KR100540367B1 - 연마장치 및 연마방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (36)
- 연마면을 가지는 턴테이블과; 상기 연마면 상에 연마액과 같은 액체를 공급하기 위한 액체공급장치를 구비하는 연마장치에 있어서,상기 액체공급장치는 가동암과, 상기 연마면 상에 상기 액체를 공급하기 위하여 상기 가동암 상에 지지된 노즐을 가지며,상기 가동암은, 상기 액체가 공급되야 할 상기 연마면 상의 부분의 실질적으로 수직 위쪽에 상기 노즐이 위치하게 되는 액체공급위치와, 상기 연마면의 외주보다도 반경방향으로 바깥쪽에 상기 노즐이 위치하게 되는 하나 이상의 퇴피위치 사이에서 이동될 수 있고,상기 연마장치는 고정부재와, 상기 가동암을 상기 액체공급위치와 상기 퇴피위치에서 각각 유지하기 위하여 상기 고정부재와 상기 가동암 사이에 마련된 디텐트기구를 더욱 포함하여 이루어지며, 상기 디텐트기구는 상기 고정부재 상에 배치된 탄성부재, 상기 탄성부재에 의해 상기 가동암에 대해서 가압되는 볼, 및 상기 가동암 내에 형성된 오목부를 포함하고 있어서, 상기 가동암이 상기 액체공급위치 및 상기 퇴피위치에 각각 위치되었을 때 상기 볼을 이에 대응하는 상기 오목부 내에 맞물리게 함으로써 상기 가동암을 상기 액체공급위치 및 상기 퇴피위치에서 각각 유지하며, 상기 가동암이 상기 액체공급위치로부터 상기 퇴피위치로 또는 그 반대로 이동하도록 소정의 힘을 상기 가동암 상에 인가함으로써 상기 볼이 상기 대응하는 오목부로부터 해제될 수 있게 한 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 1항에 있어서,상기 액체공급장치는 상기 액체공급노즐로부터 토출되는 액체가 상기 연마면 상의 상기 액체가 공급될 부분으로 실질적으로 수직으로 흘러내리도록 상기 액체의 유량을 조정하는 유량조정장치를 가지는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 가동암은 상하이동이 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 1항에 있어서,상기 액체공급장치는 다른 종류의 액체공급원에 각각 연통되는 복수의 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 연마면을 가지는 턴테이블과; 상기 연마면 상에 연마액과 같은 액체를 공급하기 위한 액체공급장치를 구비하는 연마장치에 있어서,상기 액체공급장치는 가동암과, 상기 연마면 상에 상기 액체를 공급하기 위하여 상기 가동암 상에 지지된 노즐을 가지며,상기 가동암은, 상기 액체가 공급되야 할 상기 연마면 상의 부분의 실질적으로 수직 위쪽에 상기 노즐이 위치하게 되는 액체공급위치와, 상기 연마면의 외주보다도 반경방향으로 바깥쪽에 상기 노즐이 위치하게 되는 하나 이상의 퇴피위치 사이에서 이동될 수 있고,상기 연마장치는 상기 연마면 상에 공급된 상기 액체가 상기 연마면의 외주로부터 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위해서 상부위치와 상기 연마면의 레벨 아래의 하부위치 사이에서 이동될 수 있는 고리형상의 비산방지커버를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 연마면을 가지는 턴테이블과; 상기 연마면 상에 연마액과 같은 액체를 공급하기 위한 액체공급장치를 구비하는 연마장치에 있어서,상기 액체공급장치는 가동암과, 상기 연마면 상에 상기 액체를 공급하기 위하여 상기 가동암 상에 지지된 노즐을 가지며,상기 가동암은, 상기 액체가 공급되야 할 상기 연마면 상의 부분의 실질적으로 수직 위쪽에 상기 노즐이 위치하게 되는 액체공급위치와, 상기 연마면의 외주보다도 반지름방향으로 바깥쪽에 상기 노즐이 위치하게 되는 하나 이상의 퇴피위치 사이에서 이동될 수 있고,상기 노즐은, 상기 액체공급위치 상에 위치된 상기 가동암 상의 상기 노즐의 위치가 상기 연마면에 대해서 상기 연마면의 반지름방향으로 조절가능하도록, 상기 가동암 상에서 움직일 수 있고,상기 연마장치는, 상기 연마면 상에 공급된 상기 액체가 상기 연마면의 외주로부터 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위해서 상부위치와 상기 연마면의 레벨 아래의 하부위치 사이에서 이동될 수 있는 고리형상의 비산방지커버를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 6항에 있어서,상기 연마면의 상기 외주의 바깥쪽으로 비산되어 상기 비산방지커버에 의해 저지된 후 상기 비산방지커버로부터 낙하하는 액체를 받기 위해서 상기 고리형상의 비산방지커버 아래에 배치된 액체배출용 부재를 가지는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 삭제
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- 제 6항에 있어서,상기 고리형상의 비산방지커버에는 도그(dog)가 설치되어 있으며, 상기 도그를 감지하기 위한 위치센서가 상기 가동암에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 연마면을 가지는 턴테이블과; 상기 연마면 상에 연마액과 같은 액체를 공급하기 위한 액체공급장치를 구비하는 연마장치에 있어서,상기 액체공급장치는 가동암과, 상기 연마면 상에 상기 액체를 공급하기 위하여 상기 가동암 상에 지지된 노즐을 가지며,상기 가동암은, 상기 액체가 공급되야 할 상기 연마면 상의 부분의 실질적으로 수직 위쪽에 상기 노즐이 위치하게 되는 액체공급위치와, 상기 연마면의 외주보다도 반경방향으로 바깥쪽에 상기 노즐이 위치하게 되는 하나 이상의 퇴피위치 사이에서 이동될 수 있고,상기 노즐은 상기 액체가 배출되는 선단(distal end)과 기단(proximal end)을 가지고, 상기 선단은 수직아래쪽으로 연장되어 있고,상기 액체공급장치는 상기 노즐의 기단에 탈착 가능하게 연결되는 액체공급튜브를 가지고, 상기 튜브는 상기 노즐의 기단으로부터 위쪽을 향하여 경사지도록 설정되어 있으며,상기 연마장치는, 상기 연마면 상에 공급된 상기 액체가 상기 연마면의 외주로부터 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위해서 상부위치와 상기 연마면의 레벨 아래의 하부위치 사이에서 이동될 수 있는 고리형상의 비산방지커버를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 연마면을 가지는 턴테이블과; 상기 연마면 상에 연마액과 같은 액체를 공급하기 위한 액체공급장치를 구비하는 연마장치에 있어서,상기 액체공급장치는 가동암과, 상기 연마면 상에 상기 액체를 공급하기 위하여 상기 가동암 상에 지지된 노즐을 가지며,상기 가동암은, 상기 액체가 공급되야 할 상기 연마면 상의 부분의 실질적으로 수직 위쪽에 상기 노즐이 위치하게 되는 액체공급위치와, 상기 연마면의 외주보다도 반경방향으로 바깥쪽에 상기 노즐이 위치하게 되는 하나 이상의 퇴피위치 사이에서 이동될 수 있고,상기 액체공급장치는 다른 종류의 액체공급원에 각각 연통되는 복수의 노즐을 포함하며,상기 액체공급장치는 상기 노즐을 상기 가동암에 탈착 가능하게 장착하기 위한 노즐장착부재를 더욱 포함하며, 상기 노즐장착부재는 하면을 가지며, 상기 노즐의 선단이 상기 노즐장착부재의 상기 하면으로부터 아래쪽으로 돌출하는 방식으로 상기 노즐이 상기 노즐장착부재를 관통하여 연장되며, 상기 선단은 서로 이격되어 있고,상기 연마장치는, 상기 연마면 상에 공급된 상기 액체가 상기 연마면의 외주로부터 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위해서 상부위치와 상기 연마면의 레벨 아래의 하부위치 사이에서 이동될 수 있는 고리형상의 비산방지커버를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 연마면을 가지는 턴테이블과; 상기 연마면 상에 연마액과 같은 액체를 공급하기 위한 액체공급장치를 구비하는 연마장치에 있어서,상기 액체공급장치는 가동암과, 상기 연마면 상에 상기 액체를 공급하기 위하여 상기 가동암 상에 지지된 노즐을 가지며,상기 가동암은, 상기 연마면 상에 상기 액체를 공급하기 위한 상기 연마면 위쪽의 액체공급위치와, 상기 노즐로부터 상기 액체를 배출하기 위한 상기 연마면의 외주의 반경방향 바깥쪽에 위치한 액체배출위치와, 상기 액체배출위치의 반경방향 바깥쪽에 위치한 퇴피위치 사이에서 이동될 수 있고,상기 연마장치는, 상기 연마면 상에 공급된 상기 액체가 상기 연마면의 외주로부터 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위해서 상부위치와 상기 연마면의 레벨 아래의 하부위치 사이에서 이동될 수 있는 고리형상의 비산방지커버를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 14항에 있어서,상기 연마면 상에 공급된 상기 액체가 상기 연마면의 외주로부터 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위해서 상부위치와 상기 연마면의 레벨 아래의 하부위치 사이에서 이동될 수 있는 고리형상의 비산방지커버를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 15항에 있어서,상기 연마면의 상기 외주의 바깥쪽으로 비산되어 상기 비산방지커버에 의해 저지된 후 상기 비산방지커버로부터 낙하하는 액체를 받기 위해서 상기 고리형상의 비산방지커버 아래에 배치된 액체배출용 부재를 가지고, 상기 액체배출용 부재는 상기 액체배출위치에 있는 상기 가동암 상의 노즐로부터 배출되는 액체를 받기에 적합하게 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 삭제
- 제 7항에 있어서,상기 액체공급장치는 다른 종류의 액체공급원에 각각 연통되는 복수의 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 14항에 있어서,상기 액체공급장치는 상기 액체공급노즐로부터 토출되는 액체가 상기 연마면 상의 상기 액체가 공급될 부분으로 실질적으로 수직으로 흘러내리도록 상기 액체의 유량을 조정하는 유량조정장치를 가지는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 14항에 있어서,상기 가동암은 상하이동이 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 14항에 있어서,상기 액체공급장치는 다른 종류의 액체공급원에 각각 연통되는 복수의 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 14항에 있어서,상기 노즐은 선택밸브(selector valve)를 개재하여 상기 다른 종류의 액체공급원 뿐만 아니라 순수공급원과도 연통되어 있어서, 상기 순수를 상기 노즐에 관통시킴으로써 상기 노즐이 세정될 수 있는 것을 특징으로 연마장치.
- 제 14항에 있어서,상기 노즐은 그 선단부가 수직 아래쪽으로 연장되도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 5항에 있어서,상기 서로 다른 액체공급원은 연마액 공급원, 드레싱액 공급원, 분산재액 공급원, 및 화학용액 공급원을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 14항에 있어서,상기 연마장치는 고정부재를 더욱 포함하며, 상기 가동암과 상기 고정부재사이에 피스톤-실린더 액츄에이터가 설치되어 상기 가동암이 상기 피스톤-실린더 액츄에이터에 의해 이동되며,상기 연마장치는 상기 가동암의 위치제어를 행하기 위하여 상기 가동암의 위치를 검출하는 위치검출스위치를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 14항에 있어서,상기 연마장치는 상기 가동암을 이동시키기 위한 스텝모터를 더욱 포함하여 상기 스텝모터가 상기 가동암의 위치제어를 행하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 6항에 있어서,상기 연마장치는 상기 고리형상의 비산방지커버가 상기 상부위치에 놓여 있는지 여부를 결정하는 센서를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 연마면을 가지는 턴테이블을 제공하는 단계;작업 대상물을 상기 연마면에 접촉하도록 가져가는 단계;상기 연마면 상에서 연마액과 같은 액체를 상기 연마면의 반경방향의 원하는 위치에 공급하는 단계; 및상기 연마면 상에 공급된 상기 액체가 상기 연마면의 외주로부터 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위해서 상부위치와 상기 연마면의 레벨 아래의 하부위치 사이에서 이동될 수 있는 고리형상의 비산방지커버를 제공하는 단계를 포함하여 이루어지는 작업 대상물 연마방법.
- 제 28항에 있어서,상기 반경방향의 원하는 위치는 실질적으로, 상기 연마면과 접촉하는 상기 작업 대상물의 중심에 해당되는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 28항에 있어서,상기 반경방향의 원하는 위치는 실질적으로 상기 턴테이블의 상기 연마면의 중심에 해당되는 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 제 28항에 있어서,상기 작업 대상물은 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 연마방법.
- 작업 대상물을 연마하기 위해서 상기 작업 대상물이 접촉되는 연마면을 가지는 턴테이블;상기 연마면 상에서 연마액과 같은 액체를 상기 연마면의 반경방향의 원하는 위치에 공급하기 위해서 상기 액체의 공급원에 연통되도록 조정되는 가동노즐을 갖는 액체공급장치; 및상기 연마면 상에 공급된 상기 액체가 상기 연마면의 외주로부터 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위해서 상부위치와 상기 연마면의 레벨 아래의 하부위치 사이에서 이동될 수 있는 고리형상의 비산방지커버를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 작업 대상물을 연마하기 위한 연마장치.
- 제 32항에 있어서,상기 반경방향의 원하는 위치는 실질적으로, 상기 연마면과 접촉하는 상기 작업 대상물의 중심에 해당되는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 32항에 있어서,상기 반경방향의 원하는 위치는 실질적으로 상기 턴테이블의 상기 연마면의 중심에 해당되는 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 제 32항에 있어서,상기 작업 대상물은 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 연마장치.
- 연마면을 가지는 턴테이블과;선단 및 연마액과 같은 액체 공급원에 연통되도록 조정되는 기단을 갖는 튜브와, 상기 액체를 상기 연마면 상에 공급하기 위해서 상기 튜브의 상기 선단에 제공된 노즐을 갖는 액체공급장치를 포함하여 이루어지고,상기 연마면에 대한 상기 노즐의 반경방향 위치가 조절될 수 있도록 상기 노즐이 이동가능하고,상기 연마면 상에 공급된 상기 액체가 상기 연마면의 외주로부터 바깥쪽으로 비산하는 것을 방지하기 위해서 상부위치와 상기 연마면의 레벨 아래의 하부위치 사이에서 이동될 수 있는 고리형상의 비산방지커버를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마장치.
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US7078308B2 (en) * | 2002-08-29 | 2006-07-18 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for removing adjacent conductive and nonconductive materials of a microelectronic substrate |
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US7086933B2 (en) * | 2002-04-22 | 2006-08-08 | Applied Materials, Inc. | Flexible polishing fluid delivery system |
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US20030027505A1 (en) * | 2001-08-02 | 2003-02-06 | Applied Materials, Inc. | Multiport polishing fluid delivery system |
US6722943B2 (en) * | 2001-08-24 | 2004-04-20 | Micron Technology, Inc. | Planarizing machines and methods for dispensing planarizing solutions in the processing of microelectronic workpieces |
US6702657B2 (en) * | 2002-01-09 | 2004-03-09 | Daniel A. Ficarro | Continuous polisher machine |
US6884152B2 (en) | 2003-02-11 | 2005-04-26 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces |
US6872128B1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-03-29 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for applying liquid to a CMP polishing pad |
US20050164603A1 (en) * | 2004-01-22 | 2005-07-28 | House Colby J. | Pivotable slurry arm |
US7153777B2 (en) | 2004-02-20 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for electrochemical-mechanical polishing |
US20060025049A1 (en) * | 2004-07-30 | 2006-02-02 | Applied Materials, Inc. | Spray slurry delivery system for polish performance improvement and cost reduction |
JP2006147773A (ja) * | 2004-11-18 | 2006-06-08 | Ebara Corp | 研磨装置および研磨方法 |
US20070131562A1 (en) * | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for planarizing a substrate with low fluid consumption |
US7924399B2 (en) * | 2006-03-27 | 2011-04-12 | Asml Netherlands B.V. | Assembly comprising a conditioning system and at least one object, a conditioning system, a lithographic apparatus and methods |
JP2007268678A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Elpida Memory Inc | 研磨装置及び研磨装置の制御方法 |
JP4901301B2 (ja) * | 2006-05-23 | 2012-03-21 | 株式会社東芝 | 研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
US8277286B2 (en) * | 2009-02-13 | 2012-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry dispenser for chemical mechanical polishing (CMP) apparatus and method |
JP2010228058A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Fujikoshi Mach Corp | 研磨布の洗浄装置および洗浄方法 |
US20120255635A1 (en) * | 2011-04-11 | 2012-10-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for refurbishing gas distribution plate surfaces |
TWI548483B (zh) | 2011-07-19 | 2016-09-11 | 荏原製作所股份有限公司 | 研磨裝置及方法 |
JP5775797B2 (ja) * | 2011-11-09 | 2015-09-09 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および方法 |
CN104919575B (zh) * | 2013-01-11 | 2018-09-18 | 应用材料公司 | 化学机械抛光设备及方法 |
JP6389449B2 (ja) * | 2015-08-21 | 2018-09-12 | 信越半導体株式会社 | 研磨装置 |
JP6717691B2 (ja) * | 2016-07-06 | 2020-07-01 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
JP7152279B2 (ja) * | 2018-11-30 | 2022-10-12 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
CN115781521B (zh) * | 2022-11-08 | 2023-06-13 | 广东睿华光电科技有限公司 | 一种用于防眩光玻璃生产抛光剂喷管结构 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07223142A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-08-22 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JPH08257899A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-08 | Toshiba Mach Co Ltd | 研磨装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3683562A (en) * | 1970-09-24 | 1972-08-15 | Spitfire Tool & Machine Co Inc | Means for applying a liquid abrasive over the surface of a rotatable lapping table of a lapping machine |
JPS61188071A (ja) | 1985-02-14 | 1986-08-21 | Nec Corp | ウエハの研摩方法 |
JPS61284737A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Gokou Eizou Kagaku Kenkyusho:Kk | ゾ−ンフオ−カスの調節可能な撮影レンズ固定カメラ |
JPS6334580A (ja) | 1986-07-30 | 1988-02-15 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
JPS6361936A (ja) | 1986-09-03 | 1988-03-18 | Hitachi Ltd | 複屈折測定装置 |
JPH01138659U (ko) * | 1988-03-16 | 1989-09-21 | ||
JPH0540928Y2 (ko) * | 1988-05-11 | 1993-10-18 | ||
JP2622069B2 (ja) * | 1993-06-30 | 1997-06-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 研磨布のドレッシング装置 |
US5456627A (en) * | 1993-12-20 | 1995-10-10 | Westech Systems, Inc. | Conditioner for a polishing pad and method therefor |
JPH07201786A (ja) * | 1994-01-05 | 1995-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体基板の研磨方法と研磨装置 |
JP3734289B2 (ja) * | 1995-01-24 | 2006-01-11 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
JP3030608B2 (ja) * | 1995-08-21 | 2000-04-10 | 株式会社荏原製作所 | ラップ機の定盤洗浄装置 |
US5738574A (en) * | 1995-10-27 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Continuous processing system for chemical mechanical polishing |
US5709593A (en) * | 1995-10-27 | 1998-01-20 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for distribution of slurry in a chemical mechanical polishing system |
KR100445139B1 (ko) * | 1996-01-23 | 2004-11-17 | 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱장치 |
US6139406A (en) * | 1997-06-24 | 2000-10-31 | Applied Materials, Inc. | Combined slurry dispenser and rinse arm and method of operation |
US5957757A (en) * | 1997-10-30 | 1999-09-28 | Lsi Logic Corporation | Conditioning CMP polishing pad using a high pressure fluid |
US5945346A (en) * | 1997-11-03 | 1999-08-31 | Motorola, Inc. | Chemical mechanical planarization system and method therefor |
JPH11320406A (ja) * | 1998-05-06 | 1999-11-24 | Speedfam-Ipec Co Ltd | 研磨装置における排液・排気の処理方法及び装置 |
US6193587B1 (en) * | 1999-10-01 | 2001-02-27 | Taiwan Semicondutor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus and method for cleansing a polishing pad |
-
1998
- 1998-12-28 JP JP2000526331A patent/JP3902724B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-28 US US09/509,997 patent/US6338669B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-28 WO PCT/JP1998/005992 patent/WO1999033612A1/ja active IP Right Grant
- 1998-12-28 KR KR1020007007087A patent/KR100540367B1/ko active IP Right Grant
- 1998-12-28 DE DE69841223T patent/DE69841223D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-28 EP EP98961632A patent/EP1095734B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07223142A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-08-22 | Ebara Corp | ポリッシング装置 |
JPH08257899A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-08 | Toshiba Mach Co Ltd | 研磨装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1095734A1 (en) | 2001-05-02 |
US6338669B1 (en) | 2002-01-15 |
WO1999033612A1 (fr) | 1999-07-08 |
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