JPH1170464A - スラリディスペンサとリンスアームの組合せ、および操作方法 - Google Patents

スラリディスペンサとリンスアームの組合せ、および操作方法

Info

Publication number
JPH1170464A
JPH1170464A JP17306098A JP17306098A JPH1170464A JP H1170464 A JPH1170464 A JP H1170464A JP 17306098 A JP17306098 A JP 17306098A JP 17306098 A JP17306098 A JP 17306098A JP H1170464 A JPH1170464 A JP H1170464A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pad
arm
substrate
nozzles
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17306098A
Other languages
English (en)
Inventor
Kennedy Daniel
ケネディ ダニエル
Fuksshimov Boris
フクシモヴ ボリス
Victor Belitsky
ベリツキー ヴィクター
Kyle Brown
ブラウン カイル
Tom Osterheld
オスターヘルド トム
Jeff Beeler
ビーラー ジェフ
Ginetto Addiego
アーディエゴ ジネット
Boris Fishkin
フィッシュキン ボリス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JPH1170464A publication Critical patent/JPH1170464A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨流体等を面に供給する好適な装置および
方法を提供する。 【解決手段】 本発明は、研磨パッド面等の面に一つ以
上のリンス剤、好ましくは一つ以上の研磨流体を供給す
る好適な方法および装置を提供する。本発明は、一つ以
上のリンス剤の噴霧を面に供給し、好ましくはこの面を
横断して中心領域から、望ましくない異物および材料が
収集される外部領域までリンス剤を流すことによって、
研磨パッド面や基板表面等の一つ以上の面を洗浄する方
法も提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハの化学機
械研磨に関し、特に、スラリディスペンサ(slurry dis
penser)およびリンスアーム(rinse arm)、並びに化
学機械研磨を実行する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路は、通常、導電層や半導体層や
絶縁層を順次堆積することによって、基板上、特にシリ
コンウェーハ上に形成される。各層は、堆積後、回路図
形を形成するためにエッチングされる。一連の層が順次
に堆積されエッチングされると、基板の最上面、すなわ
ち基板の露出面がその表面全域にわたって非平坦になる
場合があり、平坦化が必要となることがある。これは、
基板上に形成された各層の厚さが、基板表面上に形成さ
れる回路の不均一な幾何学形状の結果として、基板表面
にわたって変化する場合に発生する。パターニングされ
た複数の下地層を有する応用例では、山と谷との間の高
低差が一層深刻になり、数ミクロンに近くなることもあ
る。
【0003】化学機械研磨(CMP)は、一般に認めら
れた平坦化方法の一つである。図1に示される典型的な
CMPシステムでは、基板12は、大型の回転自在プラ
テン16上に配置された研磨パッド14上に下向きに載
置されている。キャリヤ18は、基板を保持し、研磨
中、基板を研磨パッドに当てて保持するように基板の背
面に圧力を加える。保持リング20は、通常、基板の外
周のまわりに配置され、研磨中に基板が横方向にスリッ
プしないようにする。スラリが研磨パッドの中心部に供
給され、研磨中の膜を化学的にパッシベート(passivat
e)または酸化して、膜の表面を研削除去または研磨す
る。スラリ中の反応剤が基板表面上の膜と反応して、研
磨を促進する。研磨パッド、砥粒、および反応剤と基板
表面との相互作用によって、所望の膜の制御研磨が可能
になる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】CMPで現れる一つの
問題点は、研磨パッドに供給されたスラリが凝固して、
基板から除去されてくる材料とともにパッドの溝や他の
表面形状を詰まらせ、これによって、後に続く研磨ステ
ップの有効性が低くなると共に、ディフェクト性能(de
fect performance)が劣化する可能性が高まることであ
る。従って、一部のCMPシステムにはリンスアームが
組み込まれていて、純水(脱イオン水)やその他のリン
ス剤をパッドに供給することにより、溝の中やパッドの
表面上における凝固スラリやその他の材料のパッドから
のリンス(rinsing)を促進している。米国特許第5,57
8,529号に開示されているリンスアームには、大気圧よ
りもわずかに高い圧力でパッド表面にリンス剤を供給す
るようにその全長に沿って配置されたスプレーノズルを
備えるリンスアームが含まれている。カリフォルニア州
サンタクララのアプライドマテリアルズ社(Applied Ma
terials, Inc.)が提供する別のリンスアセンブリは、
リンス剤および/またはスラリをパッドの中心部に供給
する単一の流体供給アーム内にリンスラインと一つ以上
のスラリ供給ラインとを組み合わせている。このアセン
ブリは、同時係属米国特許出願第08/549,336号「化学機
械研磨用の連続処理システム」に記載されている。
【0005】しかしながら、これらのリンスアセンブリ
はそれぞれ、いくつかの欠点を有している。第1に、上
記特許に開示されているリンスアームは、一つの研磨パ
ッドから隣接する研磨パッドへパーティクルやその他の
望ましくない異物(debris)を移送する可能性のある飛
散(splashing)を生じやすい。更に、リンスアームが
パッドの真上の位置に固定されているので、パッドを容
易に取り外すことができない。更にまた、リンスアーム
は、リンス剤をパッドの中心部に供給するためにパッド
の中心部の真上に配置しなければならない。パッドに対
する基板キャリヤの配置によっては、基板キャリヤをパ
ッドから外して研磨ステップを中断しない限りパッドの
中央部をリンスできない場合がある。
【0006】米国特許出願第08/549,336号に記載されて
いるリンスアセンブリは、リンス剤がリンスアームの全
長に沿ってパッドに強く供給されないという点で制約が
ある。更に、リンス剤は、パッドの中心部に供給される
か、あるいは供給流路の分配端部(dispensing end)が
配置される場所に供給される。
【0007】従って、研磨パッド上の位置から移動させ
ることができ、制御不能なリンス剤の飛散を生じさせ
ず、研磨パッド全体を覆うように配置しなくてもパッド
の表面全体にリンス剤を供給するリンスおよびスラリ供
給システムの実現が要望されている。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、一つ以上のス
ラリ供給流路と一つ以上のリンス剤供給流路とを形成す
る回転自在アームを備えた流体供給アセンブリを提供す
る。好ましくは、一連のノズルがアーム上に配置されて
リンス剤供給流路に接続され、一つ以上のリンス剤を大
気圧を超える圧力で面に供給するようになっていると良
い。ある態様では、飛沫よけがリンス剤供給流路に隣接
するアームから下方に配置されており、リンス剤の供給
によって生じる飛散の影響を制限すると共にパッドから
のパーティクルを効率よく除去するための流路を形成す
るようになっている。別の態様では、ノズルをアームの
平面に対して一定の角度をつけてアーム上に配置するこ
とで、選択された面と交差する方向にその面に対して非
垂直な角度で流体を供給し、その面にスイープ効果を与
えることができる。この他に、面に向かう方向に流体を
供給するようにノズル噴霧パターンを選択してもよい。
【0009】ある態様では、少なくとも一つのノズル
が、パッドの上にアームを延在させる必要なく、リンス
剤をパッドの中心部または中心部付近に供給するように
なっている。この態様には、パッドの中心部の上に配置
されたノズル、またはパッドの中心部付近のリンスアー
ム上に配置されたノズルが含まれていてもよい。リンス
アームは、パッドの中心部の上に延在していないことが
好ましい。更に、一つ以上のノズルが面上に向かって下
向きにリンス剤を供給し、あるいはパッドの縁部に向か
う方向にリンス剤を供給するようになっていて、パッド
からのリンス剤および収集材料の除去が促進されるよう
になっていてもよい。
【0010】別の態様では、本発明は、研磨ステップお
よび各研磨ステップに続くパッドリンスステップを提供
して各ウェーハ上のパーティクル数を削減すると共に、
各処理ステップに先立ってパッドをコンディショニング
することにより各研磨ステップの反復性を改善するCM
P方法を提供する。リンスステップは、パッドから基板
を取り外す前に開始され、別の基板が処理のために位置
決めされるまで、またはパッドが洗浄されるまで、継続
することが好ましい。マルチパッドシステムでは、リン
スステップが各ステーションで実行されることが望まし
い。また、この代わりに、基板が他のパッドでの研磨に
続いて追加の洗浄を受ける場所に最終リンスステーショ
ン(final rinse station)が含まれていてもよい。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明の上記の特徴、利点および
目的を達成する方法を詳しく理解できるように、上記で
簡単に概要を述べた本発明を、添付の図面に示される実
施形態を参照して更に具体的に説明する。
【0012】しかしながら、添付の図面は、本発明の代
表的な実施形態を示すものに過ぎず、従って、本発明の
範囲を限定するものと考えるべきではない。というの
も、本発明は、同等に有効な他の実施形態を含む場合が
あるからである。
【0013】本発明は、少なくとも一つのリンス剤供給
ライン(rinse agent delivery line)と、好ましくは
一つのスラリ供給ライン(slurry delivery line)と、
を有する化学機械研磨装置用の流体供給アセンブリを提
供する。本発明の一態様では、リンス剤供給ラインは、
このラインの長さに沿ってライン上に配置され、リンス
剤の噴霧を大気圧を超える圧力で面に供給する一つ以上
のスプレーノズルと、このノズルからの噴霧を閉じ込め
て他のシステムコンポーネントやウェーハのクロスコン
タミネーションを制御する飛沫よけ(splash guard)
と、を有している。好適な実施形態では、流体供給アセ
ンブリが、リンス剤および/またはスラリの供給を意図
する面に近接して回転自在に取り付けられており、交換
および/または他のメンテナンスのためにその面へ容易
にアクセスできるようになっている。更に、スイープノ
ズル(sweeping nozzle)をアーム上に配置して、被洗
浄面の縁部に向けてリンス剤および異物(debris)を追
いやって除去するようにしてもよい。
【0014】本発明は、基板がまだパッドと接触してい
る間、およびその直後に、研磨パッド面等の面にリンス
剤を供給して基板と面とをリンスする洗浄プロセスおよ
び研磨プロセスを更に提供する。これらのプロセスは、
基板がキャリヤに対してロード/アンロードされる間、
またはキャリヤが別の処理ステーションまで回転させら
れる間にリンスステップを実質上実行することによって
基板スループットを少なくとも増加させるという利点を
有している。もう一つの利点は、パッドからの取り外し
に先立って基板をリンスした後、処理のために別の基板
がパッド上に配置されるまでパッドのリンスを継続する
ことによって、リンスステップが、各基板に伴うパーテ
ィクルディフェクト(particle defect)の数を低下さ
せることである。
【0015】図2は、研磨パッド22の上に配置された
本発明の流体供給システム20の一実施形態を有するC
MPシステムの平面図である。この流体供給システム
は、パッドの縁部から外側に配置された基部26および
パッドの上に配置された端部28を有する供給アーム2
4を有している。基部26は、研磨パッドの上方の処理
位置とパッドに隣接するメンテナンス位置との間で流体
供給システム20が回転できるようにシャフト40(図
3、図4、図5および図8に示す)に取り付けられてい
る。アームは、一般に、その基部26からその端部28
までその長さに沿って角度がつけられており(但し、直
線状であっても良い)、流体供給アーム24に取り付け
られるか流体供給アーム24の内部に配置される二つの
スラリ供給ライン30、32を含んでいる。好ましく
は、これらのスラリ供給ラインとしてチューブが使用さ
れ、一つ以上のスラリがダイヤストリックポンプ(dias
tolicpump)やその他の種類のポンプを使って一つ以上
のスラリソースからチューブの端部を通して圧出される
ようになっているとよい。中央リンス剤供給ライン38
は、流体供給アームの下面44に取り付けられた複数の
ノズル34、36に一つ以上のリンス剤を供給する。端
部28がパッド22の中心部から手前の位置で終端して
いて、アームをキャリヤと衝突させる危険なく、基板を
保持するキャリヤが研磨中にパッドを横切って径方向に
移動し、パッドの中心部に接近するか、あるいはパッド
の中心部の上にまでくることができるようになっている
ことが好ましい。ノズル36は、アームの平面に対して
一定の角度でアームの端部に配設されており、一つ以上
のリンス剤をパッドの中心部に供給するようになってい
る。あるいは、直線状アームまたは角度付きアームがパ
ッド中心部の上方に延在し、アームの末端またはその付
近にノズル34を装備していてパッドの中心部分にリン
ス剤を供給する。典型的なハウス圧力は、約15psi
から約100psiまでの範囲であり、この範囲は、大
気圧よりも高い圧力でパッドにリンス剤を供給するのに
は十分である。リンス剤は、約30psi以上の圧力で
供給することが好ましい。
【0016】図3は、図2の流体供給アセンブリ20の
断面図であり、リンス剤供給ライン38と取付けシャフ
ト40とを示している。シャフト40は、流体を流体供
給アーム24へ供給するリンス剤流路42をその長さに
沿って形成している。アームも同様に、端部28を終端
とする流路または供給ライン38をその長さに沿って形
成している。以下に示される他の実施形態では、リンス
剤流路または供給ライン38は、以下に説明するスイー
プノズル37に流体を供給するための延長部を含んでい
てもよい。流路またはライン38の機械加工に使用され
るプロセスに応じて、流路の一端または両端にプラグ4
6を配置することができる。リンス剤流路42は、CM
Pシステムに関連して設けられたソースからアーム24
の流路または流体供給ライン38へ一つ以上のリンス剤
を供給する。シャフト40とアーム24との間にシール
が設けられるが、これについては図7を参照して以下で
より詳細に説明する。流路42、38は、機械加工流路
であってもよいし、シャフトおよびアームを貫通させて
配置され、その各々の中に固定されたチューブであって
もよい。
【0017】一連のノズル34、36は、アームの下面
44に螺設されるか、さもなければ別の方式で配設さ
れ、リンス剤供給ライン38に接続される。ある実施形
態では、図示の噴霧パターンを有する5個のスプレーノ
ズルがアームの長さに沿って螺設されている。エンドノ
ズル36は、アーム平面に対して一定の角度(例えば鋭
角)をつけて配置されており、アームの端部28から離
れてパッド14の中心部Cに向かうように流体を供給す
る。これらのノズルは、パッド表面に接触するリンス剤
の噴霧によって生じる飛散の影響を低減するようにリン
ス剤を扇形平面で供給する先細ノズル(fine tipped no
zzle)が好ましい。好適に使用することができるノズル
の一例は、イリノイ州ウィートン(Wheaton)のスプレ
ーイング・システムズ社(Spraying Systems Company)
からKynar(商標)シリーズのVeejet Spray Nozzl
eモデルとして市販されている。好適な実施形態では、
これらのノズルは、パッドの大部分がノズルからの噴霧
を確実に受けるように重なりのあるパターンで流体を供
給する。エンドノズル36は、アームの端部を越えて外
向きに流体を供給し、パッドの中央部を含む残りのパッ
ド領域をカバーするように配置されるが、パッドの各領
域が確実に洗浄されるように隣接ノズルからの噴霧を重
ねることが望ましい。噴霧パターンの重ね合わせは好ま
しいことではあるが、各噴霧パターンが隣接パターンと
重なる必要はない。
【0018】別の実施形態では、これらのノズルが、パ
ッド14の縁部Eに向かってパッドの表面の上で下方向
外向きにリンス剤の向きを設定する噴霧パターンを含ん
でいてもよい。一例を挙げると、図4に示すように、ア
ーム26の基部に向かって外向きに向けられた扇形パタ
ーンを有するノズルを使用することができる。その他
に、図5に示すように、スイープノズル37をノズル3
4と混在させ、リンスアームの平面から非垂直の角度で
アームに取り付けてもよい。これにより、スイープノズ
ル37は、ノズル34および37からの噴霧をパッド1
4の外縁Eに向けると共に、蓄積したリンス剤および異
物を外縁Eに向かって押し流してパッド14から除去す
る。本発明の一実施形態として、図5に示されるアーム
28は、研磨パッド14の中央部Cの上方に延在してい
る。
【0019】スイープノズル37を介して噴霧をパッド
面の上で下方向外向きに向けることにより、材料の除去
とパッド面の洗浄化を促進することができるものと考え
られる。ノズル34および36がリンス剤の噴霧をパッ
ドに直接供給するように配置されているとともに、スイ
ープノズルがパッドからの材料およびリンス剤の除去を
促進するように配置されていることが望ましい。ノズル
34および36は、パッド14とリンスアーム28およ
びシールド部材68との間に十分な量のリンス剤を供給
するように最適な圧力に設定されたリンス剤の向きを、
擾乱が生じてパーティクルが上昇し、その量の流体中に
懸濁するように設定する。好ましくは、ノズル37から
の角度付き噴霧も最適圧力に設定して、懸濁パーティク
ルおよびリンス剤をパッドから離れる方向に向け、すな
わち、それによってパッドからパーティクルおよび流体
をきれいに押し流してパッド14からのリンス剤や異物
の除去を促進するようになっているとよい。スイープノ
ズル37は、重い材料が使用されるプロセスや、スラ
リ、凝集粒子(agglomerate)および/またはウェーハ
異物からなる重い蓄積物が研磨中に生じるようなプロセ
スに特に用いられる。
【0020】図6(a)〜(d)は、リンス剤をパッド
に供給するノズルおよび噴霧パターンの他の実施形態の
概略図である。この実施形態は、図3〜図5に示される
ノズル34および36と、図5に示されるような追加の
スイープノズル37と、を含んでいる。この追加スイー
プノズル37は、アーム24内に配置されるか、あるい
はパッドの表面に非垂直の角度でリンス剤を供給するよ
うになっている。図6(a)は、アーム24の中央から
ずれたノズル34および36と、それらに隣接するよう
に配置された隣接スイープノズル37と、を示してい
る。これらのスイープノズル37は、ノズル34および
36と横方向に整列させてもよいし、ノズル34および
36からずらしてもよい。図6(a)〜(d)は、ノズ
ル34および36からずれたスイープノズル37を示し
ている。
【0021】図6(b)は、アームの長さに沿って中央
に配置されたノズル34、36と、アームの両側面に沿
って配置された2列のスイープノズル37と、を示して
いる。これらのスイープノズル37は、ノズル34、3
6と整列されていてもよいし、ノズル34、36からず
れていてもよい。図6(c)は、2列のスイープノズル
37についての千鳥形パターンを示す別の変形例であ
る。図6(d)は、追加ノズル34と一対の追加スイー
プノズル37とを含む更に別の実施形態を示している。
図6(c)および図6(d)に示されるアームの端部に
配置されたノズル34は、パッドの中心部の上方、ある
いはパッドの中心部の少なくとも付近に延びて、リンス
剤をパッドの中心部に供給する。ノズル34、36、3
7の数と配置は、パッドの寸法や、スラリ材料、パッド
材料、被研磨材料を含む使用材料や、水量や水圧等に応
じて変更することができる。更に、これらのノズルと、
ノズル34、36、37に流体を供給するラインとは、
スラリ供給ラインがアームの長さに沿った経路をとるこ
とができるように配置される。
【0022】図7は、アーム24とシャフト40との間
の接続部の詳細な断面図であり、アームとシャフトの各
々に形成された流路38、42の間のシールを示してい
る。シャフトの上部は、アームが取り付けられる平坦合
わせ面48を有していることが好ましい。アームは、ね
じ49や他の接続部材/装置を使用してシャフト40に
固定される。環状カップリング50がシャフトの上端に
おいて流路42のまわりに形成されており、アーム24
の下面に形成された凹部51と嵌合するようになってい
る。シャフトをアームとシールさせるOリング54を取
り付けるために、Oリング溝52がシャフトの上端の合
わせ面48に形成されている。カップリング50の面取
り縁により、組立が容易になる。
【0023】図8は、アーム24に配置され、シャフト
40を貫通するスラリ供給ラインの一つ32を示す断面
図である。スラリライン30、32は、取外し可能なチ
ューブから形成されていることが好ましい。このチュー
ブは、シャフト40内に形成された流路56を貫通する
ように配置され、アームの下面44に形成された一対の
流路58(図10に示す)内に設置されている。チュー
ブを流路58内の所定箇所に固定するために、カバー6
1がアームの下面に取り付けられている。この代わり
に、ラインを溝58に圧入し、ブラケットやその他の取
付部品によって溝の内部に固定してもよい。スラリ供給
ライン30、32の端部59は、スラリをパッドへ供給
するために、カバー61内に形成された一対の流路63
を貫通してアーム24の端部から出される。チューブの
分配端部がパッドの中心部に近接して配置されるように
流路63を配置および角度付けし、スラリをパッドの中
心部に分配できるようにしてもよい。
【0024】図9は、アーム24とシャフト40との間
の接続部の詳細な断面図であり、チューブ32のまわり
のシールを示している。このシールは、シャフトの合わ
せ面に形成されたOリング溝64内に配置されたOリン
グ62に隣接するようにチューブのまわりにワッシャ6
0を配置することによって、アーム24とシャフト40
のと境界面においてチューブ32のまわりに形成され
る。このワッシャ60は、アームの下面に形成された凹
部66内に収容される。
【0025】図10は、図8の線8−8に沿ったアーム
アセンブリの断面図であり、スラリ供給ライン30、3
2、リンス剤流路38、およびノズル34の関係を示し
ている。シールド部材68はアームの下面44から下方
に延在しており、リンス剤噴霧の少なくとも一部をその
間に閉じ込める二つの壁70、72を有している。シー
ルド部材68の下縁部74、76は、パッドの表面、ま
たは流体が供給される他の面の上方に配置されており、
材料がその下を通過できるようにするとともに、壁7
0、72の間にリンス剤を効率よく滞留させるようにな
っている。下縁部74、76とパッドの上面とは、リン
ス剤およびスラリが流通できる通路を形成する。シール
ドの下縁部とパッドの表面との間の距離は、スラリ、リ
ンス剤の流量およびパッドの回転速度にしたがって最適
化することが好ましい。約15psi〜約100psi
の範囲の圧力下でリンス剤の流量が230ml/分〜約
6000ml/分の範囲にある場合、シールドの下縁部
とパッドとの間の距離は、約1〜約5mmの範囲にある
ことが好ましい。これらの範囲は代表的な値に過ぎず、
使用される条件や材料、または特定のプロセスを受ける
条件や材料に応じて他の距離や流量を選択することがで
きるので、本発明の範囲を限定するものと考えてはなら
ない。例えば、60psiの圧力では、5.15l/分
の流量で研磨パッド面からパーティクルおよびリンス剤
を十分に除去することができる。リンス剤の流量と、シ
ールドの下縁部および基板間の距離とは、リンス剤の波
が蓄積されてパッドの表面を横切って押し流され、パッ
ド上において外向きに向かうことによってパッドと基板
を洗浄できるように設定される。図2に示されるアーム
およびシールドの角度付き輪郭との組合せにより、研磨
パッドが回転するにつれて、リンス剤と余分な材料がパ
ッドの縁部Eに向かって運ばれ、そこでそれらの材料が
除去される。しかしながら、本発明は実質的に直線状の
アームも使用することができ、この場合も有利な効果を
もたらすことになる。
【0026】流体供給アセンブリ、すなわちアーム24
およびシールド部材68は、化学的に不活性であってC
MPプロセスで使用される研磨材料と不都合な反応を起
こさない硬質材料(例えば、ポリプロピレン)で作られ
ていることが好ましい。この材料は、構造物がその長さ
に沿ってたるんだり垂れ下がったりしないように十分に
硬質でなければならない。スラリ供給ラインは、CMP
プロセスで使用される各種スラリと反応しないチューブ
材料(例えば、テフロン(商標))から形成されている
ことが望ましい。
【0027】本発明の方法を以下に詳しく説明する。本
発明の各方法は、単一パッドシステムでもマルチパッド
システムでも実行することができる。図11は、カリフ
ォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社か
ら市販されているMIRRA(商標)システムを表すマ
ルチパッドシステムである。通常、基板は、研磨パッド
上に基板を位置決めすると共にそのパッド上に基板を拘
束するキャリヤに対して位置決めまたはチャックされ
る。研磨パッド14は、通常、回転させられ、基板もキ
ャリヤ18内で回転させることができる。更に、キャリ
ヤを研磨パッドの表面を横切って径方向に移動させるこ
とによって、基板表面の均一な研磨を促進することがで
きる。基板がキャリヤ内で位置決めされ、キャリヤが研
磨パッドの上に位置決めされると、通常、スラリが研磨
パッドに供給される。このスラリは、水酸化ナトリウム
等、任意の数の材料を含んでいてもよく、あるいはリン
スパッド上で使用する場合には純水だけでもよい。次
に、基板がパッドと接触するようにキャリアを研磨パッ
ドの上に降ろし、予め選択されたレシピに従って基板表
面を研磨する。研磨ステップの終了近くに、リンスアー
ム上のノズル34、および/または36、37を介して
リンス剤(例えば水、純水、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、その他の既知のリンス剤)をパッドに供給
し、研磨パッドおよび基板をリンスする。リンス剤は約
5〜約20秒の時間にわたって研磨パッドに供給され、
その間、基板は研磨パッド14から持ち上げられ、キャ
リヤ18は、マルチ研磨パッドシステムの次の処理位置
に移動させられ、および/またはその基板をアンロード
して処理用の次の基板をロードするための位置に移動さ
せられる。
【0028】シールド68の壁72、74の間に形成さ
れるリンス剤の波が、基板上および研磨パッド上に懸濁
層(suspension layer)を形成するものと考えられる。
除去材料やその他のパーティクルは、この懸濁層中に収
集され、遠心力や噴霧の力によってパッドの縁部に押し
流される。このパッド縁部において、除去材料をシステ
ムから除去またはフィルタリングすることができる。研
磨パッドは、リンス剤がパッドに供給される間、回転を
続けることが望ましい。リンスステップは、別の基板が
キャリヤ18内に配置され、キャリヤがプロセス位置に
移動させられるまで継続してもよい。マルチキャリヤ/
パッドシステム上のキャリヤが回転している間にリンス
ステップが約10秒〜約15秒にわたって実行され、ア
ンローディング/ローディングステップがアンローディ
ング/ローディングステーションで実行されることが望
ましい。
【0029】カリフォルニア州サンタクララのアプライ
ドマテリアルズ社から市販されているMIRRA(商
標)システムなどの3研磨パッドシステムでは、好適な
研磨シーケンスに、2個の研磨ステーション、1個のリ
ンスステーション、および1個のロードステーションが
含まれている。最初の2個の研磨ステーションは、第1
および第2の研磨パッド(例えばローデル(Rodel)社
から市販されているIC1000パッド)を搭載してい
ることが望ましく、リンスステーションは、リンスパッ
ド(例えばローデル社から市販されているPolite
xパッド)を搭載していることが望ましい。4個の基板
キャリヤヘッド18は、パッドの上方に配置された中央
カルーセル上に載置され、順次に回転することによって
基板を上述の4つの異なるステーション内で位置決めす
ることができる。
【0030】本発明の一研磨方法によれば、基板は第1
研磨ステーションで研磨を受けた後、第2研磨ステーシ
ョンで研磨を受ける。研磨ステップとレシピは、所望の
材料を研磨して所望の結果を達成できるように選択され
る。多数の研磨ステップ、レシピ、パッド等を使って、
このような結果を達成することができる。この後、基板
は、リンスステーションに移動させられ、そこでリンス
剤がリンスパッドに供給され、キャリヤヘッドによって
基板がパッド上に配置される。本発明によれば、パッド
/基板リンスステップが各ステーションで実行される。
パッド/基板リンスステップは、研磨ステップの終了近
くに実行され、別の基板がパッドの上に位置決めされる
まで継続することが好ましい。研磨ステップが実質的に
完了すると、研磨された材料やスラリの残渣の少なくと
も一部をパッドや基板からリンスするためにシステムが
基板をパッドから持ち上げる準備をする間、リンス剤が
数秒間、例えば約3秒〜約60秒以上の時間にわたって
パッドに供給される。この後、リンスステップは、基板
がパッドから取り外され、キャリヤヘッドカルーセルが
次のステーションに回転して基板を継続処理やアンロー
ディングのためにパッドに隣接させて配置する間、継続
する。リンスステップは、基板のスループットに悪影響
を与えないように、実質上キャリヤヘッドの相互回転
(cross rotation)の間、すなわちキャリヤヘッドが次
の位置に回転するときに実行されることが好ましい。遠
心力がリンス剤およびスラリ材料をパッドの縁部に向け
て径方向に追いやり収集領域内に送り込むように、プラ
テン16およびパッド14の回転は、リンスステップの
間、継続する。パッドは約80〜約150回転数毎分の
速度で回転させることが好ましく、約95〜約115r
pmで回転させると更に好ましい。更に、ある実施形態
では、ノズル37は、材料およびリンス剤をパッドの表
面を横切って移動させるのに役立つ。
【0031】別の実施形態では、研磨パッドを3個のプ
ラテン全部に取り付けて、リンスステップを各研磨パッ
ドで実行するようにしてもよい。この実施形態では、基
板洗浄ステップを第3パッド上で実行することが好まし
い。リンスステップは、上記のように各研磨パッド上で
実行される。しかしながら、第3パッドで実行される追
加のリンスステップは、基板がリンス剤と接触している
時間を増やすことによってディフェクト性能を高めるこ
とが分かった。その結果、第3プラテンのリンスパッド
も非常に清浄な状態に保たれる。
【0032】上記の説明は本発明の好ましい実施形態に
関するものであるが、本発明の他の実施形態についても
本発明の基本的な範囲から逸脱することなく考案するこ
とができる。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって
定められる。
【図面の簡単な説明】
【図1】当該技術分野で公知の典型的な化学機械研磨装
置の側面図である。
【図2】本発明の流体供給アームおよび付随ハードウェ
アの一実施形態の平面図である。
【図3】流体供給アームの別の実施形態の断面図であ
り、リンス剤供給流路および噴霧パターンならびにノズ
ルの配置を示している。
【図4】流体供給アームの別の実施形態の断面図であ
り、リンス剤供給流路および噴霧パターンならびにノズ
ルの配置を示している。
【図5】流体供給アームの別の実施形態の断面図であ
り、リンス剤供給流路および噴霧パターンならびにノズ
ルの配置を示している。
【図6】流体供給アームの別の実施形態の概略図であ
り、ノズルの配置を示している。
【図7】リンス剤供給流路用のシールアセンブリの詳細
図である。
【図8】流体供給アームの一実施形態の部分断面図であ
り、リンス剤供給ノズルと一つのスラリ供給チューブを
示している。
【図9】リンス剤供給流路用のシールアセンブリの詳細
図である。
【図10】図8の8−8線に沿ったアームアセンブリの
断面図である。
【図11】マルチパッドシステムの概略図である。
【符号の説明】
20…流体供給システム、22…研磨パッド、24…供
給アーム、26…基部、28…端部、30および32…
スラリ供給ライン、34および36…ノズル、37…ス
イープノズル、38…中央リンス剤供給ライン、40…
取付けシャフト。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ボリス フクシモヴ アメリカ合衆国, カリフォルニア州, サン ノゼ, オーバーン ウェイ 360, ナンバー10 (72)発明者 ヴィクター ベリツキー アメリカ合衆国, カリフォルニア州, サニーヴェイル, メドウラーク レイク 1618 (72)発明者 カイル ブラウン アメリカ合衆国, カリフォルニア州, サニーヴェイル, サウス フェア オー ク アヴェニュー 655, ナンバーケー −117 (72)発明者 トム オスターヘルド アメリカ合衆国, カリフォルニア州, マウンテンヴュー, バーバラ 1195 (72)発明者 ジェフ ビーラー アメリカ合衆国, カリフォルニア州, キャンプベル, サウス バコム アヴェ ニュー 2275, ナンバー1514 (72)発明者 ジネット アーディエゴ アメリカ合衆国, カリフォルニア州, バークレー, ボニタ 1438, ナンバー 5 (72)発明者 ボリス フィッシュキン アメリカ合衆国, カリフォルニア州, サン カルロス, エクスター アヴェニ ュー 155

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一つ以上の流体を面に供給する装置であ
    って、 a)基部と、 b)前記基部に回転自在に接続され、前記基部から径方
    向に延びる供給アームと、 c)前記供給アームの長さの少なくとも一部に沿って延
    びる一つ以上のリンス剤供給ラインと、 d)前記一つ以上のリンス剤供給ラインに接続され、リ
    ンス剤を前記面に供給する一つ以上のノズルと、 e)前記供給アームから前記アームの少なくとも一方の
    側に配置されたシールド部材と、を備える装置。
  2. 【請求項2】 前記ノズルの少なくとも一つが、前記基
    部から内側を向いている、請求項1記載の装置。
  3. 【請求項3】 前記供給アームの長さの少なくとも一部
    に沿って延びる一つ以上のスラリ供給ラインを更に備え
    る請求項1記載の装置。
  4. 【請求項4】 前記ノズルの少なくとも一つ以上が、少
    なくとも部分的に前記基部の方を向いている、請求項3
    記載の装置。
  5. 【請求項5】 前記基部が回転自在シャフトを更に備え
    ている請求項4記載の装置。
  6. 【請求項6】 前記シールド部材が、前記ノズルの両側
    に配置された第1および第2の壁部分を備えている、請
    求項1記載の装置。
  7. 【請求項7】 前記ノズルの一つ以上がリンス剤を前記
    面の縁部の方に向けるようになっている請求項6記載の
    装置。
  8. 【請求項8】 前記一つ以上のリンス剤供給ラインに近
    接させて前記アームの平面に対して非垂直の角度で配置
    され、前記流体を前記面を横断させて前記面の縁部に追
    いやる一つ以上のスイープ用流体供給ラインを更に備え
    る請求項1記載の装置。
  9. 【請求項9】 基板を研磨する方法であって、 a)基板を研磨パッドに近接させて位置決めするステッ
    プと、 b)一つ以上の研磨流体を前記パッドに供給するステッ
    プと、 c)前記基板を前記パッドに接触するように位置決めす
    るステップと、 d)前記基板を一定の期間にわたって研磨するステップ
    と、 e)前記基板が前記パッドに接触している間にリンス剤
    を前記パッドに供給するステップと、 f)前記リンス剤が前記パッドに供給されている間に前
    記パッドから前記基板を取り外すステップと、を備える
    方法。
  10. 【請求項10】 前記パッドを前記ステップb)から前
    記ステップf)までの間、選択的に回転させる請求項9
    記載の方法。
  11. 【請求項11】 前記リンス剤を前記ステップe)中に
    少なくとも約3秒間にわたって前記パッドに供給する請
    求項10記載の方法。
  12. 【請求項12】 別の基板を前記パッドに近接させて位
    置決めする間、前記リンス剤の供給を継続するステップ
    を更に備える請求項9記載の方法。
  13. 【請求項13】 前記リンス剤を所定の圧力下で前記パ
    ッドに供給する請求項9記載の方法。
  14. 【請求項14】 流体を面に供給する装置であって、 a)一端が基部に支持されている流体供給アームと、 b)前記流体供給アームの長さの少なくとも一部に沿っ
    て配置された一つ以上のリンス剤供給ラインと、 c)前記流体供給アームの長さの少なくとも一部に沿っ
    て配置された一つ以上のスラリ供給ラインと、 d)前記リンス剤供給ラインと連通するように前記アー
    ム上に配置された一つ以上のノズルと、を備え、前記ノ
    ズルの少なくとも一つが、前記パッドの外縁に前記リン
    ス剤の一部を向けるようになっている装置。
  15. 【請求項15】 前記ノズルの少なくとも一つが、前記
    リンス剤を前記パッドの中心部に向けるようになってい
    る請求項14記載の装置。
  16. 【請求項16】 前記リンス剤が前記ノズルを介して約
    40〜約100psiの圧力で供給される請求項14記
    載の装置。
  17. 【請求項17】 前記流体供給アームから延びるシール
    ド部材を更に備えている請求項14記載の装置。
  18. 【請求項18】 基板を研磨する装置であって、 a)基部上に配置された一つ以上のプラテンと、 b)前記一つ以上のプラテンの上方に配置された一つ以
    上の基板キャリヤと、 c)前記一つ以上のプラテンに近接させて配置された一
    つ以上の流体供給アセンブリと、 d)前記一つ以上のプラテンを回転させると共に前記一
    つ以上の基板キャリヤを作動させる一つ以上の駆動部材
    と、を備え、 前記一つ以上の流体供給アセンブリは、 1)一端が基部に支持されている流体供給アームと、 2)前記流体供給アームの長さの少なくとも一部に沿っ
    て配置された一つ以上のリンス剤供給ラインと、 3)前記流体供給アームの長さの少なくとも一部に沿っ
    て配置された一つ以上のスラリ供給ラインと、 4)前記流体供給アームから延びるシールド部材と、を
    備えている装置。
  19. 【請求項19】 前記シールド部材は、互いに対向する
    ように配置されて各々の間に空間を形成している第1お
    よび第2の壁を備えている、請求項18記載の装置。
  20. 【請求項20】 前記一つ以上のリンス剤供給ラインに
    接続された一つ以上のノズルを更に備える請求項19記
    載の装置。
  21. 【請求項21】 前記一つ以上のノズルの少なくとも一
    つが、前記アームの平面に垂直な線からずれた角度で前
    記流体供給アーム上に配置されている、請求項20記載
    の装置。
  22. 【請求項22】 前記一つ以上のノズルの少なくとも一
    つが、前記アームの平面に対して非垂直の角度で前記流
    体供給アーム上に配置されている、請求項21記載の装
    置。
JP17306098A 1997-06-24 1998-06-19 スラリディスペンサとリンスアームの組合せ、および操作方法 Pending JPH1170464A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/879,447 US6139406A (en) 1997-06-24 1997-06-24 Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation
US08/879447 1997-06-24

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003047832A Division JP2003229393A (ja) 1997-06-24 2003-02-25 スラリディスペンサとリンスアームの組み合わせ、および操作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1170464A true JPH1170464A (ja) 1999-03-16

Family

ID=25374186

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17306098A Pending JPH1170464A (ja) 1997-06-24 1998-06-19 スラリディスペンサとリンスアームの組合せ、および操作方法
JP2003047832A Pending JP2003229393A (ja) 1997-06-24 2003-02-25 スラリディスペンサとリンスアームの組み合わせ、および操作方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003047832A Pending JP2003229393A (ja) 1997-06-24 2003-02-25 スラリディスペンサとリンスアームの組み合わせ、および操作方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6139406A (ja)
EP (1) EP0887153B1 (ja)
JP (2) JPH1170464A (ja)
KR (1) KR100328607B1 (ja)
DE (1) DE69813678T2 (ja)
SG (1) SG67505A1 (ja)
TW (1) TW385500B (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100445634B1 (ko) * 2002-01-28 2004-08-25 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼의 평탄화 설비
JP2010240752A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
KR101219547B1 (ko) 2011-08-18 2013-01-16 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치 및 그 제어 방법
KR20140056074A (ko) * 2012-10-31 2014-05-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치 및 연마 방법
JP2014087908A (ja) * 2012-10-31 2014-05-15 Ebara Corp 研磨装置
JP2014111301A (ja) * 2012-11-02 2014-06-19 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
JP2020082323A (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 株式会社荏原製作所 研磨装置
WO2022009700A1 (ja) * 2020-07-06 2022-01-13 株式会社荏原製作所 液体供給装置および研磨装置

Families Citing this family (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6139406A (en) 1997-06-24 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation
WO1999033612A1 (fr) * 1997-12-26 1999-07-08 Ebara Corporation Dispositif de polissage
US6676492B2 (en) * 1998-12-15 2004-01-13 Chou H. Li Chemical mechanical polishing
US6220941B1 (en) * 1998-10-01 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
US6319098B1 (en) 1998-11-13 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Method of post CMP defect stability improvement
US6261158B1 (en) 1998-12-16 2001-07-17 Speedfam-Ipec Multi-step chemical mechanical polishing
US6248009B1 (en) * 1999-02-18 2001-06-19 Ebara Corporation Apparatus for cleaning substrate
TW434113B (en) * 1999-03-16 2001-05-16 Applied Materials Inc Polishing apparatus
US6429131B2 (en) 1999-03-18 2002-08-06 Infineon Technologies Ag CMP uniformity
US6302771B1 (en) * 1999-04-01 2001-10-16 Philips Semiconductor, Inc. CMP pad conditioner arrangement and method therefor
US6405399B1 (en) * 1999-06-25 2002-06-18 Lam Research Corporation Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing
US6283840B1 (en) 1999-08-03 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Cleaning and slurry distribution system assembly for use in chemical mechanical polishing apparatus
US6558228B1 (en) * 1999-11-15 2003-05-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method of unloading substrates in chemical-mechanical polishing apparatus
US6296547B1 (en) * 1999-11-16 2001-10-02 Litton Systems, Inc. Method and system for manufacturing a photocathode
US6517416B1 (en) * 2000-01-05 2003-02-11 Agere Systems Inc. Chemical mechanical polisher including a pad conditioner and a method of manufacturing an integrated circuit using the chemical mechanical polisher
US6533645B2 (en) * 2000-01-18 2003-03-18 Applied Materials, Inc. Substrate polishing article
US6607428B2 (en) 2000-01-18 2003-08-19 Applied Materials, Inc. Material for use in carrier and polishing pads
US6623341B2 (en) 2000-01-18 2003-09-23 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
US6669538B2 (en) * 2000-02-24 2003-12-30 Applied Materials Inc Pad cleaning for a CMP system
JP2001237208A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Ebara Corp 研磨装置の研磨面洗浄方法及び洗浄装置
JP2001287154A (ja) * 2000-04-06 2001-10-16 Nec Corp 研磨装置および研磨方法
US6415802B1 (en) * 2000-05-05 2002-07-09 Cd Holdings, Inc. Acid etching machine
US6418945B1 (en) * 2000-07-07 2002-07-16 Semitool, Inc. Dual cassette centrifugal processor
US6481447B1 (en) * 2000-09-27 2002-11-19 Lam Research Corporation Fluid delivery ring and methods for making and implementing the same
WO2002043923A1 (de) * 2000-11-29 2002-06-06 Infineon Technologies Ag Reinigungsvorrichtung zum reinigen von für das polieren von halbleiterwafern verwendeten poliertüchern
KR100443770B1 (ko) * 2001-03-26 2004-08-09 삼성전자주식회사 기판의 연마 방법 및 연마 장치
US7086933B2 (en) * 2002-04-22 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Flexible polishing fluid delivery system
US6722943B2 (en) * 2001-08-24 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for dispensing planarizing solutions in the processing of microelectronic workpieces
US6887132B2 (en) * 2001-09-10 2005-05-03 Multi Planar Technologies Incorporated Slurry distributor for chemical mechanical polishing apparatus and method of using the same
TWI252791B (en) * 2002-01-18 2006-04-11 Promos Technologies Inc Slurry supply system disposed above the rotating platen of a chemical mechanical polishing apparatus
US6506098B1 (en) * 2002-05-20 2003-01-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Self-cleaning slurry arm on a CMP tool
US6884152B2 (en) 2003-02-11 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces
US6939210B2 (en) * 2003-05-02 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Slurry delivery arm
US6908370B1 (en) * 2003-12-04 2005-06-21 Intel Corporation Rinse apparatus and method for wafer polisher
KR20050066621A (ko) * 2003-12-26 2005-06-30 동부아남반도체 주식회사 씨엠피 장비의 슬러지 제거장치 및 이를 이용한 슬러지제거방법
US20060025049A1 (en) * 2004-07-30 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Spray slurry delivery system for polish performance improvement and cost reduction
GB2418644A (en) * 2004-09-29 2006-04-05 Stephen Hu Canopy arrangement for pushchair or the like
US20060073773A1 (en) * 2004-10-04 2006-04-06 Exley Richard J High pressure pad conditioning
US7052374B1 (en) 2005-03-01 2006-05-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multipurpose slurry delivery arm for chemical mechanical polishing
US7108588B1 (en) 2005-04-05 2006-09-19 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. System, method, and apparatus for wetting slurry delivery tubes in a chemical mechanical polishing process to prevent clogging thereof
US20070032180A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Slurry residence time enhancement system
JP4162001B2 (ja) * 2005-11-24 2008-10-08 株式会社東京精密 ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法
US7297047B2 (en) * 2005-12-01 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Bubble suppressing flow controller with ultrasonic flow meter
US20070131562A1 (en) * 2005-12-08 2007-06-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for planarizing a substrate with low fluid consumption
US20070181442A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for foam removal in an electrochemical mechanical substrate polishing process
US7452264B2 (en) * 2006-06-27 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Pad cleaning method
US20070295610A1 (en) * 2006-06-27 2007-12-27 Applied Materials, Inc. Electrolyte retaining on a rotating platen by directional air flow
JP5080769B2 (ja) * 2006-09-15 2012-11-21 株式会社東京精密 研磨方法及び研磨装置
US8449356B1 (en) * 2007-11-14 2013-05-28 Utac Thai Limited High pressure cooling nozzle for semiconductor package
JP5276420B2 (ja) 2008-01-31 2013-08-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8439723B2 (en) * 2008-08-11 2013-05-14 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polisher with heater and method
US20100041316A1 (en) * 2008-08-14 2010-02-18 Yulin Wang Method for an improved chemical mechanical polishing system
US8414357B2 (en) * 2008-08-22 2013-04-09 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polisher having movable slurry dispensers and method
US8523639B2 (en) * 2008-10-31 2013-09-03 Applied Materials, Inc. Self cleaning and adjustable slurry delivery arm
CN101758420B (zh) * 2008-12-08 2016-04-20 香港科技大学 一种提供冷却的系统、装置及方法
JP2010179407A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Elpida Memory Inc Cmp装置
JP2010228058A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Fujikoshi Mach Corp 研磨布の洗浄装置および洗浄方法
KR101067608B1 (ko) * 2009-03-30 2011-09-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
US8360817B2 (en) * 2009-04-01 2013-01-29 Ebara Corporation Polishing apparatus and polishing method
US9349679B2 (en) 2010-08-31 2016-05-24 Utac Thai Limited Singulation method for semiconductor package with plating on side of connectors
CN102553849B (zh) 2010-12-29 2015-04-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种固定研磨粒抛光垫清洗装置及清洗方法
TWI548483B (zh) * 2011-07-19 2016-09-11 荏原製作所股份有限公司 研磨裝置及方法
JP2013141738A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Disco Corp 加工装置
CN109243976B (zh) * 2013-01-11 2023-05-23 应用材料公司 化学机械抛光设备及方法
JP6065802B2 (ja) * 2013-10-03 2017-01-25 信越半導体株式会社 研磨布の洗浄方法及びウェーハの研磨方法
CN113290500A (zh) * 2014-11-12 2021-08-24 伊利诺斯工具制品有限公司 平面研磨机
JP6313196B2 (ja) 2014-11-20 2018-04-18 株式会社荏原製作所 研磨面洗浄装置、研磨装置、および研磨面洗浄装置の製造方法
JP6971676B2 (ja) * 2016-08-29 2021-11-24 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
US10500691B2 (en) * 2016-08-29 2019-12-10 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101848166B1 (ko) * 2016-11-04 2018-04-11 주식회사 씨티에스 씨엠피 패드 세정장치 및 이를 포함하는 씨엠피장치
KR102037750B1 (ko) * 2018-02-09 2019-10-29 에스케이실트론 주식회사 슬러리 공급 유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼의 연마 장치
JP7162465B2 (ja) 2018-08-06 2022-10-28 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
JP7083722B2 (ja) * 2018-08-06 2022-06-13 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び、研磨方法
TWI771668B (zh) 2019-04-18 2022-07-21 美商應用材料股份有限公司 Cmp期間基於溫度的原位邊緣不對稱校正
US11772234B2 (en) 2019-10-25 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Small batch polishing fluid delivery for CMP
KR20210113041A (ko) * 2020-03-06 2021-09-15 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치, 처리 시스템 및 연마 방법
US20210402565A1 (en) * 2020-06-24 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Cleaning system for polishing liquid delivery arm
US11577358B2 (en) * 2020-06-30 2023-02-14 Applied Materials, Inc. Gas entrainment during jetting of fluid for temperature control in chemical mechanical polishing
KR20220073192A (ko) * 2020-11-26 2022-06-03 에스케이실트론 주식회사 연마 패드 세정 장치 및 연마 장치
US11747729B2 (en) * 2021-03-19 2023-09-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor developer tool and methods of operation
CN114536224A (zh) * 2022-04-11 2022-05-27 北京烁科精微电子装备有限公司 一种研磨液输出臂及稳定研磨速率的方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4680893A (en) 1985-09-23 1987-07-21 Motorola, Inc. Apparatus for polishing semiconductor wafers
JP2628915B2 (ja) * 1989-06-05 1997-07-09 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
US5154021A (en) * 1991-06-26 1992-10-13 International Business Machines Corporation Pneumatic pad conditioner
US5320706A (en) * 1991-10-15 1994-06-14 Texas Instruments Incorporated Removing slurry residue from semiconductor wafer planarization
JP2622069B2 (ja) * 1993-06-30 1997-06-18 三菱マテリアル株式会社 研磨布のドレッシング装置
US5486129A (en) * 1993-08-25 1996-01-23 Micron Technology, Inc. System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head
US5658183A (en) * 1993-08-25 1997-08-19 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing including optical monitoring
KR100390293B1 (ko) * 1993-09-21 2003-09-02 가부시끼가이샤 도시바 폴리싱장치
US5531861A (en) * 1993-09-29 1996-07-02 Motorola, Inc. Chemical-mechanical-polishing pad cleaning process for use during the fabrication of semiconductor devices
US5562524A (en) 1994-05-04 1996-10-08 Gill, Jr.; Gerald L. Polishing apparatus
JPH07299738A (ja) * 1994-05-11 1995-11-14 Mitsubishi Materials Corp ウエハ研磨装置
US5679060A (en) 1994-07-14 1997-10-21 Silicon Technology Corporation Wafer grinding machine
US5486265A (en) 1995-02-06 1996-01-23 Advanced Micro Devices, Inc. Chemical-mechanical polishing of thin materials using a pulse polishing technique
JP3594357B2 (ja) 1995-04-10 2004-11-24 株式会社荏原製作所 ポリッシング方法及び装置
US5578529A (en) * 1995-06-02 1996-11-26 Motorola Inc. Method for using rinse spray bar in chemical mechanical polishing
US5816891A (en) 1995-06-06 1998-10-06 Advanced Micro Devices, Inc. Performing chemical mechanical polishing of oxides and metals using sequential removal on multiple polish platens to increase equipment throughput
US5702563A (en) 1995-06-07 1997-12-30 Advanced Micro Devices, Inc. Reduced chemical-mechanical polishing particulate contamination
JP3778594B2 (ja) 1995-07-18 2006-05-24 株式会社荏原製作所 ドレッシング方法
JP3678468B2 (ja) 1995-07-18 2005-08-03 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US5672095A (en) 1995-09-29 1997-09-30 Intel Corporation Elimination of pad conditioning in a chemical mechanical polishing process
US5611943A (en) 1995-09-29 1997-03-18 Intel Corporation Method and apparatus for conditioning of chemical-mechanical polishing pads
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
JP2862073B2 (ja) 1995-12-08 1999-02-24 日本電気株式会社 ウェハー研磨方法
US5616069A (en) 1995-12-19 1997-04-01 Micron Technology, Inc. Directional spray pad scrubber
US5704987A (en) 1996-01-19 1998-01-06 International Business Machines Corporation Process for removing residue from a semiconductor wafer after chemical-mechanical polishing
US5645682A (en) 1996-05-28 1997-07-08 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning a planarizing substrate used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5679055A (en) 1996-05-31 1997-10-21 Memc Electronic Materials, Inc. Automated wafer lapping system
US5664990A (en) 1996-07-29 1997-09-09 Integrated Process Equipment Corp. Slurry recycling in CMP apparatus
FR2756972B1 (fr) 1996-12-10 1999-03-05 France Telecom Procede de relaxation de film contraint par fusion de couche interfaciale
US5916011A (en) 1996-12-26 1999-06-29 Motorola, Inc. Process for polishing a semiconductor device substrate
US5893753A (en) * 1997-06-05 1999-04-13 Texas Instruments Incorporated Vibrating polishing pad conditioning system and method
US5934980A (en) 1997-06-09 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Method of chemical mechanical polishing
US6139406A (en) 1997-06-24 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation
US5916010A (en) 1997-10-30 1999-06-29 International Business Machines Corporation CMP pad maintenance apparatus and method
US6053801A (en) * 1999-05-10 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Substrate polishing with reduced contamination

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100445634B1 (ko) * 2002-01-28 2004-08-25 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼의 평탄화 설비
JP2010240752A (ja) * 2009-04-01 2010-10-28 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
KR101219547B1 (ko) 2011-08-18 2013-01-16 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치 및 그 제어 방법
KR20140056074A (ko) * 2012-10-31 2014-05-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 연마 장치 및 연마 방법
JP2014087908A (ja) * 2012-10-31 2014-05-15 Ebara Corp 研磨装置
TWI577497B (zh) * 2012-10-31 2017-04-11 Ebara Corp Grinding device
JP2014111301A (ja) * 2012-11-02 2014-06-19 Ebara Corp 研磨装置及び研磨方法
JP2020082323A (ja) * 2018-11-30 2020-06-04 株式会社荏原製作所 研磨装置
US11839948B2 (en) 2018-11-30 2023-12-12 Ebara Corporation Polishing apparatus
WO2022009700A1 (ja) * 2020-07-06 2022-01-13 株式会社荏原製作所 液体供給装置および研磨装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100328607B1 (ko) 2002-06-20
KR19990007262A (ko) 1999-01-25
EP0887153A2 (en) 1998-12-30
DE69813678D1 (de) 2003-05-28
EP0887153A3 (en) 2000-01-05
JP2003229393A (ja) 2003-08-15
US6280299B1 (en) 2001-08-28
SG67505A1 (en) 1999-09-21
US6139406A (en) 2000-10-31
TW385500B (en) 2000-03-21
DE69813678T2 (de) 2004-04-08
EP0887153B1 (en) 2003-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH1170464A (ja) スラリディスペンサとリンスアームの組合せ、および操作方法
JP5020317B2 (ja) パッドクリーニング方法
US6220941B1 (en) Method of post CMP defect stability improvement
US7052371B2 (en) Vacuum-assisted pad conditioning system and method utilizing an apertured conditioning disk
JP3550316B2 (ja) 研摩スラリ中の凝塊化粒子を除去する方法及びそのシステム
US6669538B2 (en) Pad cleaning for a CMP system
US6319098B1 (en) Method of post CMP defect stability improvement
US6283840B1 (en) Cleaning and slurry distribution system assembly for use in chemical mechanical polishing apparatus
US7040967B2 (en) Multi-step, in-situ pad conditioning system and method for chemical mechanical planarization
US5893753A (en) Vibrating polishing pad conditioning system and method
US7708622B2 (en) Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces
US6506098B1 (en) Self-cleaning slurry arm on a CMP tool
KR19990045185A (ko) 연마장치 및 연마방법
US6350183B2 (en) High pressure cleaning
JP2003211355A (ja) ポリッシング装置及びドレッシング方法
JP3767787B2 (ja) 研磨装置及びその方法
US6634934B1 (en) Method for cleaning polishing tool, polishing method polishing apparatus
US6890245B1 (en) Byproduct control in linear chemical mechanical planarization system
US6824448B1 (en) CMP polisher substrate removal control mechanism and method
EP0750968B1 (en) Apparatus for conditioning a polishing pad
US20050113006A1 (en) Chemical mechanical polishing apparatus and method to minimize slurry accumulation and scratch excursions

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20021120