JP2021009274A - 光源、検査装置、ｅｕｖ光の生成方法及び検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】性能及び検査精度を向上させることができる光源、検査装置、ＥＵＶ光の生成方法及び検査方法を提供する。【解決手段】本発明に係る光源１０は、レーザ光Ｌ１の照射によりプラズマを発生するターゲット材１１を備え、ターゲット材１１は、複数本のレーザ光Ｌ１によってターゲット材１１の照射面１７に複数の照射スポット１６がライン状に配列するように、レーザ光Ｌ１によって照射され、照射スポット１６において発生したプラズマからＥＵＶ光Ｅ１を生成する。【選択図】図１

Description

本発明は、光源、検査装置、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光の生成方法及び検査方法に関するものであり、例えば、ＥＵＶ光を生成するための光源として、スズのドロップレットを利用したレーザ励起光源のＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）光源に替わる方式の光源、検査装置、ＥＵＶ光の生成方法及び検査方法に関する。

半導体の微細化を担うリソグラフィ技術に関しては、現在、露光波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを露光光源としたＡｒＦリソグラフィが量産適用されている。また、露光装置の対物レンズとウエハとの間を水で満たして、解像度を高める液浸技術（ＡｒＦ液浸リソグラフィと呼ばれる。）も量産に利用されている。さらに、一層の微細化を実現するために、露光波長１３．５ｎｍのＥＵＶＬ（ＥＵＶ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）の実用化に向けて様々な技術開発が行われている。

ＥＵＶＬに用いられるマスクであるＥＵＶマスクは、積層構造として、低熱膨張性ガラスから成る基板の上に、ＥＵＶ光を反射させるための多層膜が設けられている。多層膜は、通常、モリブデンとシリコンを交互に数十層積み重ねた構造になっている。これにより、多層膜は、ＥＵＶ光を垂直で約６５％も反射させることができる。多層膜の上には、ＥＵＶ光を吸収する吸収体が設けられている。吸収体をパターニングすることにより、ブランクスを形成することができる。実際に露光に使うためには、レジストプロセスにより、吸収体をパターン形成する。このようにして、パターン付きＥＵＶマスクが完成する。

ＥＵＶマスクにおける許容できない欠陥の大きさは、従来のＡｒＦマスクの場合に比べると大幅に小さくなっており、検出することが困難となっている。そこで、検査用照明光として、露光光と同じ波長の照明光を用いて検査するアクティニック（Ａｃｔｉｎｉｃ）検査は、パターン検査に不可欠となっている。この際の検査用照明光は、例えば、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光である。

ＥＵＶマスクの検査装置の一般的な基本構成としては、光源から取り出されるＥＵＶ光を、ＥＵＶ用の多層膜鏡のみで構成される照明光学系によって、ＥＵＶマスクまで導き、ＥＵＶマスクのパターン面における微小な検査領域を照明する。この検査領域におけるＥＵＶマスクのパターンが、多層膜鏡のみで構成される拡大光学系によって、ＣＣＤカメラやＴＤＩ（Ｔｉｍｅ Ｄｅｌａｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）カメラの２次元イメージセンサーの表面に投影（結像）される。そして、観察されたパターンを解析し、パターンが正しいか否かを判断する。こうして、ＥＵＶマスクのパターン検査が行われる。

一般に、ＥＵＶ光源としては、ＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）光源、ＬＤＰ（Ｌａｓｅｒ−ａｓｓｉｓｔｅｄ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｌａｓｍａ）光源及びＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）光源が挙げられる。そのうち、ＬＰＰ光源は、微小な液滴状に噴出されたスズ（Ｓｎ）、または、リチウム（Ｌｉ）等のドロップに対して、レーザ光を集光することによりプラズマを発生させる方式である。

ＥＵＶマスクの検査装置の照明光学系としては、ＥＵＶマスクにおける微小な検査領域を明るく照明できるように、光源から発生するＥＵＶ光を、検査領域を含む狭い領域に集光するような光学系が必要である。このような光学系の一つとしては、光源の発光部をＥＵＶマスクのパターン面に投影する光学系が望ましい。ただし、光学系にはミラーしか利用できないため、例えば、回転楕円面鏡（以下、単に楕円面鏡と呼ぶ。）を１〜数枚用いる光学系が利用されている。楕円面鏡は、２つの集光点を有しており、１つの集光点から発生する光は、もう一方の集光点に集光する性質を有する。

楕円面鏡の２つの集光点を第１集光点及び第２集光点とする。第１集光点が光源の発光部と合うように、かつ、第２集光点がＥＵＶマスク内の微小な検査領域と合うように、光源、楕円面鏡、及び、ＥＵＶマスクを配置する。例えば、光源がＬＰＰ光源の場合には、第１集光点がプラズマの輝点と合うようにする。これにより、微小な検査領域までＥＵＶ光を導いて照明することができる。

また、楕円面鏡を２枚用いる場合も原理的には同様である。例えば、第１及び第２の楕円面鏡を用いる場合には、第１の楕円面鏡の第１集光点を光源の発光部に合わせ、第１の楕円面鏡の第２集光点を、第２の楕円面鏡の第１集光点に合わせる。第２の楕円面鏡の第２集光点を検査領域に合わせる。これにより、光源の発光部をＥＵＶマスクのパターン面に投影することができる。

一方、ＥＵＶマスクの検査装置を用いて、ＥＵＶマスクのパターン検査を行う場合には、通常、ＴＤＩカメラ等の検出器によって、ＥＵＶマスクの検査面における検査領域内の画像が取得される。ＥＵＶマスクは、ステージ上では、一つの方向に関して、往復するスキャン動作を行う。

特開平０８−３３００９４号公報 特開２００８−２７７５２２号公報 特開２００８−２７７５２９号公報 特開２００８−２８３１０７号公報 特開２００９−１０５００６号公報 特開２０１２−２３１０４６号公報 特開平０８−３２１３９５号公報 特開平０８−３２１３９６号公報 特開２００９−５１５３２６号公報 特開２０１０−５１４２１４号公報

図１２に示すような検査装置１０１におけるＬＰＰ光源１１０は、微細なスズ（Ｓｎ）の球（ドロップレット１１１）に対して、励起用レーザ光Ｌ１０１を集光させて、球面状のスズプラズマを発生させる。発生させたスズプラズマからＥＵＶ光Ｅ１０１をコレクターミラー１１２で取り出している。

ＬＰＰ光源１１０は、ＥＵＶＬにおけるフォトマスクの検査光源として用いられる上で、ドロップレット１１１の制御が複雑であること及び光学系が汚染されるという課題を有している。

ＬＰＰ光源１１０は、ドロップレット１１１の位置を計測して、励起用レーザ光Ｌ１０１を照射する。このため、ドロップレット１１１が落下するタイミングに合わせて励起用レーザ光Ｌ１０１を照射する複雑な機構を必要とする。また、ドロップレット１１１の位置を計測するためにも複雑な機構を必要とする。さらに、ドロップレット１１１を生成するノズルは、細くて詰まりやすい。したがって、ＬＰＰ光源１１０においては、ドロップレット１１１の制御を簡素化することが所望されている。

また、ＬＰＰ光源１１０は、ドロップレット１１１の一部のみプラズマ化する。残りの部分はデブリとして飛散して光学系や真空チャンバ内を汚染する。ＬＰＰ光源１１０は、ドロップレット１１１の繰り返し生成周波数に合わせて、パルスレーザ光Ｌ１０１を照射する。ドロップレット１１１の生成周波数は比較的低周波数なので、適度なピークパワー及び平均パワーを得るためには、必然的にナノ秒レーザを利用することになる。一般的に、ナノ秒レーザを利用するＬＰＰ光源１１０の場合には、ドロップレット１１１等のターゲットから発生するデブリが多い。これにより、光学系や真空チャンバ内部が汚染されることになる。また、スズ溶融中やノズル等の部品に付着するパーティクルも問題となる。したがって、ＬＰＰ光源１１０においては、光学系等の汚染が課題となっている。

一方、ＬＰＰ光源１１０を用いた検査装置１０１は、ＬＰＰ光源１１０で生成されたＥＵＶ光Ｅ１０１を用いて、楕円面鏡３１、楕円面鏡３２及び落とし込み鏡３４を介して、検査対象５０であるＥＵＶマスクを照明する。そして、ＥＵＶ光Ｅ１０１で照明された検査対象５０からの光Ｅ１０２を、シュバルツシルト光学系４１を介して検出器４４に集光する。検出器４４は、例えば、ＣＣＤ等を含んだＴＤＩセンサである。ＴＤＩセンサの受光面４５は一般的に横長である。例えば、受光面４５は、横に２０００個の画素を有し、縦に１０００個の画素を有する。検出器４４によって、検査対象５０の画像を取得し、検査対象５０を検査する。

このような検査装置１０１の課題としては、照明光の利用効率の低下、及び、ドロップレット１１１の生成タイミングと撮像タイミングとの同期の困難さがあげられる。

図１３及び図１４は、検査対象５０の検査面５２及び検査領域５３の照度分布を例示した図であり、図１３は、コレクターミラー１１２の投影倍率が１：１である場合を示し、図１４は、コレクターミラー１１２の投影倍率が１：３である場合を示す。

図１３に示すように、ドロップレット１１１から発生したプラズマによるＥＵＶ光Ｅ１０１は、球状である。一方、検出器４４の受光面４５に対応した検査領域５３は横長である。図１３に示すように、コレクターミラー１１２の投影倍率が１：１である場合には、ＥＵＶ光Ｅ１０１は、検査領域５３全体を照明していない。検査領域５３が照明光を丸ごと含む点で、照明光の利用効率は高いと言えるかもしれない。しかしながら、検査領域５３の横方向は照度が低く、不均一な照度分布となっている。よって、検査領域５３を均一に照明するためには、検査領域５３外も照明する必要がある。

