KR101848166B1 - 씨엠피 패드 세정장치 및 이를 포함하는 씨엠피장치 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 33
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 abstract description 27
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02052—Wet cleaning only
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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Abstract
본 발명은 씨엠피 패드 세정장치 및 이를 포함하는 씨엠피장치에 관한 것으로, 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치는, 제1 방향으로 유체를 분사하도록 배치된 복수의 노즐을 포함하는 제1 노즐 집합체; 및 제2 방향으로 유체를 분사하도록 배치된 복수의 노즐을 포함하는 제2 노즐 집합체;를 포함하고, 상기 제1 방향 및 제2 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직한 축에 대하여 서로 다른 방향으로 경사져 있다.
Description
본 발명은 씨엠피 패드 세정장치 및 이를 포함하는 씨엠피장치에 관한 것이다.
반도체 제조 시 수반되는 평탄화 공정인 씨엠피(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 공정은 씨엠피 장치에 의해 수행된다.
상기 씨엠피 공정은 회전하는 플레이튼 상에 패드를 부착하고, 상기 패드 위에 해드를 이용하여 웨이퍼를 가압 및 회전함으로써 이루어진다. 이때, 웨이퍼 표면에 형성된 막의 종류에 따라 슬러리를 패드 위에 분사한다.
상기 슬러리는 일반적으로 유기물 및 무기물의 입자를 포함하고, 여러 첨가제를 포함한다. 또한, 씨엠피 공정이 진행함에 따라 상기 슬러리 뿐 아니라, 패드 및 패드 컨디셔너에 의해 부산물이 발생하며, 이러한 부산물은 패드 상에 잔존함으로써 웨이퍼 표면에 오염 등의 불량을 야기하게 된다.
상기 부산물에 의한 오염을 방지하기 위해 씨엠피 공정 시에는 패드를 세정하기 위한 세정 장치가 포함된다. 상기 세정 장치는 일반적으로 탈이온수(DIW, De ionized Water)를 고압으로 분사하여 패드 상에 잔존하는 부산물을 제거한다.
그러나, 일반적으로 패드는 슬러리를 가두기 위한 홈을 포함하고 있는 데, 패드에 대하여 수직으로 탈이온수를 분사하는 것 만으로는 상기 홈 내에 잔존하는 부산물을 제거하는 것이 용이하지 않다.
아래의 선행기술문헌은 화학기계적 연마패드의 세정방법 및 시스템에 관한 것이다.
본 발명의 목적은, 씨엠피 패드 홈 내의 부산물 및 슬러리를 용이하게 배출시키고, 패드 상에 잔존하는 부산물 및 슬러리를 용이하게 제거할 수 있는 씨엠피 패드 세정장치 및 이를 포함하는 씨엠피 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치는, 제1 방향으로 유체를 분사하도록 배치된 복수의 노즐을 포함하는 제1 노즐 집합체; 및 제2 방향으로 유체를 분사하도록 배치된 복수의 노즐을 포함하는 제2 노즐 집합체;를 포함하고, 상기 제1 방향 및 제2 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직한 축에 대하여 서로 다른 방향으로 경사져 있다.
상기 제1 노즐 집합체는 상기 제2 노즐 집합체 보다 상부에 배치될 수 있다.
상기 제1 노즐 집합체는 상기 제2 노즐 집합체 보다 전방향에 배치될 수 있다.
상기 제1 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직인 축에 대하여 전방향으로 경사질 수 있다.
상기 제2 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직인 축에 대하여 전방향으로 경사지고, 상기 제2 방향이 전방향으로 경사진 각도는 상기 제1 방향이 전방향으로 경사진 각도보다 클 수 있다.
상기 제2 방향이 전방향으로 경사진 각도는 상기 제1 방향이 전방향으로 경사진 각도보다 2배 이상일 수 있다.
상기 제1 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직인 축에 대하여 전방향으로 15~30 도 기울어질 수 있다.
상기 제2 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직인 축에 대하여 전방향으로 40~60 도 기울어질 수 있다.
