TW399216B - Voltage boosting devices having overvoltage protection devices therein for disabling active kicker circuits - Google Patents

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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第87106728號專利申請案 A7 中文說明書修正頁(89年4月） B7 修正 m 五、發明説明（12 ) 年心.％充 區段 1 0進行電荷激勵的動作。 在圖式和說明書中，已揭示了本發明之典型的較佳具體 實施例此外，雖然引用特定之名詞， 但只是用於一般性和 敘述性為主而非限制為目的，本發明的範圍由下述之申請 專利範圍所限定。 元件符號說明 10 充電激勵電路 11 第一激勵電路 11A 振盪器 11B 第一電荷激勵器 12 第二激勵電路 12A 主動起動電路 12B 第二電荷激勵器 13 電位偵測器 14 事先充電電路 15 鉗制電路 20、 28過電壓保護電路 26 第二電位偵測器 27 作業週期偵測電路 27A % 一區別電路 27B 第二區別電路 -15- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） *-° 經漪部中央標準局員工消费合作社印％ 五、發明説明（ - 發明範圍 路積體電路7^地是指…有祕電 發明背景 比積電電路s己憶裝置’其晶片上的電壓大小必需要 曰:：邵的電源(即是Vdd)所提供之電壓要大。此晶片 +壓典型來説是由電荷激勵電路所提供。描述A型的 电荷激勵電路的美國專利號5，雇，23G由Lee所著之:半導 體*己憶裝M之内部升壓方法與電路"，專利號5,608,677由 —η所著之••用於半導體記憶基置《主動週期的升壓電路" 、’專利，號5，180,928由Ch〇i所著之"半導體裝置之固定電壓 •^產生’專號5,343,088由Jeon所著之，，用於半導體記 ®裝置之基極％壓產生器之電荷激勵電路"，專利號 ’ 66,842由Park所著之》基極電壓產生器之電荷激勵電路" ’專㈣5’315’557由Kim所著之"具有自行更新及反偏磨 電路足半導體記憶裝置"，經原作者同意，其所揭示之内容 列於附錄供做參考。由Yoon所著之，美國申請號 08/748,189，"具有支援升壓能力之升壓電路"，現在的美 國專利號爲-------，所揭示之内容列於附綠供做參考， 其更揭示了在積體電路上將電壓升至大於用於此電路之電 源電壓大小之技術。 _ 一種在其中具有電位判定電路之傳統升壓電路也揭示於 美國專利號5,587,956由Tanida所著之"具有產生升壓功能 之半導體記憶裝置"。一種改良的電壓激勵電路也揭示於美 -4 本纸張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ' -- • * (請先閱讀背面之泣意事項再填寫本頁)

,1T ,铱-------- A7 B7 經消部中央標毕局負工消费合作社印1;ί 五、發明説明（2 ) =專利號5,367,489由park所著之"半導體記憶裝置的電壓 ί勵电路，·’二原作者同意’其所揭示之内容列於附錄供做 參考。 圖1爲用毛半導體之高壓產生電路之圖示。在圖1中， 參考數字"U”和，，12"分別代表—第—電荷激勵裝置和一第 二電荷激勵裝置。第-激勵裝$11包括—振Μ ηΑ和 -第-電荷激勵電路11Β，當—控制時鐘訊號(即是遞補 用的排列址閃光訊號（RASB))維持.在"高"和"低"邏輯値 時’振盈器11A分別是在举備和主動兩種模式運作。第二 电何激勵裝置22包括—主動冬動電路12八和一第二電荷 激勵電路12B ，當控制時鐘訊號（即是RASB)維持在"低" 邏輯値以產色激勵訊號時，主動起動電路1SA會被起動於 王動模式’而根據從12A所收到的激勵訊號，第二電荷激 勵電路12B會激勵電荷。 