TW393662B - Laser plasma X-ray source and semiconductor lithography apparatus using the same and a method thereof - Google Patents
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Description
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7_ 五、發明說明◦) 〔產業上之利用領域〕 本項發明是有關於將雷射光照射了靶料之後生成電漿 ’並且從其電漿使之產生X射線的雷射電漿X射線源。 〔先行技術〕 在特開平6_2 8 1 7 9 9號公報上記載有在被捲取 之帶狀的固體靶料上照射了雷射光之後可使之產生X射線 〇 在特開昭6 1 — 1 5 3 9 3 5號公報上記載有在被滴 下的液體金屬上照射了雷射光而使之產生X射線》 在特開平 2 — 1 0029 7號公報上記載有在比起 雷射光之點（SPOT)徑要小的滴定管狀的靶料上照射了雷 射光之後使之產生X射線。
在特願昭5 7 — 4 1 1 6 7號公報上記載有在被固體 化了的稀氣體或水的粒子上照射了雷射光之後使之產生X 射線。 (0 S A > Trends in Optics and photonics, vol.4, EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY ) ( 1 9 9 6 年） ，6 6頁）中記載有在真空容器中噴射加壓氣體，且在被 噴射的氣體上照射雷射光而使之產生X射線。 本發明所欲解決的課題
雷射光一照射在IG料上，則IG料中的原子或分子會做 光學性的絕緣破壞（光學性崩潰— OPTICAL BREAK --------l·----、.裝--- ,- f (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) *SJ. ,線「· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7 五、發明說明（2 ) DOWN )後離子化，而產生雷射電漿。並且從所產生的雷射 電漿產生X射線。又，因應靶料之種類或狀態之不同，貝1J 在光學性崩潰上所要求的雷射光強度也不一樣。並將在產 生光學性崩潰時的雷射光強度的下限値稱之爲崩潰値。 崩潰値其高低係依1 :氣體（氣體），2 :液體，3 :固體之順序排列。換言之，爲使同數之原子電漿化的雷 射光強度，在使用了固體及液體之靶料的情況下，能夠比 使用了氣體時來的低。因此，在使用了液體及固體的靶料 的情況下，X射線的變換效率（以對於照射了的雷射能源 所產生之X射線的能源來表示之）比起使用了氣體靶料的 情況下要來得高。 但是，至於比起雷射徑大的塊狀或帶狀等的固體及液 體的靶料，當被雷射光所照射之領域電漿化時，藉著雷射 光的照射所產生的熱量傳達到被雷射光所照射之領域的四 周，而其四周開始溶融之。而且以伴隨著雷射電漿之產生 的膨漲壓力其溶融了的部份飛散之。又，這飛散片稱之爲 崩堆塊，且其狀態爲離子狀，並且是從集束狀至數1 0 "m的粒子狀的東西。這崩堆塊附著在真空容器內的光學 素子等上面會造成損傷。 若將固體及液體的靶料做成比雷射徑小的粒子狀的話 ，則因周圍沒有粒子而也可減少崩堆塊，這雖然X射線變 換效率與固體及液體時沒有改變，但是要將粒子狀的標的 目配合雷射光的照射而供給之是有困難的，而且要使之產 生穩定的X射線亦有困難。 --------^-----裝--- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .SJ· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 * 297公釐） -5- A7 ___B7_____ 五、發明說明（3 ) --------J----^麵/:裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使稀氣體等化學性安定之氣體結冰的粒子膜靶料，即 使溶融也成爲稀氣體等之化學性安定的氣體，雖然不會產 生崩堆塊，但不易供給之，且要使之安定後來產生X射線 亦有困難。再者，由於特性X射線的波數有限，則與所要 求的波長一有差距，則實質上X射線變換效率會比金屬靶 料來得低。 另一方面，氣體的靶料比起固體及液體的靶料，由於 往周圍的熱傳導小且不會引起溶融，因此崩堆塊少，且可 以連續供給之，所以可以安定後使之產生X射線，但是由 於崩潰値高，又靶料的原子數密度也低之故，其X射線變 換效率比起固體及液體要來得低。 本發明的目的是在於能夠提供減少崩堆塊之產生且X 射線變換效率高的雷射電漿X射線源及使用其之半導體曝 光裝置及半導體曝光方法。 線」 〔欲解決課題的方法〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲達成上述目的之本發明的特徵是在於將粒子與氣體 混合後做爲靶料，且靶料噴射裝置噴射靶料，並雷射照射 裝置將雷射光照射在被噴射了的靶料上。依照這個特徵， 由於將粒子與氣體混合了的靶料其熱傳導小，且不會引起 被雷射光照射之領域周邊部的粒子的溶融，所以能夠減少 崩堆塊的產生。 再者’將粒子與氣體混合了的靶料在噴射後成爲流體 ’由於對於雷射脈衝可不時地供給靶料，所以能夠穩定地 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 __B7___ _ 五、發明說明（4 ) 產生X射線。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 又’混合了粒子與氣體之靶料的雷射光所貫穿的體積 雖然與僅是氣體之靶料的情況下是相同的，但是崩潰値是 與固體之靶料同樣的，比起僅是氣體之靶料來得低，所以 其比起僅是氣體的靶料其電漿化的可能領域大，且在電獎 化可能的領域上包含有較多的粒子與氣體分子，且因爲光 學性崩潰的微粒子數，比僅是粒子的靶料，及僅是氣體之 靶料的情況下要來得多，所以所產生之X射線的輝度也能 夠比起僅是粒子的靶料，及僅是氣體的靶料要來得高。 因此，X射線變換效率也能夠提高。 再者，在電漿化可能的領域上存在有較多的粒子與氣 體分子’因爲不引起光學性崩潰的頻度是〇，所以只要照 射了雷射光就必定能生成雷射電漿，故能夠不浪費雷射光 使之穩定地產生X射線。 本發明的其他特徵爲粒子的徑比照射在靶料上的雷射 光的徑小，且由於藉著電漿化可能之領域可存在較多的粒 子，所以所產生之X射線的輝度能夠更高。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的其他特徵是其氣體是稀氣體，由於稀氣體分 子其化學性安定，所以在離子的狀態下附著於真空容器內 的光學素子等上，其也會與電子結合成中性化而做爲去污 劑不去附著之。因此，其結果爲由於不會成爲崩堆塊，所 以能夠更加減少崩堆塊的產生。 又，本發明的其他特徵爲粒子是低融點的金屬，且由 於雷射光所照射的粒子會完成地電漿化，所以能夠減少崩 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7__ 五、發明說明（5 ) 堆塊的產生。 本發明的其他特徵係靶料是由各種特性X射線之波長 幾乎相同的金屬粒子與稀氣體的混合體所構成。依照這個 特徴，由於在電漿中金屬粒子與稀氣體分子會放出相同波 長的X射線’所以在靶料上能夠獲得比起包含任何一方情 況下之高輝度的X射線。 本發明的其他特徵是在於將粒子與氣體混合後做爲靶 料’且靶料噴射裝置噴射靶料，而靶料回收裝置對向著靶 料噴射裝置的噴射口，且具有開口的回收口來回收靶料， 而雷射照射裝置將雷射光照射在噴射口與回收回之間的靶 料上。則依據此特徵，由於回收了未電漿化的粒子及氣體 分子或已返回到守恆狀態的粒子及氣體分子，所以能夠將 真空容器內保持低壓，並且能夠防止所產生之X射線的損 失。 又，本發明的其他特徵在於具有雷射照射裝置將雷射 光做線狀聚焦之聚焦透鏡，且將線狀聚焦的雷射光照射在 靶料上。因此依照這特徵，一照射了線狀聚焦的雷射光， 則產生葉捲型的電漿，且在電漿的長軸方向上能夠放出較 多的X射線，並能夠獲得強度大的X射線。 本發明的其他特徵是在於聚光鏡以申請專利範圍第1 項的雷射電漿X射線源將所產生的X射線引導到面罩（ MASK)上，且X射線之縮小曝光鏡以面罩（MA SK )將反射的X射線縮小之後投影至半導體晶圓上。 所以，依據這個特徵’由於在雷射電漿X射線源上減 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱)~ -8- -----—K----r,k —— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · --線； A7 B7 五、發明說明（6 ) 少崩堆塊的產生，因此能夠防止半導體曝光裝置之聚光鏡 、面罩、X射線縮小曝光鏡等的X射線光學素子或真空隔 壁的損傷。再者，由於可從雷射電漿X射線源提供安定且 輝度高的X射線，所以不會有曝光不足的情形，並能夠縮 短曝光時間。 又，不藉著靶料噴射裝置來執行噴射，而將粒子與氣 體混合後做爲靶料且即使照射了雷射光，混合了粒子與氣 體之靶料的熱傳導小，且不會引起粒子的溶融，所以能夠 減少崩堆塊的產生，並比起僅是粒子的靶料及僅是氣體的 靶料其X射線變換效率較好。 〔發明的實施形態〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明者們著眼於固體及液體靶料之高X射線的變換效 率及X射線的高輝度，以及氣體靶料的少崩堆塊上，並且 考慮到要將固體或液體做成比起雷射徑小非常多之微粒子 狀的靶料。