상기 제1 노즐 집합체의 노즐에서 분사되는 유체가 세정의 대상이 되는 패드 면에 분사되는 면적은 상기 제2 노즐 집합체의 노즐에서 분사되는 유체가 세정의 대상이 되는 패드 면에 분사되는 면적에 비하여 넓을 수 있다.
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본 발명의 다른 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치는, 세정의 대상이 되는 패드의 면에 대하여 위쪽으로 경사진 제1 면, 및 상기 제1 면보다 아래에 배치되고 세정의 대상이 되는 패드의 면에 대하여 위쪽으로 경사진 제2 면을 포함하는 노즐 집합체 블록; 상기 제1 면 상에 배치되고, 제1 방향으로 유체를 분사하도록 배치된 복수의 노즐을 포함하는 제1 노즐 집합체; 및 상기 제2 면 상에 배치되고, 제2 방향으로 유체를 분사하도록 배치된 복수의 노즐을 포함하는 제2 노즐 집합체;를 포함하고, 상기 제1 방향 및 제2 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직한 축에 대하여 서로 다른 방향으로 경사질 수 있다.
상기 제1 면이 위쪽으로 경사진 각도는 상기 제2 면이 위쪽으로 경사진 각도보다 작을 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치는, 세정의 대상이 되는 패드의 홈 내에 있는 불순물을 상기 홈 밖으로 이동시키는 제1 노즐 집합체; 및 상기 제1 노즐 집합체에 의해 홈 밖으로 이동된 불순물을 패드의 면에서 제거하는 제2 노즐 집합체;를 포함한다.
본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 장치는, 제1항의 패드 세정장치를 포함한다.
본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치 및 이를 포함하는 씨엠피 장치는, 씨엠피 패드 홈 내의 부산물 및 슬러리를 용이하게 배출시키고, 패드 상에 잔존하는 부산물 및 슬러리를 용이하게 제거할 수 있다.
또한, 패드 면의 부산물 및 슬러리가 패드의 홈으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 씨엠피 공정 시 오염물질을 차단하여 웨이퍼의 표면 상의 오염에 따른 공정 불량을 방지할 수 있다.
또한, 반도체 제조 시 수율 향상을 도모할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 장치를 도시한 것이다.
도 2는 씨엠피 패드를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치를 도시한 것이다.
도 4는 도 3을 측면에서 본 것이다.
도 5는 도 3을 저면에서 본 것이다.
도 6은 유체를 분사하는 모습을 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치를 도시한 것이다.
도 2는 씨엠피 패드를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치를 도시한 것이다.
도 4는 도 3을 측면에서 본 것이다.
도 5는 도 3을 저면에서 본 것이다.
도 6은 유체를 분사하는 모습을 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치를 도시한 것이다.
본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치 및 이를 포함하는 씨엠피장치를 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 장치(10)를 도시한 것이다.
씨엠피 장치(10)는 반도체 제조 공정 중 하나인 씨엠피 공정을 수행하기 위한 장치이다. 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 장치(10)는 패드(400)가 부착될 수 있고 회전이 가능한 플레이튼(300), 웨이퍼를 회전 및 가압하는 씨엠피 해드(200) 및 상기 플레이튼(300) 상에 부착된 패드(400)를 세정하는 씨엠피 패드 세정장치(100)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 패드(400)에 슬러리를 공급하는 슬러리 공급부(500) 및 상기 패드의 상태를 회복하기 위한 컨디셔너를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 장치(10)에서 씨엠피 패드 세정장치(100)를 제외한 나머지 구성은 일반적으로 알려지고 사용되는 것일 수 있으며 특별히 제한되지 않는다.
씨엠피 패드 세정장치(100)는 씨엠피 해드(200)가 웨이퍼를 가압하고 플레이튼(300) 및 패드(400)가 회전하는 중에 상기 회전하는 패드(400)의 상부 면에 유체를 분사할 수 있고, 상기 씨엠피 해드(200)가 웨이퍼를 가압하는 공정이 종료된 후 상기 패드(400)의 상부 면에 유체를 분사할 수 있다.
