JP2002043220A

JP2002043220A - Ｘ線露光装置

Info

Publication number: JP2002043220A
Application number: JP2001149563A
Authority: JP
Inventors: Mitsuaki Amamiya; 光陽雨宮; Yutaka Watanabe; 豊渡辺
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2000-05-19
Filing date: 2001-05-18
Publication date: 2002-02-08

Abstract

(57)【要約】【課題】マスクパターンサイズの増大とともにレジス
トパターン幅を大きくし、制御できるパラメータを増加
させ、より適切なレジストパターンを得る。【解決手段】所定のプロキシミティギャップでもって
近接してマスクステージ２０に配置したマスク１とウエ
ハステージ３に配置したウエハ２にＸ線を照射すること
で該マスク１のパターンを該ウエハ２に露光転写するＸ
線露光装置であって、Ｘ線は露光中に複数の位置Ａ₁ ，
Ａ₂ ，……Ａ_n でプラズマを発生させるプラズマＸ線源
により供給され、プラズマＸ線源は電極３１，３２間に
パルス状の電圧を印加してプラズマを発生させる方式で
あり、更に磁極３３，３４間の磁場によりプラズマを移
動させる手段を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ＩＣやＬ
ＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル等の表示素子、磁気
ヘッド等の検出素子やＣＣＤ等の撮像素子といった各種
デバイスの製造に用いられるＸ線露光装置、およびマス
クなどの原版とそれを用いたデバイス製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体集積回路の高密度高速化に
伴い、集積回路のパターン線幅が縮小され、半導体製造
方法にも一層の高性能化が要求されてきている。このた
め、半導体製造工程中のリソグラフィ工程のうちレジス
トパターンの形成に用いる露光装置にも、ＫｒＦレーザ
（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦレーザ（波長１９３ｎ
ｍ）、Ｆ₂ レーザ（波長１５７ｎｍ）などの極端紫外線
やＸ線（０．２〜１．５ｎｍ）などの徐々に短い露光波
長を利用したステッパが開発されている。

【０００３】このうち、Ｘ線を用いた露光では、所望の
パターンが形成された原版であるＸ線マスクをレジスト
が塗布された基板であるウエハに近接させ、Ｘ線マスク
の上からＸ線を照射させ、マスクパターンがウエハ上に
転写される。

【０００４】高輝度のＸ線を得るために、シンクロトロ
ン放射光を用いて露光する方法が提案され、１００ｎｍ
以下にパターンを転写できることが示されてきた。とこ
ろが、シンクロトロン放射光源は、大掛かりな設備を必
要とするため、半導体装置の量産においては有効である
が、試作等にも使用できる小型で強力なＸ線を発生させ
るＸ線源を使用した露光装置も考案されている。その一
つは、米国特許第４８９６３４１号に係る公報に示され
るようにレーザプラズマ線源と呼ばれるもので、レーザ
からのレーザ光をターゲットに照射してプラズマを発生
させ、プラズマから発生するＸ線を使用しようとするも
のであり、もう一つは、Journal of vacuum science te
chnology 19(4) Nov/Dec 1981,第1190頁に示されるよう
に、ガス中で放電によってピンチプラズマを発生させ、
Ｘ線を発生させようとするものである。なお、プロキシ
ミティタイプではないが、複数のプラズマＸ線発光点を
有するＸ線源の提案が特開平９−１１５８０３号公報に
なされている。

【０００５】いずれの光源を使用するにしても、プロキ
シミティＸ線露光においては、回折を利用するために、
転写パターンの解像性が低下する。Ｘ線の波長は短く解
像性の低下は小さい。しかし、転写しようとするパター
ンが微細になるに連れて、その解像性の低下が問題にな
ってくる事が分かってきた。

【０００６】例えば、ウエハ面のＸ線強度分布を図４に
実線で示す。これは、吸収体を０．２５μｍ厚さのＷと
し、Ｘ線マスクとウエハの間隔を１０μｍ、マスク上に
完全に平行なＸ線が照射されたとして、フレネル積分で
計算した結果得られるものである。マスク形状は、開口
９０ｎｍ／吸収体９０ｎｍのラインアンドスペース状の
パターンである。開口の下以外にも、Ｘ線強度のピーク
が現れている。このパターンをネガレジスト上に転写し
現像した場合、一定値以上のＸ線強度の位置のレジスト
が現像後残り、パターンとして解像される。この一定値
は、スライスレベルと考えられ、レジストの種類、現像
時間や現像液の種類、温度によって決定される。また、
化学増幅型レジストの場合、ＰＥＢ（Post Exposure Ba
ke）の条件、即ち、温度、時間によっても決定される。

【０００７】例えば、図４は、十分に広い開口の下のＸ
線強度でウエハ面のＸ線強度分布を規格化したものを示
している。スライスレベル＝１．０とした場合、Ｘ１と
Ｘ２の間のレジストが現像後に残ると考えられる。その
レジストパターン幅は、正確には光学像の大きさＬ１２
（＝Ｘ２−Ｘ１）とは異なるものの、ほぼ一致すること
が分かっており、６６ｎｍとなる。

【０００８】次に、順次、開口の大きさを変えて、Ｘ線
強度分布を計算し、レジストパターン幅を光学像の大き
さから求める。これを図６中の実線として示す。横軸に
開口の幅を、縦軸にレジストパターンサイズをとった。
さらに、これらについて、スライスレベルを０．８、
０．６、０．４と変えてそれぞれ、点線、破線、一点鎖
線として示した。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６か
らマスクパターンサイズ即ち開口の大きさが大きくなる
に連れて、レジストパターンの幅が大きくなるとは限ら
ず、逆に小さくなっている開口の領域や変化しない領域
が存在することが分かる。これは、この領域の複数のサ
イズのパターンが混在するマスクを用いて露光すること
は、もはや困難なことを示している。