然後，爲了安定地使之產生X射線，所以將固 體及液體的微粒子狀的靶料混合成氣體，而發明了在真空 容器中噴射後供給之。 又，發明者們就有關於固體或液體之微粒子與氣體混 合了的靶料（以下稱之爲微粒子混合氣體靶料），以實驗 證實了雖然包含著氣體但其崩潰値是與固體或液體之粒子 的崩潰値是相同的，而且雖然比塊狀及帶狀的固體或液體 靶料稍小，可是比起僅由固體或液體之微粒子所構成的靶 料（以下稱之爲微粒子靶料）及僅由氣體構成之靶料（以 -9- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7 五、發明說明（7 ) 下稱之爲氣體靶料），發現了其具了較大的X射線變換效 率。 以下就使用了微粒子混合氣體靶料之X射線源及使用 其之半導體曝光裝置的實例案例說明之。 (實施例1 ) 如第1圖所示爲本發明之第1實施例之使用了雷射電 漿X射線源的半導體曝光裝置。而半導體曝光裝置是由產 生X射線之X射線產生部1 〇 〇與曝光部2 0 0所構成。 曝光部2 0 0是將在X射線產生部1 0 〇所產生的X射線 1 4以X射線聚光鏡1 5引導至面罩1 6上，且將在面罩 1 6上所反射之面罩型式以X射線縮小曝光鏡1 7縮小之 後投影至晶片1 8 (試料）上。 接下來詳細說明X射線產生部1 〇 〇。X射線產生部 1 0 0是由圍住靶料周圍之真空容器5、以微粒子混合氣 體爲靶料供給給真空容器5內部之靶料供給裝置 1 1 0，在微粒子混合氣體靶料1 〇上照射雷射光2的雷 射照射裝置1 2 0，以及回收真空容器5內之微粒子混合 氣體之靶料回收裝置1 3 0所構成。 靶料供給裝置1 1 0具備有比起雷射徑爲非常小的金 屬微粒子所充塡之微粒子桶6、稀氣體所充塡之氣體筒7 、及可將從微粒子桶6所提供之金屬微粒子與可由氣體筒 7提供之稀氣體混合的混合器8，還有將以混合器8所製 造的微粒子混合氣體噴射至真空容器5中的供給噴嘴9 » 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- -------------:1V 裝--------訂---------線，7 ;· f 「 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（8 ) 雷射照射裝置1 2 0具備有產生雷射光2的雷射光產 生器1及聚焦雷射光2之聚焦透鏡3。而雷射光產生器1 是以其YAG雷射或激元雷射等的脈衝幅在數1 0 n s以 下’且每個脈衝的輸出能產生數1 〇m J至數1 0 J之雷 射光2者較好。又，雷射光2是在真空容器5中的微粒子 混合氣體靶料上，以聚焦透鏡3來讓其聚焦成數1 0〜數 lOOym。而爲使之產生雷射電漿11，是以微粒子混 合氣體靶料1〇上之能源密度在1〇15〜1〇22W/m2 的程度較佳。 靶料回收裝置1 3 0，是具備有能夠供給真空容器5 內部’且可引進未電漿化或回至穩定狀態的金屬微粒子及 稀氣體之回收管1 2以及回收器1 3。 在真空容器5內是將供給噴嘴9的噴射口與回收管 1 2的回收口安置成相對著狀態。來自雷射照射裝置 1 2 0的雷射光2透過安裝在真空容器5之壁面上的雷射 光透過窗4，並照射在從供給噴嘴9所噴射之微粒子混合 氣體靶料上。而真空容器5內藉著真空泵（未圖示）來保 持低壓力。例如，將真空容器5中的壓力訂在1 〇-2〜1 0_3t 〇 r r，若將供給噴嘴9內的壓力調成數 T 〇 r r以上的話，則微粒子混合氣體靶料1 〇會噴出成 流體的狀態。而且未電漿化或回復至穩定狀態的微粒子混 合氣體靶料1 0進入回收管1 2 ，而從真空容器5內中去 除之。 在微粒子混合氣體靶料1 0上一照射了所聚焦了的雷 — — — — — 111· — —^ 1*·'裝！訂----！！線^' • · / ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -η - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7 五、發明說明（9 ) 射光2，則藉著雷射光2的強力電場等，則微粒子混合氣 體靶料10中的金屬元素與稀氣體分子做光學性的絕緣破 壞（OPTICAL BREAK DOWN)後離子化之。而藉著金屬元 素與稀氣體分子的離子化所產生的電子，利用逆制動輻射 等的過程吸收了雷射光2的能源後加熱之，且微粒子混合 氣體靶料10的雷射光2在貫穿的範圍上形成高溫高密度 的雷射電漿1 1。 雷射電漿1 1的電子溫度或密度因微粒子混合氣體紀 料1 0所含有之金屬元素與稀氣體之元素的種類以及雷射 的種類或條件的不同而有不一樣，而以能產生電子溫度在 數1 00 e v以上，電子密度在1 〇2°〜1 〇22/cm3 程度的電漿較好。 雷射電漿1 1中的電子制動輻射，藉用著於電漿再結 合過程中之自由一自由遷移或自由一束縛遷移的過程，可 從雷射電漿1 1放出連續性的光譜X射線，再者，利用在 電漿再結合過程上束縛-束縛遷移的過程，能夠放出特性 X射線。而從雷射電漿11所放出之X射線使用在鄰接之 曝光部2 0 0上。 接下來，就有關於電漿化可能領域內的粒子數與產生 X射線的關係說明之。 將以聚焦透鏡3所聚焦之雷射光2的形狀與雷射光強 度分布的關係示於第2圖。而雷射光2聚焦後其徑越小則 雷射光強度越大》在藉著微粒子混合氣體靶料1 〇的雷射 光2所貫穿的領域中，當雷射光強度在崩潰値以上的領域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) >·裝 *SJ· A7 B7 五、發明說明（10 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 則引起光學性崩潰而產生雷射電漿，但是當雷射光強度在 崩潰値以下的領域則不會產生雷射電漿。而產生雷射電漿 的領域就是所謂的電漿化的可能領域。 若微[粒子的徑比起雷射聚焦部斷面的徑來得非常小的 話’則在電漿化可能領域內X個的微粒子其存在確率（K (_X ))依從泊松分佈（p〇isson)，表示如下式。在此處 中，將電漿化可能領域的體積做爲V ( m 3 )，將微粒子混 合氣體靶料10中的微粒子密度做爲n(/m3)。 〔數1〕 α χ Κ ( X ) = - e - α X ! (但是，α = η V ) 因此，求得從微粒子崩潰値所決定之電漿化可能領域 的體體V後代入（數1)，且若改變微粒子混合氣體的微 粒子密度η的話，則可以確率K ( χ)將電漿化可能領域 內的微粒子定成所要求的數。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接下來，就有關於在微粒子混合氣體靶料1 0上照射 了雷射光2後使之產生雷射電漿11時的在電漿化可能領 域上之微粒子數與光學性崩潰微粒子數予以說明之。在實 驗上使用YAG雷射的第2高調波（波長5 3 2 nm)的 雷射光2，且在輸出1 0 〇m J /脈衝（脈衝幅約1 0 n s )上將雷射聚焦部斷面的徑做爲約1 〇 。而微粒 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公« ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7____ 五、發明說明（11 ) 混合氣體是使用了 0 . 5 // m徑的微粒子與稀氣體。 將照射了在雷射照射方向（第2圖的Z方向）之1脈 衝的雷射，且將測定了使之生成雷射電漿時之可視光的發 光強度分布的結果表示如第3圖。當微粒子（金屬微粒子 與稀氣體分子）電漿化後一強烈發光，亦即微粒子一光學 性崩潰，則成爲發光強度的巔峯狀態而可測定之。在電獎 化可能領域內有1個化學性崩潰了之微粒子的情況（a ) 下，出現1個巔峯狀態，而在電漿化可能領域內具有2個 光學性崩潰了的微粒子的情況（b)下出現2個巔峯狀態 0 將照射了 1脈衝之雷射並使之生成雷射電漿時的光學 性崩潰了的微粒子數（實驗値）的頻度分布與使用了（數 1 )之泊松分布計算出來之光學性崩潰之微粒子數（計算 値）的頻度分布依每個電漿化可能領域內的平均粒子數α 表示如第4圖。 當平均粒子數α約在1.5以下，則計算値與實驗値 幾乎一致，並可明白如理論上所述在電漿化可能領域內的 微粒子會做光學性崩潰之。 再者，在這種情況下，即使照射了雷射也不產生雷射 電漿的狀態（即崩潰是0的狀態）的頻率很高。 另一方面’當平均粒子數£1爲6 . 6的情況下，實驗 値的頻度分布偏離了計算値。亦即，在實驗上光學性崩潰 了的微粒子數比計算値少。這是由於光學性崩潰了的微粒 子吸收了雷射光’而當很多的微粒子一做光學性崩潰則雷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -]Δ- (！|項^寫本頁) -it裝