상기 패드(400)는 웨이퍼 연마 공정 중 패드(400) 상에 주입되는 슬러리를 담지하기 위한 홈(401)을 포함할 수 있다. 도 2와 같이, 상기 홈(401)은 패드(400)의 상부면에 대하여 수직하게 형성될 수 있으며, 패드(400)의 원주를 따라 동심원을 그리면서 형성될 수 있고, 격자 무늬로 형성될 수 있다. 상기 패드(400)에 형성된 홈(401)은 연마 중 패드(400) 및 웨이퍼 막에서 발생하는 부산물 및 슬러리가 유입되므로, 다음 연마 공정을 수행하기 전에 상기 홈(401)의 내부에 유입된 부산물 및 슬러리를 제거해야 한다.
종래에는 패드 면에 대하여 탈이온수 등의 유체를 수직으로 분사하는 형태의 세정장치를 사용하였다. 그러나, 상기 홈이 좁고 깊기 때문에 탈이온수 등의 유체를 수직으로 분사하는 것만으로는 패드의 홈 및 패드 상에 잔존하는 부산물 및 슬러리를 충분히 제거하는 것이 힘들다.
본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치(100)는 제1 노즐 집합체(110) 및 제2 노즐 집합체(120)를 통해, 패드 홈 내의 부산물 및 슬러리를 용이하게 배출시키고, 패드 상에 잔존하는 부산물 및 슬러리를 용이하게 제거할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치(100)를 도시한 것이고, 도 4는 도 3을 측면에서 본 것이고, 도 5는 도 3을 저면에서 본 것이고, 도 6은 유체를 분사하는 모습을 도시한 것이다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치(100)는, 제1 방향으로 유체를 분사하도록 배치된 복수의 노즐(111)을 포함하는 제1 노즐 집합체(110); 및 제2 방향으로 유체를 분사하도록 배치된 복수의 노즐(121)을 포함하는 제2 노즐 집합체(120);를 포함하고, 상기 제1 방향 및 제2 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직한 축(Z축)에 대하여 서로 다른 방향으로 경사져 있다.
제1 노즐 집합체(110)는 복수의 노즐(111)을 포함하고, 상기 복수의 노즐(111)은 열을 이루어 배치될 수 있다. 상기 복수의 노즐(111)은 도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 외부로 도출되도록 배치될 수 있다. 또한, 상기 복수의 노즐(111)은 노즐 집합체 블록(130) 내에 배치됨으로써 공정 중 슬러리가 튐어 노즐의 표면에 접착함에 따른 오염을 방지할 수 있다.
제2 노즐 집합체(120)는 복수의 노즐(121)을 포함하고, 상기 복수의 노즐(121)은 열을 이루어 배치될 수 있다. 상기 복수의 노즐(121)은 도 3 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 외부로 도출되도록 배치될 수 있다. 또한, 상기 복수의 노즐(121)은 노즐 집합체 블록(130) 내에 배치됨으로써 공정 중 슬러리가 튀어 노즐의 표면에 접착함에 따른 오염을 방지할 수 있다.
제1 노즐 집합체(110) 및 제2 노즐 집합체(120)에 포함되는 노즐(111, 121)은 동일한 것일 수 있으며, 유체 분사량, 유체 분사각도 등에 차이가 있을 수 있다. 상기 노즐(111, 121)은 테플론 등의 내화학성이 우수한 고분자 물질로 제조된 것일 수 있으나, 본 발명이 여기에 한정하는 것은 아니다.
제1 노즐 집합체(110) 및 제2 노즐 집합체(120)에 포함된 노즐(111, 121)은 노즐 집합체 블록(130) 내에 배치된 유로와 연결되어 있다. 상기 유로는 씨엠피 패드 세정장치(100)의 외부에 배치된 유체 공급장치로부터 유체를 공급받을 수 있다. 상기 유체는 탈이온수(DIW) 일 수 있으나, 본 발명이 여기에 한정하는 것은 아니다.