典型來説，第一激勵裝置丨〗的激勵速率會維持很低以減 少在準備模式時所消耗的電流量，而第二激勵裝置12的激 勵速率會維持很高以補償可能在主動動作模式時產生的大 電流。一電位偵測區段13會起動第—和第二激勵裝置u 及12中的電荷激勵電路UB和12B，因此如果由電位偵 測區段13所偵測到的高電壓（Vpp)比—預先決定的下限臨 界値低時，這些電路就會進行激勵電荷的動作以維持高電 （夺一預先疋好的電位範圍内）。在初始模式中一預先充 電區段14會對一高壓輸出端充電以獲得快速激勵動作。如 果高壓Vpp比預先定好的電位値大時，一鉗制裝置1 $會 -5 本紙依尺及通用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Οχ”7公潑） ^ ； 、-裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 1T------k-------- ! 五、發明説明（3 A7 B7 經¾部中央標丰局月工消贽合作祍印裝 生的多餘的電荷灌巧電源線上以避免晶片上的高電壓Vpp 超過預先定好的値。 鉗制装置15，如圖2所詳細表示，可包含一 N型金氧半 導體之導通電晶體N1和一電阻r 1。如熟諳此藝者所了解 的，如果高壓 Vpp高於電.源電壓vdd和介於導通電晶體 N 1之閘極及源極之間的臨界電壓値vth的總合時，則導通 電晶體會打開而形成一經由電阻R 1到電源線（Vdd)的放電 路徑。藉著使用此鉗制裝置1 5 ，典型來説，高壓vpp會 被維持在或是低於電源電壓Vdd和導通電晶體N1之閘極_ 源極臨界電壓Vth的總合。 — 不幸的是’雖然N型金氧半導體之導通電晶體N1可有 —明顯的通道寬度以提供給電源線Vdd —低阻抗路徑，對. 很大的Vpp放電時的延遲可能會很嚴重。再者，在高速動 作時外接控制訊號（即是RASB)的期間也可能變得太短， 因此高壓Vpp的電位可能會增加（藉著主動啓動器12 a和 第二電荷激勵電路1 2 B )到過度的電-位値而可能會破壞此 裝置和連接於或是鄰接於此高壓訊號線Vpp的隔離區域。 因此’儘管如上述之升壓電路’對比較不會破壞相連接 裝置’或是縮短需要升壓的記憶電路壽命的升壓電路的需 要還是繼續存在的。 發明概述 本發明的目的也因此是要提供在其中具有改良的升壓電 路的積體電路。 本發明的另一目的是要提供在其中具有防止過電壓情形 -6 本紙張尺度適财關家縣（⑽）M規格（灿幻们公楚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} :裝

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-丨-V 0 m In 經漪部中央標準局Κ工消費合作社印52 A7 _ _ 、- B7 五、發明説明（4 ) * · 發生的升歷·電路的複體電路記憶裝置。 本發明的這些和其它目的’特性，以及優點見於積體電 路，其中具有偵測和避免過電壓能力的改良升壓裝置。根 據本發明的一具體實施例爲一積體電路記憶裝置，其中需 要内部的電荷激勵所產生的升壓。這些升壓會被用在一升 壓訊號線。爲了完成升愿·，使用一第一激勵電路和一第二 激勵電路。第一激勵電路包括一第一電荷激勵器，其輸出 端與升壓訊號線及一用來驅動第一電荷激勵器的振盪器相 耗合。第二激勵電路包括一第二電荷激勵器，其輸出端與 升壓訊號線及一用來在主動動作模式收到一控制訊號時驅 動第二電荷激勵器的主動起動電路相耦合。此控制訊號可 能是一遞補的地址閃光訊號，如—遞補的排列地址閃光訊 號（RASB)» 另也使用一镡過電壓保護電路。此過電壓保護電路包括 了與升壓訊號線相耦合，且用來在升壓訊號線的電壓超過 一第一臨界値時偵測過電壓的狀態的·裝置，以及在偵測到 過電壓情況時’用來阻隔主動起動電路接收控制訊號。藉 著阻隔控制訊號，至少會使用來驅動第二電荷激勵的主動 ?起動電路失效。當振盪器需要接收控制訊號以驅動第一電 荷激勵器時，如果需要額外的保護時，過電壓保護裝置可 能阻隔振盪器接收控制訊號。― :另户卜也使用一種第一電位偵測器和一種鉗制電路。此第 一電位偵測器具有一輸入端，其與升壓訊號線互相電耦 合’而鉗制電路則電耦合於升壓訊號線和一電源線之間。 