導電体１３１４及び１３１６、並びにフィルムキャリアテープ１３１８と共に収容されている。この例の場合、前述の表示情報処理回路１００２（図１０参照）は、回路基板１３０８に搭載してもよく、液晶パネル１００のＴＦＴアレイ基板上に搭載してもよい。更に、前述の駆動回路１００４を回路基板１３０８上に搭載することも可能である。
【００７５】
尚、図１３に示す例はページャであるので、回路基板１３０８等が設けられている。しかしながら、駆動回路１００４や更に表示情報処理回路１００２を搭載して液晶モジュールをなす液晶パネル１００の場合には、金属フレーム１３０２内に液晶パネル１００を固定したものを液晶装置として、或いはこれに加えてライトガイド１３０６を組み込んだバックライト式の液晶装置として、生産、販売、使用等することも可能である。
【００７６】
また図１４に示すように、駆動回路１００４や表示情報処理回路１００２を搭載しない液晶パネル１００の場合には、駆動回路１００４や表示情報処理回路１００２を含むＩＣ１３２４がポリイミドテープ１３２２上に実装されたＴＣＰ（Tape Carrier Package）１３２０に、ＴＦＴアレイ基板１の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して物理的且つ電気的に接続して、液晶装置として、生産、販売、使用等することも可能である。
【００７７】
以上図１１から図１４を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが図１０に示した電子機器の例として挙げられる。
【００７８】
以上説明したように、本実施の形態によれば、光の利用効率が高く、画面が明るい高品位の画像表示が可能な液晶パネルを備えた各種の電子機器を実現できる。
【００７９】
【発明の効果】
本発明の電気光学装置によれば、マイクロレンズにより、画素の開口領域に対する光照射領域が占める割合を高くしつつ、光を画素電極上に集光できる。従って、従来のように例えば各画素の角にコンタクトホールが形成され線対称でない開口領域内に光を集光する場合と比較して、光の利用効率を高められる。この結果、画面が明るい高品位の画像を表示することが可能となる。更に、本発明によれば、コンタクトホールの周囲における画素電極の段差が開口領域に対して線対称となるので、例えば電気光学物質として液晶を用いた場合、右回りの液晶でも、左回りの液晶でも配向不良の問題を起こすことなく用いることができ、実用上便利である。 また、本発明の電子機器によれば、画面が明るい高品位の画像表示が可能であり、しかも低コスト且つ省エネルギ型の液晶プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ページャ等の様々な電子機器を実現可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による液晶パネルの第１の実施の形態におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】 図２は、対向基板を含めて示す図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】 マイクロレンズの一例が形成された画素部における対向基板の拡大断面図である。
【図４】 マイクロレンズの他の一例が形成された画素部における対向基板の拡大断面図である。
【図５】 図１の画素部を拡大して示すＴＦＴアレイ基板の拡大平面図である。
【図６】 図５のＡ−Ａ’断面図である。
【図７】 本発明による液晶パネルの第２の実施の形態における画素部を拡大して示すＴＦＴアレイ基板の拡大平面図である。
【図８】 図７のＢ−Ｂ’断面図である。
【図９】 本発明による液晶パネルの第３の実施の形態における画素部を拡大して示すＴＦＴアレイ基板の拡大平面図である。
【図１０】 本発明による電子機器の実施の形態の概略構成を示すブロック図である。
【図１１】 電子機器の一例としての液晶プロジェクタを示す断面図である。
【図１２】 電子機器の他の例としてのパーソナルコンピュータを示す正面図である。
【図１３】 電子機器の一例としてのページャを示す分解斜視図である。
【図１４】 電子機器の一例としてのＴＣＰを用いた液晶装置を示す斜視図である。
【符号の説明】
１…ＴＦＴアレイ基板
２…対向基板
１１…画素電極
１１ａ…開口領域のほぼ中心点
１１ｂ…開口領域の中心線
１２…配向膜
２１…対向電極
２２…配向膜
２３…遮光層
３０…ＴＦＴ
３１、３１’…走査線（ゲート電極線）
３２…半導体層
３２ａ…チャネル形成用領域
３３…ゲート絶縁膜
３４…高濃度ソース領域
３４’…低濃度ソース領域
３５…データ線（ソース電極線）
３６…高濃度ドレイン領域
３６’…低濃度ドレイン領域
３７、３８…コンタクトホール
４２…第１層間絶縁層
４３…第２層間絶縁層
５０…液晶層
５２…シール材
５３…周辺見切り
７０…蓄積容量
８０…シート状ポリシリコン
１０１…データ線駆動回路
１０４…走査線駆動回路
１３１、１３１’…容量線
２００、２００’…マイクロレンズ
２００ａ、２００ａ’…レンズ中心
２０１…接着剤

Claims (8)

1. 一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が封入されてなり、
   該第１基板上に、複数の遮光性のデータ線と、該複数のデータ線に交差する複数の走査線と、前記各データ線及び前記各走査線に対応して設けられた画素トランジスタと、前記複数の画素トランジスタに対応して設けられマトリクス状に配置された複数の透明の画素電極とが設けられており、
   前記第２基板上には前記複数の画素電極に対応して複数のマイクロレンズが設けられてなり、
   前記画素電極は前記第１基板上で前記データ線と該データ線と交差する容量線により開口が規定され、前記マイクロレンズのレンズ中心は前記画素電極の開口のほぼ中心に対向する位置に設けられ、
   前記画素トランジスタの半導体層のドレイン領域は前記データ線下及び前記容量線下に沿って延設され、この延設されたドレイン領域を用いて蓄積容量が形成されることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記蓄積容量は前記ドレイン領域と前記容量線を用いて形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第２基板は前記マイクロレンズのレンズ中心に重なるように開口を規定する遮光層を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記画素電極と前記画素トランジスタのドレイン電極とを接続するコンタクトホールを備え、前記コンタクトホールは前記画素電極の中心線上に位置することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記画素電極と前記画素トランジスタのドレイン電極とを接続する２つのコンタクトホールを備え、前記２つのコンタクトホールは前記画素電極の中心線を挟んで線対称に位置することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記データ線上に、平坦化された絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記データ線上に形成された絶縁膜と、
   前記絶縁膜上に形成された平坦化膜とを有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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