•5J Γ •線 A7 ___B7______ 五、發明說明（12 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 射光強度不足，且其以上的微粒子無法崩潰之故。但是’ 若將雷射光強度更加加強的話，則可增加光學性崩潰之微 粒子的數量。 再者，在這種情況下，因爲不產生光學性崩潰的頻度 (光學性崩潰之微粒子數是0頻度）是〇 ’所以若照射了 雷射光必定能夠產生雷射電漿。因此’在這種程度的條件 下比較能夠不浪費雷射光而使之穩定地產生X射線。若依 據本實施例的話，能夠獲得以下的效果。 在本實施例上藉著使用了將比雷射光徑小之金屬微粒 子與稀氣體混合了的微粒子混合氣體靶料’其比起金屬微 粒子靶料及稀氣體靶料其X射線變換效率較佳。 微粒子混合氣體靶料，其熱傳導小，且在照射了雷射 光領域的四周部上不會引起金屬微粒子的溶融，並由於稀 氣體分子不會成爲崩堆塊，所以能夠減少崩堆塊。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 雷射光貫穿之微粒子混合氣體靶料的體積與在稀氣體 靶料的情況下是相同的，但是崩潰値是與固體金屬靶料是 同樣地即比起氣體靶料低，所以比起氣體靶料電漿化可能 領域較大。而且，因爲在這個電漿化可能領域上包含有很 多的金屬微粒子與稀氣體的分子，所以由於光學性崩潰之 微粒子數會比起金屬微粒子靶料及稀氣體靶料情況下要來 得多，故X射線的輝度變高。 又，由於在電漿化可能領域上存在有許多@微粒子， 所以不產生光學性崩潰的頻度是0，而若照射了雷射光的 話必定可產生雷射電漿，並能夠不浪費雷射光使之穩定地 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- A7 B7 五、發明說明（13 ) 產生X射線。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 本實施例子上是將金屬微粒子與稀氣體混合了的靶料 在真空容器5內噴射之，由於噴射後成流體的靶料被照射 了雷射光，且對於雷射脈衝靶料能夠不時地供給之，所以 能夠使之穩定地產生X射線。 本實施例子上，由於回收未電漿化的靶料，所以能夠 將真空容器5保持在低壓上，且由於防止由真空容器5內 之氣體所導致之X射線的吸收，所以能夠防止所產生之X 射線的損失。 本實施例子上，雖然使用金屬微粒子，但是不限於金 屬，而是電漿化後只要能產生X射線者即可。再者，若使 用低融點的微粒子的話，可從電漿化可能的領域內完全分 解成原子狀，所以能夠抑制崩堆塊的產生。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，在固體或液體的微粒子元素及氣體的元素上要選 擇會產生與所要求之X射線之波長帶相同特性之X射線的 元素即可。而雷射電漿是由於其物質能夠離子化至非常高 之價數爲止，所以不僅K殼、L殼，而且能夠產生μ殼以 上的特性X射線。例如，若使用S η或S b等的元素的微 粒子的話，則由於S η或S b等其Μ殼的特性X射線是近 1 3 nm，所以能夠獲得軟X射線領域1 3 nm附近的X 射線。又，在氣體上即使使用會放出1 3 nm附近的特性 X射線的X e，也可獲得1 3 n m附近的X射線。而將 S η或S b等的元素微粒子與X e氣體混合後用在靶料上 的話’在靶料上能夠獲得比起包含任何一方之情況要來得 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7_ 五、發明說明（14 ) 輝度高之1 3 nm附近的X射線。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將本發明之第2實施例子藉第5圖說明之。本實施例 子是在第1實施例的雷射電漿X射線源上’在所放出的X 射線上使之具有指向性，且是裝置有回收向X射線取出方 向飛散而來之崩堆塊裝置的例子。 與第1的實施例子同樣地’在真空容器（未圖示）內 在從供給噴嘴9所噴射之微粒子混合氣體上，照射了以聚 焦透鏡了所聚焦之雷射光2並使之產生X射線。在本實施 例子上是使用將雷射光2做線狀聚焦之聚焦透鏡3，且在 能放出之X射線的四周將照射電子光束2 2的電子槍等（ 未圖示）介著真空容器的窗子（未圖示）安裝在真空容器 外，又，在能夠放出X射線的四周安裝外加了負電壓的離 子回收電極2 4。 被聚焦成線狀的雷射光2 -照射在微粒子混合氣體靶 料1 0上，則產生葉捲型的雷射電漿1 1 ，且在雷射電漿 1 1的長軸方向上能夠放出很多的X射線1 4。如此般一 使所放出的X射線具有指向性，則能夠獲得強度大的X射 線。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一在向長軸方向飛散過來之粒子狀或原子狀的崩堆塊 2 1上一照射了電子光束2 2，則粒子狀或原子狀的崩堆 塊2 1完全陽離子化之。而陽離子化了的崩堆塊2 1能夠 被離子回收電極2 4吸引之後回收之。這個回收電極2 4 連電漿化後以離子狀飛散過來的崩堆塊亦可回收之。因此 ，能夠將X射線之取出部（未圖示）的崩堆塊2 1減至最 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） ΚΙ _____Β7_ 五、發明說明（15 ) (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 低，並且能夠防止X射線光學元素或真空間隔的損傷。再 者，取代了回收在電場離子化了的崩堆塊2 1之回收電極 2 4，藉著改變在磁場已離子化之崩堆塊2 1的軌道，亦 可防止崩堆塊21侵入至X射線的取出部。 藉著第6圖說明本發明的第3實施例子。本實施例子 是在將微粒子混合氣體做爲靶料之雷射電漿X射線源上， 將照射之雷射光2以有時間差之2個脈衝來照射雷射電漿 X射線源的例子。 產生2個脈衝，並做爲照射方法是使用雷射光分岐延 遲光學系2 6。而雷射光分岐延遲光學系2 6是具備有使 雷射產生器1之雷射光分岐之光束分散器2 7與可將分岐 了之雷射光中之一方的雷射光光路比另一方之雷射光之光 路長的鏡子2 8及可將2個雷射光會成之再次成爲1個雷 射光2之光束混合器2 9。而2個雷射光的脈衝與光路差 成比例並延遲照射時間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 先在微粒子混合氣體靶料10上所照射的第1脈衝上 ，產生雷射電漿110而且藉著接下來所照射之第2的脈 衝能夠加熱雷射電漿，並且能夠提高X射線的產生效率。 再者，第1的脈衝，將未能完全分解至原子狀態爲止的微 粒子，以由第2脈衝所導致的加熱，能夠更形分解之，所 以能夠更加地抑制來自電漿化可能領域之粒子狀崩堆塊的 產生。 再者，2個脈衝的照射方法不僅在使用本實施例子之 雷射光分岐延遲光學系2 6的情況下，在使用2台之雷射 -18 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明說明（16 ) 產生器1時亦可。 若依照本實施例子，能夠獲得高度X射線的產生效率 ’而且並具有能夠抑制粒子狀崩堆塊的產生。 藉第7圖說明本發明的第4實施例子。本實施例子是 在第1實施例的靶料回收裝置1 1 3上安裝分離金屬微粒 子與稀氣體的分離器3 0，且是製作成使其回復至原來的 微粒子桶6及氣體筒7後做重覆循環的例子。 藉此，依照本實施例子的話，能夠減低裝置的維修， 再者，在做爲氣體、使用Xe氣體般價昂之稀氣體的情況 下具有能夠減低運轉成本的效果。 由本發明可以獲得以下的效果。 將粒子與氣體混合後做爲靶料，並且靶料噴射裝置噴 射靶料，而由於藉著雷射照射裝置在所噴射的靶料上照射 雷射光而不會引起粒子的溶融，所以能夠減少崩堆塊的產 生。再者，比起僅是粒子的靶料及僅是氣體的靶料其X射 線變換效率較好。又，由於對於雷射脈衝靶料能不時地供 給之，所以能夠穩定之產生X射線。再者，比起僅是氣體 的靶料其電漿化可能的領域較大，且在電漿化可能的領域 上包含有很多的粒子與氣體分子，所以光學性崩潰之微粒 子數也多，且所產生之X射線的輝度也能夠比起僅是粒子 的靶料及僅是氣體的靶料要來得高。又，照射了雷射光的 話必定可生成雷射電漿，所以可以不浪費雷射光而穩定地 產生X射線。 藉著粒子的徑比照射在靶料上之雷射光徑小，並電獎 -------------l· —N;:裝 i I · - f {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- A7 _B7 五、發明說明（17 ) 化可能領域而可存在很多的粒子，所以能夠更加增高所產 生之X射線的輝度。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 利用在氣體上使用稀氣體，則稀氣體分子在化學性上 安定且不會變成崩堆塊’所以能夠更加減少崩堆塊的產生 〇 藉著使用低融點的金屬粒子，所以能夠更加減少崩堆 塊的產生。 藉著以各種各樣之特性X射線之波長幾乎相同的金屬 粒子與稀氣體的混合體來構成靶料，則在靶料上能夠獲得 比起僅包含任何一方之情況下要來得輝度高的X射線。 將粒子與氣體混合後做爲靶料，而靶料噴射裝置噴射 靶料，且靶料回收裝置具有對著靶料噴射裝置之噴射口開 口的回收口而來回收靶料，且雷射照射裝置藉著在噴射口 與回收口之間的靶料上照射雷射光，所以能夠將真空容器 內保持在低壓下，且防止所產生之X射線的損失。 雷射照射裝置具有將雷射光做線狀聚焦之聚焦透鏡， 且藉用著線狀聚焦之雷射光能夠照射在靶料上，則在所產 生之葉卷型的電漿之長軸方向上獲得強度大的X射線。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 聚光鏡將以在申請專利範圍第1項之雷射電漿X射線 源所產生之X射線引導至面罩上，並且藉著X射線縮小曝 光鏡以面罩將反射了的X射線縮小之並投影在半導體晶圓 上，則由於在雷射電漿的X射線源上較少崩堆塊的產生， 所以能夠防止半導體曝光裝置的聚光鏡、面罩，X射線縮 小曝光鏡等的X射線光學素子或真空間隔的損傷。再者， -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公芨） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ______B7__ 五、發明說明（18 ) 由於從雷射電漿X射線源可提供安定且高輝度的X射線， 所以不會有曝光不足的情況，並能夠縮短曝光時間。 再者，藉著靶料噴射裝置不執行噴射，且將粒子與氣 體混合後做爲靶料而即使照射了雷射光，由於混合了粒子 與氣體之靶料的熱傳導小，且不會引起粒子的溶融，所以 能夠減少崩堆塊的產生，並且比起僅是粒子的靶料及僅是 氣體的靶料X射線變換效率較好。 〔圖面之簡單說明〕 第1圖是表示使用了第1實施例之雷射電漿X射線源 的半導體曝光裝置圖。 第2圖是表示聚焦了雷射光之強度分布圖。 第3圖是表示在使之生成雷射電獎時之可視光的發光 強度分布之測定結果圖。 * 第4圖是表示在電漿化可能的領域內其崩潰數的頻度 分布圖。 第5圖是表示第2實施例之雷射電漿X射線源圖。 第6圖是表示第3實施例之雷射電漿X射線源圖。 第7圖是表示在第4實施例之使用了雷射電漿X射線 /:源的半導體曝光裝置圖。 〔圖號說明〕 1 雷射產生器 2 雷射光 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂---- 線「· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 - A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _B7 五、發明說明（19 ) 3 聚 光 透 鏡 4 雷 射 光 透 過 窗 5 真 空 容 器 6 微 粒 子 桶 7 氣 體 筒 8 混 合 器 9 供 給 噴 嘴 1 0 微 企丄 子 混 合 氣 體 ftTf. 靶料 1 1 雷 射 電 漿 1 2 回 收 管 1 3 回 收 器 1 4 X 射 線 1 5 X 射 線 聚 光 鏡 1 6 面 罩 1 7 X 射 線 縮 小 曝 光 鏡 1 8 晶 片 1 9 曝 光 裝 置 2 0 真 空 排 氣 系 統 2 1 ut-r 朋 堆塊 2 2 電 子 束 2 3 離 子 化 之 M-J 朋 堆塊 2 4 離 子 回 收 電 極 2 5 電 源 2 6 雷 射 光 分 岐 延 遲 光學系 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 *5· 國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22- 五、發明說明（2〇 ) 2 7 光 束分 裂 器 2 8 鏡 子 2 9 光 束混 合 器 3 0 分 離器 3 1 再 生用 配 管 1 0 0 X射 線 產 生 部 1 1 0 靶料供給 裝 置 1 2 0 雷射 照 射 裝 置 1 3 0 靶料 回 收 裝 置 2 0 0 曝光 部 A7 B7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-------- -線「. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -23-
Claims (1)
- 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印裝 AS B8 C8 D8六、申請專利範圍 1 . 一種雷射電漿X射線源，係將雷射光照射在靶料 上生成電漿’從該電漿產生X射線的雷射電漿X射線源， 其特徵爲： 前述靶料是粒子與氣體混合而成，且具備有噴射前述 靶料之靶料噴射裝置；及照射在噴射有前述雷射光之前述 靶料上的雷射照射裝置。 2 .如申請專利範圍第1項之雷射電漿X射線源，其 中前述粒子的徑比起照射在前述靶料上之雷射光的徑要小 3 .如申請專利範圍第 中前述氣體是稀有氣體。 4 .如申請專利範圍第 中前述粒子是低融點金屬。 5 ·如申請專利範圍第 中前述靶料是以各個特性X 稀有氣體之混合體構成。 6.—種雷射電漿X射 上生成電漿，從該電漿產生 其特徵爲： .前述靶料是粒子與氣體 之靶料噴射裝置；及面對前 回收口，以回收上|靶料的 有前述雷射光之前述靶料上 射裝置係將前述雷射光照射 1項之雷射電漿X射線源，其 1項之雷射電漿X射線源，其 1項之雷射電漿X射線源，其 線之波長略相同的金屬粒子及 線源，係將雷射光·照射在靶料 X射線之雷射電漿X射線源，. 混合而成，具有噴射前述鞭料 述-耙料噴射裝置之噴射口設有、 靶料回收裝置；及照射在噴射 的雷射照射裝置；前述雷射照 在前述噴射口與前述回收口之 . — — — — — — — till· — · · I I :· f (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> M6· · ^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） A8B8C8D8 六、申請專利範圍 間的前述靶料上者。. .如申請專利範圍第1項之雷射電漿X射線源，其 中前述雷-射照射裝置具有將前述雷射光聚焦成線狀之聚焦 透鏡’且可將線狀聚焦之雷射光照射在前述靶料上。 8 .—種半導體曝光裝置，其特徵爲具有：申請專利 範圍第1項之雷射電漿X射線源：將前述雷射電漿X射線 _上所產生之X射線引導至光罩的聚光透鏡；i及將前述光 ，罩反射之X射線縮小並投影在半導體晶圓上的X射線縮小 曝光透鏡。 9 .—種半導體裝置曝光方法，係將雷射光照射在靶 料上產生電漿，由..該電漿產生X射線，將所產生之X射線 弓i導至半導體晶圓上並在前述半導體晶圓上進行半導體裝 盧圖型之曝光的半導體裝置曝光方法，其特徵爲具有： 將粒子與氣體混合之步驟；將混合之粒子與氣體噴射 於真空容器中之步驟；及以噴射之粒子與氣體之混合體做 爲.耙料，並照射雷射光之步驟。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ------------->1-裝 i — (請先閱讀背面之注意事項！ί填寫本頁) 1 0 · —種雷射電漿X射線源，係將雷射光照射在靶 料上生成電漿，由該電漿產生X射線的雷射電漿X射線源 ，其特徵爲：前述靶料是粒子與氣體混合而成。 1 1 ·—種半導體裝置曝光方法，係將雷射光照射在 靶料上生成電漿，由該電漿產生X射線，將所產生之X射 線引導至半導犛晶圓上且在前述半導體晶圓上進行半導體 裝置圖型之曝光的半導體裝置曝光方法，其特徵爲具有： 將粒子與氣體混合的步驟；及以粒子與氣體之混合體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 做爲靶料並照射雷射光的步驟 -n l_i el n n I I Ae I I · n (請先閱讀背面之注咅？事項*ί>λ寫本頁) 訂. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -26-
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| JP2002510548A (ja) * | 1998-04-03 | 2002-04-09 | アドヴァンスト エナジー システムズ インコーポレイテッド | フォトリソグラフィ用のエネルギー放出システム |
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| US6194733B1 (en) | 1998-04-03 | 2001-02-27 | Advanced Energy Systems, Inc. | Method and apparatus for adjustably supporting a light source for use in photolithography |
| AU3957599A (en) * | 1998-05-29 | 1999-12-20 | Nikon Corporation | Laser-excited plasma light source, exposure apparatus and its manufacturing method, and device manufacturing method |
| US6324255B1 (en) | 1998-08-13 | 2001-11-27 | Nikon Technologies, Inc. | X-ray irradiation apparatus and x-ray exposure apparatus |
| WO2000019496A1 (fr) * | 1998-09-28 | 2000-04-06 | Hitachi, Ltd. | Generateur au plasma laser de rayons x, dispositif d'alignement de semiconducteurs possedant ce generateur et procede d'exposition de semiconducteurs |
| JP2000294523A (ja) * | 1999-04-01 | 2000-10-20 | Sony Corp | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| DE19905802A1 (de) * | 1999-02-12 | 2000-08-17 | Philips Corp Intellectual Pty | Röntgenröhre |
| DE19924204A1 (de) * | 1999-05-27 | 2000-11-30 | Geesthacht Gkss Forschung | Einrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Röntgenstrahlen |