도 6을 참조하면, 제1 노즐 집합체(110)의 노즐(111)에서 분사되는 유체 및 제2 노즐 집합체(120)의 노즐(121)에서 분사되는 유체는 서로 다른 방향으로 분사된다. 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직한 축을 기준으로 할 때, 제1 노즐 집합체(110)의 노즐(111)에서 분사되는 유체의 방향은 전(前)방향(X축 방향)으로 경사지도록 분사될 수 있다. 또한, 제2 노즐 집합체(120)의 노즐(121)에서 분사되는 유체의 방향은 전(前)방향으로 경사지도록 분사될 수 있다. 씨엠피 공정 및 패드 세정 공정을 수행할 때, 상기 패드는 플레이튼과 함께 회전한다. 씨엠피 패드 세정장치에서 분사되는 유체가 회전하는 패드의 면에 수직하게 분사되면 분사된 유체가 패드의 면 및 홈 내부에 충분한 가압을 할 수 없게 된다. 패드의 면 및 홈 내부에 충분한 가압을 가하지 못하면 패드의 면 및 홈 내에 잔존하는 부산물 및 슬러리를 제거하기가 어렵다. 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치(100)는 제1 노즐 집합체(110) 및 제2 노즐 집합체(120)에서 분사되는 유체가 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직인 축에 대하여 전방향으로 경사지도록 분사되기 때문에 패드의 면 및 홈 내부에 충분한 압력을 가할 수 있다.
이 때, 제2 노즐 집합체(120)에서 분사되는 유체의 방향인 제2 방향이 전방향으로 경사진 각도는, 제1 노즐 집합체(110)에서 분사되는 유체의 방향인 제1 방향이 전방향으로 경사진 각도보다 클 수 있다. 즉, 제1 방향이 제2 방향에 비하여 패드의 면에 보다 수직한 방향일 수 있다. 이로써, 제1 노즐 집합체(110)에서 분사되는 유체는 패드의 홈 내부로 유입이 용이하다. 따라서, 제1 노즐 집합체(110)에서 분사되는 유체에 의해 패드의 홈 내부에 잔존하는 부산물 및 슬러리가 패드의 홈 외부로 배출될 수 있다. 그 후에, 제2 노즐 집합체(120)에서 분사되는 유체는 패드의 면에 대하여 수평방향으로 강하게 가압할 수 있다. 따라서, 제2 노즐 집합체(120)에서 분사되는 유체에 의해 패드의 면에 잔존하는 부산물 및 슬러리가 패드의 면의 바깥으로 제거될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치(100)는, 세정의 대상이 되는 패드의 홈 내에 있는 불순물을 상기 홈 밖으로 이동시키는 제1 노즐 집합체(110); 및 상기 제1 노즐 집합체(110)에 의해 홈 밖으로 이동된 불순물을 패드의 면에서 제거하는 제2 노즐 집합체(120);를 포함할 수 있다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 제1 노즐 집합체(110)는 제2 노즐 집합체(120) 보다 전(前)방향에 배치될 수 있다. 즉, 패드의 회전방향을 고려할 때, 제1 노즐 집합체(110)에서 분사된 유체가 제2 노즐 집합체(120)에서 분사된 유체 보다 먼저 패드의 특정 영역에 닿도록 할 수 있다. 이를 통해, 우선적으로 제1 노즐 집합체(110)에서 분사된 유체가 패드의 홈 내부의 부산물 및 슬러리를 배출시키도록 하고, 다음으로 제2 노즐 집합체(120)에서 분사된 유체가 패드의 면의 부산물 및 슬러리를 제거할 수 있도록 할 수 있다.
또한, 제1 노즐 집합체(110)는 제2 노즐 집합체(120) 보다 상부(Z축 방향)에 배치될 수 있다. 이를 통해 제1 노즐 집합체(110)에서 분사된 유체가 보다 넓은 영역에 분사되도록 할 수 있다. 제2 노즐 집합체(120)는 보다 강력하게 패드의 면을 가압할 수 있다. 제2 노즐 집합체(120)는 패드의 면에 배치된 부산물 및 슬러리를 패드의 바깥으로 제거해야 하므로 보다 강력하게 가압할 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치(100)에서, 상기 제1 노즐 집합체(110)의 노즐에서 분사되는 유체가 세정의 대상이 되는 패드 면에 분사되는 면적은 상기 제2 노즐 집합체(120)의 노즐에서 분사되는 유체가 세정의 대상이 되는 패드 면에 분사되는 면적에 비하여 넓도록 형성함으로써, 패드의 홈 및 면에 잔존하는 부산물 및 슬러리를 유기적으로 제거할 수 있다.
