JP2013084993A - 極端紫外光源装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この極端紫外光源装置は、チャンバ内のプラズマ発光点に供給されたターゲットにレーザ光を照射して第1のプラズマを生成するドライバレーザと、チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、プラズマ発光点が中心となるように配置されたRFアンテナを含み、ガス及び電気的に中性のターゲット物質を励起して、電気的に中性のデブリを帯電させる第2のプラズマを生成する高周波励起装置と、帯電したデブリの移動方向を制限する磁場を発生する磁場発生装置と、チャンバ内を排気することにより、第1のプラズマから放出され第2のプラズマにおいてガス化されたデブリをチャンバ外に排出する排気装置とを具備する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る極端紫外(EUV)光源装置を示す模式図である。このEUV光源装置は、LPP(レーザ励起プラズマ)方式を採用しており、露光装置の光源として用いられる。
図2は、本発明の第2の実施形態に係るEUV光源装置の内部構造を示す図である。図2に示すように、EUV光源装置31は、第1の実施形態に係るEUV光源装置と同様の構成を備えているが、高周波電界の替わりに、磁場とマイクロ波とを用いて2次反応プラズマ32を励起する。磁場は、例えば、磁場コイル17によって生成され、マイクロ波は、マイクロ波を発生してガスを励起するマイクロ波発生装置(励起装置)35によって生成される。
図3は、本発明の第3の実施形態に係るEUV光源装置の内部構造を示す図である。図3に示すように、EUV光源装置41は、例えば、特許文献2に記載されるように、水素化錫(SnH4)又はハロゲン化錫(SnCl4、SnBr4)を液体化又は氷結固体化して供給することが可能なターゲット供給装置44を備えている。また、図3に示すEUV光源装置は、補充ガス供給装置46を備えていても良い。
図4は、本発明の第4の実施形態に係るEUV光源装置の内部構造を示す図である。図4に示すように、EUV光源装置51は、デブリに含まれている帯電粒子を閉じ込める磁場の磁力線に沿って、帯電粒子流52をカーテン状に流す帯電粒子流発生装置53を備えている。
Claims (5)
- ターゲットにレーザ光を照射することによりプラズマを生成して極端紫外光を発生する極端紫外光源装置であって、
極端紫外光の生成が行われるチャンバと、
前記チャンバ内のプラズマ発光点にターゲットを供給するターゲット供給装置と、
前記ターゲット供給装置によって供給されるターゲットにレーザ光を照射して、前記プラズマ発光点において第1のプラズマを生成するドライバレーザと、
前記チャンバ内に設置され、第1のプラズマから放射される極端紫外光を集光する集光ミラーと、
前記チャンバ内にガスを供給するガス供給装置と、
前記プラズマ発光点が中心となるように配置されたRF(高周波)アンテナを含み、前記ガス供給装置によって供給されるガス及び電気的に中性のターゲット物質を励起して、第1のプラズマが生成される領域の周囲に、第1のプラズマから放出されるデブリの内で電気的に中性のデブリを帯電させる第2のプラズマを生成する高周波励起装置と、
第2のプラズマによって帯電したデブリの移動方向を制限する磁場を発生する磁場発生装置と、
前記チャンバ内を排気することにより、第1のプラズマから放出され第2のプラズマにおいてガス化されたデブリを前記チャンバ外に排出する排気装置と、
を具備する極端紫外光源装置。 - 前記ガス供給装置が、前記集光ミラーの反射面側において対向する複数の開口部を有する、請求項1記載の極端紫外光源装置。
- 前記ガス供給装置が、アルゴンガス(Ar)、窒素ガス(N2)、水素ガス(H2)、フッ素ガス(F2)、塩素ガス(Cl2)、臭素ガス(Br2)、ヨウ素ガス(I2)、フッ化水素ガス(HF)、塩化水素ガス(HCl)、臭化水素ガス(HBr)、ヨウ化水素ガス(HI)、又は、それらの内の少なくとも1つを含む混合ガスを供給する、請求項1又は2記載の極端紫外光源装置。
- 前記排気装置の吸入口付近に配置され、前記磁場発生装置によって発生される磁場によって移動方向が制限されたデブリを前記排気装置に引き寄せる帯電した導電性メッシュをさらに具備する請求項3記載の極端紫外光源装置。
- 前記集光ミラーの表面に、ルテニウム(Ru)、シリコンカーバイト(SiC)、炭素(C)、二酸化シリコン(SiO2)、又は、酸化ルテニウム(RuO2)を含む保護膜がコーティングされている、請求項1〜4のいずれか1項記載の極端紫外光源装置。
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