TW385500B - Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation - Google Patents

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TW385500B
TW385500B TW087106945A TW87106945A TW385500B TW 385500 B TW385500 B TW 385500B TW 087106945 A TW087106945 A TW 087106945A TW 87106945 A TW87106945 A TW 87106945A TW 385500 B TW385500 B TW 385500B
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TW087106945A
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Kennedy Daniel
Fuksshimov Boris
Boris Fishkin
Victor Belitsky
Kyle Brown
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Applied Materials Inc
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Description

A7 〜1 ----------- B7_ 五、發明説明() '------; 發明領域: 本發係關係於化學機械研磨晶圓。更明白地說,本 發明關於-研漿輸送器及沖洗臂以及執行化學機械研磨 發明背景: 積體電路係典型地藉由順序地沉積導電層,半導體層 或絕緣層而形成於基板之上,特別是矽晶圓上。在每—層 被沉積之後’該層係被钮刻以增加電路特性。因為一序列 之層係被順序地沉積並蝕刻,所以,基板之最上表面,即 基板之外露面變成相當地不平並需要平坦化。這發生於尚 當形成在基板上之諸層之厚度於基板表面因 上之電路之非均勻幾何而發生。於具有多圖案層之應用 中,於尖學及低谷間之高度差變成更嚴重,可能到達幾微 米。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫库頁} 化學機械研磨法(CMP)是一種可接受之平坦化之方 法。於一典型之如第1圖所示之CMP系統中,一基板12 係面向下放置在一位在大可旋轉平台16上之研磨塾14 上。一載台18夾持著基板並施加壓力至基板之背面,以 使知·基板於研磨持靠奢研磨塾。一扣環2〇典型地安置於 基板之外圓周’以防止基板於研磨時橫向滑落。一研漿係 施加至研磨墊之中心,以化學地鈍化或氧化被研磨之薄 膜’並磨損除去或拋光薄膜之表面。一於研漿中之反應劑 於在基板表面中之薄膜作反應,以使研磨順利。研磨墊, 第4頁 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公玢) 經濟部中失標準局I工消费合作社印製 A7 ____ B7 一一- 五、發明説明() ~ 磨料粒子及反應劑與基板表面間之相互作用導致了想要 薄膜之控制研磨。 於CMP所遭遇之問題是被輸送至研磨墊之研漿可能 凝結並與由基板上除去之材料而阻礙了槽道或者在墊上 之其他特性,藉以降低了後續研磨步驟之效率並增加了瑕 疵之情形。因此,於一些CMP系統中已經加入了沖洗臂, 以輸送去離子水或其他沖洗劑至墊上,以容易沖洗於槽道 中或塾表面上之凝結研漿及其他材料。一揭示於美國專利 案第5,578,529號的沖洗臂包含沖洗臂,其具有一喷嘴位 於其長度方向,以於一略高大氣壓力之壓力輸送一沖洗劑 至墊表面。另一由美國加州聖大克勞拉之應用材料公司所 提供之沖洗組件組合一沖洗管路與—或多數研漿輸送管 路於一單一流體輸送系統臂中,其輸送沖洗劑及/或研漿至 塾之中心。該組件是描述於共同申請中之美國專利申請案 號第08/549,336號中,其被命名為"用於化學機械研磨之 連績處理系統"。 然而’每一沖洗組件均有幾項缺點。首先,揭示於上 述專利案中之沖洗臂傾向於濺散,這可能由一研磨塾輸送 粒子或其他不想要之碎片至一相鄰研磨墊。另外,沖洗臂 係罔定於其墊上之位置,使得墊無法輕易地移開。再者, 沖洗臂必須安置於整之中心,以輸送沖洗劑至塾之梦部 份。取決於基板載體相對於該墊之位置墊之中心部份之沖 洗可能不會完成,除非基板載體由塾上、移開及研磨步驟被 中斷。 _;__第 51_______ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297^^1 ~ -—--- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 . ,-'° 線 Φ .1-11111-:0==-1111.-.1 . i l--J--Irtl_l A7 ___________B7 五、發明説明() '~~~~' 揭示於美國專利申請案第08/549 336號之沖洗組件 是被限制於該沖洗劑未被以力量輸送,沿著沖洗臂、 薄之長度 送至墊上。另外,沖洗劑被輸送至墊之中心或者輸送通道 之輸送端之定位處。 因此,有需要來提供一沖洗及研漿輸送系統,其係由 移動由一位置至研磨墊上,其不會造成不能控制之沖洗劑 之濺散,並輸送沖洗劑於研磨墊之整個表面而不必 ^ 在整個整之上方。 # 發明概要: 本發明提供一流體輸送組件’其包含一可旋轉臂,定 義出一或多數研漿輸送通道及一或多數沖洗劑輸送通 道。較佳地’一序列之噴嘴係配置在該臂上並連接至沖洗 劑輸送通道’以以一高於大氣壓之壓力輸送一或多數沖洗 劑至一表面。於一實施例中,一濺散護件係由臂中接近沖 洗劑輸送通道向下配置,以侷限由沖&劑之輸送所造成之 濺散作用,以創造一用以加強除去接自塾之粒子之通道。 另於一方面’噴嘴可以安置在臂上以相對於該臂平面呈_ 角度,以輸送流體經過一選定表面以一非垂直角度,而提 供一沖掃作用於該基板上。另一方面,噴嘴配置可以選擇 以方向性地輸送流體至表面。 於一方面中,至少一噴嘴係用以輸送—沖洗劑至墊之 中心或接近墊之中心,而不需延伸臂部於其上。這可以包 含一噴嘴其可以位於整之中心或者—嘴嘴其可以安置於 _______ 第6頁. 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) Λ4規将(210.X 297公~-- -------^--;---I — f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂' -線 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ ---•Ε.. - νΕ·ί· - IMlfi.· . 1~ί,Γ·£1Ε.Ει-·Ε-·. 1-^111^1.11.1-1-^^---11=1111111... A 7 _______ B7____ 五、發明説明() 沖洗臂上接近墊之中心。較佳地,沖洗臂並不延伸至塾之 中心上》另外’ 一或多數喷嘴可以用以輸送一沖洗劑向下 至該表面或以一向著墊之邊緣之方向,以使得沖洗劑量易 除去並收集來自該墊之材料。 於另一方面中’本發明提供一 CMP方法,其提供一 研磨步驗及在每一研磨步驟後一墊沖洗步驟,以降低在每 一晶圓上之粒子之數量並藉由在每一處理以前調整該 墊,以改良每一研磨步驟之重覆性。較佳地,該沖洗步驟 在基板被由該墊移開之前即被啟始,並持績直至另一基板 被定位準備用以處理或者直到該墊被沖洗。於一多墊系統 中’沖洗步驟係較佳地被執行於每一台中。另一方面,一 最後沖洗台ΪΓ以包含’其中基板在其他塾研磨後進行其他 之沖洗。 圖式簡單說ί月: 本發明之上述特性,優點及目的可以藉由參考其示於 附圖中之實施例而加以詳細了解。 然而,可以了解的是附圖只示出本發明之典型實施 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 例,因此,不是用以限制其範園,因本案可以適用於其他 之爹效實施例中。 第1圖為一本技藝中所知之化學機械研磨裝置之側視圖。 第2圖為本發明之流體輸送臂及相關硬體之實施例之上視 圖。 第3a-3c及4a-4d圖為—流體輸送臂之其他實施例之剖面 張尺度適用中國國家標準(CNS ) ~--- A 7 , 五、發明説明() 圖及示意圖,示出沖洗劑輸送通道及喷出圖案及喷 嘴配置。 第5圖為一用於沖洗劑輸送通道之密封組件之詳細視圖。 第6圖為一流體輸送臂之一實施例之部份剖面圖,示出一 沖洗劑輸送噴嘴反一研漿輸送管。 第7圖為一用於沖洗輸送通道之密封組件之詳細視圖。 第8圖為一流程圖,其描述本發明之沖洗方法;及 第9圖一多墊系統之示意圖。 