【００１０】以上のことから、マスクパターンサイズが
大きくなりウエハ面に到達するＸ線量が増大するにも関
わらず、レジストパターンが大きくならない領域が存在
し、マスクパターンを転写することが困難になっている
事が分かった。この原因は、そのマスクパターンサイズ
の領域では、開口を通過したＸ線が、回折ピークに集ま
りＸ線強度が高くなる方に働き、Ｘ線強度のパターンの
幅を広げる方向に働かないことが原因である。例えば、
図５は、開口の大きさが１２０ｎｍのＸ線強度分布を示
すものであるが、開口の大きさが９０ｎｍのＸ線強度分
布（図４）と比べると、ピーク強度が１．５倍程度高く
なっている。開口の大きさの比以上にピーク強度が大き
くなっているため、開口の大きさが増えているにもかか
わらず、逆にピークの幅が小さくなっている。

【００１１】もし、何らかの方法で、回折ピーク強度が
高くなったＸ線量を、回折ピークの幅を大きくする方に
変換できれば、即ち、Ｘ線強度分布を適当な量だけぼか
すことができれば、マスクパターンサイズの増大ととも
にレジストパターン幅を大きくすることができるはずで
ある。

【００１２】この手段として、一つは、マスク吸収体の
形状やＸ線のスペクトルを変えて、ウエハ面のＸ線強度
分布を変化させることが考えられる。しかし、これらの
方法は、装置が複雑になる他、所望のパターンが得られ
ない可能性があり、もっと優れた方法が望まれる。

【００１３】本発明は、マスクパターンサイズの増大と
ともにレジストパターン幅を大きくすることを可能に
し、制御できるパラメータが増加し、より適切なレジス
トパターンを得ることができるプロキシミティタイプの
Ｘ線露光装置や方法を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に、本発明は、所定のプロキシミティギャップでもって
近接して配置した原版と基板にＸ線を照射することで該
原版のパターンを該基板に露光転写するＸ線露光装置に
おいて、露光中に複数の位置でプラズマを発生させるプ
ラズマＸ線源を備え、前記Ｘ線は該プラズマＸ線源によ
り供給されることを特徴とする。前記プラズマＸ線源
は、電極間にパルス状の電圧を印加してプラズマを発生
させる方式であることが望ましい。また、本発明は、更
に、磁場、電場、またはＸ線源の電極の変位のいずれか
によりプラズマを移動させる手段を有していてもよい。

【００１５】また、本発明は、ターゲットとレーザ光源
を有しターゲット上にレーザ光を照射してプラズマ生成
によってＸ線を発生させるＸ線源を備え、所定のプロキ
シミティギャップでもって近接して配置した原版と基板
に前記Ｘ線を照射することで該原版のパターンを該基板
に露光転写するＸ線露光装置において、前記Ｘ線源は露
光中に前記ターゲット上の複数の位置に前記レーザ光を
照射することを特徴とすることも可能である。また、本
発明に係るデバイス製造方法は、ターゲット上にレーザ
光を照射してプラズマ生成によってＸ線を発生させ、所
定のプロキシミティギャップでもって近接して配置した
原版と基板に前記Ｘ線を照射することで該原版のパター
ンを該基板に露光転写する際、露光中に前記ターゲット
上の複数の位置に前記レーザ光を照射することを特徴と
する。

【００１６】本発明に係るＸ線露光装置またはデバイス
製造方法では、前記プラズマの生成位置の大きさＤが、
６ｎｍ×Ｌ／ｇ＜Ｄ＜２Ｗｒ×Ｌ／ｇ（Ｌ：線源と原版
の距離、ｇ：プロキシミティギャップ、Ｄ：プラズマ発
生位置の直径）の条件を満たすことが望ましく、ある輝
度分布をもつようなＸ線強度となるようにレーザ光を照
射してプラズマを生成させる場合、１．５ｎｍ×Ｌ／ｇ
＜ｒ＜０．５×Ｗｒ×Ｌ／ｇ（Ｌ：線源と原版の距離、
ｇ：プロキシミティギャップ、ｒ：その輝度分布が正規
分布であるとした場合の標準偏差）の条件を満たすこと
が望ましい。また前記複数の位置にレーザ光を照射する
手段は、ターゲットに照射するためのレーザ光を反射さ
せ角度を変化させるミラーを備えて構成されていてもよ
いし、ターゲット上の異なる位置に焦点が合わせられる
複数のレーザ光源を備えて構成されていてもよい。

【００１７】

【発明の実施の形態および作用】本発明は、何らかのボ
ケを利用する方法を利用している。ボケを利用するとい
うことは、ウエハ面上のＸ線強度分布を畳み込む計算に
対応する物理的な操作を行い、ボケを利用しない場合の
ウエハ面上のＸ線強度分布と異なる露光強度分布を得る
ことである。

【００１８】ここで、露光強度分布を得ることとは、平
行なＸ線強度分布を畳み込んで露光終了後に得られる強
度分布とすることをいう。初めに、どの程度のボケを利
用したらよいか見るための計算を示す。図４に示すＸ線
強度分布（実線）を正規分布関数で畳み込んだグラフを
点線と破線で示す。点線と破線は、それぞれボケ量を標
準偏差σ＝３０ｎｍとσ＝５０ｎｍとして正規分布関数
で畳み込んだものである。

【００１９】図６と同様に、各サイズの開口のＸ線強度
分布をσ＝３０ｎｍで畳み込み、スライスレベルを１．
０、０．８、０．６、０．４にとり、レジストの線幅を
求めて図７に示す。図７から分かるように、マスクパタ
ーンサイズが大きくなっても、レジストパターンが大き
くならない領域は存在せず、マスクパターンの変化量と
レジストパターンの変化量がかなり近いこと即ちマスク
パターンとレジストパターンの変化量の間に線形性があ
ることを示している。これはマスクパターンに忠実なレ
ジストパターンが転写できることを意味している。