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Μ規格（2]〇><297公您） ------^-I 裝 — __! I 訂------& /ί·'.、 % (請先閱讀背面之注.意事項再填寫本！) A7 B7 經漪部中央標準局只工消費合作社印製 五、發明説明（5 ) 當升壓訊號線上的？位降至—預定的低壓臨界値時，第一 電位偵測器可能使第—和第二電荷激勵器生效。 根據本發明的-較佳觀點’過電壓保護電路的所提供的 偵測裝置包括一第二電位偵測器。如第一電位偵測器一 般，第二電位偵測器也有一與升壓訊號線互相電耦合的輸 入端。此等測裝置也包括一作業週期偵測電路。此作業週 期”電路有一與第二電位偵測器的一輸出端互相電耦合 的-第：輸入端’以及用來接收一眞實或是遞補的控制訊 號的一第二輸入端。此作業週期偵測電路產生一輸出端以 阻隔從主動起動電路而來的控制訊號，或是將控制訊號導 至主動起動訊號。在此，較佳的阻隔裝置包括了一邏輯乘 法器（AND gate)，其當做是過電壓保護裝置中的一最後 級。此邏輯乘法器有一與作業週期偵測電路的一輸出端互 相電耦合的一第一輸入端用來接收_眞實或是遞補的 控制訊號的第二輸入端，以及一與驅動第二電荷激勵的主 動起動電路互相電耦合的輸出端。如果需要，邏輯乘法器 的輸出端也可當做是振盪器的輸入端以便在偵測到過電壓 情況下使得第一電荷激勵器失效。因此，如果作業週期偵 測，路的輸出端設成一邏輯〇時，控制訊號就會與邏輯乘 法器的輸出隔離且使主動起動電路受惠而失效藉此避免第 —電％激勵器動作。藉著在偵測到過電壓情況下使第二電 荷激勵器的動作失效（有可能連第一電荷激勵器一起）’可 以保留電源的消耗以及加強鉗制電路減低多餘電荷的能力 和避免連接於升壓説號線的主動裝置的變質。 (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本瓦)

、1T A7 、-B7 五、發明説明（6 ) 遇·#之簡軍報 圖1是一根據先前技藝的升壓電路的電路圖。 圖2是一根據先前技藝的鉗制電路的電路圖。 圖3是一根據本發明具體實施例的升壓電路的電路圖 .圖4是-於圖3中之較佳的作業週期偵測電路的電路 圖0 圖5是-於圖4中之較佳的作業週㈣測電路中的 ^ 電路的電路圖。 - 圖6疋一説明圖3中之作業週期偵測電路的動作的時序 圖0 — 具體實施例發明 藉著參考伴_隨的本發明具體實施例的圖示，現在以下對 本發明做更詳細的描述。然而，本發明可以用很多不同型 式進行具體實碑而不必被限制於這裡所進行的具體實施。 與其如此，不如使用這些具體實施例以使得本揭示能夠徹 底’完整’而完全地傳達本發明的觀-點給熟諳此藝者。整 個具體實施中所用的數字與元件相對應。 .¾濟部中央榡丰而兵工消費合作衽印製 現在參照圖3 ’其中描述了根據本發明的升壓電路之較 佳具體實施例。特別是，將一第一激勵電路1 1和—第二激 勵電路12用於一充電激勵電路10中。此充電激勵電路iq 能夠在一準備動作模式時以一第一速率進行激勵，而在主 :動動作模式時以一較高的第二速率進行激勵。此第—激勵 路包括一具有與一升壓訊號線（Vpp)相搞合之輸出端 的第—電荷激勵器1 1 B ，以及用來驅動第一電荷激勵器 -9 . 本紙张尺度適财關家縣（c八4規格（21GX297公缝〉 經璘部中决標率局負工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（7 ) (11B)的振盪器11A(即是在一準備動作模式）。第二激勵 電路12包括一具有與一升壓訊號線（VPP)相耦。之輸出端 的第二電荷激勵器1 2 B ，以及用來在主動動作模式收到一 控制訊號時驅動第二電荷激勵器（12B)的主動起動電路 1 2 A(即是在一準備動作模式）。如所説明的，此控制訊號 * 可能是一遞補的地址閃光訊號，如一遞補的排列地址閃光 訊號（RASB)。此遞補的排列地址閃光訊號可以在準備動作 模式中被設定爲一邏輯1値，而在-主動動作模式中被設定 爲一邏輯0値。 另也使用一種過電壓保護電象（方塊20和28)。此過電 壓保護電路包括一些裝置，其與升壓訊號線相耦合，且當 升壓訊號線的^電壓値超過一第一臨界値時是用來偵測一過 電壓情況，又包括一些在偵測到過電壓情況時用來阻隔主 動起動電路接收控制訊號的裝置。藉著阻隔控制訊號，至 少可以使驅動第二電荷激勵器12B的主動起動電路12A 失效。在振盪器11A也需要接收控制訊號以如所説明地驅 動第一電荷激勵器11B時，此過電壓保護電路可能會隔離 振造器1 1 A接收控制訊號。另外也使用到一第—電位憤測 ，器1 3和鉗制電路i 5 。此第一電位偵測器i 3以一輸入 端，其與升壓訊號線互相電耦合，而鉗制電路〗5則在升壓 訊號線和一電源線之間電耦合^:此第一電位偵測器13可以 有一輸出端（訊號"A")，其可以在升壓訊號線上的電位降 到一預定的低電壓臨界値以下時使得第—和第二電荷激勵 器11B、12B生效。一個事先充電電路14也用在對與電 -10- 本紙張尺度準（CNS ) A4規格 1 2IG><2·楚） ------- 丨丨I------1/1,裝—-Γ—I丨丨訂----——，Λ (锖先閱讀背面之注-意事項再填寫本頁) 五、發明说明（8 經"部中央標準局员工消贽合作社印繁 榮"C"的輸出端相連接的輸出端事先充電。 根據本發明的一較伟勤& π 測裝置包括-第二=器:==路所提供的偵 -般，此第二電位-偵測器2 冑位偵測器26 人㈣入迆缺工 有一與升壓訊號線互相電耦 合的輸入端。然而，此筐_帝r 、b, w 帛—電位偵測g 26會在偵測到過電 壓情況時產生一上限伯:目丨丨句站 nr ^ 拯柞f μ , 此㈣測裝置也包 括一作業週期偵測電路27。此作業週期偵測電路27有- 與第二電位偵測器26的-輸出端互相電耗合的第一輸入 端，以及用來接收眞實或遞補的控制訊號的第二輸入端。 此動作週期價測電路27 t產生一輸出訊號（訊號 "SLOW")，其會被用來將控制訊號導至主動起動電路 12A ’或是阻隔從主動起動電路12八而來的控制訊號。在 此，此隔離裝置，較佳地，包括了在過電壓保護電路中當 成一最後極的邏輯及閘（邏輯及納2)在此邏輯及閘中，有 一與作業週期偵測電路2 7的一輸出端互相電摘合的第—輸 入知’一用來接收眞實或是遞補的控制訊號（即是RASB) 的第二輸入端，以及—與驅動第二電荷激勵器12b的主動 起動電路12A互相電耦合的輸出端。一反向器inV3也用 來將控制訊號反向’如果需要的話。邏輯及閘的輸出端也 可以用來當做振盪器1 1 A的輸入端以使得在偵測到過電壓 情況時也使第一電荷激勵器1 1 B失效。因此，如果作業週 期傳測電路2 7的輸出端被設爲邏輯〇時（即是訊號 "SLOW=0")，可以將此控制訊和邏輯及閘的輸出端且使主 動起動電路受惠而失效，藉此避免第二電荷激勵器12B的 -11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝.

、1T •^ 經漪部中央標率局Η工消費合作社印製 A7 .，· B7 五、發明説明（9 ) ▼ * 動作。藉著在偵測利一過電壓_的情況時使第二電荷激勵器 1 2 B (可能地連第一電荷激勵器也一起）失效的動作，可以1 保留電源的消耗以及加強鉗制電路1 5減低多餘電荷的能力 和避免連接於升壓訊號線（Vpp)的主動裝置的變質。 作業週期偵測電路27，如圖4所詳細説明‘地，包含一輸 * 入閘AND1。此輸入閘有一連接於控制訊號（RASB)的第一 輸入端，以及一連接於第二電位偵測器26的輸出端的第二 輸入端。第二輸入端會收到上限偵-測訊號φ DET。一第一 區別電路27Α也用來產生一第一區別訊號Α2 ，此是靠比 較一通過輸入閘AND 1的延遲控制訊號的後緣和一個後來 的控制訊號的前緣。一第二區別電路2 7 B也用來產生一第 二區別訊號B2 ，此是靠比較一通過輸入閘AND 1的延遲 控制訊號的前緣和一個後來的控制訊號的後緣，其是通過 用以將第一和第二區別電路27 A和27B的輸出訊號A2和 B 2與一反向的上限偵測訊號φ DET結合而產生閘訊號 SLOW的輸出閘0R1(以反向器INV2反向）。 第一區別電路27A包括一用來延遲已通過輸入閘區段 AND 1 —段預定的時間的動作訊號的延遲區段DY1，以及 一用來接收第一延遲器D Y 1的延遲訊號A 1的前緣以當做 其輸入資料及用來接收後來的控制訊號的後緣以當做其時 鐘輸入的D型閂鎖器FF1 。