圖號對照說明: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 士"丨 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裂 12 基 板 14 研 磨塾 16 平 台 18 載 台 20 流 體輸送系統 22 研 磨塾 24 輸 送臂 26 基 座部份 28 末 端部份 30,32 研漿輸送管路 34,36 喷嘴 38 沖 洗劑輸送管路 40 安 裝軸 42 沖 洗劑通道 46 插 頭 48 接 合面 49 螺 絲 50 環 形連接 51 . 凹 槽 52 0 型環凹槽 54 0 型環 56,58 通道 60 塾 圈 61 蓋 64 0 型環槽 68 屏 蔽組件 70,72 壁 74,76 下緣 線 ·! _策只育_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4现格(210X29?公筇) A 7 -—------- B7 五、發明説明() 111月詳細說明: 本發明提供一用於化學機械研磨設備之流體輸送組 件,其具有至少一沖洗劑輸送管路,並較佳一研漿輸送管 路。於本發明之一方面,該沖洗劑管路具有一或多個噴 嘴,其被沿著管路長度配置,以輸送一高於大氣壓力之噴 出沖洗劑至一表面,以及,一濺散護件,以包含來自噴嘴 足噴散以及控制其他系統元件或晶圓之污染。於一較佳實 施例中,該流體輸送組件係可旋轉地安裝接近該表面,該 組件係想要輸送沖洗劑及/或研漿,以使得對表面替換及維 修谷易進行。另外,沖掃噴嘴可以安置於臂上,以使得沖 洗劑及碎片向著或離開予以沖洗之表面邊緣。 本發明更提供一沖洗及研磨製程,其中,一沖洗劑係 被輸送至一表面,例如一研磨墊表面,同時,一基板持續 接觸該墊並隨後沖洗該基板及表面◊該等製程於基板被由 載〇載入或卸載時,或者於載台被旋轉至另一處理台 時’藉由實質執行一沖洗步驟而至少增加基板產量。另一 優點疋於移開墊之前,清沖洗步驟降低了有關於每一基板 <粒予瑕疵之數量,並且,該沖洗基板係在墊被移開之前 經濟部中央標準扃員工消费合作社印製 進行,然後持續沖洗墊,於另一基板被定位於其上,用以 處理之前。 第2圖為一具有本發明之流體輸送系統之一實施 例之CMp系統之俯視圖,該系統係配置在一研磨墊之 上該流體輸送系統包含一輸送臂24,其具有一基座部份 26由墊之邊緣向上配置以及一端部份28配置在該墊之 本紙張尺錢( CNS ) Μ祕( ---- 經濟部中央標準扃員工消费合作社印裝 A? ___ B7_____五、發明説明() 上。基座部份26安裝在一軸40(示於圖3a,3b,3c及6 中),以使得流體輸送系統20旋轉於一在研磨墊上之處理 位置與一接近墊之維修位置之間。雖然該臂可以是直線, 但其係大致沿著其長度由基座部份26至其末端部份28呈 一角度,並包含兩研漿輸送管路30,32安裝在流體輸送 臂24之上或於其中。較佳地,管係用以作為研漿輸送管 路,及一或多數研漿係由一或多數研漿源使用一泵或其他 類型之泵來經由管路末端送出。一中心沖洗劑輸送管路38 輸送一或多數沖洗劑至多數噴嘴34, 36,諸喷嘴係安裝在 流體輸送臂之下面44。末端部份28較佳地終結於不到墊 22之中心之一位置,以允許支持住基板之載台於研磨時, 徑向移動於墊上,接近或在墊之中心,而不會有臂碰撞載 台之危險。一噴嘴36係安置於臂之末端對臂之平面呈一 角度’以輸送一或多數沖洗劑至墊之中心。另方面’一 直線臂或有角度之臂延伸於墊之中心並安裝一噴嘴34於 該臂之末端,以輸送沖洗劑至墊之中心部份。典型外殼壓 力係由約1 5psi至約i〇〇psi,這範圍係足以以一高於大氣 壓之壓力輸送沖洗劑至該墊◊較佳地,該沖洗劑係被輸送 於約30psi或更高之壓力。 第3a圖是一第2圖之流體輸送组件2〇之剖面圖’示 出沖洗劑輸送管路38及安裝軸4〇(>軸4〇定義—沖洗劑通 道42 ’沿著其長度輸送流髗至流體輸送臂24。該臂類似 地定義一通遒或輸送管路38沿著其長度,其終結於其末 端28。於如下所示之其他實施例中’沖洗劑通道或輸送管 本紙張纽賴巾關 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Η, 訂 _____-二--E- 一E»611»·-'·1-L-,usi.e-r·. 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 _ _— ~_B7 五、發明説明() ^ ' 路38可以包含延伸至輸送流體至沖掃噴嘴37,其將如後 述。一插頭46取決於用以加工通道或管路38之製程,可 以被安置夺通道之一端或兩端。該沖洗劑通遒42輸送一 或多數來竹目1 .配合CMP系統之源之沖洗劑至臂24之通 道或流體輸送管路38。一密封被提供於軸40及臂24之 間,並將被參考第5圖加以詳述。通道42,38可以是被 加工通道或可以是管置於每軸及臂之中。 一序列之.噴嘴34,36係螺合於或安裝在臂之下面 44,並被連接至沖洗劑輸送管路38 ^於一實施例中,五個 喷嘴係沿著臂之長度螺接,並具有如所示之嘴散圖案。末 端噴嘴36係與臂之平面呈一角度安置,例如,一銳角, 以輸送一離開臂之末端部份28之流體向墊14之中心部份 C。該等噴嘴係較佳地細接頭噴嘴,其輸送沖洗劑於一扇 形平面’以降低由沖洗劑之噴散所造成之噴散作用接觸墊 表面。喷嘴之例子係是可由噴射系統公司購得之惠頓,IL, 型號威階噴嘴,開拿系列。於一較佳實施例中,噴嘴以一 重疊圖案輸送流體,以確保墊之大部份受到來自喷嘴之喷 射。末端噴嘴36被定位以輸送流體向外超出臂之末端, 以覆蓋剩下之墊區域,包含墊之中心部份,同時,較佳重 疊來自相鄰噴嘴之濺散,以確保墊之每一區域被沖洗。雖 然較佳係重疊噴散圖案,但並不必要每一噴射圖案重疊相 鄰圖案。 於另一實施例中,噴嘴可以包含噴出圖案,其導引沖 洗劑向下向外,於塾之表面,向著塾14之邊緣E。例如, _ ___ 第 11 頁____ 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) Λ4规格(210X 297公' 一 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 订 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 --------B7 五、發明説明() ~ 〜~~一-^ 具有一第313圖所示之扇形圖案之噴嘴指向外向著臂“之 基座可以使用。另—方面,如於第3c圖所示,沖掃噴嘴 3 7係與噴.嘴3 4又又並可以安裝於臂中,以—與沖洗臂之 平面不成垂直 < 角度安裝。沖掃噴嘴3?因此導引來自噴 嘴34及37之噴霧及掃出所累積之沖洗劑及碎片向著外緣 E,然後離開墊14。例如本發明之一實施例中,如第& 圖所示,臂28係延伸於研磨墊14之中心C上。 可以相信號將噴霧導引經由沖掃喷嘴37向下及向外 朝向墊表面可以加強材料之去除及沖洗墊表面。較佳地, 噴嘴34及36係被安排以輸送沖洗劑噴霧直接至墊上,同 時掃喷嘴37係被安排以加強由墊上除去材料及沖洗劑^ 喷嘴34及36係被設定於一最佳壓力以導引沖洗劑,以提 供足夠大體積之沖洗劑於墊14及沖洗臂28及屏蔽元件Μ 之間,使得於其間造成一渦流,粒子是被舉起並懸空於流 體體積中。較佳地’來自噴冑37之有角度之噴射同時也. 被設定至一最佳壓力’以導引懸空粒子及沖洗劑離開該 墊即,藉以掃除墊上之粒子並加強沖洗劑及碎片由塾i 4 之除去。沖掃噴嘴37於這些處理中具有特定應用,於諸 應用中,使用有重材料或者於研磨時發生研漿之重建立, 凝結及/或晶圓碎片。 第4a-d圖係用以輸送沖洗劑至塾之喷嘴及喷射圖案 之其他實施例之代表圖。諸實施例包含描述於第3a_c圖中 之噴嘴34及36與示於第3c圖中之其他沖掃喷嘴37,其 係被安置於臂24之中,或者被用以以一非垂直於墊表面 ) ΛΜ, ( 210X29U>1T) '~~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •X . 丁 -s 五、發明説明(
