JP4162001B2 - ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 - Google Patents
ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4162001B2 JP4162001B2 JP2005339257A JP2005339257A JP4162001B2 JP 4162001 B2 JP4162001 B2 JP 4162001B2 JP 2005339257 A JP2005339257 A JP 2005339257A JP 2005339257 A JP2005339257 A JP 2005339257A JP 4162001 B2 JP4162001 B2 JP 4162001B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing liquid
- liquid supply
- wafer
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
また、請求項1に記載の発明において、前記研磨液供給部材は、前記研磨パッドに近接、又は接触させるとともに、該研磨液供給部材を流下した前記研磨液が、前記研磨パッドに形成された溝の底部と接触しない位置に設けられることを特徴としている。請求項1の発明によれば、研磨液供給部材の先端は研磨パッド表面に対して研磨液が液滴となって滞留しないように接触、または研磨液が液滴とならない距離に近接されている。しかし、研磨パッドに形成されている、古い研磨液や研磨屑の排出等に利用される研磨に直接関与しない溝の底部に対しては、研磨液の表面張力により研磨液が液滴となる距離まで研磨液供給部材の先端が離れている。このため、溝部分では研磨液が液滴となり、研磨液供給部材より溝底部へ直接研磨液が供給されない。これにより、研磨液を研磨パッド表面にのみ効率的に供給することが可能となる。
ウェーハ圧力
3psi
リテーナ圧力
1psi
研磨パッド回転数
80rpm
キャリア回転数
80rpm
スラリ供給レート
100ml/min
研磨パッド
IC1400−Pad D30.3(ニッタハース社製)
研磨時間
60sec
エアーフロート流量
49L/min
スラリ(研磨液)
ヒュームドシリカスラリー
SS25(1:1水希釈)(キャボット社製)
ウェーハ
酸化膜付き12inchウェーハ
(PETEOS on Si)
ドレッシング方法
In−situドレッシング
ドレッシング力
4kgf
(4インチドレッサー:三菱マテリアル社製)
ドレス揺動周期
1times/10sec
ドレッサ回転数
88rpm
従来構成の研磨液供給手段としては、PFAチューブを研磨パッド上部に配置する。PFAチューブは直径6mmとし、研磨パッドの中心より50mmの場所に研磨液としてのスラリを滴下する。
Claims (10)
- 研磨液が供給されてウェーハの研磨を行う研磨パッドと、
前記ウェーハを保持する保持ヘッドと、
前記研磨液を前記研磨パッド上へ供給する1つ以上の研磨液供給手段と、を備え、
前記研磨液供給手段に設けられた研磨液供給部材を前記研磨パッドに近接、又は接触させるとともに相対的に移動させ、前記研磨液供給部材の上部に供給された前記研磨液を、該研磨液供給部材に沿って流下させて前記研磨パッド表面に供給するウェーハ研磨装置において、
前記研磨液供給部材は、前記研磨パッドに近接、又は接触させるとともに、該研磨液供給部材を流下した前記研磨液が、前記研磨パッドに形成された溝の底部と接触しない位置に設けられることを特徴とするウェーハ研磨装置。 - 前記研磨液供給手段は、前記研磨パッドの中央部から周辺部に向けて該研磨パッドの半径方向に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のウェーハ研磨装置。
- 前記研磨液供給部材は、複数の溝が形成された板状部材、又は複数の糸状部材を束ねて形成された刷毛状部材により形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のウェーハ研磨装置。
- 前記研磨液供給手段には、研磨液を前記研磨液供給部材に供給する研磨液供給管が設けられ、前記研磨液供給管は、該研磨液供給管側面に水平に形成されたスリットに接するように設けられた前記研磨液供給部材へ、該研磨液供給管内に一定量以上貯留し前記スリットより流出した前記研磨液を供給することを特徴とする請求項1、2、又は3のいずれか1項に記載のウェーハ研磨装置。
- 前記研磨液供給管には、該研磨液供給管の水平度を計測するための傾斜センサが設けられていることを特徴とする請求項4に記載のウェーハ研磨装置。
- 前記研磨液供給部材は、高分子樹脂素材により形成されていることを特徴とする請求項1、2、3、4、又は5のいずれか1項に記載のウェーハ研磨装置。
- 前記ウェーハ研磨装置は、前記研磨液を供給した後の前記研磨液供給部材を洗浄する洗浄装置が備えられていることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、又は6のいずれか1項に記載のウェーハ研磨装置。
- 溝が形成された板状部材、又は複数の糸状部材を束ねて形成された刷毛状部材で形成される1つ以上の研磨液供給部材を、ウェーハの研磨を行う研磨パッドに近接、又は接触させて相対的に移動させるとともに、該研磨液供給部材の上部に供給された研磨液を、該研磨液供給部材に沿って流下させることにより前記研磨パッド表面へ供給して前記ウェーハの研磨を行なうことを特徴とするウェーハ研磨方法において、
前記研磨液供給部材は、前記研磨パッドに近接、又は接触させるとともに、該研磨液供給部材を流下した前記研磨液が、前記研磨パッドに形成された溝の底部と接触しない位置に設けられることを特徴とするウェーハ研磨方法。 - 前記研磨パッドに接触されている前記研磨液供給部材は、該研磨パッド上の研磨残留物を除去するとともに、該研磨液供給部材の上部に供給された研磨液を、該研磨液供給部材に沿って流下させて前記研磨パッドへ供給することを特徴とする請求項8に記載のウェーハ研磨方法。
- 前記研磨液供給部材は、前記研磨パッドと接触する部分に前記研磨パッドのドレッシングを行なうパッドドレッサーが設けられ、前記研磨パッドをドレッシングするとともに該研磨液供給部材の上部に供給された研磨液を、該研磨液供給部材に沿って流下させて前記研磨パッドへ供給することを特徴とする請求項8に記載のウェーハ研磨方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005339257A JP4162001B2 (ja) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 |
US11/560,952 US7753761B2 (en) | 2005-11-24 | 2006-11-17 | Wafer polishing apparatus and wafer polishing method |