$二區別電路27B包括一用 來將已通過輸入閘AND1的反向器INV1，用來延遲反向訊 號一段預定時間的延遲單元D Y 2，以及一用來接收延遲訊 號B 1的前緣以當做其輸入資料及用來接收後來的控制訊 -12， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -------^--^ :裝-----訂------k (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 -B7 經濟部中央標苹局負工消费合作社印製 五、發明説明（10 ) 號的後緣以當做其畤鐘輸入的D型閂鎖器F F 2。 參考圖5，第一延遲單元DY1或是第二延遲單元DY2 各包括：一用來將一輸入訊號反向的反向器mv4，—個 經由其閘極接收反向器INV4.的輸出訊號卫經由其源極接 收電源電壓的P型金氧半導電晶體p ! i，—個經由其閉極 接收反向器INV4的輸^訊號且其源極接地N型金氧半導 電晶體N11，—個_接地且源極接於P型金氧半導電晶 體PU的集極型金氧半導電晶體P12，而此p型金氧 半導電晶It p 11的集極則接於N型金氧半導電晶键ni工 勺术極個閘極接於N型金氧半導電晶體的集極且 $ & # # # 0¾ P型金氧半導電晶體p】3，—個閘極接於 N型金氧半導電晶體Nu的集極且源極接地的n型金氧 半導電晶Μ N1 3 ’ —個閘極接於n型金氧半導電晶體 Nil的集極且〉原極接於Ν型金氧半導電晶體Νΐ3的集極 的Ν型i氧半導電晶體N i 2，而此ν型金氧半導電晶體 N13的集極則接於？型金氧半導電㈣⑴的集極，一用 來將N」金氧半導電晶體m2的集極輸出値反向的反向器 INV5根據本發明研遲的時間可用改變p型金氧半導電晶 體和N型金氧半導電晶體P12和N12的導通阻抗來調 整。 ® 6爲一描述圖4中的作業週期偵測電路27之動作的時 序圖-田控制訊號在上限偵測訊號φ DET的主動期間通過 輸入閘區#： AND1時，將—遞補的排列地址閃光訊號 由外#加入此半導體記憶裝置。否則，此閃光訊號 --——_.____ -13-· 而尺度適用中國 . .--裝I-^--訂------k (請先閲讀背面之注意事項再填寫本f} A7 ,-B7 經滴部中央標準局Η工消贽合作社印繁 五、發明説明（11 ) 會被截斷。此.訊號（·通·過輸入问區段and 1)藉由第一延遲 器DY1被延遲一段預先定好的時間區段Wl且延遲訊號 A1由第一延遲器DY1輸出。此延遲訊號A1輸入並被閂 鎖於閂所器FF1 ·以當做閃光訊號RASB下降緣的輸入資 料。 — 如圖ό中所示的實線’如果延遲訊號A1的前緣超過後來 閃光訊號RASB的前緣，閃光訊號RASB的"高"狀態會被 閂鎖於閂所器FF 1中因而使得閂所器ff 1的輸出A2變 "高"，導致升壓電路的正常動作。另一方面，如果閃光訊 號RASB的前緣超過延遲訊號的前緣，尤如半導體裝置 的動作週期變快了（如圖6中所示之點線），"低"狀態會被 閂鎖於閂所气FF1中因而使得閂所器FF1的輸出A2變成_ "低"。在此情況下，閃光訊號RASB被截斷而不會對區段 1 〇進行電荷緣勵的動作。在同一時間，通過輸入閘區段 and 1的訊被反向器INV i所反向，此反向訊號再經由第二 延遲器DY2延遲一段預先定好的時間td3而輸出當做是延 遲矾號B 1。此延遲訊號B }再於閃光訊號RASB的上升緣 輸入並閂鎖於閂鎖器FF2内（當成其輸入資料）。如果延遲 ’訊號B1的前緣超過閃光訊號RASB的後緣（如圖6中的實 線所7F ) ’ "高”狀態會被閂鎖於閂鎖器F F 2 。此會導致電 诗激勵電路1 〇的正常動作。同時，如果閃光訊號RASB的 後緣超過延遲訊號B1的前緣，尤如半導體裝置的動作週 期變快了（如圖6中所示之點線），"低"狀態會被閂鎖於閂 鎖器F F 2。