JP2008035610A - 昇圧回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のポンプ回路112,114,116を直列に接続し、ポンプ制御回路107から出力されるポンプ制御信号CLKA,CLKBにより各ポンプ回路112,114,116にてそれぞれのポンプ回路に入力される信号の電圧を昇圧することにより必要な昇圧電圧VWLを発生する昇圧回路で、昇圧回路の動作を指示する信号SAENDやMPMPENNに応じて、ポンプ活性化信号PMPENNを発生する活性化制御回路104を有し、ポンプ制御回路107はポンプ活性化信号PMPENNの電圧に応じてポンプ制御信号CLKA,CLKBの出力制御がされる。
【選択図】 図1
Description
図3はメモリセル閾値の最小値Vtcnであるメモリセルデータを読み出す際の動作波形である。メモリセル閾値の最小値Vtcnは電圧VWLの昇圧段階の電位Vwp0以上であり、電圧VWLが電位Vwp0以上に上昇した時点でメモリセルデータの読み出しを開始し、メモリセルデータの読み出しが終了した時点でセンスアンプ停止信号SAENDは電源電圧Vddに遷移する。
不揮発性半導体記憶装置のスタンバイ時において、ポンプ活性化許可信号MPMPENNは電源電圧Vddであり、センスアンプ停止信号SAENDは基準電圧Vssであり、昇圧回路200は非活性化状態になる。
ポンプ回路214は信号PS0を基準電圧Vssに固定し、ポンプ回路216は信号PS1を基準電圧Vssに固定し、ポンプ回路218は信号PS2を基準電圧Vssに固定し、クランプ回路220は電圧VWLを基準電圧Vssに固定する。
図7は、実施例3の昇圧回路300の動作を説明する信号波形図である。図7を参照して、昇圧回路300の動作について説明する。
<変形例>
また、本発明の昇圧回路は、昇圧回路を搭載する回路へ適用することは妨げないが、上述したように、不揮発性半導体記憶装置の読み出し時におけるワード線の昇圧に用いられることで特に好適である。
107,209,309 ポンプ制御回路
112,114,116、214,216,218 ポンプ回路
117,220 クランプ回路
Claims (5)
- 複数のポンプ回路を直列に接続し、ポンプ制御回路から出力されるポンプ制御信号により各ポンプ回路にてそれぞれのポンプ回路に入力される信号の電圧を昇圧することにより必要な昇圧電圧を発生する昇圧回路において、
前記昇圧回路の動作を指示する信号に応じて、ポンプ活性化信号を発生する活性化制御回路を有し、
前記ポンプ制御回路は前記ポンプ活性化信号の電圧レベルに応じて前記ポンプ制御信号の出力制御がされることを特徴とする昇圧回路。 - 前記昇圧回路の動作を指示する信号は、昇圧回路の動作を許可するポンプ活性化許可信号とセンスアンプの動作を指示する信号であり、前記活性化制御回路は、該許可信号と該センスアンプの動作を指示する信号とのそれぞれの電圧レベルの組合せに応じてポンプ活性化信号の発生が制御されることを特徴とする請求項1記載の昇圧回路。
- 前記活性化制御回路は、前記昇圧回路の動作を指示する信号に基づいて第1のクロック信号と該第1のクロック信号とは相補的な第2のクロック信号とを前記ポンプ活性化信号として出力し、前記第1のクロック信号を前記複数のポンプ回路のうち奇数番目に配置されたポンプ回路へ供給し、前記第2のクロック信号を偶数番目に配置されたポンプ回路へ供給することを特徴とする請求項1または請求項2記載の昇圧回路。
- 前記活性化制御回路は、前記昇圧回路の動作を指示する信号に基づいて、前記ポンプ活性化信号として、電圧レベルが第1の電圧レベルから第2の電圧レベルへの遷移が順次遅延して生じる第1〜第N(Nは2以上の整数)のポンプ活性化信号を発生し、前記複数のポンプ回路は第1〜第Nのポンプ回路を直列して構成し、第T(Tは1以上N以下の整数)のポンプ活性化信号を第Tのポンプ回路へ供給することを特徴とする請求項1または請求項2記載の昇圧回路。
- 前記活性化制御回路は停止信号に応じて前記第1〜第Nのポンプ活性化信号のうち所望のポンプ活性化信号の電圧レベルを第1の電圧レベルに固定する停止制御回路を有することを特徴とする請求項4記載の昇圧回路。
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