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도 3 내지 도 6에서, 제1 노즐 집합체(110) 및 제2 노즐 집합체(120)는 노즐 집합체 블록의 제1 면 및 제2 면에 배치될 수 있다. 노즐 집합체 블록(130)은 내부에 제1 노즐 집합체(110) 및 제2 노즐 집합체(120)의 노즐(111, 121)과 연결되는 유로를 포함할 수 있다.
이 때, 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치(100)는, 세정의 대상이 되는 패드의 면에 대하여 위쪽으로 경사진 제1 면, 및 상기 제1 면보다 아래에 배치되고 세정의 대상이 되는 패드의 면에 대하여 위쪽으로 경사진 제2 면을 포함하는 노즐 집합체 블록(130); 상기 제1 면 상에 배치되고, 제1 방향으로 유체를 분사하도록 배치된 복수의 노즐(111)을 포함하는 제1 노즐 집합체(110); 및 상기 제2 면 상에 배치되고, 제2 방향으로 유체를 분사하도록 배치된 복수의 노즐(121)을 포함하는 제2 노즐 집합체(120);를 포함하고, 상기 제1 방향 및 제2 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직한 축에 대하여 서로 다른 방향으로 경사질 수 있다.
이 때, 상기 제1 면이 위쪽으로 경사진 각도는 상기 제2 면이 위쪽으로 경사진 각도보다 작을 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시 예를 따르는 씨엠피 패드 세정장치(100)를 도시한 것이다.
도 7을 참조하면, 제2 노즐 집합체(120)에서 유체가 분사되는 각도인 제2 방향이 전방향으로 경사진 각도(B)는 제1 노즐 집합체(110)에서 유체가 분사되는 각도인 제1 방향이 전방향으로 경사진 각도(A)보다 2배 이상일 수 있다.
보다 상세하게는. 상기 제1 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직인 축(Z축)에 대하여 전방향(X축 방향)으로 15~30 도 기울어질 수 있고, 상기 제2 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직인 축에 대하여 전방향으로 40~60 도 기울어질 수 있다.
제1 방향이 기울어진 각도가 15~30도로 함으로써 패드의 홈의 바닥면 및 측면에 대한 가압을 효율적으로 할 수 있어, 패드의 홈 내부의 부산물 및 슬러리를 용이하게 배출할 수 있다. 또한, 제2 방향이 기울어진 각도가 40~60도로 함으로써 패드의 면에 대해 수평방향으로 가압을 효율적으로 할 수 있어, 패드의 면의 부산물 및 슬러리를 용이하게 제거할 수 있고, 패드의 면의 부산물 및 슬러리가 패드의 홈으로 다시 유입되는 것을 방지할 수 있다.
10: 씨엠피 장치
100: 씨엠피 패드 세정장치
110: 제1 노즐 집합체
111: 제1 노즐 집합체의 노즐
120: 제2 노즐 집합체
121: 제2 노즐 집합체의 노즐
130: 노즐 집합체 블록
200: 씨엠피 해드
300: 플레이튼
400: 패드
401: 패드의 홈
500: 슬러리 공급부
100: 씨엠피 패드 세정장치
110: 제1 노즐 집합체
111: 제1 노즐 집합체의 노즐
120: 제2 노즐 집합체
121: 제2 노즐 집합체의 노즐
130: 노즐 집합체 블록
200: 씨엠피 해드
300: 플레이튼
400: 패드
401: 패드의 홈
500: 슬러리 공급부
Claims (13)
- 제1 방향으로 유체를 분사하도록 배치된 복수의 노즐을 포함하는 제1 노즐 집합체; 및
제2 방향으로 유체를 분사하도록 배치된 복수의 노즐을 포함하는 제2 노즐 집합체;를 포함하고,
상기 제1 방향 및 제2 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직한 축에 대하여 서로 다른 각도로 경사지고,
상기 제1 노즐 집합체는 상기 제2 노즐 집합체 보다 패드의 면에 대하여 높이 배치되고, 상기 제1 노즐 집합체는 상기 제2 노즐 집합체 보다 전방향에 배치됨으로써 상기 제2 노즐 집합체의 노즐에서 분사되는 유체가 세정의 패드의 면에 가하는 압력은 상기 제1 노즐 집합체의 노즐에서 분사되는 유체가 패드의 면에 가하는 압력에 비하여 크고,
상기 제1 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직인 축에 대하여 전방향으로 경사지고,
상기 제2 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직인 축에 대하여 전방향으로 경사지고,