當此發生時，閃光訊號RASB被截斷而不會對 -_______ -14- 本紙張尺中國國( CNS ) A4規格（21〇χ297公竣） ------^-I 7 裝I"^-------訂------k ―/fir I (请先閱讀背面之注意事項存填寫本萸) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第87106728號專利申請案 A7 中文說明書修正頁(89年4月） B7 修正 m 五、發明説明（12 ) 年心.％充 區段 1 0進行電荷激勵的動作。 在圖式和說明書中，已揭示了本發明之典型的較佳具體 實施例此外，雖然引用特定之名詞， 但只是用於一般性和 敘述性為主而非限制為目的，本發明的範圍由下述之申請 專利範圍所限定。 元件符號說明 10 充電激勵電路 11 第一激勵電路 11A 振盪器 11B 第一電荷激勵器 12 第二激勵電路 12A 主動起動電路 12B 第二電荷激勵器 13 電位偵測器 14 事先充電電路 15 鉗制電路 20、 28過電壓保護電路 26 第二電位偵測器 27 作業週期偵測電路 27A % 一區別電路 27B 第二區別電路 -15- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） *-°

Claims (1)

1. 申請專利範圍 h 一種積體電路記憶裝置，包括〆 一升壓訊號線： 一第一激勵電路，其包括— 出端與該升壓訊號線及在其·中用器Γ 振盪器相耦合； .勒弟—激勳器的一 —第二個激勵電路，其包括— 出迪兪•兮么麻、A 第一電何激勵器，其輪 ==1動起動電路相轉合，該主動起: -7在其中疋用來於接收—地址閃光訊號時 勵奋；以及 既 :置與該升屡訊號線相仏的，用㈣測該升壓訊號 ，’ t壓疋否超n臨界値的過壓狀態，以及用 來在偵測到過壓狀態時，以主動起動電路隔離該地址閃 光訊號的接收電路。 2_如申請專利範圍第1項之記憶裝置，尚包括： 一第一電位偵測器，其輸入端與該升壓訊號線互相電 耦合；以及 一斜制電路，其與該升壓訊號線及一電緣線互相電耗 合0 工如申請專利範園第2項之記憶装置，其中該等用來偵測 一過電壓狀態之裝置包括一第二電位偵測器，其輸出端 與該升壓訊號線互相電耗合。-4:如申請專利範圍第3項之記憶裝置，其中該等用來偵測 一過電壓狀態之裝置包括一作業週期偵測電路’此電路 具有與第二電位偵測器的一輸出端互相電耦合的第一輸 -16- (請先閲讀背面之注意事項.再填寫本頁) ;--W-I裝----I! 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 訂 線-----^_____^__：---- 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS )八4胁（21〇χ297公董） ABCD 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 六、申請專利範圍 ·.·· 入端，以及用來接收一眞實或是遞補用地址閃光訊號的 一第二輸入端。 5·如申請專利範圍第4項之記憶裝置，其中該等用來偵測 一過電壓狀態的裝置尚包括一邏輯及閘（AND gate)，其 具有與該作業週期偵測電路之輸出端互相電耦合的一第 * 一輸入端’以及用來接收一眞實或是遞補用地址閃光訊 號的一 _第二輸入端。 6.如申請專利範圍第5項之記憶裝置，其中該邏輯及閘的 一輸出端與該主動起動電路的一輪入端互相電耦合。 7·如申請專利範圍第6項之記憶二裝置，其中該邏輯及閘的 一輸出端與該振盪器的一輸入端互相電耦合。 8.如申請專利範圍第1項之記憶裝置，其中該用來偵測一 過電壓狀態的裝置包括—電位偵測器，其具有與該升壓 訊號線互相電耦合的一輸入端。 9·如申請專利範圍第8項之記憶裝置，其中該用來偵測一 過電壓狀態的裝置包括一作業週期偵測電路，其具有與 该電位谓測器之一輸出端互相電耦合的一第一輸入端， 以及用來接收一眞實或遞補用地址閃光訊號的一第二輸 • 入端0 10.如申請專利範圍第4項之記憶裝置，其中該用來偵測一 過電要狀態的裝置包括一邏輯及閘（AND gate)，其具有 與該作業週期偵測電路之一輸出端互相電耦合的一第一 輸入端’以及用來接收—眞實或是遞補用地址閃光訊號 的 弟—輸入端。 -17-- 本紙乐尺度通州T因國冢標準（CNS ) 格(^297公釐 n 1^1 mu ^^1 i - -- λ - - 士^------n * w /1¾ , (請先閲讀背面之注意事免再填寫本頁) *1T 線 A8 B8 C8 、· DS 六、申請專利範圍 ， · 11. 如申4專利㈣第5項之記憶 < 置，其中該邏輯及閉之 請 先 閲 讀 背 ιέ 之 注-意 事 項. 再f 填 Ί I裝 頁 一輸出端與孩王動起動電路之一輸入端及該振盪器之一 輸入端互相電耦合。 12. —種升壓積體電路，包括： 一升壓·訊號線： - 一第.一電荷激勵裝置，其具有與該升壓訊號線互相電 耗合的一第一輸出端； 一第二電荷激勵裝置，其具有與該升壓訊號線互相電 耦合的一第二輸出端，該第二電荷激勵裝置包含一回應 —起動生效訊號的一主動起電路； 訂 裝置與該升壓訊號線互相耦合的，用來偵測該升壓訊 號線的電壓是否超過一第一臨界値的一第一過電壓狀 壓，及用來於偵測到該第—過電壓時在一第三輸出端產 生一電荷激勵失效說號；以及 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -具有一與一控制訊號線相耦合的一第一輸入端裝置以 及與該第三輸出端相耦合的一第二輸入端，用來在沒有 偵測到該第一過電壓狀態時將一控制訊號於該控制訊號 線上導至一第四輸出端並以此當做該起動生效訊號，以 及在偵測到該第一過電壓狀態時用以隔離該控制訊號線 上之控制訊號，以避免將其導至該第四輸出端。 13. 如申請專利範圍第1 2項之電路，其中該等用來偵測一第 一過電壓狀態的裝置包括： 一電位偵測器’其具有一與該升壓訊號線互相電槁合 的一輸入端；及 18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 AS B8 C8 _ · : DS 六、申請專利範圍 *···- ^ 一作業週期偵測電路，其具肴與該電位偵測器之一輸 出端互相電耦合的一第一輸入端，以及與該控制訊號線 互相電耦合的一第二輸入端。 14. 如申請專利範圍第1 3項之電路，其中該用來在沒有偵測 到該第一過電壓狀態時，將一控·制訊號於該等控制訊號 * 線上導至一第四輸出端並以此當做該起動生效訊號，以 m 及在偵測到該第一過電壓狀態時隔離該控制訊號線上之 控制訊號’以避免被導至該第四輸出端，其包括一第一 邏輯及閘。 15. 根據申請專利範圍第1 3項之電^路，其中該作業週期偵測 電路包括一第二邏輯及閘及第—和第二延遲器，其個別 具有與該第二邏輯及閘的一輸出端互相電耦合的輪入 端。 16. 根據申請專利範圍第1 5項之電路，其中該第二邏輯及閘 具有分別與該電壓偵測器和該控制訊號線互相電耦合的 輸入端。 _ 17. 根據申請專利範圍第1 6項之電路，其中該作業週期偵測 電路包括第一和第二閂鎖器，其個別具有與該第一和第 ’ 二延遲器的輸出端分別互相電核合的輸入端。 18. 根據申請專利範圍第17項之電路，其中該第一和第二問 鎖器具有與第二邏輯及閘的輪出端互相電耦合的第—和 第二時鐘輸入端。 19. 如申請專利範圍第1 8項之電路，其中該第一和第二時鐘 輪入訊號分別在該第一邏輯及閘的輸出訊號的一訊號上 -19 - w 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（21(^297公釐1 -----—-- . . W丨裝---------;丨訂-----Γ線 (請先閱讀背面之法意事見再填寫本頁) 391)216 申凊專利範圍 升端和—下降端觸發。 電:：叫專利範圍第19項之電路，*中該作業週期偵測 —和:包括—邏輯及間（N0R gate)，其具有分別與該第 端，器，端互相電核合的第—和第二輸入 出端。乂及回應孩電壓摘測器輸出-的一互補値的1三輸 (請先閲讀背面之注意事^-再填寫本頁) •裝-----Ί . 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 n m - mr; -I I - - - HI 1 -- In . -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）