| JP2001108799A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置、ｘ線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
| US6377651B1 (en) * | 1999-10-11 | 2002-04-23 | University Of Central Florida | Laser plasma source for extreme ultraviolet lithography using a water droplet target |
| US6831963B2 (en) * | 2000-10-20 | 2004-12-14 | University Of Central Florida | EUV, XUV, and X-Ray wavelength sources created from laser plasma produced from liquid metal solutions |
| US7492867B1 (en) * | 1999-10-11 | 2009-02-17 | University Of Central Flordia Research Foundation, Inc. | Nanoparticle seeded short-wavelength discharge lamps |
| FR2799667B1 (fr) | 1999-10-18 | 2002-03-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de generation d'un brouillard dense de gouttelettes micrometriques et submicrometriques, application a la generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie |
| EP1232516A4 (en) * | 1999-10-27 | 2003-03-12 | Jmar Res Inc | METHOD AND SYSTEM FOR GENERATING RADIATION USING MICROCIBLES |
| US6493423B1 (en) * | 1999-12-24 | 2002-12-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of generating extremely short-wave radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, extremely short-wave radiation source unit and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit |
| US6304630B1 (en) * | 1999-12-24 | 2001-10-16 | U.S. Philips Corporation | Method of generating EUV radiation, method of manufacturing a device by means of said radiation, EUV radiation source unit, and lithographic projection apparatus provided with such a radiation source unit |
| US6320937B1 (en) * | 2000-04-24 | 2001-11-20 | Takayasu Mochizuki | Method and apparatus for continuously generating laser plasma X-rays by the use of a cryogenic target |
| US6972421B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-12-06 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
| ATE489838T1 (de) * | 2000-07-28 | 2010-12-15 | Jettec Ab | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von röntgenstrahlung |
| EP1182510B1 (en) * | 2000-08-25 | 2006-04-12 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
| EP1316245A1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-06-04 | Powerlase Limited | Electromagnetic radiation generation using a laser produced plasma |
| TW548524B (en) * | 2000-09-04 | 2003-08-21 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| US6693989B2 (en) * | 2000-09-14 | 2004-02-17 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Ultrabright multikilovolt x-ray source: saturated amplification on noble gas transition arrays from hollow atom states |
| US6614505B2 (en) | 2001-01-10 | 2003-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| EP1223468B1 (en) * | 2001-01-10 | 2008-07-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
| FR2823949A1 (fr) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede et dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet notamment pour la lithographie |
| US7476886B2 (en) * | 2006-08-25 | 2009-01-13 | Cymer, Inc. | Source material collection unit for a laser produced plasma EUV light source |
| GB0111204D0 (en) | 2001-05-08 | 2001-06-27 | Mertek Ltd | High flux,high energy photon source |
| JP4995379B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2012-08-08 | ギガフォトン株式会社 | 光源装置及びそれを用いた露光装置 |
| FR2826893B1 (fr) * | 2001-07-05 | 2003-09-19 | Snecma Moteurs | Appareil de soudage par faisceau laser miniaturise |
| DE10147454A1 (de) * | 2001-09-20 | 2003-04-17 | Univ Schiller Jena | Targetkollektor zum Auffangen von Flüssigkeitstargets |
| DE10149654A1 (de) * | 2001-10-08 | 2003-04-10 | Univ Schiller Jena | Verfahren und Anordnung zur Synchronisation der zeitlichen Abfolgen von Targets sowie von auf diese auftreffenden Anregungsimpulsen eines Lasers bei der Anregung von Plasma zur Strahlungsemission |
| DE10205189B4 (de) * | 2002-02-06 | 2012-06-28 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung auf Basis eines strahlungsemittierenden Plasmas |
| JP4111487B2 (ja) * | 2002-04-05 | 2008-07-02 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