疋月度输送一沖洗劑。 臂24之中心,並.a圖示出噴嘴34 沖掃喷㈣可二=臂上之沖掃嘴嘴37之附近。 d圖示出偏移開嘴嘴34 ^或偏移開噴嘴34及36。第& 第4b圖-山 及%之沖掃喷嘴37» 兩列沖掃噴二安噴置嘴對中地沿著臂之中心長度安置,及 ....^ 胥置於臂之兩側。這些沖掃喷嘴37可以 對準或偏移開嘴嘴 及36。第4c圖是另〆修改,示出交 錯疋兩列沖掃噴喈域 質37。第4d圖示出另一實施例’其併入 其他之噴嘴34¾廿, 其他對之沖掃嗜嘴37。示於第4c及4d 圖之安置於臂支站4 & 高之噴嘴34延伸該墊之中心或者至少接 近墊之中心,以舲、兹 ^ ^ 以輸送一沖洗劑至墊之中心。喷嘴34,36, 37之配置及數量可以取決於塾之大小及所使用材料加以 改變’諸材料包含研漿材料 ,墊材料,予以研磨之材料, 水體積^ 7jC壓等。另外,噴嘴及供給流體至喷嘴34, %, 3 7之管路係被安排以允許研漿被沿著臂之整個長度發 送。 第5圖是於臂24及軸4〇間之連接之剖面圖,其示出 形成於每一臂及軸之通道38,42間之密封。較佳地,軸 之上方已經有一平面接合面48,其上安装有臂部。該臂係 使用螺絲49或其他連接組件/配置固定於軸40上。一環形 連接50係形成在通道42之旁在軸之上端並嚙合形成在臂 24之下表面中之凹槽51。一 Ο型環凹槽52係形成在轴40 之上端之接合面48之中,以安裝一用以密封袖與臂之〇 塑環54。該連接50之截角邊提供容易之安装。 第13頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公楚) 五、發明説明( 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 弟ό圖為〜_ -研聚輸送管圖Γ安置於臂24中經過袖40之 其係被安置穿過—^漿管路3G’32較佳由可動管作成’ 形成在臂之下表面二:軸4〇中之通道56中並被安裝於 中。蓋部61係^ < —對通道58(示於第8圖)之 中之定位》另〜、、臂又下表面,以確保管放於通道58 架或其他固定以被麗合入…並被托 末端59係行經輸送管路3Q,32之 /成蓋61中並鵡開臂24,以輸送研 至墊。通道63可w >、λ从 1以位於接近於墊中之管之分送端或呈 角度’使得-岍漿可以輸送於其上。 第7圖是於臂24及軸4〇間之連接之詳細剖面,其 出於管32旁《密封。該密封係形於管32之旁於臂23 軸40間之界面,拉士 * 藉由女置一墊圈60於管之旁,接近形 於軸,接合面中之0型環槽64之中《〇型環62。 第8圖疋—沿著第6圖中之線8 8之經過臂組件之 面圖,其示出研漿輸送管路3〇,32,沖洗劑通道招及 嘴34間之關係。-屏蔽構件68由臂之下表面44向下 伸並包含兩壁7〇,72,其界定至少沖洗劑之一部份噴 於其間。屏蔽構件68之下邊緣74, 76係位於墊表面之上 或者其他表面,以流體輸送至以允許材料通過於其下, 時有效地收集沖洗劑於壁70,72之間。墊之下邊緣74 7 6及塾之上表面界定一通道,使沖洗劑及研漿流動於 中。於屏蔽之下緣及墊之表面間之距離較佳係依據研漿 沖洗劑之流速及墊之旋轉速加以最佳化。較佳地,於屏 漿 示 及 成 延 出 同 其 蔽 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
Lr: LULP.BJiJ—-siF--iiJ. 第14頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4规枯(2I0X297公棼) 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 ; A7 ---------_______ 五、發明説明() 之下緣及塾間之距離是由範圍1至5 mm,當一流劑速率是 於 230ml/min 至約 6000ml/min,以至少約 15 至 lOOpsi 範 園中之壓力。這些範圍係只作為代表並不是用以限制本案 之範圍,因為其他距離及流速可以取決於所使用之特定製 程之條件及材料而定。例如,於一 60psi壓力,流速5.15 Ι/min示出滿足粒子及沖洗劑由研磨塾表面除去。沖洗劑 之流速及於屏蔽及基板間之下緣間之距離可以被設定,使 得沖洗劑波可以被累續並掃過墊之表面並向外導於墊之 上,使得墊及基板可以被沖洗。當研磨墊旋轉時,配合上 示於第2圖之有角度臂外形及屏蔽,沖洗劑及過量材料可 被帶向塾E之邊緣’其中,所得材料可以除去。然而,可 以了解的是一實質直線之臂可以加以使用,也將為本發明 所同時提供優良效果。 流體輸送組件’即臂24及屏蔽構件68係較佳地由剛 性材料作成’例如聚丙埽,其係化學惰性並且不會負面地 與CMP製中之研磨材料作反應。材料必須足夠地硬使得 結構不會沿著長度下陷或下垂,研漿輸送管路較佳係由管 材料作成,例如鐵弗龍,其係不與使用於cMP製程中之 各種研漿作反應。 本發明之方法將詳述如下。可以知道的是,本發明之 每方法均可以執行於單或多塾系統中。第9圖是一為買 ,拉(MIRRA)系統之多墊系統代表,其係可由加州聖大克勞 拉之2用材料公司購得。典型地,一基板係被定位或央於 一載台上,其定位—基板於研磨墊上並侷限基板在墊上。 ---—_ 第15頁 本紙張尺度適财關家料(--- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -- i£guulrrel=.E- 五、發明説明( A7 B7 經濟部中央標準局員Μ消費合作社印製 研磨墊14典型地是被旋轉以及基板可以旋轉於載台18之 中。另外,載台可以迅速地由研磨墊之表面移開,而加強 基板表面之均勻研磨。一旦基板被定位於載台中以及載么 被定位於研磨墊上,一研漿典型地被輸送至研磨墊。該研 磨可以包含若干材料,例如氫氧化鈉,或若使用在沖洗墊 上可以只是去離子水。然後載台降低至研磨墊上,使得基 板接觸該墊,基板表面然後被依據一預定程序加以研磨。 一沖洗劑,例如水,去離子水,氫氧化納.,氫氧化卸等 其他已知劑於研磨步驟結束後係被經由在沖洗臂上之只 嘴34及或36,37而施加至研磨墊之末端,以沖洗研磨墊 及基板。沖洗劑是被輸送至研磨墊約5至2〇秒之時間, 於該時間中基板係被上升離開研磨墊14及載台18係被移 動至多研磨整系統中之下一處理位置及/或進入用以卸 基板並加載下一基板準備處理之位置。 可以相彳s ’ 一形成於壁面72,74及屏蔽68間之沖 劑波形成一懸2層在基板上及在研磨墊上,所除去之材 及其他粒子係收集於其中並在離心力或噴射力之下被 掃至墊之邊緣,使其可以由該系統離開或過濾。較佳地 研磨墊持績旋轉,當沖洗劑被輸送至墊時◊該沖洗步 以持續直到另一基板被定位於载台18中,載台被移 一處理位置。較佳地,沖洗步驟係執行於約1〇至15 同時在多載台/ ^•系統上之載台係被旋轉及一卸載/加 驟係被執行於加載卸載台中。 於一三研磨塾系、统中,你由加州聖大克勞拉之 之噴 載 沖 m可 動至 秒, 載步 應 f請先閲讀背面之注意事項再填{¢-本頁〕 -訂 &
-i;….Lr-rjt.丨L·6讀 Eli. 1,-1--1.51 II 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4j-m ( 210-^97^^- 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明( 材料公司所購得之買拉系統者,— ^ 牧佳研磨順序包含兩研 :,-沖洗台及一加載台。前兩個研磨台較佳安裝有一 及第一研磨塾,例如一來自羅德公司之Ic i綱塾, 及沖洗台較佳安裝-沖洗塾,例如來自羅德公司之politex 墊。四個基板載頭18安裝在安排於墊上之一中央旋轉台, 其係順序地旋轉至上述於四不同台中之基板之位置。 依據本發明之-研磨方法,一基板於第一研磨台受研 磨然後於第二研磨台受研磨。一研磨步驟及捏序係加以選 擇以研磨想要之材料成而完成想要之成果。多重研磨步 驟,程序塾等可以用以完成這些結果。該基板可以然後被 移動至沖洗台,於其中,一沖洗劑係輸送至沖洗墊,以及, 基板係被載台所安放於該墊上。依據本發明,一墊/基板沖 洗步驟係轨行於每一台中。較佳地,該墊/基板沖洗步驟係 執行向研磨步驟之結束,並持績直到另一基板被放置於該 墊上。一旦研磨步驟被實際完成,一沖洗劑係被輸送至該 墊幾秒之時間,例如,.約3至60秒,以當系統準備由該 整上拾起基板以沖洗至少來自墊及基板之研磨材料及研 漿之殘留物之一部份。該沖洗步驟然後開始持磧,於基板 被由墊上移開及載頭旋轉係轉至下一站,以定位一基板相 近於用以持續處理之一墊或用以卸載。較佳地,沖洗步驟 係於載頭旋轉時被執行,即當載頭已經旋轉至下一位置, 使得基板之產能不受負面影響時。於沖洗步驟時,平台16 及墊14之旋轉係被持續’使得離心力使得沖洗劑及研漿 材料被迅速地向墊之邊緣移動並進入一收集區。較佳地, 第17頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) /\4現掊(210X 297公狯) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- ...SEEEip· A7 —_______B7 五、發明説明() ~ 一·一" 該墊係被旋轉於約每分鐘80至丨5〇轉之速度,最好是由 約95至115rpm。另外,於一實施例中,噴嘴37協助以移 除材料及沖洗劑離開墊之表面。 於另一實施例中,研磨墊可以安裝於所有之三個平台 上,及沖洗步驟被執行於每一研磨墊上。於這實施例中, 基板沖洗步驟係較佳地被執行於第三墊上。_沖洗步騾係 如上述執行於每一研磨墊。然而,其他執行於第三墊之沖 洗步驟已經被發現藉由增加基板與沖洗劑接螂之時間來 加強缺陷效能。結果,於第三平台之沖洗墊同時也被保持 於一很清潔之狀態。 雖然先前已經指明本發明之一較佳實施例,但是本發 明之其他實施例可以在不脫離本發明之基本範圍下加以 完成,本發明之範園係被以下之申請專利範圍所決定。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} -訂 Φ 線 經濟部中央標隼局負工消費合作社印製 -,-=.,. r—CJJitiJJJJMI-iiLi-.i iiui~.;rFl:IFEEr 第 18"M" 本纸張尺度適财_家標準(CNS)A^( 21{)x297々jy

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A8 ' BS cs -__ D8 、申請專利祀園_ 1.一種用以輸送一或多數流體至一表面之設備,其至少包 含: a) —基座; b) —輸送臂,可旋轉地結合至基座並徑向地由其上 延伸; c) 一或多數研漿輸送管路’至少部份沿著輸送臂之 ·*........ 長度延伸; d) —或多數沖洗劑輸送管路,至少部.份沿著輸送臂 之長度延伸;及 e) —屏蔽構件由輸送臂安置在臂之至少一側β 2. 如申請專利範園第1項所述之設備,其中上述之基座更 句含一可旋轉轴。 3. 如申請專利範園第1項所述之設備,更包含一或多數嘴 嘴連接至一或多數沖洗劑輸送管路。 4. 如申請專利範圍第3項所述之設備,其中上述噴嘴之至 少一個或多個係由沖洗劑輸送臂向下安排。 5. 如申請專利範圍第3項所述之設備,其中上述噴嘴之至 少一個係由基座向内指向。 6_如申請專利範圍第1項所述之設備’更包含一或多數嘴 第19頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4C格(^10^^公羡) " ~~ ------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 Φ: J,;r. L—ii AS B8 C8 DB 六、申請專利範園 嘴安排在輸送臂上並速接至沖洗劑輪送管路 7.如申請專利範園第6 少一 _個係 上。 Ο項所述之又備,其中上述噴嘴之至 安裝在一離開輸送臂水平面呈一非垂直角度 :·如申請專利範囷第3項所述之設備’其中上述之屏蔽構 件包含一第一及一第二壁部份安排於噴嘴之相對侧 上 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 9. 如申請專利範圍第3項所述之設備’其中上述噴嘴之一 或多個係導引一沖洗劑至墊之邊緣。 10. —種用以輸送流體呈一表面之設備,其至少包含: aj'—流體輸送臂被支持在基座之—端; 一或多數沖洗劑輸送管路’沿著該流體輸送臂之 一部份之長度配置; c) 一或多數研聚輸送管路’至少沿著該流體輸送臂 之一部份之長度配置; d) —屏蔽構件由流體輸送臂延伸。 11 ·如申請專利範圍第1 0項所述之設備,其中上述之屏蔽 構件包含一第一及第二壁彼此相對並於其間定義一空 間0 第20頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
    Λ . 16. 央 標 準 局 員 合 作 社 印 製 申請專利範圍 12. 如申請專利範圍第丨丨項所述之設備,更包含一或多數 噴嘴連接至一或多數沖洗劑輸送管路。 13. 如申請專利範圍第1〇項所述之設備,更包含一或多數 噴嘴連接至一或多數沖洗劑輸送管路。 14. 如申請專利範圍第12項所述之.設備,其中上述喷嘴:之 至少一個係安裝在一流體輸送臂’與垂直於該臂平面之 線偏移一角度。 15.如申請專利範圍第13項所述之設備’其中上述喷嘴之 至少一個係安裝在流體輸送臂對該臂平面呈一角度。 種研磨一基板之方法,其至少包含: a) 定位一基板接近一研磨墊; b) 輸送一或多數研磨流體至該.墊; c) 定位該基板與該墊接觸; d) 研磨基板一時間段; e) 於基板與該墊接觸時,輸送一沖洗劑至該墊;及 f) 當沖洗劑被輸送至墊時,由墊上移開基板。 如申請專利_ 16項所述之方法,其中上述之研磨 塾於步驟b)至f)時係被旋轉。 第21頁 本紙張尺度適用中國國家楯準(CNS ) Α4ϋΤΤΓ〇Χ297公釐) (|先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    A8 B8 C8 DB 申請專利範圍 18. 如申請專利範圍第17項所述之方法,其中上述之研磨 整至少於步驟C)至f)時係被旋轉。 19. 如申請專利範圍第16項所述之方法,更包含當另一基 板定位相鄰該墊時,持續輸送沖洗劑之步驟。 2〇·如申請專利範園第19項所述之方法’其中上述之沖洗 劑於步.驟e)至少被輸送‘該塾3秒。 21.如申請專利範圍第16項所述之方法,其中上述之沖洗 劑係於壓力下被輸送至該墊。 22. —種用以輸送流體至一表面之設備,其至少包含_· a) —流體輸送臂被支持在基座之一端; b) —或多數沖洗劑輸送管路,沿著該流體輸送臂之 一部份之長度配置; Ο —或多數研漿輸送管路,至少沿著該流體輸送臂 之一部份之長度配置; d)—或多數嘴嘴安排於該臂上與該沖洗劑輸送臂相 墀,其中,至少一噴嘴導引沖洗劑之一部份向著墊之外 緣。 23. 如申請專利範圍第22項所述之設備,其中至少一喷嘴 導引沖洗劑至塾之中心。 第22頁 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁) -訂 經濟部中失標隼局員工消費合作社印製 二*=1________'.M_. - I-.— .-MIIHtbi 1.1L1 ....-JmjJJ^--l-B--sl .11=-1: A8 BS C8 _________________ —_--- 六、申請專利範園 24. 如申請專利範園第22項所述之設備,其中上述之沖洗 劑是經由於壓力40至1 〇〇Psi之嗜嘴輸送。 25. 如申請專利範圍第22項所述之設備’更包含一屏蔽構 件’由流體輸送臂延伸》 26. 如申請專利範圍第22項所述之設備,其中至少一噴嘴 係安置在一非垂直之角度,以導引喷霧向墊之邊緣。 27. —種用以輸送一或多數流體至一表面之設備,其至少包 含: a) —輸送臂懸臂地安裝在一基座上;及 b) —或多數沖洗劑輸送管路,沿著該輸送臂之至少 部份長度延伸,該輸送臂安装一或多數噴嘴,以輸送一 或多數沖洗劑至該表面,其中至少一噴嘴引導一噴霧於 一非垂直於表面平面之角度。 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 28. 如申請專利範園第27項所述之設備’更包含屏蔽構件 由該輸送臂排列。 29. 如申請專利範圍第28項所述之設備,其中上述之屏蔽 包含一或多數臂面由臂向下排列。 30. 如申請專利範園第27項所述之設備,其中上述喷嘴之 第23頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公ϋ "
    六、申請專利範圍 至少一個係安裝在一流體輸送臂,與垂直於該臂平面之 線偏移一角度。 3 1.如申請專利範圍第2 7項所述之設備,其中上述一或多 數噴嘴向下導引一噴霧矣该乎面以及一或多數喷嘴導 引一喷霧.實際斜向.該表面之斗面 32. 如申請專利範圍第31項所述之設備,其中上述之向下 導引之噴嘴係安排於臂之中心並斜向導引之噴嘴係安 排於該向下導引嘴嘴之至少一侧。 33. —種用以研磨基板之設備’其至少包含. a) —或多數平台安排於一基座上; b) —或多數基板載台安置於一或多數平台上; c) 一或多數流體輸送構件’安置於接近一或多數平 台’其至少包含: 1) 一流體輸送臂安排於基座之一端; 2) —或多數沖洗劑輸^管路,沿著該流體輸送臂 之至少長度一部份排列; 3) —或多數研漿輸送管路,沿著該流體輸送臂之 至少長度一部份排列;及 4) 一屏蔽構件由流體輸送臂延伸;及 d) —或多數驅動構件,旋轉一或多數平台並啟動一 或多數基ά載台。 第24頁 本紙張尺度i用中國國家樣準(CNS ) Α4規格(2IQx297公釐)— --- 、τ 經濟部中夬標準局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 ~— ―… 1 ............ 六、申請專利範圍 3 4.如申請專利範圍第33項所述之設備,其中上述之屏蔽 構件包含一第一及第二璧彼此相對並於其間定義一空 間。 3 5.如申請專利範園第34項所述之設備,更包含一或多數 喷嘴連接至一或多數沖洗刻輸送管路。 36. 如申請專利範圍第33項所述之設備’更包含一或多數 噴嘴連接至一或多數沖洗刻輸送管路。 37. 如申請專利範困第35項所述之設備,其中上述喷嘴之 至少一個係安裝在一流體輸送臂’與垂直於該臂平面之 線偏移一角度。 3 8.如申請專利範園第36項所述之設備,其中上述噴嘴之 至少一個係安裝在一流體輸送臂與該臂平面呈一非垂 直角度。 3 9. _種用以輸送流體至一表面之設備,其至少包含: ;a) 一流體輸送臂被支持在基座之一端; b) 一或多數沖洗劑輸送管路,沿著該流體輸送臂之 至少一部份之長度配置’以輸送一流體至該表面; c) 一或多數沖掃流體輸送管路,安排於對該臂平面 呈一非垂直角度並接近一或多數沖洗劑輸送管路,以使 第25頁 張尺度適用中HS家標準(CNS ) A4規格(21GX297公釐) —^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
    經濟部中失標隼局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 DS __________------—---六、申請專利範圍 得流體通過墊之表面向墊之邊緣進行;及 d)—或多數研漿輸送管路’至少沿著該流體輸送臂 之一部份之長度配置。 40. 如申請專利範園第39項所述之設備,其中上述之屏蔽 構件包含—第一及第二壁彼此相對並於其間定義一空 間。 41. 如申請專利範圍第40項所述之設備,更包含一或多數 喷嘴連接至一或多數沖洗劑輸送管路。 42. 如申請專利範園第39項所述之設備,更包含一或多數 喷嘴連接至一或多數沖洗劑輸送管路° 43. 如申請專利範圍第41項所述之設備,其中上述喷嘴之 至少一個係安裝-左一流體輸送臂’與垂直於該臂平面之 線偏移一角度》 44·如申請專利範圍第42項所述之設備’其中上述喷嘴之 翠少一個係安裝在一流體輸送臂與該臂平面呈一非垂 直角度。 45.如申請專利範圍第39項所述之設備’更包含一屏蔽構 件由流體輸送臂延伸》 第26頁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS >八4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本\〇〇 訂 -S. ,,」ρ£=.ί:ρ=-—ι1ιΜΕΕ-“ Γ
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TW (1) TW385500B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI466757B (zh) * 2008-10-31 2015-01-01 Applied Materials Inc 自清潔及可調整之漿料傳送臂
TWI548483B (zh) * 2011-07-19 2016-09-11 荏原製作所股份有限公司 研磨裝置及方法

Families Citing this family (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6139406A (en) 1997-06-24 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation
KR100540367B1 (ko) * 1997-12-26 2006-01-10 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마장치 및 연마방법
US6676492B2 (en) * 1998-12-15 2004-01-13 Chou H. Li Chemical mechanical polishing
US6220941B1 (en) 1998-10-01 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
US6319098B1 (en) 1998-11-13 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
US6261158B1 (en) 1998-12-16 2001-07-17 Speedfam-Ipec Multi-step chemical mechanical polishing
US6248009B1 (en) * 1999-02-18 2001-06-19 Ebara Corporation Apparatus for cleaning substrate
TW434113B (en) * 1999-03-16 2001-05-16 Applied Materials Inc Polishing apparatus
US6429131B2 (en) * 1999-03-18 2002-08-06 Infineon Technologies Ag CMP uniformity
US6302771B1 (en) * 1999-04-01 2001-10-16 Philips Semiconductor, Inc. CMP pad conditioner arrangement and method therefor
US6405399B1 (en) * 1999-06-25 2002-06-18 Lam Research Corporation Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing
US6283840B1 (en) 1999-08-03 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Cleaning and slurry distribution system assembly for use in chemical mechanical polishing apparatus
US6558228B1 (en) * 1999-11-15 2003-05-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of unloading substrates in chemical-mechanical polishing apparatus
US6296547B1 (en) 1999-11-16 2001-10-02 Litton Systems, Inc. Method and system for manufacturing a photocathode
US6517416B1 (en) * 2000-01-05 2003-02-11 Agere Systems Inc. Chemical mechanical polisher including a pad conditioner and a method of manufacturing an integrated circuit using the chemical mechanical polisher
US6623341B2 (en) 2000-01-18 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
US6533645B2 (en) 2000-01-18 2003-03-18 Applied Materials, Inc. Substrate polishing article
US6607428B2 (en) 2000-01-18 2003-08-19 Applied Materials, Inc. Material for use in carrier and polishing pads
JP2001237208A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Ebara Corp 研磨装置の研磨面洗浄方法及び洗浄装置
US6669538B2 (en) * 2000-02-24 2003-12-30 Applied Materials Inc Pad cleaning for a CMP system
JP2001287154A (ja) * 2000-04-06 2001-10-16 Nec Corp 研磨装置および研磨方法
US6415802B1 (en) * 2000-05-05 2002-07-09 Cd Holdings, Inc. Acid etching machine
US6418945B1 (en) * 2000-07-07 2002-07-16 Semitool, Inc. Dual cassette centrifugal processor
US6481447B1 (en) * 2000-09-27 2002-11-19 Lam Research Corporation Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same
KR20040004453A (ko) * 2000-11-29 2004-01-13 인피네온 테크놀로지스 아게 연마 패드의 세척 장치
KR100443770B1 (ko) * 2001-03-26 2004-08-09 삼성전자주식회사 기판의 연마 방법 및 연마 장치