【００２０】さらに、標準偏差σ＝５０ｎｍとして、マ
スクパターンとレジストパターンの関係を図８に示す。
スライスレベルやギャップは図７と同じである。図７
（σ＝３０ｎｍ）と比較して、図８（σ＝５０ｎｍ）
は、線形性が更に強くなっていることを示している。即
ち、レジストパターンのマスクパターンに対する忠実性
が増加したことを意味している。しかし、その反面、解
像可能な最小寸法が大きくなっている。例えば、スライ
スレベルを０．６としたときに、標準偏差σ＝３０ｎｍ
の解像限界が５０ｎｍ（マスク寸法）で、σ＝５０ｎｍ
の解像限界が７０ｎｍである。

【００２１】σ＝３０ｎｍがよいか、σ＝５０ｎｍがよ
いかは、マスクパターンとレジストパターンの線形性を
重視するか、限界解像度を重視するかによって、プロセ
ス毎または作製デバイスによって決めればよい。

【００２２】次に、物理的な畳み込み手段について述べ
る。光源の大きさを利用して、ウエハ面に投影されたＸ
線強度分布（図４の実線）を畳み込み、図４の点線や破
線の露光強度分布を得る方法について述べる。図３から
分かるように、マスク１上の一点に、光源の各点からく
るＸ線４があり、その進行方向は平行でなく、発散角２
αを持っている。そのため、マスクパターンの開口を通
過したＸ線は、すべて同じウエハ位置に転写されるので
はなく、連続的に２δずれた位置に転写される。その長
さ２δは、光源の大きさ２ｒ、光源とマスク間の距離
Ｌ、マスクとウエハの距離（プロキシミティギャップ）
ｇによって、以下のように表せる。 δ＝ｒ×ｇ／Ｌ（１）

【００２３】従って、プロキシミティギャップｇ＝１０
μｍ、光源とマスク間の距離Ｌ＝５００ｍｍという露光
系において、Ｘ線光源の輝度分布がガウシアン分布の場
合、その強度がピークのｅｘｐ（−１／２）に減衰する
位置を光源の片側の大きさ（標準偏差）ｒとすれば、ｒ
＝１．５ｍｍで、δ＝３０ｎｍとなる。このようなＸ線
源の輝度分布を図９に示す。図９に示すＸ線源で露光す
れば、図４に点線で示す露光強度分布が得られ、マスク
パターンとレジストパターンの線形性では、図７に示す
関係が得られる。更に、ｒ＝３ｍｍとすれば、標準偏差
σ＝５０ｎｍとなり、図４に破線で示す露光強度分布が
得られ、マスクパターンとレジストパターンの線形性で
は、図８に示す関係が得られる。

【００２４】また、一様分布関数で畳み込む場合に、ガ
ウシアン分布関数で畳み込んだ分布（標準偏差δ０）と
同じ結果を得るには、一様分布の幅δをδ＝√３×δ０
となるように選べばよいことが分かっている。したがっ
て、Ｘ線光源の輝度分布が一様分布（輝度が均一）の場
合には、ボケ量δ＝３０ｎｍの露光強度分布を得るため
には、図１０に示すように、光源の大きさｒをｒ＝２．
６ｍｍ（＝√３×１．５ｍｍ）に選べばよい。図１０に
示す均一な輝度分布の線源と図９に示す輝度分布がガウ
シアン分布の線源とで露光した露光強度分布が等しくな
る。

【００２５】次に、レーザプラズマ線源の場合、発生す
るプラズマの大きさは半径０．０５ｍｍ程度である。従
って、式（１）からδ＝１ｎｍとなり、得られる露光強
度分布は図４に実線で示すＸ線強度分布とほとんど変わ
らず、マスクパターンとレジストパターンの線形関係は
図６のようになることが予想され、像の転写が困難な状
況である。

【００２６】発生するプラズマの大きさは照射するレー
ザ光源のスポット径に依存するので、レーザ光源のスポ
ット径を大きくすればプラズマの径は大きくなる。これ
により、所望の大きさの光源サイズが得られることは明
白である。しかし、照射するレーザ光のスポット径が大
きくなるとプラズマの密度が急激に下がり、発生するＸ
線強度が急激に減少し、実用的ではない。

【００２７】プラズマを生成するためのＹＡＧレーザ
は、繰り返し周波数１００Ｈｚ以上で発光することが可
能であると同時に、レジストを露光するには数１００パ
ルス以上のプラズマを発生させる必要がある。そこで、
１露光中に、複数のレーザ照射が行われ、複数回プラズ
マＸ線が発生し露光が行われる場合、レーザのスポット
径を変えずに、レーザの照射位置を所望の線源形状とな
るように移動させることで、Ｘ線強度を低下させずにボ
ケ量を入れることができる。１露光中とは、マスクまた
はウエハをステップさせずに同じ画角内に露光を行うこ
ととする。

【００２８】例えば、ボケ量３０ｎｍの露光強度分布を
得るためには、レーザの照射範囲を標準偏差１．５ｍｍ
の正規分布関数のＸ線強度となるよう照射するか、レー
ザの照射範囲を２．６ｍｍの円になるように均一に照射
すればよい。

【００２９】ここで、標準偏差１．５ｍｍの正規分布関
数のＸ線強度となるよう照射するとは、レーザの照射エ
ネルギを変えるのでなく、Ｘ線強度が高い位置はレーザ
の照射密度を大きくするなど、照射密度を変えて照射を
行うことをいう。さらに、標準偏差１．５ｍｍの正規分
布の光源の場合、その２倍程度の大きさの広がりを考慮
すればよい。即ち、直径で６ｍｍ程度の線源があればよ
いことになる。ここで、プロキシミティＸ線露光におけ
るプラズマの生成位置の最適範囲を一般化して説明す
る。プラズマの生成位置の最大範囲は、ボケ量△が解像
線幅Ｗｒより小さいことが必要であるから、以下の式１
の条件が必要となる。 △＜Ｗｒ（式１）