| DE10215469B4 (de) * | 2002-04-05 | 2005-03-17 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Unterdrückung von Teilchenemission bei einer Strahlungserzeugung auf Basis eines heißen Plasmas |
| WO2003096764A1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-11-20 | Jettec Ab | Method and arrangement for producing radiation |
| DE10251435B3 (de) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Xtreme Technologies Gmbh | Strahlungsquelle zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung |
| US6770895B2 (en) * | 2002-11-21 | 2004-08-03 | Asml Holding N.V. | Method and apparatus for isolating light source gas from main chamber gas in a lithography tool |
| EP1434095A1 (en) * | 2002-12-23 | 2004-06-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| TWI255394B (en) | 2002-12-23 | 2006-05-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus with debris suppression means and device manufacturing method |
| WO2004084592A2 (en) * | 2003-03-18 | 2004-09-30 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Device for and method of generating extreme ultraviolet and/or soft x-ray radiation by means of a plasma |
| US6919573B2 (en) | 2003-03-20 | 2005-07-19 | Asml Holding N.V | Method and apparatus for recycling gases used in a lithography tool |
| DE10326279A1 (de) * | 2003-06-11 | 2005-01-05 | MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Plasma-basierte Erzeugung von Röntgenstrahlung mit einem schichtförmigen Targetmaterial |
| US6973164B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-12-06 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Laser-produced plasma EUV light source with pre-pulse enhancement |
| SG118268A1 (en) | 2003-06-27 | 2006-01-27 | Asml Netherlands Bv | Laser produced plasma radiation system with foil trap |
| EP1491963A3 (en) * | 2003-06-27 | 2005-08-17 | ASML Netherlands B.V. | Laser produced plasma radiation system with contamination barrier |
| DE10337667B4 (de) * | 2003-08-12 | 2012-03-22 | Xtreme Technologies Gmbh | Plasma-Strahlungsquelle und Anordnung zur Erzeugung eines Gasvorhangs für Plasma-Strahlungsquellen |
| FR2860385B1 (fr) * | 2003-09-26 | 2007-06-01 | Cit Alcatel | Source euv |
| CN100555082C (zh) | 2003-11-11 | 2009-10-28 | Asml荷兰有限公司 | 抑制污染的光刻设备及其器件制造方法 |
| US7135692B2 (en) * | 2003-12-04 | 2006-11-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, illumination system and method for providing a projection beam of EUV radiation |
| GB0403865D0 (en) * | 2004-02-20 | 2004-03-24 | Powerlase Ltd | Laser multiplexing |
| US7078717B2 (en) * | 2004-03-22 | 2006-07-18 | Gigaphoton Inc. | Light source device and exposure equipment using the same |
| US20050213710A1 (en) * | 2004-03-29 | 2005-09-29 | Lawrence Brian L | System and method for laser X-ray generation |
| WO2005094318A2 (en) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Jmar Research, Inc. | Morphology and spectroscopy of nanoscale regions using x-rays generated by laser produced plasma |
| JP4763684B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2011-08-31 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 放射線源により生じる粒子の除去 |
| JP4696478B2 (ja) * | 2004-06-09 | 2011-06-08 | 株式会社Ｉｈｉ | プラズマｘ線発生装置 |
| DE102004028943B4 (de) * | 2004-06-11 | 2006-10-12 | Xtreme Technologies Gmbh | Vorrichtung zur zeitlich stabilen Erzeugung von EUV-Strahlung mittels eines laserinduzierten Plasmas |
| KR100583768B1 (ko) * | 2004-07-07 | 2006-05-26 | 한국과학기술원 | 광압을 이용한 입자빔 집속장치 |
| US7302043B2 (en) * | 2004-07-27 | 2007-11-27 | Gatan, Inc. | Rotating shutter for laser-produced plasma debris mitigation |
| US7452820B2 (en) * | 2004-08-05 | 2008-11-18 | Gatan, Inc. | Radiation-resistant zone plates and method of manufacturing thereof |
| US7466796B2 (en) * | 2004-08-05 | 2008-12-16 | Gatan, Inc. | Condenser zone plate illumination for point X-ray sources |
| JP4578901B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2010-11-10 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
| JP4517147B2 (ja) * | 2004-11-26 | 2010-08-04 | 国立大学法人 宮崎大学 | 極端紫外光源装置 |
| US7885387B2 (en) * | 2004-12-17 | 2011-02-08 | Osaka University | Extreme ultraviolet light and X-ray source target and manufacturing method thereof |
| WO2006075535A1 (ja) | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Nikon Corporation | レーザプラズマｅｕｖ光源、ターゲット部材、テープ部材、ターゲット部材の製造方法、ターゲットの供給方法、及びｅｕｖ露光装置 |
| JP4710463B2 (ja) | 2005-07-21 | 2011-06-29 | ウシオ電機株式会社 | 極端紫外光発生装置 |
| JP4599342B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2010-12-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | 光学装置、リソグラフィ装置、および、デバイス製造方法 |
| DE102006017904B4 (de) | 2006-04-13 | 2008-07-03 | Xtreme Technologies Gmbh | Anordnung zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung aus einem energiestrahlerzeugten Plasma mit hoher Konversionseffizienz und minimaler Kontamination |
| US8766212B2 (en) * | 2006-07-19 | 2014-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Correction of spatial instability of an EUV source by laser beam steering |
| JP5108367B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-12-26 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置 |
| JP5388018B2 (ja) * | 2007-05-07 | 2014-01-15 | 独立行政法人日本原子力研究開発機構 | レーザー駆動の小型・高コントラスト・コヒーレントｘ線発生装置及びその発生方法 |
| JP2009070982A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Nikon Corp | 飛散粒子除去装置、飛散粒子の低減方法、光源装置、照明光学装置、露光装置及び電子デバイスの製造方法 |
| JP4389991B2 (ja) * | 2007-10-26 | 2009-12-24 | ソニー株式会社 | 微小粒子の光学的測定方法及び光学的測定装置 |
| US8084757B2 (en) * | 2008-01-17 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Contamination prevention in extreme ultraviolet lithography |
| JP5304097B2 (ja) * | 2008-08-18 | 2013-10-02 | 凸版印刷株式会社 | 反射型フォトマスク、把持装置及び露光装置 |
| WO2010093903A2 (en) | 2009-02-13 | 2010-08-19 | Kla-Tencor Corporation | Optical pumping to sustain hot plasma |
| US8837679B2 (en) * | 2009-04-03 | 2014-09-16 | Excillum Ab | Supply of a liquid-metal target in X-ray generation |
| CN104681378B (zh) * | 2009-04-03 | 2017-04-12 | 伊克斯拉姆公司 | 在x射线产生中液体金属靶的供应 |
| JPWO2010137625A1 (ja) | 2009-05-27 | 2012-11-15 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット出力装置及び極端紫外光源装置 |
| JP2011023712A (ja) | 2009-06-19 | 2011-02-03 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光源装置 |
| JP2011192965A (ja) | 2010-02-22 | 2011-09-29 | Komatsu Ltd | チャンバ装置、および極端紫外光生成装置 |
| US9072153B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-06-30 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation system utilizing a pre-pulse to create a diffused dome shaped target |
| JP5802410B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2015-10-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| US9072152B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-06-30 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultraviolet light generation system utilizing a variation value formula for the intensity |
| JP5921876B2 (ja) * | 2011-02-24 | 2016-05-24 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
| TWI580316B (zh) * | 2011-03-16 | 2017-04-21 | Gigaphoton Inc | Extreme UV light generation device |
| JP5921879B2 (ja) | 2011-03-23 | 2016-05-24 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置 |
| JP5901210B2 (ja) | 2011-10-06 | 2016-04-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 放射線発生装置及び放射線発生方法 |
| US9268031B2 (en) * | 2012-04-09 | 2016-02-23 | Kla-Tencor Corporation | Advanced debris mitigation of EUV light source |
| US10801975B2 (en) * | 2012-05-08 | 2020-10-13 | Kla-Tencor Corporation | Metrology tool with combined X-ray and optical scatterometers |
| JPWO2013180007A1 (ja) * | 2012-05-29 | 2016-01-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置および極端紫外光生成システム |
| DE102012209837A1 (de) * | 2012-06-12 | 2013-12-12 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | EUV-Anregungslichtquelle mit einer Laserstrahlquelle und einer Strahlführungsvorrichtung zum Manipulieren des Laserstrahls |
| CN103209536A (zh) * | 2013-03-22 | 2013-07-17 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 产生软x射线的方法 |
| US9609729B2 (en) * | 2013-04-19 | 2017-03-28 | Raytheon Company | X-ray cells and other components having gas cells with thermally-induced density gradients |
| US9506871B1 (en) | 2014-05-25 | 2016-11-29 | Kla-Tencor Corporation | Pulsed laser induced plasma light source |
| US9301381B1 (en) | 2014-09-12 | 2016-03-29 | International Business Machines Corporation | Dual pulse driven extreme ultraviolet (EUV) radiation source utilizing a droplet comprising a metal core with dual concentric shells of buffer gas |
| CN105682335B (zh) * | 2016-03-28 | 2019-09-27 | 中国科学院近代物理研究所 | 靶系统和具有靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统 |
| CN105828513B (zh) * | 2016-03-28 | 2019-04-12 | 中国科学院近代物理研究所 | 靶系统和具有靶系统的用于产生中子和/或中微子的系统 |
| EP3261110A1 (en) * | 2016-06-21 | 2017-12-27 | Excillum AB | X-ray source with ionisation tool |
| WO2018029759A1 (ja) | 2016-08-08 | 2018-02-15 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成方法 |
| US11330697B2 (en) * | 2016-12-27 | 2022-05-10 | Brown University | Modular laser-produced plasma X-ray system |
| JP7225224B2 (ja) * | 2017-10-26 | 2023-02-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | プラズマをモニタするためのシステム |
| JP2021009274A (ja) * | 2018-07-09 | 2021-01-28 | レーザーテック株式会社 | 光源、検査装置、ｅｕｖ光の生成方法及び検査方法 |
| EP3726940A3 (en) * | 2019-04-16 | 2020-11-11 | Okinawa Institute of Science and Technology School Corporation | Laser-driven microplasma xuv source |
| US11882642B2 (en) | 2021-12-29 | 2024-01-23 | Innovicum Technology Ab | Particle based X-ray source |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4538291A (en) * | 1981-11-09 | 1985-08-27 | Kabushiki Kaisha Suwa Seikosha | X-ray source |
| EP0186491B1 (en) * | 1984-12-26 | 1992-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus for producing soft x-rays using a high energy beam |
| JP2614457B2 (ja) * | 1986-09-11 | 1997-05-28 | ホーヤ 株式会社 | レーザープラズマｘ線発生装置及びｘ線射出口開閉機構 |
| JPS63254150A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-20 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | 電極用導電性プラスチツク |
| JPH02100297A (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ励起型ｘ線の発生方法 |
| US4953191A (en) * | 1989-07-24 | 1990-08-28 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | High intensity x-ray source using liquid gallium target |
| JPH03201399A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-03 | Shimadzu Corp | Ｘ線発生方法 |
| JPH05258692A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Nikon Corp | Ｘ線発生方法およびｘ線発生装置 |
| US5487078A (en) * | 1994-03-14 | 1996-01-23 | Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Apparatus and method for generating prompt x-radiation from gas clusters |
| US5577091A (en) * | 1994-04-01 | 1996-11-19 | University Of Central Florida | Water laser plasma x-ray point sources |
| US5459771A (en) * | 1994-04-01 | 1995-10-17 | University Of Central Florida | Water laser plasma x-ray point source and apparatus |
| JP2552433B2 (ja) * | 1994-06-30 | 1996-11-13 | 関西電力株式会社 | レーザープラズマｘ線源のデブリス除去方法及び装置 |
| JPH08138594A (ja) * | 1994-11-11 | 1996-05-31 | Olympus Optical Co Ltd | 軟ｘ線光源装置 |
| US5577092A (en) * | 1995-01-25 | 1996-11-19 | Kublak; Glenn D. | Cluster beam targets for laser plasma extreme ultraviolet and soft x-ray sources |
| JPH08236292A (ja) * | 1995-02-27 | 1996-09-13 | Hitachi Ltd | レーザプラズマｘ線発生装置 |
| JP3666056B2 (ja) * | 1995-05-30 | 2005-06-29 | 株式会社ニコン | Ｘ線発生装置及びｘ線リソグラフィー装置 |
| JP3508079B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2004-03-22 | 日本原子力研究所 | プラズママイクロアンジュレーターの形成方法 |
| JPH1055899A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-02-24 | Nikon Corp | Ｘ線発生装置 |
-
1997
- 1997-02-07 JP JP9024731A patent/JPH10221499A/ja active Pending
- 1997-12-20 TW TW086119460A patent/TW393662B/zh not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-01-21 DE DE69813065T patent/DE69813065T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-01-21 EP EP98101013A patent/EP0858249B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-01-23 AU AU52732/98A patent/AU5273298A/en not_active Abandoned
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- 1998-02-06 CA CA002229170A patent/CA2229170C/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0858249B1 (en) | 2003-04-09 |
| CA2229170A1 (en) | 1998-08-07 |
| CA2229170C (en) | 2001-09-11 |
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| DE69813065T2 (de) | 2004-03-04 |
| JPH10221499A (ja) | 1998-08-21 |
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