상기 제2 방향이 전방향으로 경사진 각도는 상기 제1 방향이 전방향으로 경사진 각도보다 큰 씨엠피 패드 세정장치.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 노즐 집합체는 상기 제2 노즐 집합체 보다 상부에 배치된 씨엠피 패드 세정장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 제2 방향이 전방향으로 경사진 각도는 상기 제1 방향이 전방향으로 경사진 각도보다 2배 이상인 씨엠피 패드 세정장치.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직인 축에 대하여 전방향으로 15~30 도 기울어진 씨엠피 패드 세정장치.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 노즐 집합체의 노즐에서 분사되는 유체가 세정의 대상이 되는 패드 면에 분사되는 면적은 상기 제2 노즐 집합체의 노즐에서 분사되는 유체가 세정의 대상이 되는 패드 면에 분사되는 면적에 비하여 넓은 씨엠피 패드 세정장치.
- 삭제
- 세정의 대상이 되는 패드의 면에 대하여 위쪽으로 경사진 제1 면, 및 상기 제1 면보다 아래에 배치되고 세정의 대상이 되는 패드의 면에 대하여 위쪽으로 경사진 제2 면을 포함하는 노즐 집합체 블록;
상기 제1 면 상에 배치되고, 제1 방향으로 유체를 분사하도록 배치된 복수의 노즐을 포함하는 제1 노즐 집합체; 및
상기 제2 면 상에 배치되고, 제2 방향으로 유체를 분사하도록 배치된 복수의 노즐을 포함하는 제2 노즐 집합체;를 포함하고,
상기 제1 방향 및 제2 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직한 축에 대하여 서로 다른 각도로 경사지고,
상기 제2 노즐 집합체의 노즐에서 분사되는 유체가 세정의 패드의 면에 가하는 압력은 상기 제1 노즐 집합체의 노즐에서 분사되는 유체가 패드의 면에 가하는 압력에 비하여 크고,
상기 제1 노즐 집합체는 상기 제2 노즐 집합체 보다 전방향에 배치되고,
상기 제1 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직인 축에 대하여 전방향으로 경사지고,
상기 제2 방향은 세정의 대상이 되는 패드의 면에 수직인 축에 대하여 전방향으로 경사지고,
상기 제2 방향이 전방향으로 경사진 각도는 상기 제1 방향이 전방향으로 경사진 각도보다 큰 씨엠피 패드 세정장치.
- 제10항에 있어서,
상기 제1 면이 위쪽으로 경사진 각도는 상기 제2 면이 위쪽으로 경사진 각도보다 작은 씨엠피 패드 세정장치.
- 삭제
- 제1항의 패드 세정장치를 포함하는 씨엠피 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160146314A KR101848166B1 (ko) | 2016-11-04 | 2016-11-04 | 씨엠피 패드 세정장치 및 이를 포함하는 씨엠피장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160146314A KR101848166B1 (ko) | 2016-11-04 | 2016-11-04 | 씨엠피 패드 세정장치 및 이를 포함하는 씨엠피장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101848166B1 true KR101848166B1 (ko) | 2018-04-11 |
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ID=61975884
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1020160146314A KR101848166B1 (ko) | 2016-11-04 | 2016-11-04 | 씨엠피 패드 세정장치 및 이를 포함하는 씨엠피장치 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR101848166B1 (ko) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003229393A (ja) * | 1997-06-24 | 2003-08-15 | Applied Materials Inc | スラリディスペンサとリンスアームの組み合わせ、および操作方法 |
KR100691473B1 (ko) * | 2005-11-17 | 2007-03-09 | 주식회사 케이씨텍 | 기판건조용 에어나이프 모듈 및 이를 이용한 기판건조장치 |
-
2016
- 2016-11-04 KR KR1020160146314A patent/KR101848166B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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