図１４に示すように、コレクターミラー１１２の投影倍率が１：３である場合には、検査領域５３全体を均一に照明しているが、検査領域５３以外も照明することになり、照明光の利用効率が低下する。さらに、検査領域５３外を照明することは必要以上の光出力を必要とする。

また、検査領域５３外のＥＵＶ光Ｅ１０１は、検査対象５０を不必要に加熱し、検査対象５０に対して熱的なダメージを与える。したがって、照明光の強度を制限することになるが、これは、取得される画像の画質低下につながる。このように、検査装置１０１は、照明光の利用効率を向上させることが困難であった。

ＬＰＰ光源１１０で用いられるドロップレット１１１の生成周期は、１０〜１００［ｋＨｚ］程度である。これは、スキャン速度よりもかなり低い。よって、露光ムラを低減するためには、検出器４４の転送速度、ステージのスキャン速度、ドロップレット１１１の生成周期を同期させる必要がある。しかし、ドロップレット１１１の生成は機械的な共振を利用しており、生成周期を任意に設定することができない。よって、ドロップレット１１１の生成タイミングと撮像タイミングとを同期させることが困難であった。

このように、ＬＰＰ光源１１０及びＬＰＰ光源１１０を用いた検査装置１０１は、ＥＵＶＬに用いられる上で、上記の課題を解決し、性能の向上及びそれに伴う検査精度の向上が求められている。

本発明の目的は、このような問題を解決するためになされたものであり、性能及び検査精度を向上させることができる光源、検査装置、ＥＵＶ光の生成方法及び検査方法を提供することである。

本発明に係る光源は、レーザ光の照射によりプラズマを発生するターゲット材を備え、前記ターゲット材は、複数本の前記レーザ光によって前記ターゲット材の照射面に複数の照射スポットがライン状に配列するように、前記レーザ光によって照射され、前記照射スポットにおいて発生した前記プラズマからＥＵＶ光を生成する。このような構成とすることにより、容易にＥＵＶ光を生成することができるとともに、光学系の汚染を低減することができる。

また、本発明に係る検査装置は、上記光源と、前記ＥＵＶ光により検査対象を照明する照明光学系と、転送方向及び前記転送方向に直交するライン方向を含む受光面に配置された複数の画素を有し、前記複数の画素が受光した光によって発生した電荷を、前記転送方向に転送することにより、画像を取得する検出器と、前記ＥＵＶ光により照明された前記検査対象からの光を前記受光面に集光する集光光学系と、を備え、前記照明光学系は、前記検査対象の検査面において、前記照射スポットからの前記ＥＵＶ光が一方向に配列するように、前記検査面を照明し、前記集光光学系は、前記受光面における前記ライン方向が前記一方向に対応するように、前記検査対象からの光を集光する。このような構成により、照明光の利用効率及び検査精度を向上させることができる。

さらに、本発明によるＥＵＶ光の生成方法は、レーザ光の照射によりプラズマを発生するターゲット材を配置するステップと、複数本の前記レーザ光によって前記ターゲット材の照射面に複数の照射スポットがライン状に配列するように、前記ターゲット材を前記レーザ光によって照射するステップと、前記照射スポットにおいて発生した前記プラズマから、ＥＵＶ光を生成するステップと、を備える。このような構成により、容易にＥＵＶ光を生成することができるとともに、光学系の汚染を低減することができる。

また、本発明による検査方法は、上記ＥＵＶ光の生成方法により前記ＥＵＶ光を生成するステップと、前記ＥＵＶ光により検査対象を照明するステップと、転送方向及び前記転送方向に直交するライン方向を含む受光面に配置された複数の画素を有し、前記複数の画素が受光した光によって発生した電荷を、前記転送方向に転送することにより、画像を取得する検出器に対して、前記ＥＵＶ光により照明された前記検査対象からの光を集光するステップと、集光された前記検査対象からの光から前記検査対象の画像を取得するステップと、前記取得された前記画像より前記検査対象を検査するステップと、を備え、前記検査対象を照明するステップにおいて、前記検査対象の検査面において、前記照射スポットからの前記ＥＵＶ光が一方向に配列するように、前記検査面を照明し、前記検査対象からの光を集光するステップにおいて、前記検出器の前記受光面における前記ライン方向が前記一方向に対応するように、前記検査対象からの光を集光する。このような構成により、照明光の利用効率及び検査精度を向上させることができる。

本発明によれば、性能及び検査精度を向上させる光源、検査装置、ＥＵＶ光の生成方法及び検査方法を提供することができる。

実施形態１に係る光源を例示した構成図である。 実施形態１に係る光源のターゲットに照射される複数のレーザ光を例示した図である。 実施形態１に係る光源におけるターゲット材の照射面近傍のＥＵＶ光を例示した図である。 実施形態１の変形例１に係る光源を例示した構成図である。 実施形態１の変形例２に係る光源を例示した構成図である。 実施形態１の変形例３に係る光源を例示した構成図である。 実施形態１に係る光源を用いたＥＵＶ光の生成方法を例示したフローチャート図である。 実施形態２に係る検査装置を例示した構成図である。 実施形態２に係る検査装置の光源により照明された検査面及び検査領域の照度分布を例示した図である 実施形態２の変形例に係る検査装置を例示した構成図である。 実施形態２に係る検査方法を例示したフローチャート図である。 ＬＰＰ光源及び検査装置を例示した構成図である 検査対象の検査面及び検査領域の照度分布を例示した図であり、コレクターミラーの投影倍率が１：１である場合を示す。 検査対象の検査面及び検査領域の照度分布を例示した図であり、コレクターミラーの投影倍率が１：３である場合を示す。 実施形態３に係る光源のターゲット材に照射される複数のレーザ光を例示した図である。 実施形態３の変形例１に係る光源のターゲット材に照射される複数のレーザ光を例示した図である。 実施形態３の変形例２に係る光源のターゲット材に照射される複数のレーザ光を例示した図である。 実施形態４に係る光源のターゲット材に照射されるレーザ光を例示した図である。 実施形態４の変形例１に係る光源のターゲット材に照射されるレーザ光を例示した図である。 実施形態４の変形例２に係る光源のターゲット材に照射されるレーザ光を例示した図である。

以下、本実施形態の具体的構成について図面を参照して説明する。以下の説明は、本発明の好適な実施の形態を示すものであって、本発明の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものは実質的に同様の内容を示している。

（実施形態１）
実施形態１に係る光源を説明する。光源は、例えば、検査装置において検査対象を照明する照明光の光源である。光源は、露光装置において露光光の光源に用いられてもよい。図１は、実施形態１に係る光源を例示した構成図である。

図１に示すように、光源１０は、ターゲット材１１を備えている。ターゲット材１１は、例えば、円板状のディスクの形状をしている。ターゲット材１１は、円形をした２つのディスク面１２及び１３を有している。一方のディスク面１２は、他方のディスク面１３の反対側の面である。一方のディスク面１２と他方のディスク面１３の周縁は、円筒形の側面１４に接続されている。ディスク面１２及び１３のうち、少なくとも一方のディスク面１２は、平面状の部分を含んでいる。平面状のディスク面１２に直交する方向のうち、他方のディスク面１３から一方のディスク面１２へ向かう方向を＋Ｙ軸方向、その反対方向を−Ｙ軸方向とする。

ターゲット材１１は、一方のディスク面１２に直交する方向に延びた回転軸Ｒ１を有している。すなわち、回転軸Ｒ１はＹ軸方向に延びている。ターゲット材１１は、回転軸Ｒ１を中心にして回転する。

ターゲット材１１の他方のディスク面１３には、シャフト１５が接続されている。シャフト１５は、他方のディスク面１３から、−Ｙ軸方向に延びた棒状である。シャフト１５は、回転軸Ｒ１と同軸の中心軸を有している。シャフト１５は、例えば、図示しない回転モータに接続されている。シャフト１５は、回転軸Ｒ１を中心にして回転することにより、ターゲット材１１を、回転軸Ｒ１を中心にして回転させる。

ターゲット材１１は、レーザ光Ｌ１の照射によりプラズマを発生する。ターゲット材１１は、例えば、スズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ）、キセノンアイス等である。なお、ターゲット材１１は、レーザ光Ｌ１の照射によりプラズマを発生すれば、スズ等以外の材料を含んでもよい。ターゲット材１１をレーザ光Ｌ１により照射する際には、複数本のレーザ光Ｌ１によって照射する。図１においては、図が煩雑にならないように、１本のレーザ光Ｌ１のみ示している。例えば、図示しない４つの励起用レーザから出射された４本のレーザ光Ｌ１を、ターゲット材１１における一方のディスク面１２に照射する。

レーザ光Ｌ１がターゲット材１１を照射するスポットを照射スポット１６という。４本のレーザ光Ｌ１を照射した場合には、４つの照射スポット１６がターゲット材１１上に形成される。ここで、複数の照射スポット１６がターゲット材１１においてライン状に配列するように、複数本のレーザ光Ｌ１を照射する。例えば、４つの照射スポット１６は、ディスク面１２において、Ｘ軸方向にライン状に配列するように、４本のレーザ光Ｌ１を照射する。ターゲット材１１における複数本のレーザ光Ｌ１が照射される面を照射面１７という。ターゲット材１１がディスク状の場合には、照射面１７は、平面状の部分を含んでいる。

図２は、実施形態１に係る光源１０のターゲット材１１に照射される複数のレーザ光Ｌ１を例示した図である。図２に示すように、例えば、４本のレーザ光Ｌ１を、共通の集光レンズ２９を通してターゲット材１１に照射させる。これにより、ターゲット材１１に４つの照射スポット１６がライン状に配列して形成される。