【００３０】さらに、最小のボケ量として、通常１０ｎ
ｍ程度は必要である。１０ｎｍ程度の小さいボケ量で
は、プラズマの生成位置の大きさ以外に、ステージの振
動量、Ｘ線の吸収によって発生する二次電子の拡がりを
校了する必要が出てくる。従って、これらの３要素を等
分に分割して、プラズマの生成位置の大きさによるボケ
量△は、３ｎｍ以上となるので、以下の式２が成立す
る。３ｎｍ＜△ （式２）式１、式２、ならびに前述の式△＝Ｒ×ｇ／Ｌから、次
の条件が得られる。３ｎｍ＜Ｒ×ｇ／Ｌ＜Ｗｒここで、プラズマの生成位置の大きさＤ（直径）は、Ｄ
＝２Ｒであるので、以下の式３となる。６ｎｍ×Ｌ／ｇ＜Ｄ＜２Ｗｒ×Ｌ／ｇ（式３）（Ｌ：線源とマスクの距離、ｇ：プロキシミティギャッ
プ、Ｄ：プラズマ発生位置の直径）

【００３１】また、標準偏差ｒの正規分布関数のＸ線強
度となるように、すなわちある輝度分布を持つようなＸ
線となるようにレーザを照射して、プラズマを発生させ
る場合、プラズマの発生位置の大きさＤは、Ｄ＝４ｒと
考えられるので、以下の式４が得られる。１．５ｎｍ×Ｌ／ｇ＜ｒ＜０．５×Ｗｒ×Ｌ／ｇ（式４）

【００３２】

【実施例】図１６は本発明の実施例に係るＸ線露光装置
の概略構成図である。図１６に示すように、このＸ線露
光装置６０は光源６１を含む光源システムを有する。光
源システムからのＸ線は、基板としてのウエハを露光す
るためにチャンバ６３内に供給される。チャンバ６３内
には矢印の方向にそれぞれ移動可能なウエハステージ３
とマスクステージ２０、マスクホルダ６５、およびウエ
ハチャック６７等が設置されている。マスクホルダ６５
はマスクステージ２０にマスクを維持する機構であり、
ウエハチャック６７はウエハステージ３にウエハを維持
する機構である。

【００３３】相対位置検出系６８は、図１に示すような
ウエハ２とマスク１の相対位置ずれを検出する。ウエハ
ステージ３はこの検出結果に基づいて、マスク１とウエ
ハ２が相対位置合わせされるように駆動される。その上
で露光が実行される。

【００３４】また、このＸ線露光装置６０は、マスク搬
送システム７１およびウエハ搬送システム７２も有し、
マスク１とウエハ２をチャンバ６３内に供給し、それぞ
れマスクホルダ６５とウエハチャック６７にロードす
る。更に環境コントローラ６９がチャンバ６３内の雰囲
気を管理する。

【００３５】（実施例１）図１は本発明の実施例１に係
るＸ線露光装置の要部を示す構成図である。図１におい
て、１は原版であるマスク、２は基板であるウエハ、３
はウエハステージ、４はＸ線、５はレーザ、６はレーザ
光、７はターゲットである銅製のテープ、８はミラー、
９はプラズマ、１０は開口である。そして、本実施例に
係るＸ線露光装置は、ウエハステージ３、レーザ５、タ
ーゲット７、およびミラー８等を備えて構成されてい
る。

【００３６】上述のような構成のこのＸ線露光装置は、
以下のように動作して露光が行われる。マスク１がウエ
ハ２に対して所定の位置に来るように、マスクステージ
２０を移動させて設定する。次に、ＹＡＧレーザのよう
な高輝度のパルスレーザ５から、パルス状のレーザ光６
が放射され、ミラー８で反射され、ターゲットであるテ
ープ７上の点Ａ１に集光される。テープ７の表面の位置
Ａ１にプラズマ９が発生する。プラズマ９は、φ０．１
ｍｍの円柱状をしている。プラズマ中の励起原子が再結
合する際にＸ線４が発生し、マスク１を照射し、マスク
１を透過したＸ線４がウエハ面上に照射される。そのと
きのＸ線強度分布は、図４中の実線で示すように開口１
０の下以外にもピークをもつ分布である。また、開口１
０の中心を通過したＸ線４は、図１中のＢ１点に照射さ
れる。

【００３７】次に、ミラー８の角度をずらして、テープ
７上に集光させる。このとき集光される位置は、位置Ａ
２である。そのため、前回のプラズマが発生した位置Ａ
１に対しずれた位置Ａ２にプラズマが発生し、Ｘ線４が
放射される。このＸ線４は、マスク１の開口１０を通過
しウエハ面上に照射される。また、そのとき、開口１０
の中心を通過したＸ線４は、図１中のＢ２点に照射され
る。このＢ２点は、前回のプラズマによるＸ線４の照射
位置Ｂ１に対しずれている。

【００３８】このようにして順次、ミラー８の角度を変
えて、プラズマが発生する位置をずらすことで、開口１
０を透過したＸ線４が照射される位置を移動させて露光
を行う。Ｎ回プラズマ９を発生させ、プラズマ９が発生
する位置が、Ａｎまできたら露光を終了する。このと
き、プラズマ９の発生回数即ち露光回数Ｎは、必要な露
光量がウエハ２に照射されるように決められる。さらに
Ａ１とＡｎの距離は、必要なボケ量から決定される。

【００３９】例えば、ボケ量が正規分布の標準偏差で３
０ｎｍだけ必要で、Ｘ線源位置である所のプラズマ９発
生位置とマスク１との距離が５００ｍｍであり、マスク
１とウエハ２との距離が１０μｍの場合、Ａ１とＡｎの
距離を５．２ｍｍにとり、プラズマ９を等間隔で発生さ
せるようにミラー８を回転させればよい。また、Ａ１と
Ａｎの距離を６ｍｍにとり、プラズマ９を発生させる位
置と相対頻度が図９に示す分布となるようにしてもよい
し、更には、ミラー８の回転角を調節して他の輝度分布
を作ってもよい。このようにして、１画角内の露光が終
了した後、ウエハステージ３がステップされ、次の画角
に露光が行われる。