US7086933B2 (en) * 2002-04-22 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Flexible polishing fluid delivery system
US6722943B2 (en) * 2001-08-24 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for dispensing planarizing solutions in the processing of microelectronic workpieces
US6887132B2 (en) * 2001-09-10 2005-05-03 Multi Planar Technologies Incorporated Slurry distributor for chemical mechanical polishing apparatus and method of using the same
TWI252791B (en) * 2002-01-18 2006-04-11 Promos Technologies Inc Slurry supply system disposed above the rotating platen of a chemical mechanical polishing apparatus
KR100445634B1 (ko) * 2002-01-28 2004-08-25 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼의 평탄화 설비
US6506098B1 (en) * 2002-05-20 2003-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Self-cleaning slurry arm on a CMP tool
US6884152B2 (en) 2003-02-11 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces
US6939210B2 (en) * 2003-05-02 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Slurry delivery arm
US6908370B1 (en) * 2003-12-04 2005-06-21 Intel Corporation Rinse apparatus and method for wafer polisher
KR20050066621A (ko) * 2003-12-26 2005-06-30 동부아남반도체 주식회사 씨엠피 장비의 슬러지 제거장치 및 이를 이용한 슬러지제거방법
US20060025049A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Spray slurry delivery system for polish performance improvement and cost reduction
GB2418644A (en) * 2004-09-29 2006-04-05 Stephen Hu Canopy arrangement for pushchair or the like
US20060073773A1 (en) * 2004-10-04 2006-04-06 Exley Richard J High pressure pad conditioning
US7052374B1 (en) 2005-03-01 2006-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multipurpose slurry delivery arm for chemical mechanical polishing
US7108588B1 (en) 2005-04-05 2006-09-19 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. System, method, and apparatus for wetting slurry delivery tubes in a chemical mechanical polishing process to prevent clogging thereof
US20070032180A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Slurry residence time enhancement system
JP4162001B2 (ja) 2005-11-24 2008-10-08 株式会社東京精密 ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法
US7297047B2 (en) * 2005-12-01 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Bubble suppressing flow controller with ultrasonic flow meter
US20070131562A1 (en) * 2005-12-08 2007-06-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for planarizing a substrate with low fluid consumption
US20070181442A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for foam removal in an electrochemical mechanical substrate polishing process
US7452264B2 (en) * 2006-06-27 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Pad cleaning method
US20070295610A1 (en) * 2006-06-27 2007-12-27 Applied Materials, Inc. Electrolyte retaining on a rotating platen by directional air flow
JP5080769B2 (ja) * 2006-09-15 2012-11-21 株式会社東京精密 研磨方法及び研磨装置
US8449356B1 (en) * 2007-11-14 2013-05-28 Utac Thai Limited High pressure cooling nozzle for semiconductor package
JP5276420B2 (ja) 2008-01-31 2013-08-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8439723B2 (en) * 2008-08-11 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polisher with heater and method
US8414357B2 (en) * 2008-08-22 2013-04-09 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polisher having movable slurry dispensers and method
US20100041316A1 (en) * 2008-08-14 2010-02-18 Yulin Wang Method for an improved chemical mechanical polishing system
US8893519B2 (en) * 2008-12-08 2014-11-25 The Hong Kong University Of Science And Technology Providing cooling in a machining process using a plurality of activated coolant streams
JP2010179407A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Elpida Memory Inc Cmp装置
JP2010228058A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Fujikoshi Mach Corp 研磨布の洗浄装置および洗浄方法