US12/246,197 US8043140B2 (en) | 2005-11-24 | 2008-10-06 | Wafer polishing apparatus and wafer polishing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005339257A JP4162001B2 (ja) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008110466A Division JP4702641B2 (ja) | 2008-04-21 | 2008-04-21 | 研磨パッド表面への研磨液供給装置及び研磨パッド表面への研磨液供給方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007149781A JP2007149781A (ja) | 2007-06-14 |
JP4162001B2 true JP4162001B2 (ja) | 2008-10-08 |
Family
ID=38210863
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005339257A Expired - Fee Related JP4162001B2 (ja) | 2005-11-24 | 2005-11-24 | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7753761B2 (ja) |
JP (1) | JP4162001B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9902038B2 (en) | 2015-02-05 | 2018-02-27 | Toshiba Memory Corporation | Polishing apparatus, polishing method, and semiconductor manufacturing method |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5723740B2 (ja) * | 2011-10-11 | 2015-05-27 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置のブレード潤滑機構及びブレード潤滑方法 |
US20130196572A1 (en) * | 2012-01-27 | 2013-08-01 | Sen-Hou Ko | Conditioning a pad in a cleaning module |
KR101879230B1 (ko) * | 2012-02-15 | 2018-08-20 | 주식회사 케이씨텍 | 반도체 기판 연마용 가공 장치 |
KR101880449B1 (ko) * | 2012-02-17 | 2018-07-23 | 주식회사 케이씨텍 | 반도체 기판 연마용 가공 장치 |
US9011207B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-21 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm combination floating and rigid abrading workholder |
US9604339B2 (en) | 2012-10-29 | 2017-03-28 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane wafer polishing workholder |
US8845394B2 (en) | 2012-10-29 | 2014-09-30 | Wayne O. Duescher | Bellows driven air floatation abrading workholder |
US8998678B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Spider arm driven flexible chamber abrading workholder |
US9199354B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-12-01 | Wayne O. Duescher | Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder |
US9039488B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-05-26 | Wayne O. Duescher | Pin driven flexible chamber abrading workholder |
US9233452B2 (en) | 2012-10-29 | 2016-01-12 | Wayne O. Duescher | Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder |
US8998677B2 (en) | 2012-10-29 | 2015-04-07 | Wayne O. Duescher | Bellows driven floatation-type abrading workholder |
TWI577497B (zh) * | 2012-10-31 | 2017-04-11 | Ebara Corp | Grinding device |
US9744642B2 (en) * | 2013-10-29 | 2017-08-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry feed system and method of providing slurry to chemical mechanical planarization station |
CN104742007B (zh) * | 2013-12-30 | 2017-08-25 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 化学机械研磨装置和化学机械研磨方法 |
WO2016093963A1 (en) * | 2014-12-12 | 2016-06-16 | Applied Materials, Inc. | System and process for in situ byproduct removal and platen cooling during cmp |
US10926378B2 (en) | 2017-07-08 | 2021-02-23 | Wayne O. Duescher | Abrasive coated disk islands using magnetic font sheet |
JP7059117B2 (ja) * | 2017-10-31 | 2022-04-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの研磨面の温度を調整するための熱交換器、該熱交換器を備えた研磨装置、該熱交換器を用いた基板の研磨方法、および研磨パッドの研磨面の温度を調整するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US11691241B1 (en) * | 2019-08-05 | 2023-07-04 | Keltech Engineering, Inc. | Abrasive lapping head with floating and rigid workpiece carrier |