【００４０】また、プロセスによっては、露光すべきマ
スクパターンの線幅が、それほど小さくないが、焼き付
けられたレジストパターンの線幅との間に線形性が必要
という場合には、ボケ量が標準偏差σ＝３０ｎｍ以外の
例えばσ＝５０ｎｍの露光強度分布となるように露光し
た方がよいことは前に述べた。その場合、ボケ量が標準
偏差σ＝３０ｎｍとσ＝５０ｎｍとの露光の間に、アラ
イメント誤差が生じないように、両者の線源の中心位置
が一致するようにレーザ５とミラー８を調節する。

【００４１】なお、以上、簡単のため１次元のＸ線源で
１次元のマスクパターンを転写した場合を例として説明
したが、実際のパターンは２次元状のパターンであり、
紙面に垂直な方向のＸ線源の輝度分布も紙面に平行な輝
度分布と同様の分布をしているのが望ましい。

【００４２】（実施例２）図２は本発明の実施例２に係
るＸ線露光装置を示す要部の構成図である。図におい
て、１は原版であるマスク、２は基板であるウエハ、３
はウエハステージ、４はＸ線、５はレーザ、６はレーザ
光、７はターゲットである銅製のテープ、８はミラー、
９はプラズマ、１０は開口である。また、１１，１２，
１３はレーザであり、１４，１５，１６はミラーであ
り、１７，１８，１９はプラズマである。本実施例に係
るＸ線露光装置のＸ線源は、それぞれがターゲット７上
の異なる位置を照射するための複数のレーザ５，１１，
１２，１３、ターゲット７、および複数のミラー８，１
４，１５，１６等を備えて構成されている。

【００４３】本実施例に係るＸ線露光装置の動作につい
て説明する。本実施例は、複数のＹＡＧレーザを用い、
複数点でプラズマを発生させる構成例である。予め、複
数のレーザ５，１１，１２，１３で発生する各レーザ光
が対応するそれぞれのミラー８，１４，１５，１６によ
ってターゲット７の異なる位置にその焦点を結ぶように
調節されており、全レーザ光によって、所定の大きさの
Ｘ線発生源を作るような構成となっている。各レーザ光
の照射のＯＮ／ＯＦＦを独立して制御することで、実質
的なＸ線発生源サイズを変更することもできる。本実施
例に係るＸ線露光装置は、実施例１に係るＸ線露光装置
のようにミラー８を動かしてプラズマ９の発生位置を移
動させるのではなく、ミラー８，１４，１５，１６は動
かす必要がないため、信頼性が向上すると共に構造が簡
単になるという利点がある。また、光ファイバを用いて
レーザ光の角度を変えるレーザプラズマ線源では光ファ
イバの角度を変えて、レーザの照射位置を変えプラズマ
が発生する位置を変えてもよい。

【００４４】以上、プラズマＸ線源のうち、レーザを用
いて、プラズマを発生させるレーザプラズマＸ線源を用
いたＸ線露光装置について説明した。その他、本発明
は、放電を使用してプラズマを発生させるガスプラズマ
Ｘ線源にも使用できる。この場合、もともとの電場以外
に外から電場を加えて、プラズマを発生させる位置を移
動させればよい。

【００４５】（実施例３）プラズマＸ線源を用いた露光
装置に本発明を応用した例を図１７に示す。この実施例
３では、プラズマＸ線源であるＺピンチ型のＸ線源を用
いた場合ついて説明する。

【００４６】３０は高速バルブであり、これを開くとガ
ス導入路３５にガスが導入される。３１と３２は対向し
た電極であり、この電極３１，３２間に電圧を印加し放
電させる。３３と３４は磁極であって電極３１と３２の
間に位置しており、両磁極３３，３４の間に掛ける磁場
でプラズマの発生位置を移動させる。３５はガス導入路
である。４０は、真空のＸ線源のある雰囲気とマスク１
およびウエハ２のあるＨｅ雰囲気の露光室を分離するた
めのＢｅのＸ線窓である。

【００４７】基本構成を示した図１７を用い、本実施例
に係る露光装置の動作を説明する。まず、予め真空に排
気された一対の電極３１，３２の間に、高速バルブ３０
を開いてガスを導入する。ガスは、ガス導入路３５を通
って一対の電極３１，３２の間に円筒状のガスの固まり
を形成する。この時、電極３１，３２の間に、パルス状
の電圧を印加すると、ガス中を電流が流れる。ガス中を
電流が流れるプラズマが発生すると同時に、電流によっ
て作られる磁場によって、プラズマは電極の中心に向か
う力を受けて収縮する。その時、前述の電流が作る磁場
以外に、磁極３３と３４に磁場が掛かっていると、プラ
ズマの発生位置が中心から移動する。この磁場の強度に
よって、プラズマ発生位置をＡ₁ ，Ａ₂ ，……Ａ_n と移
動させることができる。プラズマの発生位置の移動は、
１露光中に行われればよいことは既に述べた。従って、
通常のプラズマ線源のように複数回の放電で複数回のプ
ラズマを発生させて、１回の露光を行う場合、プラズマ
が発生している時間中に磁場を変化させる必要はなく、
プラズマを発生させる毎に磁場を変化させればよい。磁
極は２個である必要はなく３個または、それ以上でもよ
い。

【００４８】以上、プラズマの発生位置の移動に磁場を
用いたが、電場を用いて移動させてもよい。あるいは、
機械的に電極の位置を変化させてプラズマの発生位置を
変化させてもよいが、その場合Ｘ線源全部を移動させる
ほか、一方の電極を移動または震動させてもよい。

【００４９】（実施例４）実施例４におけるプラズマＸ
線源は、上述のＺピンチ型のＸ線源以外にも多くのプラ
ズマＸ線源があり、それらはいずれも本発明に応用でき
る。例えば、ＳＰＩＥＶｏｌ．３１６（１９８１）
ｐ．１９６に、図１８に示すような、同軸型のプラズマ
Ｘ線源が示されている。これは、内側の電極４１と外側
の電極４２が同軸構造をなし、その電極４１，４２間
に、パルス状の電圧を印加すると、電極と磁場の相互作
用により、シート状のプラズマが、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，
Ｃ４と移動し、位置Ｄでプラズマがピンチし、強いＸ線
４が発生する。前述の実施例と同様に、外部から磁場ま
たは電場を掛けるか、線源を震動させる等で、プラズマ
が発生する位置を移動させることができる。

【００５０】（半導体生産システムの実施例）次に、本
発明に係るＸ線露光装置を用いた半導体デバイス（ＩＣ
やＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜
磁気ヘッド、マイクロマシン等）の生産システムの例を
説明する。これは半導体製造工場に設置された製造装置
のトラブル対応や定期メンテナンス、あるいはソフトウ
ェア提供などの保守サービスを、製造工場外のコンピュ
ータネットワークを利用して行うものである。

【００５１】図１１は全体システムをある角度から切り
出して表現したものである。図中、１０１は半導体デバ
イスの製造装置を提供するベンダ（装置供給メーカ）の
事業所である。製造装置の実例としては、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装
置の保守データベースを提供するホスト管理システム１
０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結
んでイントラネット等を構築するローカルエリアネット
ワーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム
１０８は、ＬＡＮ１０９を事業所の外部ネットワークで
あるインターネット１０５に接続するためのゲートウェ
イと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ機能
を備える。

【００５２】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザとしての半導体製造メーカの製造工場である。製造工
場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカに属する工場
であっても良いし、同一のメーカに属する工場（例え
ば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であっても良
い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数の製造装
置１０６と、それらを結んでイントラネット等を構築す
るローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１と、各
製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置としてホ
スト管理システム１０７とが設けられている。各工場１
０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１０７
は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワーク
であるインターネット１０５に接続するためのゲートウ
ェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１からイ
ンターネット１０５を介してベンダ１０１側のホスト管
理システム１０８にアクセスが可能となり、ホスト管理
システム１０８のセキュリティ機能によって限られたユ
ーザだけにアクセスが許可となっている。具体的には、
インターネット１０５を介して、各製造装置１０６の稼
動状況を示すステータス情報（例えば、トラブルが発生
した製造装置の症状）を工場側からベンダ側に通知する
他、その通知に対応する応答情報（例えば、トラブルに
対する対処方法を指示する情報、対処用のソフトウェア
やデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ情報などの
保守情報をベンダ側から受け取ることができる。各工場
１０２〜１０４とベンダ１０１との間のデータ通信およ
び各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通信には、インタ
ーネットで一般的に使用されている通信プロトコル（Ｔ
ＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場外の外部ネット
ワークとしてインターネットを利用する代わりに、第三
者からのアクセスができずにセキュリティの高い専用線
ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用することもでき
る。また、ホスト管理システムはベンダが提供するもの
に限らずユーザがデータベースを構築して外部ネットワ
ーク上に置き、ユーザの複数の工場から該データベース
へのアクセスを許可するようにしてもよい。

【００５３】さて、図１２は本実施形態の全体システム
を図１１とは別の角度から切り出して表現した概念図で
ある。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユ
ーザ工場と、該製造装置のベンダの管理システムとを外
部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介し
て各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情報
をデータ通信するものであった。これに対し本例は、複
数のベンダの製造装置を備えた工場と、該複数の製造装
置のそれぞれのベンダの管理システムとを工場外の外部
ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報をデー
タ通信するものである。図中、２０１は製造装置ユーザ
（半導体デバイス製造メーカ）の製造工場であり、工場
の製造ラインには各種プロセスを行う製造装置、ここで
は例として露光装置２０２、レジスト処理装置２０３、
成膜処理装置２０４が導入されている。なお図１２では
製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際は複数の
工場が同様にネットワーク化されている。工場内の各装
置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネットを構成
し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼動管理
がされている。

【００５４】一方、露光装置メーカ２１０、レジスト処
理装置メーカ２２０、成膜装置メーカ２３０などベンダ
（装置供給メーカ）の各事業所には、それぞれ供給した
機器の遠隔保守を行うためのホスト管理システム２１
１，２２１，２３１を備え、これらは上述したように保
守データベースと外部ネットワークのゲートウェイを備
える。ユーザの製造工場内の各装置を管理するホスト管
理システム２０５と、各装置のベンダの管理システム２
１１，２２１，２３１とは、外部ネットワーク２００で
あるインターネットもしくは専用線ネットワークによっ
て接続されている。このシステムにおいて、製造ライン
の一連の製造機器の中のどれかにトラブルが起きると、
製造ラインの稼動が休止してしまうが、トラブルが起き
た機器のベンダからインターネット２００を介した遠隔
保守を受けることで迅速な対応が可能で、製造ラインの
休止を最小限に抑えることができる。

【００５５】半導体製造工場に設置された各製造装置は
それぞれ、ディスプレイと、ネットワークインタフェー
スと、記憶装置にストアされたネットワークアクセス用
ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを実行
するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵メモ
リやハードディスク、あるいはネットワークファイルサ
ーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソフト
ウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、例え
ば図１３に一例を示す様な画面のユーザインタフェース
をディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置を管理
するオペレータは、画面を参照しながら、製造装置の機
種４０１、シリアルナンバー４０２、トラブルの件名４
０３、発生日４０４、緊急度４０５、症状４０６、対処
法４０７、経過４０８等の情報を画面上の入力項目に入
力する。入力された情報はインターネットを介して保守
データベースに送信され、その結果の適切な保守情報が
保守データベースから返信されディスプレイ上に提示さ
れる。またウェブブラウザが提供するユーザインタフェ
ースはさらに図示のごとくハイパーリンク機能４１０〜
４１２を実現し、オペレータは各項目の更に詳細な情報
にアクセスしたり、ベンダが提供するソフトウェアライ
ブラリから製造装置に使用する最新バージョンのソフト
ウェアを引出したり、工場のオペレータの参考に供する
操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明に関する情報も含まれ、また前
記ソフトウェアライブラリは本発明を実現するための最
新のソフトウェアも提供する。

【００５６】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１４は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ
４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化す
る工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンデ
ィング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組立
て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作
製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テス
ト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程と後
工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工場毎
に上記説明した遠隔保守システムによって保守がなされ
る。また前工程工場と後工程工場との間でも、インター
ネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理や装
置保守のための情報がデータ通信される。

【００５７】図１５は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ス
テップ１６（露光）では上記説明したＸ線露光装置によ
ってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ス
テップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ス
テップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外
の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では
エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ
上に多重に回路パターンを形成する。各工程で使用する
製造機器は上記説明した遠隔保守システムによって保守
がなされているので、トラブルを未然に防ぐと共に、も
しトラブルが発生しても迅速な復旧が可能で、従来に比
べて半導体デバイスの生産性を向上させることができ
る。

【００５８】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように、プロキ
シミティ露光中に複数の位置でプラズマを発生させるこ
とにより、プロセス上重要な因子であるレジスト上のボ
ケを変化させることができる。よってマスクパターンサ
イズの増大とともにレジストパターン幅を確実に大きく
することができ、制御できるパラメータが増加し、より
適切なレジストパターンを得ることができる。ひいて
は、より微細なパターンを露光する上でのプロセス裕度
が向上するという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１に係るＸ線露光装置を示す
要部構成図である。

【図２】本発明の実施例２に係るＸ線露光装置を示す
要部構成図である。

【図３】本発明の実施例に係るＸ線露光装置の説明用
図である。

【図４】マスクパターンにより発生するウエハ面上の
Ｘ線強度分布の一例を示す図である。

【図５】マスクパターンにより発生するウエハ面上の
Ｘ線強度分布の別の例を示す図である。

【図６】従来のＸ線露光装置を用いた露光によるマス
クパターンの線幅とレジストパターンの線幅との関係を
示す図である。

【図７】本発明に係るＸ線露光装置を用いた露光によ
るマスクパターンの線幅とレジストパターンの線幅との
関係の一例を示す図である。

【図８】本発明に係るＸ線露光装置を用いた露光によ
るマスクパターンの線幅とレジストパターンの線幅との
関係の別の例を示す図である。

【図９】ガウシアン分布形状をもつ線源の輝度分布を
示す図である。

【図１０】一様分布をもつ線源の輝度分布を示す図で
ある。

【図１１】本発明に係るＸ線露光装置を用いた半導体
デバイスの生産システムをある角度から見た概念図であ
る。

【図１２】本発明に係るＸ線露光装置を用いた半導体
デバイスの生産システムを別の角度から見た概念図であ
る。

【図１３】ユーザインタフェースの具体例である。

【図１４】デバイスの製造プロセスのフローを説明す
る図である。

【図１５】ウエハプロセスを説明する図である。

【図１６】本発明の実施例に係るＸ線露光装置を一部
破断して示した概略構成図である。

【図１７】本発明の実施例３に係るＸ線露光装置の要
部構成図である。

【図１８】本発明の実施例４に係るＸ線露光装置の光
源部の図である。

【符号の説明】

１：マスク、２：ウエハ、３：ウエハステージ、４：Ｘ
線、５：レーザ、６：レーザ光、７：ターゲットである
銅製のテープ、８：ミラー、９：プラズマ、１０：開
口、１１，１２，１３：レーザ、１４，１５，１６：ミ
ラー、１７，１８，１９：プラズマ、２０：マスクステ
ージ、３０：高速バルブ、３１，３２：電極、３３，３
４：磁極、３５：ガス導入路、４０：Ｘ線窓、４１：内
側の電極，４２：外側の電極、６０：Ｘ線露光装置、６
１：光源、６３：チャンバ、６５：マスクホルダ、６
７：ウエハチャック、６８：相対位置検出系、６９：環
境コントローラ、７１：マスク搬送システム、７２：ウ
エハ搬送システム、１０１：ベンダの事業所、１０２，
１０３，１０４：製造工場、１０５：インターネット、
１０６：製造装置、１０７：工場のホスト管理システ
ム、１０８：ベンダ側のホスト管理システム、１０９：
ベンダ側のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、１
１０：操作端末コンピュータ、１１１：工場のローカル
エリアネットワーク（ＬＡＮ）、２００：外部ネットワ
ーク、２０１：製造装置ユーザの製造工場、２０２：露
光装置、２０３：レジスト処理装置、２０４：成膜処理
装置、２０５：工場のホスト管理システム、２０６：工
場のローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、２１０：
露光装置メーカ、２１１：露光装置メーカの事業所のホ
スト管理システム、２２０：レジスト処理装置メーカ、
２２１：レジスト処理装置メーカの事業所のホスト管理
システム、２３０：成膜装置メーカ、２３１：成膜装置
メーカの事業所のホスト管理システム、４０１：製造装
置の機種、４０２：シリアルナンバー、４０３：トラブ
ルの件名、４０４：発生日、４０５：緊急度、４０６：
症状、４０７：対処法、４０８：経過、４１０，４１
１，４１２：ハイパーリンク機能。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｈ 1/24 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５３１Ａ５３１Ｓ５０２ＧＦターム(参考） 2H095 BA03 BA10 2H097 CA15 GA45 LA10 LA12 LA17 5F046 AA28 BA02 DA01 DA16 DD06 GA02 GA06 GA14 GC03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定のプロキシミティギャップでもって
近接して配置した原版と基板にＸ線を照射することで該
原版のパターンを該基板に露光転写するＸ線露光装置に
おいて、露光中に複数の位置でプラズマを発生させるプ
ラズマＸ線源を備え、前記Ｘ線は該プラズマＸ線源によ
り供給されることを特徴とするＸ線露光装置。
【請求項２】前記プラズマＸ線源は電極間にパルス状
の電圧を印加してプラズマを発生させる方式であること
を特徴とする請求項１に記載のＸ線露光装置。
【請求項３】更に、磁場、電場および前記Ｘ線源の電
極の変位のいずれかによりプラズマを移動させる手段を
有することを特徴とする請求項１または２に記載のＸ線
露光装置。
【請求項４】ターゲットとレーザ光源を有しターゲッ
ト上にレーザ光を照射してプラズマ生成によってＸ線を
発生させるＸ線源を備え、所定のプロキシミティギャッ
プでもって近接して配置した原版と基板に前記Ｘ線を照
射することで該原版のパターンを該基板に露光転写する
Ｘ線露光装置において、前記Ｘ線源は露光中に前記ター
ゲット上の複数の位置に前記レーザ光を照射することを
特徴とするＸ線露光装置。
【請求項５】前記プラズマの生成位置の大きさＤが、
以下の条件を満たすことを特徴とする請求項１〜４のい
ずれかに記載のＸ線露光装置。６ｎｍ×Ｌ／ｇ＜Ｄ＜２Ｗｒ×Ｌ／ｇ（Ｌ：線源と原版の距離、ｇ：プロキシミティギャッ
プ、Ｄ：プラズマ発生位置の直径）
【請求項６】ある輝度分布をもつようなＸ線強度とな
るようにレーザ光を照射してプラズマを生成させる場
合、以下の条件を満たすことを特徴とする請求項１、４
または５のいずれかに記載のＸ線露光装置。１．５ｎｍ×Ｌ／ｇ＜ｒ＜０．５×Ｗｒ×Ｌ／ｇ（Ｌ：線源と原版の距離、ｇ：プロキシミティギャッ
プ、ｒ：その輝度分布が正規分布であるとした場合の標
準偏差）
【請求項７】前記Ｘ線源は、レーザ光源からのレーザ
光を反射してターゲットに指向するミラーを有し、１露
光中に前記ミラーの角度を変化させることで前記ターゲ
ット上での前記レーザ光の照射位置を変化させることを
特徴とする請求項１または４〜６のいずれかに記載のＸ
線露光装置。
【請求項８】前記Ｘ線源は、ターゲットと、それぞれ
がターゲットの異なる位置を照射するための複数のレー
ザ光を発生する複数のレーザ光源とを有し、露光中に前
記ターゲット上の複数の位置でＸ線を発生することを特
徴とする請求項１または４〜６のいずれかに記載のＸ線
露光装置。
【請求項９】ターゲット上にレーザ光を照射してプラ
ズマ生成によってＸ線を発生させ、所定のプロキシミテ
ィギャップでもって近接して配置した原版と基板に前記
Ｘ線を照射することで該原版のパターンを該基板に露光
転写する際、露光中に前記ターゲット上の複数の位置に
前記レーザ光を照射することを特徴とするデバイス製造
方法。
【請求項１０】前記プラズマの生成位置の大きさＤ
が、以下の条件を満たすことを特徴とする請求項９に記
載のデバイス製造方法。６ｎｍ×Ｌ／ｇ＜Ｄ＜２Ｗｒ×Ｌ／ｇ（Ｌ：線源と原版の距離、ｇ：プロキシミティギャッ
プ、Ｄ：プラズマ発生位置の直径）
【請求項１１】ある輝度分布をもつようなＸ線強度と
なるようにレーザ光を照射してプラズマを生成させる場
合、以下の条件を満たすことを特徴とする請求項９また
は１０に記載のデバイス製造方法。１．５ｎｍ×Ｌ／ｇ＜ｒ＜０．５×Ｗｒ×Ｌ／ｇ（Ｌ：線源と原版の距離、ｇ：プロキシミティギャッ
プ、ｒ：その輝度分布が正規分布であるとした場合の標
準偏差）
【請求項１２】前記Ｘ線源は、前記レーザ光源からの
レーザ光を反射して前記ターゲットに指向するミラーを
有し、１露光中に前記ミラーの角度を変化させることで
前記ターゲット上での前記レーザ光の照射位置を変化さ
せることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載
のデバイス製造方法。
【請求項１３】前記Ｘ線源は、前記ターゲットと、そ
れぞれが前記ターゲットの異なる位置を照射するための
複数のレーザ光を発生する複数のレーザ光源とを有し、
露光中に前記ターゲット上の複数の位置でＸ線を発生す
ることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の
デバイス製造方法。
【請求項１４】請求項１〜８のいずれかに記載のＸ線
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製
造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数の
プロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有
することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
【請求項１５】前記製造装置群をローカルエリアネッ
トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信する工程とをさらに有することを特徴とする
請求項１４に記載の半導体デバイス製造方法。
【請求項１６】前記Ｘ線露光装置のベンダもしくはユ
ーザが提供するデータベースに前記外部ネットワークを
介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の
保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の
半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介して
データ通信して生産管理を行うことを特徴とする請求項
１５に記載の半導体デバイス製造方法。
【請求項１７】請求項１〜８のいずれかに記載のＸ線
露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造
装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ロ
ーカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワー
クにアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造
装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信する
ことを可能にしたことを特徴とする半導体製造工場。
【請求項１８】半導体製造工場に設置された請求項１
〜８のいずれかに記載のＸ線露光装置の保守方法であっ
て、前記Ｘ線露光装置のベンダもしくはユーザが、半導
体製造工場の外部ネットワークに接続された保守データ
ベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内から前
記外部ネットワークを介して前記保守データベースへの
アクセスを許可する工程と、前記保守データベースに蓄
積される保守情報を前記外部ネットワークを介して半導
体製造工場側に送信する工程とを有することを特徴とす
るＸ線露光装置の保守方法。
【請求項１９】請求項１〜８のいずれかに記載のＸ線
露光装置において、ディスプレイと、ネットワークイン
タフェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行する
コンピュータとをさらに有し、Ｘ線露光装置の保守情報
をコンピュータネットワークを介してデータ通信するこ
とを可能にしたことを特徴とするＸ線露光装置。
【請求項２０】前記ネットワーク用ソフトウェアは、
前記Ｘ線露光装置が設置された工場の外部ネットワーク
に接続され前記Ｘ線露光装置のベンダもしくはユーザが
提供する保守データベースにアクセスするためのユーザ
インタフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外
部ネットワークを介して該データベースから情報を得る
ことを可能にすることを特徴とする請求項１９に記載の
Ｘ線露光装置。