４本のレーザ光Ｌ１を集光レンズ２９に入射させる場合には、各レーザ光Ｌ１の入射角を最適化する。例えば、４本のレーザ光Ｌ１の中心軸ＬＣに対する各レーザ光Ｌ１の光軸の傾きα及びβを０．０３３及び０．１［ｄｅｇ］とする。これにより、所定の間隔を有するように照射スポット１６を形成する。例えば、図２における照射スポット１６を示す図の一辺の長さＤは６００［μｍ］である。なお、集光レンズ２９を用いずに、ターゲット材１１を照射してもよい。

複数のレーザ光Ｌ１は、別々の励起用レーザから照射されてもよいし、一つの励起用レーザから回折格子等の光学素子によって複数のレーザ光Ｌ１に分離してもよい。別々の励起用レーザを用いる場合には、各レーザ光Ｌ１の干渉性が抑制され、干渉縞の発生を抑制することができる。レーザ光Ｌ１は、１［ｎｓｅｃ］未満のパルスレーザ光が望ましい。これにより、ターゲット材１１からのデブリの発生を抑制することができる。

このように、ターゲット材１１は、複数本のレーザ光Ｌ１によって、ターゲット材１１上の照射面１７に複数の照射スポット１６がライン状に配列するように、レーザ光Ｌ１によって照射される。ターゲット材１１は、レーザ光Ｌ１の照射により、プラズマを発生する。発生したプラズマからＥＵＶ光Ｅ１が生成される。このようにして、照射スポット１６において発生したプラズマからＥＵＶ光Ｅ１を生成する。生成されたＥＵＶ光Ｅ１は、例えば、光源１０の外部に出射し、照明光学系における楕円面鏡３１に入射する。

図３は、実施形態１に係る光源１０におけるターゲット材１１の照射面１７近傍のＥＵＶ光Ｅ１を例示した図である。例えば、４本のレーザ光Ｌ１の照射によって、照射面１７に４つの照射スポット１６をライン状に配列させた場合には、生成されたＥＵＶ光Ｅ１の断面形状は横長となっている。

ターゲット材１１がレーザ光Ｌ１により照射される際には、回転軸Ｒ１を中心にしてターゲット材１１を回転させる。これにより、ターゲット材１１の照射面１７における照射スポット１６に位置する部分を変化させる。言い換えれば、照射スポット１６に対するターゲット材１１の相対位置を変化させる。このようにすることで、照射面１７が常時回転移動するので、ターゲット材１１の一点だけが加熱されることはない。よって、安定してＥＵＶ光Ｅ１を生成することができる。例えば、照射スポット１６に対するターゲット材１１の速度、すなわち、ターゲット材１１に対するレーザ光Ｌ１のスキャン速度を、０．５［ｍ／ｓｅｃ］以上とし、照射スポット１６以外のターゲット材１１の表面温度が沸点を超えないようにする。

また、例えば、光学式の測距計を用いてターゲット材１１の消耗を測定してもよい。ターゲット材１１の消耗に応じて、ターゲット材１１の位置を制御することができる。レーザ光Ｌ１の焦点をわずかにターゲット材１１の表面から離れた位置に設定してもよい。これにより、ターゲット材１１の消耗を抑制することができる。また、ターゲット材１１の表面が盛り上がっている部分では、レーザ光Ｌ１の照射を密に行う。これにより、ターゲット材１１の照射面を平らに修正することができる。

照射面１７に、Ｈｅ、Ａｒ等の不活性ガスを吹き付けて冷却してもよい。照射面１７に吹き付けた不活性ガスは、光路中に拡散する。よって、高速のデブリやイオン、中性粒子等は不活性ガスに衝突して速度を減ずる。このため、スパッタリングによる光学系のダメージを低減することができる。また、シャフト１５の内部及びターゲット材１１の裏面・内部等を介して、冷媒を循環させ、ターゲット材１１を冷却してもよい。

（実施形態１の変形例１）
なお、ターゲット材１１を円板状のディスクの形状としたが、これに限らない。図４は、実施形態１の変形例１に係る光源１０ａを例示した構成図である。図４に示すように、変形例１の光源１０ａにおいて、ターゲット材１１ａは、円筒状または円柱状である。ターゲット材１１ａは、一方の底面１８及び他方の底面１９を有している。一方の底面１８と他方の底面１９との周縁は、円筒形の側面１４に接続されている。ターゲット材１１ａの回転軸Ｒ１は、ターゲット材１１ａの中心軸と同軸である。回転軸Ｒ１と側面１４とは等距離となっている。ターゲット材１１ａは、回転軸Ｒ１を中心にして回転する。回転軸Ｒ１の方向をＹ軸方向とする。

ターゲット材１１の他方の底面１９には、シャフト１５が接続されている。シャフト１５は、他方の底面１９から、−Ｙ軸方向に延びた棒状である。シャフト１５は、回転軸Ｒ１を中心にして回転することにより、ターゲット材１１ａを、回転軸Ｒ１を中心にして回転させる。

本変形例においても、ターゲット材１１ａをレーザ光Ｌ１により照射する際には、複数本のレーザ光Ｌ１によって照射する。しかしながら、本変形例では、４本のレーザ光Ｌ１をターゲット材１１ａにおける側面１４に照射する。本変形例において、照射面１７は、円筒状または円柱状のターゲット材１１ａの外周面を含んでいる。ターゲット材１１ａの照射面１７には、４つの照射スポット１６が形成される。４つの照射スポット１６が照射面１７においてライン状に配列するように、レーザ光Ｌ１を照射する。例えば、４つの照射スポット１６が、側面１４において、回転軸Ｒ１と同方向のＹ軸方向にライン状に配列するようにレーザ光Ｌ１を照射する。これにより、複数のレーザ光Ｌ１の入射角をそろえることができる。よって、照射スポット１６において発生したプラズマからのＥＵＶ光Ｅ１の出射角をそろえることができる。

本変形例においても、複数本のレーザ光Ｌ１によって、ターゲット材１１ａの照射面１７に複数の照射スポット１６がライン状に配列するように、レーザ光Ｌ１を照射する。

複数の照射スポット１６がライン状に連なった長さに対して、ターゲット材１１ａの側面１４が平面とみなせる程度に大きい場合には、回転軸Ｒ１に傾斜または直交した方向に沿ってライン状に照射してもよい。また、側面１４の湾曲に対応するように、複数のレーザ光Ｌ１の焦点をそろえてもよい。その場合には、回転軸Ｒ１に傾斜または直交した方向にライン状に側面１４を照射してもよい。

本変形例においても、照射面１７が常時回転移動するので、ターゲット材１１の一点だけが加熱されることはない。よって、安定してＥＵＶ光Ｅ１を生成することができる。

（実施形態１の変形例２）
次に、変形例２に係る光源を説明する。図５は、実施形態１の変形例２に係る光源１０ｂを例示した構成図である。図５に示すように、変形例２の光源１０ｂにおいて、ターゲット材１１ｂは、連続的に流動する溶融体である。ターゲット材１１ｂは、下方、すなわち、−Ｚ軸方向に流動する。ターゲット材１１ｂは、流動方向に直交する面で区切れば円柱状である。

ターゲット材１１ｂは、側面１４を有している。ターゲット材１１ｂをレーザ光Ｌ１により照射する際には、複数本のレーザ光Ｌ１によって照射する。例えば、４本のレーザ光Ｌ１をターゲット材１１ａにおける側面１４に照射する。これにより、ターゲット材１１ａの側面１４に４つの照射スポット１６が形成される。４つの照射スポット１６がターゲット材１１ａにおいてライン状に配列するように、レーザ光Ｌ１を照射する。例えば、４つの照射スポット１６が、側面１４に沿った周方向にライン状に配列するようにレーザ光Ｌ１を照射する。本変形例において、照射面１７は、円柱状のターゲット材１１ｂの外周面である。

このように、本変形例においても、ターゲット材１１ｂ上の照射面１７に複数の照射スポット１６がライン状に配列するように、レーザ光Ｌ１を照射する。本変形例においては、照射面１７におけるターゲット材１１ｂが下方に流動しているので、ターゲット材１１ｂの一点だけが加熱されることはない。よって、安定してＥＵＶ光Ｅ１を生成することができる。

（実施形態１の変形例３）
次に、変形例３に係る光源を説明する。図６は、実施形態１の変形例３に係る光源１０ｃを例示した構成図である。図６に示すように、変形例３の光源１０ｃにおいて、ターゲット材１１ｃは、円筒状または円柱状であり、変形例１と同様に、底面１８及び１９を有している。しかしながら、変形例３の光源１０ｃは、ヘキサポッド２０をさらに備えている。

ターゲット材１１ｃの他方の底面１９に接続されたシャフト１５は、回転モータ２１に接続されている。回転モータ２１は、回転軸Ｒ１を中心にしてシャフト１５及びターゲット材１１ｃを回転させる。シャフト１５には、ヘキサポッド２０も接続されている。ヘキサポッド２０は、回転軸Ｒ１のチルト角度を調整して、回転軸Ｒ１の延在方向を変化させることができる。例えば、水平面内で回転軸Ｒ１の延在方向を変化させる。また、ターゲット材１１ｃの消耗に応じて、ターゲット材１１ｃをスラスト方向に移動させてもよい。これにより、ターゲット材１１ｃの側面１４における照射スポット１６に位置する部分を螺旋軌道とすることができる。よって、ターゲット材１１ｃの一点だけが加熱されることはないので、安定してＥＵＶ光Ｅ１を生成することができる。

回転モータ２１及びヘキサポッド２０は、真空状態とされたチャンバ２３の外部に配置されている。チャンバ２３の内部に配置されたターゲット材１１ｃ及びシャフト１５等の真空シールには、金属ベローズ２２が用いられている。例えば、金属ベローズ２２の中心近傍に回転軸Ｒ１のチルト回転中心を設定する。その他、図示しない回転軸Ｒ１の受け軸等の部品を有してもよい。

実施形態１のターゲット材１１及び変形例１〜３のターゲット材１１ａ〜１１ｃを説明したが、ターゲット材１１は、これらに限らない。例えば、円筒状のターゲット材を用いて内周面を照射面１７としてもよい。また、金属箔またはノズル先端から落下する溶融金属等をターゲット材としてもよい。

次に、実施形態１に係るＥＵＶ光の生成方法を説明する。図７は、実施形態１に係る光源を用いたＥＵＶ光の生成方法を例示したフローチャート図である。図７のステップＳ１１に示すように、まず、ターゲット材１１を配置する。ターゲット材１１は、レーザ光Ｌ１の照射によりプラズマを発生するものである。ターゲット材１１は、変形例１〜３のターゲット材１１ａ〜１１ｃ等でもよい。ターゲット材１１の所定の照射面１７にレーザ光Ｌ１が照射するようにターゲット材１１を配置する。ターゲット材１１がディスク状の場合には、照射面１７は平面状の部分を含む。ターゲット材１１が円筒状または円柱状の場合には、照射面１７は外周面を含む。

次に、ステップＳ１２に示すように、ターゲット材１１を複数本のレーザ光Ｌ１によって照射する。ターゲット材１１を照射する際には、複数本のレーザ光Ｌ１によってターゲット材１１の照射面１７に複数の照射スポット１６がライン状に配列するようにレーザ光Ｌ１を照射する。

また、ターゲット材１１を複数本のレーザ光Ｌ１によって照射する際には、回転軸Ｒ１を中心にしてターゲット材１１を回転させることにより、照射面１７における照射スポット１６に位置する部分を変化させる。このようにして、ターゲット材１１の一点だけが加熱されることがないようにする。

さらに、ターゲット材１１をレーザ光Ｌ１によって照射する際に、ヘキサポッド２０を用いて、回転軸Ｒ１の延在方向を変化させてもよい。これにより、照射スポット１６に位置する部分を螺旋軌道とすることができ、照射スポット１６に位置する部分を分散させることができる。

次に、ステップＳ１３に示すように、照射スポット１６において発生したプラズマから、ＥＵＶ光Ｅ１を生成する。ターゲット材１１にレーザ光Ｌ１１を照射することによりプラズマが発生する。プラズマ中のイオン及び電子が再結合する際に、ＥＵＶ光Ｅ１が生成される。このようにして、ターゲット材１１に対して、レーザ光Ｌ１を照射することにより発生したプラズマからＥＵＶ光Ｅ１を生成する。

プラズマから生成されたＥＵＶ光Ｅ１は、照明光として光源１０の外部に取り出される。例えば、照明光学系の楕円面鏡３１に入射する。こうして、光源１０は、ＥＵＶ光Ｅ１を生成する。

次に、本実施形態の効果を説明する。
本実施形態の光源１０は、円板状、円筒状または円柱状等のターゲット材１１を用いている。よって、ドロップレットの制御に必要な複雑な構造を不要とすることができる。よって、光源１０の構造を簡素化することができる。

また、照射スポット１６において発生したプラズマからＥＵＶ光Ｅ１を生成している。よって、ドロップレットを用いた場合と異なり、デブリとして飛散することを抑制することができ、光源１０及び光学系の汚染を低減することができる。

レーザ光Ｌ１として、１［ｎｓｅｃ］未満のパルスレーザ光を用いる場合には、デブリの発生を抑制することができ、ターゲット材１１の消耗を抑制することができる。特に、ターゲット材１１が固体の場合には、消耗した部分にターゲット材１１を供給することができないので、ターゲット材１１の消耗の抑制は有効である。それに加えて、光学系の汚染を低減することができる。

ターゲット材１１を、回転軸Ｒ１を中心にして回転させている。これにより、ターゲット材１１の照射面１７における照射スポット１６に位置する部分を変化させる。言い換えれば、照射スポット１６に対するターゲット材１１の相対位置を変化させる。このようにすることで、照射面１７が常時回転移動するので、ターゲット材１１の一点だけが加熱されることはない。

レーザ光Ｌ１を狭い領域に照射し続けると、ターゲット材１１の温度が上昇する。そして、レーザ光Ｌ１が照射されていない部分にも熱伝導によって加熱される。場合によっては、沸点を超えることもある。しかしながら、ターゲット材１１が高速に回転・移動し、照射スポット１６が相対的に変化していれば、部分的な温度上昇を抑制することができる。そして、ターゲット材１１が１回転する間に、冷却機構によって、ターゲット材１１を冷却することができる。その結果、レーザ光Ｌ１が照射されていない部分は沸点を超えないので、ＥＵＶ光Ｅ１の発光に寄与しないターゲット材１１の表面の気化による損耗を抑制することができる。

例えば、照射スポット１６に対するターゲット材１１の速度、すなわち、ターゲット材１１に対するレーザ光Ｌ１のスキャン速度を、０．５［ｍ／ｓｅｃ］以上とし、照射スポット１６以外のターゲット材１１の表面温度が沸点を超えないようにする。

回転モータ２１及びヘキサポッド２０を組み合わせることにより、ターゲット材１１を任意の方向に移動・回転させることができる。これにより、ターゲット材１１の照射面１７において、照射スポット１６を螺旋軌道とすることもできる。また、このような移動をさせる場合でも、金属ベローズ２２を用いた真空シールにより、チャンバ内を真空に維持することができる。

レーザ光Ｌ１の焦点を、ターゲット材１１の表面からわずかに離れた位置に設定してもよい。さらに、表面高さに応じて、レーザ光Ｌ１を照射するスキャン密度を制御してもよい。これにより、ターゲット材１１の表面形状を平坦化することができる。また、ターゲット材１１の表面の溶融領域は、表面張力により平坦化する。よって、ターゲット材１１の照射面１７の荒れを抑制することができる。

さらに、本実施形態の光源１０では、ターゲット材１１の照射面１７に複数の照射スポット１６がライン状に配列するようにしている。よって、生成されたＥＵＶ光Ｅ１の光軸に直交する断面の形状を横長にすることができる。これにより、光源１０の用途に合わせて、ＥＵＶ光Ｅ１の断面形状を変えることができ、ＥＵＶ光の照度を向上させ、光源１０の汎用性を向上させることができる。

（実施形態２）
次に、実施形態２に係る検査装置を説明する。図８は、実施形態２に係る検査装置１を例示した構成図である。図８に示すように、検査装置１は、光源１０、照明光学系３０、集光光学系４０及び検出器４４を備えている。検査装置１は、検査対象５０を検査する。検査対象５０は、例えば、ＥＵＶマスクである。検査対象５０は、ステージ５１上に配置されている。なお、検査対象５０は、ＥＵＶマスクに限らず、基板等でもよい。

照明光学系３０は、ＥＵＶ光Ｅ１により検査対象５０を照明する。照明光学系３０は、楕円面鏡３１及び３２、落とし込み鏡３４を含んでいる。楕円面鏡３１及び３２は、石英を含む基板と、基板の主面にコーティングされた金属膜とを含んでいる。金属膜は、例えば、ルテニウム膜である。ルテニウム膜がコーティングされた面が反射面である。落とし込み鏡３４は多層膜の平面鏡である。

集光光学系４０は、ＥＵＶ光Ｅ１により照明された検査対象５０からの光Ｅ２を検出器４４の受光面４５に集光する。集光光学系４０は、シュバルツシルト光学系４１、平面鏡４２、及び、凹面鏡４３を備えている。シュバルツシルト光学系４１は、凹面鏡４１ａ及び凸面鏡４１ｂを含む拡大光学系である。

検出器４４は、例えば、ＴＤＩカメラである。検出器４４は、受光面４５に集光された検査対象５０からの光Ｅ２により、検査対象５０の検査面５２の画像を取得する。検出器４４は、受光面４５に配置された複数の画素を有している。検出器４４の複数の画素は、受光面４５に矩形状に配置されている。受光面４５は、例えば、横長である。受光面４５の長手方向に沿って延びた辺は、短手方向に沿って延びた辺よりも長い。受光面４５の長手方向をライン方向４６といい、受光面４５の短手方向を転送方向４７という。したがって、受光面４５は、転送方向４７及び転送方向４７に直交するライン方向４６を含んでいる。検出器４４は、複数の画素が受光した光によって発生した電荷を、転送方向４７に転送することにより、画像を取得する。

具体的には、検出器４４は、ある画素で露光時間内に受光した光エネルギーを電荷として蓄積し、転送動作時にその電荷を次の画素に転送する。そして、転送先の画素において、さらに、光エネルギーを電荷として蓄積する。検出器４４は、このような動作を繰り返し、転送方向４７に周期的に電荷を転送する。ＴＤＩセンサは、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）を含んでいる。なお、ＴＤＩセンサは、ＣＣＤを含むものに限らない。

検査対象５０を検査する際には、検査面５２における検査領域５３を走査するために、ステージ５１を一定速度で移動させる。この速度は、光源１０の発光周期と、検出器４４の一画素当たりの大きさ、および、集光光学系４０の光学倍率とから決定される。

光源１０から取り出されたＥＵＶ光Ｅ１は、楕円面鏡３１に入射する。楕円面鏡３１で反射したＥＵＶ光Ｅ１は、絞られながら進み、集光点ＩＦにおいて集光する。集光点ＩＦで集光したＥＵＶ光Ｅ１は、集光点ＩＦの後で拡がる。その後、ＥＵＶ光Ｅ１は、楕円面鏡３２で反射する。楕円面鏡３１の２つの集光点のうち、第１集光点は、照射スポット１６におけるプラズマの輝点に位置するように配置されている。楕円面鏡３１の第２集光点は、楕円面鏡３２の第１集光点（集光点ＩＦ）に位置している。

楕円面鏡３２で反射したＥＵＶ光Ｅ１は、絞られながら進み、落とし込み鏡３４に入射する。落とし込み鏡３４に入射したＥＵＶ光Ｅ１は、落とし込み鏡３４によって反射し、検査対象５０の検査面５２を照明する。楕円面鏡３２の第２集光点は、落とし込み鏡３４を介して、検査対象５０の検査面５２に位置している。なお、照明光学系３０は、楕円面鏡３１〜３２及び落とし込み鏡３４以外の光学素子を付加してもよい。このようにして、照明光学系３０は、検査対象５０の検査面５２を照明する。検査面５２は、検査領域５３を含んでいる。

図９は、実施形態２に係る検査装置１の光源１０により照明された検査面５２及び検査領域５３の照度分布を例示した図である。図９に示すように、検査面５２には、照射スポット１６からのＥＵＶ光Ｅ１が投影されている。ＥＵＶ光Ｅ１は、一方向、例えば、Ｘ軸方向に延在している。なお、照射スポット１６からのＥＵＶ光Ｅ１は、楕円面鏡３１及び３２により反射させることにより、検査面５２において略均一化されてもよい。例えば、楕円面鏡３１及び３２のわずかな凹凸等により、４つの照射スポット１６からのＥＵＶ光Ｅ１は、全体として一方向に延在した照明光となる。

このように、照明光学系３０は、検査対象５０の検査面５２において、照射スポット１６からのＥＵＶ光Ｅ１が一方向に配列するように、検査面５２を照明する。これにより、検査領域５３において、一方向における照度分布を均一にすることができる。よって、一方向を検出器４４の受光面４５におけるライン方向４６に対応させることにより、画像の画質を向上させることができる。

検査領域５３において、Ｙ軸方向における照度分布は、中心が明るく周辺が暗い状態になってもよい。Ｙ軸方向を検出器４４の受光面４５における転送方向４７に対応させることにより、ライン方向４６に並んだ画素からの電荷を積算させることができる。

図９に示すようなＥＵＶ光Ｅ１によって検査対象５０を照明することにより、検査対象５０から光Ｅ２が発生する。光Ｅ２は、ＥＵＶ光Ｅ１の反射光及び回折光を含んでおり、検査領域５３内のパターン情報を含んでいる。検査対象５０からの光Ｅ２は、凹面鏡４１ａ及び凸面鏡４１ｂとで構成されたシュバルツシルト光学系４１によって拡大される。拡大された光Ｅ２は、平面鏡４２で折り返された後に、凹面鏡４３でさらに拡大され、検出器４４の受光面４５に入射する。受光面４５に検査対象５０からの光Ｅ２を入射させる際に、集光光学系４０は、受光面４５におけるライン方向４６が検査領域５３におけるＸ軸方向、すなわち、照射スポット１６からのＥＵＶ光Ｅ１が配列した一方向に対応するように、検査対象５０からの光Ｅ２を集光する。

検出器４４は、検査領域５３のパターンを光学像として入力し、検査領域５３の画像を取得する。そして、パターンが解析され、欠陥が検出される。

なお、光源１０において生成されたＥＵＶ光Ｅ１が楕円面鏡３１に直接入射するような配置により、デブリ等のダメージを許容できない場合がある。その場合には、光源１０で生成されたＥＵＶ光Ｅ１を多層膜平面鏡で反射させた後に、楕円面鏡３１に入射させてもよい。図１０は、実施形態２の変形例に係る検査装置１ａを例示した構成図である。

図１０に示すように、多層膜平面鏡３５は、ターゲット材１１の照射面１７上に配置されている。多層膜平面鏡３５は、照射面１７の照射スポット１６において発生したプラズマからのＥＵＶ光Ｅ１を、楕円面鏡３１に反射する。このように、ＥＵＶ光Ｅ１を多層膜平面鏡３５で反射させた後に、楕円面鏡３１に入射させるので、楕円面鏡３１がデブリ等で汚染されることを抑制することができる。また、イオン及び高速の中性粒子が楕円面鏡３１に衝突することを抑制することができる。

多層膜平面鏡３５は、多層膜平面鏡３５におけるＥＵＶ光Ｅ１の入射角及び反射角を維持したまま、スライド移動可能である。具体的には、多層膜平面鏡３５は、図１０における紙面に直交する方向、すなわち、入射するＥＵＶ光Ｅ１及び反射するＥＵＶ光Ｅ１を含む面に直交する方向に移動可能である。このようにすることにより、多層膜平面鏡３５の未使用の部分を利用することができ、長寿命化させることができる。

次に、検査装置１を用いた検査方法を説明する。図１１は、実施形態２に係る検査方法を例示したフローチャート図である。

図１１のステップＳ２１に示すように、まず、照明光として、ＥＵＶ光Ｅ１を生成する。ＥＵＶ光Ｅ１の生成方法は、実施形態１に記載された方法を用いる。

次に、ステップＳ２２に示すように、生成されたＥＵＶ光Ｅ１により検査対象５０を照明する。具体的には、楕円面鏡３１〜３２及び落とし込み鏡３４を含む照明光学系３０を用いて、光源１０で生成されたＥＵＶ光Ｅ１を検査対象５０まで導く。検査対象５０を照明する際には、検査対象５０の検査面５２において、照射スポット１６からのＥＵＶ光Ｅ１が一方向に配列するように、検査面５２を照明する。

次に、ステップＳ２３に示すように、ＥＵＶ光Ｅ１により照明された検査対象５０からの光Ｅ２を検出器４４に対して集光する。具体的には、シュバルツシルト光学系４１、平面鏡４２、凹面鏡４３を含んだ集光光学系を用いて、検出器４４の受光面４５に集光させる。受光面４５は、転送方向４７及び転送方向４７に直交するライン方向４６を含んでいる。検査対象５０からの光を集光する際には、検出器４４の受光面４５におけるライン方向４６が、照射スポット１６の配列による一方向に対応するように、検査対象５０からの光を集光する。

次に、ステップＳ２４に示すように、集光された検査対象５０からの光から検査対象５０の画像を取得する。検出器４４は、受光面４５に配置された複数の画素を有している。検出器４４は、複数の画素が受光した光によって発生した電荷を、転送方向４７に転送することにより、画像を取得する。

次に、ステップＳ２５に、取得された画像より検査対象５０を検査する。このようにして、検査装置１は検査対象５０を検査することができる。

次に、本実施形態の効果を説明する。
本実施形態の検査装置１は、光源１０における照射スポット１６からのＥＵＶ光Ｅ１が一方向に配列するように、検査対象５０の検査面５２を照明する。そして、検出器４４の受光面４５におけるライン方向４６は、ＥＵＶ光Ｅ１がライン状に配列した一方向に対応するように集光している。これにより、検査領域５３において、一方向における照度分布を均一にするとともに、照明光の利用効率を向上させることができる。また、ライン方向４６の照度分布を均一にすることによって、シェーディングを抑制することができる。

検査領域５３において、一方向に直交する方向における照度分布は、中心が明るく周辺が暗い状態になってもよい。この方向を検出器４４の受光面４５における転送方向４７に対応させることにより、ライン方向４６に並んだ画素からの電荷を積算させることができる。また、ＥＵＶ光Ｅ１の発光と検出器４４の転送タイミングの影響を排除することができる。

検査対象５０における検査領域５３以外の部分の照明を低減することができるので、検査対象５０の加熱を抑制することができる。よって、検査対象５０におけるＥＵＶマスクやペリクル等に対するダメージを低減することができる。また、照明光の強度を制限する必要がなく、高輝度で検査対象５０の画像を取得することができる。

レーザ光Ｌ１として、１［ｎｓｅｃ］未満のピコ秒レーザ光等の短パルスレーザを使用することにより、ＥＵＶ光Ｅ１の繰り返し生成周波数を高くすることができる。そうすると、ＴＤＩ等の検出器４４のスキャン速度と同等かそれ以上の周波数で検査対象５０を照明することができる。これにより、検出器４４の動作と、ＥＵＶ光Ｅ１の発光タイミングとの同期をとる必要がない。よって、安定して検査対象５０の画像を取得することができ、検査対象５０の検査精度を向上させることができる。これ以外の構成及び効果は、実施形態１の記載に含まれている。

（実施形態３）
次に、実施形態３に係る光源を説明する。本実施形態の光源では、１本のレーザ光を光学部材に透過させて分離させることにより、複数本のレーザ光Ｌ１を形成する。形成した複数本のレーザ光Ｌ１により、複数の照射スポットがライン状に配列するようにターゲット材を照射する。

図１５は、実施形態３に係る光源のターゲット材に照射される複数のレーザ光を例示した図である。なお、図では、分離させた複数のレーザ光Ｌ１をまとめて示している。また、図の右端には、照射スポットを例示している。図１６以降の図においても図１５と同様に、図の右端に、照射スポットを例示しているものがある。

図１５に示すように、本実施形態の光源１０ｄは、光学部材６０と、レンズ７１〜７３と、を備えている。複数本のレーザ光Ｌ１は、光学部材６０に、１本のレーザ光ＬＳを透過させて分離させることにより形成されている。光学部材６０は、複屈折性を有する部材であり、例えば、水晶板６０aである。光学部材６０は、水晶板６０a以外の複屈折性を有する部材でもよい。

レンズ７１は、１本のレーザ光ＬＳのビームを収束させ、ビームを集光点ＩＦにおいて集光させた後に、拡がる部分を有するようにビームを発散させる。レンズ７２は、レンズ７１により発散させたビームを平行光に変換する。レンズ７３は、レンズ７２により平行光に変換されたビームを収束させる。

水晶板６０aは、レンズ７１とレンズ７２との間の拡がる部分に配置されている。具体的には、水晶板６０aは、集光点ＩＦとレンズ７２との間に配置されている。したがって、レーザ光ＬＳのビームは、拡がる部分で、水晶板６０aに入射する。例えば、水晶板６０aの板面にレーザ光ＬＳが入射するように配置されている。この場合には、水晶板６０aの厚さ方向は、レーザ光ＬＳの光軸方向である。

水晶板６０aは、複屈折性を有している。よって、水晶板６０aに含まれる水晶の光学軸と、入射するレーザ光ＬＳの光軸が異なる場合には、水晶板６０aを透過したレーザ光ＬＳは、２つのレーザ光Ｌ１に分離する。水晶板６０aの板面に対する光学軸を所望の方向に設定することで、水晶板６０aから出射する２つのレーザ光Ｌ１の光軸を調整することができる。そして、２本のレーザ光Ｌ１によってターゲット材を照射することにより、ターゲット材の照射面に、２個の照射スポットをライン状に一方向に配列させることができる。

照射スポットがライン状に配列する配列方向は、例えば、水晶板６０aの向き、すなわち、水晶板６０aに含まれる光学軸と、レーザ光ＬＳの光軸との角度で制御することができる。また、２つの照射スポット間の距離は、例えば、水晶板６０aの厚さで制御することができる。

ＥＵＶ光の生成方法としては、複屈折性を有する光学部材６０に、１本のレーザ光ＬＳを透過させて分離させることにより、複数本のレーザ光Ｌ１を形成するステップをさらに備えている。そして、複数本のレーザ光Ｌ１を形成するステップにおいて、レンズ７１、レンズ７２及びレンズ７３を備えるようにする。１本のレーザ光ＬＳがレンズ７１により拡がる部分に複屈折性を有する光学部材６０を配置させる。これ以外のステップは、実施形態１と同様である。このようにして、光源１０ｄに、ＥＵＶ光を生成させる。

本実施形態によれば、複数のレーザ光Ｌ１を１本のレーザ光ＬＳから形成することができる。よって、パルス光の場合には、照射タイミングを揃えることができる。また、複屈折性を有する光学部材６０の光学軸を調整することにより、所望の方向に出射する複数のレーザ光Ｌ１を形成することができる。光学部材６０が水晶板６０aの場合には、板面の向き及び水晶板６０aの厚さを調整することにより、複数のレーザ光Ｌ１を所望の方向に出射させることができる。１台のレーザで済むので、コストを低減することができる。本実施形態における上記以外の構成及び効果は、実施形態１及び２の記載に含まれている。

（実施形態３の変形例１）
図１６は、実施形態３の変形例１に係る光源のターゲット材に照射される複数のレーザ光を例示した図である。図１６に示すように、本変形例の光源１０ｅは、光学部材６１と、レンズ７１〜７３と、を備えている。光学部材６１は、例えば、ルーフプリズム６１ａを含んでいる。本変形例では、複数本のレーザ光Ｌ１は、ルーフプリズム６１ａに、１本のレーザ光ＬＳを透過させて分離させることにより形成される。

ルーフプリズム６１ａは、レンズ７２とレンズ７３との間の平行光の部分に配置されている。したがって、レーザ光ＬＳのビームは、平行光の部分で、ルーフプリズム６１ａに入射する。ルーフプリズム６１ａは、２つの平面がルーフ状に所定の角度で接続したルーフ部を有するプリズムである。ルーフ部に対向する面は平面状の底面である。ルーフ部の２つの平面は、底面と平行な面に対して、同じ角度傾いている。例えば、ルーフ部の２つの平面は、それぞれ、底面と平行な面に対して、Δθ＝０．００４［°］傾いている。

ルーフプリズム６１ａは、例えば、底面にレーザ光ＬＳが入射するように配置させている。その場合には、ルーフプリズム６１ａを透過したレーザ光Ｌ１は、ルーフ部の２つの平面から出射する。２つの平面から出射したレーザ光Ｌ１は、２つのレーザ光Ｌ１に分離する。分離された２つのレーザ光Ｌ１は、ターゲット材の照射面を照射する。照射面における照射スポットがライン状に配列する方向は、例えば、ルーフプリズム６１ａのルーフ部における２つの平面が交差する辺の方向により制御することができる。

ＥＵＶ光の生成方法としては、ルーフプリズム６１ａを含む光学部材６２に、１本のレーザ光ＬＳを透過させて分離させることにより、複数本のレーザ光Ｌ１を形成するステップをさらに備えている。そして、複数本のレーザ光Ｌ１を形成するステップにおいて、レンズ７２によりレーザ光ＬＳが平行光になる部分にルーフプリズム６１ａを配置させる。これ以外のステップは、実施形態１と同様である。このようにして、光源１０ｅに、ＥＵＶ光を生成させる。

本変形例においても、１本のレーザ光Ｌ１から複数本のレーザ光Ｌ２を形成することができる。そして、複数本のレーザ光Ｌ１によってターゲット材を照射するので、ターゲット材の照射面に複数の照射スポットが一方向に延びるように形成される。よって、検査対象の検査面において、照射スポットからのＥＵＶ光が一方向にそろうように、検査面を照明する。これにより、矩形状の検査領域を均一に照明することができる。本実施形態における上記以外の構成及び効果は、実施形態１〜３の記載に含まれている。

（実施形態３の変形例２）
図１７は、実施形態３の変形例２に係る光源のターゲット材に照射される複数のレーザ光を例示した図である。図１７に示すように、変形例に係る光源１０ｆは、光学部材６２と、レンズ７１〜７３と、を備えており、光学部材６２は、複数の平行平板６２ａを含んでいる。平行平板６２ａは、板状であり、対向する板面を有している。対向する板面は、平行である。平行平板６２ａの板面は、例えば、矩形である。光学部材６２は、例えば、４枚の平行平板６２ａを含んでいる。なお、以下では４枚の平行平板６２ａを例として説明するが、光学部材６２は、複数の平行平板６２ａを含んでいれば、４枚に限らず、２〜３枚でも、５枚以上でもよい。

４枚の平行平板６２ａは、レンズ７１とレンズ７２との間の拡がる部分に配置されている。具体的には、集光点ＩＦとレンズ７２との間に配置されている。４枚の平行平板６２ａは、１本のレーザ光ＬＳの光軸に直交する方向に隣り合うように配置されている。例えば、レーザ光ＬＳの光軸方向から見て、２×２のマトリックス状に配置されている。各平行平板６２ａの板面は、平行平板６２ａ毎に所定の傾きを有している。よって、１本のレーザ光ＬＳは、拡がった部分において、４枚の平行平板６２ａを照射している。そして、４枚の平行平板６２ａを透過したレーザ光ＬＳは、４本のレーザ光Ｌ１に分離して出射される。このように、複数本のレーザ光Ｌ１は、平行平板６２ａ毎に所定の傾きを有する板面に、１本のレーザ光ＬＳを透過させて分離させることにより形成されている。

４枚の平行平板６２ａの板面を、レーザ光ＬＳの光軸に対して、所定の傾きに調整することにより、ターゲット材の照射面に、４個の照射スポットをライン状に一方向に配列させることができる。

ＥＵＶ光の生成方法としては、１本のレーザ光ＬＳの光軸に直交する方向に隣り合うように配置された複数の平行平板６２ａの板面に、１本のレーザ光ＬＳを透過させて分離させることにより、複数本のレーザ光Ｌ１を形成するステップをさらに備える。ここで、各平行平板６２ａの板面は、平行平板６２ａ毎に所定の傾きを有している。そして、複数本のレーザ光Ｌ１を形成するステップにおいて、レンズ７１、レンズ７２及びレンズ７３を備えるようにし、１本のレーザ光ＬＳがレンズ７１により拡がる部分に複数の平行平板６２ａを配置させる。これ以外のステップは、実施形態１と同様である。このようにして、光源１０ｆに、ＥＵＶ光を生成させる。

本変形例の光源１０ｆによれば、複数の平行平板６２ａの板面の向きを調整することにより、容易に所望の方向へ複数のレーザ光Ｌ１を出射させることができる。平行平板６２ａは、安価であるので、コストを低減することができる。これ以外の構成及び効果は、実施形態１〜３の記載に含まれている。

（実施形態４）
次に、実施形態４に係る光源を説明する。本実施形態の光源では、１本のレーザ光を光学部材に透過させることにより、光軸に直交する断面がライン状のレーザ光を形成する。形成したライン状のレーザ光により、ライン状の照射スポットが一方向に延びるようにターゲット材を照射する。

図１８は、実施形態４に係る光源のターゲット材に照射されるレーザ光を例示した図である。図１８に示すように、本実施形態の光源１０ｇは、光学部材６３と、レンズ７１〜７３と、を備えている。光学部材６３は、例えば、シリンドリカルレンズ６３ａを含んでいる。本実施形態では、シリンドリカルレンズ６３ａに、１本のレーザ光ＬＳを透過させることにより、光軸に直交する断面がライン状のレーザ光Ｌ２を形成する。よって、ターゲット材は、照射面にライン状の照射スポットが一方向に延びるように、レーザ光Ｌ２によって照射される。

具体的には、シリンドリカルレンズ６３ａは、レンズ７２とレンズ７３との間の平行光の部分に配置されている。したがって、レーザ光ＬＳのビームは、平行光の部分で、シリンドリカルレンズ６３ａに入射する。シリンドリカルレンズ６３ａは、円筒状の円筒面と、円筒面に対向した底面とを有している。なお、円筒面は、凸形状でも凹形状でもよい。シリンドリカルレンズ６３ａは、例えば、底面にレーザ光ＬＳが入射するように配置されている。その場合には、シリンドリカルレンズ６３ａを透過したレーザ光Ｌ２は、円筒面から出射する。シリンドリカルレンズ６３ａを透過したレーザ光Ｌ２は、光軸に直交する断面がライン状である。このように、断面がライン状のレーザ光Ｌ２によってターゲット材を照射することにより、ターゲット材の照射面に、ライン状の照射スポットが一方向に延びるようにすることができる。

照射スポットがライン状に延びる一方向は、例えば、シリンドリカルレンズ６３ａの円筒軸の方向により制御することができる。

ＥＵＶ光の生成方法としては、シリンドリカルレンズ６３ａを含む光学部材６３に、１本のレーザ光ＬＳを透過させることにより、ライン状のレーザ光Ｌ２を形成するステップをさらに備えている。そして、ライン状のレーザ光Ｌ２を形成するステップにおいて、レンズ７２により１本のレーザ光ＬＳが平行光になる部分に光学部材６３を配置させる。これ以外のステップは、実施形態１と同様である。このようにして、光源１０ｇに、ＥＵＶ光を生成させる。

本実施形態によれば、ライン状の断面のレーザ光Ｌ２によってターゲット材を照射するので、ターゲット材の照射面にライン状の照射スポットが形成される。よって、検出器の矩形状の受光面における長手方向が一方向に対応するように、検査対象からの光を集光することができ、矩形状の検査領域を均一に照明することができる。本実施形態における上記以外の構成及び効果は、実施形態１〜３の記載に含まれている。

（実施形態４の変形例１）
図１９は、実施形態４の変形例１に係る光源のターゲット材に照射されるレーザ光を例示した図である。図１９に示すように、本変形例の光源１０ｈは、光学部材６４と、レンズ７１〜７３と、を備えている。光学部材６４は、例えば、ルーフプリズム６４ａを含んでいる。ルーフプリズム６４ａは、前述のルーフプリズム６１ａと同様の形状及び機能を有している。本変形例では、ルーフプリズム６４ａに、１本のレーザ光ＬＳを透過させることにより、光軸に直交する断面がライン状のレーザ光Ｌ２を形成する。

ルーフプリズム６４ａは、レンズ７２とレンズ７３との間の平行光の部分に配置されている。したがって、レーザ光ＬＳのビームは、平行光の部分で、ルーフプリズム６４ａに入射する。ルーフプリズム６４ａは、例えば、底面にレーザ光ＬＳが入射するように配置させている。その場合には、ルーフプリズム６４ａを透過したレーザ光Ｌ２は、ループ部の２つの平面から出射する。２つの平面から出射したレーザ光Ｌ２は、厳密には、２つのレーザ光に分離されるが、２つのレーザ光が僅かに分離するように調整すれば、部分的に重なるようにすることができる。これにより、レーザ光Ｌ２の光軸に直交する断面をライン状にすることができる。

照射スポットがライン状に延びる一方向は、例えば、ルーフプリズム６４ａのルーフ部における２つの平面が交差する辺の方向により制御することができる。なお、ルーフプリズム６４ａにおいて、ルーフ部の１つの平面は、レーザ光Ｌ１の半分のビームが透過する。よって、開口数ＮＡは半分になるので、照射スポットは一方向に延びるようになる。しかしながら、さらに、一方向に延びるようにするため、光路上にシリンドリカルレンズ６３ａをさらに配置させてもよい。

ＥＵＶ光の生成方法としては、ルーフプリズム６４ａを含む光学部材６４に、１本のレーザ光ＬＳを透過させることにより、ライン状のレーザ光Ｌ２を形成するステップをさらに備えている。そして、ライン状のレーザ光Ｌ２を形成するステップにおいて、レンズ７２により１本のレーザ光ＬＳが平行光になる部分にルーフプリズム６４ａを配置させる。これ以外のステップは、実施形態１と同様である。このようにして、光源１０ｈに、ＥＵＶ光を生成させる。

本変形例においても、ライン状の断面のレーザ光Ｌ２によってターゲット材を照射するので、照射スポットからのＥＵＶ光が一方向にそろうように、検査面を照明する。よって、矩形状の検査領域を均一に照明することができる。本実施形態における上記以外の構成及び効果は、実施形態１〜３の記載に含まれている。

（実施形態４の変形例２）
図２０は、実施形態４の変形例２に係る光源のターゲット材に照射される複数のレーザ光を例示した図である。図２０に示すように、変形例に係る光源１０ｉは、光学部材６５と、レンズ７１〜７３と、を備えており、光学部材６５は、複数の平行平板６５ａを含んでいる。平行平板６５ａは、前述の平行平板６２ａと同様の形状および機能を有している。なお、以下では、２枚の平行平板６５ａを例として説明するが、光学部材６５は、複数の平行平板６５ａを含んでいれば、２枚に限らず、３枚以上でもよい。

２枚の平行平板６５ａは、レンズ７１とレンズ７２との間の拡がる部分に配置されている。２枚の平行平板６５ａは、１本のレーザ光ＬＳの光軸に直交する方向に隣り合うように配置されている。各平行平板６５ａの板面は、平行平板６５ａ毎に所定の傾きを有している。よって、２枚の平行平板６５ａを透過したレーザ光ＬＳは、厳密には、２つのレーザ光に分離されるが、２つのレーザ光が僅かに分離するように調整すれば、部分的に重なるようにすることができる。すなわち、レーザ光Ｌ２の光軸に直交する断面をライン状にすることができる。

２枚の平行平板６５ａの板面を、レーザ光ＬＳの光軸に対して、所定の傾きに設定することにより、ターゲット材の照射面に、ライン状の照射スポットが一方向に延びるようにすることができる。

ＥＵＶ光の生成方法としては、１本のレーザ光ＬＳの光軸に直交する方向に隣り合うように配置された複数の平行平板６５ａの板面に、１本のレーザ光ＬＳを透過させることにより、ライン状のレーザ光Ｌ２を形成するステップをさらに備える。そして、ライン状のレーザ光Ｌ２を形成するステップにおいて、１本のレーザ光ＬＳがレンズ７１により拡がる部分に複数の平行平板６５ａを配置させる。これ以外のステップは、実施形態１と同様である。このようにして、光源１０ｉに、ＥＵＶ光を生成させる。

本変形例の光源１０ｉによれば、複数の平行平板６５ａの板面の向きを調整することにより、容易に所望の方向へ延びたライン状のレーザ光Ｌ２を出射させることができる。平行平板６５ａは、安価であるので、コストを低減することができる。これ以外の構成及び効果は、実施形態１〜３の記載に含まれている。

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明はその目的と利点を損なうことのない適宜の変形を含み、更に、上記の実施形態よる限定は受けない。また、実施形態１〜３における構成は、適宜、組み合わせてもよい。

１、１ａ 検査装置
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ、１０ｇ、１０ｈ、１０ｉ 光源
１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ ターゲット材
１２、１３ ディスク面
１４ 側面
１５ シャフト
１６ 照射スポット
１７ 照射面
１８、１９ 底面
２０ ヘキサポッド
２１ 回転モータ
２２ 金属ベローズ
２９ 集光レンズ
３０ 照明光学系
３１、３２ 楕円面鏡
３４ 落とし込み鏡
３５ 多層膜平面鏡
４０ 集光光学系
４１ シュバルツシルト光学系
４１ａ 凹面鏡
４１ｂ 凸面鏡
４２ 平面鏡
４３ 凹面鏡
４４ 検出器
４５ 受光面
４６ ライン方向
４７ 転送方向
５０ 検査対象
５１ ステージ
５２ 検査面
５３ 検査領域
６０、６１、６２、６３、６４、６５ 光学部材
６０ａ 水晶板
６１ａ、６４ａ ルーフプリズム
６２ａ、６５ａ 平行平板
６３ａ シリンドリカルレンズ
７１、７２、７３ レンズ
１０１ 検査装置
１１０ ＬＰＰ光源
１１１ ドロップレット
１１２ コレクターミラー
Ｅ１、Ｅ１０１ ＥＵＶ光
Ｅ２ 光
ＩＦ 集光点
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ１０１、ＬＳ レーザ光
Ｒ１ 回転軸

Claims (34)

1. レーザ光の照射によりプラズマを発生するターゲット材を備え、
   前記ターゲット材は、複数本の前記レーザ光によって前記ターゲット材の照射面に複数の照射スポットがライン状に配列するように、前記レーザ光によって照射され、
   前記照射スポットにおいて発生した前記プラズマからＥＵＶ光を生成する光源。
2. 複屈折性を有する光学部材をさらに備え、
   前記複数本の前記レーザ光は、前記光学部材に、１本のレーザ光を透過させて分離させることにより形成された、
   請求項１に記載の光源。
3. 複数の平行平板を含む光学部材をさらに備え、
   前記複数本の前記レーザ光は、１本のレーザ光の光軸に直交する方向に隣り合うように配置された前記複数の平行平板の板面であって、平行平板毎に所定の傾きを有する前記板面に、前記１本のレーザ光を透過させて分離させることにより形成された、
   請求項１に記載の光源。
4. 前記１本のレーザ光のビームを収束させ、前記ビームを集光点において集光させた後に、拡がる部分を有するように前記ビームを発散させる第１レンズと、
   前記第１レンズにより発散させた前記ビームを平行光に変換する第２レンズと、
   前記第２レンズにより平行光に変換された前記ビームを収束させる第３レンズと、
   をさらに備え、
   前記光学部材は、前記拡がる部分に配置された、
   請求項２または３に記載の光源。
5. ルーフプリズムを含む光学部材をさらに備え、
   前記複数本の前記レーザ光は、前記光学部材に、１本のレーザ光を透過させて分離させることにより形成された、
   請求項１に記載の光源。
6. 前記１本のレーザ光のビームを収束させ、前記ビームを集光点において集光させた後に、拡がる部分を有するように前記ビームを発散させる第１レンズと、
   前記第１レンズにより発散させた前記ビームを平行光に変換する第２レンズと、
   前記第２レンズにより平行光に変換された前記ビームを収束させる第３レンズと、
   をさらに備え、
   前記光学部材は、前記平行光の部分に配置された、
   請求項５に記載の光源。
7. レーザ光の照射によりプラズマを発生するターゲット材を備え、
   前記ターゲット材は、光軸に直交する断面がライン状の前記レーザ光によって前記ターゲット材の照射面に前記ライン状の照射スポットが一方向に延びるように、前記レーザ光によって照射され、
   前記照射スポットにおいて発生した前記プラズマからＥＵＶ光を生成する光源。
8. シリンドリカルレンズを含む光学部材をさらに備え、
   前記ライン状の前記レーザ光は、前記光学部材に、１本のレーザ光を透過させることにより形成された、
   請求項７に記載の光源。
9. ルーフプリズムを含む光学部材をさらに備え、
   前記ライン状の前記レーザ光は、前記光学部材に、１本のレーザ光を透過させることにより形成された、
   請求項７に記載の光源。
10. 前記１本のレーザ光のビームを収束させ、前記ビームを集光点において集光させた後に、拡がる部分を有するように前記ビームを発散させる第１レンズと、
    前記第１レンズにより発散させた前記ビームを平行光に変換する第２レンズと、
    前記第２レンズにより平行光に変換された前記ビームを収束させる第３レンズと、
    をさらに備え、
    前記光学部材は、前記平行光の部分に配置された、
    請求項８または９に記載の光源。
11. 複数の平行平板を含む光学部材をさらに備え、
    前記ライン状の前記レーザ光は、１本のレーザ光の光軸に直交する方向に隣り合うように配置された前記複数の平行平板の板面であって、平行平板毎に所定の傾きを有する前記板面に、前記１本のレーザ光を透過させることにより形成された、
    請求項７に記載の光源。
12. 前記１本のレーザ光のビームを収束させ、前記ビームを集光点において集光させた後に、拡がる部分を有するように前記ビームを発散させる第１レンズと、
    前記第１レンズにより発散させた前記ビームを平行光に変換する第２レンズと、
    前記第２レンズにより平行光に変換された前記ビームを収束させる第３レンズと、
    をさらに備え、
    前記光学部材は、前記拡がる部分に配置された、
    請求項１１に記載の光源。
13. 前記ターゲット材は、回転軸を有し、
    前記回転軸を中心にして前記ターゲット材を回転させることにより、前記照射面における前記照射スポットに位置する部分を変化させる、
    請求項１〜１２のいずれか１項に記載の光源。
14. 前記回転軸の延在方向を変化させるヘキサポッドをさらに備えた、
    請求項１３に記載の光源。
15. 前記照射面は、平面状の部分を含む、
    請求項１〜１４のいずれか一項に記載の光源。
16. 前記ターゲット材は、円筒状または円柱状であり、
    前記照射面は、外周面を含む、
    請求項１〜１４のいずれか一項に記載の光源。
17. 請求項１〜１６のいずれか一項に記載の光源と、
    前記ＥＵＶ光により検査対象を照明する照明光学系と、
    転送方向及び前記転送方向に直交するライン方向を含む受光面に配置された複数の画素を有し、前記複数の画素が受光した光によって発生した電荷を、前記転送方向に転送することにより、画像を取得する検出器と、
    前記ＥＵＶ光により照明された前記検査対象からの光を前記受光面に集光する集光光学系と、
    を備え、
    前記照明光学系は、前記検査対象の検査面において、前記照射スポットからの前記ＥＵＶ光が一方向にそろうように、前記検査面を照明し、
    前記集光光学系は、前記受光面における前記ライン方向が前記一方向に対応するように、前記検査対象からの光を集光する検査装置。
18. レーザ光の照射によりプラズマを発生するターゲット材を配置するステップと、
    複数本の前記レーザ光によって前記ターゲット材の照射面に複数の照射スポットがライン状に配列するように、前記ターゲット材を前記レーザ光によって照射するステップと、
    前記照射スポットにおいて発生した前記プラズマからＥＵＶ光を生成させるステップと、
    を備えたＥＵＶ光の生成方法。
19. 複屈折性を有する光学部材に、１本のレーザ光を透過させて分離させることにより、前記複数本の前記レーザ光を形成するステップをさらに備えた、
    請求項１８に記載のＥＵＶ光の生成方法。
20. １本のレーザ光の光軸に直交する方向に隣り合うように配置された複数の平行平板を含む光学部材の前記平行平板の板面であって、平行平板毎に所定の傾きを有する前記板面に、前記１本のレーザ光を透過させて分離させることにより、前記複数本の前記レーザ光を形成するステップをさらに備えた、
    請求項１８に記載のＥＵＶ光の生成方法。
21. 前記複数本の前記レーザ光を形成するステップにおいて、
    前記１本のレーザ光のビームを収束させ、前記ビームを集光点において集光させた後に、拡がる部分を有するように前記ビームを発散させる第１レンズと、
    前記第１レンズにより発散させた前記ビームを平行光に変換する第２レンズと、
    前記第２レンズにより平行光に変換された前記ビームを収束させる第３レンズと、
    を備えるようにし、
    前記光学部材を、前記拡がる部分に配置させる、
    請求項１９または２０に記載のＥＵＶ光の生成方法。
22. ルーフプリズムを含む光学部材に、１本のレーザ光を透過させて分離させることにより、前記複数本の前記レーザ光を形成するステップをさらに備えた、
    請求項１８に記載のＥＵＶ光の生成方法。
23. 前記複数本の前記レーザ光を形成するステップにおいて、
    前記１本のレーザ光のビームを収束させ、前記ビームを集光点において集光させた後に、拡がる部分を有するように前記ビームを発散させる第１レンズと、
    前記第１レンズにより発散させた前記ビームを平行光に変換する第２レンズと、
    前記第２レンズにより平行光に変換された前記ビームを収束させる第３レンズと、
    を備えるようにし、
    前記光学部材を、前記平行光の部分に配置させる、
    請求項２２に記載のＥＵＶ光の生成方法。
24. レーザ光の照射によりプラズマを発生するターゲット材を配置するステップと、
    光軸に直交する断面がライン状の前記レーザ光によって前記ターゲット材の照射面に前記ライン状の照射スポットが一方向に延びるように、前記ターゲット材を前記レーザ光によって照射するステップと、
    前記照射スポットにおいて発生した前記プラズマからＥＵＶ光を生成させるステップと、
    を備えたＥＵＶ光の生成方法。
25. シリンドリカルレンズを含む光学部材に、１本のレーザ光を透過させることにより、前記ライン状の前記レーザ光を形成するステップをさらに備えた、
    請求項２４に記載のＥＵＶ光の生成方法。
26. ルーフプリズムを含む光学部材に、１本のレーザ光を透過させることにより、前記ライン状の前記レーザ光を形成するステップをさらに備えた、
    請求項２４に記載のＥＵＶ光の生成方法。
27. 前記ライン状の前記レーザ光を形成するステップにおいて、
    前記１本のレーザ光のビームを収束させ、前記ビームを集光点において集光させた後に、拡がる部分を有するように前記ビームを発散させる第１レンズと、
    前記第１レンズにより発散させた前記ビームを平行光に変換する第２レンズと、
    前記第２レンズにより平行光に変換された前記ビームを収束させる第３レンズと、
    を備えるようにし、
    前記光学部材を、前記平行光の部分に配置させる、
    請求項２５または２６に記載のＥＵＶ光の生成方法。
28. １本のレーザ光の光軸に直交する方向に隣り合うように配置された複数の平行平板の板面であって、平行平板毎に所定の傾きを有する前記板面に、前記１本のレーザ光を透過させることにより、前記ライン状の前記レーザ光を形成するステップをさらに備えた、
    請求項２４に記載のＥＵＶ光の生成方法。
29. 前記ライン状の前記レーザ光を形成するステップにおいて、
    前記１本のレーザ光のビームを収束させ、前記ビームを集光点において集光させた後に、拡がる部分を有するように前記ビームを発散させる第１レンズと、
    前記第１レンズにより発散させた前記ビームを平行光に変換する第２レンズと、
    前記第２レンズにより平行光に変換された前記ビームを収束させる第３レンズと、
    を備えるようにし、
    前記複数の平行平板を、前記拡がる部分に配置させる、
    請求項２８に記載のＥＵＶ光の生成方法。
30. 前記ターゲット材は、回転軸を有し、
    前記ターゲット材を前記レーザ光によって照射するステップにおいて、前記回転軸を中心にして前記ターゲット材を回転させることにより、前記照射面における前記照射スポットに位置する部分を変化させる、
    請求項１８〜２９のいずれか１項に記載のＥＵＶ光の生成方法。
31. 前記ターゲット材を前記レーザ光によって照射するステップにおいて、ヘキサポッドを用いて、前記回転軸の延在方向を変化させる、
    請求項３０に記載のＥＵＶ光の生成方法。
32. 前記照射面は、平面状の部分を含む、
    請求項１８〜３１のいずれか一項に記載のＥＵＶ光の生成方法。
33. 前記ターゲット材は、円筒状または円柱状であり、
    前記照射面は外周面を含む、
    請求項１８〜３１のいずれか一項に記載のＥＵＶ光の生成方法。
34. 請求項１８〜３３のいずれか一項に記載のＥＵＶ光の生成方法により前記ＥＵＶ光を生成するステップと、
    前記ＥＵＶ光により検査対象を照明するステップと、
    転送方向及び前記転送方向に直交するライン方向を含む受光面に配置された複数の画素を有し、前記複数の画素が受光した光によって発生した電荷を、前記転送方向に転送することにより、画像を取得する検出器に対して、前記ＥＵＶ光により照明された前記検査対象からの光を集光するステップと、
    集光された前記検査対象からの光から前記検査対象の画像を取得するステップと、
    前記取得された前記画像より前記検査対象を検査するステップと、
    を備え、
    前記検査対象を照明するステップにおいて、前記検査対象の検査面において、前記照射スポットからの前記ＥＵＶ光が一方向にそろうように、前記検査面を照明し、
    前記検査対象からの光を集光するステップにおいて、前記検出器の前記受光面における前記ライン方向が前記一方向に対応するように、前記検査対象からの光を集光する検査方法。