US11724355B2 (en) | 2020-09-30 | 2023-08-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate polish edge uniformity control with secondary fluid dispense |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE419946B (sv) * | 1974-10-16 | 1981-09-07 | Inventing Ab | Sett och anordning for bestrykning av en lopande bana |
SE412862C (sv) * | 1977-02-14 | 1982-01-25 | Billeruds Ab | Anordning for undertrycksbestrykning av en lopande bana |
US4907426A (en) * | 1987-09-11 | 1990-03-13 | Fabcon, Inc. | Method and apparatus for washing a porous mat |
US5486131A (en) * | 1994-01-04 | 1996-01-23 | Speedfam Corporation | Device for conditioning polishing pads |
AU7264596A (en) * | 1995-10-13 | 1997-04-30 | Ontrak Systems, Inc. | Method and apparatus for chemical delivery through the brush |
US5928062A (en) * | 1997-04-30 | 1999-07-27 | International Business Machines Corporation | Vertical polishing device and method |
US5885147A (en) * | 1997-05-12 | 1999-03-23 | Integrated Process Equipment Corp. | Apparatus for conditioning polishing pads |
US6139406A (en) | 1997-06-24 | 2000-10-31 | Applied Materials, Inc. | Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation |
JPH11277411A (ja) | 1998-03-25 | 1999-10-12 | Ebara Corp | 基板の研磨装置 |
US6551174B1 (en) | 1998-09-25 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Supplying slurry to a polishing pad in a chemical mechanical polishing system |
US6358124B1 (en) * | 1998-11-02 | 2002-03-19 | Applied Materials, Inc. | Pad conditioner cleaning apparatus |
JP2000153460A (ja) | 1998-11-16 | 2000-06-06 | Tokyo Seiko Co Ltd | 液体供給装置 |
US6284092B1 (en) | 1999-08-06 | 2001-09-04 | International Business Machines Corporation | CMP slurry atomization slurry dispense system |
US6224470B1 (en) * | 1999-09-29 | 2001-05-01 | Applied Materials, Inc. | Pad cleaning brush for chemical mechanical polishing apparatus and method of making the same |
US6193587B1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-02-27 | Taiwan Semicondutor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus and method for cleansing a polishing pad |
KR20020020081A (ko) * | 2000-09-07 | 2002-03-14 | 윤종용 | 연마 패드 컨디셔너 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
JP2002254248A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-10 | Sony Corp | 電解加工装置 |
US6398627B1 (en) | 2001-03-22 | 2002-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry dispenser having multiple adjustable nozzles |
JP2002355759A (ja) | 2001-05-30 | 2002-12-10 | Hitachi Cable Ltd | ウエハ研磨装置 |
JP2003220554A (ja) | 2002-01-28 | 2003-08-05 | Mitsubishi Materials Corp | 研磨装置及びこれを用いた被研磨材の研磨方法 |
AU2003218477A1 (en) * | 2002-04-02 | 2003-10-20 | Rodel Holdings, Inc. | Composite conditioning tool |
JP2004063888A (ja) | 2002-07-30 | 2004-02-26 | Applied Materials Inc | 化学機械研磨装置用のスラリ供給装置 |
KR20050005959A (ko) * | 2003-07-08 | 2005-01-15 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 연마패드 컨디셔닝 방법 |
KR100513402B1 (ko) * | 2003-09-25 | 2005-09-09 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 연마 패드의 컨디셔너 클리닝장치 |
JP2006147773A (ja) | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Ebara Corp | 研磨装置および研磨方法 |
-
2005