KR101067608B1 (ko) 2009-03-30 2011-09-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5422245B2 (ja) * 2009-04-01 2014-02-19 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
US8360817B2 (en) * 2009-04-01 2013-01-29 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
US9349679B2 (en) 2010-08-31 2016-05-24 Utac Thai Limited Singulation method for semiconductor package with plating on side of connectors
CN102553849B (zh) * 2010-12-29 2015-04-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种固定研磨粒抛光垫清洗装置及清洗方法
KR101219547B1 (ko) 2011-08-18 2013-01-16 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치 및 그 제어 방법
JP2013141738A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Disco Corp 加工装置
JP5911786B2 (ja) * 2012-10-31 2016-04-27 株式会社荏原製作所 研磨装置
KR101689428B1 (ko) * 2012-10-31 2016-12-23 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치 및 연마 방법
JP6031426B2 (ja) * 2012-11-02 2016-11-24 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
US20140199840A1 (en) 2013-01-11 2014-07-17 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and methods
JP6065802B2 (ja) * 2013-10-03 2017-01-25 信越半導体株式会社 研磨布の洗浄方法及びウェーハの研磨方法
CN113290500A (zh) * 2014-11-12 2021-08-24 伊利诺斯工具制品有限公司 平面研磨机
JP6313196B2 (ja) 2014-11-20 2018-04-18 株式会社荏原製作所 研磨面洗浄装置、研磨装置、および研磨面洗浄装置の製造方法
US10500691B2 (en) * 2016-08-29 2019-12-10 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6971676B2 (ja) * 2016-08-29 2021-11-24 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
KR101848166B1 (ko) * 2016-11-04 2018-04-11 주식회사 씨티에스 씨엠피 패드 세정장치 및 이를 포함하는 씨엠피장치
KR102037750B1 (ko) * 2018-02-09 2019-10-29 에스케이실트론 주식회사 슬러리 공급 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼의 연마 장치
JP7108450B2 (ja) * 2018-04-13 2022-07-28 株式会社ディスコ 研磨装置
JP7083722B2 (ja) * 2018-08-06 2022-06-13 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
JP7162465B2 (ja) 2018-08-06 2022-10-28 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
JP7152279B2 (ja) * 2018-11-30 2022-10-12 株式会社荏原製作所 研磨装置
TWI834195B (zh) * 2019-04-18 2024-03-01 美商應用材料股份有限公司 Cmp期間基於溫度的原位邊緣不對稱校正的電腦可讀取儲存媒體
US11772234B2 (en) 2019-10-25 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Small batch polishing fluid delivery for CMP
KR20210113041A (ko) * 2020-03-06 2021-09-15 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치, 처리 시스템 및 연마 방법
US20210402565A1 (en) * 2020-06-24 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Cleaning system for polishing liquid delivery arm
US11577358B2 (en) 2020-06-30 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Gas entrainment during jetting of fluid for temperature control in chemical mechanical polishing
JP2022014055A (ja) * 2020-07-06 2022-01-19 株式会社荏原製作所 液体供給装置および研磨装置
KR20220073192A (ko) * 2020-11-26 2022-06-03 에스케이실트론 주식회사 연마 패드 세정 장치 및 연마 장치
US11747729B2 (en) * 2021-03-19 2023-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor developer tool and methods of operation
US12027382B2 (en) 2021-12-03 2024-07-02 Applied Materials, Inc. Surface cleaning with directed high pressure chemistry
CN114536224A (zh) * 2022-04-11 2022-05-27 北京烁科精微电子装备有限公司 一种研磨液输出臂及稳定研磨速率的方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4680893A (en) 1985-09-23 1987-07-21 Motorola, Inc. Apparatus for polishing semiconductor wafers
JP2628915B2 (ja) * 1989-06-05 1997-07-09 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
US5154021A (en) * 1991-06-26 1992-10-13 International Business Machines Corporation Pneumatic pad conditioner
US5320706A (en) * 1991-10-15 1994-06-14 Texas Instruments Incorporated Removing slurry residue from semiconductor wafer planarization
JP2622069B2 (ja) * 1993-06-30 1997-06-18 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
US5658183A (en) * 1993-08-25 1997-08-19 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring
US5486129A (en) * 1993-08-25 1996-01-23 Micron Technology, Inc. System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head
KR100390293B1 (ko) * 1993-09-21 2003-09-02 가부시끼가이샤 도시바 폴리싱장치
US5531861A (en) * 1993-09-29 1996-07-02 Motorola, Inc. Chemical-mechanical-polishing pad cleaning process for use during the fabrication of semiconductor devices
US5562524A (en) 1994-05-04 1996-10-08 Gill, Jr.; Gerald L. Polishing apparatus
JPH07299738A (ja) * 1994-05-11 1995-11-14 Mitsubishi Materials Corp ウエハ研磨装置
US5679060A (en) 1994-07-14 1997-10-21 Silicon Technology Corporation Wafer grinding machine
US5486265A (en) 1995-02-06 1996-01-23 Advanced Micro Devices, Inc. Chemical-mechanical polishing of thin materials using a pulse polishing technique
JP3594357B2 (ja) 1995-04-10 2004-11-24 株式会社荏原製作所 ポリッシング方法及び装置
US5578529A (en) * 1995-06-02 1996-11-26 Motorola Inc. Method for using rinse spray bar in chemical mechanical polishing
US5816891A (en) 1995-06-06 1998-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Performing chemical mechanical polishing of oxides and metals using sequential removal on multiple polish platens to increase equipment throughput
US5702563A (en) 1995-06-07 1997-12-30 Advanced Micro Devices, Inc. Reduced chemical-mechanical polishing particulate contamination
JP3778594B2 (ja) 1995-07-18 2006-05-24 株式会社荏原製作所 ドレッシング方法
JP3678468B2 (ja) 1995-07-18 2005-08-03 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US5611943A (en) 1995-09-29 1997-03-18 Intel Corporation Method and apparatus for conditioning of chemical-mechanical polishing pads
US5672095A (en) 1995-09-29 1997-09-30 Intel Corporation Elimination of pad conditioning in a chemical mechanical polishing process
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
JP2862073B2 (ja) 1995-12-08 1999-02-24 日本電気株式会社 ウェハー研磨方法
US5616069A (en) 1995-12-19 1997-04-01 Micron Technology, Inc. Directional spray pad scrubber
US5704987A (en) 1996-01-19 1998-01-06 International Business Machines Corporation Process for removing residue from a semiconductor wafer after chemical-mechanical polishing
US5645682A (en) 1996-05-28 1997-07-08 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning a planarizing substrate used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5679055A (en) 1996-05-31 1997-10-21 Memc Electronic Materials, Inc. Automated wafer lapping system
US5664990A (en) 1996-07-29 1997-09-09 Integrated Process Equipment Corp. Slurry recycling in CMP apparatus
FR2756972B1 (fr) 1996-12-10 1999-03-05 France Telecom Procede de relaxation de film contraint par fusion de couche interfaciale
US5916011A (en) 1996-12-26 1999-06-29 Motorola, Inc. Process for polishing a semiconductor device substrate
US5893753A (en) * 1997-06-05 1999-04-13 Texas Instruments Incorporated Vibrating polishing pad conditioning system and method
US5934980A (en) 1997-06-09 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing
US6139406A (en) 1997-06-24 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation
US5916010A (en) 1997-10-30 1999-06-29 International Business Machines Corporation CMP pad maintenance apparatus and method
US6053801A (en) * 1999-05-10 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Substrate polishing with reduced contamination

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI466757B (zh) * 2008-10-31 2015-01-01 Applied Materials Inc 自清潔及可調整之漿料傳送臂
TWI548483B (zh) * 2011-07-19 2016-09-11 荏原製作所股份有限公司 研磨裝置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0887153A2 (en) 1998-12-30
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KR100328607B1 (ko) 2002-06-20
JPH1170464A (ja) 1999-03-16
JP2003229393A (ja) 2003-08-15
US6139406A (en) 2000-10-31
SG67505A1 (en) 1999-09-21
EP0887153A3 (en) 2000-01-05
US6280299B1 (en) 2001-08-28
EP0887153B1 (en) 2003-04-23
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