- 2005-11-24 JP JP2005339257A patent/JP4162001B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-11-17 US US11/560,952 patent/US7753761B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-10-06 US US12/246,197 patent/US8043140B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9902038B2 (en) | 2015-02-05 | 2018-02-27 | Toshiba Memory Corporation | Polishing apparatus, polishing method, and semiconductor manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7753761B2 (en) | 2010-07-13 |
US20070161338A1 (en) | 2007-07-12 |
US20090042489A1 (en) | 2009-02-12 |
US8043140B2 (en) | 2011-10-25 |
JP2007149781A (ja) | 2007-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4162001B2 (ja) | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 | |
JP5080769B2 (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
JP2008068389A5 (ja) | ||
US6527624B1 (en) | Carrier head for providing a polishing slurry | |
US7572172B2 (en) | Polishing machine, workpiece supporting table pad, polishing method and manufacturing method of semiconductor device | |
KR20030066796A (ko) | 표면적을 감소시킨 폴리싱 패드와 가변적/부분적패드-웨이퍼 중복 기술을 이용한 반도체 웨이퍼의 폴리싱및 평탄화 시스템 및 방법 | |
KR20140099191A (ko) | 기판 이면의 연마 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR20110065464A (ko) | 이동식 슬러리 분배기를 구비하는 화학적 기계적 연마 장치 및 방법 | |
US7025663B2 (en) | Chemical mechanical polishing apparatus having conditioning cleaning device | |
US20190143477A1 (en) | Apparatus and method for planarizing substrate | |
JP4702641B2 (ja) | 研磨パッド表面への研磨液供給装置及び研磨パッド表面への研磨液供給方法 | |
EP1052061A2 (en) | System for chemical mechanical planarization | |
US6908371B2 (en) | Ultrasonic conditioning device cleaner for chemical mechanical polishing systems | |
CN113165142B (zh) | 清洗组件及具备清洗组件的基板处理装置 | |
US20160303703A1 (en) | Scanning Chemical Mechanical Polishing | |
JP5034262B2 (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
US6929533B2 (en) | Methods for enhancing within-wafer CMP uniformity | |
JP6625461B2 (ja) | 研磨装置 | |
JP2015044250A (ja) | ポリッシング方法 | |
JP4683222B2 (ja) | ウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法 | |
US20070042686A1 (en) | Method and apparatus for cleaning slurry depositions from a water carrier | |
JP2007221072A (ja) | ウェーハ洗浄乾燥装置及びウェーハ洗浄乾燥方法 | |
US20050092255A1 (en) | Edge-contact wafer holder for CMP load/unload station | |
JP2004335648A (ja) | Cmp装置及びcmp用研磨パッドのイニシャライズ方法及び半導体装置 | |
US20240139909A1 (en) | Substrate processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071002 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20071002 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20071031 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071226 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080421 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080613 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080701 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080714 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4162001 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110801 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120801 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130801 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S802 | Written request for registration of partial abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311802 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |